memorias

Dispositivos basados en circuitos que posibilitan el almacenamiento limitado de información y su posterior recuperación . Están formadas por

matrices de elementos de almacenamiento que pueden se latches o condensadores

Prof. CASTRO QUISPE J.

• Memorias de acceso aleatorio(RANDOM ACCESS MEMORY)se denomina así por su velocidad, a diferencia de las ROM

• Poseen la capacidad de lectura y escritura.• También se las conoce como memorias volátiles ,

debido a que pierden su datos cuando se encuentran sin energía.

• Se clasifican en 2 sub categorías: la RAM estática (SRAM) y la RAM dinámica (DRAM)


• Memoria de acceso aleatorio estática (STATIC RANDOM ACCESS MEMORY) , es capaz de mantener los datos mientras esté alimentada.

• Sus celdas están compuestas por flip flops o básicamente por 4 transistores mosfet ,aunque existen algunas memorias pequeñas construidas con transistores bipolares.


• Memoria de acceso aleatorio dinámica (DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY) El inconveniente que tiene este tipo de memorias consiste en que hay que recargar la información almacenada en las celdas.

• Sus celdas están compuestas por condensadores


• Memoria de solo lectura (READ ONLY MEMORY) Se caracterizan por ser memorias de lectura

• También se las conoce como memorias NO volátiles , es decir que la información almacenada se conserva sin necesidad de energía.


M

• Memoria ROM de Máscara, se caracteriza porque la información contenida en su interior se almacena durante su construcción y no se puede alterar.

• Un negativo fotográfico llamado mascara se usa para controlar las interconexiones eléctricas de la memoria

• Debido a que estas mascaras son costosas, este tipo de ROM solo es económico si usted necesita una gran cantidad de la misma ROM


• Memoria de solo lectura programable ( PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY)

• La programación la efectúa el usuario y se puede realizar una sola vez, después de la cual no se puede borrar o volver a almacenar otra información.

• Para almacenar la información se emplean dos técnicas: por destrucción de fusible o por destrucción de unión

• Con un pulso de 10 a 30V se almacena un 0 lógico


• Memoria ROM programable y borrable (Erasable Programable Read-Only Memory)

• La programación se efectúa aplicando en un pin especial de la memoria una tensión entre 10 y 25 Voltios durante aproximadamente 50 ms, almacenando un 0 lógico

• El borrado de la memoria se realiza mediante la exposición del dispositivo a rayos ultravioleta


• Memoria ROM programable y borrable eléctricamente(Electrical Erasable Programmable Read Only Memory )

• Puede ser programado, borrado y reprogramado eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante rayos ultravioleta.

• El borrado de la memoria se efectúa aplicando tensiones negativas sobre las compuertas para liberar la carga eléctrica almacenada en ellas.


• Similar a la EEPROM, es decir que se puede programar y borrar eléctricamente

• Son muy resistentes a golpes, pequeñas, livianas y sumamente silenciosas.

• Permiten un número limitado de veces que se escriben/borran, generalmente de 100 mil a un millón de veces

• Inicialmente almacenaban 8 MB, pero actualmente almacenan más de 64 GB, con una velocidad de hasta 20 MB/s.


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