national taiwan normal university master...

159
國立臺灣師範大學理學院物理研究所 碩士論文 Department of Physics College of Science National Taiwan Normal University Master Thesis 發光性二氧化鈦之特性分析與太陽能電池之應用 Investigation of Luminescent Titanium Dioxide and Application on Sensitized Solar Cells 洪柏育 Po-Yu Hung 指導教授:胡淑芬 博士 Advisor: Shu-Fen Hu, Ph.D. 中華民國 98 6 June, 2009

Upload: others

Post on 24-Mar-2021

0 views

Category:

Documents


0 download

TRANSCRIPT

Page 1: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成

國立臺灣師範大學理學院物理研究所

碩士論文

Department of Physics

College of Science

National Taiwan Normal University

Master Thesis

發光性二氧化鈦之特性分析與太陽能電池之應用

Investigation of Luminescent Titanium Dioxide

and Application on Sensitized Solar Cells

洪柏育

Po-Yu Hung

指導教授胡淑芬 博士

Advisor Shu-Fen Hu PhD

中華民國 98 年 6 月

June 2009

摘要

染料敏化太陽能電池 (Dye-Sensitized Solar Cell DSSC) 目前於

世界各國研究仍屬開發階段其光電轉換效能與商用矽晶太陽能電池

相較仍有差距但因其具備製作簡單成本低可撓性 (flexible) 及

易製成大面積之產品等商業化優勢故將成為下階段太陽能新能源急

切發展之技術針對DSSC之研究主要針對四項組成元件工作電

極染料電解質及反電極探討不同材料對於效率之影響其中工

作電極多屬半導體奈米薄膜如二氧化鈦 (TiO2) 或氧化鋅 (ZnO)

等已存在多數研究其形貌結構與塗佈方式對於電池效率之影響而

近年來TiO2 摻雜稀土金屬元素之研究多數僅只探討其發光及觸媒

特性卻未有應用於敏化太陽能電池工作電極之研究

本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法水熱法合成

TiO2 摻雜 Eu 粉體主要內容探討 Eu 摻雜對於晶體成長及晶相生

成之影響並討論 Eu3+ 為發光中心引起之特殊發光特性及機制且

Eu3+之摻雜對於 TiO2 吸收光譜及電子組態之影響也將於文中驗證

由於染料 Black dye 於紅光之特殊吸光特性本研究將 TiO2 Eu3+ 應

用於工作電池以增加染料對於太陽光之利用且利用TiO2 Eu3+之特

殊能階性質設計雙層工作電極結構電池以增加光電流及電壓進而

提高電池效率並以硒化鎘 (CdSe) 量子點取代染料 Black dye作為

敏化物觀察其光電特性於本研究中針對 TiO2 Eu3+ 將進行材料結

構鑑定及光譜特性分析並針對敏化太陽能電池測量其光電特性及理

論參數精算

謝誌

在上帝所應許的這短暫兩年碩士生活即將告一段落我要感謝胡

淑芬 教授及劉如熹 教授的諄諄教誨使我於碩士研究生涯中同時

可以獲得物理及化學之智識並運用於研究中且提供充分之研究資

源謹此致以衷心之敬意謝忱並感謝口試委員黃昭淵 教授與李冠

緯 博士對於論文精闢之指正與給予寶貴之意見使本論文得以更臻

完善

並誠摯感謝景弘學長平日於各方面的指導與幫忙浩銘與慧通學

長於實驗上之建議群哲學長於螢光粉的特性分析上之意見智文學

長於掃描式電子顯微鏡量測之協助亦感謝實驗室所有同仁在研究上

的協助與生活上的鼓舞使我的碩士生活能夠更加充實與亮麗

感謝我的家人因為你們的付出與支持使我在精神與物質上

皆不予匱乏且能在研究領域中專心一致無後顧之憂地順利畢業

並深深地感謝我的女友怡倩對我的關懷與包容家人的鼓勵及照顧

伴隨著我完成碩士學位謹將此論文獻給我最愛的家人師長工作

夥伴與朋友

『耶和華是我的牧者我必不至缺乏祂使我躺臥在青草地上

領我在可安歇的水邊祂使我的靈魂甦醒自己的名引導我走義路

我雖然行過死蔭的幽谷也不怕遭害因為你與我同在你的杖你

的竿都安慰我在我敵人面前你為我擺設筵席你用油膏了我的

頭使我的福杯滿溢我一生一世必有恩惠慈愛隨著我我且要住在

耶和華的殿中直到永遠』(詩篇 23 篇)

總目錄

總目錄I

圖目錄V

表目錄X

第一章 緒論 1

11 前言1

12 太陽能電池簡介 2

13 染料敏化太陽能電池 6

131 工作原理 6

132 染料敏化太陽能電池各部分介紹 8

1321 奈米結晶多孔膜電極 (nanocrystalline porous electrode) 8

1322 染料(dye)11

1323 電解液(electrolyte)14

1324 相對電極(counter electrode) 16

133 染料敏化太陽能電池之文獻回顧與發展現況 16

14 二氧化鈦摻雜元素材料之研究 18

141 TiO2Eu粉體發光特性說明 20

1411 主體晶格(Host) 20

1412 活化劑(Activator)22

15 研究動機與目的 23

第二章 實驗步驟與儀器分析方法 25

21 化學藥品25

I

22 合成方法26

221 溶膠凝膠法 (Micelle and sol - gel)26

222 水熱法 (Hydrothermal) 27

23 實驗流程28

231 TPT[鈦酸四丁酯Ti(OC4H9)4 Tetrabutyl titanate]系列 28

232 P25(Degussa P25 TiO2)系列 29

24 樣品鑑定分析 30

241 粉末X-光繞射儀(X-ray diffraction XRD)31

2411 X-光繞射工作原理 31

2412 XRD實驗儀器 34

2413 結構精算 35

242 掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope SEM)38

243 穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron MicroscopyTEM)39

244 比表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

ASAP) 40

245 光激發光譜儀(Photoluminescence PL)42

246 拉曼散射光譜儀 (Micro Raman Scattering Spectrometer)45

247 紫外可見光擴散式反射光譜(UV-Vis diffuse reflectance spectra

UV-Vis DRS) 46

2471 固態粉體之吸收光譜 46

248 X射線光電子能譜儀( X-ray Photoelectron SpectroscopyXPS )

48

249 X光吸收光譜 (X-ray Absorption Spectroscopy XAS)49

2491 X光吸收近吸收邊緣結構 (X-ray Absorption Near-Edge

StructureXANES) 50

25 染料敏化太陽能電池之組裝與特性分析 51

II

251 工作電極漿料配製 51

252 導電玻璃清洗 51

253 電池組裝與特性測試 51

254 染料敏化太陽能電池性能測試 54

2541 電流電壓效率曲線(I-V curve)量測 54

2542 入射單色光之光電轉換效率量測(incident photon to current

convers-ion efficiencyIPCE) 56

2543 電化學阻抗分析(Electrochemical impedance spectroscopy EIS)

57

26 量子點敏化太陽能電池之組裝 62

261 硒化鎘 (CdSe) 量子點之製備 62

262 硒化鎘 (CdSe) 量子點之改質 (Ligand exchange)64

263 量子點敏化電池之組裝 66

第三章 結果與討論 67

31 TiO2Eu3+ 材料結構鑑定分析68

311 晶體結構分析 68

3111 TiO2Eu3+ (TBT系列) XRD分析 70

3112 TiO2Eu3+ (P25 系列) 74

312 晶體表面形貌分析 79

3121 SEM 與TEM粉體形貌分析79

3122 氮氣等溫吸附與脫附分析(Brunauer -Emmett-TellerBET) 83

31221 TBT系列粉體BET分析 83

31222 P25 系列粉體BET分析86

32 TiO2Eu3+ 粉體光譜特性分析88

3211 光激發光譜分析(PL) 88

3212 臨界距離與能量轉移機制 94

III

322 拉曼散射光譜分析 (Raman scattering spectrum) 96

3221 TBT系列粉體拉曼散射光譜分析96

3222 P25 系列樣品拉曼散射光譜分析 98

323 紫外-可見光擴散式反射光譜分析(UV-Vis DRS) 100

3231 TBT系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析 100

3232 P25 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析104

324 X射線光電子能譜儀(XPS) 106

325 X-光吸收光譜(XAS)113

33 Ti1-xO2Eux3+粉體於染料敏化太陽能電池之應用研究117

331 單層工作電極電池效率量測 117

332 雙層工作電極結構 121

3321 雙層工作電極結構電池製作說明 122

3322 電池效率量測 123

3322 雙層工作電極結構電池入射單色光子-電子轉化效率(IPCE)量

測128

圖 352 Eu003-TBT0-TBT電池吸附與未吸附染料工作電極之激發

與放射光譜130

3323 雙層工作電極結構電池電化學阻抗(EIS)量測 130

333 CdSe敏化雙層工作電極結構電池光電特性分析 134

第四章 結論 136

參考文獻 138

IV

圖目錄

圖 11a 各類型太陽能電池效率之發展情形helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip5

圖 11b 各式種類太陽能電池效率演進圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip5

圖 12 染料敏化太陽能電池結構示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip7

圖 13 染料敏化太陽能電池各反應動力學比較示意圖helliphelliphellip8

圖 14 N3 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip13

圖 15 N719 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip13

圖 16 Black dye 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip14

圖 17 Black dye 染料與 N719 染料吸收光譜比較圖helliphelliphellip14

圖 18 DSSC 研究發展時程回顧helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip18

圖 19 主體晶格之陽離子分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip21

圖 110 主體晶格中不具光學活性陰離子團分布圖helliphelliphelliphellip21

圖 111 格中具光學活性陰離子團分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip22

圖 112 活化劑之陽離子團分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip22

圖 21 以溶膠-凝膠法與水熱法合成 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux實驗

流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip29

圖 22 以水熱法合成 P25 系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖helliphellip30

圖 231 (a)銅靶之 X 光光譜 (b)封閉式 X 光射線管helliphelliphelliphellip32

圖 232 X 光原理示意圖Cu 1s 電子游離後形成之電洞由 2p 電

子填入並伴隨 X 光釋出helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip33

圖 234 X 光繞射之示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip34

圖 24 X-光粉末繞射儀(PANalytical XrsquoPert PRO XRD) helliphellip35

圖 25 晶體繞射結構解析之一般流程helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip37

圖 26 掃描式電子顯微鏡(NDL)HITACHI S-4000helliphelliphelliphellip38

V

圖 27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip39

圖 28 TEM電子腔內部結構示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip40

圖 291 IUPAC制定之物理等溫吸附-脫附分類圖helliphelliphelliphelliphellip41

圖 292 IUPAC制定之遲滯迴圈型態示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip42

圖 210 螢光體光譜量測過程helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip43

圖 211 光激發光光譜儀構造helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip44

圖 212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀helliphelliphelliphelliphellip45

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip46

圖 216 Hitachi-U3410 紫外-可見光光譜儀helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip48

圖 217 Ti K-edge之XANES示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip50

圖 218 網印機塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip52

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖helliphelliphelliphelliphellip53

圖 220 電池光電轉換效率值檢測系統helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip55

圖 221 太陽能電池 I-V 特性曲線示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip55

圖 222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖helliphelliphelliphelliphellip57

圖 223 Z Z Z θ 之間之關係圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip58

圖 224 典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖helliphelliphellip59

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip60

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析helliphellip60

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip63

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip65

圖 31 TiO2 銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip69

圖 32 TiO2 金紅石(Rutile)相晶體結構圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip69

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜helliphelliphellip70

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖helliphelliphellip71

VI

圖 35 TBT系列Ti097O2Eu0033+粉體X光繞射結構精算圖helliphellip73

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜helliphelliphelliphelliphellip75

圖37 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布helliphelliphelliphelliphelliphellip75

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖helliphelliphellip77

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 003helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 80

圖 392 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)

為 x = 15helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip81

圖 310 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ TEM 圖放大倍率皆為 200kx(a)

x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f)

x = 004 helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip82

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖85

圖 312 TBT系列樣品不同Eu摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip86

圖 313 (a)~(c) P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之BET圖87

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip88

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖helliphelliphelliphellip90

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖helliphellip91

圖 317 P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL光譜圖helliphelliphellip91

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip92

圖 319 TBT系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE光譜圖helliphellip93

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖helliphellip93

圖 321 Ti1-xO2 Eux3+之 log(xEu

3+)對 log(IxEu3+)關係圖helliphelliphelliphellip95

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖hellip97

圖323 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖helliphellip99

圖 324 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS光譜helliphellip101

VII

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip103

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip104

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜helliphelliphellip105

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖105

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖106

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphellip108

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip108

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip110

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖338兩系列樣品未摻雜及摻雜Eu3+粉體能隙位階圖helliphelliphellip112

圖 339 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜helliphelliphelliphellip114

圖 340 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip115

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜helliphelliphelliphellip115

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip116

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip119

圖344 P25系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphellip121

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip122

VIII

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

圖348 P25系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖helliphellip127

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變

化helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip127

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作電極之激

發與放射光譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 130

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖

譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip135

IX

X

表目錄

表 11 各類型太陽能電池之比較helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip4

表 2-1 本研究所使用之藥品清單helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip25

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip33

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數hellip73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參

數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip74

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數helliphelliphellip78

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果helliphelliphellip78

表 34 TBT系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip119

表 35 P25系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

表36 TBT系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

表 37 P25系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數

分析helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip135

第一章 緒論

11 前言

聖經舊約創世紀記載著上帝說要有光即有光時至今日太

陽光為地球上最重要且最為豐富之可再生能源亦為人類唯一用之不

盡取之不竭之能量來源每年於地球上之光照能量可達到全球人類

年消耗量之數千萬倍以上由於各類天然能源快速耗竭故有效利用

太陽能轉換成所需之能源成為ㄧ門極為重要之課題各種再生能源中

涵蓋太陽能水力發電風力發電燃料電池以及鋰離子電池等

僅太陽能電池為一種將太陽光直接轉換為電能之光電元件早於1954

年時美國 Bell 實驗室首先提出以矽半導體作為太陽能電池之材

料此一領域於眾多研究學者與工程人員之努力下迄今相關之理論

與技術均已相當成熟且真正地商品化雖然無機半導體-矽太陽能電

池發展至今製程已漸趨穩定但由於對於原料之純度高度要求因此

製備成本難再大幅降低因此各研究單位莫不積極找尋另一低成本

製程簡易之替代材料此為目前使太陽能電池應用普及之發展重點

相較於傳統矽晶材料無機奈米材料具低密度質量輕成本低廉且

可使用一般傳統且發展完備之塗佈方式例如旋轉塗佈 (spin

coating)刮刀塗佈(doctor-blade coating)網版印刷(screen printing)

或近來發展之噴墨印刷 (ink-jet printing)等不需高價位設備之方法來

製備光伏元件 (photovoltaic device)因此不但可簡易地製備不同大

小之元件 並且可大幅提升進一步顯著降低元件成本之機會同時

無機奈米材料可透過分子結構設計例如摻雜金屬離子或是改變其形

貌藉以調整其能階與能隙大小電荷轉移能力電荷傳導速度溶

解度成膜之結晶型態等重要材料特徵另外所吸附之有機分子通

常具高光吸收係數與良好之延展性因而可藉以製備輕薄且可撓曲之

1

攜帶式電池元件(1)色素增感 (dye-sensitization) 之概念源起於19世

紀攝影技術使用色素增感鹵化銀(silver halide)可產生黑與白之感光

膜(photographic films)此被視為關於色素增感半導體之第一個重大

研究(2)然而最早之光電化學使用之平滑電極只有於膜表面吸附之

單層色素才能有效的將電子注入半導體內但此單層色素內光線之吸

收效率極低於多孔性之 TiO2 奈米薄膜內其有效表面積能增加至

1000倍因此要使光線吸收效率增加必須使每一個 TiO2 粒子表面

皆吸附單層色素(3)直到1991年瑞士科學家Graumltzel利用奈米技術改良

工作電極進而開發出高效率(71~79 )太陽能電池稱為染料敏化太

陽能電池 (dye - sensitized solar cellsDSSC) (4)其成果引起全球能

源界之關注以及熱烈投入發展近年來染料敏化太陽能電池澎勃發

展最大原因仍在於簡單製程無須投入昂貴設備無塵室廠房等

設備而二氧化鈦電解質等材料價格便宜亦為關鍵要素此外

DSSC 可使用具可撓曲性基材應用端因此大幅擴張相較於目

前主流矽晶太陽能電池只適用於大型戶外屋頂等少數應用場

合其具較大之應用空間

12 太陽能電池簡介

太陽能電池依照所使用之材料以及製程之不同可分為矽基

型化合物半導體型與有機半導體型三類

ㄧ矽基型太陽能電池(5 - 7)

根據結晶形態矽基型太陽能電池可分為單晶矽(monocrystalline

silicon)多晶矽(polycrystalline silicon)與非晶矽(amorphous silicon)三

類單晶矽之組成原子均按照一定規則週期性排列以單晶矽製

備之太陽能電池轉換效率最高約為24 使用壽命年限亦較長

2

但通常所使用之矽半導體基材純度極高相對地製造成本亦最多

多晶矽是以熔融態之矽鑄造固化而成其矽原子堆積方式不只一

種而是由多種不同排列方向之單晶所組成多晶矽太陽能電池由

於製程簡單故成本較低轉換效率約18-20 非晶矽對光之吸收性

比矽強約500倍只需薄薄一層即可將光子之能量有效地 吸

收其轉換效率雖僅 13-14 然而因為非晶矽不需使用昂貴之

結晶矽基板而用較便宜之玻璃陶瓷或是金屬等基板如此不僅

可以節省大量之材料成本亦提高製作大面積之太陽電池之可能性

(結晶矽太陽電池之面積受限於矽晶圓之尺寸)製造成本為三者間

最低為其最大之優勢故未來亦具發展潛力世界上已有多家公司生

產該種電池之產品例如美國 uni-solarsolarex日本三洋電機

夏普大陸深圳拓日與德國 Schott Solar非晶矽薄膜太陽電池之主

要優點是成本低製備容易但亦存在嚴重缺點即性能不穩定其

光電轉換效率隨光照時間延續而衰減另外非晶矽薄膜太陽電池之效

率亦較低(95 )為提升非晶矽電池效率大多數廠商採用雙層p-i-n

結構(一層非晶矽能階約17 eV與一層微晶矽能階約14 eV堆疊而成)

串接使電池可以吸收各種不同波長之光源達到對太陽光最大利用

進而提升整個之轉換效率

二化合物半導體型薄膜太陽能電池(5 8)

化合物半導體型薄膜太陽能電池則可分為下列幾類Ⅲ-Ⅴ族

[包括砷化鎵 (GaAs) 磷化銦 (InP)磷化鎵銦 (InGaP) ]Ⅱ-Ⅵ

族[包括碲化鎘 (CdTe)硒化銦銅 (CuInSe)]等化合物半導體為直

接能隙材料其能隙於11及16 eV之間與太陽光譜匹配度較佳此

些材料所製作之太陽電池亦都有很高之效率尤其多接面串疊型

(InGaPGaAsInGaAs multijunction tandem cell)之太陽能電池效率甚

3

至可以接近40 然而製作過程中需於真空及高溫下操作使得造價

昂貴且並未大量生產故目前商業市場上仍以矽基型太陽能電池為

三有機半導體型

有機半導體型太陽能電池具成本低廉製程簡易可應用於大

面積化以及具可撓曲性等優點故近年來度受到各界矚目本論文

中所研究之染料敏化太陽能電池(5 9)即為其中之一 然而此系列之

太陽能電池至今尚未量產之主因是在於其轉換效率低高溫穩定性

不佳及大尺寸太陽能板開發等問題因此提高轉換效率與穩定性

則成為目前研究之首要目標

表 11 各類型太陽能電池之比較(5)

4

圖 11a 各類型太陽能電池效率之發展情形(8)

圖 11b 各式種類太陽能電池效率演進圖(16)

5

13 染料敏化太陽能電池

131 工作原理

染料敏化太陽能電池之組成以及此類電池之工作原理與相對能

階位置圖如圖12 所示塗有多孔性奈米結晶性二氧化鈦(porous

nanocrystalline TiO2)之透明導電玻璃(陽極)染料分子吸附於TiO2

上含有Iminus I3minus之氧化還原對(reduction-oxidation couple)電解質塗有

鉑(Pt)觸媒層之相對電極(陰極)所組成於外接負載情況下整個電

池形成連通迴路而產生電流與電壓當太陽光照射至染料而產生激發

電子由於染料分子LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)能階

較 TiO2 導帶高(Ecconduction band)染料激發態電子迅速注入TiO2

導帶中而形成染料陽離子其中 TiO2 不單作為染料支持劑且為電

子之受體與導體雖然少部分電子會經由再結合(recombination)過程

而消失但大部分電子經由導電玻璃而傳導至外電路氧化態之染料

從電解質獲得電子而還原輸出之光電壓為照光下半導體之費米能階

(Fermi level)與電解質氧化還原可逆電對 (redox couple)之Nernst

potential差( )電解液經由相對電極上傳來之電子而被還原(10)如

此整個電路各部分皆得以再生無淨反應生成其持續之光電流由

此產生整個反應表示如下(11)

陽極 S(基態) + 能量( hυ ) rarr S(激發態)helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip照光激發

S rarr S+ + e- (CB)helliphellip染料激發態電子進入TiO2導帶

2S+ + 3 Iminus (電解質) rarr 2S + I3minushelliphelliphellipS再生Iminus消耗

陰極 I3minus+ 2e- rarr 3 IminushelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellipIminus再生

副反應 2e-(CB) + I3minusrarr3 IminushelliphellipTiO2 導帶上之電子與I3

minus結合

其中S為染料基態(ground state)S為染料激發態(excited state)S+

為氧化態染料離子(oxidized state)

6

圖 12 染料敏化太陽能電池結構示意圖(12)

圖13 為染料敏化太陽能電池各層間反應時間示意圖當染料經

照光後激發態電子注入 TiO2 導帶於 pico-second 範圍而結合過

程則約發生於 micro-second 之時間因此前者電子傳遞速率約為後

者之103倍甚至可達106倍故形成光誘導電荷分離之動力學基礎可

見光誘導分離非常有效造成淨電子流出此外電子之生命週期(life

time)與擴散係數(diffusion coefficient)決定電子之擴散長度(diffusion

length)電子於多孔膜中傳遞並不如在單晶中快故必須盡可能減少

電子行走路徑與穿越晶體界面數因此存在有一最佳膜厚對應最

大光電流值最後染料之還原反應發生於 nano-second 範圍

速率快於結合過程而能迅速消除電洞符合目前太陽能電池所要求之

7

條件形成此種快速轉移之機制乃因分子軌域之電子波函數與TiO2

導電帶之電子波函數造成耦合現象詳細之傳遞過程可以由量子力學

方法計算

圖 13 染料敏化太陽能電池各反應動力學比較示意(12)

132 染料敏化太陽能電池各部分介紹

1321 奈米結晶多孔膜電極 (nanocrystalline porous electrode)

奈米半導體光陽極材料(如TiO2)具重要地位其結構與性能直接

影響與光敏染料分子之匹配及接受染料分子注入電子之效率與光電

池之開路電壓一般染料敏化太陽電池對半導體光電極有如下要求

具比較大之比表面積以吸附更多染料分子適當導電帶能階以使與染

料激發態相匹配提高激發態染料朝向半導體電極注入電子之效率

較高之費米能階以提高電池之開路電壓較小之電阻率促使電池之內

阻減小由於 TiO2 具安定無毒穩定性高且便宜等優點故最為

被廣泛研究其他材料如 ZnO (1314) Nb2O5(1516)SnO2

(1718)In2O3(19)

8

以及二元材料Zn2SnO4(20)等都曾被研究然而電子注入效率之高低仍

須考慮染料分子與半導體結晶結構之特定方向鍵結 各研究致力於發

展相搭配之染料目前仍是以 TiO2 為主流材料天然之二氧化鈦

有三種結晶型態即銳鈦礦型(Anatase)金紅石型 (Rutile)與板鈦

礦型(Brookite)主要是由於鈦原子與氧原子排列不同而形成相異結晶

構造於此三種結晶型態中銳鈦礦型與金紅石型皆具光催化能力

銳鈦礦型與金紅石型二氧化鈦之共價帶電位很高經光照射後所生成

之電洞具極強之氧化能力 再者銳鈦礦型之傳導帶電位比金紅石型

高造成銳鈦礦型之能隙大於金紅石型(銳鈦礦型約為33 eV金紅石

型約為31 eV)受光激發至傳導帶之電子較不易回復至價帶因此

其電子具較強還原能力綜合上述可知銳鈦礦型二氧化鈦具較高催

化活性之因

染料敏化太陽能電池之一項重要關鍵技術即是引入高粗糙因

子 (roughness factor)之多孔性海棉狀(sponge-like)半導體電極結構

其目的除使染料大量吸附外並且提供適當孔洞大小供電解質擴

散薄膜電極材料之製作一般可區分為下列兩種略述如下

方法一(21 22)

瑞士教授 Graumltzel 之研究群乃利用溶膠-凝膠(sol-gel)之方法獲

得具結晶性與高比表面積之奈米顆粒依此法所得之顆粒最終型態是

受到環境之合成條件影響例如水解與聚合之酸鹼度溫度前驅物之

化學性質溶劑觸媒濃度等均扮演著重要角色以下粗略描述製作

步驟及其對應之環境與影響

I 水解 (Hydrolysis)此步驟牽涉 Ti(IV)鹽類之水解控制前驅物之

選擇可以為四異丙氧基鈦 (titanium isopropoxide) 或四氯化鈦

( TiCl4)並於 01 M HNO3 之酸性環境下進行水解使所得之膠體

9

粒子能均勻分散並且穩定懸浮於液體中實驗證明於相當高之水與

鈦比例下不論是逐滴加入(dropwise)抑或是全加(one shot)皆不

影響最後產物型態(22)

II 膠溶作用(Peptization)此步驟於 70-100oC 下持溫數小時除使

膠體粒子相互連結形成高交集度粒狀結構凝膠外同時亦因能量之提

供而破壞凝團聚集(deagglomeration) 之情形(22)結晶化亦於此時發

生顆粒亦同時微幅成長

III水熱成長(Hydrothermal growth) 此步驟之目的乃於高溫之環境

下藉由奧斯瓦特熟成過程 (Ostwald ripening) 將小顆粒溶解並進一

步成長為較大之結晶顆 粒溫度改變不僅影響最終之顆粒大小

同時亦將影響最終多孔膜之平均孔徑此外Rutile結晶相亦會於較高

溫時形成文獻(23)指出Anatase相顯示較佳之電子傳輸速率與生命週

期一般是以Anatase相為主而Rutile相之反射係數顆粒均比Anatase

相大導致生成之薄膜不具透明性但可使入射光能於多孔膜內多次

反射而被有效利用因此亦有相關研究作為太陽能電池電極為10 μm

厚並有部分Rutile相之 TiO2 多孔膜為主(21)

方法二(24 25)

利用商業化二氧化鈦粉末 (Degussa P-25為 70 銳鈦礦

(anatase)30 金紅石(rutile)之混合物粒徑約24 nm比表面積約

50 m2g)加入乙醯丙酮(acetyl acetone)或 HNO3 用以預防粒子聚

集以及添加介面活性劑用以降低表面張力以利塗佈

最後將上述方法所製得之二氧化鈦粉末與凝聚劑(binder)充分

混合利用刮刀成膜(doctor blade)之方式將上述膠態溶液塗佈於導

電玻璃上經 450oC 煆燒30分鐘後使顆粒彼此間經燒結聚同時與

導電玻璃間形成良好之電接觸(electronic contact)凝聚劑於此步驟

10

中被燒掉而遺留下孔洞完成粗糙因子約為1000之多孔膜(roughness

factor = 總表面積投影表面積) (24)值得注意之為不同煆燒溫度與

時間亦將影響最終孔徑分布進而影響電解質擴散與電池之效率表

現此外亦有利用網板印刷(screen printing)熱分解噴鍍技術(spray

pyrolysis deposition)等應用於大量生產之方式溶液之配方需做進一

步調整才能適用

1322 染料(dye)

染料為染料敏化太陽能電池中之重要組成部分在近 20 年之研

究中已嘗試合成 900 多種之染料並應用於染料敏化太陽能電池

但其中只有一小部分具良好之光敏化性能其中主要是釕(Ru)之多

吡啶錯合物而染料性能之優劣將直接影響到染料敏化太陽能電池

之光電轉換效率前述提到要藉由光激發二氧化鈦而產生反應須要

低於 388nm 之紫外光但紫外光所佔太陽光能中只有 5 是故必

須利用太陽光能占最高比例之可見光而染料能夠幫助二氧化鈦之吸

收波長提高至可見光區因此染料能藉由可見光之激發驅使電子躍遷

至二氧化鈦半導體電極並接受來自電解質之電子還原而一般染料

必須符合以下幾點條件(26)

(1) 緊密吸附於二氧化鈦表面亦即為能夠快速達到吸附平衡且不

易脫落故染料分子母體中一般應該要含有易與奈米半導體表面結

合之基團如-COOH-SO3H-PO3H2如染料上之-COOH 官能基

會與二氧化鈦膜上之-OH 官能基形成成酯類而增強二氧化鈦導帶

3d 軌域與色素染料 π軌帶電子之耦合使電子轉移更為容易

(2) 對可見光具很好之吸收特性即是能吸收大部分之入射光

(3) 其氧化鈦(S+)與激發態(S)要具較高之穩定性與活性

11

(4) 激發態壽命足夠長並具很高之電荷(電子電洞)傳輸效率

(5) 具足夠之激發態氧化還原電位以保證染料激發態電子注入二

氧化鈦導帶

(6)氧化還原過程(包括基態與激發態)中要有相對較低之位勢使

初級與次級電子轉移過程中之自由能損失最小

以釕之多吡啶錯合物為主之染料敏化劑為藉由吸附於二氧化鈦

表面其提供主要光子吸收與隨後發生電子注入之步驟典型釕之多

吡啶錯合物化學結構最早是由 Graumltzel 團隊所發現此類型染料因其

具較強之可見光吸收能力良好光電化學性質激發態穩定性高及與

二氧化鈦表面具強之連結作用力且可接受約 5x107 次氧化還原反

應因此成為廣泛使用之染料敏化劑如圖 14~16 之結構(27)N719

光敏染料於 535nm395nm 有最大吸收峰N3 dye其吸收光之

範圍可達可見光區從 400 nm~800 nm全質子化 N3 dye 於 538

nm398 nm 有最大吸收峰(28)Black Dye為目前最具效能之染料

其吸收光範圍涵蓋可見光且可達近紅外光區(900nm)單一質子化

Black Dye 於 610 nm413 nm 有最大吸收峰於拉曼振動光譜研究

中亦指出單一質子化 Black Dye 與二氧化鈦之表面鍵結與 N3 Dye

相同是由螯狀雙牙配位 (Chelate Bidentate)或架橋配位 (Bridging

Bidentate)型式與二氧化鈦配位鍵結其差別在於 Black Dye 乃以

COOmacr與 TBA+與二氧化鈦產生配位鍵結(29)然而以上此些染料可於

可見光與近紅外光區具吸收主要可歸因於金屬-官能基電荷傳遞

(Metal-to-Ligand Charge TransferMLCT)之性質由金屬(Ru)之電子

傳遞至位於外圍之羧基化吡啶配位鍵之 π 反鍵結軌域之後在少於

100 fs 時間內將電子傳入二氧化鈦之導帶(30-34)因此理論上光子轉換

為電子之比例可達至 100本研究所使用之染料 N719 與 black dye

12

之吸收光譜比較圖如圖 17 所示

圖 14 N3 染料之化學結構式(27)

圖 15 N719 染料之化學結構式(30)

13

圖 16 Black dye 染料之化學結構式(29)

圖 17 Black dye 染料與 N719 染料吸收光譜比較圖(31)

1323 電解液(electrolyte)

目前 DSSC 依其結構與研究使用目的不同亦搭配相異種類之

電解質液態電解質溶膠-凝膠(準固態)電解質與固態電解質本研

14

究所使用之液體電解質由於其擴散速率快光電轉換率高及組成成分

易於設計調整且對於奈米多孔膜滲透性佳故一直廣泛研究但

存在著許多問題(1) 傳統碘離子 (IminusI3minus) 電解質溶液之有機溶劑多

半有毒性其滲漏與揮發問題需解決(2) 實際於長期日照下應用之

發電穩定性與熱穩定性有待加強(3) 嚴密封裝需求將提昇製程成

本(4) 柔軟材質上應用困難(5) 有機溶劑對染料吸附之不利影響

以上問題於應用上均造成某種程度阻礙一般電解質都須具高極性有

機溶劑作搭配於液態電解質濕式元件中會選擇如乙烯碳酸鹽

(ethylenecarbonate)乙腈(acetonitrile)丙烯碳(propylenecarbonate)

之混合溶劑而電解質之選擇有I2LiIKITerapropylammonium

iodideTertabutylammoniumiodide 等Graumltzel 等人(32)以black dye為

染料06 M dimethylpropylimidazolium01 M I201 M LiI 與05 M

4-tert-butylpyridine 為電解質 (溶劑為methoxyacetonitrile)於 100

mWcm2強光下光電轉換效率為104 碘化物中陽離子常用的為

咪唑銨(imidazolium) 類陽離子或鋰離子(Li+)Imidazolium 類陽離子

可以吸附於奈米 TiO2 表面阻絕了 I3minus 與 TiO2 表面之接觸因此

抑制導帶電子與 I3minus 於 TiO2 表面結合使電池輸出功率與光電轉換

效率得以明顯提升由於 imidazolium 陽離子之體積大於鹼金屬離子

體積只要增大碘鹽中陽離子體積即易導致陽離子對 Iminus 束縛力減

弱一方面可以提高碘鹽於有機溶劑之溶解度進而提高 Iminus 濃度

另一方面亦因陽離子對 Iminus 之束縛力減弱Iminus 還原活性及於有機溶劑

之遷移率亦增強上述兩者均有利提高氧化態染料再生為基態染料之

速率(33)當電解質溶液中加入小體積 Li+ 時若 Li+ 濃度很小此

時 Li+ 主要是吸附於 TiO2 表面上若 Li+ 濃度增大則 Li+ 於

TiO2 表面吸附與嵌入 TiO2 膜內兩種情況共存此種情況之 Li+ 可

15

與傳導帶電子形成電子對 Li+- e-由於 Li+- e- 電子對既可於 TiO2

表面遷移亦有可能脫離 TiO2 表面遷移此將明顯減小導帶電子於

相鄰或不相鄰鈦原子之間之傳輸阻力及距離可知於電解質中加入

Li+可大幅改善電子於 TiO2 之間之傳輸進而提高染料敏化太陽

能電池之光電流(33)

1324 相對電極(counter electrode)

相對電極於染料敏化太陽能電池中扮演快速還原I3-之角色有效

觸媒催化劑極具必要性目前白金(Pt)觸媒最為被廣泛利用但其對

於光電效率表現程度(動力學常數化學穩定度附著穩定度)深受製

作方法所影響如電化學法 (electrochemically) 與蒸鍍法 (vapor

deposited)上述兩製作方法由於穩定度不佳與還原能力不好而不適

用濺鍍法(sputtering)目前最為被廣泛利用(此亦為本研究白金電極之

製作方法)其穩定性佳製作程序簡便卻須消耗較多白金而不適用

於大量生產Papageorgiou等人則發展出熱沉積(thermal decomposition)

法(34)此方法不僅大量減少白金使用量於動力學參數化學穩定性

機械強度及透明性上皆有其優異之處只是做法上較為麻煩此外

Kay與Graumltzel亦發展利用多孔性碳(porous carbon)做為觸媒層(35)此觸

媒層為碳黑(carbonblack)石墨奈米結晶性 TiO2 粉末混合物碳

黑可連接分離之石墨片進而提高導電度TiO2 則作為黏著劑(binder)

用此項技術之最大優點在於成本花費降低然而目前效能仍較白金

觸媒差

133 染料敏化太陽能電池之文獻回顧與發展現況

於1978 年美國專利發表第一個最先使用染料敏化 TiO2 來轉換

太陽光能之元件(36)TiO2 為寬能隙 n 型半導體對空氣及水有穩定

16

之抗氧化能力(4)然而電極為寬能隙半導體係為延伸於太陽光中可見

光區域之光譜應答但仍必須與染料高濃度掺雜此專利染料使用為

N-methylp- henaziniumion此使 TiO2 光譜響應延伸至500 nm然而

此專利中所組裝之元件轉換效率相當低且穩定性亦有待商榷直到

1991年瑞士洛桑高等工業學校(Ecole Polytechnique Federale de

LausanneEPFL)之 Graumltzel 與 OrsquoRegan 發展染料敏化奈米薄膜太

陽電池取得重大之突破(43738)電極為奈米多孔TiO2使用更穩定更

有效率之過渡金屬 Ru 等有機化合物染料其光電轉換效率可達 71

而於 1997年其轉換效率達至10 ~ 11 (39)澳大利亞國際永續技

術公司(Scientific and Technical InformationSTI)徳國 INAP (Institut

fuer Angewandte Photovoltaik Solarpunkt ) 研究所荷蘭國家能源研究

所(Energieonderzoek Centrum NederlandECN)日本日立公司日

本富士公司瑞典 Uppsala 大學瑞士 Leclanche SASolaronix

等公司均於產業化研究中已取得較大之發展 過去10年中全世界各

主要實驗室與公司於不同面積太陽電池上取得不同光電轉換效率其

中瑞士 EPFL 與日本夏普公司於小面積(面積小於1 cm2)電池上獲得

超過 11 之光電轉換效率(40-43)ECN 於條狀電池(1~5 cm2)上達82

(有效面積236 cm2) 之光電轉換效率瑞士EPFL(44)日本Sharp公

司Arakawa等(45)於條狀電池(1~5 cm2 ) 上取得與小電池(面積小於1

cm2)相當之轉換效率101 (131 cm2)104 (1004 cm2 ) 與99

歐盟 ECN 研究所取得面積大於1cm2電池效率最高紀錄 (815 (25

cm2)58 (100 cm2) 平均45 ) (46)由於DSSC電池之特殊性大

面積電池之研製與產業化一直是該電池研究難點目前澳大利亞

STI 公司建立世界第一個亦為迄今獨一無二面積 200 m2 之染料敏

化奈米薄膜太陽電池平面屋頂亦顯現出未來工業化之前景該結果

17

使人們對產業化染料太陽能電池之性能極具信心 2002 年美國

Konarka 公司亦投入 1350 萬美元對以透明導電高分子等軟性薄膜

為導電極之染料敏化奈米薄膜太陽能電池進行產業化與實用化研

究該研究是基於美國軍隊對軟性與移動性較好能源轉換之應用要

求故得到美國軍方大力支持因此於能源危機之促使下全球研

究單位莫不藉由改善DSSC各部分之特性以提高效率或設計其結構

以增其實用性

圖 18 DSSC 研究發展時程回顧(4 22 24 40 47-57)

14 二氧化鈦摻雜元素材料之研究

TiO2 之晶體中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性

質之改變易有助於光催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕

18

捉電子或電洞之缺陷有助於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素

與 TiO2 共結晶添加之過渡金屬亦將於光觸媒之傳導帶與價帶之間

形成新獨立能階因此可以較低之能量使電子激發進而擴大激發光

源之使用增益對光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化

效果通常摻雜元素之量(濃度)低時較有利光觸媒活性太高會大幅

改變 TiO2 原有特性每種元素之摻雜有其特定最佳化條件

Vamathevan 等人(58)配製含 Fe3+ 或 Ag+ 之摻雜改質二氧化鈦

以蔗糖之光氧化分解成二氧化碳以進行光觸媒催化活性評估結果顯

示添加之銀離子與鐵離子皆有一最適劑量分別為銀(20 atom )

與鐵(10 atom )於最佳金屬添加量比例之外銀改質型觸媒之

催化活性會略為降低故近年來研究發現 Fe3+ 為有效之摻雜離子

(5960)Li等人(61)利用有機金屬化學氣相沈積法(metal organic chemical

vapor deposition MOCVD ) 以 四 異 丙 氧 基 鈦 (Titanium

tetraisopropoxide TTIP)和 (CH3COCHCOCH3)3NdxH2O作為前驅

物以製備摻雜 Nd3+ 之改質二氧化鈦結果顯示隨著Nd3+摻雜量

之增加改質後之二氧化鈦觸媒於可見光波長範圍之吸收能力亦隨之

增加

除此之外其他如 Mo5+Ru3+Os3+Re3+Cr3+V4+與Rh3+

以及非金屬元素N (62)之摻雜等此方面研究近年來引起相當多投入

關於稀土離子摻雜進入一般陶瓷材料之研究已進行幾十年然而近幾

年始開始出現對於稀土原子摻雜進入半導體材料之研究將Tb3+摻雜

入TiO2 粉末或是薄膜中確實可以發出綠光(6364) TiO2中分別摻雜

Eu3+Tb3+Sm3+可以明顯觀察不論摻雜之稀土元素種類改變其

相皆與純之TiO2相符合證明摻雜稀土元素進入TiO2並不會改變其原

有之結構也因而不會因此改變TiO2原有之結構特性但卻可以影響

19

其電子組態與能階分布進而改變其光電特性目前故有稀土原子摻

雜進入半導體材料之研究皆只探討其發光機制與少許光觸媒特性分

析對於直接於太陽能電池電極之應用仍極為少數

141 TiO2Eu 粉體發光特性說明(65)

針對本實驗合成之工作電極材料雖發光強度無法與商用紅色螢

光粉比擬但仍為一無機螢光體主要由主體晶格(host lattice簡稱

H)與活化劑(activator簡稱 A)兩者所構成之其化學式一般以 HA

表示活化劑因可能取代主體晶格中特定離子位置稱為摻雜劑

(dopant)

1411 主體晶格(Host)

主體涵蓋一個或數個陽離子與一個或數個陰離子結合而成一般

主體於光激發過程中所扮演之角色為能量傳遞者而主體中之陽離子

或陰離子必須不具光學活性(optically inert)如此能量之放射與吸收

均於活化中心進行陽離子之選擇條件須具如惰性之電子組態(如

ns2np6d10)或具封閉之外層電子組態(如 f0f7f14)故不具光學活性

圖 19 為週期表中可作為螢光體主體之陽離子分布圖主體之選擇對

發光強度與光譜特性影響極大其中活化劑離子所進入晶格位置之

點對稱(point symmetry)與配位數(coordination number)以及所取代主

體離子之半徑大小均決定發光之行為

20

圖 19 主體晶格之陽離子分布圖(66)

陰離子團之選擇有二一為不具光學活性之陰離子團如圖

110另一則為具光學活性(optically-active)可充當活化劑之陰離子

團如圖 111後者通稱為自身活化(self-activated)之螢光體如

CaWO4YVO4等此為週期表中可作為螢光體主體晶格之陰離子

圖 110 主體晶格中不具光學活性陰離子團分布圖(66)

21

圖 111 主體晶格中具光學活性陰離子團分布圖(66)

1412 活化劑(Activator)

活化劑一般分成兩類陽離子團與陰離子團前者須具正確之價

數後者須具自身活化能力且可產生電荷轉移作為活化劑之陽離子

一般具 (nd10)((n+1)s2) 電子組態此類呈現高放光效率或半填滿軌

域如Mn2+Fe3+等如圖 112此外活化劑之添加本質上屬於

取代缺陷故活化劑與主體陽離子之大小須相近如相差太多將造成

晶格之扭曲故活化劑之種類與主體內之添加取代量即受到限制

圖 1 12 活化劑之陽離子團分布圖(66)

22

本研究採用之活化劑為稀土離子(67)其發光特性取決於稀土離子

Eu 4f 殼層電子性質稀土離子之電子躍遷主要具以下兩種形式(1) f

- f 躍遷(2) f - d 躍遷多數三價鑭系離子發生於內層之 4f - 4f 能階

躍遷根據選擇律此種l = 0 之電偶極躍遷原屬禁戒(forbidden)

但因 4f 組態與反對稱之組態 g 或 d 發生混合使原屬禁戒之 f - f 躍

遷成為允許(allowed)且 4f 殼層上之電子受外殼層 5s24p6 之遮蔽效

應故其 f - f 能階躍遷特徵如下

(1) 發射光譜呈線性譜線強度較弱

(2) 主體晶格(host)對發射波長影響不顯著

(3) 濃度與溫度淬滅變小即使於 400~500仍可發光

(4) 螢光壽命較長

15 研究動機與目的

本論文研究基於之前眾多之成果所建立之理論基礎提出一將稀

土元素摻雜入 DSSC 之工作電極中之創新構思欲藉由類似螢光粉之

觀念於主體 (host) 中摻入活化劑 (activator) 再經由特定波段之

激發產生放光之過程放射光之波長取決於主體與活化劑之搭配此

概念之目的是要增加染料敏素之吸收率進而提升整體之效益而所

需放射之光取決於染料敏素之 IPCE(incident-photon-to-current

conversion efficiency) 值於何處有最大值關於稀土離子摻雜進入一

般陶瓷材料之研究已進行幾十年近幾年則開始有對於摻雜進入半導

體材料之研究而先前眾多研究只探討其光觸媒特性並無應用於染

料敏化太陽能電池之顯著成果其中 Eu3+具非常好之紅色可見光發光

性Eu3+離子吸收波長 300 ~ 450 nm 左右之太陽光後其內層 4f ndash4f

軌域間之轉換將可放射出 593 nm (5D0 rarr 7F1) 612 nm (5D0 rarr 7F2)

650 nm (5D0 rarr 7F3)與 697 nm (5D0 rarr 7F4)紅光範圍之可見光Black

Dye 其 化 學 名 稱 為 【 thithiocycanato 44rsquo4rdquo-tricarboxy

23

31-22rsquo6rsquo2rdquo-terpyridine ruthenium(II)】(RuLrsquo(NCS)3 Complex)且其於

610 nm 與 413 nm 有最大吸收峰且其 ICPE 值於 400~600 nm 範圍

可達 80 恰位於 Eu3+之最強放光處故研究是否可藉由此放光增

加染料之吸收進而提升激發電子量再者稀土元素之摻雜並不會

破壞原有之晶體結構卻可影響其電子能態或原子結構調整其能

隙故本研究亦透過設計雙層結構之工作電極使各層工作電極傳導

帶之相對位置更有利於電子之傳遞以增加激發電子傳導速率並

減少電子再復合機率提升太陽能電池之效率

24

第二章 實驗步驟與儀器分析方法

21 化學藥品

本研究使用之藥品皆為試藥級之純度故使用前不須進行再純化

之步驟其來源與名稱如表 2-1 所示

表 2-1 本研究所使用之藥品清單

玻璃基板

FTO 導電玻璃 [ SnO2F TCO ] Solaronix TCO22-15

15 Ωsq

編號 藥品 廠商 純度

(1) 氧化銪 [ Eu2O3 ] Sigma-Aldrich 999

(2) 鈦酸四丁酯 [ Ti(OC4H9)4 ] Acroros 99

(3) 二氧化鈦 [ TiO2 ] Degussa P25 NA

(4) 硝酸銪 [ Eu(NO3)35H2O ] Sigma-Aldrich 998

(5) 碘 [ I2 ] Merck 98+

(6) 碘化鋰 [ LiI ] Merck 98+

(7) 4-特-丁基呲啶 [ C9H13N ] Aldrich 99

(8) 第三丁醇 [ (CH3)3COH ]JTB 998

(9) 四氯化鈦 [ TiCl4 ] Aldrich 999

(10) 無水乙醇 [ C2H5OH ] Riedel-de Haeumln 998

(11) 乙腈 [CH3CN] Fluka 99

(12) 乙基纖維素[Ethyl cellulose] Fluka 99

(13) 松油醇[C10H18O]terpineol Fluka NA

25

(14) 丙酮 [ CH3COCH3 ] Riedel-de Haeumln 99

(15) 甲醇 [ CH3OH ] Fluka 998

(16) 己烷 [C6H14] Riedel-de Haeumln 99

(17) 氧化鎘 [ CdO ] 林 純藥工會株

式會社 99

(18) 油酸 [ C9H18C8H15COOH ] Aldrich 90

(19) 1-十八烷烯 [ C18H36 ] Aldrich 90

(20) 三正辛基膦 [ (C8H17)3P ] Alfa Aesar 90

(21) 硒粉 [ Se ] ACROS

995

(22) 巰基丙酸 [ HS(CH2)2COOH ] Fluka

99

(23) 四甲基氫氧化銨 [ (CH3)4NOH ] Fluka

25 wt

本研究所採用之二次去離子水為經 Millipore 公司之 Milli-Q 純水系統

所處理其電阻值為 18 MΩ-cm

22 合成方法

221 溶膠凝膠法 (Micelle and sol - gel)

此方法乃利用水油與介面活性劑之三元體系所形成之混合溶

液利用其極性相近物質之相互聚集為理論基礎其中之介面活性劑

將扮演不相容物質彼此間之橋樑其中量少之一方將以微胞或微乳液

之形式存在微胞之形狀將隨著加入試劑之濃度差異而形成各種不同

26

形狀所選取之反應物須存在於微胞中而形成溶膠以利進行凝膠化

之反應於微胞中溶膠 (Sol) 之定義為極小之膠體粒子因凡得瓦

爾力與電雙層作用下產生布朗運動而均勻分散於系統中而形成所

謂溶膠與凝膠 (Gel) 為經過水解 (Hydrolysis) 與縮合 (Condensation)

反應後分子單體經由鍵結而逐漸形成大分子之凝膠狀態溶膠‐凝

膠法之基本步驟為利用金屬醇化物或金屬鹽類溶於水或醇類等溶劑

中進行水解與縮合反應所形成之凝膠產物之性質及結構與製備過程

之條件具密切之關係例如反應原料之種類濃度溶劑溫度

壓力pH 值等因素溶膠-凝膠法於形成薄膜與塊材方面具顯著之優

點且溶膠易形成摻雜故可製備均勻分布及可調性之多種複合材

料介面活性劑之功能為抑止成長中之晶體持續成長故控制微胞之

形狀即可改變晶體之形狀首先須控制溶液中之相對組成與溫度才

能達到形成微胞之條件且微胞之尺寸均於微米級以下故此微胞可

視為一種微反應器總而言之溶膠凝膠為一種膠狀懸浮液藉由膠

化作用得到固體其產生之多孔性凝膠可藉由化學方法之純化及高溫

退火之程序得到高純度與高結晶性之氧化物

222 水熱法 (Hydrothermal)

水熱法為於液相中配製超奈米材料之濕化學方法研究之溫度

範圍於水之沸點與臨界點(374oC)之間一般反應過程中維持100 ~

250oC之溫度與03 ~ 40 MPa之蒸汽壓之高溫高壓環境下反應溶劑

因高溫高壓條件下而達到其臨界點時對固體物質之溶解度增加

因而達到加速反應進行之效果此方法可提供製備一維奈米材料之新

途徑水熱法具下列幾項特點(1) 利用水熱法可直接於溶液中合

成粉體(2) 於大部分之水熱過程中長晶之程序已經完成故不須

再經過煅燒(3) 利用溫度之調變可控制粉體之尺寸(4) 利用不同

27

之起始物可得不同型態之粉體故水熱合成法可製備之材料相當廣

泛涵蓋金屬氧化物複合氧化物等數十種粉末合成之粒子大小

範圍介於01微米至幾十微米經過濾洗滌與乾燥等過程獲得之

晶體其結晶性佳團聚情況少產率高與較窄之細微性分布因此可

得純度高且細微性均勻之各類材料

23 實驗流程

本研究以兩種不同前趨物與合成方法製備 TiO2Eu3+ 之工作電極材

料分述如下

231 TPT[鈦酸四丁酯Ti(OC4H9)4 Tetrabutyl titanate]系列

此系列之奈米粒子為透過溶膠凝膠法後經水熱法及燒結而成首

先按所需之化學配比 (stoichiometry) 秤取適量之 Eu2O3並置入 100

mL 之三頸瓶中加入 9 mL 之 1 M 硝酸溶液60 mL 之去離子水(使

整體之 pH 值小於 2)激烈攪拌 30 分鐘再緩緩滴入適量配比之鈦

酸四丁酯 Ti(OC4H9)4 (Tetrabutyl titanateTBT)並激烈攪拌 1 小時

上述溶液之溫度控制於 80oC 並持續攪拌進行迴流程序時間為 10 小

時再置入 125 mL 之鐵氟龍 (telfon) 杯中並封入不鏽鋼壓力釜

(autoclave)進行水熱法溫度控制於 227oC時間為 12 小時可得白

色之膠體再以酒精反覆沖洗後於高溫 500oC 下退火 6 小時即可

得 TiO2Eu3+白色奈米粒子詳細合成流程如圖 21 所示

28

Eu2O3 and 9 mL aqueous nitric acid (1M) solution are added to 60 mL DI water with pH lt2

After vigorously stirring for half an hour 10 mL tetrabutyl titanate Ti(OC4H9)4 is slowly dripped into the above solution with vigorous stirring for 1 h

The mixture is then heated to 80oC with continual stirring for 10 h

Hydrothermal treatment in the autoclave at 227oC for 12 h

After repeatedly washing with ethanol the white slurry is annealed in air for 6 h at 500oC

圖 21以溶膠-凝膠法與水熱法合成TBT系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

232 P25(Degussa P25 TiO2)系列

按適量之化學配比秤取商用之二氧化鈦粉末(Degussa P25)與

Eu(NO3)35H2O置入裝有 30 mL 去離子水之 100 mL 燒杯中室溫

下激烈攪拌 2 小時將上述之白色溶液置入 125 mL 鐵氟龍 (telfon)

杯中並封入不鏽鋼壓力釜 (autoclave)進行水熱法溫度控制於

150oC時間為 48 小時待冷卻至室溫後將所得之白色膠體以去離

子水反覆沖洗其目的為去除表面殘餘之 Eu(NO3)35H2O爾後於

350oC 之溫度下退火 2 小時即可得白色 TiO2 Eu3+白色奈米粒子

詳細合成流程如圖 22 所示

29

Commercial TiO2 powders (P25) and europium nitrate was added to 30 mL of an aqueous solution under vigorous stirring

After stirring strongly the slurry was heated at 150oC for 48 h by hydrothermal method

After hydrothermal treatment repeated centrifugation and wash with distilled water (4 time repeated)

Annealed at 350oC for 2 h

圖 22 以水熱法合成 P25 系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

24 樣品鑑定分析

以 X 光粉末繞射儀(X-ray diffractionXRD)Rietveld 精算法鑑

定材料之純度與長程有序晶體結構以穿透式電子顯微鏡

(Transmission electron microscope TEM) 與掃瞄式電子顯微鏡

(scanning electron microscopeSEM)分別鑑定材料之結構與表面型

態利用比表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

ASAP) 分析粉體之樣貌與比表面積利用光激發光光譜儀

(photoluminescencePL)分析電極材料之激發光譜與放射光譜特性

以拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum) 測定分子之振動模式

以判定晶相與原子結構以紫外-可見光擴散式反射光譜(UV-Vis

diffuse reflectance spectra UV-Vis DRS ) 分析固態粉體於紫外光與可

見光其吸收特性利用 X 射線光電子能譜儀(X-ray Photoelectron

30

SpectroscopyXPS)分析表面元素組成與原子能級結構以 X 光吸收

光譜 (X-ray absorption spectroscopyXAS)之 X 光近吸收邊緣結構

(X-ray absorption near edge structureXANES)決定樣品中元素之價數

與電子結構茲將各實驗儀器分析之過程與原理分述於下列各節

241 粉末 X-光繞射儀(X-ray diffraction XRD)

2411 X-光繞射工作原理

X 光為一種短波長之電磁波其波長約為 10 Aring(10-10 m)陽極放

射出之 X 光由連續性不同波長之 X 光所組成故稱之為連續性 X

光譜(continuous X-ray spectrum)或白色 X 光但隨著外加電壓增大

連續性 X 光譜之波長分布範圍與其光線強度將隨之增大當電壓加

至超過門檻電壓(threshold voltage)或激發電壓(excitation voltage)時

除發生連續性 X 光譜外另將產生某些特定波長之 X 光稱之為特

性 X 光(characteristic X-ray spectrum)如圖 231(a)X 光粉末繞射儀由

電子槍產生電子如圖 231(b)所示此電子藉由 40 keV 之工作電壓

加速撞擊金屬靶材(常用之靶材為銅靶)將其靶材中 K 層(1s)電子撞

出電子游離後形成之電洞隨即由L層(2p)電子填補並伴隨X光釋出

31

Characteristic peaks

Continuous radiation

Energy

High-energy Ka

stimulusLaKb

lswl

Int

sity

e

m

Low-energy stimulus

enof

itted

rad

iatio

n冷卻水

真空 璃

接變壓器)

鈹窗 聚焦罩

銅X射線 鎢絲

靶(陽極)

X射線

管座(

Wavelength

Short wavelength limit a) b)

圖 231 (a)銅靶之 X 光光譜 (b)封閉式 X 光射線管

角動量子數之變化必須為plusmn1 (l = plusmn1)如由 L 層

(2p) 子填補 K 層(1s)電洞即 2p 1s 轉移(transition)並伴隨 X 光釋

如圖 232 所示此段波長之 X-ray 定義為 Kα波長為 15418 Aring

同理 3p 1s 則定義為 Kβ波長為 13922 Aring一般 Kα比 Kβ之強度較

強而 Kβ較 Kα之能量為高但由 p 1s 之轉移中因 2p 軌域具二

種不同型式之 Kα1與 Kα2

很難分辦但易與 K 一般常使用鎳單色光濾片(nickel filter)將

Kβ濾除(cut o

( ((68)

一般 X 光所使用金屬靶材之波長如表 22 所示以銅靶為例當

外加電壓促使電子高速撞擊銅靶之 K 層(1s)電子使其內層電子游離

並產生電洞依據吸收選擇定律(selection rule)當電子從一能階躍遷

至另一能階時其

2

自旋態(spin state)故產生 Kα1與 Kα2一般

β分辦

ff)

32

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長(69)

Target Kα1 Kα2 Kz Cr 22896 22935 22909

Fe 19360 19399 19373

Cu 15405 15443 15418

Mo 07093 07135 07117

Ag 05594 05638 05608

z is the intensity-weighted average of α1 and α2

圖 232 X 光原理示意圖Cu 1s 電子游離後形成之電洞由 2p 電子

填入並伴隨 X 光釋出(69)

德國科學家勞爾 (Von Laue) 於 1912 年提出 X 光進入晶體後因

干涉 年布拉格 ( 學

理論

稱為布拉

作用而產生繞射現象同 Bragg) 將勞爾提出之數

改以較簡潔之數學式導出 X 光之繞射條件如圖 233 所示

設晶面距離為 d入射光與晶面之夾角為 θ當入射光被二相鄰晶面

所反射二反射光束會有一光程差若此光程差為波長之整數倍(n

為正整數)時亦即當此二反射光束同步各光波之振幅具加成之效

果而形成建設性干涉合成波滿足此條件即可產生繞射

33

格定律(Braggrsquos Law)

2 sind nθ λ= (21)

晶體之 X 光繞射實驗提供兩項重要訊息(1) 繞射峰位置 2θ

(2) 為繞射峰強度(I)第一項訊息提供晶體之晶胞形狀大小(即晶格常

數)之資料第二項訊息提供晶體內部組成原子種類與位置之資料

隨材料之晶體結構與組成變化每個晶體此兩項資料各不相同因此

可利用 X 光繞射法分析材料屬何種礦物晶體或結晶材料

圖 233 X 光繞射之示意圖

2412 XRD 實驗儀器

粉末樣品之 X 光繞射分析係採用 PANalytical XrsquoPert PRO X-ray

powder diffractometer(XRD)型繞射儀其以銅靶(Cu)為光源功率為

3 kW放射光源 Kα1之波長為 15406 Aring操作時使用之電壓與電流分

別為 40 kV 與 40 mA 之條件下進行粉末繞射分析實驗其中 2θ繞射

角掃描範圍為 20 ~ 80 度每間隔 002 度讀取一次數據掃瞄模式為

2θθ將分析樣品平鋪於樣品槽(sample holder)置於圖 24 之旋轉中

心此時將繞射測角儀做旋轉偵測器則與出射光之夾角 2θ入射

光與槽座之夾角為 θ利用同步紀錄之系統而得各繞射峰之強度與角

34

度(2θ)之分布關係

圖 24 X-光粉末繞射儀(PANalytical XrsquoPert PRO XRD)

析然而中子繞射之儀器普遍性不佳利用Rietveld法可

分析

度(於本研究中以2θ量測範圍為0 ~ 180度間格為001度停留時間為10

因此可避免重疊峰之分解問題

2413 結構精算(70)

GSAS 程式採用 Rietveld 全光譜精算法 (Rietveld full pattern

refinement method簡稱Rietveld法)做結構精算Rietveld法為1969 H

M Retiveld所提出適合分析由X-光與中子粉末繞射所得之數據利

用結構精算可得物質之物理與化學特徵性質然而多數之物質不易合

成單晶之形式多數乃以多晶或粉晶存在最早則以中子粉末繞射之

數據加以分

X-光粉末繞射所得之數據使得分析晶體結構之研究之可靠性大

幅提升

Rietveld法主要為以階梯之模式(step scan)掃描其每一步之峰形強

秒)而不用整個繞射峰之積分強度

35

2ci k k k k biy S L F HT P y= Φ +sum利用此計算方法所得之繞射強度 ( S為

比例常數Lk乃涵蓋勞倫茲極化與多重性因子Fk為結構因子Tk

為穿透因子Pk為優先取向H為反射波形函數ybi乃背景強度)用

以模擬觀察所得之繞射強度(yoi)使由假設結構模型計算出之繞射圖

形與實驗量測之繞射圖趨於一致 並使最小方差擬合之殘差R為最

2( )R Wi ci oiy y= minussum 2 ( 2)

計算所得之繞射圖譜與測量所得之圖譜其相吻合之程度是由所

謂擬合參數(reliability factor)即R值決定一般以R值小於10為可

接受之最低要求常用有Rp與Rwp

oi ciP

oi

y yR

yminus

= sumsum (23)

)(( )

2

2WPRW y

= i oi ci

i oi

W y yminussumsum (24)

i較大

而一般認為Rwp較具代表性意義之擬合度判斷依據並定義

式中Wi為加權指數ㄧ般僅繞射峰存在其繞射強度之W2χ 即

ldquogo

odness of fitrdquo用以表示分析之品質

( )χ 2 =minusM

N N (25)

O V

其中M為minimization functionNO為step scan所得之繞射圖點

數NV為精算時所使用之變數個數利用最小平方差擬合與傅立葉

(Fourier)合成求得之電子密度函數進而得知粉體之晶格常數鍵長

鍵角等結構參數

Rietveld法為一可將晶體結構解析最完善之方法然而並非所有

36

之結構皆有其詳盡之原子座標位置Le Bail 法為1988年法國晶體學

家Armel Le Bail所發展利用電腦程式模擬將原本錯誤之原子位

置移動至較符合粉體模型之位置稱為整體性之最優化(global

optimization methods)或稱直接空間方法(direct space methods)利用

此方法可對於新

合成或未有詳盡之原子座標資訊給予空間群與晶格

常數之資料

圖25 晶體繞射結構解析之一般流程

37

242

型號為HITACHI S-4000其電子

槍為冷場發射式

圖26 掃描式電子顯微鏡(NDL)HITACHI S-4000

掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope SEM)

掃描式電子顯微鏡主要由真空系統電子槍透鏡組與偵測器組

成其成像原理為利用一束具有5 ~ 30 KV能量之電子束經過聚焦

镜使發散之電子束能聚集成一微小電子束掃描線圈作用於偏折電子

束使其能於試片表面進行二維之掃描工作另一功能為觀測試片時控

制倍率之放大與縮小爾後電子束經過物鏡即如同光學顯微鏡原理相

同但此時調整項圈(coil)所造成之磁場控制電子束進行最後對焦動

作完成對焦讓電子束與試片作用激發出二次電子背向散射電子

Auger電子連續X光與特徵X光等一般SEM為利用二次電子進行成

像因二次電子之信號主要源自電子束下方之區域能提供高解析之

影像而背像散射之電子亦能作為信號之來源當電子束掃描試片表

面時偵測器同時偵測由表面射出之二次電子強度輸入至同步掃描

之陰極射線管同時顯示試片之影像而陰極射線管上同步點之亮度與

對比則根據偵測到之訊號強度進行改變利用此方式試片表面之特

徵狀況即可逐一表現出來如圖26所示本實驗乃使用國家奈米元

件實驗室之掃描式電子顯微鏡其

(field emission)

38

圖27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖(71)

243

於偵測器上形成不同亮度

穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron MicroscopyTEM)

穿透式電子顯微鏡系統設計如圖 28 所示由電子槍(electron

gun)發射電子束經過一組磁透鏡(condenser lens)聚焦後以遮蔽孔

徑(condenser aperture)選擇電子束尺寸大小(beam size)後通過一組控

制電子束之掃描線圈再透過物鏡(objective lens)聚焦入射至試片

上於試片上側裝一訊號接收器用以選取二次電子或背向散射電子

成像此種儀器之優點為所需之樣品量很少且其解析度可達到原子

級之層次(10-10 m)若樣品含多電子原子則電子束將無法穿透樣品

於偵測器上顯示之亮度較暗電子束可穿透之樣品於偵測器上形成較

亮之點利用不同物質具不同電子密度之性質經電子束之穿透過程中

原子核對電子束產生之折射程度之差異性

對比之影像即為樣品之形狀和結構

但以下幾點須注意(1) 真空下要穩定 (2) 若是揮發性之物質在經電

39

子碰撞後容易消失此儀器除可用以鑑定物質之型態大小與內部細微

結構外亦可進行電子繞射而電子繞射圖可用以觀測樣品之結晶度

格常數

一天後再將銅網放置於儀器之樣品槽中調

整好儀器即可觀測

表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

好壞與計算晶

樣品製備

將欲觀測之粉末樣品取極少量溶於乙醇溶液中置於超音波震盪器中

約10分鐘使粉末均勻分散於溶液中爾後再利用已鍍上一層多孔性

碳膜之銅網放置於溶液中撈取預分析之樣品拿出銅網後用拭鏡紙將

多餘之乙醇拭乾並風乾

圖28 TEM電子腔內部結構示意圖

244 比

ASAP) 先將適量樣品 200oC 除氣(degas)至壓力為 3 times10 -3 torr以去除樣

品上之吸附水氣與其它吸附物質並於 77 K 下進行氮氣等溫吸附

40

利用 BET 公式求得比表面積利用 BJH 公式求得脫附曲線之孔洞分

態相似而於高分壓相異之行為則是因為 H4

隙較 H3 窄之緣故

291 IUPAC 制定之物理等溫吸附-脫附分類圖

布(pore size distribution)

氣體吸附曲線之型態會隨著材料之孔徑結構成分溫度及吸附

分子種類而不同 (圖 291)氣體吸附曲線 IUPAC 定義為下列六種型

態第一型為典型微孔材料第二型通常是無孔材料或孔徑較大之材

料第三與第五型曲線發生於當吸附分子間親和力大於其與固體材料

表面間作用力時之模式第四型為中孔材料於高分壓時會產生遲滯

迴圈(hysteresis loops)而第六型為一結構近乎完美均勻之表面所造成

之吸附曲線根據 IUPAC 之分類遲滯迴圈依其型態可分為四種型

態(圖 292)H1型常為規則圓柱狀孔洞材料或由規則球狀體間孔隙所

造成而 H2 型遲滯迴圈之形成通常表示材料中之孔洞與形狀較不規

則H3與 H4型迴圈之型

41

圖 292 IUPAC 制定之遲滯迴圈型態示意圖

245

T) 收集

光並測量其螢光強度並以 DataMax 軟體分析光譜資料

光激發光譜儀(Photoluminescence PL)(65)

光激發螢光 (photoluminescence PL) 光譜儀乃為簡便與精準地

檢測發光材料之光特性於本研究中採用FluoroMax-3測量螢光材料

之激發光譜(excitation spectra)與放射光譜(emission spectra)如圖

210 所示光源為利用氙弧燈提供一寬波段之激發光源為得高解

析之螢光量測數據入射光源須為持一特定之波長藉由單光器

(monochromater)之狹縫 (slit) 將光源出射光分成特定波長之入射

光入射光之能量被螢光粉體吸收後螢光粉體將發射另一特定波長

之光段打至發射光之單光器如同激發光之單光器只允許某一狹

窄之波段通過再利用光電倍增管 (photomultiplier tube PM

42

圖 210 螢光體光譜量測過程

圖211為本研究所使用之FluoroMax-3光譜儀各結構實際之配

置其包含七大主要部分涵蓋

1 Xenon光源與其保護座

1a Xenon光源電源裝置(power supply)

1b Xenon光源閃光(flash lamp)

2 入射光源單光器(excitation monochromator)

3 樣品放置槽(sample compartment)

4 發射光源單光器(emission monochromator)

5 偵測器[signal detector (photomultiplier tube)]

6 參考偵測器[reference detector (photodiode and current-acquisition

module)]

7 儀器控制電子元件(instrument control)

實驗之過程光源由圖中1部分發射而將螢光粉體置於樣品槽

43

內並置於圖中3之樣品放置槽圖中7為連接電腦控制藉由控制圖

中2與4之單光器則分別進行激發光譜與放射光譜之實驗由光電倍增

管放大(圖中5)而收集其中激發光譜可由圖中6偵測Xenon光源之訊

號並校正若進行比較發射光譜之絕對強度實驗過程則控制實驗之

時間於兩小時內完成此時期之光譜經穩定度量測誤差值座落於3

以內所得之發射光譜強度比較為可信之數值圖 212則為儀器之

實際外觀

圖211 光激發光光譜儀構造

44

圖212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀

246 拉曼散射光譜儀 (Micro Raman Scattering Spectrometer)

當光源照射於物質表面時光子會與物質之原子分子產生交互

作用造成能量之交換或動量之改變若無能量交換僅方向改變為

彈性碰撞稱為瑞立散射 (Reyleigh Scattering)若方向改變又有能量

交換為非彈性碰撞稱為拉曼散射 (Raman Scattering)當拉曼散

射光與物質相互作用時會與物質內之原子分子之振動頻率耦合

即可於入射光頻率之兩邊產生正或負之頻率位移此一頻率位移之數

值與物質內原子分子振動頻率相當此位移即為拉曼位移(Raman

Shift)此頻率位移可用下式表示

sυ υ υΔ = minus (26)

υΔ 代表拉曼散射光與入射光頻率差υ 代表入射光子之頻率 sυ 代表

散射光子之頻率

45

247 紫外可見光擴散式反射光譜(UV-Vis diffuse reflectance spectra

UV-

描範圍為200 nm至800 nm並以Spectra Calc

體收集光譜訊號

247

分光波被反射與散

另一部分光透過其餘之光才被物質吸收

Vis DRS)(72)

本研究乃將定量之粉末置於石英圓盤上再將其放置於樣品槽

相對於 BaSO4 作為參考物於室溫下以Hitachi-U3410紫外-可見光光

譜儀分析其擴散反射式光譜(diffuse reflectance spectrum)光譜掃描之

速率為120 nmmin掃

1 固態粉體之吸收光譜

吸收光譜顯示光照射於發光材料時其激發波長與材料所吸收能

量值之關係激發波長照射於發光材料時一部

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖

46

只有被吸收之光對材料之發光產生作用然而非每一被吸收光其

所有波長皆能引起激發作用因此研究吸收光譜可知哪些波長之激發

光被吸收吸收率為多少此對研究材料之發光過程為一重要課題

發光材料對光吸收公式可表達為

( ) 0( )K xI I e λ

λ λ (27)

式 27中I0(λ)為波長為λ之光照射至材料時之發光強度I(λ)為光

通過厚度為X之材料層後其發

minus=

光強度Kλ為吸收係數Kλ隨照射光波

長變

表面(圖 214)即使壓製成

錠依舊有部分光以散射釋出(圖 215)

化之曲線稱吸收光譜

因發光材料為粉末晶體故難以測出其吸收光譜一般則是測試

反射光譜用以確定其吸收光譜由 Kλ(吸收) = 1-Kλ(反射)得出材料之吸收

圖譜Kλ(反射)為被測材料之反射係數當其散射與穿透很小時可測得

然多數之物質其粉體非規則排列成一平整

粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚

度其公式如下

圖214 圖215

擴散式反射光譜儀則利用Schuster-Kubelka-Munk理論其中假設

無規則之反射光束

2(1 )( )2

R kF RR s

infininfin

minus= = (28)

infin

47

其中k為吸收係數s為散射係數一般量測與標準品相對之反射值Rinfin

而非量測絕對值之反射值其中標準品為白色固體粉末常見有KBr

用於IR(43500 ~ 400cm-1)波段BaSO4MgO作為紫外光至可見光波

段之標準品

圖216 Hitachi-U3410紫外-可見光光譜儀

248

於超高真

下操作故最好將樣品溶劑先行抽乾以免污染儀器

X射線光電子能譜儀( X-ray Photoelectron SpectroscopyXPS )

其原理為一束X光射線入射至樣品表面藉由光電效應將某一能

階之電子激發為光電子爾後經由分析光電子動能即可獲得關於表

面元素組成與元素之化學環境當數個原子鍵結成一化合物時其於

化合物中之結合能明顯與純原子時不同內核層電子之束縛能亦有不

同之變化即為一般之化學位移(Chemical Shift)分析束縛能之變

化便可獲得材料中之電子結構與化學鍵結之訊息其所造成之能譜

位移可用以區分不同氧化態之元素偵測深度約為5 nm (除氫元素外

皆可偵測)樣品製備將粉末樣品先行打錠經除水與抽真空之前

處理後送測放入儀器之樣品室中進行分析由於儀器是

48

24

分析與 TEM 等

結果

μ 表示材料單位厚度對X光之吸收則以式29以表示其相互之關係

9 X 光吸收光譜 (X-ray Absorption Spectroscopy XAS)(73)

同步輻射為接近光速之電子受加速度而產生之電磁波其可提供

連續波長可調能量範圍寬廣之光源並具光點小強度高與準直性

佳等特性近二十年應用同步輻射 (synchrotron radiation) 光源於 X

光吸收光譜之技術愈趨成熟使 X 光吸收光譜成為一項分析物質結

構之利器利用同步輻射光源對材料進行 X 光吸收光譜研究主要

包括 X 光吸收近吸收邊緣結構(X-ray absorption near-edge structure

XANES)與延伸 X 光吸收精細結構(extended X-ray absorption fine

structureEXAFS)其中 XANES 用於檢測材料中特定原子之電子組

態而 EXAFS 則測定原子之局部結構(local structure)可得知原子與

其鄰近原子間之距離種類及數目等X 光吸收光譜可發揮於原子短

程結構與電子組態上之優點與傳統 XRD 長程有序

相互配合可更加了解奈米材料之結構特性

當物質受到X光照射而吸收X光可用吸收係數 μ 表示其吸收之

程度若以I0表示入射X光之強度I 表示穿透光強度樣品厚度為 x

0 exp( )I I xμ= minus (29)

現象會隨X光能量增強而逐漸平

地降低構成吸收光譜之底線

若X光能量改變即使物質中之原子不吸收不散射等因素測得之

穿透光強度仍較入射光強度減小此

49

2491 X 光吸收近吸收邊緣結構 (X-ray Absorption Near-Edge

Structu XANES)

有關吸收原子之電子

組態價數及其所處晶格位置之對稱性資訊

re

當 X 光能量逐漸增強至物質中所含原子之吸收能量(absorption

edge)原子內層電子開始吸收 X 光之光子躍遷至外層之空軌域

造成吸收係數激增即形成 X 光吸收近吸收邊緣結構(XANES)於

吸收邊緣前與後各 30 eV 區域內之一些圖譜特徵包含吸收前緣之突

起躍昇區段上之肩部主峰之相對高度甚至吸收邊緣之位置(常

以躍昇段之第一個反曲點能量為視之)統稱為 XANES如圖 217

所示為 Ti K-edge 之 XANES 示意圖其可提供

圖217 Ti K-edge之XANES示意圖

50

25 染料敏化太陽能電池之組裝與特性分析

251

工作電極漿料之製作對於太陽能電池效率而言為最重要且最關

鍵之步驟本實驗採用奈米級粉體作為主要材料由於顆粒小其比

表面積大可使染料吸附量增加但如此微小粒子亦容易因凡得瓦

力庫倫力等發生團聚現象團聚現象對於粒徑小於 10 μm 之顆粒尤

其明顯因此於漿料之製備過程中必須透過機械攪拌及超音波震盪

等方式使其均勻分散本實驗漿料為參考 Seigo 等人於 2008 年所

發表之論文 製備首先秤取適量先前合成之二氧化鈦粉末加入配

ethyl cellulose分別為 5-15 mPas 與 30-50

mPas)膠體溶液松 terpineol)無水乙醇上述混合物置入單頸

瓶中激烈攪拌約 10 小時並減壓抽氣濃縮以去除乙醇再以超音

1 小時即完成漿料製備

252 導電玻璃清洗

[fluorine-doped tin oxide

FTO](尺寸23 x 30 cm)以中性清潔劑初步洗滌之後浸泡於丙酮溶

劑內並置於超音波震盪器內 10 分鐘丙酮可溶解油漬與黏膠卻

對 FTO 無影響可防止製備工作電極薄膜中出現裂痕及缺陷接著

使用去離子水同樣於超音波震盪下清洗玻璃最後再以乙醇於超音波

作用下洗滌乙醇可以溶解大部分之有機溶劑包括丙酮

璃之電阻)乙醇清洗完後將導電玻璃置入烘箱中以 70oC 烘烤 30

分鐘以去除殘餘有機物

3 電池組裝與特性測試

FTO 玻璃固定於網印機機台上利用網印法(如圖

FTO 玻璃上(工作電極面積

工作電極漿料配製

(74)

製好之兩種乙基纖維素(

油醇(

波震盪

首先將摻雜氟之二氧化錫導電玻璃

(會增加玻

25

(1) 將清洗完成之

218 所示)將製備好之漿料均勻塗佈於

51

複以上動作直到所

其表面於室

Black dye 溶液中放置

染料敏化太陽能電池有關組裝之詳細流程圖如圖 219 所示

需之膜厚或者所需要之雙層或多層結構設計

(2) 將鍍膜完成之工作電極置於 40 mM TiCl4 乙醇溶液中並置入 70oC

烘箱中 30 分鐘取出後以去離子水及乙醇交替潤洗

溫下乾燥後置於方形爐中 500oC 煅燒 30 分鐘

(3) 將製備好之工作電極薄膜浸泡於 02 mM

室溫暗室浸泡 24 小時使其自行吸附

(4) 待二氧化鈦電極吸附染料步驟完成後利用乙腈(acetonitrile)清洗

工作電極表面靜置乾燥後即可得已製備完成且吸附染料分子

之二氧化鈦薄膜電極首先將氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑

金屬之相對電極之空隙中再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結

合並防止氣泡產生以長尾夾固定既可完成此三明治結構之

圖 218 網印機塗佈示意圖

52

TiO2 (or TiO2Eu3+ ) powder

1 Screen printing on FTO (15Ωsq)

(A active=016cm2) 2 DryingRT 3 Gradually heated under an airflow at 325oC 5min 375oC 5 min 450oC 15min and finally at 500oC 15 min

1+ Two kind ethyl cellulose solution (5ndash15mPas and 30-50 mPas) + Terpineol + pure ethanol 2 Stirring10 hr 3 Rotary-evaporator (40oC) 50 min 4 Sonication 30 min

paste

Repeated until desirable Film thickness was obtained

TiO2 film FTO

1 Immersed in TiCl4 EtOH 70oC (30 min)2 Calcined 500 oC 30 min in air flow 3 Soaked in black dye (02 mM )

DyeTiO2 film FTO

1 Put the spacing film aside the TiO2 film2 Combined with sputtered Pt electrode3 Injected the ImacrI3- electrolyte

DSSC

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖

53

254 染料敏化太陽能電池性能測試

2541 電流電壓效率曲線(I-V curve)量測

於太陽能電池效率量測方面由於太陽光光譜將不斷變動因此

必須有一套國際量測標準目前國際上太陽能電池量測主要以美國

ASTM G-159 (Air Mass 15) 為主由於太陽光入射角度會隨著穿過

大氣層厚度之不同而隨之改變一般以大氣質量數 (Air Mass AM)

表示並規定太陽光在大氣層外直接垂直照射稱為AM 0太陽光與

地球表面夾角為90deg時稱AM 1而入射太陽光與地表之夾角為4819deg

時則為AM 15將完成之電池元件進行效能測試其光電轉換效率值

之檢測系統如圖 220 所示此檢測系統中為選擇300瓦(W)氙燈光源

模擬太陽光(AM 15)光源於開啟後須熱機10分鐘為避免檢測時因

光源不穩定而造成量測誤差並利用一標準單晶矽電池(效率值約為

1173 )以調整入射光源強度為100 mWcm2

將電池置於待檢測位置接上正負電極後利用電源電錶儀

(Keithley 2400) 控制輸出電壓並量測輸出電流值以獲得電流-電壓

曲線(I-V Curve)並藉由所得之I-V Curve圖中可獲得開路電壓(Voc)

閉路電流(Isc)填充因子(FF)與光電轉換效率(η)等評估電池效能之參

數其中短路電流乃指太陽能電池於無負荷狀態下外部電路短路

時之輸出電流此時電壓為零於理想之狀態下太陽能電池之短路

電流即等於照光時所產生之光電流而開環電壓即為太陽能電池於負

載無限大之狀況下為外部電流斷路時所量到之電壓此時之輸出電

流為零轉換效率可定義如下

max ( )P Isc Voc FPin Pin

η Ftimes times= = (210)

其中 Pin 為入射光功率FF因子定義為電池輸出最大功率

54

(Pmax)與理想最大功率之比值關係如下

max max max P I VF FIsc Voc Isc Voc

times= =

times times (211)

由上式可知此 FF 值為表示太陽能電池電壓電流表現與理

想行為間之差異此值受電池內部串聯並聯電阻工作溫度照光

強度等影響

圖220 電池光電轉換效率值檢測系統

圖221 太陽能電池I-V 特性曲線示意圖

55

2542 入射單色光之光電轉換效率量測(incident photon to current

convers-ion efficiencyIPCE)

IPCE 為單位時間內外電路中產生之電子數目 Ne 與單位時間內

入射單色光光子數目 Np 之比如其理論計算式為

2 2 [1240 ( )] [ ( ) ( )] 100SC incIPCE J A cm nm I w cmλ= times times times (212)

式中 JSC 為短路電流密度λ為入射光之波長Iinc 為入射光強度

從式中可看出奈米多孔膜(如TiO2)之比表面積越大吸附染料分子

越多光吸收效率就越高光電轉換效率測定系統可得到單一波長之

光電轉換效率根據此數據可瞭解整個光譜裡不同波長範圍之光對

電流之貢獻得到 IPCE 對波長之光譜與吸收光譜不相同因既

使能吸收光亦未必能有效轉換成電流本量測系統涵蓋以下主要組

(1) 光源500 W Xe lamp能發射全波長之光

(2) Water filter過濾光源發出之紅外光減少紅外光引起之熱

(3) 單光器(monochromator)以光柵選擇波長並投射至樣品

(4) 光強度偵測器偵測投射波長之強度

(5) 定電位定電流儀Keithley 2400用以讀出電流訊號

待測樣品經過不同波長之光照射時會反映出不同程度之光電流經

定電位定電流儀讀出電流值並記錄下來本實驗每隔10 nm 之波長

記錄電流值範圍從 350 nm 至1000 nm紀錄所有之電流值後再

經光強度偵測器量測各波長光線之能量將電流與光能量帶入式

212計算後即可得到各波長光線之光電轉換效率IPCE ㄧ般亦反

映至電池總效率上IPCE 越大則效率越高

56

圖222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖(75)

2543 電化學阻抗分析(Electrochemical impedance spectroscopy

EIS)(76)

交流阻抗定義

阻抗 = 電壓電流

交流阻抗定義阻抗 = 電壓電流 ( ( )( )

V fZI f

= )

其中電壓與電流之值會隨著頻率( f )變動而改變阻抗其實是由實部

阻抗(Zrsquo)與虛部阻抗(Zrdquo)所構成表示法為 Z Z jZ= minus

其中 Z 實部阻抗(real impedance) Z 虛部阻抗(imaginary impedance)

j = 1minus 而 Z Z Z θ (相角)之間關係如圖 223 所示

57

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

圖 223 Z Z Z θ 之間關係圖

交流阻抗測量過程如下

施加一小振幅之交流電壓(大多為正弦波訊號)使電極電位於平

衡電極電位附近微擾當達到穩定狀態後測其響應電流訊號之振幅

(magnitude)及相(phase)進而求得阻抗(impedance)然後依據所設

想之等效電路(equivalent circuit)透過阻抗圖譜之分析以及 Z-plot 程

式進行參數擬合精算以求出電極之動力學參數測量方式將組裝

好之電池於光源之持續照射下達到一穩定之電壓以電化學分析

儀(CHI 611C)測量選擇「AC Impedance」模式給予一個振幅為

10 mV 之交流電壓掃描頻率設定為 105 Hz 至 005 Hz

(a)

58

(b) high

medium low

圖 224典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖(77)

從典型之電化學阻抗圖譜可於奈氏圖(Nyquist plot)觀察到三個

半圓形之訊號參照圖 224b 依序從左至右分為高頻區 (high

frequency)中頻區(medium frequency)低頻區(low frequency)其所

分別代表之意義為(參照圖 224a )

高頻區電子於白金相對電極與電解質介面(Pt-FTOElectrolyte)之間

之傳輸阻抗

中頻區電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗

低頻區碘三負離子(I3minus)於電解質中之擴散阻抗

於經過電化學阻抗測量之後所得到之圖譜參考 Wu 等人之文獻

(78)設想之等效電路如圖 225 所示

59

FTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSCFTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSC

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

keff

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

EIS raw rata - P25 TiO2 (12 μm)

magnitude

phase

|Z| = ( |Zrsquo| 2 + |Zrdquo| 2 )12

θ = tan-1 ( |Zrdquo| |Zrsquo| )

=gt |Zrsquo| and |Zrdquo|

input output derived

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析

60

經過電化學阻抗分析過後原始數據如圖 226 所示經由等效

電路假設之後並進一步使用 Z-View 軟體效正並參考 Adachi 等人(79)

所發展之模式可以得到下列參數

(1) L (μm) 電極膜厚 (film thickness)

(2) keff (s-1) 電子再結合速率常數 (reaction rate constant for

recombination)

(3) τ (s) 電子壽命 (lifetime of electrons)

(4) Rk (Ω) 電子再結合之電荷傳導電阻亦即暗反應電阻

(charge-transfer resistance related to recombination

of electron )

(5) Rw (Ω)電子於 TiO2 中之傳導電阻 (electron transport

resistance in TiO2)

(6) Deff (cm2s)有效電子擴散係數 (effective electron diffusion

coefficient)

(7) Ln (μm) 電子擴散長度 (electron diffusion length)

其中 τDeffLn(7879)可以由下列公式求得

1 effkτ = (213)

2

( ) (keff

w

R LDR

= times (214)

( )nL Dτ= times eff (215)

61

26 量子點敏化太陽能電池之組裝

261 硒化鎘 (CdSe) 量子點之製備

(1) 取051克之氧化鎘(cadmium oxide CdO)與3克之油酸(oleic acid

OA C17H33COOH)溶入126 mL之1-十八烷烯(1-Octadecene

C18H36)中配製成A溶液

(2) 取 13 mmol之硒粉( selenium Se)與 05克之三正辛基膦

( tri-n-octylphosphine (C8H17)3P )溶入 10 mL 之 1- 十八烷烯

(1-Octadecene C18H36)中以磁石持續攪拌1小時配製成B溶

(3) 將A溶液與磁石置入三頸瓶中以每分鐘280轉之速率攪拌並以

25 mtorr之氮氣去除瓶中之剩餘空氣

(4) 將三頸瓶以每分鐘5oC之升溫速率將溫度升高至200~205oC溶

液之顏色將呈現淡黃色透明澄清溶液接著繼續升溫至280oC

(5) 接著將B溶液以針筒迅速注入三頸瓶中注入完畢開始計時達

到反應時間即離開熱源溶液顏色將從淡黃色透明澄清變化成橘

紅色澄清溶液

(6) 將溶液加入乙醇中以每分鐘10000轉之轉速離心10分鐘數次

即可完成CdSe-OA量子點並保存於己烷中

詳細配製流程如圖227所示

62

CdO and Oleic Acid(OA) were dissolved in 1-Octadecene

Heated to ~205oCuntil the color of solution turn to transparent colorless then the temperature was increased to 280oC

Injection of SeTOP solution and stop heating (in 2 min)

The CdSe nanoparticles were precipitated using EtOH and then kept in hexane

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖

63

262 硒化鎘 (CdSe) 量子點之改質 (Ligand exchange)

(1) 將02 mmol之巰基丙酸(mercaptopropionic acidMPA)溶入30 mL

之甲醇中並以四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium hydroxide

in methanolTMAOH)滴定調整溶液pH值至114

(2) 將溶液置入三頸瓶中於氮氣之環境下加熱至55oC

(3) 將保存於己烷中之硒化鎘量子點加入甲醇以每分鐘10000轉之速

率離心十分鐘重複三次

(4) 取約2 mL之MPA溶液再取40毫克之硒化鎘溶入溶液中再倒回

三頸瓶

(5) 將三頸瓶溫度加熱至65oC並以鋁箔包覆三頸瓶使溶液於黑暗

中反應20小時

(6) 接著將溶液與ethyl acetate以21之比例混合再將混合溶液與

Hexane以11混合以每分鐘10000轉之速率離心十分鐘重複2

至3次即可得到CdSe-MPA之量子點

詳細配製流程如圖228所示

64

02 mmol of MPA was dissolved in 30 mL of anhydrous methanol and pH-adjusted to 114 by addition of TMAOH

Heated to 55degC and than added to a vial containing approximately 40 mg of CdSe

Heated to 65degC and refluxed for approximately 24 hrs under nitrogen gas in the dark

The nanocrystals were isolated by addition of ethyl acetate to induce flocculation

The CdSe nanoparticles were precipitated using methanol

The CdSe nanoparticles were stored in toluene

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖

65

263 量子點敏化電池之組裝

(1)利用與 253 節中相同之方法製備工作電極薄膜並先將工作電

極浸泡純MPA溶液4小時取出後立刻將其浸泡入之前合成之硒化

鎘甲苯溶液靜置一天之後取出先以甲苯沖洗去除未吸附之多

餘奈米粒子再利用乙腈(acetonitrile)清洗工作電極表面靜置乾燥

後即可得已製備完成且吸附量子點之二氧化鈦薄膜電極

(2)再氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑金屬之相對電極之空隙中

再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結合並防止氣泡產生以長尾

夾固定既可完成此三明治結構之量子點敏化太陽能電池

附註

(1) 電解液配製

二甲丙基咪唑碘(dimethyl propyl imidazolium iodide ) 06 M 碘化鋰

(lithium iodide LiI) 01 M 碘 (iodine I2) 005 M 及第三丁基吡啶

tert-butylpryidine (05 M) 溶於乙腈(acetonitrile)中

(2) 染料溶液配製

Solaronix 公司 black dye 02 mM 及脫氧膽酸 (deoxycholic acid DCA)

20 mM 溶於乙醇 (ethanol)中

66

第三章 結果與討論

本研究之重點於利用兩種不同合成方法製備 TiO2Eu3+工作電極

材料並探討其運用於染料敏化太陽能電池之效應前者使用

Ti(OC4H9)4溶膠為合成二氧化鈦之前驅物與 Eu2O3為摻雜 Eu3+來源

以溶膠凝膠法與水熱法合成 TiO2 奈米粒子後者使用商用二氧化鈦

粉末(Degussa P25)為合成二氧化鈦與 Eu(NO3)35H2O 為摻雜 Eu3+

來源直接利用水熱法合成粉末針對兩系列工作電極材料之晶體結

構與光譜特性進行不同目的之階段分析分別敘述如下

第一階段為材料結構鑑定分析

(1-1) X-光繞射光譜儀(X-ray diffraction XRD)

(1-2) 結構精算(Refinement)

(1-3) 掃描式電子顯微鏡(SEM)

(1-4) 穿透式電子顯微鏡(Transmission electron microscope TEM)

(1-5) 氮氣等溫吸附與脫附儀(BET)

第二階段為光譜特性分析

(2-1) 光激發光譜(PL)

(2-2) 拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum)

(2-3) 紫外 ‐可見光擴散式反射光譜 (UV-Vis diffuse reflectance

spectra UV-Vis DRS )

(2-4) X 射線光電子能譜儀(XPS)

(2-5) X-光吸收光譜(X-ray absorption spectroscopy XAS)

第三階段為太陽能電池特性分析

(3-1) 太陽能電池 I-V 曲線效率量測(I-V curve)

(3-2) 入射單色光之光電轉換效率量測(IPCE)

(3-3) 電化學交流阻抗分析(EIS)

67

31 TiO2Eu3+ 材料結構鑑定分析

311 晶體結構分析

天然二氧化鈦為 n 型半導體於分子之結構中屬閃鋅晶格其中

鈦原子具 22 個電子以外圍 3d 軌域之 4 個價電子與氧原子形成共

價鍵 (Covalent Bond)自然界中二氧化鈦以銳鈦礦(Anatase)金紅

石 (Rutile)與板鈦礦 (Brookite)三種結晶組態存在其中最常見與最

廣泛使用的為前面兩種組態後者則極為罕見圖 31 為典型銳鈦礦

(Anatase) 之晶體結構圖屬四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα

=β=γ=90deg其空間群(space group)為 I 41amd其中 I 表體心晶格

(Body centered unit cell)41a 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 41旋移

軸(screw axis)即平行 c 軸旋 360deg4 = 90deg後平移 14 晶軸距離且

於垂直[001]方向具一 a 軸之旋移面(glide plane)m 表垂直[100]或[010]

方向具一鏡面(mirror plane)d 表垂直於[110]或[1-10]方向具一沿 c

軸移動之鑽石射移面(diamond glide plane)而圖 32 為典型金紅石

(Rutile) 之晶體結構圖為四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα=

β=γ=90deg其空間群為 P 42mnm其中 P 表簡單晶格(primitive cell)

42m 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 42旋移軸(screw axis)即平行 c

軸旋轉 360deg4 = 90deg後平移 24 晶軸距離且於垂直[001]方向具一反

射面n 表垂直[100]或[010]方向具一斜角射移面(diagonal glide)末

項之 m 表垂直於[110]或[1-10]方向具一反射面雖此兩種晶相皆是以

TiO6八面體鍵結而成然而 Ti-TiTi-O 鍵長與氧鍵結數不同等差異

造成兩相之質量密度(mass density)與電子組態皆相異

68

圖 31 TiO2銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖

圖 32 TiO2金紅石(Rutile)相晶體結構圖

69

3111 TiO2Eu3+ (TBT 系列) XRD 分析

此系列工作電極粉體以溶膠凝膠法與水熱法進行合成並添加

銪(Eu)為活化劑其主體晶格為二氧化鈦(TiO2)如圖 33 所示為 TBT

系列 TiO2Eu3+之 XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu含量自 x = 0 增

至 x = 005於 X-光繞射圖譜得知隨 Eu 濃度增加粉體皆呈現 TiO2

銳鈦礦 (Anatase) 之相若以離子半徑大之原子取代於主體晶格中原

子半徑小之原子故主體晶格將擴張其面間距(d)增加並根據布

拉格繞射公式 2 sind nθ λ= 可知繞射角度(θ)亦減小於圖 33 XRD

圖譜中銳鈦礦繞射面(101)之主繞射峰並無位移初步判斷為低濃

度取代之緣故而較多數文獻(80)之論點則因 Eu3+之離子半徑約為 108

Aring而 Ti4+之離子半徑約為 068 Aring兩種離子半徑差異頗大造成利

用溶膠-凝膠法與水熱法等軟性合成法並不易將 Eu 直接取代 TiO2 晶

格中 Ti 之位置故無法於使二氧化鈦晶格擴張此論點於 GSAS 結

構精算結果中將再次討論

20 30 40 50 60

A(211)A(105)A(200)A(004)

Ti1-xO2Eux (TBT)

JCPDS089-4921

x = 0015

2 θ (degree)

Inte

nsity

(au

)

x = 0

x = 00075

x = 002 x = 0025 x = 003

x = 004

x = 005Anatase

A(101)

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜

70

為計算合成粉體之粒徑大小根據晶體學 Scherrer equation(如式

31) (81)其中 D 為粒徑大小 (crystal grain size)k 為無單位常數 09

λ為 Cu Kα1之波長 015405 nmβ為圖譜中最強之繞射峰(101)之半高

寬θ為繞射角度 254o之半

coskD λ

β θ= (31)

計算不同 Eu 摻雜量其粒徑大小分布如圖 34 所示顯示隨著 Eu 摻雜

量增加粒徑大小隨之縮小至 x = 004 時達至飽和穩定研判為

Eu3+雖難取代 TiO2 中 Ti4+位置卻可能於晶格表面或空隙中形成

Eu-Ti-O 鍵結進而限制其晶格成長(82)而觀察此 TBT 系列粒徑分布

由 9~20 nm 範圍屬微小奈米粒子形成微小粒徑之因可由生成機制

說明此系列樣品由溶膠凝膠法將鈦酸四丁酯 (Tetrabutyl titanate) 水

解形成加入硝酸使生成環境處於 pH 小於 2故此過程須將鈦醇前

驅物於酸催化下水解縮合而成而三維聚合體骨架 (polymeric

skeletons) 於低含水與低水解速率下將由於 Ti-O-Ti 之鍵結逐漸形成

而更緊密堆積因此造成微小奈米粉體之形成(8384)

-001 000 001 002 003 004 005 0068

10

12

14

16

18

20

22

1027978

13241439

16781722

1934

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

) Ti1-xO2Eux(TBT)

2176

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖

71

為更進一步瞭解稀土離子摻雜進入二氧化鈦後之確切晶體結構

與精細結構變化本研究利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進

行結構精算精算過程中以 ICSD-93098 為起始模型此為空間群

I 41amd 之銳鈦礦 TiO2各原子之熱振動參數設定為等方向性

(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為 1且相同格位之

原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖 35 為 TBT 系列

Ti097O2Eu0033+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構精算所獲得之

XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理論擬合曲線

下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置以及下方藍

色實線表為理論值與實驗值之誤差

由 GSAS 結構精算結果得知如表 31a 所列TBT 系列 Eu3+

摻雜 TiO2結構之空間群仍屬於 I 41amd其中 Eu3+取代四配位之 Ti2+

位置較為合理其信賴指數為 χ2 = 237Rwp = 598與 Rp = 482

可得知樣品之結晶性良好其晶型之結晶程度好壞對往後染料敏化太

陽能電池光電轉換效率之優劣有決定性之影響晶格參數為 a = b =

37835 (6) Aring 與 c = 94945 (17) Aring晶格體積為 13591(4) Aring3根據

Vegard(85)定律固態材料因摻雜不同大小離子半徑之元素使其結構

產生膨脹(expansion)或壓縮(compression)效應而直接影響其晶格大

小與體積之變化根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較(表

31b)晶格體積並無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之

Eu3+離子(095 Aring)難以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與上述 XRD

結果吻合

72

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

圖 35 TBT 系列 Ti097O2Eu0033+粉體 X 光繞射結構精算圖

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

0000000

0000000

0245966

0338408

-0023401

0182541

1000000

1000000

261

382

Space group I 41amd (tetragonal) Cell Parameter

a = b = 37835 (6) Aring c = 94945

(17) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13591(4) Aring3

Reliability Factors χ2 = 237 Rwp = 598 Rp = 482

73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參數

Eu

ratio(x) a(A) b(A) c(A) Volume(A) Rp() Rwp() χ2

0 37809(18) 37809(18) 94795(9) 13551(16) 51 61 20300075 37805(18) 37805(18) 94796(9) 13548(16) 53 66 2270015 3790723) 3790723) 94839(11) 13628(20) 72 85 239002 37806(33) 37806(33) 94737(17) 13540(29) 62 75 2450025 37805(12) 37805(12) 94420(23) 13495(7) 52 61 185003 37835 (6) 37835 (6) 94945(17) 13591(4) 48 60 237004 37868(5) 37868(5) 94868(15) 13604(34) 63 79 279005 37772(24) 37772(24) 95012(6) 135557(15) 42 52 184

3112 TiO2Eu3+ (P25 系列)

此系列工作電極粉體為利用水熱法合成以添加銪(Eu)為活化

劑其主體晶格為二氧化鈦如圖 36 所示為 P25 系列 TiO2Eu3+之

XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu自 x = 0 增至 x = 01於 X-光繞

射圖譜得知隨 Eu 濃度增加與前一 TBT 系列比較不同之處為粉體

所呈現為 TiO2 銳鈦礦(Anatase)與金紅石(Rutile)兩項共存(之後亦利

用結構精算驗證此結果)其中以銳鈦礦(Anatase)所佔比例為多數

爾後分析將針對兩項比例作計算依據圖 36不同 Eu3+摻雜量之系

列樣品並無發現明顯之 Eu2O3或 Eu 與 Ti 複合氧化物之繞射峰出現

此為由於 Eu3+均勻分散於 TiO2晶體之表面所致(86)其主相 anatase 於

(101)處之繞射峰亦無明顯位移產生其為離子半徑差異較大之因

研判 Eu3+並無直接取代 TiO2晶格中 Ti4+之位置以 Scherrer equation

計算之粒徑大小分布如圖 37 所示文獻(87)曾報導由於金紅石(Rutile)

晶體結晶性較銳鈦礦(Anatase)為差也因此粒徑相對較小本實驗經

過 Eu 摻雜後之樣品雖將提高銳鈦礦(Anatase)相之比例(將於後文說

74

明)但由圖 37 可得知此兩相比例差異之影響對於晶格成長之限制不

大初步判斷為此系列以商用粉 P25 為前驅物進行水熱法過程中

摻雜之 Eu3+座落於晶體表面主晶體二氧化鈦並不會進行分解

(decompose)再結晶

20 30 40 50 60

R(1

01)

R(1

10)

A(1

05)

A(2

11)

A(2

00)

A(1

12)

A(1

03)

A(1

04)A

(101

)

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

x = 0

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0025x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015Anatase

Rutile

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜

000 005 010 015 0208

10121416182022242628

238237236238246248

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

)

Ti1-xO2Eux(P25)

253

圖 37 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布

75

本系列亦利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進行兩相結構

精算精算過程中銳鈦礦(Anatase)以 ICSD-202243 為起始模型而

金紅石(Rutile)則以 ICSD-202241 為起始模型各原子之熱振動參數

設定為等方向性(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為

1且相同格位之原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖

38 為 P25 系列 Ti09O2Eu013+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構

精算所獲得之 XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理

論擬合曲線下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置

以及下方藍色實線表為理論值與實驗值之誤差由 GSAS 結構精算結

果如表 32 所列P25系列 Eu3+摻雜 TiO2結構之空間群屬於 I41amd

之銳鈦礦與 P42mnm 之金紅石兩相共存其精算信賴指數為 χ2 =

185Rwp = 61 與 Rp = 52 銳鈦礦之晶格參數為 a = b = 37850

(33) Aring 與 c = 94950 (9) Aring晶格體積為 13603 (21) Aring3 金紅石之晶

格參數為 a = b = 45867 (0) Aring 與 c = 29540(0) Aring晶格體積為 6215

(0) Aring3根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較晶格體積亦

無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之 Eu3+離子(095 Aring)難

以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與 XRD 結果吻合亦與 TBT

系列結果相同

藉由 XRD 分析並根據 Spurr 與 Myers 所發展之理論(88)銳

鈦礦(Anatase)特徵峰A (101)與金紅石(Rutile)特徵峰R(110)兩結

晶面之強度可計算出異相態比例由方程式32a與32b

(32a ) 1

(1 08( ))RXA RI I+

=

1A RX X= minus (32b )

式中XA 為銳鈦礦之重量百分比XR 為金紅石之重量百分比IR 為

76

金紅石 X-ray 於(110)之繞射峰強度IA 為銳鈦礦X-ray 於(101) 之

繞射峰強度由此式計算出此系列樣品之兩相比例與利用 GSAS 結

構精算後得出之兩相比例比較如表33所示可知藉由兩種計算方法

所得之結果相近未經 Eu 摻雜之樣品(x = 0)所得銳鈦礦與金紅石之

重量百分比與一般文獻所記載此系列合成前趨物 Degussa P25 二氧

化鈦之兩相重量百分比(銳鈦礦75 金紅石25 )(89)接近而透過 Eu

之摻雜具效提升銳鈦礦之重量百分比此與 Setiawati 等人(90) 於期

刊中發表透過稀土元素(EuSm)之摻雜於高溫燒結過程中將有

效抑制金紅石相之生成進而增加銳鈦礦之穩定性之結果吻合以染

料敏化太陽能電池而言使用銳鈦礦晶相小粒徑高比表面積之

TiO2 粉末較有利於製造多孔薄膜電極時表現出高光電轉換效率

之特性而由於一般商業二氧化鈦粉末於高溫 (約700至900oC) 時會

產生相變(Anatase變至Rutile)因此於塗佈多孔薄膜工作電極後固

化之燒結溫度應避免高於轉相溫度

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

77

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

Ti

O

0000000

0000000

0000000

0304690

0250000

0250000

0000000

0304690

0375000

0170031

0000000

0000000

1000000

1000000

1000000

1000000

241

184

250

250

Space group (A) I 41amd (tetragonal)

(R) P 42mnm (tetragonal)

Reliability Factors χ2 = 185 Rwp = 61 Rp = 52

Cell Parameter

(Anatase)

a = b = 37850 (33) Aring c = 94950

(9) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13603 (21) Aring3

(Rutile)

a = b = 45867(0) Aring c = 29540(0) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 6215 (0) Aring3

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果

Ti1-xO2Eux3+ x=0 x=0025 x=005 x=0075 x=01 x=0125 x=015

Anatase(wt ) 751 817 849 839 853 836 849

Rutile(wt ) 249 183 151 161 147 164 151

Anatase(wt

)

753 824 853 835 849 834 847

Rutile(wt ) 246 176 147 165 151 166 153

GSAS refinement results

78

312 晶體表面形貌分析

3121 SEM 與 TEM 粉體形貌分析

此部分討論透過掃瞄式電子顯微鏡與穿透式電子顯微鏡觀察所

合成粉體之表面形貌以及粒徑大小分布將結果與 XRD 與 BET 所得

結果作比較如圖 391 (a)~(b)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+中 x = 0 以及

x = 003 之 SEM 影像由圖中可察覺所合成樣品皆為無孔洞表面光

滑之粉體與文獻中(89)未製成工作電極前之二氧化鈦形貌相符透過

Eu 摻雜改質後相較於未摻雜樣品粒徑似乎有縮小之趨勢此與 XRD

所得結果吻合而相較於 TBT 系列圖 392(a)~(d)顯示 P25 系列於

不同 Eu 摻雜量時之粉體 SEM 圖由圖中顯示樣品仍為無孔洞表

面光滑之粉體然而透過 Eu 之摻雜粒徑大小並無明顯改變約略

於 23~25 nm 之間此與 XRD 所計算出結果相符

但若欲進一步測量其準確粒徑分布須透過TEM量測放大倍率作

觀察圖310(a)~(f)為TBT系列 Ti1-xO2Eux3+ 中 x = 0~004 之TEM

影像由圖中可察覺粉體顆粒大小均勻形狀近似圓球狀影像中

並無顯示類似之添加稀土金屬晶相結果皆與SEM吻合其由於TEM

影像中顏色較深暗之部分表示本實驗所配製之粉體具聚集堆積之

情形推測可能為此TEM實驗製備方法中只單純將粉體分散於純乙醇

內並無額外加入任何分散劑而造成粉體顆粒產生團聚現象因此

由圖中所觀察之粉體大小可能為二次粒徑但由於系列樣品中其隨

著Eu3+摻雜量增加可明顯觀察至其粒徑亦隨之變小此結果將配合

BET之結果加以討論

79

(b) (a)

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+SEM 圖放大倍率皆為 100k圖(a)為

x = 0圖(b)為 x = 003

80

(b) (a)

(d)

(c

圖 392 (a)~(d)為 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為

100k圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)為 x = 015

81

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(a) (b)

(c) (d)

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(f) (e)

20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm

圖 310 (a)~(f)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+TEM 圖放大倍率皆為 200kx

(a) x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f) x = 004

82

3122 氮氣等溫吸附與脫附分析(Brunauer -Emmett-TellerBET)

31221 TBT 系列粉體 BET 分析

分析所合成之工作電極粉體其表面形貌以及比表面積分布本研

究針對樣品進行氮氣等溫吸附與脫附分析氣體吸附法測定比表面積

之原理為依據氣體於固體表面之吸附特性於一定之壓力下被測

樣品顆粒(吸附劑)之表面於超低溫下對氣體分子(吸附質)呈現可

逆之物理或化學吸附作用於某一壓力下其存在相對應之平衡吸附

量通過測定出該平衡吸附量並藉由理論模型以等效求出被測樣品

之比表面積由於實際顆粒外表面之不規則性嚴格來講該方法測

定之結果為吸附質分子所能到達之顆粒外表面與內部通孔總表面積

之和

圖 311(a) ~ (g)為 TBT 系列樣品針對不同 Eu 摻雜濃度之工作電

極粉體所測之 BET(Brunauer-Emmett-Teller)等溫吸附法之結果藉由

遲滯迴圈之範圍及形狀可輔以判斷孔空形狀與大小此系列樣品之氣

體吸附曲線依 IUPAC 定義於 x = 0即無 Eu 摻雜時由於其於高

相對壓力(relative pressure PsPo)時遲滯迴圈不明顯故推測屬於第

二型第二型通常為無孔材料或孔徑較大之材料配合 SEM 圖判斷

應為無孔材料顯示合成之粉體其表面光滑完整而隨著 Eu 之摻雜

量之增加氣體吸附曲線於高相對壓力出現些微遲滯迴圈現象推測

屬於第四型中孔洞材料但由 SEM 判斷粉體仍無中孔洞材料現象

為完整平滑之粉體初步判斷造成中孔洞原因為粉體堆疊時所產生之

空隙造成且遲滯迴圈較為垂直故應為規則之球體陣列間孔洞造

成而經由 BET 程式計算此 TBT 系列樣品之比表面積顯示隨著

Eu 含量之增加其比表面積亦隨之增加於 Eu 摻雜量至 x = 004 時

達至飽和此結果與 XRDTEM 結果吻合隨著 Eu 含量之增加

83

由於粒徑因為 Eu-Ti-O 鍵結產生造成晶體成長受限而隨之粒徑變

小因此造成比表面積隨之增加圖 312 為 Eu 不同摻雜量與比表面

積之關係圖

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0015)

V

olum

e ad

sorb

ed (c

m3

g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=002)

Absorption process Desorption process

(c)

84

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=003)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(d)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=004)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

050

100150200250300350400450500

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=005)

Absorption process Desorption process

(e)

(f)

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖

85

000 001 002 003 004 00570

80

90

100

110

120

130

140

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

789

9821027

1076

1328

1266

圖 312 TBT 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

31222 P25 系列粉體 BET 分析

圖 313 為 P25 系列樣品於不同 Eu 摻雜濃度下所測定 BET

(Brunauer -Emmett-Teller)等溫吸附法之結果與 TBT 系列比較依

IUPAC 之定義配合 SEM 與 TEM 之結果此系列樣品仍為無孔洞

之奈米材料且其高相對壓力處遲滯迴圈之形狀與 P25 標準圖譜相

近可判斷於此系列中經由 Eu 之摻雜後於表面形成之 Eu-Ti-O 之

鍵結較弱因此限制晶格成長現象較不明顯此結果與 XRD 粒徑大

小分布趨勢吻合

86

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPO)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0075)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=015)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

(c)

圖 313 (a)~(c) P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之 BET 圖

87

000 005 010 015

0

10

20

30

40

50

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

333

477 509

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

32 TiO2Eu3+ 粉體光譜特性分析

3211 光激發光譜分析(PL)

以 Eu3+作為活化中心之紅色螢光粉研究已屬豐碩而藉由主體晶

格之變異進而整齊發光特性而先前亦具 Eu3+摻雜入 TiO2 之研究

但多數為薄膜製程以探討其光電與觸媒特性本研究亦透過光激發

光譜之分析藉以探討不同 Eu3+濃度摻雜之粉體其發光特性與機制

Zou 等人(91)於 2006 年之研究指出由於其間接傳遞之特性TiO2

之塊材(bulk)於室溫下並無放光僅於 77 K 時於 500 nm 處具微

弱放光習知 Eu3+離子之激發光譜具以下三種特徵第一種為主體晶

格吸收以 Y2O3 Eu3+為例於激發波長(≦230 nm) 存在 Y2O3之主

體晶格吸收第二種為電荷轉移躍遷(charge transfer transition)為

Eu3+-O2-之間電荷轉移所產生之躍遷其常為寬帶譜此特徵峰一般

88

介於 250 ~350 nm(92 - 94)第三種為 f-f 軌域之躍遷此為 300~500 nm

之間 Eu3+離子之 4f 軌域相互躍遷所造成之特徵吸收峰如圖 315 所

示為摻 Eu3+離子之 TiO2光激發光譜圖與放射光譜圖於 612 nm 作

放射波長下之激發光譜中最強吸收峰為 394 nm其為 7F05L6軌域

電子躍遷其中由左至右亦包含 7F016D4(384 nm)7F0

5G2(380

nm)7F05D3(414 nm)7F0

5D2(464 nm)之吸收峰值故吸收峰皆為

4f 軌域之內層電子躍遷(95)並無上述之主體晶格吸收或電荷轉移等

現象其乃因 Eu3+-O2-之間共價性太低但電荷轉移所需能量太大

故不易發生再者因電荷轉移吸收帶與主體晶格能隙重疊故產生

能量移轉電荷轉移吸收帶吸收之能量移轉至主體晶格爾後以非發

光形式釋放

於 394 nm 激發並測其放射光譜最強之放射波長為 612 nm隨

濃度改變此一最強放射峰值並無任何改變此為 5D07F2軌域電子躍

遷且三價稀土離子佔據晶格之非對稱中心時非對稱中心之晶格場

對 J = 0 2 之躍遷特別敏感故此躍遷亦稱為強制電偶極躍遷(forced

electric-dipole transition)而磁偶極躍遷(magnetic-dipole transition)一

般不受發光中心周圍結構對稱性之影響5D07F1即屬於此類自左

至右分別為 5D07F0(580 nm)5D0

7F1(592 nm)5D07F4(652 nm)

觀察激發放射光譜圖 315 之放射峰皆為 5D07FJ之電子躍遷即自激

發態之最低能階躍遷至基態而無較高能能階激發態之躍遷其乃複

合聲子弛緩過程(multiphonon relaxation process)(96)所致

89

350 400 450 500 550 600 650 700

00

30x106

60x106

90x106

12x107

15x107

5DJ-7FJ

414

(7 F 01

-6D

3 )

384

(7 F 01

-5 Gj5 L

7)

535

(7 F 01

-5 D3

)

394

(7 F 01

-5 L6 )

λem= 612 nm

464

(7 F 01

-5 D2 )

592

(0-1

)58

0 (0

-0)

652

(0-4

)

Ti097O2 Eu0033+

612

(0-2

)

λex= 394 nm

Inte

nsity

(au

)

Wavelength(nm)

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖

由於本研究為藉由經由工作電極摻雜 Eu3+而使其放紅光並給與

染料吸收以加強其效為提供染料 Black dye 更多之紅光可利用 Eu

摻雜濃度對於發光強度之關係加以討論由圖 316 中可發現 TBT 系

列中隨著 Eu3+離子摻雜濃度由 x = 0 變化至 x = 005其發光強度隨

活化中心 Eu3+濃度增加而增強爾後摻雜濃度高於 x = 003 時強度

卻隨逐漸衰減而 P25 系列中最高發光強度時之摻雜量則為 x = 01

時 此現象為濃度淬滅效應(concentration quenching)所造成此淬減

效應產生可能因素有二

(1) 自身吸收(self-absorbing)或自消光(self-quenching)效應如同液態

螢光之現象固態溶液於高活化中心濃度時吸收物種平均距離縮減

90

使活化中心產生之螢光為另一活化中心所吸收致使發光強度減弱

(2) 能量傳遞至非放光中心 使能量損耗導致發光效率降低

Frindell 等人(97)所發表之文獻中將 Eu 摻雜入非結晶相 TiO2薄膜所

形成非傳統之發光性薄膜其觀點為放光來源為 Eu-Eu 離子間之能

量傳遞其放光濃度淬滅效應與本研究之觀點一致皆為自消光所造

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖

圖 317 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL 光譜圖

500 550 600 650 700

00

20x106

40x106

60x106

x(content)

Ti1-xO2Eux(P25)

0150125

010075

0050025

0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 464 nm

500 550 600 650 700

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

Ti1-xO2Eux(TBT)

005004

0030025

0020015

00075 0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 394 nm

91

而圖 319 與圖 320 分別為兩系列不同 Eu 摻雜量激發光譜(PLE)

之比較可觀察 TBT 系列樣品於 612 nm 作放射波長下最強吸收

峰為 394 nm其次為 464 nm然而對於 P25 系列反而最強吸收峰

為 464 nm394 nm 峰值相對減小甚大為解釋此現象可由圖 318 之

發光機制圖說明當 TiO2 Eu 照光時對主體晶格 TiO2與活化劑(Eu3+)

皆會受光激發電子當 TiO2吸收波長小於 394 nm 之入射光時光電

子快速傳遞至 Eu3+晶格場分裂能階中進行非輻射緩解至各能階進行

放光其中至 5D0後回至 7F0即產生波長 612 nm 之最強放光由於

次共價陽離子 Eu 之摻雜造成主體晶格於價帶與傳導帶間形成一受

限態(trapped state)提供激發光電子一停留之暫態因此若吸收例如

394464 nm 等波長亦會產生復合放強光或非輻射緩解(虛線)

由放射光譜(PL)可知 P25 系列於最強放光 612 nm 處之發光強度明顯

小於 TBT 系列因此可說明 P25 系列受 394 nm 入射光子量極少吸

收機率減小而致使放射光強度減弱故可說明 394 nm 峰值相對減小

之因

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖

92

300 330 360 390 420 450 480 510 540

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

λem = 612 nm

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

000075

0015002

0025003

004005

PLE

圖 319 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE 光譜圖

330 360 390 420 450 480 510 540

00

20x106

40x106

x(content)

λem= 612 nm

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

00025

0050075

010125

015

PLE

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux

3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖

93

3212 臨界距離與能量轉移機制

根據 Dexter 與 Schulman(98)所提出之濃度淬滅效應(concentration

quenching effect)由圖 316 隨 Eu3+離子濃度逐漸增加時其發光強

度亦逐漸增加於 x = 003 時發光強度達至最高值爾後再添加過

量之活化中心(x>003)導致 Eu3+離子彼此間之距離縮短促使 Eu3+

-Eu3+離子對(ion pair)形成並隨摻雜濃度增加而增加使發光能量於

Eu3+-Eu3+離子對內傳遞以非輻射緩解方式消失其發光強度逐漸衰

減此外可利用 Blasse 等人(99)所提粗略計算添加相同之活化中心於

主體晶格內藉由結構精算所得晶格參數推知其發生能量轉移之臨界

半徑(critical radiusRc)

1 3

c3R 2

4 c

Vx Nπ

⎡ ⎤asymp ⎢ ⎥

⎣ ⎦ (33)

式 33 中V 為單位晶格之體積xc 為活化中心之臨界濃度N

為單位晶格中陽離子所占有之個數

臨界半徑乃於臨界濃度(critical concentration xc)時發光中心傳

遞至非放光中心之最小平均距離於本研究中調變 Eu3+離子之濃度

(x = 0~005)其強度最大值發生於 x = 003即為 xc值並利用結構

精算得此樣品之單位晶格體積為 13591(4) Aring3於每一單位晶格中

此 TBT 系列銳鈦礦向為四方晶系故每單位晶格中之 Ti4+ 離子(同為

活化中心之取代位置)所占有之個數為 1 個即 N = 1經計算結果可

得 Rc值約為 205 Aring以相同方法計算 P25 之樣品其 xc = 01單位

晶格體積 V 為 13603(16) Aring3經計算結果可得 Rc值約為 137 AringP25

系列之臨界半徑較 TBT 系列短之原因為合成過程中摻雜元素晶體

長成之差異造成 P25 系列樣品粒徑較大Eu3+與 TiO2 之鍵結強度

較小因此於活化中心間傳遞電子之距離須更小以達濃度淬滅效應現

94

象發生

綜合上段文中所述Ti1-xO2 Eux3+螢光粉之濃度淬滅效應乃因

其發光能量於 Eu3+-Eu3+離子對(ion pair)內傳遞而淬滅本研究將探

討其能量轉移機制

Ozawa(100)等人與 Wang(101)等人於文獻中指出此複合極矩交互作

用與活化中心濃度與其發光強度具一關係式

1 31 ( )QI K x

minus⎡ ⎤= +⎣ ⎦ (34)

式中x 為活化中心濃度I 為發光強度Q = 68 與 10 分別對

應為偶極-偶極(dipole-dipole)偶極-四極(dipole-quadrupole) 與四極-

四極(quadrupole-quadrupole)交互作用K與 β為對應主體晶格之常數

圖 321為Ti1-xO2 Eux3+

(x = 0~005)樣品以 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)

作圖圖中可觀察為一線性關係其擬合(fit)線之斜率為 -062經由

上述關係式之計算後可得 Q 值為 486近似於 6故由此結果可推論

本研究二氧化鈦摻雜 Eu3+離子之濃度淬滅效應主要乃以偶極-偶極交

互作用(dipole-dipole interaction)所致

-22 -20 -18 -16 -14 -12

83

84

85

86

87

88

89

log

( Ix

Eu3+

)

log (xEu3+)

Ti1-xO2Eux3+

Slope = -06195

圖 321 Ti1-xO2 Eux

3+之 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)關係圖

95

322 拉曼散射光譜分析 (Raman scattering spectrum)

3221 TBT系列粉體拉曼散射光譜分析

拉曼散射光譜為量測材料之鍵結狀態非常普遍之方法其原理為

利用光子與樣品中之聲子之間之交互作用量測晶體中之各種振動模

式包括了分子內之振動與晶格振動因此當樣品中晶格變化極微小

時亦能藉由拉曼散射光譜儀觀測於材料晶相結構之鑑定拉曼光

譜亦提供一材料結構與鍵結組態之特徵可與 X 光繞射圖譜互為印

證根據 Balachandran 與 Eror 報導(102)銳鈦礦(Anatase)具六種

Raman active 振動模式(vibrational modes)A1g + 2B1g + 3Eg 金紅石

(Rutile)具四種 Raman active 振動模式A1g + B1g + B2g + Eg由圖 322

中 TBT 系列之拉曼光譜於 146398518 和 641 cm-1 處其顯示二

氧化鈦晶相之特徵散射峰值分別對應銳鈦礦中 Eg A1gB1g Eg

之振動模態(Vibration Mode) (103 104)且 146 cm-1處之散射峰較尖銳

指出粉體之結晶性佳並與 XRD 結構精算之結果吻合另外此系

列中並無發現金紅石之散射峰出現顯示 TBT 系列樣品為銳鈦礦之

純相此與 XRD 之結果吻合

藉由 146 cm-1處 Eg振動模態之散射峰作觀察可知經由 Eu 摻雜

後其繞射峰具往高波數位移之現象有文獻指出(105 106)當二氧化

鈦於晶體結構中之氧空缺(oxygen vacancy)增加時將增加銳鈦礦於

146 (Eg) cm-1之波數因此研判本系列樣品經由 Eu 之摻雜均增加粉

體晶體中氧空缺爾後 X 光吸收光譜將更進一步討論而 Choi 等人

(107)於銳鈦礦之二氧化鈦中以體積收縮效應 (volume contraction effect)

解釋由於粒徑縮小而使晶粒之徑向壓(radial pressure)變小因此造成

鄰近原子鍵結與振動強度改變使繞射峰有往高波數位移之現象

96

100 200 300 400 500 600 7000

1

2

3

4In

tens

ity (a

u)

Raman shift (cm-1)

148(Eg)

146(Eg)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0015

x = 0

x = 002

x = 0025

x = 003

x = 004

x = 005

398(B1g) 518(A1g)641(Eg)

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

97

3222 P25系列樣品拉曼散射光譜分析

本實驗亦將 P25 系列樣品進行拉曼散射光譜之分析如圖 323

所示 P25 系列之拉曼光譜於 146398518 與 641 cm-1 處出現二

氧化鈦晶相之拉曼散射峰值與 TBT 系列相似分別對應銳鈦礦中

Eg A1gB1g Eg之振動模態(Vibration Mode) 然而 P25 系列樣品

於未摻雜 Eu 時(x = 0)時於 454616 cm-1 處出現分別對應於 Eg

A1g 振動模式之金紅石特徵散射峰出現此金紅石特徵峰之因主要

是由於 x = 0 之樣品存在重量百分比約 25 之金紅石晶相結構隨著

Eu 濃度之增加於 x = 0025 時 454 cm-1之特徵峰已消失而當摻雜

濃度大於 25 mol (x = 0025) 時粉體皆呈現銳鈦礦之拉曼特徵

峰此與 XRD 結論吻合由於稀土元素之摻雜抑制燒結過程中銳

鈦礦轉變成金紅石之現象於最強散射峰 146 cm-1處 Eg振動模態之

散射峰分析可知經由過 Eu 摻雜此繞射峰亦具往高波數位移之現

象然而總括兩系列樣品於此散射峰之位移現象皆不顯著主要乃因

摻雜稀土元素之量過少因此造成主體氧空缺不足以造成明顯之波數

位移現象(108)

98

100 200 300 400 500 600 700

R-616(A1gR-454(Eg

))

147 Eg( )

146(Eg)

641(Eg)518(A1g)

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

(au

)

Raman shift (cm-1)

x = 0025

x = 0

x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015

398(B1g)

圖 323 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

99

323 紫外-可見光擴散式反射光譜分析(UV-Vis DRS)

3231 TBT 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

二氧化鈦為一具半導體特性之物質且為一直接能隙之 n 型半導

體經由紫外光之照射使其表面電子電洞分離純相之二氧化鈦

其價帶與導電帶之能量差(即能隙大小)約為 32 eV相當於 380 nm

光波長之能量經由愛因斯坦發展光電理論之計算能量約座落於紫

外光範圍言下之意為必須透過紫外光激發始將其電子與電洞分離

進而能夠顯現觸媒之催化活性或光電特性然而許多學者於二氧化

鈦之製備過程中添加不同比例之過渡元素金屬離子研究發現可改變

二氧化鈦之光激發特性本研究為透過於二氧化鈦中摻雜鑭系金屬

Eu並透過不同比例之添加期望藉以改善其光激發特性在此透過

紫外可見光擴散式反射光譜分析兩系列所合成 Ti1-xO2 Eux粉體其特

圖 324 為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 之紫外-可見光擴

散式反射光譜顯示未摻雜 Eu 樣品(x = 0)於圖譜短波長約 332 nm 處

具強吸收帶顯示 Ti 以四方晶系之 Ti4+ 存在於晶格中此吸收帶為

將價帶 O-2p 軌域之電子激發至傳導帶 Ti-3d 軌域(109 110)而經由 Eu

之摻雜此系列樣品吸收邊緣延長至較長波長約 400 處此現象於一

般半導體中若具雜質(impurity)或缺陷(defect)態存在即會由於其

本質傳遞而具極強之吸收(111)於本研究中Eu 離子即扮演此雜質之

角色將改變二氧化鈦之晶格環境且由XRD之結論可知由於Eu (III)

之離子半徑遠大於 Ti (IV)之離子半徑因此難藉溶膠-凝膠法與水熱

法等合成將之取代故經過摻雜之二氧化鈦形成一新相化合物此新

相化合物具兩種特性(1) 經過 Eu 摻雜後之二氧化鈦之能隙變小(2)

吸收邊緣延長至較長波長因此較低能量之入射光子即可被利用此

100

現象於圖 324 中特徵譜線紅位移現象中可證實Saif 與 Mottaleb 於

文獻中(110)亦說明鑭系正離子為電子清除劑(electron scavenger)之角

色進而影響主體之發光與光觸媒特性

200 250 300 350 400 450 500

x = 004

Ti1-xO2Eux(TBT)

F(R

)

Wavelength (nm)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

x = 0Red shift

圖 324 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS 光譜

進一步計算此系列樣品之能隙大小評估添加Eu後對光觸媒之光

吸收特性之影響最常以Schuster-Kubelka-Munk 理論方程式並配合

漫反射光譜以估算材料之能隙值擴散式反射光譜儀所利用Schuster

-Kubelka-Munk 理論(112 113)多應用於鋪陳較厚之粉體其中假設無規

則之反射光束粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚度適

用其公式如下

2(1 ) ( )( )2

R kF RR s( )

λαλ

infininfin

infin

minus= = = (35)

101

其中 k 為樣品之吸收係數s 為散射係數一般量測與標準品

相對之反射值 Rinfin 即 refR R Rinfin = 而非量測絕對值之反射值其

中本實驗之 refR 為硫酸鋇 (BaSO4) 之反射係數而若考慮s與波長λ

弱相關之因素則 ( ) F R k sα infin= = 於窄範圍內可正比於吸收以

1

[ ( ) ]F R h ηυtimes 對 hυ 作圖(KM圖)可用以得到材料之能隙值於 KM

圖中hυ 為入射光子之能量而指數η則是由因光子吸收情形造成材

料光吸收範圍之轉移形式決定(114)本研究中粉體特性利用 KM 圖

(指數η =2)可以得到一線性關係藉由此圖形以線性外插法可精確地

求得材料之能隙值計算此系列樣品 Eu 之摻雜量增加後其能隙大

小之趨勢為329326324322314312 eV呈現縮小之現象

Tanner等人(115)提出將稀土元素Er3+摻雜入α-Al2O3中其中Er3+之離子

半徑仍遠大於主體晶格中之Al3+難以取代其晶格位置研判於低濃度

摻雜時形成一新化合物ErAlO3且隨著摻雜濃度增加其能隙亦有

縮小之趨勢而Umebayashi等人(116)將V Cr Mn Fe Co等金屬元素摻

雜入TiO2 後一電子填滿態形成於價帶頂端與傳導帶底部之間且

隨著摻雜量增加此局部填滿態(localized occupied level)將向低能量

位移造成能隙縮小故可研判本實驗中經過 Eu 摻雜之樣品其

能隙調整為Eu3+ 3d所形成之軌域與O-2p 軌域所混成之頂端(價帶)

至Ti4+ 3d 軌域之底部(導帶)因此造成能隙縮小將此與Rengaraj等

人之研究結果吻合(117) 在此將Eu摻雜後之可見光激發過程示於圖

327中

102

25 30 35 40

[F(R

)hν

]12

hν (eV)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算圖

000 001 002 003 004310312314316318320322324326328330

312314

322324326

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

329

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖

103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖

3232 P25 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

而針對 P25 系列樣品同樣可藉紫外-可見光擴散式反射光譜圖

分析如圖 328 中亦發現隨著 Eu 之摻雜濃度增加樣品之反射光

譜線與前趨物 Degussa P25 相近且吸收邊緣亦具紅位移現象然而

相較於 TBT 系列其吸收譜線卻較為狹窄對於光觸媒之利用較為

不利且此系列粉體亦藉由 Schuster - Kubelka-Munk 理論計算其能隙

大小由於 Eu 摻雜造成能隙縮小之現象較不如 TBT 系列顯著推論

由於合成方法與前趨物不同所致其造成樣品形成結晶之結果不同

且 Eu 於 P25 系列粉體中與 O 軌域之混成程度不如 TBT 系列

104

250 300 350 400 450 500

00

02

04

06

08

10

12

x = 015F(R

)

Wavelength (nm)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

x = 0

Red shift

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜

25 30 35 40

[F

(R)

hν]1

2

hν(eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖

105

00 01 02300302304306308310312314316318320322

310312

317

313

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖

324 X 射線光電子能譜儀(XPS)

本研究藉由 X 射線光電子能譜儀探討粉體之能階性質其乃藉

由光電效應將某能階之電子激發而成為光電子藉由分析此些光電子

之能量進而得知束縛能獲得關於表面元素組成以及元素之化學環

境狀態由於本實驗以 Eu 摻雜入主體二氧化鈦中由 XRD 精算結

果顯示即使 Eu 摻雜量增加其晶格體積並無擴張趨勢基於 Eu3+與

Ti4+之離子半徑之差異初步判定Eu並未取代二氧化鈦晶格中Ti4+ 之

位置由於稀土原子與主體晶格鍵結成一化合物時其化合物之結合

能明顯會與純原子時不同其內核層電子之束縛能亦會有不同之變

化即一般之化學位移 (Chemical Shift)其所造成之能譜位移可用

以區分不同氧化態之元素

利用 XPS 分析 Ti1-xO2Eux3+ TBT 系列中 x = 03 之粉體由全光

譜結果表示奈米粉體表面主要含 TiOC 三種元素其中 C 元素

來自於污染雜質碳而 XPS 偵測深度約為 5 nm未於全光譜中偵測

106

到 Eu 之特徵峰(1134911652 eV)出現初步推測含 Eu 化合物可能

未於粉體表面而存在於晶格空隙(interstitial)中(86)如圖 331 所示為

TBT 系列 x = 0 與 x = 3 針對 Ti-2p 軌域所呈現之 XPS 圖譜其中

Ti-2p32與 Ti-2p12之束縛能約於 4583 與 464 eV間距為 57 eV兩

特徵峰之相對強度(積分面積)比約為 21皆為二氧化鈦晶格中 Ti4+

之貢獻與文獻中銳鈦礦相之特徵峰吻合(118)當 Eu 之摻雜(x = 3)顯

示可見 Ti-2p32 與 Ti-2p12 之束縛能位置具化學位移現象(4585 與

4642 eV)此化學位移現象可藉共價鍵理論(covalent bonding theory)

解釋顯示 Eu3+合併(incorporate)入 TiO2 中(於晶格表面或空隙)而形

成 Eu-O-Ti 鍵結由於 Eu 之存在造成 Ti 與 O 所共價之電子雲密度

減少而改變其束縛能因此束縛能增加(119)造成特徵峰向高能量偏

移如圖 332 為 O-1s 軌域之 XPS 圖譜經 Eu 之摻雜亦出現化學位

移之現象另亦有文獻指出(120)若二氧化鈦表面之本質缺陷(intrinsic

defect)增加由於缺陷結構會促使電子從陰離子(O)中傳遞至陽離子

(Ti)或摻雜離子(C)中造成 O 束縛能增加此與本實驗之位移現象吻

合至針對 P25 系列樣品同樣觀察 Ti-2p32Ti-2p12 與 O-1s 軌域之

XPS 圖譜(圖 333334)指出相較於 TBT 系列樣品無論為 Ti-2p

抑或 O-1s 軌域化學位移之現象皆較不明顯研判於表面 Eu-O-Ti

共價鍵之鍵結強度較弱因此電子轉移現象減小

107

456 458 460 462 464 466

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

527 528 529 530 531

5298

Ti1-xO2Eux(TBT)O 1S

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0

5297

x = 003

4642

4585464

Ti1-xO2Eux(TBT)

Ti 2p12

Binding energy (eV)

Inte

nsity

(au

)

Ti 2p32

x = 0

4583

x = 003

108

458 460 462 464 466

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

4643

45854642

In

tens

ity (a

u)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

Ti 2p12

Ti 2p32

x = 0

4584

x = 01

527 528 529 530 531

5297

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

O 1S

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0

5296

x = 003

109

本研究亦建立兩系列樣品之價帶導帶與標準氫電極之相對位

置以利解釋雙層工作電極模型機制本研究針對低能量入射光子慢

速掃瞄粉體之 XPS 光譜由於 XPS 原理中運用光電效應概念偵

測光電子能量(Ek)為入射光子能量扣除內核層電子束縛能與功函數

即 k bE h Eυ ϕ= minus minus (如圖 335 說明 )由二氧化鈦之分子軌域

(Molecular orbital)圖樣可知其價帶位於 O-2p 軌域因此圖 336 中為

針對 TBT 系列樣品(x = 03)之價帶圖譜由態密度(density of state)圖

譜可知代表價帶(O-2p)之放射特徵譜線而費米能階(EF)於價帶圖譜

中視為 0 eV因此可透過類似計算能隙大小之外差法方式計算其價

帶相對於標準氫電極之大小(120)可之經由 Eu 之摻雜二氧化鈦之

價帶位置由 32 eV 降低至 21 eV由圖中亦可得 Eu 摻雜樣品降低粉

體之價帶位置並結合紫外‐可見光擴散式反射光譜分析後所得粉體

之能隙大小可建立如圖 338 所示兩系列樣品之能隙位階圖

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖

110

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

21

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0 x = 003

32

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

20

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25) x = 0 x = 01

25

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

111

圖 338 兩系列樣品未摻雜與摻雜 Eu3+粉體能隙位階圖

112

325 X-光吸收光譜(XAS)

本研究所製備之工作電極粉體係屬奈米材料因奈米材料相較塊

材之結晶性較差由X光粉末繞射圖譜中(powder X-ray diffraction)將

無法獲得進一步之結構資訊X吸收光譜可提供局部之結構資訊(local

structure)適合作為奈米材料結構研究之方法此外更可提供繞射法

所無法獲得之氧化態訊息故本研究乃藉由國家同步輻射研究中心

BL20A光束線以進行吸收光譜量測藉比對X光吸收近邊緣結構

(X-ray absorption near edge structure XANES)以得知特定原子氧化價

數與 d-軌域之電子填滿率並可分辨吸收原子所處之晶位對稱性

由於同步20A光束線而言待測樣品可以為晶型或非晶型固體甚至

為液體或氣體因此應用範圍十分廣泛尤其各元素之吸收邊緣能量

少有重疊可調整入射能量至各個元素之吸收區進行掃描以分別偵

測非常適於量測含有多種元素之樣品系統

由圖 339 與圖 341 中兩系列樣品之 O-k edge 吸收光譜指出此二

氧化鈦之 O-K edge 之特徵譜線與文獻中吻合(121)觀察兩系列中於吸

收邊緣之特徵譜線經由 Eu 之摻雜並無明顯位移現象顯示粉體中

O 之價數並明顯變化判斷為低濃度摻雜之故然而放大 528 eV 附

近之特徵峰觀察後發現(圖 340 與圖 342)隨著 Eu 之摻雜量增加

此吸收峰強度亦隨之增強由分子軌域之概念顯示由於 Eu 之摻

雜造成 O 之電子雲轉移散布至 Eu 軌域因此造成 O 電子組態中出

現更多空軌域亦即增加粉體之氧空缺由於 TiO2 摻雜次共價鍵陽

離子(subcovalent cation)造成之氧空缺會形成攔截態(trap state)或雜質

態(impurity state)(122 123)可能形成放光中心影響粉體之螢光性質亦

可能造成電子傳遞時之阻礙

113

531 540 549

0

1

2

3

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux(TBT)O K-edge XAS

圖 339 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

114

5272 5280 5288

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 340 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜局部放大圖

525 530 535 540 545 550

0

1

2

3

Photon Energy (eV)

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux(P25)O K-edge XAS

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

115

5272 5280 5288

Photon Energy (ev)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大圖

116

33 Ti1-xO2Eux3+粉體於染料敏化太陽能電池之應用研究

上述各節已討論 Ti1-xO2Eux3+ 粉體之晶體結構形貌光學電

子組態各種特性本研究藉由此經修飾之二氧化鈦粉體應用於染料敏

化太陽能電池之工作電極材料並藉由其特殊發光特性與結構設計

以提高太陽能電池之效率

331 單層工作電極電池效率量測

未經修飾之二氧化鈦(TiO2)由於其能隙約為32 eV亦即所能

利用之光波範圍僅限於紫外光區域此情況下 TiO2 於一般日照射能

產生電子-電洞對之效率差所展現之光催化活性低應用價值不高

故為提升對太陽光之吸收效率進而提升 TiO2整體光催化效率為當

前一重要課題一般提高效率之方法分為修飾 TiO2表面或晶體結構

以增加其對光波之吸收率與抑制電子-電洞對之再結合TiO2之晶體

中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性質之改變益於光

催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕捉電子或電洞之缺陷

益於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素與 TiO2 共結晶增益對

光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化效果

第一個部分由於本研究透過 Eu3+摻雜入二氧化鈦中於光激發

光譜分析可得知兩系列摻雜 Eu 粉體於藍紫光(394464 nm)激發造成

於 612 nm 處之放光配合染料 black dye 於紅光附近之吸收可提高

染料之額外吸光量進而提高光激發電子之數量以提高能量使用之效

率圖 343 中為 TBT 系列分別取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體與摻

雜 Eu 後發光強度最高 (x = 003)之粉體工作電極材料(分別以 0-TBT

與 Eu003-TBT 表示)組裝電池後量測之光電特性為討論分析其再

現性本研究以相同條件多次組裝電池量測求證結果由表 34 中光

電特性參數得知兩種樣品所得 FF 因子皆達理想電池之表現

117

Eu003-TBT 電池平均效率為 178 而 0-TBT 獲得平均為 234

之較高效率其中短路電流密度(Jsc)從 436 下降至 320 mAcm2為主

要原因以同樣想法將 P25 系列粉體取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體

以及摻雜 Eu 後發光強度最高 (x = 01)之粉體工作電極材料(分別以

0-P25 及 Eu01-P25 表示)組裝電池後量測之光電特性於圖 344 中

顯示由表 35 光電特性參數亦可知 0-P25 平均效率為 189 而

Eu01-P25 為 124 其中短路電流密度從 373 下降至 221 mAcm2

與 TBT 比較同一結構P25 系列之電池效率明顯較小推測仍為

粒徑較大由 BET 之計算可知供染料吸附之比表面積較少因此造

成效率較低針對電池中之工作電極Eu 摻雜後之材料反而效率降

低在此提出可能之機制如圖 345 所示於電子傳遞過程中理

想狀況為光電子迅速由染料之 LUMO 傳遞至二氧化鈦導帶再經由

FTO 導致外電路使用然而由於 Eu 摻雜後之工作電極Eu 所形成之

氧空缺捕捉光電子此時氧空缺類似 trap state因此造成光電子量下

降再者由於被染料激發之光電子到達工作電極時亦可能部分

用以形成 Eu 放紅光之復合電子來源因此亦為光電子量下降之因

可由表 34 與表 35 中經 Eu 摻雜後之工作電極電池光電流之現象得

118

00 02 04 06 08 10 120

1

2

3

4

5

6(TBT)Ti1-xO2Eux

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage (V)

x = 0 231 224 237 233

x=003 176 185 168 182

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 34 TBT 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT 16 074 436 069 234(8)

Eu003-TBT 14 077 320 058 178(2)

119

00 02 04 06 08 100

1

2

3

4

5C

urre

nt d

ensi

ty (m

Ac

m2 )

Voltage (V)

x = 0

189 191 182 193

x = 01 123 125 119 127

Ti1-xO2Eux (P25)

圖 344 P25 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 35 P25 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P25 14 071 373 067 189(2)

Eu01-P25 15 079 221 054 124(3)

120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖

332 雙層工作電極結構

對於提高染料敏化太陽能效率由效率 sc oc inJ V FF Pη = times times 可

知致力於提高其開路電壓 (Voc) 亦為提高效率其中之一方法以

此觀念為基礎之研究例如 Durr 等人(124)於 2006 年利用於原 TiO2上塗

佈 Ti1-xZrxO2與 ZrO2之混合物由於 ZrO2之能隙約為 5 eV相對於

TiO2之 32 eV形成一道位階屏障阻擋傳導至 TiO2傳導帶之光電

子與染料之 HOMO(Highest occupied molecular orbital)或電解質中 I3minus

再復合之機會進而提高光電子傳導致外電路之數量本研究鑑於先

前對於 Eu 摻雜入 TiO2後提高其價帶位階並增加其能隙大小之結

果設計雙層結構以降低光電子再復合之機率因此下一部分實驗

121

因此本研究將利用Eu摻雜對於 TiO2 之粉體與未摻雜 TiO2相異之光

電特性設計出雙層結構工作電極藉以探討對於太陽能電池效率之

影響

3321 雙層工作電極結構電池製作說明

首先說明此雙層結構工作電極之太陽能電池之設計先於十片清

洗完之 FTO 上透過網印塗佈一層未摻雜 Eu 之二氧化鈦電極(約 6~7

μm)經過層溫燒結後再分成兩組各五片其中一組繼續塗佈一層

相近厚度未摻雜 Eu (x = 0)之二氧化鈦電極而另一組則塗佈一層摻

雜 Eu 後發光強度最高(TBT 系列x = 003)之電極再進行層溫燒結

並與第一部分單層結構相同利用四氯化鈦處理後再進行 500oC 燒結

即完成分別以 0-TBT0-TBT 與 Eu003-TBT0-TBT 表示而 P25 系

列樣品亦以相同步驟製得分別以 0-P250-P25 及 Eu01-P250-P25 電

池雙層結構設計圖如圖 346 所示

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖

122

3322 電池效率量測

為探討其組裝之再現性與穩定性本研究亦以相同條件多次組裝

電求證結果圖 347 為 TBT 系列雙層結構電池之電流-電壓圖由表

中可得知0-TBT0-TBT與Eu003-TBT0-TBT平均效率分別為260

與 343 短路電流密度 (Jsc)為 565 mAcm2與 702 mAcm2開路

電壓為 066 V 與 071 V顯見第二層為 Eu 摻雜之二氧化鈦電極效

率短路電流開路電壓皆增加而 P25 系列第二層若為 Eu 摻雜後

之電極由表 36 中可觀察出效率短路電流開路電壓皆增加但

與 TBT 比較同一結構電池效率明顯較小推測仍為粒徑較大

造成染料吸附量較少 圖 349 為 Eu003-TBT0-TBT 雙層結構電極

材料與染料間能隙之相對位置本研究亦藉此解釋效率提高之原因

由短路電流增加之現象可知光電子被利用之數量增加即光電子從

染料之 LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)快速傳導至第二層

Eu003-TBT 再至第一層 0-TBT由於電子於此傳遞過程中之速率與

兩因素相關(1) 染料用以吸附於二氧化鈦之結構種類強度(2) 染

料 LUMO 與二氧化鈦工作電極之傳導帶(conduction band)之相對位

置而透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動

力(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導

帶位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑

或與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機

率增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值Kim 等人於

2008 年之研究中(125)利用二氧化鈦摻雜鉻(Cr)之材料改變原二氧

化鈦之半導體屬性作為屏蔽電極層亦可減少電子再復合機率而提

高效率

而對於開路電壓增加之現象須先瞭解染料敏化太陽能電池運作

123

時之能階變化階原理由Kubo (55)所建立如圖350(a)所示為一DSSC

於未照光之能階圖亦即TiO2染料電解介質面之間不存在電位差

故其費米能階 (Fermai level EF)可視為自由電子所混成之平衡狀態

當DSSC照光後如圖350(b)所示染料吸收光波產生激發之光電子

與電洞之分離同時造成電位差此電位差即為TiO2之CB與染料之

LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)混成能階(Efn)相對染料

之HOMO (Highest occupied molecular orbital)與電解質氧化還原電位

(I-I3-之ERedox)之混成能階(Efn)之電位差(ΔV)而此電位差之最大直即

為光電壓之最大值亦即開路電壓本研究中由於雙層結構第二層

Eu003-TBT傳導帶上移造成與染料之LUMO混成能階上移因此與

染料之HOMO與電解質氧化還原電位(Iminus I3minus之ERedox)之混成能階差異

變大增大電位差因此提高開路電壓值

124

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 100

1

2

3

4

5

6

7

8

9C

urre

nt d

ensi

ty(m

Ac

m2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT 273 258 250 260

Eu003-TBT0-TBT 342 340 339 352

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 36 TBT 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT0-TBT 15 066 565 070 260(8)

Eu003-TBT0-TBT 16 071 702 068 343(2)

125

00 01 02 03 04 05 06 07 08 090

1

2

3

4

5

6

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-P250-P25 195 201 191 189

Eu01-P250-P25 237 214 242 254

圖 348 P25 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 37 P25 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P250-P25 15 066 420 069 194(5)

Eu01-P250-P25 14 070 473 070 237(2)

126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變化(55)

127

3322 雙層工作電極結構電池入射單色光子-電子轉化效率(IPCE)量

為驗證雙層工作電極結構之電池中效率提高原因之論點本實驗

針對電池進行單色光子-電子轉化效率(IPCE)量測透過自動單光濾

鏡控制光源照射電池之波長藉以觀察電池於不同波長之入射光照射

下其外部量子效率展現由圖 351a 及 351b 分別顯示 TBT 與 P25

系列電池所呈現之 IPCE 圖譜譜線趨勢與參考文獻(75)相近其中

Eu003-TBT0-TBT 電池於可見光區之外部量子效率明顯大於

0-TBT0-TBT 所呈現P25 系列亦有相同趨勢結果於橘紅光附近

(610-620 nm) 提升較明顯是否為第二層結構 TiO2 Eu 於 612 nm 部

分放光為 Black dye 所吸收而增加光利用之故仍未確定故本研究

透過工作電極之放射光譜印證乃將製作完成之 Eu003-TBT0-TBT

電池工作電極一部分未浸泡另一部分浸泡染料 black dye 溶液 24 小

時並以無水乙腈沖洗後待至乾燥進行光激發光譜分析(PL)由圖

352 之結果可知未浸泡之工作電極(plain)經過染料浸泡後(black dye)

於 612 nm 之激發光譜幾乎吻合但是放射光強度略為減弱因此可

知第二層工作電極放射之紅光部分中少量為染料所吸收然而由於太

陽光中紫外光部分只佔 5 因此 394 nm 之激發光轉換成紅光比例

相對極為少量因此藉此增加電池效率效果有限因此雙層結構電池

中第二層為 Eu 摻雜之樣品效率提高之因主要仍為 3222 節中所解

釋由於階梯狀能階設計減少電子再復合機率以增加光電子之可使

用量此論點將於下節電化學交流阻抗分析中再次討論

128

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-TBT0-TBT

Eu003-TBT0-TBT

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-P250-P25

Eu01-p250-p25

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖

129

350 400 450 500 550 600 650 700

In

tens

ity (a

u)

Wavelength(nm)

Eu003-TBT0-TBT Plain black dye46

4

394

612

PLE - λem= 612 nm

PL - λex= 394 nm

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作

電極之激發與放射光譜

3323 雙層工作電極結構電池電化學阻抗(EIS)量測

進一步驗證 3321 中雙層工作電極電池不同結構中效率相異之

原因本研究將一系列電池進行電化學阻抗測試測試結果如圖 353

所示經 Z-view 軟體 fitting 之後並參考 Adachi 等人(79)所發展之模

式獲得如表 38 所列參數藉各參數間之比較可瞭解電池於照光

工作時激發光電子於電池中傳遞之情形

由圖 353 阻抗圖譜中Yoshida 等人(77)界定位於中頻區之圖譜意

義為光電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質液介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗因此本研究發現 TBT 系

列中0-TBT0-TBT 中頻區之半圓半徑明顯大於 Eu003-TBT0-TBT

之結果可得知透過雙層結構之設計(圖 349)第二層為 Eu003-TBT

130

之電池其相對能階形成階梯型驅動力之增加明顯降低工作電極

層與層間之傳輸電阻再者亦可證明第二層形成一傳遞屏障降低

傳遞電子與電解液中 I3-再復合之還原作用而 0-P250-P25 以及

Eu01-P250-P25 之間亦具此現象圖 353 中亦可比較 TBT 與 P25 兩

系列明顯其工作電極內電阻之因素亦反應於電池效率結果上

將圖 353 所得電交流阻抗結果透過 Z-view 軟體 fitting 後得到表

38 所列參數先觀察 TBT 系列兩電池可知第二層為 Eu003-TBT

之電池其 keff (電子再結合速率常數)由 315 下降至 247 s-1因此電

子生命週期提升可知驅動力之增加提升電子傳導之動力學參數

(126)加速電子傳遞以減少電子於電極中之停留機率此點可由 Rw (電

子於 TiO2中之傳導電阻)之降低得證再者由 Rk (電子再結合之電

荷傳導電阻)亦為暗反應電阻此值對於電池效率越大越佳

Eu003-TBT0-TBT 電池較 0-TBT0-TBT 由 1603 增加至 1934顯示

第二層為 Eu003-TBT 之電池由於能階結構之設計降低其電子再

復和之機率此論點與交流阻抗圖譜之結果吻合

由於本雙層結構電池之研究皆控制塗佈步驟中之參數以確立

各電池之膜厚皆相近始可討論 Deff (有效電子擴散係數)與 Ln(電子擴

散長度)對於電子傳遞機制之優劣影響(參考式 214215)相較於

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 電池之 Deff有效從 257 x 10-4提

升至 336 x 10-4 cm2s佐證 Eu003-TBT0-TBT 電池具效延長電子壽

命之現象由表 38 中結果得知各雙層結構電池精算後之 Ln長度皆

大於工作電極膜厚確立各系列電池之傳導電子有效為 FTO 導電

玻璃收集而傳遞至外電路使用而 Eu003-TBT0-TBT 之 Ln 值較

0-TBT0-TBT 所得之 Ln值大 以上結果皆顯示第二層為 Eu003-TBT

之電池可有效減少電子因粉體之氧空缺被捕捉而停滯之機率增加

131

之驅動力促使電子可於工作電極中有效而快速地傳遞進而提高光電

轉換效率而關於 P25 系列之討論顯示 0-P250-P25 與

Eu01-P250-P25 之各參數比較與效率結果皆吻合現象解釋與 TBT

系列相同

關於TBT系列與 P25系列之Deff之比較顯示TBT系列之Deff 普

遍皆大於 P25 系列亦具相關文獻(127)指出由於晶相之含量差異亦

會影響此值由於 Anatase 晶相與 Rutile 晶相均為正立方晶系

(Tetragonal system)結構其晶相皆是以 TiO6之八面體存在不同處

為於 Anatase 晶相中其不論 abc 軸方向其八面體間之鍵結均

是以 edge-sharing 之方式存在而於 Rutile 晶相中則為於 ab 軸以

corner-sharing 之方式存在於 c 軸方向以 edge-sharing 之方式鍵結

此結構之差異造成 Anatase 傳導電子之能力較佳此結果於已有之光

觸媒研究已確立因此相較於 P25 系列TBT 系列擁有較純之 Anatase

晶相因此 Deff較大而光電轉換效率亦較高

132

20 30 40 50 60 70 800

5

10

15

20

25

30

Z

(ohm

)

Z (ohm)

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 0-P250-P25 Eu01-P250-P25

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖譜

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數分析

Structure

L

(μm)

keff

(s-1)

τ

(s)

Rk

(Ω)

Rw

(Ω)

Deff

(cm2s)

Ln

(μm)

0-TBT0-TBT 16 315 0032 1603 4987 257 E-04

287

Eu003-TbT0-TBT 15 247 0040 1934 3236 336 E-04 367

0-P250-P25 15 451 0022 1123 7011 164E-04 190

Eu01-P250-P25 14 356 0028 1465 5445 188 E-04 229

133

333 CdSe 敏化雙層工作電極結構電池光電特性分析

由於二氧化鈦其能隙較大(約 32 eV)之故因此可見光中可激發

其電子之波段較窄必須透過窄能隙材料之吸附以增加其對於可見光

之利用除染料以外近年來所發展之量子點材料亦為一具潛力之

敏化物

本研究欲驗證量子點取代Black dye之角色後效率趨勢是否相

同因此取染料敏化實驗中效率較高之TBT系列作為雙層電極結構材

料並以硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物本實驗所合成之硒化鎘測

量其吸收光譜(UV-Vis)可知第一個吸收峰值之對應波長約於554

nm藉由Peng等人(128)所發展之方程式估算出粒子大小(D)可計算粒

徑約為305 nm

D = (16122times10-9)λ4- (26575times10-6)λ3 +(16242times10-3)λ2 - (04277)λ

+ (4157) (38)

其中 λ 為第一個吸收峰值之對應波長

圖 354 為 TBT 系列雙層結構量子點電池之電流-電壓圖由表

39 中0-TBT0-TBT(Plain)與 Eu003-TBT0-TBT(Plain)代表未吸附

CdSe 之電池效率極低分別為 00040 與 00060 而經過 CdSe

之摻雜後[0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)]平均效

率分別提升為為 0047 與 0083 光電流值亦明顯提升顯示量

子點之吸附增加電池對於入射光能量之利用若比較

0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)兩組數據其 FF 值

比染料敏化電池值較為低此為現階段量子點電池之通病亦為效率

一直無法提升之因而第二層為 Eu 摻雜之工作電極效率短路電

流與開路電壓值皆提升此與染料敏化電池系列之趨勢相同表示而

透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動力

134

(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導帶

位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑或

與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機率

增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 1000

01

02

03

04

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT(CdSe) 0045 0046 0049 0049

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 0083 0085 0081 0082

0-TBT0-TBT(Plain) 00040 00043

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 00062 00063

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC (V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

() 0-TBT0-TBT(Plain) 14 043 002 009 00040(2)

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 16 044 003 012 00060(3)0-TBT0-TBT(CdSe) 15 054 025 034 0047(2)

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 16 058 033 037 0083(1)

135

第四章 結論

本研究成功利用不同前趨物以溶膠凝膠法與水熱法之合成方法

製備出兩系列 TiO2Eu3+工作電極材料( TBT 與 P25)以 XRD 等量測

進行材料結構鑑定分析並探討 Eu 摻雜後對於 TiO2之發光特性與電

子組態之影響爾後將材料應用於敏化太陽能電池之工作電極研究

修飾後之 TiO2電極對於電池效率之影響其重要結果如下

(a)本研究以溶膠凝膠法及水熱法藉由 Eu 摻雜成功合成出純銳鈦礦

(Anatase)之二氧化鈦並且由於 Eu-Ti-O 鍵結形成不僅延緩金紅

石(Rutile)晶相生成有較好之光電特性亦限制晶體之成長由於

粒徑越小增加其比表面積因此有效提升太陽能電池染料之吸附

量增加電池之效率表現

(b)以光激發光譜分析樣品得知隨著活化劑 Eu 摻雜量之增加主體

晶格 TiO2 之發光強度隨之增加於高濃度出現濃度淬滅現象而

拉曼光譜亦證實藉由 Eu 摻雜成功延遲煆燒過程中金紅石(Rutile)晶

相生成且增加粉體表面之氧空缺

(c)本研究以紫外-可見光擴散式反射光譜測量 TiO2Eu3+之吸收特性

經由 Eu 摻雜後出現之紅位移現象顯示 TiO2 於摻雜稀土金屬離

子產生能階混成造成能隙縮小增加對於可見光範圍之吸收並以

X 射線光電子能譜儀分析獲知摻雜離子 Eu3+於晶體中位置並以價

帶光譜之量測成功建立樣品之價帶傳導帶能階位置而 X-光吸

收光譜之近邊緣光譜分析得知Eu 摻雜後鍵結中電子轉移造成表

面氧空缺增加

(d)將合成之材料應用於染料敏化太陽能電池之工作電極本研究原

構想欲透過發紅光之 TiO2Eu3+以增加染料 Black dye 於紅光波段

136

之利用然而由光電特性卻發現由於摻雜後氧空缺所造成之雜質

態捕捉光電子由光電流降低之現象證實光電子量減少

(e)為提高染料敏化電池效率本研究利用雙層結構工作電極之設計而

形成階梯式位階排列不僅增加傳遞驅動力亦由於電極屏障生成

以減少電子再復合之機率而短路電流之增加證實此點並透過與

染料能階之混成提高開路電壓值因此整體結果提高電池之效

率而將染料製換為硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物第二層為

Eu 摻雜材料之電池效率亦明顯提升進一步證實此研究構想之

正確性

總而言之本研究合成兩系列 TiO2Eu3+樣品並探討其之晶體

結構特性發光性質以及建立摻雜離子 Eu3+對於其電子組態之影

響且透過雙層結構設計成功提高敏化太陽能電池之效率

137

參考文獻

1 許志偉 陳宏仁 林怡君 and 王立義 有機無機太陽能電池之

現況發展 化工 第52卷 第2期 49-58 民94

2 AJ McEvoy and M Gritzel Sol Energ Mat Sol C 1994 32 3

221

3 A Hagfeldt B Didriksson T Palmquist H Lindstroumlm S Soumldergren

H Rensmo and SE Lindquist Sol Energ Mat Sol C 1994 31

481

4 B OrsquoRegan and M Graumltzel Nature 1991 353 737

5 M Graumltzel Nature 2001 414 338

6 黃建昇 結晶矽太陽電池發展近況 工業材料雜誌 第203期 150

民92

7 httpcdnetstpiorgtwtechroommarketenergyenergy022htm 國

家實驗研究院科技政策研究與資訊中心(Science amp Technology

Policy Research and Information CenterSTPI)

8 M Graumltzel Phil Trans R Soc A 2007 365 993

9 X Chen and SS Mao Chem Rev 2007 107 2891

10 D Cahen G Hodes M Graumltzel JF Guillemoles and I Riess J

Phys Chem B 2000 104 2053

11 D Matthews P Infelta and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C

1996 44 119

12 M Graumltzel J Photochem Photobio A 2004 164 3

13 TN Rao and LJ Bahadur J Electrochem Soc 1997 144 179

14 AB Kashyout M Soliman and M Fathy Mater Chem Phys

2005 90 230

15 P Guo and MA Aegerter Thin Solid Films 1999 351 290

138

16 K Sayama H Sugihara and H Arakawa Chem Mater 1998 10

3825

17 BV Bergeron A Marton G Oskam and GJ Meyer J Phys Chem

B 2005 109 793

18 S Chappel and A Zaban Sol Energ Mat Sol C 2002 71 141

19 K Hara T Horiguchi T Kinoshita K Sayama H Sugihara and H

Arakawa Sol Energ Mat Sol C 2000 115 64

20 B Tan E Toman Y Li and YY Wu J Am Chem Soc 2007 129

463

21 CJ Barbeacute F Arendse P Comte M Jirousek F Lenzmann V

Shklover and M Graumltzel J Am Ceram Soc 1997 80 3157

22 K Kalyanasundaram and M Graumltzel Coord Chem rev 1998 177

347

23 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B

2000 104 989

24 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio RH Baker E Muumlller P

Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem Soc 1993

115 6382

25 G P Smestad and M Graumltzel J Chem Educ 1998 75 752

26 劉茂煌奈米光電池工業材料雜誌 2003203 期 民93

27 MK Nazeeruddin SM Zakeeruddi RH Baker M Jirouse P Lisk

N Vlachopoulos V Shklover CH Fischer and M GraumltzelInog

Chem 1999386298

28 KS Finnie JR Bartlett and JL Woolfrey Langmuir 1998 14

2744

29 C Bauer G Boschloo E Mukhtar and A HagfeldtJ PhysCem B

2002 106 12693

139

30 CG Garcia NYM Iha R Argazzi and CA Bignozzi Inorg Chem

1994 33 5741

31 MK Nazeeruddin M Amirnasr P Comte JR Mackay AJ

McQuillan R Houriet and M Gratzel Langmuir 2000 16 8525

32 MK Nazeeruddin P Peacutechy T Renouard SM Zakeeruddin R H

Baker P Comte P Liska L Cevey E Costa V Shklover L

Spiccia GB Deacon CA Bignozzi and M Graumltzel J Am Chem

Soc 2001 123 1613

33 J Hagaen W Schaffrath P Otschik R Fink A Bacher HW

Schmidt and D Haarer Synthetic Met 1997 89 215

34 N Papageorgiou WF Maier and M Graumltzel J Electrochem Soc

1997 144 876

35 A Kay and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C 1996 44 99

36 S Chen SK Deb and H Witzke US Patent 1978 4080488

March 21

37 M Graumltzel and K Kalyanasundaram Curr SCi 1994 66 706

38 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio R Humphry-Baker E

Muumlller P Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem

Soc 1993 115 6382

39 M Graumltzel AIP Conf Proc 1997 404 119

40 M Graumltzel J Photo Photobio A Chem 2004 164 3

41 L Han Y Chiba and A Islam 16th International Conference of

Photochemical Conversion and Solar Sstorage Uppsala Sweden

2006

42 Y Chiba A Islam and Y Watanabe J Appl Phys 2006 45 638

43 MK Nazeeruddin FD Angelis and S Fantacci J Am Chem Soc

2005 127 16835

140

44 JM Kroon NJ Bakker HJP Smit P Liska KR Thampi P

Wang SM Zakeeruddin M Gratzel A Hinsch S Hore U Wurfel

R Sastrawan JR Durrant E Palomares H Pettersson T

Gruszecki J Walter K Skupien and GE Tulloch Prog Photovolt

Res Appl

45 H Arakawa T Yamaguchi and A Takeuchi 16th International

Conference of Photochemical Conversion and Solar Storage

Uppsala Sweden 2006 W42P210

46 M Spath JV Roosmalen and P Sommeling 3rd WCPEC Osaka

Japan 2003

47 H Tsubomura M Matsumura Y Nomura and T Amamiya Nature

1976 261 402

48 PM Sommeling 2nd WCPEC Vienna 1998

49 CJ Barbe J Am Cera Soc 1997 80 3157

50 K Tennakone J Phys D Appl Phys 1998 31 1492

51 MK Nazeeruddin P Pĕchy and M Graumltzel Chem Comm 1997 36

1705

52 K Hara Chem Comm 2001 68 569

53 角野 裕康 村井 伸次 御子柴 智 東芝レビュー 2001 56 7

54 A Hagfeldt Nano Letters 2001 1 97

55 W Kubo Chem Comm 2002 39 374

56 原 浩二郎 AIST Today 2002 12 14

57 L Vlachopouios J Am Chem Soc 1988 110 1216

58 V Vamathevan H Tse R Amala G Lowb and S McEvoy

Catalysis Today 2002 68 201

59 MI Litter and JA Navio J Photo Photobio A Chem 1996 98

171

141

60 J Yu H Yu CH Ao SC Lee JC Yu and W Ho Thin Solid

Films 1999 496 273

61 W Li Y Wang H Lin SI Shah CP Huang DJ Doren SA

Rykov JG Chen and MA Barteau Appl Phys Lett 2003 83 20

62 R Asahi T Morikawa T Ohwaki K Aoki and Y Taga Science

2001 293 269

63 C Jia E Xie A Peng R Jiang F Ye H Lin and T Xu Thin Solid

Films 2006 496 555

64 M Saif and MSA Abdel-Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360

2863

65 湯友聖 台灣師範大學碩士論文 臺北 民 97

66 RC Ropp Luminescence and the Solid State Elservier Amsterdam

2004

67 H Dieke and RA Satten Am J Phys 1970 38 399

68 httpcaiwiteducnmseliuyu2006pptliuX-rayppt

69 AR West Basic Solid State Chemistry John Wiley amp Sons

Singapore 1991

70 吳泰伯 and 許樹恩 X-光繞射原理與材料結構分析 國科會精儀

中心 台北 民 82

71 httpwwwndhuedutw~nanolabtext93_Ma_II_v2pdf

72 林群哲 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 96

73 賴泓均 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 95

74 S Ito TN Murakami P Comte P Liska C Graumltzel MK

Nazeeruddin and M Graumltzel Thin Solid Films 2008 516 4613

75 H Kusama M Kurashige K Sayama M Yanagida and Hideki

Sugihara J Photochem Photobio A 2007 189 100

76 蕭光宏 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 97

142

77 Y Yoshida S Tokashiki K Kubota R Shiratuchi Y Yamaguchi

M Kono and S Hayase Sol Energ Mat Sol C 2008 92 646

78 JJ Wu GR Chen HH Yang CH Ku and JY Lai Appl Phys

Lett 2007 90 213109

79 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

80 J Lin and JC Yu J Photochem Photobiol A Chem 1998 116 63

81 T Lindgren JM Mwabora E Avendano J Jonsson A Hoel CG

Granqvist and SE Lindquist J Phys Chem B 2003 107 5709

82 H Tang H Berger PE Schimid F Levy and G Burri Solid State

Commun 1993 87 847

83 G Oskam A Nellore RL Penn and PC Searson J Phys Chem B

2003 107 1734

84 MA Anderson MJ Gieselmann Q Xu J Membr Sci 1988 39

243

85 P Ganguly N Shah M Phadke V Ramaswamy IS Mulla Phys

Rev B 1993 47 991

86 JH Li WL Kang WH Yan YH Guo HF Gao and ZH Liu

Acta Phys Chim Sin 2008 24 1030

87 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B 2000

104 8989

88 RA Spurr and H Myers Anal Chem 1957 29 760

89 S Yin H Yamaki M Komatsu Q Zhang J Wang Q Tang F Saito

and T Sato J Mater Chem 2003 13 2996

90 E Setiawati and K Kawano J Alloy Compd 2008 451 293

91 B Zou L Xiao T Li J Zhao Z Lai and S Gu Appl Phys Lett

1991 59 1826

143

92 J Yang ZW Quan DY Kong XM Liu and J Lin Cryst Growth

Des 2007 7 730

93 T Hirai and Y Kondo J Phys Chem C 2007 111 168

94 S Yan J Zhang X Zhang S Lu X Ren Z Nie and X Wang J

Phys Chem C 2007 111 13256

95 G Blasse and BC Grabmaier Luminescence Materials Chap 9

186

96 T Miyakawa and D L Dexter Phys Rev B 1970 1 2961

97 KL Frindell MH Bartl MR Robinson GC Bazan A Popitsch

and GD Stucky J Solid State Chem 2003 172 81

98 DL Dexter JH Schulman J Chem Phys 1954 22 1063

99 T Blasse G Philips Res Rep 1969 24 131

100 L Ozawa and PM Jaffe J Electrochem Soc 1971 118 1678

101 QZ Wang J Tian XH Yang and X Gao J Chin Lumin 1995

16 57

102 YH Zhang CK Chan J Porter and W Guo J Mater Res 1998

13 2602

103 BD Yao YF Chan XY Zhang WF Zhang ZY Yang and N

Wang Appl Phys Lett 1998 82 281

104 D Bersani PP Lottic and XZ Ding Appl Phys Lett 1998 72 1

105 YL Li and T Ishigaki J Phys Chem B 2004 108 15536

106 JC Parker RW Siegel J Mater Res1990 5 1246

107 HC Choi YM Jung and SB Kim Vib Spectrosc 2005 37 33

108 JG Li X Wang K Watanabe and T Ishigaki J Phys Chem B

2006 110 1121

109 T Sreethawong Y Suzuki S Yoshikawa Int J Hydrogen Energ

2005 30 1053

144

110 M Saif and A Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360 2863

111 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2005 247 36

112 AB Murphy Appl Opt 2007 46 3133

113 P Kubelka J Opt Soc Am 1948 28 448

114 DG Barton M Shtein RD Wilson SL Soled and E Iglesia J

Phys Chem B 1999 103 630

115 PA Tanner KL Wong and Y Liang Chem Phys Lett 2004 399

15

116 T Umebayashi T Yamaki H Itoh and KJ Asai Phys Chem Solid

2002 63 1909

117 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2006 247 36

118 X Lai Q Guo BK Min and DW Goodman Surf Sci 2001 487

1

119 FM Liu TM Wang JQ Li C Wang SK Zheng and M Duan J

Magn Magn Mater 2002 251 245

120 W Gopel Surf Sci 1984 139 333

121 AG Thomas WR Flavell AK Mallick AR Kumarasinghe

DTsoutsou N Khan C Chatwin S Rayner and GC Smith Phys

Rev B 2007 75 035105

122 X Wang JG Li H Kamiyama M Katada N Ohashi Y

Moriyoshi and T Ishigaki J Am Chem Soc 2005 127 10982

123 D Vogtender R Poducky J Redinger ELD Habenstreit W

Habenstreit and U Diebold Phys Rev B 2002 65 125411

124 M Durr S Rosselli A Yasuda and G Nelles J Phys Chem B

2006 110 21899

145

146

125 C Kim KS Kim HY Kim and YS Han J Mater Chem 2008

18 5809

126 I Robel M Kuno and PV Kamat J Am Chem Soc 2007 129

4136

127 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

128 W Yu L Qu W Guo and X Peng Chem Mater 2003 15 285

  • Poyu封面
  • 洪柏育-碩士論文摘要-0609-2009
  • Poyu謝誌
  • PoYu Hung-MS Thesis-0625-2009pdf
Page 2: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成

摘要

染料敏化太陽能電池 (Dye-Sensitized Solar Cell DSSC) 目前於

世界各國研究仍屬開發階段其光電轉換效能與商用矽晶太陽能電池

相較仍有差距但因其具備製作簡單成本低可撓性 (flexible) 及

易製成大面積之產品等商業化優勢故將成為下階段太陽能新能源急

切發展之技術針對DSSC之研究主要針對四項組成元件工作電

極染料電解質及反電極探討不同材料對於效率之影響其中工

作電極多屬半導體奈米薄膜如二氧化鈦 (TiO2) 或氧化鋅 (ZnO)

等已存在多數研究其形貌結構與塗佈方式對於電池效率之影響而

近年來TiO2 摻雜稀土金屬元素之研究多數僅只探討其發光及觸媒

特性卻未有應用於敏化太陽能電池工作電極之研究

本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法水熱法合成

TiO2 摻雜 Eu 粉體主要內容探討 Eu 摻雜對於晶體成長及晶相生

成之影響並討論 Eu3+ 為發光中心引起之特殊發光特性及機制且

Eu3+之摻雜對於 TiO2 吸收光譜及電子組態之影響也將於文中驗證

由於染料 Black dye 於紅光之特殊吸光特性本研究將 TiO2 Eu3+ 應

用於工作電池以增加染料對於太陽光之利用且利用TiO2 Eu3+之特

殊能階性質設計雙層工作電極結構電池以增加光電流及電壓進而

提高電池效率並以硒化鎘 (CdSe) 量子點取代染料 Black dye作為

敏化物觀察其光電特性於本研究中針對 TiO2 Eu3+ 將進行材料結

構鑑定及光譜特性分析並針對敏化太陽能電池測量其光電特性及理

論參數精算

謝誌

在上帝所應許的這短暫兩年碩士生活即將告一段落我要感謝胡

淑芬 教授及劉如熹 教授的諄諄教誨使我於碩士研究生涯中同時

可以獲得物理及化學之智識並運用於研究中且提供充分之研究資

源謹此致以衷心之敬意謝忱並感謝口試委員黃昭淵 教授與李冠

緯 博士對於論文精闢之指正與給予寶貴之意見使本論文得以更臻

完善

並誠摯感謝景弘學長平日於各方面的指導與幫忙浩銘與慧通學

長於實驗上之建議群哲學長於螢光粉的特性分析上之意見智文學

長於掃描式電子顯微鏡量測之協助亦感謝實驗室所有同仁在研究上

的協助與生活上的鼓舞使我的碩士生活能夠更加充實與亮麗

感謝我的家人因為你們的付出與支持使我在精神與物質上

皆不予匱乏且能在研究領域中專心一致無後顧之憂地順利畢業

並深深地感謝我的女友怡倩對我的關懷與包容家人的鼓勵及照顧

伴隨著我完成碩士學位謹將此論文獻給我最愛的家人師長工作

夥伴與朋友

『耶和華是我的牧者我必不至缺乏祂使我躺臥在青草地上

領我在可安歇的水邊祂使我的靈魂甦醒自己的名引導我走義路

我雖然行過死蔭的幽谷也不怕遭害因為你與我同在你的杖你

的竿都安慰我在我敵人面前你為我擺設筵席你用油膏了我的

頭使我的福杯滿溢我一生一世必有恩惠慈愛隨著我我且要住在

耶和華的殿中直到永遠』(詩篇 23 篇)

總目錄

總目錄I

圖目錄V

表目錄X

第一章 緒論 1

11 前言1

12 太陽能電池簡介 2

13 染料敏化太陽能電池 6

131 工作原理 6

132 染料敏化太陽能電池各部分介紹 8

1321 奈米結晶多孔膜電極 (nanocrystalline porous electrode) 8

1322 染料(dye)11

1323 電解液(electrolyte)14

1324 相對電極(counter electrode) 16

133 染料敏化太陽能電池之文獻回顧與發展現況 16

14 二氧化鈦摻雜元素材料之研究 18

141 TiO2Eu粉體發光特性說明 20

1411 主體晶格(Host) 20

1412 活化劑(Activator)22

15 研究動機與目的 23

第二章 實驗步驟與儀器分析方法 25

21 化學藥品25

I

22 合成方法26

221 溶膠凝膠法 (Micelle and sol - gel)26

222 水熱法 (Hydrothermal) 27

23 實驗流程28

231 TPT[鈦酸四丁酯Ti(OC4H9)4 Tetrabutyl titanate]系列 28

232 P25(Degussa P25 TiO2)系列 29

24 樣品鑑定分析 30

241 粉末X-光繞射儀(X-ray diffraction XRD)31

2411 X-光繞射工作原理 31

2412 XRD實驗儀器 34

2413 結構精算 35

242 掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope SEM)38

243 穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron MicroscopyTEM)39

244 比表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

ASAP) 40

245 光激發光譜儀(Photoluminescence PL)42

246 拉曼散射光譜儀 (Micro Raman Scattering Spectrometer)45

247 紫外可見光擴散式反射光譜(UV-Vis diffuse reflectance spectra

UV-Vis DRS) 46

2471 固態粉體之吸收光譜 46

248 X射線光電子能譜儀( X-ray Photoelectron SpectroscopyXPS )

48

249 X光吸收光譜 (X-ray Absorption Spectroscopy XAS)49

2491 X光吸收近吸收邊緣結構 (X-ray Absorption Near-Edge

StructureXANES) 50

25 染料敏化太陽能電池之組裝與特性分析 51

II

251 工作電極漿料配製 51

252 導電玻璃清洗 51

253 電池組裝與特性測試 51

254 染料敏化太陽能電池性能測試 54

2541 電流電壓效率曲線(I-V curve)量測 54

2542 入射單色光之光電轉換效率量測(incident photon to current

convers-ion efficiencyIPCE) 56

2543 電化學阻抗分析(Electrochemical impedance spectroscopy EIS)

57

26 量子點敏化太陽能電池之組裝 62

261 硒化鎘 (CdSe) 量子點之製備 62

262 硒化鎘 (CdSe) 量子點之改質 (Ligand exchange)64

263 量子點敏化電池之組裝 66

第三章 結果與討論 67

31 TiO2Eu3+ 材料結構鑑定分析68

311 晶體結構分析 68

3111 TiO2Eu3+ (TBT系列) XRD分析 70

3112 TiO2Eu3+ (P25 系列) 74

312 晶體表面形貌分析 79

3121 SEM 與TEM粉體形貌分析79

3122 氮氣等溫吸附與脫附分析(Brunauer -Emmett-TellerBET) 83

31221 TBT系列粉體BET分析 83

31222 P25 系列粉體BET分析86

32 TiO2Eu3+ 粉體光譜特性分析88

3211 光激發光譜分析(PL) 88

3212 臨界距離與能量轉移機制 94

III

322 拉曼散射光譜分析 (Raman scattering spectrum) 96

3221 TBT系列粉體拉曼散射光譜分析96

3222 P25 系列樣品拉曼散射光譜分析 98

323 紫外-可見光擴散式反射光譜分析(UV-Vis DRS) 100

3231 TBT系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析 100

3232 P25 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析104

324 X射線光電子能譜儀(XPS) 106

325 X-光吸收光譜(XAS)113

33 Ti1-xO2Eux3+粉體於染料敏化太陽能電池之應用研究117

331 單層工作電極電池效率量測 117

332 雙層工作電極結構 121

3321 雙層工作電極結構電池製作說明 122

3322 電池效率量測 123

3322 雙層工作電極結構電池入射單色光子-電子轉化效率(IPCE)量

測128

圖 352 Eu003-TBT0-TBT電池吸附與未吸附染料工作電極之激發

與放射光譜130

3323 雙層工作電極結構電池電化學阻抗(EIS)量測 130

333 CdSe敏化雙層工作電極結構電池光電特性分析 134

第四章 結論 136

參考文獻 138

IV

圖目錄

圖 11a 各類型太陽能電池效率之發展情形helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip5

圖 11b 各式種類太陽能電池效率演進圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip5

圖 12 染料敏化太陽能電池結構示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip7

圖 13 染料敏化太陽能電池各反應動力學比較示意圖helliphelliphellip8

圖 14 N3 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip13

圖 15 N719 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip13

圖 16 Black dye 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip14

圖 17 Black dye 染料與 N719 染料吸收光譜比較圖helliphelliphellip14

圖 18 DSSC 研究發展時程回顧helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip18

圖 19 主體晶格之陽離子分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip21

圖 110 主體晶格中不具光學活性陰離子團分布圖helliphelliphelliphellip21

圖 111 格中具光學活性陰離子團分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip22

圖 112 活化劑之陽離子團分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip22

圖 21 以溶膠-凝膠法與水熱法合成 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux實驗

流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip29

圖 22 以水熱法合成 P25 系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖helliphellip30

圖 231 (a)銅靶之 X 光光譜 (b)封閉式 X 光射線管helliphelliphelliphellip32

圖 232 X 光原理示意圖Cu 1s 電子游離後形成之電洞由 2p 電

子填入並伴隨 X 光釋出helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip33

圖 234 X 光繞射之示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip34

圖 24 X-光粉末繞射儀(PANalytical XrsquoPert PRO XRD) helliphellip35

圖 25 晶體繞射結構解析之一般流程helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip37

圖 26 掃描式電子顯微鏡(NDL)HITACHI S-4000helliphelliphelliphellip38

V

圖 27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip39

圖 28 TEM電子腔內部結構示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip40

圖 291 IUPAC制定之物理等溫吸附-脫附分類圖helliphelliphelliphelliphellip41

圖 292 IUPAC制定之遲滯迴圈型態示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip42

圖 210 螢光體光譜量測過程helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip43

圖 211 光激發光光譜儀構造helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip44

圖 212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀helliphelliphelliphelliphellip45

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip46

圖 216 Hitachi-U3410 紫外-可見光光譜儀helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip48

圖 217 Ti K-edge之XANES示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip50

圖 218 網印機塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip52

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖helliphelliphelliphelliphellip53

圖 220 電池光電轉換效率值檢測系統helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip55

圖 221 太陽能電池 I-V 特性曲線示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip55

圖 222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖helliphelliphelliphelliphellip57

圖 223 Z Z Z θ 之間之關係圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip58

圖 224 典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖helliphelliphellip59

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip60

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析helliphellip60

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip63

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip65

圖 31 TiO2 銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip69

圖 32 TiO2 金紅石(Rutile)相晶體結構圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip69

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜helliphelliphellip70

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖helliphelliphellip71

VI

圖 35 TBT系列Ti097O2Eu0033+粉體X光繞射結構精算圖helliphellip73

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜helliphelliphelliphelliphellip75

圖37 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布helliphelliphelliphelliphelliphellip75

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖helliphelliphellip77

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 003helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 80

圖 392 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)

為 x = 15helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip81

圖 310 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ TEM 圖放大倍率皆為 200kx(a)

x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f)

x = 004 helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip82

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖85

圖 312 TBT系列樣品不同Eu摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip86

圖 313 (a)~(c) P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之BET圖87

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip88

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖helliphelliphelliphellip90

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖helliphellip91

圖 317 P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL光譜圖helliphelliphellip91

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip92

圖 319 TBT系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE光譜圖helliphellip93

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖helliphellip93

圖 321 Ti1-xO2 Eux3+之 log(xEu

3+)對 log(IxEu3+)關係圖helliphelliphelliphellip95

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖hellip97

圖323 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖helliphellip99

圖 324 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS光譜helliphellip101

VII

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip103

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip104

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜helliphelliphellip105

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖105

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖106

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphellip108

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip108

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip110

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖338兩系列樣品未摻雜及摻雜Eu3+粉體能隙位階圖helliphelliphellip112

圖 339 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜helliphelliphelliphellip114

圖 340 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip115

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜helliphelliphelliphellip115

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip116

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip119

圖344 P25系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphellip121

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip122

VIII

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

圖348 P25系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖helliphellip127

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變

化helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip127

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作電極之激

發與放射光譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 130

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖

譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip135

IX

X

表目錄

表 11 各類型太陽能電池之比較helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip4

表 2-1 本研究所使用之藥品清單helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip25

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip33

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數hellip73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參

數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip74

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數helliphelliphellip78

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果helliphelliphellip78

表 34 TBT系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip119

表 35 P25系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

表36 TBT系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

表 37 P25系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數

分析helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip135

第一章 緒論

11 前言

聖經舊約創世紀記載著上帝說要有光即有光時至今日太

陽光為地球上最重要且最為豐富之可再生能源亦為人類唯一用之不

盡取之不竭之能量來源每年於地球上之光照能量可達到全球人類

年消耗量之數千萬倍以上由於各類天然能源快速耗竭故有效利用

太陽能轉換成所需之能源成為ㄧ門極為重要之課題各種再生能源中

涵蓋太陽能水力發電風力發電燃料電池以及鋰離子電池等

僅太陽能電池為一種將太陽光直接轉換為電能之光電元件早於1954

年時美國 Bell 實驗室首先提出以矽半導體作為太陽能電池之材

料此一領域於眾多研究學者與工程人員之努力下迄今相關之理論

與技術均已相當成熟且真正地商品化雖然無機半導體-矽太陽能電

池發展至今製程已漸趨穩定但由於對於原料之純度高度要求因此

製備成本難再大幅降低因此各研究單位莫不積極找尋另一低成本

製程簡易之替代材料此為目前使太陽能電池應用普及之發展重點

相較於傳統矽晶材料無機奈米材料具低密度質量輕成本低廉且

可使用一般傳統且發展完備之塗佈方式例如旋轉塗佈 (spin

coating)刮刀塗佈(doctor-blade coating)網版印刷(screen printing)

或近來發展之噴墨印刷 (ink-jet printing)等不需高價位設備之方法來

製備光伏元件 (photovoltaic device)因此不但可簡易地製備不同大

小之元件 並且可大幅提升進一步顯著降低元件成本之機會同時

無機奈米材料可透過分子結構設計例如摻雜金屬離子或是改變其形

貌藉以調整其能階與能隙大小電荷轉移能力電荷傳導速度溶

解度成膜之結晶型態等重要材料特徵另外所吸附之有機分子通

常具高光吸收係數與良好之延展性因而可藉以製備輕薄且可撓曲之

1

攜帶式電池元件(1)色素增感 (dye-sensitization) 之概念源起於19世

紀攝影技術使用色素增感鹵化銀(silver halide)可產生黑與白之感光

膜(photographic films)此被視為關於色素增感半導體之第一個重大

研究(2)然而最早之光電化學使用之平滑電極只有於膜表面吸附之

單層色素才能有效的將電子注入半導體內但此單層色素內光線之吸

收效率極低於多孔性之 TiO2 奈米薄膜內其有效表面積能增加至

1000倍因此要使光線吸收效率增加必須使每一個 TiO2 粒子表面

皆吸附單層色素(3)直到1991年瑞士科學家Graumltzel利用奈米技術改良

工作電極進而開發出高效率(71~79 )太陽能電池稱為染料敏化太

陽能電池 (dye - sensitized solar cellsDSSC) (4)其成果引起全球能

源界之關注以及熱烈投入發展近年來染料敏化太陽能電池澎勃發

展最大原因仍在於簡單製程無須投入昂貴設備無塵室廠房等

設備而二氧化鈦電解質等材料價格便宜亦為關鍵要素此外

DSSC 可使用具可撓曲性基材應用端因此大幅擴張相較於目

前主流矽晶太陽能電池只適用於大型戶外屋頂等少數應用場

合其具較大之應用空間

12 太陽能電池簡介

太陽能電池依照所使用之材料以及製程之不同可分為矽基

型化合物半導體型與有機半導體型三類

ㄧ矽基型太陽能電池(5 - 7)

根據結晶形態矽基型太陽能電池可分為單晶矽(monocrystalline

silicon)多晶矽(polycrystalline silicon)與非晶矽(amorphous silicon)三

類單晶矽之組成原子均按照一定規則週期性排列以單晶矽製

備之太陽能電池轉換效率最高約為24 使用壽命年限亦較長

2

但通常所使用之矽半導體基材純度極高相對地製造成本亦最多

多晶矽是以熔融態之矽鑄造固化而成其矽原子堆積方式不只一

種而是由多種不同排列方向之單晶所組成多晶矽太陽能電池由

於製程簡單故成本較低轉換效率約18-20 非晶矽對光之吸收性

比矽強約500倍只需薄薄一層即可將光子之能量有效地 吸

收其轉換效率雖僅 13-14 然而因為非晶矽不需使用昂貴之

結晶矽基板而用較便宜之玻璃陶瓷或是金屬等基板如此不僅

可以節省大量之材料成本亦提高製作大面積之太陽電池之可能性

(結晶矽太陽電池之面積受限於矽晶圓之尺寸)製造成本為三者間

最低為其最大之優勢故未來亦具發展潛力世界上已有多家公司生

產該種電池之產品例如美國 uni-solarsolarex日本三洋電機

夏普大陸深圳拓日與德國 Schott Solar非晶矽薄膜太陽電池之主

要優點是成本低製備容易但亦存在嚴重缺點即性能不穩定其

光電轉換效率隨光照時間延續而衰減另外非晶矽薄膜太陽電池之效

率亦較低(95 )為提升非晶矽電池效率大多數廠商採用雙層p-i-n

結構(一層非晶矽能階約17 eV與一層微晶矽能階約14 eV堆疊而成)

串接使電池可以吸收各種不同波長之光源達到對太陽光最大利用

進而提升整個之轉換效率

二化合物半導體型薄膜太陽能電池(5 8)

化合物半導體型薄膜太陽能電池則可分為下列幾類Ⅲ-Ⅴ族

[包括砷化鎵 (GaAs) 磷化銦 (InP)磷化鎵銦 (InGaP) ]Ⅱ-Ⅵ

族[包括碲化鎘 (CdTe)硒化銦銅 (CuInSe)]等化合物半導體為直

接能隙材料其能隙於11及16 eV之間與太陽光譜匹配度較佳此

些材料所製作之太陽電池亦都有很高之效率尤其多接面串疊型

(InGaPGaAsInGaAs multijunction tandem cell)之太陽能電池效率甚

3

至可以接近40 然而製作過程中需於真空及高溫下操作使得造價

昂貴且並未大量生產故目前商業市場上仍以矽基型太陽能電池為

三有機半導體型

有機半導體型太陽能電池具成本低廉製程簡易可應用於大

面積化以及具可撓曲性等優點故近年來度受到各界矚目本論文

中所研究之染料敏化太陽能電池(5 9)即為其中之一 然而此系列之

太陽能電池至今尚未量產之主因是在於其轉換效率低高溫穩定性

不佳及大尺寸太陽能板開發等問題因此提高轉換效率與穩定性

則成為目前研究之首要目標

表 11 各類型太陽能電池之比較(5)

4

圖 11a 各類型太陽能電池效率之發展情形(8)

圖 11b 各式種類太陽能電池效率演進圖(16)

5

13 染料敏化太陽能電池

131 工作原理

染料敏化太陽能電池之組成以及此類電池之工作原理與相對能

階位置圖如圖12 所示塗有多孔性奈米結晶性二氧化鈦(porous

nanocrystalline TiO2)之透明導電玻璃(陽極)染料分子吸附於TiO2

上含有Iminus I3minus之氧化還原對(reduction-oxidation couple)電解質塗有

鉑(Pt)觸媒層之相對電極(陰極)所組成於外接負載情況下整個電

池形成連通迴路而產生電流與電壓當太陽光照射至染料而產生激發

電子由於染料分子LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)能階

較 TiO2 導帶高(Ecconduction band)染料激發態電子迅速注入TiO2

導帶中而形成染料陽離子其中 TiO2 不單作為染料支持劑且為電

子之受體與導體雖然少部分電子會經由再結合(recombination)過程

而消失但大部分電子經由導電玻璃而傳導至外電路氧化態之染料

從電解質獲得電子而還原輸出之光電壓為照光下半導體之費米能階

(Fermi level)與電解質氧化還原可逆電對 (redox couple)之Nernst

potential差( )電解液經由相對電極上傳來之電子而被還原(10)如

此整個電路各部分皆得以再生無淨反應生成其持續之光電流由

此產生整個反應表示如下(11)

陽極 S(基態) + 能量( hυ ) rarr S(激發態)helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip照光激發

S rarr S+ + e- (CB)helliphellip染料激發態電子進入TiO2導帶

2S+ + 3 Iminus (電解質) rarr 2S + I3minushelliphelliphellipS再生Iminus消耗

陰極 I3minus+ 2e- rarr 3 IminushelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellipIminus再生

副反應 2e-(CB) + I3minusrarr3 IminushelliphellipTiO2 導帶上之電子與I3

minus結合

其中S為染料基態(ground state)S為染料激發態(excited state)S+

為氧化態染料離子(oxidized state)

6

圖 12 染料敏化太陽能電池結構示意圖(12)

圖13 為染料敏化太陽能電池各層間反應時間示意圖當染料經

照光後激發態電子注入 TiO2 導帶於 pico-second 範圍而結合過

程則約發生於 micro-second 之時間因此前者電子傳遞速率約為後

者之103倍甚至可達106倍故形成光誘導電荷分離之動力學基礎可

見光誘導分離非常有效造成淨電子流出此外電子之生命週期(life

time)與擴散係數(diffusion coefficient)決定電子之擴散長度(diffusion

length)電子於多孔膜中傳遞並不如在單晶中快故必須盡可能減少

電子行走路徑與穿越晶體界面數因此存在有一最佳膜厚對應最

大光電流值最後染料之還原反應發生於 nano-second 範圍

速率快於結合過程而能迅速消除電洞符合目前太陽能電池所要求之

7

條件形成此種快速轉移之機制乃因分子軌域之電子波函數與TiO2

導電帶之電子波函數造成耦合現象詳細之傳遞過程可以由量子力學

方法計算

圖 13 染料敏化太陽能電池各反應動力學比較示意(12)

132 染料敏化太陽能電池各部分介紹

1321 奈米結晶多孔膜電極 (nanocrystalline porous electrode)

奈米半導體光陽極材料(如TiO2)具重要地位其結構與性能直接

影響與光敏染料分子之匹配及接受染料分子注入電子之效率與光電

池之開路電壓一般染料敏化太陽電池對半導體光電極有如下要求

具比較大之比表面積以吸附更多染料分子適當導電帶能階以使與染

料激發態相匹配提高激發態染料朝向半導體電極注入電子之效率

較高之費米能階以提高電池之開路電壓較小之電阻率促使電池之內

阻減小由於 TiO2 具安定無毒穩定性高且便宜等優點故最為

被廣泛研究其他材料如 ZnO (1314) Nb2O5(1516)SnO2

(1718)In2O3(19)

8

以及二元材料Zn2SnO4(20)等都曾被研究然而電子注入效率之高低仍

須考慮染料分子與半導體結晶結構之特定方向鍵結 各研究致力於發

展相搭配之染料目前仍是以 TiO2 為主流材料天然之二氧化鈦

有三種結晶型態即銳鈦礦型(Anatase)金紅石型 (Rutile)與板鈦

礦型(Brookite)主要是由於鈦原子與氧原子排列不同而形成相異結晶

構造於此三種結晶型態中銳鈦礦型與金紅石型皆具光催化能力

銳鈦礦型與金紅石型二氧化鈦之共價帶電位很高經光照射後所生成

之電洞具極強之氧化能力 再者銳鈦礦型之傳導帶電位比金紅石型

高造成銳鈦礦型之能隙大於金紅石型(銳鈦礦型約為33 eV金紅石

型約為31 eV)受光激發至傳導帶之電子較不易回復至價帶因此

其電子具較強還原能力綜合上述可知銳鈦礦型二氧化鈦具較高催

化活性之因

染料敏化太陽能電池之一項重要關鍵技術即是引入高粗糙因

子 (roughness factor)之多孔性海棉狀(sponge-like)半導體電極結構

其目的除使染料大量吸附外並且提供適當孔洞大小供電解質擴

散薄膜電極材料之製作一般可區分為下列兩種略述如下

方法一(21 22)

瑞士教授 Graumltzel 之研究群乃利用溶膠-凝膠(sol-gel)之方法獲

得具結晶性與高比表面積之奈米顆粒依此法所得之顆粒最終型態是

受到環境之合成條件影響例如水解與聚合之酸鹼度溫度前驅物之

化學性質溶劑觸媒濃度等均扮演著重要角色以下粗略描述製作

步驟及其對應之環境與影響

I 水解 (Hydrolysis)此步驟牽涉 Ti(IV)鹽類之水解控制前驅物之

選擇可以為四異丙氧基鈦 (titanium isopropoxide) 或四氯化鈦

( TiCl4)並於 01 M HNO3 之酸性環境下進行水解使所得之膠體

9

粒子能均勻分散並且穩定懸浮於液體中實驗證明於相當高之水與

鈦比例下不論是逐滴加入(dropwise)抑或是全加(one shot)皆不

影響最後產物型態(22)

II 膠溶作用(Peptization)此步驟於 70-100oC 下持溫數小時除使

膠體粒子相互連結形成高交集度粒狀結構凝膠外同時亦因能量之提

供而破壞凝團聚集(deagglomeration) 之情形(22)結晶化亦於此時發

生顆粒亦同時微幅成長

III水熱成長(Hydrothermal growth) 此步驟之目的乃於高溫之環境

下藉由奧斯瓦特熟成過程 (Ostwald ripening) 將小顆粒溶解並進一

步成長為較大之結晶顆 粒溫度改變不僅影響最終之顆粒大小

同時亦將影響最終多孔膜之平均孔徑此外Rutile結晶相亦會於較高

溫時形成文獻(23)指出Anatase相顯示較佳之電子傳輸速率與生命週

期一般是以Anatase相為主而Rutile相之反射係數顆粒均比Anatase

相大導致生成之薄膜不具透明性但可使入射光能於多孔膜內多次

反射而被有效利用因此亦有相關研究作為太陽能電池電極為10 μm

厚並有部分Rutile相之 TiO2 多孔膜為主(21)

方法二(24 25)

利用商業化二氧化鈦粉末 (Degussa P-25為 70 銳鈦礦

(anatase)30 金紅石(rutile)之混合物粒徑約24 nm比表面積約

50 m2g)加入乙醯丙酮(acetyl acetone)或 HNO3 用以預防粒子聚

集以及添加介面活性劑用以降低表面張力以利塗佈

最後將上述方法所製得之二氧化鈦粉末與凝聚劑(binder)充分

混合利用刮刀成膜(doctor blade)之方式將上述膠態溶液塗佈於導

電玻璃上經 450oC 煆燒30分鐘後使顆粒彼此間經燒結聚同時與

導電玻璃間形成良好之電接觸(electronic contact)凝聚劑於此步驟

10

中被燒掉而遺留下孔洞完成粗糙因子約為1000之多孔膜(roughness

factor = 總表面積投影表面積) (24)值得注意之為不同煆燒溫度與

時間亦將影響最終孔徑分布進而影響電解質擴散與電池之效率表

現此外亦有利用網板印刷(screen printing)熱分解噴鍍技術(spray

pyrolysis deposition)等應用於大量生產之方式溶液之配方需做進一

步調整才能適用

1322 染料(dye)

染料為染料敏化太陽能電池中之重要組成部分在近 20 年之研

究中已嘗試合成 900 多種之染料並應用於染料敏化太陽能電池

但其中只有一小部分具良好之光敏化性能其中主要是釕(Ru)之多

吡啶錯合物而染料性能之優劣將直接影響到染料敏化太陽能電池

之光電轉換效率前述提到要藉由光激發二氧化鈦而產生反應須要

低於 388nm 之紫外光但紫外光所佔太陽光能中只有 5 是故必

須利用太陽光能占最高比例之可見光而染料能夠幫助二氧化鈦之吸

收波長提高至可見光區因此染料能藉由可見光之激發驅使電子躍遷

至二氧化鈦半導體電極並接受來自電解質之電子還原而一般染料

必須符合以下幾點條件(26)

(1) 緊密吸附於二氧化鈦表面亦即為能夠快速達到吸附平衡且不

易脫落故染料分子母體中一般應該要含有易與奈米半導體表面結

合之基團如-COOH-SO3H-PO3H2如染料上之-COOH 官能基

會與二氧化鈦膜上之-OH 官能基形成成酯類而增強二氧化鈦導帶

3d 軌域與色素染料 π軌帶電子之耦合使電子轉移更為容易

(2) 對可見光具很好之吸收特性即是能吸收大部分之入射光

(3) 其氧化鈦(S+)與激發態(S)要具較高之穩定性與活性

11

(4) 激發態壽命足夠長並具很高之電荷(電子電洞)傳輸效率

(5) 具足夠之激發態氧化還原電位以保證染料激發態電子注入二

氧化鈦導帶

(6)氧化還原過程(包括基態與激發態)中要有相對較低之位勢使

初級與次級電子轉移過程中之自由能損失最小

以釕之多吡啶錯合物為主之染料敏化劑為藉由吸附於二氧化鈦

表面其提供主要光子吸收與隨後發生電子注入之步驟典型釕之多

吡啶錯合物化學結構最早是由 Graumltzel 團隊所發現此類型染料因其

具較強之可見光吸收能力良好光電化學性質激發態穩定性高及與

二氧化鈦表面具強之連結作用力且可接受約 5x107 次氧化還原反

應因此成為廣泛使用之染料敏化劑如圖 14~16 之結構(27)N719

光敏染料於 535nm395nm 有最大吸收峰N3 dye其吸收光之

範圍可達可見光區從 400 nm~800 nm全質子化 N3 dye 於 538

nm398 nm 有最大吸收峰(28)Black Dye為目前最具效能之染料

其吸收光範圍涵蓋可見光且可達近紅外光區(900nm)單一質子化

Black Dye 於 610 nm413 nm 有最大吸收峰於拉曼振動光譜研究

中亦指出單一質子化 Black Dye 與二氧化鈦之表面鍵結與 N3 Dye

相同是由螯狀雙牙配位 (Chelate Bidentate)或架橋配位 (Bridging

Bidentate)型式與二氧化鈦配位鍵結其差別在於 Black Dye 乃以

COOmacr與 TBA+與二氧化鈦產生配位鍵結(29)然而以上此些染料可於

可見光與近紅外光區具吸收主要可歸因於金屬-官能基電荷傳遞

(Metal-to-Ligand Charge TransferMLCT)之性質由金屬(Ru)之電子

傳遞至位於外圍之羧基化吡啶配位鍵之 π 反鍵結軌域之後在少於

100 fs 時間內將電子傳入二氧化鈦之導帶(30-34)因此理論上光子轉換

為電子之比例可達至 100本研究所使用之染料 N719 與 black dye

12

之吸收光譜比較圖如圖 17 所示

圖 14 N3 染料之化學結構式(27)

圖 15 N719 染料之化學結構式(30)

13

圖 16 Black dye 染料之化學結構式(29)

圖 17 Black dye 染料與 N719 染料吸收光譜比較圖(31)

1323 電解液(electrolyte)

目前 DSSC 依其結構與研究使用目的不同亦搭配相異種類之

電解質液態電解質溶膠-凝膠(準固態)電解質與固態電解質本研

14

究所使用之液體電解質由於其擴散速率快光電轉換率高及組成成分

易於設計調整且對於奈米多孔膜滲透性佳故一直廣泛研究但

存在著許多問題(1) 傳統碘離子 (IminusI3minus) 電解質溶液之有機溶劑多

半有毒性其滲漏與揮發問題需解決(2) 實際於長期日照下應用之

發電穩定性與熱穩定性有待加強(3) 嚴密封裝需求將提昇製程成

本(4) 柔軟材質上應用困難(5) 有機溶劑對染料吸附之不利影響

以上問題於應用上均造成某種程度阻礙一般電解質都須具高極性有

機溶劑作搭配於液態電解質濕式元件中會選擇如乙烯碳酸鹽

(ethylenecarbonate)乙腈(acetonitrile)丙烯碳(propylenecarbonate)

之混合溶劑而電解質之選擇有I2LiIKITerapropylammonium

iodideTertabutylammoniumiodide 等Graumltzel 等人(32)以black dye為

染料06 M dimethylpropylimidazolium01 M I201 M LiI 與05 M

4-tert-butylpyridine 為電解質 (溶劑為methoxyacetonitrile)於 100

mWcm2強光下光電轉換效率為104 碘化物中陽離子常用的為

咪唑銨(imidazolium) 類陽離子或鋰離子(Li+)Imidazolium 類陽離子

可以吸附於奈米 TiO2 表面阻絕了 I3minus 與 TiO2 表面之接觸因此

抑制導帶電子與 I3minus 於 TiO2 表面結合使電池輸出功率與光電轉換

效率得以明顯提升由於 imidazolium 陽離子之體積大於鹼金屬離子

體積只要增大碘鹽中陽離子體積即易導致陽離子對 Iminus 束縛力減

弱一方面可以提高碘鹽於有機溶劑之溶解度進而提高 Iminus 濃度

另一方面亦因陽離子對 Iminus 之束縛力減弱Iminus 還原活性及於有機溶劑

之遷移率亦增強上述兩者均有利提高氧化態染料再生為基態染料之

速率(33)當電解質溶液中加入小體積 Li+ 時若 Li+ 濃度很小此

時 Li+ 主要是吸附於 TiO2 表面上若 Li+ 濃度增大則 Li+ 於

TiO2 表面吸附與嵌入 TiO2 膜內兩種情況共存此種情況之 Li+ 可

15

與傳導帶電子形成電子對 Li+- e-由於 Li+- e- 電子對既可於 TiO2

表面遷移亦有可能脫離 TiO2 表面遷移此將明顯減小導帶電子於

相鄰或不相鄰鈦原子之間之傳輸阻力及距離可知於電解質中加入

Li+可大幅改善電子於 TiO2 之間之傳輸進而提高染料敏化太陽

能電池之光電流(33)

1324 相對電極(counter electrode)

相對電極於染料敏化太陽能電池中扮演快速還原I3-之角色有效

觸媒催化劑極具必要性目前白金(Pt)觸媒最為被廣泛利用但其對

於光電效率表現程度(動力學常數化學穩定度附著穩定度)深受製

作方法所影響如電化學法 (electrochemically) 與蒸鍍法 (vapor

deposited)上述兩製作方法由於穩定度不佳與還原能力不好而不適

用濺鍍法(sputtering)目前最為被廣泛利用(此亦為本研究白金電極之

製作方法)其穩定性佳製作程序簡便卻須消耗較多白金而不適用

於大量生產Papageorgiou等人則發展出熱沉積(thermal decomposition)

法(34)此方法不僅大量減少白金使用量於動力學參數化學穩定性

機械強度及透明性上皆有其優異之處只是做法上較為麻煩此外

Kay與Graumltzel亦發展利用多孔性碳(porous carbon)做為觸媒層(35)此觸

媒層為碳黑(carbonblack)石墨奈米結晶性 TiO2 粉末混合物碳

黑可連接分離之石墨片進而提高導電度TiO2 則作為黏著劑(binder)

用此項技術之最大優點在於成本花費降低然而目前效能仍較白金

觸媒差

133 染料敏化太陽能電池之文獻回顧與發展現況

於1978 年美國專利發表第一個最先使用染料敏化 TiO2 來轉換

太陽光能之元件(36)TiO2 為寬能隙 n 型半導體對空氣及水有穩定

16

之抗氧化能力(4)然而電極為寬能隙半導體係為延伸於太陽光中可見

光區域之光譜應答但仍必須與染料高濃度掺雜此專利染料使用為

N-methylp- henaziniumion此使 TiO2 光譜響應延伸至500 nm然而

此專利中所組裝之元件轉換效率相當低且穩定性亦有待商榷直到

1991年瑞士洛桑高等工業學校(Ecole Polytechnique Federale de

LausanneEPFL)之 Graumltzel 與 OrsquoRegan 發展染料敏化奈米薄膜太

陽電池取得重大之突破(43738)電極為奈米多孔TiO2使用更穩定更

有效率之過渡金屬 Ru 等有機化合物染料其光電轉換效率可達 71

而於 1997年其轉換效率達至10 ~ 11 (39)澳大利亞國際永續技

術公司(Scientific and Technical InformationSTI)徳國 INAP (Institut

fuer Angewandte Photovoltaik Solarpunkt ) 研究所荷蘭國家能源研究

所(Energieonderzoek Centrum NederlandECN)日本日立公司日

本富士公司瑞典 Uppsala 大學瑞士 Leclanche SASolaronix

等公司均於產業化研究中已取得較大之發展 過去10年中全世界各

主要實驗室與公司於不同面積太陽電池上取得不同光電轉換效率其

中瑞士 EPFL 與日本夏普公司於小面積(面積小於1 cm2)電池上獲得

超過 11 之光電轉換效率(40-43)ECN 於條狀電池(1~5 cm2)上達82

(有效面積236 cm2) 之光電轉換效率瑞士EPFL(44)日本Sharp公

司Arakawa等(45)於條狀電池(1~5 cm2 ) 上取得與小電池(面積小於1

cm2)相當之轉換效率101 (131 cm2)104 (1004 cm2 ) 與99

歐盟 ECN 研究所取得面積大於1cm2電池效率最高紀錄 (815 (25

cm2)58 (100 cm2) 平均45 ) (46)由於DSSC電池之特殊性大

面積電池之研製與產業化一直是該電池研究難點目前澳大利亞

STI 公司建立世界第一個亦為迄今獨一無二面積 200 m2 之染料敏

化奈米薄膜太陽電池平面屋頂亦顯現出未來工業化之前景該結果

17

使人們對產業化染料太陽能電池之性能極具信心 2002 年美國

Konarka 公司亦投入 1350 萬美元對以透明導電高分子等軟性薄膜

為導電極之染料敏化奈米薄膜太陽能電池進行產業化與實用化研

究該研究是基於美國軍隊對軟性與移動性較好能源轉換之應用要

求故得到美國軍方大力支持因此於能源危機之促使下全球研

究單位莫不藉由改善DSSC各部分之特性以提高效率或設計其結構

以增其實用性

圖 18 DSSC 研究發展時程回顧(4 22 24 40 47-57)

14 二氧化鈦摻雜元素材料之研究

TiO2 之晶體中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性

質之改變易有助於光催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕

18

捉電子或電洞之缺陷有助於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素

與 TiO2 共結晶添加之過渡金屬亦將於光觸媒之傳導帶與價帶之間

形成新獨立能階因此可以較低之能量使電子激發進而擴大激發光

源之使用增益對光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化

效果通常摻雜元素之量(濃度)低時較有利光觸媒活性太高會大幅

改變 TiO2 原有特性每種元素之摻雜有其特定最佳化條件

Vamathevan 等人(58)配製含 Fe3+ 或 Ag+ 之摻雜改質二氧化鈦

以蔗糖之光氧化分解成二氧化碳以進行光觸媒催化活性評估結果顯

示添加之銀離子與鐵離子皆有一最適劑量分別為銀(20 atom )

與鐵(10 atom )於最佳金屬添加量比例之外銀改質型觸媒之

催化活性會略為降低故近年來研究發現 Fe3+ 為有效之摻雜離子

(5960)Li等人(61)利用有機金屬化學氣相沈積法(metal organic chemical

vapor deposition MOCVD ) 以 四 異 丙 氧 基 鈦 (Titanium

tetraisopropoxide TTIP)和 (CH3COCHCOCH3)3NdxH2O作為前驅

物以製備摻雜 Nd3+ 之改質二氧化鈦結果顯示隨著Nd3+摻雜量

之增加改質後之二氧化鈦觸媒於可見光波長範圍之吸收能力亦隨之

增加

除此之外其他如 Mo5+Ru3+Os3+Re3+Cr3+V4+與Rh3+

以及非金屬元素N (62)之摻雜等此方面研究近年來引起相當多投入

關於稀土離子摻雜進入一般陶瓷材料之研究已進行幾十年然而近幾

年始開始出現對於稀土原子摻雜進入半導體材料之研究將Tb3+摻雜

入TiO2 粉末或是薄膜中確實可以發出綠光(6364) TiO2中分別摻雜

Eu3+Tb3+Sm3+可以明顯觀察不論摻雜之稀土元素種類改變其

相皆與純之TiO2相符合證明摻雜稀土元素進入TiO2並不會改變其原

有之結構也因而不會因此改變TiO2原有之結構特性但卻可以影響

19

其電子組態與能階分布進而改變其光電特性目前故有稀土原子摻

雜進入半導體材料之研究皆只探討其發光機制與少許光觸媒特性分

析對於直接於太陽能電池電極之應用仍極為少數

141 TiO2Eu 粉體發光特性說明(65)

針對本實驗合成之工作電極材料雖發光強度無法與商用紅色螢

光粉比擬但仍為一無機螢光體主要由主體晶格(host lattice簡稱

H)與活化劑(activator簡稱 A)兩者所構成之其化學式一般以 HA

表示活化劑因可能取代主體晶格中特定離子位置稱為摻雜劑

(dopant)

1411 主體晶格(Host)

主體涵蓋一個或數個陽離子與一個或數個陰離子結合而成一般

主體於光激發過程中所扮演之角色為能量傳遞者而主體中之陽離子

或陰離子必須不具光學活性(optically inert)如此能量之放射與吸收

均於活化中心進行陽離子之選擇條件須具如惰性之電子組態(如

ns2np6d10)或具封閉之外層電子組態(如 f0f7f14)故不具光學活性

圖 19 為週期表中可作為螢光體主體之陽離子分布圖主體之選擇對

發光強度與光譜特性影響極大其中活化劑離子所進入晶格位置之

點對稱(point symmetry)與配位數(coordination number)以及所取代主

體離子之半徑大小均決定發光之行為

20

圖 19 主體晶格之陽離子分布圖(66)

陰離子團之選擇有二一為不具光學活性之陰離子團如圖

110另一則為具光學活性(optically-active)可充當活化劑之陰離子

團如圖 111後者通稱為自身活化(self-activated)之螢光體如

CaWO4YVO4等此為週期表中可作為螢光體主體晶格之陰離子

圖 110 主體晶格中不具光學活性陰離子團分布圖(66)

21

圖 111 主體晶格中具光學活性陰離子團分布圖(66)

1412 活化劑(Activator)

活化劑一般分成兩類陽離子團與陰離子團前者須具正確之價

數後者須具自身活化能力且可產生電荷轉移作為活化劑之陽離子

一般具 (nd10)((n+1)s2) 電子組態此類呈現高放光效率或半填滿軌

域如Mn2+Fe3+等如圖 112此外活化劑之添加本質上屬於

取代缺陷故活化劑與主體陽離子之大小須相近如相差太多將造成

晶格之扭曲故活化劑之種類與主體內之添加取代量即受到限制

圖 1 12 活化劑之陽離子團分布圖(66)

22

本研究採用之活化劑為稀土離子(67)其發光特性取決於稀土離子

Eu 4f 殼層電子性質稀土離子之電子躍遷主要具以下兩種形式(1) f

- f 躍遷(2) f - d 躍遷多數三價鑭系離子發生於內層之 4f - 4f 能階

躍遷根據選擇律此種l = 0 之電偶極躍遷原屬禁戒(forbidden)

但因 4f 組態與反對稱之組態 g 或 d 發生混合使原屬禁戒之 f - f 躍

遷成為允許(allowed)且 4f 殼層上之電子受外殼層 5s24p6 之遮蔽效

應故其 f - f 能階躍遷特徵如下

(1) 發射光譜呈線性譜線強度較弱

(2) 主體晶格(host)對發射波長影響不顯著

(3) 濃度與溫度淬滅變小即使於 400~500仍可發光

(4) 螢光壽命較長

15 研究動機與目的

本論文研究基於之前眾多之成果所建立之理論基礎提出一將稀

土元素摻雜入 DSSC 之工作電極中之創新構思欲藉由類似螢光粉之

觀念於主體 (host) 中摻入活化劑 (activator) 再經由特定波段之

激發產生放光之過程放射光之波長取決於主體與活化劑之搭配此

概念之目的是要增加染料敏素之吸收率進而提升整體之效益而所

需放射之光取決於染料敏素之 IPCE(incident-photon-to-current

conversion efficiency) 值於何處有最大值關於稀土離子摻雜進入一

般陶瓷材料之研究已進行幾十年近幾年則開始有對於摻雜進入半導

體材料之研究而先前眾多研究只探討其光觸媒特性並無應用於染

料敏化太陽能電池之顯著成果其中 Eu3+具非常好之紅色可見光發光

性Eu3+離子吸收波長 300 ~ 450 nm 左右之太陽光後其內層 4f ndash4f

軌域間之轉換將可放射出 593 nm (5D0 rarr 7F1) 612 nm (5D0 rarr 7F2)

650 nm (5D0 rarr 7F3)與 697 nm (5D0 rarr 7F4)紅光範圍之可見光Black

Dye 其 化 學 名 稱 為 【 thithiocycanato 44rsquo4rdquo-tricarboxy

23

31-22rsquo6rsquo2rdquo-terpyridine ruthenium(II)】(RuLrsquo(NCS)3 Complex)且其於

610 nm 與 413 nm 有最大吸收峰且其 ICPE 值於 400~600 nm 範圍

可達 80 恰位於 Eu3+之最強放光處故研究是否可藉由此放光增

加染料之吸收進而提升激發電子量再者稀土元素之摻雜並不會

破壞原有之晶體結構卻可影響其電子能態或原子結構調整其能

隙故本研究亦透過設計雙層結構之工作電極使各層工作電極傳導

帶之相對位置更有利於電子之傳遞以增加激發電子傳導速率並

減少電子再復合機率提升太陽能電池之效率

24

第二章 實驗步驟與儀器分析方法

21 化學藥品

本研究使用之藥品皆為試藥級之純度故使用前不須進行再純化

之步驟其來源與名稱如表 2-1 所示

表 2-1 本研究所使用之藥品清單

玻璃基板

FTO 導電玻璃 [ SnO2F TCO ] Solaronix TCO22-15

15 Ωsq

編號 藥品 廠商 純度

(1) 氧化銪 [ Eu2O3 ] Sigma-Aldrich 999

(2) 鈦酸四丁酯 [ Ti(OC4H9)4 ] Acroros 99

(3) 二氧化鈦 [ TiO2 ] Degussa P25 NA

(4) 硝酸銪 [ Eu(NO3)35H2O ] Sigma-Aldrich 998

(5) 碘 [ I2 ] Merck 98+

(6) 碘化鋰 [ LiI ] Merck 98+

(7) 4-特-丁基呲啶 [ C9H13N ] Aldrich 99

(8) 第三丁醇 [ (CH3)3COH ]JTB 998

(9) 四氯化鈦 [ TiCl4 ] Aldrich 999

(10) 無水乙醇 [ C2H5OH ] Riedel-de Haeumln 998

(11) 乙腈 [CH3CN] Fluka 99

(12) 乙基纖維素[Ethyl cellulose] Fluka 99

(13) 松油醇[C10H18O]terpineol Fluka NA

25

(14) 丙酮 [ CH3COCH3 ] Riedel-de Haeumln 99

(15) 甲醇 [ CH3OH ] Fluka 998

(16) 己烷 [C6H14] Riedel-de Haeumln 99

(17) 氧化鎘 [ CdO ] 林 純藥工會株

式會社 99

(18) 油酸 [ C9H18C8H15COOH ] Aldrich 90

(19) 1-十八烷烯 [ C18H36 ] Aldrich 90

(20) 三正辛基膦 [ (C8H17)3P ] Alfa Aesar 90

(21) 硒粉 [ Se ] ACROS

995

(22) 巰基丙酸 [ HS(CH2)2COOH ] Fluka

99

(23) 四甲基氫氧化銨 [ (CH3)4NOH ] Fluka

25 wt

本研究所採用之二次去離子水為經 Millipore 公司之 Milli-Q 純水系統

所處理其電阻值為 18 MΩ-cm

22 合成方法

221 溶膠凝膠法 (Micelle and sol - gel)

此方法乃利用水油與介面活性劑之三元體系所形成之混合溶

液利用其極性相近物質之相互聚集為理論基礎其中之介面活性劑

將扮演不相容物質彼此間之橋樑其中量少之一方將以微胞或微乳液

之形式存在微胞之形狀將隨著加入試劑之濃度差異而形成各種不同

26

形狀所選取之反應物須存在於微胞中而形成溶膠以利進行凝膠化

之反應於微胞中溶膠 (Sol) 之定義為極小之膠體粒子因凡得瓦

爾力與電雙層作用下產生布朗運動而均勻分散於系統中而形成所

謂溶膠與凝膠 (Gel) 為經過水解 (Hydrolysis) 與縮合 (Condensation)

反應後分子單體經由鍵結而逐漸形成大分子之凝膠狀態溶膠‐凝

膠法之基本步驟為利用金屬醇化物或金屬鹽類溶於水或醇類等溶劑

中進行水解與縮合反應所形成之凝膠產物之性質及結構與製備過程

之條件具密切之關係例如反應原料之種類濃度溶劑溫度

壓力pH 值等因素溶膠-凝膠法於形成薄膜與塊材方面具顯著之優

點且溶膠易形成摻雜故可製備均勻分布及可調性之多種複合材

料介面活性劑之功能為抑止成長中之晶體持續成長故控制微胞之

形狀即可改變晶體之形狀首先須控制溶液中之相對組成與溫度才

能達到形成微胞之條件且微胞之尺寸均於微米級以下故此微胞可

視為一種微反應器總而言之溶膠凝膠為一種膠狀懸浮液藉由膠

化作用得到固體其產生之多孔性凝膠可藉由化學方法之純化及高溫

退火之程序得到高純度與高結晶性之氧化物

222 水熱法 (Hydrothermal)

水熱法為於液相中配製超奈米材料之濕化學方法研究之溫度

範圍於水之沸點與臨界點(374oC)之間一般反應過程中維持100 ~

250oC之溫度與03 ~ 40 MPa之蒸汽壓之高溫高壓環境下反應溶劑

因高溫高壓條件下而達到其臨界點時對固體物質之溶解度增加

因而達到加速反應進行之效果此方法可提供製備一維奈米材料之新

途徑水熱法具下列幾項特點(1) 利用水熱法可直接於溶液中合

成粉體(2) 於大部分之水熱過程中長晶之程序已經完成故不須

再經過煅燒(3) 利用溫度之調變可控制粉體之尺寸(4) 利用不同

27

之起始物可得不同型態之粉體故水熱合成法可製備之材料相當廣

泛涵蓋金屬氧化物複合氧化物等數十種粉末合成之粒子大小

範圍介於01微米至幾十微米經過濾洗滌與乾燥等過程獲得之

晶體其結晶性佳團聚情況少產率高與較窄之細微性分布因此可

得純度高且細微性均勻之各類材料

23 實驗流程

本研究以兩種不同前趨物與合成方法製備 TiO2Eu3+ 之工作電極材

料分述如下

231 TPT[鈦酸四丁酯Ti(OC4H9)4 Tetrabutyl titanate]系列

此系列之奈米粒子為透過溶膠凝膠法後經水熱法及燒結而成首

先按所需之化學配比 (stoichiometry) 秤取適量之 Eu2O3並置入 100

mL 之三頸瓶中加入 9 mL 之 1 M 硝酸溶液60 mL 之去離子水(使

整體之 pH 值小於 2)激烈攪拌 30 分鐘再緩緩滴入適量配比之鈦

酸四丁酯 Ti(OC4H9)4 (Tetrabutyl titanateTBT)並激烈攪拌 1 小時

上述溶液之溫度控制於 80oC 並持續攪拌進行迴流程序時間為 10 小

時再置入 125 mL 之鐵氟龍 (telfon) 杯中並封入不鏽鋼壓力釜

(autoclave)進行水熱法溫度控制於 227oC時間為 12 小時可得白

色之膠體再以酒精反覆沖洗後於高溫 500oC 下退火 6 小時即可

得 TiO2Eu3+白色奈米粒子詳細合成流程如圖 21 所示

28

Eu2O3 and 9 mL aqueous nitric acid (1M) solution are added to 60 mL DI water with pH lt2

After vigorously stirring for half an hour 10 mL tetrabutyl titanate Ti(OC4H9)4 is slowly dripped into the above solution with vigorous stirring for 1 h

The mixture is then heated to 80oC with continual stirring for 10 h

Hydrothermal treatment in the autoclave at 227oC for 12 h

After repeatedly washing with ethanol the white slurry is annealed in air for 6 h at 500oC

圖 21以溶膠-凝膠法與水熱法合成TBT系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

232 P25(Degussa P25 TiO2)系列

按適量之化學配比秤取商用之二氧化鈦粉末(Degussa P25)與

Eu(NO3)35H2O置入裝有 30 mL 去離子水之 100 mL 燒杯中室溫

下激烈攪拌 2 小時將上述之白色溶液置入 125 mL 鐵氟龍 (telfon)

杯中並封入不鏽鋼壓力釜 (autoclave)進行水熱法溫度控制於

150oC時間為 48 小時待冷卻至室溫後將所得之白色膠體以去離

子水反覆沖洗其目的為去除表面殘餘之 Eu(NO3)35H2O爾後於

350oC 之溫度下退火 2 小時即可得白色 TiO2 Eu3+白色奈米粒子

詳細合成流程如圖 22 所示

29

Commercial TiO2 powders (P25) and europium nitrate was added to 30 mL of an aqueous solution under vigorous stirring

After stirring strongly the slurry was heated at 150oC for 48 h by hydrothermal method

After hydrothermal treatment repeated centrifugation and wash with distilled water (4 time repeated)

Annealed at 350oC for 2 h

圖 22 以水熱法合成 P25 系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

24 樣品鑑定分析

以 X 光粉末繞射儀(X-ray diffractionXRD)Rietveld 精算法鑑

定材料之純度與長程有序晶體結構以穿透式電子顯微鏡

(Transmission electron microscope TEM) 與掃瞄式電子顯微鏡

(scanning electron microscopeSEM)分別鑑定材料之結構與表面型

態利用比表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

ASAP) 分析粉體之樣貌與比表面積利用光激發光光譜儀

(photoluminescencePL)分析電極材料之激發光譜與放射光譜特性

以拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum) 測定分子之振動模式

以判定晶相與原子結構以紫外-可見光擴散式反射光譜(UV-Vis

diffuse reflectance spectra UV-Vis DRS ) 分析固態粉體於紫外光與可

見光其吸收特性利用 X 射線光電子能譜儀(X-ray Photoelectron

30

SpectroscopyXPS)分析表面元素組成與原子能級結構以 X 光吸收

光譜 (X-ray absorption spectroscopyXAS)之 X 光近吸收邊緣結構

(X-ray absorption near edge structureXANES)決定樣品中元素之價數

與電子結構茲將各實驗儀器分析之過程與原理分述於下列各節

241 粉末 X-光繞射儀(X-ray diffraction XRD)

2411 X-光繞射工作原理

X 光為一種短波長之電磁波其波長約為 10 Aring(10-10 m)陽極放

射出之 X 光由連續性不同波長之 X 光所組成故稱之為連續性 X

光譜(continuous X-ray spectrum)或白色 X 光但隨著外加電壓增大

連續性 X 光譜之波長分布範圍與其光線強度將隨之增大當電壓加

至超過門檻電壓(threshold voltage)或激發電壓(excitation voltage)時

除發生連續性 X 光譜外另將產生某些特定波長之 X 光稱之為特

性 X 光(characteristic X-ray spectrum)如圖 231(a)X 光粉末繞射儀由

電子槍產生電子如圖 231(b)所示此電子藉由 40 keV 之工作電壓

加速撞擊金屬靶材(常用之靶材為銅靶)將其靶材中 K 層(1s)電子撞

出電子游離後形成之電洞隨即由L層(2p)電子填補並伴隨X光釋出

31

Characteristic peaks

Continuous radiation

Energy

High-energy Ka

stimulusLaKb

lswl

Int

sity

e

m

Low-energy stimulus

enof

itted

rad

iatio

n冷卻水

真空 璃

接變壓器)

鈹窗 聚焦罩

銅X射線 鎢絲

靶(陽極)

X射線

管座(

Wavelength

Short wavelength limit a) b)

圖 231 (a)銅靶之 X 光光譜 (b)封閉式 X 光射線管

角動量子數之變化必須為plusmn1 (l = plusmn1)如由 L 層

(2p) 子填補 K 層(1s)電洞即 2p 1s 轉移(transition)並伴隨 X 光釋

如圖 232 所示此段波長之 X-ray 定義為 Kα波長為 15418 Aring

同理 3p 1s 則定義為 Kβ波長為 13922 Aring一般 Kα比 Kβ之強度較

強而 Kβ較 Kα之能量為高但由 p 1s 之轉移中因 2p 軌域具二

種不同型式之 Kα1與 Kα2

很難分辦但易與 K 一般常使用鎳單色光濾片(nickel filter)將

Kβ濾除(cut o

( ((68)

一般 X 光所使用金屬靶材之波長如表 22 所示以銅靶為例當

外加電壓促使電子高速撞擊銅靶之 K 層(1s)電子使其內層電子游離

並產生電洞依據吸收選擇定律(selection rule)當電子從一能階躍遷

至另一能階時其

2

自旋態(spin state)故產生 Kα1與 Kα2一般

β分辦

ff)

32

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長(69)

Target Kα1 Kα2 Kz Cr 22896 22935 22909

Fe 19360 19399 19373

Cu 15405 15443 15418

Mo 07093 07135 07117

Ag 05594 05638 05608

z is the intensity-weighted average of α1 and α2

圖 232 X 光原理示意圖Cu 1s 電子游離後形成之電洞由 2p 電子

填入並伴隨 X 光釋出(69)

德國科學家勞爾 (Von Laue) 於 1912 年提出 X 光進入晶體後因

干涉 年布拉格 ( 學

理論

稱為布拉

作用而產生繞射現象同 Bragg) 將勞爾提出之數

改以較簡潔之數學式導出 X 光之繞射條件如圖 233 所示

設晶面距離為 d入射光與晶面之夾角為 θ當入射光被二相鄰晶面

所反射二反射光束會有一光程差若此光程差為波長之整數倍(n

為正整數)時亦即當此二反射光束同步各光波之振幅具加成之效

果而形成建設性干涉合成波滿足此條件即可產生繞射

33

格定律(Braggrsquos Law)

2 sind nθ λ= (21)

晶體之 X 光繞射實驗提供兩項重要訊息(1) 繞射峰位置 2θ

(2) 為繞射峰強度(I)第一項訊息提供晶體之晶胞形狀大小(即晶格常

數)之資料第二項訊息提供晶體內部組成原子種類與位置之資料

隨材料之晶體結構與組成變化每個晶體此兩項資料各不相同因此

可利用 X 光繞射法分析材料屬何種礦物晶體或結晶材料

圖 233 X 光繞射之示意圖

2412 XRD 實驗儀器

粉末樣品之 X 光繞射分析係採用 PANalytical XrsquoPert PRO X-ray

powder diffractometer(XRD)型繞射儀其以銅靶(Cu)為光源功率為

3 kW放射光源 Kα1之波長為 15406 Aring操作時使用之電壓與電流分

別為 40 kV 與 40 mA 之條件下進行粉末繞射分析實驗其中 2θ繞射

角掃描範圍為 20 ~ 80 度每間隔 002 度讀取一次數據掃瞄模式為

2θθ將分析樣品平鋪於樣品槽(sample holder)置於圖 24 之旋轉中

心此時將繞射測角儀做旋轉偵測器則與出射光之夾角 2θ入射

光與槽座之夾角為 θ利用同步紀錄之系統而得各繞射峰之強度與角

34

度(2θ)之分布關係

圖 24 X-光粉末繞射儀(PANalytical XrsquoPert PRO XRD)

析然而中子繞射之儀器普遍性不佳利用Rietveld法可

分析

度(於本研究中以2θ量測範圍為0 ~ 180度間格為001度停留時間為10

因此可避免重疊峰之分解問題

2413 結構精算(70)

GSAS 程式採用 Rietveld 全光譜精算法 (Rietveld full pattern

refinement method簡稱Rietveld法)做結構精算Rietveld法為1969 H

M Retiveld所提出適合分析由X-光與中子粉末繞射所得之數據利

用結構精算可得物質之物理與化學特徵性質然而多數之物質不易合

成單晶之形式多數乃以多晶或粉晶存在最早則以中子粉末繞射之

數據加以分

X-光粉末繞射所得之數據使得分析晶體結構之研究之可靠性大

幅提升

Rietveld法主要為以階梯之模式(step scan)掃描其每一步之峰形強

秒)而不用整個繞射峰之積分強度

35

2ci k k k k biy S L F HT P y= Φ +sum利用此計算方法所得之繞射強度 ( S為

比例常數Lk乃涵蓋勞倫茲極化與多重性因子Fk為結構因子Tk

為穿透因子Pk為優先取向H為反射波形函數ybi乃背景強度)用

以模擬觀察所得之繞射強度(yoi)使由假設結構模型計算出之繞射圖

形與實驗量測之繞射圖趨於一致 並使最小方差擬合之殘差R為最

2( )R Wi ci oiy y= minussum 2 ( 2)

計算所得之繞射圖譜與測量所得之圖譜其相吻合之程度是由所

謂擬合參數(reliability factor)即R值決定一般以R值小於10為可

接受之最低要求常用有Rp與Rwp

oi ciP

oi

y yR

yminus

= sumsum (23)

)(( )

2

2WPRW y

= i oi ci

i oi

W y yminussumsum (24)

i較大

而一般認為Rwp較具代表性意義之擬合度判斷依據並定義

式中Wi為加權指數ㄧ般僅繞射峰存在其繞射強度之W2χ 即

ldquogo

odness of fitrdquo用以表示分析之品質

( )χ 2 =minusM

N N (25)

O V

其中M為minimization functionNO為step scan所得之繞射圖點

數NV為精算時所使用之變數個數利用最小平方差擬合與傅立葉

(Fourier)合成求得之電子密度函數進而得知粉體之晶格常數鍵長

鍵角等結構參數

Rietveld法為一可將晶體結構解析最完善之方法然而並非所有

36

之結構皆有其詳盡之原子座標位置Le Bail 法為1988年法國晶體學

家Armel Le Bail所發展利用電腦程式模擬將原本錯誤之原子位

置移動至較符合粉體模型之位置稱為整體性之最優化(global

optimization methods)或稱直接空間方法(direct space methods)利用

此方法可對於新

合成或未有詳盡之原子座標資訊給予空間群與晶格

常數之資料

圖25 晶體繞射結構解析之一般流程

37

242

型號為HITACHI S-4000其電子

槍為冷場發射式

圖26 掃描式電子顯微鏡(NDL)HITACHI S-4000

掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope SEM)

掃描式電子顯微鏡主要由真空系統電子槍透鏡組與偵測器組

成其成像原理為利用一束具有5 ~ 30 KV能量之電子束經過聚焦

镜使發散之電子束能聚集成一微小電子束掃描線圈作用於偏折電子

束使其能於試片表面進行二維之掃描工作另一功能為觀測試片時控

制倍率之放大與縮小爾後電子束經過物鏡即如同光學顯微鏡原理相

同但此時調整項圈(coil)所造成之磁場控制電子束進行最後對焦動

作完成對焦讓電子束與試片作用激發出二次電子背向散射電子

Auger電子連續X光與特徵X光等一般SEM為利用二次電子進行成

像因二次電子之信號主要源自電子束下方之區域能提供高解析之

影像而背像散射之電子亦能作為信號之來源當電子束掃描試片表

面時偵測器同時偵測由表面射出之二次電子強度輸入至同步掃描

之陰極射線管同時顯示試片之影像而陰極射線管上同步點之亮度與

對比則根據偵測到之訊號強度進行改變利用此方式試片表面之特

徵狀況即可逐一表現出來如圖26所示本實驗乃使用國家奈米元

件實驗室之掃描式電子顯微鏡其

(field emission)

38

圖27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖(71)

243

於偵測器上形成不同亮度

穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron MicroscopyTEM)

穿透式電子顯微鏡系統設計如圖 28 所示由電子槍(electron

gun)發射電子束經過一組磁透鏡(condenser lens)聚焦後以遮蔽孔

徑(condenser aperture)選擇電子束尺寸大小(beam size)後通過一組控

制電子束之掃描線圈再透過物鏡(objective lens)聚焦入射至試片

上於試片上側裝一訊號接收器用以選取二次電子或背向散射電子

成像此種儀器之優點為所需之樣品量很少且其解析度可達到原子

級之層次(10-10 m)若樣品含多電子原子則電子束將無法穿透樣品

於偵測器上顯示之亮度較暗電子束可穿透之樣品於偵測器上形成較

亮之點利用不同物質具不同電子密度之性質經電子束之穿透過程中

原子核對電子束產生之折射程度之差異性

對比之影像即為樣品之形狀和結構

但以下幾點須注意(1) 真空下要穩定 (2) 若是揮發性之物質在經電

39

子碰撞後容易消失此儀器除可用以鑑定物質之型態大小與內部細微

結構外亦可進行電子繞射而電子繞射圖可用以觀測樣品之結晶度

格常數

一天後再將銅網放置於儀器之樣品槽中調

整好儀器即可觀測

表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

好壞與計算晶

樣品製備

將欲觀測之粉末樣品取極少量溶於乙醇溶液中置於超音波震盪器中

約10分鐘使粉末均勻分散於溶液中爾後再利用已鍍上一層多孔性

碳膜之銅網放置於溶液中撈取預分析之樣品拿出銅網後用拭鏡紙將

多餘之乙醇拭乾並風乾

圖28 TEM電子腔內部結構示意圖

244 比

ASAP) 先將適量樣品 200oC 除氣(degas)至壓力為 3 times10 -3 torr以去除樣

品上之吸附水氣與其它吸附物質並於 77 K 下進行氮氣等溫吸附

40

利用 BET 公式求得比表面積利用 BJH 公式求得脫附曲線之孔洞分

態相似而於高分壓相異之行為則是因為 H4

隙較 H3 窄之緣故

291 IUPAC 制定之物理等溫吸附-脫附分類圖

布(pore size distribution)

氣體吸附曲線之型態會隨著材料之孔徑結構成分溫度及吸附

分子種類而不同 (圖 291)氣體吸附曲線 IUPAC 定義為下列六種型

態第一型為典型微孔材料第二型通常是無孔材料或孔徑較大之材

料第三與第五型曲線發生於當吸附分子間親和力大於其與固體材料

表面間作用力時之模式第四型為中孔材料於高分壓時會產生遲滯

迴圈(hysteresis loops)而第六型為一結構近乎完美均勻之表面所造成

之吸附曲線根據 IUPAC 之分類遲滯迴圈依其型態可分為四種型

態(圖 292)H1型常為規則圓柱狀孔洞材料或由規則球狀體間孔隙所

造成而 H2 型遲滯迴圈之形成通常表示材料中之孔洞與形狀較不規

則H3與 H4型迴圈之型

41

圖 292 IUPAC 制定之遲滯迴圈型態示意圖

245

T) 收集

光並測量其螢光強度並以 DataMax 軟體分析光譜資料

光激發光譜儀(Photoluminescence PL)(65)

光激發螢光 (photoluminescence PL) 光譜儀乃為簡便與精準地

檢測發光材料之光特性於本研究中採用FluoroMax-3測量螢光材料

之激發光譜(excitation spectra)與放射光譜(emission spectra)如圖

210 所示光源為利用氙弧燈提供一寬波段之激發光源為得高解

析之螢光量測數據入射光源須為持一特定之波長藉由單光器

(monochromater)之狹縫 (slit) 將光源出射光分成特定波長之入射

光入射光之能量被螢光粉體吸收後螢光粉體將發射另一特定波長

之光段打至發射光之單光器如同激發光之單光器只允許某一狹

窄之波段通過再利用光電倍增管 (photomultiplier tube PM

42

圖 210 螢光體光譜量測過程

圖211為本研究所使用之FluoroMax-3光譜儀各結構實際之配

置其包含七大主要部分涵蓋

1 Xenon光源與其保護座

1a Xenon光源電源裝置(power supply)

1b Xenon光源閃光(flash lamp)

2 入射光源單光器(excitation monochromator)

3 樣品放置槽(sample compartment)

4 發射光源單光器(emission monochromator)

5 偵測器[signal detector (photomultiplier tube)]

6 參考偵測器[reference detector (photodiode and current-acquisition

module)]

7 儀器控制電子元件(instrument control)

實驗之過程光源由圖中1部分發射而將螢光粉體置於樣品槽

43

內並置於圖中3之樣品放置槽圖中7為連接電腦控制藉由控制圖

中2與4之單光器則分別進行激發光譜與放射光譜之實驗由光電倍增

管放大(圖中5)而收集其中激發光譜可由圖中6偵測Xenon光源之訊

號並校正若進行比較發射光譜之絕對強度實驗過程則控制實驗之

時間於兩小時內完成此時期之光譜經穩定度量測誤差值座落於3

以內所得之發射光譜強度比較為可信之數值圖 212則為儀器之

實際外觀

圖211 光激發光光譜儀構造

44

圖212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀

246 拉曼散射光譜儀 (Micro Raman Scattering Spectrometer)

當光源照射於物質表面時光子會與物質之原子分子產生交互

作用造成能量之交換或動量之改變若無能量交換僅方向改變為

彈性碰撞稱為瑞立散射 (Reyleigh Scattering)若方向改變又有能量

交換為非彈性碰撞稱為拉曼散射 (Raman Scattering)當拉曼散

射光與物質相互作用時會與物質內之原子分子之振動頻率耦合

即可於入射光頻率之兩邊產生正或負之頻率位移此一頻率位移之數

值與物質內原子分子振動頻率相當此位移即為拉曼位移(Raman

Shift)此頻率位移可用下式表示

sυ υ υΔ = minus (26)

υΔ 代表拉曼散射光與入射光頻率差υ 代表入射光子之頻率 sυ 代表

散射光子之頻率

45

247 紫外可見光擴散式反射光譜(UV-Vis diffuse reflectance spectra

UV-

描範圍為200 nm至800 nm並以Spectra Calc

體收集光譜訊號

247

分光波被反射與散

另一部分光透過其餘之光才被物質吸收

Vis DRS)(72)

本研究乃將定量之粉末置於石英圓盤上再將其放置於樣品槽

相對於 BaSO4 作為參考物於室溫下以Hitachi-U3410紫外-可見光光

譜儀分析其擴散反射式光譜(diffuse reflectance spectrum)光譜掃描之

速率為120 nmmin掃

1 固態粉體之吸收光譜

吸收光譜顯示光照射於發光材料時其激發波長與材料所吸收能

量值之關係激發波長照射於發光材料時一部

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖

46

只有被吸收之光對材料之發光產生作用然而非每一被吸收光其

所有波長皆能引起激發作用因此研究吸收光譜可知哪些波長之激發

光被吸收吸收率為多少此對研究材料之發光過程為一重要課題

發光材料對光吸收公式可表達為

( ) 0( )K xI I e λ

λ λ (27)

式 27中I0(λ)為波長為λ之光照射至材料時之發光強度I(λ)為光

通過厚度為X之材料層後其發

minus=

光強度Kλ為吸收係數Kλ隨照射光波

長變

表面(圖 214)即使壓製成

錠依舊有部分光以散射釋出(圖 215)

化之曲線稱吸收光譜

因發光材料為粉末晶體故難以測出其吸收光譜一般則是測試

反射光譜用以確定其吸收光譜由 Kλ(吸收) = 1-Kλ(反射)得出材料之吸收

圖譜Kλ(反射)為被測材料之反射係數當其散射與穿透很小時可測得

然多數之物質其粉體非規則排列成一平整

粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚

度其公式如下

圖214 圖215

擴散式反射光譜儀則利用Schuster-Kubelka-Munk理論其中假設

無規則之反射光束

2(1 )( )2

R kF RR s

infininfin

minus= = (28)

infin

47

其中k為吸收係數s為散射係數一般量測與標準品相對之反射值Rinfin

而非量測絕對值之反射值其中標準品為白色固體粉末常見有KBr

用於IR(43500 ~ 400cm-1)波段BaSO4MgO作為紫外光至可見光波

段之標準品

圖216 Hitachi-U3410紫外-可見光光譜儀

248

於超高真

下操作故最好將樣品溶劑先行抽乾以免污染儀器

X射線光電子能譜儀( X-ray Photoelectron SpectroscopyXPS )

其原理為一束X光射線入射至樣品表面藉由光電效應將某一能

階之電子激發為光電子爾後經由分析光電子動能即可獲得關於表

面元素組成與元素之化學環境當數個原子鍵結成一化合物時其於

化合物中之結合能明顯與純原子時不同內核層電子之束縛能亦有不

同之變化即為一般之化學位移(Chemical Shift)分析束縛能之變

化便可獲得材料中之電子結構與化學鍵結之訊息其所造成之能譜

位移可用以區分不同氧化態之元素偵測深度約為5 nm (除氫元素外

皆可偵測)樣品製備將粉末樣品先行打錠經除水與抽真空之前

處理後送測放入儀器之樣品室中進行分析由於儀器是

48

24

分析與 TEM 等

結果

μ 表示材料單位厚度對X光之吸收則以式29以表示其相互之關係

9 X 光吸收光譜 (X-ray Absorption Spectroscopy XAS)(73)

同步輻射為接近光速之電子受加速度而產生之電磁波其可提供

連續波長可調能量範圍寬廣之光源並具光點小強度高與準直性

佳等特性近二十年應用同步輻射 (synchrotron radiation) 光源於 X

光吸收光譜之技術愈趨成熟使 X 光吸收光譜成為一項分析物質結

構之利器利用同步輻射光源對材料進行 X 光吸收光譜研究主要

包括 X 光吸收近吸收邊緣結構(X-ray absorption near-edge structure

XANES)與延伸 X 光吸收精細結構(extended X-ray absorption fine

structureEXAFS)其中 XANES 用於檢測材料中特定原子之電子組

態而 EXAFS 則測定原子之局部結構(local structure)可得知原子與

其鄰近原子間之距離種類及數目等X 光吸收光譜可發揮於原子短

程結構與電子組態上之優點與傳統 XRD 長程有序

相互配合可更加了解奈米材料之結構特性

當物質受到X光照射而吸收X光可用吸收係數 μ 表示其吸收之

程度若以I0表示入射X光之強度I 表示穿透光強度樣品厚度為 x

0 exp( )I I xμ= minus (29)

現象會隨X光能量增強而逐漸平

地降低構成吸收光譜之底線

若X光能量改變即使物質中之原子不吸收不散射等因素測得之

穿透光強度仍較入射光強度減小此

49

2491 X 光吸收近吸收邊緣結構 (X-ray Absorption Near-Edge

Structu XANES)

有關吸收原子之電子

組態價數及其所處晶格位置之對稱性資訊

re

當 X 光能量逐漸增強至物質中所含原子之吸收能量(absorption

edge)原子內層電子開始吸收 X 光之光子躍遷至外層之空軌域

造成吸收係數激增即形成 X 光吸收近吸收邊緣結構(XANES)於

吸收邊緣前與後各 30 eV 區域內之一些圖譜特徵包含吸收前緣之突

起躍昇區段上之肩部主峰之相對高度甚至吸收邊緣之位置(常

以躍昇段之第一個反曲點能量為視之)統稱為 XANES如圖 217

所示為 Ti K-edge 之 XANES 示意圖其可提供

圖217 Ti K-edge之XANES示意圖

50

25 染料敏化太陽能電池之組裝與特性分析

251

工作電極漿料之製作對於太陽能電池效率而言為最重要且最關

鍵之步驟本實驗採用奈米級粉體作為主要材料由於顆粒小其比

表面積大可使染料吸附量增加但如此微小粒子亦容易因凡得瓦

力庫倫力等發生團聚現象團聚現象對於粒徑小於 10 μm 之顆粒尤

其明顯因此於漿料之製備過程中必須透過機械攪拌及超音波震盪

等方式使其均勻分散本實驗漿料為參考 Seigo 等人於 2008 年所

發表之論文 製備首先秤取適量先前合成之二氧化鈦粉末加入配

ethyl cellulose分別為 5-15 mPas 與 30-50

mPas)膠體溶液松 terpineol)無水乙醇上述混合物置入單頸

瓶中激烈攪拌約 10 小時並減壓抽氣濃縮以去除乙醇再以超音

1 小時即完成漿料製備

252 導電玻璃清洗

[fluorine-doped tin oxide

FTO](尺寸23 x 30 cm)以中性清潔劑初步洗滌之後浸泡於丙酮溶

劑內並置於超音波震盪器內 10 分鐘丙酮可溶解油漬與黏膠卻

對 FTO 無影響可防止製備工作電極薄膜中出現裂痕及缺陷接著

使用去離子水同樣於超音波震盪下清洗玻璃最後再以乙醇於超音波

作用下洗滌乙醇可以溶解大部分之有機溶劑包括丙酮

璃之電阻)乙醇清洗完後將導電玻璃置入烘箱中以 70oC 烘烤 30

分鐘以去除殘餘有機物

3 電池組裝與特性測試

FTO 玻璃固定於網印機機台上利用網印法(如圖

FTO 玻璃上(工作電極面積

工作電極漿料配製

(74)

製好之兩種乙基纖維素(

油醇(

波震盪

首先將摻雜氟之二氧化錫導電玻璃

(會增加玻

25

(1) 將清洗完成之

218 所示)將製備好之漿料均勻塗佈於

51

複以上動作直到所

其表面於室

Black dye 溶液中放置

染料敏化太陽能電池有關組裝之詳細流程圖如圖 219 所示

需之膜厚或者所需要之雙層或多層結構設計

(2) 將鍍膜完成之工作電極置於 40 mM TiCl4 乙醇溶液中並置入 70oC

烘箱中 30 分鐘取出後以去離子水及乙醇交替潤洗

溫下乾燥後置於方形爐中 500oC 煅燒 30 分鐘

(3) 將製備好之工作電極薄膜浸泡於 02 mM

室溫暗室浸泡 24 小時使其自行吸附

(4) 待二氧化鈦電極吸附染料步驟完成後利用乙腈(acetonitrile)清洗

工作電極表面靜置乾燥後即可得已製備完成且吸附染料分子

之二氧化鈦薄膜電極首先將氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑

金屬之相對電極之空隙中再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結

合並防止氣泡產生以長尾夾固定既可完成此三明治結構之

圖 218 網印機塗佈示意圖

52

TiO2 (or TiO2Eu3+ ) powder

1 Screen printing on FTO (15Ωsq)

(A active=016cm2) 2 DryingRT 3 Gradually heated under an airflow at 325oC 5min 375oC 5 min 450oC 15min and finally at 500oC 15 min

1+ Two kind ethyl cellulose solution (5ndash15mPas and 30-50 mPas) + Terpineol + pure ethanol 2 Stirring10 hr 3 Rotary-evaporator (40oC) 50 min 4 Sonication 30 min

paste

Repeated until desirable Film thickness was obtained

TiO2 film FTO

1 Immersed in TiCl4 EtOH 70oC (30 min)2 Calcined 500 oC 30 min in air flow 3 Soaked in black dye (02 mM )

DyeTiO2 film FTO

1 Put the spacing film aside the TiO2 film2 Combined with sputtered Pt electrode3 Injected the ImacrI3- electrolyte

DSSC

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖

53

254 染料敏化太陽能電池性能測試

2541 電流電壓效率曲線(I-V curve)量測

於太陽能電池效率量測方面由於太陽光光譜將不斷變動因此

必須有一套國際量測標準目前國際上太陽能電池量測主要以美國

ASTM G-159 (Air Mass 15) 為主由於太陽光入射角度會隨著穿過

大氣層厚度之不同而隨之改變一般以大氣質量數 (Air Mass AM)

表示並規定太陽光在大氣層外直接垂直照射稱為AM 0太陽光與

地球表面夾角為90deg時稱AM 1而入射太陽光與地表之夾角為4819deg

時則為AM 15將完成之電池元件進行效能測試其光電轉換效率值

之檢測系統如圖 220 所示此檢測系統中為選擇300瓦(W)氙燈光源

模擬太陽光(AM 15)光源於開啟後須熱機10分鐘為避免檢測時因

光源不穩定而造成量測誤差並利用一標準單晶矽電池(效率值約為

1173 )以調整入射光源強度為100 mWcm2

將電池置於待檢測位置接上正負電極後利用電源電錶儀

(Keithley 2400) 控制輸出電壓並量測輸出電流值以獲得電流-電壓

曲線(I-V Curve)並藉由所得之I-V Curve圖中可獲得開路電壓(Voc)

閉路電流(Isc)填充因子(FF)與光電轉換效率(η)等評估電池效能之參

數其中短路電流乃指太陽能電池於無負荷狀態下外部電路短路

時之輸出電流此時電壓為零於理想之狀態下太陽能電池之短路

電流即等於照光時所產生之光電流而開環電壓即為太陽能電池於負

載無限大之狀況下為外部電流斷路時所量到之電壓此時之輸出電

流為零轉換效率可定義如下

max ( )P Isc Voc FPin Pin

η Ftimes times= = (210)

其中 Pin 為入射光功率FF因子定義為電池輸出最大功率

54

(Pmax)與理想最大功率之比值關係如下

max max max P I VF FIsc Voc Isc Voc

times= =

times times (211)

由上式可知此 FF 值為表示太陽能電池電壓電流表現與理

想行為間之差異此值受電池內部串聯並聯電阻工作溫度照光

強度等影響

圖220 電池光電轉換效率值檢測系統

圖221 太陽能電池I-V 特性曲線示意圖

55

2542 入射單色光之光電轉換效率量測(incident photon to current

convers-ion efficiencyIPCE)

IPCE 為單位時間內外電路中產生之電子數目 Ne 與單位時間內

入射單色光光子數目 Np 之比如其理論計算式為

2 2 [1240 ( )] [ ( ) ( )] 100SC incIPCE J A cm nm I w cmλ= times times times (212)

式中 JSC 為短路電流密度λ為入射光之波長Iinc 為入射光強度

從式中可看出奈米多孔膜(如TiO2)之比表面積越大吸附染料分子

越多光吸收效率就越高光電轉換效率測定系統可得到單一波長之

光電轉換效率根據此數據可瞭解整個光譜裡不同波長範圍之光對

電流之貢獻得到 IPCE 對波長之光譜與吸收光譜不相同因既

使能吸收光亦未必能有效轉換成電流本量測系統涵蓋以下主要組

(1) 光源500 W Xe lamp能發射全波長之光

(2) Water filter過濾光源發出之紅外光減少紅外光引起之熱

(3) 單光器(monochromator)以光柵選擇波長並投射至樣品

(4) 光強度偵測器偵測投射波長之強度

(5) 定電位定電流儀Keithley 2400用以讀出電流訊號

待測樣品經過不同波長之光照射時會反映出不同程度之光電流經

定電位定電流儀讀出電流值並記錄下來本實驗每隔10 nm 之波長

記錄電流值範圍從 350 nm 至1000 nm紀錄所有之電流值後再

經光強度偵測器量測各波長光線之能量將電流與光能量帶入式

212計算後即可得到各波長光線之光電轉換效率IPCE ㄧ般亦反

映至電池總效率上IPCE 越大則效率越高

56

圖222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖(75)

2543 電化學阻抗分析(Electrochemical impedance spectroscopy

EIS)(76)

交流阻抗定義

阻抗 = 電壓電流

交流阻抗定義阻抗 = 電壓電流 ( ( )( )

V fZI f

= )

其中電壓與電流之值會隨著頻率( f )變動而改變阻抗其實是由實部

阻抗(Zrsquo)與虛部阻抗(Zrdquo)所構成表示法為 Z Z jZ= minus

其中 Z 實部阻抗(real impedance) Z 虛部阻抗(imaginary impedance)

j = 1minus 而 Z Z Z θ (相角)之間關係如圖 223 所示

57

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

圖 223 Z Z Z θ 之間關係圖

交流阻抗測量過程如下

施加一小振幅之交流電壓(大多為正弦波訊號)使電極電位於平

衡電極電位附近微擾當達到穩定狀態後測其響應電流訊號之振幅

(magnitude)及相(phase)進而求得阻抗(impedance)然後依據所設

想之等效電路(equivalent circuit)透過阻抗圖譜之分析以及 Z-plot 程

式進行參數擬合精算以求出電極之動力學參數測量方式將組裝

好之電池於光源之持續照射下達到一穩定之電壓以電化學分析

儀(CHI 611C)測量選擇「AC Impedance」模式給予一個振幅為

10 mV 之交流電壓掃描頻率設定為 105 Hz 至 005 Hz

(a)

58

(b) high

medium low

圖 224典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖(77)

從典型之電化學阻抗圖譜可於奈氏圖(Nyquist plot)觀察到三個

半圓形之訊號參照圖 224b 依序從左至右分為高頻區 (high

frequency)中頻區(medium frequency)低頻區(low frequency)其所

分別代表之意義為(參照圖 224a )

高頻區電子於白金相對電極與電解質介面(Pt-FTOElectrolyte)之間

之傳輸阻抗

中頻區電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗

低頻區碘三負離子(I3minus)於電解質中之擴散阻抗

於經過電化學阻抗測量之後所得到之圖譜參考 Wu 等人之文獻

(78)設想之等效電路如圖 225 所示

59

FTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSCFTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSC

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

keff

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

EIS raw rata - P25 TiO2 (12 μm)

magnitude

phase

|Z| = ( |Zrsquo| 2 + |Zrdquo| 2 )12

θ = tan-1 ( |Zrdquo| |Zrsquo| )

=gt |Zrsquo| and |Zrdquo|

input output derived

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析

60

經過電化學阻抗分析過後原始數據如圖 226 所示經由等效

電路假設之後並進一步使用 Z-View 軟體效正並參考 Adachi 等人(79)

所發展之模式可以得到下列參數

(1) L (μm) 電極膜厚 (film thickness)

(2) keff (s-1) 電子再結合速率常數 (reaction rate constant for

recombination)

(3) τ (s) 電子壽命 (lifetime of electrons)

(4) Rk (Ω) 電子再結合之電荷傳導電阻亦即暗反應電阻

(charge-transfer resistance related to recombination

of electron )

(5) Rw (Ω)電子於 TiO2 中之傳導電阻 (electron transport

resistance in TiO2)

(6) Deff (cm2s)有效電子擴散係數 (effective electron diffusion

coefficient)

(7) Ln (μm) 電子擴散長度 (electron diffusion length)

其中 τDeffLn(7879)可以由下列公式求得

1 effkτ = (213)

2

( ) (keff

w

R LDR

= times (214)

( )nL Dτ= times eff (215)

61

26 量子點敏化太陽能電池之組裝

261 硒化鎘 (CdSe) 量子點之製備

(1) 取051克之氧化鎘(cadmium oxide CdO)與3克之油酸(oleic acid

OA C17H33COOH)溶入126 mL之1-十八烷烯(1-Octadecene

C18H36)中配製成A溶液

(2) 取 13 mmol之硒粉( selenium Se)與 05克之三正辛基膦

( tri-n-octylphosphine (C8H17)3P )溶入 10 mL 之 1- 十八烷烯

(1-Octadecene C18H36)中以磁石持續攪拌1小時配製成B溶

(3) 將A溶液與磁石置入三頸瓶中以每分鐘280轉之速率攪拌並以

25 mtorr之氮氣去除瓶中之剩餘空氣

(4) 將三頸瓶以每分鐘5oC之升溫速率將溫度升高至200~205oC溶

液之顏色將呈現淡黃色透明澄清溶液接著繼續升溫至280oC

(5) 接著將B溶液以針筒迅速注入三頸瓶中注入完畢開始計時達

到反應時間即離開熱源溶液顏色將從淡黃色透明澄清變化成橘

紅色澄清溶液

(6) 將溶液加入乙醇中以每分鐘10000轉之轉速離心10分鐘數次

即可完成CdSe-OA量子點並保存於己烷中

詳細配製流程如圖227所示

62

CdO and Oleic Acid(OA) were dissolved in 1-Octadecene

Heated to ~205oCuntil the color of solution turn to transparent colorless then the temperature was increased to 280oC

Injection of SeTOP solution and stop heating (in 2 min)

The CdSe nanoparticles were precipitated using EtOH and then kept in hexane

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖

63

262 硒化鎘 (CdSe) 量子點之改質 (Ligand exchange)

(1) 將02 mmol之巰基丙酸(mercaptopropionic acidMPA)溶入30 mL

之甲醇中並以四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium hydroxide

in methanolTMAOH)滴定調整溶液pH值至114

(2) 將溶液置入三頸瓶中於氮氣之環境下加熱至55oC

(3) 將保存於己烷中之硒化鎘量子點加入甲醇以每分鐘10000轉之速

率離心十分鐘重複三次

(4) 取約2 mL之MPA溶液再取40毫克之硒化鎘溶入溶液中再倒回

三頸瓶

(5) 將三頸瓶溫度加熱至65oC並以鋁箔包覆三頸瓶使溶液於黑暗

中反應20小時

(6) 接著將溶液與ethyl acetate以21之比例混合再將混合溶液與

Hexane以11混合以每分鐘10000轉之速率離心十分鐘重複2

至3次即可得到CdSe-MPA之量子點

詳細配製流程如圖228所示

64

02 mmol of MPA was dissolved in 30 mL of anhydrous methanol and pH-adjusted to 114 by addition of TMAOH

Heated to 55degC and than added to a vial containing approximately 40 mg of CdSe

Heated to 65degC and refluxed for approximately 24 hrs under nitrogen gas in the dark

The nanocrystals were isolated by addition of ethyl acetate to induce flocculation

The CdSe nanoparticles were precipitated using methanol

The CdSe nanoparticles were stored in toluene

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖

65

263 量子點敏化電池之組裝

(1)利用與 253 節中相同之方法製備工作電極薄膜並先將工作電

極浸泡純MPA溶液4小時取出後立刻將其浸泡入之前合成之硒化

鎘甲苯溶液靜置一天之後取出先以甲苯沖洗去除未吸附之多

餘奈米粒子再利用乙腈(acetonitrile)清洗工作電極表面靜置乾燥

後即可得已製備完成且吸附量子點之二氧化鈦薄膜電極

(2)再氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑金屬之相對電極之空隙中

再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結合並防止氣泡產生以長尾

夾固定既可完成此三明治結構之量子點敏化太陽能電池

附註

(1) 電解液配製

二甲丙基咪唑碘(dimethyl propyl imidazolium iodide ) 06 M 碘化鋰

(lithium iodide LiI) 01 M 碘 (iodine I2) 005 M 及第三丁基吡啶

tert-butylpryidine (05 M) 溶於乙腈(acetonitrile)中

(2) 染料溶液配製

Solaronix 公司 black dye 02 mM 及脫氧膽酸 (deoxycholic acid DCA)

20 mM 溶於乙醇 (ethanol)中

66

第三章 結果與討論

本研究之重點於利用兩種不同合成方法製備 TiO2Eu3+工作電極

材料並探討其運用於染料敏化太陽能電池之效應前者使用

Ti(OC4H9)4溶膠為合成二氧化鈦之前驅物與 Eu2O3為摻雜 Eu3+來源

以溶膠凝膠法與水熱法合成 TiO2 奈米粒子後者使用商用二氧化鈦

粉末(Degussa P25)為合成二氧化鈦與 Eu(NO3)35H2O 為摻雜 Eu3+

來源直接利用水熱法合成粉末針對兩系列工作電極材料之晶體結

構與光譜特性進行不同目的之階段分析分別敘述如下

第一階段為材料結構鑑定分析

(1-1) X-光繞射光譜儀(X-ray diffraction XRD)

(1-2) 結構精算(Refinement)

(1-3) 掃描式電子顯微鏡(SEM)

(1-4) 穿透式電子顯微鏡(Transmission electron microscope TEM)

(1-5) 氮氣等溫吸附與脫附儀(BET)

第二階段為光譜特性分析

(2-1) 光激發光譜(PL)

(2-2) 拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum)

(2-3) 紫外 ‐可見光擴散式反射光譜 (UV-Vis diffuse reflectance

spectra UV-Vis DRS )

(2-4) X 射線光電子能譜儀(XPS)

(2-5) X-光吸收光譜(X-ray absorption spectroscopy XAS)

第三階段為太陽能電池特性分析

(3-1) 太陽能電池 I-V 曲線效率量測(I-V curve)

(3-2) 入射單色光之光電轉換效率量測(IPCE)

(3-3) 電化學交流阻抗分析(EIS)

67

31 TiO2Eu3+ 材料結構鑑定分析

311 晶體結構分析

天然二氧化鈦為 n 型半導體於分子之結構中屬閃鋅晶格其中

鈦原子具 22 個電子以外圍 3d 軌域之 4 個價電子與氧原子形成共

價鍵 (Covalent Bond)自然界中二氧化鈦以銳鈦礦(Anatase)金紅

石 (Rutile)與板鈦礦 (Brookite)三種結晶組態存在其中最常見與最

廣泛使用的為前面兩種組態後者則極為罕見圖 31 為典型銳鈦礦

(Anatase) 之晶體結構圖屬四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα

=β=γ=90deg其空間群(space group)為 I 41amd其中 I 表體心晶格

(Body centered unit cell)41a 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 41旋移

軸(screw axis)即平行 c 軸旋 360deg4 = 90deg後平移 14 晶軸距離且

於垂直[001]方向具一 a 軸之旋移面(glide plane)m 表垂直[100]或[010]

方向具一鏡面(mirror plane)d 表垂直於[110]或[1-10]方向具一沿 c

軸移動之鑽石射移面(diamond glide plane)而圖 32 為典型金紅石

(Rutile) 之晶體結構圖為四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα=

β=γ=90deg其空間群為 P 42mnm其中 P 表簡單晶格(primitive cell)

42m 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 42旋移軸(screw axis)即平行 c

軸旋轉 360deg4 = 90deg後平移 24 晶軸距離且於垂直[001]方向具一反

射面n 表垂直[100]或[010]方向具一斜角射移面(diagonal glide)末

項之 m 表垂直於[110]或[1-10]方向具一反射面雖此兩種晶相皆是以

TiO6八面體鍵結而成然而 Ti-TiTi-O 鍵長與氧鍵結數不同等差異

造成兩相之質量密度(mass density)與電子組態皆相異

68

圖 31 TiO2銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖

圖 32 TiO2金紅石(Rutile)相晶體結構圖

69

3111 TiO2Eu3+ (TBT 系列) XRD 分析

此系列工作電極粉體以溶膠凝膠法與水熱法進行合成並添加

銪(Eu)為活化劑其主體晶格為二氧化鈦(TiO2)如圖 33 所示為 TBT

系列 TiO2Eu3+之 XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu含量自 x = 0 增

至 x = 005於 X-光繞射圖譜得知隨 Eu 濃度增加粉體皆呈現 TiO2

銳鈦礦 (Anatase) 之相若以離子半徑大之原子取代於主體晶格中原

子半徑小之原子故主體晶格將擴張其面間距(d)增加並根據布

拉格繞射公式 2 sind nθ λ= 可知繞射角度(θ)亦減小於圖 33 XRD

圖譜中銳鈦礦繞射面(101)之主繞射峰並無位移初步判斷為低濃

度取代之緣故而較多數文獻(80)之論點則因 Eu3+之離子半徑約為 108

Aring而 Ti4+之離子半徑約為 068 Aring兩種離子半徑差異頗大造成利

用溶膠-凝膠法與水熱法等軟性合成法並不易將 Eu 直接取代 TiO2 晶

格中 Ti 之位置故無法於使二氧化鈦晶格擴張此論點於 GSAS 結

構精算結果中將再次討論

20 30 40 50 60

A(211)A(105)A(200)A(004)

Ti1-xO2Eux (TBT)

JCPDS089-4921

x = 0015

2 θ (degree)

Inte

nsity

(au

)

x = 0

x = 00075

x = 002 x = 0025 x = 003

x = 004

x = 005Anatase

A(101)

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜

70

為計算合成粉體之粒徑大小根據晶體學 Scherrer equation(如式

31) (81)其中 D 為粒徑大小 (crystal grain size)k 為無單位常數 09

λ為 Cu Kα1之波長 015405 nmβ為圖譜中最強之繞射峰(101)之半高

寬θ為繞射角度 254o之半

coskD λ

β θ= (31)

計算不同 Eu 摻雜量其粒徑大小分布如圖 34 所示顯示隨著 Eu 摻雜

量增加粒徑大小隨之縮小至 x = 004 時達至飽和穩定研判為

Eu3+雖難取代 TiO2 中 Ti4+位置卻可能於晶格表面或空隙中形成

Eu-Ti-O 鍵結進而限制其晶格成長(82)而觀察此 TBT 系列粒徑分布

由 9~20 nm 範圍屬微小奈米粒子形成微小粒徑之因可由生成機制

說明此系列樣品由溶膠凝膠法將鈦酸四丁酯 (Tetrabutyl titanate) 水

解形成加入硝酸使生成環境處於 pH 小於 2故此過程須將鈦醇前

驅物於酸催化下水解縮合而成而三維聚合體骨架 (polymeric

skeletons) 於低含水與低水解速率下將由於 Ti-O-Ti 之鍵結逐漸形成

而更緊密堆積因此造成微小奈米粉體之形成(8384)

-001 000 001 002 003 004 005 0068

10

12

14

16

18

20

22

1027978

13241439

16781722

1934

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

) Ti1-xO2Eux(TBT)

2176

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖

71

為更進一步瞭解稀土離子摻雜進入二氧化鈦後之確切晶體結構

與精細結構變化本研究利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進

行結構精算精算過程中以 ICSD-93098 為起始模型此為空間群

I 41amd 之銳鈦礦 TiO2各原子之熱振動參數設定為等方向性

(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為 1且相同格位之

原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖 35 為 TBT 系列

Ti097O2Eu0033+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構精算所獲得之

XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理論擬合曲線

下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置以及下方藍

色實線表為理論值與實驗值之誤差

由 GSAS 結構精算結果得知如表 31a 所列TBT 系列 Eu3+

摻雜 TiO2結構之空間群仍屬於 I 41amd其中 Eu3+取代四配位之 Ti2+

位置較為合理其信賴指數為 χ2 = 237Rwp = 598與 Rp = 482

可得知樣品之結晶性良好其晶型之結晶程度好壞對往後染料敏化太

陽能電池光電轉換效率之優劣有決定性之影響晶格參數為 a = b =

37835 (6) Aring 與 c = 94945 (17) Aring晶格體積為 13591(4) Aring3根據

Vegard(85)定律固態材料因摻雜不同大小離子半徑之元素使其結構

產生膨脹(expansion)或壓縮(compression)效應而直接影響其晶格大

小與體積之變化根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較(表

31b)晶格體積並無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之

Eu3+離子(095 Aring)難以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與上述 XRD

結果吻合

72

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

圖 35 TBT 系列 Ti097O2Eu0033+粉體 X 光繞射結構精算圖

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

0000000

0000000

0245966

0338408

-0023401

0182541

1000000

1000000

261

382

Space group I 41amd (tetragonal) Cell Parameter

a = b = 37835 (6) Aring c = 94945

(17) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13591(4) Aring3

Reliability Factors χ2 = 237 Rwp = 598 Rp = 482

73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參數

Eu

ratio(x) a(A) b(A) c(A) Volume(A) Rp() Rwp() χ2

0 37809(18) 37809(18) 94795(9) 13551(16) 51 61 20300075 37805(18) 37805(18) 94796(9) 13548(16) 53 66 2270015 3790723) 3790723) 94839(11) 13628(20) 72 85 239002 37806(33) 37806(33) 94737(17) 13540(29) 62 75 2450025 37805(12) 37805(12) 94420(23) 13495(7) 52 61 185003 37835 (6) 37835 (6) 94945(17) 13591(4) 48 60 237004 37868(5) 37868(5) 94868(15) 13604(34) 63 79 279005 37772(24) 37772(24) 95012(6) 135557(15) 42 52 184

3112 TiO2Eu3+ (P25 系列)

此系列工作電極粉體為利用水熱法合成以添加銪(Eu)為活化

劑其主體晶格為二氧化鈦如圖 36 所示為 P25 系列 TiO2Eu3+之

XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu自 x = 0 增至 x = 01於 X-光繞

射圖譜得知隨 Eu 濃度增加與前一 TBT 系列比較不同之處為粉體

所呈現為 TiO2 銳鈦礦(Anatase)與金紅石(Rutile)兩項共存(之後亦利

用結構精算驗證此結果)其中以銳鈦礦(Anatase)所佔比例為多數

爾後分析將針對兩項比例作計算依據圖 36不同 Eu3+摻雜量之系

列樣品並無發現明顯之 Eu2O3或 Eu 與 Ti 複合氧化物之繞射峰出現

此為由於 Eu3+均勻分散於 TiO2晶體之表面所致(86)其主相 anatase 於

(101)處之繞射峰亦無明顯位移產生其為離子半徑差異較大之因

研判 Eu3+並無直接取代 TiO2晶格中 Ti4+之位置以 Scherrer equation

計算之粒徑大小分布如圖 37 所示文獻(87)曾報導由於金紅石(Rutile)

晶體結晶性較銳鈦礦(Anatase)為差也因此粒徑相對較小本實驗經

過 Eu 摻雜後之樣品雖將提高銳鈦礦(Anatase)相之比例(將於後文說

74

明)但由圖 37 可得知此兩相比例差異之影響對於晶格成長之限制不

大初步判斷為此系列以商用粉 P25 為前驅物進行水熱法過程中

摻雜之 Eu3+座落於晶體表面主晶體二氧化鈦並不會進行分解

(decompose)再結晶

20 30 40 50 60

R(1

01)

R(1

10)

A(1

05)

A(2

11)

A(2

00)

A(1

12)

A(1

03)

A(1

04)A

(101

)

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

x = 0

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0025x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015Anatase

Rutile

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜

000 005 010 015 0208

10121416182022242628

238237236238246248

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

)

Ti1-xO2Eux(P25)

253

圖 37 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布

75

本系列亦利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進行兩相結構

精算精算過程中銳鈦礦(Anatase)以 ICSD-202243 為起始模型而

金紅石(Rutile)則以 ICSD-202241 為起始模型各原子之熱振動參數

設定為等方向性(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為

1且相同格位之原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖

38 為 P25 系列 Ti09O2Eu013+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構

精算所獲得之 XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理

論擬合曲線下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置

以及下方藍色實線表為理論值與實驗值之誤差由 GSAS 結構精算結

果如表 32 所列P25系列 Eu3+摻雜 TiO2結構之空間群屬於 I41amd

之銳鈦礦與 P42mnm 之金紅石兩相共存其精算信賴指數為 χ2 =

185Rwp = 61 與 Rp = 52 銳鈦礦之晶格參數為 a = b = 37850

(33) Aring 與 c = 94950 (9) Aring晶格體積為 13603 (21) Aring3 金紅石之晶

格參數為 a = b = 45867 (0) Aring 與 c = 29540(0) Aring晶格體積為 6215

(0) Aring3根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較晶格體積亦

無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之 Eu3+離子(095 Aring)難

以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與 XRD 結果吻合亦與 TBT

系列結果相同

藉由 XRD 分析並根據 Spurr 與 Myers 所發展之理論(88)銳

鈦礦(Anatase)特徵峰A (101)與金紅石(Rutile)特徵峰R(110)兩結

晶面之強度可計算出異相態比例由方程式32a與32b

(32a ) 1

(1 08( ))RXA RI I+

=

1A RX X= minus (32b )

式中XA 為銳鈦礦之重量百分比XR 為金紅石之重量百分比IR 為

76

金紅石 X-ray 於(110)之繞射峰強度IA 為銳鈦礦X-ray 於(101) 之

繞射峰強度由此式計算出此系列樣品之兩相比例與利用 GSAS 結

構精算後得出之兩相比例比較如表33所示可知藉由兩種計算方法

所得之結果相近未經 Eu 摻雜之樣品(x = 0)所得銳鈦礦與金紅石之

重量百分比與一般文獻所記載此系列合成前趨物 Degussa P25 二氧

化鈦之兩相重量百分比(銳鈦礦75 金紅石25 )(89)接近而透過 Eu

之摻雜具效提升銳鈦礦之重量百分比此與 Setiawati 等人(90) 於期

刊中發表透過稀土元素(EuSm)之摻雜於高溫燒結過程中將有

效抑制金紅石相之生成進而增加銳鈦礦之穩定性之結果吻合以染

料敏化太陽能電池而言使用銳鈦礦晶相小粒徑高比表面積之

TiO2 粉末較有利於製造多孔薄膜電極時表現出高光電轉換效率

之特性而由於一般商業二氧化鈦粉末於高溫 (約700至900oC) 時會

產生相變(Anatase變至Rutile)因此於塗佈多孔薄膜工作電極後固

化之燒結溫度應避免高於轉相溫度

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

77

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

Ti

O

0000000

0000000

0000000

0304690

0250000

0250000

0000000

0304690

0375000

0170031

0000000

0000000

1000000

1000000

1000000

1000000

241

184

250

250

Space group (A) I 41amd (tetragonal)

(R) P 42mnm (tetragonal)

Reliability Factors χ2 = 185 Rwp = 61 Rp = 52

Cell Parameter

(Anatase)

a = b = 37850 (33) Aring c = 94950

(9) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13603 (21) Aring3

(Rutile)

a = b = 45867(0) Aring c = 29540(0) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 6215 (0) Aring3

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果

Ti1-xO2Eux3+ x=0 x=0025 x=005 x=0075 x=01 x=0125 x=015

Anatase(wt ) 751 817 849 839 853 836 849

Rutile(wt ) 249 183 151 161 147 164 151

Anatase(wt

)

753 824 853 835 849 834 847

Rutile(wt ) 246 176 147 165 151 166 153

GSAS refinement results

78

312 晶體表面形貌分析

3121 SEM 與 TEM 粉體形貌分析

此部分討論透過掃瞄式電子顯微鏡與穿透式電子顯微鏡觀察所

合成粉體之表面形貌以及粒徑大小分布將結果與 XRD 與 BET 所得

結果作比較如圖 391 (a)~(b)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+中 x = 0 以及

x = 003 之 SEM 影像由圖中可察覺所合成樣品皆為無孔洞表面光

滑之粉體與文獻中(89)未製成工作電極前之二氧化鈦形貌相符透過

Eu 摻雜改質後相較於未摻雜樣品粒徑似乎有縮小之趨勢此與 XRD

所得結果吻合而相較於 TBT 系列圖 392(a)~(d)顯示 P25 系列於

不同 Eu 摻雜量時之粉體 SEM 圖由圖中顯示樣品仍為無孔洞表

面光滑之粉體然而透過 Eu 之摻雜粒徑大小並無明顯改變約略

於 23~25 nm 之間此與 XRD 所計算出結果相符

但若欲進一步測量其準確粒徑分布須透過TEM量測放大倍率作

觀察圖310(a)~(f)為TBT系列 Ti1-xO2Eux3+ 中 x = 0~004 之TEM

影像由圖中可察覺粉體顆粒大小均勻形狀近似圓球狀影像中

並無顯示類似之添加稀土金屬晶相結果皆與SEM吻合其由於TEM

影像中顏色較深暗之部分表示本實驗所配製之粉體具聚集堆積之

情形推測可能為此TEM實驗製備方法中只單純將粉體分散於純乙醇

內並無額外加入任何分散劑而造成粉體顆粒產生團聚現象因此

由圖中所觀察之粉體大小可能為二次粒徑但由於系列樣品中其隨

著Eu3+摻雜量增加可明顯觀察至其粒徑亦隨之變小此結果將配合

BET之結果加以討論

79

(b) (a)

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+SEM 圖放大倍率皆為 100k圖(a)為

x = 0圖(b)為 x = 003

80

(b) (a)

(d)

(c

圖 392 (a)~(d)為 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為

100k圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)為 x = 015

81

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(a) (b)

(c) (d)

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(f) (e)

20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm

圖 310 (a)~(f)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+TEM 圖放大倍率皆為 200kx

(a) x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f) x = 004

82

3122 氮氣等溫吸附與脫附分析(Brunauer -Emmett-TellerBET)

31221 TBT 系列粉體 BET 分析

分析所合成之工作電極粉體其表面形貌以及比表面積分布本研

究針對樣品進行氮氣等溫吸附與脫附分析氣體吸附法測定比表面積

之原理為依據氣體於固體表面之吸附特性於一定之壓力下被測

樣品顆粒(吸附劑)之表面於超低溫下對氣體分子(吸附質)呈現可

逆之物理或化學吸附作用於某一壓力下其存在相對應之平衡吸附

量通過測定出該平衡吸附量並藉由理論模型以等效求出被測樣品

之比表面積由於實際顆粒外表面之不規則性嚴格來講該方法測

定之結果為吸附質分子所能到達之顆粒外表面與內部通孔總表面積

之和

圖 311(a) ~ (g)為 TBT 系列樣品針對不同 Eu 摻雜濃度之工作電

極粉體所測之 BET(Brunauer-Emmett-Teller)等溫吸附法之結果藉由

遲滯迴圈之範圍及形狀可輔以判斷孔空形狀與大小此系列樣品之氣

體吸附曲線依 IUPAC 定義於 x = 0即無 Eu 摻雜時由於其於高

相對壓力(relative pressure PsPo)時遲滯迴圈不明顯故推測屬於第

二型第二型通常為無孔材料或孔徑較大之材料配合 SEM 圖判斷

應為無孔材料顯示合成之粉體其表面光滑完整而隨著 Eu 之摻雜

量之增加氣體吸附曲線於高相對壓力出現些微遲滯迴圈現象推測

屬於第四型中孔洞材料但由 SEM 判斷粉體仍無中孔洞材料現象

為完整平滑之粉體初步判斷造成中孔洞原因為粉體堆疊時所產生之

空隙造成且遲滯迴圈較為垂直故應為規則之球體陣列間孔洞造

成而經由 BET 程式計算此 TBT 系列樣品之比表面積顯示隨著

Eu 含量之增加其比表面積亦隨之增加於 Eu 摻雜量至 x = 004 時

達至飽和此結果與 XRDTEM 結果吻合隨著 Eu 含量之增加

83

由於粒徑因為 Eu-Ti-O 鍵結產生造成晶體成長受限而隨之粒徑變

小因此造成比表面積隨之增加圖 312 為 Eu 不同摻雜量與比表面

積之關係圖

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0015)

V

olum

e ad

sorb

ed (c

m3

g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=002)

Absorption process Desorption process

(c)

84

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=003)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(d)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=004)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

050

100150200250300350400450500

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=005)

Absorption process Desorption process

(e)

(f)

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖

85

000 001 002 003 004 00570

80

90

100

110

120

130

140

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

789

9821027

1076

1328

1266

圖 312 TBT 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

31222 P25 系列粉體 BET 分析

圖 313 為 P25 系列樣品於不同 Eu 摻雜濃度下所測定 BET

(Brunauer -Emmett-Teller)等溫吸附法之結果與 TBT 系列比較依

IUPAC 之定義配合 SEM 與 TEM 之結果此系列樣品仍為無孔洞

之奈米材料且其高相對壓力處遲滯迴圈之形狀與 P25 標準圖譜相

近可判斷於此系列中經由 Eu 之摻雜後於表面形成之 Eu-Ti-O 之

鍵結較弱因此限制晶格成長現象較不明顯此結果與 XRD 粒徑大

小分布趨勢吻合

86

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPO)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0075)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=015)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

(c)

圖 313 (a)~(c) P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之 BET 圖

87

000 005 010 015

0

10

20

30

40

50

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

333

477 509

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

32 TiO2Eu3+ 粉體光譜特性分析

3211 光激發光譜分析(PL)

以 Eu3+作為活化中心之紅色螢光粉研究已屬豐碩而藉由主體晶

格之變異進而整齊發光特性而先前亦具 Eu3+摻雜入 TiO2 之研究

但多數為薄膜製程以探討其光電與觸媒特性本研究亦透過光激發

光譜之分析藉以探討不同 Eu3+濃度摻雜之粉體其發光特性與機制

Zou 等人(91)於 2006 年之研究指出由於其間接傳遞之特性TiO2

之塊材(bulk)於室溫下並無放光僅於 77 K 時於 500 nm 處具微

弱放光習知 Eu3+離子之激發光譜具以下三種特徵第一種為主體晶

格吸收以 Y2O3 Eu3+為例於激發波長(≦230 nm) 存在 Y2O3之主

體晶格吸收第二種為電荷轉移躍遷(charge transfer transition)為

Eu3+-O2-之間電荷轉移所產生之躍遷其常為寬帶譜此特徵峰一般

88

介於 250 ~350 nm(92 - 94)第三種為 f-f 軌域之躍遷此為 300~500 nm

之間 Eu3+離子之 4f 軌域相互躍遷所造成之特徵吸收峰如圖 315 所

示為摻 Eu3+離子之 TiO2光激發光譜圖與放射光譜圖於 612 nm 作

放射波長下之激發光譜中最強吸收峰為 394 nm其為 7F05L6軌域

電子躍遷其中由左至右亦包含 7F016D4(384 nm)7F0

5G2(380

nm)7F05D3(414 nm)7F0

5D2(464 nm)之吸收峰值故吸收峰皆為

4f 軌域之內層電子躍遷(95)並無上述之主體晶格吸收或電荷轉移等

現象其乃因 Eu3+-O2-之間共價性太低但電荷轉移所需能量太大

故不易發生再者因電荷轉移吸收帶與主體晶格能隙重疊故產生

能量移轉電荷轉移吸收帶吸收之能量移轉至主體晶格爾後以非發

光形式釋放

於 394 nm 激發並測其放射光譜最強之放射波長為 612 nm隨

濃度改變此一最強放射峰值並無任何改變此為 5D07F2軌域電子躍

遷且三價稀土離子佔據晶格之非對稱中心時非對稱中心之晶格場

對 J = 0 2 之躍遷特別敏感故此躍遷亦稱為強制電偶極躍遷(forced

electric-dipole transition)而磁偶極躍遷(magnetic-dipole transition)一

般不受發光中心周圍結構對稱性之影響5D07F1即屬於此類自左

至右分別為 5D07F0(580 nm)5D0

7F1(592 nm)5D07F4(652 nm)

觀察激發放射光譜圖 315 之放射峰皆為 5D07FJ之電子躍遷即自激

發態之最低能階躍遷至基態而無較高能能階激發態之躍遷其乃複

合聲子弛緩過程(multiphonon relaxation process)(96)所致

89

350 400 450 500 550 600 650 700

00

30x106

60x106

90x106

12x107

15x107

5DJ-7FJ

414

(7 F 01

-6D

3 )

384

(7 F 01

-5 Gj5 L

7)

535

(7 F 01

-5 D3

)

394

(7 F 01

-5 L6 )

λem= 612 nm

464

(7 F 01

-5 D2 )

592

(0-1

)58

0 (0

-0)

652

(0-4

)

Ti097O2 Eu0033+

612

(0-2

)

λex= 394 nm

Inte

nsity

(au

)

Wavelength(nm)

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖

由於本研究為藉由經由工作電極摻雜 Eu3+而使其放紅光並給與

染料吸收以加強其效為提供染料 Black dye 更多之紅光可利用 Eu

摻雜濃度對於發光強度之關係加以討論由圖 316 中可發現 TBT 系

列中隨著 Eu3+離子摻雜濃度由 x = 0 變化至 x = 005其發光強度隨

活化中心 Eu3+濃度增加而增強爾後摻雜濃度高於 x = 003 時強度

卻隨逐漸衰減而 P25 系列中最高發光強度時之摻雜量則為 x = 01

時 此現象為濃度淬滅效應(concentration quenching)所造成此淬減

效應產生可能因素有二

(1) 自身吸收(self-absorbing)或自消光(self-quenching)效應如同液態

螢光之現象固態溶液於高活化中心濃度時吸收物種平均距離縮減

90

使活化中心產生之螢光為另一活化中心所吸收致使發光強度減弱

(2) 能量傳遞至非放光中心 使能量損耗導致發光效率降低

Frindell 等人(97)所發表之文獻中將 Eu 摻雜入非結晶相 TiO2薄膜所

形成非傳統之發光性薄膜其觀點為放光來源為 Eu-Eu 離子間之能

量傳遞其放光濃度淬滅效應與本研究之觀點一致皆為自消光所造

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖

圖 317 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL 光譜圖

500 550 600 650 700

00

20x106

40x106

60x106

x(content)

Ti1-xO2Eux(P25)

0150125

010075

0050025

0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 464 nm

500 550 600 650 700

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

Ti1-xO2Eux(TBT)

005004

0030025

0020015

00075 0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 394 nm

91

而圖 319 與圖 320 分別為兩系列不同 Eu 摻雜量激發光譜(PLE)

之比較可觀察 TBT 系列樣品於 612 nm 作放射波長下最強吸收

峰為 394 nm其次為 464 nm然而對於 P25 系列反而最強吸收峰

為 464 nm394 nm 峰值相對減小甚大為解釋此現象可由圖 318 之

發光機制圖說明當 TiO2 Eu 照光時對主體晶格 TiO2與活化劑(Eu3+)

皆會受光激發電子當 TiO2吸收波長小於 394 nm 之入射光時光電

子快速傳遞至 Eu3+晶格場分裂能階中進行非輻射緩解至各能階進行

放光其中至 5D0後回至 7F0即產生波長 612 nm 之最強放光由於

次共價陽離子 Eu 之摻雜造成主體晶格於價帶與傳導帶間形成一受

限態(trapped state)提供激發光電子一停留之暫態因此若吸收例如

394464 nm 等波長亦會產生復合放強光或非輻射緩解(虛線)

由放射光譜(PL)可知 P25 系列於最強放光 612 nm 處之發光強度明顯

小於 TBT 系列因此可說明 P25 系列受 394 nm 入射光子量極少吸

收機率減小而致使放射光強度減弱故可說明 394 nm 峰值相對減小

之因

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖

92

300 330 360 390 420 450 480 510 540

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

λem = 612 nm

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

000075

0015002

0025003

004005

PLE

圖 319 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE 光譜圖

330 360 390 420 450 480 510 540

00

20x106

40x106

x(content)

λem= 612 nm

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

00025

0050075

010125

015

PLE

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux

3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖

93

3212 臨界距離與能量轉移機制

根據 Dexter 與 Schulman(98)所提出之濃度淬滅效應(concentration

quenching effect)由圖 316 隨 Eu3+離子濃度逐漸增加時其發光強

度亦逐漸增加於 x = 003 時發光強度達至最高值爾後再添加過

量之活化中心(x>003)導致 Eu3+離子彼此間之距離縮短促使 Eu3+

-Eu3+離子對(ion pair)形成並隨摻雜濃度增加而增加使發光能量於

Eu3+-Eu3+離子對內傳遞以非輻射緩解方式消失其發光強度逐漸衰

減此外可利用 Blasse 等人(99)所提粗略計算添加相同之活化中心於

主體晶格內藉由結構精算所得晶格參數推知其發生能量轉移之臨界

半徑(critical radiusRc)

1 3

c3R 2

4 c

Vx Nπ

⎡ ⎤asymp ⎢ ⎥

⎣ ⎦ (33)

式 33 中V 為單位晶格之體積xc 為活化中心之臨界濃度N

為單位晶格中陽離子所占有之個數

臨界半徑乃於臨界濃度(critical concentration xc)時發光中心傳

遞至非放光中心之最小平均距離於本研究中調變 Eu3+離子之濃度

(x = 0~005)其強度最大值發生於 x = 003即為 xc值並利用結構

精算得此樣品之單位晶格體積為 13591(4) Aring3於每一單位晶格中

此 TBT 系列銳鈦礦向為四方晶系故每單位晶格中之 Ti4+ 離子(同為

活化中心之取代位置)所占有之個數為 1 個即 N = 1經計算結果可

得 Rc值約為 205 Aring以相同方法計算 P25 之樣品其 xc = 01單位

晶格體積 V 為 13603(16) Aring3經計算結果可得 Rc值約為 137 AringP25

系列之臨界半徑較 TBT 系列短之原因為合成過程中摻雜元素晶體

長成之差異造成 P25 系列樣品粒徑較大Eu3+與 TiO2 之鍵結強度

較小因此於活化中心間傳遞電子之距離須更小以達濃度淬滅效應現

94

象發生

綜合上段文中所述Ti1-xO2 Eux3+螢光粉之濃度淬滅效應乃因

其發光能量於 Eu3+-Eu3+離子對(ion pair)內傳遞而淬滅本研究將探

討其能量轉移機制

Ozawa(100)等人與 Wang(101)等人於文獻中指出此複合極矩交互作

用與活化中心濃度與其發光強度具一關係式

1 31 ( )QI K x

minus⎡ ⎤= +⎣ ⎦ (34)

式中x 為活化中心濃度I 為發光強度Q = 68 與 10 分別對

應為偶極-偶極(dipole-dipole)偶極-四極(dipole-quadrupole) 與四極-

四極(quadrupole-quadrupole)交互作用K與 β為對應主體晶格之常數

圖 321為Ti1-xO2 Eux3+

(x = 0~005)樣品以 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)

作圖圖中可觀察為一線性關係其擬合(fit)線之斜率為 -062經由

上述關係式之計算後可得 Q 值為 486近似於 6故由此結果可推論

本研究二氧化鈦摻雜 Eu3+離子之濃度淬滅效應主要乃以偶極-偶極交

互作用(dipole-dipole interaction)所致

-22 -20 -18 -16 -14 -12

83

84

85

86

87

88

89

log

( Ix

Eu3+

)

log (xEu3+)

Ti1-xO2Eux3+

Slope = -06195

圖 321 Ti1-xO2 Eux

3+之 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)關係圖

95

322 拉曼散射光譜分析 (Raman scattering spectrum)

3221 TBT系列粉體拉曼散射光譜分析

拉曼散射光譜為量測材料之鍵結狀態非常普遍之方法其原理為

利用光子與樣品中之聲子之間之交互作用量測晶體中之各種振動模

式包括了分子內之振動與晶格振動因此當樣品中晶格變化極微小

時亦能藉由拉曼散射光譜儀觀測於材料晶相結構之鑑定拉曼光

譜亦提供一材料結構與鍵結組態之特徵可與 X 光繞射圖譜互為印

證根據 Balachandran 與 Eror 報導(102)銳鈦礦(Anatase)具六種

Raman active 振動模式(vibrational modes)A1g + 2B1g + 3Eg 金紅石

(Rutile)具四種 Raman active 振動模式A1g + B1g + B2g + Eg由圖 322

中 TBT 系列之拉曼光譜於 146398518 和 641 cm-1 處其顯示二

氧化鈦晶相之特徵散射峰值分別對應銳鈦礦中 Eg A1gB1g Eg

之振動模態(Vibration Mode) (103 104)且 146 cm-1處之散射峰較尖銳

指出粉體之結晶性佳並與 XRD 結構精算之結果吻合另外此系

列中並無發現金紅石之散射峰出現顯示 TBT 系列樣品為銳鈦礦之

純相此與 XRD 之結果吻合

藉由 146 cm-1處 Eg振動模態之散射峰作觀察可知經由 Eu 摻雜

後其繞射峰具往高波數位移之現象有文獻指出(105 106)當二氧化

鈦於晶體結構中之氧空缺(oxygen vacancy)增加時將增加銳鈦礦於

146 (Eg) cm-1之波數因此研判本系列樣品經由 Eu 之摻雜均增加粉

體晶體中氧空缺爾後 X 光吸收光譜將更進一步討論而 Choi 等人

(107)於銳鈦礦之二氧化鈦中以體積收縮效應 (volume contraction effect)

解釋由於粒徑縮小而使晶粒之徑向壓(radial pressure)變小因此造成

鄰近原子鍵結與振動強度改變使繞射峰有往高波數位移之現象

96

100 200 300 400 500 600 7000

1

2

3

4In

tens

ity (a

u)

Raman shift (cm-1)

148(Eg)

146(Eg)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0015

x = 0

x = 002

x = 0025

x = 003

x = 004

x = 005

398(B1g) 518(A1g)641(Eg)

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

97

3222 P25系列樣品拉曼散射光譜分析

本實驗亦將 P25 系列樣品進行拉曼散射光譜之分析如圖 323

所示 P25 系列之拉曼光譜於 146398518 與 641 cm-1 處出現二

氧化鈦晶相之拉曼散射峰值與 TBT 系列相似分別對應銳鈦礦中

Eg A1gB1g Eg之振動模態(Vibration Mode) 然而 P25 系列樣品

於未摻雜 Eu 時(x = 0)時於 454616 cm-1 處出現分別對應於 Eg

A1g 振動模式之金紅石特徵散射峰出現此金紅石特徵峰之因主要

是由於 x = 0 之樣品存在重量百分比約 25 之金紅石晶相結構隨著

Eu 濃度之增加於 x = 0025 時 454 cm-1之特徵峰已消失而當摻雜

濃度大於 25 mol (x = 0025) 時粉體皆呈現銳鈦礦之拉曼特徵

峰此與 XRD 結論吻合由於稀土元素之摻雜抑制燒結過程中銳

鈦礦轉變成金紅石之現象於最強散射峰 146 cm-1處 Eg振動模態之

散射峰分析可知經由過 Eu 摻雜此繞射峰亦具往高波數位移之現

象然而總括兩系列樣品於此散射峰之位移現象皆不顯著主要乃因

摻雜稀土元素之量過少因此造成主體氧空缺不足以造成明顯之波數

位移現象(108)

98

100 200 300 400 500 600 700

R-616(A1gR-454(Eg

))

147 Eg( )

146(Eg)

641(Eg)518(A1g)

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

(au

)

Raman shift (cm-1)

x = 0025

x = 0

x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015

398(B1g)

圖 323 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

99

323 紫外-可見光擴散式反射光譜分析(UV-Vis DRS)

3231 TBT 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

二氧化鈦為一具半導體特性之物質且為一直接能隙之 n 型半導

體經由紫外光之照射使其表面電子電洞分離純相之二氧化鈦

其價帶與導電帶之能量差(即能隙大小)約為 32 eV相當於 380 nm

光波長之能量經由愛因斯坦發展光電理論之計算能量約座落於紫

外光範圍言下之意為必須透過紫外光激發始將其電子與電洞分離

進而能夠顯現觸媒之催化活性或光電特性然而許多學者於二氧化

鈦之製備過程中添加不同比例之過渡元素金屬離子研究發現可改變

二氧化鈦之光激發特性本研究為透過於二氧化鈦中摻雜鑭系金屬

Eu並透過不同比例之添加期望藉以改善其光激發特性在此透過

紫外可見光擴散式反射光譜分析兩系列所合成 Ti1-xO2 Eux粉體其特

圖 324 為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 之紫外-可見光擴

散式反射光譜顯示未摻雜 Eu 樣品(x = 0)於圖譜短波長約 332 nm 處

具強吸收帶顯示 Ti 以四方晶系之 Ti4+ 存在於晶格中此吸收帶為

將價帶 O-2p 軌域之電子激發至傳導帶 Ti-3d 軌域(109 110)而經由 Eu

之摻雜此系列樣品吸收邊緣延長至較長波長約 400 處此現象於一

般半導體中若具雜質(impurity)或缺陷(defect)態存在即會由於其

本質傳遞而具極強之吸收(111)於本研究中Eu 離子即扮演此雜質之

角色將改變二氧化鈦之晶格環境且由XRD之結論可知由於Eu (III)

之離子半徑遠大於 Ti (IV)之離子半徑因此難藉溶膠-凝膠法與水熱

法等合成將之取代故經過摻雜之二氧化鈦形成一新相化合物此新

相化合物具兩種特性(1) 經過 Eu 摻雜後之二氧化鈦之能隙變小(2)

吸收邊緣延長至較長波長因此較低能量之入射光子即可被利用此

100

現象於圖 324 中特徵譜線紅位移現象中可證實Saif 與 Mottaleb 於

文獻中(110)亦說明鑭系正離子為電子清除劑(electron scavenger)之角

色進而影響主體之發光與光觸媒特性

200 250 300 350 400 450 500

x = 004

Ti1-xO2Eux(TBT)

F(R

)

Wavelength (nm)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

x = 0Red shift

圖 324 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS 光譜

進一步計算此系列樣品之能隙大小評估添加Eu後對光觸媒之光

吸收特性之影響最常以Schuster-Kubelka-Munk 理論方程式並配合

漫反射光譜以估算材料之能隙值擴散式反射光譜儀所利用Schuster

-Kubelka-Munk 理論(112 113)多應用於鋪陳較厚之粉體其中假設無規

則之反射光束粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚度適

用其公式如下

2(1 ) ( )( )2

R kF RR s( )

λαλ

infininfin

infin

minus= = = (35)

101

其中 k 為樣品之吸收係數s 為散射係數一般量測與標準品

相對之反射值 Rinfin 即 refR R Rinfin = 而非量測絕對值之反射值其

中本實驗之 refR 為硫酸鋇 (BaSO4) 之反射係數而若考慮s與波長λ

弱相關之因素則 ( ) F R k sα infin= = 於窄範圍內可正比於吸收以

1

[ ( ) ]F R h ηυtimes 對 hυ 作圖(KM圖)可用以得到材料之能隙值於 KM

圖中hυ 為入射光子之能量而指數η則是由因光子吸收情形造成材

料光吸收範圍之轉移形式決定(114)本研究中粉體特性利用 KM 圖

(指數η =2)可以得到一線性關係藉由此圖形以線性外插法可精確地

求得材料之能隙值計算此系列樣品 Eu 之摻雜量增加後其能隙大

小之趨勢為329326324322314312 eV呈現縮小之現象

Tanner等人(115)提出將稀土元素Er3+摻雜入α-Al2O3中其中Er3+之離子

半徑仍遠大於主體晶格中之Al3+難以取代其晶格位置研判於低濃度

摻雜時形成一新化合物ErAlO3且隨著摻雜濃度增加其能隙亦有

縮小之趨勢而Umebayashi等人(116)將V Cr Mn Fe Co等金屬元素摻

雜入TiO2 後一電子填滿態形成於價帶頂端與傳導帶底部之間且

隨著摻雜量增加此局部填滿態(localized occupied level)將向低能量

位移造成能隙縮小故可研判本實驗中經過 Eu 摻雜之樣品其

能隙調整為Eu3+ 3d所形成之軌域與O-2p 軌域所混成之頂端(價帶)

至Ti4+ 3d 軌域之底部(導帶)因此造成能隙縮小將此與Rengaraj等

人之研究結果吻合(117) 在此將Eu摻雜後之可見光激發過程示於圖

327中

102

25 30 35 40

[F(R

)hν

]12

hν (eV)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算圖

000 001 002 003 004310312314316318320322324326328330

312314

322324326

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

329

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖

103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖

3232 P25 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

而針對 P25 系列樣品同樣可藉紫外-可見光擴散式反射光譜圖

分析如圖 328 中亦發現隨著 Eu 之摻雜濃度增加樣品之反射光

譜線與前趨物 Degussa P25 相近且吸收邊緣亦具紅位移現象然而

相較於 TBT 系列其吸收譜線卻較為狹窄對於光觸媒之利用較為

不利且此系列粉體亦藉由 Schuster - Kubelka-Munk 理論計算其能隙

大小由於 Eu 摻雜造成能隙縮小之現象較不如 TBT 系列顯著推論

由於合成方法與前趨物不同所致其造成樣品形成結晶之結果不同

且 Eu 於 P25 系列粉體中與 O 軌域之混成程度不如 TBT 系列

104

250 300 350 400 450 500

00

02

04

06

08

10

12

x = 015F(R

)

Wavelength (nm)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

x = 0

Red shift

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜

25 30 35 40

[F

(R)

hν]1

2

hν(eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖

105

00 01 02300302304306308310312314316318320322

310312

317

313

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖

324 X 射線光電子能譜儀(XPS)

本研究藉由 X 射線光電子能譜儀探討粉體之能階性質其乃藉

由光電效應將某能階之電子激發而成為光電子藉由分析此些光電子

之能量進而得知束縛能獲得關於表面元素組成以及元素之化學環

境狀態由於本實驗以 Eu 摻雜入主體二氧化鈦中由 XRD 精算結

果顯示即使 Eu 摻雜量增加其晶格體積並無擴張趨勢基於 Eu3+與

Ti4+之離子半徑之差異初步判定Eu並未取代二氧化鈦晶格中Ti4+ 之

位置由於稀土原子與主體晶格鍵結成一化合物時其化合物之結合

能明顯會與純原子時不同其內核層電子之束縛能亦會有不同之變

化即一般之化學位移 (Chemical Shift)其所造成之能譜位移可用

以區分不同氧化態之元素

利用 XPS 分析 Ti1-xO2Eux3+ TBT 系列中 x = 03 之粉體由全光

譜結果表示奈米粉體表面主要含 TiOC 三種元素其中 C 元素

來自於污染雜質碳而 XPS 偵測深度約為 5 nm未於全光譜中偵測

106

到 Eu 之特徵峰(1134911652 eV)出現初步推測含 Eu 化合物可能

未於粉體表面而存在於晶格空隙(interstitial)中(86)如圖 331 所示為

TBT 系列 x = 0 與 x = 3 針對 Ti-2p 軌域所呈現之 XPS 圖譜其中

Ti-2p32與 Ti-2p12之束縛能約於 4583 與 464 eV間距為 57 eV兩

特徵峰之相對強度(積分面積)比約為 21皆為二氧化鈦晶格中 Ti4+

之貢獻與文獻中銳鈦礦相之特徵峰吻合(118)當 Eu 之摻雜(x = 3)顯

示可見 Ti-2p32 與 Ti-2p12 之束縛能位置具化學位移現象(4585 與

4642 eV)此化學位移現象可藉共價鍵理論(covalent bonding theory)

解釋顯示 Eu3+合併(incorporate)入 TiO2 中(於晶格表面或空隙)而形

成 Eu-O-Ti 鍵結由於 Eu 之存在造成 Ti 與 O 所共價之電子雲密度

減少而改變其束縛能因此束縛能增加(119)造成特徵峰向高能量偏

移如圖 332 為 O-1s 軌域之 XPS 圖譜經 Eu 之摻雜亦出現化學位

移之現象另亦有文獻指出(120)若二氧化鈦表面之本質缺陷(intrinsic

defect)增加由於缺陷結構會促使電子從陰離子(O)中傳遞至陽離子

(Ti)或摻雜離子(C)中造成 O 束縛能增加此與本實驗之位移現象吻

合至針對 P25 系列樣品同樣觀察 Ti-2p32Ti-2p12 與 O-1s 軌域之

XPS 圖譜(圖 333334)指出相較於 TBT 系列樣品無論為 Ti-2p

抑或 O-1s 軌域化學位移之現象皆較不明顯研判於表面 Eu-O-Ti

共價鍵之鍵結強度較弱因此電子轉移現象減小

107

456 458 460 462 464 466

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

527 528 529 530 531

5298

Ti1-xO2Eux(TBT)O 1S

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0

5297

x = 003

4642

4585464

Ti1-xO2Eux(TBT)

Ti 2p12

Binding energy (eV)

Inte

nsity

(au

)

Ti 2p32

x = 0

4583

x = 003

108

458 460 462 464 466

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

4643

45854642

In

tens

ity (a

u)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

Ti 2p12

Ti 2p32

x = 0

4584

x = 01

527 528 529 530 531

5297

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

O 1S

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0

5296

x = 003

109

本研究亦建立兩系列樣品之價帶導帶與標準氫電極之相對位

置以利解釋雙層工作電極模型機制本研究針對低能量入射光子慢

速掃瞄粉體之 XPS 光譜由於 XPS 原理中運用光電效應概念偵

測光電子能量(Ek)為入射光子能量扣除內核層電子束縛能與功函數

即 k bE h Eυ ϕ= minus minus (如圖 335 說明 )由二氧化鈦之分子軌域

(Molecular orbital)圖樣可知其價帶位於 O-2p 軌域因此圖 336 中為

針對 TBT 系列樣品(x = 03)之價帶圖譜由態密度(density of state)圖

譜可知代表價帶(O-2p)之放射特徵譜線而費米能階(EF)於價帶圖譜

中視為 0 eV因此可透過類似計算能隙大小之外差法方式計算其價

帶相對於標準氫電極之大小(120)可之經由 Eu 之摻雜二氧化鈦之

價帶位置由 32 eV 降低至 21 eV由圖中亦可得 Eu 摻雜樣品降低粉

體之價帶位置並結合紫外‐可見光擴散式反射光譜分析後所得粉體

之能隙大小可建立如圖 338 所示兩系列樣品之能隙位階圖

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖

110

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

21

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0 x = 003

32

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

20

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25) x = 0 x = 01

25

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

111

圖 338 兩系列樣品未摻雜與摻雜 Eu3+粉體能隙位階圖

112

325 X-光吸收光譜(XAS)

本研究所製備之工作電極粉體係屬奈米材料因奈米材料相較塊

材之結晶性較差由X光粉末繞射圖譜中(powder X-ray diffraction)將

無法獲得進一步之結構資訊X吸收光譜可提供局部之結構資訊(local

structure)適合作為奈米材料結構研究之方法此外更可提供繞射法

所無法獲得之氧化態訊息故本研究乃藉由國家同步輻射研究中心

BL20A光束線以進行吸收光譜量測藉比對X光吸收近邊緣結構

(X-ray absorption near edge structure XANES)以得知特定原子氧化價

數與 d-軌域之電子填滿率並可分辨吸收原子所處之晶位對稱性

由於同步20A光束線而言待測樣品可以為晶型或非晶型固體甚至

為液體或氣體因此應用範圍十分廣泛尤其各元素之吸收邊緣能量

少有重疊可調整入射能量至各個元素之吸收區進行掃描以分別偵

測非常適於量測含有多種元素之樣品系統

由圖 339 與圖 341 中兩系列樣品之 O-k edge 吸收光譜指出此二

氧化鈦之 O-K edge 之特徵譜線與文獻中吻合(121)觀察兩系列中於吸

收邊緣之特徵譜線經由 Eu 之摻雜並無明顯位移現象顯示粉體中

O 之價數並明顯變化判斷為低濃度摻雜之故然而放大 528 eV 附

近之特徵峰觀察後發現(圖 340 與圖 342)隨著 Eu 之摻雜量增加

此吸收峰強度亦隨之增強由分子軌域之概念顯示由於 Eu 之摻

雜造成 O 之電子雲轉移散布至 Eu 軌域因此造成 O 電子組態中出

現更多空軌域亦即增加粉體之氧空缺由於 TiO2 摻雜次共價鍵陽

離子(subcovalent cation)造成之氧空缺會形成攔截態(trap state)或雜質

態(impurity state)(122 123)可能形成放光中心影響粉體之螢光性質亦

可能造成電子傳遞時之阻礙

113

531 540 549

0

1

2

3

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux(TBT)O K-edge XAS

圖 339 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

114

5272 5280 5288

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 340 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜局部放大圖

525 530 535 540 545 550

0

1

2

3

Photon Energy (eV)

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux(P25)O K-edge XAS

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

115

5272 5280 5288

Photon Energy (ev)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大圖

116

33 Ti1-xO2Eux3+粉體於染料敏化太陽能電池之應用研究

上述各節已討論 Ti1-xO2Eux3+ 粉體之晶體結構形貌光學電

子組態各種特性本研究藉由此經修飾之二氧化鈦粉體應用於染料敏

化太陽能電池之工作電極材料並藉由其特殊發光特性與結構設計

以提高太陽能電池之效率

331 單層工作電極電池效率量測

未經修飾之二氧化鈦(TiO2)由於其能隙約為32 eV亦即所能

利用之光波範圍僅限於紫外光區域此情況下 TiO2 於一般日照射能

產生電子-電洞對之效率差所展現之光催化活性低應用價值不高

故為提升對太陽光之吸收效率進而提升 TiO2整體光催化效率為當

前一重要課題一般提高效率之方法分為修飾 TiO2表面或晶體結構

以增加其對光波之吸收率與抑制電子-電洞對之再結合TiO2之晶體

中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性質之改變益於光

催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕捉電子或電洞之缺陷

益於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素與 TiO2 共結晶增益對

光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化效果

第一個部分由於本研究透過 Eu3+摻雜入二氧化鈦中於光激發

光譜分析可得知兩系列摻雜 Eu 粉體於藍紫光(394464 nm)激發造成

於 612 nm 處之放光配合染料 black dye 於紅光附近之吸收可提高

染料之額外吸光量進而提高光激發電子之數量以提高能量使用之效

率圖 343 中為 TBT 系列分別取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體與摻

雜 Eu 後發光強度最高 (x = 003)之粉體工作電極材料(分別以 0-TBT

與 Eu003-TBT 表示)組裝電池後量測之光電特性為討論分析其再

現性本研究以相同條件多次組裝電池量測求證結果由表 34 中光

電特性參數得知兩種樣品所得 FF 因子皆達理想電池之表現

117

Eu003-TBT 電池平均效率為 178 而 0-TBT 獲得平均為 234

之較高效率其中短路電流密度(Jsc)從 436 下降至 320 mAcm2為主

要原因以同樣想法將 P25 系列粉體取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體

以及摻雜 Eu 後發光強度最高 (x = 01)之粉體工作電極材料(分別以

0-P25 及 Eu01-P25 表示)組裝電池後量測之光電特性於圖 344 中

顯示由表 35 光電特性參數亦可知 0-P25 平均效率為 189 而

Eu01-P25 為 124 其中短路電流密度從 373 下降至 221 mAcm2

與 TBT 比較同一結構P25 系列之電池效率明顯較小推測仍為

粒徑較大由 BET 之計算可知供染料吸附之比表面積較少因此造

成效率較低針對電池中之工作電極Eu 摻雜後之材料反而效率降

低在此提出可能之機制如圖 345 所示於電子傳遞過程中理

想狀況為光電子迅速由染料之 LUMO 傳遞至二氧化鈦導帶再經由

FTO 導致外電路使用然而由於 Eu 摻雜後之工作電極Eu 所形成之

氧空缺捕捉光電子此時氧空缺類似 trap state因此造成光電子量下

降再者由於被染料激發之光電子到達工作電極時亦可能部分

用以形成 Eu 放紅光之復合電子來源因此亦為光電子量下降之因

可由表 34 與表 35 中經 Eu 摻雜後之工作電極電池光電流之現象得

118

00 02 04 06 08 10 120

1

2

3

4

5

6(TBT)Ti1-xO2Eux

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage (V)

x = 0 231 224 237 233

x=003 176 185 168 182

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 34 TBT 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT 16 074 436 069 234(8)

Eu003-TBT 14 077 320 058 178(2)

119

00 02 04 06 08 100

1

2

3

4

5C

urre

nt d

ensi

ty (m

Ac

m2 )

Voltage (V)

x = 0

189 191 182 193

x = 01 123 125 119 127

Ti1-xO2Eux (P25)

圖 344 P25 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 35 P25 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P25 14 071 373 067 189(2)

Eu01-P25 15 079 221 054 124(3)

120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖

332 雙層工作電極結構

對於提高染料敏化太陽能效率由效率 sc oc inJ V FF Pη = times times 可

知致力於提高其開路電壓 (Voc) 亦為提高效率其中之一方法以

此觀念為基礎之研究例如 Durr 等人(124)於 2006 年利用於原 TiO2上塗

佈 Ti1-xZrxO2與 ZrO2之混合物由於 ZrO2之能隙約為 5 eV相對於

TiO2之 32 eV形成一道位階屏障阻擋傳導至 TiO2傳導帶之光電

子與染料之 HOMO(Highest occupied molecular orbital)或電解質中 I3minus

再復合之機會進而提高光電子傳導致外電路之數量本研究鑑於先

前對於 Eu 摻雜入 TiO2後提高其價帶位階並增加其能隙大小之結

果設計雙層結構以降低光電子再復合之機率因此下一部分實驗

121

因此本研究將利用Eu摻雜對於 TiO2 之粉體與未摻雜 TiO2相異之光

電特性設計出雙層結構工作電極藉以探討對於太陽能電池效率之

影響

3321 雙層工作電極結構電池製作說明

首先說明此雙層結構工作電極之太陽能電池之設計先於十片清

洗完之 FTO 上透過網印塗佈一層未摻雜 Eu 之二氧化鈦電極(約 6~7

μm)經過層溫燒結後再分成兩組各五片其中一組繼續塗佈一層

相近厚度未摻雜 Eu (x = 0)之二氧化鈦電極而另一組則塗佈一層摻

雜 Eu 後發光強度最高(TBT 系列x = 003)之電極再進行層溫燒結

並與第一部分單層結構相同利用四氯化鈦處理後再進行 500oC 燒結

即完成分別以 0-TBT0-TBT 與 Eu003-TBT0-TBT 表示而 P25 系

列樣品亦以相同步驟製得分別以 0-P250-P25 及 Eu01-P250-P25 電

池雙層結構設計圖如圖 346 所示

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖

122

3322 電池效率量測

為探討其組裝之再現性與穩定性本研究亦以相同條件多次組裝

電求證結果圖 347 為 TBT 系列雙層結構電池之電流-電壓圖由表

中可得知0-TBT0-TBT與Eu003-TBT0-TBT平均效率分別為260

與 343 短路電流密度 (Jsc)為 565 mAcm2與 702 mAcm2開路

電壓為 066 V 與 071 V顯見第二層為 Eu 摻雜之二氧化鈦電極效

率短路電流開路電壓皆增加而 P25 系列第二層若為 Eu 摻雜後

之電極由表 36 中可觀察出效率短路電流開路電壓皆增加但

與 TBT 比較同一結構電池效率明顯較小推測仍為粒徑較大

造成染料吸附量較少 圖 349 為 Eu003-TBT0-TBT 雙層結構電極

材料與染料間能隙之相對位置本研究亦藉此解釋效率提高之原因

由短路電流增加之現象可知光電子被利用之數量增加即光電子從

染料之 LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)快速傳導至第二層

Eu003-TBT 再至第一層 0-TBT由於電子於此傳遞過程中之速率與

兩因素相關(1) 染料用以吸附於二氧化鈦之結構種類強度(2) 染

料 LUMO 與二氧化鈦工作電極之傳導帶(conduction band)之相對位

置而透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動

力(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導

帶位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑

或與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機

率增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值Kim 等人於

2008 年之研究中(125)利用二氧化鈦摻雜鉻(Cr)之材料改變原二氧

化鈦之半導體屬性作為屏蔽電極層亦可減少電子再復合機率而提

高效率

而對於開路電壓增加之現象須先瞭解染料敏化太陽能電池運作

123

時之能階變化階原理由Kubo (55)所建立如圖350(a)所示為一DSSC

於未照光之能階圖亦即TiO2染料電解介質面之間不存在電位差

故其費米能階 (Fermai level EF)可視為自由電子所混成之平衡狀態

當DSSC照光後如圖350(b)所示染料吸收光波產生激發之光電子

與電洞之分離同時造成電位差此電位差即為TiO2之CB與染料之

LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)混成能階(Efn)相對染料

之HOMO (Highest occupied molecular orbital)與電解質氧化還原電位

(I-I3-之ERedox)之混成能階(Efn)之電位差(ΔV)而此電位差之最大直即

為光電壓之最大值亦即開路電壓本研究中由於雙層結構第二層

Eu003-TBT傳導帶上移造成與染料之LUMO混成能階上移因此與

染料之HOMO與電解質氧化還原電位(Iminus I3minus之ERedox)之混成能階差異

變大增大電位差因此提高開路電壓值

124

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 100

1

2

3

4

5

6

7

8

9C

urre

nt d

ensi

ty(m

Ac

m2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT 273 258 250 260

Eu003-TBT0-TBT 342 340 339 352

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 36 TBT 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT0-TBT 15 066 565 070 260(8)

Eu003-TBT0-TBT 16 071 702 068 343(2)

125

00 01 02 03 04 05 06 07 08 090

1

2

3

4

5

6

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-P250-P25 195 201 191 189

Eu01-P250-P25 237 214 242 254

圖 348 P25 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 37 P25 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P250-P25 15 066 420 069 194(5)

Eu01-P250-P25 14 070 473 070 237(2)

126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變化(55)

127

3322 雙層工作電極結構電池入射單色光子-電子轉化效率(IPCE)量

為驗證雙層工作電極結構之電池中效率提高原因之論點本實驗

針對電池進行單色光子-電子轉化效率(IPCE)量測透過自動單光濾

鏡控制光源照射電池之波長藉以觀察電池於不同波長之入射光照射

下其外部量子效率展現由圖 351a 及 351b 分別顯示 TBT 與 P25

系列電池所呈現之 IPCE 圖譜譜線趨勢與參考文獻(75)相近其中

Eu003-TBT0-TBT 電池於可見光區之外部量子效率明顯大於

0-TBT0-TBT 所呈現P25 系列亦有相同趨勢結果於橘紅光附近

(610-620 nm) 提升較明顯是否為第二層結構 TiO2 Eu 於 612 nm 部

分放光為 Black dye 所吸收而增加光利用之故仍未確定故本研究

透過工作電極之放射光譜印證乃將製作完成之 Eu003-TBT0-TBT

電池工作電極一部分未浸泡另一部分浸泡染料 black dye 溶液 24 小

時並以無水乙腈沖洗後待至乾燥進行光激發光譜分析(PL)由圖

352 之結果可知未浸泡之工作電極(plain)經過染料浸泡後(black dye)

於 612 nm 之激發光譜幾乎吻合但是放射光強度略為減弱因此可

知第二層工作電極放射之紅光部分中少量為染料所吸收然而由於太

陽光中紫外光部分只佔 5 因此 394 nm 之激發光轉換成紅光比例

相對極為少量因此藉此增加電池效率效果有限因此雙層結構電池

中第二層為 Eu 摻雜之樣品效率提高之因主要仍為 3222 節中所解

釋由於階梯狀能階設計減少電子再復合機率以增加光電子之可使

用量此論點將於下節電化學交流阻抗分析中再次討論

128

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-TBT0-TBT

Eu003-TBT0-TBT

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-P250-P25

Eu01-p250-p25

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖

129

350 400 450 500 550 600 650 700

In

tens

ity (a

u)

Wavelength(nm)

Eu003-TBT0-TBT Plain black dye46

4

394

612

PLE - λem= 612 nm

PL - λex= 394 nm

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作

電極之激發與放射光譜

3323 雙層工作電極結構電池電化學阻抗(EIS)量測

進一步驗證 3321 中雙層工作電極電池不同結構中效率相異之

原因本研究將一系列電池進行電化學阻抗測試測試結果如圖 353

所示經 Z-view 軟體 fitting 之後並參考 Adachi 等人(79)所發展之模

式獲得如表 38 所列參數藉各參數間之比較可瞭解電池於照光

工作時激發光電子於電池中傳遞之情形

由圖 353 阻抗圖譜中Yoshida 等人(77)界定位於中頻區之圖譜意

義為光電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質液介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗因此本研究發現 TBT 系

列中0-TBT0-TBT 中頻區之半圓半徑明顯大於 Eu003-TBT0-TBT

之結果可得知透過雙層結構之設計(圖 349)第二層為 Eu003-TBT

130

之電池其相對能階形成階梯型驅動力之增加明顯降低工作電極

層與層間之傳輸電阻再者亦可證明第二層形成一傳遞屏障降低

傳遞電子與電解液中 I3-再復合之還原作用而 0-P250-P25 以及

Eu01-P250-P25 之間亦具此現象圖 353 中亦可比較 TBT 與 P25 兩

系列明顯其工作電極內電阻之因素亦反應於電池效率結果上

將圖 353 所得電交流阻抗結果透過 Z-view 軟體 fitting 後得到表

38 所列參數先觀察 TBT 系列兩電池可知第二層為 Eu003-TBT

之電池其 keff (電子再結合速率常數)由 315 下降至 247 s-1因此電

子生命週期提升可知驅動力之增加提升電子傳導之動力學參數

(126)加速電子傳遞以減少電子於電極中之停留機率此點可由 Rw (電

子於 TiO2中之傳導電阻)之降低得證再者由 Rk (電子再結合之電

荷傳導電阻)亦為暗反應電阻此值對於電池效率越大越佳

Eu003-TBT0-TBT 電池較 0-TBT0-TBT 由 1603 增加至 1934顯示

第二層為 Eu003-TBT 之電池由於能階結構之設計降低其電子再

復和之機率此論點與交流阻抗圖譜之結果吻合

由於本雙層結構電池之研究皆控制塗佈步驟中之參數以確立

各電池之膜厚皆相近始可討論 Deff (有效電子擴散係數)與 Ln(電子擴

散長度)對於電子傳遞機制之優劣影響(參考式 214215)相較於

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 電池之 Deff有效從 257 x 10-4提

升至 336 x 10-4 cm2s佐證 Eu003-TBT0-TBT 電池具效延長電子壽

命之現象由表 38 中結果得知各雙層結構電池精算後之 Ln長度皆

大於工作電極膜厚確立各系列電池之傳導電子有效為 FTO 導電

玻璃收集而傳遞至外電路使用而 Eu003-TBT0-TBT 之 Ln 值較

0-TBT0-TBT 所得之 Ln值大 以上結果皆顯示第二層為 Eu003-TBT

之電池可有效減少電子因粉體之氧空缺被捕捉而停滯之機率增加

131

之驅動力促使電子可於工作電極中有效而快速地傳遞進而提高光電

轉換效率而關於 P25 系列之討論顯示 0-P250-P25 與

Eu01-P250-P25 之各參數比較與效率結果皆吻合現象解釋與 TBT

系列相同

關於TBT系列與 P25系列之Deff之比較顯示TBT系列之Deff 普

遍皆大於 P25 系列亦具相關文獻(127)指出由於晶相之含量差異亦

會影響此值由於 Anatase 晶相與 Rutile 晶相均為正立方晶系

(Tetragonal system)結構其晶相皆是以 TiO6之八面體存在不同處

為於 Anatase 晶相中其不論 abc 軸方向其八面體間之鍵結均

是以 edge-sharing 之方式存在而於 Rutile 晶相中則為於 ab 軸以

corner-sharing 之方式存在於 c 軸方向以 edge-sharing 之方式鍵結

此結構之差異造成 Anatase 傳導電子之能力較佳此結果於已有之光

觸媒研究已確立因此相較於 P25 系列TBT 系列擁有較純之 Anatase

晶相因此 Deff較大而光電轉換效率亦較高

132

20 30 40 50 60 70 800

5

10

15

20

25

30

Z

(ohm

)

Z (ohm)

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 0-P250-P25 Eu01-P250-P25

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖譜

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數分析

Structure

L

(μm)

keff

(s-1)

τ

(s)

Rk

(Ω)

Rw

(Ω)

Deff

(cm2s)

Ln

(μm)

0-TBT0-TBT 16 315 0032 1603 4987 257 E-04

287

Eu003-TbT0-TBT 15 247 0040 1934 3236 336 E-04 367

0-P250-P25 15 451 0022 1123 7011 164E-04 190

Eu01-P250-P25 14 356 0028 1465 5445 188 E-04 229

133

333 CdSe 敏化雙層工作電極結構電池光電特性分析

由於二氧化鈦其能隙較大(約 32 eV)之故因此可見光中可激發

其電子之波段較窄必須透過窄能隙材料之吸附以增加其對於可見光

之利用除染料以外近年來所發展之量子點材料亦為一具潛力之

敏化物

本研究欲驗證量子點取代Black dye之角色後效率趨勢是否相

同因此取染料敏化實驗中效率較高之TBT系列作為雙層電極結構材

料並以硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物本實驗所合成之硒化鎘測

量其吸收光譜(UV-Vis)可知第一個吸收峰值之對應波長約於554

nm藉由Peng等人(128)所發展之方程式估算出粒子大小(D)可計算粒

徑約為305 nm

D = (16122times10-9)λ4- (26575times10-6)λ3 +(16242times10-3)λ2 - (04277)λ

+ (4157) (38)

其中 λ 為第一個吸收峰值之對應波長

圖 354 為 TBT 系列雙層結構量子點電池之電流-電壓圖由表

39 中0-TBT0-TBT(Plain)與 Eu003-TBT0-TBT(Plain)代表未吸附

CdSe 之電池效率極低分別為 00040 與 00060 而經過 CdSe

之摻雜後[0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)]平均效

率分別提升為為 0047 與 0083 光電流值亦明顯提升顯示量

子點之吸附增加電池對於入射光能量之利用若比較

0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)兩組數據其 FF 值

比染料敏化電池值較為低此為現階段量子點電池之通病亦為效率

一直無法提升之因而第二層為 Eu 摻雜之工作電極效率短路電

流與開路電壓值皆提升此與染料敏化電池系列之趨勢相同表示而

透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動力

134

(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導帶

位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑或

與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機率

增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 1000

01

02

03

04

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT(CdSe) 0045 0046 0049 0049

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 0083 0085 0081 0082

0-TBT0-TBT(Plain) 00040 00043

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 00062 00063

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC (V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

() 0-TBT0-TBT(Plain) 14 043 002 009 00040(2)

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 16 044 003 012 00060(3)0-TBT0-TBT(CdSe) 15 054 025 034 0047(2)

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 16 058 033 037 0083(1)

135

第四章 結論

本研究成功利用不同前趨物以溶膠凝膠法與水熱法之合成方法

製備出兩系列 TiO2Eu3+工作電極材料( TBT 與 P25)以 XRD 等量測

進行材料結構鑑定分析並探討 Eu 摻雜後對於 TiO2之發光特性與電

子組態之影響爾後將材料應用於敏化太陽能電池之工作電極研究

修飾後之 TiO2電極對於電池效率之影響其重要結果如下

(a)本研究以溶膠凝膠法及水熱法藉由 Eu 摻雜成功合成出純銳鈦礦

(Anatase)之二氧化鈦並且由於 Eu-Ti-O 鍵結形成不僅延緩金紅

石(Rutile)晶相生成有較好之光電特性亦限制晶體之成長由於

粒徑越小增加其比表面積因此有效提升太陽能電池染料之吸附

量增加電池之效率表現

(b)以光激發光譜分析樣品得知隨著活化劑 Eu 摻雜量之增加主體

晶格 TiO2 之發光強度隨之增加於高濃度出現濃度淬滅現象而

拉曼光譜亦證實藉由 Eu 摻雜成功延遲煆燒過程中金紅石(Rutile)晶

相生成且增加粉體表面之氧空缺

(c)本研究以紫外-可見光擴散式反射光譜測量 TiO2Eu3+之吸收特性

經由 Eu 摻雜後出現之紅位移現象顯示 TiO2 於摻雜稀土金屬離

子產生能階混成造成能隙縮小增加對於可見光範圍之吸收並以

X 射線光電子能譜儀分析獲知摻雜離子 Eu3+於晶體中位置並以價

帶光譜之量測成功建立樣品之價帶傳導帶能階位置而 X-光吸

收光譜之近邊緣光譜分析得知Eu 摻雜後鍵結中電子轉移造成表

面氧空缺增加

(d)將合成之材料應用於染料敏化太陽能電池之工作電極本研究原

構想欲透過發紅光之 TiO2Eu3+以增加染料 Black dye 於紅光波段

136

之利用然而由光電特性卻發現由於摻雜後氧空缺所造成之雜質

態捕捉光電子由光電流降低之現象證實光電子量減少

(e)為提高染料敏化電池效率本研究利用雙層結構工作電極之設計而

形成階梯式位階排列不僅增加傳遞驅動力亦由於電極屏障生成

以減少電子再復合之機率而短路電流之增加證實此點並透過與

染料能階之混成提高開路電壓值因此整體結果提高電池之效

率而將染料製換為硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物第二層為

Eu 摻雜材料之電池效率亦明顯提升進一步證實此研究構想之

正確性

總而言之本研究合成兩系列 TiO2Eu3+樣品並探討其之晶體

結構特性發光性質以及建立摻雜離子 Eu3+對於其電子組態之影

響且透過雙層結構設計成功提高敏化太陽能電池之效率

137

參考文獻

1 許志偉 陳宏仁 林怡君 and 王立義 有機無機太陽能電池之

現況發展 化工 第52卷 第2期 49-58 民94

2 AJ McEvoy and M Gritzel Sol Energ Mat Sol C 1994 32 3

221

3 A Hagfeldt B Didriksson T Palmquist H Lindstroumlm S Soumldergren

H Rensmo and SE Lindquist Sol Energ Mat Sol C 1994 31

481

4 B OrsquoRegan and M Graumltzel Nature 1991 353 737

5 M Graumltzel Nature 2001 414 338

6 黃建昇 結晶矽太陽電池發展近況 工業材料雜誌 第203期 150

民92

7 httpcdnetstpiorgtwtechroommarketenergyenergy022htm 國

家實驗研究院科技政策研究與資訊中心(Science amp Technology

Policy Research and Information CenterSTPI)

8 M Graumltzel Phil Trans R Soc A 2007 365 993

9 X Chen and SS Mao Chem Rev 2007 107 2891

10 D Cahen G Hodes M Graumltzel JF Guillemoles and I Riess J

Phys Chem B 2000 104 2053

11 D Matthews P Infelta and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C

1996 44 119

12 M Graumltzel J Photochem Photobio A 2004 164 3

13 TN Rao and LJ Bahadur J Electrochem Soc 1997 144 179

14 AB Kashyout M Soliman and M Fathy Mater Chem Phys

2005 90 230

15 P Guo and MA Aegerter Thin Solid Films 1999 351 290

138

16 K Sayama H Sugihara and H Arakawa Chem Mater 1998 10

3825

17 BV Bergeron A Marton G Oskam and GJ Meyer J Phys Chem

B 2005 109 793

18 S Chappel and A Zaban Sol Energ Mat Sol C 2002 71 141

19 K Hara T Horiguchi T Kinoshita K Sayama H Sugihara and H

Arakawa Sol Energ Mat Sol C 2000 115 64

20 B Tan E Toman Y Li and YY Wu J Am Chem Soc 2007 129

463

21 CJ Barbeacute F Arendse P Comte M Jirousek F Lenzmann V

Shklover and M Graumltzel J Am Ceram Soc 1997 80 3157

22 K Kalyanasundaram and M Graumltzel Coord Chem rev 1998 177

347

23 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B

2000 104 989

24 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio RH Baker E Muumlller P

Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem Soc 1993

115 6382

25 G P Smestad and M Graumltzel J Chem Educ 1998 75 752

26 劉茂煌奈米光電池工業材料雜誌 2003203 期 民93

27 MK Nazeeruddin SM Zakeeruddi RH Baker M Jirouse P Lisk

N Vlachopoulos V Shklover CH Fischer and M GraumltzelInog

Chem 1999386298

28 KS Finnie JR Bartlett and JL Woolfrey Langmuir 1998 14

2744

29 C Bauer G Boschloo E Mukhtar and A HagfeldtJ PhysCem B

2002 106 12693

139

30 CG Garcia NYM Iha R Argazzi and CA Bignozzi Inorg Chem

1994 33 5741

31 MK Nazeeruddin M Amirnasr P Comte JR Mackay AJ

McQuillan R Houriet and M Gratzel Langmuir 2000 16 8525

32 MK Nazeeruddin P Peacutechy T Renouard SM Zakeeruddin R H

Baker P Comte P Liska L Cevey E Costa V Shklover L

Spiccia GB Deacon CA Bignozzi and M Graumltzel J Am Chem

Soc 2001 123 1613

33 J Hagaen W Schaffrath P Otschik R Fink A Bacher HW

Schmidt and D Haarer Synthetic Met 1997 89 215

34 N Papageorgiou WF Maier and M Graumltzel J Electrochem Soc

1997 144 876

35 A Kay and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C 1996 44 99

36 S Chen SK Deb and H Witzke US Patent 1978 4080488

March 21

37 M Graumltzel and K Kalyanasundaram Curr SCi 1994 66 706

38 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio R Humphry-Baker E

Muumlller P Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem

Soc 1993 115 6382

39 M Graumltzel AIP Conf Proc 1997 404 119

40 M Graumltzel J Photo Photobio A Chem 2004 164 3

41 L Han Y Chiba and A Islam 16th International Conference of

Photochemical Conversion and Solar Sstorage Uppsala Sweden

2006

42 Y Chiba A Islam and Y Watanabe J Appl Phys 2006 45 638

43 MK Nazeeruddin FD Angelis and S Fantacci J Am Chem Soc

2005 127 16835

140

44 JM Kroon NJ Bakker HJP Smit P Liska KR Thampi P

Wang SM Zakeeruddin M Gratzel A Hinsch S Hore U Wurfel

R Sastrawan JR Durrant E Palomares H Pettersson T

Gruszecki J Walter K Skupien and GE Tulloch Prog Photovolt

Res Appl

45 H Arakawa T Yamaguchi and A Takeuchi 16th International

Conference of Photochemical Conversion and Solar Storage

Uppsala Sweden 2006 W42P210

46 M Spath JV Roosmalen and P Sommeling 3rd WCPEC Osaka

Japan 2003

47 H Tsubomura M Matsumura Y Nomura and T Amamiya Nature

1976 261 402

48 PM Sommeling 2nd WCPEC Vienna 1998

49 CJ Barbe J Am Cera Soc 1997 80 3157

50 K Tennakone J Phys D Appl Phys 1998 31 1492

51 MK Nazeeruddin P Pĕchy and M Graumltzel Chem Comm 1997 36

1705

52 K Hara Chem Comm 2001 68 569

53 角野 裕康 村井 伸次 御子柴 智 東芝レビュー 2001 56 7

54 A Hagfeldt Nano Letters 2001 1 97

55 W Kubo Chem Comm 2002 39 374

56 原 浩二郎 AIST Today 2002 12 14

57 L Vlachopouios J Am Chem Soc 1988 110 1216

58 V Vamathevan H Tse R Amala G Lowb and S McEvoy

Catalysis Today 2002 68 201

59 MI Litter and JA Navio J Photo Photobio A Chem 1996 98

171

141

60 J Yu H Yu CH Ao SC Lee JC Yu and W Ho Thin Solid

Films 1999 496 273

61 W Li Y Wang H Lin SI Shah CP Huang DJ Doren SA

Rykov JG Chen and MA Barteau Appl Phys Lett 2003 83 20

62 R Asahi T Morikawa T Ohwaki K Aoki and Y Taga Science

2001 293 269

63 C Jia E Xie A Peng R Jiang F Ye H Lin and T Xu Thin Solid

Films 2006 496 555

64 M Saif and MSA Abdel-Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360

2863

65 湯友聖 台灣師範大學碩士論文 臺北 民 97

66 RC Ropp Luminescence and the Solid State Elservier Amsterdam

2004

67 H Dieke and RA Satten Am J Phys 1970 38 399

68 httpcaiwiteducnmseliuyu2006pptliuX-rayppt

69 AR West Basic Solid State Chemistry John Wiley amp Sons

Singapore 1991

70 吳泰伯 and 許樹恩 X-光繞射原理與材料結構分析 國科會精儀

中心 台北 民 82

71 httpwwwndhuedutw~nanolabtext93_Ma_II_v2pdf

72 林群哲 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 96

73 賴泓均 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 95

74 S Ito TN Murakami P Comte P Liska C Graumltzel MK

Nazeeruddin and M Graumltzel Thin Solid Films 2008 516 4613

75 H Kusama M Kurashige K Sayama M Yanagida and Hideki

Sugihara J Photochem Photobio A 2007 189 100

76 蕭光宏 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 97

142

77 Y Yoshida S Tokashiki K Kubota R Shiratuchi Y Yamaguchi

M Kono and S Hayase Sol Energ Mat Sol C 2008 92 646

78 JJ Wu GR Chen HH Yang CH Ku and JY Lai Appl Phys

Lett 2007 90 213109

79 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

80 J Lin and JC Yu J Photochem Photobiol A Chem 1998 116 63

81 T Lindgren JM Mwabora E Avendano J Jonsson A Hoel CG

Granqvist and SE Lindquist J Phys Chem B 2003 107 5709

82 H Tang H Berger PE Schimid F Levy and G Burri Solid State

Commun 1993 87 847

83 G Oskam A Nellore RL Penn and PC Searson J Phys Chem B

2003 107 1734

84 MA Anderson MJ Gieselmann Q Xu J Membr Sci 1988 39

243

85 P Ganguly N Shah M Phadke V Ramaswamy IS Mulla Phys

Rev B 1993 47 991

86 JH Li WL Kang WH Yan YH Guo HF Gao and ZH Liu

Acta Phys Chim Sin 2008 24 1030

87 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B 2000

104 8989

88 RA Spurr and H Myers Anal Chem 1957 29 760

89 S Yin H Yamaki M Komatsu Q Zhang J Wang Q Tang F Saito

and T Sato J Mater Chem 2003 13 2996

90 E Setiawati and K Kawano J Alloy Compd 2008 451 293

91 B Zou L Xiao T Li J Zhao Z Lai and S Gu Appl Phys Lett

1991 59 1826

143

92 J Yang ZW Quan DY Kong XM Liu and J Lin Cryst Growth

Des 2007 7 730

93 T Hirai and Y Kondo J Phys Chem C 2007 111 168

94 S Yan J Zhang X Zhang S Lu X Ren Z Nie and X Wang J

Phys Chem C 2007 111 13256

95 G Blasse and BC Grabmaier Luminescence Materials Chap 9

186

96 T Miyakawa and D L Dexter Phys Rev B 1970 1 2961

97 KL Frindell MH Bartl MR Robinson GC Bazan A Popitsch

and GD Stucky J Solid State Chem 2003 172 81

98 DL Dexter JH Schulman J Chem Phys 1954 22 1063

99 T Blasse G Philips Res Rep 1969 24 131

100 L Ozawa and PM Jaffe J Electrochem Soc 1971 118 1678

101 QZ Wang J Tian XH Yang and X Gao J Chin Lumin 1995

16 57

102 YH Zhang CK Chan J Porter and W Guo J Mater Res 1998

13 2602

103 BD Yao YF Chan XY Zhang WF Zhang ZY Yang and N

Wang Appl Phys Lett 1998 82 281

104 D Bersani PP Lottic and XZ Ding Appl Phys Lett 1998 72 1

105 YL Li and T Ishigaki J Phys Chem B 2004 108 15536

106 JC Parker RW Siegel J Mater Res1990 5 1246

107 HC Choi YM Jung and SB Kim Vib Spectrosc 2005 37 33

108 JG Li X Wang K Watanabe and T Ishigaki J Phys Chem B

2006 110 1121

109 T Sreethawong Y Suzuki S Yoshikawa Int J Hydrogen Energ

2005 30 1053

144

110 M Saif and A Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360 2863

111 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2005 247 36

112 AB Murphy Appl Opt 2007 46 3133

113 P Kubelka J Opt Soc Am 1948 28 448

114 DG Barton M Shtein RD Wilson SL Soled and E Iglesia J

Phys Chem B 1999 103 630

115 PA Tanner KL Wong and Y Liang Chem Phys Lett 2004 399

15

116 T Umebayashi T Yamaki H Itoh and KJ Asai Phys Chem Solid

2002 63 1909

117 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2006 247 36

118 X Lai Q Guo BK Min and DW Goodman Surf Sci 2001 487

1

119 FM Liu TM Wang JQ Li C Wang SK Zheng and M Duan J

Magn Magn Mater 2002 251 245

120 W Gopel Surf Sci 1984 139 333

121 AG Thomas WR Flavell AK Mallick AR Kumarasinghe

DTsoutsou N Khan C Chatwin S Rayner and GC Smith Phys

Rev B 2007 75 035105

122 X Wang JG Li H Kamiyama M Katada N Ohashi Y

Moriyoshi and T Ishigaki J Am Chem Soc 2005 127 10982

123 D Vogtender R Poducky J Redinger ELD Habenstreit W

Habenstreit and U Diebold Phys Rev B 2002 65 125411

124 M Durr S Rosselli A Yasuda and G Nelles J Phys Chem B

2006 110 21899

145

146

125 C Kim KS Kim HY Kim and YS Han J Mater Chem 2008

18 5809

126 I Robel M Kuno and PV Kamat J Am Chem Soc 2007 129

4136

127 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

128 W Yu L Qu W Guo and X Peng Chem Mater 2003 15 285

  • Poyu封面
  • 洪柏育-碩士論文摘要-0609-2009
  • Poyu謝誌
  • PoYu Hung-MS Thesis-0625-2009pdf
Page 3: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成

謝誌

在上帝所應許的這短暫兩年碩士生活即將告一段落我要感謝胡

淑芬 教授及劉如熹 教授的諄諄教誨使我於碩士研究生涯中同時

可以獲得物理及化學之智識並運用於研究中且提供充分之研究資

源謹此致以衷心之敬意謝忱並感謝口試委員黃昭淵 教授與李冠

緯 博士對於論文精闢之指正與給予寶貴之意見使本論文得以更臻

完善

並誠摯感謝景弘學長平日於各方面的指導與幫忙浩銘與慧通學

長於實驗上之建議群哲學長於螢光粉的特性分析上之意見智文學

長於掃描式電子顯微鏡量測之協助亦感謝實驗室所有同仁在研究上

的協助與生活上的鼓舞使我的碩士生活能夠更加充實與亮麗

感謝我的家人因為你們的付出與支持使我在精神與物質上

皆不予匱乏且能在研究領域中專心一致無後顧之憂地順利畢業

並深深地感謝我的女友怡倩對我的關懷與包容家人的鼓勵及照顧

伴隨著我完成碩士學位謹將此論文獻給我最愛的家人師長工作

夥伴與朋友

『耶和華是我的牧者我必不至缺乏祂使我躺臥在青草地上

領我在可安歇的水邊祂使我的靈魂甦醒自己的名引導我走義路

我雖然行過死蔭的幽谷也不怕遭害因為你與我同在你的杖你

的竿都安慰我在我敵人面前你為我擺設筵席你用油膏了我的

頭使我的福杯滿溢我一生一世必有恩惠慈愛隨著我我且要住在

耶和華的殿中直到永遠』(詩篇 23 篇)

總目錄

總目錄I

圖目錄V

表目錄X

第一章 緒論 1

11 前言1

12 太陽能電池簡介 2

13 染料敏化太陽能電池 6

131 工作原理 6

132 染料敏化太陽能電池各部分介紹 8

1321 奈米結晶多孔膜電極 (nanocrystalline porous electrode) 8

1322 染料(dye)11

1323 電解液(electrolyte)14

1324 相對電極(counter electrode) 16

133 染料敏化太陽能電池之文獻回顧與發展現況 16

14 二氧化鈦摻雜元素材料之研究 18

141 TiO2Eu粉體發光特性說明 20

1411 主體晶格(Host) 20

1412 活化劑(Activator)22

15 研究動機與目的 23

第二章 實驗步驟與儀器分析方法 25

21 化學藥品25

I

22 合成方法26

221 溶膠凝膠法 (Micelle and sol - gel)26

222 水熱法 (Hydrothermal) 27

23 實驗流程28

231 TPT[鈦酸四丁酯Ti(OC4H9)4 Tetrabutyl titanate]系列 28

232 P25(Degussa P25 TiO2)系列 29

24 樣品鑑定分析 30

241 粉末X-光繞射儀(X-ray diffraction XRD)31

2411 X-光繞射工作原理 31

2412 XRD實驗儀器 34

2413 結構精算 35

242 掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope SEM)38

243 穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron MicroscopyTEM)39

244 比表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

ASAP) 40

245 光激發光譜儀(Photoluminescence PL)42

246 拉曼散射光譜儀 (Micro Raman Scattering Spectrometer)45

247 紫外可見光擴散式反射光譜(UV-Vis diffuse reflectance spectra

UV-Vis DRS) 46

2471 固態粉體之吸收光譜 46

248 X射線光電子能譜儀( X-ray Photoelectron SpectroscopyXPS )

48

249 X光吸收光譜 (X-ray Absorption Spectroscopy XAS)49

2491 X光吸收近吸收邊緣結構 (X-ray Absorption Near-Edge

StructureXANES) 50

25 染料敏化太陽能電池之組裝與特性分析 51

II

251 工作電極漿料配製 51

252 導電玻璃清洗 51

253 電池組裝與特性測試 51

254 染料敏化太陽能電池性能測試 54

2541 電流電壓效率曲線(I-V curve)量測 54

2542 入射單色光之光電轉換效率量測(incident photon to current

convers-ion efficiencyIPCE) 56

2543 電化學阻抗分析(Electrochemical impedance spectroscopy EIS)

57

26 量子點敏化太陽能電池之組裝 62

261 硒化鎘 (CdSe) 量子點之製備 62

262 硒化鎘 (CdSe) 量子點之改質 (Ligand exchange)64

263 量子點敏化電池之組裝 66

第三章 結果與討論 67

31 TiO2Eu3+ 材料結構鑑定分析68

311 晶體結構分析 68

3111 TiO2Eu3+ (TBT系列) XRD分析 70

3112 TiO2Eu3+ (P25 系列) 74

312 晶體表面形貌分析 79

3121 SEM 與TEM粉體形貌分析79

3122 氮氣等溫吸附與脫附分析(Brunauer -Emmett-TellerBET) 83

31221 TBT系列粉體BET分析 83

31222 P25 系列粉體BET分析86

32 TiO2Eu3+ 粉體光譜特性分析88

3211 光激發光譜分析(PL) 88

3212 臨界距離與能量轉移機制 94

III

322 拉曼散射光譜分析 (Raman scattering spectrum) 96

3221 TBT系列粉體拉曼散射光譜分析96

3222 P25 系列樣品拉曼散射光譜分析 98

323 紫外-可見光擴散式反射光譜分析(UV-Vis DRS) 100

3231 TBT系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析 100

3232 P25 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析104

324 X射線光電子能譜儀(XPS) 106

325 X-光吸收光譜(XAS)113

33 Ti1-xO2Eux3+粉體於染料敏化太陽能電池之應用研究117

331 單層工作電極電池效率量測 117

332 雙層工作電極結構 121

3321 雙層工作電極結構電池製作說明 122

3322 電池效率量測 123

3322 雙層工作電極結構電池入射單色光子-電子轉化效率(IPCE)量

測128

圖 352 Eu003-TBT0-TBT電池吸附與未吸附染料工作電極之激發

與放射光譜130

3323 雙層工作電極結構電池電化學阻抗(EIS)量測 130

333 CdSe敏化雙層工作電極結構電池光電特性分析 134

第四章 結論 136

參考文獻 138

IV

圖目錄

圖 11a 各類型太陽能電池效率之發展情形helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip5

圖 11b 各式種類太陽能電池效率演進圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip5

圖 12 染料敏化太陽能電池結構示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip7

圖 13 染料敏化太陽能電池各反應動力學比較示意圖helliphelliphellip8

圖 14 N3 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip13

圖 15 N719 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip13

圖 16 Black dye 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip14

圖 17 Black dye 染料與 N719 染料吸收光譜比較圖helliphelliphellip14

圖 18 DSSC 研究發展時程回顧helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip18

圖 19 主體晶格之陽離子分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip21

圖 110 主體晶格中不具光學活性陰離子團分布圖helliphelliphelliphellip21

圖 111 格中具光學活性陰離子團分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip22

圖 112 活化劑之陽離子團分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip22

圖 21 以溶膠-凝膠法與水熱法合成 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux實驗

流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip29

圖 22 以水熱法合成 P25 系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖helliphellip30

圖 231 (a)銅靶之 X 光光譜 (b)封閉式 X 光射線管helliphelliphelliphellip32

圖 232 X 光原理示意圖Cu 1s 電子游離後形成之電洞由 2p 電

子填入並伴隨 X 光釋出helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip33

圖 234 X 光繞射之示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip34

圖 24 X-光粉末繞射儀(PANalytical XrsquoPert PRO XRD) helliphellip35

圖 25 晶體繞射結構解析之一般流程helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip37

圖 26 掃描式電子顯微鏡(NDL)HITACHI S-4000helliphelliphelliphellip38

V

圖 27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip39

圖 28 TEM電子腔內部結構示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip40

圖 291 IUPAC制定之物理等溫吸附-脫附分類圖helliphelliphelliphelliphellip41

圖 292 IUPAC制定之遲滯迴圈型態示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip42

圖 210 螢光體光譜量測過程helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip43

圖 211 光激發光光譜儀構造helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip44

圖 212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀helliphelliphelliphelliphellip45

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip46

圖 216 Hitachi-U3410 紫外-可見光光譜儀helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip48

圖 217 Ti K-edge之XANES示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip50

圖 218 網印機塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip52

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖helliphelliphelliphelliphellip53

圖 220 電池光電轉換效率值檢測系統helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip55

圖 221 太陽能電池 I-V 特性曲線示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip55

圖 222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖helliphelliphelliphelliphellip57

圖 223 Z Z Z θ 之間之關係圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip58

圖 224 典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖helliphelliphellip59

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip60

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析helliphellip60

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip63

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip65

圖 31 TiO2 銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip69

圖 32 TiO2 金紅石(Rutile)相晶體結構圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip69

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜helliphelliphellip70

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖helliphelliphellip71

VI

圖 35 TBT系列Ti097O2Eu0033+粉體X光繞射結構精算圖helliphellip73

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜helliphelliphelliphelliphellip75

圖37 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布helliphelliphelliphelliphelliphellip75

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖helliphelliphellip77

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 003helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 80

圖 392 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)

為 x = 15helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip81

圖 310 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ TEM 圖放大倍率皆為 200kx(a)

x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f)

x = 004 helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip82

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖85

圖 312 TBT系列樣品不同Eu摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip86

圖 313 (a)~(c) P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之BET圖87

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip88

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖helliphelliphelliphellip90

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖helliphellip91

圖 317 P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL光譜圖helliphelliphellip91

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip92

圖 319 TBT系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE光譜圖helliphellip93

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖helliphellip93

圖 321 Ti1-xO2 Eux3+之 log(xEu

3+)對 log(IxEu3+)關係圖helliphelliphelliphellip95

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖hellip97

圖323 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖helliphellip99

圖 324 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS光譜helliphellip101

VII

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip103

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip104

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜helliphelliphellip105

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖105

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖106

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphellip108

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip108

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip110

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖338兩系列樣品未摻雜及摻雜Eu3+粉體能隙位階圖helliphelliphellip112

圖 339 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜helliphelliphelliphellip114

圖 340 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip115

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜helliphelliphelliphellip115

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip116

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip119

圖344 P25系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphellip121

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip122

VIII

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

圖348 P25系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖helliphellip127

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變

化helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip127

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作電極之激

發與放射光譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 130

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖

譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip135

IX

X

表目錄

表 11 各類型太陽能電池之比較helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip4

表 2-1 本研究所使用之藥品清單helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip25

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip33

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數hellip73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參

數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip74

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數helliphelliphellip78

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果helliphelliphellip78

表 34 TBT系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip119

表 35 P25系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

表36 TBT系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

表 37 P25系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數

分析helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip135

第一章 緒論

11 前言

聖經舊約創世紀記載著上帝說要有光即有光時至今日太

陽光為地球上最重要且最為豐富之可再生能源亦為人類唯一用之不

盡取之不竭之能量來源每年於地球上之光照能量可達到全球人類

年消耗量之數千萬倍以上由於各類天然能源快速耗竭故有效利用

太陽能轉換成所需之能源成為ㄧ門極為重要之課題各種再生能源中

涵蓋太陽能水力發電風力發電燃料電池以及鋰離子電池等

僅太陽能電池為一種將太陽光直接轉換為電能之光電元件早於1954

年時美國 Bell 實驗室首先提出以矽半導體作為太陽能電池之材

料此一領域於眾多研究學者與工程人員之努力下迄今相關之理論

與技術均已相當成熟且真正地商品化雖然無機半導體-矽太陽能電

池發展至今製程已漸趨穩定但由於對於原料之純度高度要求因此

製備成本難再大幅降低因此各研究單位莫不積極找尋另一低成本

製程簡易之替代材料此為目前使太陽能電池應用普及之發展重點

相較於傳統矽晶材料無機奈米材料具低密度質量輕成本低廉且

可使用一般傳統且發展完備之塗佈方式例如旋轉塗佈 (spin

coating)刮刀塗佈(doctor-blade coating)網版印刷(screen printing)

或近來發展之噴墨印刷 (ink-jet printing)等不需高價位設備之方法來

製備光伏元件 (photovoltaic device)因此不但可簡易地製備不同大

小之元件 並且可大幅提升進一步顯著降低元件成本之機會同時

無機奈米材料可透過分子結構設計例如摻雜金屬離子或是改變其形

貌藉以調整其能階與能隙大小電荷轉移能力電荷傳導速度溶

解度成膜之結晶型態等重要材料特徵另外所吸附之有機分子通

常具高光吸收係數與良好之延展性因而可藉以製備輕薄且可撓曲之

1

攜帶式電池元件(1)色素增感 (dye-sensitization) 之概念源起於19世

紀攝影技術使用色素增感鹵化銀(silver halide)可產生黑與白之感光

膜(photographic films)此被視為關於色素增感半導體之第一個重大

研究(2)然而最早之光電化學使用之平滑電極只有於膜表面吸附之

單層色素才能有效的將電子注入半導體內但此單層色素內光線之吸

收效率極低於多孔性之 TiO2 奈米薄膜內其有效表面積能增加至

1000倍因此要使光線吸收效率增加必須使每一個 TiO2 粒子表面

皆吸附單層色素(3)直到1991年瑞士科學家Graumltzel利用奈米技術改良

工作電極進而開發出高效率(71~79 )太陽能電池稱為染料敏化太

陽能電池 (dye - sensitized solar cellsDSSC) (4)其成果引起全球能

源界之關注以及熱烈投入發展近年來染料敏化太陽能電池澎勃發

展最大原因仍在於簡單製程無須投入昂貴設備無塵室廠房等

設備而二氧化鈦電解質等材料價格便宜亦為關鍵要素此外

DSSC 可使用具可撓曲性基材應用端因此大幅擴張相較於目

前主流矽晶太陽能電池只適用於大型戶外屋頂等少數應用場

合其具較大之應用空間

12 太陽能電池簡介

太陽能電池依照所使用之材料以及製程之不同可分為矽基

型化合物半導體型與有機半導體型三類

ㄧ矽基型太陽能電池(5 - 7)

根據結晶形態矽基型太陽能電池可分為單晶矽(monocrystalline

silicon)多晶矽(polycrystalline silicon)與非晶矽(amorphous silicon)三

類單晶矽之組成原子均按照一定規則週期性排列以單晶矽製

備之太陽能電池轉換效率最高約為24 使用壽命年限亦較長

2

但通常所使用之矽半導體基材純度極高相對地製造成本亦最多

多晶矽是以熔融態之矽鑄造固化而成其矽原子堆積方式不只一

種而是由多種不同排列方向之單晶所組成多晶矽太陽能電池由

於製程簡單故成本較低轉換效率約18-20 非晶矽對光之吸收性

比矽強約500倍只需薄薄一層即可將光子之能量有效地 吸

收其轉換效率雖僅 13-14 然而因為非晶矽不需使用昂貴之

結晶矽基板而用較便宜之玻璃陶瓷或是金屬等基板如此不僅

可以節省大量之材料成本亦提高製作大面積之太陽電池之可能性

(結晶矽太陽電池之面積受限於矽晶圓之尺寸)製造成本為三者間

最低為其最大之優勢故未來亦具發展潛力世界上已有多家公司生

產該種電池之產品例如美國 uni-solarsolarex日本三洋電機

夏普大陸深圳拓日與德國 Schott Solar非晶矽薄膜太陽電池之主

要優點是成本低製備容易但亦存在嚴重缺點即性能不穩定其

光電轉換效率隨光照時間延續而衰減另外非晶矽薄膜太陽電池之效

率亦較低(95 )為提升非晶矽電池效率大多數廠商採用雙層p-i-n

結構(一層非晶矽能階約17 eV與一層微晶矽能階約14 eV堆疊而成)

串接使電池可以吸收各種不同波長之光源達到對太陽光最大利用

進而提升整個之轉換效率

二化合物半導體型薄膜太陽能電池(5 8)

化合物半導體型薄膜太陽能電池則可分為下列幾類Ⅲ-Ⅴ族

[包括砷化鎵 (GaAs) 磷化銦 (InP)磷化鎵銦 (InGaP) ]Ⅱ-Ⅵ

族[包括碲化鎘 (CdTe)硒化銦銅 (CuInSe)]等化合物半導體為直

接能隙材料其能隙於11及16 eV之間與太陽光譜匹配度較佳此

些材料所製作之太陽電池亦都有很高之效率尤其多接面串疊型

(InGaPGaAsInGaAs multijunction tandem cell)之太陽能電池效率甚

3

至可以接近40 然而製作過程中需於真空及高溫下操作使得造價

昂貴且並未大量生產故目前商業市場上仍以矽基型太陽能電池為

三有機半導體型

有機半導體型太陽能電池具成本低廉製程簡易可應用於大

面積化以及具可撓曲性等優點故近年來度受到各界矚目本論文

中所研究之染料敏化太陽能電池(5 9)即為其中之一 然而此系列之

太陽能電池至今尚未量產之主因是在於其轉換效率低高溫穩定性

不佳及大尺寸太陽能板開發等問題因此提高轉換效率與穩定性

則成為目前研究之首要目標

表 11 各類型太陽能電池之比較(5)

4

圖 11a 各類型太陽能電池效率之發展情形(8)

圖 11b 各式種類太陽能電池效率演進圖(16)

5

13 染料敏化太陽能電池

131 工作原理

染料敏化太陽能電池之組成以及此類電池之工作原理與相對能

階位置圖如圖12 所示塗有多孔性奈米結晶性二氧化鈦(porous

nanocrystalline TiO2)之透明導電玻璃(陽極)染料分子吸附於TiO2

上含有Iminus I3minus之氧化還原對(reduction-oxidation couple)電解質塗有

鉑(Pt)觸媒層之相對電極(陰極)所組成於外接負載情況下整個電

池形成連通迴路而產生電流與電壓當太陽光照射至染料而產生激發

電子由於染料分子LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)能階

較 TiO2 導帶高(Ecconduction band)染料激發態電子迅速注入TiO2

導帶中而形成染料陽離子其中 TiO2 不單作為染料支持劑且為電

子之受體與導體雖然少部分電子會經由再結合(recombination)過程

而消失但大部分電子經由導電玻璃而傳導至外電路氧化態之染料

從電解質獲得電子而還原輸出之光電壓為照光下半導體之費米能階

(Fermi level)與電解質氧化還原可逆電對 (redox couple)之Nernst

potential差( )電解液經由相對電極上傳來之電子而被還原(10)如

此整個電路各部分皆得以再生無淨反應生成其持續之光電流由

此產生整個反應表示如下(11)

陽極 S(基態) + 能量( hυ ) rarr S(激發態)helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip照光激發

S rarr S+ + e- (CB)helliphellip染料激發態電子進入TiO2導帶

2S+ + 3 Iminus (電解質) rarr 2S + I3minushelliphelliphellipS再生Iminus消耗

陰極 I3minus+ 2e- rarr 3 IminushelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellipIminus再生

副反應 2e-(CB) + I3minusrarr3 IminushelliphellipTiO2 導帶上之電子與I3

minus結合

其中S為染料基態(ground state)S為染料激發態(excited state)S+

為氧化態染料離子(oxidized state)

6

圖 12 染料敏化太陽能電池結構示意圖(12)

圖13 為染料敏化太陽能電池各層間反應時間示意圖當染料經

照光後激發態電子注入 TiO2 導帶於 pico-second 範圍而結合過

程則約發生於 micro-second 之時間因此前者電子傳遞速率約為後

者之103倍甚至可達106倍故形成光誘導電荷分離之動力學基礎可

見光誘導分離非常有效造成淨電子流出此外電子之生命週期(life

time)與擴散係數(diffusion coefficient)決定電子之擴散長度(diffusion

length)電子於多孔膜中傳遞並不如在單晶中快故必須盡可能減少

電子行走路徑與穿越晶體界面數因此存在有一最佳膜厚對應最

大光電流值最後染料之還原反應發生於 nano-second 範圍

速率快於結合過程而能迅速消除電洞符合目前太陽能電池所要求之

7

條件形成此種快速轉移之機制乃因分子軌域之電子波函數與TiO2

導電帶之電子波函數造成耦合現象詳細之傳遞過程可以由量子力學

方法計算

圖 13 染料敏化太陽能電池各反應動力學比較示意(12)

132 染料敏化太陽能電池各部分介紹

1321 奈米結晶多孔膜電極 (nanocrystalline porous electrode)

奈米半導體光陽極材料(如TiO2)具重要地位其結構與性能直接

影響與光敏染料分子之匹配及接受染料分子注入電子之效率與光電

池之開路電壓一般染料敏化太陽電池對半導體光電極有如下要求

具比較大之比表面積以吸附更多染料分子適當導電帶能階以使與染

料激發態相匹配提高激發態染料朝向半導體電極注入電子之效率

較高之費米能階以提高電池之開路電壓較小之電阻率促使電池之內

阻減小由於 TiO2 具安定無毒穩定性高且便宜等優點故最為

被廣泛研究其他材料如 ZnO (1314) Nb2O5(1516)SnO2

(1718)In2O3(19)

8

以及二元材料Zn2SnO4(20)等都曾被研究然而電子注入效率之高低仍

須考慮染料分子與半導體結晶結構之特定方向鍵結 各研究致力於發

展相搭配之染料目前仍是以 TiO2 為主流材料天然之二氧化鈦

有三種結晶型態即銳鈦礦型(Anatase)金紅石型 (Rutile)與板鈦

礦型(Brookite)主要是由於鈦原子與氧原子排列不同而形成相異結晶

構造於此三種結晶型態中銳鈦礦型與金紅石型皆具光催化能力

銳鈦礦型與金紅石型二氧化鈦之共價帶電位很高經光照射後所生成

之電洞具極強之氧化能力 再者銳鈦礦型之傳導帶電位比金紅石型

高造成銳鈦礦型之能隙大於金紅石型(銳鈦礦型約為33 eV金紅石

型約為31 eV)受光激發至傳導帶之電子較不易回復至價帶因此

其電子具較強還原能力綜合上述可知銳鈦礦型二氧化鈦具較高催

化活性之因

染料敏化太陽能電池之一項重要關鍵技術即是引入高粗糙因

子 (roughness factor)之多孔性海棉狀(sponge-like)半導體電極結構

其目的除使染料大量吸附外並且提供適當孔洞大小供電解質擴

散薄膜電極材料之製作一般可區分為下列兩種略述如下

方法一(21 22)

瑞士教授 Graumltzel 之研究群乃利用溶膠-凝膠(sol-gel)之方法獲

得具結晶性與高比表面積之奈米顆粒依此法所得之顆粒最終型態是

受到環境之合成條件影響例如水解與聚合之酸鹼度溫度前驅物之

化學性質溶劑觸媒濃度等均扮演著重要角色以下粗略描述製作

步驟及其對應之環境與影響

I 水解 (Hydrolysis)此步驟牽涉 Ti(IV)鹽類之水解控制前驅物之

選擇可以為四異丙氧基鈦 (titanium isopropoxide) 或四氯化鈦

( TiCl4)並於 01 M HNO3 之酸性環境下進行水解使所得之膠體

9

粒子能均勻分散並且穩定懸浮於液體中實驗證明於相當高之水與

鈦比例下不論是逐滴加入(dropwise)抑或是全加(one shot)皆不

影響最後產物型態(22)

II 膠溶作用(Peptization)此步驟於 70-100oC 下持溫數小時除使

膠體粒子相互連結形成高交集度粒狀結構凝膠外同時亦因能量之提

供而破壞凝團聚集(deagglomeration) 之情形(22)結晶化亦於此時發

生顆粒亦同時微幅成長

III水熱成長(Hydrothermal growth) 此步驟之目的乃於高溫之環境

下藉由奧斯瓦特熟成過程 (Ostwald ripening) 將小顆粒溶解並進一

步成長為較大之結晶顆 粒溫度改變不僅影響最終之顆粒大小

同時亦將影響最終多孔膜之平均孔徑此外Rutile結晶相亦會於較高

溫時形成文獻(23)指出Anatase相顯示較佳之電子傳輸速率與生命週

期一般是以Anatase相為主而Rutile相之反射係數顆粒均比Anatase

相大導致生成之薄膜不具透明性但可使入射光能於多孔膜內多次

反射而被有效利用因此亦有相關研究作為太陽能電池電極為10 μm

厚並有部分Rutile相之 TiO2 多孔膜為主(21)

方法二(24 25)

利用商業化二氧化鈦粉末 (Degussa P-25為 70 銳鈦礦

(anatase)30 金紅石(rutile)之混合物粒徑約24 nm比表面積約

50 m2g)加入乙醯丙酮(acetyl acetone)或 HNO3 用以預防粒子聚

集以及添加介面活性劑用以降低表面張力以利塗佈

最後將上述方法所製得之二氧化鈦粉末與凝聚劑(binder)充分

混合利用刮刀成膜(doctor blade)之方式將上述膠態溶液塗佈於導

電玻璃上經 450oC 煆燒30分鐘後使顆粒彼此間經燒結聚同時與

導電玻璃間形成良好之電接觸(electronic contact)凝聚劑於此步驟

10

中被燒掉而遺留下孔洞完成粗糙因子約為1000之多孔膜(roughness

factor = 總表面積投影表面積) (24)值得注意之為不同煆燒溫度與

時間亦將影響最終孔徑分布進而影響電解質擴散與電池之效率表

現此外亦有利用網板印刷(screen printing)熱分解噴鍍技術(spray

pyrolysis deposition)等應用於大量生產之方式溶液之配方需做進一

步調整才能適用

1322 染料(dye)

染料為染料敏化太陽能電池中之重要組成部分在近 20 年之研

究中已嘗試合成 900 多種之染料並應用於染料敏化太陽能電池

但其中只有一小部分具良好之光敏化性能其中主要是釕(Ru)之多

吡啶錯合物而染料性能之優劣將直接影響到染料敏化太陽能電池

之光電轉換效率前述提到要藉由光激發二氧化鈦而產生反應須要

低於 388nm 之紫外光但紫外光所佔太陽光能中只有 5 是故必

須利用太陽光能占最高比例之可見光而染料能夠幫助二氧化鈦之吸

收波長提高至可見光區因此染料能藉由可見光之激發驅使電子躍遷

至二氧化鈦半導體電極並接受來自電解質之電子還原而一般染料

必須符合以下幾點條件(26)

(1) 緊密吸附於二氧化鈦表面亦即為能夠快速達到吸附平衡且不

易脫落故染料分子母體中一般應該要含有易與奈米半導體表面結

合之基團如-COOH-SO3H-PO3H2如染料上之-COOH 官能基

會與二氧化鈦膜上之-OH 官能基形成成酯類而增強二氧化鈦導帶

3d 軌域與色素染料 π軌帶電子之耦合使電子轉移更為容易

(2) 對可見光具很好之吸收特性即是能吸收大部分之入射光

(3) 其氧化鈦(S+)與激發態(S)要具較高之穩定性與活性

11

(4) 激發態壽命足夠長並具很高之電荷(電子電洞)傳輸效率

(5) 具足夠之激發態氧化還原電位以保證染料激發態電子注入二

氧化鈦導帶

(6)氧化還原過程(包括基態與激發態)中要有相對較低之位勢使

初級與次級電子轉移過程中之自由能損失最小

以釕之多吡啶錯合物為主之染料敏化劑為藉由吸附於二氧化鈦

表面其提供主要光子吸收與隨後發生電子注入之步驟典型釕之多

吡啶錯合物化學結構最早是由 Graumltzel 團隊所發現此類型染料因其

具較強之可見光吸收能力良好光電化學性質激發態穩定性高及與

二氧化鈦表面具強之連結作用力且可接受約 5x107 次氧化還原反

應因此成為廣泛使用之染料敏化劑如圖 14~16 之結構(27)N719

光敏染料於 535nm395nm 有最大吸收峰N3 dye其吸收光之

範圍可達可見光區從 400 nm~800 nm全質子化 N3 dye 於 538

nm398 nm 有最大吸收峰(28)Black Dye為目前最具效能之染料

其吸收光範圍涵蓋可見光且可達近紅外光區(900nm)單一質子化

Black Dye 於 610 nm413 nm 有最大吸收峰於拉曼振動光譜研究

中亦指出單一質子化 Black Dye 與二氧化鈦之表面鍵結與 N3 Dye

相同是由螯狀雙牙配位 (Chelate Bidentate)或架橋配位 (Bridging

Bidentate)型式與二氧化鈦配位鍵結其差別在於 Black Dye 乃以

COOmacr與 TBA+與二氧化鈦產生配位鍵結(29)然而以上此些染料可於

可見光與近紅外光區具吸收主要可歸因於金屬-官能基電荷傳遞

(Metal-to-Ligand Charge TransferMLCT)之性質由金屬(Ru)之電子

傳遞至位於外圍之羧基化吡啶配位鍵之 π 反鍵結軌域之後在少於

100 fs 時間內將電子傳入二氧化鈦之導帶(30-34)因此理論上光子轉換

為電子之比例可達至 100本研究所使用之染料 N719 與 black dye

12

之吸收光譜比較圖如圖 17 所示

圖 14 N3 染料之化學結構式(27)

圖 15 N719 染料之化學結構式(30)

13

圖 16 Black dye 染料之化學結構式(29)

圖 17 Black dye 染料與 N719 染料吸收光譜比較圖(31)

1323 電解液(electrolyte)

目前 DSSC 依其結構與研究使用目的不同亦搭配相異種類之

電解質液態電解質溶膠-凝膠(準固態)電解質與固態電解質本研

14

究所使用之液體電解質由於其擴散速率快光電轉換率高及組成成分

易於設計調整且對於奈米多孔膜滲透性佳故一直廣泛研究但

存在著許多問題(1) 傳統碘離子 (IminusI3minus) 電解質溶液之有機溶劑多

半有毒性其滲漏與揮發問題需解決(2) 實際於長期日照下應用之

發電穩定性與熱穩定性有待加強(3) 嚴密封裝需求將提昇製程成

本(4) 柔軟材質上應用困難(5) 有機溶劑對染料吸附之不利影響

以上問題於應用上均造成某種程度阻礙一般電解質都須具高極性有

機溶劑作搭配於液態電解質濕式元件中會選擇如乙烯碳酸鹽

(ethylenecarbonate)乙腈(acetonitrile)丙烯碳(propylenecarbonate)

之混合溶劑而電解質之選擇有I2LiIKITerapropylammonium

iodideTertabutylammoniumiodide 等Graumltzel 等人(32)以black dye為

染料06 M dimethylpropylimidazolium01 M I201 M LiI 與05 M

4-tert-butylpyridine 為電解質 (溶劑為methoxyacetonitrile)於 100

mWcm2強光下光電轉換效率為104 碘化物中陽離子常用的為

咪唑銨(imidazolium) 類陽離子或鋰離子(Li+)Imidazolium 類陽離子

可以吸附於奈米 TiO2 表面阻絕了 I3minus 與 TiO2 表面之接觸因此

抑制導帶電子與 I3minus 於 TiO2 表面結合使電池輸出功率與光電轉換

效率得以明顯提升由於 imidazolium 陽離子之體積大於鹼金屬離子

體積只要增大碘鹽中陽離子體積即易導致陽離子對 Iminus 束縛力減

弱一方面可以提高碘鹽於有機溶劑之溶解度進而提高 Iminus 濃度

另一方面亦因陽離子對 Iminus 之束縛力減弱Iminus 還原活性及於有機溶劑

之遷移率亦增強上述兩者均有利提高氧化態染料再生為基態染料之

速率(33)當電解質溶液中加入小體積 Li+ 時若 Li+ 濃度很小此

時 Li+ 主要是吸附於 TiO2 表面上若 Li+ 濃度增大則 Li+ 於

TiO2 表面吸附與嵌入 TiO2 膜內兩種情況共存此種情況之 Li+ 可

15

與傳導帶電子形成電子對 Li+- e-由於 Li+- e- 電子對既可於 TiO2

表面遷移亦有可能脫離 TiO2 表面遷移此將明顯減小導帶電子於

相鄰或不相鄰鈦原子之間之傳輸阻力及距離可知於電解質中加入

Li+可大幅改善電子於 TiO2 之間之傳輸進而提高染料敏化太陽

能電池之光電流(33)

1324 相對電極(counter electrode)

相對電極於染料敏化太陽能電池中扮演快速還原I3-之角色有效

觸媒催化劑極具必要性目前白金(Pt)觸媒最為被廣泛利用但其對

於光電效率表現程度(動力學常數化學穩定度附著穩定度)深受製

作方法所影響如電化學法 (electrochemically) 與蒸鍍法 (vapor

deposited)上述兩製作方法由於穩定度不佳與還原能力不好而不適

用濺鍍法(sputtering)目前最為被廣泛利用(此亦為本研究白金電極之

製作方法)其穩定性佳製作程序簡便卻須消耗較多白金而不適用

於大量生產Papageorgiou等人則發展出熱沉積(thermal decomposition)

法(34)此方法不僅大量減少白金使用量於動力學參數化學穩定性

機械強度及透明性上皆有其優異之處只是做法上較為麻煩此外

Kay與Graumltzel亦發展利用多孔性碳(porous carbon)做為觸媒層(35)此觸

媒層為碳黑(carbonblack)石墨奈米結晶性 TiO2 粉末混合物碳

黑可連接分離之石墨片進而提高導電度TiO2 則作為黏著劑(binder)

用此項技術之最大優點在於成本花費降低然而目前效能仍較白金

觸媒差

133 染料敏化太陽能電池之文獻回顧與發展現況

於1978 年美國專利發表第一個最先使用染料敏化 TiO2 來轉換

太陽光能之元件(36)TiO2 為寬能隙 n 型半導體對空氣及水有穩定

16

之抗氧化能力(4)然而電極為寬能隙半導體係為延伸於太陽光中可見

光區域之光譜應答但仍必須與染料高濃度掺雜此專利染料使用為

N-methylp- henaziniumion此使 TiO2 光譜響應延伸至500 nm然而

此專利中所組裝之元件轉換效率相當低且穩定性亦有待商榷直到

1991年瑞士洛桑高等工業學校(Ecole Polytechnique Federale de

LausanneEPFL)之 Graumltzel 與 OrsquoRegan 發展染料敏化奈米薄膜太

陽電池取得重大之突破(43738)電極為奈米多孔TiO2使用更穩定更

有效率之過渡金屬 Ru 等有機化合物染料其光電轉換效率可達 71

而於 1997年其轉換效率達至10 ~ 11 (39)澳大利亞國際永續技

術公司(Scientific and Technical InformationSTI)徳國 INAP (Institut

fuer Angewandte Photovoltaik Solarpunkt ) 研究所荷蘭國家能源研究

所(Energieonderzoek Centrum NederlandECN)日本日立公司日

本富士公司瑞典 Uppsala 大學瑞士 Leclanche SASolaronix

等公司均於產業化研究中已取得較大之發展 過去10年中全世界各

主要實驗室與公司於不同面積太陽電池上取得不同光電轉換效率其

中瑞士 EPFL 與日本夏普公司於小面積(面積小於1 cm2)電池上獲得

超過 11 之光電轉換效率(40-43)ECN 於條狀電池(1~5 cm2)上達82

(有效面積236 cm2) 之光電轉換效率瑞士EPFL(44)日本Sharp公

司Arakawa等(45)於條狀電池(1~5 cm2 ) 上取得與小電池(面積小於1

cm2)相當之轉換效率101 (131 cm2)104 (1004 cm2 ) 與99

歐盟 ECN 研究所取得面積大於1cm2電池效率最高紀錄 (815 (25

cm2)58 (100 cm2) 平均45 ) (46)由於DSSC電池之特殊性大

面積電池之研製與產業化一直是該電池研究難點目前澳大利亞

STI 公司建立世界第一個亦為迄今獨一無二面積 200 m2 之染料敏

化奈米薄膜太陽電池平面屋頂亦顯現出未來工業化之前景該結果

17

使人們對產業化染料太陽能電池之性能極具信心 2002 年美國

Konarka 公司亦投入 1350 萬美元對以透明導電高分子等軟性薄膜

為導電極之染料敏化奈米薄膜太陽能電池進行產業化與實用化研

究該研究是基於美國軍隊對軟性與移動性較好能源轉換之應用要

求故得到美國軍方大力支持因此於能源危機之促使下全球研

究單位莫不藉由改善DSSC各部分之特性以提高效率或設計其結構

以增其實用性

圖 18 DSSC 研究發展時程回顧(4 22 24 40 47-57)

14 二氧化鈦摻雜元素材料之研究

TiO2 之晶體中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性

質之改變易有助於光催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕

18

捉電子或電洞之缺陷有助於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素

與 TiO2 共結晶添加之過渡金屬亦將於光觸媒之傳導帶與價帶之間

形成新獨立能階因此可以較低之能量使電子激發進而擴大激發光

源之使用增益對光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化

效果通常摻雜元素之量(濃度)低時較有利光觸媒活性太高會大幅

改變 TiO2 原有特性每種元素之摻雜有其特定最佳化條件

Vamathevan 等人(58)配製含 Fe3+ 或 Ag+ 之摻雜改質二氧化鈦

以蔗糖之光氧化分解成二氧化碳以進行光觸媒催化活性評估結果顯

示添加之銀離子與鐵離子皆有一最適劑量分別為銀(20 atom )

與鐵(10 atom )於最佳金屬添加量比例之外銀改質型觸媒之

催化活性會略為降低故近年來研究發現 Fe3+ 為有效之摻雜離子

(5960)Li等人(61)利用有機金屬化學氣相沈積法(metal organic chemical

vapor deposition MOCVD ) 以 四 異 丙 氧 基 鈦 (Titanium

tetraisopropoxide TTIP)和 (CH3COCHCOCH3)3NdxH2O作為前驅

物以製備摻雜 Nd3+ 之改質二氧化鈦結果顯示隨著Nd3+摻雜量

之增加改質後之二氧化鈦觸媒於可見光波長範圍之吸收能力亦隨之

增加

除此之外其他如 Mo5+Ru3+Os3+Re3+Cr3+V4+與Rh3+

以及非金屬元素N (62)之摻雜等此方面研究近年來引起相當多投入

關於稀土離子摻雜進入一般陶瓷材料之研究已進行幾十年然而近幾

年始開始出現對於稀土原子摻雜進入半導體材料之研究將Tb3+摻雜

入TiO2 粉末或是薄膜中確實可以發出綠光(6364) TiO2中分別摻雜

Eu3+Tb3+Sm3+可以明顯觀察不論摻雜之稀土元素種類改變其

相皆與純之TiO2相符合證明摻雜稀土元素進入TiO2並不會改變其原

有之結構也因而不會因此改變TiO2原有之結構特性但卻可以影響

19

其電子組態與能階分布進而改變其光電特性目前故有稀土原子摻

雜進入半導體材料之研究皆只探討其發光機制與少許光觸媒特性分

析對於直接於太陽能電池電極之應用仍極為少數

141 TiO2Eu 粉體發光特性說明(65)

針對本實驗合成之工作電極材料雖發光強度無法與商用紅色螢

光粉比擬但仍為一無機螢光體主要由主體晶格(host lattice簡稱

H)與活化劑(activator簡稱 A)兩者所構成之其化學式一般以 HA

表示活化劑因可能取代主體晶格中特定離子位置稱為摻雜劑

(dopant)

1411 主體晶格(Host)

主體涵蓋一個或數個陽離子與一個或數個陰離子結合而成一般

主體於光激發過程中所扮演之角色為能量傳遞者而主體中之陽離子

或陰離子必須不具光學活性(optically inert)如此能量之放射與吸收

均於活化中心進行陽離子之選擇條件須具如惰性之電子組態(如

ns2np6d10)或具封閉之外層電子組態(如 f0f7f14)故不具光學活性

圖 19 為週期表中可作為螢光體主體之陽離子分布圖主體之選擇對

發光強度與光譜特性影響極大其中活化劑離子所進入晶格位置之

點對稱(point symmetry)與配位數(coordination number)以及所取代主

體離子之半徑大小均決定發光之行為

20

圖 19 主體晶格之陽離子分布圖(66)

陰離子團之選擇有二一為不具光學活性之陰離子團如圖

110另一則為具光學活性(optically-active)可充當活化劑之陰離子

團如圖 111後者通稱為自身活化(self-activated)之螢光體如

CaWO4YVO4等此為週期表中可作為螢光體主體晶格之陰離子

圖 110 主體晶格中不具光學活性陰離子團分布圖(66)

21

圖 111 主體晶格中具光學活性陰離子團分布圖(66)

1412 活化劑(Activator)

活化劑一般分成兩類陽離子團與陰離子團前者須具正確之價

數後者須具自身活化能力且可產生電荷轉移作為活化劑之陽離子

一般具 (nd10)((n+1)s2) 電子組態此類呈現高放光效率或半填滿軌

域如Mn2+Fe3+等如圖 112此外活化劑之添加本質上屬於

取代缺陷故活化劑與主體陽離子之大小須相近如相差太多將造成

晶格之扭曲故活化劑之種類與主體內之添加取代量即受到限制

圖 1 12 活化劑之陽離子團分布圖(66)

22

本研究採用之活化劑為稀土離子(67)其發光特性取決於稀土離子

Eu 4f 殼層電子性質稀土離子之電子躍遷主要具以下兩種形式(1) f

- f 躍遷(2) f - d 躍遷多數三價鑭系離子發生於內層之 4f - 4f 能階

躍遷根據選擇律此種l = 0 之電偶極躍遷原屬禁戒(forbidden)

但因 4f 組態與反對稱之組態 g 或 d 發生混合使原屬禁戒之 f - f 躍

遷成為允許(allowed)且 4f 殼層上之電子受外殼層 5s24p6 之遮蔽效

應故其 f - f 能階躍遷特徵如下

(1) 發射光譜呈線性譜線強度較弱

(2) 主體晶格(host)對發射波長影響不顯著

(3) 濃度與溫度淬滅變小即使於 400~500仍可發光

(4) 螢光壽命較長

15 研究動機與目的

本論文研究基於之前眾多之成果所建立之理論基礎提出一將稀

土元素摻雜入 DSSC 之工作電極中之創新構思欲藉由類似螢光粉之

觀念於主體 (host) 中摻入活化劑 (activator) 再經由特定波段之

激發產生放光之過程放射光之波長取決於主體與活化劑之搭配此

概念之目的是要增加染料敏素之吸收率進而提升整體之效益而所

需放射之光取決於染料敏素之 IPCE(incident-photon-to-current

conversion efficiency) 值於何處有最大值關於稀土離子摻雜進入一

般陶瓷材料之研究已進行幾十年近幾年則開始有對於摻雜進入半導

體材料之研究而先前眾多研究只探討其光觸媒特性並無應用於染

料敏化太陽能電池之顯著成果其中 Eu3+具非常好之紅色可見光發光

性Eu3+離子吸收波長 300 ~ 450 nm 左右之太陽光後其內層 4f ndash4f

軌域間之轉換將可放射出 593 nm (5D0 rarr 7F1) 612 nm (5D0 rarr 7F2)

650 nm (5D0 rarr 7F3)與 697 nm (5D0 rarr 7F4)紅光範圍之可見光Black

Dye 其 化 學 名 稱 為 【 thithiocycanato 44rsquo4rdquo-tricarboxy

23

31-22rsquo6rsquo2rdquo-terpyridine ruthenium(II)】(RuLrsquo(NCS)3 Complex)且其於

610 nm 與 413 nm 有最大吸收峰且其 ICPE 值於 400~600 nm 範圍

可達 80 恰位於 Eu3+之最強放光處故研究是否可藉由此放光增

加染料之吸收進而提升激發電子量再者稀土元素之摻雜並不會

破壞原有之晶體結構卻可影響其電子能態或原子結構調整其能

隙故本研究亦透過設計雙層結構之工作電極使各層工作電極傳導

帶之相對位置更有利於電子之傳遞以增加激發電子傳導速率並

減少電子再復合機率提升太陽能電池之效率

24

第二章 實驗步驟與儀器分析方法

21 化學藥品

本研究使用之藥品皆為試藥級之純度故使用前不須進行再純化

之步驟其來源與名稱如表 2-1 所示

表 2-1 本研究所使用之藥品清單

玻璃基板

FTO 導電玻璃 [ SnO2F TCO ] Solaronix TCO22-15

15 Ωsq

編號 藥品 廠商 純度

(1) 氧化銪 [ Eu2O3 ] Sigma-Aldrich 999

(2) 鈦酸四丁酯 [ Ti(OC4H9)4 ] Acroros 99

(3) 二氧化鈦 [ TiO2 ] Degussa P25 NA

(4) 硝酸銪 [ Eu(NO3)35H2O ] Sigma-Aldrich 998

(5) 碘 [ I2 ] Merck 98+

(6) 碘化鋰 [ LiI ] Merck 98+

(7) 4-特-丁基呲啶 [ C9H13N ] Aldrich 99

(8) 第三丁醇 [ (CH3)3COH ]JTB 998

(9) 四氯化鈦 [ TiCl4 ] Aldrich 999

(10) 無水乙醇 [ C2H5OH ] Riedel-de Haeumln 998

(11) 乙腈 [CH3CN] Fluka 99

(12) 乙基纖維素[Ethyl cellulose] Fluka 99

(13) 松油醇[C10H18O]terpineol Fluka NA

25

(14) 丙酮 [ CH3COCH3 ] Riedel-de Haeumln 99

(15) 甲醇 [ CH3OH ] Fluka 998

(16) 己烷 [C6H14] Riedel-de Haeumln 99

(17) 氧化鎘 [ CdO ] 林 純藥工會株

式會社 99

(18) 油酸 [ C9H18C8H15COOH ] Aldrich 90

(19) 1-十八烷烯 [ C18H36 ] Aldrich 90

(20) 三正辛基膦 [ (C8H17)3P ] Alfa Aesar 90

(21) 硒粉 [ Se ] ACROS

995

(22) 巰基丙酸 [ HS(CH2)2COOH ] Fluka

99

(23) 四甲基氫氧化銨 [ (CH3)4NOH ] Fluka

25 wt

本研究所採用之二次去離子水為經 Millipore 公司之 Milli-Q 純水系統

所處理其電阻值為 18 MΩ-cm

22 合成方法

221 溶膠凝膠法 (Micelle and sol - gel)

此方法乃利用水油與介面活性劑之三元體系所形成之混合溶

液利用其極性相近物質之相互聚集為理論基礎其中之介面活性劑

將扮演不相容物質彼此間之橋樑其中量少之一方將以微胞或微乳液

之形式存在微胞之形狀將隨著加入試劑之濃度差異而形成各種不同

26

形狀所選取之反應物須存在於微胞中而形成溶膠以利進行凝膠化

之反應於微胞中溶膠 (Sol) 之定義為極小之膠體粒子因凡得瓦

爾力與電雙層作用下產生布朗運動而均勻分散於系統中而形成所

謂溶膠與凝膠 (Gel) 為經過水解 (Hydrolysis) 與縮合 (Condensation)

反應後分子單體經由鍵結而逐漸形成大分子之凝膠狀態溶膠‐凝

膠法之基本步驟為利用金屬醇化物或金屬鹽類溶於水或醇類等溶劑

中進行水解與縮合反應所形成之凝膠產物之性質及結構與製備過程

之條件具密切之關係例如反應原料之種類濃度溶劑溫度

壓力pH 值等因素溶膠-凝膠法於形成薄膜與塊材方面具顯著之優

點且溶膠易形成摻雜故可製備均勻分布及可調性之多種複合材

料介面活性劑之功能為抑止成長中之晶體持續成長故控制微胞之

形狀即可改變晶體之形狀首先須控制溶液中之相對組成與溫度才

能達到形成微胞之條件且微胞之尺寸均於微米級以下故此微胞可

視為一種微反應器總而言之溶膠凝膠為一種膠狀懸浮液藉由膠

化作用得到固體其產生之多孔性凝膠可藉由化學方法之純化及高溫

退火之程序得到高純度與高結晶性之氧化物

222 水熱法 (Hydrothermal)

水熱法為於液相中配製超奈米材料之濕化學方法研究之溫度

範圍於水之沸點與臨界點(374oC)之間一般反應過程中維持100 ~

250oC之溫度與03 ~ 40 MPa之蒸汽壓之高溫高壓環境下反應溶劑

因高溫高壓條件下而達到其臨界點時對固體物質之溶解度增加

因而達到加速反應進行之效果此方法可提供製備一維奈米材料之新

途徑水熱法具下列幾項特點(1) 利用水熱法可直接於溶液中合

成粉體(2) 於大部分之水熱過程中長晶之程序已經完成故不須

再經過煅燒(3) 利用溫度之調變可控制粉體之尺寸(4) 利用不同

27

之起始物可得不同型態之粉體故水熱合成法可製備之材料相當廣

泛涵蓋金屬氧化物複合氧化物等數十種粉末合成之粒子大小

範圍介於01微米至幾十微米經過濾洗滌與乾燥等過程獲得之

晶體其結晶性佳團聚情況少產率高與較窄之細微性分布因此可

得純度高且細微性均勻之各類材料

23 實驗流程

本研究以兩種不同前趨物與合成方法製備 TiO2Eu3+ 之工作電極材

料分述如下

231 TPT[鈦酸四丁酯Ti(OC4H9)4 Tetrabutyl titanate]系列

此系列之奈米粒子為透過溶膠凝膠法後經水熱法及燒結而成首

先按所需之化學配比 (stoichiometry) 秤取適量之 Eu2O3並置入 100

mL 之三頸瓶中加入 9 mL 之 1 M 硝酸溶液60 mL 之去離子水(使

整體之 pH 值小於 2)激烈攪拌 30 分鐘再緩緩滴入適量配比之鈦

酸四丁酯 Ti(OC4H9)4 (Tetrabutyl titanateTBT)並激烈攪拌 1 小時

上述溶液之溫度控制於 80oC 並持續攪拌進行迴流程序時間為 10 小

時再置入 125 mL 之鐵氟龍 (telfon) 杯中並封入不鏽鋼壓力釜

(autoclave)進行水熱法溫度控制於 227oC時間為 12 小時可得白

色之膠體再以酒精反覆沖洗後於高溫 500oC 下退火 6 小時即可

得 TiO2Eu3+白色奈米粒子詳細合成流程如圖 21 所示

28

Eu2O3 and 9 mL aqueous nitric acid (1M) solution are added to 60 mL DI water with pH lt2

After vigorously stirring for half an hour 10 mL tetrabutyl titanate Ti(OC4H9)4 is slowly dripped into the above solution with vigorous stirring for 1 h

The mixture is then heated to 80oC with continual stirring for 10 h

Hydrothermal treatment in the autoclave at 227oC for 12 h

After repeatedly washing with ethanol the white slurry is annealed in air for 6 h at 500oC

圖 21以溶膠-凝膠法與水熱法合成TBT系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

232 P25(Degussa P25 TiO2)系列

按適量之化學配比秤取商用之二氧化鈦粉末(Degussa P25)與

Eu(NO3)35H2O置入裝有 30 mL 去離子水之 100 mL 燒杯中室溫

下激烈攪拌 2 小時將上述之白色溶液置入 125 mL 鐵氟龍 (telfon)

杯中並封入不鏽鋼壓力釜 (autoclave)進行水熱法溫度控制於

150oC時間為 48 小時待冷卻至室溫後將所得之白色膠體以去離

子水反覆沖洗其目的為去除表面殘餘之 Eu(NO3)35H2O爾後於

350oC 之溫度下退火 2 小時即可得白色 TiO2 Eu3+白色奈米粒子

詳細合成流程如圖 22 所示

29

Commercial TiO2 powders (P25) and europium nitrate was added to 30 mL of an aqueous solution under vigorous stirring

After stirring strongly the slurry was heated at 150oC for 48 h by hydrothermal method

After hydrothermal treatment repeated centrifugation and wash with distilled water (4 time repeated)

Annealed at 350oC for 2 h

圖 22 以水熱法合成 P25 系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

24 樣品鑑定分析

以 X 光粉末繞射儀(X-ray diffractionXRD)Rietveld 精算法鑑

定材料之純度與長程有序晶體結構以穿透式電子顯微鏡

(Transmission electron microscope TEM) 與掃瞄式電子顯微鏡

(scanning electron microscopeSEM)分別鑑定材料之結構與表面型

態利用比表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

ASAP) 分析粉體之樣貌與比表面積利用光激發光光譜儀

(photoluminescencePL)分析電極材料之激發光譜與放射光譜特性

以拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum) 測定分子之振動模式

以判定晶相與原子結構以紫外-可見光擴散式反射光譜(UV-Vis

diffuse reflectance spectra UV-Vis DRS ) 分析固態粉體於紫外光與可

見光其吸收特性利用 X 射線光電子能譜儀(X-ray Photoelectron

30

SpectroscopyXPS)分析表面元素組成與原子能級結構以 X 光吸收

光譜 (X-ray absorption spectroscopyXAS)之 X 光近吸收邊緣結構

(X-ray absorption near edge structureXANES)決定樣品中元素之價數

與電子結構茲將各實驗儀器分析之過程與原理分述於下列各節

241 粉末 X-光繞射儀(X-ray diffraction XRD)

2411 X-光繞射工作原理

X 光為一種短波長之電磁波其波長約為 10 Aring(10-10 m)陽極放

射出之 X 光由連續性不同波長之 X 光所組成故稱之為連續性 X

光譜(continuous X-ray spectrum)或白色 X 光但隨著外加電壓增大

連續性 X 光譜之波長分布範圍與其光線強度將隨之增大當電壓加

至超過門檻電壓(threshold voltage)或激發電壓(excitation voltage)時

除發生連續性 X 光譜外另將產生某些特定波長之 X 光稱之為特

性 X 光(characteristic X-ray spectrum)如圖 231(a)X 光粉末繞射儀由

電子槍產生電子如圖 231(b)所示此電子藉由 40 keV 之工作電壓

加速撞擊金屬靶材(常用之靶材為銅靶)將其靶材中 K 層(1s)電子撞

出電子游離後形成之電洞隨即由L層(2p)電子填補並伴隨X光釋出

31

Characteristic peaks

Continuous radiation

Energy

High-energy Ka

stimulusLaKb

lswl

Int

sity

e

m

Low-energy stimulus

enof

itted

rad

iatio

n冷卻水

真空 璃

接變壓器)

鈹窗 聚焦罩

銅X射線 鎢絲

靶(陽極)

X射線

管座(

Wavelength

Short wavelength limit a) b)

圖 231 (a)銅靶之 X 光光譜 (b)封閉式 X 光射線管

角動量子數之變化必須為plusmn1 (l = plusmn1)如由 L 層

(2p) 子填補 K 層(1s)電洞即 2p 1s 轉移(transition)並伴隨 X 光釋

如圖 232 所示此段波長之 X-ray 定義為 Kα波長為 15418 Aring

同理 3p 1s 則定義為 Kβ波長為 13922 Aring一般 Kα比 Kβ之強度較

強而 Kβ較 Kα之能量為高但由 p 1s 之轉移中因 2p 軌域具二

種不同型式之 Kα1與 Kα2

很難分辦但易與 K 一般常使用鎳單色光濾片(nickel filter)將

Kβ濾除(cut o

( ((68)

一般 X 光所使用金屬靶材之波長如表 22 所示以銅靶為例當

外加電壓促使電子高速撞擊銅靶之 K 層(1s)電子使其內層電子游離

並產生電洞依據吸收選擇定律(selection rule)當電子從一能階躍遷

至另一能階時其

2

自旋態(spin state)故產生 Kα1與 Kα2一般

β分辦

ff)

32

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長(69)

Target Kα1 Kα2 Kz Cr 22896 22935 22909

Fe 19360 19399 19373

Cu 15405 15443 15418

Mo 07093 07135 07117

Ag 05594 05638 05608

z is the intensity-weighted average of α1 and α2

圖 232 X 光原理示意圖Cu 1s 電子游離後形成之電洞由 2p 電子

填入並伴隨 X 光釋出(69)

德國科學家勞爾 (Von Laue) 於 1912 年提出 X 光進入晶體後因

干涉 年布拉格 ( 學

理論

稱為布拉

作用而產生繞射現象同 Bragg) 將勞爾提出之數

改以較簡潔之數學式導出 X 光之繞射條件如圖 233 所示

設晶面距離為 d入射光與晶面之夾角為 θ當入射光被二相鄰晶面

所反射二反射光束會有一光程差若此光程差為波長之整數倍(n

為正整數)時亦即當此二反射光束同步各光波之振幅具加成之效

果而形成建設性干涉合成波滿足此條件即可產生繞射

33

格定律(Braggrsquos Law)

2 sind nθ λ= (21)

晶體之 X 光繞射實驗提供兩項重要訊息(1) 繞射峰位置 2θ

(2) 為繞射峰強度(I)第一項訊息提供晶體之晶胞形狀大小(即晶格常

數)之資料第二項訊息提供晶體內部組成原子種類與位置之資料

隨材料之晶體結構與組成變化每個晶體此兩項資料各不相同因此

可利用 X 光繞射法分析材料屬何種礦物晶體或結晶材料

圖 233 X 光繞射之示意圖

2412 XRD 實驗儀器

粉末樣品之 X 光繞射分析係採用 PANalytical XrsquoPert PRO X-ray

powder diffractometer(XRD)型繞射儀其以銅靶(Cu)為光源功率為

3 kW放射光源 Kα1之波長為 15406 Aring操作時使用之電壓與電流分

別為 40 kV 與 40 mA 之條件下進行粉末繞射分析實驗其中 2θ繞射

角掃描範圍為 20 ~ 80 度每間隔 002 度讀取一次數據掃瞄模式為

2θθ將分析樣品平鋪於樣品槽(sample holder)置於圖 24 之旋轉中

心此時將繞射測角儀做旋轉偵測器則與出射光之夾角 2θ入射

光與槽座之夾角為 θ利用同步紀錄之系統而得各繞射峰之強度與角

34

度(2θ)之分布關係

圖 24 X-光粉末繞射儀(PANalytical XrsquoPert PRO XRD)

析然而中子繞射之儀器普遍性不佳利用Rietveld法可

分析

度(於本研究中以2θ量測範圍為0 ~ 180度間格為001度停留時間為10

因此可避免重疊峰之分解問題

2413 結構精算(70)

GSAS 程式採用 Rietveld 全光譜精算法 (Rietveld full pattern

refinement method簡稱Rietveld法)做結構精算Rietveld法為1969 H

M Retiveld所提出適合分析由X-光與中子粉末繞射所得之數據利

用結構精算可得物質之物理與化學特徵性質然而多數之物質不易合

成單晶之形式多數乃以多晶或粉晶存在最早則以中子粉末繞射之

數據加以分

X-光粉末繞射所得之數據使得分析晶體結構之研究之可靠性大

幅提升

Rietveld法主要為以階梯之模式(step scan)掃描其每一步之峰形強

秒)而不用整個繞射峰之積分強度

35

2ci k k k k biy S L F HT P y= Φ +sum利用此計算方法所得之繞射強度 ( S為

比例常數Lk乃涵蓋勞倫茲極化與多重性因子Fk為結構因子Tk

為穿透因子Pk為優先取向H為反射波形函數ybi乃背景強度)用

以模擬觀察所得之繞射強度(yoi)使由假設結構模型計算出之繞射圖

形與實驗量測之繞射圖趨於一致 並使最小方差擬合之殘差R為最

2( )R Wi ci oiy y= minussum 2 ( 2)

計算所得之繞射圖譜與測量所得之圖譜其相吻合之程度是由所

謂擬合參數(reliability factor)即R值決定一般以R值小於10為可

接受之最低要求常用有Rp與Rwp

oi ciP

oi

y yR

yminus

= sumsum (23)

)(( )

2

2WPRW y

= i oi ci

i oi

W y yminussumsum (24)

i較大

而一般認為Rwp較具代表性意義之擬合度判斷依據並定義

式中Wi為加權指數ㄧ般僅繞射峰存在其繞射強度之W2χ 即

ldquogo

odness of fitrdquo用以表示分析之品質

( )χ 2 =minusM

N N (25)

O V

其中M為minimization functionNO為step scan所得之繞射圖點

數NV為精算時所使用之變數個數利用最小平方差擬合與傅立葉

(Fourier)合成求得之電子密度函數進而得知粉體之晶格常數鍵長

鍵角等結構參數

Rietveld法為一可將晶體結構解析最完善之方法然而並非所有

36

之結構皆有其詳盡之原子座標位置Le Bail 法為1988年法國晶體學

家Armel Le Bail所發展利用電腦程式模擬將原本錯誤之原子位

置移動至較符合粉體模型之位置稱為整體性之最優化(global

optimization methods)或稱直接空間方法(direct space methods)利用

此方法可對於新

合成或未有詳盡之原子座標資訊給予空間群與晶格

常數之資料

圖25 晶體繞射結構解析之一般流程

37

242

型號為HITACHI S-4000其電子

槍為冷場發射式

圖26 掃描式電子顯微鏡(NDL)HITACHI S-4000

掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope SEM)

掃描式電子顯微鏡主要由真空系統電子槍透鏡組與偵測器組

成其成像原理為利用一束具有5 ~ 30 KV能量之電子束經過聚焦

镜使發散之電子束能聚集成一微小電子束掃描線圈作用於偏折電子

束使其能於試片表面進行二維之掃描工作另一功能為觀測試片時控

制倍率之放大與縮小爾後電子束經過物鏡即如同光學顯微鏡原理相

同但此時調整項圈(coil)所造成之磁場控制電子束進行最後對焦動

作完成對焦讓電子束與試片作用激發出二次電子背向散射電子

Auger電子連續X光與特徵X光等一般SEM為利用二次電子進行成

像因二次電子之信號主要源自電子束下方之區域能提供高解析之

影像而背像散射之電子亦能作為信號之來源當電子束掃描試片表

面時偵測器同時偵測由表面射出之二次電子強度輸入至同步掃描

之陰極射線管同時顯示試片之影像而陰極射線管上同步點之亮度與

對比則根據偵測到之訊號強度進行改變利用此方式試片表面之特

徵狀況即可逐一表現出來如圖26所示本實驗乃使用國家奈米元

件實驗室之掃描式電子顯微鏡其

(field emission)

38

圖27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖(71)

243

於偵測器上形成不同亮度

穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron MicroscopyTEM)

穿透式電子顯微鏡系統設計如圖 28 所示由電子槍(electron

gun)發射電子束經過一組磁透鏡(condenser lens)聚焦後以遮蔽孔

徑(condenser aperture)選擇電子束尺寸大小(beam size)後通過一組控

制電子束之掃描線圈再透過物鏡(objective lens)聚焦入射至試片

上於試片上側裝一訊號接收器用以選取二次電子或背向散射電子

成像此種儀器之優點為所需之樣品量很少且其解析度可達到原子

級之層次(10-10 m)若樣品含多電子原子則電子束將無法穿透樣品

於偵測器上顯示之亮度較暗電子束可穿透之樣品於偵測器上形成較

亮之點利用不同物質具不同電子密度之性質經電子束之穿透過程中

原子核對電子束產生之折射程度之差異性

對比之影像即為樣品之形狀和結構

但以下幾點須注意(1) 真空下要穩定 (2) 若是揮發性之物質在經電

39

子碰撞後容易消失此儀器除可用以鑑定物質之型態大小與內部細微

結構外亦可進行電子繞射而電子繞射圖可用以觀測樣品之結晶度

格常數

一天後再將銅網放置於儀器之樣品槽中調

整好儀器即可觀測

表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

好壞與計算晶

樣品製備

將欲觀測之粉末樣品取極少量溶於乙醇溶液中置於超音波震盪器中

約10分鐘使粉末均勻分散於溶液中爾後再利用已鍍上一層多孔性

碳膜之銅網放置於溶液中撈取預分析之樣品拿出銅網後用拭鏡紙將

多餘之乙醇拭乾並風乾

圖28 TEM電子腔內部結構示意圖

244 比

ASAP) 先將適量樣品 200oC 除氣(degas)至壓力為 3 times10 -3 torr以去除樣

品上之吸附水氣與其它吸附物質並於 77 K 下進行氮氣等溫吸附

40

利用 BET 公式求得比表面積利用 BJH 公式求得脫附曲線之孔洞分

態相似而於高分壓相異之行為則是因為 H4

隙較 H3 窄之緣故

291 IUPAC 制定之物理等溫吸附-脫附分類圖

布(pore size distribution)

氣體吸附曲線之型態會隨著材料之孔徑結構成分溫度及吸附

分子種類而不同 (圖 291)氣體吸附曲線 IUPAC 定義為下列六種型

態第一型為典型微孔材料第二型通常是無孔材料或孔徑較大之材

料第三與第五型曲線發生於當吸附分子間親和力大於其與固體材料

表面間作用力時之模式第四型為中孔材料於高分壓時會產生遲滯

迴圈(hysteresis loops)而第六型為一結構近乎完美均勻之表面所造成

之吸附曲線根據 IUPAC 之分類遲滯迴圈依其型態可分為四種型

態(圖 292)H1型常為規則圓柱狀孔洞材料或由規則球狀體間孔隙所

造成而 H2 型遲滯迴圈之形成通常表示材料中之孔洞與形狀較不規

則H3與 H4型迴圈之型

41

圖 292 IUPAC 制定之遲滯迴圈型態示意圖

245

T) 收集

光並測量其螢光強度並以 DataMax 軟體分析光譜資料

光激發光譜儀(Photoluminescence PL)(65)

光激發螢光 (photoluminescence PL) 光譜儀乃為簡便與精準地

檢測發光材料之光特性於本研究中採用FluoroMax-3測量螢光材料

之激發光譜(excitation spectra)與放射光譜(emission spectra)如圖

210 所示光源為利用氙弧燈提供一寬波段之激發光源為得高解

析之螢光量測數據入射光源須為持一特定之波長藉由單光器

(monochromater)之狹縫 (slit) 將光源出射光分成特定波長之入射

光入射光之能量被螢光粉體吸收後螢光粉體將發射另一特定波長

之光段打至發射光之單光器如同激發光之單光器只允許某一狹

窄之波段通過再利用光電倍增管 (photomultiplier tube PM

42

圖 210 螢光體光譜量測過程

圖211為本研究所使用之FluoroMax-3光譜儀各結構實際之配

置其包含七大主要部分涵蓋

1 Xenon光源與其保護座

1a Xenon光源電源裝置(power supply)

1b Xenon光源閃光(flash lamp)

2 入射光源單光器(excitation monochromator)

3 樣品放置槽(sample compartment)

4 發射光源單光器(emission monochromator)

5 偵測器[signal detector (photomultiplier tube)]

6 參考偵測器[reference detector (photodiode and current-acquisition

module)]

7 儀器控制電子元件(instrument control)

實驗之過程光源由圖中1部分發射而將螢光粉體置於樣品槽

43

內並置於圖中3之樣品放置槽圖中7為連接電腦控制藉由控制圖

中2與4之單光器則分別進行激發光譜與放射光譜之實驗由光電倍增

管放大(圖中5)而收集其中激發光譜可由圖中6偵測Xenon光源之訊

號並校正若進行比較發射光譜之絕對強度實驗過程則控制實驗之

時間於兩小時內完成此時期之光譜經穩定度量測誤差值座落於3

以內所得之發射光譜強度比較為可信之數值圖 212則為儀器之

實際外觀

圖211 光激發光光譜儀構造

44

圖212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀

246 拉曼散射光譜儀 (Micro Raman Scattering Spectrometer)

當光源照射於物質表面時光子會與物質之原子分子產生交互

作用造成能量之交換或動量之改變若無能量交換僅方向改變為

彈性碰撞稱為瑞立散射 (Reyleigh Scattering)若方向改變又有能量

交換為非彈性碰撞稱為拉曼散射 (Raman Scattering)當拉曼散

射光與物質相互作用時會與物質內之原子分子之振動頻率耦合

即可於入射光頻率之兩邊產生正或負之頻率位移此一頻率位移之數

值與物質內原子分子振動頻率相當此位移即為拉曼位移(Raman

Shift)此頻率位移可用下式表示

sυ υ υΔ = minus (26)

υΔ 代表拉曼散射光與入射光頻率差υ 代表入射光子之頻率 sυ 代表

散射光子之頻率

45

247 紫外可見光擴散式反射光譜(UV-Vis diffuse reflectance spectra

UV-

描範圍為200 nm至800 nm並以Spectra Calc

體收集光譜訊號

247

分光波被反射與散

另一部分光透過其餘之光才被物質吸收

Vis DRS)(72)

本研究乃將定量之粉末置於石英圓盤上再將其放置於樣品槽

相對於 BaSO4 作為參考物於室溫下以Hitachi-U3410紫外-可見光光

譜儀分析其擴散反射式光譜(diffuse reflectance spectrum)光譜掃描之

速率為120 nmmin掃

1 固態粉體之吸收光譜

吸收光譜顯示光照射於發光材料時其激發波長與材料所吸收能

量值之關係激發波長照射於發光材料時一部

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖

46

只有被吸收之光對材料之發光產生作用然而非每一被吸收光其

所有波長皆能引起激發作用因此研究吸收光譜可知哪些波長之激發

光被吸收吸收率為多少此對研究材料之發光過程為一重要課題

發光材料對光吸收公式可表達為

( ) 0( )K xI I e λ

λ λ (27)

式 27中I0(λ)為波長為λ之光照射至材料時之發光強度I(λ)為光

通過厚度為X之材料層後其發

minus=

光強度Kλ為吸收係數Kλ隨照射光波

長變

表面(圖 214)即使壓製成

錠依舊有部分光以散射釋出(圖 215)

化之曲線稱吸收光譜

因發光材料為粉末晶體故難以測出其吸收光譜一般則是測試

反射光譜用以確定其吸收光譜由 Kλ(吸收) = 1-Kλ(反射)得出材料之吸收

圖譜Kλ(反射)為被測材料之反射係數當其散射與穿透很小時可測得

然多數之物質其粉體非規則排列成一平整

粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚

度其公式如下

圖214 圖215

擴散式反射光譜儀則利用Schuster-Kubelka-Munk理論其中假設

無規則之反射光束

2(1 )( )2

R kF RR s

infininfin

minus= = (28)

infin

47

其中k為吸收係數s為散射係數一般量測與標準品相對之反射值Rinfin

而非量測絕對值之反射值其中標準品為白色固體粉末常見有KBr

用於IR(43500 ~ 400cm-1)波段BaSO4MgO作為紫外光至可見光波

段之標準品

圖216 Hitachi-U3410紫外-可見光光譜儀

248

於超高真

下操作故最好將樣品溶劑先行抽乾以免污染儀器

X射線光電子能譜儀( X-ray Photoelectron SpectroscopyXPS )

其原理為一束X光射線入射至樣品表面藉由光電效應將某一能

階之電子激發為光電子爾後經由分析光電子動能即可獲得關於表

面元素組成與元素之化學環境當數個原子鍵結成一化合物時其於

化合物中之結合能明顯與純原子時不同內核層電子之束縛能亦有不

同之變化即為一般之化學位移(Chemical Shift)分析束縛能之變

化便可獲得材料中之電子結構與化學鍵結之訊息其所造成之能譜

位移可用以區分不同氧化態之元素偵測深度約為5 nm (除氫元素外

皆可偵測)樣品製備將粉末樣品先行打錠經除水與抽真空之前

處理後送測放入儀器之樣品室中進行分析由於儀器是

48

24

分析與 TEM 等

結果

μ 表示材料單位厚度對X光之吸收則以式29以表示其相互之關係

9 X 光吸收光譜 (X-ray Absorption Spectroscopy XAS)(73)

同步輻射為接近光速之電子受加速度而產生之電磁波其可提供

連續波長可調能量範圍寬廣之光源並具光點小強度高與準直性

佳等特性近二十年應用同步輻射 (synchrotron radiation) 光源於 X

光吸收光譜之技術愈趨成熟使 X 光吸收光譜成為一項分析物質結

構之利器利用同步輻射光源對材料進行 X 光吸收光譜研究主要

包括 X 光吸收近吸收邊緣結構(X-ray absorption near-edge structure

XANES)與延伸 X 光吸收精細結構(extended X-ray absorption fine

structureEXAFS)其中 XANES 用於檢測材料中特定原子之電子組

態而 EXAFS 則測定原子之局部結構(local structure)可得知原子與

其鄰近原子間之距離種類及數目等X 光吸收光譜可發揮於原子短

程結構與電子組態上之優點與傳統 XRD 長程有序

相互配合可更加了解奈米材料之結構特性

當物質受到X光照射而吸收X光可用吸收係數 μ 表示其吸收之

程度若以I0表示入射X光之強度I 表示穿透光強度樣品厚度為 x

0 exp( )I I xμ= minus (29)

現象會隨X光能量增強而逐漸平

地降低構成吸收光譜之底線

若X光能量改變即使物質中之原子不吸收不散射等因素測得之

穿透光強度仍較入射光強度減小此

49

2491 X 光吸收近吸收邊緣結構 (X-ray Absorption Near-Edge

Structu XANES)

有關吸收原子之電子

組態價數及其所處晶格位置之對稱性資訊

re

當 X 光能量逐漸增強至物質中所含原子之吸收能量(absorption

edge)原子內層電子開始吸收 X 光之光子躍遷至外層之空軌域

造成吸收係數激增即形成 X 光吸收近吸收邊緣結構(XANES)於

吸收邊緣前與後各 30 eV 區域內之一些圖譜特徵包含吸收前緣之突

起躍昇區段上之肩部主峰之相對高度甚至吸收邊緣之位置(常

以躍昇段之第一個反曲點能量為視之)統稱為 XANES如圖 217

所示為 Ti K-edge 之 XANES 示意圖其可提供

圖217 Ti K-edge之XANES示意圖

50

25 染料敏化太陽能電池之組裝與特性分析

251

工作電極漿料之製作對於太陽能電池效率而言為最重要且最關

鍵之步驟本實驗採用奈米級粉體作為主要材料由於顆粒小其比

表面積大可使染料吸附量增加但如此微小粒子亦容易因凡得瓦

力庫倫力等發生團聚現象團聚現象對於粒徑小於 10 μm 之顆粒尤

其明顯因此於漿料之製備過程中必須透過機械攪拌及超音波震盪

等方式使其均勻分散本實驗漿料為參考 Seigo 等人於 2008 年所

發表之論文 製備首先秤取適量先前合成之二氧化鈦粉末加入配

ethyl cellulose分別為 5-15 mPas 與 30-50

mPas)膠體溶液松 terpineol)無水乙醇上述混合物置入單頸

瓶中激烈攪拌約 10 小時並減壓抽氣濃縮以去除乙醇再以超音

1 小時即完成漿料製備

252 導電玻璃清洗

[fluorine-doped tin oxide

FTO](尺寸23 x 30 cm)以中性清潔劑初步洗滌之後浸泡於丙酮溶

劑內並置於超音波震盪器內 10 分鐘丙酮可溶解油漬與黏膠卻

對 FTO 無影響可防止製備工作電極薄膜中出現裂痕及缺陷接著

使用去離子水同樣於超音波震盪下清洗玻璃最後再以乙醇於超音波

作用下洗滌乙醇可以溶解大部分之有機溶劑包括丙酮

璃之電阻)乙醇清洗完後將導電玻璃置入烘箱中以 70oC 烘烤 30

分鐘以去除殘餘有機物

3 電池組裝與特性測試

FTO 玻璃固定於網印機機台上利用網印法(如圖

FTO 玻璃上(工作電極面積

工作電極漿料配製

(74)

製好之兩種乙基纖維素(

油醇(

波震盪

首先將摻雜氟之二氧化錫導電玻璃

(會增加玻

25

(1) 將清洗完成之

218 所示)將製備好之漿料均勻塗佈於

51

複以上動作直到所

其表面於室

Black dye 溶液中放置

染料敏化太陽能電池有關組裝之詳細流程圖如圖 219 所示

需之膜厚或者所需要之雙層或多層結構設計

(2) 將鍍膜完成之工作電極置於 40 mM TiCl4 乙醇溶液中並置入 70oC

烘箱中 30 分鐘取出後以去離子水及乙醇交替潤洗

溫下乾燥後置於方形爐中 500oC 煅燒 30 分鐘

(3) 將製備好之工作電極薄膜浸泡於 02 mM

室溫暗室浸泡 24 小時使其自行吸附

(4) 待二氧化鈦電極吸附染料步驟完成後利用乙腈(acetonitrile)清洗

工作電極表面靜置乾燥後即可得已製備完成且吸附染料分子

之二氧化鈦薄膜電極首先將氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑

金屬之相對電極之空隙中再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結

合並防止氣泡產生以長尾夾固定既可完成此三明治結構之

圖 218 網印機塗佈示意圖

52

TiO2 (or TiO2Eu3+ ) powder

1 Screen printing on FTO (15Ωsq)

(A active=016cm2) 2 DryingRT 3 Gradually heated under an airflow at 325oC 5min 375oC 5 min 450oC 15min and finally at 500oC 15 min

1+ Two kind ethyl cellulose solution (5ndash15mPas and 30-50 mPas) + Terpineol + pure ethanol 2 Stirring10 hr 3 Rotary-evaporator (40oC) 50 min 4 Sonication 30 min

paste

Repeated until desirable Film thickness was obtained

TiO2 film FTO

1 Immersed in TiCl4 EtOH 70oC (30 min)2 Calcined 500 oC 30 min in air flow 3 Soaked in black dye (02 mM )

DyeTiO2 film FTO

1 Put the spacing film aside the TiO2 film2 Combined with sputtered Pt electrode3 Injected the ImacrI3- electrolyte

DSSC

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖

53

254 染料敏化太陽能電池性能測試

2541 電流電壓效率曲線(I-V curve)量測

於太陽能電池效率量測方面由於太陽光光譜將不斷變動因此

必須有一套國際量測標準目前國際上太陽能電池量測主要以美國

ASTM G-159 (Air Mass 15) 為主由於太陽光入射角度會隨著穿過

大氣層厚度之不同而隨之改變一般以大氣質量數 (Air Mass AM)

表示並規定太陽光在大氣層外直接垂直照射稱為AM 0太陽光與

地球表面夾角為90deg時稱AM 1而入射太陽光與地表之夾角為4819deg

時則為AM 15將完成之電池元件進行效能測試其光電轉換效率值

之檢測系統如圖 220 所示此檢測系統中為選擇300瓦(W)氙燈光源

模擬太陽光(AM 15)光源於開啟後須熱機10分鐘為避免檢測時因

光源不穩定而造成量測誤差並利用一標準單晶矽電池(效率值約為

1173 )以調整入射光源強度為100 mWcm2

將電池置於待檢測位置接上正負電極後利用電源電錶儀

(Keithley 2400) 控制輸出電壓並量測輸出電流值以獲得電流-電壓

曲線(I-V Curve)並藉由所得之I-V Curve圖中可獲得開路電壓(Voc)

閉路電流(Isc)填充因子(FF)與光電轉換效率(η)等評估電池效能之參

數其中短路電流乃指太陽能電池於無負荷狀態下外部電路短路

時之輸出電流此時電壓為零於理想之狀態下太陽能電池之短路

電流即等於照光時所產生之光電流而開環電壓即為太陽能電池於負

載無限大之狀況下為外部電流斷路時所量到之電壓此時之輸出電

流為零轉換效率可定義如下

max ( )P Isc Voc FPin Pin

η Ftimes times= = (210)

其中 Pin 為入射光功率FF因子定義為電池輸出最大功率

54

(Pmax)與理想最大功率之比值關係如下

max max max P I VF FIsc Voc Isc Voc

times= =

times times (211)

由上式可知此 FF 值為表示太陽能電池電壓電流表現與理

想行為間之差異此值受電池內部串聯並聯電阻工作溫度照光

強度等影響

圖220 電池光電轉換效率值檢測系統

圖221 太陽能電池I-V 特性曲線示意圖

55

2542 入射單色光之光電轉換效率量測(incident photon to current

convers-ion efficiencyIPCE)

IPCE 為單位時間內外電路中產生之電子數目 Ne 與單位時間內

入射單色光光子數目 Np 之比如其理論計算式為

2 2 [1240 ( )] [ ( ) ( )] 100SC incIPCE J A cm nm I w cmλ= times times times (212)

式中 JSC 為短路電流密度λ為入射光之波長Iinc 為入射光強度

從式中可看出奈米多孔膜(如TiO2)之比表面積越大吸附染料分子

越多光吸收效率就越高光電轉換效率測定系統可得到單一波長之

光電轉換效率根據此數據可瞭解整個光譜裡不同波長範圍之光對

電流之貢獻得到 IPCE 對波長之光譜與吸收光譜不相同因既

使能吸收光亦未必能有效轉換成電流本量測系統涵蓋以下主要組

(1) 光源500 W Xe lamp能發射全波長之光

(2) Water filter過濾光源發出之紅外光減少紅外光引起之熱

(3) 單光器(monochromator)以光柵選擇波長並投射至樣品

(4) 光強度偵測器偵測投射波長之強度

(5) 定電位定電流儀Keithley 2400用以讀出電流訊號

待測樣品經過不同波長之光照射時會反映出不同程度之光電流經

定電位定電流儀讀出電流值並記錄下來本實驗每隔10 nm 之波長

記錄電流值範圍從 350 nm 至1000 nm紀錄所有之電流值後再

經光強度偵測器量測各波長光線之能量將電流與光能量帶入式

212計算後即可得到各波長光線之光電轉換效率IPCE ㄧ般亦反

映至電池總效率上IPCE 越大則效率越高

56

圖222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖(75)

2543 電化學阻抗分析(Electrochemical impedance spectroscopy

EIS)(76)

交流阻抗定義

阻抗 = 電壓電流

交流阻抗定義阻抗 = 電壓電流 ( ( )( )

V fZI f

= )

其中電壓與電流之值會隨著頻率( f )變動而改變阻抗其實是由實部

阻抗(Zrsquo)與虛部阻抗(Zrdquo)所構成表示法為 Z Z jZ= minus

其中 Z 實部阻抗(real impedance) Z 虛部阻抗(imaginary impedance)

j = 1minus 而 Z Z Z θ (相角)之間關係如圖 223 所示

57

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

圖 223 Z Z Z θ 之間關係圖

交流阻抗測量過程如下

施加一小振幅之交流電壓(大多為正弦波訊號)使電極電位於平

衡電極電位附近微擾當達到穩定狀態後測其響應電流訊號之振幅

(magnitude)及相(phase)進而求得阻抗(impedance)然後依據所設

想之等效電路(equivalent circuit)透過阻抗圖譜之分析以及 Z-plot 程

式進行參數擬合精算以求出電極之動力學參數測量方式將組裝

好之電池於光源之持續照射下達到一穩定之電壓以電化學分析

儀(CHI 611C)測量選擇「AC Impedance」模式給予一個振幅為

10 mV 之交流電壓掃描頻率設定為 105 Hz 至 005 Hz

(a)

58

(b) high

medium low

圖 224典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖(77)

從典型之電化學阻抗圖譜可於奈氏圖(Nyquist plot)觀察到三個

半圓形之訊號參照圖 224b 依序從左至右分為高頻區 (high

frequency)中頻區(medium frequency)低頻區(low frequency)其所

分別代表之意義為(參照圖 224a )

高頻區電子於白金相對電極與電解質介面(Pt-FTOElectrolyte)之間

之傳輸阻抗

中頻區電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗

低頻區碘三負離子(I3minus)於電解質中之擴散阻抗

於經過電化學阻抗測量之後所得到之圖譜參考 Wu 等人之文獻

(78)設想之等效電路如圖 225 所示

59

FTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSCFTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSC

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

keff

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

EIS raw rata - P25 TiO2 (12 μm)

magnitude

phase

|Z| = ( |Zrsquo| 2 + |Zrdquo| 2 )12

θ = tan-1 ( |Zrdquo| |Zrsquo| )

=gt |Zrsquo| and |Zrdquo|

input output derived

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析

60

經過電化學阻抗分析過後原始數據如圖 226 所示經由等效

電路假設之後並進一步使用 Z-View 軟體效正並參考 Adachi 等人(79)

所發展之模式可以得到下列參數

(1) L (μm) 電極膜厚 (film thickness)

(2) keff (s-1) 電子再結合速率常數 (reaction rate constant for

recombination)

(3) τ (s) 電子壽命 (lifetime of electrons)

(4) Rk (Ω) 電子再結合之電荷傳導電阻亦即暗反應電阻

(charge-transfer resistance related to recombination

of electron )

(5) Rw (Ω)電子於 TiO2 中之傳導電阻 (electron transport

resistance in TiO2)

(6) Deff (cm2s)有效電子擴散係數 (effective electron diffusion

coefficient)

(7) Ln (μm) 電子擴散長度 (electron diffusion length)

其中 τDeffLn(7879)可以由下列公式求得

1 effkτ = (213)

2

( ) (keff

w

R LDR

= times (214)

( )nL Dτ= times eff (215)

61

26 量子點敏化太陽能電池之組裝

261 硒化鎘 (CdSe) 量子點之製備

(1) 取051克之氧化鎘(cadmium oxide CdO)與3克之油酸(oleic acid

OA C17H33COOH)溶入126 mL之1-十八烷烯(1-Octadecene

C18H36)中配製成A溶液

(2) 取 13 mmol之硒粉( selenium Se)與 05克之三正辛基膦

( tri-n-octylphosphine (C8H17)3P )溶入 10 mL 之 1- 十八烷烯

(1-Octadecene C18H36)中以磁石持續攪拌1小時配製成B溶

(3) 將A溶液與磁石置入三頸瓶中以每分鐘280轉之速率攪拌並以

25 mtorr之氮氣去除瓶中之剩餘空氣

(4) 將三頸瓶以每分鐘5oC之升溫速率將溫度升高至200~205oC溶

液之顏色將呈現淡黃色透明澄清溶液接著繼續升溫至280oC

(5) 接著將B溶液以針筒迅速注入三頸瓶中注入完畢開始計時達

到反應時間即離開熱源溶液顏色將從淡黃色透明澄清變化成橘

紅色澄清溶液

(6) 將溶液加入乙醇中以每分鐘10000轉之轉速離心10分鐘數次

即可完成CdSe-OA量子點並保存於己烷中

詳細配製流程如圖227所示

62

CdO and Oleic Acid(OA) were dissolved in 1-Octadecene

Heated to ~205oCuntil the color of solution turn to transparent colorless then the temperature was increased to 280oC

Injection of SeTOP solution and stop heating (in 2 min)

The CdSe nanoparticles were precipitated using EtOH and then kept in hexane

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖

63

262 硒化鎘 (CdSe) 量子點之改質 (Ligand exchange)

(1) 將02 mmol之巰基丙酸(mercaptopropionic acidMPA)溶入30 mL

之甲醇中並以四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium hydroxide

in methanolTMAOH)滴定調整溶液pH值至114

(2) 將溶液置入三頸瓶中於氮氣之環境下加熱至55oC

(3) 將保存於己烷中之硒化鎘量子點加入甲醇以每分鐘10000轉之速

率離心十分鐘重複三次

(4) 取約2 mL之MPA溶液再取40毫克之硒化鎘溶入溶液中再倒回

三頸瓶

(5) 將三頸瓶溫度加熱至65oC並以鋁箔包覆三頸瓶使溶液於黑暗

中反應20小時

(6) 接著將溶液與ethyl acetate以21之比例混合再將混合溶液與

Hexane以11混合以每分鐘10000轉之速率離心十分鐘重複2

至3次即可得到CdSe-MPA之量子點

詳細配製流程如圖228所示

64

02 mmol of MPA was dissolved in 30 mL of anhydrous methanol and pH-adjusted to 114 by addition of TMAOH

Heated to 55degC and than added to a vial containing approximately 40 mg of CdSe

Heated to 65degC and refluxed for approximately 24 hrs under nitrogen gas in the dark

The nanocrystals were isolated by addition of ethyl acetate to induce flocculation

The CdSe nanoparticles were precipitated using methanol

The CdSe nanoparticles were stored in toluene

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖

65

263 量子點敏化電池之組裝

(1)利用與 253 節中相同之方法製備工作電極薄膜並先將工作電

極浸泡純MPA溶液4小時取出後立刻將其浸泡入之前合成之硒化

鎘甲苯溶液靜置一天之後取出先以甲苯沖洗去除未吸附之多

餘奈米粒子再利用乙腈(acetonitrile)清洗工作電極表面靜置乾燥

後即可得已製備完成且吸附量子點之二氧化鈦薄膜電極

(2)再氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑金屬之相對電極之空隙中

再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結合並防止氣泡產生以長尾

夾固定既可完成此三明治結構之量子點敏化太陽能電池

附註

(1) 電解液配製

二甲丙基咪唑碘(dimethyl propyl imidazolium iodide ) 06 M 碘化鋰

(lithium iodide LiI) 01 M 碘 (iodine I2) 005 M 及第三丁基吡啶

tert-butylpryidine (05 M) 溶於乙腈(acetonitrile)中

(2) 染料溶液配製

Solaronix 公司 black dye 02 mM 及脫氧膽酸 (deoxycholic acid DCA)

20 mM 溶於乙醇 (ethanol)中

66

第三章 結果與討論

本研究之重點於利用兩種不同合成方法製備 TiO2Eu3+工作電極

材料並探討其運用於染料敏化太陽能電池之效應前者使用

Ti(OC4H9)4溶膠為合成二氧化鈦之前驅物與 Eu2O3為摻雜 Eu3+來源

以溶膠凝膠法與水熱法合成 TiO2 奈米粒子後者使用商用二氧化鈦

粉末(Degussa P25)為合成二氧化鈦與 Eu(NO3)35H2O 為摻雜 Eu3+

來源直接利用水熱法合成粉末針對兩系列工作電極材料之晶體結

構與光譜特性進行不同目的之階段分析分別敘述如下

第一階段為材料結構鑑定分析

(1-1) X-光繞射光譜儀(X-ray diffraction XRD)

(1-2) 結構精算(Refinement)

(1-3) 掃描式電子顯微鏡(SEM)

(1-4) 穿透式電子顯微鏡(Transmission electron microscope TEM)

(1-5) 氮氣等溫吸附與脫附儀(BET)

第二階段為光譜特性分析

(2-1) 光激發光譜(PL)

(2-2) 拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum)

(2-3) 紫外 ‐可見光擴散式反射光譜 (UV-Vis diffuse reflectance

spectra UV-Vis DRS )

(2-4) X 射線光電子能譜儀(XPS)

(2-5) X-光吸收光譜(X-ray absorption spectroscopy XAS)

第三階段為太陽能電池特性分析

(3-1) 太陽能電池 I-V 曲線效率量測(I-V curve)

(3-2) 入射單色光之光電轉換效率量測(IPCE)

(3-3) 電化學交流阻抗分析(EIS)

67

31 TiO2Eu3+ 材料結構鑑定分析

311 晶體結構分析

天然二氧化鈦為 n 型半導體於分子之結構中屬閃鋅晶格其中

鈦原子具 22 個電子以外圍 3d 軌域之 4 個價電子與氧原子形成共

價鍵 (Covalent Bond)自然界中二氧化鈦以銳鈦礦(Anatase)金紅

石 (Rutile)與板鈦礦 (Brookite)三種結晶組態存在其中最常見與最

廣泛使用的為前面兩種組態後者則極為罕見圖 31 為典型銳鈦礦

(Anatase) 之晶體結構圖屬四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα

=β=γ=90deg其空間群(space group)為 I 41amd其中 I 表體心晶格

(Body centered unit cell)41a 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 41旋移

軸(screw axis)即平行 c 軸旋 360deg4 = 90deg後平移 14 晶軸距離且

於垂直[001]方向具一 a 軸之旋移面(glide plane)m 表垂直[100]或[010]

方向具一鏡面(mirror plane)d 表垂直於[110]或[1-10]方向具一沿 c

軸移動之鑽石射移面(diamond glide plane)而圖 32 為典型金紅石

(Rutile) 之晶體結構圖為四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα=

β=γ=90deg其空間群為 P 42mnm其中 P 表簡單晶格(primitive cell)

42m 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 42旋移軸(screw axis)即平行 c

軸旋轉 360deg4 = 90deg後平移 24 晶軸距離且於垂直[001]方向具一反

射面n 表垂直[100]或[010]方向具一斜角射移面(diagonal glide)末

項之 m 表垂直於[110]或[1-10]方向具一反射面雖此兩種晶相皆是以

TiO6八面體鍵結而成然而 Ti-TiTi-O 鍵長與氧鍵結數不同等差異

造成兩相之質量密度(mass density)與電子組態皆相異

68

圖 31 TiO2銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖

圖 32 TiO2金紅石(Rutile)相晶體結構圖

69

3111 TiO2Eu3+ (TBT 系列) XRD 分析

此系列工作電極粉體以溶膠凝膠法與水熱法進行合成並添加

銪(Eu)為活化劑其主體晶格為二氧化鈦(TiO2)如圖 33 所示為 TBT

系列 TiO2Eu3+之 XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu含量自 x = 0 增

至 x = 005於 X-光繞射圖譜得知隨 Eu 濃度增加粉體皆呈現 TiO2

銳鈦礦 (Anatase) 之相若以離子半徑大之原子取代於主體晶格中原

子半徑小之原子故主體晶格將擴張其面間距(d)增加並根據布

拉格繞射公式 2 sind nθ λ= 可知繞射角度(θ)亦減小於圖 33 XRD

圖譜中銳鈦礦繞射面(101)之主繞射峰並無位移初步判斷為低濃

度取代之緣故而較多數文獻(80)之論點則因 Eu3+之離子半徑約為 108

Aring而 Ti4+之離子半徑約為 068 Aring兩種離子半徑差異頗大造成利

用溶膠-凝膠法與水熱法等軟性合成法並不易將 Eu 直接取代 TiO2 晶

格中 Ti 之位置故無法於使二氧化鈦晶格擴張此論點於 GSAS 結

構精算結果中將再次討論

20 30 40 50 60

A(211)A(105)A(200)A(004)

Ti1-xO2Eux (TBT)

JCPDS089-4921

x = 0015

2 θ (degree)

Inte

nsity

(au

)

x = 0

x = 00075

x = 002 x = 0025 x = 003

x = 004

x = 005Anatase

A(101)

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜

70

為計算合成粉體之粒徑大小根據晶體學 Scherrer equation(如式

31) (81)其中 D 為粒徑大小 (crystal grain size)k 為無單位常數 09

λ為 Cu Kα1之波長 015405 nmβ為圖譜中最強之繞射峰(101)之半高

寬θ為繞射角度 254o之半

coskD λ

β θ= (31)

計算不同 Eu 摻雜量其粒徑大小分布如圖 34 所示顯示隨著 Eu 摻雜

量增加粒徑大小隨之縮小至 x = 004 時達至飽和穩定研判為

Eu3+雖難取代 TiO2 中 Ti4+位置卻可能於晶格表面或空隙中形成

Eu-Ti-O 鍵結進而限制其晶格成長(82)而觀察此 TBT 系列粒徑分布

由 9~20 nm 範圍屬微小奈米粒子形成微小粒徑之因可由生成機制

說明此系列樣品由溶膠凝膠法將鈦酸四丁酯 (Tetrabutyl titanate) 水

解形成加入硝酸使生成環境處於 pH 小於 2故此過程須將鈦醇前

驅物於酸催化下水解縮合而成而三維聚合體骨架 (polymeric

skeletons) 於低含水與低水解速率下將由於 Ti-O-Ti 之鍵結逐漸形成

而更緊密堆積因此造成微小奈米粉體之形成(8384)

-001 000 001 002 003 004 005 0068

10

12

14

16

18

20

22

1027978

13241439

16781722

1934

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

) Ti1-xO2Eux(TBT)

2176

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖

71

為更進一步瞭解稀土離子摻雜進入二氧化鈦後之確切晶體結構

與精細結構變化本研究利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進

行結構精算精算過程中以 ICSD-93098 為起始模型此為空間群

I 41amd 之銳鈦礦 TiO2各原子之熱振動參數設定為等方向性

(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為 1且相同格位之

原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖 35 為 TBT 系列

Ti097O2Eu0033+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構精算所獲得之

XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理論擬合曲線

下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置以及下方藍

色實線表為理論值與實驗值之誤差

由 GSAS 結構精算結果得知如表 31a 所列TBT 系列 Eu3+

摻雜 TiO2結構之空間群仍屬於 I 41amd其中 Eu3+取代四配位之 Ti2+

位置較為合理其信賴指數為 χ2 = 237Rwp = 598與 Rp = 482

可得知樣品之結晶性良好其晶型之結晶程度好壞對往後染料敏化太

陽能電池光電轉換效率之優劣有決定性之影響晶格參數為 a = b =

37835 (6) Aring 與 c = 94945 (17) Aring晶格體積為 13591(4) Aring3根據

Vegard(85)定律固態材料因摻雜不同大小離子半徑之元素使其結構

產生膨脹(expansion)或壓縮(compression)效應而直接影響其晶格大

小與體積之變化根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較(表

31b)晶格體積並無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之

Eu3+離子(095 Aring)難以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與上述 XRD

結果吻合

72

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

圖 35 TBT 系列 Ti097O2Eu0033+粉體 X 光繞射結構精算圖

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

0000000

0000000

0245966

0338408

-0023401

0182541

1000000

1000000

261

382

Space group I 41amd (tetragonal) Cell Parameter

a = b = 37835 (6) Aring c = 94945

(17) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13591(4) Aring3

Reliability Factors χ2 = 237 Rwp = 598 Rp = 482

73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參數

Eu

ratio(x) a(A) b(A) c(A) Volume(A) Rp() Rwp() χ2

0 37809(18) 37809(18) 94795(9) 13551(16) 51 61 20300075 37805(18) 37805(18) 94796(9) 13548(16) 53 66 2270015 3790723) 3790723) 94839(11) 13628(20) 72 85 239002 37806(33) 37806(33) 94737(17) 13540(29) 62 75 2450025 37805(12) 37805(12) 94420(23) 13495(7) 52 61 185003 37835 (6) 37835 (6) 94945(17) 13591(4) 48 60 237004 37868(5) 37868(5) 94868(15) 13604(34) 63 79 279005 37772(24) 37772(24) 95012(6) 135557(15) 42 52 184

3112 TiO2Eu3+ (P25 系列)

此系列工作電極粉體為利用水熱法合成以添加銪(Eu)為活化

劑其主體晶格為二氧化鈦如圖 36 所示為 P25 系列 TiO2Eu3+之

XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu自 x = 0 增至 x = 01於 X-光繞

射圖譜得知隨 Eu 濃度增加與前一 TBT 系列比較不同之處為粉體

所呈現為 TiO2 銳鈦礦(Anatase)與金紅石(Rutile)兩項共存(之後亦利

用結構精算驗證此結果)其中以銳鈦礦(Anatase)所佔比例為多數

爾後分析將針對兩項比例作計算依據圖 36不同 Eu3+摻雜量之系

列樣品並無發現明顯之 Eu2O3或 Eu 與 Ti 複合氧化物之繞射峰出現

此為由於 Eu3+均勻分散於 TiO2晶體之表面所致(86)其主相 anatase 於

(101)處之繞射峰亦無明顯位移產生其為離子半徑差異較大之因

研判 Eu3+並無直接取代 TiO2晶格中 Ti4+之位置以 Scherrer equation

計算之粒徑大小分布如圖 37 所示文獻(87)曾報導由於金紅石(Rutile)

晶體結晶性較銳鈦礦(Anatase)為差也因此粒徑相對較小本實驗經

過 Eu 摻雜後之樣品雖將提高銳鈦礦(Anatase)相之比例(將於後文說

74

明)但由圖 37 可得知此兩相比例差異之影響對於晶格成長之限制不

大初步判斷為此系列以商用粉 P25 為前驅物進行水熱法過程中

摻雜之 Eu3+座落於晶體表面主晶體二氧化鈦並不會進行分解

(decompose)再結晶

20 30 40 50 60

R(1

01)

R(1

10)

A(1

05)

A(2

11)

A(2

00)

A(1

12)

A(1

03)

A(1

04)A

(101

)

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

x = 0

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0025x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015Anatase

Rutile

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜

000 005 010 015 0208

10121416182022242628

238237236238246248

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

)

Ti1-xO2Eux(P25)

253

圖 37 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布

75

本系列亦利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進行兩相結構

精算精算過程中銳鈦礦(Anatase)以 ICSD-202243 為起始模型而

金紅石(Rutile)則以 ICSD-202241 為起始模型各原子之熱振動參數

設定為等方向性(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為

1且相同格位之原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖

38 為 P25 系列 Ti09O2Eu013+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構

精算所獲得之 XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理

論擬合曲線下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置

以及下方藍色實線表為理論值與實驗值之誤差由 GSAS 結構精算結

果如表 32 所列P25系列 Eu3+摻雜 TiO2結構之空間群屬於 I41amd

之銳鈦礦與 P42mnm 之金紅石兩相共存其精算信賴指數為 χ2 =

185Rwp = 61 與 Rp = 52 銳鈦礦之晶格參數為 a = b = 37850

(33) Aring 與 c = 94950 (9) Aring晶格體積為 13603 (21) Aring3 金紅石之晶

格參數為 a = b = 45867 (0) Aring 與 c = 29540(0) Aring晶格體積為 6215

(0) Aring3根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較晶格體積亦

無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之 Eu3+離子(095 Aring)難

以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與 XRD 結果吻合亦與 TBT

系列結果相同

藉由 XRD 分析並根據 Spurr 與 Myers 所發展之理論(88)銳

鈦礦(Anatase)特徵峰A (101)與金紅石(Rutile)特徵峰R(110)兩結

晶面之強度可計算出異相態比例由方程式32a與32b

(32a ) 1

(1 08( ))RXA RI I+

=

1A RX X= minus (32b )

式中XA 為銳鈦礦之重量百分比XR 為金紅石之重量百分比IR 為

76

金紅石 X-ray 於(110)之繞射峰強度IA 為銳鈦礦X-ray 於(101) 之

繞射峰強度由此式計算出此系列樣品之兩相比例與利用 GSAS 結

構精算後得出之兩相比例比較如表33所示可知藉由兩種計算方法

所得之結果相近未經 Eu 摻雜之樣品(x = 0)所得銳鈦礦與金紅石之

重量百分比與一般文獻所記載此系列合成前趨物 Degussa P25 二氧

化鈦之兩相重量百分比(銳鈦礦75 金紅石25 )(89)接近而透過 Eu

之摻雜具效提升銳鈦礦之重量百分比此與 Setiawati 等人(90) 於期

刊中發表透過稀土元素(EuSm)之摻雜於高溫燒結過程中將有

效抑制金紅石相之生成進而增加銳鈦礦之穩定性之結果吻合以染

料敏化太陽能電池而言使用銳鈦礦晶相小粒徑高比表面積之

TiO2 粉末較有利於製造多孔薄膜電極時表現出高光電轉換效率

之特性而由於一般商業二氧化鈦粉末於高溫 (約700至900oC) 時會

產生相變(Anatase變至Rutile)因此於塗佈多孔薄膜工作電極後固

化之燒結溫度應避免高於轉相溫度

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

77

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

Ti

O

0000000

0000000

0000000

0304690

0250000

0250000

0000000

0304690

0375000

0170031

0000000

0000000

1000000

1000000

1000000

1000000

241

184

250

250

Space group (A) I 41amd (tetragonal)

(R) P 42mnm (tetragonal)

Reliability Factors χ2 = 185 Rwp = 61 Rp = 52

Cell Parameter

(Anatase)

a = b = 37850 (33) Aring c = 94950

(9) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13603 (21) Aring3

(Rutile)

a = b = 45867(0) Aring c = 29540(0) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 6215 (0) Aring3

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果

Ti1-xO2Eux3+ x=0 x=0025 x=005 x=0075 x=01 x=0125 x=015

Anatase(wt ) 751 817 849 839 853 836 849

Rutile(wt ) 249 183 151 161 147 164 151

Anatase(wt

)

753 824 853 835 849 834 847

Rutile(wt ) 246 176 147 165 151 166 153

GSAS refinement results

78

312 晶體表面形貌分析

3121 SEM 與 TEM 粉體形貌分析

此部分討論透過掃瞄式電子顯微鏡與穿透式電子顯微鏡觀察所

合成粉體之表面形貌以及粒徑大小分布將結果與 XRD 與 BET 所得

結果作比較如圖 391 (a)~(b)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+中 x = 0 以及

x = 003 之 SEM 影像由圖中可察覺所合成樣品皆為無孔洞表面光

滑之粉體與文獻中(89)未製成工作電極前之二氧化鈦形貌相符透過

Eu 摻雜改質後相較於未摻雜樣品粒徑似乎有縮小之趨勢此與 XRD

所得結果吻合而相較於 TBT 系列圖 392(a)~(d)顯示 P25 系列於

不同 Eu 摻雜量時之粉體 SEM 圖由圖中顯示樣品仍為無孔洞表

面光滑之粉體然而透過 Eu 之摻雜粒徑大小並無明顯改變約略

於 23~25 nm 之間此與 XRD 所計算出結果相符

但若欲進一步測量其準確粒徑分布須透過TEM量測放大倍率作

觀察圖310(a)~(f)為TBT系列 Ti1-xO2Eux3+ 中 x = 0~004 之TEM

影像由圖中可察覺粉體顆粒大小均勻形狀近似圓球狀影像中

並無顯示類似之添加稀土金屬晶相結果皆與SEM吻合其由於TEM

影像中顏色較深暗之部分表示本實驗所配製之粉體具聚集堆積之

情形推測可能為此TEM實驗製備方法中只單純將粉體分散於純乙醇

內並無額外加入任何分散劑而造成粉體顆粒產生團聚現象因此

由圖中所觀察之粉體大小可能為二次粒徑但由於系列樣品中其隨

著Eu3+摻雜量增加可明顯觀察至其粒徑亦隨之變小此結果將配合

BET之結果加以討論

79

(b) (a)

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+SEM 圖放大倍率皆為 100k圖(a)為

x = 0圖(b)為 x = 003

80

(b) (a)

(d)

(c

圖 392 (a)~(d)為 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為

100k圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)為 x = 015

81

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(a) (b)

(c) (d)

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(f) (e)

20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm

圖 310 (a)~(f)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+TEM 圖放大倍率皆為 200kx

(a) x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f) x = 004

82

3122 氮氣等溫吸附與脫附分析(Brunauer -Emmett-TellerBET)

31221 TBT 系列粉體 BET 分析

分析所合成之工作電極粉體其表面形貌以及比表面積分布本研

究針對樣品進行氮氣等溫吸附與脫附分析氣體吸附法測定比表面積

之原理為依據氣體於固體表面之吸附特性於一定之壓力下被測

樣品顆粒(吸附劑)之表面於超低溫下對氣體分子(吸附質)呈現可

逆之物理或化學吸附作用於某一壓力下其存在相對應之平衡吸附

量通過測定出該平衡吸附量並藉由理論模型以等效求出被測樣品

之比表面積由於實際顆粒外表面之不規則性嚴格來講該方法測

定之結果為吸附質分子所能到達之顆粒外表面與內部通孔總表面積

之和

圖 311(a) ~ (g)為 TBT 系列樣品針對不同 Eu 摻雜濃度之工作電

極粉體所測之 BET(Brunauer-Emmett-Teller)等溫吸附法之結果藉由

遲滯迴圈之範圍及形狀可輔以判斷孔空形狀與大小此系列樣品之氣

體吸附曲線依 IUPAC 定義於 x = 0即無 Eu 摻雜時由於其於高

相對壓力(relative pressure PsPo)時遲滯迴圈不明顯故推測屬於第

二型第二型通常為無孔材料或孔徑較大之材料配合 SEM 圖判斷

應為無孔材料顯示合成之粉體其表面光滑完整而隨著 Eu 之摻雜

量之增加氣體吸附曲線於高相對壓力出現些微遲滯迴圈現象推測

屬於第四型中孔洞材料但由 SEM 判斷粉體仍無中孔洞材料現象

為完整平滑之粉體初步判斷造成中孔洞原因為粉體堆疊時所產生之

空隙造成且遲滯迴圈較為垂直故應為規則之球體陣列間孔洞造

成而經由 BET 程式計算此 TBT 系列樣品之比表面積顯示隨著

Eu 含量之增加其比表面積亦隨之增加於 Eu 摻雜量至 x = 004 時

達至飽和此結果與 XRDTEM 結果吻合隨著 Eu 含量之增加

83

由於粒徑因為 Eu-Ti-O 鍵結產生造成晶體成長受限而隨之粒徑變

小因此造成比表面積隨之增加圖 312 為 Eu 不同摻雜量與比表面

積之關係圖

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0015)

V

olum

e ad

sorb

ed (c

m3

g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=002)

Absorption process Desorption process

(c)

84

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=003)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(d)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=004)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

050

100150200250300350400450500

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=005)

Absorption process Desorption process

(e)

(f)

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖

85

000 001 002 003 004 00570

80

90

100

110

120

130

140

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

789

9821027

1076

1328

1266

圖 312 TBT 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

31222 P25 系列粉體 BET 分析

圖 313 為 P25 系列樣品於不同 Eu 摻雜濃度下所測定 BET

(Brunauer -Emmett-Teller)等溫吸附法之結果與 TBT 系列比較依

IUPAC 之定義配合 SEM 與 TEM 之結果此系列樣品仍為無孔洞

之奈米材料且其高相對壓力處遲滯迴圈之形狀與 P25 標準圖譜相

近可判斷於此系列中經由 Eu 之摻雜後於表面形成之 Eu-Ti-O 之

鍵結較弱因此限制晶格成長現象較不明顯此結果與 XRD 粒徑大

小分布趨勢吻合

86

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPO)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0075)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=015)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

(c)

圖 313 (a)~(c) P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之 BET 圖

87

000 005 010 015

0

10

20

30

40

50

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

333

477 509

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

32 TiO2Eu3+ 粉體光譜特性分析

3211 光激發光譜分析(PL)

以 Eu3+作為活化中心之紅色螢光粉研究已屬豐碩而藉由主體晶

格之變異進而整齊發光特性而先前亦具 Eu3+摻雜入 TiO2 之研究

但多數為薄膜製程以探討其光電與觸媒特性本研究亦透過光激發

光譜之分析藉以探討不同 Eu3+濃度摻雜之粉體其發光特性與機制

Zou 等人(91)於 2006 年之研究指出由於其間接傳遞之特性TiO2

之塊材(bulk)於室溫下並無放光僅於 77 K 時於 500 nm 處具微

弱放光習知 Eu3+離子之激發光譜具以下三種特徵第一種為主體晶

格吸收以 Y2O3 Eu3+為例於激發波長(≦230 nm) 存在 Y2O3之主

體晶格吸收第二種為電荷轉移躍遷(charge transfer transition)為

Eu3+-O2-之間電荷轉移所產生之躍遷其常為寬帶譜此特徵峰一般

88

介於 250 ~350 nm(92 - 94)第三種為 f-f 軌域之躍遷此為 300~500 nm

之間 Eu3+離子之 4f 軌域相互躍遷所造成之特徵吸收峰如圖 315 所

示為摻 Eu3+離子之 TiO2光激發光譜圖與放射光譜圖於 612 nm 作

放射波長下之激發光譜中最強吸收峰為 394 nm其為 7F05L6軌域

電子躍遷其中由左至右亦包含 7F016D4(384 nm)7F0

5G2(380

nm)7F05D3(414 nm)7F0

5D2(464 nm)之吸收峰值故吸收峰皆為

4f 軌域之內層電子躍遷(95)並無上述之主體晶格吸收或電荷轉移等

現象其乃因 Eu3+-O2-之間共價性太低但電荷轉移所需能量太大

故不易發生再者因電荷轉移吸收帶與主體晶格能隙重疊故產生

能量移轉電荷轉移吸收帶吸收之能量移轉至主體晶格爾後以非發

光形式釋放

於 394 nm 激發並測其放射光譜最強之放射波長為 612 nm隨

濃度改變此一最強放射峰值並無任何改變此為 5D07F2軌域電子躍

遷且三價稀土離子佔據晶格之非對稱中心時非對稱中心之晶格場

對 J = 0 2 之躍遷特別敏感故此躍遷亦稱為強制電偶極躍遷(forced

electric-dipole transition)而磁偶極躍遷(magnetic-dipole transition)一

般不受發光中心周圍結構對稱性之影響5D07F1即屬於此類自左

至右分別為 5D07F0(580 nm)5D0

7F1(592 nm)5D07F4(652 nm)

觀察激發放射光譜圖 315 之放射峰皆為 5D07FJ之電子躍遷即自激

發態之最低能階躍遷至基態而無較高能能階激發態之躍遷其乃複

合聲子弛緩過程(multiphonon relaxation process)(96)所致

89

350 400 450 500 550 600 650 700

00

30x106

60x106

90x106

12x107

15x107

5DJ-7FJ

414

(7 F 01

-6D

3 )

384

(7 F 01

-5 Gj5 L

7)

535

(7 F 01

-5 D3

)

394

(7 F 01

-5 L6 )

λem= 612 nm

464

(7 F 01

-5 D2 )

592

(0-1

)58

0 (0

-0)

652

(0-4

)

Ti097O2 Eu0033+

612

(0-2

)

λex= 394 nm

Inte

nsity

(au

)

Wavelength(nm)

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖

由於本研究為藉由經由工作電極摻雜 Eu3+而使其放紅光並給與

染料吸收以加強其效為提供染料 Black dye 更多之紅光可利用 Eu

摻雜濃度對於發光強度之關係加以討論由圖 316 中可發現 TBT 系

列中隨著 Eu3+離子摻雜濃度由 x = 0 變化至 x = 005其發光強度隨

活化中心 Eu3+濃度增加而增強爾後摻雜濃度高於 x = 003 時強度

卻隨逐漸衰減而 P25 系列中最高發光強度時之摻雜量則為 x = 01

時 此現象為濃度淬滅效應(concentration quenching)所造成此淬減

效應產生可能因素有二

(1) 自身吸收(self-absorbing)或自消光(self-quenching)效應如同液態

螢光之現象固態溶液於高活化中心濃度時吸收物種平均距離縮減

90

使活化中心產生之螢光為另一活化中心所吸收致使發光強度減弱

(2) 能量傳遞至非放光中心 使能量損耗導致發光效率降低

Frindell 等人(97)所發表之文獻中將 Eu 摻雜入非結晶相 TiO2薄膜所

形成非傳統之發光性薄膜其觀點為放光來源為 Eu-Eu 離子間之能

量傳遞其放光濃度淬滅效應與本研究之觀點一致皆為自消光所造

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖

圖 317 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL 光譜圖

500 550 600 650 700

00

20x106

40x106

60x106

x(content)

Ti1-xO2Eux(P25)

0150125

010075

0050025

0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 464 nm

500 550 600 650 700

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

Ti1-xO2Eux(TBT)

005004

0030025

0020015

00075 0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 394 nm

91

而圖 319 與圖 320 分別為兩系列不同 Eu 摻雜量激發光譜(PLE)

之比較可觀察 TBT 系列樣品於 612 nm 作放射波長下最強吸收

峰為 394 nm其次為 464 nm然而對於 P25 系列反而最強吸收峰

為 464 nm394 nm 峰值相對減小甚大為解釋此現象可由圖 318 之

發光機制圖說明當 TiO2 Eu 照光時對主體晶格 TiO2與活化劑(Eu3+)

皆會受光激發電子當 TiO2吸收波長小於 394 nm 之入射光時光電

子快速傳遞至 Eu3+晶格場分裂能階中進行非輻射緩解至各能階進行

放光其中至 5D0後回至 7F0即產生波長 612 nm 之最強放光由於

次共價陽離子 Eu 之摻雜造成主體晶格於價帶與傳導帶間形成一受

限態(trapped state)提供激發光電子一停留之暫態因此若吸收例如

394464 nm 等波長亦會產生復合放強光或非輻射緩解(虛線)

由放射光譜(PL)可知 P25 系列於最強放光 612 nm 處之發光強度明顯

小於 TBT 系列因此可說明 P25 系列受 394 nm 入射光子量極少吸

收機率減小而致使放射光強度減弱故可說明 394 nm 峰值相對減小

之因

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖

92

300 330 360 390 420 450 480 510 540

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

λem = 612 nm

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

000075

0015002

0025003

004005

PLE

圖 319 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE 光譜圖

330 360 390 420 450 480 510 540

00

20x106

40x106

x(content)

λem= 612 nm

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

00025

0050075

010125

015

PLE

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux

3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖

93

3212 臨界距離與能量轉移機制

根據 Dexter 與 Schulman(98)所提出之濃度淬滅效應(concentration

quenching effect)由圖 316 隨 Eu3+離子濃度逐漸增加時其發光強

度亦逐漸增加於 x = 003 時發光強度達至最高值爾後再添加過

量之活化中心(x>003)導致 Eu3+離子彼此間之距離縮短促使 Eu3+

-Eu3+離子對(ion pair)形成並隨摻雜濃度增加而增加使發光能量於

Eu3+-Eu3+離子對內傳遞以非輻射緩解方式消失其發光強度逐漸衰

減此外可利用 Blasse 等人(99)所提粗略計算添加相同之活化中心於

主體晶格內藉由結構精算所得晶格參數推知其發生能量轉移之臨界

半徑(critical radiusRc)

1 3

c3R 2

4 c

Vx Nπ

⎡ ⎤asymp ⎢ ⎥

⎣ ⎦ (33)

式 33 中V 為單位晶格之體積xc 為活化中心之臨界濃度N

為單位晶格中陽離子所占有之個數

臨界半徑乃於臨界濃度(critical concentration xc)時發光中心傳

遞至非放光中心之最小平均距離於本研究中調變 Eu3+離子之濃度

(x = 0~005)其強度最大值發生於 x = 003即為 xc值並利用結構

精算得此樣品之單位晶格體積為 13591(4) Aring3於每一單位晶格中

此 TBT 系列銳鈦礦向為四方晶系故每單位晶格中之 Ti4+ 離子(同為

活化中心之取代位置)所占有之個數為 1 個即 N = 1經計算結果可

得 Rc值約為 205 Aring以相同方法計算 P25 之樣品其 xc = 01單位

晶格體積 V 為 13603(16) Aring3經計算結果可得 Rc值約為 137 AringP25

系列之臨界半徑較 TBT 系列短之原因為合成過程中摻雜元素晶體

長成之差異造成 P25 系列樣品粒徑較大Eu3+與 TiO2 之鍵結強度

較小因此於活化中心間傳遞電子之距離須更小以達濃度淬滅效應現

94

象發生

綜合上段文中所述Ti1-xO2 Eux3+螢光粉之濃度淬滅效應乃因

其發光能量於 Eu3+-Eu3+離子對(ion pair)內傳遞而淬滅本研究將探

討其能量轉移機制

Ozawa(100)等人與 Wang(101)等人於文獻中指出此複合極矩交互作

用與活化中心濃度與其發光強度具一關係式

1 31 ( )QI K x

minus⎡ ⎤= +⎣ ⎦ (34)

式中x 為活化中心濃度I 為發光強度Q = 68 與 10 分別對

應為偶極-偶極(dipole-dipole)偶極-四極(dipole-quadrupole) 與四極-

四極(quadrupole-quadrupole)交互作用K與 β為對應主體晶格之常數

圖 321為Ti1-xO2 Eux3+

(x = 0~005)樣品以 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)

作圖圖中可觀察為一線性關係其擬合(fit)線之斜率為 -062經由

上述關係式之計算後可得 Q 值為 486近似於 6故由此結果可推論

本研究二氧化鈦摻雜 Eu3+離子之濃度淬滅效應主要乃以偶極-偶極交

互作用(dipole-dipole interaction)所致

-22 -20 -18 -16 -14 -12

83

84

85

86

87

88

89

log

( Ix

Eu3+

)

log (xEu3+)

Ti1-xO2Eux3+

Slope = -06195

圖 321 Ti1-xO2 Eux

3+之 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)關係圖

95

322 拉曼散射光譜分析 (Raman scattering spectrum)

3221 TBT系列粉體拉曼散射光譜分析

拉曼散射光譜為量測材料之鍵結狀態非常普遍之方法其原理為

利用光子與樣品中之聲子之間之交互作用量測晶體中之各種振動模

式包括了分子內之振動與晶格振動因此當樣品中晶格變化極微小

時亦能藉由拉曼散射光譜儀觀測於材料晶相結構之鑑定拉曼光

譜亦提供一材料結構與鍵結組態之特徵可與 X 光繞射圖譜互為印

證根據 Balachandran 與 Eror 報導(102)銳鈦礦(Anatase)具六種

Raman active 振動模式(vibrational modes)A1g + 2B1g + 3Eg 金紅石

(Rutile)具四種 Raman active 振動模式A1g + B1g + B2g + Eg由圖 322

中 TBT 系列之拉曼光譜於 146398518 和 641 cm-1 處其顯示二

氧化鈦晶相之特徵散射峰值分別對應銳鈦礦中 Eg A1gB1g Eg

之振動模態(Vibration Mode) (103 104)且 146 cm-1處之散射峰較尖銳

指出粉體之結晶性佳並與 XRD 結構精算之結果吻合另外此系

列中並無發現金紅石之散射峰出現顯示 TBT 系列樣品為銳鈦礦之

純相此與 XRD 之結果吻合

藉由 146 cm-1處 Eg振動模態之散射峰作觀察可知經由 Eu 摻雜

後其繞射峰具往高波數位移之現象有文獻指出(105 106)當二氧化

鈦於晶體結構中之氧空缺(oxygen vacancy)增加時將增加銳鈦礦於

146 (Eg) cm-1之波數因此研判本系列樣品經由 Eu 之摻雜均增加粉

體晶體中氧空缺爾後 X 光吸收光譜將更進一步討論而 Choi 等人

(107)於銳鈦礦之二氧化鈦中以體積收縮效應 (volume contraction effect)

解釋由於粒徑縮小而使晶粒之徑向壓(radial pressure)變小因此造成

鄰近原子鍵結與振動強度改變使繞射峰有往高波數位移之現象

96

100 200 300 400 500 600 7000

1

2

3

4In

tens

ity (a

u)

Raman shift (cm-1)

148(Eg)

146(Eg)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0015

x = 0

x = 002

x = 0025

x = 003

x = 004

x = 005

398(B1g) 518(A1g)641(Eg)

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

97

3222 P25系列樣品拉曼散射光譜分析

本實驗亦將 P25 系列樣品進行拉曼散射光譜之分析如圖 323

所示 P25 系列之拉曼光譜於 146398518 與 641 cm-1 處出現二

氧化鈦晶相之拉曼散射峰值與 TBT 系列相似分別對應銳鈦礦中

Eg A1gB1g Eg之振動模態(Vibration Mode) 然而 P25 系列樣品

於未摻雜 Eu 時(x = 0)時於 454616 cm-1 處出現分別對應於 Eg

A1g 振動模式之金紅石特徵散射峰出現此金紅石特徵峰之因主要

是由於 x = 0 之樣品存在重量百分比約 25 之金紅石晶相結構隨著

Eu 濃度之增加於 x = 0025 時 454 cm-1之特徵峰已消失而當摻雜

濃度大於 25 mol (x = 0025) 時粉體皆呈現銳鈦礦之拉曼特徵

峰此與 XRD 結論吻合由於稀土元素之摻雜抑制燒結過程中銳

鈦礦轉變成金紅石之現象於最強散射峰 146 cm-1處 Eg振動模態之

散射峰分析可知經由過 Eu 摻雜此繞射峰亦具往高波數位移之現

象然而總括兩系列樣品於此散射峰之位移現象皆不顯著主要乃因

摻雜稀土元素之量過少因此造成主體氧空缺不足以造成明顯之波數

位移現象(108)

98

100 200 300 400 500 600 700

R-616(A1gR-454(Eg

))

147 Eg( )

146(Eg)

641(Eg)518(A1g)

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

(au

)

Raman shift (cm-1)

x = 0025

x = 0

x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015

398(B1g)

圖 323 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

99

323 紫外-可見光擴散式反射光譜分析(UV-Vis DRS)

3231 TBT 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

二氧化鈦為一具半導體特性之物質且為一直接能隙之 n 型半導

體經由紫外光之照射使其表面電子電洞分離純相之二氧化鈦

其價帶與導電帶之能量差(即能隙大小)約為 32 eV相當於 380 nm

光波長之能量經由愛因斯坦發展光電理論之計算能量約座落於紫

外光範圍言下之意為必須透過紫外光激發始將其電子與電洞分離

進而能夠顯現觸媒之催化活性或光電特性然而許多學者於二氧化

鈦之製備過程中添加不同比例之過渡元素金屬離子研究發現可改變

二氧化鈦之光激發特性本研究為透過於二氧化鈦中摻雜鑭系金屬

Eu並透過不同比例之添加期望藉以改善其光激發特性在此透過

紫外可見光擴散式反射光譜分析兩系列所合成 Ti1-xO2 Eux粉體其特

圖 324 為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 之紫外-可見光擴

散式反射光譜顯示未摻雜 Eu 樣品(x = 0)於圖譜短波長約 332 nm 處

具強吸收帶顯示 Ti 以四方晶系之 Ti4+ 存在於晶格中此吸收帶為

將價帶 O-2p 軌域之電子激發至傳導帶 Ti-3d 軌域(109 110)而經由 Eu

之摻雜此系列樣品吸收邊緣延長至較長波長約 400 處此現象於一

般半導體中若具雜質(impurity)或缺陷(defect)態存在即會由於其

本質傳遞而具極強之吸收(111)於本研究中Eu 離子即扮演此雜質之

角色將改變二氧化鈦之晶格環境且由XRD之結論可知由於Eu (III)

之離子半徑遠大於 Ti (IV)之離子半徑因此難藉溶膠-凝膠法與水熱

法等合成將之取代故經過摻雜之二氧化鈦形成一新相化合物此新

相化合物具兩種特性(1) 經過 Eu 摻雜後之二氧化鈦之能隙變小(2)

吸收邊緣延長至較長波長因此較低能量之入射光子即可被利用此

100

現象於圖 324 中特徵譜線紅位移現象中可證實Saif 與 Mottaleb 於

文獻中(110)亦說明鑭系正離子為電子清除劑(electron scavenger)之角

色進而影響主體之發光與光觸媒特性

200 250 300 350 400 450 500

x = 004

Ti1-xO2Eux(TBT)

F(R

)

Wavelength (nm)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

x = 0Red shift

圖 324 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS 光譜

進一步計算此系列樣品之能隙大小評估添加Eu後對光觸媒之光

吸收特性之影響最常以Schuster-Kubelka-Munk 理論方程式並配合

漫反射光譜以估算材料之能隙值擴散式反射光譜儀所利用Schuster

-Kubelka-Munk 理論(112 113)多應用於鋪陳較厚之粉體其中假設無規

則之反射光束粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚度適

用其公式如下

2(1 ) ( )( )2

R kF RR s( )

λαλ

infininfin

infin

minus= = = (35)

101

其中 k 為樣品之吸收係數s 為散射係數一般量測與標準品

相對之反射值 Rinfin 即 refR R Rinfin = 而非量測絕對值之反射值其

中本實驗之 refR 為硫酸鋇 (BaSO4) 之反射係數而若考慮s與波長λ

弱相關之因素則 ( ) F R k sα infin= = 於窄範圍內可正比於吸收以

1

[ ( ) ]F R h ηυtimes 對 hυ 作圖(KM圖)可用以得到材料之能隙值於 KM

圖中hυ 為入射光子之能量而指數η則是由因光子吸收情形造成材

料光吸收範圍之轉移形式決定(114)本研究中粉體特性利用 KM 圖

(指數η =2)可以得到一線性關係藉由此圖形以線性外插法可精確地

求得材料之能隙值計算此系列樣品 Eu 之摻雜量增加後其能隙大

小之趨勢為329326324322314312 eV呈現縮小之現象

Tanner等人(115)提出將稀土元素Er3+摻雜入α-Al2O3中其中Er3+之離子

半徑仍遠大於主體晶格中之Al3+難以取代其晶格位置研判於低濃度

摻雜時形成一新化合物ErAlO3且隨著摻雜濃度增加其能隙亦有

縮小之趨勢而Umebayashi等人(116)將V Cr Mn Fe Co等金屬元素摻

雜入TiO2 後一電子填滿態形成於價帶頂端與傳導帶底部之間且

隨著摻雜量增加此局部填滿態(localized occupied level)將向低能量

位移造成能隙縮小故可研判本實驗中經過 Eu 摻雜之樣品其

能隙調整為Eu3+ 3d所形成之軌域與O-2p 軌域所混成之頂端(價帶)

至Ti4+ 3d 軌域之底部(導帶)因此造成能隙縮小將此與Rengaraj等

人之研究結果吻合(117) 在此將Eu摻雜後之可見光激發過程示於圖

327中

102

25 30 35 40

[F(R

)hν

]12

hν (eV)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算圖

000 001 002 003 004310312314316318320322324326328330

312314

322324326

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

329

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖

103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖

3232 P25 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

而針對 P25 系列樣品同樣可藉紫外-可見光擴散式反射光譜圖

分析如圖 328 中亦發現隨著 Eu 之摻雜濃度增加樣品之反射光

譜線與前趨物 Degussa P25 相近且吸收邊緣亦具紅位移現象然而

相較於 TBT 系列其吸收譜線卻較為狹窄對於光觸媒之利用較為

不利且此系列粉體亦藉由 Schuster - Kubelka-Munk 理論計算其能隙

大小由於 Eu 摻雜造成能隙縮小之現象較不如 TBT 系列顯著推論

由於合成方法與前趨物不同所致其造成樣品形成結晶之結果不同

且 Eu 於 P25 系列粉體中與 O 軌域之混成程度不如 TBT 系列

104

250 300 350 400 450 500

00

02

04

06

08

10

12

x = 015F(R

)

Wavelength (nm)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

x = 0

Red shift

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜

25 30 35 40

[F

(R)

hν]1

2

hν(eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖

105

00 01 02300302304306308310312314316318320322

310312

317

313

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖

324 X 射線光電子能譜儀(XPS)

本研究藉由 X 射線光電子能譜儀探討粉體之能階性質其乃藉

由光電效應將某能階之電子激發而成為光電子藉由分析此些光電子

之能量進而得知束縛能獲得關於表面元素組成以及元素之化學環

境狀態由於本實驗以 Eu 摻雜入主體二氧化鈦中由 XRD 精算結

果顯示即使 Eu 摻雜量增加其晶格體積並無擴張趨勢基於 Eu3+與

Ti4+之離子半徑之差異初步判定Eu並未取代二氧化鈦晶格中Ti4+ 之

位置由於稀土原子與主體晶格鍵結成一化合物時其化合物之結合

能明顯會與純原子時不同其內核層電子之束縛能亦會有不同之變

化即一般之化學位移 (Chemical Shift)其所造成之能譜位移可用

以區分不同氧化態之元素

利用 XPS 分析 Ti1-xO2Eux3+ TBT 系列中 x = 03 之粉體由全光

譜結果表示奈米粉體表面主要含 TiOC 三種元素其中 C 元素

來自於污染雜質碳而 XPS 偵測深度約為 5 nm未於全光譜中偵測

106

到 Eu 之特徵峰(1134911652 eV)出現初步推測含 Eu 化合物可能

未於粉體表面而存在於晶格空隙(interstitial)中(86)如圖 331 所示為

TBT 系列 x = 0 與 x = 3 針對 Ti-2p 軌域所呈現之 XPS 圖譜其中

Ti-2p32與 Ti-2p12之束縛能約於 4583 與 464 eV間距為 57 eV兩

特徵峰之相對強度(積分面積)比約為 21皆為二氧化鈦晶格中 Ti4+

之貢獻與文獻中銳鈦礦相之特徵峰吻合(118)當 Eu 之摻雜(x = 3)顯

示可見 Ti-2p32 與 Ti-2p12 之束縛能位置具化學位移現象(4585 與

4642 eV)此化學位移現象可藉共價鍵理論(covalent bonding theory)

解釋顯示 Eu3+合併(incorporate)入 TiO2 中(於晶格表面或空隙)而形

成 Eu-O-Ti 鍵結由於 Eu 之存在造成 Ti 與 O 所共價之電子雲密度

減少而改變其束縛能因此束縛能增加(119)造成特徵峰向高能量偏

移如圖 332 為 O-1s 軌域之 XPS 圖譜經 Eu 之摻雜亦出現化學位

移之現象另亦有文獻指出(120)若二氧化鈦表面之本質缺陷(intrinsic

defect)增加由於缺陷結構會促使電子從陰離子(O)中傳遞至陽離子

(Ti)或摻雜離子(C)中造成 O 束縛能增加此與本實驗之位移現象吻

合至針對 P25 系列樣品同樣觀察 Ti-2p32Ti-2p12 與 O-1s 軌域之

XPS 圖譜(圖 333334)指出相較於 TBT 系列樣品無論為 Ti-2p

抑或 O-1s 軌域化學位移之現象皆較不明顯研判於表面 Eu-O-Ti

共價鍵之鍵結強度較弱因此電子轉移現象減小

107

456 458 460 462 464 466

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

527 528 529 530 531

5298

Ti1-xO2Eux(TBT)O 1S

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0

5297

x = 003

4642

4585464

Ti1-xO2Eux(TBT)

Ti 2p12

Binding energy (eV)

Inte

nsity

(au

)

Ti 2p32

x = 0

4583

x = 003

108

458 460 462 464 466

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

4643

45854642

In

tens

ity (a

u)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

Ti 2p12

Ti 2p32

x = 0

4584

x = 01

527 528 529 530 531

5297

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

O 1S

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0

5296

x = 003

109

本研究亦建立兩系列樣品之價帶導帶與標準氫電極之相對位

置以利解釋雙層工作電極模型機制本研究針對低能量入射光子慢

速掃瞄粉體之 XPS 光譜由於 XPS 原理中運用光電效應概念偵

測光電子能量(Ek)為入射光子能量扣除內核層電子束縛能與功函數

即 k bE h Eυ ϕ= minus minus (如圖 335 說明 )由二氧化鈦之分子軌域

(Molecular orbital)圖樣可知其價帶位於 O-2p 軌域因此圖 336 中為

針對 TBT 系列樣品(x = 03)之價帶圖譜由態密度(density of state)圖

譜可知代表價帶(O-2p)之放射特徵譜線而費米能階(EF)於價帶圖譜

中視為 0 eV因此可透過類似計算能隙大小之外差法方式計算其價

帶相對於標準氫電極之大小(120)可之經由 Eu 之摻雜二氧化鈦之

價帶位置由 32 eV 降低至 21 eV由圖中亦可得 Eu 摻雜樣品降低粉

體之價帶位置並結合紫外‐可見光擴散式反射光譜分析後所得粉體

之能隙大小可建立如圖 338 所示兩系列樣品之能隙位階圖

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖

110

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

21

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0 x = 003

32

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

20

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25) x = 0 x = 01

25

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

111

圖 338 兩系列樣品未摻雜與摻雜 Eu3+粉體能隙位階圖

112

325 X-光吸收光譜(XAS)

本研究所製備之工作電極粉體係屬奈米材料因奈米材料相較塊

材之結晶性較差由X光粉末繞射圖譜中(powder X-ray diffraction)將

無法獲得進一步之結構資訊X吸收光譜可提供局部之結構資訊(local

structure)適合作為奈米材料結構研究之方法此外更可提供繞射法

所無法獲得之氧化態訊息故本研究乃藉由國家同步輻射研究中心

BL20A光束線以進行吸收光譜量測藉比對X光吸收近邊緣結構

(X-ray absorption near edge structure XANES)以得知特定原子氧化價

數與 d-軌域之電子填滿率並可分辨吸收原子所處之晶位對稱性

由於同步20A光束線而言待測樣品可以為晶型或非晶型固體甚至

為液體或氣體因此應用範圍十分廣泛尤其各元素之吸收邊緣能量

少有重疊可調整入射能量至各個元素之吸收區進行掃描以分別偵

測非常適於量測含有多種元素之樣品系統

由圖 339 與圖 341 中兩系列樣品之 O-k edge 吸收光譜指出此二

氧化鈦之 O-K edge 之特徵譜線與文獻中吻合(121)觀察兩系列中於吸

收邊緣之特徵譜線經由 Eu 之摻雜並無明顯位移現象顯示粉體中

O 之價數並明顯變化判斷為低濃度摻雜之故然而放大 528 eV 附

近之特徵峰觀察後發現(圖 340 與圖 342)隨著 Eu 之摻雜量增加

此吸收峰強度亦隨之增強由分子軌域之概念顯示由於 Eu 之摻

雜造成 O 之電子雲轉移散布至 Eu 軌域因此造成 O 電子組態中出

現更多空軌域亦即增加粉體之氧空缺由於 TiO2 摻雜次共價鍵陽

離子(subcovalent cation)造成之氧空缺會形成攔截態(trap state)或雜質

態(impurity state)(122 123)可能形成放光中心影響粉體之螢光性質亦

可能造成電子傳遞時之阻礙

113

531 540 549

0

1

2

3

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux(TBT)O K-edge XAS

圖 339 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

114

5272 5280 5288

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 340 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜局部放大圖

525 530 535 540 545 550

0

1

2

3

Photon Energy (eV)

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux(P25)O K-edge XAS

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

115

5272 5280 5288

Photon Energy (ev)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大圖

116

33 Ti1-xO2Eux3+粉體於染料敏化太陽能電池之應用研究

上述各節已討論 Ti1-xO2Eux3+ 粉體之晶體結構形貌光學電

子組態各種特性本研究藉由此經修飾之二氧化鈦粉體應用於染料敏

化太陽能電池之工作電極材料並藉由其特殊發光特性與結構設計

以提高太陽能電池之效率

331 單層工作電極電池效率量測

未經修飾之二氧化鈦(TiO2)由於其能隙約為32 eV亦即所能

利用之光波範圍僅限於紫外光區域此情況下 TiO2 於一般日照射能

產生電子-電洞對之效率差所展現之光催化活性低應用價值不高

故為提升對太陽光之吸收效率進而提升 TiO2整體光催化效率為當

前一重要課題一般提高效率之方法分為修飾 TiO2表面或晶體結構

以增加其對光波之吸收率與抑制電子-電洞對之再結合TiO2之晶體

中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性質之改變益於光

催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕捉電子或電洞之缺陷

益於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素與 TiO2 共結晶增益對

光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化效果

第一個部分由於本研究透過 Eu3+摻雜入二氧化鈦中於光激發

光譜分析可得知兩系列摻雜 Eu 粉體於藍紫光(394464 nm)激發造成

於 612 nm 處之放光配合染料 black dye 於紅光附近之吸收可提高

染料之額外吸光量進而提高光激發電子之數量以提高能量使用之效

率圖 343 中為 TBT 系列分別取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體與摻

雜 Eu 後發光強度最高 (x = 003)之粉體工作電極材料(分別以 0-TBT

與 Eu003-TBT 表示)組裝電池後量測之光電特性為討論分析其再

現性本研究以相同條件多次組裝電池量測求證結果由表 34 中光

電特性參數得知兩種樣品所得 FF 因子皆達理想電池之表現

117

Eu003-TBT 電池平均效率為 178 而 0-TBT 獲得平均為 234

之較高效率其中短路電流密度(Jsc)從 436 下降至 320 mAcm2為主

要原因以同樣想法將 P25 系列粉體取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體

以及摻雜 Eu 後發光強度最高 (x = 01)之粉體工作電極材料(分別以

0-P25 及 Eu01-P25 表示)組裝電池後量測之光電特性於圖 344 中

顯示由表 35 光電特性參數亦可知 0-P25 平均效率為 189 而

Eu01-P25 為 124 其中短路電流密度從 373 下降至 221 mAcm2

與 TBT 比較同一結構P25 系列之電池效率明顯較小推測仍為

粒徑較大由 BET 之計算可知供染料吸附之比表面積較少因此造

成效率較低針對電池中之工作電極Eu 摻雜後之材料反而效率降

低在此提出可能之機制如圖 345 所示於電子傳遞過程中理

想狀況為光電子迅速由染料之 LUMO 傳遞至二氧化鈦導帶再經由

FTO 導致外電路使用然而由於 Eu 摻雜後之工作電極Eu 所形成之

氧空缺捕捉光電子此時氧空缺類似 trap state因此造成光電子量下

降再者由於被染料激發之光電子到達工作電極時亦可能部分

用以形成 Eu 放紅光之復合電子來源因此亦為光電子量下降之因

可由表 34 與表 35 中經 Eu 摻雜後之工作電極電池光電流之現象得

118

00 02 04 06 08 10 120

1

2

3

4

5

6(TBT)Ti1-xO2Eux

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage (V)

x = 0 231 224 237 233

x=003 176 185 168 182

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 34 TBT 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT 16 074 436 069 234(8)

Eu003-TBT 14 077 320 058 178(2)

119

00 02 04 06 08 100

1

2

3

4

5C

urre

nt d

ensi

ty (m

Ac

m2 )

Voltage (V)

x = 0

189 191 182 193

x = 01 123 125 119 127

Ti1-xO2Eux (P25)

圖 344 P25 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 35 P25 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P25 14 071 373 067 189(2)

Eu01-P25 15 079 221 054 124(3)

120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖

332 雙層工作電極結構

對於提高染料敏化太陽能效率由效率 sc oc inJ V FF Pη = times times 可

知致力於提高其開路電壓 (Voc) 亦為提高效率其中之一方法以

此觀念為基礎之研究例如 Durr 等人(124)於 2006 年利用於原 TiO2上塗

佈 Ti1-xZrxO2與 ZrO2之混合物由於 ZrO2之能隙約為 5 eV相對於

TiO2之 32 eV形成一道位階屏障阻擋傳導至 TiO2傳導帶之光電

子與染料之 HOMO(Highest occupied molecular orbital)或電解質中 I3minus

再復合之機會進而提高光電子傳導致外電路之數量本研究鑑於先

前對於 Eu 摻雜入 TiO2後提高其價帶位階並增加其能隙大小之結

果設計雙層結構以降低光電子再復合之機率因此下一部分實驗

121

因此本研究將利用Eu摻雜對於 TiO2 之粉體與未摻雜 TiO2相異之光

電特性設計出雙層結構工作電極藉以探討對於太陽能電池效率之

影響

3321 雙層工作電極結構電池製作說明

首先說明此雙層結構工作電極之太陽能電池之設計先於十片清

洗完之 FTO 上透過網印塗佈一層未摻雜 Eu 之二氧化鈦電極(約 6~7

μm)經過層溫燒結後再分成兩組各五片其中一組繼續塗佈一層

相近厚度未摻雜 Eu (x = 0)之二氧化鈦電極而另一組則塗佈一層摻

雜 Eu 後發光強度最高(TBT 系列x = 003)之電極再進行層溫燒結

並與第一部分單層結構相同利用四氯化鈦處理後再進行 500oC 燒結

即完成分別以 0-TBT0-TBT 與 Eu003-TBT0-TBT 表示而 P25 系

列樣品亦以相同步驟製得分別以 0-P250-P25 及 Eu01-P250-P25 電

池雙層結構設計圖如圖 346 所示

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖

122

3322 電池效率量測

為探討其組裝之再現性與穩定性本研究亦以相同條件多次組裝

電求證結果圖 347 為 TBT 系列雙層結構電池之電流-電壓圖由表

中可得知0-TBT0-TBT與Eu003-TBT0-TBT平均效率分別為260

與 343 短路電流密度 (Jsc)為 565 mAcm2與 702 mAcm2開路

電壓為 066 V 與 071 V顯見第二層為 Eu 摻雜之二氧化鈦電極效

率短路電流開路電壓皆增加而 P25 系列第二層若為 Eu 摻雜後

之電極由表 36 中可觀察出效率短路電流開路電壓皆增加但

與 TBT 比較同一結構電池效率明顯較小推測仍為粒徑較大

造成染料吸附量較少 圖 349 為 Eu003-TBT0-TBT 雙層結構電極

材料與染料間能隙之相對位置本研究亦藉此解釋效率提高之原因

由短路電流增加之現象可知光電子被利用之數量增加即光電子從

染料之 LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)快速傳導至第二層

Eu003-TBT 再至第一層 0-TBT由於電子於此傳遞過程中之速率與

兩因素相關(1) 染料用以吸附於二氧化鈦之結構種類強度(2) 染

料 LUMO 與二氧化鈦工作電極之傳導帶(conduction band)之相對位

置而透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動

力(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導

帶位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑

或與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機

率增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值Kim 等人於

2008 年之研究中(125)利用二氧化鈦摻雜鉻(Cr)之材料改變原二氧

化鈦之半導體屬性作為屏蔽電極層亦可減少電子再復合機率而提

高效率

而對於開路電壓增加之現象須先瞭解染料敏化太陽能電池運作

123

時之能階變化階原理由Kubo (55)所建立如圖350(a)所示為一DSSC

於未照光之能階圖亦即TiO2染料電解介質面之間不存在電位差

故其費米能階 (Fermai level EF)可視為自由電子所混成之平衡狀態

當DSSC照光後如圖350(b)所示染料吸收光波產生激發之光電子

與電洞之分離同時造成電位差此電位差即為TiO2之CB與染料之

LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)混成能階(Efn)相對染料

之HOMO (Highest occupied molecular orbital)與電解質氧化還原電位

(I-I3-之ERedox)之混成能階(Efn)之電位差(ΔV)而此電位差之最大直即

為光電壓之最大值亦即開路電壓本研究中由於雙層結構第二層

Eu003-TBT傳導帶上移造成與染料之LUMO混成能階上移因此與

染料之HOMO與電解質氧化還原電位(Iminus I3minus之ERedox)之混成能階差異

變大增大電位差因此提高開路電壓值

124

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 100

1

2

3

4

5

6

7

8

9C

urre

nt d

ensi

ty(m

Ac

m2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT 273 258 250 260

Eu003-TBT0-TBT 342 340 339 352

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 36 TBT 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT0-TBT 15 066 565 070 260(8)

Eu003-TBT0-TBT 16 071 702 068 343(2)

125

00 01 02 03 04 05 06 07 08 090

1

2

3

4

5

6

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-P250-P25 195 201 191 189

Eu01-P250-P25 237 214 242 254

圖 348 P25 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 37 P25 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P250-P25 15 066 420 069 194(5)

Eu01-P250-P25 14 070 473 070 237(2)

126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變化(55)

127

3322 雙層工作電極結構電池入射單色光子-電子轉化效率(IPCE)量

為驗證雙層工作電極結構之電池中效率提高原因之論點本實驗

針對電池進行單色光子-電子轉化效率(IPCE)量測透過自動單光濾

鏡控制光源照射電池之波長藉以觀察電池於不同波長之入射光照射

下其外部量子效率展現由圖 351a 及 351b 分別顯示 TBT 與 P25

系列電池所呈現之 IPCE 圖譜譜線趨勢與參考文獻(75)相近其中

Eu003-TBT0-TBT 電池於可見光區之外部量子效率明顯大於

0-TBT0-TBT 所呈現P25 系列亦有相同趨勢結果於橘紅光附近

(610-620 nm) 提升較明顯是否為第二層結構 TiO2 Eu 於 612 nm 部

分放光為 Black dye 所吸收而增加光利用之故仍未確定故本研究

透過工作電極之放射光譜印證乃將製作完成之 Eu003-TBT0-TBT

電池工作電極一部分未浸泡另一部分浸泡染料 black dye 溶液 24 小

時並以無水乙腈沖洗後待至乾燥進行光激發光譜分析(PL)由圖

352 之結果可知未浸泡之工作電極(plain)經過染料浸泡後(black dye)

於 612 nm 之激發光譜幾乎吻合但是放射光強度略為減弱因此可

知第二層工作電極放射之紅光部分中少量為染料所吸收然而由於太

陽光中紫外光部分只佔 5 因此 394 nm 之激發光轉換成紅光比例

相對極為少量因此藉此增加電池效率效果有限因此雙層結構電池

中第二層為 Eu 摻雜之樣品效率提高之因主要仍為 3222 節中所解

釋由於階梯狀能階設計減少電子再復合機率以增加光電子之可使

用量此論點將於下節電化學交流阻抗分析中再次討論

128

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-TBT0-TBT

Eu003-TBT0-TBT

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-P250-P25

Eu01-p250-p25

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖

129

350 400 450 500 550 600 650 700

In

tens

ity (a

u)

Wavelength(nm)

Eu003-TBT0-TBT Plain black dye46

4

394

612

PLE - λem= 612 nm

PL - λex= 394 nm

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作

電極之激發與放射光譜

3323 雙層工作電極結構電池電化學阻抗(EIS)量測

進一步驗證 3321 中雙層工作電極電池不同結構中效率相異之

原因本研究將一系列電池進行電化學阻抗測試測試結果如圖 353

所示經 Z-view 軟體 fitting 之後並參考 Adachi 等人(79)所發展之模

式獲得如表 38 所列參數藉各參數間之比較可瞭解電池於照光

工作時激發光電子於電池中傳遞之情形

由圖 353 阻抗圖譜中Yoshida 等人(77)界定位於中頻區之圖譜意

義為光電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質液介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗因此本研究發現 TBT 系

列中0-TBT0-TBT 中頻區之半圓半徑明顯大於 Eu003-TBT0-TBT

之結果可得知透過雙層結構之設計(圖 349)第二層為 Eu003-TBT

130

之電池其相對能階形成階梯型驅動力之增加明顯降低工作電極

層與層間之傳輸電阻再者亦可證明第二層形成一傳遞屏障降低

傳遞電子與電解液中 I3-再復合之還原作用而 0-P250-P25 以及

Eu01-P250-P25 之間亦具此現象圖 353 中亦可比較 TBT 與 P25 兩

系列明顯其工作電極內電阻之因素亦反應於電池效率結果上

將圖 353 所得電交流阻抗結果透過 Z-view 軟體 fitting 後得到表

38 所列參數先觀察 TBT 系列兩電池可知第二層為 Eu003-TBT

之電池其 keff (電子再結合速率常數)由 315 下降至 247 s-1因此電

子生命週期提升可知驅動力之增加提升電子傳導之動力學參數

(126)加速電子傳遞以減少電子於電極中之停留機率此點可由 Rw (電

子於 TiO2中之傳導電阻)之降低得證再者由 Rk (電子再結合之電

荷傳導電阻)亦為暗反應電阻此值對於電池效率越大越佳

Eu003-TBT0-TBT 電池較 0-TBT0-TBT 由 1603 增加至 1934顯示

第二層為 Eu003-TBT 之電池由於能階結構之設計降低其電子再

復和之機率此論點與交流阻抗圖譜之結果吻合

由於本雙層結構電池之研究皆控制塗佈步驟中之參數以確立

各電池之膜厚皆相近始可討論 Deff (有效電子擴散係數)與 Ln(電子擴

散長度)對於電子傳遞機制之優劣影響(參考式 214215)相較於

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 電池之 Deff有效從 257 x 10-4提

升至 336 x 10-4 cm2s佐證 Eu003-TBT0-TBT 電池具效延長電子壽

命之現象由表 38 中結果得知各雙層結構電池精算後之 Ln長度皆

大於工作電極膜厚確立各系列電池之傳導電子有效為 FTO 導電

玻璃收集而傳遞至外電路使用而 Eu003-TBT0-TBT 之 Ln 值較

0-TBT0-TBT 所得之 Ln值大 以上結果皆顯示第二層為 Eu003-TBT

之電池可有效減少電子因粉體之氧空缺被捕捉而停滯之機率增加

131

之驅動力促使電子可於工作電極中有效而快速地傳遞進而提高光電

轉換效率而關於 P25 系列之討論顯示 0-P250-P25 與

Eu01-P250-P25 之各參數比較與效率結果皆吻合現象解釋與 TBT

系列相同

關於TBT系列與 P25系列之Deff之比較顯示TBT系列之Deff 普

遍皆大於 P25 系列亦具相關文獻(127)指出由於晶相之含量差異亦

會影響此值由於 Anatase 晶相與 Rutile 晶相均為正立方晶系

(Tetragonal system)結構其晶相皆是以 TiO6之八面體存在不同處

為於 Anatase 晶相中其不論 abc 軸方向其八面體間之鍵結均

是以 edge-sharing 之方式存在而於 Rutile 晶相中則為於 ab 軸以

corner-sharing 之方式存在於 c 軸方向以 edge-sharing 之方式鍵結

此結構之差異造成 Anatase 傳導電子之能力較佳此結果於已有之光

觸媒研究已確立因此相較於 P25 系列TBT 系列擁有較純之 Anatase

晶相因此 Deff較大而光電轉換效率亦較高

132

20 30 40 50 60 70 800

5

10

15

20

25

30

Z

(ohm

)

Z (ohm)

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 0-P250-P25 Eu01-P250-P25

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖譜

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數分析

Structure

L

(μm)

keff

(s-1)

τ

(s)

Rk

(Ω)

Rw

(Ω)

Deff

(cm2s)

Ln

(μm)

0-TBT0-TBT 16 315 0032 1603 4987 257 E-04

287

Eu003-TbT0-TBT 15 247 0040 1934 3236 336 E-04 367

0-P250-P25 15 451 0022 1123 7011 164E-04 190

Eu01-P250-P25 14 356 0028 1465 5445 188 E-04 229

133

333 CdSe 敏化雙層工作電極結構電池光電特性分析

由於二氧化鈦其能隙較大(約 32 eV)之故因此可見光中可激發

其電子之波段較窄必須透過窄能隙材料之吸附以增加其對於可見光

之利用除染料以外近年來所發展之量子點材料亦為一具潛力之

敏化物

本研究欲驗證量子點取代Black dye之角色後效率趨勢是否相

同因此取染料敏化實驗中效率較高之TBT系列作為雙層電極結構材

料並以硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物本實驗所合成之硒化鎘測

量其吸收光譜(UV-Vis)可知第一個吸收峰值之對應波長約於554

nm藉由Peng等人(128)所發展之方程式估算出粒子大小(D)可計算粒

徑約為305 nm

D = (16122times10-9)λ4- (26575times10-6)λ3 +(16242times10-3)λ2 - (04277)λ

+ (4157) (38)

其中 λ 為第一個吸收峰值之對應波長

圖 354 為 TBT 系列雙層結構量子點電池之電流-電壓圖由表

39 中0-TBT0-TBT(Plain)與 Eu003-TBT0-TBT(Plain)代表未吸附

CdSe 之電池效率極低分別為 00040 與 00060 而經過 CdSe

之摻雜後[0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)]平均效

率分別提升為為 0047 與 0083 光電流值亦明顯提升顯示量

子點之吸附增加電池對於入射光能量之利用若比較

0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)兩組數據其 FF 值

比染料敏化電池值較為低此為現階段量子點電池之通病亦為效率

一直無法提升之因而第二層為 Eu 摻雜之工作電極效率短路電

流與開路電壓值皆提升此與染料敏化電池系列之趨勢相同表示而

透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動力

134

(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導帶

位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑或

與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機率

增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 1000

01

02

03

04

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT(CdSe) 0045 0046 0049 0049

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 0083 0085 0081 0082

0-TBT0-TBT(Plain) 00040 00043

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 00062 00063

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC (V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

() 0-TBT0-TBT(Plain) 14 043 002 009 00040(2)

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 16 044 003 012 00060(3)0-TBT0-TBT(CdSe) 15 054 025 034 0047(2)

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 16 058 033 037 0083(1)

135

第四章 結論

本研究成功利用不同前趨物以溶膠凝膠法與水熱法之合成方法

製備出兩系列 TiO2Eu3+工作電極材料( TBT 與 P25)以 XRD 等量測

進行材料結構鑑定分析並探討 Eu 摻雜後對於 TiO2之發光特性與電

子組態之影響爾後將材料應用於敏化太陽能電池之工作電極研究

修飾後之 TiO2電極對於電池效率之影響其重要結果如下

(a)本研究以溶膠凝膠法及水熱法藉由 Eu 摻雜成功合成出純銳鈦礦

(Anatase)之二氧化鈦並且由於 Eu-Ti-O 鍵結形成不僅延緩金紅

石(Rutile)晶相生成有較好之光電特性亦限制晶體之成長由於

粒徑越小增加其比表面積因此有效提升太陽能電池染料之吸附

量增加電池之效率表現

(b)以光激發光譜分析樣品得知隨著活化劑 Eu 摻雜量之增加主體

晶格 TiO2 之發光強度隨之增加於高濃度出現濃度淬滅現象而

拉曼光譜亦證實藉由 Eu 摻雜成功延遲煆燒過程中金紅石(Rutile)晶

相生成且增加粉體表面之氧空缺

(c)本研究以紫外-可見光擴散式反射光譜測量 TiO2Eu3+之吸收特性

經由 Eu 摻雜後出現之紅位移現象顯示 TiO2 於摻雜稀土金屬離

子產生能階混成造成能隙縮小增加對於可見光範圍之吸收並以

X 射線光電子能譜儀分析獲知摻雜離子 Eu3+於晶體中位置並以價

帶光譜之量測成功建立樣品之價帶傳導帶能階位置而 X-光吸

收光譜之近邊緣光譜分析得知Eu 摻雜後鍵結中電子轉移造成表

面氧空缺增加

(d)將合成之材料應用於染料敏化太陽能電池之工作電極本研究原

構想欲透過發紅光之 TiO2Eu3+以增加染料 Black dye 於紅光波段

136

之利用然而由光電特性卻發現由於摻雜後氧空缺所造成之雜質

態捕捉光電子由光電流降低之現象證實光電子量減少

(e)為提高染料敏化電池效率本研究利用雙層結構工作電極之設計而

形成階梯式位階排列不僅增加傳遞驅動力亦由於電極屏障生成

以減少電子再復合之機率而短路電流之增加證實此點並透過與

染料能階之混成提高開路電壓值因此整體結果提高電池之效

率而將染料製換為硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物第二層為

Eu 摻雜材料之電池效率亦明顯提升進一步證實此研究構想之

正確性

總而言之本研究合成兩系列 TiO2Eu3+樣品並探討其之晶體

結構特性發光性質以及建立摻雜離子 Eu3+對於其電子組態之影

響且透過雙層結構設計成功提高敏化太陽能電池之效率

137

參考文獻

1 許志偉 陳宏仁 林怡君 and 王立義 有機無機太陽能電池之

現況發展 化工 第52卷 第2期 49-58 民94

2 AJ McEvoy and M Gritzel Sol Energ Mat Sol C 1994 32 3

221

3 A Hagfeldt B Didriksson T Palmquist H Lindstroumlm S Soumldergren

H Rensmo and SE Lindquist Sol Energ Mat Sol C 1994 31

481

4 B OrsquoRegan and M Graumltzel Nature 1991 353 737

5 M Graumltzel Nature 2001 414 338

6 黃建昇 結晶矽太陽電池發展近況 工業材料雜誌 第203期 150

民92

7 httpcdnetstpiorgtwtechroommarketenergyenergy022htm 國

家實驗研究院科技政策研究與資訊中心(Science amp Technology

Policy Research and Information CenterSTPI)

8 M Graumltzel Phil Trans R Soc A 2007 365 993

9 X Chen and SS Mao Chem Rev 2007 107 2891

10 D Cahen G Hodes M Graumltzel JF Guillemoles and I Riess J

Phys Chem B 2000 104 2053

11 D Matthews P Infelta and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C

1996 44 119

12 M Graumltzel J Photochem Photobio A 2004 164 3

13 TN Rao and LJ Bahadur J Electrochem Soc 1997 144 179

14 AB Kashyout M Soliman and M Fathy Mater Chem Phys

2005 90 230

15 P Guo and MA Aegerter Thin Solid Films 1999 351 290

138

16 K Sayama H Sugihara and H Arakawa Chem Mater 1998 10

3825

17 BV Bergeron A Marton G Oskam and GJ Meyer J Phys Chem

B 2005 109 793

18 S Chappel and A Zaban Sol Energ Mat Sol C 2002 71 141

19 K Hara T Horiguchi T Kinoshita K Sayama H Sugihara and H

Arakawa Sol Energ Mat Sol C 2000 115 64

20 B Tan E Toman Y Li and YY Wu J Am Chem Soc 2007 129

463

21 CJ Barbeacute F Arendse P Comte M Jirousek F Lenzmann V

Shklover and M Graumltzel J Am Ceram Soc 1997 80 3157

22 K Kalyanasundaram and M Graumltzel Coord Chem rev 1998 177

347

23 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B

2000 104 989

24 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio RH Baker E Muumlller P

Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem Soc 1993

115 6382

25 G P Smestad and M Graumltzel J Chem Educ 1998 75 752

26 劉茂煌奈米光電池工業材料雜誌 2003203 期 民93

27 MK Nazeeruddin SM Zakeeruddi RH Baker M Jirouse P Lisk

N Vlachopoulos V Shklover CH Fischer and M GraumltzelInog

Chem 1999386298

28 KS Finnie JR Bartlett and JL Woolfrey Langmuir 1998 14

2744

29 C Bauer G Boschloo E Mukhtar and A HagfeldtJ PhysCem B

2002 106 12693

139

30 CG Garcia NYM Iha R Argazzi and CA Bignozzi Inorg Chem

1994 33 5741

31 MK Nazeeruddin M Amirnasr P Comte JR Mackay AJ

McQuillan R Houriet and M Gratzel Langmuir 2000 16 8525

32 MK Nazeeruddin P Peacutechy T Renouard SM Zakeeruddin R H

Baker P Comte P Liska L Cevey E Costa V Shklover L

Spiccia GB Deacon CA Bignozzi and M Graumltzel J Am Chem

Soc 2001 123 1613

33 J Hagaen W Schaffrath P Otschik R Fink A Bacher HW

Schmidt and D Haarer Synthetic Met 1997 89 215

34 N Papageorgiou WF Maier and M Graumltzel J Electrochem Soc

1997 144 876

35 A Kay and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C 1996 44 99

36 S Chen SK Deb and H Witzke US Patent 1978 4080488

March 21

37 M Graumltzel and K Kalyanasundaram Curr SCi 1994 66 706

38 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio R Humphry-Baker E

Muumlller P Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem

Soc 1993 115 6382

39 M Graumltzel AIP Conf Proc 1997 404 119

40 M Graumltzel J Photo Photobio A Chem 2004 164 3

41 L Han Y Chiba and A Islam 16th International Conference of

Photochemical Conversion and Solar Sstorage Uppsala Sweden

2006

42 Y Chiba A Islam and Y Watanabe J Appl Phys 2006 45 638

43 MK Nazeeruddin FD Angelis and S Fantacci J Am Chem Soc

2005 127 16835

140

44 JM Kroon NJ Bakker HJP Smit P Liska KR Thampi P

Wang SM Zakeeruddin M Gratzel A Hinsch S Hore U Wurfel

R Sastrawan JR Durrant E Palomares H Pettersson T

Gruszecki J Walter K Skupien and GE Tulloch Prog Photovolt

Res Appl

45 H Arakawa T Yamaguchi and A Takeuchi 16th International

Conference of Photochemical Conversion and Solar Storage

Uppsala Sweden 2006 W42P210

46 M Spath JV Roosmalen and P Sommeling 3rd WCPEC Osaka

Japan 2003

47 H Tsubomura M Matsumura Y Nomura and T Amamiya Nature

1976 261 402

48 PM Sommeling 2nd WCPEC Vienna 1998

49 CJ Barbe J Am Cera Soc 1997 80 3157

50 K Tennakone J Phys D Appl Phys 1998 31 1492

51 MK Nazeeruddin P Pĕchy and M Graumltzel Chem Comm 1997 36

1705

52 K Hara Chem Comm 2001 68 569

53 角野 裕康 村井 伸次 御子柴 智 東芝レビュー 2001 56 7

54 A Hagfeldt Nano Letters 2001 1 97

55 W Kubo Chem Comm 2002 39 374

56 原 浩二郎 AIST Today 2002 12 14

57 L Vlachopouios J Am Chem Soc 1988 110 1216

58 V Vamathevan H Tse R Amala G Lowb and S McEvoy

Catalysis Today 2002 68 201

59 MI Litter and JA Navio J Photo Photobio A Chem 1996 98

171

141

60 J Yu H Yu CH Ao SC Lee JC Yu and W Ho Thin Solid

Films 1999 496 273

61 W Li Y Wang H Lin SI Shah CP Huang DJ Doren SA

Rykov JG Chen and MA Barteau Appl Phys Lett 2003 83 20

62 R Asahi T Morikawa T Ohwaki K Aoki and Y Taga Science

2001 293 269

63 C Jia E Xie A Peng R Jiang F Ye H Lin and T Xu Thin Solid

Films 2006 496 555

64 M Saif and MSA Abdel-Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360

2863

65 湯友聖 台灣師範大學碩士論文 臺北 民 97

66 RC Ropp Luminescence and the Solid State Elservier Amsterdam

2004

67 H Dieke and RA Satten Am J Phys 1970 38 399

68 httpcaiwiteducnmseliuyu2006pptliuX-rayppt

69 AR West Basic Solid State Chemistry John Wiley amp Sons

Singapore 1991

70 吳泰伯 and 許樹恩 X-光繞射原理與材料結構分析 國科會精儀

中心 台北 民 82

71 httpwwwndhuedutw~nanolabtext93_Ma_II_v2pdf

72 林群哲 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 96

73 賴泓均 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 95

74 S Ito TN Murakami P Comte P Liska C Graumltzel MK

Nazeeruddin and M Graumltzel Thin Solid Films 2008 516 4613

75 H Kusama M Kurashige K Sayama M Yanagida and Hideki

Sugihara J Photochem Photobio A 2007 189 100

76 蕭光宏 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 97

142

77 Y Yoshida S Tokashiki K Kubota R Shiratuchi Y Yamaguchi

M Kono and S Hayase Sol Energ Mat Sol C 2008 92 646

78 JJ Wu GR Chen HH Yang CH Ku and JY Lai Appl Phys

Lett 2007 90 213109

79 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

80 J Lin and JC Yu J Photochem Photobiol A Chem 1998 116 63

81 T Lindgren JM Mwabora E Avendano J Jonsson A Hoel CG

Granqvist and SE Lindquist J Phys Chem B 2003 107 5709

82 H Tang H Berger PE Schimid F Levy and G Burri Solid State

Commun 1993 87 847

83 G Oskam A Nellore RL Penn and PC Searson J Phys Chem B

2003 107 1734

84 MA Anderson MJ Gieselmann Q Xu J Membr Sci 1988 39

243

85 P Ganguly N Shah M Phadke V Ramaswamy IS Mulla Phys

Rev B 1993 47 991

86 JH Li WL Kang WH Yan YH Guo HF Gao and ZH Liu

Acta Phys Chim Sin 2008 24 1030

87 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B 2000

104 8989

88 RA Spurr and H Myers Anal Chem 1957 29 760

89 S Yin H Yamaki M Komatsu Q Zhang J Wang Q Tang F Saito

and T Sato J Mater Chem 2003 13 2996

90 E Setiawati and K Kawano J Alloy Compd 2008 451 293

91 B Zou L Xiao T Li J Zhao Z Lai and S Gu Appl Phys Lett

1991 59 1826

143

92 J Yang ZW Quan DY Kong XM Liu and J Lin Cryst Growth

Des 2007 7 730

93 T Hirai and Y Kondo J Phys Chem C 2007 111 168

94 S Yan J Zhang X Zhang S Lu X Ren Z Nie and X Wang J

Phys Chem C 2007 111 13256

95 G Blasse and BC Grabmaier Luminescence Materials Chap 9

186

96 T Miyakawa and D L Dexter Phys Rev B 1970 1 2961

97 KL Frindell MH Bartl MR Robinson GC Bazan A Popitsch

and GD Stucky J Solid State Chem 2003 172 81

98 DL Dexter JH Schulman J Chem Phys 1954 22 1063

99 T Blasse G Philips Res Rep 1969 24 131

100 L Ozawa and PM Jaffe J Electrochem Soc 1971 118 1678

101 QZ Wang J Tian XH Yang and X Gao J Chin Lumin 1995

16 57

102 YH Zhang CK Chan J Porter and W Guo J Mater Res 1998

13 2602

103 BD Yao YF Chan XY Zhang WF Zhang ZY Yang and N

Wang Appl Phys Lett 1998 82 281

104 D Bersani PP Lottic and XZ Ding Appl Phys Lett 1998 72 1

105 YL Li and T Ishigaki J Phys Chem B 2004 108 15536

106 JC Parker RW Siegel J Mater Res1990 5 1246

107 HC Choi YM Jung and SB Kim Vib Spectrosc 2005 37 33

108 JG Li X Wang K Watanabe and T Ishigaki J Phys Chem B

2006 110 1121

109 T Sreethawong Y Suzuki S Yoshikawa Int J Hydrogen Energ

2005 30 1053

144

110 M Saif and A Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360 2863

111 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2005 247 36

112 AB Murphy Appl Opt 2007 46 3133

113 P Kubelka J Opt Soc Am 1948 28 448

114 DG Barton M Shtein RD Wilson SL Soled and E Iglesia J

Phys Chem B 1999 103 630

115 PA Tanner KL Wong and Y Liang Chem Phys Lett 2004 399

15

116 T Umebayashi T Yamaki H Itoh and KJ Asai Phys Chem Solid

2002 63 1909

117 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2006 247 36

118 X Lai Q Guo BK Min and DW Goodman Surf Sci 2001 487

1

119 FM Liu TM Wang JQ Li C Wang SK Zheng and M Duan J

Magn Magn Mater 2002 251 245

120 W Gopel Surf Sci 1984 139 333

121 AG Thomas WR Flavell AK Mallick AR Kumarasinghe

DTsoutsou N Khan C Chatwin S Rayner and GC Smith Phys

Rev B 2007 75 035105

122 X Wang JG Li H Kamiyama M Katada N Ohashi Y

Moriyoshi and T Ishigaki J Am Chem Soc 2005 127 10982

123 D Vogtender R Poducky J Redinger ELD Habenstreit W

Habenstreit and U Diebold Phys Rev B 2002 65 125411

124 M Durr S Rosselli A Yasuda and G Nelles J Phys Chem B

2006 110 21899

145

146

125 C Kim KS Kim HY Kim and YS Han J Mater Chem 2008

18 5809

126 I Robel M Kuno and PV Kamat J Am Chem Soc 2007 129

4136

127 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

128 W Yu L Qu W Guo and X Peng Chem Mater 2003 15 285

  • Poyu封面
  • 洪柏育-碩士論文摘要-0609-2009
  • Poyu謝誌
  • PoYu Hung-MS Thesis-0625-2009pdf
Page 4: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成

總目錄

總目錄I

圖目錄V

表目錄X

第一章 緒論 1

11 前言1

12 太陽能電池簡介 2

13 染料敏化太陽能電池 6

131 工作原理 6

132 染料敏化太陽能電池各部分介紹 8

1321 奈米結晶多孔膜電極 (nanocrystalline porous electrode) 8

1322 染料(dye)11

1323 電解液(electrolyte)14

1324 相對電極(counter electrode) 16

133 染料敏化太陽能電池之文獻回顧與發展現況 16

14 二氧化鈦摻雜元素材料之研究 18

141 TiO2Eu粉體發光特性說明 20

1411 主體晶格(Host) 20

1412 活化劑(Activator)22

15 研究動機與目的 23

第二章 實驗步驟與儀器分析方法 25

21 化學藥品25

I

22 合成方法26

221 溶膠凝膠法 (Micelle and sol - gel)26

222 水熱法 (Hydrothermal) 27

23 實驗流程28

231 TPT[鈦酸四丁酯Ti(OC4H9)4 Tetrabutyl titanate]系列 28

232 P25(Degussa P25 TiO2)系列 29

24 樣品鑑定分析 30

241 粉末X-光繞射儀(X-ray diffraction XRD)31

2411 X-光繞射工作原理 31

2412 XRD實驗儀器 34

2413 結構精算 35

242 掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope SEM)38

243 穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron MicroscopyTEM)39

244 比表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

ASAP) 40

245 光激發光譜儀(Photoluminescence PL)42

246 拉曼散射光譜儀 (Micro Raman Scattering Spectrometer)45

247 紫外可見光擴散式反射光譜(UV-Vis diffuse reflectance spectra

UV-Vis DRS) 46

2471 固態粉體之吸收光譜 46

248 X射線光電子能譜儀( X-ray Photoelectron SpectroscopyXPS )

48

249 X光吸收光譜 (X-ray Absorption Spectroscopy XAS)49

2491 X光吸收近吸收邊緣結構 (X-ray Absorption Near-Edge

StructureXANES) 50

25 染料敏化太陽能電池之組裝與特性分析 51

II

251 工作電極漿料配製 51

252 導電玻璃清洗 51

253 電池組裝與特性測試 51

254 染料敏化太陽能電池性能測試 54

2541 電流電壓效率曲線(I-V curve)量測 54

2542 入射單色光之光電轉換效率量測(incident photon to current

convers-ion efficiencyIPCE) 56

2543 電化學阻抗分析(Electrochemical impedance spectroscopy EIS)

57

26 量子點敏化太陽能電池之組裝 62

261 硒化鎘 (CdSe) 量子點之製備 62

262 硒化鎘 (CdSe) 量子點之改質 (Ligand exchange)64

263 量子點敏化電池之組裝 66

第三章 結果與討論 67

31 TiO2Eu3+ 材料結構鑑定分析68

311 晶體結構分析 68

3111 TiO2Eu3+ (TBT系列) XRD分析 70

3112 TiO2Eu3+ (P25 系列) 74

312 晶體表面形貌分析 79

3121 SEM 與TEM粉體形貌分析79

3122 氮氣等溫吸附與脫附分析(Brunauer -Emmett-TellerBET) 83

31221 TBT系列粉體BET分析 83

31222 P25 系列粉體BET分析86

32 TiO2Eu3+ 粉體光譜特性分析88

3211 光激發光譜分析(PL) 88

3212 臨界距離與能量轉移機制 94

III

322 拉曼散射光譜分析 (Raman scattering spectrum) 96

3221 TBT系列粉體拉曼散射光譜分析96

3222 P25 系列樣品拉曼散射光譜分析 98

323 紫外-可見光擴散式反射光譜分析(UV-Vis DRS) 100

3231 TBT系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析 100

3232 P25 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析104

324 X射線光電子能譜儀(XPS) 106

325 X-光吸收光譜(XAS)113

33 Ti1-xO2Eux3+粉體於染料敏化太陽能電池之應用研究117

331 單層工作電極電池效率量測 117

332 雙層工作電極結構 121

3321 雙層工作電極結構電池製作說明 122

3322 電池效率量測 123

3322 雙層工作電極結構電池入射單色光子-電子轉化效率(IPCE)量

測128

圖 352 Eu003-TBT0-TBT電池吸附與未吸附染料工作電極之激發

與放射光譜130

3323 雙層工作電極結構電池電化學阻抗(EIS)量測 130

333 CdSe敏化雙層工作電極結構電池光電特性分析 134

第四章 結論 136

參考文獻 138

IV

圖目錄

圖 11a 各類型太陽能電池效率之發展情形helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip5

圖 11b 各式種類太陽能電池效率演進圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip5

圖 12 染料敏化太陽能電池結構示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip7

圖 13 染料敏化太陽能電池各反應動力學比較示意圖helliphelliphellip8

圖 14 N3 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip13

圖 15 N719 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip13

圖 16 Black dye 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip14

圖 17 Black dye 染料與 N719 染料吸收光譜比較圖helliphelliphellip14

圖 18 DSSC 研究發展時程回顧helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip18

圖 19 主體晶格之陽離子分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip21

圖 110 主體晶格中不具光學活性陰離子團分布圖helliphelliphelliphellip21

圖 111 格中具光學活性陰離子團分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip22

圖 112 活化劑之陽離子團分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip22

圖 21 以溶膠-凝膠法與水熱法合成 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux實驗

流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip29

圖 22 以水熱法合成 P25 系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖helliphellip30

圖 231 (a)銅靶之 X 光光譜 (b)封閉式 X 光射線管helliphelliphelliphellip32

圖 232 X 光原理示意圖Cu 1s 電子游離後形成之電洞由 2p 電

子填入並伴隨 X 光釋出helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip33

圖 234 X 光繞射之示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip34

圖 24 X-光粉末繞射儀(PANalytical XrsquoPert PRO XRD) helliphellip35

圖 25 晶體繞射結構解析之一般流程helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip37

圖 26 掃描式電子顯微鏡(NDL)HITACHI S-4000helliphelliphelliphellip38

V

圖 27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip39

圖 28 TEM電子腔內部結構示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip40

圖 291 IUPAC制定之物理等溫吸附-脫附分類圖helliphelliphelliphelliphellip41

圖 292 IUPAC制定之遲滯迴圈型態示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip42

圖 210 螢光體光譜量測過程helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip43

圖 211 光激發光光譜儀構造helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip44

圖 212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀helliphelliphelliphelliphellip45

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip46

圖 216 Hitachi-U3410 紫外-可見光光譜儀helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip48

圖 217 Ti K-edge之XANES示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip50

圖 218 網印機塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip52

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖helliphelliphelliphelliphellip53

圖 220 電池光電轉換效率值檢測系統helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip55

圖 221 太陽能電池 I-V 特性曲線示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip55

圖 222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖helliphelliphelliphelliphellip57

圖 223 Z Z Z θ 之間之關係圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip58

圖 224 典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖helliphelliphellip59

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip60

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析helliphellip60

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip63

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip65

圖 31 TiO2 銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip69

圖 32 TiO2 金紅石(Rutile)相晶體結構圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip69

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜helliphelliphellip70

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖helliphelliphellip71

VI

圖 35 TBT系列Ti097O2Eu0033+粉體X光繞射結構精算圖helliphellip73

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜helliphelliphelliphelliphellip75

圖37 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布helliphelliphelliphelliphelliphellip75

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖helliphelliphellip77

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 003helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 80

圖 392 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)

為 x = 15helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip81

圖 310 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ TEM 圖放大倍率皆為 200kx(a)

x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f)

x = 004 helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip82

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖85

圖 312 TBT系列樣品不同Eu摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip86

圖 313 (a)~(c) P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之BET圖87

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip88

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖helliphelliphelliphellip90

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖helliphellip91

圖 317 P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL光譜圖helliphelliphellip91

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip92

圖 319 TBT系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE光譜圖helliphellip93

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖helliphellip93

圖 321 Ti1-xO2 Eux3+之 log(xEu

3+)對 log(IxEu3+)關係圖helliphelliphelliphellip95

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖hellip97

圖323 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖helliphellip99

圖 324 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS光譜helliphellip101

VII

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip103

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip104

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜helliphelliphellip105

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖105

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖106

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphellip108

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip108

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip110

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖338兩系列樣品未摻雜及摻雜Eu3+粉體能隙位階圖helliphelliphellip112

圖 339 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜helliphelliphelliphellip114

圖 340 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip115

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜helliphelliphelliphellip115

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip116

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip119

圖344 P25系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphellip121

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip122

VIII

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

圖348 P25系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖helliphellip127

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變

化helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip127

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作電極之激

發與放射光譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 130

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖

譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip135

IX

X

表目錄

表 11 各類型太陽能電池之比較helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip4

表 2-1 本研究所使用之藥品清單helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip25

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip33

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數hellip73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參

數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip74

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數helliphelliphellip78

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果helliphelliphellip78

表 34 TBT系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip119

表 35 P25系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

表36 TBT系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

表 37 P25系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數

分析helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip135

第一章 緒論

11 前言

聖經舊約創世紀記載著上帝說要有光即有光時至今日太

陽光為地球上最重要且最為豐富之可再生能源亦為人類唯一用之不

盡取之不竭之能量來源每年於地球上之光照能量可達到全球人類

年消耗量之數千萬倍以上由於各類天然能源快速耗竭故有效利用

太陽能轉換成所需之能源成為ㄧ門極為重要之課題各種再生能源中

涵蓋太陽能水力發電風力發電燃料電池以及鋰離子電池等

僅太陽能電池為一種將太陽光直接轉換為電能之光電元件早於1954

年時美國 Bell 實驗室首先提出以矽半導體作為太陽能電池之材

料此一領域於眾多研究學者與工程人員之努力下迄今相關之理論

與技術均已相當成熟且真正地商品化雖然無機半導體-矽太陽能電

池發展至今製程已漸趨穩定但由於對於原料之純度高度要求因此

製備成本難再大幅降低因此各研究單位莫不積極找尋另一低成本

製程簡易之替代材料此為目前使太陽能電池應用普及之發展重點

相較於傳統矽晶材料無機奈米材料具低密度質量輕成本低廉且

可使用一般傳統且發展完備之塗佈方式例如旋轉塗佈 (spin

coating)刮刀塗佈(doctor-blade coating)網版印刷(screen printing)

或近來發展之噴墨印刷 (ink-jet printing)等不需高價位設備之方法來

製備光伏元件 (photovoltaic device)因此不但可簡易地製備不同大

小之元件 並且可大幅提升進一步顯著降低元件成本之機會同時

無機奈米材料可透過分子結構設計例如摻雜金屬離子或是改變其形

貌藉以調整其能階與能隙大小電荷轉移能力電荷傳導速度溶

解度成膜之結晶型態等重要材料特徵另外所吸附之有機分子通

常具高光吸收係數與良好之延展性因而可藉以製備輕薄且可撓曲之

1

攜帶式電池元件(1)色素增感 (dye-sensitization) 之概念源起於19世

紀攝影技術使用色素增感鹵化銀(silver halide)可產生黑與白之感光

膜(photographic films)此被視為關於色素增感半導體之第一個重大

研究(2)然而最早之光電化學使用之平滑電極只有於膜表面吸附之

單層色素才能有效的將電子注入半導體內但此單層色素內光線之吸

收效率極低於多孔性之 TiO2 奈米薄膜內其有效表面積能增加至

1000倍因此要使光線吸收效率增加必須使每一個 TiO2 粒子表面

皆吸附單層色素(3)直到1991年瑞士科學家Graumltzel利用奈米技術改良

工作電極進而開發出高效率(71~79 )太陽能電池稱為染料敏化太

陽能電池 (dye - sensitized solar cellsDSSC) (4)其成果引起全球能

源界之關注以及熱烈投入發展近年來染料敏化太陽能電池澎勃發

展最大原因仍在於簡單製程無須投入昂貴設備無塵室廠房等

設備而二氧化鈦電解質等材料價格便宜亦為關鍵要素此外

DSSC 可使用具可撓曲性基材應用端因此大幅擴張相較於目

前主流矽晶太陽能電池只適用於大型戶外屋頂等少數應用場

合其具較大之應用空間

12 太陽能電池簡介

太陽能電池依照所使用之材料以及製程之不同可分為矽基

型化合物半導體型與有機半導體型三類

ㄧ矽基型太陽能電池(5 - 7)

根據結晶形態矽基型太陽能電池可分為單晶矽(monocrystalline

silicon)多晶矽(polycrystalline silicon)與非晶矽(amorphous silicon)三

類單晶矽之組成原子均按照一定規則週期性排列以單晶矽製

備之太陽能電池轉換效率最高約為24 使用壽命年限亦較長

2

但通常所使用之矽半導體基材純度極高相對地製造成本亦最多

多晶矽是以熔融態之矽鑄造固化而成其矽原子堆積方式不只一

種而是由多種不同排列方向之單晶所組成多晶矽太陽能電池由

於製程簡單故成本較低轉換效率約18-20 非晶矽對光之吸收性

比矽強約500倍只需薄薄一層即可將光子之能量有效地 吸

收其轉換效率雖僅 13-14 然而因為非晶矽不需使用昂貴之

結晶矽基板而用較便宜之玻璃陶瓷或是金屬等基板如此不僅

可以節省大量之材料成本亦提高製作大面積之太陽電池之可能性

(結晶矽太陽電池之面積受限於矽晶圓之尺寸)製造成本為三者間

最低為其最大之優勢故未來亦具發展潛力世界上已有多家公司生

產該種電池之產品例如美國 uni-solarsolarex日本三洋電機

夏普大陸深圳拓日與德國 Schott Solar非晶矽薄膜太陽電池之主

要優點是成本低製備容易但亦存在嚴重缺點即性能不穩定其

光電轉換效率隨光照時間延續而衰減另外非晶矽薄膜太陽電池之效

率亦較低(95 )為提升非晶矽電池效率大多數廠商採用雙層p-i-n

結構(一層非晶矽能階約17 eV與一層微晶矽能階約14 eV堆疊而成)

串接使電池可以吸收各種不同波長之光源達到對太陽光最大利用

進而提升整個之轉換效率

二化合物半導體型薄膜太陽能電池(5 8)

化合物半導體型薄膜太陽能電池則可分為下列幾類Ⅲ-Ⅴ族

[包括砷化鎵 (GaAs) 磷化銦 (InP)磷化鎵銦 (InGaP) ]Ⅱ-Ⅵ

族[包括碲化鎘 (CdTe)硒化銦銅 (CuInSe)]等化合物半導體為直

接能隙材料其能隙於11及16 eV之間與太陽光譜匹配度較佳此

些材料所製作之太陽電池亦都有很高之效率尤其多接面串疊型

(InGaPGaAsInGaAs multijunction tandem cell)之太陽能電池效率甚

3

至可以接近40 然而製作過程中需於真空及高溫下操作使得造價

昂貴且並未大量生產故目前商業市場上仍以矽基型太陽能電池為

三有機半導體型

有機半導體型太陽能電池具成本低廉製程簡易可應用於大

面積化以及具可撓曲性等優點故近年來度受到各界矚目本論文

中所研究之染料敏化太陽能電池(5 9)即為其中之一 然而此系列之

太陽能電池至今尚未量產之主因是在於其轉換效率低高溫穩定性

不佳及大尺寸太陽能板開發等問題因此提高轉換效率與穩定性

則成為目前研究之首要目標

表 11 各類型太陽能電池之比較(5)

4

圖 11a 各類型太陽能電池效率之發展情形(8)

圖 11b 各式種類太陽能電池效率演進圖(16)

5

13 染料敏化太陽能電池

131 工作原理

染料敏化太陽能電池之組成以及此類電池之工作原理與相對能

階位置圖如圖12 所示塗有多孔性奈米結晶性二氧化鈦(porous

nanocrystalline TiO2)之透明導電玻璃(陽極)染料分子吸附於TiO2

上含有Iminus I3minus之氧化還原對(reduction-oxidation couple)電解質塗有

鉑(Pt)觸媒層之相對電極(陰極)所組成於外接負載情況下整個電

池形成連通迴路而產生電流與電壓當太陽光照射至染料而產生激發

電子由於染料分子LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)能階

較 TiO2 導帶高(Ecconduction band)染料激發態電子迅速注入TiO2

導帶中而形成染料陽離子其中 TiO2 不單作為染料支持劑且為電

子之受體與導體雖然少部分電子會經由再結合(recombination)過程

而消失但大部分電子經由導電玻璃而傳導至外電路氧化態之染料

從電解質獲得電子而還原輸出之光電壓為照光下半導體之費米能階

(Fermi level)與電解質氧化還原可逆電對 (redox couple)之Nernst

potential差( )電解液經由相對電極上傳來之電子而被還原(10)如

此整個電路各部分皆得以再生無淨反應生成其持續之光電流由

此產生整個反應表示如下(11)

陽極 S(基態) + 能量( hυ ) rarr S(激發態)helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip照光激發

S rarr S+ + e- (CB)helliphellip染料激發態電子進入TiO2導帶

2S+ + 3 Iminus (電解質) rarr 2S + I3minushelliphelliphellipS再生Iminus消耗

陰極 I3minus+ 2e- rarr 3 IminushelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellipIminus再生

副反應 2e-(CB) + I3minusrarr3 IminushelliphellipTiO2 導帶上之電子與I3

minus結合

其中S為染料基態(ground state)S為染料激發態(excited state)S+

為氧化態染料離子(oxidized state)

6

圖 12 染料敏化太陽能電池結構示意圖(12)

圖13 為染料敏化太陽能電池各層間反應時間示意圖當染料經

照光後激發態電子注入 TiO2 導帶於 pico-second 範圍而結合過

程則約發生於 micro-second 之時間因此前者電子傳遞速率約為後

者之103倍甚至可達106倍故形成光誘導電荷分離之動力學基礎可

見光誘導分離非常有效造成淨電子流出此外電子之生命週期(life

time)與擴散係數(diffusion coefficient)決定電子之擴散長度(diffusion

length)電子於多孔膜中傳遞並不如在單晶中快故必須盡可能減少

電子行走路徑與穿越晶體界面數因此存在有一最佳膜厚對應最

大光電流值最後染料之還原反應發生於 nano-second 範圍

速率快於結合過程而能迅速消除電洞符合目前太陽能電池所要求之

7

條件形成此種快速轉移之機制乃因分子軌域之電子波函數與TiO2

導電帶之電子波函數造成耦合現象詳細之傳遞過程可以由量子力學

方法計算

圖 13 染料敏化太陽能電池各反應動力學比較示意(12)

132 染料敏化太陽能電池各部分介紹

1321 奈米結晶多孔膜電極 (nanocrystalline porous electrode)

奈米半導體光陽極材料(如TiO2)具重要地位其結構與性能直接

影響與光敏染料分子之匹配及接受染料分子注入電子之效率與光電

池之開路電壓一般染料敏化太陽電池對半導體光電極有如下要求

具比較大之比表面積以吸附更多染料分子適當導電帶能階以使與染

料激發態相匹配提高激發態染料朝向半導體電極注入電子之效率

較高之費米能階以提高電池之開路電壓較小之電阻率促使電池之內

阻減小由於 TiO2 具安定無毒穩定性高且便宜等優點故最為

被廣泛研究其他材料如 ZnO (1314) Nb2O5(1516)SnO2

(1718)In2O3(19)

8

以及二元材料Zn2SnO4(20)等都曾被研究然而電子注入效率之高低仍

須考慮染料分子與半導體結晶結構之特定方向鍵結 各研究致力於發

展相搭配之染料目前仍是以 TiO2 為主流材料天然之二氧化鈦

有三種結晶型態即銳鈦礦型(Anatase)金紅石型 (Rutile)與板鈦

礦型(Brookite)主要是由於鈦原子與氧原子排列不同而形成相異結晶

構造於此三種結晶型態中銳鈦礦型與金紅石型皆具光催化能力

銳鈦礦型與金紅石型二氧化鈦之共價帶電位很高經光照射後所生成

之電洞具極強之氧化能力 再者銳鈦礦型之傳導帶電位比金紅石型

高造成銳鈦礦型之能隙大於金紅石型(銳鈦礦型約為33 eV金紅石

型約為31 eV)受光激發至傳導帶之電子較不易回復至價帶因此

其電子具較強還原能力綜合上述可知銳鈦礦型二氧化鈦具較高催

化活性之因

染料敏化太陽能電池之一項重要關鍵技術即是引入高粗糙因

子 (roughness factor)之多孔性海棉狀(sponge-like)半導體電極結構

其目的除使染料大量吸附外並且提供適當孔洞大小供電解質擴

散薄膜電極材料之製作一般可區分為下列兩種略述如下

方法一(21 22)

瑞士教授 Graumltzel 之研究群乃利用溶膠-凝膠(sol-gel)之方法獲

得具結晶性與高比表面積之奈米顆粒依此法所得之顆粒最終型態是

受到環境之合成條件影響例如水解與聚合之酸鹼度溫度前驅物之

化學性質溶劑觸媒濃度等均扮演著重要角色以下粗略描述製作

步驟及其對應之環境與影響

I 水解 (Hydrolysis)此步驟牽涉 Ti(IV)鹽類之水解控制前驅物之

選擇可以為四異丙氧基鈦 (titanium isopropoxide) 或四氯化鈦

( TiCl4)並於 01 M HNO3 之酸性環境下進行水解使所得之膠體

9

粒子能均勻分散並且穩定懸浮於液體中實驗證明於相當高之水與

鈦比例下不論是逐滴加入(dropwise)抑或是全加(one shot)皆不

影響最後產物型態(22)

II 膠溶作用(Peptization)此步驟於 70-100oC 下持溫數小時除使

膠體粒子相互連結形成高交集度粒狀結構凝膠外同時亦因能量之提

供而破壞凝團聚集(deagglomeration) 之情形(22)結晶化亦於此時發

生顆粒亦同時微幅成長

III水熱成長(Hydrothermal growth) 此步驟之目的乃於高溫之環境

下藉由奧斯瓦特熟成過程 (Ostwald ripening) 將小顆粒溶解並進一

步成長為較大之結晶顆 粒溫度改變不僅影響最終之顆粒大小

同時亦將影響最終多孔膜之平均孔徑此外Rutile結晶相亦會於較高

溫時形成文獻(23)指出Anatase相顯示較佳之電子傳輸速率與生命週

期一般是以Anatase相為主而Rutile相之反射係數顆粒均比Anatase

相大導致生成之薄膜不具透明性但可使入射光能於多孔膜內多次

反射而被有效利用因此亦有相關研究作為太陽能電池電極為10 μm

厚並有部分Rutile相之 TiO2 多孔膜為主(21)

方法二(24 25)

利用商業化二氧化鈦粉末 (Degussa P-25為 70 銳鈦礦

(anatase)30 金紅石(rutile)之混合物粒徑約24 nm比表面積約

50 m2g)加入乙醯丙酮(acetyl acetone)或 HNO3 用以預防粒子聚

集以及添加介面活性劑用以降低表面張力以利塗佈

最後將上述方法所製得之二氧化鈦粉末與凝聚劑(binder)充分

混合利用刮刀成膜(doctor blade)之方式將上述膠態溶液塗佈於導

電玻璃上經 450oC 煆燒30分鐘後使顆粒彼此間經燒結聚同時與

導電玻璃間形成良好之電接觸(electronic contact)凝聚劑於此步驟

10

中被燒掉而遺留下孔洞完成粗糙因子約為1000之多孔膜(roughness

factor = 總表面積投影表面積) (24)值得注意之為不同煆燒溫度與

時間亦將影響最終孔徑分布進而影響電解質擴散與電池之效率表

現此外亦有利用網板印刷(screen printing)熱分解噴鍍技術(spray

pyrolysis deposition)等應用於大量生產之方式溶液之配方需做進一

步調整才能適用

1322 染料(dye)

染料為染料敏化太陽能電池中之重要組成部分在近 20 年之研

究中已嘗試合成 900 多種之染料並應用於染料敏化太陽能電池

但其中只有一小部分具良好之光敏化性能其中主要是釕(Ru)之多

吡啶錯合物而染料性能之優劣將直接影響到染料敏化太陽能電池

之光電轉換效率前述提到要藉由光激發二氧化鈦而產生反應須要

低於 388nm 之紫外光但紫外光所佔太陽光能中只有 5 是故必

須利用太陽光能占最高比例之可見光而染料能夠幫助二氧化鈦之吸

收波長提高至可見光區因此染料能藉由可見光之激發驅使電子躍遷

至二氧化鈦半導體電極並接受來自電解質之電子還原而一般染料

必須符合以下幾點條件(26)

(1) 緊密吸附於二氧化鈦表面亦即為能夠快速達到吸附平衡且不

易脫落故染料分子母體中一般應該要含有易與奈米半導體表面結

合之基團如-COOH-SO3H-PO3H2如染料上之-COOH 官能基

會與二氧化鈦膜上之-OH 官能基形成成酯類而增強二氧化鈦導帶

3d 軌域與色素染料 π軌帶電子之耦合使電子轉移更為容易

(2) 對可見光具很好之吸收特性即是能吸收大部分之入射光

(3) 其氧化鈦(S+)與激發態(S)要具較高之穩定性與活性

11

(4) 激發態壽命足夠長並具很高之電荷(電子電洞)傳輸效率

(5) 具足夠之激發態氧化還原電位以保證染料激發態電子注入二

氧化鈦導帶

(6)氧化還原過程(包括基態與激發態)中要有相對較低之位勢使

初級與次級電子轉移過程中之自由能損失最小

以釕之多吡啶錯合物為主之染料敏化劑為藉由吸附於二氧化鈦

表面其提供主要光子吸收與隨後發生電子注入之步驟典型釕之多

吡啶錯合物化學結構最早是由 Graumltzel 團隊所發現此類型染料因其

具較強之可見光吸收能力良好光電化學性質激發態穩定性高及與

二氧化鈦表面具強之連結作用力且可接受約 5x107 次氧化還原反

應因此成為廣泛使用之染料敏化劑如圖 14~16 之結構(27)N719

光敏染料於 535nm395nm 有最大吸收峰N3 dye其吸收光之

範圍可達可見光區從 400 nm~800 nm全質子化 N3 dye 於 538

nm398 nm 有最大吸收峰(28)Black Dye為目前最具效能之染料

其吸收光範圍涵蓋可見光且可達近紅外光區(900nm)單一質子化

Black Dye 於 610 nm413 nm 有最大吸收峰於拉曼振動光譜研究

中亦指出單一質子化 Black Dye 與二氧化鈦之表面鍵結與 N3 Dye

相同是由螯狀雙牙配位 (Chelate Bidentate)或架橋配位 (Bridging

Bidentate)型式與二氧化鈦配位鍵結其差別在於 Black Dye 乃以

COOmacr與 TBA+與二氧化鈦產生配位鍵結(29)然而以上此些染料可於

可見光與近紅外光區具吸收主要可歸因於金屬-官能基電荷傳遞

(Metal-to-Ligand Charge TransferMLCT)之性質由金屬(Ru)之電子

傳遞至位於外圍之羧基化吡啶配位鍵之 π 反鍵結軌域之後在少於

100 fs 時間內將電子傳入二氧化鈦之導帶(30-34)因此理論上光子轉換

為電子之比例可達至 100本研究所使用之染料 N719 與 black dye

12

之吸收光譜比較圖如圖 17 所示

圖 14 N3 染料之化學結構式(27)

圖 15 N719 染料之化學結構式(30)

13

圖 16 Black dye 染料之化學結構式(29)

圖 17 Black dye 染料與 N719 染料吸收光譜比較圖(31)

1323 電解液(electrolyte)

目前 DSSC 依其結構與研究使用目的不同亦搭配相異種類之

電解質液態電解質溶膠-凝膠(準固態)電解質與固態電解質本研

14

究所使用之液體電解質由於其擴散速率快光電轉換率高及組成成分

易於設計調整且對於奈米多孔膜滲透性佳故一直廣泛研究但

存在著許多問題(1) 傳統碘離子 (IminusI3minus) 電解質溶液之有機溶劑多

半有毒性其滲漏與揮發問題需解決(2) 實際於長期日照下應用之

發電穩定性與熱穩定性有待加強(3) 嚴密封裝需求將提昇製程成

本(4) 柔軟材質上應用困難(5) 有機溶劑對染料吸附之不利影響

以上問題於應用上均造成某種程度阻礙一般電解質都須具高極性有

機溶劑作搭配於液態電解質濕式元件中會選擇如乙烯碳酸鹽

(ethylenecarbonate)乙腈(acetonitrile)丙烯碳(propylenecarbonate)

之混合溶劑而電解質之選擇有I2LiIKITerapropylammonium

iodideTertabutylammoniumiodide 等Graumltzel 等人(32)以black dye為

染料06 M dimethylpropylimidazolium01 M I201 M LiI 與05 M

4-tert-butylpyridine 為電解質 (溶劑為methoxyacetonitrile)於 100

mWcm2強光下光電轉換效率為104 碘化物中陽離子常用的為

咪唑銨(imidazolium) 類陽離子或鋰離子(Li+)Imidazolium 類陽離子

可以吸附於奈米 TiO2 表面阻絕了 I3minus 與 TiO2 表面之接觸因此

抑制導帶電子與 I3minus 於 TiO2 表面結合使電池輸出功率與光電轉換

效率得以明顯提升由於 imidazolium 陽離子之體積大於鹼金屬離子

體積只要增大碘鹽中陽離子體積即易導致陽離子對 Iminus 束縛力減

弱一方面可以提高碘鹽於有機溶劑之溶解度進而提高 Iminus 濃度

另一方面亦因陽離子對 Iminus 之束縛力減弱Iminus 還原活性及於有機溶劑

之遷移率亦增強上述兩者均有利提高氧化態染料再生為基態染料之

速率(33)當電解質溶液中加入小體積 Li+ 時若 Li+ 濃度很小此

時 Li+ 主要是吸附於 TiO2 表面上若 Li+ 濃度增大則 Li+ 於

TiO2 表面吸附與嵌入 TiO2 膜內兩種情況共存此種情況之 Li+ 可

15

與傳導帶電子形成電子對 Li+- e-由於 Li+- e- 電子對既可於 TiO2

表面遷移亦有可能脫離 TiO2 表面遷移此將明顯減小導帶電子於

相鄰或不相鄰鈦原子之間之傳輸阻力及距離可知於電解質中加入

Li+可大幅改善電子於 TiO2 之間之傳輸進而提高染料敏化太陽

能電池之光電流(33)

1324 相對電極(counter electrode)

相對電極於染料敏化太陽能電池中扮演快速還原I3-之角色有效

觸媒催化劑極具必要性目前白金(Pt)觸媒最為被廣泛利用但其對

於光電效率表現程度(動力學常數化學穩定度附著穩定度)深受製

作方法所影響如電化學法 (electrochemically) 與蒸鍍法 (vapor

deposited)上述兩製作方法由於穩定度不佳與還原能力不好而不適

用濺鍍法(sputtering)目前最為被廣泛利用(此亦為本研究白金電極之

製作方法)其穩定性佳製作程序簡便卻須消耗較多白金而不適用

於大量生產Papageorgiou等人則發展出熱沉積(thermal decomposition)

法(34)此方法不僅大量減少白金使用量於動力學參數化學穩定性

機械強度及透明性上皆有其優異之處只是做法上較為麻煩此外

Kay與Graumltzel亦發展利用多孔性碳(porous carbon)做為觸媒層(35)此觸

媒層為碳黑(carbonblack)石墨奈米結晶性 TiO2 粉末混合物碳

黑可連接分離之石墨片進而提高導電度TiO2 則作為黏著劑(binder)

用此項技術之最大優點在於成本花費降低然而目前效能仍較白金

觸媒差

133 染料敏化太陽能電池之文獻回顧與發展現況

於1978 年美國專利發表第一個最先使用染料敏化 TiO2 來轉換

太陽光能之元件(36)TiO2 為寬能隙 n 型半導體對空氣及水有穩定

16

之抗氧化能力(4)然而電極為寬能隙半導體係為延伸於太陽光中可見

光區域之光譜應答但仍必須與染料高濃度掺雜此專利染料使用為

N-methylp- henaziniumion此使 TiO2 光譜響應延伸至500 nm然而

此專利中所組裝之元件轉換效率相當低且穩定性亦有待商榷直到

1991年瑞士洛桑高等工業學校(Ecole Polytechnique Federale de

LausanneEPFL)之 Graumltzel 與 OrsquoRegan 發展染料敏化奈米薄膜太

陽電池取得重大之突破(43738)電極為奈米多孔TiO2使用更穩定更

有效率之過渡金屬 Ru 等有機化合物染料其光電轉換效率可達 71

而於 1997年其轉換效率達至10 ~ 11 (39)澳大利亞國際永續技

術公司(Scientific and Technical InformationSTI)徳國 INAP (Institut

fuer Angewandte Photovoltaik Solarpunkt ) 研究所荷蘭國家能源研究

所(Energieonderzoek Centrum NederlandECN)日本日立公司日

本富士公司瑞典 Uppsala 大學瑞士 Leclanche SASolaronix

等公司均於產業化研究中已取得較大之發展 過去10年中全世界各

主要實驗室與公司於不同面積太陽電池上取得不同光電轉換效率其

中瑞士 EPFL 與日本夏普公司於小面積(面積小於1 cm2)電池上獲得

超過 11 之光電轉換效率(40-43)ECN 於條狀電池(1~5 cm2)上達82

(有效面積236 cm2) 之光電轉換效率瑞士EPFL(44)日本Sharp公

司Arakawa等(45)於條狀電池(1~5 cm2 ) 上取得與小電池(面積小於1

cm2)相當之轉換效率101 (131 cm2)104 (1004 cm2 ) 與99

歐盟 ECN 研究所取得面積大於1cm2電池效率最高紀錄 (815 (25

cm2)58 (100 cm2) 平均45 ) (46)由於DSSC電池之特殊性大

面積電池之研製與產業化一直是該電池研究難點目前澳大利亞

STI 公司建立世界第一個亦為迄今獨一無二面積 200 m2 之染料敏

化奈米薄膜太陽電池平面屋頂亦顯現出未來工業化之前景該結果

17

使人們對產業化染料太陽能電池之性能極具信心 2002 年美國

Konarka 公司亦投入 1350 萬美元對以透明導電高分子等軟性薄膜

為導電極之染料敏化奈米薄膜太陽能電池進行產業化與實用化研

究該研究是基於美國軍隊對軟性與移動性較好能源轉換之應用要

求故得到美國軍方大力支持因此於能源危機之促使下全球研

究單位莫不藉由改善DSSC各部分之特性以提高效率或設計其結構

以增其實用性

圖 18 DSSC 研究發展時程回顧(4 22 24 40 47-57)

14 二氧化鈦摻雜元素材料之研究

TiO2 之晶體中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性

質之改變易有助於光催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕

18

捉電子或電洞之缺陷有助於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素

與 TiO2 共結晶添加之過渡金屬亦將於光觸媒之傳導帶與價帶之間

形成新獨立能階因此可以較低之能量使電子激發進而擴大激發光

源之使用增益對光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化

效果通常摻雜元素之量(濃度)低時較有利光觸媒活性太高會大幅

改變 TiO2 原有特性每種元素之摻雜有其特定最佳化條件

Vamathevan 等人(58)配製含 Fe3+ 或 Ag+ 之摻雜改質二氧化鈦

以蔗糖之光氧化分解成二氧化碳以進行光觸媒催化活性評估結果顯

示添加之銀離子與鐵離子皆有一最適劑量分別為銀(20 atom )

與鐵(10 atom )於最佳金屬添加量比例之外銀改質型觸媒之

催化活性會略為降低故近年來研究發現 Fe3+ 為有效之摻雜離子

(5960)Li等人(61)利用有機金屬化學氣相沈積法(metal organic chemical

vapor deposition MOCVD ) 以 四 異 丙 氧 基 鈦 (Titanium

tetraisopropoxide TTIP)和 (CH3COCHCOCH3)3NdxH2O作為前驅

物以製備摻雜 Nd3+ 之改質二氧化鈦結果顯示隨著Nd3+摻雜量

之增加改質後之二氧化鈦觸媒於可見光波長範圍之吸收能力亦隨之

增加

除此之外其他如 Mo5+Ru3+Os3+Re3+Cr3+V4+與Rh3+

以及非金屬元素N (62)之摻雜等此方面研究近年來引起相當多投入

關於稀土離子摻雜進入一般陶瓷材料之研究已進行幾十年然而近幾

年始開始出現對於稀土原子摻雜進入半導體材料之研究將Tb3+摻雜

入TiO2 粉末或是薄膜中確實可以發出綠光(6364) TiO2中分別摻雜

Eu3+Tb3+Sm3+可以明顯觀察不論摻雜之稀土元素種類改變其

相皆與純之TiO2相符合證明摻雜稀土元素進入TiO2並不會改變其原

有之結構也因而不會因此改變TiO2原有之結構特性但卻可以影響

19

其電子組態與能階分布進而改變其光電特性目前故有稀土原子摻

雜進入半導體材料之研究皆只探討其發光機制與少許光觸媒特性分

析對於直接於太陽能電池電極之應用仍極為少數

141 TiO2Eu 粉體發光特性說明(65)

針對本實驗合成之工作電極材料雖發光強度無法與商用紅色螢

光粉比擬但仍為一無機螢光體主要由主體晶格(host lattice簡稱

H)與活化劑(activator簡稱 A)兩者所構成之其化學式一般以 HA

表示活化劑因可能取代主體晶格中特定離子位置稱為摻雜劑

(dopant)

1411 主體晶格(Host)

主體涵蓋一個或數個陽離子與一個或數個陰離子結合而成一般

主體於光激發過程中所扮演之角色為能量傳遞者而主體中之陽離子

或陰離子必須不具光學活性(optically inert)如此能量之放射與吸收

均於活化中心進行陽離子之選擇條件須具如惰性之電子組態(如

ns2np6d10)或具封閉之外層電子組態(如 f0f7f14)故不具光學活性

圖 19 為週期表中可作為螢光體主體之陽離子分布圖主體之選擇對

發光強度與光譜特性影響極大其中活化劑離子所進入晶格位置之

點對稱(point symmetry)與配位數(coordination number)以及所取代主

體離子之半徑大小均決定發光之行為

20

圖 19 主體晶格之陽離子分布圖(66)

陰離子團之選擇有二一為不具光學活性之陰離子團如圖

110另一則為具光學活性(optically-active)可充當活化劑之陰離子

團如圖 111後者通稱為自身活化(self-activated)之螢光體如

CaWO4YVO4等此為週期表中可作為螢光體主體晶格之陰離子

圖 110 主體晶格中不具光學活性陰離子團分布圖(66)

21

圖 111 主體晶格中具光學活性陰離子團分布圖(66)

1412 活化劑(Activator)

活化劑一般分成兩類陽離子團與陰離子團前者須具正確之價

數後者須具自身活化能力且可產生電荷轉移作為活化劑之陽離子

一般具 (nd10)((n+1)s2) 電子組態此類呈現高放光效率或半填滿軌

域如Mn2+Fe3+等如圖 112此外活化劑之添加本質上屬於

取代缺陷故活化劑與主體陽離子之大小須相近如相差太多將造成

晶格之扭曲故活化劑之種類與主體內之添加取代量即受到限制

圖 1 12 活化劑之陽離子團分布圖(66)

22

本研究採用之活化劑為稀土離子(67)其發光特性取決於稀土離子

Eu 4f 殼層電子性質稀土離子之電子躍遷主要具以下兩種形式(1) f

- f 躍遷(2) f - d 躍遷多數三價鑭系離子發生於內層之 4f - 4f 能階

躍遷根據選擇律此種l = 0 之電偶極躍遷原屬禁戒(forbidden)

但因 4f 組態與反對稱之組態 g 或 d 發生混合使原屬禁戒之 f - f 躍

遷成為允許(allowed)且 4f 殼層上之電子受外殼層 5s24p6 之遮蔽效

應故其 f - f 能階躍遷特徵如下

(1) 發射光譜呈線性譜線強度較弱

(2) 主體晶格(host)對發射波長影響不顯著

(3) 濃度與溫度淬滅變小即使於 400~500仍可發光

(4) 螢光壽命較長

15 研究動機與目的

本論文研究基於之前眾多之成果所建立之理論基礎提出一將稀

土元素摻雜入 DSSC 之工作電極中之創新構思欲藉由類似螢光粉之

觀念於主體 (host) 中摻入活化劑 (activator) 再經由特定波段之

激發產生放光之過程放射光之波長取決於主體與活化劑之搭配此

概念之目的是要增加染料敏素之吸收率進而提升整體之效益而所

需放射之光取決於染料敏素之 IPCE(incident-photon-to-current

conversion efficiency) 值於何處有最大值關於稀土離子摻雜進入一

般陶瓷材料之研究已進行幾十年近幾年則開始有對於摻雜進入半導

體材料之研究而先前眾多研究只探討其光觸媒特性並無應用於染

料敏化太陽能電池之顯著成果其中 Eu3+具非常好之紅色可見光發光

性Eu3+離子吸收波長 300 ~ 450 nm 左右之太陽光後其內層 4f ndash4f

軌域間之轉換將可放射出 593 nm (5D0 rarr 7F1) 612 nm (5D0 rarr 7F2)

650 nm (5D0 rarr 7F3)與 697 nm (5D0 rarr 7F4)紅光範圍之可見光Black

Dye 其 化 學 名 稱 為 【 thithiocycanato 44rsquo4rdquo-tricarboxy

23

31-22rsquo6rsquo2rdquo-terpyridine ruthenium(II)】(RuLrsquo(NCS)3 Complex)且其於

610 nm 與 413 nm 有最大吸收峰且其 ICPE 值於 400~600 nm 範圍

可達 80 恰位於 Eu3+之最強放光處故研究是否可藉由此放光增

加染料之吸收進而提升激發電子量再者稀土元素之摻雜並不會

破壞原有之晶體結構卻可影響其電子能態或原子結構調整其能

隙故本研究亦透過設計雙層結構之工作電極使各層工作電極傳導

帶之相對位置更有利於電子之傳遞以增加激發電子傳導速率並

減少電子再復合機率提升太陽能電池之效率

24

第二章 實驗步驟與儀器分析方法

21 化學藥品

本研究使用之藥品皆為試藥級之純度故使用前不須進行再純化

之步驟其來源與名稱如表 2-1 所示

表 2-1 本研究所使用之藥品清單

玻璃基板

FTO 導電玻璃 [ SnO2F TCO ] Solaronix TCO22-15

15 Ωsq

編號 藥品 廠商 純度

(1) 氧化銪 [ Eu2O3 ] Sigma-Aldrich 999

(2) 鈦酸四丁酯 [ Ti(OC4H9)4 ] Acroros 99

(3) 二氧化鈦 [ TiO2 ] Degussa P25 NA

(4) 硝酸銪 [ Eu(NO3)35H2O ] Sigma-Aldrich 998

(5) 碘 [ I2 ] Merck 98+

(6) 碘化鋰 [ LiI ] Merck 98+

(7) 4-特-丁基呲啶 [ C9H13N ] Aldrich 99

(8) 第三丁醇 [ (CH3)3COH ]JTB 998

(9) 四氯化鈦 [ TiCl4 ] Aldrich 999

(10) 無水乙醇 [ C2H5OH ] Riedel-de Haeumln 998

(11) 乙腈 [CH3CN] Fluka 99

(12) 乙基纖維素[Ethyl cellulose] Fluka 99

(13) 松油醇[C10H18O]terpineol Fluka NA

25

(14) 丙酮 [ CH3COCH3 ] Riedel-de Haeumln 99

(15) 甲醇 [ CH3OH ] Fluka 998

(16) 己烷 [C6H14] Riedel-de Haeumln 99

(17) 氧化鎘 [ CdO ] 林 純藥工會株

式會社 99

(18) 油酸 [ C9H18C8H15COOH ] Aldrich 90

(19) 1-十八烷烯 [ C18H36 ] Aldrich 90

(20) 三正辛基膦 [ (C8H17)3P ] Alfa Aesar 90

(21) 硒粉 [ Se ] ACROS

995

(22) 巰基丙酸 [ HS(CH2)2COOH ] Fluka

99

(23) 四甲基氫氧化銨 [ (CH3)4NOH ] Fluka

25 wt

本研究所採用之二次去離子水為經 Millipore 公司之 Milli-Q 純水系統

所處理其電阻值為 18 MΩ-cm

22 合成方法

221 溶膠凝膠法 (Micelle and sol - gel)

此方法乃利用水油與介面活性劑之三元體系所形成之混合溶

液利用其極性相近物質之相互聚集為理論基礎其中之介面活性劑

將扮演不相容物質彼此間之橋樑其中量少之一方將以微胞或微乳液

之形式存在微胞之形狀將隨著加入試劑之濃度差異而形成各種不同

26

形狀所選取之反應物須存在於微胞中而形成溶膠以利進行凝膠化

之反應於微胞中溶膠 (Sol) 之定義為極小之膠體粒子因凡得瓦

爾力與電雙層作用下產生布朗運動而均勻分散於系統中而形成所

謂溶膠與凝膠 (Gel) 為經過水解 (Hydrolysis) 與縮合 (Condensation)

反應後分子單體經由鍵結而逐漸形成大分子之凝膠狀態溶膠‐凝

膠法之基本步驟為利用金屬醇化物或金屬鹽類溶於水或醇類等溶劑

中進行水解與縮合反應所形成之凝膠產物之性質及結構與製備過程

之條件具密切之關係例如反應原料之種類濃度溶劑溫度

壓力pH 值等因素溶膠-凝膠法於形成薄膜與塊材方面具顯著之優

點且溶膠易形成摻雜故可製備均勻分布及可調性之多種複合材

料介面活性劑之功能為抑止成長中之晶體持續成長故控制微胞之

形狀即可改變晶體之形狀首先須控制溶液中之相對組成與溫度才

能達到形成微胞之條件且微胞之尺寸均於微米級以下故此微胞可

視為一種微反應器總而言之溶膠凝膠為一種膠狀懸浮液藉由膠

化作用得到固體其產生之多孔性凝膠可藉由化學方法之純化及高溫

退火之程序得到高純度與高結晶性之氧化物

222 水熱法 (Hydrothermal)

水熱法為於液相中配製超奈米材料之濕化學方法研究之溫度

範圍於水之沸點與臨界點(374oC)之間一般反應過程中維持100 ~

250oC之溫度與03 ~ 40 MPa之蒸汽壓之高溫高壓環境下反應溶劑

因高溫高壓條件下而達到其臨界點時對固體物質之溶解度增加

因而達到加速反應進行之效果此方法可提供製備一維奈米材料之新

途徑水熱法具下列幾項特點(1) 利用水熱法可直接於溶液中合

成粉體(2) 於大部分之水熱過程中長晶之程序已經完成故不須

再經過煅燒(3) 利用溫度之調變可控制粉體之尺寸(4) 利用不同

27

之起始物可得不同型態之粉體故水熱合成法可製備之材料相當廣

泛涵蓋金屬氧化物複合氧化物等數十種粉末合成之粒子大小

範圍介於01微米至幾十微米經過濾洗滌與乾燥等過程獲得之

晶體其結晶性佳團聚情況少產率高與較窄之細微性分布因此可

得純度高且細微性均勻之各類材料

23 實驗流程

本研究以兩種不同前趨物與合成方法製備 TiO2Eu3+ 之工作電極材

料分述如下

231 TPT[鈦酸四丁酯Ti(OC4H9)4 Tetrabutyl titanate]系列

此系列之奈米粒子為透過溶膠凝膠法後經水熱法及燒結而成首

先按所需之化學配比 (stoichiometry) 秤取適量之 Eu2O3並置入 100

mL 之三頸瓶中加入 9 mL 之 1 M 硝酸溶液60 mL 之去離子水(使

整體之 pH 值小於 2)激烈攪拌 30 分鐘再緩緩滴入適量配比之鈦

酸四丁酯 Ti(OC4H9)4 (Tetrabutyl titanateTBT)並激烈攪拌 1 小時

上述溶液之溫度控制於 80oC 並持續攪拌進行迴流程序時間為 10 小

時再置入 125 mL 之鐵氟龍 (telfon) 杯中並封入不鏽鋼壓力釜

(autoclave)進行水熱法溫度控制於 227oC時間為 12 小時可得白

色之膠體再以酒精反覆沖洗後於高溫 500oC 下退火 6 小時即可

得 TiO2Eu3+白色奈米粒子詳細合成流程如圖 21 所示

28

Eu2O3 and 9 mL aqueous nitric acid (1M) solution are added to 60 mL DI water with pH lt2

After vigorously stirring for half an hour 10 mL tetrabutyl titanate Ti(OC4H9)4 is slowly dripped into the above solution with vigorous stirring for 1 h

The mixture is then heated to 80oC with continual stirring for 10 h

Hydrothermal treatment in the autoclave at 227oC for 12 h

After repeatedly washing with ethanol the white slurry is annealed in air for 6 h at 500oC

圖 21以溶膠-凝膠法與水熱法合成TBT系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

232 P25(Degussa P25 TiO2)系列

按適量之化學配比秤取商用之二氧化鈦粉末(Degussa P25)與

Eu(NO3)35H2O置入裝有 30 mL 去離子水之 100 mL 燒杯中室溫

下激烈攪拌 2 小時將上述之白色溶液置入 125 mL 鐵氟龍 (telfon)

杯中並封入不鏽鋼壓力釜 (autoclave)進行水熱法溫度控制於

150oC時間為 48 小時待冷卻至室溫後將所得之白色膠體以去離

子水反覆沖洗其目的為去除表面殘餘之 Eu(NO3)35H2O爾後於

350oC 之溫度下退火 2 小時即可得白色 TiO2 Eu3+白色奈米粒子

詳細合成流程如圖 22 所示

29

Commercial TiO2 powders (P25) and europium nitrate was added to 30 mL of an aqueous solution under vigorous stirring

After stirring strongly the slurry was heated at 150oC for 48 h by hydrothermal method

After hydrothermal treatment repeated centrifugation and wash with distilled water (4 time repeated)

Annealed at 350oC for 2 h

圖 22 以水熱法合成 P25 系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

24 樣品鑑定分析

以 X 光粉末繞射儀(X-ray diffractionXRD)Rietveld 精算法鑑

定材料之純度與長程有序晶體結構以穿透式電子顯微鏡

(Transmission electron microscope TEM) 與掃瞄式電子顯微鏡

(scanning electron microscopeSEM)分別鑑定材料之結構與表面型

態利用比表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

ASAP) 分析粉體之樣貌與比表面積利用光激發光光譜儀

(photoluminescencePL)分析電極材料之激發光譜與放射光譜特性

以拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum) 測定分子之振動模式

以判定晶相與原子結構以紫外-可見光擴散式反射光譜(UV-Vis

diffuse reflectance spectra UV-Vis DRS ) 分析固態粉體於紫外光與可

見光其吸收特性利用 X 射線光電子能譜儀(X-ray Photoelectron

30

SpectroscopyXPS)分析表面元素組成與原子能級結構以 X 光吸收

光譜 (X-ray absorption spectroscopyXAS)之 X 光近吸收邊緣結構

(X-ray absorption near edge structureXANES)決定樣品中元素之價數

與電子結構茲將各實驗儀器分析之過程與原理分述於下列各節

241 粉末 X-光繞射儀(X-ray diffraction XRD)

2411 X-光繞射工作原理

X 光為一種短波長之電磁波其波長約為 10 Aring(10-10 m)陽極放

射出之 X 光由連續性不同波長之 X 光所組成故稱之為連續性 X

光譜(continuous X-ray spectrum)或白色 X 光但隨著外加電壓增大

連續性 X 光譜之波長分布範圍與其光線強度將隨之增大當電壓加

至超過門檻電壓(threshold voltage)或激發電壓(excitation voltage)時

除發生連續性 X 光譜外另將產生某些特定波長之 X 光稱之為特

性 X 光(characteristic X-ray spectrum)如圖 231(a)X 光粉末繞射儀由

電子槍產生電子如圖 231(b)所示此電子藉由 40 keV 之工作電壓

加速撞擊金屬靶材(常用之靶材為銅靶)將其靶材中 K 層(1s)電子撞

出電子游離後形成之電洞隨即由L層(2p)電子填補並伴隨X光釋出

31

Characteristic peaks

Continuous radiation

Energy

High-energy Ka

stimulusLaKb

lswl

Int

sity

e

m

Low-energy stimulus

enof

itted

rad

iatio

n冷卻水

真空 璃

接變壓器)

鈹窗 聚焦罩

銅X射線 鎢絲

靶(陽極)

X射線

管座(

Wavelength

Short wavelength limit a) b)

圖 231 (a)銅靶之 X 光光譜 (b)封閉式 X 光射線管

角動量子數之變化必須為plusmn1 (l = plusmn1)如由 L 層

(2p) 子填補 K 層(1s)電洞即 2p 1s 轉移(transition)並伴隨 X 光釋

如圖 232 所示此段波長之 X-ray 定義為 Kα波長為 15418 Aring

同理 3p 1s 則定義為 Kβ波長為 13922 Aring一般 Kα比 Kβ之強度較

強而 Kβ較 Kα之能量為高但由 p 1s 之轉移中因 2p 軌域具二

種不同型式之 Kα1與 Kα2

很難分辦但易與 K 一般常使用鎳單色光濾片(nickel filter)將

Kβ濾除(cut o

( ((68)

一般 X 光所使用金屬靶材之波長如表 22 所示以銅靶為例當

外加電壓促使電子高速撞擊銅靶之 K 層(1s)電子使其內層電子游離

並產生電洞依據吸收選擇定律(selection rule)當電子從一能階躍遷

至另一能階時其

2

自旋態(spin state)故產生 Kα1與 Kα2一般

β分辦

ff)

32

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長(69)

Target Kα1 Kα2 Kz Cr 22896 22935 22909

Fe 19360 19399 19373

Cu 15405 15443 15418

Mo 07093 07135 07117

Ag 05594 05638 05608

z is the intensity-weighted average of α1 and α2

圖 232 X 光原理示意圖Cu 1s 電子游離後形成之電洞由 2p 電子

填入並伴隨 X 光釋出(69)

德國科學家勞爾 (Von Laue) 於 1912 年提出 X 光進入晶體後因

干涉 年布拉格 ( 學

理論

稱為布拉

作用而產生繞射現象同 Bragg) 將勞爾提出之數

改以較簡潔之數學式導出 X 光之繞射條件如圖 233 所示

設晶面距離為 d入射光與晶面之夾角為 θ當入射光被二相鄰晶面

所反射二反射光束會有一光程差若此光程差為波長之整數倍(n

為正整數)時亦即當此二反射光束同步各光波之振幅具加成之效

果而形成建設性干涉合成波滿足此條件即可產生繞射

33

格定律(Braggrsquos Law)

2 sind nθ λ= (21)

晶體之 X 光繞射實驗提供兩項重要訊息(1) 繞射峰位置 2θ

(2) 為繞射峰強度(I)第一項訊息提供晶體之晶胞形狀大小(即晶格常

數)之資料第二項訊息提供晶體內部組成原子種類與位置之資料

隨材料之晶體結構與組成變化每個晶體此兩項資料各不相同因此

可利用 X 光繞射法分析材料屬何種礦物晶體或結晶材料

圖 233 X 光繞射之示意圖

2412 XRD 實驗儀器

粉末樣品之 X 光繞射分析係採用 PANalytical XrsquoPert PRO X-ray

powder diffractometer(XRD)型繞射儀其以銅靶(Cu)為光源功率為

3 kW放射光源 Kα1之波長為 15406 Aring操作時使用之電壓與電流分

別為 40 kV 與 40 mA 之條件下進行粉末繞射分析實驗其中 2θ繞射

角掃描範圍為 20 ~ 80 度每間隔 002 度讀取一次數據掃瞄模式為

2θθ將分析樣品平鋪於樣品槽(sample holder)置於圖 24 之旋轉中

心此時將繞射測角儀做旋轉偵測器則與出射光之夾角 2θ入射

光與槽座之夾角為 θ利用同步紀錄之系統而得各繞射峰之強度與角

34

度(2θ)之分布關係

圖 24 X-光粉末繞射儀(PANalytical XrsquoPert PRO XRD)

析然而中子繞射之儀器普遍性不佳利用Rietveld法可

分析

度(於本研究中以2θ量測範圍為0 ~ 180度間格為001度停留時間為10

因此可避免重疊峰之分解問題

2413 結構精算(70)

GSAS 程式採用 Rietveld 全光譜精算法 (Rietveld full pattern

refinement method簡稱Rietveld法)做結構精算Rietveld法為1969 H

M Retiveld所提出適合分析由X-光與中子粉末繞射所得之數據利

用結構精算可得物質之物理與化學特徵性質然而多數之物質不易合

成單晶之形式多數乃以多晶或粉晶存在最早則以中子粉末繞射之

數據加以分

X-光粉末繞射所得之數據使得分析晶體結構之研究之可靠性大

幅提升

Rietveld法主要為以階梯之模式(step scan)掃描其每一步之峰形強

秒)而不用整個繞射峰之積分強度

35

2ci k k k k biy S L F HT P y= Φ +sum利用此計算方法所得之繞射強度 ( S為

比例常數Lk乃涵蓋勞倫茲極化與多重性因子Fk為結構因子Tk

為穿透因子Pk為優先取向H為反射波形函數ybi乃背景強度)用

以模擬觀察所得之繞射強度(yoi)使由假設結構模型計算出之繞射圖

形與實驗量測之繞射圖趨於一致 並使最小方差擬合之殘差R為最

2( )R Wi ci oiy y= minussum 2 ( 2)

計算所得之繞射圖譜與測量所得之圖譜其相吻合之程度是由所

謂擬合參數(reliability factor)即R值決定一般以R值小於10為可

接受之最低要求常用有Rp與Rwp

oi ciP

oi

y yR

yminus

= sumsum (23)

)(( )

2

2WPRW y

= i oi ci

i oi

W y yminussumsum (24)

i較大

而一般認為Rwp較具代表性意義之擬合度判斷依據並定義

式中Wi為加權指數ㄧ般僅繞射峰存在其繞射強度之W2χ 即

ldquogo

odness of fitrdquo用以表示分析之品質

( )χ 2 =minusM

N N (25)

O V

其中M為minimization functionNO為step scan所得之繞射圖點

數NV為精算時所使用之變數個數利用最小平方差擬合與傅立葉

(Fourier)合成求得之電子密度函數進而得知粉體之晶格常數鍵長

鍵角等結構參數

Rietveld法為一可將晶體結構解析最完善之方法然而並非所有

36

之結構皆有其詳盡之原子座標位置Le Bail 法為1988年法國晶體學

家Armel Le Bail所發展利用電腦程式模擬將原本錯誤之原子位

置移動至較符合粉體模型之位置稱為整體性之最優化(global

optimization methods)或稱直接空間方法(direct space methods)利用

此方法可對於新

合成或未有詳盡之原子座標資訊給予空間群與晶格

常數之資料

圖25 晶體繞射結構解析之一般流程

37

242

型號為HITACHI S-4000其電子

槍為冷場發射式

圖26 掃描式電子顯微鏡(NDL)HITACHI S-4000

掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope SEM)

掃描式電子顯微鏡主要由真空系統電子槍透鏡組與偵測器組

成其成像原理為利用一束具有5 ~ 30 KV能量之電子束經過聚焦

镜使發散之電子束能聚集成一微小電子束掃描線圈作用於偏折電子

束使其能於試片表面進行二維之掃描工作另一功能為觀測試片時控

制倍率之放大與縮小爾後電子束經過物鏡即如同光學顯微鏡原理相

同但此時調整項圈(coil)所造成之磁場控制電子束進行最後對焦動

作完成對焦讓電子束與試片作用激發出二次電子背向散射電子

Auger電子連續X光與特徵X光等一般SEM為利用二次電子進行成

像因二次電子之信號主要源自電子束下方之區域能提供高解析之

影像而背像散射之電子亦能作為信號之來源當電子束掃描試片表

面時偵測器同時偵測由表面射出之二次電子強度輸入至同步掃描

之陰極射線管同時顯示試片之影像而陰極射線管上同步點之亮度與

對比則根據偵測到之訊號強度進行改變利用此方式試片表面之特

徵狀況即可逐一表現出來如圖26所示本實驗乃使用國家奈米元

件實驗室之掃描式電子顯微鏡其

(field emission)

38

圖27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖(71)

243

於偵測器上形成不同亮度

穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron MicroscopyTEM)

穿透式電子顯微鏡系統設計如圖 28 所示由電子槍(electron

gun)發射電子束經過一組磁透鏡(condenser lens)聚焦後以遮蔽孔

徑(condenser aperture)選擇電子束尺寸大小(beam size)後通過一組控

制電子束之掃描線圈再透過物鏡(objective lens)聚焦入射至試片

上於試片上側裝一訊號接收器用以選取二次電子或背向散射電子

成像此種儀器之優點為所需之樣品量很少且其解析度可達到原子

級之層次(10-10 m)若樣品含多電子原子則電子束將無法穿透樣品

於偵測器上顯示之亮度較暗電子束可穿透之樣品於偵測器上形成較

亮之點利用不同物質具不同電子密度之性質經電子束之穿透過程中

原子核對電子束產生之折射程度之差異性

對比之影像即為樣品之形狀和結構

但以下幾點須注意(1) 真空下要穩定 (2) 若是揮發性之物質在經電

39

子碰撞後容易消失此儀器除可用以鑑定物質之型態大小與內部細微

結構外亦可進行電子繞射而電子繞射圖可用以觀測樣品之結晶度

格常數

一天後再將銅網放置於儀器之樣品槽中調

整好儀器即可觀測

表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

好壞與計算晶

樣品製備

將欲觀測之粉末樣品取極少量溶於乙醇溶液中置於超音波震盪器中

約10分鐘使粉末均勻分散於溶液中爾後再利用已鍍上一層多孔性

碳膜之銅網放置於溶液中撈取預分析之樣品拿出銅網後用拭鏡紙將

多餘之乙醇拭乾並風乾

圖28 TEM電子腔內部結構示意圖

244 比

ASAP) 先將適量樣品 200oC 除氣(degas)至壓力為 3 times10 -3 torr以去除樣

品上之吸附水氣與其它吸附物質並於 77 K 下進行氮氣等溫吸附

40

利用 BET 公式求得比表面積利用 BJH 公式求得脫附曲線之孔洞分

態相似而於高分壓相異之行為則是因為 H4

隙較 H3 窄之緣故

291 IUPAC 制定之物理等溫吸附-脫附分類圖

布(pore size distribution)

氣體吸附曲線之型態會隨著材料之孔徑結構成分溫度及吸附

分子種類而不同 (圖 291)氣體吸附曲線 IUPAC 定義為下列六種型

態第一型為典型微孔材料第二型通常是無孔材料或孔徑較大之材

料第三與第五型曲線發生於當吸附分子間親和力大於其與固體材料

表面間作用力時之模式第四型為中孔材料於高分壓時會產生遲滯

迴圈(hysteresis loops)而第六型為一結構近乎完美均勻之表面所造成

之吸附曲線根據 IUPAC 之分類遲滯迴圈依其型態可分為四種型

態(圖 292)H1型常為規則圓柱狀孔洞材料或由規則球狀體間孔隙所

造成而 H2 型遲滯迴圈之形成通常表示材料中之孔洞與形狀較不規

則H3與 H4型迴圈之型

41

圖 292 IUPAC 制定之遲滯迴圈型態示意圖

245

T) 收集

光並測量其螢光強度並以 DataMax 軟體分析光譜資料

光激發光譜儀(Photoluminescence PL)(65)

光激發螢光 (photoluminescence PL) 光譜儀乃為簡便與精準地

檢測發光材料之光特性於本研究中採用FluoroMax-3測量螢光材料

之激發光譜(excitation spectra)與放射光譜(emission spectra)如圖

210 所示光源為利用氙弧燈提供一寬波段之激發光源為得高解

析之螢光量測數據入射光源須為持一特定之波長藉由單光器

(monochromater)之狹縫 (slit) 將光源出射光分成特定波長之入射

光入射光之能量被螢光粉體吸收後螢光粉體將發射另一特定波長

之光段打至發射光之單光器如同激發光之單光器只允許某一狹

窄之波段通過再利用光電倍增管 (photomultiplier tube PM

42

圖 210 螢光體光譜量測過程

圖211為本研究所使用之FluoroMax-3光譜儀各結構實際之配

置其包含七大主要部分涵蓋

1 Xenon光源與其保護座

1a Xenon光源電源裝置(power supply)

1b Xenon光源閃光(flash lamp)

2 入射光源單光器(excitation monochromator)

3 樣品放置槽(sample compartment)

4 發射光源單光器(emission monochromator)

5 偵測器[signal detector (photomultiplier tube)]

6 參考偵測器[reference detector (photodiode and current-acquisition

module)]

7 儀器控制電子元件(instrument control)

實驗之過程光源由圖中1部分發射而將螢光粉體置於樣品槽

43

內並置於圖中3之樣品放置槽圖中7為連接電腦控制藉由控制圖

中2與4之單光器則分別進行激發光譜與放射光譜之實驗由光電倍增

管放大(圖中5)而收集其中激發光譜可由圖中6偵測Xenon光源之訊

號並校正若進行比較發射光譜之絕對強度實驗過程則控制實驗之

時間於兩小時內完成此時期之光譜經穩定度量測誤差值座落於3

以內所得之發射光譜強度比較為可信之數值圖 212則為儀器之

實際外觀

圖211 光激發光光譜儀構造

44

圖212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀

246 拉曼散射光譜儀 (Micro Raman Scattering Spectrometer)

當光源照射於物質表面時光子會與物質之原子分子產生交互

作用造成能量之交換或動量之改變若無能量交換僅方向改變為

彈性碰撞稱為瑞立散射 (Reyleigh Scattering)若方向改變又有能量

交換為非彈性碰撞稱為拉曼散射 (Raman Scattering)當拉曼散

射光與物質相互作用時會與物質內之原子分子之振動頻率耦合

即可於入射光頻率之兩邊產生正或負之頻率位移此一頻率位移之數

值與物質內原子分子振動頻率相當此位移即為拉曼位移(Raman

Shift)此頻率位移可用下式表示

sυ υ υΔ = minus (26)

υΔ 代表拉曼散射光與入射光頻率差υ 代表入射光子之頻率 sυ 代表

散射光子之頻率

45

247 紫外可見光擴散式反射光譜(UV-Vis diffuse reflectance spectra

UV-

描範圍為200 nm至800 nm並以Spectra Calc

體收集光譜訊號

247

分光波被反射與散

另一部分光透過其餘之光才被物質吸收

Vis DRS)(72)

本研究乃將定量之粉末置於石英圓盤上再將其放置於樣品槽

相對於 BaSO4 作為參考物於室溫下以Hitachi-U3410紫外-可見光光

譜儀分析其擴散反射式光譜(diffuse reflectance spectrum)光譜掃描之

速率為120 nmmin掃

1 固態粉體之吸收光譜

吸收光譜顯示光照射於發光材料時其激發波長與材料所吸收能

量值之關係激發波長照射於發光材料時一部

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖

46

只有被吸收之光對材料之發光產生作用然而非每一被吸收光其

所有波長皆能引起激發作用因此研究吸收光譜可知哪些波長之激發

光被吸收吸收率為多少此對研究材料之發光過程為一重要課題

發光材料對光吸收公式可表達為

( ) 0( )K xI I e λ

λ λ (27)

式 27中I0(λ)為波長為λ之光照射至材料時之發光強度I(λ)為光

通過厚度為X之材料層後其發

minus=

光強度Kλ為吸收係數Kλ隨照射光波

長變

表面(圖 214)即使壓製成

錠依舊有部分光以散射釋出(圖 215)

化之曲線稱吸收光譜

因發光材料為粉末晶體故難以測出其吸收光譜一般則是測試

反射光譜用以確定其吸收光譜由 Kλ(吸收) = 1-Kλ(反射)得出材料之吸收

圖譜Kλ(反射)為被測材料之反射係數當其散射與穿透很小時可測得

然多數之物質其粉體非規則排列成一平整

粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚

度其公式如下

圖214 圖215

擴散式反射光譜儀則利用Schuster-Kubelka-Munk理論其中假設

無規則之反射光束

2(1 )( )2

R kF RR s

infininfin

minus= = (28)

infin

47

其中k為吸收係數s為散射係數一般量測與標準品相對之反射值Rinfin

而非量測絕對值之反射值其中標準品為白色固體粉末常見有KBr

用於IR(43500 ~ 400cm-1)波段BaSO4MgO作為紫外光至可見光波

段之標準品

圖216 Hitachi-U3410紫外-可見光光譜儀

248

於超高真

下操作故最好將樣品溶劑先行抽乾以免污染儀器

X射線光電子能譜儀( X-ray Photoelectron SpectroscopyXPS )

其原理為一束X光射線入射至樣品表面藉由光電效應將某一能

階之電子激發為光電子爾後經由分析光電子動能即可獲得關於表

面元素組成與元素之化學環境當數個原子鍵結成一化合物時其於

化合物中之結合能明顯與純原子時不同內核層電子之束縛能亦有不

同之變化即為一般之化學位移(Chemical Shift)分析束縛能之變

化便可獲得材料中之電子結構與化學鍵結之訊息其所造成之能譜

位移可用以區分不同氧化態之元素偵測深度約為5 nm (除氫元素外

皆可偵測)樣品製備將粉末樣品先行打錠經除水與抽真空之前

處理後送測放入儀器之樣品室中進行分析由於儀器是

48

24

分析與 TEM 等

結果

μ 表示材料單位厚度對X光之吸收則以式29以表示其相互之關係

9 X 光吸收光譜 (X-ray Absorption Spectroscopy XAS)(73)

同步輻射為接近光速之電子受加速度而產生之電磁波其可提供

連續波長可調能量範圍寬廣之光源並具光點小強度高與準直性

佳等特性近二十年應用同步輻射 (synchrotron radiation) 光源於 X

光吸收光譜之技術愈趨成熟使 X 光吸收光譜成為一項分析物質結

構之利器利用同步輻射光源對材料進行 X 光吸收光譜研究主要

包括 X 光吸收近吸收邊緣結構(X-ray absorption near-edge structure

XANES)與延伸 X 光吸收精細結構(extended X-ray absorption fine

structureEXAFS)其中 XANES 用於檢測材料中特定原子之電子組

態而 EXAFS 則測定原子之局部結構(local structure)可得知原子與

其鄰近原子間之距離種類及數目等X 光吸收光譜可發揮於原子短

程結構與電子組態上之優點與傳統 XRD 長程有序

相互配合可更加了解奈米材料之結構特性

當物質受到X光照射而吸收X光可用吸收係數 μ 表示其吸收之

程度若以I0表示入射X光之強度I 表示穿透光強度樣品厚度為 x

0 exp( )I I xμ= minus (29)

現象會隨X光能量增強而逐漸平

地降低構成吸收光譜之底線

若X光能量改變即使物質中之原子不吸收不散射等因素測得之

穿透光強度仍較入射光強度減小此

49

2491 X 光吸收近吸收邊緣結構 (X-ray Absorption Near-Edge

Structu XANES)

有關吸收原子之電子

組態價數及其所處晶格位置之對稱性資訊

re

當 X 光能量逐漸增強至物質中所含原子之吸收能量(absorption

edge)原子內層電子開始吸收 X 光之光子躍遷至外層之空軌域

造成吸收係數激增即形成 X 光吸收近吸收邊緣結構(XANES)於

吸收邊緣前與後各 30 eV 區域內之一些圖譜特徵包含吸收前緣之突

起躍昇區段上之肩部主峰之相對高度甚至吸收邊緣之位置(常

以躍昇段之第一個反曲點能量為視之)統稱為 XANES如圖 217

所示為 Ti K-edge 之 XANES 示意圖其可提供

圖217 Ti K-edge之XANES示意圖

50

25 染料敏化太陽能電池之組裝與特性分析

251

工作電極漿料之製作對於太陽能電池效率而言為最重要且最關

鍵之步驟本實驗採用奈米級粉體作為主要材料由於顆粒小其比

表面積大可使染料吸附量增加但如此微小粒子亦容易因凡得瓦

力庫倫力等發生團聚現象團聚現象對於粒徑小於 10 μm 之顆粒尤

其明顯因此於漿料之製備過程中必須透過機械攪拌及超音波震盪

等方式使其均勻分散本實驗漿料為參考 Seigo 等人於 2008 年所

發表之論文 製備首先秤取適量先前合成之二氧化鈦粉末加入配

ethyl cellulose分別為 5-15 mPas 與 30-50

mPas)膠體溶液松 terpineol)無水乙醇上述混合物置入單頸

瓶中激烈攪拌約 10 小時並減壓抽氣濃縮以去除乙醇再以超音

1 小時即完成漿料製備

252 導電玻璃清洗

[fluorine-doped tin oxide

FTO](尺寸23 x 30 cm)以中性清潔劑初步洗滌之後浸泡於丙酮溶

劑內並置於超音波震盪器內 10 分鐘丙酮可溶解油漬與黏膠卻

對 FTO 無影響可防止製備工作電極薄膜中出現裂痕及缺陷接著

使用去離子水同樣於超音波震盪下清洗玻璃最後再以乙醇於超音波

作用下洗滌乙醇可以溶解大部分之有機溶劑包括丙酮

璃之電阻)乙醇清洗完後將導電玻璃置入烘箱中以 70oC 烘烤 30

分鐘以去除殘餘有機物

3 電池組裝與特性測試

FTO 玻璃固定於網印機機台上利用網印法(如圖

FTO 玻璃上(工作電極面積

工作電極漿料配製

(74)

製好之兩種乙基纖維素(

油醇(

波震盪

首先將摻雜氟之二氧化錫導電玻璃

(會增加玻

25

(1) 將清洗完成之

218 所示)將製備好之漿料均勻塗佈於

51

複以上動作直到所

其表面於室

Black dye 溶液中放置

染料敏化太陽能電池有關組裝之詳細流程圖如圖 219 所示

需之膜厚或者所需要之雙層或多層結構設計

(2) 將鍍膜完成之工作電極置於 40 mM TiCl4 乙醇溶液中並置入 70oC

烘箱中 30 分鐘取出後以去離子水及乙醇交替潤洗

溫下乾燥後置於方形爐中 500oC 煅燒 30 分鐘

(3) 將製備好之工作電極薄膜浸泡於 02 mM

室溫暗室浸泡 24 小時使其自行吸附

(4) 待二氧化鈦電極吸附染料步驟完成後利用乙腈(acetonitrile)清洗

工作電極表面靜置乾燥後即可得已製備完成且吸附染料分子

之二氧化鈦薄膜電極首先將氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑

金屬之相對電極之空隙中再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結

合並防止氣泡產生以長尾夾固定既可完成此三明治結構之

圖 218 網印機塗佈示意圖

52

TiO2 (or TiO2Eu3+ ) powder

1 Screen printing on FTO (15Ωsq)

(A active=016cm2) 2 DryingRT 3 Gradually heated under an airflow at 325oC 5min 375oC 5 min 450oC 15min and finally at 500oC 15 min

1+ Two kind ethyl cellulose solution (5ndash15mPas and 30-50 mPas) + Terpineol + pure ethanol 2 Stirring10 hr 3 Rotary-evaporator (40oC) 50 min 4 Sonication 30 min

paste

Repeated until desirable Film thickness was obtained

TiO2 film FTO

1 Immersed in TiCl4 EtOH 70oC (30 min)2 Calcined 500 oC 30 min in air flow 3 Soaked in black dye (02 mM )

DyeTiO2 film FTO

1 Put the spacing film aside the TiO2 film2 Combined with sputtered Pt electrode3 Injected the ImacrI3- electrolyte

DSSC

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖

53

254 染料敏化太陽能電池性能測試

2541 電流電壓效率曲線(I-V curve)量測

於太陽能電池效率量測方面由於太陽光光譜將不斷變動因此

必須有一套國際量測標準目前國際上太陽能電池量測主要以美國

ASTM G-159 (Air Mass 15) 為主由於太陽光入射角度會隨著穿過

大氣層厚度之不同而隨之改變一般以大氣質量數 (Air Mass AM)

表示並規定太陽光在大氣層外直接垂直照射稱為AM 0太陽光與

地球表面夾角為90deg時稱AM 1而入射太陽光與地表之夾角為4819deg

時則為AM 15將完成之電池元件進行效能測試其光電轉換效率值

之檢測系統如圖 220 所示此檢測系統中為選擇300瓦(W)氙燈光源

模擬太陽光(AM 15)光源於開啟後須熱機10分鐘為避免檢測時因

光源不穩定而造成量測誤差並利用一標準單晶矽電池(效率值約為

1173 )以調整入射光源強度為100 mWcm2

將電池置於待檢測位置接上正負電極後利用電源電錶儀

(Keithley 2400) 控制輸出電壓並量測輸出電流值以獲得電流-電壓

曲線(I-V Curve)並藉由所得之I-V Curve圖中可獲得開路電壓(Voc)

閉路電流(Isc)填充因子(FF)與光電轉換效率(η)等評估電池效能之參

數其中短路電流乃指太陽能電池於無負荷狀態下外部電路短路

時之輸出電流此時電壓為零於理想之狀態下太陽能電池之短路

電流即等於照光時所產生之光電流而開環電壓即為太陽能電池於負

載無限大之狀況下為外部電流斷路時所量到之電壓此時之輸出電

流為零轉換效率可定義如下

max ( )P Isc Voc FPin Pin

η Ftimes times= = (210)

其中 Pin 為入射光功率FF因子定義為電池輸出最大功率

54

(Pmax)與理想最大功率之比值關係如下

max max max P I VF FIsc Voc Isc Voc

times= =

times times (211)

由上式可知此 FF 值為表示太陽能電池電壓電流表現與理

想行為間之差異此值受電池內部串聯並聯電阻工作溫度照光

強度等影響

圖220 電池光電轉換效率值檢測系統

圖221 太陽能電池I-V 特性曲線示意圖

55

2542 入射單色光之光電轉換效率量測(incident photon to current

convers-ion efficiencyIPCE)

IPCE 為單位時間內外電路中產生之電子數目 Ne 與單位時間內

入射單色光光子數目 Np 之比如其理論計算式為

2 2 [1240 ( )] [ ( ) ( )] 100SC incIPCE J A cm nm I w cmλ= times times times (212)

式中 JSC 為短路電流密度λ為入射光之波長Iinc 為入射光強度

從式中可看出奈米多孔膜(如TiO2)之比表面積越大吸附染料分子

越多光吸收效率就越高光電轉換效率測定系統可得到單一波長之

光電轉換效率根據此數據可瞭解整個光譜裡不同波長範圍之光對

電流之貢獻得到 IPCE 對波長之光譜與吸收光譜不相同因既

使能吸收光亦未必能有效轉換成電流本量測系統涵蓋以下主要組

(1) 光源500 W Xe lamp能發射全波長之光

(2) Water filter過濾光源發出之紅外光減少紅外光引起之熱

(3) 單光器(monochromator)以光柵選擇波長並投射至樣品

(4) 光強度偵測器偵測投射波長之強度

(5) 定電位定電流儀Keithley 2400用以讀出電流訊號

待測樣品經過不同波長之光照射時會反映出不同程度之光電流經

定電位定電流儀讀出電流值並記錄下來本實驗每隔10 nm 之波長

記錄電流值範圍從 350 nm 至1000 nm紀錄所有之電流值後再

經光強度偵測器量測各波長光線之能量將電流與光能量帶入式

212計算後即可得到各波長光線之光電轉換效率IPCE ㄧ般亦反

映至電池總效率上IPCE 越大則效率越高

56

圖222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖(75)

2543 電化學阻抗分析(Electrochemical impedance spectroscopy

EIS)(76)

交流阻抗定義

阻抗 = 電壓電流

交流阻抗定義阻抗 = 電壓電流 ( ( )( )

V fZI f

= )

其中電壓與電流之值會隨著頻率( f )變動而改變阻抗其實是由實部

阻抗(Zrsquo)與虛部阻抗(Zrdquo)所構成表示法為 Z Z jZ= minus

其中 Z 實部阻抗(real impedance) Z 虛部阻抗(imaginary impedance)

j = 1minus 而 Z Z Z θ (相角)之間關係如圖 223 所示

57

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

圖 223 Z Z Z θ 之間關係圖

交流阻抗測量過程如下

施加一小振幅之交流電壓(大多為正弦波訊號)使電極電位於平

衡電極電位附近微擾當達到穩定狀態後測其響應電流訊號之振幅

(magnitude)及相(phase)進而求得阻抗(impedance)然後依據所設

想之等效電路(equivalent circuit)透過阻抗圖譜之分析以及 Z-plot 程

式進行參數擬合精算以求出電極之動力學參數測量方式將組裝

好之電池於光源之持續照射下達到一穩定之電壓以電化學分析

儀(CHI 611C)測量選擇「AC Impedance」模式給予一個振幅為

10 mV 之交流電壓掃描頻率設定為 105 Hz 至 005 Hz

(a)

58

(b) high

medium low

圖 224典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖(77)

從典型之電化學阻抗圖譜可於奈氏圖(Nyquist plot)觀察到三個

半圓形之訊號參照圖 224b 依序從左至右分為高頻區 (high

frequency)中頻區(medium frequency)低頻區(low frequency)其所

分別代表之意義為(參照圖 224a )

高頻區電子於白金相對電極與電解質介面(Pt-FTOElectrolyte)之間

之傳輸阻抗

中頻區電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗

低頻區碘三負離子(I3minus)於電解質中之擴散阻抗

於經過電化學阻抗測量之後所得到之圖譜參考 Wu 等人之文獻

(78)設想之等效電路如圖 225 所示

59

FTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSCFTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSC

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

keff

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

EIS raw rata - P25 TiO2 (12 μm)

magnitude

phase

|Z| = ( |Zrsquo| 2 + |Zrdquo| 2 )12

θ = tan-1 ( |Zrdquo| |Zrsquo| )

=gt |Zrsquo| and |Zrdquo|

input output derived

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析

60

經過電化學阻抗分析過後原始數據如圖 226 所示經由等效

電路假設之後並進一步使用 Z-View 軟體效正並參考 Adachi 等人(79)

所發展之模式可以得到下列參數

(1) L (μm) 電極膜厚 (film thickness)

(2) keff (s-1) 電子再結合速率常數 (reaction rate constant for

recombination)

(3) τ (s) 電子壽命 (lifetime of electrons)

(4) Rk (Ω) 電子再結合之電荷傳導電阻亦即暗反應電阻

(charge-transfer resistance related to recombination

of electron )

(5) Rw (Ω)電子於 TiO2 中之傳導電阻 (electron transport

resistance in TiO2)

(6) Deff (cm2s)有效電子擴散係數 (effective electron diffusion

coefficient)

(7) Ln (μm) 電子擴散長度 (electron diffusion length)

其中 τDeffLn(7879)可以由下列公式求得

1 effkτ = (213)

2

( ) (keff

w

R LDR

= times (214)

( )nL Dτ= times eff (215)

61

26 量子點敏化太陽能電池之組裝

261 硒化鎘 (CdSe) 量子點之製備

(1) 取051克之氧化鎘(cadmium oxide CdO)與3克之油酸(oleic acid

OA C17H33COOH)溶入126 mL之1-十八烷烯(1-Octadecene

C18H36)中配製成A溶液

(2) 取 13 mmol之硒粉( selenium Se)與 05克之三正辛基膦

( tri-n-octylphosphine (C8H17)3P )溶入 10 mL 之 1- 十八烷烯

(1-Octadecene C18H36)中以磁石持續攪拌1小時配製成B溶

(3) 將A溶液與磁石置入三頸瓶中以每分鐘280轉之速率攪拌並以

25 mtorr之氮氣去除瓶中之剩餘空氣

(4) 將三頸瓶以每分鐘5oC之升溫速率將溫度升高至200~205oC溶

液之顏色將呈現淡黃色透明澄清溶液接著繼續升溫至280oC

(5) 接著將B溶液以針筒迅速注入三頸瓶中注入完畢開始計時達

到反應時間即離開熱源溶液顏色將從淡黃色透明澄清變化成橘

紅色澄清溶液

(6) 將溶液加入乙醇中以每分鐘10000轉之轉速離心10分鐘數次

即可完成CdSe-OA量子點並保存於己烷中

詳細配製流程如圖227所示

62

CdO and Oleic Acid(OA) were dissolved in 1-Octadecene

Heated to ~205oCuntil the color of solution turn to transparent colorless then the temperature was increased to 280oC

Injection of SeTOP solution and stop heating (in 2 min)

The CdSe nanoparticles were precipitated using EtOH and then kept in hexane

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖

63

262 硒化鎘 (CdSe) 量子點之改質 (Ligand exchange)

(1) 將02 mmol之巰基丙酸(mercaptopropionic acidMPA)溶入30 mL

之甲醇中並以四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium hydroxide

in methanolTMAOH)滴定調整溶液pH值至114

(2) 將溶液置入三頸瓶中於氮氣之環境下加熱至55oC

(3) 將保存於己烷中之硒化鎘量子點加入甲醇以每分鐘10000轉之速

率離心十分鐘重複三次

(4) 取約2 mL之MPA溶液再取40毫克之硒化鎘溶入溶液中再倒回

三頸瓶

(5) 將三頸瓶溫度加熱至65oC並以鋁箔包覆三頸瓶使溶液於黑暗

中反應20小時

(6) 接著將溶液與ethyl acetate以21之比例混合再將混合溶液與

Hexane以11混合以每分鐘10000轉之速率離心十分鐘重複2

至3次即可得到CdSe-MPA之量子點

詳細配製流程如圖228所示

64

02 mmol of MPA was dissolved in 30 mL of anhydrous methanol and pH-adjusted to 114 by addition of TMAOH

Heated to 55degC and than added to a vial containing approximately 40 mg of CdSe

Heated to 65degC and refluxed for approximately 24 hrs under nitrogen gas in the dark

The nanocrystals were isolated by addition of ethyl acetate to induce flocculation

The CdSe nanoparticles were precipitated using methanol

The CdSe nanoparticles were stored in toluene

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖

65

263 量子點敏化電池之組裝

(1)利用與 253 節中相同之方法製備工作電極薄膜並先將工作電

極浸泡純MPA溶液4小時取出後立刻將其浸泡入之前合成之硒化

鎘甲苯溶液靜置一天之後取出先以甲苯沖洗去除未吸附之多

餘奈米粒子再利用乙腈(acetonitrile)清洗工作電極表面靜置乾燥

後即可得已製備完成且吸附量子點之二氧化鈦薄膜電極

(2)再氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑金屬之相對電極之空隙中

再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結合並防止氣泡產生以長尾

夾固定既可完成此三明治結構之量子點敏化太陽能電池

附註

(1) 電解液配製

二甲丙基咪唑碘(dimethyl propyl imidazolium iodide ) 06 M 碘化鋰

(lithium iodide LiI) 01 M 碘 (iodine I2) 005 M 及第三丁基吡啶

tert-butylpryidine (05 M) 溶於乙腈(acetonitrile)中

(2) 染料溶液配製

Solaronix 公司 black dye 02 mM 及脫氧膽酸 (deoxycholic acid DCA)

20 mM 溶於乙醇 (ethanol)中

66

第三章 結果與討論

本研究之重點於利用兩種不同合成方法製備 TiO2Eu3+工作電極

材料並探討其運用於染料敏化太陽能電池之效應前者使用

Ti(OC4H9)4溶膠為合成二氧化鈦之前驅物與 Eu2O3為摻雜 Eu3+來源

以溶膠凝膠法與水熱法合成 TiO2 奈米粒子後者使用商用二氧化鈦

粉末(Degussa P25)為合成二氧化鈦與 Eu(NO3)35H2O 為摻雜 Eu3+

來源直接利用水熱法合成粉末針對兩系列工作電極材料之晶體結

構與光譜特性進行不同目的之階段分析分別敘述如下

第一階段為材料結構鑑定分析

(1-1) X-光繞射光譜儀(X-ray diffraction XRD)

(1-2) 結構精算(Refinement)

(1-3) 掃描式電子顯微鏡(SEM)

(1-4) 穿透式電子顯微鏡(Transmission electron microscope TEM)

(1-5) 氮氣等溫吸附與脫附儀(BET)

第二階段為光譜特性分析

(2-1) 光激發光譜(PL)

(2-2) 拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum)

(2-3) 紫外 ‐可見光擴散式反射光譜 (UV-Vis diffuse reflectance

spectra UV-Vis DRS )

(2-4) X 射線光電子能譜儀(XPS)

(2-5) X-光吸收光譜(X-ray absorption spectroscopy XAS)

第三階段為太陽能電池特性分析

(3-1) 太陽能電池 I-V 曲線效率量測(I-V curve)

(3-2) 入射單色光之光電轉換效率量測(IPCE)

(3-3) 電化學交流阻抗分析(EIS)

67

31 TiO2Eu3+ 材料結構鑑定分析

311 晶體結構分析

天然二氧化鈦為 n 型半導體於分子之結構中屬閃鋅晶格其中

鈦原子具 22 個電子以外圍 3d 軌域之 4 個價電子與氧原子形成共

價鍵 (Covalent Bond)自然界中二氧化鈦以銳鈦礦(Anatase)金紅

石 (Rutile)與板鈦礦 (Brookite)三種結晶組態存在其中最常見與最

廣泛使用的為前面兩種組態後者則極為罕見圖 31 為典型銳鈦礦

(Anatase) 之晶體結構圖屬四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα

=β=γ=90deg其空間群(space group)為 I 41amd其中 I 表體心晶格

(Body centered unit cell)41a 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 41旋移

軸(screw axis)即平行 c 軸旋 360deg4 = 90deg後平移 14 晶軸距離且

於垂直[001]方向具一 a 軸之旋移面(glide plane)m 表垂直[100]或[010]

方向具一鏡面(mirror plane)d 表垂直於[110]或[1-10]方向具一沿 c

軸移動之鑽石射移面(diamond glide plane)而圖 32 為典型金紅石

(Rutile) 之晶體結構圖為四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα=

β=γ=90deg其空間群為 P 42mnm其中 P 表簡單晶格(primitive cell)

42m 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 42旋移軸(screw axis)即平行 c

軸旋轉 360deg4 = 90deg後平移 24 晶軸距離且於垂直[001]方向具一反

射面n 表垂直[100]或[010]方向具一斜角射移面(diagonal glide)末

項之 m 表垂直於[110]或[1-10]方向具一反射面雖此兩種晶相皆是以

TiO6八面體鍵結而成然而 Ti-TiTi-O 鍵長與氧鍵結數不同等差異

造成兩相之質量密度(mass density)與電子組態皆相異

68

圖 31 TiO2銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖

圖 32 TiO2金紅石(Rutile)相晶體結構圖

69

3111 TiO2Eu3+ (TBT 系列) XRD 分析

此系列工作電極粉體以溶膠凝膠法與水熱法進行合成並添加

銪(Eu)為活化劑其主體晶格為二氧化鈦(TiO2)如圖 33 所示為 TBT

系列 TiO2Eu3+之 XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu含量自 x = 0 增

至 x = 005於 X-光繞射圖譜得知隨 Eu 濃度增加粉體皆呈現 TiO2

銳鈦礦 (Anatase) 之相若以離子半徑大之原子取代於主體晶格中原

子半徑小之原子故主體晶格將擴張其面間距(d)增加並根據布

拉格繞射公式 2 sind nθ λ= 可知繞射角度(θ)亦減小於圖 33 XRD

圖譜中銳鈦礦繞射面(101)之主繞射峰並無位移初步判斷為低濃

度取代之緣故而較多數文獻(80)之論點則因 Eu3+之離子半徑約為 108

Aring而 Ti4+之離子半徑約為 068 Aring兩種離子半徑差異頗大造成利

用溶膠-凝膠法與水熱法等軟性合成法並不易將 Eu 直接取代 TiO2 晶

格中 Ti 之位置故無法於使二氧化鈦晶格擴張此論點於 GSAS 結

構精算結果中將再次討論

20 30 40 50 60

A(211)A(105)A(200)A(004)

Ti1-xO2Eux (TBT)

JCPDS089-4921

x = 0015

2 θ (degree)

Inte

nsity

(au

)

x = 0

x = 00075

x = 002 x = 0025 x = 003

x = 004

x = 005Anatase

A(101)

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜

70

為計算合成粉體之粒徑大小根據晶體學 Scherrer equation(如式

31) (81)其中 D 為粒徑大小 (crystal grain size)k 為無單位常數 09

λ為 Cu Kα1之波長 015405 nmβ為圖譜中最強之繞射峰(101)之半高

寬θ為繞射角度 254o之半

coskD λ

β θ= (31)

計算不同 Eu 摻雜量其粒徑大小分布如圖 34 所示顯示隨著 Eu 摻雜

量增加粒徑大小隨之縮小至 x = 004 時達至飽和穩定研判為

Eu3+雖難取代 TiO2 中 Ti4+位置卻可能於晶格表面或空隙中形成

Eu-Ti-O 鍵結進而限制其晶格成長(82)而觀察此 TBT 系列粒徑分布

由 9~20 nm 範圍屬微小奈米粒子形成微小粒徑之因可由生成機制

說明此系列樣品由溶膠凝膠法將鈦酸四丁酯 (Tetrabutyl titanate) 水

解形成加入硝酸使生成環境處於 pH 小於 2故此過程須將鈦醇前

驅物於酸催化下水解縮合而成而三維聚合體骨架 (polymeric

skeletons) 於低含水與低水解速率下將由於 Ti-O-Ti 之鍵結逐漸形成

而更緊密堆積因此造成微小奈米粉體之形成(8384)

-001 000 001 002 003 004 005 0068

10

12

14

16

18

20

22

1027978

13241439

16781722

1934

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

) Ti1-xO2Eux(TBT)

2176

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖

71

為更進一步瞭解稀土離子摻雜進入二氧化鈦後之確切晶體結構

與精細結構變化本研究利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進

行結構精算精算過程中以 ICSD-93098 為起始模型此為空間群

I 41amd 之銳鈦礦 TiO2各原子之熱振動參數設定為等方向性

(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為 1且相同格位之

原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖 35 為 TBT 系列

Ti097O2Eu0033+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構精算所獲得之

XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理論擬合曲線

下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置以及下方藍

色實線表為理論值與實驗值之誤差

由 GSAS 結構精算結果得知如表 31a 所列TBT 系列 Eu3+

摻雜 TiO2結構之空間群仍屬於 I 41amd其中 Eu3+取代四配位之 Ti2+

位置較為合理其信賴指數為 χ2 = 237Rwp = 598與 Rp = 482

可得知樣品之結晶性良好其晶型之結晶程度好壞對往後染料敏化太

陽能電池光電轉換效率之優劣有決定性之影響晶格參數為 a = b =

37835 (6) Aring 與 c = 94945 (17) Aring晶格體積為 13591(4) Aring3根據

Vegard(85)定律固態材料因摻雜不同大小離子半徑之元素使其結構

產生膨脹(expansion)或壓縮(compression)效應而直接影響其晶格大

小與體積之變化根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較(表

31b)晶格體積並無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之

Eu3+離子(095 Aring)難以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與上述 XRD

結果吻合

72

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

圖 35 TBT 系列 Ti097O2Eu0033+粉體 X 光繞射結構精算圖

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

0000000

0000000

0245966

0338408

-0023401

0182541

1000000

1000000

261

382

Space group I 41amd (tetragonal) Cell Parameter

a = b = 37835 (6) Aring c = 94945

(17) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13591(4) Aring3

Reliability Factors χ2 = 237 Rwp = 598 Rp = 482

73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參數

Eu

ratio(x) a(A) b(A) c(A) Volume(A) Rp() Rwp() χ2

0 37809(18) 37809(18) 94795(9) 13551(16) 51 61 20300075 37805(18) 37805(18) 94796(9) 13548(16) 53 66 2270015 3790723) 3790723) 94839(11) 13628(20) 72 85 239002 37806(33) 37806(33) 94737(17) 13540(29) 62 75 2450025 37805(12) 37805(12) 94420(23) 13495(7) 52 61 185003 37835 (6) 37835 (6) 94945(17) 13591(4) 48 60 237004 37868(5) 37868(5) 94868(15) 13604(34) 63 79 279005 37772(24) 37772(24) 95012(6) 135557(15) 42 52 184

3112 TiO2Eu3+ (P25 系列)

此系列工作電極粉體為利用水熱法合成以添加銪(Eu)為活化

劑其主體晶格為二氧化鈦如圖 36 所示為 P25 系列 TiO2Eu3+之

XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu自 x = 0 增至 x = 01於 X-光繞

射圖譜得知隨 Eu 濃度增加與前一 TBT 系列比較不同之處為粉體

所呈現為 TiO2 銳鈦礦(Anatase)與金紅石(Rutile)兩項共存(之後亦利

用結構精算驗證此結果)其中以銳鈦礦(Anatase)所佔比例為多數

爾後分析將針對兩項比例作計算依據圖 36不同 Eu3+摻雜量之系

列樣品並無發現明顯之 Eu2O3或 Eu 與 Ti 複合氧化物之繞射峰出現

此為由於 Eu3+均勻分散於 TiO2晶體之表面所致(86)其主相 anatase 於

(101)處之繞射峰亦無明顯位移產生其為離子半徑差異較大之因

研判 Eu3+並無直接取代 TiO2晶格中 Ti4+之位置以 Scherrer equation

計算之粒徑大小分布如圖 37 所示文獻(87)曾報導由於金紅石(Rutile)

晶體結晶性較銳鈦礦(Anatase)為差也因此粒徑相對較小本實驗經

過 Eu 摻雜後之樣品雖將提高銳鈦礦(Anatase)相之比例(將於後文說

74

明)但由圖 37 可得知此兩相比例差異之影響對於晶格成長之限制不

大初步判斷為此系列以商用粉 P25 為前驅物進行水熱法過程中

摻雜之 Eu3+座落於晶體表面主晶體二氧化鈦並不會進行分解

(decompose)再結晶

20 30 40 50 60

R(1

01)

R(1

10)

A(1

05)

A(2

11)

A(2

00)

A(1

12)

A(1

03)

A(1

04)A

(101

)

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

x = 0

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0025x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015Anatase

Rutile

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜

000 005 010 015 0208

10121416182022242628

238237236238246248

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

)

Ti1-xO2Eux(P25)

253

圖 37 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布

75

本系列亦利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進行兩相結構

精算精算過程中銳鈦礦(Anatase)以 ICSD-202243 為起始模型而

金紅石(Rutile)則以 ICSD-202241 為起始模型各原子之熱振動參數

設定為等方向性(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為

1且相同格位之原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖

38 為 P25 系列 Ti09O2Eu013+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構

精算所獲得之 XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理

論擬合曲線下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置

以及下方藍色實線表為理論值與實驗值之誤差由 GSAS 結構精算結

果如表 32 所列P25系列 Eu3+摻雜 TiO2結構之空間群屬於 I41amd

之銳鈦礦與 P42mnm 之金紅石兩相共存其精算信賴指數為 χ2 =

185Rwp = 61 與 Rp = 52 銳鈦礦之晶格參數為 a = b = 37850

(33) Aring 與 c = 94950 (9) Aring晶格體積為 13603 (21) Aring3 金紅石之晶

格參數為 a = b = 45867 (0) Aring 與 c = 29540(0) Aring晶格體積為 6215

(0) Aring3根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較晶格體積亦

無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之 Eu3+離子(095 Aring)難

以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與 XRD 結果吻合亦與 TBT

系列結果相同

藉由 XRD 分析並根據 Spurr 與 Myers 所發展之理論(88)銳

鈦礦(Anatase)特徵峰A (101)與金紅石(Rutile)特徵峰R(110)兩結

晶面之強度可計算出異相態比例由方程式32a與32b

(32a ) 1

(1 08( ))RXA RI I+

=

1A RX X= minus (32b )

式中XA 為銳鈦礦之重量百分比XR 為金紅石之重量百分比IR 為

76

金紅石 X-ray 於(110)之繞射峰強度IA 為銳鈦礦X-ray 於(101) 之

繞射峰強度由此式計算出此系列樣品之兩相比例與利用 GSAS 結

構精算後得出之兩相比例比較如表33所示可知藉由兩種計算方法

所得之結果相近未經 Eu 摻雜之樣品(x = 0)所得銳鈦礦與金紅石之

重量百分比與一般文獻所記載此系列合成前趨物 Degussa P25 二氧

化鈦之兩相重量百分比(銳鈦礦75 金紅石25 )(89)接近而透過 Eu

之摻雜具效提升銳鈦礦之重量百分比此與 Setiawati 等人(90) 於期

刊中發表透過稀土元素(EuSm)之摻雜於高溫燒結過程中將有

效抑制金紅石相之生成進而增加銳鈦礦之穩定性之結果吻合以染

料敏化太陽能電池而言使用銳鈦礦晶相小粒徑高比表面積之

TiO2 粉末較有利於製造多孔薄膜電極時表現出高光電轉換效率

之特性而由於一般商業二氧化鈦粉末於高溫 (約700至900oC) 時會

產生相變(Anatase變至Rutile)因此於塗佈多孔薄膜工作電極後固

化之燒結溫度應避免高於轉相溫度

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

77

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

Ti

O

0000000

0000000

0000000

0304690

0250000

0250000

0000000

0304690

0375000

0170031

0000000

0000000

1000000

1000000

1000000

1000000

241

184

250

250

Space group (A) I 41amd (tetragonal)

(R) P 42mnm (tetragonal)

Reliability Factors χ2 = 185 Rwp = 61 Rp = 52

Cell Parameter

(Anatase)

a = b = 37850 (33) Aring c = 94950

(9) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13603 (21) Aring3

(Rutile)

a = b = 45867(0) Aring c = 29540(0) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 6215 (0) Aring3

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果

Ti1-xO2Eux3+ x=0 x=0025 x=005 x=0075 x=01 x=0125 x=015

Anatase(wt ) 751 817 849 839 853 836 849

Rutile(wt ) 249 183 151 161 147 164 151

Anatase(wt

)

753 824 853 835 849 834 847

Rutile(wt ) 246 176 147 165 151 166 153

GSAS refinement results

78

312 晶體表面形貌分析

3121 SEM 與 TEM 粉體形貌分析

此部分討論透過掃瞄式電子顯微鏡與穿透式電子顯微鏡觀察所

合成粉體之表面形貌以及粒徑大小分布將結果與 XRD 與 BET 所得

結果作比較如圖 391 (a)~(b)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+中 x = 0 以及

x = 003 之 SEM 影像由圖中可察覺所合成樣品皆為無孔洞表面光

滑之粉體與文獻中(89)未製成工作電極前之二氧化鈦形貌相符透過

Eu 摻雜改質後相較於未摻雜樣品粒徑似乎有縮小之趨勢此與 XRD

所得結果吻合而相較於 TBT 系列圖 392(a)~(d)顯示 P25 系列於

不同 Eu 摻雜量時之粉體 SEM 圖由圖中顯示樣品仍為無孔洞表

面光滑之粉體然而透過 Eu 之摻雜粒徑大小並無明顯改變約略

於 23~25 nm 之間此與 XRD 所計算出結果相符

但若欲進一步測量其準確粒徑分布須透過TEM量測放大倍率作

觀察圖310(a)~(f)為TBT系列 Ti1-xO2Eux3+ 中 x = 0~004 之TEM

影像由圖中可察覺粉體顆粒大小均勻形狀近似圓球狀影像中

並無顯示類似之添加稀土金屬晶相結果皆與SEM吻合其由於TEM

影像中顏色較深暗之部分表示本實驗所配製之粉體具聚集堆積之

情形推測可能為此TEM實驗製備方法中只單純將粉體分散於純乙醇

內並無額外加入任何分散劑而造成粉體顆粒產生團聚現象因此

由圖中所觀察之粉體大小可能為二次粒徑但由於系列樣品中其隨

著Eu3+摻雜量增加可明顯觀察至其粒徑亦隨之變小此結果將配合

BET之結果加以討論

79

(b) (a)

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+SEM 圖放大倍率皆為 100k圖(a)為

x = 0圖(b)為 x = 003

80

(b) (a)

(d)

(c

圖 392 (a)~(d)為 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為

100k圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)為 x = 015

81

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(a) (b)

(c) (d)

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(f) (e)

20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm

圖 310 (a)~(f)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+TEM 圖放大倍率皆為 200kx

(a) x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f) x = 004

82

3122 氮氣等溫吸附與脫附分析(Brunauer -Emmett-TellerBET)

31221 TBT 系列粉體 BET 分析

分析所合成之工作電極粉體其表面形貌以及比表面積分布本研

究針對樣品進行氮氣等溫吸附與脫附分析氣體吸附法測定比表面積

之原理為依據氣體於固體表面之吸附特性於一定之壓力下被測

樣品顆粒(吸附劑)之表面於超低溫下對氣體分子(吸附質)呈現可

逆之物理或化學吸附作用於某一壓力下其存在相對應之平衡吸附

量通過測定出該平衡吸附量並藉由理論模型以等效求出被測樣品

之比表面積由於實際顆粒外表面之不規則性嚴格來講該方法測

定之結果為吸附質分子所能到達之顆粒外表面與內部通孔總表面積

之和

圖 311(a) ~ (g)為 TBT 系列樣品針對不同 Eu 摻雜濃度之工作電

極粉體所測之 BET(Brunauer-Emmett-Teller)等溫吸附法之結果藉由

遲滯迴圈之範圍及形狀可輔以判斷孔空形狀與大小此系列樣品之氣

體吸附曲線依 IUPAC 定義於 x = 0即無 Eu 摻雜時由於其於高

相對壓力(relative pressure PsPo)時遲滯迴圈不明顯故推測屬於第

二型第二型通常為無孔材料或孔徑較大之材料配合 SEM 圖判斷

應為無孔材料顯示合成之粉體其表面光滑完整而隨著 Eu 之摻雜

量之增加氣體吸附曲線於高相對壓力出現些微遲滯迴圈現象推測

屬於第四型中孔洞材料但由 SEM 判斷粉體仍無中孔洞材料現象

為完整平滑之粉體初步判斷造成中孔洞原因為粉體堆疊時所產生之

空隙造成且遲滯迴圈較為垂直故應為規則之球體陣列間孔洞造

成而經由 BET 程式計算此 TBT 系列樣品之比表面積顯示隨著

Eu 含量之增加其比表面積亦隨之增加於 Eu 摻雜量至 x = 004 時

達至飽和此結果與 XRDTEM 結果吻合隨著 Eu 含量之增加

83

由於粒徑因為 Eu-Ti-O 鍵結產生造成晶體成長受限而隨之粒徑變

小因此造成比表面積隨之增加圖 312 為 Eu 不同摻雜量與比表面

積之關係圖

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0015)

V

olum

e ad

sorb

ed (c

m3

g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=002)

Absorption process Desorption process

(c)

84

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=003)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(d)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=004)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

050

100150200250300350400450500

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=005)

Absorption process Desorption process

(e)

(f)

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖

85

000 001 002 003 004 00570

80

90

100

110

120

130

140

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

789

9821027

1076

1328

1266

圖 312 TBT 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

31222 P25 系列粉體 BET 分析

圖 313 為 P25 系列樣品於不同 Eu 摻雜濃度下所測定 BET

(Brunauer -Emmett-Teller)等溫吸附法之結果與 TBT 系列比較依

IUPAC 之定義配合 SEM 與 TEM 之結果此系列樣品仍為無孔洞

之奈米材料且其高相對壓力處遲滯迴圈之形狀與 P25 標準圖譜相

近可判斷於此系列中經由 Eu 之摻雜後於表面形成之 Eu-Ti-O 之

鍵結較弱因此限制晶格成長現象較不明顯此結果與 XRD 粒徑大

小分布趨勢吻合

86

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPO)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0075)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=015)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

(c)

圖 313 (a)~(c) P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之 BET 圖

87

000 005 010 015

0

10

20

30

40

50

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

333

477 509

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

32 TiO2Eu3+ 粉體光譜特性分析

3211 光激發光譜分析(PL)

以 Eu3+作為活化中心之紅色螢光粉研究已屬豐碩而藉由主體晶

格之變異進而整齊發光特性而先前亦具 Eu3+摻雜入 TiO2 之研究

但多數為薄膜製程以探討其光電與觸媒特性本研究亦透過光激發

光譜之分析藉以探討不同 Eu3+濃度摻雜之粉體其發光特性與機制

Zou 等人(91)於 2006 年之研究指出由於其間接傳遞之特性TiO2

之塊材(bulk)於室溫下並無放光僅於 77 K 時於 500 nm 處具微

弱放光習知 Eu3+離子之激發光譜具以下三種特徵第一種為主體晶

格吸收以 Y2O3 Eu3+為例於激發波長(≦230 nm) 存在 Y2O3之主

體晶格吸收第二種為電荷轉移躍遷(charge transfer transition)為

Eu3+-O2-之間電荷轉移所產生之躍遷其常為寬帶譜此特徵峰一般

88

介於 250 ~350 nm(92 - 94)第三種為 f-f 軌域之躍遷此為 300~500 nm

之間 Eu3+離子之 4f 軌域相互躍遷所造成之特徵吸收峰如圖 315 所

示為摻 Eu3+離子之 TiO2光激發光譜圖與放射光譜圖於 612 nm 作

放射波長下之激發光譜中最強吸收峰為 394 nm其為 7F05L6軌域

電子躍遷其中由左至右亦包含 7F016D4(384 nm)7F0

5G2(380

nm)7F05D3(414 nm)7F0

5D2(464 nm)之吸收峰值故吸收峰皆為

4f 軌域之內層電子躍遷(95)並無上述之主體晶格吸收或電荷轉移等

現象其乃因 Eu3+-O2-之間共價性太低但電荷轉移所需能量太大

故不易發生再者因電荷轉移吸收帶與主體晶格能隙重疊故產生

能量移轉電荷轉移吸收帶吸收之能量移轉至主體晶格爾後以非發

光形式釋放

於 394 nm 激發並測其放射光譜最強之放射波長為 612 nm隨

濃度改變此一最強放射峰值並無任何改變此為 5D07F2軌域電子躍

遷且三價稀土離子佔據晶格之非對稱中心時非對稱中心之晶格場

對 J = 0 2 之躍遷特別敏感故此躍遷亦稱為強制電偶極躍遷(forced

electric-dipole transition)而磁偶極躍遷(magnetic-dipole transition)一

般不受發光中心周圍結構對稱性之影響5D07F1即屬於此類自左

至右分別為 5D07F0(580 nm)5D0

7F1(592 nm)5D07F4(652 nm)

觀察激發放射光譜圖 315 之放射峰皆為 5D07FJ之電子躍遷即自激

發態之最低能階躍遷至基態而無較高能能階激發態之躍遷其乃複

合聲子弛緩過程(multiphonon relaxation process)(96)所致

89

350 400 450 500 550 600 650 700

00

30x106

60x106

90x106

12x107

15x107

5DJ-7FJ

414

(7 F 01

-6D

3 )

384

(7 F 01

-5 Gj5 L

7)

535

(7 F 01

-5 D3

)

394

(7 F 01

-5 L6 )

λem= 612 nm

464

(7 F 01

-5 D2 )

592

(0-1

)58

0 (0

-0)

652

(0-4

)

Ti097O2 Eu0033+

612

(0-2

)

λex= 394 nm

Inte

nsity

(au

)

Wavelength(nm)

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖

由於本研究為藉由經由工作電極摻雜 Eu3+而使其放紅光並給與

染料吸收以加強其效為提供染料 Black dye 更多之紅光可利用 Eu

摻雜濃度對於發光強度之關係加以討論由圖 316 中可發現 TBT 系

列中隨著 Eu3+離子摻雜濃度由 x = 0 變化至 x = 005其發光強度隨

活化中心 Eu3+濃度增加而增強爾後摻雜濃度高於 x = 003 時強度

卻隨逐漸衰減而 P25 系列中最高發光強度時之摻雜量則為 x = 01

時 此現象為濃度淬滅效應(concentration quenching)所造成此淬減

效應產生可能因素有二

(1) 自身吸收(self-absorbing)或自消光(self-quenching)效應如同液態

螢光之現象固態溶液於高活化中心濃度時吸收物種平均距離縮減

90

使活化中心產生之螢光為另一活化中心所吸收致使發光強度減弱

(2) 能量傳遞至非放光中心 使能量損耗導致發光效率降低

Frindell 等人(97)所發表之文獻中將 Eu 摻雜入非結晶相 TiO2薄膜所

形成非傳統之發光性薄膜其觀點為放光來源為 Eu-Eu 離子間之能

量傳遞其放光濃度淬滅效應與本研究之觀點一致皆為自消光所造

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖

圖 317 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL 光譜圖

500 550 600 650 700

00

20x106

40x106

60x106

x(content)

Ti1-xO2Eux(P25)

0150125

010075

0050025

0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 464 nm

500 550 600 650 700

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

Ti1-xO2Eux(TBT)

005004

0030025

0020015

00075 0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 394 nm

91

而圖 319 與圖 320 分別為兩系列不同 Eu 摻雜量激發光譜(PLE)

之比較可觀察 TBT 系列樣品於 612 nm 作放射波長下最強吸收

峰為 394 nm其次為 464 nm然而對於 P25 系列反而最強吸收峰

為 464 nm394 nm 峰值相對減小甚大為解釋此現象可由圖 318 之

發光機制圖說明當 TiO2 Eu 照光時對主體晶格 TiO2與活化劑(Eu3+)

皆會受光激發電子當 TiO2吸收波長小於 394 nm 之入射光時光電

子快速傳遞至 Eu3+晶格場分裂能階中進行非輻射緩解至各能階進行

放光其中至 5D0後回至 7F0即產生波長 612 nm 之最強放光由於

次共價陽離子 Eu 之摻雜造成主體晶格於價帶與傳導帶間形成一受

限態(trapped state)提供激發光電子一停留之暫態因此若吸收例如

394464 nm 等波長亦會產生復合放強光或非輻射緩解(虛線)

由放射光譜(PL)可知 P25 系列於最強放光 612 nm 處之發光強度明顯

小於 TBT 系列因此可說明 P25 系列受 394 nm 入射光子量極少吸

收機率減小而致使放射光強度減弱故可說明 394 nm 峰值相對減小

之因

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖

92

300 330 360 390 420 450 480 510 540

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

λem = 612 nm

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

000075

0015002

0025003

004005

PLE

圖 319 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE 光譜圖

330 360 390 420 450 480 510 540

00

20x106

40x106

x(content)

λem= 612 nm

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

00025

0050075

010125

015

PLE

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux

3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖

93

3212 臨界距離與能量轉移機制

根據 Dexter 與 Schulman(98)所提出之濃度淬滅效應(concentration

quenching effect)由圖 316 隨 Eu3+離子濃度逐漸增加時其發光強

度亦逐漸增加於 x = 003 時發光強度達至最高值爾後再添加過

量之活化中心(x>003)導致 Eu3+離子彼此間之距離縮短促使 Eu3+

-Eu3+離子對(ion pair)形成並隨摻雜濃度增加而增加使發光能量於

Eu3+-Eu3+離子對內傳遞以非輻射緩解方式消失其發光強度逐漸衰

減此外可利用 Blasse 等人(99)所提粗略計算添加相同之活化中心於

主體晶格內藉由結構精算所得晶格參數推知其發生能量轉移之臨界

半徑(critical radiusRc)

1 3

c3R 2

4 c

Vx Nπ

⎡ ⎤asymp ⎢ ⎥

⎣ ⎦ (33)

式 33 中V 為單位晶格之體積xc 為活化中心之臨界濃度N

為單位晶格中陽離子所占有之個數

臨界半徑乃於臨界濃度(critical concentration xc)時發光中心傳

遞至非放光中心之最小平均距離於本研究中調變 Eu3+離子之濃度

(x = 0~005)其強度最大值發生於 x = 003即為 xc值並利用結構

精算得此樣品之單位晶格體積為 13591(4) Aring3於每一單位晶格中

此 TBT 系列銳鈦礦向為四方晶系故每單位晶格中之 Ti4+ 離子(同為

活化中心之取代位置)所占有之個數為 1 個即 N = 1經計算結果可

得 Rc值約為 205 Aring以相同方法計算 P25 之樣品其 xc = 01單位

晶格體積 V 為 13603(16) Aring3經計算結果可得 Rc值約為 137 AringP25

系列之臨界半徑較 TBT 系列短之原因為合成過程中摻雜元素晶體

長成之差異造成 P25 系列樣品粒徑較大Eu3+與 TiO2 之鍵結強度

較小因此於活化中心間傳遞電子之距離須更小以達濃度淬滅效應現

94

象發生

綜合上段文中所述Ti1-xO2 Eux3+螢光粉之濃度淬滅效應乃因

其發光能量於 Eu3+-Eu3+離子對(ion pair)內傳遞而淬滅本研究將探

討其能量轉移機制

Ozawa(100)等人與 Wang(101)等人於文獻中指出此複合極矩交互作

用與活化中心濃度與其發光強度具一關係式

1 31 ( )QI K x

minus⎡ ⎤= +⎣ ⎦ (34)

式中x 為活化中心濃度I 為發光強度Q = 68 與 10 分別對

應為偶極-偶極(dipole-dipole)偶極-四極(dipole-quadrupole) 與四極-

四極(quadrupole-quadrupole)交互作用K與 β為對應主體晶格之常數

圖 321為Ti1-xO2 Eux3+

(x = 0~005)樣品以 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)

作圖圖中可觀察為一線性關係其擬合(fit)線之斜率為 -062經由

上述關係式之計算後可得 Q 值為 486近似於 6故由此結果可推論

本研究二氧化鈦摻雜 Eu3+離子之濃度淬滅效應主要乃以偶極-偶極交

互作用(dipole-dipole interaction)所致

-22 -20 -18 -16 -14 -12

83

84

85

86

87

88

89

log

( Ix

Eu3+

)

log (xEu3+)

Ti1-xO2Eux3+

Slope = -06195

圖 321 Ti1-xO2 Eux

3+之 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)關係圖

95

322 拉曼散射光譜分析 (Raman scattering spectrum)

3221 TBT系列粉體拉曼散射光譜分析

拉曼散射光譜為量測材料之鍵結狀態非常普遍之方法其原理為

利用光子與樣品中之聲子之間之交互作用量測晶體中之各種振動模

式包括了分子內之振動與晶格振動因此當樣品中晶格變化極微小

時亦能藉由拉曼散射光譜儀觀測於材料晶相結構之鑑定拉曼光

譜亦提供一材料結構與鍵結組態之特徵可與 X 光繞射圖譜互為印

證根據 Balachandran 與 Eror 報導(102)銳鈦礦(Anatase)具六種

Raman active 振動模式(vibrational modes)A1g + 2B1g + 3Eg 金紅石

(Rutile)具四種 Raman active 振動模式A1g + B1g + B2g + Eg由圖 322

中 TBT 系列之拉曼光譜於 146398518 和 641 cm-1 處其顯示二

氧化鈦晶相之特徵散射峰值分別對應銳鈦礦中 Eg A1gB1g Eg

之振動模態(Vibration Mode) (103 104)且 146 cm-1處之散射峰較尖銳

指出粉體之結晶性佳並與 XRD 結構精算之結果吻合另外此系

列中並無發現金紅石之散射峰出現顯示 TBT 系列樣品為銳鈦礦之

純相此與 XRD 之結果吻合

藉由 146 cm-1處 Eg振動模態之散射峰作觀察可知經由 Eu 摻雜

後其繞射峰具往高波數位移之現象有文獻指出(105 106)當二氧化

鈦於晶體結構中之氧空缺(oxygen vacancy)增加時將增加銳鈦礦於

146 (Eg) cm-1之波數因此研判本系列樣品經由 Eu 之摻雜均增加粉

體晶體中氧空缺爾後 X 光吸收光譜將更進一步討論而 Choi 等人

(107)於銳鈦礦之二氧化鈦中以體積收縮效應 (volume contraction effect)

解釋由於粒徑縮小而使晶粒之徑向壓(radial pressure)變小因此造成

鄰近原子鍵結與振動強度改變使繞射峰有往高波數位移之現象

96

100 200 300 400 500 600 7000

1

2

3

4In

tens

ity (a

u)

Raman shift (cm-1)

148(Eg)

146(Eg)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0015

x = 0

x = 002

x = 0025

x = 003

x = 004

x = 005

398(B1g) 518(A1g)641(Eg)

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

97

3222 P25系列樣品拉曼散射光譜分析

本實驗亦將 P25 系列樣品進行拉曼散射光譜之分析如圖 323

所示 P25 系列之拉曼光譜於 146398518 與 641 cm-1 處出現二

氧化鈦晶相之拉曼散射峰值與 TBT 系列相似分別對應銳鈦礦中

Eg A1gB1g Eg之振動模態(Vibration Mode) 然而 P25 系列樣品

於未摻雜 Eu 時(x = 0)時於 454616 cm-1 處出現分別對應於 Eg

A1g 振動模式之金紅石特徵散射峰出現此金紅石特徵峰之因主要

是由於 x = 0 之樣品存在重量百分比約 25 之金紅石晶相結構隨著

Eu 濃度之增加於 x = 0025 時 454 cm-1之特徵峰已消失而當摻雜

濃度大於 25 mol (x = 0025) 時粉體皆呈現銳鈦礦之拉曼特徵

峰此與 XRD 結論吻合由於稀土元素之摻雜抑制燒結過程中銳

鈦礦轉變成金紅石之現象於最強散射峰 146 cm-1處 Eg振動模態之

散射峰分析可知經由過 Eu 摻雜此繞射峰亦具往高波數位移之現

象然而總括兩系列樣品於此散射峰之位移現象皆不顯著主要乃因

摻雜稀土元素之量過少因此造成主體氧空缺不足以造成明顯之波數

位移現象(108)

98

100 200 300 400 500 600 700

R-616(A1gR-454(Eg

))

147 Eg( )

146(Eg)

641(Eg)518(A1g)

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

(au

)

Raman shift (cm-1)

x = 0025

x = 0

x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015

398(B1g)

圖 323 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

99

323 紫外-可見光擴散式反射光譜分析(UV-Vis DRS)

3231 TBT 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

二氧化鈦為一具半導體特性之物質且為一直接能隙之 n 型半導

體經由紫外光之照射使其表面電子電洞分離純相之二氧化鈦

其價帶與導電帶之能量差(即能隙大小)約為 32 eV相當於 380 nm

光波長之能量經由愛因斯坦發展光電理論之計算能量約座落於紫

外光範圍言下之意為必須透過紫外光激發始將其電子與電洞分離

進而能夠顯現觸媒之催化活性或光電特性然而許多學者於二氧化

鈦之製備過程中添加不同比例之過渡元素金屬離子研究發現可改變

二氧化鈦之光激發特性本研究為透過於二氧化鈦中摻雜鑭系金屬

Eu並透過不同比例之添加期望藉以改善其光激發特性在此透過

紫外可見光擴散式反射光譜分析兩系列所合成 Ti1-xO2 Eux粉體其特

圖 324 為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 之紫外-可見光擴

散式反射光譜顯示未摻雜 Eu 樣品(x = 0)於圖譜短波長約 332 nm 處

具強吸收帶顯示 Ti 以四方晶系之 Ti4+ 存在於晶格中此吸收帶為

將價帶 O-2p 軌域之電子激發至傳導帶 Ti-3d 軌域(109 110)而經由 Eu

之摻雜此系列樣品吸收邊緣延長至較長波長約 400 處此現象於一

般半導體中若具雜質(impurity)或缺陷(defect)態存在即會由於其

本質傳遞而具極強之吸收(111)於本研究中Eu 離子即扮演此雜質之

角色將改變二氧化鈦之晶格環境且由XRD之結論可知由於Eu (III)

之離子半徑遠大於 Ti (IV)之離子半徑因此難藉溶膠-凝膠法與水熱

法等合成將之取代故經過摻雜之二氧化鈦形成一新相化合物此新

相化合物具兩種特性(1) 經過 Eu 摻雜後之二氧化鈦之能隙變小(2)

吸收邊緣延長至較長波長因此較低能量之入射光子即可被利用此

100

現象於圖 324 中特徵譜線紅位移現象中可證實Saif 與 Mottaleb 於

文獻中(110)亦說明鑭系正離子為電子清除劑(electron scavenger)之角

色進而影響主體之發光與光觸媒特性

200 250 300 350 400 450 500

x = 004

Ti1-xO2Eux(TBT)

F(R

)

Wavelength (nm)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

x = 0Red shift

圖 324 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS 光譜

進一步計算此系列樣品之能隙大小評估添加Eu後對光觸媒之光

吸收特性之影響最常以Schuster-Kubelka-Munk 理論方程式並配合

漫反射光譜以估算材料之能隙值擴散式反射光譜儀所利用Schuster

-Kubelka-Munk 理論(112 113)多應用於鋪陳較厚之粉體其中假設無規

則之反射光束粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚度適

用其公式如下

2(1 ) ( )( )2

R kF RR s( )

λαλ

infininfin

infin

minus= = = (35)

101

其中 k 為樣品之吸收係數s 為散射係數一般量測與標準品

相對之反射值 Rinfin 即 refR R Rinfin = 而非量測絕對值之反射值其

中本實驗之 refR 為硫酸鋇 (BaSO4) 之反射係數而若考慮s與波長λ

弱相關之因素則 ( ) F R k sα infin= = 於窄範圍內可正比於吸收以

1

[ ( ) ]F R h ηυtimes 對 hυ 作圖(KM圖)可用以得到材料之能隙值於 KM

圖中hυ 為入射光子之能量而指數η則是由因光子吸收情形造成材

料光吸收範圍之轉移形式決定(114)本研究中粉體特性利用 KM 圖

(指數η =2)可以得到一線性關係藉由此圖形以線性外插法可精確地

求得材料之能隙值計算此系列樣品 Eu 之摻雜量增加後其能隙大

小之趨勢為329326324322314312 eV呈現縮小之現象

Tanner等人(115)提出將稀土元素Er3+摻雜入α-Al2O3中其中Er3+之離子

半徑仍遠大於主體晶格中之Al3+難以取代其晶格位置研判於低濃度

摻雜時形成一新化合物ErAlO3且隨著摻雜濃度增加其能隙亦有

縮小之趨勢而Umebayashi等人(116)將V Cr Mn Fe Co等金屬元素摻

雜入TiO2 後一電子填滿態形成於價帶頂端與傳導帶底部之間且

隨著摻雜量增加此局部填滿態(localized occupied level)將向低能量

位移造成能隙縮小故可研判本實驗中經過 Eu 摻雜之樣品其

能隙調整為Eu3+ 3d所形成之軌域與O-2p 軌域所混成之頂端(價帶)

至Ti4+ 3d 軌域之底部(導帶)因此造成能隙縮小將此與Rengaraj等

人之研究結果吻合(117) 在此將Eu摻雜後之可見光激發過程示於圖

327中

102

25 30 35 40

[F(R

)hν

]12

hν (eV)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算圖

000 001 002 003 004310312314316318320322324326328330

312314

322324326

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

329

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖

103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖

3232 P25 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

而針對 P25 系列樣品同樣可藉紫外-可見光擴散式反射光譜圖

分析如圖 328 中亦發現隨著 Eu 之摻雜濃度增加樣品之反射光

譜線與前趨物 Degussa P25 相近且吸收邊緣亦具紅位移現象然而

相較於 TBT 系列其吸收譜線卻較為狹窄對於光觸媒之利用較為

不利且此系列粉體亦藉由 Schuster - Kubelka-Munk 理論計算其能隙

大小由於 Eu 摻雜造成能隙縮小之現象較不如 TBT 系列顯著推論

由於合成方法與前趨物不同所致其造成樣品形成結晶之結果不同

且 Eu 於 P25 系列粉體中與 O 軌域之混成程度不如 TBT 系列

104

250 300 350 400 450 500

00

02

04

06

08

10

12

x = 015F(R

)

Wavelength (nm)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

x = 0

Red shift

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜

25 30 35 40

[F

(R)

hν]1

2

hν(eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖

105

00 01 02300302304306308310312314316318320322

310312

317

313

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖

324 X 射線光電子能譜儀(XPS)

本研究藉由 X 射線光電子能譜儀探討粉體之能階性質其乃藉

由光電效應將某能階之電子激發而成為光電子藉由分析此些光電子

之能量進而得知束縛能獲得關於表面元素組成以及元素之化學環

境狀態由於本實驗以 Eu 摻雜入主體二氧化鈦中由 XRD 精算結

果顯示即使 Eu 摻雜量增加其晶格體積並無擴張趨勢基於 Eu3+與

Ti4+之離子半徑之差異初步判定Eu並未取代二氧化鈦晶格中Ti4+ 之

位置由於稀土原子與主體晶格鍵結成一化合物時其化合物之結合

能明顯會與純原子時不同其內核層電子之束縛能亦會有不同之變

化即一般之化學位移 (Chemical Shift)其所造成之能譜位移可用

以區分不同氧化態之元素

利用 XPS 分析 Ti1-xO2Eux3+ TBT 系列中 x = 03 之粉體由全光

譜結果表示奈米粉體表面主要含 TiOC 三種元素其中 C 元素

來自於污染雜質碳而 XPS 偵測深度約為 5 nm未於全光譜中偵測

106

到 Eu 之特徵峰(1134911652 eV)出現初步推測含 Eu 化合物可能

未於粉體表面而存在於晶格空隙(interstitial)中(86)如圖 331 所示為

TBT 系列 x = 0 與 x = 3 針對 Ti-2p 軌域所呈現之 XPS 圖譜其中

Ti-2p32與 Ti-2p12之束縛能約於 4583 與 464 eV間距為 57 eV兩

特徵峰之相對強度(積分面積)比約為 21皆為二氧化鈦晶格中 Ti4+

之貢獻與文獻中銳鈦礦相之特徵峰吻合(118)當 Eu 之摻雜(x = 3)顯

示可見 Ti-2p32 與 Ti-2p12 之束縛能位置具化學位移現象(4585 與

4642 eV)此化學位移現象可藉共價鍵理論(covalent bonding theory)

解釋顯示 Eu3+合併(incorporate)入 TiO2 中(於晶格表面或空隙)而形

成 Eu-O-Ti 鍵結由於 Eu 之存在造成 Ti 與 O 所共價之電子雲密度

減少而改變其束縛能因此束縛能增加(119)造成特徵峰向高能量偏

移如圖 332 為 O-1s 軌域之 XPS 圖譜經 Eu 之摻雜亦出現化學位

移之現象另亦有文獻指出(120)若二氧化鈦表面之本質缺陷(intrinsic

defect)增加由於缺陷結構會促使電子從陰離子(O)中傳遞至陽離子

(Ti)或摻雜離子(C)中造成 O 束縛能增加此與本實驗之位移現象吻

合至針對 P25 系列樣品同樣觀察 Ti-2p32Ti-2p12 與 O-1s 軌域之

XPS 圖譜(圖 333334)指出相較於 TBT 系列樣品無論為 Ti-2p

抑或 O-1s 軌域化學位移之現象皆較不明顯研判於表面 Eu-O-Ti

共價鍵之鍵結強度較弱因此電子轉移現象減小

107

456 458 460 462 464 466

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

527 528 529 530 531

5298

Ti1-xO2Eux(TBT)O 1S

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0

5297

x = 003

4642

4585464

Ti1-xO2Eux(TBT)

Ti 2p12

Binding energy (eV)

Inte

nsity

(au

)

Ti 2p32

x = 0

4583

x = 003

108

458 460 462 464 466

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

4643

45854642

In

tens

ity (a

u)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

Ti 2p12

Ti 2p32

x = 0

4584

x = 01

527 528 529 530 531

5297

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

O 1S

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0

5296

x = 003

109

本研究亦建立兩系列樣品之價帶導帶與標準氫電極之相對位

置以利解釋雙層工作電極模型機制本研究針對低能量入射光子慢

速掃瞄粉體之 XPS 光譜由於 XPS 原理中運用光電效應概念偵

測光電子能量(Ek)為入射光子能量扣除內核層電子束縛能與功函數

即 k bE h Eυ ϕ= minus minus (如圖 335 說明 )由二氧化鈦之分子軌域

(Molecular orbital)圖樣可知其價帶位於 O-2p 軌域因此圖 336 中為

針對 TBT 系列樣品(x = 03)之價帶圖譜由態密度(density of state)圖

譜可知代表價帶(O-2p)之放射特徵譜線而費米能階(EF)於價帶圖譜

中視為 0 eV因此可透過類似計算能隙大小之外差法方式計算其價

帶相對於標準氫電極之大小(120)可之經由 Eu 之摻雜二氧化鈦之

價帶位置由 32 eV 降低至 21 eV由圖中亦可得 Eu 摻雜樣品降低粉

體之價帶位置並結合紫外‐可見光擴散式反射光譜分析後所得粉體

之能隙大小可建立如圖 338 所示兩系列樣品之能隙位階圖

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖

110

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

21

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0 x = 003

32

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

20

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25) x = 0 x = 01

25

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

111

圖 338 兩系列樣品未摻雜與摻雜 Eu3+粉體能隙位階圖

112

325 X-光吸收光譜(XAS)

本研究所製備之工作電極粉體係屬奈米材料因奈米材料相較塊

材之結晶性較差由X光粉末繞射圖譜中(powder X-ray diffraction)將

無法獲得進一步之結構資訊X吸收光譜可提供局部之結構資訊(local

structure)適合作為奈米材料結構研究之方法此外更可提供繞射法

所無法獲得之氧化態訊息故本研究乃藉由國家同步輻射研究中心

BL20A光束線以進行吸收光譜量測藉比對X光吸收近邊緣結構

(X-ray absorption near edge structure XANES)以得知特定原子氧化價

數與 d-軌域之電子填滿率並可分辨吸收原子所處之晶位對稱性

由於同步20A光束線而言待測樣品可以為晶型或非晶型固體甚至

為液體或氣體因此應用範圍十分廣泛尤其各元素之吸收邊緣能量

少有重疊可調整入射能量至各個元素之吸收區進行掃描以分別偵

測非常適於量測含有多種元素之樣品系統

由圖 339 與圖 341 中兩系列樣品之 O-k edge 吸收光譜指出此二

氧化鈦之 O-K edge 之特徵譜線與文獻中吻合(121)觀察兩系列中於吸

收邊緣之特徵譜線經由 Eu 之摻雜並無明顯位移現象顯示粉體中

O 之價數並明顯變化判斷為低濃度摻雜之故然而放大 528 eV 附

近之特徵峰觀察後發現(圖 340 與圖 342)隨著 Eu 之摻雜量增加

此吸收峰強度亦隨之增強由分子軌域之概念顯示由於 Eu 之摻

雜造成 O 之電子雲轉移散布至 Eu 軌域因此造成 O 電子組態中出

現更多空軌域亦即增加粉體之氧空缺由於 TiO2 摻雜次共價鍵陽

離子(subcovalent cation)造成之氧空缺會形成攔截態(trap state)或雜質

態(impurity state)(122 123)可能形成放光中心影響粉體之螢光性質亦

可能造成電子傳遞時之阻礙

113

531 540 549

0

1

2

3

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux(TBT)O K-edge XAS

圖 339 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

114

5272 5280 5288

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 340 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜局部放大圖

525 530 535 540 545 550

0

1

2

3

Photon Energy (eV)

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux(P25)O K-edge XAS

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

115

5272 5280 5288

Photon Energy (ev)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大圖

116

33 Ti1-xO2Eux3+粉體於染料敏化太陽能電池之應用研究

上述各節已討論 Ti1-xO2Eux3+ 粉體之晶體結構形貌光學電

子組態各種特性本研究藉由此經修飾之二氧化鈦粉體應用於染料敏

化太陽能電池之工作電極材料並藉由其特殊發光特性與結構設計

以提高太陽能電池之效率

331 單層工作電極電池效率量測

未經修飾之二氧化鈦(TiO2)由於其能隙約為32 eV亦即所能

利用之光波範圍僅限於紫外光區域此情況下 TiO2 於一般日照射能

產生電子-電洞對之效率差所展現之光催化活性低應用價值不高

故為提升對太陽光之吸收效率進而提升 TiO2整體光催化效率為當

前一重要課題一般提高效率之方法分為修飾 TiO2表面或晶體結構

以增加其對光波之吸收率與抑制電子-電洞對之再結合TiO2之晶體

中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性質之改變益於光

催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕捉電子或電洞之缺陷

益於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素與 TiO2 共結晶增益對

光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化效果

第一個部分由於本研究透過 Eu3+摻雜入二氧化鈦中於光激發

光譜分析可得知兩系列摻雜 Eu 粉體於藍紫光(394464 nm)激發造成

於 612 nm 處之放光配合染料 black dye 於紅光附近之吸收可提高

染料之額外吸光量進而提高光激發電子之數量以提高能量使用之效

率圖 343 中為 TBT 系列分別取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體與摻

雜 Eu 後發光強度最高 (x = 003)之粉體工作電極材料(分別以 0-TBT

與 Eu003-TBT 表示)組裝電池後量測之光電特性為討論分析其再

現性本研究以相同條件多次組裝電池量測求證結果由表 34 中光

電特性參數得知兩種樣品所得 FF 因子皆達理想電池之表現

117

Eu003-TBT 電池平均效率為 178 而 0-TBT 獲得平均為 234

之較高效率其中短路電流密度(Jsc)從 436 下降至 320 mAcm2為主

要原因以同樣想法將 P25 系列粉體取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體

以及摻雜 Eu 後發光強度最高 (x = 01)之粉體工作電極材料(分別以

0-P25 及 Eu01-P25 表示)組裝電池後量測之光電特性於圖 344 中

顯示由表 35 光電特性參數亦可知 0-P25 平均效率為 189 而

Eu01-P25 為 124 其中短路電流密度從 373 下降至 221 mAcm2

與 TBT 比較同一結構P25 系列之電池效率明顯較小推測仍為

粒徑較大由 BET 之計算可知供染料吸附之比表面積較少因此造

成效率較低針對電池中之工作電極Eu 摻雜後之材料反而效率降

低在此提出可能之機制如圖 345 所示於電子傳遞過程中理

想狀況為光電子迅速由染料之 LUMO 傳遞至二氧化鈦導帶再經由

FTO 導致外電路使用然而由於 Eu 摻雜後之工作電極Eu 所形成之

氧空缺捕捉光電子此時氧空缺類似 trap state因此造成光電子量下

降再者由於被染料激發之光電子到達工作電極時亦可能部分

用以形成 Eu 放紅光之復合電子來源因此亦為光電子量下降之因

可由表 34 與表 35 中經 Eu 摻雜後之工作電極電池光電流之現象得

118

00 02 04 06 08 10 120

1

2

3

4

5

6(TBT)Ti1-xO2Eux

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage (V)

x = 0 231 224 237 233

x=003 176 185 168 182

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 34 TBT 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT 16 074 436 069 234(8)

Eu003-TBT 14 077 320 058 178(2)

119

00 02 04 06 08 100

1

2

3

4

5C

urre

nt d

ensi

ty (m

Ac

m2 )

Voltage (V)

x = 0

189 191 182 193

x = 01 123 125 119 127

Ti1-xO2Eux (P25)

圖 344 P25 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 35 P25 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P25 14 071 373 067 189(2)

Eu01-P25 15 079 221 054 124(3)

120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖

332 雙層工作電極結構

對於提高染料敏化太陽能效率由效率 sc oc inJ V FF Pη = times times 可

知致力於提高其開路電壓 (Voc) 亦為提高效率其中之一方法以

此觀念為基礎之研究例如 Durr 等人(124)於 2006 年利用於原 TiO2上塗

佈 Ti1-xZrxO2與 ZrO2之混合物由於 ZrO2之能隙約為 5 eV相對於

TiO2之 32 eV形成一道位階屏障阻擋傳導至 TiO2傳導帶之光電

子與染料之 HOMO(Highest occupied molecular orbital)或電解質中 I3minus

再復合之機會進而提高光電子傳導致外電路之數量本研究鑑於先

前對於 Eu 摻雜入 TiO2後提高其價帶位階並增加其能隙大小之結

果設計雙層結構以降低光電子再復合之機率因此下一部分實驗

121

因此本研究將利用Eu摻雜對於 TiO2 之粉體與未摻雜 TiO2相異之光

電特性設計出雙層結構工作電極藉以探討對於太陽能電池效率之

影響

3321 雙層工作電極結構電池製作說明

首先說明此雙層結構工作電極之太陽能電池之設計先於十片清

洗完之 FTO 上透過網印塗佈一層未摻雜 Eu 之二氧化鈦電極(約 6~7

μm)經過層溫燒結後再分成兩組各五片其中一組繼續塗佈一層

相近厚度未摻雜 Eu (x = 0)之二氧化鈦電極而另一組則塗佈一層摻

雜 Eu 後發光強度最高(TBT 系列x = 003)之電極再進行層溫燒結

並與第一部分單層結構相同利用四氯化鈦處理後再進行 500oC 燒結

即完成分別以 0-TBT0-TBT 與 Eu003-TBT0-TBT 表示而 P25 系

列樣品亦以相同步驟製得分別以 0-P250-P25 及 Eu01-P250-P25 電

池雙層結構設計圖如圖 346 所示

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖

122

3322 電池效率量測

為探討其組裝之再現性與穩定性本研究亦以相同條件多次組裝

電求證結果圖 347 為 TBT 系列雙層結構電池之電流-電壓圖由表

中可得知0-TBT0-TBT與Eu003-TBT0-TBT平均效率分別為260

與 343 短路電流密度 (Jsc)為 565 mAcm2與 702 mAcm2開路

電壓為 066 V 與 071 V顯見第二層為 Eu 摻雜之二氧化鈦電極效

率短路電流開路電壓皆增加而 P25 系列第二層若為 Eu 摻雜後

之電極由表 36 中可觀察出效率短路電流開路電壓皆增加但

與 TBT 比較同一結構電池效率明顯較小推測仍為粒徑較大

造成染料吸附量較少 圖 349 為 Eu003-TBT0-TBT 雙層結構電極

材料與染料間能隙之相對位置本研究亦藉此解釋效率提高之原因

由短路電流增加之現象可知光電子被利用之數量增加即光電子從

染料之 LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)快速傳導至第二層

Eu003-TBT 再至第一層 0-TBT由於電子於此傳遞過程中之速率與

兩因素相關(1) 染料用以吸附於二氧化鈦之結構種類強度(2) 染

料 LUMO 與二氧化鈦工作電極之傳導帶(conduction band)之相對位

置而透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動

力(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導

帶位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑

或與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機

率增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值Kim 等人於

2008 年之研究中(125)利用二氧化鈦摻雜鉻(Cr)之材料改變原二氧

化鈦之半導體屬性作為屏蔽電極層亦可減少電子再復合機率而提

高效率

而對於開路電壓增加之現象須先瞭解染料敏化太陽能電池運作

123

時之能階變化階原理由Kubo (55)所建立如圖350(a)所示為一DSSC

於未照光之能階圖亦即TiO2染料電解介質面之間不存在電位差

故其費米能階 (Fermai level EF)可視為自由電子所混成之平衡狀態

當DSSC照光後如圖350(b)所示染料吸收光波產生激發之光電子

與電洞之分離同時造成電位差此電位差即為TiO2之CB與染料之

LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)混成能階(Efn)相對染料

之HOMO (Highest occupied molecular orbital)與電解質氧化還原電位

(I-I3-之ERedox)之混成能階(Efn)之電位差(ΔV)而此電位差之最大直即

為光電壓之最大值亦即開路電壓本研究中由於雙層結構第二層

Eu003-TBT傳導帶上移造成與染料之LUMO混成能階上移因此與

染料之HOMO與電解質氧化還原電位(Iminus I3minus之ERedox)之混成能階差異

變大增大電位差因此提高開路電壓值

124

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 100

1

2

3

4

5

6

7

8

9C

urre

nt d

ensi

ty(m

Ac

m2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT 273 258 250 260

Eu003-TBT0-TBT 342 340 339 352

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 36 TBT 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT0-TBT 15 066 565 070 260(8)

Eu003-TBT0-TBT 16 071 702 068 343(2)

125

00 01 02 03 04 05 06 07 08 090

1

2

3

4

5

6

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-P250-P25 195 201 191 189

Eu01-P250-P25 237 214 242 254

圖 348 P25 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 37 P25 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P250-P25 15 066 420 069 194(5)

Eu01-P250-P25 14 070 473 070 237(2)

126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變化(55)

127

3322 雙層工作電極結構電池入射單色光子-電子轉化效率(IPCE)量

為驗證雙層工作電極結構之電池中效率提高原因之論點本實驗

針對電池進行單色光子-電子轉化效率(IPCE)量測透過自動單光濾

鏡控制光源照射電池之波長藉以觀察電池於不同波長之入射光照射

下其外部量子效率展現由圖 351a 及 351b 分別顯示 TBT 與 P25

系列電池所呈現之 IPCE 圖譜譜線趨勢與參考文獻(75)相近其中

Eu003-TBT0-TBT 電池於可見光區之外部量子效率明顯大於

0-TBT0-TBT 所呈現P25 系列亦有相同趨勢結果於橘紅光附近

(610-620 nm) 提升較明顯是否為第二層結構 TiO2 Eu 於 612 nm 部

分放光為 Black dye 所吸收而增加光利用之故仍未確定故本研究

透過工作電極之放射光譜印證乃將製作完成之 Eu003-TBT0-TBT

電池工作電極一部分未浸泡另一部分浸泡染料 black dye 溶液 24 小

時並以無水乙腈沖洗後待至乾燥進行光激發光譜分析(PL)由圖

352 之結果可知未浸泡之工作電極(plain)經過染料浸泡後(black dye)

於 612 nm 之激發光譜幾乎吻合但是放射光強度略為減弱因此可

知第二層工作電極放射之紅光部分中少量為染料所吸收然而由於太

陽光中紫外光部分只佔 5 因此 394 nm 之激發光轉換成紅光比例

相對極為少量因此藉此增加電池效率效果有限因此雙層結構電池

中第二層為 Eu 摻雜之樣品效率提高之因主要仍為 3222 節中所解

釋由於階梯狀能階設計減少電子再復合機率以增加光電子之可使

用量此論點將於下節電化學交流阻抗分析中再次討論

128

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-TBT0-TBT

Eu003-TBT0-TBT

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-P250-P25

Eu01-p250-p25

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖

129

350 400 450 500 550 600 650 700

In

tens

ity (a

u)

Wavelength(nm)

Eu003-TBT0-TBT Plain black dye46

4

394

612

PLE - λem= 612 nm

PL - λex= 394 nm

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作

電極之激發與放射光譜

3323 雙層工作電極結構電池電化學阻抗(EIS)量測

進一步驗證 3321 中雙層工作電極電池不同結構中效率相異之

原因本研究將一系列電池進行電化學阻抗測試測試結果如圖 353

所示經 Z-view 軟體 fitting 之後並參考 Adachi 等人(79)所發展之模

式獲得如表 38 所列參數藉各參數間之比較可瞭解電池於照光

工作時激發光電子於電池中傳遞之情形

由圖 353 阻抗圖譜中Yoshida 等人(77)界定位於中頻區之圖譜意

義為光電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質液介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗因此本研究發現 TBT 系

列中0-TBT0-TBT 中頻區之半圓半徑明顯大於 Eu003-TBT0-TBT

之結果可得知透過雙層結構之設計(圖 349)第二層為 Eu003-TBT

130

之電池其相對能階形成階梯型驅動力之增加明顯降低工作電極

層與層間之傳輸電阻再者亦可證明第二層形成一傳遞屏障降低

傳遞電子與電解液中 I3-再復合之還原作用而 0-P250-P25 以及

Eu01-P250-P25 之間亦具此現象圖 353 中亦可比較 TBT 與 P25 兩

系列明顯其工作電極內電阻之因素亦反應於電池效率結果上

將圖 353 所得電交流阻抗結果透過 Z-view 軟體 fitting 後得到表

38 所列參數先觀察 TBT 系列兩電池可知第二層為 Eu003-TBT

之電池其 keff (電子再結合速率常數)由 315 下降至 247 s-1因此電

子生命週期提升可知驅動力之增加提升電子傳導之動力學參數

(126)加速電子傳遞以減少電子於電極中之停留機率此點可由 Rw (電

子於 TiO2中之傳導電阻)之降低得證再者由 Rk (電子再結合之電

荷傳導電阻)亦為暗反應電阻此值對於電池效率越大越佳

Eu003-TBT0-TBT 電池較 0-TBT0-TBT 由 1603 增加至 1934顯示

第二層為 Eu003-TBT 之電池由於能階結構之設計降低其電子再

復和之機率此論點與交流阻抗圖譜之結果吻合

由於本雙層結構電池之研究皆控制塗佈步驟中之參數以確立

各電池之膜厚皆相近始可討論 Deff (有效電子擴散係數)與 Ln(電子擴

散長度)對於電子傳遞機制之優劣影響(參考式 214215)相較於

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 電池之 Deff有效從 257 x 10-4提

升至 336 x 10-4 cm2s佐證 Eu003-TBT0-TBT 電池具效延長電子壽

命之現象由表 38 中結果得知各雙層結構電池精算後之 Ln長度皆

大於工作電極膜厚確立各系列電池之傳導電子有效為 FTO 導電

玻璃收集而傳遞至外電路使用而 Eu003-TBT0-TBT 之 Ln 值較

0-TBT0-TBT 所得之 Ln值大 以上結果皆顯示第二層為 Eu003-TBT

之電池可有效減少電子因粉體之氧空缺被捕捉而停滯之機率增加

131

之驅動力促使電子可於工作電極中有效而快速地傳遞進而提高光電

轉換效率而關於 P25 系列之討論顯示 0-P250-P25 與

Eu01-P250-P25 之各參數比較與效率結果皆吻合現象解釋與 TBT

系列相同

關於TBT系列與 P25系列之Deff之比較顯示TBT系列之Deff 普

遍皆大於 P25 系列亦具相關文獻(127)指出由於晶相之含量差異亦

會影響此值由於 Anatase 晶相與 Rutile 晶相均為正立方晶系

(Tetragonal system)結構其晶相皆是以 TiO6之八面體存在不同處

為於 Anatase 晶相中其不論 abc 軸方向其八面體間之鍵結均

是以 edge-sharing 之方式存在而於 Rutile 晶相中則為於 ab 軸以

corner-sharing 之方式存在於 c 軸方向以 edge-sharing 之方式鍵結

此結構之差異造成 Anatase 傳導電子之能力較佳此結果於已有之光

觸媒研究已確立因此相較於 P25 系列TBT 系列擁有較純之 Anatase

晶相因此 Deff較大而光電轉換效率亦較高

132

20 30 40 50 60 70 800

5

10

15

20

25

30

Z

(ohm

)

Z (ohm)

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 0-P250-P25 Eu01-P250-P25

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖譜

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數分析

Structure

L

(μm)

keff

(s-1)

τ

(s)

Rk

(Ω)

Rw

(Ω)

Deff

(cm2s)

Ln

(μm)

0-TBT0-TBT 16 315 0032 1603 4987 257 E-04

287

Eu003-TbT0-TBT 15 247 0040 1934 3236 336 E-04 367

0-P250-P25 15 451 0022 1123 7011 164E-04 190

Eu01-P250-P25 14 356 0028 1465 5445 188 E-04 229

133

333 CdSe 敏化雙層工作電極結構電池光電特性分析

由於二氧化鈦其能隙較大(約 32 eV)之故因此可見光中可激發

其電子之波段較窄必須透過窄能隙材料之吸附以增加其對於可見光

之利用除染料以外近年來所發展之量子點材料亦為一具潛力之

敏化物

本研究欲驗證量子點取代Black dye之角色後效率趨勢是否相

同因此取染料敏化實驗中效率較高之TBT系列作為雙層電極結構材

料並以硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物本實驗所合成之硒化鎘測

量其吸收光譜(UV-Vis)可知第一個吸收峰值之對應波長約於554

nm藉由Peng等人(128)所發展之方程式估算出粒子大小(D)可計算粒

徑約為305 nm

D = (16122times10-9)λ4- (26575times10-6)λ3 +(16242times10-3)λ2 - (04277)λ

+ (4157) (38)

其中 λ 為第一個吸收峰值之對應波長

圖 354 為 TBT 系列雙層結構量子點電池之電流-電壓圖由表

39 中0-TBT0-TBT(Plain)與 Eu003-TBT0-TBT(Plain)代表未吸附

CdSe 之電池效率極低分別為 00040 與 00060 而經過 CdSe

之摻雜後[0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)]平均效

率分別提升為為 0047 與 0083 光電流值亦明顯提升顯示量

子點之吸附增加電池對於入射光能量之利用若比較

0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)兩組數據其 FF 值

比染料敏化電池值較為低此為現階段量子點電池之通病亦為效率

一直無法提升之因而第二層為 Eu 摻雜之工作電極效率短路電

流與開路電壓值皆提升此與染料敏化電池系列之趨勢相同表示而

透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動力

134

(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導帶

位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑或

與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機率

增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 1000

01

02

03

04

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT(CdSe) 0045 0046 0049 0049

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 0083 0085 0081 0082

0-TBT0-TBT(Plain) 00040 00043

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 00062 00063

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC (V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

() 0-TBT0-TBT(Plain) 14 043 002 009 00040(2)

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 16 044 003 012 00060(3)0-TBT0-TBT(CdSe) 15 054 025 034 0047(2)

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 16 058 033 037 0083(1)

135

第四章 結論

本研究成功利用不同前趨物以溶膠凝膠法與水熱法之合成方法

製備出兩系列 TiO2Eu3+工作電極材料( TBT 與 P25)以 XRD 等量測

進行材料結構鑑定分析並探討 Eu 摻雜後對於 TiO2之發光特性與電

子組態之影響爾後將材料應用於敏化太陽能電池之工作電極研究

修飾後之 TiO2電極對於電池效率之影響其重要結果如下

(a)本研究以溶膠凝膠法及水熱法藉由 Eu 摻雜成功合成出純銳鈦礦

(Anatase)之二氧化鈦並且由於 Eu-Ti-O 鍵結形成不僅延緩金紅

石(Rutile)晶相生成有較好之光電特性亦限制晶體之成長由於

粒徑越小增加其比表面積因此有效提升太陽能電池染料之吸附

量增加電池之效率表現

(b)以光激發光譜分析樣品得知隨著活化劑 Eu 摻雜量之增加主體

晶格 TiO2 之發光強度隨之增加於高濃度出現濃度淬滅現象而

拉曼光譜亦證實藉由 Eu 摻雜成功延遲煆燒過程中金紅石(Rutile)晶

相生成且增加粉體表面之氧空缺

(c)本研究以紫外-可見光擴散式反射光譜測量 TiO2Eu3+之吸收特性

經由 Eu 摻雜後出現之紅位移現象顯示 TiO2 於摻雜稀土金屬離

子產生能階混成造成能隙縮小增加對於可見光範圍之吸收並以

X 射線光電子能譜儀分析獲知摻雜離子 Eu3+於晶體中位置並以價

帶光譜之量測成功建立樣品之價帶傳導帶能階位置而 X-光吸

收光譜之近邊緣光譜分析得知Eu 摻雜後鍵結中電子轉移造成表

面氧空缺增加

(d)將合成之材料應用於染料敏化太陽能電池之工作電極本研究原

構想欲透過發紅光之 TiO2Eu3+以增加染料 Black dye 於紅光波段

136

之利用然而由光電特性卻發現由於摻雜後氧空缺所造成之雜質

態捕捉光電子由光電流降低之現象證實光電子量減少

(e)為提高染料敏化電池效率本研究利用雙層結構工作電極之設計而

形成階梯式位階排列不僅增加傳遞驅動力亦由於電極屏障生成

以減少電子再復合之機率而短路電流之增加證實此點並透過與

染料能階之混成提高開路電壓值因此整體結果提高電池之效

率而將染料製換為硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物第二層為

Eu 摻雜材料之電池效率亦明顯提升進一步證實此研究構想之

正確性

總而言之本研究合成兩系列 TiO2Eu3+樣品並探討其之晶體

結構特性發光性質以及建立摻雜離子 Eu3+對於其電子組態之影

響且透過雙層結構設計成功提高敏化太陽能電池之效率

137

參考文獻

1 許志偉 陳宏仁 林怡君 and 王立義 有機無機太陽能電池之

現況發展 化工 第52卷 第2期 49-58 民94

2 AJ McEvoy and M Gritzel Sol Energ Mat Sol C 1994 32 3

221

3 A Hagfeldt B Didriksson T Palmquist H Lindstroumlm S Soumldergren

H Rensmo and SE Lindquist Sol Energ Mat Sol C 1994 31

481

4 B OrsquoRegan and M Graumltzel Nature 1991 353 737

5 M Graumltzel Nature 2001 414 338

6 黃建昇 結晶矽太陽電池發展近況 工業材料雜誌 第203期 150

民92

7 httpcdnetstpiorgtwtechroommarketenergyenergy022htm 國

家實驗研究院科技政策研究與資訊中心(Science amp Technology

Policy Research and Information CenterSTPI)

8 M Graumltzel Phil Trans R Soc A 2007 365 993

9 X Chen and SS Mao Chem Rev 2007 107 2891

10 D Cahen G Hodes M Graumltzel JF Guillemoles and I Riess J

Phys Chem B 2000 104 2053

11 D Matthews P Infelta and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C

1996 44 119

12 M Graumltzel J Photochem Photobio A 2004 164 3

13 TN Rao and LJ Bahadur J Electrochem Soc 1997 144 179

14 AB Kashyout M Soliman and M Fathy Mater Chem Phys

2005 90 230

15 P Guo and MA Aegerter Thin Solid Films 1999 351 290

138

16 K Sayama H Sugihara and H Arakawa Chem Mater 1998 10

3825

17 BV Bergeron A Marton G Oskam and GJ Meyer J Phys Chem

B 2005 109 793

18 S Chappel and A Zaban Sol Energ Mat Sol C 2002 71 141

19 K Hara T Horiguchi T Kinoshita K Sayama H Sugihara and H

Arakawa Sol Energ Mat Sol C 2000 115 64

20 B Tan E Toman Y Li and YY Wu J Am Chem Soc 2007 129

463

21 CJ Barbeacute F Arendse P Comte M Jirousek F Lenzmann V

Shklover and M Graumltzel J Am Ceram Soc 1997 80 3157

22 K Kalyanasundaram and M Graumltzel Coord Chem rev 1998 177

347

23 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B

2000 104 989

24 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio RH Baker E Muumlller P

Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem Soc 1993

115 6382

25 G P Smestad and M Graumltzel J Chem Educ 1998 75 752

26 劉茂煌奈米光電池工業材料雜誌 2003203 期 民93

27 MK Nazeeruddin SM Zakeeruddi RH Baker M Jirouse P Lisk

N Vlachopoulos V Shklover CH Fischer and M GraumltzelInog

Chem 1999386298

28 KS Finnie JR Bartlett and JL Woolfrey Langmuir 1998 14

2744

29 C Bauer G Boschloo E Mukhtar and A HagfeldtJ PhysCem B

2002 106 12693

139

30 CG Garcia NYM Iha R Argazzi and CA Bignozzi Inorg Chem

1994 33 5741

31 MK Nazeeruddin M Amirnasr P Comte JR Mackay AJ

McQuillan R Houriet and M Gratzel Langmuir 2000 16 8525

32 MK Nazeeruddin P Peacutechy T Renouard SM Zakeeruddin R H

Baker P Comte P Liska L Cevey E Costa V Shklover L

Spiccia GB Deacon CA Bignozzi and M Graumltzel J Am Chem

Soc 2001 123 1613

33 J Hagaen W Schaffrath P Otschik R Fink A Bacher HW

Schmidt and D Haarer Synthetic Met 1997 89 215

34 N Papageorgiou WF Maier and M Graumltzel J Electrochem Soc

1997 144 876

35 A Kay and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C 1996 44 99

36 S Chen SK Deb and H Witzke US Patent 1978 4080488

March 21

37 M Graumltzel and K Kalyanasundaram Curr SCi 1994 66 706

38 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio R Humphry-Baker E

Muumlller P Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem

Soc 1993 115 6382

39 M Graumltzel AIP Conf Proc 1997 404 119

40 M Graumltzel J Photo Photobio A Chem 2004 164 3

41 L Han Y Chiba and A Islam 16th International Conference of

Photochemical Conversion and Solar Sstorage Uppsala Sweden

2006

42 Y Chiba A Islam and Y Watanabe J Appl Phys 2006 45 638

43 MK Nazeeruddin FD Angelis and S Fantacci J Am Chem Soc

2005 127 16835

140

44 JM Kroon NJ Bakker HJP Smit P Liska KR Thampi P

Wang SM Zakeeruddin M Gratzel A Hinsch S Hore U Wurfel

R Sastrawan JR Durrant E Palomares H Pettersson T

Gruszecki J Walter K Skupien and GE Tulloch Prog Photovolt

Res Appl

45 H Arakawa T Yamaguchi and A Takeuchi 16th International

Conference of Photochemical Conversion and Solar Storage

Uppsala Sweden 2006 W42P210

46 M Spath JV Roosmalen and P Sommeling 3rd WCPEC Osaka

Japan 2003

47 H Tsubomura M Matsumura Y Nomura and T Amamiya Nature

1976 261 402

48 PM Sommeling 2nd WCPEC Vienna 1998

49 CJ Barbe J Am Cera Soc 1997 80 3157

50 K Tennakone J Phys D Appl Phys 1998 31 1492

51 MK Nazeeruddin P Pĕchy and M Graumltzel Chem Comm 1997 36

1705

52 K Hara Chem Comm 2001 68 569

53 角野 裕康 村井 伸次 御子柴 智 東芝レビュー 2001 56 7

54 A Hagfeldt Nano Letters 2001 1 97

55 W Kubo Chem Comm 2002 39 374

56 原 浩二郎 AIST Today 2002 12 14

57 L Vlachopouios J Am Chem Soc 1988 110 1216

58 V Vamathevan H Tse R Amala G Lowb and S McEvoy

Catalysis Today 2002 68 201

59 MI Litter and JA Navio J Photo Photobio A Chem 1996 98

171

141

60 J Yu H Yu CH Ao SC Lee JC Yu and W Ho Thin Solid

Films 1999 496 273

61 W Li Y Wang H Lin SI Shah CP Huang DJ Doren SA

Rykov JG Chen and MA Barteau Appl Phys Lett 2003 83 20

62 R Asahi T Morikawa T Ohwaki K Aoki and Y Taga Science

2001 293 269

63 C Jia E Xie A Peng R Jiang F Ye H Lin and T Xu Thin Solid

Films 2006 496 555

64 M Saif and MSA Abdel-Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360

2863

65 湯友聖 台灣師範大學碩士論文 臺北 民 97

66 RC Ropp Luminescence and the Solid State Elservier Amsterdam

2004

67 H Dieke and RA Satten Am J Phys 1970 38 399

68 httpcaiwiteducnmseliuyu2006pptliuX-rayppt

69 AR West Basic Solid State Chemistry John Wiley amp Sons

Singapore 1991

70 吳泰伯 and 許樹恩 X-光繞射原理與材料結構分析 國科會精儀

中心 台北 民 82

71 httpwwwndhuedutw~nanolabtext93_Ma_II_v2pdf

72 林群哲 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 96

73 賴泓均 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 95

74 S Ito TN Murakami P Comte P Liska C Graumltzel MK

Nazeeruddin and M Graumltzel Thin Solid Films 2008 516 4613

75 H Kusama M Kurashige K Sayama M Yanagida and Hideki

Sugihara J Photochem Photobio A 2007 189 100

76 蕭光宏 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 97

142

77 Y Yoshida S Tokashiki K Kubota R Shiratuchi Y Yamaguchi

M Kono and S Hayase Sol Energ Mat Sol C 2008 92 646

78 JJ Wu GR Chen HH Yang CH Ku and JY Lai Appl Phys

Lett 2007 90 213109

79 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

80 J Lin and JC Yu J Photochem Photobiol A Chem 1998 116 63

81 T Lindgren JM Mwabora E Avendano J Jonsson A Hoel CG

Granqvist and SE Lindquist J Phys Chem B 2003 107 5709

82 H Tang H Berger PE Schimid F Levy and G Burri Solid State

Commun 1993 87 847

83 G Oskam A Nellore RL Penn and PC Searson J Phys Chem B

2003 107 1734

84 MA Anderson MJ Gieselmann Q Xu J Membr Sci 1988 39

243

85 P Ganguly N Shah M Phadke V Ramaswamy IS Mulla Phys

Rev B 1993 47 991

86 JH Li WL Kang WH Yan YH Guo HF Gao and ZH Liu

Acta Phys Chim Sin 2008 24 1030

87 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B 2000

104 8989

88 RA Spurr and H Myers Anal Chem 1957 29 760

89 S Yin H Yamaki M Komatsu Q Zhang J Wang Q Tang F Saito

and T Sato J Mater Chem 2003 13 2996

90 E Setiawati and K Kawano J Alloy Compd 2008 451 293

91 B Zou L Xiao T Li J Zhao Z Lai and S Gu Appl Phys Lett

1991 59 1826

143

92 J Yang ZW Quan DY Kong XM Liu and J Lin Cryst Growth

Des 2007 7 730

93 T Hirai and Y Kondo J Phys Chem C 2007 111 168

94 S Yan J Zhang X Zhang S Lu X Ren Z Nie and X Wang J

Phys Chem C 2007 111 13256

95 G Blasse and BC Grabmaier Luminescence Materials Chap 9

186

96 T Miyakawa and D L Dexter Phys Rev B 1970 1 2961

97 KL Frindell MH Bartl MR Robinson GC Bazan A Popitsch

and GD Stucky J Solid State Chem 2003 172 81

98 DL Dexter JH Schulman J Chem Phys 1954 22 1063

99 T Blasse G Philips Res Rep 1969 24 131

100 L Ozawa and PM Jaffe J Electrochem Soc 1971 118 1678

101 QZ Wang J Tian XH Yang and X Gao J Chin Lumin 1995

16 57

102 YH Zhang CK Chan J Porter and W Guo J Mater Res 1998

13 2602

103 BD Yao YF Chan XY Zhang WF Zhang ZY Yang and N

Wang Appl Phys Lett 1998 82 281

104 D Bersani PP Lottic and XZ Ding Appl Phys Lett 1998 72 1

105 YL Li and T Ishigaki J Phys Chem B 2004 108 15536

106 JC Parker RW Siegel J Mater Res1990 5 1246

107 HC Choi YM Jung and SB Kim Vib Spectrosc 2005 37 33

108 JG Li X Wang K Watanabe and T Ishigaki J Phys Chem B

2006 110 1121

109 T Sreethawong Y Suzuki S Yoshikawa Int J Hydrogen Energ

2005 30 1053

144

110 M Saif and A Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360 2863

111 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2005 247 36

112 AB Murphy Appl Opt 2007 46 3133

113 P Kubelka J Opt Soc Am 1948 28 448

114 DG Barton M Shtein RD Wilson SL Soled and E Iglesia J

Phys Chem B 1999 103 630

115 PA Tanner KL Wong and Y Liang Chem Phys Lett 2004 399

15

116 T Umebayashi T Yamaki H Itoh and KJ Asai Phys Chem Solid

2002 63 1909

117 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2006 247 36

118 X Lai Q Guo BK Min and DW Goodman Surf Sci 2001 487

1

119 FM Liu TM Wang JQ Li C Wang SK Zheng and M Duan J

Magn Magn Mater 2002 251 245

120 W Gopel Surf Sci 1984 139 333

121 AG Thomas WR Flavell AK Mallick AR Kumarasinghe

DTsoutsou N Khan C Chatwin S Rayner and GC Smith Phys

Rev B 2007 75 035105

122 X Wang JG Li H Kamiyama M Katada N Ohashi Y

Moriyoshi and T Ishigaki J Am Chem Soc 2005 127 10982

123 D Vogtender R Poducky J Redinger ELD Habenstreit W

Habenstreit and U Diebold Phys Rev B 2002 65 125411

124 M Durr S Rosselli A Yasuda and G Nelles J Phys Chem B

2006 110 21899

145

146

125 C Kim KS Kim HY Kim and YS Han J Mater Chem 2008

18 5809

126 I Robel M Kuno and PV Kamat J Am Chem Soc 2007 129

4136

127 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

128 W Yu L Qu W Guo and X Peng Chem Mater 2003 15 285

  • Poyu封面
  • 洪柏育-碩士論文摘要-0609-2009
  • Poyu謝誌
  • PoYu Hung-MS Thesis-0625-2009pdf
Page 5: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成

22 合成方法26

221 溶膠凝膠法 (Micelle and sol - gel)26

222 水熱法 (Hydrothermal) 27

23 實驗流程28

231 TPT[鈦酸四丁酯Ti(OC4H9)4 Tetrabutyl titanate]系列 28

232 P25(Degussa P25 TiO2)系列 29

24 樣品鑑定分析 30

241 粉末X-光繞射儀(X-ray diffraction XRD)31

2411 X-光繞射工作原理 31

2412 XRD實驗儀器 34

2413 結構精算 35

242 掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope SEM)38

243 穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron MicroscopyTEM)39

244 比表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

ASAP) 40

245 光激發光譜儀(Photoluminescence PL)42

246 拉曼散射光譜儀 (Micro Raman Scattering Spectrometer)45

247 紫外可見光擴散式反射光譜(UV-Vis diffuse reflectance spectra

UV-Vis DRS) 46

2471 固態粉體之吸收光譜 46

248 X射線光電子能譜儀( X-ray Photoelectron SpectroscopyXPS )

48

249 X光吸收光譜 (X-ray Absorption Spectroscopy XAS)49

2491 X光吸收近吸收邊緣結構 (X-ray Absorption Near-Edge

StructureXANES) 50

25 染料敏化太陽能電池之組裝與特性分析 51

II

251 工作電極漿料配製 51

252 導電玻璃清洗 51

253 電池組裝與特性測試 51

254 染料敏化太陽能電池性能測試 54

2541 電流電壓效率曲線(I-V curve)量測 54

2542 入射單色光之光電轉換效率量測(incident photon to current

convers-ion efficiencyIPCE) 56

2543 電化學阻抗分析(Electrochemical impedance spectroscopy EIS)

57

26 量子點敏化太陽能電池之組裝 62

261 硒化鎘 (CdSe) 量子點之製備 62

262 硒化鎘 (CdSe) 量子點之改質 (Ligand exchange)64

263 量子點敏化電池之組裝 66

第三章 結果與討論 67

31 TiO2Eu3+ 材料結構鑑定分析68

311 晶體結構分析 68

3111 TiO2Eu3+ (TBT系列) XRD分析 70

3112 TiO2Eu3+ (P25 系列) 74

312 晶體表面形貌分析 79

3121 SEM 與TEM粉體形貌分析79

3122 氮氣等溫吸附與脫附分析(Brunauer -Emmett-TellerBET) 83

31221 TBT系列粉體BET分析 83

31222 P25 系列粉體BET分析86

32 TiO2Eu3+ 粉體光譜特性分析88

3211 光激發光譜分析(PL) 88

3212 臨界距離與能量轉移機制 94

III

322 拉曼散射光譜分析 (Raman scattering spectrum) 96

3221 TBT系列粉體拉曼散射光譜分析96

3222 P25 系列樣品拉曼散射光譜分析 98

323 紫外-可見光擴散式反射光譜分析(UV-Vis DRS) 100

3231 TBT系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析 100

3232 P25 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析104

324 X射線光電子能譜儀(XPS) 106

325 X-光吸收光譜(XAS)113

33 Ti1-xO2Eux3+粉體於染料敏化太陽能電池之應用研究117

331 單層工作電極電池效率量測 117

332 雙層工作電極結構 121

3321 雙層工作電極結構電池製作說明 122

3322 電池效率量測 123

3322 雙層工作電極結構電池入射單色光子-電子轉化效率(IPCE)量

測128

圖 352 Eu003-TBT0-TBT電池吸附與未吸附染料工作電極之激發

與放射光譜130

3323 雙層工作電極結構電池電化學阻抗(EIS)量測 130

333 CdSe敏化雙層工作電極結構電池光電特性分析 134

第四章 結論 136

參考文獻 138

IV

圖目錄

圖 11a 各類型太陽能電池效率之發展情形helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip5

圖 11b 各式種類太陽能電池效率演進圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip5

圖 12 染料敏化太陽能電池結構示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip7

圖 13 染料敏化太陽能電池各反應動力學比較示意圖helliphelliphellip8

圖 14 N3 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip13

圖 15 N719 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip13

圖 16 Black dye 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip14

圖 17 Black dye 染料與 N719 染料吸收光譜比較圖helliphelliphellip14

圖 18 DSSC 研究發展時程回顧helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip18

圖 19 主體晶格之陽離子分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip21

圖 110 主體晶格中不具光學活性陰離子團分布圖helliphelliphelliphellip21

圖 111 格中具光學活性陰離子團分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip22

圖 112 活化劑之陽離子團分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip22

圖 21 以溶膠-凝膠法與水熱法合成 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux實驗

流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip29

圖 22 以水熱法合成 P25 系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖helliphellip30

圖 231 (a)銅靶之 X 光光譜 (b)封閉式 X 光射線管helliphelliphelliphellip32

圖 232 X 光原理示意圖Cu 1s 電子游離後形成之電洞由 2p 電

子填入並伴隨 X 光釋出helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip33

圖 234 X 光繞射之示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip34

圖 24 X-光粉末繞射儀(PANalytical XrsquoPert PRO XRD) helliphellip35

圖 25 晶體繞射結構解析之一般流程helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip37

圖 26 掃描式電子顯微鏡(NDL)HITACHI S-4000helliphelliphelliphellip38

V

圖 27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip39

圖 28 TEM電子腔內部結構示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip40

圖 291 IUPAC制定之物理等溫吸附-脫附分類圖helliphelliphelliphelliphellip41

圖 292 IUPAC制定之遲滯迴圈型態示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip42

圖 210 螢光體光譜量測過程helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip43

圖 211 光激發光光譜儀構造helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip44

圖 212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀helliphelliphelliphelliphellip45

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip46

圖 216 Hitachi-U3410 紫外-可見光光譜儀helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip48

圖 217 Ti K-edge之XANES示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip50

圖 218 網印機塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip52

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖helliphelliphelliphelliphellip53

圖 220 電池光電轉換效率值檢測系統helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip55

圖 221 太陽能電池 I-V 特性曲線示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip55

圖 222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖helliphelliphelliphelliphellip57

圖 223 Z Z Z θ 之間之關係圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip58

圖 224 典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖helliphelliphellip59

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip60

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析helliphellip60

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip63

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip65

圖 31 TiO2 銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip69

圖 32 TiO2 金紅石(Rutile)相晶體結構圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip69

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜helliphelliphellip70

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖helliphelliphellip71

VI

圖 35 TBT系列Ti097O2Eu0033+粉體X光繞射結構精算圖helliphellip73

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜helliphelliphelliphelliphellip75

圖37 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布helliphelliphelliphelliphelliphellip75

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖helliphelliphellip77

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 003helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 80

圖 392 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)

為 x = 15helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip81

圖 310 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ TEM 圖放大倍率皆為 200kx(a)

x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f)

x = 004 helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip82

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖85

圖 312 TBT系列樣品不同Eu摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip86

圖 313 (a)~(c) P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之BET圖87

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip88

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖helliphelliphelliphellip90

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖helliphellip91

圖 317 P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL光譜圖helliphelliphellip91

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip92

圖 319 TBT系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE光譜圖helliphellip93

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖helliphellip93

圖 321 Ti1-xO2 Eux3+之 log(xEu

3+)對 log(IxEu3+)關係圖helliphelliphelliphellip95

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖hellip97

圖323 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖helliphellip99

圖 324 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS光譜helliphellip101

VII

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip103

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip104

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜helliphelliphellip105

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖105

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖106

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphellip108

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip108

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip110

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖338兩系列樣品未摻雜及摻雜Eu3+粉體能隙位階圖helliphelliphellip112

圖 339 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜helliphelliphelliphellip114

圖 340 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip115

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜helliphelliphelliphellip115

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip116

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip119

圖344 P25系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphellip121

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip122

VIII

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

圖348 P25系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖helliphellip127

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變

化helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip127

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作電極之激

發與放射光譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 130

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖

譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip135

IX

X

表目錄

表 11 各類型太陽能電池之比較helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip4

表 2-1 本研究所使用之藥品清單helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip25

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip33

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數hellip73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參

數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip74

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數helliphelliphellip78

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果helliphelliphellip78

表 34 TBT系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip119

表 35 P25系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

表36 TBT系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

表 37 P25系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數

分析helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip135

第一章 緒論

11 前言

聖經舊約創世紀記載著上帝說要有光即有光時至今日太

陽光為地球上最重要且最為豐富之可再生能源亦為人類唯一用之不

盡取之不竭之能量來源每年於地球上之光照能量可達到全球人類

年消耗量之數千萬倍以上由於各類天然能源快速耗竭故有效利用

太陽能轉換成所需之能源成為ㄧ門極為重要之課題各種再生能源中

涵蓋太陽能水力發電風力發電燃料電池以及鋰離子電池等

僅太陽能電池為一種將太陽光直接轉換為電能之光電元件早於1954

年時美國 Bell 實驗室首先提出以矽半導體作為太陽能電池之材

料此一領域於眾多研究學者與工程人員之努力下迄今相關之理論

與技術均已相當成熟且真正地商品化雖然無機半導體-矽太陽能電

池發展至今製程已漸趨穩定但由於對於原料之純度高度要求因此

製備成本難再大幅降低因此各研究單位莫不積極找尋另一低成本

製程簡易之替代材料此為目前使太陽能電池應用普及之發展重點

相較於傳統矽晶材料無機奈米材料具低密度質量輕成本低廉且

可使用一般傳統且發展完備之塗佈方式例如旋轉塗佈 (spin

coating)刮刀塗佈(doctor-blade coating)網版印刷(screen printing)

或近來發展之噴墨印刷 (ink-jet printing)等不需高價位設備之方法來

製備光伏元件 (photovoltaic device)因此不但可簡易地製備不同大

小之元件 並且可大幅提升進一步顯著降低元件成本之機會同時

無機奈米材料可透過分子結構設計例如摻雜金屬離子或是改變其形

貌藉以調整其能階與能隙大小電荷轉移能力電荷傳導速度溶

解度成膜之結晶型態等重要材料特徵另外所吸附之有機分子通

常具高光吸收係數與良好之延展性因而可藉以製備輕薄且可撓曲之

1

攜帶式電池元件(1)色素增感 (dye-sensitization) 之概念源起於19世

紀攝影技術使用色素增感鹵化銀(silver halide)可產生黑與白之感光

膜(photographic films)此被視為關於色素增感半導體之第一個重大

研究(2)然而最早之光電化學使用之平滑電極只有於膜表面吸附之

單層色素才能有效的將電子注入半導體內但此單層色素內光線之吸

收效率極低於多孔性之 TiO2 奈米薄膜內其有效表面積能增加至

1000倍因此要使光線吸收效率增加必須使每一個 TiO2 粒子表面

皆吸附單層色素(3)直到1991年瑞士科學家Graumltzel利用奈米技術改良

工作電極進而開發出高效率(71~79 )太陽能電池稱為染料敏化太

陽能電池 (dye - sensitized solar cellsDSSC) (4)其成果引起全球能

源界之關注以及熱烈投入發展近年來染料敏化太陽能電池澎勃發

展最大原因仍在於簡單製程無須投入昂貴設備無塵室廠房等

設備而二氧化鈦電解質等材料價格便宜亦為關鍵要素此外

DSSC 可使用具可撓曲性基材應用端因此大幅擴張相較於目

前主流矽晶太陽能電池只適用於大型戶外屋頂等少數應用場

合其具較大之應用空間

12 太陽能電池簡介

太陽能電池依照所使用之材料以及製程之不同可分為矽基

型化合物半導體型與有機半導體型三類

ㄧ矽基型太陽能電池(5 - 7)

根據結晶形態矽基型太陽能電池可分為單晶矽(monocrystalline

silicon)多晶矽(polycrystalline silicon)與非晶矽(amorphous silicon)三

類單晶矽之組成原子均按照一定規則週期性排列以單晶矽製

備之太陽能電池轉換效率最高約為24 使用壽命年限亦較長

2

但通常所使用之矽半導體基材純度極高相對地製造成本亦最多

多晶矽是以熔融態之矽鑄造固化而成其矽原子堆積方式不只一

種而是由多種不同排列方向之單晶所組成多晶矽太陽能電池由

於製程簡單故成本較低轉換效率約18-20 非晶矽對光之吸收性

比矽強約500倍只需薄薄一層即可將光子之能量有效地 吸

收其轉換效率雖僅 13-14 然而因為非晶矽不需使用昂貴之

結晶矽基板而用較便宜之玻璃陶瓷或是金屬等基板如此不僅

可以節省大量之材料成本亦提高製作大面積之太陽電池之可能性

(結晶矽太陽電池之面積受限於矽晶圓之尺寸)製造成本為三者間

最低為其最大之優勢故未來亦具發展潛力世界上已有多家公司生

產該種電池之產品例如美國 uni-solarsolarex日本三洋電機

夏普大陸深圳拓日與德國 Schott Solar非晶矽薄膜太陽電池之主

要優點是成本低製備容易但亦存在嚴重缺點即性能不穩定其

光電轉換效率隨光照時間延續而衰減另外非晶矽薄膜太陽電池之效

率亦較低(95 )為提升非晶矽電池效率大多數廠商採用雙層p-i-n

結構(一層非晶矽能階約17 eV與一層微晶矽能階約14 eV堆疊而成)

串接使電池可以吸收各種不同波長之光源達到對太陽光最大利用

進而提升整個之轉換效率

二化合物半導體型薄膜太陽能電池(5 8)

化合物半導體型薄膜太陽能電池則可分為下列幾類Ⅲ-Ⅴ族

[包括砷化鎵 (GaAs) 磷化銦 (InP)磷化鎵銦 (InGaP) ]Ⅱ-Ⅵ

族[包括碲化鎘 (CdTe)硒化銦銅 (CuInSe)]等化合物半導體為直

接能隙材料其能隙於11及16 eV之間與太陽光譜匹配度較佳此

些材料所製作之太陽電池亦都有很高之效率尤其多接面串疊型

(InGaPGaAsInGaAs multijunction tandem cell)之太陽能電池效率甚

3

至可以接近40 然而製作過程中需於真空及高溫下操作使得造價

昂貴且並未大量生產故目前商業市場上仍以矽基型太陽能電池為

三有機半導體型

有機半導體型太陽能電池具成本低廉製程簡易可應用於大

面積化以及具可撓曲性等優點故近年來度受到各界矚目本論文

中所研究之染料敏化太陽能電池(5 9)即為其中之一 然而此系列之

太陽能電池至今尚未量產之主因是在於其轉換效率低高溫穩定性

不佳及大尺寸太陽能板開發等問題因此提高轉換效率與穩定性

則成為目前研究之首要目標

表 11 各類型太陽能電池之比較(5)

4

圖 11a 各類型太陽能電池效率之發展情形(8)

圖 11b 各式種類太陽能電池效率演進圖(16)

5

13 染料敏化太陽能電池

131 工作原理

染料敏化太陽能電池之組成以及此類電池之工作原理與相對能

階位置圖如圖12 所示塗有多孔性奈米結晶性二氧化鈦(porous

nanocrystalline TiO2)之透明導電玻璃(陽極)染料分子吸附於TiO2

上含有Iminus I3minus之氧化還原對(reduction-oxidation couple)電解質塗有

鉑(Pt)觸媒層之相對電極(陰極)所組成於外接負載情況下整個電

池形成連通迴路而產生電流與電壓當太陽光照射至染料而產生激發

電子由於染料分子LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)能階

較 TiO2 導帶高(Ecconduction band)染料激發態電子迅速注入TiO2

導帶中而形成染料陽離子其中 TiO2 不單作為染料支持劑且為電

子之受體與導體雖然少部分電子會經由再結合(recombination)過程

而消失但大部分電子經由導電玻璃而傳導至外電路氧化態之染料

從電解質獲得電子而還原輸出之光電壓為照光下半導體之費米能階

(Fermi level)與電解質氧化還原可逆電對 (redox couple)之Nernst

potential差( )電解液經由相對電極上傳來之電子而被還原(10)如

此整個電路各部分皆得以再生無淨反應生成其持續之光電流由

此產生整個反應表示如下(11)

陽極 S(基態) + 能量( hυ ) rarr S(激發態)helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip照光激發

S rarr S+ + e- (CB)helliphellip染料激發態電子進入TiO2導帶

2S+ + 3 Iminus (電解質) rarr 2S + I3minushelliphelliphellipS再生Iminus消耗

陰極 I3minus+ 2e- rarr 3 IminushelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellipIminus再生

副反應 2e-(CB) + I3minusrarr3 IminushelliphellipTiO2 導帶上之電子與I3

minus結合

其中S為染料基態(ground state)S為染料激發態(excited state)S+

為氧化態染料離子(oxidized state)

6

圖 12 染料敏化太陽能電池結構示意圖(12)

圖13 為染料敏化太陽能電池各層間反應時間示意圖當染料經

照光後激發態電子注入 TiO2 導帶於 pico-second 範圍而結合過

程則約發生於 micro-second 之時間因此前者電子傳遞速率約為後

者之103倍甚至可達106倍故形成光誘導電荷分離之動力學基礎可

見光誘導分離非常有效造成淨電子流出此外電子之生命週期(life

time)與擴散係數(diffusion coefficient)決定電子之擴散長度(diffusion

length)電子於多孔膜中傳遞並不如在單晶中快故必須盡可能減少

電子行走路徑與穿越晶體界面數因此存在有一最佳膜厚對應最

大光電流值最後染料之還原反應發生於 nano-second 範圍

速率快於結合過程而能迅速消除電洞符合目前太陽能電池所要求之

7

條件形成此種快速轉移之機制乃因分子軌域之電子波函數與TiO2

導電帶之電子波函數造成耦合現象詳細之傳遞過程可以由量子力學

方法計算

圖 13 染料敏化太陽能電池各反應動力學比較示意(12)

132 染料敏化太陽能電池各部分介紹

1321 奈米結晶多孔膜電極 (nanocrystalline porous electrode)

奈米半導體光陽極材料(如TiO2)具重要地位其結構與性能直接

影響與光敏染料分子之匹配及接受染料分子注入電子之效率與光電

池之開路電壓一般染料敏化太陽電池對半導體光電極有如下要求

具比較大之比表面積以吸附更多染料分子適當導電帶能階以使與染

料激發態相匹配提高激發態染料朝向半導體電極注入電子之效率

較高之費米能階以提高電池之開路電壓較小之電阻率促使電池之內

阻減小由於 TiO2 具安定無毒穩定性高且便宜等優點故最為

被廣泛研究其他材料如 ZnO (1314) Nb2O5(1516)SnO2

(1718)In2O3(19)

8

以及二元材料Zn2SnO4(20)等都曾被研究然而電子注入效率之高低仍

須考慮染料分子與半導體結晶結構之特定方向鍵結 各研究致力於發

展相搭配之染料目前仍是以 TiO2 為主流材料天然之二氧化鈦

有三種結晶型態即銳鈦礦型(Anatase)金紅石型 (Rutile)與板鈦

礦型(Brookite)主要是由於鈦原子與氧原子排列不同而形成相異結晶

構造於此三種結晶型態中銳鈦礦型與金紅石型皆具光催化能力

銳鈦礦型與金紅石型二氧化鈦之共價帶電位很高經光照射後所生成

之電洞具極強之氧化能力 再者銳鈦礦型之傳導帶電位比金紅石型

高造成銳鈦礦型之能隙大於金紅石型(銳鈦礦型約為33 eV金紅石

型約為31 eV)受光激發至傳導帶之電子較不易回復至價帶因此

其電子具較強還原能力綜合上述可知銳鈦礦型二氧化鈦具較高催

化活性之因

染料敏化太陽能電池之一項重要關鍵技術即是引入高粗糙因

子 (roughness factor)之多孔性海棉狀(sponge-like)半導體電極結構

其目的除使染料大量吸附外並且提供適當孔洞大小供電解質擴

散薄膜電極材料之製作一般可區分為下列兩種略述如下

方法一(21 22)

瑞士教授 Graumltzel 之研究群乃利用溶膠-凝膠(sol-gel)之方法獲

得具結晶性與高比表面積之奈米顆粒依此法所得之顆粒最終型態是

受到環境之合成條件影響例如水解與聚合之酸鹼度溫度前驅物之

化學性質溶劑觸媒濃度等均扮演著重要角色以下粗略描述製作

步驟及其對應之環境與影響

I 水解 (Hydrolysis)此步驟牽涉 Ti(IV)鹽類之水解控制前驅物之

選擇可以為四異丙氧基鈦 (titanium isopropoxide) 或四氯化鈦

( TiCl4)並於 01 M HNO3 之酸性環境下進行水解使所得之膠體

9

粒子能均勻分散並且穩定懸浮於液體中實驗證明於相當高之水與

鈦比例下不論是逐滴加入(dropwise)抑或是全加(one shot)皆不

影響最後產物型態(22)

II 膠溶作用(Peptization)此步驟於 70-100oC 下持溫數小時除使

膠體粒子相互連結形成高交集度粒狀結構凝膠外同時亦因能量之提

供而破壞凝團聚集(deagglomeration) 之情形(22)結晶化亦於此時發

生顆粒亦同時微幅成長

III水熱成長(Hydrothermal growth) 此步驟之目的乃於高溫之環境

下藉由奧斯瓦特熟成過程 (Ostwald ripening) 將小顆粒溶解並進一

步成長為較大之結晶顆 粒溫度改變不僅影響最終之顆粒大小

同時亦將影響最終多孔膜之平均孔徑此外Rutile結晶相亦會於較高

溫時形成文獻(23)指出Anatase相顯示較佳之電子傳輸速率與生命週

期一般是以Anatase相為主而Rutile相之反射係數顆粒均比Anatase

相大導致生成之薄膜不具透明性但可使入射光能於多孔膜內多次

反射而被有效利用因此亦有相關研究作為太陽能電池電極為10 μm

厚並有部分Rutile相之 TiO2 多孔膜為主(21)

方法二(24 25)

利用商業化二氧化鈦粉末 (Degussa P-25為 70 銳鈦礦

(anatase)30 金紅石(rutile)之混合物粒徑約24 nm比表面積約

50 m2g)加入乙醯丙酮(acetyl acetone)或 HNO3 用以預防粒子聚

集以及添加介面活性劑用以降低表面張力以利塗佈

最後將上述方法所製得之二氧化鈦粉末與凝聚劑(binder)充分

混合利用刮刀成膜(doctor blade)之方式將上述膠態溶液塗佈於導

電玻璃上經 450oC 煆燒30分鐘後使顆粒彼此間經燒結聚同時與

導電玻璃間形成良好之電接觸(electronic contact)凝聚劑於此步驟

10

中被燒掉而遺留下孔洞完成粗糙因子約為1000之多孔膜(roughness

factor = 總表面積投影表面積) (24)值得注意之為不同煆燒溫度與

時間亦將影響最終孔徑分布進而影響電解質擴散與電池之效率表

現此外亦有利用網板印刷(screen printing)熱分解噴鍍技術(spray

pyrolysis deposition)等應用於大量生產之方式溶液之配方需做進一

步調整才能適用

1322 染料(dye)

染料為染料敏化太陽能電池中之重要組成部分在近 20 年之研

究中已嘗試合成 900 多種之染料並應用於染料敏化太陽能電池

但其中只有一小部分具良好之光敏化性能其中主要是釕(Ru)之多

吡啶錯合物而染料性能之優劣將直接影響到染料敏化太陽能電池

之光電轉換效率前述提到要藉由光激發二氧化鈦而產生反應須要

低於 388nm 之紫外光但紫外光所佔太陽光能中只有 5 是故必

須利用太陽光能占最高比例之可見光而染料能夠幫助二氧化鈦之吸

收波長提高至可見光區因此染料能藉由可見光之激發驅使電子躍遷

至二氧化鈦半導體電極並接受來自電解質之電子還原而一般染料

必須符合以下幾點條件(26)

(1) 緊密吸附於二氧化鈦表面亦即為能夠快速達到吸附平衡且不

易脫落故染料分子母體中一般應該要含有易與奈米半導體表面結

合之基團如-COOH-SO3H-PO3H2如染料上之-COOH 官能基

會與二氧化鈦膜上之-OH 官能基形成成酯類而增強二氧化鈦導帶

3d 軌域與色素染料 π軌帶電子之耦合使電子轉移更為容易

(2) 對可見光具很好之吸收特性即是能吸收大部分之入射光

(3) 其氧化鈦(S+)與激發態(S)要具較高之穩定性與活性

11

(4) 激發態壽命足夠長並具很高之電荷(電子電洞)傳輸效率

(5) 具足夠之激發態氧化還原電位以保證染料激發態電子注入二

氧化鈦導帶

(6)氧化還原過程(包括基態與激發態)中要有相對較低之位勢使

初級與次級電子轉移過程中之自由能損失最小

以釕之多吡啶錯合物為主之染料敏化劑為藉由吸附於二氧化鈦

表面其提供主要光子吸收與隨後發生電子注入之步驟典型釕之多

吡啶錯合物化學結構最早是由 Graumltzel 團隊所發現此類型染料因其

具較強之可見光吸收能力良好光電化學性質激發態穩定性高及與

二氧化鈦表面具強之連結作用力且可接受約 5x107 次氧化還原反

應因此成為廣泛使用之染料敏化劑如圖 14~16 之結構(27)N719

光敏染料於 535nm395nm 有最大吸收峰N3 dye其吸收光之

範圍可達可見光區從 400 nm~800 nm全質子化 N3 dye 於 538

nm398 nm 有最大吸收峰(28)Black Dye為目前最具效能之染料

其吸收光範圍涵蓋可見光且可達近紅外光區(900nm)單一質子化

Black Dye 於 610 nm413 nm 有最大吸收峰於拉曼振動光譜研究

中亦指出單一質子化 Black Dye 與二氧化鈦之表面鍵結與 N3 Dye

相同是由螯狀雙牙配位 (Chelate Bidentate)或架橋配位 (Bridging

Bidentate)型式與二氧化鈦配位鍵結其差別在於 Black Dye 乃以

COOmacr與 TBA+與二氧化鈦產生配位鍵結(29)然而以上此些染料可於

可見光與近紅外光區具吸收主要可歸因於金屬-官能基電荷傳遞

(Metal-to-Ligand Charge TransferMLCT)之性質由金屬(Ru)之電子

傳遞至位於外圍之羧基化吡啶配位鍵之 π 反鍵結軌域之後在少於

100 fs 時間內將電子傳入二氧化鈦之導帶(30-34)因此理論上光子轉換

為電子之比例可達至 100本研究所使用之染料 N719 與 black dye

12

之吸收光譜比較圖如圖 17 所示

圖 14 N3 染料之化學結構式(27)

圖 15 N719 染料之化學結構式(30)

13

圖 16 Black dye 染料之化學結構式(29)

圖 17 Black dye 染料與 N719 染料吸收光譜比較圖(31)

1323 電解液(electrolyte)

目前 DSSC 依其結構與研究使用目的不同亦搭配相異種類之

電解質液態電解質溶膠-凝膠(準固態)電解質與固態電解質本研

14

究所使用之液體電解質由於其擴散速率快光電轉換率高及組成成分

易於設計調整且對於奈米多孔膜滲透性佳故一直廣泛研究但

存在著許多問題(1) 傳統碘離子 (IminusI3minus) 電解質溶液之有機溶劑多

半有毒性其滲漏與揮發問題需解決(2) 實際於長期日照下應用之

發電穩定性與熱穩定性有待加強(3) 嚴密封裝需求將提昇製程成

本(4) 柔軟材質上應用困難(5) 有機溶劑對染料吸附之不利影響

以上問題於應用上均造成某種程度阻礙一般電解質都須具高極性有

機溶劑作搭配於液態電解質濕式元件中會選擇如乙烯碳酸鹽

(ethylenecarbonate)乙腈(acetonitrile)丙烯碳(propylenecarbonate)

之混合溶劑而電解質之選擇有I2LiIKITerapropylammonium

iodideTertabutylammoniumiodide 等Graumltzel 等人(32)以black dye為

染料06 M dimethylpropylimidazolium01 M I201 M LiI 與05 M

4-tert-butylpyridine 為電解質 (溶劑為methoxyacetonitrile)於 100

mWcm2強光下光電轉換效率為104 碘化物中陽離子常用的為

咪唑銨(imidazolium) 類陽離子或鋰離子(Li+)Imidazolium 類陽離子

可以吸附於奈米 TiO2 表面阻絕了 I3minus 與 TiO2 表面之接觸因此

抑制導帶電子與 I3minus 於 TiO2 表面結合使電池輸出功率與光電轉換

效率得以明顯提升由於 imidazolium 陽離子之體積大於鹼金屬離子

體積只要增大碘鹽中陽離子體積即易導致陽離子對 Iminus 束縛力減

弱一方面可以提高碘鹽於有機溶劑之溶解度進而提高 Iminus 濃度

另一方面亦因陽離子對 Iminus 之束縛力減弱Iminus 還原活性及於有機溶劑

之遷移率亦增強上述兩者均有利提高氧化態染料再生為基態染料之

速率(33)當電解質溶液中加入小體積 Li+ 時若 Li+ 濃度很小此

時 Li+ 主要是吸附於 TiO2 表面上若 Li+ 濃度增大則 Li+ 於

TiO2 表面吸附與嵌入 TiO2 膜內兩種情況共存此種情況之 Li+ 可

15

與傳導帶電子形成電子對 Li+- e-由於 Li+- e- 電子對既可於 TiO2

表面遷移亦有可能脫離 TiO2 表面遷移此將明顯減小導帶電子於

相鄰或不相鄰鈦原子之間之傳輸阻力及距離可知於電解質中加入

Li+可大幅改善電子於 TiO2 之間之傳輸進而提高染料敏化太陽

能電池之光電流(33)

1324 相對電極(counter electrode)

相對電極於染料敏化太陽能電池中扮演快速還原I3-之角色有效

觸媒催化劑極具必要性目前白金(Pt)觸媒最為被廣泛利用但其對

於光電效率表現程度(動力學常數化學穩定度附著穩定度)深受製

作方法所影響如電化學法 (electrochemically) 與蒸鍍法 (vapor

deposited)上述兩製作方法由於穩定度不佳與還原能力不好而不適

用濺鍍法(sputtering)目前最為被廣泛利用(此亦為本研究白金電極之

製作方法)其穩定性佳製作程序簡便卻須消耗較多白金而不適用

於大量生產Papageorgiou等人則發展出熱沉積(thermal decomposition)

法(34)此方法不僅大量減少白金使用量於動力學參數化學穩定性

機械強度及透明性上皆有其優異之處只是做法上較為麻煩此外

Kay與Graumltzel亦發展利用多孔性碳(porous carbon)做為觸媒層(35)此觸

媒層為碳黑(carbonblack)石墨奈米結晶性 TiO2 粉末混合物碳

黑可連接分離之石墨片進而提高導電度TiO2 則作為黏著劑(binder)

用此項技術之最大優點在於成本花費降低然而目前效能仍較白金

觸媒差

133 染料敏化太陽能電池之文獻回顧與發展現況

於1978 年美國專利發表第一個最先使用染料敏化 TiO2 來轉換

太陽光能之元件(36)TiO2 為寬能隙 n 型半導體對空氣及水有穩定

16

之抗氧化能力(4)然而電極為寬能隙半導體係為延伸於太陽光中可見

光區域之光譜應答但仍必須與染料高濃度掺雜此專利染料使用為

N-methylp- henaziniumion此使 TiO2 光譜響應延伸至500 nm然而

此專利中所組裝之元件轉換效率相當低且穩定性亦有待商榷直到

1991年瑞士洛桑高等工業學校(Ecole Polytechnique Federale de

LausanneEPFL)之 Graumltzel 與 OrsquoRegan 發展染料敏化奈米薄膜太

陽電池取得重大之突破(43738)電極為奈米多孔TiO2使用更穩定更

有效率之過渡金屬 Ru 等有機化合物染料其光電轉換效率可達 71

而於 1997年其轉換效率達至10 ~ 11 (39)澳大利亞國際永續技

術公司(Scientific and Technical InformationSTI)徳國 INAP (Institut

fuer Angewandte Photovoltaik Solarpunkt ) 研究所荷蘭國家能源研究

所(Energieonderzoek Centrum NederlandECN)日本日立公司日

本富士公司瑞典 Uppsala 大學瑞士 Leclanche SASolaronix

等公司均於產業化研究中已取得較大之發展 過去10年中全世界各

主要實驗室與公司於不同面積太陽電池上取得不同光電轉換效率其

中瑞士 EPFL 與日本夏普公司於小面積(面積小於1 cm2)電池上獲得

超過 11 之光電轉換效率(40-43)ECN 於條狀電池(1~5 cm2)上達82

(有效面積236 cm2) 之光電轉換效率瑞士EPFL(44)日本Sharp公

司Arakawa等(45)於條狀電池(1~5 cm2 ) 上取得與小電池(面積小於1

cm2)相當之轉換效率101 (131 cm2)104 (1004 cm2 ) 與99

歐盟 ECN 研究所取得面積大於1cm2電池效率最高紀錄 (815 (25

cm2)58 (100 cm2) 平均45 ) (46)由於DSSC電池之特殊性大

面積電池之研製與產業化一直是該電池研究難點目前澳大利亞

STI 公司建立世界第一個亦為迄今獨一無二面積 200 m2 之染料敏

化奈米薄膜太陽電池平面屋頂亦顯現出未來工業化之前景該結果

17

使人們對產業化染料太陽能電池之性能極具信心 2002 年美國

Konarka 公司亦投入 1350 萬美元對以透明導電高分子等軟性薄膜

為導電極之染料敏化奈米薄膜太陽能電池進行產業化與實用化研

究該研究是基於美國軍隊對軟性與移動性較好能源轉換之應用要

求故得到美國軍方大力支持因此於能源危機之促使下全球研

究單位莫不藉由改善DSSC各部分之特性以提高效率或設計其結構

以增其實用性

圖 18 DSSC 研究發展時程回顧(4 22 24 40 47-57)

14 二氧化鈦摻雜元素材料之研究

TiO2 之晶體中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性

質之改變易有助於光催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕

18

捉電子或電洞之缺陷有助於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素

與 TiO2 共結晶添加之過渡金屬亦將於光觸媒之傳導帶與價帶之間

形成新獨立能階因此可以較低之能量使電子激發進而擴大激發光

源之使用增益對光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化

效果通常摻雜元素之量(濃度)低時較有利光觸媒活性太高會大幅

改變 TiO2 原有特性每種元素之摻雜有其特定最佳化條件

Vamathevan 等人(58)配製含 Fe3+ 或 Ag+ 之摻雜改質二氧化鈦

以蔗糖之光氧化分解成二氧化碳以進行光觸媒催化活性評估結果顯

示添加之銀離子與鐵離子皆有一最適劑量分別為銀(20 atom )

與鐵(10 atom )於最佳金屬添加量比例之外銀改質型觸媒之

催化活性會略為降低故近年來研究發現 Fe3+ 為有效之摻雜離子

(5960)Li等人(61)利用有機金屬化學氣相沈積法(metal organic chemical

vapor deposition MOCVD ) 以 四 異 丙 氧 基 鈦 (Titanium

tetraisopropoxide TTIP)和 (CH3COCHCOCH3)3NdxH2O作為前驅

物以製備摻雜 Nd3+ 之改質二氧化鈦結果顯示隨著Nd3+摻雜量

之增加改質後之二氧化鈦觸媒於可見光波長範圍之吸收能力亦隨之

增加

除此之外其他如 Mo5+Ru3+Os3+Re3+Cr3+V4+與Rh3+

以及非金屬元素N (62)之摻雜等此方面研究近年來引起相當多投入

關於稀土離子摻雜進入一般陶瓷材料之研究已進行幾十年然而近幾

年始開始出現對於稀土原子摻雜進入半導體材料之研究將Tb3+摻雜

入TiO2 粉末或是薄膜中確實可以發出綠光(6364) TiO2中分別摻雜

Eu3+Tb3+Sm3+可以明顯觀察不論摻雜之稀土元素種類改變其

相皆與純之TiO2相符合證明摻雜稀土元素進入TiO2並不會改變其原

有之結構也因而不會因此改變TiO2原有之結構特性但卻可以影響

19

其電子組態與能階分布進而改變其光電特性目前故有稀土原子摻

雜進入半導體材料之研究皆只探討其發光機制與少許光觸媒特性分

析對於直接於太陽能電池電極之應用仍極為少數

141 TiO2Eu 粉體發光特性說明(65)

針對本實驗合成之工作電極材料雖發光強度無法與商用紅色螢

光粉比擬但仍為一無機螢光體主要由主體晶格(host lattice簡稱

H)與活化劑(activator簡稱 A)兩者所構成之其化學式一般以 HA

表示活化劑因可能取代主體晶格中特定離子位置稱為摻雜劑

(dopant)

1411 主體晶格(Host)

主體涵蓋一個或數個陽離子與一個或數個陰離子結合而成一般

主體於光激發過程中所扮演之角色為能量傳遞者而主體中之陽離子

或陰離子必須不具光學活性(optically inert)如此能量之放射與吸收

均於活化中心進行陽離子之選擇條件須具如惰性之電子組態(如

ns2np6d10)或具封閉之外層電子組態(如 f0f7f14)故不具光學活性

圖 19 為週期表中可作為螢光體主體之陽離子分布圖主體之選擇對

發光強度與光譜特性影響極大其中活化劑離子所進入晶格位置之

點對稱(point symmetry)與配位數(coordination number)以及所取代主

體離子之半徑大小均決定發光之行為

20

圖 19 主體晶格之陽離子分布圖(66)

陰離子團之選擇有二一為不具光學活性之陰離子團如圖

110另一則為具光學活性(optically-active)可充當活化劑之陰離子

團如圖 111後者通稱為自身活化(self-activated)之螢光體如

CaWO4YVO4等此為週期表中可作為螢光體主體晶格之陰離子

圖 110 主體晶格中不具光學活性陰離子團分布圖(66)

21

圖 111 主體晶格中具光學活性陰離子團分布圖(66)

1412 活化劑(Activator)

活化劑一般分成兩類陽離子團與陰離子團前者須具正確之價

數後者須具自身活化能力且可產生電荷轉移作為活化劑之陽離子

一般具 (nd10)((n+1)s2) 電子組態此類呈現高放光效率或半填滿軌

域如Mn2+Fe3+等如圖 112此外活化劑之添加本質上屬於

取代缺陷故活化劑與主體陽離子之大小須相近如相差太多將造成

晶格之扭曲故活化劑之種類與主體內之添加取代量即受到限制

圖 1 12 活化劑之陽離子團分布圖(66)

22

本研究採用之活化劑為稀土離子(67)其發光特性取決於稀土離子

Eu 4f 殼層電子性質稀土離子之電子躍遷主要具以下兩種形式(1) f

- f 躍遷(2) f - d 躍遷多數三價鑭系離子發生於內層之 4f - 4f 能階

躍遷根據選擇律此種l = 0 之電偶極躍遷原屬禁戒(forbidden)

但因 4f 組態與反對稱之組態 g 或 d 發生混合使原屬禁戒之 f - f 躍

遷成為允許(allowed)且 4f 殼層上之電子受外殼層 5s24p6 之遮蔽效

應故其 f - f 能階躍遷特徵如下

(1) 發射光譜呈線性譜線強度較弱

(2) 主體晶格(host)對發射波長影響不顯著

(3) 濃度與溫度淬滅變小即使於 400~500仍可發光

(4) 螢光壽命較長

15 研究動機與目的

本論文研究基於之前眾多之成果所建立之理論基礎提出一將稀

土元素摻雜入 DSSC 之工作電極中之創新構思欲藉由類似螢光粉之

觀念於主體 (host) 中摻入活化劑 (activator) 再經由特定波段之

激發產生放光之過程放射光之波長取決於主體與活化劑之搭配此

概念之目的是要增加染料敏素之吸收率進而提升整體之效益而所

需放射之光取決於染料敏素之 IPCE(incident-photon-to-current

conversion efficiency) 值於何處有最大值關於稀土離子摻雜進入一

般陶瓷材料之研究已進行幾十年近幾年則開始有對於摻雜進入半導

體材料之研究而先前眾多研究只探討其光觸媒特性並無應用於染

料敏化太陽能電池之顯著成果其中 Eu3+具非常好之紅色可見光發光

性Eu3+離子吸收波長 300 ~ 450 nm 左右之太陽光後其內層 4f ndash4f

軌域間之轉換將可放射出 593 nm (5D0 rarr 7F1) 612 nm (5D0 rarr 7F2)

650 nm (5D0 rarr 7F3)與 697 nm (5D0 rarr 7F4)紅光範圍之可見光Black

Dye 其 化 學 名 稱 為 【 thithiocycanato 44rsquo4rdquo-tricarboxy

23

31-22rsquo6rsquo2rdquo-terpyridine ruthenium(II)】(RuLrsquo(NCS)3 Complex)且其於

610 nm 與 413 nm 有最大吸收峰且其 ICPE 值於 400~600 nm 範圍

可達 80 恰位於 Eu3+之最強放光處故研究是否可藉由此放光增

加染料之吸收進而提升激發電子量再者稀土元素之摻雜並不會

破壞原有之晶體結構卻可影響其電子能態或原子結構調整其能

隙故本研究亦透過設計雙層結構之工作電極使各層工作電極傳導

帶之相對位置更有利於電子之傳遞以增加激發電子傳導速率並

減少電子再復合機率提升太陽能電池之效率

24

第二章 實驗步驟與儀器分析方法

21 化學藥品

本研究使用之藥品皆為試藥級之純度故使用前不須進行再純化

之步驟其來源與名稱如表 2-1 所示

表 2-1 本研究所使用之藥品清單

玻璃基板

FTO 導電玻璃 [ SnO2F TCO ] Solaronix TCO22-15

15 Ωsq

編號 藥品 廠商 純度

(1) 氧化銪 [ Eu2O3 ] Sigma-Aldrich 999

(2) 鈦酸四丁酯 [ Ti(OC4H9)4 ] Acroros 99

(3) 二氧化鈦 [ TiO2 ] Degussa P25 NA

(4) 硝酸銪 [ Eu(NO3)35H2O ] Sigma-Aldrich 998

(5) 碘 [ I2 ] Merck 98+

(6) 碘化鋰 [ LiI ] Merck 98+

(7) 4-特-丁基呲啶 [ C9H13N ] Aldrich 99

(8) 第三丁醇 [ (CH3)3COH ]JTB 998

(9) 四氯化鈦 [ TiCl4 ] Aldrich 999

(10) 無水乙醇 [ C2H5OH ] Riedel-de Haeumln 998

(11) 乙腈 [CH3CN] Fluka 99

(12) 乙基纖維素[Ethyl cellulose] Fluka 99

(13) 松油醇[C10H18O]terpineol Fluka NA

25

(14) 丙酮 [ CH3COCH3 ] Riedel-de Haeumln 99

(15) 甲醇 [ CH3OH ] Fluka 998

(16) 己烷 [C6H14] Riedel-de Haeumln 99

(17) 氧化鎘 [ CdO ] 林 純藥工會株

式會社 99

(18) 油酸 [ C9H18C8H15COOH ] Aldrich 90

(19) 1-十八烷烯 [ C18H36 ] Aldrich 90

(20) 三正辛基膦 [ (C8H17)3P ] Alfa Aesar 90

(21) 硒粉 [ Se ] ACROS

995

(22) 巰基丙酸 [ HS(CH2)2COOH ] Fluka

99

(23) 四甲基氫氧化銨 [ (CH3)4NOH ] Fluka

25 wt

本研究所採用之二次去離子水為經 Millipore 公司之 Milli-Q 純水系統

所處理其電阻值為 18 MΩ-cm

22 合成方法

221 溶膠凝膠法 (Micelle and sol - gel)

此方法乃利用水油與介面活性劑之三元體系所形成之混合溶

液利用其極性相近物質之相互聚集為理論基礎其中之介面活性劑

將扮演不相容物質彼此間之橋樑其中量少之一方將以微胞或微乳液

之形式存在微胞之形狀將隨著加入試劑之濃度差異而形成各種不同

26

形狀所選取之反應物須存在於微胞中而形成溶膠以利進行凝膠化

之反應於微胞中溶膠 (Sol) 之定義為極小之膠體粒子因凡得瓦

爾力與電雙層作用下產生布朗運動而均勻分散於系統中而形成所

謂溶膠與凝膠 (Gel) 為經過水解 (Hydrolysis) 與縮合 (Condensation)

反應後分子單體經由鍵結而逐漸形成大分子之凝膠狀態溶膠‐凝

膠法之基本步驟為利用金屬醇化物或金屬鹽類溶於水或醇類等溶劑

中進行水解與縮合反應所形成之凝膠產物之性質及結構與製備過程

之條件具密切之關係例如反應原料之種類濃度溶劑溫度

壓力pH 值等因素溶膠-凝膠法於形成薄膜與塊材方面具顯著之優

點且溶膠易形成摻雜故可製備均勻分布及可調性之多種複合材

料介面活性劑之功能為抑止成長中之晶體持續成長故控制微胞之

形狀即可改變晶體之形狀首先須控制溶液中之相對組成與溫度才

能達到形成微胞之條件且微胞之尺寸均於微米級以下故此微胞可

視為一種微反應器總而言之溶膠凝膠為一種膠狀懸浮液藉由膠

化作用得到固體其產生之多孔性凝膠可藉由化學方法之純化及高溫

退火之程序得到高純度與高結晶性之氧化物

222 水熱法 (Hydrothermal)

水熱法為於液相中配製超奈米材料之濕化學方法研究之溫度

範圍於水之沸點與臨界點(374oC)之間一般反應過程中維持100 ~

250oC之溫度與03 ~ 40 MPa之蒸汽壓之高溫高壓環境下反應溶劑

因高溫高壓條件下而達到其臨界點時對固體物質之溶解度增加

因而達到加速反應進行之效果此方法可提供製備一維奈米材料之新

途徑水熱法具下列幾項特點(1) 利用水熱法可直接於溶液中合

成粉體(2) 於大部分之水熱過程中長晶之程序已經完成故不須

再經過煅燒(3) 利用溫度之調變可控制粉體之尺寸(4) 利用不同

27

之起始物可得不同型態之粉體故水熱合成法可製備之材料相當廣

泛涵蓋金屬氧化物複合氧化物等數十種粉末合成之粒子大小

範圍介於01微米至幾十微米經過濾洗滌與乾燥等過程獲得之

晶體其結晶性佳團聚情況少產率高與較窄之細微性分布因此可

得純度高且細微性均勻之各類材料

23 實驗流程

本研究以兩種不同前趨物與合成方法製備 TiO2Eu3+ 之工作電極材

料分述如下

231 TPT[鈦酸四丁酯Ti(OC4H9)4 Tetrabutyl titanate]系列

此系列之奈米粒子為透過溶膠凝膠法後經水熱法及燒結而成首

先按所需之化學配比 (stoichiometry) 秤取適量之 Eu2O3並置入 100

mL 之三頸瓶中加入 9 mL 之 1 M 硝酸溶液60 mL 之去離子水(使

整體之 pH 值小於 2)激烈攪拌 30 分鐘再緩緩滴入適量配比之鈦

酸四丁酯 Ti(OC4H9)4 (Tetrabutyl titanateTBT)並激烈攪拌 1 小時

上述溶液之溫度控制於 80oC 並持續攪拌進行迴流程序時間為 10 小

時再置入 125 mL 之鐵氟龍 (telfon) 杯中並封入不鏽鋼壓力釜

(autoclave)進行水熱法溫度控制於 227oC時間為 12 小時可得白

色之膠體再以酒精反覆沖洗後於高溫 500oC 下退火 6 小時即可

得 TiO2Eu3+白色奈米粒子詳細合成流程如圖 21 所示

28

Eu2O3 and 9 mL aqueous nitric acid (1M) solution are added to 60 mL DI water with pH lt2

After vigorously stirring for half an hour 10 mL tetrabutyl titanate Ti(OC4H9)4 is slowly dripped into the above solution with vigorous stirring for 1 h

The mixture is then heated to 80oC with continual stirring for 10 h

Hydrothermal treatment in the autoclave at 227oC for 12 h

After repeatedly washing with ethanol the white slurry is annealed in air for 6 h at 500oC

圖 21以溶膠-凝膠法與水熱法合成TBT系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

232 P25(Degussa P25 TiO2)系列

按適量之化學配比秤取商用之二氧化鈦粉末(Degussa P25)與

Eu(NO3)35H2O置入裝有 30 mL 去離子水之 100 mL 燒杯中室溫

下激烈攪拌 2 小時將上述之白色溶液置入 125 mL 鐵氟龍 (telfon)

杯中並封入不鏽鋼壓力釜 (autoclave)進行水熱法溫度控制於

150oC時間為 48 小時待冷卻至室溫後將所得之白色膠體以去離

子水反覆沖洗其目的為去除表面殘餘之 Eu(NO3)35H2O爾後於

350oC 之溫度下退火 2 小時即可得白色 TiO2 Eu3+白色奈米粒子

詳細合成流程如圖 22 所示

29

Commercial TiO2 powders (P25) and europium nitrate was added to 30 mL of an aqueous solution under vigorous stirring

After stirring strongly the slurry was heated at 150oC for 48 h by hydrothermal method

After hydrothermal treatment repeated centrifugation and wash with distilled water (4 time repeated)

Annealed at 350oC for 2 h

圖 22 以水熱法合成 P25 系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

24 樣品鑑定分析

以 X 光粉末繞射儀(X-ray diffractionXRD)Rietveld 精算法鑑

定材料之純度與長程有序晶體結構以穿透式電子顯微鏡

(Transmission electron microscope TEM) 與掃瞄式電子顯微鏡

(scanning electron microscopeSEM)分別鑑定材料之結構與表面型

態利用比表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

ASAP) 分析粉體之樣貌與比表面積利用光激發光光譜儀

(photoluminescencePL)分析電極材料之激發光譜與放射光譜特性

以拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum) 測定分子之振動模式

以判定晶相與原子結構以紫外-可見光擴散式反射光譜(UV-Vis

diffuse reflectance spectra UV-Vis DRS ) 分析固態粉體於紫外光與可

見光其吸收特性利用 X 射線光電子能譜儀(X-ray Photoelectron

30

SpectroscopyXPS)分析表面元素組成與原子能級結構以 X 光吸收

光譜 (X-ray absorption spectroscopyXAS)之 X 光近吸收邊緣結構

(X-ray absorption near edge structureXANES)決定樣品中元素之價數

與電子結構茲將各實驗儀器分析之過程與原理分述於下列各節

241 粉末 X-光繞射儀(X-ray diffraction XRD)

2411 X-光繞射工作原理

X 光為一種短波長之電磁波其波長約為 10 Aring(10-10 m)陽極放

射出之 X 光由連續性不同波長之 X 光所組成故稱之為連續性 X

光譜(continuous X-ray spectrum)或白色 X 光但隨著外加電壓增大

連續性 X 光譜之波長分布範圍與其光線強度將隨之增大當電壓加

至超過門檻電壓(threshold voltage)或激發電壓(excitation voltage)時

除發生連續性 X 光譜外另將產生某些特定波長之 X 光稱之為特

性 X 光(characteristic X-ray spectrum)如圖 231(a)X 光粉末繞射儀由

電子槍產生電子如圖 231(b)所示此電子藉由 40 keV 之工作電壓

加速撞擊金屬靶材(常用之靶材為銅靶)將其靶材中 K 層(1s)電子撞

出電子游離後形成之電洞隨即由L層(2p)電子填補並伴隨X光釋出

31

Characteristic peaks

Continuous radiation

Energy

High-energy Ka

stimulusLaKb

lswl

Int

sity

e

m

Low-energy stimulus

enof

itted

rad

iatio

n冷卻水

真空 璃

接變壓器)

鈹窗 聚焦罩

銅X射線 鎢絲

靶(陽極)

X射線

管座(

Wavelength

Short wavelength limit a) b)

圖 231 (a)銅靶之 X 光光譜 (b)封閉式 X 光射線管

角動量子數之變化必須為plusmn1 (l = plusmn1)如由 L 層

(2p) 子填補 K 層(1s)電洞即 2p 1s 轉移(transition)並伴隨 X 光釋

如圖 232 所示此段波長之 X-ray 定義為 Kα波長為 15418 Aring

同理 3p 1s 則定義為 Kβ波長為 13922 Aring一般 Kα比 Kβ之強度較

強而 Kβ較 Kα之能量為高但由 p 1s 之轉移中因 2p 軌域具二

種不同型式之 Kα1與 Kα2

很難分辦但易與 K 一般常使用鎳單色光濾片(nickel filter)將

Kβ濾除(cut o

( ((68)

一般 X 光所使用金屬靶材之波長如表 22 所示以銅靶為例當

外加電壓促使電子高速撞擊銅靶之 K 層(1s)電子使其內層電子游離

並產生電洞依據吸收選擇定律(selection rule)當電子從一能階躍遷

至另一能階時其

2

自旋態(spin state)故產生 Kα1與 Kα2一般

β分辦

ff)

32

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長(69)

Target Kα1 Kα2 Kz Cr 22896 22935 22909

Fe 19360 19399 19373

Cu 15405 15443 15418

Mo 07093 07135 07117

Ag 05594 05638 05608

z is the intensity-weighted average of α1 and α2

圖 232 X 光原理示意圖Cu 1s 電子游離後形成之電洞由 2p 電子

填入並伴隨 X 光釋出(69)

德國科學家勞爾 (Von Laue) 於 1912 年提出 X 光進入晶體後因

干涉 年布拉格 ( 學

理論

稱為布拉

作用而產生繞射現象同 Bragg) 將勞爾提出之數

改以較簡潔之數學式導出 X 光之繞射條件如圖 233 所示

設晶面距離為 d入射光與晶面之夾角為 θ當入射光被二相鄰晶面

所反射二反射光束會有一光程差若此光程差為波長之整數倍(n

為正整數)時亦即當此二反射光束同步各光波之振幅具加成之效

果而形成建設性干涉合成波滿足此條件即可產生繞射

33

格定律(Braggrsquos Law)

2 sind nθ λ= (21)

晶體之 X 光繞射實驗提供兩項重要訊息(1) 繞射峰位置 2θ

(2) 為繞射峰強度(I)第一項訊息提供晶體之晶胞形狀大小(即晶格常

數)之資料第二項訊息提供晶體內部組成原子種類與位置之資料

隨材料之晶體結構與組成變化每個晶體此兩項資料各不相同因此

可利用 X 光繞射法分析材料屬何種礦物晶體或結晶材料

圖 233 X 光繞射之示意圖

2412 XRD 實驗儀器

粉末樣品之 X 光繞射分析係採用 PANalytical XrsquoPert PRO X-ray

powder diffractometer(XRD)型繞射儀其以銅靶(Cu)為光源功率為

3 kW放射光源 Kα1之波長為 15406 Aring操作時使用之電壓與電流分

別為 40 kV 與 40 mA 之條件下進行粉末繞射分析實驗其中 2θ繞射

角掃描範圍為 20 ~ 80 度每間隔 002 度讀取一次數據掃瞄模式為

2θθ將分析樣品平鋪於樣品槽(sample holder)置於圖 24 之旋轉中

心此時將繞射測角儀做旋轉偵測器則與出射光之夾角 2θ入射

光與槽座之夾角為 θ利用同步紀錄之系統而得各繞射峰之強度與角

34

度(2θ)之分布關係

圖 24 X-光粉末繞射儀(PANalytical XrsquoPert PRO XRD)

析然而中子繞射之儀器普遍性不佳利用Rietveld法可

分析

度(於本研究中以2θ量測範圍為0 ~ 180度間格為001度停留時間為10

因此可避免重疊峰之分解問題

2413 結構精算(70)

GSAS 程式採用 Rietveld 全光譜精算法 (Rietveld full pattern

refinement method簡稱Rietveld法)做結構精算Rietveld法為1969 H

M Retiveld所提出適合分析由X-光與中子粉末繞射所得之數據利

用結構精算可得物質之物理與化學特徵性質然而多數之物質不易合

成單晶之形式多數乃以多晶或粉晶存在最早則以中子粉末繞射之

數據加以分

X-光粉末繞射所得之數據使得分析晶體結構之研究之可靠性大

幅提升

Rietveld法主要為以階梯之模式(step scan)掃描其每一步之峰形強

秒)而不用整個繞射峰之積分強度

35

2ci k k k k biy S L F HT P y= Φ +sum利用此計算方法所得之繞射強度 ( S為

比例常數Lk乃涵蓋勞倫茲極化與多重性因子Fk為結構因子Tk

為穿透因子Pk為優先取向H為反射波形函數ybi乃背景強度)用

以模擬觀察所得之繞射強度(yoi)使由假設結構模型計算出之繞射圖

形與實驗量測之繞射圖趨於一致 並使最小方差擬合之殘差R為最

2( )R Wi ci oiy y= minussum 2 ( 2)

計算所得之繞射圖譜與測量所得之圖譜其相吻合之程度是由所

謂擬合參數(reliability factor)即R值決定一般以R值小於10為可

接受之最低要求常用有Rp與Rwp

oi ciP

oi

y yR

yminus

= sumsum (23)

)(( )

2

2WPRW y

= i oi ci

i oi

W y yminussumsum (24)

i較大

而一般認為Rwp較具代表性意義之擬合度判斷依據並定義

式中Wi為加權指數ㄧ般僅繞射峰存在其繞射強度之W2χ 即

ldquogo

odness of fitrdquo用以表示分析之品質

( )χ 2 =minusM

N N (25)

O V

其中M為minimization functionNO為step scan所得之繞射圖點

數NV為精算時所使用之變數個數利用最小平方差擬合與傅立葉

(Fourier)合成求得之電子密度函數進而得知粉體之晶格常數鍵長

鍵角等結構參數

Rietveld法為一可將晶體結構解析最完善之方法然而並非所有

36

之結構皆有其詳盡之原子座標位置Le Bail 法為1988年法國晶體學

家Armel Le Bail所發展利用電腦程式模擬將原本錯誤之原子位

置移動至較符合粉體模型之位置稱為整體性之最優化(global

optimization methods)或稱直接空間方法(direct space methods)利用

此方法可對於新

合成或未有詳盡之原子座標資訊給予空間群與晶格

常數之資料

圖25 晶體繞射結構解析之一般流程

37

242

型號為HITACHI S-4000其電子

槍為冷場發射式

圖26 掃描式電子顯微鏡(NDL)HITACHI S-4000

掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope SEM)

掃描式電子顯微鏡主要由真空系統電子槍透鏡組與偵測器組

成其成像原理為利用一束具有5 ~ 30 KV能量之電子束經過聚焦

镜使發散之電子束能聚集成一微小電子束掃描線圈作用於偏折電子

束使其能於試片表面進行二維之掃描工作另一功能為觀測試片時控

制倍率之放大與縮小爾後電子束經過物鏡即如同光學顯微鏡原理相

同但此時調整項圈(coil)所造成之磁場控制電子束進行最後對焦動

作完成對焦讓電子束與試片作用激發出二次電子背向散射電子

Auger電子連續X光與特徵X光等一般SEM為利用二次電子進行成

像因二次電子之信號主要源自電子束下方之區域能提供高解析之

影像而背像散射之電子亦能作為信號之來源當電子束掃描試片表

面時偵測器同時偵測由表面射出之二次電子強度輸入至同步掃描

之陰極射線管同時顯示試片之影像而陰極射線管上同步點之亮度與

對比則根據偵測到之訊號強度進行改變利用此方式試片表面之特

徵狀況即可逐一表現出來如圖26所示本實驗乃使用國家奈米元

件實驗室之掃描式電子顯微鏡其

(field emission)

38

圖27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖(71)

243

於偵測器上形成不同亮度

穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron MicroscopyTEM)

穿透式電子顯微鏡系統設計如圖 28 所示由電子槍(electron

gun)發射電子束經過一組磁透鏡(condenser lens)聚焦後以遮蔽孔

徑(condenser aperture)選擇電子束尺寸大小(beam size)後通過一組控

制電子束之掃描線圈再透過物鏡(objective lens)聚焦入射至試片

上於試片上側裝一訊號接收器用以選取二次電子或背向散射電子

成像此種儀器之優點為所需之樣品量很少且其解析度可達到原子

級之層次(10-10 m)若樣品含多電子原子則電子束將無法穿透樣品

於偵測器上顯示之亮度較暗電子束可穿透之樣品於偵測器上形成較

亮之點利用不同物質具不同電子密度之性質經電子束之穿透過程中

原子核對電子束產生之折射程度之差異性

對比之影像即為樣品之形狀和結構

但以下幾點須注意(1) 真空下要穩定 (2) 若是揮發性之物質在經電

39

子碰撞後容易消失此儀器除可用以鑑定物質之型態大小與內部細微

結構外亦可進行電子繞射而電子繞射圖可用以觀測樣品之結晶度

格常數

一天後再將銅網放置於儀器之樣品槽中調

整好儀器即可觀測

表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

好壞與計算晶

樣品製備

將欲觀測之粉末樣品取極少量溶於乙醇溶液中置於超音波震盪器中

約10分鐘使粉末均勻分散於溶液中爾後再利用已鍍上一層多孔性

碳膜之銅網放置於溶液中撈取預分析之樣品拿出銅網後用拭鏡紙將

多餘之乙醇拭乾並風乾

圖28 TEM電子腔內部結構示意圖

244 比

ASAP) 先將適量樣品 200oC 除氣(degas)至壓力為 3 times10 -3 torr以去除樣

品上之吸附水氣與其它吸附物質並於 77 K 下進行氮氣等溫吸附

40

利用 BET 公式求得比表面積利用 BJH 公式求得脫附曲線之孔洞分

態相似而於高分壓相異之行為則是因為 H4

隙較 H3 窄之緣故

291 IUPAC 制定之物理等溫吸附-脫附分類圖

布(pore size distribution)

氣體吸附曲線之型態會隨著材料之孔徑結構成分溫度及吸附

分子種類而不同 (圖 291)氣體吸附曲線 IUPAC 定義為下列六種型

態第一型為典型微孔材料第二型通常是無孔材料或孔徑較大之材

料第三與第五型曲線發生於當吸附分子間親和力大於其與固體材料

表面間作用力時之模式第四型為中孔材料於高分壓時會產生遲滯

迴圈(hysteresis loops)而第六型為一結構近乎完美均勻之表面所造成

之吸附曲線根據 IUPAC 之分類遲滯迴圈依其型態可分為四種型

態(圖 292)H1型常為規則圓柱狀孔洞材料或由規則球狀體間孔隙所

造成而 H2 型遲滯迴圈之形成通常表示材料中之孔洞與形狀較不規

則H3與 H4型迴圈之型

41

圖 292 IUPAC 制定之遲滯迴圈型態示意圖

245

T) 收集

光並測量其螢光強度並以 DataMax 軟體分析光譜資料

光激發光譜儀(Photoluminescence PL)(65)

光激發螢光 (photoluminescence PL) 光譜儀乃為簡便與精準地

檢測發光材料之光特性於本研究中採用FluoroMax-3測量螢光材料

之激發光譜(excitation spectra)與放射光譜(emission spectra)如圖

210 所示光源為利用氙弧燈提供一寬波段之激發光源為得高解

析之螢光量測數據入射光源須為持一特定之波長藉由單光器

(monochromater)之狹縫 (slit) 將光源出射光分成特定波長之入射

光入射光之能量被螢光粉體吸收後螢光粉體將發射另一特定波長

之光段打至發射光之單光器如同激發光之單光器只允許某一狹

窄之波段通過再利用光電倍增管 (photomultiplier tube PM

42

圖 210 螢光體光譜量測過程

圖211為本研究所使用之FluoroMax-3光譜儀各結構實際之配

置其包含七大主要部分涵蓋

1 Xenon光源與其保護座

1a Xenon光源電源裝置(power supply)

1b Xenon光源閃光(flash lamp)

2 入射光源單光器(excitation monochromator)

3 樣品放置槽(sample compartment)

4 發射光源單光器(emission monochromator)

5 偵測器[signal detector (photomultiplier tube)]

6 參考偵測器[reference detector (photodiode and current-acquisition

module)]

7 儀器控制電子元件(instrument control)

實驗之過程光源由圖中1部分發射而將螢光粉體置於樣品槽

43

內並置於圖中3之樣品放置槽圖中7為連接電腦控制藉由控制圖

中2與4之單光器則分別進行激發光譜與放射光譜之實驗由光電倍增

管放大(圖中5)而收集其中激發光譜可由圖中6偵測Xenon光源之訊

號並校正若進行比較發射光譜之絕對強度實驗過程則控制實驗之

時間於兩小時內完成此時期之光譜經穩定度量測誤差值座落於3

以內所得之發射光譜強度比較為可信之數值圖 212則為儀器之

實際外觀

圖211 光激發光光譜儀構造

44

圖212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀

246 拉曼散射光譜儀 (Micro Raman Scattering Spectrometer)

當光源照射於物質表面時光子會與物質之原子分子產生交互

作用造成能量之交換或動量之改變若無能量交換僅方向改變為

彈性碰撞稱為瑞立散射 (Reyleigh Scattering)若方向改變又有能量

交換為非彈性碰撞稱為拉曼散射 (Raman Scattering)當拉曼散

射光與物質相互作用時會與物質內之原子分子之振動頻率耦合

即可於入射光頻率之兩邊產生正或負之頻率位移此一頻率位移之數

值與物質內原子分子振動頻率相當此位移即為拉曼位移(Raman

Shift)此頻率位移可用下式表示

sυ υ υΔ = minus (26)

υΔ 代表拉曼散射光與入射光頻率差υ 代表入射光子之頻率 sυ 代表

散射光子之頻率

45

247 紫外可見光擴散式反射光譜(UV-Vis diffuse reflectance spectra

UV-

描範圍為200 nm至800 nm並以Spectra Calc

體收集光譜訊號

247

分光波被反射與散

另一部分光透過其餘之光才被物質吸收

Vis DRS)(72)

本研究乃將定量之粉末置於石英圓盤上再將其放置於樣品槽

相對於 BaSO4 作為參考物於室溫下以Hitachi-U3410紫外-可見光光

譜儀分析其擴散反射式光譜(diffuse reflectance spectrum)光譜掃描之

速率為120 nmmin掃

1 固態粉體之吸收光譜

吸收光譜顯示光照射於發光材料時其激發波長與材料所吸收能

量值之關係激發波長照射於發光材料時一部

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖

46

只有被吸收之光對材料之發光產生作用然而非每一被吸收光其

所有波長皆能引起激發作用因此研究吸收光譜可知哪些波長之激發

光被吸收吸收率為多少此對研究材料之發光過程為一重要課題

發光材料對光吸收公式可表達為

( ) 0( )K xI I e λ

λ λ (27)

式 27中I0(λ)為波長為λ之光照射至材料時之發光強度I(λ)為光

通過厚度為X之材料層後其發

minus=

光強度Kλ為吸收係數Kλ隨照射光波

長變

表面(圖 214)即使壓製成

錠依舊有部分光以散射釋出(圖 215)

化之曲線稱吸收光譜

因發光材料為粉末晶體故難以測出其吸收光譜一般則是測試

反射光譜用以確定其吸收光譜由 Kλ(吸收) = 1-Kλ(反射)得出材料之吸收

圖譜Kλ(反射)為被測材料之反射係數當其散射與穿透很小時可測得

然多數之物質其粉體非規則排列成一平整

粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚

度其公式如下

圖214 圖215

擴散式反射光譜儀則利用Schuster-Kubelka-Munk理論其中假設

無規則之反射光束

2(1 )( )2

R kF RR s

infininfin

minus= = (28)

infin

47

其中k為吸收係數s為散射係數一般量測與標準品相對之反射值Rinfin

而非量測絕對值之反射值其中標準品為白色固體粉末常見有KBr

用於IR(43500 ~ 400cm-1)波段BaSO4MgO作為紫外光至可見光波

段之標準品

圖216 Hitachi-U3410紫外-可見光光譜儀

248

於超高真

下操作故最好將樣品溶劑先行抽乾以免污染儀器

X射線光電子能譜儀( X-ray Photoelectron SpectroscopyXPS )

其原理為一束X光射線入射至樣品表面藉由光電效應將某一能

階之電子激發為光電子爾後經由分析光電子動能即可獲得關於表

面元素組成與元素之化學環境當數個原子鍵結成一化合物時其於

化合物中之結合能明顯與純原子時不同內核層電子之束縛能亦有不

同之變化即為一般之化學位移(Chemical Shift)分析束縛能之變

化便可獲得材料中之電子結構與化學鍵結之訊息其所造成之能譜

位移可用以區分不同氧化態之元素偵測深度約為5 nm (除氫元素外

皆可偵測)樣品製備將粉末樣品先行打錠經除水與抽真空之前

處理後送測放入儀器之樣品室中進行分析由於儀器是

48

24

分析與 TEM 等

結果

μ 表示材料單位厚度對X光之吸收則以式29以表示其相互之關係

9 X 光吸收光譜 (X-ray Absorption Spectroscopy XAS)(73)

同步輻射為接近光速之電子受加速度而產生之電磁波其可提供

連續波長可調能量範圍寬廣之光源並具光點小強度高與準直性

佳等特性近二十年應用同步輻射 (synchrotron radiation) 光源於 X

光吸收光譜之技術愈趨成熟使 X 光吸收光譜成為一項分析物質結

構之利器利用同步輻射光源對材料進行 X 光吸收光譜研究主要

包括 X 光吸收近吸收邊緣結構(X-ray absorption near-edge structure

XANES)與延伸 X 光吸收精細結構(extended X-ray absorption fine

structureEXAFS)其中 XANES 用於檢測材料中特定原子之電子組

態而 EXAFS 則測定原子之局部結構(local structure)可得知原子與

其鄰近原子間之距離種類及數目等X 光吸收光譜可發揮於原子短

程結構與電子組態上之優點與傳統 XRD 長程有序

相互配合可更加了解奈米材料之結構特性

當物質受到X光照射而吸收X光可用吸收係數 μ 表示其吸收之

程度若以I0表示入射X光之強度I 表示穿透光強度樣品厚度為 x

0 exp( )I I xμ= minus (29)

現象會隨X光能量增強而逐漸平

地降低構成吸收光譜之底線

若X光能量改變即使物質中之原子不吸收不散射等因素測得之

穿透光強度仍較入射光強度減小此

49

2491 X 光吸收近吸收邊緣結構 (X-ray Absorption Near-Edge

Structu XANES)

有關吸收原子之電子

組態價數及其所處晶格位置之對稱性資訊

re

當 X 光能量逐漸增強至物質中所含原子之吸收能量(absorption

edge)原子內層電子開始吸收 X 光之光子躍遷至外層之空軌域

造成吸收係數激增即形成 X 光吸收近吸收邊緣結構(XANES)於

吸收邊緣前與後各 30 eV 區域內之一些圖譜特徵包含吸收前緣之突

起躍昇區段上之肩部主峰之相對高度甚至吸收邊緣之位置(常

以躍昇段之第一個反曲點能量為視之)統稱為 XANES如圖 217

所示為 Ti K-edge 之 XANES 示意圖其可提供

圖217 Ti K-edge之XANES示意圖

50

25 染料敏化太陽能電池之組裝與特性分析

251

工作電極漿料之製作對於太陽能電池效率而言為最重要且最關

鍵之步驟本實驗採用奈米級粉體作為主要材料由於顆粒小其比

表面積大可使染料吸附量增加但如此微小粒子亦容易因凡得瓦

力庫倫力等發生團聚現象團聚現象對於粒徑小於 10 μm 之顆粒尤

其明顯因此於漿料之製備過程中必須透過機械攪拌及超音波震盪

等方式使其均勻分散本實驗漿料為參考 Seigo 等人於 2008 年所

發表之論文 製備首先秤取適量先前合成之二氧化鈦粉末加入配

ethyl cellulose分別為 5-15 mPas 與 30-50

mPas)膠體溶液松 terpineol)無水乙醇上述混合物置入單頸

瓶中激烈攪拌約 10 小時並減壓抽氣濃縮以去除乙醇再以超音

1 小時即完成漿料製備

252 導電玻璃清洗

[fluorine-doped tin oxide

FTO](尺寸23 x 30 cm)以中性清潔劑初步洗滌之後浸泡於丙酮溶

劑內並置於超音波震盪器內 10 分鐘丙酮可溶解油漬與黏膠卻

對 FTO 無影響可防止製備工作電極薄膜中出現裂痕及缺陷接著

使用去離子水同樣於超音波震盪下清洗玻璃最後再以乙醇於超音波

作用下洗滌乙醇可以溶解大部分之有機溶劑包括丙酮

璃之電阻)乙醇清洗完後將導電玻璃置入烘箱中以 70oC 烘烤 30

分鐘以去除殘餘有機物

3 電池組裝與特性測試

FTO 玻璃固定於網印機機台上利用網印法(如圖

FTO 玻璃上(工作電極面積

工作電極漿料配製

(74)

製好之兩種乙基纖維素(

油醇(

波震盪

首先將摻雜氟之二氧化錫導電玻璃

(會增加玻

25

(1) 將清洗完成之

218 所示)將製備好之漿料均勻塗佈於

51

複以上動作直到所

其表面於室

Black dye 溶液中放置

染料敏化太陽能電池有關組裝之詳細流程圖如圖 219 所示

需之膜厚或者所需要之雙層或多層結構設計

(2) 將鍍膜完成之工作電極置於 40 mM TiCl4 乙醇溶液中並置入 70oC

烘箱中 30 分鐘取出後以去離子水及乙醇交替潤洗

溫下乾燥後置於方形爐中 500oC 煅燒 30 分鐘

(3) 將製備好之工作電極薄膜浸泡於 02 mM

室溫暗室浸泡 24 小時使其自行吸附

(4) 待二氧化鈦電極吸附染料步驟完成後利用乙腈(acetonitrile)清洗

工作電極表面靜置乾燥後即可得已製備完成且吸附染料分子

之二氧化鈦薄膜電極首先將氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑

金屬之相對電極之空隙中再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結

合並防止氣泡產生以長尾夾固定既可完成此三明治結構之

圖 218 網印機塗佈示意圖

52

TiO2 (or TiO2Eu3+ ) powder

1 Screen printing on FTO (15Ωsq)

(A active=016cm2) 2 DryingRT 3 Gradually heated under an airflow at 325oC 5min 375oC 5 min 450oC 15min and finally at 500oC 15 min

1+ Two kind ethyl cellulose solution (5ndash15mPas and 30-50 mPas) + Terpineol + pure ethanol 2 Stirring10 hr 3 Rotary-evaporator (40oC) 50 min 4 Sonication 30 min

paste

Repeated until desirable Film thickness was obtained

TiO2 film FTO

1 Immersed in TiCl4 EtOH 70oC (30 min)2 Calcined 500 oC 30 min in air flow 3 Soaked in black dye (02 mM )

DyeTiO2 film FTO

1 Put the spacing film aside the TiO2 film2 Combined with sputtered Pt electrode3 Injected the ImacrI3- electrolyte

DSSC

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖

53

254 染料敏化太陽能電池性能測試

2541 電流電壓效率曲線(I-V curve)量測

於太陽能電池效率量測方面由於太陽光光譜將不斷變動因此

必須有一套國際量測標準目前國際上太陽能電池量測主要以美國

ASTM G-159 (Air Mass 15) 為主由於太陽光入射角度會隨著穿過

大氣層厚度之不同而隨之改變一般以大氣質量數 (Air Mass AM)

表示並規定太陽光在大氣層外直接垂直照射稱為AM 0太陽光與

地球表面夾角為90deg時稱AM 1而入射太陽光與地表之夾角為4819deg

時則為AM 15將完成之電池元件進行效能測試其光電轉換效率值

之檢測系統如圖 220 所示此檢測系統中為選擇300瓦(W)氙燈光源

模擬太陽光(AM 15)光源於開啟後須熱機10分鐘為避免檢測時因

光源不穩定而造成量測誤差並利用一標準單晶矽電池(效率值約為

1173 )以調整入射光源強度為100 mWcm2

將電池置於待檢測位置接上正負電極後利用電源電錶儀

(Keithley 2400) 控制輸出電壓並量測輸出電流值以獲得電流-電壓

曲線(I-V Curve)並藉由所得之I-V Curve圖中可獲得開路電壓(Voc)

閉路電流(Isc)填充因子(FF)與光電轉換效率(η)等評估電池效能之參

數其中短路電流乃指太陽能電池於無負荷狀態下外部電路短路

時之輸出電流此時電壓為零於理想之狀態下太陽能電池之短路

電流即等於照光時所產生之光電流而開環電壓即為太陽能電池於負

載無限大之狀況下為外部電流斷路時所量到之電壓此時之輸出電

流為零轉換效率可定義如下

max ( )P Isc Voc FPin Pin

η Ftimes times= = (210)

其中 Pin 為入射光功率FF因子定義為電池輸出最大功率

54

(Pmax)與理想最大功率之比值關係如下

max max max P I VF FIsc Voc Isc Voc

times= =

times times (211)

由上式可知此 FF 值為表示太陽能電池電壓電流表現與理

想行為間之差異此值受電池內部串聯並聯電阻工作溫度照光

強度等影響

圖220 電池光電轉換效率值檢測系統

圖221 太陽能電池I-V 特性曲線示意圖

55

2542 入射單色光之光電轉換效率量測(incident photon to current

convers-ion efficiencyIPCE)

IPCE 為單位時間內外電路中產生之電子數目 Ne 與單位時間內

入射單色光光子數目 Np 之比如其理論計算式為

2 2 [1240 ( )] [ ( ) ( )] 100SC incIPCE J A cm nm I w cmλ= times times times (212)

式中 JSC 為短路電流密度λ為入射光之波長Iinc 為入射光強度

從式中可看出奈米多孔膜(如TiO2)之比表面積越大吸附染料分子

越多光吸收效率就越高光電轉換效率測定系統可得到單一波長之

光電轉換效率根據此數據可瞭解整個光譜裡不同波長範圍之光對

電流之貢獻得到 IPCE 對波長之光譜與吸收光譜不相同因既

使能吸收光亦未必能有效轉換成電流本量測系統涵蓋以下主要組

(1) 光源500 W Xe lamp能發射全波長之光

(2) Water filter過濾光源發出之紅外光減少紅外光引起之熱

(3) 單光器(monochromator)以光柵選擇波長並投射至樣品

(4) 光強度偵測器偵測投射波長之強度

(5) 定電位定電流儀Keithley 2400用以讀出電流訊號

待測樣品經過不同波長之光照射時會反映出不同程度之光電流經

定電位定電流儀讀出電流值並記錄下來本實驗每隔10 nm 之波長

記錄電流值範圍從 350 nm 至1000 nm紀錄所有之電流值後再

經光強度偵測器量測各波長光線之能量將電流與光能量帶入式

212計算後即可得到各波長光線之光電轉換效率IPCE ㄧ般亦反

映至電池總效率上IPCE 越大則效率越高

56

圖222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖(75)

2543 電化學阻抗分析(Electrochemical impedance spectroscopy

EIS)(76)

交流阻抗定義

阻抗 = 電壓電流

交流阻抗定義阻抗 = 電壓電流 ( ( )( )

V fZI f

= )

其中電壓與電流之值會隨著頻率( f )變動而改變阻抗其實是由實部

阻抗(Zrsquo)與虛部阻抗(Zrdquo)所構成表示法為 Z Z jZ= minus

其中 Z 實部阻抗(real impedance) Z 虛部阻抗(imaginary impedance)

j = 1minus 而 Z Z Z θ (相角)之間關係如圖 223 所示

57

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

圖 223 Z Z Z θ 之間關係圖

交流阻抗測量過程如下

施加一小振幅之交流電壓(大多為正弦波訊號)使電極電位於平

衡電極電位附近微擾當達到穩定狀態後測其響應電流訊號之振幅

(magnitude)及相(phase)進而求得阻抗(impedance)然後依據所設

想之等效電路(equivalent circuit)透過阻抗圖譜之分析以及 Z-plot 程

式進行參數擬合精算以求出電極之動力學參數測量方式將組裝

好之電池於光源之持續照射下達到一穩定之電壓以電化學分析

儀(CHI 611C)測量選擇「AC Impedance」模式給予一個振幅為

10 mV 之交流電壓掃描頻率設定為 105 Hz 至 005 Hz

(a)

58

(b) high

medium low

圖 224典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖(77)

從典型之電化學阻抗圖譜可於奈氏圖(Nyquist plot)觀察到三個

半圓形之訊號參照圖 224b 依序從左至右分為高頻區 (high

frequency)中頻區(medium frequency)低頻區(low frequency)其所

分別代表之意義為(參照圖 224a )

高頻區電子於白金相對電極與電解質介面(Pt-FTOElectrolyte)之間

之傳輸阻抗

中頻區電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗

低頻區碘三負離子(I3minus)於電解質中之擴散阻抗

於經過電化學阻抗測量之後所得到之圖譜參考 Wu 等人之文獻

(78)設想之等效電路如圖 225 所示

59

FTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSCFTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSC

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

keff

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

EIS raw rata - P25 TiO2 (12 μm)

magnitude

phase

|Z| = ( |Zrsquo| 2 + |Zrdquo| 2 )12

θ = tan-1 ( |Zrdquo| |Zrsquo| )

=gt |Zrsquo| and |Zrdquo|

input output derived

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析

60

經過電化學阻抗分析過後原始數據如圖 226 所示經由等效

電路假設之後並進一步使用 Z-View 軟體效正並參考 Adachi 等人(79)

所發展之模式可以得到下列參數

(1) L (μm) 電極膜厚 (film thickness)

(2) keff (s-1) 電子再結合速率常數 (reaction rate constant for

recombination)

(3) τ (s) 電子壽命 (lifetime of electrons)

(4) Rk (Ω) 電子再結合之電荷傳導電阻亦即暗反應電阻

(charge-transfer resistance related to recombination

of electron )

(5) Rw (Ω)電子於 TiO2 中之傳導電阻 (electron transport

resistance in TiO2)

(6) Deff (cm2s)有效電子擴散係數 (effective electron diffusion

coefficient)

(7) Ln (μm) 電子擴散長度 (electron diffusion length)

其中 τDeffLn(7879)可以由下列公式求得

1 effkτ = (213)

2

( ) (keff

w

R LDR

= times (214)

( )nL Dτ= times eff (215)

61

26 量子點敏化太陽能電池之組裝

261 硒化鎘 (CdSe) 量子點之製備

(1) 取051克之氧化鎘(cadmium oxide CdO)與3克之油酸(oleic acid

OA C17H33COOH)溶入126 mL之1-十八烷烯(1-Octadecene

C18H36)中配製成A溶液

(2) 取 13 mmol之硒粉( selenium Se)與 05克之三正辛基膦

( tri-n-octylphosphine (C8H17)3P )溶入 10 mL 之 1- 十八烷烯

(1-Octadecene C18H36)中以磁石持續攪拌1小時配製成B溶

(3) 將A溶液與磁石置入三頸瓶中以每分鐘280轉之速率攪拌並以

25 mtorr之氮氣去除瓶中之剩餘空氣

(4) 將三頸瓶以每分鐘5oC之升溫速率將溫度升高至200~205oC溶

液之顏色將呈現淡黃色透明澄清溶液接著繼續升溫至280oC

(5) 接著將B溶液以針筒迅速注入三頸瓶中注入完畢開始計時達

到反應時間即離開熱源溶液顏色將從淡黃色透明澄清變化成橘

紅色澄清溶液

(6) 將溶液加入乙醇中以每分鐘10000轉之轉速離心10分鐘數次

即可完成CdSe-OA量子點並保存於己烷中

詳細配製流程如圖227所示

62

CdO and Oleic Acid(OA) were dissolved in 1-Octadecene

Heated to ~205oCuntil the color of solution turn to transparent colorless then the temperature was increased to 280oC

Injection of SeTOP solution and stop heating (in 2 min)

The CdSe nanoparticles were precipitated using EtOH and then kept in hexane

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖

63

262 硒化鎘 (CdSe) 量子點之改質 (Ligand exchange)

(1) 將02 mmol之巰基丙酸(mercaptopropionic acidMPA)溶入30 mL

之甲醇中並以四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium hydroxide

in methanolTMAOH)滴定調整溶液pH值至114

(2) 將溶液置入三頸瓶中於氮氣之環境下加熱至55oC

(3) 將保存於己烷中之硒化鎘量子點加入甲醇以每分鐘10000轉之速

率離心十分鐘重複三次

(4) 取約2 mL之MPA溶液再取40毫克之硒化鎘溶入溶液中再倒回

三頸瓶

(5) 將三頸瓶溫度加熱至65oC並以鋁箔包覆三頸瓶使溶液於黑暗

中反應20小時

(6) 接著將溶液與ethyl acetate以21之比例混合再將混合溶液與

Hexane以11混合以每分鐘10000轉之速率離心十分鐘重複2

至3次即可得到CdSe-MPA之量子點

詳細配製流程如圖228所示

64

02 mmol of MPA was dissolved in 30 mL of anhydrous methanol and pH-adjusted to 114 by addition of TMAOH

Heated to 55degC and than added to a vial containing approximately 40 mg of CdSe

Heated to 65degC and refluxed for approximately 24 hrs under nitrogen gas in the dark

The nanocrystals were isolated by addition of ethyl acetate to induce flocculation

The CdSe nanoparticles were precipitated using methanol

The CdSe nanoparticles were stored in toluene

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖

65

263 量子點敏化電池之組裝

(1)利用與 253 節中相同之方法製備工作電極薄膜並先將工作電

極浸泡純MPA溶液4小時取出後立刻將其浸泡入之前合成之硒化

鎘甲苯溶液靜置一天之後取出先以甲苯沖洗去除未吸附之多

餘奈米粒子再利用乙腈(acetonitrile)清洗工作電極表面靜置乾燥

後即可得已製備完成且吸附量子點之二氧化鈦薄膜電極

(2)再氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑金屬之相對電極之空隙中

再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結合並防止氣泡產生以長尾

夾固定既可完成此三明治結構之量子點敏化太陽能電池

附註

(1) 電解液配製

二甲丙基咪唑碘(dimethyl propyl imidazolium iodide ) 06 M 碘化鋰

(lithium iodide LiI) 01 M 碘 (iodine I2) 005 M 及第三丁基吡啶

tert-butylpryidine (05 M) 溶於乙腈(acetonitrile)中

(2) 染料溶液配製

Solaronix 公司 black dye 02 mM 及脫氧膽酸 (deoxycholic acid DCA)

20 mM 溶於乙醇 (ethanol)中

66

第三章 結果與討論

本研究之重點於利用兩種不同合成方法製備 TiO2Eu3+工作電極

材料並探討其運用於染料敏化太陽能電池之效應前者使用

Ti(OC4H9)4溶膠為合成二氧化鈦之前驅物與 Eu2O3為摻雜 Eu3+來源

以溶膠凝膠法與水熱法合成 TiO2 奈米粒子後者使用商用二氧化鈦

粉末(Degussa P25)為合成二氧化鈦與 Eu(NO3)35H2O 為摻雜 Eu3+

來源直接利用水熱法合成粉末針對兩系列工作電極材料之晶體結

構與光譜特性進行不同目的之階段分析分別敘述如下

第一階段為材料結構鑑定分析

(1-1) X-光繞射光譜儀(X-ray diffraction XRD)

(1-2) 結構精算(Refinement)

(1-3) 掃描式電子顯微鏡(SEM)

(1-4) 穿透式電子顯微鏡(Transmission electron microscope TEM)

(1-5) 氮氣等溫吸附與脫附儀(BET)

第二階段為光譜特性分析

(2-1) 光激發光譜(PL)

(2-2) 拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum)

(2-3) 紫外 ‐可見光擴散式反射光譜 (UV-Vis diffuse reflectance

spectra UV-Vis DRS )

(2-4) X 射線光電子能譜儀(XPS)

(2-5) X-光吸收光譜(X-ray absorption spectroscopy XAS)

第三階段為太陽能電池特性分析

(3-1) 太陽能電池 I-V 曲線效率量測(I-V curve)

(3-2) 入射單色光之光電轉換效率量測(IPCE)

(3-3) 電化學交流阻抗分析(EIS)

67

31 TiO2Eu3+ 材料結構鑑定分析

311 晶體結構分析

天然二氧化鈦為 n 型半導體於分子之結構中屬閃鋅晶格其中

鈦原子具 22 個電子以外圍 3d 軌域之 4 個價電子與氧原子形成共

價鍵 (Covalent Bond)自然界中二氧化鈦以銳鈦礦(Anatase)金紅

石 (Rutile)與板鈦礦 (Brookite)三種結晶組態存在其中最常見與最

廣泛使用的為前面兩種組態後者則極為罕見圖 31 為典型銳鈦礦

(Anatase) 之晶體結構圖屬四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα

=β=γ=90deg其空間群(space group)為 I 41amd其中 I 表體心晶格

(Body centered unit cell)41a 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 41旋移

軸(screw axis)即平行 c 軸旋 360deg4 = 90deg後平移 14 晶軸距離且

於垂直[001]方向具一 a 軸之旋移面(glide plane)m 表垂直[100]或[010]

方向具一鏡面(mirror plane)d 表垂直於[110]或[1-10]方向具一沿 c

軸移動之鑽石射移面(diamond glide plane)而圖 32 為典型金紅石

(Rutile) 之晶體結構圖為四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα=

β=γ=90deg其空間群為 P 42mnm其中 P 表簡單晶格(primitive cell)

42m 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 42旋移軸(screw axis)即平行 c

軸旋轉 360deg4 = 90deg後平移 24 晶軸距離且於垂直[001]方向具一反

射面n 表垂直[100]或[010]方向具一斜角射移面(diagonal glide)末

項之 m 表垂直於[110]或[1-10]方向具一反射面雖此兩種晶相皆是以

TiO6八面體鍵結而成然而 Ti-TiTi-O 鍵長與氧鍵結數不同等差異

造成兩相之質量密度(mass density)與電子組態皆相異

68

圖 31 TiO2銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖

圖 32 TiO2金紅石(Rutile)相晶體結構圖

69

3111 TiO2Eu3+ (TBT 系列) XRD 分析

此系列工作電極粉體以溶膠凝膠法與水熱法進行合成並添加

銪(Eu)為活化劑其主體晶格為二氧化鈦(TiO2)如圖 33 所示為 TBT

系列 TiO2Eu3+之 XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu含量自 x = 0 增

至 x = 005於 X-光繞射圖譜得知隨 Eu 濃度增加粉體皆呈現 TiO2

銳鈦礦 (Anatase) 之相若以離子半徑大之原子取代於主體晶格中原

子半徑小之原子故主體晶格將擴張其面間距(d)增加並根據布

拉格繞射公式 2 sind nθ λ= 可知繞射角度(θ)亦減小於圖 33 XRD

圖譜中銳鈦礦繞射面(101)之主繞射峰並無位移初步判斷為低濃

度取代之緣故而較多數文獻(80)之論點則因 Eu3+之離子半徑約為 108

Aring而 Ti4+之離子半徑約為 068 Aring兩種離子半徑差異頗大造成利

用溶膠-凝膠法與水熱法等軟性合成法並不易將 Eu 直接取代 TiO2 晶

格中 Ti 之位置故無法於使二氧化鈦晶格擴張此論點於 GSAS 結

構精算結果中將再次討論

20 30 40 50 60

A(211)A(105)A(200)A(004)

Ti1-xO2Eux (TBT)

JCPDS089-4921

x = 0015

2 θ (degree)

Inte

nsity

(au

)

x = 0

x = 00075

x = 002 x = 0025 x = 003

x = 004

x = 005Anatase

A(101)

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜

70

為計算合成粉體之粒徑大小根據晶體學 Scherrer equation(如式

31) (81)其中 D 為粒徑大小 (crystal grain size)k 為無單位常數 09

λ為 Cu Kα1之波長 015405 nmβ為圖譜中最強之繞射峰(101)之半高

寬θ為繞射角度 254o之半

coskD λ

β θ= (31)

計算不同 Eu 摻雜量其粒徑大小分布如圖 34 所示顯示隨著 Eu 摻雜

量增加粒徑大小隨之縮小至 x = 004 時達至飽和穩定研判為

Eu3+雖難取代 TiO2 中 Ti4+位置卻可能於晶格表面或空隙中形成

Eu-Ti-O 鍵結進而限制其晶格成長(82)而觀察此 TBT 系列粒徑分布

由 9~20 nm 範圍屬微小奈米粒子形成微小粒徑之因可由生成機制

說明此系列樣品由溶膠凝膠法將鈦酸四丁酯 (Tetrabutyl titanate) 水

解形成加入硝酸使生成環境處於 pH 小於 2故此過程須將鈦醇前

驅物於酸催化下水解縮合而成而三維聚合體骨架 (polymeric

skeletons) 於低含水與低水解速率下將由於 Ti-O-Ti 之鍵結逐漸形成

而更緊密堆積因此造成微小奈米粉體之形成(8384)

-001 000 001 002 003 004 005 0068

10

12

14

16

18

20

22

1027978

13241439

16781722

1934

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

) Ti1-xO2Eux(TBT)

2176

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖

71

為更進一步瞭解稀土離子摻雜進入二氧化鈦後之確切晶體結構

與精細結構變化本研究利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進

行結構精算精算過程中以 ICSD-93098 為起始模型此為空間群

I 41amd 之銳鈦礦 TiO2各原子之熱振動參數設定為等方向性

(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為 1且相同格位之

原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖 35 為 TBT 系列

Ti097O2Eu0033+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構精算所獲得之

XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理論擬合曲線

下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置以及下方藍

色實線表為理論值與實驗值之誤差

由 GSAS 結構精算結果得知如表 31a 所列TBT 系列 Eu3+

摻雜 TiO2結構之空間群仍屬於 I 41amd其中 Eu3+取代四配位之 Ti2+

位置較為合理其信賴指數為 χ2 = 237Rwp = 598與 Rp = 482

可得知樣品之結晶性良好其晶型之結晶程度好壞對往後染料敏化太

陽能電池光電轉換效率之優劣有決定性之影響晶格參數為 a = b =

37835 (6) Aring 與 c = 94945 (17) Aring晶格體積為 13591(4) Aring3根據

Vegard(85)定律固態材料因摻雜不同大小離子半徑之元素使其結構

產生膨脹(expansion)或壓縮(compression)效應而直接影響其晶格大

小與體積之變化根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較(表

31b)晶格體積並無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之

Eu3+離子(095 Aring)難以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與上述 XRD

結果吻合

72

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

圖 35 TBT 系列 Ti097O2Eu0033+粉體 X 光繞射結構精算圖

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

0000000

0000000

0245966

0338408

-0023401

0182541

1000000

1000000

261

382

Space group I 41amd (tetragonal) Cell Parameter

a = b = 37835 (6) Aring c = 94945

(17) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13591(4) Aring3

Reliability Factors χ2 = 237 Rwp = 598 Rp = 482

73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參數

Eu

ratio(x) a(A) b(A) c(A) Volume(A) Rp() Rwp() χ2

0 37809(18) 37809(18) 94795(9) 13551(16) 51 61 20300075 37805(18) 37805(18) 94796(9) 13548(16) 53 66 2270015 3790723) 3790723) 94839(11) 13628(20) 72 85 239002 37806(33) 37806(33) 94737(17) 13540(29) 62 75 2450025 37805(12) 37805(12) 94420(23) 13495(7) 52 61 185003 37835 (6) 37835 (6) 94945(17) 13591(4) 48 60 237004 37868(5) 37868(5) 94868(15) 13604(34) 63 79 279005 37772(24) 37772(24) 95012(6) 135557(15) 42 52 184

3112 TiO2Eu3+ (P25 系列)

此系列工作電極粉體為利用水熱法合成以添加銪(Eu)為活化

劑其主體晶格為二氧化鈦如圖 36 所示為 P25 系列 TiO2Eu3+之

XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu自 x = 0 增至 x = 01於 X-光繞

射圖譜得知隨 Eu 濃度增加與前一 TBT 系列比較不同之處為粉體

所呈現為 TiO2 銳鈦礦(Anatase)與金紅石(Rutile)兩項共存(之後亦利

用結構精算驗證此結果)其中以銳鈦礦(Anatase)所佔比例為多數

爾後分析將針對兩項比例作計算依據圖 36不同 Eu3+摻雜量之系

列樣品並無發現明顯之 Eu2O3或 Eu 與 Ti 複合氧化物之繞射峰出現

此為由於 Eu3+均勻分散於 TiO2晶體之表面所致(86)其主相 anatase 於

(101)處之繞射峰亦無明顯位移產生其為離子半徑差異較大之因

研判 Eu3+並無直接取代 TiO2晶格中 Ti4+之位置以 Scherrer equation

計算之粒徑大小分布如圖 37 所示文獻(87)曾報導由於金紅石(Rutile)

晶體結晶性較銳鈦礦(Anatase)為差也因此粒徑相對較小本實驗經

過 Eu 摻雜後之樣品雖將提高銳鈦礦(Anatase)相之比例(將於後文說

74

明)但由圖 37 可得知此兩相比例差異之影響對於晶格成長之限制不

大初步判斷為此系列以商用粉 P25 為前驅物進行水熱法過程中

摻雜之 Eu3+座落於晶體表面主晶體二氧化鈦並不會進行分解

(decompose)再結晶

20 30 40 50 60

R(1

01)

R(1

10)

A(1

05)

A(2

11)

A(2

00)

A(1

12)

A(1

03)

A(1

04)A

(101

)

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

x = 0

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0025x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015Anatase

Rutile

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜

000 005 010 015 0208

10121416182022242628

238237236238246248

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

)

Ti1-xO2Eux(P25)

253

圖 37 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布

75

本系列亦利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進行兩相結構

精算精算過程中銳鈦礦(Anatase)以 ICSD-202243 為起始模型而

金紅石(Rutile)則以 ICSD-202241 為起始模型各原子之熱振動參數

設定為等方向性(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為

1且相同格位之原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖

38 為 P25 系列 Ti09O2Eu013+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構

精算所獲得之 XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理

論擬合曲線下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置

以及下方藍色實線表為理論值與實驗值之誤差由 GSAS 結構精算結

果如表 32 所列P25系列 Eu3+摻雜 TiO2結構之空間群屬於 I41amd

之銳鈦礦與 P42mnm 之金紅石兩相共存其精算信賴指數為 χ2 =

185Rwp = 61 與 Rp = 52 銳鈦礦之晶格參數為 a = b = 37850

(33) Aring 與 c = 94950 (9) Aring晶格體積為 13603 (21) Aring3 金紅石之晶

格參數為 a = b = 45867 (0) Aring 與 c = 29540(0) Aring晶格體積為 6215

(0) Aring3根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較晶格體積亦

無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之 Eu3+離子(095 Aring)難

以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與 XRD 結果吻合亦與 TBT

系列結果相同

藉由 XRD 分析並根據 Spurr 與 Myers 所發展之理論(88)銳

鈦礦(Anatase)特徵峰A (101)與金紅石(Rutile)特徵峰R(110)兩結

晶面之強度可計算出異相態比例由方程式32a與32b

(32a ) 1

(1 08( ))RXA RI I+

=

1A RX X= minus (32b )

式中XA 為銳鈦礦之重量百分比XR 為金紅石之重量百分比IR 為

76

金紅石 X-ray 於(110)之繞射峰強度IA 為銳鈦礦X-ray 於(101) 之

繞射峰強度由此式計算出此系列樣品之兩相比例與利用 GSAS 結

構精算後得出之兩相比例比較如表33所示可知藉由兩種計算方法

所得之結果相近未經 Eu 摻雜之樣品(x = 0)所得銳鈦礦與金紅石之

重量百分比與一般文獻所記載此系列合成前趨物 Degussa P25 二氧

化鈦之兩相重量百分比(銳鈦礦75 金紅石25 )(89)接近而透過 Eu

之摻雜具效提升銳鈦礦之重量百分比此與 Setiawati 等人(90) 於期

刊中發表透過稀土元素(EuSm)之摻雜於高溫燒結過程中將有

效抑制金紅石相之生成進而增加銳鈦礦之穩定性之結果吻合以染

料敏化太陽能電池而言使用銳鈦礦晶相小粒徑高比表面積之

TiO2 粉末較有利於製造多孔薄膜電極時表現出高光電轉換效率

之特性而由於一般商業二氧化鈦粉末於高溫 (約700至900oC) 時會

產生相變(Anatase變至Rutile)因此於塗佈多孔薄膜工作電極後固

化之燒結溫度應避免高於轉相溫度

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

77

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

Ti

O

0000000

0000000

0000000

0304690

0250000

0250000

0000000

0304690

0375000

0170031

0000000

0000000

1000000

1000000

1000000

1000000

241

184

250

250

Space group (A) I 41amd (tetragonal)

(R) P 42mnm (tetragonal)

Reliability Factors χ2 = 185 Rwp = 61 Rp = 52

Cell Parameter

(Anatase)

a = b = 37850 (33) Aring c = 94950

(9) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13603 (21) Aring3

(Rutile)

a = b = 45867(0) Aring c = 29540(0) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 6215 (0) Aring3

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果

Ti1-xO2Eux3+ x=0 x=0025 x=005 x=0075 x=01 x=0125 x=015

Anatase(wt ) 751 817 849 839 853 836 849

Rutile(wt ) 249 183 151 161 147 164 151

Anatase(wt

)

753 824 853 835 849 834 847

Rutile(wt ) 246 176 147 165 151 166 153

GSAS refinement results

78

312 晶體表面形貌分析

3121 SEM 與 TEM 粉體形貌分析

此部分討論透過掃瞄式電子顯微鏡與穿透式電子顯微鏡觀察所

合成粉體之表面形貌以及粒徑大小分布將結果與 XRD 與 BET 所得

結果作比較如圖 391 (a)~(b)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+中 x = 0 以及

x = 003 之 SEM 影像由圖中可察覺所合成樣品皆為無孔洞表面光

滑之粉體與文獻中(89)未製成工作電極前之二氧化鈦形貌相符透過

Eu 摻雜改質後相較於未摻雜樣品粒徑似乎有縮小之趨勢此與 XRD

所得結果吻合而相較於 TBT 系列圖 392(a)~(d)顯示 P25 系列於

不同 Eu 摻雜量時之粉體 SEM 圖由圖中顯示樣品仍為無孔洞表

面光滑之粉體然而透過 Eu 之摻雜粒徑大小並無明顯改變約略

於 23~25 nm 之間此與 XRD 所計算出結果相符

但若欲進一步測量其準確粒徑分布須透過TEM量測放大倍率作

觀察圖310(a)~(f)為TBT系列 Ti1-xO2Eux3+ 中 x = 0~004 之TEM

影像由圖中可察覺粉體顆粒大小均勻形狀近似圓球狀影像中

並無顯示類似之添加稀土金屬晶相結果皆與SEM吻合其由於TEM

影像中顏色較深暗之部分表示本實驗所配製之粉體具聚集堆積之

情形推測可能為此TEM實驗製備方法中只單純將粉體分散於純乙醇

內並無額外加入任何分散劑而造成粉體顆粒產生團聚現象因此

由圖中所觀察之粉體大小可能為二次粒徑但由於系列樣品中其隨

著Eu3+摻雜量增加可明顯觀察至其粒徑亦隨之變小此結果將配合

BET之結果加以討論

79

(b) (a)

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+SEM 圖放大倍率皆為 100k圖(a)為

x = 0圖(b)為 x = 003

80

(b) (a)

(d)

(c

圖 392 (a)~(d)為 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為

100k圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)為 x = 015

81

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(a) (b)

(c) (d)

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(f) (e)

20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm

圖 310 (a)~(f)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+TEM 圖放大倍率皆為 200kx

(a) x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f) x = 004

82

3122 氮氣等溫吸附與脫附分析(Brunauer -Emmett-TellerBET)

31221 TBT 系列粉體 BET 分析

分析所合成之工作電極粉體其表面形貌以及比表面積分布本研

究針對樣品進行氮氣等溫吸附與脫附分析氣體吸附法測定比表面積

之原理為依據氣體於固體表面之吸附特性於一定之壓力下被測

樣品顆粒(吸附劑)之表面於超低溫下對氣體分子(吸附質)呈現可

逆之物理或化學吸附作用於某一壓力下其存在相對應之平衡吸附

量通過測定出該平衡吸附量並藉由理論模型以等效求出被測樣品

之比表面積由於實際顆粒外表面之不規則性嚴格來講該方法測

定之結果為吸附質分子所能到達之顆粒外表面與內部通孔總表面積

之和

圖 311(a) ~ (g)為 TBT 系列樣品針對不同 Eu 摻雜濃度之工作電

極粉體所測之 BET(Brunauer-Emmett-Teller)等溫吸附法之結果藉由

遲滯迴圈之範圍及形狀可輔以判斷孔空形狀與大小此系列樣品之氣

體吸附曲線依 IUPAC 定義於 x = 0即無 Eu 摻雜時由於其於高

相對壓力(relative pressure PsPo)時遲滯迴圈不明顯故推測屬於第

二型第二型通常為無孔材料或孔徑較大之材料配合 SEM 圖判斷

應為無孔材料顯示合成之粉體其表面光滑完整而隨著 Eu 之摻雜

量之增加氣體吸附曲線於高相對壓力出現些微遲滯迴圈現象推測

屬於第四型中孔洞材料但由 SEM 判斷粉體仍無中孔洞材料現象

為完整平滑之粉體初步判斷造成中孔洞原因為粉體堆疊時所產生之

空隙造成且遲滯迴圈較為垂直故應為規則之球體陣列間孔洞造

成而經由 BET 程式計算此 TBT 系列樣品之比表面積顯示隨著

Eu 含量之增加其比表面積亦隨之增加於 Eu 摻雜量至 x = 004 時

達至飽和此結果與 XRDTEM 結果吻合隨著 Eu 含量之增加

83

由於粒徑因為 Eu-Ti-O 鍵結產生造成晶體成長受限而隨之粒徑變

小因此造成比表面積隨之增加圖 312 為 Eu 不同摻雜量與比表面

積之關係圖

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0015)

V

olum

e ad

sorb

ed (c

m3

g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=002)

Absorption process Desorption process

(c)

84

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=003)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(d)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=004)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

050

100150200250300350400450500

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=005)

Absorption process Desorption process

(e)

(f)

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖

85

000 001 002 003 004 00570

80

90

100

110

120

130

140

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

789

9821027

1076

1328

1266

圖 312 TBT 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

31222 P25 系列粉體 BET 分析

圖 313 為 P25 系列樣品於不同 Eu 摻雜濃度下所測定 BET

(Brunauer -Emmett-Teller)等溫吸附法之結果與 TBT 系列比較依

IUPAC 之定義配合 SEM 與 TEM 之結果此系列樣品仍為無孔洞

之奈米材料且其高相對壓力處遲滯迴圈之形狀與 P25 標準圖譜相

近可判斷於此系列中經由 Eu 之摻雜後於表面形成之 Eu-Ti-O 之

鍵結較弱因此限制晶格成長現象較不明顯此結果與 XRD 粒徑大

小分布趨勢吻合

86

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPO)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0075)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=015)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

(c)

圖 313 (a)~(c) P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之 BET 圖

87

000 005 010 015

0

10

20

30

40

50

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

333

477 509

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

32 TiO2Eu3+ 粉體光譜特性分析

3211 光激發光譜分析(PL)

以 Eu3+作為活化中心之紅色螢光粉研究已屬豐碩而藉由主體晶

格之變異進而整齊發光特性而先前亦具 Eu3+摻雜入 TiO2 之研究

但多數為薄膜製程以探討其光電與觸媒特性本研究亦透過光激發

光譜之分析藉以探討不同 Eu3+濃度摻雜之粉體其發光特性與機制

Zou 等人(91)於 2006 年之研究指出由於其間接傳遞之特性TiO2

之塊材(bulk)於室溫下並無放光僅於 77 K 時於 500 nm 處具微

弱放光習知 Eu3+離子之激發光譜具以下三種特徵第一種為主體晶

格吸收以 Y2O3 Eu3+為例於激發波長(≦230 nm) 存在 Y2O3之主

體晶格吸收第二種為電荷轉移躍遷(charge transfer transition)為

Eu3+-O2-之間電荷轉移所產生之躍遷其常為寬帶譜此特徵峰一般

88

介於 250 ~350 nm(92 - 94)第三種為 f-f 軌域之躍遷此為 300~500 nm

之間 Eu3+離子之 4f 軌域相互躍遷所造成之特徵吸收峰如圖 315 所

示為摻 Eu3+離子之 TiO2光激發光譜圖與放射光譜圖於 612 nm 作

放射波長下之激發光譜中最強吸收峰為 394 nm其為 7F05L6軌域

電子躍遷其中由左至右亦包含 7F016D4(384 nm)7F0

5G2(380

nm)7F05D3(414 nm)7F0

5D2(464 nm)之吸收峰值故吸收峰皆為

4f 軌域之內層電子躍遷(95)並無上述之主體晶格吸收或電荷轉移等

現象其乃因 Eu3+-O2-之間共價性太低但電荷轉移所需能量太大

故不易發生再者因電荷轉移吸收帶與主體晶格能隙重疊故產生

能量移轉電荷轉移吸收帶吸收之能量移轉至主體晶格爾後以非發

光形式釋放

於 394 nm 激發並測其放射光譜最強之放射波長為 612 nm隨

濃度改變此一最強放射峰值並無任何改變此為 5D07F2軌域電子躍

遷且三價稀土離子佔據晶格之非對稱中心時非對稱中心之晶格場

對 J = 0 2 之躍遷特別敏感故此躍遷亦稱為強制電偶極躍遷(forced

electric-dipole transition)而磁偶極躍遷(magnetic-dipole transition)一

般不受發光中心周圍結構對稱性之影響5D07F1即屬於此類自左

至右分別為 5D07F0(580 nm)5D0

7F1(592 nm)5D07F4(652 nm)

觀察激發放射光譜圖 315 之放射峰皆為 5D07FJ之電子躍遷即自激

發態之最低能階躍遷至基態而無較高能能階激發態之躍遷其乃複

合聲子弛緩過程(multiphonon relaxation process)(96)所致

89

350 400 450 500 550 600 650 700

00

30x106

60x106

90x106

12x107

15x107

5DJ-7FJ

414

(7 F 01

-6D

3 )

384

(7 F 01

-5 Gj5 L

7)

535

(7 F 01

-5 D3

)

394

(7 F 01

-5 L6 )

λem= 612 nm

464

(7 F 01

-5 D2 )

592

(0-1

)58

0 (0

-0)

652

(0-4

)

Ti097O2 Eu0033+

612

(0-2

)

λex= 394 nm

Inte

nsity

(au

)

Wavelength(nm)

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖

由於本研究為藉由經由工作電極摻雜 Eu3+而使其放紅光並給與

染料吸收以加強其效為提供染料 Black dye 更多之紅光可利用 Eu

摻雜濃度對於發光強度之關係加以討論由圖 316 中可發現 TBT 系

列中隨著 Eu3+離子摻雜濃度由 x = 0 變化至 x = 005其發光強度隨

活化中心 Eu3+濃度增加而增強爾後摻雜濃度高於 x = 003 時強度

卻隨逐漸衰減而 P25 系列中最高發光強度時之摻雜量則為 x = 01

時 此現象為濃度淬滅效應(concentration quenching)所造成此淬減

效應產生可能因素有二

(1) 自身吸收(self-absorbing)或自消光(self-quenching)效應如同液態

螢光之現象固態溶液於高活化中心濃度時吸收物種平均距離縮減

90

使活化中心產生之螢光為另一活化中心所吸收致使發光強度減弱

(2) 能量傳遞至非放光中心 使能量損耗導致發光效率降低

Frindell 等人(97)所發表之文獻中將 Eu 摻雜入非結晶相 TiO2薄膜所

形成非傳統之發光性薄膜其觀點為放光來源為 Eu-Eu 離子間之能

量傳遞其放光濃度淬滅效應與本研究之觀點一致皆為自消光所造

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖

圖 317 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL 光譜圖

500 550 600 650 700

00

20x106

40x106

60x106

x(content)

Ti1-xO2Eux(P25)

0150125

010075

0050025

0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 464 nm

500 550 600 650 700

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

Ti1-xO2Eux(TBT)

005004

0030025

0020015

00075 0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 394 nm

91

而圖 319 與圖 320 分別為兩系列不同 Eu 摻雜量激發光譜(PLE)

之比較可觀察 TBT 系列樣品於 612 nm 作放射波長下最強吸收

峰為 394 nm其次為 464 nm然而對於 P25 系列反而最強吸收峰

為 464 nm394 nm 峰值相對減小甚大為解釋此現象可由圖 318 之

發光機制圖說明當 TiO2 Eu 照光時對主體晶格 TiO2與活化劑(Eu3+)

皆會受光激發電子當 TiO2吸收波長小於 394 nm 之入射光時光電

子快速傳遞至 Eu3+晶格場分裂能階中進行非輻射緩解至各能階進行

放光其中至 5D0後回至 7F0即產生波長 612 nm 之最強放光由於

次共價陽離子 Eu 之摻雜造成主體晶格於價帶與傳導帶間形成一受

限態(trapped state)提供激發光電子一停留之暫態因此若吸收例如

394464 nm 等波長亦會產生復合放強光或非輻射緩解(虛線)

由放射光譜(PL)可知 P25 系列於最強放光 612 nm 處之發光強度明顯

小於 TBT 系列因此可說明 P25 系列受 394 nm 入射光子量極少吸

收機率減小而致使放射光強度減弱故可說明 394 nm 峰值相對減小

之因

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖

92

300 330 360 390 420 450 480 510 540

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

λem = 612 nm

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

000075

0015002

0025003

004005

PLE

圖 319 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE 光譜圖

330 360 390 420 450 480 510 540

00

20x106

40x106

x(content)

λem= 612 nm

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

00025

0050075

010125

015

PLE

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux

3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖

93

3212 臨界距離與能量轉移機制

根據 Dexter 與 Schulman(98)所提出之濃度淬滅效應(concentration

quenching effect)由圖 316 隨 Eu3+離子濃度逐漸增加時其發光強

度亦逐漸增加於 x = 003 時發光強度達至最高值爾後再添加過

量之活化中心(x>003)導致 Eu3+離子彼此間之距離縮短促使 Eu3+

-Eu3+離子對(ion pair)形成並隨摻雜濃度增加而增加使發光能量於

Eu3+-Eu3+離子對內傳遞以非輻射緩解方式消失其發光強度逐漸衰

減此外可利用 Blasse 等人(99)所提粗略計算添加相同之活化中心於

主體晶格內藉由結構精算所得晶格參數推知其發生能量轉移之臨界

半徑(critical radiusRc)

1 3

c3R 2

4 c

Vx Nπ

⎡ ⎤asymp ⎢ ⎥

⎣ ⎦ (33)

式 33 中V 為單位晶格之體積xc 為活化中心之臨界濃度N

為單位晶格中陽離子所占有之個數

臨界半徑乃於臨界濃度(critical concentration xc)時發光中心傳

遞至非放光中心之最小平均距離於本研究中調變 Eu3+離子之濃度

(x = 0~005)其強度最大值發生於 x = 003即為 xc值並利用結構

精算得此樣品之單位晶格體積為 13591(4) Aring3於每一單位晶格中

此 TBT 系列銳鈦礦向為四方晶系故每單位晶格中之 Ti4+ 離子(同為

活化中心之取代位置)所占有之個數為 1 個即 N = 1經計算結果可

得 Rc值約為 205 Aring以相同方法計算 P25 之樣品其 xc = 01單位

晶格體積 V 為 13603(16) Aring3經計算結果可得 Rc值約為 137 AringP25

系列之臨界半徑較 TBT 系列短之原因為合成過程中摻雜元素晶體

長成之差異造成 P25 系列樣品粒徑較大Eu3+與 TiO2 之鍵結強度

較小因此於活化中心間傳遞電子之距離須更小以達濃度淬滅效應現

94

象發生

綜合上段文中所述Ti1-xO2 Eux3+螢光粉之濃度淬滅效應乃因

其發光能量於 Eu3+-Eu3+離子對(ion pair)內傳遞而淬滅本研究將探

討其能量轉移機制

Ozawa(100)等人與 Wang(101)等人於文獻中指出此複合極矩交互作

用與活化中心濃度與其發光強度具一關係式

1 31 ( )QI K x

minus⎡ ⎤= +⎣ ⎦ (34)

式中x 為活化中心濃度I 為發光強度Q = 68 與 10 分別對

應為偶極-偶極(dipole-dipole)偶極-四極(dipole-quadrupole) 與四極-

四極(quadrupole-quadrupole)交互作用K與 β為對應主體晶格之常數

圖 321為Ti1-xO2 Eux3+

(x = 0~005)樣品以 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)

作圖圖中可觀察為一線性關係其擬合(fit)線之斜率為 -062經由

上述關係式之計算後可得 Q 值為 486近似於 6故由此結果可推論

本研究二氧化鈦摻雜 Eu3+離子之濃度淬滅效應主要乃以偶極-偶極交

互作用(dipole-dipole interaction)所致

-22 -20 -18 -16 -14 -12

83

84

85

86

87

88

89

log

( Ix

Eu3+

)

log (xEu3+)

Ti1-xO2Eux3+

Slope = -06195

圖 321 Ti1-xO2 Eux

3+之 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)關係圖

95

322 拉曼散射光譜分析 (Raman scattering spectrum)

3221 TBT系列粉體拉曼散射光譜分析

拉曼散射光譜為量測材料之鍵結狀態非常普遍之方法其原理為

利用光子與樣品中之聲子之間之交互作用量測晶體中之各種振動模

式包括了分子內之振動與晶格振動因此當樣品中晶格變化極微小

時亦能藉由拉曼散射光譜儀觀測於材料晶相結構之鑑定拉曼光

譜亦提供一材料結構與鍵結組態之特徵可與 X 光繞射圖譜互為印

證根據 Balachandran 與 Eror 報導(102)銳鈦礦(Anatase)具六種

Raman active 振動模式(vibrational modes)A1g + 2B1g + 3Eg 金紅石

(Rutile)具四種 Raman active 振動模式A1g + B1g + B2g + Eg由圖 322

中 TBT 系列之拉曼光譜於 146398518 和 641 cm-1 處其顯示二

氧化鈦晶相之特徵散射峰值分別對應銳鈦礦中 Eg A1gB1g Eg

之振動模態(Vibration Mode) (103 104)且 146 cm-1處之散射峰較尖銳

指出粉體之結晶性佳並與 XRD 結構精算之結果吻合另外此系

列中並無發現金紅石之散射峰出現顯示 TBT 系列樣品為銳鈦礦之

純相此與 XRD 之結果吻合

藉由 146 cm-1處 Eg振動模態之散射峰作觀察可知經由 Eu 摻雜

後其繞射峰具往高波數位移之現象有文獻指出(105 106)當二氧化

鈦於晶體結構中之氧空缺(oxygen vacancy)增加時將增加銳鈦礦於

146 (Eg) cm-1之波數因此研判本系列樣品經由 Eu 之摻雜均增加粉

體晶體中氧空缺爾後 X 光吸收光譜將更進一步討論而 Choi 等人

(107)於銳鈦礦之二氧化鈦中以體積收縮效應 (volume contraction effect)

解釋由於粒徑縮小而使晶粒之徑向壓(radial pressure)變小因此造成

鄰近原子鍵結與振動強度改變使繞射峰有往高波數位移之現象

96

100 200 300 400 500 600 7000

1

2

3

4In

tens

ity (a

u)

Raman shift (cm-1)

148(Eg)

146(Eg)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0015

x = 0

x = 002

x = 0025

x = 003

x = 004

x = 005

398(B1g) 518(A1g)641(Eg)

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

97

3222 P25系列樣品拉曼散射光譜分析

本實驗亦將 P25 系列樣品進行拉曼散射光譜之分析如圖 323

所示 P25 系列之拉曼光譜於 146398518 與 641 cm-1 處出現二

氧化鈦晶相之拉曼散射峰值與 TBT 系列相似分別對應銳鈦礦中

Eg A1gB1g Eg之振動模態(Vibration Mode) 然而 P25 系列樣品

於未摻雜 Eu 時(x = 0)時於 454616 cm-1 處出現分別對應於 Eg

A1g 振動模式之金紅石特徵散射峰出現此金紅石特徵峰之因主要

是由於 x = 0 之樣品存在重量百分比約 25 之金紅石晶相結構隨著

Eu 濃度之增加於 x = 0025 時 454 cm-1之特徵峰已消失而當摻雜

濃度大於 25 mol (x = 0025) 時粉體皆呈現銳鈦礦之拉曼特徵

峰此與 XRD 結論吻合由於稀土元素之摻雜抑制燒結過程中銳

鈦礦轉變成金紅石之現象於最強散射峰 146 cm-1處 Eg振動模態之

散射峰分析可知經由過 Eu 摻雜此繞射峰亦具往高波數位移之現

象然而總括兩系列樣品於此散射峰之位移現象皆不顯著主要乃因

摻雜稀土元素之量過少因此造成主體氧空缺不足以造成明顯之波數

位移現象(108)

98

100 200 300 400 500 600 700

R-616(A1gR-454(Eg

))

147 Eg( )

146(Eg)

641(Eg)518(A1g)

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

(au

)

Raman shift (cm-1)

x = 0025

x = 0

x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015

398(B1g)

圖 323 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

99

323 紫外-可見光擴散式反射光譜分析(UV-Vis DRS)

3231 TBT 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

二氧化鈦為一具半導體特性之物質且為一直接能隙之 n 型半導

體經由紫外光之照射使其表面電子電洞分離純相之二氧化鈦

其價帶與導電帶之能量差(即能隙大小)約為 32 eV相當於 380 nm

光波長之能量經由愛因斯坦發展光電理論之計算能量約座落於紫

外光範圍言下之意為必須透過紫外光激發始將其電子與電洞分離

進而能夠顯現觸媒之催化活性或光電特性然而許多學者於二氧化

鈦之製備過程中添加不同比例之過渡元素金屬離子研究發現可改變

二氧化鈦之光激發特性本研究為透過於二氧化鈦中摻雜鑭系金屬

Eu並透過不同比例之添加期望藉以改善其光激發特性在此透過

紫外可見光擴散式反射光譜分析兩系列所合成 Ti1-xO2 Eux粉體其特

圖 324 為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 之紫外-可見光擴

散式反射光譜顯示未摻雜 Eu 樣品(x = 0)於圖譜短波長約 332 nm 處

具強吸收帶顯示 Ti 以四方晶系之 Ti4+ 存在於晶格中此吸收帶為

將價帶 O-2p 軌域之電子激發至傳導帶 Ti-3d 軌域(109 110)而經由 Eu

之摻雜此系列樣品吸收邊緣延長至較長波長約 400 處此現象於一

般半導體中若具雜質(impurity)或缺陷(defect)態存在即會由於其

本質傳遞而具極強之吸收(111)於本研究中Eu 離子即扮演此雜質之

角色將改變二氧化鈦之晶格環境且由XRD之結論可知由於Eu (III)

之離子半徑遠大於 Ti (IV)之離子半徑因此難藉溶膠-凝膠法與水熱

法等合成將之取代故經過摻雜之二氧化鈦形成一新相化合物此新

相化合物具兩種特性(1) 經過 Eu 摻雜後之二氧化鈦之能隙變小(2)

吸收邊緣延長至較長波長因此較低能量之入射光子即可被利用此

100

現象於圖 324 中特徵譜線紅位移現象中可證實Saif 與 Mottaleb 於

文獻中(110)亦說明鑭系正離子為電子清除劑(electron scavenger)之角

色進而影響主體之發光與光觸媒特性

200 250 300 350 400 450 500

x = 004

Ti1-xO2Eux(TBT)

F(R

)

Wavelength (nm)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

x = 0Red shift

圖 324 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS 光譜

進一步計算此系列樣品之能隙大小評估添加Eu後對光觸媒之光

吸收特性之影響最常以Schuster-Kubelka-Munk 理論方程式並配合

漫反射光譜以估算材料之能隙值擴散式反射光譜儀所利用Schuster

-Kubelka-Munk 理論(112 113)多應用於鋪陳較厚之粉體其中假設無規

則之反射光束粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚度適

用其公式如下

2(1 ) ( )( )2

R kF RR s( )

λαλ

infininfin

infin

minus= = = (35)

101

其中 k 為樣品之吸收係數s 為散射係數一般量測與標準品

相對之反射值 Rinfin 即 refR R Rinfin = 而非量測絕對值之反射值其

中本實驗之 refR 為硫酸鋇 (BaSO4) 之反射係數而若考慮s與波長λ

弱相關之因素則 ( ) F R k sα infin= = 於窄範圍內可正比於吸收以

1

[ ( ) ]F R h ηυtimes 對 hυ 作圖(KM圖)可用以得到材料之能隙值於 KM

圖中hυ 為入射光子之能量而指數η則是由因光子吸收情形造成材

料光吸收範圍之轉移形式決定(114)本研究中粉體特性利用 KM 圖

(指數η =2)可以得到一線性關係藉由此圖形以線性外插法可精確地

求得材料之能隙值計算此系列樣品 Eu 之摻雜量增加後其能隙大

小之趨勢為329326324322314312 eV呈現縮小之現象

Tanner等人(115)提出將稀土元素Er3+摻雜入α-Al2O3中其中Er3+之離子

半徑仍遠大於主體晶格中之Al3+難以取代其晶格位置研判於低濃度

摻雜時形成一新化合物ErAlO3且隨著摻雜濃度增加其能隙亦有

縮小之趨勢而Umebayashi等人(116)將V Cr Mn Fe Co等金屬元素摻

雜入TiO2 後一電子填滿態形成於價帶頂端與傳導帶底部之間且

隨著摻雜量增加此局部填滿態(localized occupied level)將向低能量

位移造成能隙縮小故可研判本實驗中經過 Eu 摻雜之樣品其

能隙調整為Eu3+ 3d所形成之軌域與O-2p 軌域所混成之頂端(價帶)

至Ti4+ 3d 軌域之底部(導帶)因此造成能隙縮小將此與Rengaraj等

人之研究結果吻合(117) 在此將Eu摻雜後之可見光激發過程示於圖

327中

102

25 30 35 40

[F(R

)hν

]12

hν (eV)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算圖

000 001 002 003 004310312314316318320322324326328330

312314

322324326

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

329

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖

103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖

3232 P25 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

而針對 P25 系列樣品同樣可藉紫外-可見光擴散式反射光譜圖

分析如圖 328 中亦發現隨著 Eu 之摻雜濃度增加樣品之反射光

譜線與前趨物 Degussa P25 相近且吸收邊緣亦具紅位移現象然而

相較於 TBT 系列其吸收譜線卻較為狹窄對於光觸媒之利用較為

不利且此系列粉體亦藉由 Schuster - Kubelka-Munk 理論計算其能隙

大小由於 Eu 摻雜造成能隙縮小之現象較不如 TBT 系列顯著推論

由於合成方法與前趨物不同所致其造成樣品形成結晶之結果不同

且 Eu 於 P25 系列粉體中與 O 軌域之混成程度不如 TBT 系列

104

250 300 350 400 450 500

00

02

04

06

08

10

12

x = 015F(R

)

Wavelength (nm)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

x = 0

Red shift

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜

25 30 35 40

[F

(R)

hν]1

2

hν(eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖

105

00 01 02300302304306308310312314316318320322

310312

317

313

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖

324 X 射線光電子能譜儀(XPS)

本研究藉由 X 射線光電子能譜儀探討粉體之能階性質其乃藉

由光電效應將某能階之電子激發而成為光電子藉由分析此些光電子

之能量進而得知束縛能獲得關於表面元素組成以及元素之化學環

境狀態由於本實驗以 Eu 摻雜入主體二氧化鈦中由 XRD 精算結

果顯示即使 Eu 摻雜量增加其晶格體積並無擴張趨勢基於 Eu3+與

Ti4+之離子半徑之差異初步判定Eu並未取代二氧化鈦晶格中Ti4+ 之

位置由於稀土原子與主體晶格鍵結成一化合物時其化合物之結合

能明顯會與純原子時不同其內核層電子之束縛能亦會有不同之變

化即一般之化學位移 (Chemical Shift)其所造成之能譜位移可用

以區分不同氧化態之元素

利用 XPS 分析 Ti1-xO2Eux3+ TBT 系列中 x = 03 之粉體由全光

譜結果表示奈米粉體表面主要含 TiOC 三種元素其中 C 元素

來自於污染雜質碳而 XPS 偵測深度約為 5 nm未於全光譜中偵測

106

到 Eu 之特徵峰(1134911652 eV)出現初步推測含 Eu 化合物可能

未於粉體表面而存在於晶格空隙(interstitial)中(86)如圖 331 所示為

TBT 系列 x = 0 與 x = 3 針對 Ti-2p 軌域所呈現之 XPS 圖譜其中

Ti-2p32與 Ti-2p12之束縛能約於 4583 與 464 eV間距為 57 eV兩

特徵峰之相對強度(積分面積)比約為 21皆為二氧化鈦晶格中 Ti4+

之貢獻與文獻中銳鈦礦相之特徵峰吻合(118)當 Eu 之摻雜(x = 3)顯

示可見 Ti-2p32 與 Ti-2p12 之束縛能位置具化學位移現象(4585 與

4642 eV)此化學位移現象可藉共價鍵理論(covalent bonding theory)

解釋顯示 Eu3+合併(incorporate)入 TiO2 中(於晶格表面或空隙)而形

成 Eu-O-Ti 鍵結由於 Eu 之存在造成 Ti 與 O 所共價之電子雲密度

減少而改變其束縛能因此束縛能增加(119)造成特徵峰向高能量偏

移如圖 332 為 O-1s 軌域之 XPS 圖譜經 Eu 之摻雜亦出現化學位

移之現象另亦有文獻指出(120)若二氧化鈦表面之本質缺陷(intrinsic

defect)增加由於缺陷結構會促使電子從陰離子(O)中傳遞至陽離子

(Ti)或摻雜離子(C)中造成 O 束縛能增加此與本實驗之位移現象吻

合至針對 P25 系列樣品同樣觀察 Ti-2p32Ti-2p12 與 O-1s 軌域之

XPS 圖譜(圖 333334)指出相較於 TBT 系列樣品無論為 Ti-2p

抑或 O-1s 軌域化學位移之現象皆較不明顯研判於表面 Eu-O-Ti

共價鍵之鍵結強度較弱因此電子轉移現象減小

107

456 458 460 462 464 466

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

527 528 529 530 531

5298

Ti1-xO2Eux(TBT)O 1S

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0

5297

x = 003

4642

4585464

Ti1-xO2Eux(TBT)

Ti 2p12

Binding energy (eV)

Inte

nsity

(au

)

Ti 2p32

x = 0

4583

x = 003

108

458 460 462 464 466

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

4643

45854642

In

tens

ity (a

u)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

Ti 2p12

Ti 2p32

x = 0

4584

x = 01

527 528 529 530 531

5297

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

O 1S

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0

5296

x = 003

109

本研究亦建立兩系列樣品之價帶導帶與標準氫電極之相對位

置以利解釋雙層工作電極模型機制本研究針對低能量入射光子慢

速掃瞄粉體之 XPS 光譜由於 XPS 原理中運用光電效應概念偵

測光電子能量(Ek)為入射光子能量扣除內核層電子束縛能與功函數

即 k bE h Eυ ϕ= minus minus (如圖 335 說明 )由二氧化鈦之分子軌域

(Molecular orbital)圖樣可知其價帶位於 O-2p 軌域因此圖 336 中為

針對 TBT 系列樣品(x = 03)之價帶圖譜由態密度(density of state)圖

譜可知代表價帶(O-2p)之放射特徵譜線而費米能階(EF)於價帶圖譜

中視為 0 eV因此可透過類似計算能隙大小之外差法方式計算其價

帶相對於標準氫電極之大小(120)可之經由 Eu 之摻雜二氧化鈦之

價帶位置由 32 eV 降低至 21 eV由圖中亦可得 Eu 摻雜樣品降低粉

體之價帶位置並結合紫外‐可見光擴散式反射光譜分析後所得粉體

之能隙大小可建立如圖 338 所示兩系列樣品之能隙位階圖

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖

110

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

21

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0 x = 003

32

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

20

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25) x = 0 x = 01

25

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

111

圖 338 兩系列樣品未摻雜與摻雜 Eu3+粉體能隙位階圖

112

325 X-光吸收光譜(XAS)

本研究所製備之工作電極粉體係屬奈米材料因奈米材料相較塊

材之結晶性較差由X光粉末繞射圖譜中(powder X-ray diffraction)將

無法獲得進一步之結構資訊X吸收光譜可提供局部之結構資訊(local

structure)適合作為奈米材料結構研究之方法此外更可提供繞射法

所無法獲得之氧化態訊息故本研究乃藉由國家同步輻射研究中心

BL20A光束線以進行吸收光譜量測藉比對X光吸收近邊緣結構

(X-ray absorption near edge structure XANES)以得知特定原子氧化價

數與 d-軌域之電子填滿率並可分辨吸收原子所處之晶位對稱性

由於同步20A光束線而言待測樣品可以為晶型或非晶型固體甚至

為液體或氣體因此應用範圍十分廣泛尤其各元素之吸收邊緣能量

少有重疊可調整入射能量至各個元素之吸收區進行掃描以分別偵

測非常適於量測含有多種元素之樣品系統

由圖 339 與圖 341 中兩系列樣品之 O-k edge 吸收光譜指出此二

氧化鈦之 O-K edge 之特徵譜線與文獻中吻合(121)觀察兩系列中於吸

收邊緣之特徵譜線經由 Eu 之摻雜並無明顯位移現象顯示粉體中

O 之價數並明顯變化判斷為低濃度摻雜之故然而放大 528 eV 附

近之特徵峰觀察後發現(圖 340 與圖 342)隨著 Eu 之摻雜量增加

此吸收峰強度亦隨之增強由分子軌域之概念顯示由於 Eu 之摻

雜造成 O 之電子雲轉移散布至 Eu 軌域因此造成 O 電子組態中出

現更多空軌域亦即增加粉體之氧空缺由於 TiO2 摻雜次共價鍵陽

離子(subcovalent cation)造成之氧空缺會形成攔截態(trap state)或雜質

態(impurity state)(122 123)可能形成放光中心影響粉體之螢光性質亦

可能造成電子傳遞時之阻礙

113

531 540 549

0

1

2

3

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux(TBT)O K-edge XAS

圖 339 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

114

5272 5280 5288

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 340 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜局部放大圖

525 530 535 540 545 550

0

1

2

3

Photon Energy (eV)

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux(P25)O K-edge XAS

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

115

5272 5280 5288

Photon Energy (ev)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大圖

116

33 Ti1-xO2Eux3+粉體於染料敏化太陽能電池之應用研究

上述各節已討論 Ti1-xO2Eux3+ 粉體之晶體結構形貌光學電

子組態各種特性本研究藉由此經修飾之二氧化鈦粉體應用於染料敏

化太陽能電池之工作電極材料並藉由其特殊發光特性與結構設計

以提高太陽能電池之效率

331 單層工作電極電池效率量測

未經修飾之二氧化鈦(TiO2)由於其能隙約為32 eV亦即所能

利用之光波範圍僅限於紫外光區域此情況下 TiO2 於一般日照射能

產生電子-電洞對之效率差所展現之光催化活性低應用價值不高

故為提升對太陽光之吸收效率進而提升 TiO2整體光催化效率為當

前一重要課題一般提高效率之方法分為修飾 TiO2表面或晶體結構

以增加其對光波之吸收率與抑制電子-電洞對之再結合TiO2之晶體

中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性質之改變益於光

催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕捉電子或電洞之缺陷

益於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素與 TiO2 共結晶增益對

光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化效果

第一個部分由於本研究透過 Eu3+摻雜入二氧化鈦中於光激發

光譜分析可得知兩系列摻雜 Eu 粉體於藍紫光(394464 nm)激發造成

於 612 nm 處之放光配合染料 black dye 於紅光附近之吸收可提高

染料之額外吸光量進而提高光激發電子之數量以提高能量使用之效

率圖 343 中為 TBT 系列分別取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體與摻

雜 Eu 後發光強度最高 (x = 003)之粉體工作電極材料(分別以 0-TBT

與 Eu003-TBT 表示)組裝電池後量測之光電特性為討論分析其再

現性本研究以相同條件多次組裝電池量測求證結果由表 34 中光

電特性參數得知兩種樣品所得 FF 因子皆達理想電池之表現

117

Eu003-TBT 電池平均效率為 178 而 0-TBT 獲得平均為 234

之較高效率其中短路電流密度(Jsc)從 436 下降至 320 mAcm2為主

要原因以同樣想法將 P25 系列粉體取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體

以及摻雜 Eu 後發光強度最高 (x = 01)之粉體工作電極材料(分別以

0-P25 及 Eu01-P25 表示)組裝電池後量測之光電特性於圖 344 中

顯示由表 35 光電特性參數亦可知 0-P25 平均效率為 189 而

Eu01-P25 為 124 其中短路電流密度從 373 下降至 221 mAcm2

與 TBT 比較同一結構P25 系列之電池效率明顯較小推測仍為

粒徑較大由 BET 之計算可知供染料吸附之比表面積較少因此造

成效率較低針對電池中之工作電極Eu 摻雜後之材料反而效率降

低在此提出可能之機制如圖 345 所示於電子傳遞過程中理

想狀況為光電子迅速由染料之 LUMO 傳遞至二氧化鈦導帶再經由

FTO 導致外電路使用然而由於 Eu 摻雜後之工作電極Eu 所形成之

氧空缺捕捉光電子此時氧空缺類似 trap state因此造成光電子量下

降再者由於被染料激發之光電子到達工作電極時亦可能部分

用以形成 Eu 放紅光之復合電子來源因此亦為光電子量下降之因

可由表 34 與表 35 中經 Eu 摻雜後之工作電極電池光電流之現象得

118

00 02 04 06 08 10 120

1

2

3

4

5

6(TBT)Ti1-xO2Eux

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage (V)

x = 0 231 224 237 233

x=003 176 185 168 182

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 34 TBT 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT 16 074 436 069 234(8)

Eu003-TBT 14 077 320 058 178(2)

119

00 02 04 06 08 100

1

2

3

4

5C

urre

nt d

ensi

ty (m

Ac

m2 )

Voltage (V)

x = 0

189 191 182 193

x = 01 123 125 119 127

Ti1-xO2Eux (P25)

圖 344 P25 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 35 P25 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P25 14 071 373 067 189(2)

Eu01-P25 15 079 221 054 124(3)

120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖

332 雙層工作電極結構

對於提高染料敏化太陽能效率由效率 sc oc inJ V FF Pη = times times 可

知致力於提高其開路電壓 (Voc) 亦為提高效率其中之一方法以

此觀念為基礎之研究例如 Durr 等人(124)於 2006 年利用於原 TiO2上塗

佈 Ti1-xZrxO2與 ZrO2之混合物由於 ZrO2之能隙約為 5 eV相對於

TiO2之 32 eV形成一道位階屏障阻擋傳導至 TiO2傳導帶之光電

子與染料之 HOMO(Highest occupied molecular orbital)或電解質中 I3minus

再復合之機會進而提高光電子傳導致外電路之數量本研究鑑於先

前對於 Eu 摻雜入 TiO2後提高其價帶位階並增加其能隙大小之結

果設計雙層結構以降低光電子再復合之機率因此下一部分實驗

121

因此本研究將利用Eu摻雜對於 TiO2 之粉體與未摻雜 TiO2相異之光

電特性設計出雙層結構工作電極藉以探討對於太陽能電池效率之

影響

3321 雙層工作電極結構電池製作說明

首先說明此雙層結構工作電極之太陽能電池之設計先於十片清

洗完之 FTO 上透過網印塗佈一層未摻雜 Eu 之二氧化鈦電極(約 6~7

μm)經過層溫燒結後再分成兩組各五片其中一組繼續塗佈一層

相近厚度未摻雜 Eu (x = 0)之二氧化鈦電極而另一組則塗佈一層摻

雜 Eu 後發光強度最高(TBT 系列x = 003)之電極再進行層溫燒結

並與第一部分單層結構相同利用四氯化鈦處理後再進行 500oC 燒結

即完成分別以 0-TBT0-TBT 與 Eu003-TBT0-TBT 表示而 P25 系

列樣品亦以相同步驟製得分別以 0-P250-P25 及 Eu01-P250-P25 電

池雙層結構設計圖如圖 346 所示

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖

122

3322 電池效率量測

為探討其組裝之再現性與穩定性本研究亦以相同條件多次組裝

電求證結果圖 347 為 TBT 系列雙層結構電池之電流-電壓圖由表

中可得知0-TBT0-TBT與Eu003-TBT0-TBT平均效率分別為260

與 343 短路電流密度 (Jsc)為 565 mAcm2與 702 mAcm2開路

電壓為 066 V 與 071 V顯見第二層為 Eu 摻雜之二氧化鈦電極效

率短路電流開路電壓皆增加而 P25 系列第二層若為 Eu 摻雜後

之電極由表 36 中可觀察出效率短路電流開路電壓皆增加但

與 TBT 比較同一結構電池效率明顯較小推測仍為粒徑較大

造成染料吸附量較少 圖 349 為 Eu003-TBT0-TBT 雙層結構電極

材料與染料間能隙之相對位置本研究亦藉此解釋效率提高之原因

由短路電流增加之現象可知光電子被利用之數量增加即光電子從

染料之 LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)快速傳導至第二層

Eu003-TBT 再至第一層 0-TBT由於電子於此傳遞過程中之速率與

兩因素相關(1) 染料用以吸附於二氧化鈦之結構種類強度(2) 染

料 LUMO 與二氧化鈦工作電極之傳導帶(conduction band)之相對位

置而透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動

力(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導

帶位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑

或與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機

率增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值Kim 等人於

2008 年之研究中(125)利用二氧化鈦摻雜鉻(Cr)之材料改變原二氧

化鈦之半導體屬性作為屏蔽電極層亦可減少電子再復合機率而提

高效率

而對於開路電壓增加之現象須先瞭解染料敏化太陽能電池運作

123

時之能階變化階原理由Kubo (55)所建立如圖350(a)所示為一DSSC

於未照光之能階圖亦即TiO2染料電解介質面之間不存在電位差

故其費米能階 (Fermai level EF)可視為自由電子所混成之平衡狀態

當DSSC照光後如圖350(b)所示染料吸收光波產生激發之光電子

與電洞之分離同時造成電位差此電位差即為TiO2之CB與染料之

LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)混成能階(Efn)相對染料

之HOMO (Highest occupied molecular orbital)與電解質氧化還原電位

(I-I3-之ERedox)之混成能階(Efn)之電位差(ΔV)而此電位差之最大直即

為光電壓之最大值亦即開路電壓本研究中由於雙層結構第二層

Eu003-TBT傳導帶上移造成與染料之LUMO混成能階上移因此與

染料之HOMO與電解質氧化還原電位(Iminus I3minus之ERedox)之混成能階差異

變大增大電位差因此提高開路電壓值

124

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 100

1

2

3

4

5

6

7

8

9C

urre

nt d

ensi

ty(m

Ac

m2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT 273 258 250 260

Eu003-TBT0-TBT 342 340 339 352

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 36 TBT 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT0-TBT 15 066 565 070 260(8)

Eu003-TBT0-TBT 16 071 702 068 343(2)

125

00 01 02 03 04 05 06 07 08 090

1

2

3

4

5

6

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-P250-P25 195 201 191 189

Eu01-P250-P25 237 214 242 254

圖 348 P25 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 37 P25 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P250-P25 15 066 420 069 194(5)

Eu01-P250-P25 14 070 473 070 237(2)

126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變化(55)

127

3322 雙層工作電極結構電池入射單色光子-電子轉化效率(IPCE)量

為驗證雙層工作電極結構之電池中效率提高原因之論點本實驗

針對電池進行單色光子-電子轉化效率(IPCE)量測透過自動單光濾

鏡控制光源照射電池之波長藉以觀察電池於不同波長之入射光照射

下其外部量子效率展現由圖 351a 及 351b 分別顯示 TBT 與 P25

系列電池所呈現之 IPCE 圖譜譜線趨勢與參考文獻(75)相近其中

Eu003-TBT0-TBT 電池於可見光區之外部量子效率明顯大於

0-TBT0-TBT 所呈現P25 系列亦有相同趨勢結果於橘紅光附近

(610-620 nm) 提升較明顯是否為第二層結構 TiO2 Eu 於 612 nm 部

分放光為 Black dye 所吸收而增加光利用之故仍未確定故本研究

透過工作電極之放射光譜印證乃將製作完成之 Eu003-TBT0-TBT

電池工作電極一部分未浸泡另一部分浸泡染料 black dye 溶液 24 小

時並以無水乙腈沖洗後待至乾燥進行光激發光譜分析(PL)由圖

352 之結果可知未浸泡之工作電極(plain)經過染料浸泡後(black dye)

於 612 nm 之激發光譜幾乎吻合但是放射光強度略為減弱因此可

知第二層工作電極放射之紅光部分中少量為染料所吸收然而由於太

陽光中紫外光部分只佔 5 因此 394 nm 之激發光轉換成紅光比例

相對極為少量因此藉此增加電池效率效果有限因此雙層結構電池

中第二層為 Eu 摻雜之樣品效率提高之因主要仍為 3222 節中所解

釋由於階梯狀能階設計減少電子再復合機率以增加光電子之可使

用量此論點將於下節電化學交流阻抗分析中再次討論

128

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-TBT0-TBT

Eu003-TBT0-TBT

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-P250-P25

Eu01-p250-p25

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖

129

350 400 450 500 550 600 650 700

In

tens

ity (a

u)

Wavelength(nm)

Eu003-TBT0-TBT Plain black dye46

4

394

612

PLE - λem= 612 nm

PL - λex= 394 nm

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作

電極之激發與放射光譜

3323 雙層工作電極結構電池電化學阻抗(EIS)量測

進一步驗證 3321 中雙層工作電極電池不同結構中效率相異之

原因本研究將一系列電池進行電化學阻抗測試測試結果如圖 353

所示經 Z-view 軟體 fitting 之後並參考 Adachi 等人(79)所發展之模

式獲得如表 38 所列參數藉各參數間之比較可瞭解電池於照光

工作時激發光電子於電池中傳遞之情形

由圖 353 阻抗圖譜中Yoshida 等人(77)界定位於中頻區之圖譜意

義為光電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質液介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗因此本研究發現 TBT 系

列中0-TBT0-TBT 中頻區之半圓半徑明顯大於 Eu003-TBT0-TBT

之結果可得知透過雙層結構之設計(圖 349)第二層為 Eu003-TBT

130

之電池其相對能階形成階梯型驅動力之增加明顯降低工作電極

層與層間之傳輸電阻再者亦可證明第二層形成一傳遞屏障降低

傳遞電子與電解液中 I3-再復合之還原作用而 0-P250-P25 以及

Eu01-P250-P25 之間亦具此現象圖 353 中亦可比較 TBT 與 P25 兩

系列明顯其工作電極內電阻之因素亦反應於電池效率結果上

將圖 353 所得電交流阻抗結果透過 Z-view 軟體 fitting 後得到表

38 所列參數先觀察 TBT 系列兩電池可知第二層為 Eu003-TBT

之電池其 keff (電子再結合速率常數)由 315 下降至 247 s-1因此電

子生命週期提升可知驅動力之增加提升電子傳導之動力學參數

(126)加速電子傳遞以減少電子於電極中之停留機率此點可由 Rw (電

子於 TiO2中之傳導電阻)之降低得證再者由 Rk (電子再結合之電

荷傳導電阻)亦為暗反應電阻此值對於電池效率越大越佳

Eu003-TBT0-TBT 電池較 0-TBT0-TBT 由 1603 增加至 1934顯示

第二層為 Eu003-TBT 之電池由於能階結構之設計降低其電子再

復和之機率此論點與交流阻抗圖譜之結果吻合

由於本雙層結構電池之研究皆控制塗佈步驟中之參數以確立

各電池之膜厚皆相近始可討論 Deff (有效電子擴散係數)與 Ln(電子擴

散長度)對於電子傳遞機制之優劣影響(參考式 214215)相較於

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 電池之 Deff有效從 257 x 10-4提

升至 336 x 10-4 cm2s佐證 Eu003-TBT0-TBT 電池具效延長電子壽

命之現象由表 38 中結果得知各雙層結構電池精算後之 Ln長度皆

大於工作電極膜厚確立各系列電池之傳導電子有效為 FTO 導電

玻璃收集而傳遞至外電路使用而 Eu003-TBT0-TBT 之 Ln 值較

0-TBT0-TBT 所得之 Ln值大 以上結果皆顯示第二層為 Eu003-TBT

之電池可有效減少電子因粉體之氧空缺被捕捉而停滯之機率增加

131

之驅動力促使電子可於工作電極中有效而快速地傳遞進而提高光電

轉換效率而關於 P25 系列之討論顯示 0-P250-P25 與

Eu01-P250-P25 之各參數比較與效率結果皆吻合現象解釋與 TBT

系列相同

關於TBT系列與 P25系列之Deff之比較顯示TBT系列之Deff 普

遍皆大於 P25 系列亦具相關文獻(127)指出由於晶相之含量差異亦

會影響此值由於 Anatase 晶相與 Rutile 晶相均為正立方晶系

(Tetragonal system)結構其晶相皆是以 TiO6之八面體存在不同處

為於 Anatase 晶相中其不論 abc 軸方向其八面體間之鍵結均

是以 edge-sharing 之方式存在而於 Rutile 晶相中則為於 ab 軸以

corner-sharing 之方式存在於 c 軸方向以 edge-sharing 之方式鍵結

此結構之差異造成 Anatase 傳導電子之能力較佳此結果於已有之光

觸媒研究已確立因此相較於 P25 系列TBT 系列擁有較純之 Anatase

晶相因此 Deff較大而光電轉換效率亦較高

132

20 30 40 50 60 70 800

5

10

15

20

25

30

Z

(ohm

)

Z (ohm)

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 0-P250-P25 Eu01-P250-P25

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖譜

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數分析

Structure

L

(μm)

keff

(s-1)

τ

(s)

Rk

(Ω)

Rw

(Ω)

Deff

(cm2s)

Ln

(μm)

0-TBT0-TBT 16 315 0032 1603 4987 257 E-04

287

Eu003-TbT0-TBT 15 247 0040 1934 3236 336 E-04 367

0-P250-P25 15 451 0022 1123 7011 164E-04 190

Eu01-P250-P25 14 356 0028 1465 5445 188 E-04 229

133

333 CdSe 敏化雙層工作電極結構電池光電特性分析

由於二氧化鈦其能隙較大(約 32 eV)之故因此可見光中可激發

其電子之波段較窄必須透過窄能隙材料之吸附以增加其對於可見光

之利用除染料以外近年來所發展之量子點材料亦為一具潛力之

敏化物

本研究欲驗證量子點取代Black dye之角色後效率趨勢是否相

同因此取染料敏化實驗中效率較高之TBT系列作為雙層電極結構材

料並以硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物本實驗所合成之硒化鎘測

量其吸收光譜(UV-Vis)可知第一個吸收峰值之對應波長約於554

nm藉由Peng等人(128)所發展之方程式估算出粒子大小(D)可計算粒

徑約為305 nm

D = (16122times10-9)λ4- (26575times10-6)λ3 +(16242times10-3)λ2 - (04277)λ

+ (4157) (38)

其中 λ 為第一個吸收峰值之對應波長

圖 354 為 TBT 系列雙層結構量子點電池之電流-電壓圖由表

39 中0-TBT0-TBT(Plain)與 Eu003-TBT0-TBT(Plain)代表未吸附

CdSe 之電池效率極低分別為 00040 與 00060 而經過 CdSe

之摻雜後[0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)]平均效

率分別提升為為 0047 與 0083 光電流值亦明顯提升顯示量

子點之吸附增加電池對於入射光能量之利用若比較

0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)兩組數據其 FF 值

比染料敏化電池值較為低此為現階段量子點電池之通病亦為效率

一直無法提升之因而第二層為 Eu 摻雜之工作電極效率短路電

流與開路電壓值皆提升此與染料敏化電池系列之趨勢相同表示而

透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動力

134

(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導帶

位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑或

與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機率

增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 1000

01

02

03

04

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT(CdSe) 0045 0046 0049 0049

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 0083 0085 0081 0082

0-TBT0-TBT(Plain) 00040 00043

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 00062 00063

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC (V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

() 0-TBT0-TBT(Plain) 14 043 002 009 00040(2)

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 16 044 003 012 00060(3)0-TBT0-TBT(CdSe) 15 054 025 034 0047(2)

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 16 058 033 037 0083(1)

135

第四章 結論

本研究成功利用不同前趨物以溶膠凝膠法與水熱法之合成方法

製備出兩系列 TiO2Eu3+工作電極材料( TBT 與 P25)以 XRD 等量測

進行材料結構鑑定分析並探討 Eu 摻雜後對於 TiO2之發光特性與電

子組態之影響爾後將材料應用於敏化太陽能電池之工作電極研究

修飾後之 TiO2電極對於電池效率之影響其重要結果如下

(a)本研究以溶膠凝膠法及水熱法藉由 Eu 摻雜成功合成出純銳鈦礦

(Anatase)之二氧化鈦並且由於 Eu-Ti-O 鍵結形成不僅延緩金紅

石(Rutile)晶相生成有較好之光電特性亦限制晶體之成長由於

粒徑越小增加其比表面積因此有效提升太陽能電池染料之吸附

量增加電池之效率表現

(b)以光激發光譜分析樣品得知隨著活化劑 Eu 摻雜量之增加主體

晶格 TiO2 之發光強度隨之增加於高濃度出現濃度淬滅現象而

拉曼光譜亦證實藉由 Eu 摻雜成功延遲煆燒過程中金紅石(Rutile)晶

相生成且增加粉體表面之氧空缺

(c)本研究以紫外-可見光擴散式反射光譜測量 TiO2Eu3+之吸收特性

經由 Eu 摻雜後出現之紅位移現象顯示 TiO2 於摻雜稀土金屬離

子產生能階混成造成能隙縮小增加對於可見光範圍之吸收並以

X 射線光電子能譜儀分析獲知摻雜離子 Eu3+於晶體中位置並以價

帶光譜之量測成功建立樣品之價帶傳導帶能階位置而 X-光吸

收光譜之近邊緣光譜分析得知Eu 摻雜後鍵結中電子轉移造成表

面氧空缺增加

(d)將合成之材料應用於染料敏化太陽能電池之工作電極本研究原

構想欲透過發紅光之 TiO2Eu3+以增加染料 Black dye 於紅光波段

136

之利用然而由光電特性卻發現由於摻雜後氧空缺所造成之雜質

態捕捉光電子由光電流降低之現象證實光電子量減少

(e)為提高染料敏化電池效率本研究利用雙層結構工作電極之設計而

形成階梯式位階排列不僅增加傳遞驅動力亦由於電極屏障生成

以減少電子再復合之機率而短路電流之增加證實此點並透過與

染料能階之混成提高開路電壓值因此整體結果提高電池之效

率而將染料製換為硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物第二層為

Eu 摻雜材料之電池效率亦明顯提升進一步證實此研究構想之

正確性

總而言之本研究合成兩系列 TiO2Eu3+樣品並探討其之晶體

結構特性發光性質以及建立摻雜離子 Eu3+對於其電子組態之影

響且透過雙層結構設計成功提高敏化太陽能電池之效率

137

參考文獻

1 許志偉 陳宏仁 林怡君 and 王立義 有機無機太陽能電池之

現況發展 化工 第52卷 第2期 49-58 民94

2 AJ McEvoy and M Gritzel Sol Energ Mat Sol C 1994 32 3

221

3 A Hagfeldt B Didriksson T Palmquist H Lindstroumlm S Soumldergren

H Rensmo and SE Lindquist Sol Energ Mat Sol C 1994 31

481

4 B OrsquoRegan and M Graumltzel Nature 1991 353 737

5 M Graumltzel Nature 2001 414 338

6 黃建昇 結晶矽太陽電池發展近況 工業材料雜誌 第203期 150

民92

7 httpcdnetstpiorgtwtechroommarketenergyenergy022htm 國

家實驗研究院科技政策研究與資訊中心(Science amp Technology

Policy Research and Information CenterSTPI)

8 M Graumltzel Phil Trans R Soc A 2007 365 993

9 X Chen and SS Mao Chem Rev 2007 107 2891

10 D Cahen G Hodes M Graumltzel JF Guillemoles and I Riess J

Phys Chem B 2000 104 2053

11 D Matthews P Infelta and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C

1996 44 119

12 M Graumltzel J Photochem Photobio A 2004 164 3

13 TN Rao and LJ Bahadur J Electrochem Soc 1997 144 179

14 AB Kashyout M Soliman and M Fathy Mater Chem Phys

2005 90 230

15 P Guo and MA Aegerter Thin Solid Films 1999 351 290

138

16 K Sayama H Sugihara and H Arakawa Chem Mater 1998 10

3825

17 BV Bergeron A Marton G Oskam and GJ Meyer J Phys Chem

B 2005 109 793

18 S Chappel and A Zaban Sol Energ Mat Sol C 2002 71 141

19 K Hara T Horiguchi T Kinoshita K Sayama H Sugihara and H

Arakawa Sol Energ Mat Sol C 2000 115 64

20 B Tan E Toman Y Li and YY Wu J Am Chem Soc 2007 129

463

21 CJ Barbeacute F Arendse P Comte M Jirousek F Lenzmann V

Shklover and M Graumltzel J Am Ceram Soc 1997 80 3157

22 K Kalyanasundaram and M Graumltzel Coord Chem rev 1998 177

347

23 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B

2000 104 989

24 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio RH Baker E Muumlller P

Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem Soc 1993

115 6382

25 G P Smestad and M Graumltzel J Chem Educ 1998 75 752

26 劉茂煌奈米光電池工業材料雜誌 2003203 期 民93

27 MK Nazeeruddin SM Zakeeruddi RH Baker M Jirouse P Lisk

N Vlachopoulos V Shklover CH Fischer and M GraumltzelInog

Chem 1999386298

28 KS Finnie JR Bartlett and JL Woolfrey Langmuir 1998 14

2744

29 C Bauer G Boschloo E Mukhtar and A HagfeldtJ PhysCem B

2002 106 12693

139

30 CG Garcia NYM Iha R Argazzi and CA Bignozzi Inorg Chem

1994 33 5741

31 MK Nazeeruddin M Amirnasr P Comte JR Mackay AJ

McQuillan R Houriet and M Gratzel Langmuir 2000 16 8525

32 MK Nazeeruddin P Peacutechy T Renouard SM Zakeeruddin R H

Baker P Comte P Liska L Cevey E Costa V Shklover L

Spiccia GB Deacon CA Bignozzi and M Graumltzel J Am Chem

Soc 2001 123 1613

33 J Hagaen W Schaffrath P Otschik R Fink A Bacher HW

Schmidt and D Haarer Synthetic Met 1997 89 215

34 N Papageorgiou WF Maier and M Graumltzel J Electrochem Soc

1997 144 876

35 A Kay and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C 1996 44 99

36 S Chen SK Deb and H Witzke US Patent 1978 4080488

March 21

37 M Graumltzel and K Kalyanasundaram Curr SCi 1994 66 706

38 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio R Humphry-Baker E

Muumlller P Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem

Soc 1993 115 6382

39 M Graumltzel AIP Conf Proc 1997 404 119

40 M Graumltzel J Photo Photobio A Chem 2004 164 3

41 L Han Y Chiba and A Islam 16th International Conference of

Photochemical Conversion and Solar Sstorage Uppsala Sweden

2006

42 Y Chiba A Islam and Y Watanabe J Appl Phys 2006 45 638

43 MK Nazeeruddin FD Angelis and S Fantacci J Am Chem Soc

2005 127 16835

140

44 JM Kroon NJ Bakker HJP Smit P Liska KR Thampi P

Wang SM Zakeeruddin M Gratzel A Hinsch S Hore U Wurfel

R Sastrawan JR Durrant E Palomares H Pettersson T

Gruszecki J Walter K Skupien and GE Tulloch Prog Photovolt

Res Appl

45 H Arakawa T Yamaguchi and A Takeuchi 16th International

Conference of Photochemical Conversion and Solar Storage

Uppsala Sweden 2006 W42P210

46 M Spath JV Roosmalen and P Sommeling 3rd WCPEC Osaka

Japan 2003

47 H Tsubomura M Matsumura Y Nomura and T Amamiya Nature

1976 261 402

48 PM Sommeling 2nd WCPEC Vienna 1998

49 CJ Barbe J Am Cera Soc 1997 80 3157

50 K Tennakone J Phys D Appl Phys 1998 31 1492

51 MK Nazeeruddin P Pĕchy and M Graumltzel Chem Comm 1997 36

1705

52 K Hara Chem Comm 2001 68 569

53 角野 裕康 村井 伸次 御子柴 智 東芝レビュー 2001 56 7

54 A Hagfeldt Nano Letters 2001 1 97

55 W Kubo Chem Comm 2002 39 374

56 原 浩二郎 AIST Today 2002 12 14

57 L Vlachopouios J Am Chem Soc 1988 110 1216

58 V Vamathevan H Tse R Amala G Lowb and S McEvoy

Catalysis Today 2002 68 201

59 MI Litter and JA Navio J Photo Photobio A Chem 1996 98

171

141

60 J Yu H Yu CH Ao SC Lee JC Yu and W Ho Thin Solid

Films 1999 496 273

61 W Li Y Wang H Lin SI Shah CP Huang DJ Doren SA

Rykov JG Chen and MA Barteau Appl Phys Lett 2003 83 20

62 R Asahi T Morikawa T Ohwaki K Aoki and Y Taga Science

2001 293 269

63 C Jia E Xie A Peng R Jiang F Ye H Lin and T Xu Thin Solid

Films 2006 496 555

64 M Saif and MSA Abdel-Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360

2863

65 湯友聖 台灣師範大學碩士論文 臺北 民 97

66 RC Ropp Luminescence and the Solid State Elservier Amsterdam

2004

67 H Dieke and RA Satten Am J Phys 1970 38 399

68 httpcaiwiteducnmseliuyu2006pptliuX-rayppt

69 AR West Basic Solid State Chemistry John Wiley amp Sons

Singapore 1991

70 吳泰伯 and 許樹恩 X-光繞射原理與材料結構分析 國科會精儀

中心 台北 民 82

71 httpwwwndhuedutw~nanolabtext93_Ma_II_v2pdf

72 林群哲 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 96

73 賴泓均 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 95

74 S Ito TN Murakami P Comte P Liska C Graumltzel MK

Nazeeruddin and M Graumltzel Thin Solid Films 2008 516 4613

75 H Kusama M Kurashige K Sayama M Yanagida and Hideki

Sugihara J Photochem Photobio A 2007 189 100

76 蕭光宏 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 97

142

77 Y Yoshida S Tokashiki K Kubota R Shiratuchi Y Yamaguchi

M Kono and S Hayase Sol Energ Mat Sol C 2008 92 646

78 JJ Wu GR Chen HH Yang CH Ku and JY Lai Appl Phys

Lett 2007 90 213109

79 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

80 J Lin and JC Yu J Photochem Photobiol A Chem 1998 116 63

81 T Lindgren JM Mwabora E Avendano J Jonsson A Hoel CG

Granqvist and SE Lindquist J Phys Chem B 2003 107 5709

82 H Tang H Berger PE Schimid F Levy and G Burri Solid State

Commun 1993 87 847

83 G Oskam A Nellore RL Penn and PC Searson J Phys Chem B

2003 107 1734

84 MA Anderson MJ Gieselmann Q Xu J Membr Sci 1988 39

243

85 P Ganguly N Shah M Phadke V Ramaswamy IS Mulla Phys

Rev B 1993 47 991

86 JH Li WL Kang WH Yan YH Guo HF Gao and ZH Liu

Acta Phys Chim Sin 2008 24 1030

87 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B 2000

104 8989

88 RA Spurr and H Myers Anal Chem 1957 29 760

89 S Yin H Yamaki M Komatsu Q Zhang J Wang Q Tang F Saito

and T Sato J Mater Chem 2003 13 2996

90 E Setiawati and K Kawano J Alloy Compd 2008 451 293

91 B Zou L Xiao T Li J Zhao Z Lai and S Gu Appl Phys Lett

1991 59 1826

143

92 J Yang ZW Quan DY Kong XM Liu and J Lin Cryst Growth

Des 2007 7 730

93 T Hirai and Y Kondo J Phys Chem C 2007 111 168

94 S Yan J Zhang X Zhang S Lu X Ren Z Nie and X Wang J

Phys Chem C 2007 111 13256

95 G Blasse and BC Grabmaier Luminescence Materials Chap 9

186

96 T Miyakawa and D L Dexter Phys Rev B 1970 1 2961

97 KL Frindell MH Bartl MR Robinson GC Bazan A Popitsch

and GD Stucky J Solid State Chem 2003 172 81

98 DL Dexter JH Schulman J Chem Phys 1954 22 1063

99 T Blasse G Philips Res Rep 1969 24 131

100 L Ozawa and PM Jaffe J Electrochem Soc 1971 118 1678

101 QZ Wang J Tian XH Yang and X Gao J Chin Lumin 1995

16 57

102 YH Zhang CK Chan J Porter and W Guo J Mater Res 1998

13 2602

103 BD Yao YF Chan XY Zhang WF Zhang ZY Yang and N

Wang Appl Phys Lett 1998 82 281

104 D Bersani PP Lottic and XZ Ding Appl Phys Lett 1998 72 1

105 YL Li and T Ishigaki J Phys Chem B 2004 108 15536

106 JC Parker RW Siegel J Mater Res1990 5 1246

107 HC Choi YM Jung and SB Kim Vib Spectrosc 2005 37 33

108 JG Li X Wang K Watanabe and T Ishigaki J Phys Chem B

2006 110 1121

109 T Sreethawong Y Suzuki S Yoshikawa Int J Hydrogen Energ

2005 30 1053

144

110 M Saif and A Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360 2863

111 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2005 247 36

112 AB Murphy Appl Opt 2007 46 3133

113 P Kubelka J Opt Soc Am 1948 28 448

114 DG Barton M Shtein RD Wilson SL Soled and E Iglesia J

Phys Chem B 1999 103 630

115 PA Tanner KL Wong and Y Liang Chem Phys Lett 2004 399

15

116 T Umebayashi T Yamaki H Itoh and KJ Asai Phys Chem Solid

2002 63 1909

117 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2006 247 36

118 X Lai Q Guo BK Min and DW Goodman Surf Sci 2001 487

1

119 FM Liu TM Wang JQ Li C Wang SK Zheng and M Duan J

Magn Magn Mater 2002 251 245

120 W Gopel Surf Sci 1984 139 333

121 AG Thomas WR Flavell AK Mallick AR Kumarasinghe

DTsoutsou N Khan C Chatwin S Rayner and GC Smith Phys

Rev B 2007 75 035105

122 X Wang JG Li H Kamiyama M Katada N Ohashi Y

Moriyoshi and T Ishigaki J Am Chem Soc 2005 127 10982

123 D Vogtender R Poducky J Redinger ELD Habenstreit W

Habenstreit and U Diebold Phys Rev B 2002 65 125411

124 M Durr S Rosselli A Yasuda and G Nelles J Phys Chem B

2006 110 21899

145

146

125 C Kim KS Kim HY Kim and YS Han J Mater Chem 2008

18 5809

126 I Robel M Kuno and PV Kamat J Am Chem Soc 2007 129

4136

127 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

128 W Yu L Qu W Guo and X Peng Chem Mater 2003 15 285

  • Poyu封面
  • 洪柏育-碩士論文摘要-0609-2009
  • Poyu謝誌
  • PoYu Hung-MS Thesis-0625-2009pdf
Page 6: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成

251 工作電極漿料配製 51

252 導電玻璃清洗 51

253 電池組裝與特性測試 51

254 染料敏化太陽能電池性能測試 54

2541 電流電壓效率曲線(I-V curve)量測 54

2542 入射單色光之光電轉換效率量測(incident photon to current

convers-ion efficiencyIPCE) 56

2543 電化學阻抗分析(Electrochemical impedance spectroscopy EIS)

57

26 量子點敏化太陽能電池之組裝 62

261 硒化鎘 (CdSe) 量子點之製備 62

262 硒化鎘 (CdSe) 量子點之改質 (Ligand exchange)64

263 量子點敏化電池之組裝 66

第三章 結果與討論 67

31 TiO2Eu3+ 材料結構鑑定分析68

311 晶體結構分析 68

3111 TiO2Eu3+ (TBT系列) XRD分析 70

3112 TiO2Eu3+ (P25 系列) 74

312 晶體表面形貌分析 79

3121 SEM 與TEM粉體形貌分析79

3122 氮氣等溫吸附與脫附分析(Brunauer -Emmett-TellerBET) 83

31221 TBT系列粉體BET分析 83

31222 P25 系列粉體BET分析86

32 TiO2Eu3+ 粉體光譜特性分析88

3211 光激發光譜分析(PL) 88

3212 臨界距離與能量轉移機制 94

III

322 拉曼散射光譜分析 (Raman scattering spectrum) 96

3221 TBT系列粉體拉曼散射光譜分析96

3222 P25 系列樣品拉曼散射光譜分析 98

323 紫外-可見光擴散式反射光譜分析(UV-Vis DRS) 100

3231 TBT系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析 100

3232 P25 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析104

324 X射線光電子能譜儀(XPS) 106

325 X-光吸收光譜(XAS)113

33 Ti1-xO2Eux3+粉體於染料敏化太陽能電池之應用研究117

331 單層工作電極電池效率量測 117

332 雙層工作電極結構 121

3321 雙層工作電極結構電池製作說明 122

3322 電池效率量測 123

3322 雙層工作電極結構電池入射單色光子-電子轉化效率(IPCE)量

測128

圖 352 Eu003-TBT0-TBT電池吸附與未吸附染料工作電極之激發

與放射光譜130

3323 雙層工作電極結構電池電化學阻抗(EIS)量測 130

333 CdSe敏化雙層工作電極結構電池光電特性分析 134

第四章 結論 136

參考文獻 138

IV

圖目錄

圖 11a 各類型太陽能電池效率之發展情形helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip5

圖 11b 各式種類太陽能電池效率演進圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip5

圖 12 染料敏化太陽能電池結構示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip7

圖 13 染料敏化太陽能電池各反應動力學比較示意圖helliphelliphellip8

圖 14 N3 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip13

圖 15 N719 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip13

圖 16 Black dye 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip14

圖 17 Black dye 染料與 N719 染料吸收光譜比較圖helliphelliphellip14

圖 18 DSSC 研究發展時程回顧helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip18

圖 19 主體晶格之陽離子分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip21

圖 110 主體晶格中不具光學活性陰離子團分布圖helliphelliphelliphellip21

圖 111 格中具光學活性陰離子團分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip22

圖 112 活化劑之陽離子團分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip22

圖 21 以溶膠-凝膠法與水熱法合成 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux實驗

流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip29

圖 22 以水熱法合成 P25 系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖helliphellip30

圖 231 (a)銅靶之 X 光光譜 (b)封閉式 X 光射線管helliphelliphelliphellip32

圖 232 X 光原理示意圖Cu 1s 電子游離後形成之電洞由 2p 電

子填入並伴隨 X 光釋出helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip33

圖 234 X 光繞射之示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip34

圖 24 X-光粉末繞射儀(PANalytical XrsquoPert PRO XRD) helliphellip35

圖 25 晶體繞射結構解析之一般流程helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip37

圖 26 掃描式電子顯微鏡(NDL)HITACHI S-4000helliphelliphelliphellip38

V

圖 27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip39

圖 28 TEM電子腔內部結構示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip40

圖 291 IUPAC制定之物理等溫吸附-脫附分類圖helliphelliphelliphelliphellip41

圖 292 IUPAC制定之遲滯迴圈型態示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip42

圖 210 螢光體光譜量測過程helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip43

圖 211 光激發光光譜儀構造helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip44

圖 212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀helliphelliphelliphelliphellip45

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip46

圖 216 Hitachi-U3410 紫外-可見光光譜儀helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip48

圖 217 Ti K-edge之XANES示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip50

圖 218 網印機塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip52

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖helliphelliphelliphelliphellip53

圖 220 電池光電轉換效率值檢測系統helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip55

圖 221 太陽能電池 I-V 特性曲線示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip55

圖 222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖helliphelliphelliphelliphellip57

圖 223 Z Z Z θ 之間之關係圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip58

圖 224 典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖helliphelliphellip59

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip60

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析helliphellip60

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip63

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip65

圖 31 TiO2 銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip69

圖 32 TiO2 金紅石(Rutile)相晶體結構圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip69

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜helliphelliphellip70

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖helliphelliphellip71

VI

圖 35 TBT系列Ti097O2Eu0033+粉體X光繞射結構精算圖helliphellip73

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜helliphelliphelliphelliphellip75

圖37 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布helliphelliphelliphelliphelliphellip75

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖helliphelliphellip77

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 003helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 80

圖 392 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)

為 x = 15helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip81

圖 310 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ TEM 圖放大倍率皆為 200kx(a)

x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f)

x = 004 helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip82

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖85

圖 312 TBT系列樣品不同Eu摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip86

圖 313 (a)~(c) P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之BET圖87

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip88

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖helliphelliphelliphellip90

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖helliphellip91

圖 317 P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL光譜圖helliphelliphellip91

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip92

圖 319 TBT系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE光譜圖helliphellip93

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖helliphellip93

圖 321 Ti1-xO2 Eux3+之 log(xEu

3+)對 log(IxEu3+)關係圖helliphelliphelliphellip95

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖hellip97

圖323 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖helliphellip99

圖 324 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS光譜helliphellip101

VII

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip103

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip104

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜helliphelliphellip105

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖105

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖106

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphellip108

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip108

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip110

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖338兩系列樣品未摻雜及摻雜Eu3+粉體能隙位階圖helliphelliphellip112

圖 339 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜helliphelliphelliphellip114

圖 340 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip115

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜helliphelliphelliphellip115

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip116

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip119

圖344 P25系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphellip121

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip122

VIII

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

圖348 P25系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖helliphellip127

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變

化helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip127

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作電極之激

發與放射光譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 130

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖

譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip135

IX

X

表目錄

表 11 各類型太陽能電池之比較helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip4

表 2-1 本研究所使用之藥品清單helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip25

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip33

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數hellip73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參

數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip74

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數helliphelliphellip78

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果helliphelliphellip78

表 34 TBT系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip119

表 35 P25系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

表36 TBT系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

表 37 P25系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數

分析helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip135

第一章 緒論

11 前言

聖經舊約創世紀記載著上帝說要有光即有光時至今日太

陽光為地球上最重要且最為豐富之可再生能源亦為人類唯一用之不

盡取之不竭之能量來源每年於地球上之光照能量可達到全球人類

年消耗量之數千萬倍以上由於各類天然能源快速耗竭故有效利用

太陽能轉換成所需之能源成為ㄧ門極為重要之課題各種再生能源中

涵蓋太陽能水力發電風力發電燃料電池以及鋰離子電池等

僅太陽能電池為一種將太陽光直接轉換為電能之光電元件早於1954

年時美國 Bell 實驗室首先提出以矽半導體作為太陽能電池之材

料此一領域於眾多研究學者與工程人員之努力下迄今相關之理論

與技術均已相當成熟且真正地商品化雖然無機半導體-矽太陽能電

池發展至今製程已漸趨穩定但由於對於原料之純度高度要求因此

製備成本難再大幅降低因此各研究單位莫不積極找尋另一低成本

製程簡易之替代材料此為目前使太陽能電池應用普及之發展重點

相較於傳統矽晶材料無機奈米材料具低密度質量輕成本低廉且

可使用一般傳統且發展完備之塗佈方式例如旋轉塗佈 (spin

coating)刮刀塗佈(doctor-blade coating)網版印刷(screen printing)

或近來發展之噴墨印刷 (ink-jet printing)等不需高價位設備之方法來

製備光伏元件 (photovoltaic device)因此不但可簡易地製備不同大

小之元件 並且可大幅提升進一步顯著降低元件成本之機會同時

無機奈米材料可透過分子結構設計例如摻雜金屬離子或是改變其形

貌藉以調整其能階與能隙大小電荷轉移能力電荷傳導速度溶

解度成膜之結晶型態等重要材料特徵另外所吸附之有機分子通

常具高光吸收係數與良好之延展性因而可藉以製備輕薄且可撓曲之

1

攜帶式電池元件(1)色素增感 (dye-sensitization) 之概念源起於19世

紀攝影技術使用色素增感鹵化銀(silver halide)可產生黑與白之感光

膜(photographic films)此被視為關於色素增感半導體之第一個重大

研究(2)然而最早之光電化學使用之平滑電極只有於膜表面吸附之

單層色素才能有效的將電子注入半導體內但此單層色素內光線之吸

收效率極低於多孔性之 TiO2 奈米薄膜內其有效表面積能增加至

1000倍因此要使光線吸收效率增加必須使每一個 TiO2 粒子表面

皆吸附單層色素(3)直到1991年瑞士科學家Graumltzel利用奈米技術改良

工作電極進而開發出高效率(71~79 )太陽能電池稱為染料敏化太

陽能電池 (dye - sensitized solar cellsDSSC) (4)其成果引起全球能

源界之關注以及熱烈投入發展近年來染料敏化太陽能電池澎勃發

展最大原因仍在於簡單製程無須投入昂貴設備無塵室廠房等

設備而二氧化鈦電解質等材料價格便宜亦為關鍵要素此外

DSSC 可使用具可撓曲性基材應用端因此大幅擴張相較於目

前主流矽晶太陽能電池只適用於大型戶外屋頂等少數應用場

合其具較大之應用空間

12 太陽能電池簡介

太陽能電池依照所使用之材料以及製程之不同可分為矽基

型化合物半導體型與有機半導體型三類

ㄧ矽基型太陽能電池(5 - 7)

根據結晶形態矽基型太陽能電池可分為單晶矽(monocrystalline

silicon)多晶矽(polycrystalline silicon)與非晶矽(amorphous silicon)三

類單晶矽之組成原子均按照一定規則週期性排列以單晶矽製

備之太陽能電池轉換效率最高約為24 使用壽命年限亦較長

2

但通常所使用之矽半導體基材純度極高相對地製造成本亦最多

多晶矽是以熔融態之矽鑄造固化而成其矽原子堆積方式不只一

種而是由多種不同排列方向之單晶所組成多晶矽太陽能電池由

於製程簡單故成本較低轉換效率約18-20 非晶矽對光之吸收性

比矽強約500倍只需薄薄一層即可將光子之能量有效地 吸

收其轉換效率雖僅 13-14 然而因為非晶矽不需使用昂貴之

結晶矽基板而用較便宜之玻璃陶瓷或是金屬等基板如此不僅

可以節省大量之材料成本亦提高製作大面積之太陽電池之可能性

(結晶矽太陽電池之面積受限於矽晶圓之尺寸)製造成本為三者間

最低為其最大之優勢故未來亦具發展潛力世界上已有多家公司生

產該種電池之產品例如美國 uni-solarsolarex日本三洋電機

夏普大陸深圳拓日與德國 Schott Solar非晶矽薄膜太陽電池之主

要優點是成本低製備容易但亦存在嚴重缺點即性能不穩定其

光電轉換效率隨光照時間延續而衰減另外非晶矽薄膜太陽電池之效

率亦較低(95 )為提升非晶矽電池效率大多數廠商採用雙層p-i-n

結構(一層非晶矽能階約17 eV與一層微晶矽能階約14 eV堆疊而成)

串接使電池可以吸收各種不同波長之光源達到對太陽光最大利用

進而提升整個之轉換效率

二化合物半導體型薄膜太陽能電池(5 8)

化合物半導體型薄膜太陽能電池則可分為下列幾類Ⅲ-Ⅴ族

[包括砷化鎵 (GaAs) 磷化銦 (InP)磷化鎵銦 (InGaP) ]Ⅱ-Ⅵ

族[包括碲化鎘 (CdTe)硒化銦銅 (CuInSe)]等化合物半導體為直

接能隙材料其能隙於11及16 eV之間與太陽光譜匹配度較佳此

些材料所製作之太陽電池亦都有很高之效率尤其多接面串疊型

(InGaPGaAsInGaAs multijunction tandem cell)之太陽能電池效率甚

3

至可以接近40 然而製作過程中需於真空及高溫下操作使得造價

昂貴且並未大量生產故目前商業市場上仍以矽基型太陽能電池為

三有機半導體型

有機半導體型太陽能電池具成本低廉製程簡易可應用於大

面積化以及具可撓曲性等優點故近年來度受到各界矚目本論文

中所研究之染料敏化太陽能電池(5 9)即為其中之一 然而此系列之

太陽能電池至今尚未量產之主因是在於其轉換效率低高溫穩定性

不佳及大尺寸太陽能板開發等問題因此提高轉換效率與穩定性

則成為目前研究之首要目標

表 11 各類型太陽能電池之比較(5)

4

圖 11a 各類型太陽能電池效率之發展情形(8)

圖 11b 各式種類太陽能電池效率演進圖(16)

5

13 染料敏化太陽能電池

131 工作原理

染料敏化太陽能電池之組成以及此類電池之工作原理與相對能

階位置圖如圖12 所示塗有多孔性奈米結晶性二氧化鈦(porous

nanocrystalline TiO2)之透明導電玻璃(陽極)染料分子吸附於TiO2

上含有Iminus I3minus之氧化還原對(reduction-oxidation couple)電解質塗有

鉑(Pt)觸媒層之相對電極(陰極)所組成於外接負載情況下整個電

池形成連通迴路而產生電流與電壓當太陽光照射至染料而產生激發

電子由於染料分子LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)能階

較 TiO2 導帶高(Ecconduction band)染料激發態電子迅速注入TiO2

導帶中而形成染料陽離子其中 TiO2 不單作為染料支持劑且為電

子之受體與導體雖然少部分電子會經由再結合(recombination)過程

而消失但大部分電子經由導電玻璃而傳導至外電路氧化態之染料

從電解質獲得電子而還原輸出之光電壓為照光下半導體之費米能階

(Fermi level)與電解質氧化還原可逆電對 (redox couple)之Nernst

potential差( )電解液經由相對電極上傳來之電子而被還原(10)如

此整個電路各部分皆得以再生無淨反應生成其持續之光電流由

此產生整個反應表示如下(11)

陽極 S(基態) + 能量( hυ ) rarr S(激發態)helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip照光激發

S rarr S+ + e- (CB)helliphellip染料激發態電子進入TiO2導帶

2S+ + 3 Iminus (電解質) rarr 2S + I3minushelliphelliphellipS再生Iminus消耗

陰極 I3minus+ 2e- rarr 3 IminushelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellipIminus再生

副反應 2e-(CB) + I3minusrarr3 IminushelliphellipTiO2 導帶上之電子與I3

minus結合

其中S為染料基態(ground state)S為染料激發態(excited state)S+

為氧化態染料離子(oxidized state)

6

圖 12 染料敏化太陽能電池結構示意圖(12)

圖13 為染料敏化太陽能電池各層間反應時間示意圖當染料經

照光後激發態電子注入 TiO2 導帶於 pico-second 範圍而結合過

程則約發生於 micro-second 之時間因此前者電子傳遞速率約為後

者之103倍甚至可達106倍故形成光誘導電荷分離之動力學基礎可

見光誘導分離非常有效造成淨電子流出此外電子之生命週期(life

time)與擴散係數(diffusion coefficient)決定電子之擴散長度(diffusion

length)電子於多孔膜中傳遞並不如在單晶中快故必須盡可能減少

電子行走路徑與穿越晶體界面數因此存在有一最佳膜厚對應最

大光電流值最後染料之還原反應發生於 nano-second 範圍

速率快於結合過程而能迅速消除電洞符合目前太陽能電池所要求之

7

條件形成此種快速轉移之機制乃因分子軌域之電子波函數與TiO2

導電帶之電子波函數造成耦合現象詳細之傳遞過程可以由量子力學

方法計算

圖 13 染料敏化太陽能電池各反應動力學比較示意(12)

132 染料敏化太陽能電池各部分介紹

1321 奈米結晶多孔膜電極 (nanocrystalline porous electrode)

奈米半導體光陽極材料(如TiO2)具重要地位其結構與性能直接

影響與光敏染料分子之匹配及接受染料分子注入電子之效率與光電

池之開路電壓一般染料敏化太陽電池對半導體光電極有如下要求

具比較大之比表面積以吸附更多染料分子適當導電帶能階以使與染

料激發態相匹配提高激發態染料朝向半導體電極注入電子之效率

較高之費米能階以提高電池之開路電壓較小之電阻率促使電池之內

阻減小由於 TiO2 具安定無毒穩定性高且便宜等優點故最為

被廣泛研究其他材料如 ZnO (1314) Nb2O5(1516)SnO2

(1718)In2O3(19)

8

以及二元材料Zn2SnO4(20)等都曾被研究然而電子注入效率之高低仍

須考慮染料分子與半導體結晶結構之特定方向鍵結 各研究致力於發

展相搭配之染料目前仍是以 TiO2 為主流材料天然之二氧化鈦

有三種結晶型態即銳鈦礦型(Anatase)金紅石型 (Rutile)與板鈦

礦型(Brookite)主要是由於鈦原子與氧原子排列不同而形成相異結晶

構造於此三種結晶型態中銳鈦礦型與金紅石型皆具光催化能力

銳鈦礦型與金紅石型二氧化鈦之共價帶電位很高經光照射後所生成

之電洞具極強之氧化能力 再者銳鈦礦型之傳導帶電位比金紅石型

高造成銳鈦礦型之能隙大於金紅石型(銳鈦礦型約為33 eV金紅石

型約為31 eV)受光激發至傳導帶之電子較不易回復至價帶因此

其電子具較強還原能力綜合上述可知銳鈦礦型二氧化鈦具較高催

化活性之因

染料敏化太陽能電池之一項重要關鍵技術即是引入高粗糙因

子 (roughness factor)之多孔性海棉狀(sponge-like)半導體電極結構

其目的除使染料大量吸附外並且提供適當孔洞大小供電解質擴

散薄膜電極材料之製作一般可區分為下列兩種略述如下

方法一(21 22)

瑞士教授 Graumltzel 之研究群乃利用溶膠-凝膠(sol-gel)之方法獲

得具結晶性與高比表面積之奈米顆粒依此法所得之顆粒最終型態是

受到環境之合成條件影響例如水解與聚合之酸鹼度溫度前驅物之

化學性質溶劑觸媒濃度等均扮演著重要角色以下粗略描述製作

步驟及其對應之環境與影響

I 水解 (Hydrolysis)此步驟牽涉 Ti(IV)鹽類之水解控制前驅物之

選擇可以為四異丙氧基鈦 (titanium isopropoxide) 或四氯化鈦

( TiCl4)並於 01 M HNO3 之酸性環境下進行水解使所得之膠體

9

粒子能均勻分散並且穩定懸浮於液體中實驗證明於相當高之水與

鈦比例下不論是逐滴加入(dropwise)抑或是全加(one shot)皆不

影響最後產物型態(22)

II 膠溶作用(Peptization)此步驟於 70-100oC 下持溫數小時除使

膠體粒子相互連結形成高交集度粒狀結構凝膠外同時亦因能量之提

供而破壞凝團聚集(deagglomeration) 之情形(22)結晶化亦於此時發

生顆粒亦同時微幅成長

III水熱成長(Hydrothermal growth) 此步驟之目的乃於高溫之環境

下藉由奧斯瓦特熟成過程 (Ostwald ripening) 將小顆粒溶解並進一

步成長為較大之結晶顆 粒溫度改變不僅影響最終之顆粒大小

同時亦將影響最終多孔膜之平均孔徑此外Rutile結晶相亦會於較高

溫時形成文獻(23)指出Anatase相顯示較佳之電子傳輸速率與生命週

期一般是以Anatase相為主而Rutile相之反射係數顆粒均比Anatase

相大導致生成之薄膜不具透明性但可使入射光能於多孔膜內多次

反射而被有效利用因此亦有相關研究作為太陽能電池電極為10 μm

厚並有部分Rutile相之 TiO2 多孔膜為主(21)

方法二(24 25)

利用商業化二氧化鈦粉末 (Degussa P-25為 70 銳鈦礦

(anatase)30 金紅石(rutile)之混合物粒徑約24 nm比表面積約

50 m2g)加入乙醯丙酮(acetyl acetone)或 HNO3 用以預防粒子聚

集以及添加介面活性劑用以降低表面張力以利塗佈

最後將上述方法所製得之二氧化鈦粉末與凝聚劑(binder)充分

混合利用刮刀成膜(doctor blade)之方式將上述膠態溶液塗佈於導

電玻璃上經 450oC 煆燒30分鐘後使顆粒彼此間經燒結聚同時與

導電玻璃間形成良好之電接觸(electronic contact)凝聚劑於此步驟

10

中被燒掉而遺留下孔洞完成粗糙因子約為1000之多孔膜(roughness

factor = 總表面積投影表面積) (24)值得注意之為不同煆燒溫度與

時間亦將影響最終孔徑分布進而影響電解質擴散與電池之效率表

現此外亦有利用網板印刷(screen printing)熱分解噴鍍技術(spray

pyrolysis deposition)等應用於大量生產之方式溶液之配方需做進一

步調整才能適用

1322 染料(dye)

染料為染料敏化太陽能電池中之重要組成部分在近 20 年之研

究中已嘗試合成 900 多種之染料並應用於染料敏化太陽能電池

但其中只有一小部分具良好之光敏化性能其中主要是釕(Ru)之多

吡啶錯合物而染料性能之優劣將直接影響到染料敏化太陽能電池

之光電轉換效率前述提到要藉由光激發二氧化鈦而產生反應須要

低於 388nm 之紫外光但紫外光所佔太陽光能中只有 5 是故必

須利用太陽光能占最高比例之可見光而染料能夠幫助二氧化鈦之吸

收波長提高至可見光區因此染料能藉由可見光之激發驅使電子躍遷

至二氧化鈦半導體電極並接受來自電解質之電子還原而一般染料

必須符合以下幾點條件(26)

(1) 緊密吸附於二氧化鈦表面亦即為能夠快速達到吸附平衡且不

易脫落故染料分子母體中一般應該要含有易與奈米半導體表面結

合之基團如-COOH-SO3H-PO3H2如染料上之-COOH 官能基

會與二氧化鈦膜上之-OH 官能基形成成酯類而增強二氧化鈦導帶

3d 軌域與色素染料 π軌帶電子之耦合使電子轉移更為容易

(2) 對可見光具很好之吸收特性即是能吸收大部分之入射光

(3) 其氧化鈦(S+)與激發態(S)要具較高之穩定性與活性

11

(4) 激發態壽命足夠長並具很高之電荷(電子電洞)傳輸效率

(5) 具足夠之激發態氧化還原電位以保證染料激發態電子注入二

氧化鈦導帶

(6)氧化還原過程(包括基態與激發態)中要有相對較低之位勢使

初級與次級電子轉移過程中之自由能損失最小

以釕之多吡啶錯合物為主之染料敏化劑為藉由吸附於二氧化鈦

表面其提供主要光子吸收與隨後發生電子注入之步驟典型釕之多

吡啶錯合物化學結構最早是由 Graumltzel 團隊所發現此類型染料因其

具較強之可見光吸收能力良好光電化學性質激發態穩定性高及與

二氧化鈦表面具強之連結作用力且可接受約 5x107 次氧化還原反

應因此成為廣泛使用之染料敏化劑如圖 14~16 之結構(27)N719

光敏染料於 535nm395nm 有最大吸收峰N3 dye其吸收光之

範圍可達可見光區從 400 nm~800 nm全質子化 N3 dye 於 538

nm398 nm 有最大吸收峰(28)Black Dye為目前最具效能之染料

其吸收光範圍涵蓋可見光且可達近紅外光區(900nm)單一質子化

Black Dye 於 610 nm413 nm 有最大吸收峰於拉曼振動光譜研究

中亦指出單一質子化 Black Dye 與二氧化鈦之表面鍵結與 N3 Dye

相同是由螯狀雙牙配位 (Chelate Bidentate)或架橋配位 (Bridging

Bidentate)型式與二氧化鈦配位鍵結其差別在於 Black Dye 乃以

COOmacr與 TBA+與二氧化鈦產生配位鍵結(29)然而以上此些染料可於

可見光與近紅外光區具吸收主要可歸因於金屬-官能基電荷傳遞

(Metal-to-Ligand Charge TransferMLCT)之性質由金屬(Ru)之電子

傳遞至位於外圍之羧基化吡啶配位鍵之 π 反鍵結軌域之後在少於

100 fs 時間內將電子傳入二氧化鈦之導帶(30-34)因此理論上光子轉換

為電子之比例可達至 100本研究所使用之染料 N719 與 black dye

12

之吸收光譜比較圖如圖 17 所示

圖 14 N3 染料之化學結構式(27)

圖 15 N719 染料之化學結構式(30)

13

圖 16 Black dye 染料之化學結構式(29)

圖 17 Black dye 染料與 N719 染料吸收光譜比較圖(31)

1323 電解液(electrolyte)

目前 DSSC 依其結構與研究使用目的不同亦搭配相異種類之

電解質液態電解質溶膠-凝膠(準固態)電解質與固態電解質本研

14

究所使用之液體電解質由於其擴散速率快光電轉換率高及組成成分

易於設計調整且對於奈米多孔膜滲透性佳故一直廣泛研究但

存在著許多問題(1) 傳統碘離子 (IminusI3minus) 電解質溶液之有機溶劑多

半有毒性其滲漏與揮發問題需解決(2) 實際於長期日照下應用之

發電穩定性與熱穩定性有待加強(3) 嚴密封裝需求將提昇製程成

本(4) 柔軟材質上應用困難(5) 有機溶劑對染料吸附之不利影響

以上問題於應用上均造成某種程度阻礙一般電解質都須具高極性有

機溶劑作搭配於液態電解質濕式元件中會選擇如乙烯碳酸鹽

(ethylenecarbonate)乙腈(acetonitrile)丙烯碳(propylenecarbonate)

之混合溶劑而電解質之選擇有I2LiIKITerapropylammonium

iodideTertabutylammoniumiodide 等Graumltzel 等人(32)以black dye為

染料06 M dimethylpropylimidazolium01 M I201 M LiI 與05 M

4-tert-butylpyridine 為電解質 (溶劑為methoxyacetonitrile)於 100

mWcm2強光下光電轉換效率為104 碘化物中陽離子常用的為

咪唑銨(imidazolium) 類陽離子或鋰離子(Li+)Imidazolium 類陽離子

可以吸附於奈米 TiO2 表面阻絕了 I3minus 與 TiO2 表面之接觸因此

抑制導帶電子與 I3minus 於 TiO2 表面結合使電池輸出功率與光電轉換

效率得以明顯提升由於 imidazolium 陽離子之體積大於鹼金屬離子

體積只要增大碘鹽中陽離子體積即易導致陽離子對 Iminus 束縛力減

弱一方面可以提高碘鹽於有機溶劑之溶解度進而提高 Iminus 濃度

另一方面亦因陽離子對 Iminus 之束縛力減弱Iminus 還原活性及於有機溶劑

之遷移率亦增強上述兩者均有利提高氧化態染料再生為基態染料之

速率(33)當電解質溶液中加入小體積 Li+ 時若 Li+ 濃度很小此

時 Li+ 主要是吸附於 TiO2 表面上若 Li+ 濃度增大則 Li+ 於

TiO2 表面吸附與嵌入 TiO2 膜內兩種情況共存此種情況之 Li+ 可

15

與傳導帶電子形成電子對 Li+- e-由於 Li+- e- 電子對既可於 TiO2

表面遷移亦有可能脫離 TiO2 表面遷移此將明顯減小導帶電子於

相鄰或不相鄰鈦原子之間之傳輸阻力及距離可知於電解質中加入

Li+可大幅改善電子於 TiO2 之間之傳輸進而提高染料敏化太陽

能電池之光電流(33)

1324 相對電極(counter electrode)

相對電極於染料敏化太陽能電池中扮演快速還原I3-之角色有效

觸媒催化劑極具必要性目前白金(Pt)觸媒最為被廣泛利用但其對

於光電效率表現程度(動力學常數化學穩定度附著穩定度)深受製

作方法所影響如電化學法 (electrochemically) 與蒸鍍法 (vapor

deposited)上述兩製作方法由於穩定度不佳與還原能力不好而不適

用濺鍍法(sputtering)目前最為被廣泛利用(此亦為本研究白金電極之

製作方法)其穩定性佳製作程序簡便卻須消耗較多白金而不適用

於大量生產Papageorgiou等人則發展出熱沉積(thermal decomposition)

法(34)此方法不僅大量減少白金使用量於動力學參數化學穩定性

機械強度及透明性上皆有其優異之處只是做法上較為麻煩此外

Kay與Graumltzel亦發展利用多孔性碳(porous carbon)做為觸媒層(35)此觸

媒層為碳黑(carbonblack)石墨奈米結晶性 TiO2 粉末混合物碳

黑可連接分離之石墨片進而提高導電度TiO2 則作為黏著劑(binder)

用此項技術之最大優點在於成本花費降低然而目前效能仍較白金

觸媒差

133 染料敏化太陽能電池之文獻回顧與發展現況

於1978 年美國專利發表第一個最先使用染料敏化 TiO2 來轉換

太陽光能之元件(36)TiO2 為寬能隙 n 型半導體對空氣及水有穩定

16

之抗氧化能力(4)然而電極為寬能隙半導體係為延伸於太陽光中可見

光區域之光譜應答但仍必須與染料高濃度掺雜此專利染料使用為

N-methylp- henaziniumion此使 TiO2 光譜響應延伸至500 nm然而

此專利中所組裝之元件轉換效率相當低且穩定性亦有待商榷直到

1991年瑞士洛桑高等工業學校(Ecole Polytechnique Federale de

LausanneEPFL)之 Graumltzel 與 OrsquoRegan 發展染料敏化奈米薄膜太

陽電池取得重大之突破(43738)電極為奈米多孔TiO2使用更穩定更

有效率之過渡金屬 Ru 等有機化合物染料其光電轉換效率可達 71

而於 1997年其轉換效率達至10 ~ 11 (39)澳大利亞國際永續技

術公司(Scientific and Technical InformationSTI)徳國 INAP (Institut

fuer Angewandte Photovoltaik Solarpunkt ) 研究所荷蘭國家能源研究

所(Energieonderzoek Centrum NederlandECN)日本日立公司日

本富士公司瑞典 Uppsala 大學瑞士 Leclanche SASolaronix

等公司均於產業化研究中已取得較大之發展 過去10年中全世界各

主要實驗室與公司於不同面積太陽電池上取得不同光電轉換效率其

中瑞士 EPFL 與日本夏普公司於小面積(面積小於1 cm2)電池上獲得

超過 11 之光電轉換效率(40-43)ECN 於條狀電池(1~5 cm2)上達82

(有效面積236 cm2) 之光電轉換效率瑞士EPFL(44)日本Sharp公

司Arakawa等(45)於條狀電池(1~5 cm2 ) 上取得與小電池(面積小於1

cm2)相當之轉換效率101 (131 cm2)104 (1004 cm2 ) 與99

歐盟 ECN 研究所取得面積大於1cm2電池效率最高紀錄 (815 (25

cm2)58 (100 cm2) 平均45 ) (46)由於DSSC電池之特殊性大

面積電池之研製與產業化一直是該電池研究難點目前澳大利亞

STI 公司建立世界第一個亦為迄今獨一無二面積 200 m2 之染料敏

化奈米薄膜太陽電池平面屋頂亦顯現出未來工業化之前景該結果

17

使人們對產業化染料太陽能電池之性能極具信心 2002 年美國

Konarka 公司亦投入 1350 萬美元對以透明導電高分子等軟性薄膜

為導電極之染料敏化奈米薄膜太陽能電池進行產業化與實用化研

究該研究是基於美國軍隊對軟性與移動性較好能源轉換之應用要

求故得到美國軍方大力支持因此於能源危機之促使下全球研

究單位莫不藉由改善DSSC各部分之特性以提高效率或設計其結構

以增其實用性

圖 18 DSSC 研究發展時程回顧(4 22 24 40 47-57)

14 二氧化鈦摻雜元素材料之研究

TiO2 之晶體中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性

質之改變易有助於光催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕

18

捉電子或電洞之缺陷有助於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素

與 TiO2 共結晶添加之過渡金屬亦將於光觸媒之傳導帶與價帶之間

形成新獨立能階因此可以較低之能量使電子激發進而擴大激發光

源之使用增益對光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化

效果通常摻雜元素之量(濃度)低時較有利光觸媒活性太高會大幅

改變 TiO2 原有特性每種元素之摻雜有其特定最佳化條件

Vamathevan 等人(58)配製含 Fe3+ 或 Ag+ 之摻雜改質二氧化鈦

以蔗糖之光氧化分解成二氧化碳以進行光觸媒催化活性評估結果顯

示添加之銀離子與鐵離子皆有一最適劑量分別為銀(20 atom )

與鐵(10 atom )於最佳金屬添加量比例之外銀改質型觸媒之

催化活性會略為降低故近年來研究發現 Fe3+ 為有效之摻雜離子

(5960)Li等人(61)利用有機金屬化學氣相沈積法(metal organic chemical

vapor deposition MOCVD ) 以 四 異 丙 氧 基 鈦 (Titanium

tetraisopropoxide TTIP)和 (CH3COCHCOCH3)3NdxH2O作為前驅

物以製備摻雜 Nd3+ 之改質二氧化鈦結果顯示隨著Nd3+摻雜量

之增加改質後之二氧化鈦觸媒於可見光波長範圍之吸收能力亦隨之

增加

除此之外其他如 Mo5+Ru3+Os3+Re3+Cr3+V4+與Rh3+

以及非金屬元素N (62)之摻雜等此方面研究近年來引起相當多投入

關於稀土離子摻雜進入一般陶瓷材料之研究已進行幾十年然而近幾

年始開始出現對於稀土原子摻雜進入半導體材料之研究將Tb3+摻雜

入TiO2 粉末或是薄膜中確實可以發出綠光(6364) TiO2中分別摻雜

Eu3+Tb3+Sm3+可以明顯觀察不論摻雜之稀土元素種類改變其

相皆與純之TiO2相符合證明摻雜稀土元素進入TiO2並不會改變其原

有之結構也因而不會因此改變TiO2原有之結構特性但卻可以影響

19

其電子組態與能階分布進而改變其光電特性目前故有稀土原子摻

雜進入半導體材料之研究皆只探討其發光機制與少許光觸媒特性分

析對於直接於太陽能電池電極之應用仍極為少數

141 TiO2Eu 粉體發光特性說明(65)

針對本實驗合成之工作電極材料雖發光強度無法與商用紅色螢

光粉比擬但仍為一無機螢光體主要由主體晶格(host lattice簡稱

H)與活化劑(activator簡稱 A)兩者所構成之其化學式一般以 HA

表示活化劑因可能取代主體晶格中特定離子位置稱為摻雜劑

(dopant)

1411 主體晶格(Host)

主體涵蓋一個或數個陽離子與一個或數個陰離子結合而成一般

主體於光激發過程中所扮演之角色為能量傳遞者而主體中之陽離子

或陰離子必須不具光學活性(optically inert)如此能量之放射與吸收

均於活化中心進行陽離子之選擇條件須具如惰性之電子組態(如

ns2np6d10)或具封閉之外層電子組態(如 f0f7f14)故不具光學活性

圖 19 為週期表中可作為螢光體主體之陽離子分布圖主體之選擇對

發光強度與光譜特性影響極大其中活化劑離子所進入晶格位置之

點對稱(point symmetry)與配位數(coordination number)以及所取代主

體離子之半徑大小均決定發光之行為

20

圖 19 主體晶格之陽離子分布圖(66)

陰離子團之選擇有二一為不具光學活性之陰離子團如圖

110另一則為具光學活性(optically-active)可充當活化劑之陰離子

團如圖 111後者通稱為自身活化(self-activated)之螢光體如

CaWO4YVO4等此為週期表中可作為螢光體主體晶格之陰離子

圖 110 主體晶格中不具光學活性陰離子團分布圖(66)

21

圖 111 主體晶格中具光學活性陰離子團分布圖(66)

1412 活化劑(Activator)

活化劑一般分成兩類陽離子團與陰離子團前者須具正確之價

數後者須具自身活化能力且可產生電荷轉移作為活化劑之陽離子

一般具 (nd10)((n+1)s2) 電子組態此類呈現高放光效率或半填滿軌

域如Mn2+Fe3+等如圖 112此外活化劑之添加本質上屬於

取代缺陷故活化劑與主體陽離子之大小須相近如相差太多將造成

晶格之扭曲故活化劑之種類與主體內之添加取代量即受到限制

圖 1 12 活化劑之陽離子團分布圖(66)

22

本研究採用之活化劑為稀土離子(67)其發光特性取決於稀土離子

Eu 4f 殼層電子性質稀土離子之電子躍遷主要具以下兩種形式(1) f

- f 躍遷(2) f - d 躍遷多數三價鑭系離子發生於內層之 4f - 4f 能階

躍遷根據選擇律此種l = 0 之電偶極躍遷原屬禁戒(forbidden)

但因 4f 組態與反對稱之組態 g 或 d 發生混合使原屬禁戒之 f - f 躍

遷成為允許(allowed)且 4f 殼層上之電子受外殼層 5s24p6 之遮蔽效

應故其 f - f 能階躍遷特徵如下

(1) 發射光譜呈線性譜線強度較弱

(2) 主體晶格(host)對發射波長影響不顯著

(3) 濃度與溫度淬滅變小即使於 400~500仍可發光

(4) 螢光壽命較長

15 研究動機與目的

本論文研究基於之前眾多之成果所建立之理論基礎提出一將稀

土元素摻雜入 DSSC 之工作電極中之創新構思欲藉由類似螢光粉之

觀念於主體 (host) 中摻入活化劑 (activator) 再經由特定波段之

激發產生放光之過程放射光之波長取決於主體與活化劑之搭配此

概念之目的是要增加染料敏素之吸收率進而提升整體之效益而所

需放射之光取決於染料敏素之 IPCE(incident-photon-to-current

conversion efficiency) 值於何處有最大值關於稀土離子摻雜進入一

般陶瓷材料之研究已進行幾十年近幾年則開始有對於摻雜進入半導

體材料之研究而先前眾多研究只探討其光觸媒特性並無應用於染

料敏化太陽能電池之顯著成果其中 Eu3+具非常好之紅色可見光發光

性Eu3+離子吸收波長 300 ~ 450 nm 左右之太陽光後其內層 4f ndash4f

軌域間之轉換將可放射出 593 nm (5D0 rarr 7F1) 612 nm (5D0 rarr 7F2)

650 nm (5D0 rarr 7F3)與 697 nm (5D0 rarr 7F4)紅光範圍之可見光Black

Dye 其 化 學 名 稱 為 【 thithiocycanato 44rsquo4rdquo-tricarboxy

23

31-22rsquo6rsquo2rdquo-terpyridine ruthenium(II)】(RuLrsquo(NCS)3 Complex)且其於

610 nm 與 413 nm 有最大吸收峰且其 ICPE 值於 400~600 nm 範圍

可達 80 恰位於 Eu3+之最強放光處故研究是否可藉由此放光增

加染料之吸收進而提升激發電子量再者稀土元素之摻雜並不會

破壞原有之晶體結構卻可影響其電子能態或原子結構調整其能

隙故本研究亦透過設計雙層結構之工作電極使各層工作電極傳導

帶之相對位置更有利於電子之傳遞以增加激發電子傳導速率並

減少電子再復合機率提升太陽能電池之效率

24

第二章 實驗步驟與儀器分析方法

21 化學藥品

本研究使用之藥品皆為試藥級之純度故使用前不須進行再純化

之步驟其來源與名稱如表 2-1 所示

表 2-1 本研究所使用之藥品清單

玻璃基板

FTO 導電玻璃 [ SnO2F TCO ] Solaronix TCO22-15

15 Ωsq

編號 藥品 廠商 純度

(1) 氧化銪 [ Eu2O3 ] Sigma-Aldrich 999

(2) 鈦酸四丁酯 [ Ti(OC4H9)4 ] Acroros 99

(3) 二氧化鈦 [ TiO2 ] Degussa P25 NA

(4) 硝酸銪 [ Eu(NO3)35H2O ] Sigma-Aldrich 998

(5) 碘 [ I2 ] Merck 98+

(6) 碘化鋰 [ LiI ] Merck 98+

(7) 4-特-丁基呲啶 [ C9H13N ] Aldrich 99

(8) 第三丁醇 [ (CH3)3COH ]JTB 998

(9) 四氯化鈦 [ TiCl4 ] Aldrich 999

(10) 無水乙醇 [ C2H5OH ] Riedel-de Haeumln 998

(11) 乙腈 [CH3CN] Fluka 99

(12) 乙基纖維素[Ethyl cellulose] Fluka 99

(13) 松油醇[C10H18O]terpineol Fluka NA

25

(14) 丙酮 [ CH3COCH3 ] Riedel-de Haeumln 99

(15) 甲醇 [ CH3OH ] Fluka 998

(16) 己烷 [C6H14] Riedel-de Haeumln 99

(17) 氧化鎘 [ CdO ] 林 純藥工會株

式會社 99

(18) 油酸 [ C9H18C8H15COOH ] Aldrich 90

(19) 1-十八烷烯 [ C18H36 ] Aldrich 90

(20) 三正辛基膦 [ (C8H17)3P ] Alfa Aesar 90

(21) 硒粉 [ Se ] ACROS

995

(22) 巰基丙酸 [ HS(CH2)2COOH ] Fluka

99

(23) 四甲基氫氧化銨 [ (CH3)4NOH ] Fluka

25 wt

本研究所採用之二次去離子水為經 Millipore 公司之 Milli-Q 純水系統

所處理其電阻值為 18 MΩ-cm

22 合成方法

221 溶膠凝膠法 (Micelle and sol - gel)

此方法乃利用水油與介面活性劑之三元體系所形成之混合溶

液利用其極性相近物質之相互聚集為理論基礎其中之介面活性劑

將扮演不相容物質彼此間之橋樑其中量少之一方將以微胞或微乳液

之形式存在微胞之形狀將隨著加入試劑之濃度差異而形成各種不同

26

形狀所選取之反應物須存在於微胞中而形成溶膠以利進行凝膠化

之反應於微胞中溶膠 (Sol) 之定義為極小之膠體粒子因凡得瓦

爾力與電雙層作用下產生布朗運動而均勻分散於系統中而形成所

謂溶膠與凝膠 (Gel) 為經過水解 (Hydrolysis) 與縮合 (Condensation)

反應後分子單體經由鍵結而逐漸形成大分子之凝膠狀態溶膠‐凝

膠法之基本步驟為利用金屬醇化物或金屬鹽類溶於水或醇類等溶劑

中進行水解與縮合反應所形成之凝膠產物之性質及結構與製備過程

之條件具密切之關係例如反應原料之種類濃度溶劑溫度

壓力pH 值等因素溶膠-凝膠法於形成薄膜與塊材方面具顯著之優

點且溶膠易形成摻雜故可製備均勻分布及可調性之多種複合材

料介面活性劑之功能為抑止成長中之晶體持續成長故控制微胞之

形狀即可改變晶體之形狀首先須控制溶液中之相對組成與溫度才

能達到形成微胞之條件且微胞之尺寸均於微米級以下故此微胞可

視為一種微反應器總而言之溶膠凝膠為一種膠狀懸浮液藉由膠

化作用得到固體其產生之多孔性凝膠可藉由化學方法之純化及高溫

退火之程序得到高純度與高結晶性之氧化物

222 水熱法 (Hydrothermal)

水熱法為於液相中配製超奈米材料之濕化學方法研究之溫度

範圍於水之沸點與臨界點(374oC)之間一般反應過程中維持100 ~

250oC之溫度與03 ~ 40 MPa之蒸汽壓之高溫高壓環境下反應溶劑

因高溫高壓條件下而達到其臨界點時對固體物質之溶解度增加

因而達到加速反應進行之效果此方法可提供製備一維奈米材料之新

途徑水熱法具下列幾項特點(1) 利用水熱法可直接於溶液中合

成粉體(2) 於大部分之水熱過程中長晶之程序已經完成故不須

再經過煅燒(3) 利用溫度之調變可控制粉體之尺寸(4) 利用不同

27

之起始物可得不同型態之粉體故水熱合成法可製備之材料相當廣

泛涵蓋金屬氧化物複合氧化物等數十種粉末合成之粒子大小

範圍介於01微米至幾十微米經過濾洗滌與乾燥等過程獲得之

晶體其結晶性佳團聚情況少產率高與較窄之細微性分布因此可

得純度高且細微性均勻之各類材料

23 實驗流程

本研究以兩種不同前趨物與合成方法製備 TiO2Eu3+ 之工作電極材

料分述如下

231 TPT[鈦酸四丁酯Ti(OC4H9)4 Tetrabutyl titanate]系列

此系列之奈米粒子為透過溶膠凝膠法後經水熱法及燒結而成首

先按所需之化學配比 (stoichiometry) 秤取適量之 Eu2O3並置入 100

mL 之三頸瓶中加入 9 mL 之 1 M 硝酸溶液60 mL 之去離子水(使

整體之 pH 值小於 2)激烈攪拌 30 分鐘再緩緩滴入適量配比之鈦

酸四丁酯 Ti(OC4H9)4 (Tetrabutyl titanateTBT)並激烈攪拌 1 小時

上述溶液之溫度控制於 80oC 並持續攪拌進行迴流程序時間為 10 小

時再置入 125 mL 之鐵氟龍 (telfon) 杯中並封入不鏽鋼壓力釜

(autoclave)進行水熱法溫度控制於 227oC時間為 12 小時可得白

色之膠體再以酒精反覆沖洗後於高溫 500oC 下退火 6 小時即可

得 TiO2Eu3+白色奈米粒子詳細合成流程如圖 21 所示

28

Eu2O3 and 9 mL aqueous nitric acid (1M) solution are added to 60 mL DI water with pH lt2

After vigorously stirring for half an hour 10 mL tetrabutyl titanate Ti(OC4H9)4 is slowly dripped into the above solution with vigorous stirring for 1 h

The mixture is then heated to 80oC with continual stirring for 10 h

Hydrothermal treatment in the autoclave at 227oC for 12 h

After repeatedly washing with ethanol the white slurry is annealed in air for 6 h at 500oC

圖 21以溶膠-凝膠法與水熱法合成TBT系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

232 P25(Degussa P25 TiO2)系列

按適量之化學配比秤取商用之二氧化鈦粉末(Degussa P25)與

Eu(NO3)35H2O置入裝有 30 mL 去離子水之 100 mL 燒杯中室溫

下激烈攪拌 2 小時將上述之白色溶液置入 125 mL 鐵氟龍 (telfon)

杯中並封入不鏽鋼壓力釜 (autoclave)進行水熱法溫度控制於

150oC時間為 48 小時待冷卻至室溫後將所得之白色膠體以去離

子水反覆沖洗其目的為去除表面殘餘之 Eu(NO3)35H2O爾後於

350oC 之溫度下退火 2 小時即可得白色 TiO2 Eu3+白色奈米粒子

詳細合成流程如圖 22 所示

29

Commercial TiO2 powders (P25) and europium nitrate was added to 30 mL of an aqueous solution under vigorous stirring

After stirring strongly the slurry was heated at 150oC for 48 h by hydrothermal method

After hydrothermal treatment repeated centrifugation and wash with distilled water (4 time repeated)

Annealed at 350oC for 2 h

圖 22 以水熱法合成 P25 系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

24 樣品鑑定分析

以 X 光粉末繞射儀(X-ray diffractionXRD)Rietveld 精算法鑑

定材料之純度與長程有序晶體結構以穿透式電子顯微鏡

(Transmission electron microscope TEM) 與掃瞄式電子顯微鏡

(scanning electron microscopeSEM)分別鑑定材料之結構與表面型

態利用比表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

ASAP) 分析粉體之樣貌與比表面積利用光激發光光譜儀

(photoluminescencePL)分析電極材料之激發光譜與放射光譜特性

以拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum) 測定分子之振動模式

以判定晶相與原子結構以紫外-可見光擴散式反射光譜(UV-Vis

diffuse reflectance spectra UV-Vis DRS ) 分析固態粉體於紫外光與可

見光其吸收特性利用 X 射線光電子能譜儀(X-ray Photoelectron

30

SpectroscopyXPS)分析表面元素組成與原子能級結構以 X 光吸收

光譜 (X-ray absorption spectroscopyXAS)之 X 光近吸收邊緣結構

(X-ray absorption near edge structureXANES)決定樣品中元素之價數

與電子結構茲將各實驗儀器分析之過程與原理分述於下列各節

241 粉末 X-光繞射儀(X-ray diffraction XRD)

2411 X-光繞射工作原理

X 光為一種短波長之電磁波其波長約為 10 Aring(10-10 m)陽極放

射出之 X 光由連續性不同波長之 X 光所組成故稱之為連續性 X

光譜(continuous X-ray spectrum)或白色 X 光但隨著外加電壓增大

連續性 X 光譜之波長分布範圍與其光線強度將隨之增大當電壓加

至超過門檻電壓(threshold voltage)或激發電壓(excitation voltage)時

除發生連續性 X 光譜外另將產生某些特定波長之 X 光稱之為特

性 X 光(characteristic X-ray spectrum)如圖 231(a)X 光粉末繞射儀由

電子槍產生電子如圖 231(b)所示此電子藉由 40 keV 之工作電壓

加速撞擊金屬靶材(常用之靶材為銅靶)將其靶材中 K 層(1s)電子撞

出電子游離後形成之電洞隨即由L層(2p)電子填補並伴隨X光釋出

31

Characteristic peaks

Continuous radiation

Energy

High-energy Ka

stimulusLaKb

lswl

Int

sity

e

m

Low-energy stimulus

enof

itted

rad

iatio

n冷卻水

真空 璃

接變壓器)

鈹窗 聚焦罩

銅X射線 鎢絲

靶(陽極)

X射線

管座(

Wavelength

Short wavelength limit a) b)

圖 231 (a)銅靶之 X 光光譜 (b)封閉式 X 光射線管

角動量子數之變化必須為plusmn1 (l = plusmn1)如由 L 層

(2p) 子填補 K 層(1s)電洞即 2p 1s 轉移(transition)並伴隨 X 光釋

如圖 232 所示此段波長之 X-ray 定義為 Kα波長為 15418 Aring

同理 3p 1s 則定義為 Kβ波長為 13922 Aring一般 Kα比 Kβ之強度較

強而 Kβ較 Kα之能量為高但由 p 1s 之轉移中因 2p 軌域具二

種不同型式之 Kα1與 Kα2

很難分辦但易與 K 一般常使用鎳單色光濾片(nickel filter)將

Kβ濾除(cut o

( ((68)

一般 X 光所使用金屬靶材之波長如表 22 所示以銅靶為例當

外加電壓促使電子高速撞擊銅靶之 K 層(1s)電子使其內層電子游離

並產生電洞依據吸收選擇定律(selection rule)當電子從一能階躍遷

至另一能階時其

2

自旋態(spin state)故產生 Kα1與 Kα2一般

β分辦

ff)

32

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長(69)

Target Kα1 Kα2 Kz Cr 22896 22935 22909

Fe 19360 19399 19373

Cu 15405 15443 15418

Mo 07093 07135 07117

Ag 05594 05638 05608

z is the intensity-weighted average of α1 and α2

圖 232 X 光原理示意圖Cu 1s 電子游離後形成之電洞由 2p 電子

填入並伴隨 X 光釋出(69)

德國科學家勞爾 (Von Laue) 於 1912 年提出 X 光進入晶體後因

干涉 年布拉格 ( 學

理論

稱為布拉

作用而產生繞射現象同 Bragg) 將勞爾提出之數

改以較簡潔之數學式導出 X 光之繞射條件如圖 233 所示

設晶面距離為 d入射光與晶面之夾角為 θ當入射光被二相鄰晶面

所反射二反射光束會有一光程差若此光程差為波長之整數倍(n

為正整數)時亦即當此二反射光束同步各光波之振幅具加成之效

果而形成建設性干涉合成波滿足此條件即可產生繞射

33

格定律(Braggrsquos Law)

2 sind nθ λ= (21)

晶體之 X 光繞射實驗提供兩項重要訊息(1) 繞射峰位置 2θ

(2) 為繞射峰強度(I)第一項訊息提供晶體之晶胞形狀大小(即晶格常

數)之資料第二項訊息提供晶體內部組成原子種類與位置之資料

隨材料之晶體結構與組成變化每個晶體此兩項資料各不相同因此

可利用 X 光繞射法分析材料屬何種礦物晶體或結晶材料

圖 233 X 光繞射之示意圖

2412 XRD 實驗儀器

粉末樣品之 X 光繞射分析係採用 PANalytical XrsquoPert PRO X-ray

powder diffractometer(XRD)型繞射儀其以銅靶(Cu)為光源功率為

3 kW放射光源 Kα1之波長為 15406 Aring操作時使用之電壓與電流分

別為 40 kV 與 40 mA 之條件下進行粉末繞射分析實驗其中 2θ繞射

角掃描範圍為 20 ~ 80 度每間隔 002 度讀取一次數據掃瞄模式為

2θθ將分析樣品平鋪於樣品槽(sample holder)置於圖 24 之旋轉中

心此時將繞射測角儀做旋轉偵測器則與出射光之夾角 2θ入射

光與槽座之夾角為 θ利用同步紀錄之系統而得各繞射峰之強度與角

34

度(2θ)之分布關係

圖 24 X-光粉末繞射儀(PANalytical XrsquoPert PRO XRD)

析然而中子繞射之儀器普遍性不佳利用Rietveld法可

分析

度(於本研究中以2θ量測範圍為0 ~ 180度間格為001度停留時間為10

因此可避免重疊峰之分解問題

2413 結構精算(70)

GSAS 程式採用 Rietveld 全光譜精算法 (Rietveld full pattern

refinement method簡稱Rietveld法)做結構精算Rietveld法為1969 H

M Retiveld所提出適合分析由X-光與中子粉末繞射所得之數據利

用結構精算可得物質之物理與化學特徵性質然而多數之物質不易合

成單晶之形式多數乃以多晶或粉晶存在最早則以中子粉末繞射之

數據加以分

X-光粉末繞射所得之數據使得分析晶體結構之研究之可靠性大

幅提升

Rietveld法主要為以階梯之模式(step scan)掃描其每一步之峰形強

秒)而不用整個繞射峰之積分強度

35

2ci k k k k biy S L F HT P y= Φ +sum利用此計算方法所得之繞射強度 ( S為

比例常數Lk乃涵蓋勞倫茲極化與多重性因子Fk為結構因子Tk

為穿透因子Pk為優先取向H為反射波形函數ybi乃背景強度)用

以模擬觀察所得之繞射強度(yoi)使由假設結構模型計算出之繞射圖

形與實驗量測之繞射圖趨於一致 並使最小方差擬合之殘差R為最

2( )R Wi ci oiy y= minussum 2 ( 2)

計算所得之繞射圖譜與測量所得之圖譜其相吻合之程度是由所

謂擬合參數(reliability factor)即R值決定一般以R值小於10為可

接受之最低要求常用有Rp與Rwp

oi ciP

oi

y yR

yminus

= sumsum (23)

)(( )

2

2WPRW y

= i oi ci

i oi

W y yminussumsum (24)

i較大

而一般認為Rwp較具代表性意義之擬合度判斷依據並定義

式中Wi為加權指數ㄧ般僅繞射峰存在其繞射強度之W2χ 即

ldquogo

odness of fitrdquo用以表示分析之品質

( )χ 2 =minusM

N N (25)

O V

其中M為minimization functionNO為step scan所得之繞射圖點

數NV為精算時所使用之變數個數利用最小平方差擬合與傅立葉

(Fourier)合成求得之電子密度函數進而得知粉體之晶格常數鍵長

鍵角等結構參數

Rietveld法為一可將晶體結構解析最完善之方法然而並非所有

36

之結構皆有其詳盡之原子座標位置Le Bail 法為1988年法國晶體學

家Armel Le Bail所發展利用電腦程式模擬將原本錯誤之原子位

置移動至較符合粉體模型之位置稱為整體性之最優化(global

optimization methods)或稱直接空間方法(direct space methods)利用

此方法可對於新

合成或未有詳盡之原子座標資訊給予空間群與晶格

常數之資料

圖25 晶體繞射結構解析之一般流程

37

242

型號為HITACHI S-4000其電子

槍為冷場發射式

圖26 掃描式電子顯微鏡(NDL)HITACHI S-4000

掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope SEM)

掃描式電子顯微鏡主要由真空系統電子槍透鏡組與偵測器組

成其成像原理為利用一束具有5 ~ 30 KV能量之電子束經過聚焦

镜使發散之電子束能聚集成一微小電子束掃描線圈作用於偏折電子

束使其能於試片表面進行二維之掃描工作另一功能為觀測試片時控

制倍率之放大與縮小爾後電子束經過物鏡即如同光學顯微鏡原理相

同但此時調整項圈(coil)所造成之磁場控制電子束進行最後對焦動

作完成對焦讓電子束與試片作用激發出二次電子背向散射電子

Auger電子連續X光與特徵X光等一般SEM為利用二次電子進行成

像因二次電子之信號主要源自電子束下方之區域能提供高解析之

影像而背像散射之電子亦能作為信號之來源當電子束掃描試片表

面時偵測器同時偵測由表面射出之二次電子強度輸入至同步掃描

之陰極射線管同時顯示試片之影像而陰極射線管上同步點之亮度與

對比則根據偵測到之訊號強度進行改變利用此方式試片表面之特

徵狀況即可逐一表現出來如圖26所示本實驗乃使用國家奈米元

件實驗室之掃描式電子顯微鏡其

(field emission)

38

圖27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖(71)

243

於偵測器上形成不同亮度

穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron MicroscopyTEM)

穿透式電子顯微鏡系統設計如圖 28 所示由電子槍(electron

gun)發射電子束經過一組磁透鏡(condenser lens)聚焦後以遮蔽孔

徑(condenser aperture)選擇電子束尺寸大小(beam size)後通過一組控

制電子束之掃描線圈再透過物鏡(objective lens)聚焦入射至試片

上於試片上側裝一訊號接收器用以選取二次電子或背向散射電子

成像此種儀器之優點為所需之樣品量很少且其解析度可達到原子

級之層次(10-10 m)若樣品含多電子原子則電子束將無法穿透樣品

於偵測器上顯示之亮度較暗電子束可穿透之樣品於偵測器上形成較

亮之點利用不同物質具不同電子密度之性質經電子束之穿透過程中

原子核對電子束產生之折射程度之差異性

對比之影像即為樣品之形狀和結構

但以下幾點須注意(1) 真空下要穩定 (2) 若是揮發性之物質在經電

39

子碰撞後容易消失此儀器除可用以鑑定物質之型態大小與內部細微

結構外亦可進行電子繞射而電子繞射圖可用以觀測樣品之結晶度

格常數

一天後再將銅網放置於儀器之樣品槽中調

整好儀器即可觀測

表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

好壞與計算晶

樣品製備

將欲觀測之粉末樣品取極少量溶於乙醇溶液中置於超音波震盪器中

約10分鐘使粉末均勻分散於溶液中爾後再利用已鍍上一層多孔性

碳膜之銅網放置於溶液中撈取預分析之樣品拿出銅網後用拭鏡紙將

多餘之乙醇拭乾並風乾

圖28 TEM電子腔內部結構示意圖

244 比

ASAP) 先將適量樣品 200oC 除氣(degas)至壓力為 3 times10 -3 torr以去除樣

品上之吸附水氣與其它吸附物質並於 77 K 下進行氮氣等溫吸附

40

利用 BET 公式求得比表面積利用 BJH 公式求得脫附曲線之孔洞分

態相似而於高分壓相異之行為則是因為 H4

隙較 H3 窄之緣故

291 IUPAC 制定之物理等溫吸附-脫附分類圖

布(pore size distribution)

氣體吸附曲線之型態會隨著材料之孔徑結構成分溫度及吸附

分子種類而不同 (圖 291)氣體吸附曲線 IUPAC 定義為下列六種型

態第一型為典型微孔材料第二型通常是無孔材料或孔徑較大之材

料第三與第五型曲線發生於當吸附分子間親和力大於其與固體材料

表面間作用力時之模式第四型為中孔材料於高分壓時會產生遲滯

迴圈(hysteresis loops)而第六型為一結構近乎完美均勻之表面所造成

之吸附曲線根據 IUPAC 之分類遲滯迴圈依其型態可分為四種型

態(圖 292)H1型常為規則圓柱狀孔洞材料或由規則球狀體間孔隙所

造成而 H2 型遲滯迴圈之形成通常表示材料中之孔洞與形狀較不規

則H3與 H4型迴圈之型

41

圖 292 IUPAC 制定之遲滯迴圈型態示意圖

245

T) 收集

光並測量其螢光強度並以 DataMax 軟體分析光譜資料

光激發光譜儀(Photoluminescence PL)(65)

光激發螢光 (photoluminescence PL) 光譜儀乃為簡便與精準地

檢測發光材料之光特性於本研究中採用FluoroMax-3測量螢光材料

之激發光譜(excitation spectra)與放射光譜(emission spectra)如圖

210 所示光源為利用氙弧燈提供一寬波段之激發光源為得高解

析之螢光量測數據入射光源須為持一特定之波長藉由單光器

(monochromater)之狹縫 (slit) 將光源出射光分成特定波長之入射

光入射光之能量被螢光粉體吸收後螢光粉體將發射另一特定波長

之光段打至發射光之單光器如同激發光之單光器只允許某一狹

窄之波段通過再利用光電倍增管 (photomultiplier tube PM

42

圖 210 螢光體光譜量測過程

圖211為本研究所使用之FluoroMax-3光譜儀各結構實際之配

置其包含七大主要部分涵蓋

1 Xenon光源與其保護座

1a Xenon光源電源裝置(power supply)

1b Xenon光源閃光(flash lamp)

2 入射光源單光器(excitation monochromator)

3 樣品放置槽(sample compartment)

4 發射光源單光器(emission monochromator)

5 偵測器[signal detector (photomultiplier tube)]

6 參考偵測器[reference detector (photodiode and current-acquisition

module)]

7 儀器控制電子元件(instrument control)

實驗之過程光源由圖中1部分發射而將螢光粉體置於樣品槽

43

內並置於圖中3之樣品放置槽圖中7為連接電腦控制藉由控制圖

中2與4之單光器則分別進行激發光譜與放射光譜之實驗由光電倍增

管放大(圖中5)而收集其中激發光譜可由圖中6偵測Xenon光源之訊

號並校正若進行比較發射光譜之絕對強度實驗過程則控制實驗之

時間於兩小時內完成此時期之光譜經穩定度量測誤差值座落於3

以內所得之發射光譜強度比較為可信之數值圖 212則為儀器之

實際外觀

圖211 光激發光光譜儀構造

44

圖212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀

246 拉曼散射光譜儀 (Micro Raman Scattering Spectrometer)

當光源照射於物質表面時光子會與物質之原子分子產生交互

作用造成能量之交換或動量之改變若無能量交換僅方向改變為

彈性碰撞稱為瑞立散射 (Reyleigh Scattering)若方向改變又有能量

交換為非彈性碰撞稱為拉曼散射 (Raman Scattering)當拉曼散

射光與物質相互作用時會與物質內之原子分子之振動頻率耦合

即可於入射光頻率之兩邊產生正或負之頻率位移此一頻率位移之數

值與物質內原子分子振動頻率相當此位移即為拉曼位移(Raman

Shift)此頻率位移可用下式表示

sυ υ υΔ = minus (26)

υΔ 代表拉曼散射光與入射光頻率差υ 代表入射光子之頻率 sυ 代表

散射光子之頻率

45

247 紫外可見光擴散式反射光譜(UV-Vis diffuse reflectance spectra

UV-

描範圍為200 nm至800 nm並以Spectra Calc

體收集光譜訊號

247

分光波被反射與散

另一部分光透過其餘之光才被物質吸收

Vis DRS)(72)

本研究乃將定量之粉末置於石英圓盤上再將其放置於樣品槽

相對於 BaSO4 作為參考物於室溫下以Hitachi-U3410紫外-可見光光

譜儀分析其擴散反射式光譜(diffuse reflectance spectrum)光譜掃描之

速率為120 nmmin掃

1 固態粉體之吸收光譜

吸收光譜顯示光照射於發光材料時其激發波長與材料所吸收能

量值之關係激發波長照射於發光材料時一部

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖

46

只有被吸收之光對材料之發光產生作用然而非每一被吸收光其

所有波長皆能引起激發作用因此研究吸收光譜可知哪些波長之激發

光被吸收吸收率為多少此對研究材料之發光過程為一重要課題

發光材料對光吸收公式可表達為

( ) 0( )K xI I e λ

λ λ (27)

式 27中I0(λ)為波長為λ之光照射至材料時之發光強度I(λ)為光

通過厚度為X之材料層後其發

minus=

光強度Kλ為吸收係數Kλ隨照射光波

長變

表面(圖 214)即使壓製成

錠依舊有部分光以散射釋出(圖 215)

化之曲線稱吸收光譜

因發光材料為粉末晶體故難以測出其吸收光譜一般則是測試

反射光譜用以確定其吸收光譜由 Kλ(吸收) = 1-Kλ(反射)得出材料之吸收

圖譜Kλ(反射)為被測材料之反射係數當其散射與穿透很小時可測得

然多數之物質其粉體非規則排列成一平整

粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚

度其公式如下

圖214 圖215

擴散式反射光譜儀則利用Schuster-Kubelka-Munk理論其中假設

無規則之反射光束

2(1 )( )2

R kF RR s

infininfin

minus= = (28)

infin

47

其中k為吸收係數s為散射係數一般量測與標準品相對之反射值Rinfin

而非量測絕對值之反射值其中標準品為白色固體粉末常見有KBr

用於IR(43500 ~ 400cm-1)波段BaSO4MgO作為紫外光至可見光波

段之標準品

圖216 Hitachi-U3410紫外-可見光光譜儀

248

於超高真

下操作故最好將樣品溶劑先行抽乾以免污染儀器

X射線光電子能譜儀( X-ray Photoelectron SpectroscopyXPS )

其原理為一束X光射線入射至樣品表面藉由光電效應將某一能

階之電子激發為光電子爾後經由分析光電子動能即可獲得關於表

面元素組成與元素之化學環境當數個原子鍵結成一化合物時其於

化合物中之結合能明顯與純原子時不同內核層電子之束縛能亦有不

同之變化即為一般之化學位移(Chemical Shift)分析束縛能之變

化便可獲得材料中之電子結構與化學鍵結之訊息其所造成之能譜

位移可用以區分不同氧化態之元素偵測深度約為5 nm (除氫元素外

皆可偵測)樣品製備將粉末樣品先行打錠經除水與抽真空之前

處理後送測放入儀器之樣品室中進行分析由於儀器是

48

24

分析與 TEM 等

結果

μ 表示材料單位厚度對X光之吸收則以式29以表示其相互之關係

9 X 光吸收光譜 (X-ray Absorption Spectroscopy XAS)(73)

同步輻射為接近光速之電子受加速度而產生之電磁波其可提供

連續波長可調能量範圍寬廣之光源並具光點小強度高與準直性

佳等特性近二十年應用同步輻射 (synchrotron radiation) 光源於 X

光吸收光譜之技術愈趨成熟使 X 光吸收光譜成為一項分析物質結

構之利器利用同步輻射光源對材料進行 X 光吸收光譜研究主要

包括 X 光吸收近吸收邊緣結構(X-ray absorption near-edge structure

XANES)與延伸 X 光吸收精細結構(extended X-ray absorption fine

structureEXAFS)其中 XANES 用於檢測材料中特定原子之電子組

態而 EXAFS 則測定原子之局部結構(local structure)可得知原子與

其鄰近原子間之距離種類及數目等X 光吸收光譜可發揮於原子短

程結構與電子組態上之優點與傳統 XRD 長程有序

相互配合可更加了解奈米材料之結構特性

當物質受到X光照射而吸收X光可用吸收係數 μ 表示其吸收之

程度若以I0表示入射X光之強度I 表示穿透光強度樣品厚度為 x

0 exp( )I I xμ= minus (29)

現象會隨X光能量增強而逐漸平

地降低構成吸收光譜之底線

若X光能量改變即使物質中之原子不吸收不散射等因素測得之

穿透光強度仍較入射光強度減小此

49

2491 X 光吸收近吸收邊緣結構 (X-ray Absorption Near-Edge

Structu XANES)

有關吸收原子之電子

組態價數及其所處晶格位置之對稱性資訊

re

當 X 光能量逐漸增強至物質中所含原子之吸收能量(absorption

edge)原子內層電子開始吸收 X 光之光子躍遷至外層之空軌域

造成吸收係數激增即形成 X 光吸收近吸收邊緣結構(XANES)於

吸收邊緣前與後各 30 eV 區域內之一些圖譜特徵包含吸收前緣之突

起躍昇區段上之肩部主峰之相對高度甚至吸收邊緣之位置(常

以躍昇段之第一個反曲點能量為視之)統稱為 XANES如圖 217

所示為 Ti K-edge 之 XANES 示意圖其可提供

圖217 Ti K-edge之XANES示意圖

50

25 染料敏化太陽能電池之組裝與特性分析

251

工作電極漿料之製作對於太陽能電池效率而言為最重要且最關

鍵之步驟本實驗採用奈米級粉體作為主要材料由於顆粒小其比

表面積大可使染料吸附量增加但如此微小粒子亦容易因凡得瓦

力庫倫力等發生團聚現象團聚現象對於粒徑小於 10 μm 之顆粒尤

其明顯因此於漿料之製備過程中必須透過機械攪拌及超音波震盪

等方式使其均勻分散本實驗漿料為參考 Seigo 等人於 2008 年所

發表之論文 製備首先秤取適量先前合成之二氧化鈦粉末加入配

ethyl cellulose分別為 5-15 mPas 與 30-50

mPas)膠體溶液松 terpineol)無水乙醇上述混合物置入單頸

瓶中激烈攪拌約 10 小時並減壓抽氣濃縮以去除乙醇再以超音

1 小時即完成漿料製備

252 導電玻璃清洗

[fluorine-doped tin oxide

FTO](尺寸23 x 30 cm)以中性清潔劑初步洗滌之後浸泡於丙酮溶

劑內並置於超音波震盪器內 10 分鐘丙酮可溶解油漬與黏膠卻

對 FTO 無影響可防止製備工作電極薄膜中出現裂痕及缺陷接著

使用去離子水同樣於超音波震盪下清洗玻璃最後再以乙醇於超音波

作用下洗滌乙醇可以溶解大部分之有機溶劑包括丙酮

璃之電阻)乙醇清洗完後將導電玻璃置入烘箱中以 70oC 烘烤 30

分鐘以去除殘餘有機物

3 電池組裝與特性測試

FTO 玻璃固定於網印機機台上利用網印法(如圖

FTO 玻璃上(工作電極面積

工作電極漿料配製

(74)

製好之兩種乙基纖維素(

油醇(

波震盪

首先將摻雜氟之二氧化錫導電玻璃

(會增加玻

25

(1) 將清洗完成之

218 所示)將製備好之漿料均勻塗佈於

51

複以上動作直到所

其表面於室

Black dye 溶液中放置

染料敏化太陽能電池有關組裝之詳細流程圖如圖 219 所示

需之膜厚或者所需要之雙層或多層結構設計

(2) 將鍍膜完成之工作電極置於 40 mM TiCl4 乙醇溶液中並置入 70oC

烘箱中 30 分鐘取出後以去離子水及乙醇交替潤洗

溫下乾燥後置於方形爐中 500oC 煅燒 30 分鐘

(3) 將製備好之工作電極薄膜浸泡於 02 mM

室溫暗室浸泡 24 小時使其自行吸附

(4) 待二氧化鈦電極吸附染料步驟完成後利用乙腈(acetonitrile)清洗

工作電極表面靜置乾燥後即可得已製備完成且吸附染料分子

之二氧化鈦薄膜電極首先將氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑

金屬之相對電極之空隙中再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結

合並防止氣泡產生以長尾夾固定既可完成此三明治結構之

圖 218 網印機塗佈示意圖

52

TiO2 (or TiO2Eu3+ ) powder

1 Screen printing on FTO (15Ωsq)

(A active=016cm2) 2 DryingRT 3 Gradually heated under an airflow at 325oC 5min 375oC 5 min 450oC 15min and finally at 500oC 15 min

1+ Two kind ethyl cellulose solution (5ndash15mPas and 30-50 mPas) + Terpineol + pure ethanol 2 Stirring10 hr 3 Rotary-evaporator (40oC) 50 min 4 Sonication 30 min

paste

Repeated until desirable Film thickness was obtained

TiO2 film FTO

1 Immersed in TiCl4 EtOH 70oC (30 min)2 Calcined 500 oC 30 min in air flow 3 Soaked in black dye (02 mM )

DyeTiO2 film FTO

1 Put the spacing film aside the TiO2 film2 Combined with sputtered Pt electrode3 Injected the ImacrI3- electrolyte

DSSC

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖

53

254 染料敏化太陽能電池性能測試

2541 電流電壓效率曲線(I-V curve)量測

於太陽能電池效率量測方面由於太陽光光譜將不斷變動因此

必須有一套國際量測標準目前國際上太陽能電池量測主要以美國

ASTM G-159 (Air Mass 15) 為主由於太陽光入射角度會隨著穿過

大氣層厚度之不同而隨之改變一般以大氣質量數 (Air Mass AM)

表示並規定太陽光在大氣層外直接垂直照射稱為AM 0太陽光與

地球表面夾角為90deg時稱AM 1而入射太陽光與地表之夾角為4819deg

時則為AM 15將完成之電池元件進行效能測試其光電轉換效率值

之檢測系統如圖 220 所示此檢測系統中為選擇300瓦(W)氙燈光源

模擬太陽光(AM 15)光源於開啟後須熱機10分鐘為避免檢測時因

光源不穩定而造成量測誤差並利用一標準單晶矽電池(效率值約為

1173 )以調整入射光源強度為100 mWcm2

將電池置於待檢測位置接上正負電極後利用電源電錶儀

(Keithley 2400) 控制輸出電壓並量測輸出電流值以獲得電流-電壓

曲線(I-V Curve)並藉由所得之I-V Curve圖中可獲得開路電壓(Voc)

閉路電流(Isc)填充因子(FF)與光電轉換效率(η)等評估電池效能之參

數其中短路電流乃指太陽能電池於無負荷狀態下外部電路短路

時之輸出電流此時電壓為零於理想之狀態下太陽能電池之短路

電流即等於照光時所產生之光電流而開環電壓即為太陽能電池於負

載無限大之狀況下為外部電流斷路時所量到之電壓此時之輸出電

流為零轉換效率可定義如下

max ( )P Isc Voc FPin Pin

η Ftimes times= = (210)

其中 Pin 為入射光功率FF因子定義為電池輸出最大功率

54

(Pmax)與理想最大功率之比值關係如下

max max max P I VF FIsc Voc Isc Voc

times= =

times times (211)

由上式可知此 FF 值為表示太陽能電池電壓電流表現與理

想行為間之差異此值受電池內部串聯並聯電阻工作溫度照光

強度等影響

圖220 電池光電轉換效率值檢測系統

圖221 太陽能電池I-V 特性曲線示意圖

55

2542 入射單色光之光電轉換效率量測(incident photon to current

convers-ion efficiencyIPCE)

IPCE 為單位時間內外電路中產生之電子數目 Ne 與單位時間內

入射單色光光子數目 Np 之比如其理論計算式為

2 2 [1240 ( )] [ ( ) ( )] 100SC incIPCE J A cm nm I w cmλ= times times times (212)

式中 JSC 為短路電流密度λ為入射光之波長Iinc 為入射光強度

從式中可看出奈米多孔膜(如TiO2)之比表面積越大吸附染料分子

越多光吸收效率就越高光電轉換效率測定系統可得到單一波長之

光電轉換效率根據此數據可瞭解整個光譜裡不同波長範圍之光對

電流之貢獻得到 IPCE 對波長之光譜與吸收光譜不相同因既

使能吸收光亦未必能有效轉換成電流本量測系統涵蓋以下主要組

(1) 光源500 W Xe lamp能發射全波長之光

(2) Water filter過濾光源發出之紅外光減少紅外光引起之熱

(3) 單光器(monochromator)以光柵選擇波長並投射至樣品

(4) 光強度偵測器偵測投射波長之強度

(5) 定電位定電流儀Keithley 2400用以讀出電流訊號

待測樣品經過不同波長之光照射時會反映出不同程度之光電流經

定電位定電流儀讀出電流值並記錄下來本實驗每隔10 nm 之波長

記錄電流值範圍從 350 nm 至1000 nm紀錄所有之電流值後再

經光強度偵測器量測各波長光線之能量將電流與光能量帶入式

212計算後即可得到各波長光線之光電轉換效率IPCE ㄧ般亦反

映至電池總效率上IPCE 越大則效率越高

56

圖222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖(75)

2543 電化學阻抗分析(Electrochemical impedance spectroscopy

EIS)(76)

交流阻抗定義

阻抗 = 電壓電流

交流阻抗定義阻抗 = 電壓電流 ( ( )( )

V fZI f

= )

其中電壓與電流之值會隨著頻率( f )變動而改變阻抗其實是由實部

阻抗(Zrsquo)與虛部阻抗(Zrdquo)所構成表示法為 Z Z jZ= minus

其中 Z 實部阻抗(real impedance) Z 虛部阻抗(imaginary impedance)

j = 1minus 而 Z Z Z θ (相角)之間關係如圖 223 所示

57

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

圖 223 Z Z Z θ 之間關係圖

交流阻抗測量過程如下

施加一小振幅之交流電壓(大多為正弦波訊號)使電極電位於平

衡電極電位附近微擾當達到穩定狀態後測其響應電流訊號之振幅

(magnitude)及相(phase)進而求得阻抗(impedance)然後依據所設

想之等效電路(equivalent circuit)透過阻抗圖譜之分析以及 Z-plot 程

式進行參數擬合精算以求出電極之動力學參數測量方式將組裝

好之電池於光源之持續照射下達到一穩定之電壓以電化學分析

儀(CHI 611C)測量選擇「AC Impedance」模式給予一個振幅為

10 mV 之交流電壓掃描頻率設定為 105 Hz 至 005 Hz

(a)

58

(b) high

medium low

圖 224典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖(77)

從典型之電化學阻抗圖譜可於奈氏圖(Nyquist plot)觀察到三個

半圓形之訊號參照圖 224b 依序從左至右分為高頻區 (high

frequency)中頻區(medium frequency)低頻區(low frequency)其所

分別代表之意義為(參照圖 224a )

高頻區電子於白金相對電極與電解質介面(Pt-FTOElectrolyte)之間

之傳輸阻抗

中頻區電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗

低頻區碘三負離子(I3minus)於電解質中之擴散阻抗

於經過電化學阻抗測量之後所得到之圖譜參考 Wu 等人之文獻

(78)設想之等效電路如圖 225 所示

59

FTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSCFTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSC

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

keff

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

EIS raw rata - P25 TiO2 (12 μm)

magnitude

phase

|Z| = ( |Zrsquo| 2 + |Zrdquo| 2 )12

θ = tan-1 ( |Zrdquo| |Zrsquo| )

=gt |Zrsquo| and |Zrdquo|

input output derived

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析

60

經過電化學阻抗分析過後原始數據如圖 226 所示經由等效

電路假設之後並進一步使用 Z-View 軟體效正並參考 Adachi 等人(79)

所發展之模式可以得到下列參數

(1) L (μm) 電極膜厚 (film thickness)

(2) keff (s-1) 電子再結合速率常數 (reaction rate constant for

recombination)

(3) τ (s) 電子壽命 (lifetime of electrons)

(4) Rk (Ω) 電子再結合之電荷傳導電阻亦即暗反應電阻

(charge-transfer resistance related to recombination

of electron )

(5) Rw (Ω)電子於 TiO2 中之傳導電阻 (electron transport

resistance in TiO2)

(6) Deff (cm2s)有效電子擴散係數 (effective electron diffusion

coefficient)

(7) Ln (μm) 電子擴散長度 (electron diffusion length)

其中 τDeffLn(7879)可以由下列公式求得

1 effkτ = (213)

2

( ) (keff

w

R LDR

= times (214)

( )nL Dτ= times eff (215)

61

26 量子點敏化太陽能電池之組裝

261 硒化鎘 (CdSe) 量子點之製備

(1) 取051克之氧化鎘(cadmium oxide CdO)與3克之油酸(oleic acid

OA C17H33COOH)溶入126 mL之1-十八烷烯(1-Octadecene

C18H36)中配製成A溶液

(2) 取 13 mmol之硒粉( selenium Se)與 05克之三正辛基膦

( tri-n-octylphosphine (C8H17)3P )溶入 10 mL 之 1- 十八烷烯

(1-Octadecene C18H36)中以磁石持續攪拌1小時配製成B溶

(3) 將A溶液與磁石置入三頸瓶中以每分鐘280轉之速率攪拌並以

25 mtorr之氮氣去除瓶中之剩餘空氣

(4) 將三頸瓶以每分鐘5oC之升溫速率將溫度升高至200~205oC溶

液之顏色將呈現淡黃色透明澄清溶液接著繼續升溫至280oC

(5) 接著將B溶液以針筒迅速注入三頸瓶中注入完畢開始計時達

到反應時間即離開熱源溶液顏色將從淡黃色透明澄清變化成橘

紅色澄清溶液

(6) 將溶液加入乙醇中以每分鐘10000轉之轉速離心10分鐘數次

即可完成CdSe-OA量子點並保存於己烷中

詳細配製流程如圖227所示

62

CdO and Oleic Acid(OA) were dissolved in 1-Octadecene

Heated to ~205oCuntil the color of solution turn to transparent colorless then the temperature was increased to 280oC

Injection of SeTOP solution and stop heating (in 2 min)

The CdSe nanoparticles were precipitated using EtOH and then kept in hexane

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖

63

262 硒化鎘 (CdSe) 量子點之改質 (Ligand exchange)

(1) 將02 mmol之巰基丙酸(mercaptopropionic acidMPA)溶入30 mL

之甲醇中並以四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium hydroxide

in methanolTMAOH)滴定調整溶液pH值至114

(2) 將溶液置入三頸瓶中於氮氣之環境下加熱至55oC

(3) 將保存於己烷中之硒化鎘量子點加入甲醇以每分鐘10000轉之速

率離心十分鐘重複三次

(4) 取約2 mL之MPA溶液再取40毫克之硒化鎘溶入溶液中再倒回

三頸瓶

(5) 將三頸瓶溫度加熱至65oC並以鋁箔包覆三頸瓶使溶液於黑暗

中反應20小時

(6) 接著將溶液與ethyl acetate以21之比例混合再將混合溶液與

Hexane以11混合以每分鐘10000轉之速率離心十分鐘重複2

至3次即可得到CdSe-MPA之量子點

詳細配製流程如圖228所示

64

02 mmol of MPA was dissolved in 30 mL of anhydrous methanol and pH-adjusted to 114 by addition of TMAOH

Heated to 55degC and than added to a vial containing approximately 40 mg of CdSe

Heated to 65degC and refluxed for approximately 24 hrs under nitrogen gas in the dark

The nanocrystals were isolated by addition of ethyl acetate to induce flocculation

The CdSe nanoparticles were precipitated using methanol

The CdSe nanoparticles were stored in toluene

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖

65

263 量子點敏化電池之組裝

(1)利用與 253 節中相同之方法製備工作電極薄膜並先將工作電

極浸泡純MPA溶液4小時取出後立刻將其浸泡入之前合成之硒化

鎘甲苯溶液靜置一天之後取出先以甲苯沖洗去除未吸附之多

餘奈米粒子再利用乙腈(acetonitrile)清洗工作電極表面靜置乾燥

後即可得已製備完成且吸附量子點之二氧化鈦薄膜電極

(2)再氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑金屬之相對電極之空隙中

再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結合並防止氣泡產生以長尾

夾固定既可完成此三明治結構之量子點敏化太陽能電池

附註

(1) 電解液配製

二甲丙基咪唑碘(dimethyl propyl imidazolium iodide ) 06 M 碘化鋰

(lithium iodide LiI) 01 M 碘 (iodine I2) 005 M 及第三丁基吡啶

tert-butylpryidine (05 M) 溶於乙腈(acetonitrile)中

(2) 染料溶液配製

Solaronix 公司 black dye 02 mM 及脫氧膽酸 (deoxycholic acid DCA)

20 mM 溶於乙醇 (ethanol)中

66

第三章 結果與討論

本研究之重點於利用兩種不同合成方法製備 TiO2Eu3+工作電極

材料並探討其運用於染料敏化太陽能電池之效應前者使用

Ti(OC4H9)4溶膠為合成二氧化鈦之前驅物與 Eu2O3為摻雜 Eu3+來源

以溶膠凝膠法與水熱法合成 TiO2 奈米粒子後者使用商用二氧化鈦

粉末(Degussa P25)為合成二氧化鈦與 Eu(NO3)35H2O 為摻雜 Eu3+

來源直接利用水熱法合成粉末針對兩系列工作電極材料之晶體結

構與光譜特性進行不同目的之階段分析分別敘述如下

第一階段為材料結構鑑定分析

(1-1) X-光繞射光譜儀(X-ray diffraction XRD)

(1-2) 結構精算(Refinement)

(1-3) 掃描式電子顯微鏡(SEM)

(1-4) 穿透式電子顯微鏡(Transmission electron microscope TEM)

(1-5) 氮氣等溫吸附與脫附儀(BET)

第二階段為光譜特性分析

(2-1) 光激發光譜(PL)

(2-2) 拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum)

(2-3) 紫外 ‐可見光擴散式反射光譜 (UV-Vis diffuse reflectance

spectra UV-Vis DRS )

(2-4) X 射線光電子能譜儀(XPS)

(2-5) X-光吸收光譜(X-ray absorption spectroscopy XAS)

第三階段為太陽能電池特性分析

(3-1) 太陽能電池 I-V 曲線效率量測(I-V curve)

(3-2) 入射單色光之光電轉換效率量測(IPCE)

(3-3) 電化學交流阻抗分析(EIS)

67

31 TiO2Eu3+ 材料結構鑑定分析

311 晶體結構分析

天然二氧化鈦為 n 型半導體於分子之結構中屬閃鋅晶格其中

鈦原子具 22 個電子以外圍 3d 軌域之 4 個價電子與氧原子形成共

價鍵 (Covalent Bond)自然界中二氧化鈦以銳鈦礦(Anatase)金紅

石 (Rutile)與板鈦礦 (Brookite)三種結晶組態存在其中最常見與最

廣泛使用的為前面兩種組態後者則極為罕見圖 31 為典型銳鈦礦

(Anatase) 之晶體結構圖屬四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα

=β=γ=90deg其空間群(space group)為 I 41amd其中 I 表體心晶格

(Body centered unit cell)41a 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 41旋移

軸(screw axis)即平行 c 軸旋 360deg4 = 90deg後平移 14 晶軸距離且

於垂直[001]方向具一 a 軸之旋移面(glide plane)m 表垂直[100]或[010]

方向具一鏡面(mirror plane)d 表垂直於[110]或[1-10]方向具一沿 c

軸移動之鑽石射移面(diamond glide plane)而圖 32 為典型金紅石

(Rutile) 之晶體結構圖為四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα=

β=γ=90deg其空間群為 P 42mnm其中 P 表簡單晶格(primitive cell)

42m 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 42旋移軸(screw axis)即平行 c

軸旋轉 360deg4 = 90deg後平移 24 晶軸距離且於垂直[001]方向具一反

射面n 表垂直[100]或[010]方向具一斜角射移面(diagonal glide)末

項之 m 表垂直於[110]或[1-10]方向具一反射面雖此兩種晶相皆是以

TiO6八面體鍵結而成然而 Ti-TiTi-O 鍵長與氧鍵結數不同等差異

造成兩相之質量密度(mass density)與電子組態皆相異

68

圖 31 TiO2銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖

圖 32 TiO2金紅石(Rutile)相晶體結構圖

69

3111 TiO2Eu3+ (TBT 系列) XRD 分析

此系列工作電極粉體以溶膠凝膠法與水熱法進行合成並添加

銪(Eu)為活化劑其主體晶格為二氧化鈦(TiO2)如圖 33 所示為 TBT

系列 TiO2Eu3+之 XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu含量自 x = 0 增

至 x = 005於 X-光繞射圖譜得知隨 Eu 濃度增加粉體皆呈現 TiO2

銳鈦礦 (Anatase) 之相若以離子半徑大之原子取代於主體晶格中原

子半徑小之原子故主體晶格將擴張其面間距(d)增加並根據布

拉格繞射公式 2 sind nθ λ= 可知繞射角度(θ)亦減小於圖 33 XRD

圖譜中銳鈦礦繞射面(101)之主繞射峰並無位移初步判斷為低濃

度取代之緣故而較多數文獻(80)之論點則因 Eu3+之離子半徑約為 108

Aring而 Ti4+之離子半徑約為 068 Aring兩種離子半徑差異頗大造成利

用溶膠-凝膠法與水熱法等軟性合成法並不易將 Eu 直接取代 TiO2 晶

格中 Ti 之位置故無法於使二氧化鈦晶格擴張此論點於 GSAS 結

構精算結果中將再次討論

20 30 40 50 60

A(211)A(105)A(200)A(004)

Ti1-xO2Eux (TBT)

JCPDS089-4921

x = 0015

2 θ (degree)

Inte

nsity

(au

)

x = 0

x = 00075

x = 002 x = 0025 x = 003

x = 004

x = 005Anatase

A(101)

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜

70

為計算合成粉體之粒徑大小根據晶體學 Scherrer equation(如式

31) (81)其中 D 為粒徑大小 (crystal grain size)k 為無單位常數 09

λ為 Cu Kα1之波長 015405 nmβ為圖譜中最強之繞射峰(101)之半高

寬θ為繞射角度 254o之半

coskD λ

β θ= (31)

計算不同 Eu 摻雜量其粒徑大小分布如圖 34 所示顯示隨著 Eu 摻雜

量增加粒徑大小隨之縮小至 x = 004 時達至飽和穩定研判為

Eu3+雖難取代 TiO2 中 Ti4+位置卻可能於晶格表面或空隙中形成

Eu-Ti-O 鍵結進而限制其晶格成長(82)而觀察此 TBT 系列粒徑分布

由 9~20 nm 範圍屬微小奈米粒子形成微小粒徑之因可由生成機制

說明此系列樣品由溶膠凝膠法將鈦酸四丁酯 (Tetrabutyl titanate) 水

解形成加入硝酸使生成環境處於 pH 小於 2故此過程須將鈦醇前

驅物於酸催化下水解縮合而成而三維聚合體骨架 (polymeric

skeletons) 於低含水與低水解速率下將由於 Ti-O-Ti 之鍵結逐漸形成

而更緊密堆積因此造成微小奈米粉體之形成(8384)

-001 000 001 002 003 004 005 0068

10

12

14

16

18

20

22

1027978

13241439

16781722

1934

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

) Ti1-xO2Eux(TBT)

2176

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖

71

為更進一步瞭解稀土離子摻雜進入二氧化鈦後之確切晶體結構

與精細結構變化本研究利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進

行結構精算精算過程中以 ICSD-93098 為起始模型此為空間群

I 41amd 之銳鈦礦 TiO2各原子之熱振動參數設定為等方向性

(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為 1且相同格位之

原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖 35 為 TBT 系列

Ti097O2Eu0033+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構精算所獲得之

XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理論擬合曲線

下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置以及下方藍

色實線表為理論值與實驗值之誤差

由 GSAS 結構精算結果得知如表 31a 所列TBT 系列 Eu3+

摻雜 TiO2結構之空間群仍屬於 I 41amd其中 Eu3+取代四配位之 Ti2+

位置較為合理其信賴指數為 χ2 = 237Rwp = 598與 Rp = 482

可得知樣品之結晶性良好其晶型之結晶程度好壞對往後染料敏化太

陽能電池光電轉換效率之優劣有決定性之影響晶格參數為 a = b =

37835 (6) Aring 與 c = 94945 (17) Aring晶格體積為 13591(4) Aring3根據

Vegard(85)定律固態材料因摻雜不同大小離子半徑之元素使其結構

產生膨脹(expansion)或壓縮(compression)效應而直接影響其晶格大

小與體積之變化根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較(表

31b)晶格體積並無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之

Eu3+離子(095 Aring)難以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與上述 XRD

結果吻合

72

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

圖 35 TBT 系列 Ti097O2Eu0033+粉體 X 光繞射結構精算圖

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

0000000

0000000

0245966

0338408

-0023401

0182541

1000000

1000000

261

382

Space group I 41amd (tetragonal) Cell Parameter

a = b = 37835 (6) Aring c = 94945

(17) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13591(4) Aring3

Reliability Factors χ2 = 237 Rwp = 598 Rp = 482

73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參數

Eu

ratio(x) a(A) b(A) c(A) Volume(A) Rp() Rwp() χ2

0 37809(18) 37809(18) 94795(9) 13551(16) 51 61 20300075 37805(18) 37805(18) 94796(9) 13548(16) 53 66 2270015 3790723) 3790723) 94839(11) 13628(20) 72 85 239002 37806(33) 37806(33) 94737(17) 13540(29) 62 75 2450025 37805(12) 37805(12) 94420(23) 13495(7) 52 61 185003 37835 (6) 37835 (6) 94945(17) 13591(4) 48 60 237004 37868(5) 37868(5) 94868(15) 13604(34) 63 79 279005 37772(24) 37772(24) 95012(6) 135557(15) 42 52 184

3112 TiO2Eu3+ (P25 系列)

此系列工作電極粉體為利用水熱法合成以添加銪(Eu)為活化

劑其主體晶格為二氧化鈦如圖 36 所示為 P25 系列 TiO2Eu3+之

XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu自 x = 0 增至 x = 01於 X-光繞

射圖譜得知隨 Eu 濃度增加與前一 TBT 系列比較不同之處為粉體

所呈現為 TiO2 銳鈦礦(Anatase)與金紅石(Rutile)兩項共存(之後亦利

用結構精算驗證此結果)其中以銳鈦礦(Anatase)所佔比例為多數

爾後分析將針對兩項比例作計算依據圖 36不同 Eu3+摻雜量之系

列樣品並無發現明顯之 Eu2O3或 Eu 與 Ti 複合氧化物之繞射峰出現

此為由於 Eu3+均勻分散於 TiO2晶體之表面所致(86)其主相 anatase 於

(101)處之繞射峰亦無明顯位移產生其為離子半徑差異較大之因

研判 Eu3+並無直接取代 TiO2晶格中 Ti4+之位置以 Scherrer equation

計算之粒徑大小分布如圖 37 所示文獻(87)曾報導由於金紅石(Rutile)

晶體結晶性較銳鈦礦(Anatase)為差也因此粒徑相對較小本實驗經

過 Eu 摻雜後之樣品雖將提高銳鈦礦(Anatase)相之比例(將於後文說

74

明)但由圖 37 可得知此兩相比例差異之影響對於晶格成長之限制不

大初步判斷為此系列以商用粉 P25 為前驅物進行水熱法過程中

摻雜之 Eu3+座落於晶體表面主晶體二氧化鈦並不會進行分解

(decompose)再結晶

20 30 40 50 60

R(1

01)

R(1

10)

A(1

05)

A(2

11)

A(2

00)

A(1

12)

A(1

03)

A(1

04)A

(101

)

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

x = 0

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0025x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015Anatase

Rutile

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜

000 005 010 015 0208

10121416182022242628

238237236238246248

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

)

Ti1-xO2Eux(P25)

253

圖 37 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布

75

本系列亦利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進行兩相結構

精算精算過程中銳鈦礦(Anatase)以 ICSD-202243 為起始模型而

金紅石(Rutile)則以 ICSD-202241 為起始模型各原子之熱振動參數

設定為等方向性(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為

1且相同格位之原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖

38 為 P25 系列 Ti09O2Eu013+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構

精算所獲得之 XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理

論擬合曲線下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置

以及下方藍色實線表為理論值與實驗值之誤差由 GSAS 結構精算結

果如表 32 所列P25系列 Eu3+摻雜 TiO2結構之空間群屬於 I41amd

之銳鈦礦與 P42mnm 之金紅石兩相共存其精算信賴指數為 χ2 =

185Rwp = 61 與 Rp = 52 銳鈦礦之晶格參數為 a = b = 37850

(33) Aring 與 c = 94950 (9) Aring晶格體積為 13603 (21) Aring3 金紅石之晶

格參數為 a = b = 45867 (0) Aring 與 c = 29540(0) Aring晶格體積為 6215

(0) Aring3根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較晶格體積亦

無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之 Eu3+離子(095 Aring)難

以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與 XRD 結果吻合亦與 TBT

系列結果相同

藉由 XRD 分析並根據 Spurr 與 Myers 所發展之理論(88)銳

鈦礦(Anatase)特徵峰A (101)與金紅石(Rutile)特徵峰R(110)兩結

晶面之強度可計算出異相態比例由方程式32a與32b

(32a ) 1

(1 08( ))RXA RI I+

=

1A RX X= minus (32b )

式中XA 為銳鈦礦之重量百分比XR 為金紅石之重量百分比IR 為

76

金紅石 X-ray 於(110)之繞射峰強度IA 為銳鈦礦X-ray 於(101) 之

繞射峰強度由此式計算出此系列樣品之兩相比例與利用 GSAS 結

構精算後得出之兩相比例比較如表33所示可知藉由兩種計算方法

所得之結果相近未經 Eu 摻雜之樣品(x = 0)所得銳鈦礦與金紅石之

重量百分比與一般文獻所記載此系列合成前趨物 Degussa P25 二氧

化鈦之兩相重量百分比(銳鈦礦75 金紅石25 )(89)接近而透過 Eu

之摻雜具效提升銳鈦礦之重量百分比此與 Setiawati 等人(90) 於期

刊中發表透過稀土元素(EuSm)之摻雜於高溫燒結過程中將有

效抑制金紅石相之生成進而增加銳鈦礦之穩定性之結果吻合以染

料敏化太陽能電池而言使用銳鈦礦晶相小粒徑高比表面積之

TiO2 粉末較有利於製造多孔薄膜電極時表現出高光電轉換效率

之特性而由於一般商業二氧化鈦粉末於高溫 (約700至900oC) 時會

產生相變(Anatase變至Rutile)因此於塗佈多孔薄膜工作電極後固

化之燒結溫度應避免高於轉相溫度

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

77

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

Ti

O

0000000

0000000

0000000

0304690

0250000

0250000

0000000

0304690

0375000

0170031

0000000

0000000

1000000

1000000

1000000

1000000

241

184

250

250

Space group (A) I 41amd (tetragonal)

(R) P 42mnm (tetragonal)

Reliability Factors χ2 = 185 Rwp = 61 Rp = 52

Cell Parameter

(Anatase)

a = b = 37850 (33) Aring c = 94950

(9) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13603 (21) Aring3

(Rutile)

a = b = 45867(0) Aring c = 29540(0) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 6215 (0) Aring3

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果

Ti1-xO2Eux3+ x=0 x=0025 x=005 x=0075 x=01 x=0125 x=015

Anatase(wt ) 751 817 849 839 853 836 849

Rutile(wt ) 249 183 151 161 147 164 151

Anatase(wt

)

753 824 853 835 849 834 847

Rutile(wt ) 246 176 147 165 151 166 153

GSAS refinement results

78

312 晶體表面形貌分析

3121 SEM 與 TEM 粉體形貌分析

此部分討論透過掃瞄式電子顯微鏡與穿透式電子顯微鏡觀察所

合成粉體之表面形貌以及粒徑大小分布將結果與 XRD 與 BET 所得

結果作比較如圖 391 (a)~(b)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+中 x = 0 以及

x = 003 之 SEM 影像由圖中可察覺所合成樣品皆為無孔洞表面光

滑之粉體與文獻中(89)未製成工作電極前之二氧化鈦形貌相符透過

Eu 摻雜改質後相較於未摻雜樣品粒徑似乎有縮小之趨勢此與 XRD

所得結果吻合而相較於 TBT 系列圖 392(a)~(d)顯示 P25 系列於

不同 Eu 摻雜量時之粉體 SEM 圖由圖中顯示樣品仍為無孔洞表

面光滑之粉體然而透過 Eu 之摻雜粒徑大小並無明顯改變約略

於 23~25 nm 之間此與 XRD 所計算出結果相符

但若欲進一步測量其準確粒徑分布須透過TEM量測放大倍率作

觀察圖310(a)~(f)為TBT系列 Ti1-xO2Eux3+ 中 x = 0~004 之TEM

影像由圖中可察覺粉體顆粒大小均勻形狀近似圓球狀影像中

並無顯示類似之添加稀土金屬晶相結果皆與SEM吻合其由於TEM

影像中顏色較深暗之部分表示本實驗所配製之粉體具聚集堆積之

情形推測可能為此TEM實驗製備方法中只單純將粉體分散於純乙醇

內並無額外加入任何分散劑而造成粉體顆粒產生團聚現象因此

由圖中所觀察之粉體大小可能為二次粒徑但由於系列樣品中其隨

著Eu3+摻雜量增加可明顯觀察至其粒徑亦隨之變小此結果將配合

BET之結果加以討論

79

(b) (a)

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+SEM 圖放大倍率皆為 100k圖(a)為

x = 0圖(b)為 x = 003

80

(b) (a)

(d)

(c

圖 392 (a)~(d)為 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為

100k圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)為 x = 015

81

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(a) (b)

(c) (d)

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(f) (e)

20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm

圖 310 (a)~(f)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+TEM 圖放大倍率皆為 200kx

(a) x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f) x = 004

82

3122 氮氣等溫吸附與脫附分析(Brunauer -Emmett-TellerBET)

31221 TBT 系列粉體 BET 分析

分析所合成之工作電極粉體其表面形貌以及比表面積分布本研

究針對樣品進行氮氣等溫吸附與脫附分析氣體吸附法測定比表面積

之原理為依據氣體於固體表面之吸附特性於一定之壓力下被測

樣品顆粒(吸附劑)之表面於超低溫下對氣體分子(吸附質)呈現可

逆之物理或化學吸附作用於某一壓力下其存在相對應之平衡吸附

量通過測定出該平衡吸附量並藉由理論模型以等效求出被測樣品

之比表面積由於實際顆粒外表面之不規則性嚴格來講該方法測

定之結果為吸附質分子所能到達之顆粒外表面與內部通孔總表面積

之和

圖 311(a) ~ (g)為 TBT 系列樣品針對不同 Eu 摻雜濃度之工作電

極粉體所測之 BET(Brunauer-Emmett-Teller)等溫吸附法之結果藉由

遲滯迴圈之範圍及形狀可輔以判斷孔空形狀與大小此系列樣品之氣

體吸附曲線依 IUPAC 定義於 x = 0即無 Eu 摻雜時由於其於高

相對壓力(relative pressure PsPo)時遲滯迴圈不明顯故推測屬於第

二型第二型通常為無孔材料或孔徑較大之材料配合 SEM 圖判斷

應為無孔材料顯示合成之粉體其表面光滑完整而隨著 Eu 之摻雜

量之增加氣體吸附曲線於高相對壓力出現些微遲滯迴圈現象推測

屬於第四型中孔洞材料但由 SEM 判斷粉體仍無中孔洞材料現象

為完整平滑之粉體初步判斷造成中孔洞原因為粉體堆疊時所產生之

空隙造成且遲滯迴圈較為垂直故應為規則之球體陣列間孔洞造

成而經由 BET 程式計算此 TBT 系列樣品之比表面積顯示隨著

Eu 含量之增加其比表面積亦隨之增加於 Eu 摻雜量至 x = 004 時

達至飽和此結果與 XRDTEM 結果吻合隨著 Eu 含量之增加

83

由於粒徑因為 Eu-Ti-O 鍵結產生造成晶體成長受限而隨之粒徑變

小因此造成比表面積隨之增加圖 312 為 Eu 不同摻雜量與比表面

積之關係圖

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0015)

V

olum

e ad

sorb

ed (c

m3

g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=002)

Absorption process Desorption process

(c)

84

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=003)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(d)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=004)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

050

100150200250300350400450500

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=005)

Absorption process Desorption process

(e)

(f)

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖

85

000 001 002 003 004 00570

80

90

100

110

120

130

140

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

789

9821027

1076

1328

1266

圖 312 TBT 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

31222 P25 系列粉體 BET 分析

圖 313 為 P25 系列樣品於不同 Eu 摻雜濃度下所測定 BET

(Brunauer -Emmett-Teller)等溫吸附法之結果與 TBT 系列比較依

IUPAC 之定義配合 SEM 與 TEM 之結果此系列樣品仍為無孔洞

之奈米材料且其高相對壓力處遲滯迴圈之形狀與 P25 標準圖譜相

近可判斷於此系列中經由 Eu 之摻雜後於表面形成之 Eu-Ti-O 之

鍵結較弱因此限制晶格成長現象較不明顯此結果與 XRD 粒徑大

小分布趨勢吻合

86

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPO)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0075)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=015)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

(c)

圖 313 (a)~(c) P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之 BET 圖

87

000 005 010 015

0

10

20

30

40

50

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

333

477 509

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

32 TiO2Eu3+ 粉體光譜特性分析

3211 光激發光譜分析(PL)

以 Eu3+作為活化中心之紅色螢光粉研究已屬豐碩而藉由主體晶

格之變異進而整齊發光特性而先前亦具 Eu3+摻雜入 TiO2 之研究

但多數為薄膜製程以探討其光電與觸媒特性本研究亦透過光激發

光譜之分析藉以探討不同 Eu3+濃度摻雜之粉體其發光特性與機制

Zou 等人(91)於 2006 年之研究指出由於其間接傳遞之特性TiO2

之塊材(bulk)於室溫下並無放光僅於 77 K 時於 500 nm 處具微

弱放光習知 Eu3+離子之激發光譜具以下三種特徵第一種為主體晶

格吸收以 Y2O3 Eu3+為例於激發波長(≦230 nm) 存在 Y2O3之主

體晶格吸收第二種為電荷轉移躍遷(charge transfer transition)為

Eu3+-O2-之間電荷轉移所產生之躍遷其常為寬帶譜此特徵峰一般

88

介於 250 ~350 nm(92 - 94)第三種為 f-f 軌域之躍遷此為 300~500 nm

之間 Eu3+離子之 4f 軌域相互躍遷所造成之特徵吸收峰如圖 315 所

示為摻 Eu3+離子之 TiO2光激發光譜圖與放射光譜圖於 612 nm 作

放射波長下之激發光譜中最強吸收峰為 394 nm其為 7F05L6軌域

電子躍遷其中由左至右亦包含 7F016D4(384 nm)7F0

5G2(380

nm)7F05D3(414 nm)7F0

5D2(464 nm)之吸收峰值故吸收峰皆為

4f 軌域之內層電子躍遷(95)並無上述之主體晶格吸收或電荷轉移等

現象其乃因 Eu3+-O2-之間共價性太低但電荷轉移所需能量太大

故不易發生再者因電荷轉移吸收帶與主體晶格能隙重疊故產生

能量移轉電荷轉移吸收帶吸收之能量移轉至主體晶格爾後以非發

光形式釋放

於 394 nm 激發並測其放射光譜最強之放射波長為 612 nm隨

濃度改變此一最強放射峰值並無任何改變此為 5D07F2軌域電子躍

遷且三價稀土離子佔據晶格之非對稱中心時非對稱中心之晶格場

對 J = 0 2 之躍遷特別敏感故此躍遷亦稱為強制電偶極躍遷(forced

electric-dipole transition)而磁偶極躍遷(magnetic-dipole transition)一

般不受發光中心周圍結構對稱性之影響5D07F1即屬於此類自左

至右分別為 5D07F0(580 nm)5D0

7F1(592 nm)5D07F4(652 nm)

觀察激發放射光譜圖 315 之放射峰皆為 5D07FJ之電子躍遷即自激

發態之最低能階躍遷至基態而無較高能能階激發態之躍遷其乃複

合聲子弛緩過程(multiphonon relaxation process)(96)所致

89

350 400 450 500 550 600 650 700

00

30x106

60x106

90x106

12x107

15x107

5DJ-7FJ

414

(7 F 01

-6D

3 )

384

(7 F 01

-5 Gj5 L

7)

535

(7 F 01

-5 D3

)

394

(7 F 01

-5 L6 )

λem= 612 nm

464

(7 F 01

-5 D2 )

592

(0-1

)58

0 (0

-0)

652

(0-4

)

Ti097O2 Eu0033+

612

(0-2

)

λex= 394 nm

Inte

nsity

(au

)

Wavelength(nm)

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖

由於本研究為藉由經由工作電極摻雜 Eu3+而使其放紅光並給與

染料吸收以加強其效為提供染料 Black dye 更多之紅光可利用 Eu

摻雜濃度對於發光強度之關係加以討論由圖 316 中可發現 TBT 系

列中隨著 Eu3+離子摻雜濃度由 x = 0 變化至 x = 005其發光強度隨

活化中心 Eu3+濃度增加而增強爾後摻雜濃度高於 x = 003 時強度

卻隨逐漸衰減而 P25 系列中最高發光強度時之摻雜量則為 x = 01

時 此現象為濃度淬滅效應(concentration quenching)所造成此淬減

效應產生可能因素有二

(1) 自身吸收(self-absorbing)或自消光(self-quenching)效應如同液態

螢光之現象固態溶液於高活化中心濃度時吸收物種平均距離縮減

90

使活化中心產生之螢光為另一活化中心所吸收致使發光強度減弱

(2) 能量傳遞至非放光中心 使能量損耗導致發光效率降低

Frindell 等人(97)所發表之文獻中將 Eu 摻雜入非結晶相 TiO2薄膜所

形成非傳統之發光性薄膜其觀點為放光來源為 Eu-Eu 離子間之能

量傳遞其放光濃度淬滅效應與本研究之觀點一致皆為自消光所造

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖

圖 317 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL 光譜圖

500 550 600 650 700

00

20x106

40x106

60x106

x(content)

Ti1-xO2Eux(P25)

0150125

010075

0050025

0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 464 nm

500 550 600 650 700

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

Ti1-xO2Eux(TBT)

005004

0030025

0020015

00075 0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 394 nm

91

而圖 319 與圖 320 分別為兩系列不同 Eu 摻雜量激發光譜(PLE)

之比較可觀察 TBT 系列樣品於 612 nm 作放射波長下最強吸收

峰為 394 nm其次為 464 nm然而對於 P25 系列反而最強吸收峰

為 464 nm394 nm 峰值相對減小甚大為解釋此現象可由圖 318 之

發光機制圖說明當 TiO2 Eu 照光時對主體晶格 TiO2與活化劑(Eu3+)

皆會受光激發電子當 TiO2吸收波長小於 394 nm 之入射光時光電

子快速傳遞至 Eu3+晶格場分裂能階中進行非輻射緩解至各能階進行

放光其中至 5D0後回至 7F0即產生波長 612 nm 之最強放光由於

次共價陽離子 Eu 之摻雜造成主體晶格於價帶與傳導帶間形成一受

限態(trapped state)提供激發光電子一停留之暫態因此若吸收例如

394464 nm 等波長亦會產生復合放強光或非輻射緩解(虛線)

由放射光譜(PL)可知 P25 系列於最強放光 612 nm 處之發光強度明顯

小於 TBT 系列因此可說明 P25 系列受 394 nm 入射光子量極少吸

收機率減小而致使放射光強度減弱故可說明 394 nm 峰值相對減小

之因

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖

92

300 330 360 390 420 450 480 510 540

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

λem = 612 nm

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

000075

0015002

0025003

004005

PLE

圖 319 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE 光譜圖

330 360 390 420 450 480 510 540

00

20x106

40x106

x(content)

λem= 612 nm

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

00025

0050075

010125

015

PLE

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux

3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖

93

3212 臨界距離與能量轉移機制

根據 Dexter 與 Schulman(98)所提出之濃度淬滅效應(concentration

quenching effect)由圖 316 隨 Eu3+離子濃度逐漸增加時其發光強

度亦逐漸增加於 x = 003 時發光強度達至最高值爾後再添加過

量之活化中心(x>003)導致 Eu3+離子彼此間之距離縮短促使 Eu3+

-Eu3+離子對(ion pair)形成並隨摻雜濃度增加而增加使發光能量於

Eu3+-Eu3+離子對內傳遞以非輻射緩解方式消失其發光強度逐漸衰

減此外可利用 Blasse 等人(99)所提粗略計算添加相同之活化中心於

主體晶格內藉由結構精算所得晶格參數推知其發生能量轉移之臨界

半徑(critical radiusRc)

1 3

c3R 2

4 c

Vx Nπ

⎡ ⎤asymp ⎢ ⎥

⎣ ⎦ (33)

式 33 中V 為單位晶格之體積xc 為活化中心之臨界濃度N

為單位晶格中陽離子所占有之個數

臨界半徑乃於臨界濃度(critical concentration xc)時發光中心傳

遞至非放光中心之最小平均距離於本研究中調變 Eu3+離子之濃度

(x = 0~005)其強度最大值發生於 x = 003即為 xc值並利用結構

精算得此樣品之單位晶格體積為 13591(4) Aring3於每一單位晶格中

此 TBT 系列銳鈦礦向為四方晶系故每單位晶格中之 Ti4+ 離子(同為

活化中心之取代位置)所占有之個數為 1 個即 N = 1經計算結果可

得 Rc值約為 205 Aring以相同方法計算 P25 之樣品其 xc = 01單位

晶格體積 V 為 13603(16) Aring3經計算結果可得 Rc值約為 137 AringP25

系列之臨界半徑較 TBT 系列短之原因為合成過程中摻雜元素晶體

長成之差異造成 P25 系列樣品粒徑較大Eu3+與 TiO2 之鍵結強度

較小因此於活化中心間傳遞電子之距離須更小以達濃度淬滅效應現

94

象發生

綜合上段文中所述Ti1-xO2 Eux3+螢光粉之濃度淬滅效應乃因

其發光能量於 Eu3+-Eu3+離子對(ion pair)內傳遞而淬滅本研究將探

討其能量轉移機制

Ozawa(100)等人與 Wang(101)等人於文獻中指出此複合極矩交互作

用與活化中心濃度與其發光強度具一關係式

1 31 ( )QI K x

minus⎡ ⎤= +⎣ ⎦ (34)

式中x 為活化中心濃度I 為發光強度Q = 68 與 10 分別對

應為偶極-偶極(dipole-dipole)偶極-四極(dipole-quadrupole) 與四極-

四極(quadrupole-quadrupole)交互作用K與 β為對應主體晶格之常數

圖 321為Ti1-xO2 Eux3+

(x = 0~005)樣品以 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)

作圖圖中可觀察為一線性關係其擬合(fit)線之斜率為 -062經由

上述關係式之計算後可得 Q 值為 486近似於 6故由此結果可推論

本研究二氧化鈦摻雜 Eu3+離子之濃度淬滅效應主要乃以偶極-偶極交

互作用(dipole-dipole interaction)所致

-22 -20 -18 -16 -14 -12

83

84

85

86

87

88

89

log

( Ix

Eu3+

)

log (xEu3+)

Ti1-xO2Eux3+

Slope = -06195

圖 321 Ti1-xO2 Eux

3+之 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)關係圖

95

322 拉曼散射光譜分析 (Raman scattering spectrum)

3221 TBT系列粉體拉曼散射光譜分析

拉曼散射光譜為量測材料之鍵結狀態非常普遍之方法其原理為

利用光子與樣品中之聲子之間之交互作用量測晶體中之各種振動模

式包括了分子內之振動與晶格振動因此當樣品中晶格變化極微小

時亦能藉由拉曼散射光譜儀觀測於材料晶相結構之鑑定拉曼光

譜亦提供一材料結構與鍵結組態之特徵可與 X 光繞射圖譜互為印

證根據 Balachandran 與 Eror 報導(102)銳鈦礦(Anatase)具六種

Raman active 振動模式(vibrational modes)A1g + 2B1g + 3Eg 金紅石

(Rutile)具四種 Raman active 振動模式A1g + B1g + B2g + Eg由圖 322

中 TBT 系列之拉曼光譜於 146398518 和 641 cm-1 處其顯示二

氧化鈦晶相之特徵散射峰值分別對應銳鈦礦中 Eg A1gB1g Eg

之振動模態(Vibration Mode) (103 104)且 146 cm-1處之散射峰較尖銳

指出粉體之結晶性佳並與 XRD 結構精算之結果吻合另外此系

列中並無發現金紅石之散射峰出現顯示 TBT 系列樣品為銳鈦礦之

純相此與 XRD 之結果吻合

藉由 146 cm-1處 Eg振動模態之散射峰作觀察可知經由 Eu 摻雜

後其繞射峰具往高波數位移之現象有文獻指出(105 106)當二氧化

鈦於晶體結構中之氧空缺(oxygen vacancy)增加時將增加銳鈦礦於

146 (Eg) cm-1之波數因此研判本系列樣品經由 Eu 之摻雜均增加粉

體晶體中氧空缺爾後 X 光吸收光譜將更進一步討論而 Choi 等人

(107)於銳鈦礦之二氧化鈦中以體積收縮效應 (volume contraction effect)

解釋由於粒徑縮小而使晶粒之徑向壓(radial pressure)變小因此造成

鄰近原子鍵結與振動強度改變使繞射峰有往高波數位移之現象

96

100 200 300 400 500 600 7000

1

2

3

4In

tens

ity (a

u)

Raman shift (cm-1)

148(Eg)

146(Eg)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0015

x = 0

x = 002

x = 0025

x = 003

x = 004

x = 005

398(B1g) 518(A1g)641(Eg)

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

97

3222 P25系列樣品拉曼散射光譜分析

本實驗亦將 P25 系列樣品進行拉曼散射光譜之分析如圖 323

所示 P25 系列之拉曼光譜於 146398518 與 641 cm-1 處出現二

氧化鈦晶相之拉曼散射峰值與 TBT 系列相似分別對應銳鈦礦中

Eg A1gB1g Eg之振動模態(Vibration Mode) 然而 P25 系列樣品

於未摻雜 Eu 時(x = 0)時於 454616 cm-1 處出現分別對應於 Eg

A1g 振動模式之金紅石特徵散射峰出現此金紅石特徵峰之因主要

是由於 x = 0 之樣品存在重量百分比約 25 之金紅石晶相結構隨著

Eu 濃度之增加於 x = 0025 時 454 cm-1之特徵峰已消失而當摻雜

濃度大於 25 mol (x = 0025) 時粉體皆呈現銳鈦礦之拉曼特徵

峰此與 XRD 結論吻合由於稀土元素之摻雜抑制燒結過程中銳

鈦礦轉變成金紅石之現象於最強散射峰 146 cm-1處 Eg振動模態之

散射峰分析可知經由過 Eu 摻雜此繞射峰亦具往高波數位移之現

象然而總括兩系列樣品於此散射峰之位移現象皆不顯著主要乃因

摻雜稀土元素之量過少因此造成主體氧空缺不足以造成明顯之波數

位移現象(108)

98

100 200 300 400 500 600 700

R-616(A1gR-454(Eg

))

147 Eg( )

146(Eg)

641(Eg)518(A1g)

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

(au

)

Raman shift (cm-1)

x = 0025

x = 0

x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015

398(B1g)

圖 323 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

99

323 紫外-可見光擴散式反射光譜分析(UV-Vis DRS)

3231 TBT 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

二氧化鈦為一具半導體特性之物質且為一直接能隙之 n 型半導

體經由紫外光之照射使其表面電子電洞分離純相之二氧化鈦

其價帶與導電帶之能量差(即能隙大小)約為 32 eV相當於 380 nm

光波長之能量經由愛因斯坦發展光電理論之計算能量約座落於紫

外光範圍言下之意為必須透過紫外光激發始將其電子與電洞分離

進而能夠顯現觸媒之催化活性或光電特性然而許多學者於二氧化

鈦之製備過程中添加不同比例之過渡元素金屬離子研究發現可改變

二氧化鈦之光激發特性本研究為透過於二氧化鈦中摻雜鑭系金屬

Eu並透過不同比例之添加期望藉以改善其光激發特性在此透過

紫外可見光擴散式反射光譜分析兩系列所合成 Ti1-xO2 Eux粉體其特

圖 324 為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 之紫外-可見光擴

散式反射光譜顯示未摻雜 Eu 樣品(x = 0)於圖譜短波長約 332 nm 處

具強吸收帶顯示 Ti 以四方晶系之 Ti4+ 存在於晶格中此吸收帶為

將價帶 O-2p 軌域之電子激發至傳導帶 Ti-3d 軌域(109 110)而經由 Eu

之摻雜此系列樣品吸收邊緣延長至較長波長約 400 處此現象於一

般半導體中若具雜質(impurity)或缺陷(defect)態存在即會由於其

本質傳遞而具極強之吸收(111)於本研究中Eu 離子即扮演此雜質之

角色將改變二氧化鈦之晶格環境且由XRD之結論可知由於Eu (III)

之離子半徑遠大於 Ti (IV)之離子半徑因此難藉溶膠-凝膠法與水熱

法等合成將之取代故經過摻雜之二氧化鈦形成一新相化合物此新

相化合物具兩種特性(1) 經過 Eu 摻雜後之二氧化鈦之能隙變小(2)

吸收邊緣延長至較長波長因此較低能量之入射光子即可被利用此

100

現象於圖 324 中特徵譜線紅位移現象中可證實Saif 與 Mottaleb 於

文獻中(110)亦說明鑭系正離子為電子清除劑(electron scavenger)之角

色進而影響主體之發光與光觸媒特性

200 250 300 350 400 450 500

x = 004

Ti1-xO2Eux(TBT)

F(R

)

Wavelength (nm)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

x = 0Red shift

圖 324 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS 光譜

進一步計算此系列樣品之能隙大小評估添加Eu後對光觸媒之光

吸收特性之影響最常以Schuster-Kubelka-Munk 理論方程式並配合

漫反射光譜以估算材料之能隙值擴散式反射光譜儀所利用Schuster

-Kubelka-Munk 理論(112 113)多應用於鋪陳較厚之粉體其中假設無規

則之反射光束粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚度適

用其公式如下

2(1 ) ( )( )2

R kF RR s( )

λαλ

infininfin

infin

minus= = = (35)

101

其中 k 為樣品之吸收係數s 為散射係數一般量測與標準品

相對之反射值 Rinfin 即 refR R Rinfin = 而非量測絕對值之反射值其

中本實驗之 refR 為硫酸鋇 (BaSO4) 之反射係數而若考慮s與波長λ

弱相關之因素則 ( ) F R k sα infin= = 於窄範圍內可正比於吸收以

1

[ ( ) ]F R h ηυtimes 對 hυ 作圖(KM圖)可用以得到材料之能隙值於 KM

圖中hυ 為入射光子之能量而指數η則是由因光子吸收情形造成材

料光吸收範圍之轉移形式決定(114)本研究中粉體特性利用 KM 圖

(指數η =2)可以得到一線性關係藉由此圖形以線性外插法可精確地

求得材料之能隙值計算此系列樣品 Eu 之摻雜量增加後其能隙大

小之趨勢為329326324322314312 eV呈現縮小之現象

Tanner等人(115)提出將稀土元素Er3+摻雜入α-Al2O3中其中Er3+之離子

半徑仍遠大於主體晶格中之Al3+難以取代其晶格位置研判於低濃度

摻雜時形成一新化合物ErAlO3且隨著摻雜濃度增加其能隙亦有

縮小之趨勢而Umebayashi等人(116)將V Cr Mn Fe Co等金屬元素摻

雜入TiO2 後一電子填滿態形成於價帶頂端與傳導帶底部之間且

隨著摻雜量增加此局部填滿態(localized occupied level)將向低能量

位移造成能隙縮小故可研判本實驗中經過 Eu 摻雜之樣品其

能隙調整為Eu3+ 3d所形成之軌域與O-2p 軌域所混成之頂端(價帶)

至Ti4+ 3d 軌域之底部(導帶)因此造成能隙縮小將此與Rengaraj等

人之研究結果吻合(117) 在此將Eu摻雜後之可見光激發過程示於圖

327中

102

25 30 35 40

[F(R

)hν

]12

hν (eV)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算圖

000 001 002 003 004310312314316318320322324326328330

312314

322324326

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

329

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖

103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖

3232 P25 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

而針對 P25 系列樣品同樣可藉紫外-可見光擴散式反射光譜圖

分析如圖 328 中亦發現隨著 Eu 之摻雜濃度增加樣品之反射光

譜線與前趨物 Degussa P25 相近且吸收邊緣亦具紅位移現象然而

相較於 TBT 系列其吸收譜線卻較為狹窄對於光觸媒之利用較為

不利且此系列粉體亦藉由 Schuster - Kubelka-Munk 理論計算其能隙

大小由於 Eu 摻雜造成能隙縮小之現象較不如 TBT 系列顯著推論

由於合成方法與前趨物不同所致其造成樣品形成結晶之結果不同

且 Eu 於 P25 系列粉體中與 O 軌域之混成程度不如 TBT 系列

104

250 300 350 400 450 500

00

02

04

06

08

10

12

x = 015F(R

)

Wavelength (nm)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

x = 0

Red shift

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜

25 30 35 40

[F

(R)

hν]1

2

hν(eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖

105

00 01 02300302304306308310312314316318320322

310312

317

313

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖

324 X 射線光電子能譜儀(XPS)

本研究藉由 X 射線光電子能譜儀探討粉體之能階性質其乃藉

由光電效應將某能階之電子激發而成為光電子藉由分析此些光電子

之能量進而得知束縛能獲得關於表面元素組成以及元素之化學環

境狀態由於本實驗以 Eu 摻雜入主體二氧化鈦中由 XRD 精算結

果顯示即使 Eu 摻雜量增加其晶格體積並無擴張趨勢基於 Eu3+與

Ti4+之離子半徑之差異初步判定Eu並未取代二氧化鈦晶格中Ti4+ 之

位置由於稀土原子與主體晶格鍵結成一化合物時其化合物之結合

能明顯會與純原子時不同其內核層電子之束縛能亦會有不同之變

化即一般之化學位移 (Chemical Shift)其所造成之能譜位移可用

以區分不同氧化態之元素

利用 XPS 分析 Ti1-xO2Eux3+ TBT 系列中 x = 03 之粉體由全光

譜結果表示奈米粉體表面主要含 TiOC 三種元素其中 C 元素

來自於污染雜質碳而 XPS 偵測深度約為 5 nm未於全光譜中偵測

106

到 Eu 之特徵峰(1134911652 eV)出現初步推測含 Eu 化合物可能

未於粉體表面而存在於晶格空隙(interstitial)中(86)如圖 331 所示為

TBT 系列 x = 0 與 x = 3 針對 Ti-2p 軌域所呈現之 XPS 圖譜其中

Ti-2p32與 Ti-2p12之束縛能約於 4583 與 464 eV間距為 57 eV兩

特徵峰之相對強度(積分面積)比約為 21皆為二氧化鈦晶格中 Ti4+

之貢獻與文獻中銳鈦礦相之特徵峰吻合(118)當 Eu 之摻雜(x = 3)顯

示可見 Ti-2p32 與 Ti-2p12 之束縛能位置具化學位移現象(4585 與

4642 eV)此化學位移現象可藉共價鍵理論(covalent bonding theory)

解釋顯示 Eu3+合併(incorporate)入 TiO2 中(於晶格表面或空隙)而形

成 Eu-O-Ti 鍵結由於 Eu 之存在造成 Ti 與 O 所共價之電子雲密度

減少而改變其束縛能因此束縛能增加(119)造成特徵峰向高能量偏

移如圖 332 為 O-1s 軌域之 XPS 圖譜經 Eu 之摻雜亦出現化學位

移之現象另亦有文獻指出(120)若二氧化鈦表面之本質缺陷(intrinsic

defect)增加由於缺陷結構會促使電子從陰離子(O)中傳遞至陽離子

(Ti)或摻雜離子(C)中造成 O 束縛能增加此與本實驗之位移現象吻

合至針對 P25 系列樣品同樣觀察 Ti-2p32Ti-2p12 與 O-1s 軌域之

XPS 圖譜(圖 333334)指出相較於 TBT 系列樣品無論為 Ti-2p

抑或 O-1s 軌域化學位移之現象皆較不明顯研判於表面 Eu-O-Ti

共價鍵之鍵結強度較弱因此電子轉移現象減小

107

456 458 460 462 464 466

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

527 528 529 530 531

5298

Ti1-xO2Eux(TBT)O 1S

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0

5297

x = 003

4642

4585464

Ti1-xO2Eux(TBT)

Ti 2p12

Binding energy (eV)

Inte

nsity

(au

)

Ti 2p32

x = 0

4583

x = 003

108

458 460 462 464 466

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

4643

45854642

In

tens

ity (a

u)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

Ti 2p12

Ti 2p32

x = 0

4584

x = 01

527 528 529 530 531

5297

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

O 1S

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0

5296

x = 003

109

本研究亦建立兩系列樣品之價帶導帶與標準氫電極之相對位

置以利解釋雙層工作電極模型機制本研究針對低能量入射光子慢

速掃瞄粉體之 XPS 光譜由於 XPS 原理中運用光電效應概念偵

測光電子能量(Ek)為入射光子能量扣除內核層電子束縛能與功函數

即 k bE h Eυ ϕ= minus minus (如圖 335 說明 )由二氧化鈦之分子軌域

(Molecular orbital)圖樣可知其價帶位於 O-2p 軌域因此圖 336 中為

針對 TBT 系列樣品(x = 03)之價帶圖譜由態密度(density of state)圖

譜可知代表價帶(O-2p)之放射特徵譜線而費米能階(EF)於價帶圖譜

中視為 0 eV因此可透過類似計算能隙大小之外差法方式計算其價

帶相對於標準氫電極之大小(120)可之經由 Eu 之摻雜二氧化鈦之

價帶位置由 32 eV 降低至 21 eV由圖中亦可得 Eu 摻雜樣品降低粉

體之價帶位置並結合紫外‐可見光擴散式反射光譜分析後所得粉體

之能隙大小可建立如圖 338 所示兩系列樣品之能隙位階圖

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖

110

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

21

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0 x = 003

32

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

20

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25) x = 0 x = 01

25

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

111

圖 338 兩系列樣品未摻雜與摻雜 Eu3+粉體能隙位階圖

112

325 X-光吸收光譜(XAS)

本研究所製備之工作電極粉體係屬奈米材料因奈米材料相較塊

材之結晶性較差由X光粉末繞射圖譜中(powder X-ray diffraction)將

無法獲得進一步之結構資訊X吸收光譜可提供局部之結構資訊(local

structure)適合作為奈米材料結構研究之方法此外更可提供繞射法

所無法獲得之氧化態訊息故本研究乃藉由國家同步輻射研究中心

BL20A光束線以進行吸收光譜量測藉比對X光吸收近邊緣結構

(X-ray absorption near edge structure XANES)以得知特定原子氧化價

數與 d-軌域之電子填滿率並可分辨吸收原子所處之晶位對稱性

由於同步20A光束線而言待測樣品可以為晶型或非晶型固體甚至

為液體或氣體因此應用範圍十分廣泛尤其各元素之吸收邊緣能量

少有重疊可調整入射能量至各個元素之吸收區進行掃描以分別偵

測非常適於量測含有多種元素之樣品系統

由圖 339 與圖 341 中兩系列樣品之 O-k edge 吸收光譜指出此二

氧化鈦之 O-K edge 之特徵譜線與文獻中吻合(121)觀察兩系列中於吸

收邊緣之特徵譜線經由 Eu 之摻雜並無明顯位移現象顯示粉體中

O 之價數並明顯變化判斷為低濃度摻雜之故然而放大 528 eV 附

近之特徵峰觀察後發現(圖 340 與圖 342)隨著 Eu 之摻雜量增加

此吸收峰強度亦隨之增強由分子軌域之概念顯示由於 Eu 之摻

雜造成 O 之電子雲轉移散布至 Eu 軌域因此造成 O 電子組態中出

現更多空軌域亦即增加粉體之氧空缺由於 TiO2 摻雜次共價鍵陽

離子(subcovalent cation)造成之氧空缺會形成攔截態(trap state)或雜質

態(impurity state)(122 123)可能形成放光中心影響粉體之螢光性質亦

可能造成電子傳遞時之阻礙

113

531 540 549

0

1

2

3

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux(TBT)O K-edge XAS

圖 339 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

114

5272 5280 5288

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 340 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜局部放大圖

525 530 535 540 545 550

0

1

2

3

Photon Energy (eV)

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux(P25)O K-edge XAS

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

115

5272 5280 5288

Photon Energy (ev)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大圖

116

33 Ti1-xO2Eux3+粉體於染料敏化太陽能電池之應用研究

上述各節已討論 Ti1-xO2Eux3+ 粉體之晶體結構形貌光學電

子組態各種特性本研究藉由此經修飾之二氧化鈦粉體應用於染料敏

化太陽能電池之工作電極材料並藉由其特殊發光特性與結構設計

以提高太陽能電池之效率

331 單層工作電極電池效率量測

未經修飾之二氧化鈦(TiO2)由於其能隙約為32 eV亦即所能

利用之光波範圍僅限於紫外光區域此情況下 TiO2 於一般日照射能

產生電子-電洞對之效率差所展現之光催化活性低應用價值不高

故為提升對太陽光之吸收效率進而提升 TiO2整體光催化效率為當

前一重要課題一般提高效率之方法分為修飾 TiO2表面或晶體結構

以增加其對光波之吸收率與抑制電子-電洞對之再結合TiO2之晶體

中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性質之改變益於光

催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕捉電子或電洞之缺陷

益於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素與 TiO2 共結晶增益對

光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化效果

第一個部分由於本研究透過 Eu3+摻雜入二氧化鈦中於光激發

光譜分析可得知兩系列摻雜 Eu 粉體於藍紫光(394464 nm)激發造成

於 612 nm 處之放光配合染料 black dye 於紅光附近之吸收可提高

染料之額外吸光量進而提高光激發電子之數量以提高能量使用之效

率圖 343 中為 TBT 系列分別取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體與摻

雜 Eu 後發光強度最高 (x = 003)之粉體工作電極材料(分別以 0-TBT

與 Eu003-TBT 表示)組裝電池後量測之光電特性為討論分析其再

現性本研究以相同條件多次組裝電池量測求證結果由表 34 中光

電特性參數得知兩種樣品所得 FF 因子皆達理想電池之表現

117

Eu003-TBT 電池平均效率為 178 而 0-TBT 獲得平均為 234

之較高效率其中短路電流密度(Jsc)從 436 下降至 320 mAcm2為主

要原因以同樣想法將 P25 系列粉體取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體

以及摻雜 Eu 後發光強度最高 (x = 01)之粉體工作電極材料(分別以

0-P25 及 Eu01-P25 表示)組裝電池後量測之光電特性於圖 344 中

顯示由表 35 光電特性參數亦可知 0-P25 平均效率為 189 而

Eu01-P25 為 124 其中短路電流密度從 373 下降至 221 mAcm2

與 TBT 比較同一結構P25 系列之電池效率明顯較小推測仍為

粒徑較大由 BET 之計算可知供染料吸附之比表面積較少因此造

成效率較低針對電池中之工作電極Eu 摻雜後之材料反而效率降

低在此提出可能之機制如圖 345 所示於電子傳遞過程中理

想狀況為光電子迅速由染料之 LUMO 傳遞至二氧化鈦導帶再經由

FTO 導致外電路使用然而由於 Eu 摻雜後之工作電極Eu 所形成之

氧空缺捕捉光電子此時氧空缺類似 trap state因此造成光電子量下

降再者由於被染料激發之光電子到達工作電極時亦可能部分

用以形成 Eu 放紅光之復合電子來源因此亦為光電子量下降之因

可由表 34 與表 35 中經 Eu 摻雜後之工作電極電池光電流之現象得

118

00 02 04 06 08 10 120

1

2

3

4

5

6(TBT)Ti1-xO2Eux

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage (V)

x = 0 231 224 237 233

x=003 176 185 168 182

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 34 TBT 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT 16 074 436 069 234(8)

Eu003-TBT 14 077 320 058 178(2)

119

00 02 04 06 08 100

1

2

3

4

5C

urre

nt d

ensi

ty (m

Ac

m2 )

Voltage (V)

x = 0

189 191 182 193

x = 01 123 125 119 127

Ti1-xO2Eux (P25)

圖 344 P25 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 35 P25 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P25 14 071 373 067 189(2)

Eu01-P25 15 079 221 054 124(3)

120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖

332 雙層工作電極結構

對於提高染料敏化太陽能效率由效率 sc oc inJ V FF Pη = times times 可

知致力於提高其開路電壓 (Voc) 亦為提高效率其中之一方法以

此觀念為基礎之研究例如 Durr 等人(124)於 2006 年利用於原 TiO2上塗

佈 Ti1-xZrxO2與 ZrO2之混合物由於 ZrO2之能隙約為 5 eV相對於

TiO2之 32 eV形成一道位階屏障阻擋傳導至 TiO2傳導帶之光電

子與染料之 HOMO(Highest occupied molecular orbital)或電解質中 I3minus

再復合之機會進而提高光電子傳導致外電路之數量本研究鑑於先

前對於 Eu 摻雜入 TiO2後提高其價帶位階並增加其能隙大小之結

果設計雙層結構以降低光電子再復合之機率因此下一部分實驗

121

因此本研究將利用Eu摻雜對於 TiO2 之粉體與未摻雜 TiO2相異之光

電特性設計出雙層結構工作電極藉以探討對於太陽能電池效率之

影響

3321 雙層工作電極結構電池製作說明

首先說明此雙層結構工作電極之太陽能電池之設計先於十片清

洗完之 FTO 上透過網印塗佈一層未摻雜 Eu 之二氧化鈦電極(約 6~7

μm)經過層溫燒結後再分成兩組各五片其中一組繼續塗佈一層

相近厚度未摻雜 Eu (x = 0)之二氧化鈦電極而另一組則塗佈一層摻

雜 Eu 後發光強度最高(TBT 系列x = 003)之電極再進行層溫燒結

並與第一部分單層結構相同利用四氯化鈦處理後再進行 500oC 燒結

即完成分別以 0-TBT0-TBT 與 Eu003-TBT0-TBT 表示而 P25 系

列樣品亦以相同步驟製得分別以 0-P250-P25 及 Eu01-P250-P25 電

池雙層結構設計圖如圖 346 所示

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖

122

3322 電池效率量測

為探討其組裝之再現性與穩定性本研究亦以相同條件多次組裝

電求證結果圖 347 為 TBT 系列雙層結構電池之電流-電壓圖由表

中可得知0-TBT0-TBT與Eu003-TBT0-TBT平均效率分別為260

與 343 短路電流密度 (Jsc)為 565 mAcm2與 702 mAcm2開路

電壓為 066 V 與 071 V顯見第二層為 Eu 摻雜之二氧化鈦電極效

率短路電流開路電壓皆增加而 P25 系列第二層若為 Eu 摻雜後

之電極由表 36 中可觀察出效率短路電流開路電壓皆增加但

與 TBT 比較同一結構電池效率明顯較小推測仍為粒徑較大

造成染料吸附量較少 圖 349 為 Eu003-TBT0-TBT 雙層結構電極

材料與染料間能隙之相對位置本研究亦藉此解釋效率提高之原因

由短路電流增加之現象可知光電子被利用之數量增加即光電子從

染料之 LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)快速傳導至第二層

Eu003-TBT 再至第一層 0-TBT由於電子於此傳遞過程中之速率與

兩因素相關(1) 染料用以吸附於二氧化鈦之結構種類強度(2) 染

料 LUMO 與二氧化鈦工作電極之傳導帶(conduction band)之相對位

置而透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動

力(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導

帶位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑

或與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機

率增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值Kim 等人於

2008 年之研究中(125)利用二氧化鈦摻雜鉻(Cr)之材料改變原二氧

化鈦之半導體屬性作為屏蔽電極層亦可減少電子再復合機率而提

高效率

而對於開路電壓增加之現象須先瞭解染料敏化太陽能電池運作

123

時之能階變化階原理由Kubo (55)所建立如圖350(a)所示為一DSSC

於未照光之能階圖亦即TiO2染料電解介質面之間不存在電位差

故其費米能階 (Fermai level EF)可視為自由電子所混成之平衡狀態

當DSSC照光後如圖350(b)所示染料吸收光波產生激發之光電子

與電洞之分離同時造成電位差此電位差即為TiO2之CB與染料之

LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)混成能階(Efn)相對染料

之HOMO (Highest occupied molecular orbital)與電解質氧化還原電位

(I-I3-之ERedox)之混成能階(Efn)之電位差(ΔV)而此電位差之最大直即

為光電壓之最大值亦即開路電壓本研究中由於雙層結構第二層

Eu003-TBT傳導帶上移造成與染料之LUMO混成能階上移因此與

染料之HOMO與電解質氧化還原電位(Iminus I3minus之ERedox)之混成能階差異

變大增大電位差因此提高開路電壓值

124

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 100

1

2

3

4

5

6

7

8

9C

urre

nt d

ensi

ty(m

Ac

m2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT 273 258 250 260

Eu003-TBT0-TBT 342 340 339 352

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 36 TBT 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT0-TBT 15 066 565 070 260(8)

Eu003-TBT0-TBT 16 071 702 068 343(2)

125

00 01 02 03 04 05 06 07 08 090

1

2

3

4

5

6

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-P250-P25 195 201 191 189

Eu01-P250-P25 237 214 242 254

圖 348 P25 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 37 P25 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P250-P25 15 066 420 069 194(5)

Eu01-P250-P25 14 070 473 070 237(2)

126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變化(55)

127

3322 雙層工作電極結構電池入射單色光子-電子轉化效率(IPCE)量

為驗證雙層工作電極結構之電池中效率提高原因之論點本實驗

針對電池進行單色光子-電子轉化效率(IPCE)量測透過自動單光濾

鏡控制光源照射電池之波長藉以觀察電池於不同波長之入射光照射

下其外部量子效率展現由圖 351a 及 351b 分別顯示 TBT 與 P25

系列電池所呈現之 IPCE 圖譜譜線趨勢與參考文獻(75)相近其中

Eu003-TBT0-TBT 電池於可見光區之外部量子效率明顯大於

0-TBT0-TBT 所呈現P25 系列亦有相同趨勢結果於橘紅光附近

(610-620 nm) 提升較明顯是否為第二層結構 TiO2 Eu 於 612 nm 部

分放光為 Black dye 所吸收而增加光利用之故仍未確定故本研究

透過工作電極之放射光譜印證乃將製作完成之 Eu003-TBT0-TBT

電池工作電極一部分未浸泡另一部分浸泡染料 black dye 溶液 24 小

時並以無水乙腈沖洗後待至乾燥進行光激發光譜分析(PL)由圖

352 之結果可知未浸泡之工作電極(plain)經過染料浸泡後(black dye)

於 612 nm 之激發光譜幾乎吻合但是放射光強度略為減弱因此可

知第二層工作電極放射之紅光部分中少量為染料所吸收然而由於太

陽光中紫外光部分只佔 5 因此 394 nm 之激發光轉換成紅光比例

相對極為少量因此藉此增加電池效率效果有限因此雙層結構電池

中第二層為 Eu 摻雜之樣品效率提高之因主要仍為 3222 節中所解

釋由於階梯狀能階設計減少電子再復合機率以增加光電子之可使

用量此論點將於下節電化學交流阻抗分析中再次討論

128

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-TBT0-TBT

Eu003-TBT0-TBT

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-P250-P25

Eu01-p250-p25

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖

129

350 400 450 500 550 600 650 700

In

tens

ity (a

u)

Wavelength(nm)

Eu003-TBT0-TBT Plain black dye46

4

394

612

PLE - λem= 612 nm

PL - λex= 394 nm

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作

電極之激發與放射光譜

3323 雙層工作電極結構電池電化學阻抗(EIS)量測

進一步驗證 3321 中雙層工作電極電池不同結構中效率相異之

原因本研究將一系列電池進行電化學阻抗測試測試結果如圖 353

所示經 Z-view 軟體 fitting 之後並參考 Adachi 等人(79)所發展之模

式獲得如表 38 所列參數藉各參數間之比較可瞭解電池於照光

工作時激發光電子於電池中傳遞之情形

由圖 353 阻抗圖譜中Yoshida 等人(77)界定位於中頻區之圖譜意

義為光電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質液介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗因此本研究發現 TBT 系

列中0-TBT0-TBT 中頻區之半圓半徑明顯大於 Eu003-TBT0-TBT

之結果可得知透過雙層結構之設計(圖 349)第二層為 Eu003-TBT

130

之電池其相對能階形成階梯型驅動力之增加明顯降低工作電極

層與層間之傳輸電阻再者亦可證明第二層形成一傳遞屏障降低

傳遞電子與電解液中 I3-再復合之還原作用而 0-P250-P25 以及

Eu01-P250-P25 之間亦具此現象圖 353 中亦可比較 TBT 與 P25 兩

系列明顯其工作電極內電阻之因素亦反應於電池效率結果上

將圖 353 所得電交流阻抗結果透過 Z-view 軟體 fitting 後得到表

38 所列參數先觀察 TBT 系列兩電池可知第二層為 Eu003-TBT

之電池其 keff (電子再結合速率常數)由 315 下降至 247 s-1因此電

子生命週期提升可知驅動力之增加提升電子傳導之動力學參數

(126)加速電子傳遞以減少電子於電極中之停留機率此點可由 Rw (電

子於 TiO2中之傳導電阻)之降低得證再者由 Rk (電子再結合之電

荷傳導電阻)亦為暗反應電阻此值對於電池效率越大越佳

Eu003-TBT0-TBT 電池較 0-TBT0-TBT 由 1603 增加至 1934顯示

第二層為 Eu003-TBT 之電池由於能階結構之設計降低其電子再

復和之機率此論點與交流阻抗圖譜之結果吻合

由於本雙層結構電池之研究皆控制塗佈步驟中之參數以確立

各電池之膜厚皆相近始可討論 Deff (有效電子擴散係數)與 Ln(電子擴

散長度)對於電子傳遞機制之優劣影響(參考式 214215)相較於

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 電池之 Deff有效從 257 x 10-4提

升至 336 x 10-4 cm2s佐證 Eu003-TBT0-TBT 電池具效延長電子壽

命之現象由表 38 中結果得知各雙層結構電池精算後之 Ln長度皆

大於工作電極膜厚確立各系列電池之傳導電子有效為 FTO 導電

玻璃收集而傳遞至外電路使用而 Eu003-TBT0-TBT 之 Ln 值較

0-TBT0-TBT 所得之 Ln值大 以上結果皆顯示第二層為 Eu003-TBT

之電池可有效減少電子因粉體之氧空缺被捕捉而停滯之機率增加

131

之驅動力促使電子可於工作電極中有效而快速地傳遞進而提高光電

轉換效率而關於 P25 系列之討論顯示 0-P250-P25 與

Eu01-P250-P25 之各參數比較與效率結果皆吻合現象解釋與 TBT

系列相同

關於TBT系列與 P25系列之Deff之比較顯示TBT系列之Deff 普

遍皆大於 P25 系列亦具相關文獻(127)指出由於晶相之含量差異亦

會影響此值由於 Anatase 晶相與 Rutile 晶相均為正立方晶系

(Tetragonal system)結構其晶相皆是以 TiO6之八面體存在不同處

為於 Anatase 晶相中其不論 abc 軸方向其八面體間之鍵結均

是以 edge-sharing 之方式存在而於 Rutile 晶相中則為於 ab 軸以

corner-sharing 之方式存在於 c 軸方向以 edge-sharing 之方式鍵結

此結構之差異造成 Anatase 傳導電子之能力較佳此結果於已有之光

觸媒研究已確立因此相較於 P25 系列TBT 系列擁有較純之 Anatase

晶相因此 Deff較大而光電轉換效率亦較高

132

20 30 40 50 60 70 800

5

10

15

20

25

30

Z

(ohm

)

Z (ohm)

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 0-P250-P25 Eu01-P250-P25

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖譜

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數分析

Structure

L

(μm)

keff

(s-1)

τ

(s)

Rk

(Ω)

Rw

(Ω)

Deff

(cm2s)

Ln

(μm)

0-TBT0-TBT 16 315 0032 1603 4987 257 E-04

287

Eu003-TbT0-TBT 15 247 0040 1934 3236 336 E-04 367

0-P250-P25 15 451 0022 1123 7011 164E-04 190

Eu01-P250-P25 14 356 0028 1465 5445 188 E-04 229

133

333 CdSe 敏化雙層工作電極結構電池光電特性分析

由於二氧化鈦其能隙較大(約 32 eV)之故因此可見光中可激發

其電子之波段較窄必須透過窄能隙材料之吸附以增加其對於可見光

之利用除染料以外近年來所發展之量子點材料亦為一具潛力之

敏化物

本研究欲驗證量子點取代Black dye之角色後效率趨勢是否相

同因此取染料敏化實驗中效率較高之TBT系列作為雙層電極結構材

料並以硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物本實驗所合成之硒化鎘測

量其吸收光譜(UV-Vis)可知第一個吸收峰值之對應波長約於554

nm藉由Peng等人(128)所發展之方程式估算出粒子大小(D)可計算粒

徑約為305 nm

D = (16122times10-9)λ4- (26575times10-6)λ3 +(16242times10-3)λ2 - (04277)λ

+ (4157) (38)

其中 λ 為第一個吸收峰值之對應波長

圖 354 為 TBT 系列雙層結構量子點電池之電流-電壓圖由表

39 中0-TBT0-TBT(Plain)與 Eu003-TBT0-TBT(Plain)代表未吸附

CdSe 之電池效率極低分別為 00040 與 00060 而經過 CdSe

之摻雜後[0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)]平均效

率分別提升為為 0047 與 0083 光電流值亦明顯提升顯示量

子點之吸附增加電池對於入射光能量之利用若比較

0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)兩組數據其 FF 值

比染料敏化電池值較為低此為現階段量子點電池之通病亦為效率

一直無法提升之因而第二層為 Eu 摻雜之工作電極效率短路電

流與開路電壓值皆提升此與染料敏化電池系列之趨勢相同表示而

透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動力

134

(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導帶

位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑或

與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機率

增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 1000

01

02

03

04

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT(CdSe) 0045 0046 0049 0049

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 0083 0085 0081 0082

0-TBT0-TBT(Plain) 00040 00043

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 00062 00063

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC (V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

() 0-TBT0-TBT(Plain) 14 043 002 009 00040(2)

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 16 044 003 012 00060(3)0-TBT0-TBT(CdSe) 15 054 025 034 0047(2)

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 16 058 033 037 0083(1)

135

第四章 結論

本研究成功利用不同前趨物以溶膠凝膠法與水熱法之合成方法

製備出兩系列 TiO2Eu3+工作電極材料( TBT 與 P25)以 XRD 等量測

進行材料結構鑑定分析並探討 Eu 摻雜後對於 TiO2之發光特性與電

子組態之影響爾後將材料應用於敏化太陽能電池之工作電極研究

修飾後之 TiO2電極對於電池效率之影響其重要結果如下

(a)本研究以溶膠凝膠法及水熱法藉由 Eu 摻雜成功合成出純銳鈦礦

(Anatase)之二氧化鈦並且由於 Eu-Ti-O 鍵結形成不僅延緩金紅

石(Rutile)晶相生成有較好之光電特性亦限制晶體之成長由於

粒徑越小增加其比表面積因此有效提升太陽能電池染料之吸附

量增加電池之效率表現

(b)以光激發光譜分析樣品得知隨著活化劑 Eu 摻雜量之增加主體

晶格 TiO2 之發光強度隨之增加於高濃度出現濃度淬滅現象而

拉曼光譜亦證實藉由 Eu 摻雜成功延遲煆燒過程中金紅石(Rutile)晶

相生成且增加粉體表面之氧空缺

(c)本研究以紫外-可見光擴散式反射光譜測量 TiO2Eu3+之吸收特性

經由 Eu 摻雜後出現之紅位移現象顯示 TiO2 於摻雜稀土金屬離

子產生能階混成造成能隙縮小增加對於可見光範圍之吸收並以

X 射線光電子能譜儀分析獲知摻雜離子 Eu3+於晶體中位置並以價

帶光譜之量測成功建立樣品之價帶傳導帶能階位置而 X-光吸

收光譜之近邊緣光譜分析得知Eu 摻雜後鍵結中電子轉移造成表

面氧空缺增加

(d)將合成之材料應用於染料敏化太陽能電池之工作電極本研究原

構想欲透過發紅光之 TiO2Eu3+以增加染料 Black dye 於紅光波段

136

之利用然而由光電特性卻發現由於摻雜後氧空缺所造成之雜質

態捕捉光電子由光電流降低之現象證實光電子量減少

(e)為提高染料敏化電池效率本研究利用雙層結構工作電極之設計而

形成階梯式位階排列不僅增加傳遞驅動力亦由於電極屏障生成

以減少電子再復合之機率而短路電流之增加證實此點並透過與

染料能階之混成提高開路電壓值因此整體結果提高電池之效

率而將染料製換為硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物第二層為

Eu 摻雜材料之電池效率亦明顯提升進一步證實此研究構想之

正確性

總而言之本研究合成兩系列 TiO2Eu3+樣品並探討其之晶體

結構特性發光性質以及建立摻雜離子 Eu3+對於其電子組態之影

響且透過雙層結構設計成功提高敏化太陽能電池之效率

137

參考文獻

1 許志偉 陳宏仁 林怡君 and 王立義 有機無機太陽能電池之

現況發展 化工 第52卷 第2期 49-58 民94

2 AJ McEvoy and M Gritzel Sol Energ Mat Sol C 1994 32 3

221

3 A Hagfeldt B Didriksson T Palmquist H Lindstroumlm S Soumldergren

H Rensmo and SE Lindquist Sol Energ Mat Sol C 1994 31

481

4 B OrsquoRegan and M Graumltzel Nature 1991 353 737

5 M Graumltzel Nature 2001 414 338

6 黃建昇 結晶矽太陽電池發展近況 工業材料雜誌 第203期 150

民92

7 httpcdnetstpiorgtwtechroommarketenergyenergy022htm 國

家實驗研究院科技政策研究與資訊中心(Science amp Technology

Policy Research and Information CenterSTPI)

8 M Graumltzel Phil Trans R Soc A 2007 365 993

9 X Chen and SS Mao Chem Rev 2007 107 2891

10 D Cahen G Hodes M Graumltzel JF Guillemoles and I Riess J

Phys Chem B 2000 104 2053

11 D Matthews P Infelta and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C

1996 44 119

12 M Graumltzel J Photochem Photobio A 2004 164 3

13 TN Rao and LJ Bahadur J Electrochem Soc 1997 144 179

14 AB Kashyout M Soliman and M Fathy Mater Chem Phys

2005 90 230

15 P Guo and MA Aegerter Thin Solid Films 1999 351 290

138

16 K Sayama H Sugihara and H Arakawa Chem Mater 1998 10

3825

17 BV Bergeron A Marton G Oskam and GJ Meyer J Phys Chem

B 2005 109 793

18 S Chappel and A Zaban Sol Energ Mat Sol C 2002 71 141

19 K Hara T Horiguchi T Kinoshita K Sayama H Sugihara and H

Arakawa Sol Energ Mat Sol C 2000 115 64

20 B Tan E Toman Y Li and YY Wu J Am Chem Soc 2007 129

463

21 CJ Barbeacute F Arendse P Comte M Jirousek F Lenzmann V

Shklover and M Graumltzel J Am Ceram Soc 1997 80 3157

22 K Kalyanasundaram and M Graumltzel Coord Chem rev 1998 177

347

23 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B

2000 104 989

24 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio RH Baker E Muumlller P

Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem Soc 1993

115 6382

25 G P Smestad and M Graumltzel J Chem Educ 1998 75 752

26 劉茂煌奈米光電池工業材料雜誌 2003203 期 民93

27 MK Nazeeruddin SM Zakeeruddi RH Baker M Jirouse P Lisk

N Vlachopoulos V Shklover CH Fischer and M GraumltzelInog

Chem 1999386298

28 KS Finnie JR Bartlett and JL Woolfrey Langmuir 1998 14

2744

29 C Bauer G Boschloo E Mukhtar and A HagfeldtJ PhysCem B

2002 106 12693

139

30 CG Garcia NYM Iha R Argazzi and CA Bignozzi Inorg Chem

1994 33 5741

31 MK Nazeeruddin M Amirnasr P Comte JR Mackay AJ

McQuillan R Houriet and M Gratzel Langmuir 2000 16 8525

32 MK Nazeeruddin P Peacutechy T Renouard SM Zakeeruddin R H

Baker P Comte P Liska L Cevey E Costa V Shklover L

Spiccia GB Deacon CA Bignozzi and M Graumltzel J Am Chem

Soc 2001 123 1613

33 J Hagaen W Schaffrath P Otschik R Fink A Bacher HW

Schmidt and D Haarer Synthetic Met 1997 89 215

34 N Papageorgiou WF Maier and M Graumltzel J Electrochem Soc

1997 144 876

35 A Kay and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C 1996 44 99

36 S Chen SK Deb and H Witzke US Patent 1978 4080488

March 21

37 M Graumltzel and K Kalyanasundaram Curr SCi 1994 66 706

38 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio R Humphry-Baker E

Muumlller P Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem

Soc 1993 115 6382

39 M Graumltzel AIP Conf Proc 1997 404 119

40 M Graumltzel J Photo Photobio A Chem 2004 164 3

41 L Han Y Chiba and A Islam 16th International Conference of

Photochemical Conversion and Solar Sstorage Uppsala Sweden

2006

42 Y Chiba A Islam and Y Watanabe J Appl Phys 2006 45 638

43 MK Nazeeruddin FD Angelis and S Fantacci J Am Chem Soc

2005 127 16835

140

44 JM Kroon NJ Bakker HJP Smit P Liska KR Thampi P

Wang SM Zakeeruddin M Gratzel A Hinsch S Hore U Wurfel

R Sastrawan JR Durrant E Palomares H Pettersson T

Gruszecki J Walter K Skupien and GE Tulloch Prog Photovolt

Res Appl

45 H Arakawa T Yamaguchi and A Takeuchi 16th International

Conference of Photochemical Conversion and Solar Storage

Uppsala Sweden 2006 W42P210

46 M Spath JV Roosmalen and P Sommeling 3rd WCPEC Osaka

Japan 2003

47 H Tsubomura M Matsumura Y Nomura and T Amamiya Nature

1976 261 402

48 PM Sommeling 2nd WCPEC Vienna 1998

49 CJ Barbe J Am Cera Soc 1997 80 3157

50 K Tennakone J Phys D Appl Phys 1998 31 1492

51 MK Nazeeruddin P Pĕchy and M Graumltzel Chem Comm 1997 36

1705

52 K Hara Chem Comm 2001 68 569

53 角野 裕康 村井 伸次 御子柴 智 東芝レビュー 2001 56 7

54 A Hagfeldt Nano Letters 2001 1 97

55 W Kubo Chem Comm 2002 39 374

56 原 浩二郎 AIST Today 2002 12 14

57 L Vlachopouios J Am Chem Soc 1988 110 1216

58 V Vamathevan H Tse R Amala G Lowb and S McEvoy

Catalysis Today 2002 68 201

59 MI Litter and JA Navio J Photo Photobio A Chem 1996 98

171

141

60 J Yu H Yu CH Ao SC Lee JC Yu and W Ho Thin Solid

Films 1999 496 273

61 W Li Y Wang H Lin SI Shah CP Huang DJ Doren SA

Rykov JG Chen and MA Barteau Appl Phys Lett 2003 83 20

62 R Asahi T Morikawa T Ohwaki K Aoki and Y Taga Science

2001 293 269

63 C Jia E Xie A Peng R Jiang F Ye H Lin and T Xu Thin Solid

Films 2006 496 555

64 M Saif and MSA Abdel-Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360

2863

65 湯友聖 台灣師範大學碩士論文 臺北 民 97

66 RC Ropp Luminescence and the Solid State Elservier Amsterdam

2004

67 H Dieke and RA Satten Am J Phys 1970 38 399

68 httpcaiwiteducnmseliuyu2006pptliuX-rayppt

69 AR West Basic Solid State Chemistry John Wiley amp Sons

Singapore 1991

70 吳泰伯 and 許樹恩 X-光繞射原理與材料結構分析 國科會精儀

中心 台北 民 82

71 httpwwwndhuedutw~nanolabtext93_Ma_II_v2pdf

72 林群哲 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 96

73 賴泓均 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 95

74 S Ito TN Murakami P Comte P Liska C Graumltzel MK

Nazeeruddin and M Graumltzel Thin Solid Films 2008 516 4613

75 H Kusama M Kurashige K Sayama M Yanagida and Hideki

Sugihara J Photochem Photobio A 2007 189 100

76 蕭光宏 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 97

142

77 Y Yoshida S Tokashiki K Kubota R Shiratuchi Y Yamaguchi

M Kono and S Hayase Sol Energ Mat Sol C 2008 92 646

78 JJ Wu GR Chen HH Yang CH Ku and JY Lai Appl Phys

Lett 2007 90 213109

79 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

80 J Lin and JC Yu J Photochem Photobiol A Chem 1998 116 63

81 T Lindgren JM Mwabora E Avendano J Jonsson A Hoel CG

Granqvist and SE Lindquist J Phys Chem B 2003 107 5709

82 H Tang H Berger PE Schimid F Levy and G Burri Solid State

Commun 1993 87 847

83 G Oskam A Nellore RL Penn and PC Searson J Phys Chem B

2003 107 1734

84 MA Anderson MJ Gieselmann Q Xu J Membr Sci 1988 39

243

85 P Ganguly N Shah M Phadke V Ramaswamy IS Mulla Phys

Rev B 1993 47 991

86 JH Li WL Kang WH Yan YH Guo HF Gao and ZH Liu

Acta Phys Chim Sin 2008 24 1030

87 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B 2000

104 8989

88 RA Spurr and H Myers Anal Chem 1957 29 760

89 S Yin H Yamaki M Komatsu Q Zhang J Wang Q Tang F Saito

and T Sato J Mater Chem 2003 13 2996

90 E Setiawati and K Kawano J Alloy Compd 2008 451 293

91 B Zou L Xiao T Li J Zhao Z Lai and S Gu Appl Phys Lett

1991 59 1826

143

92 J Yang ZW Quan DY Kong XM Liu and J Lin Cryst Growth

Des 2007 7 730

93 T Hirai and Y Kondo J Phys Chem C 2007 111 168

94 S Yan J Zhang X Zhang S Lu X Ren Z Nie and X Wang J

Phys Chem C 2007 111 13256

95 G Blasse and BC Grabmaier Luminescence Materials Chap 9

186

96 T Miyakawa and D L Dexter Phys Rev B 1970 1 2961

97 KL Frindell MH Bartl MR Robinson GC Bazan A Popitsch

and GD Stucky J Solid State Chem 2003 172 81

98 DL Dexter JH Schulman J Chem Phys 1954 22 1063

99 T Blasse G Philips Res Rep 1969 24 131

100 L Ozawa and PM Jaffe J Electrochem Soc 1971 118 1678

101 QZ Wang J Tian XH Yang and X Gao J Chin Lumin 1995

16 57

102 YH Zhang CK Chan J Porter and W Guo J Mater Res 1998

13 2602

103 BD Yao YF Chan XY Zhang WF Zhang ZY Yang and N

Wang Appl Phys Lett 1998 82 281

104 D Bersani PP Lottic and XZ Ding Appl Phys Lett 1998 72 1

105 YL Li and T Ishigaki J Phys Chem B 2004 108 15536

106 JC Parker RW Siegel J Mater Res1990 5 1246

107 HC Choi YM Jung and SB Kim Vib Spectrosc 2005 37 33

108 JG Li X Wang K Watanabe and T Ishigaki J Phys Chem B

2006 110 1121

109 T Sreethawong Y Suzuki S Yoshikawa Int J Hydrogen Energ

2005 30 1053

144

110 M Saif and A Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360 2863

111 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2005 247 36

112 AB Murphy Appl Opt 2007 46 3133

113 P Kubelka J Opt Soc Am 1948 28 448

114 DG Barton M Shtein RD Wilson SL Soled and E Iglesia J

Phys Chem B 1999 103 630

115 PA Tanner KL Wong and Y Liang Chem Phys Lett 2004 399

15

116 T Umebayashi T Yamaki H Itoh and KJ Asai Phys Chem Solid

2002 63 1909

117 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2006 247 36

118 X Lai Q Guo BK Min and DW Goodman Surf Sci 2001 487

1

119 FM Liu TM Wang JQ Li C Wang SK Zheng and M Duan J

Magn Magn Mater 2002 251 245

120 W Gopel Surf Sci 1984 139 333

121 AG Thomas WR Flavell AK Mallick AR Kumarasinghe

DTsoutsou N Khan C Chatwin S Rayner and GC Smith Phys

Rev B 2007 75 035105

122 X Wang JG Li H Kamiyama M Katada N Ohashi Y

Moriyoshi and T Ishigaki J Am Chem Soc 2005 127 10982

123 D Vogtender R Poducky J Redinger ELD Habenstreit W

Habenstreit and U Diebold Phys Rev B 2002 65 125411

124 M Durr S Rosselli A Yasuda and G Nelles J Phys Chem B

2006 110 21899

145

146

125 C Kim KS Kim HY Kim and YS Han J Mater Chem 2008

18 5809

126 I Robel M Kuno and PV Kamat J Am Chem Soc 2007 129

4136

127 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

128 W Yu L Qu W Guo and X Peng Chem Mater 2003 15 285

  • Poyu封面
  • 洪柏育-碩士論文摘要-0609-2009
  • Poyu謝誌
  • PoYu Hung-MS Thesis-0625-2009pdf
Page 7: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成

322 拉曼散射光譜分析 (Raman scattering spectrum) 96

3221 TBT系列粉體拉曼散射光譜分析96

3222 P25 系列樣品拉曼散射光譜分析 98

323 紫外-可見光擴散式反射光譜分析(UV-Vis DRS) 100

3231 TBT系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析 100

3232 P25 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析104

324 X射線光電子能譜儀(XPS) 106

325 X-光吸收光譜(XAS)113

33 Ti1-xO2Eux3+粉體於染料敏化太陽能電池之應用研究117

331 單層工作電極電池效率量測 117

332 雙層工作電極結構 121

3321 雙層工作電極結構電池製作說明 122

3322 電池效率量測 123

3322 雙層工作電極結構電池入射單色光子-電子轉化效率(IPCE)量

測128

圖 352 Eu003-TBT0-TBT電池吸附與未吸附染料工作電極之激發

與放射光譜130

3323 雙層工作電極結構電池電化學阻抗(EIS)量測 130

333 CdSe敏化雙層工作電極結構電池光電特性分析 134

第四章 結論 136

參考文獻 138

IV

圖目錄

圖 11a 各類型太陽能電池效率之發展情形helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip5

圖 11b 各式種類太陽能電池效率演進圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip5

圖 12 染料敏化太陽能電池結構示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip7

圖 13 染料敏化太陽能電池各反應動力學比較示意圖helliphelliphellip8

圖 14 N3 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip13

圖 15 N719 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip13

圖 16 Black dye 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip14

圖 17 Black dye 染料與 N719 染料吸收光譜比較圖helliphelliphellip14

圖 18 DSSC 研究發展時程回顧helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip18

圖 19 主體晶格之陽離子分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip21

圖 110 主體晶格中不具光學活性陰離子團分布圖helliphelliphelliphellip21

圖 111 格中具光學活性陰離子團分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip22

圖 112 活化劑之陽離子團分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip22

圖 21 以溶膠-凝膠法與水熱法合成 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux實驗

流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip29

圖 22 以水熱法合成 P25 系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖helliphellip30

圖 231 (a)銅靶之 X 光光譜 (b)封閉式 X 光射線管helliphelliphelliphellip32

圖 232 X 光原理示意圖Cu 1s 電子游離後形成之電洞由 2p 電

子填入並伴隨 X 光釋出helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip33

圖 234 X 光繞射之示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip34

圖 24 X-光粉末繞射儀(PANalytical XrsquoPert PRO XRD) helliphellip35

圖 25 晶體繞射結構解析之一般流程helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip37

圖 26 掃描式電子顯微鏡(NDL)HITACHI S-4000helliphelliphelliphellip38

V

圖 27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip39

圖 28 TEM電子腔內部結構示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip40

圖 291 IUPAC制定之物理等溫吸附-脫附分類圖helliphelliphelliphelliphellip41

圖 292 IUPAC制定之遲滯迴圈型態示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip42

圖 210 螢光體光譜量測過程helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip43

圖 211 光激發光光譜儀構造helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip44

圖 212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀helliphelliphelliphelliphellip45

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip46

圖 216 Hitachi-U3410 紫外-可見光光譜儀helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip48

圖 217 Ti K-edge之XANES示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip50

圖 218 網印機塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip52

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖helliphelliphelliphelliphellip53

圖 220 電池光電轉換效率值檢測系統helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip55

圖 221 太陽能電池 I-V 特性曲線示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip55

圖 222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖helliphelliphelliphelliphellip57

圖 223 Z Z Z θ 之間之關係圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip58

圖 224 典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖helliphelliphellip59

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip60

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析helliphellip60

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip63

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip65

圖 31 TiO2 銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip69

圖 32 TiO2 金紅石(Rutile)相晶體結構圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip69

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜helliphelliphellip70

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖helliphelliphellip71

VI

圖 35 TBT系列Ti097O2Eu0033+粉體X光繞射結構精算圖helliphellip73

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜helliphelliphelliphelliphellip75

圖37 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布helliphelliphelliphelliphelliphellip75

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖helliphelliphellip77

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 003helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 80

圖 392 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)

為 x = 15helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip81

圖 310 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ TEM 圖放大倍率皆為 200kx(a)

x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f)

x = 004 helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip82

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖85

圖 312 TBT系列樣品不同Eu摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip86

圖 313 (a)~(c) P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之BET圖87

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip88

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖helliphelliphelliphellip90

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖helliphellip91

圖 317 P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL光譜圖helliphelliphellip91

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip92

圖 319 TBT系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE光譜圖helliphellip93

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖helliphellip93

圖 321 Ti1-xO2 Eux3+之 log(xEu

3+)對 log(IxEu3+)關係圖helliphelliphelliphellip95

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖hellip97

圖323 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖helliphellip99

圖 324 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS光譜helliphellip101

VII

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip103

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip104

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜helliphelliphellip105

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖105

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖106

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphellip108

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip108

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip110

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖338兩系列樣品未摻雜及摻雜Eu3+粉體能隙位階圖helliphelliphellip112

圖 339 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜helliphelliphelliphellip114

圖 340 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip115

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜helliphelliphelliphellip115

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip116

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip119

圖344 P25系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphellip121

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip122

VIII

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

圖348 P25系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖helliphellip127

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變

化helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip127

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作電極之激

發與放射光譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 130

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖

譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip135

IX

X

表目錄

表 11 各類型太陽能電池之比較helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip4

表 2-1 本研究所使用之藥品清單helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip25

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip33

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數hellip73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參

數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip74

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數helliphelliphellip78

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果helliphelliphellip78

表 34 TBT系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip119

表 35 P25系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

表36 TBT系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

表 37 P25系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數

分析helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip135

第一章 緒論

11 前言

聖經舊約創世紀記載著上帝說要有光即有光時至今日太

陽光為地球上最重要且最為豐富之可再生能源亦為人類唯一用之不

盡取之不竭之能量來源每年於地球上之光照能量可達到全球人類

年消耗量之數千萬倍以上由於各類天然能源快速耗竭故有效利用

太陽能轉換成所需之能源成為ㄧ門極為重要之課題各種再生能源中

涵蓋太陽能水力發電風力發電燃料電池以及鋰離子電池等

僅太陽能電池為一種將太陽光直接轉換為電能之光電元件早於1954

年時美國 Bell 實驗室首先提出以矽半導體作為太陽能電池之材

料此一領域於眾多研究學者與工程人員之努力下迄今相關之理論

與技術均已相當成熟且真正地商品化雖然無機半導體-矽太陽能電

池發展至今製程已漸趨穩定但由於對於原料之純度高度要求因此

製備成本難再大幅降低因此各研究單位莫不積極找尋另一低成本

製程簡易之替代材料此為目前使太陽能電池應用普及之發展重點

相較於傳統矽晶材料無機奈米材料具低密度質量輕成本低廉且

可使用一般傳統且發展完備之塗佈方式例如旋轉塗佈 (spin

coating)刮刀塗佈(doctor-blade coating)網版印刷(screen printing)

或近來發展之噴墨印刷 (ink-jet printing)等不需高價位設備之方法來

製備光伏元件 (photovoltaic device)因此不但可簡易地製備不同大

小之元件 並且可大幅提升進一步顯著降低元件成本之機會同時

無機奈米材料可透過分子結構設計例如摻雜金屬離子或是改變其形

貌藉以調整其能階與能隙大小電荷轉移能力電荷傳導速度溶

解度成膜之結晶型態等重要材料特徵另外所吸附之有機分子通

常具高光吸收係數與良好之延展性因而可藉以製備輕薄且可撓曲之

1

攜帶式電池元件(1)色素增感 (dye-sensitization) 之概念源起於19世

紀攝影技術使用色素增感鹵化銀(silver halide)可產生黑與白之感光

膜(photographic films)此被視為關於色素增感半導體之第一個重大

研究(2)然而最早之光電化學使用之平滑電極只有於膜表面吸附之

單層色素才能有效的將電子注入半導體內但此單層色素內光線之吸

收效率極低於多孔性之 TiO2 奈米薄膜內其有效表面積能增加至

1000倍因此要使光線吸收效率增加必須使每一個 TiO2 粒子表面

皆吸附單層色素(3)直到1991年瑞士科學家Graumltzel利用奈米技術改良

工作電極進而開發出高效率(71~79 )太陽能電池稱為染料敏化太

陽能電池 (dye - sensitized solar cellsDSSC) (4)其成果引起全球能

源界之關注以及熱烈投入發展近年來染料敏化太陽能電池澎勃發

展最大原因仍在於簡單製程無須投入昂貴設備無塵室廠房等

設備而二氧化鈦電解質等材料價格便宜亦為關鍵要素此外

DSSC 可使用具可撓曲性基材應用端因此大幅擴張相較於目

前主流矽晶太陽能電池只適用於大型戶外屋頂等少數應用場

合其具較大之應用空間

12 太陽能電池簡介

太陽能電池依照所使用之材料以及製程之不同可分為矽基

型化合物半導體型與有機半導體型三類

ㄧ矽基型太陽能電池(5 - 7)

根據結晶形態矽基型太陽能電池可分為單晶矽(monocrystalline

silicon)多晶矽(polycrystalline silicon)與非晶矽(amorphous silicon)三

類單晶矽之組成原子均按照一定規則週期性排列以單晶矽製

備之太陽能電池轉換效率最高約為24 使用壽命年限亦較長

2

但通常所使用之矽半導體基材純度極高相對地製造成本亦最多

多晶矽是以熔融態之矽鑄造固化而成其矽原子堆積方式不只一

種而是由多種不同排列方向之單晶所組成多晶矽太陽能電池由

於製程簡單故成本較低轉換效率約18-20 非晶矽對光之吸收性

比矽強約500倍只需薄薄一層即可將光子之能量有效地 吸

收其轉換效率雖僅 13-14 然而因為非晶矽不需使用昂貴之

結晶矽基板而用較便宜之玻璃陶瓷或是金屬等基板如此不僅

可以節省大量之材料成本亦提高製作大面積之太陽電池之可能性

(結晶矽太陽電池之面積受限於矽晶圓之尺寸)製造成本為三者間

最低為其最大之優勢故未來亦具發展潛力世界上已有多家公司生

產該種電池之產品例如美國 uni-solarsolarex日本三洋電機

夏普大陸深圳拓日與德國 Schott Solar非晶矽薄膜太陽電池之主

要優點是成本低製備容易但亦存在嚴重缺點即性能不穩定其

光電轉換效率隨光照時間延續而衰減另外非晶矽薄膜太陽電池之效

率亦較低(95 )為提升非晶矽電池效率大多數廠商採用雙層p-i-n

結構(一層非晶矽能階約17 eV與一層微晶矽能階約14 eV堆疊而成)

串接使電池可以吸收各種不同波長之光源達到對太陽光最大利用

進而提升整個之轉換效率

二化合物半導體型薄膜太陽能電池(5 8)

化合物半導體型薄膜太陽能電池則可分為下列幾類Ⅲ-Ⅴ族

[包括砷化鎵 (GaAs) 磷化銦 (InP)磷化鎵銦 (InGaP) ]Ⅱ-Ⅵ

族[包括碲化鎘 (CdTe)硒化銦銅 (CuInSe)]等化合物半導體為直

接能隙材料其能隙於11及16 eV之間與太陽光譜匹配度較佳此

些材料所製作之太陽電池亦都有很高之效率尤其多接面串疊型

(InGaPGaAsInGaAs multijunction tandem cell)之太陽能電池效率甚

3

至可以接近40 然而製作過程中需於真空及高溫下操作使得造價

昂貴且並未大量生產故目前商業市場上仍以矽基型太陽能電池為

三有機半導體型

有機半導體型太陽能電池具成本低廉製程簡易可應用於大

面積化以及具可撓曲性等優點故近年來度受到各界矚目本論文

中所研究之染料敏化太陽能電池(5 9)即為其中之一 然而此系列之

太陽能電池至今尚未量產之主因是在於其轉換效率低高溫穩定性

不佳及大尺寸太陽能板開發等問題因此提高轉換效率與穩定性

則成為目前研究之首要目標

表 11 各類型太陽能電池之比較(5)

4

圖 11a 各類型太陽能電池效率之發展情形(8)

圖 11b 各式種類太陽能電池效率演進圖(16)

5

13 染料敏化太陽能電池

131 工作原理

染料敏化太陽能電池之組成以及此類電池之工作原理與相對能

階位置圖如圖12 所示塗有多孔性奈米結晶性二氧化鈦(porous

nanocrystalline TiO2)之透明導電玻璃(陽極)染料分子吸附於TiO2

上含有Iminus I3minus之氧化還原對(reduction-oxidation couple)電解質塗有

鉑(Pt)觸媒層之相對電極(陰極)所組成於外接負載情況下整個電

池形成連通迴路而產生電流與電壓當太陽光照射至染料而產生激發

電子由於染料分子LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)能階

較 TiO2 導帶高(Ecconduction band)染料激發態電子迅速注入TiO2

導帶中而形成染料陽離子其中 TiO2 不單作為染料支持劑且為電

子之受體與導體雖然少部分電子會經由再結合(recombination)過程

而消失但大部分電子經由導電玻璃而傳導至外電路氧化態之染料

從電解質獲得電子而還原輸出之光電壓為照光下半導體之費米能階

(Fermi level)與電解質氧化還原可逆電對 (redox couple)之Nernst

potential差( )電解液經由相對電極上傳來之電子而被還原(10)如

此整個電路各部分皆得以再生無淨反應生成其持續之光電流由

此產生整個反應表示如下(11)

陽極 S(基態) + 能量( hυ ) rarr S(激發態)helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip照光激發

S rarr S+ + e- (CB)helliphellip染料激發態電子進入TiO2導帶

2S+ + 3 Iminus (電解質) rarr 2S + I3minushelliphelliphellipS再生Iminus消耗

陰極 I3minus+ 2e- rarr 3 IminushelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellipIminus再生

副反應 2e-(CB) + I3minusrarr3 IminushelliphellipTiO2 導帶上之電子與I3

minus結合

其中S為染料基態(ground state)S為染料激發態(excited state)S+

為氧化態染料離子(oxidized state)

6

圖 12 染料敏化太陽能電池結構示意圖(12)

圖13 為染料敏化太陽能電池各層間反應時間示意圖當染料經

照光後激發態電子注入 TiO2 導帶於 pico-second 範圍而結合過

程則約發生於 micro-second 之時間因此前者電子傳遞速率約為後

者之103倍甚至可達106倍故形成光誘導電荷分離之動力學基礎可

見光誘導分離非常有效造成淨電子流出此外電子之生命週期(life

time)與擴散係數(diffusion coefficient)決定電子之擴散長度(diffusion

length)電子於多孔膜中傳遞並不如在單晶中快故必須盡可能減少

電子行走路徑與穿越晶體界面數因此存在有一最佳膜厚對應最

大光電流值最後染料之還原反應發生於 nano-second 範圍

速率快於結合過程而能迅速消除電洞符合目前太陽能電池所要求之

7

條件形成此種快速轉移之機制乃因分子軌域之電子波函數與TiO2

導電帶之電子波函數造成耦合現象詳細之傳遞過程可以由量子力學

方法計算

圖 13 染料敏化太陽能電池各反應動力學比較示意(12)

132 染料敏化太陽能電池各部分介紹

1321 奈米結晶多孔膜電極 (nanocrystalline porous electrode)

奈米半導體光陽極材料(如TiO2)具重要地位其結構與性能直接

影響與光敏染料分子之匹配及接受染料分子注入電子之效率與光電

池之開路電壓一般染料敏化太陽電池對半導體光電極有如下要求

具比較大之比表面積以吸附更多染料分子適當導電帶能階以使與染

料激發態相匹配提高激發態染料朝向半導體電極注入電子之效率

較高之費米能階以提高電池之開路電壓較小之電阻率促使電池之內

阻減小由於 TiO2 具安定無毒穩定性高且便宜等優點故最為

被廣泛研究其他材料如 ZnO (1314) Nb2O5(1516)SnO2

(1718)In2O3(19)

8

以及二元材料Zn2SnO4(20)等都曾被研究然而電子注入效率之高低仍

須考慮染料分子與半導體結晶結構之特定方向鍵結 各研究致力於發

展相搭配之染料目前仍是以 TiO2 為主流材料天然之二氧化鈦

有三種結晶型態即銳鈦礦型(Anatase)金紅石型 (Rutile)與板鈦

礦型(Brookite)主要是由於鈦原子與氧原子排列不同而形成相異結晶

構造於此三種結晶型態中銳鈦礦型與金紅石型皆具光催化能力

銳鈦礦型與金紅石型二氧化鈦之共價帶電位很高經光照射後所生成

之電洞具極強之氧化能力 再者銳鈦礦型之傳導帶電位比金紅石型

高造成銳鈦礦型之能隙大於金紅石型(銳鈦礦型約為33 eV金紅石

型約為31 eV)受光激發至傳導帶之電子較不易回復至價帶因此

其電子具較強還原能力綜合上述可知銳鈦礦型二氧化鈦具較高催

化活性之因

染料敏化太陽能電池之一項重要關鍵技術即是引入高粗糙因

子 (roughness factor)之多孔性海棉狀(sponge-like)半導體電極結構

其目的除使染料大量吸附外並且提供適當孔洞大小供電解質擴

散薄膜電極材料之製作一般可區分為下列兩種略述如下

方法一(21 22)

瑞士教授 Graumltzel 之研究群乃利用溶膠-凝膠(sol-gel)之方法獲

得具結晶性與高比表面積之奈米顆粒依此法所得之顆粒最終型態是

受到環境之合成條件影響例如水解與聚合之酸鹼度溫度前驅物之

化學性質溶劑觸媒濃度等均扮演著重要角色以下粗略描述製作

步驟及其對應之環境與影響

I 水解 (Hydrolysis)此步驟牽涉 Ti(IV)鹽類之水解控制前驅物之

選擇可以為四異丙氧基鈦 (titanium isopropoxide) 或四氯化鈦

( TiCl4)並於 01 M HNO3 之酸性環境下進行水解使所得之膠體

9

粒子能均勻分散並且穩定懸浮於液體中實驗證明於相當高之水與

鈦比例下不論是逐滴加入(dropwise)抑或是全加(one shot)皆不

影響最後產物型態(22)

II 膠溶作用(Peptization)此步驟於 70-100oC 下持溫數小時除使

膠體粒子相互連結形成高交集度粒狀結構凝膠外同時亦因能量之提

供而破壞凝團聚集(deagglomeration) 之情形(22)結晶化亦於此時發

生顆粒亦同時微幅成長

III水熱成長(Hydrothermal growth) 此步驟之目的乃於高溫之環境

下藉由奧斯瓦特熟成過程 (Ostwald ripening) 將小顆粒溶解並進一

步成長為較大之結晶顆 粒溫度改變不僅影響最終之顆粒大小

同時亦將影響最終多孔膜之平均孔徑此外Rutile結晶相亦會於較高

溫時形成文獻(23)指出Anatase相顯示較佳之電子傳輸速率與生命週

期一般是以Anatase相為主而Rutile相之反射係數顆粒均比Anatase

相大導致生成之薄膜不具透明性但可使入射光能於多孔膜內多次

反射而被有效利用因此亦有相關研究作為太陽能電池電極為10 μm

厚並有部分Rutile相之 TiO2 多孔膜為主(21)

方法二(24 25)

利用商業化二氧化鈦粉末 (Degussa P-25為 70 銳鈦礦

(anatase)30 金紅石(rutile)之混合物粒徑約24 nm比表面積約

50 m2g)加入乙醯丙酮(acetyl acetone)或 HNO3 用以預防粒子聚

集以及添加介面活性劑用以降低表面張力以利塗佈

最後將上述方法所製得之二氧化鈦粉末與凝聚劑(binder)充分

混合利用刮刀成膜(doctor blade)之方式將上述膠態溶液塗佈於導

電玻璃上經 450oC 煆燒30分鐘後使顆粒彼此間經燒結聚同時與

導電玻璃間形成良好之電接觸(electronic contact)凝聚劑於此步驟

10

中被燒掉而遺留下孔洞完成粗糙因子約為1000之多孔膜(roughness

factor = 總表面積投影表面積) (24)值得注意之為不同煆燒溫度與

時間亦將影響最終孔徑分布進而影響電解質擴散與電池之效率表

現此外亦有利用網板印刷(screen printing)熱分解噴鍍技術(spray

pyrolysis deposition)等應用於大量生產之方式溶液之配方需做進一

步調整才能適用

1322 染料(dye)

染料為染料敏化太陽能電池中之重要組成部分在近 20 年之研

究中已嘗試合成 900 多種之染料並應用於染料敏化太陽能電池

但其中只有一小部分具良好之光敏化性能其中主要是釕(Ru)之多

吡啶錯合物而染料性能之優劣將直接影響到染料敏化太陽能電池

之光電轉換效率前述提到要藉由光激發二氧化鈦而產生反應須要

低於 388nm 之紫外光但紫外光所佔太陽光能中只有 5 是故必

須利用太陽光能占最高比例之可見光而染料能夠幫助二氧化鈦之吸

收波長提高至可見光區因此染料能藉由可見光之激發驅使電子躍遷

至二氧化鈦半導體電極並接受來自電解質之電子還原而一般染料

必須符合以下幾點條件(26)

(1) 緊密吸附於二氧化鈦表面亦即為能夠快速達到吸附平衡且不

易脫落故染料分子母體中一般應該要含有易與奈米半導體表面結

合之基團如-COOH-SO3H-PO3H2如染料上之-COOH 官能基

會與二氧化鈦膜上之-OH 官能基形成成酯類而增強二氧化鈦導帶

3d 軌域與色素染料 π軌帶電子之耦合使電子轉移更為容易

(2) 對可見光具很好之吸收特性即是能吸收大部分之入射光

(3) 其氧化鈦(S+)與激發態(S)要具較高之穩定性與活性

11

(4) 激發態壽命足夠長並具很高之電荷(電子電洞)傳輸效率

(5) 具足夠之激發態氧化還原電位以保證染料激發態電子注入二

氧化鈦導帶

(6)氧化還原過程(包括基態與激發態)中要有相對較低之位勢使

初級與次級電子轉移過程中之自由能損失最小

以釕之多吡啶錯合物為主之染料敏化劑為藉由吸附於二氧化鈦

表面其提供主要光子吸收與隨後發生電子注入之步驟典型釕之多

吡啶錯合物化學結構最早是由 Graumltzel 團隊所發現此類型染料因其

具較強之可見光吸收能力良好光電化學性質激發態穩定性高及與

二氧化鈦表面具強之連結作用力且可接受約 5x107 次氧化還原反

應因此成為廣泛使用之染料敏化劑如圖 14~16 之結構(27)N719

光敏染料於 535nm395nm 有最大吸收峰N3 dye其吸收光之

範圍可達可見光區從 400 nm~800 nm全質子化 N3 dye 於 538

nm398 nm 有最大吸收峰(28)Black Dye為目前最具效能之染料

其吸收光範圍涵蓋可見光且可達近紅外光區(900nm)單一質子化

Black Dye 於 610 nm413 nm 有最大吸收峰於拉曼振動光譜研究

中亦指出單一質子化 Black Dye 與二氧化鈦之表面鍵結與 N3 Dye

相同是由螯狀雙牙配位 (Chelate Bidentate)或架橋配位 (Bridging

Bidentate)型式與二氧化鈦配位鍵結其差別在於 Black Dye 乃以

COOmacr與 TBA+與二氧化鈦產生配位鍵結(29)然而以上此些染料可於

可見光與近紅外光區具吸收主要可歸因於金屬-官能基電荷傳遞

(Metal-to-Ligand Charge TransferMLCT)之性質由金屬(Ru)之電子

傳遞至位於外圍之羧基化吡啶配位鍵之 π 反鍵結軌域之後在少於

100 fs 時間內將電子傳入二氧化鈦之導帶(30-34)因此理論上光子轉換

為電子之比例可達至 100本研究所使用之染料 N719 與 black dye

12

之吸收光譜比較圖如圖 17 所示

圖 14 N3 染料之化學結構式(27)

圖 15 N719 染料之化學結構式(30)

13

圖 16 Black dye 染料之化學結構式(29)

圖 17 Black dye 染料與 N719 染料吸收光譜比較圖(31)

1323 電解液(electrolyte)

目前 DSSC 依其結構與研究使用目的不同亦搭配相異種類之

電解質液態電解質溶膠-凝膠(準固態)電解質與固態電解質本研

14

究所使用之液體電解質由於其擴散速率快光電轉換率高及組成成分

易於設計調整且對於奈米多孔膜滲透性佳故一直廣泛研究但

存在著許多問題(1) 傳統碘離子 (IminusI3minus) 電解質溶液之有機溶劑多

半有毒性其滲漏與揮發問題需解決(2) 實際於長期日照下應用之

發電穩定性與熱穩定性有待加強(3) 嚴密封裝需求將提昇製程成

本(4) 柔軟材質上應用困難(5) 有機溶劑對染料吸附之不利影響

以上問題於應用上均造成某種程度阻礙一般電解質都須具高極性有

機溶劑作搭配於液態電解質濕式元件中會選擇如乙烯碳酸鹽

(ethylenecarbonate)乙腈(acetonitrile)丙烯碳(propylenecarbonate)

之混合溶劑而電解質之選擇有I2LiIKITerapropylammonium

iodideTertabutylammoniumiodide 等Graumltzel 等人(32)以black dye為

染料06 M dimethylpropylimidazolium01 M I201 M LiI 與05 M

4-tert-butylpyridine 為電解質 (溶劑為methoxyacetonitrile)於 100

mWcm2強光下光電轉換效率為104 碘化物中陽離子常用的為

咪唑銨(imidazolium) 類陽離子或鋰離子(Li+)Imidazolium 類陽離子

可以吸附於奈米 TiO2 表面阻絕了 I3minus 與 TiO2 表面之接觸因此

抑制導帶電子與 I3minus 於 TiO2 表面結合使電池輸出功率與光電轉換

效率得以明顯提升由於 imidazolium 陽離子之體積大於鹼金屬離子

體積只要增大碘鹽中陽離子體積即易導致陽離子對 Iminus 束縛力減

弱一方面可以提高碘鹽於有機溶劑之溶解度進而提高 Iminus 濃度

另一方面亦因陽離子對 Iminus 之束縛力減弱Iminus 還原活性及於有機溶劑

之遷移率亦增強上述兩者均有利提高氧化態染料再生為基態染料之

速率(33)當電解質溶液中加入小體積 Li+ 時若 Li+ 濃度很小此

時 Li+ 主要是吸附於 TiO2 表面上若 Li+ 濃度增大則 Li+ 於

TiO2 表面吸附與嵌入 TiO2 膜內兩種情況共存此種情況之 Li+ 可

15

與傳導帶電子形成電子對 Li+- e-由於 Li+- e- 電子對既可於 TiO2

表面遷移亦有可能脫離 TiO2 表面遷移此將明顯減小導帶電子於

相鄰或不相鄰鈦原子之間之傳輸阻力及距離可知於電解質中加入

Li+可大幅改善電子於 TiO2 之間之傳輸進而提高染料敏化太陽

能電池之光電流(33)

1324 相對電極(counter electrode)

相對電極於染料敏化太陽能電池中扮演快速還原I3-之角色有效

觸媒催化劑極具必要性目前白金(Pt)觸媒最為被廣泛利用但其對

於光電效率表現程度(動力學常數化學穩定度附著穩定度)深受製

作方法所影響如電化學法 (electrochemically) 與蒸鍍法 (vapor

deposited)上述兩製作方法由於穩定度不佳與還原能力不好而不適

用濺鍍法(sputtering)目前最為被廣泛利用(此亦為本研究白金電極之

製作方法)其穩定性佳製作程序簡便卻須消耗較多白金而不適用

於大量生產Papageorgiou等人則發展出熱沉積(thermal decomposition)

法(34)此方法不僅大量減少白金使用量於動力學參數化學穩定性

機械強度及透明性上皆有其優異之處只是做法上較為麻煩此外

Kay與Graumltzel亦發展利用多孔性碳(porous carbon)做為觸媒層(35)此觸

媒層為碳黑(carbonblack)石墨奈米結晶性 TiO2 粉末混合物碳

黑可連接分離之石墨片進而提高導電度TiO2 則作為黏著劑(binder)

用此項技術之最大優點在於成本花費降低然而目前效能仍較白金

觸媒差

133 染料敏化太陽能電池之文獻回顧與發展現況

於1978 年美國專利發表第一個最先使用染料敏化 TiO2 來轉換

太陽光能之元件(36)TiO2 為寬能隙 n 型半導體對空氣及水有穩定

16

之抗氧化能力(4)然而電極為寬能隙半導體係為延伸於太陽光中可見

光區域之光譜應答但仍必須與染料高濃度掺雜此專利染料使用為

N-methylp- henaziniumion此使 TiO2 光譜響應延伸至500 nm然而

此專利中所組裝之元件轉換效率相當低且穩定性亦有待商榷直到

1991年瑞士洛桑高等工業學校(Ecole Polytechnique Federale de

LausanneEPFL)之 Graumltzel 與 OrsquoRegan 發展染料敏化奈米薄膜太

陽電池取得重大之突破(43738)電極為奈米多孔TiO2使用更穩定更

有效率之過渡金屬 Ru 等有機化合物染料其光電轉換效率可達 71

而於 1997年其轉換效率達至10 ~ 11 (39)澳大利亞國際永續技

術公司(Scientific and Technical InformationSTI)徳國 INAP (Institut

fuer Angewandte Photovoltaik Solarpunkt ) 研究所荷蘭國家能源研究

所(Energieonderzoek Centrum NederlandECN)日本日立公司日

本富士公司瑞典 Uppsala 大學瑞士 Leclanche SASolaronix

等公司均於產業化研究中已取得較大之發展 過去10年中全世界各

主要實驗室與公司於不同面積太陽電池上取得不同光電轉換效率其

中瑞士 EPFL 與日本夏普公司於小面積(面積小於1 cm2)電池上獲得

超過 11 之光電轉換效率(40-43)ECN 於條狀電池(1~5 cm2)上達82

(有效面積236 cm2) 之光電轉換效率瑞士EPFL(44)日本Sharp公

司Arakawa等(45)於條狀電池(1~5 cm2 ) 上取得與小電池(面積小於1

cm2)相當之轉換效率101 (131 cm2)104 (1004 cm2 ) 與99

歐盟 ECN 研究所取得面積大於1cm2電池效率最高紀錄 (815 (25

cm2)58 (100 cm2) 平均45 ) (46)由於DSSC電池之特殊性大

面積電池之研製與產業化一直是該電池研究難點目前澳大利亞

STI 公司建立世界第一個亦為迄今獨一無二面積 200 m2 之染料敏

化奈米薄膜太陽電池平面屋頂亦顯現出未來工業化之前景該結果

17

使人們對產業化染料太陽能電池之性能極具信心 2002 年美國

Konarka 公司亦投入 1350 萬美元對以透明導電高分子等軟性薄膜

為導電極之染料敏化奈米薄膜太陽能電池進行產業化與實用化研

究該研究是基於美國軍隊對軟性與移動性較好能源轉換之應用要

求故得到美國軍方大力支持因此於能源危機之促使下全球研

究單位莫不藉由改善DSSC各部分之特性以提高效率或設計其結構

以增其實用性

圖 18 DSSC 研究發展時程回顧(4 22 24 40 47-57)

14 二氧化鈦摻雜元素材料之研究

TiO2 之晶體中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性

質之改變易有助於光催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕

18

捉電子或電洞之缺陷有助於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素

與 TiO2 共結晶添加之過渡金屬亦將於光觸媒之傳導帶與價帶之間

形成新獨立能階因此可以較低之能量使電子激發進而擴大激發光

源之使用增益對光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化

效果通常摻雜元素之量(濃度)低時較有利光觸媒活性太高會大幅

改變 TiO2 原有特性每種元素之摻雜有其特定最佳化條件

Vamathevan 等人(58)配製含 Fe3+ 或 Ag+ 之摻雜改質二氧化鈦

以蔗糖之光氧化分解成二氧化碳以進行光觸媒催化活性評估結果顯

示添加之銀離子與鐵離子皆有一最適劑量分別為銀(20 atom )

與鐵(10 atom )於最佳金屬添加量比例之外銀改質型觸媒之

催化活性會略為降低故近年來研究發現 Fe3+ 為有效之摻雜離子

(5960)Li等人(61)利用有機金屬化學氣相沈積法(metal organic chemical

vapor deposition MOCVD ) 以 四 異 丙 氧 基 鈦 (Titanium

tetraisopropoxide TTIP)和 (CH3COCHCOCH3)3NdxH2O作為前驅

物以製備摻雜 Nd3+ 之改質二氧化鈦結果顯示隨著Nd3+摻雜量

之增加改質後之二氧化鈦觸媒於可見光波長範圍之吸收能力亦隨之

增加

除此之外其他如 Mo5+Ru3+Os3+Re3+Cr3+V4+與Rh3+

以及非金屬元素N (62)之摻雜等此方面研究近年來引起相當多投入

關於稀土離子摻雜進入一般陶瓷材料之研究已進行幾十年然而近幾

年始開始出現對於稀土原子摻雜進入半導體材料之研究將Tb3+摻雜

入TiO2 粉末或是薄膜中確實可以發出綠光(6364) TiO2中分別摻雜

Eu3+Tb3+Sm3+可以明顯觀察不論摻雜之稀土元素種類改變其

相皆與純之TiO2相符合證明摻雜稀土元素進入TiO2並不會改變其原

有之結構也因而不會因此改變TiO2原有之結構特性但卻可以影響

19

其電子組態與能階分布進而改變其光電特性目前故有稀土原子摻

雜進入半導體材料之研究皆只探討其發光機制與少許光觸媒特性分

析對於直接於太陽能電池電極之應用仍極為少數

141 TiO2Eu 粉體發光特性說明(65)

針對本實驗合成之工作電極材料雖發光強度無法與商用紅色螢

光粉比擬但仍為一無機螢光體主要由主體晶格(host lattice簡稱

H)與活化劑(activator簡稱 A)兩者所構成之其化學式一般以 HA

表示活化劑因可能取代主體晶格中特定離子位置稱為摻雜劑

(dopant)

1411 主體晶格(Host)

主體涵蓋一個或數個陽離子與一個或數個陰離子結合而成一般

主體於光激發過程中所扮演之角色為能量傳遞者而主體中之陽離子

或陰離子必須不具光學活性(optically inert)如此能量之放射與吸收

均於活化中心進行陽離子之選擇條件須具如惰性之電子組態(如

ns2np6d10)或具封閉之外層電子組態(如 f0f7f14)故不具光學活性

圖 19 為週期表中可作為螢光體主體之陽離子分布圖主體之選擇對

發光強度與光譜特性影響極大其中活化劑離子所進入晶格位置之

點對稱(point symmetry)與配位數(coordination number)以及所取代主

體離子之半徑大小均決定發光之行為

20

圖 19 主體晶格之陽離子分布圖(66)

陰離子團之選擇有二一為不具光學活性之陰離子團如圖

110另一則為具光學活性(optically-active)可充當活化劑之陰離子

團如圖 111後者通稱為自身活化(self-activated)之螢光體如

CaWO4YVO4等此為週期表中可作為螢光體主體晶格之陰離子

圖 110 主體晶格中不具光學活性陰離子團分布圖(66)

21

圖 111 主體晶格中具光學活性陰離子團分布圖(66)

1412 活化劑(Activator)

活化劑一般分成兩類陽離子團與陰離子團前者須具正確之價

數後者須具自身活化能力且可產生電荷轉移作為活化劑之陽離子

一般具 (nd10)((n+1)s2) 電子組態此類呈現高放光效率或半填滿軌

域如Mn2+Fe3+等如圖 112此外活化劑之添加本質上屬於

取代缺陷故活化劑與主體陽離子之大小須相近如相差太多將造成

晶格之扭曲故活化劑之種類與主體內之添加取代量即受到限制

圖 1 12 活化劑之陽離子團分布圖(66)

22

本研究採用之活化劑為稀土離子(67)其發光特性取決於稀土離子

Eu 4f 殼層電子性質稀土離子之電子躍遷主要具以下兩種形式(1) f

- f 躍遷(2) f - d 躍遷多數三價鑭系離子發生於內層之 4f - 4f 能階

躍遷根據選擇律此種l = 0 之電偶極躍遷原屬禁戒(forbidden)

但因 4f 組態與反對稱之組態 g 或 d 發生混合使原屬禁戒之 f - f 躍

遷成為允許(allowed)且 4f 殼層上之電子受外殼層 5s24p6 之遮蔽效

應故其 f - f 能階躍遷特徵如下

(1) 發射光譜呈線性譜線強度較弱

(2) 主體晶格(host)對發射波長影響不顯著

(3) 濃度與溫度淬滅變小即使於 400~500仍可發光

(4) 螢光壽命較長

15 研究動機與目的

本論文研究基於之前眾多之成果所建立之理論基礎提出一將稀

土元素摻雜入 DSSC 之工作電極中之創新構思欲藉由類似螢光粉之

觀念於主體 (host) 中摻入活化劑 (activator) 再經由特定波段之

激發產生放光之過程放射光之波長取決於主體與活化劑之搭配此

概念之目的是要增加染料敏素之吸收率進而提升整體之效益而所

需放射之光取決於染料敏素之 IPCE(incident-photon-to-current

conversion efficiency) 值於何處有最大值關於稀土離子摻雜進入一

般陶瓷材料之研究已進行幾十年近幾年則開始有對於摻雜進入半導

體材料之研究而先前眾多研究只探討其光觸媒特性並無應用於染

料敏化太陽能電池之顯著成果其中 Eu3+具非常好之紅色可見光發光

性Eu3+離子吸收波長 300 ~ 450 nm 左右之太陽光後其內層 4f ndash4f

軌域間之轉換將可放射出 593 nm (5D0 rarr 7F1) 612 nm (5D0 rarr 7F2)

650 nm (5D0 rarr 7F3)與 697 nm (5D0 rarr 7F4)紅光範圍之可見光Black

Dye 其 化 學 名 稱 為 【 thithiocycanato 44rsquo4rdquo-tricarboxy

23

31-22rsquo6rsquo2rdquo-terpyridine ruthenium(II)】(RuLrsquo(NCS)3 Complex)且其於

610 nm 與 413 nm 有最大吸收峰且其 ICPE 值於 400~600 nm 範圍

可達 80 恰位於 Eu3+之最強放光處故研究是否可藉由此放光增

加染料之吸收進而提升激發電子量再者稀土元素之摻雜並不會

破壞原有之晶體結構卻可影響其電子能態或原子結構調整其能

隙故本研究亦透過設計雙層結構之工作電極使各層工作電極傳導

帶之相對位置更有利於電子之傳遞以增加激發電子傳導速率並

減少電子再復合機率提升太陽能電池之效率

24

第二章 實驗步驟與儀器分析方法

21 化學藥品

本研究使用之藥品皆為試藥級之純度故使用前不須進行再純化

之步驟其來源與名稱如表 2-1 所示

表 2-1 本研究所使用之藥品清單

玻璃基板

FTO 導電玻璃 [ SnO2F TCO ] Solaronix TCO22-15

15 Ωsq

編號 藥品 廠商 純度

(1) 氧化銪 [ Eu2O3 ] Sigma-Aldrich 999

(2) 鈦酸四丁酯 [ Ti(OC4H9)4 ] Acroros 99

(3) 二氧化鈦 [ TiO2 ] Degussa P25 NA

(4) 硝酸銪 [ Eu(NO3)35H2O ] Sigma-Aldrich 998

(5) 碘 [ I2 ] Merck 98+

(6) 碘化鋰 [ LiI ] Merck 98+

(7) 4-特-丁基呲啶 [ C9H13N ] Aldrich 99

(8) 第三丁醇 [ (CH3)3COH ]JTB 998

(9) 四氯化鈦 [ TiCl4 ] Aldrich 999

(10) 無水乙醇 [ C2H5OH ] Riedel-de Haeumln 998

(11) 乙腈 [CH3CN] Fluka 99

(12) 乙基纖維素[Ethyl cellulose] Fluka 99

(13) 松油醇[C10H18O]terpineol Fluka NA

25

(14) 丙酮 [ CH3COCH3 ] Riedel-de Haeumln 99

(15) 甲醇 [ CH3OH ] Fluka 998

(16) 己烷 [C6H14] Riedel-de Haeumln 99

(17) 氧化鎘 [ CdO ] 林 純藥工會株

式會社 99

(18) 油酸 [ C9H18C8H15COOH ] Aldrich 90

(19) 1-十八烷烯 [ C18H36 ] Aldrich 90

(20) 三正辛基膦 [ (C8H17)3P ] Alfa Aesar 90

(21) 硒粉 [ Se ] ACROS

995

(22) 巰基丙酸 [ HS(CH2)2COOH ] Fluka

99

(23) 四甲基氫氧化銨 [ (CH3)4NOH ] Fluka

25 wt

本研究所採用之二次去離子水為經 Millipore 公司之 Milli-Q 純水系統

所處理其電阻值為 18 MΩ-cm

22 合成方法

221 溶膠凝膠法 (Micelle and sol - gel)

此方法乃利用水油與介面活性劑之三元體系所形成之混合溶

液利用其極性相近物質之相互聚集為理論基礎其中之介面活性劑

將扮演不相容物質彼此間之橋樑其中量少之一方將以微胞或微乳液

之形式存在微胞之形狀將隨著加入試劑之濃度差異而形成各種不同

26

形狀所選取之反應物須存在於微胞中而形成溶膠以利進行凝膠化

之反應於微胞中溶膠 (Sol) 之定義為極小之膠體粒子因凡得瓦

爾力與電雙層作用下產生布朗運動而均勻分散於系統中而形成所

謂溶膠與凝膠 (Gel) 為經過水解 (Hydrolysis) 與縮合 (Condensation)

反應後分子單體經由鍵結而逐漸形成大分子之凝膠狀態溶膠‐凝

膠法之基本步驟為利用金屬醇化物或金屬鹽類溶於水或醇類等溶劑

中進行水解與縮合反應所形成之凝膠產物之性質及結構與製備過程

之條件具密切之關係例如反應原料之種類濃度溶劑溫度

壓力pH 值等因素溶膠-凝膠法於形成薄膜與塊材方面具顯著之優

點且溶膠易形成摻雜故可製備均勻分布及可調性之多種複合材

料介面活性劑之功能為抑止成長中之晶體持續成長故控制微胞之

形狀即可改變晶體之形狀首先須控制溶液中之相對組成與溫度才

能達到形成微胞之條件且微胞之尺寸均於微米級以下故此微胞可

視為一種微反應器總而言之溶膠凝膠為一種膠狀懸浮液藉由膠

化作用得到固體其產生之多孔性凝膠可藉由化學方法之純化及高溫

退火之程序得到高純度與高結晶性之氧化物

222 水熱法 (Hydrothermal)

水熱法為於液相中配製超奈米材料之濕化學方法研究之溫度

範圍於水之沸點與臨界點(374oC)之間一般反應過程中維持100 ~

250oC之溫度與03 ~ 40 MPa之蒸汽壓之高溫高壓環境下反應溶劑

因高溫高壓條件下而達到其臨界點時對固體物質之溶解度增加

因而達到加速反應進行之效果此方法可提供製備一維奈米材料之新

途徑水熱法具下列幾項特點(1) 利用水熱法可直接於溶液中合

成粉體(2) 於大部分之水熱過程中長晶之程序已經完成故不須

再經過煅燒(3) 利用溫度之調變可控制粉體之尺寸(4) 利用不同

27

之起始物可得不同型態之粉體故水熱合成法可製備之材料相當廣

泛涵蓋金屬氧化物複合氧化物等數十種粉末合成之粒子大小

範圍介於01微米至幾十微米經過濾洗滌與乾燥等過程獲得之

晶體其結晶性佳團聚情況少產率高與較窄之細微性分布因此可

得純度高且細微性均勻之各類材料

23 實驗流程

本研究以兩種不同前趨物與合成方法製備 TiO2Eu3+ 之工作電極材

料分述如下

231 TPT[鈦酸四丁酯Ti(OC4H9)4 Tetrabutyl titanate]系列

此系列之奈米粒子為透過溶膠凝膠法後經水熱法及燒結而成首

先按所需之化學配比 (stoichiometry) 秤取適量之 Eu2O3並置入 100

mL 之三頸瓶中加入 9 mL 之 1 M 硝酸溶液60 mL 之去離子水(使

整體之 pH 值小於 2)激烈攪拌 30 分鐘再緩緩滴入適量配比之鈦

酸四丁酯 Ti(OC4H9)4 (Tetrabutyl titanateTBT)並激烈攪拌 1 小時

上述溶液之溫度控制於 80oC 並持續攪拌進行迴流程序時間為 10 小

時再置入 125 mL 之鐵氟龍 (telfon) 杯中並封入不鏽鋼壓力釜

(autoclave)進行水熱法溫度控制於 227oC時間為 12 小時可得白

色之膠體再以酒精反覆沖洗後於高溫 500oC 下退火 6 小時即可

得 TiO2Eu3+白色奈米粒子詳細合成流程如圖 21 所示

28

Eu2O3 and 9 mL aqueous nitric acid (1M) solution are added to 60 mL DI water with pH lt2

After vigorously stirring for half an hour 10 mL tetrabutyl titanate Ti(OC4H9)4 is slowly dripped into the above solution with vigorous stirring for 1 h

The mixture is then heated to 80oC with continual stirring for 10 h

Hydrothermal treatment in the autoclave at 227oC for 12 h

After repeatedly washing with ethanol the white slurry is annealed in air for 6 h at 500oC

圖 21以溶膠-凝膠法與水熱法合成TBT系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

232 P25(Degussa P25 TiO2)系列

按適量之化學配比秤取商用之二氧化鈦粉末(Degussa P25)與

Eu(NO3)35H2O置入裝有 30 mL 去離子水之 100 mL 燒杯中室溫

下激烈攪拌 2 小時將上述之白色溶液置入 125 mL 鐵氟龍 (telfon)

杯中並封入不鏽鋼壓力釜 (autoclave)進行水熱法溫度控制於

150oC時間為 48 小時待冷卻至室溫後將所得之白色膠體以去離

子水反覆沖洗其目的為去除表面殘餘之 Eu(NO3)35H2O爾後於

350oC 之溫度下退火 2 小時即可得白色 TiO2 Eu3+白色奈米粒子

詳細合成流程如圖 22 所示

29

Commercial TiO2 powders (P25) and europium nitrate was added to 30 mL of an aqueous solution under vigorous stirring

After stirring strongly the slurry was heated at 150oC for 48 h by hydrothermal method

After hydrothermal treatment repeated centrifugation and wash with distilled water (4 time repeated)

Annealed at 350oC for 2 h

圖 22 以水熱法合成 P25 系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

24 樣品鑑定分析

以 X 光粉末繞射儀(X-ray diffractionXRD)Rietveld 精算法鑑

定材料之純度與長程有序晶體結構以穿透式電子顯微鏡

(Transmission electron microscope TEM) 與掃瞄式電子顯微鏡

(scanning electron microscopeSEM)分別鑑定材料之結構與表面型

態利用比表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

ASAP) 分析粉體之樣貌與比表面積利用光激發光光譜儀

(photoluminescencePL)分析電極材料之激發光譜與放射光譜特性

以拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum) 測定分子之振動模式

以判定晶相與原子結構以紫外-可見光擴散式反射光譜(UV-Vis

diffuse reflectance spectra UV-Vis DRS ) 分析固態粉體於紫外光與可

見光其吸收特性利用 X 射線光電子能譜儀(X-ray Photoelectron

30

SpectroscopyXPS)分析表面元素組成與原子能級結構以 X 光吸收

光譜 (X-ray absorption spectroscopyXAS)之 X 光近吸收邊緣結構

(X-ray absorption near edge structureXANES)決定樣品中元素之價數

與電子結構茲將各實驗儀器分析之過程與原理分述於下列各節

241 粉末 X-光繞射儀(X-ray diffraction XRD)

2411 X-光繞射工作原理

X 光為一種短波長之電磁波其波長約為 10 Aring(10-10 m)陽極放

射出之 X 光由連續性不同波長之 X 光所組成故稱之為連續性 X

光譜(continuous X-ray spectrum)或白色 X 光但隨著外加電壓增大

連續性 X 光譜之波長分布範圍與其光線強度將隨之增大當電壓加

至超過門檻電壓(threshold voltage)或激發電壓(excitation voltage)時

除發生連續性 X 光譜外另將產生某些特定波長之 X 光稱之為特

性 X 光(characteristic X-ray spectrum)如圖 231(a)X 光粉末繞射儀由

電子槍產生電子如圖 231(b)所示此電子藉由 40 keV 之工作電壓

加速撞擊金屬靶材(常用之靶材為銅靶)將其靶材中 K 層(1s)電子撞

出電子游離後形成之電洞隨即由L層(2p)電子填補並伴隨X光釋出

31

Characteristic peaks

Continuous radiation

Energy

High-energy Ka

stimulusLaKb

lswl

Int

sity

e

m

Low-energy stimulus

enof

itted

rad

iatio

n冷卻水

真空 璃

接變壓器)

鈹窗 聚焦罩

銅X射線 鎢絲

靶(陽極)

X射線

管座(

Wavelength

Short wavelength limit a) b)

圖 231 (a)銅靶之 X 光光譜 (b)封閉式 X 光射線管

角動量子數之變化必須為plusmn1 (l = plusmn1)如由 L 層

(2p) 子填補 K 層(1s)電洞即 2p 1s 轉移(transition)並伴隨 X 光釋

如圖 232 所示此段波長之 X-ray 定義為 Kα波長為 15418 Aring

同理 3p 1s 則定義為 Kβ波長為 13922 Aring一般 Kα比 Kβ之強度較

強而 Kβ較 Kα之能量為高但由 p 1s 之轉移中因 2p 軌域具二

種不同型式之 Kα1與 Kα2

很難分辦但易與 K 一般常使用鎳單色光濾片(nickel filter)將

Kβ濾除(cut o

( ((68)

一般 X 光所使用金屬靶材之波長如表 22 所示以銅靶為例當

外加電壓促使電子高速撞擊銅靶之 K 層(1s)電子使其內層電子游離

並產生電洞依據吸收選擇定律(selection rule)當電子從一能階躍遷

至另一能階時其

2

自旋態(spin state)故產生 Kα1與 Kα2一般

β分辦

ff)

32

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長(69)

Target Kα1 Kα2 Kz Cr 22896 22935 22909

Fe 19360 19399 19373

Cu 15405 15443 15418

Mo 07093 07135 07117

Ag 05594 05638 05608

z is the intensity-weighted average of α1 and α2

圖 232 X 光原理示意圖Cu 1s 電子游離後形成之電洞由 2p 電子

填入並伴隨 X 光釋出(69)

德國科學家勞爾 (Von Laue) 於 1912 年提出 X 光進入晶體後因

干涉 年布拉格 ( 學

理論

稱為布拉

作用而產生繞射現象同 Bragg) 將勞爾提出之數

改以較簡潔之數學式導出 X 光之繞射條件如圖 233 所示

設晶面距離為 d入射光與晶面之夾角為 θ當入射光被二相鄰晶面

所反射二反射光束會有一光程差若此光程差為波長之整數倍(n

為正整數)時亦即當此二反射光束同步各光波之振幅具加成之效

果而形成建設性干涉合成波滿足此條件即可產生繞射

33

格定律(Braggrsquos Law)

2 sind nθ λ= (21)

晶體之 X 光繞射實驗提供兩項重要訊息(1) 繞射峰位置 2θ

(2) 為繞射峰強度(I)第一項訊息提供晶體之晶胞形狀大小(即晶格常

數)之資料第二項訊息提供晶體內部組成原子種類與位置之資料

隨材料之晶體結構與組成變化每個晶體此兩項資料各不相同因此

可利用 X 光繞射法分析材料屬何種礦物晶體或結晶材料

圖 233 X 光繞射之示意圖

2412 XRD 實驗儀器

粉末樣品之 X 光繞射分析係採用 PANalytical XrsquoPert PRO X-ray

powder diffractometer(XRD)型繞射儀其以銅靶(Cu)為光源功率為

3 kW放射光源 Kα1之波長為 15406 Aring操作時使用之電壓與電流分

別為 40 kV 與 40 mA 之條件下進行粉末繞射分析實驗其中 2θ繞射

角掃描範圍為 20 ~ 80 度每間隔 002 度讀取一次數據掃瞄模式為

2θθ將分析樣品平鋪於樣品槽(sample holder)置於圖 24 之旋轉中

心此時將繞射測角儀做旋轉偵測器則與出射光之夾角 2θ入射

光與槽座之夾角為 θ利用同步紀錄之系統而得各繞射峰之強度與角

34

度(2θ)之分布關係

圖 24 X-光粉末繞射儀(PANalytical XrsquoPert PRO XRD)

析然而中子繞射之儀器普遍性不佳利用Rietveld法可

分析

度(於本研究中以2θ量測範圍為0 ~ 180度間格為001度停留時間為10

因此可避免重疊峰之分解問題

2413 結構精算(70)

GSAS 程式採用 Rietveld 全光譜精算法 (Rietveld full pattern

refinement method簡稱Rietveld法)做結構精算Rietveld法為1969 H

M Retiveld所提出適合分析由X-光與中子粉末繞射所得之數據利

用結構精算可得物質之物理與化學特徵性質然而多數之物質不易合

成單晶之形式多數乃以多晶或粉晶存在最早則以中子粉末繞射之

數據加以分

X-光粉末繞射所得之數據使得分析晶體結構之研究之可靠性大

幅提升

Rietveld法主要為以階梯之模式(step scan)掃描其每一步之峰形強

秒)而不用整個繞射峰之積分強度

35

2ci k k k k biy S L F HT P y= Φ +sum利用此計算方法所得之繞射強度 ( S為

比例常數Lk乃涵蓋勞倫茲極化與多重性因子Fk為結構因子Tk

為穿透因子Pk為優先取向H為反射波形函數ybi乃背景強度)用

以模擬觀察所得之繞射強度(yoi)使由假設結構模型計算出之繞射圖

形與實驗量測之繞射圖趨於一致 並使最小方差擬合之殘差R為最

2( )R Wi ci oiy y= minussum 2 ( 2)

計算所得之繞射圖譜與測量所得之圖譜其相吻合之程度是由所

謂擬合參數(reliability factor)即R值決定一般以R值小於10為可

接受之最低要求常用有Rp與Rwp

oi ciP

oi

y yR

yminus

= sumsum (23)

)(( )

2

2WPRW y

= i oi ci

i oi

W y yminussumsum (24)

i較大

而一般認為Rwp較具代表性意義之擬合度判斷依據並定義

式中Wi為加權指數ㄧ般僅繞射峰存在其繞射強度之W2χ 即

ldquogo

odness of fitrdquo用以表示分析之品質

( )χ 2 =minusM

N N (25)

O V

其中M為minimization functionNO為step scan所得之繞射圖點

數NV為精算時所使用之變數個數利用最小平方差擬合與傅立葉

(Fourier)合成求得之電子密度函數進而得知粉體之晶格常數鍵長

鍵角等結構參數

Rietveld法為一可將晶體結構解析最完善之方法然而並非所有

36

之結構皆有其詳盡之原子座標位置Le Bail 法為1988年法國晶體學

家Armel Le Bail所發展利用電腦程式模擬將原本錯誤之原子位

置移動至較符合粉體模型之位置稱為整體性之最優化(global

optimization methods)或稱直接空間方法(direct space methods)利用

此方法可對於新

合成或未有詳盡之原子座標資訊給予空間群與晶格

常數之資料

圖25 晶體繞射結構解析之一般流程

37

242

型號為HITACHI S-4000其電子

槍為冷場發射式

圖26 掃描式電子顯微鏡(NDL)HITACHI S-4000

掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope SEM)

掃描式電子顯微鏡主要由真空系統電子槍透鏡組與偵測器組

成其成像原理為利用一束具有5 ~ 30 KV能量之電子束經過聚焦

镜使發散之電子束能聚集成一微小電子束掃描線圈作用於偏折電子

束使其能於試片表面進行二維之掃描工作另一功能為觀測試片時控

制倍率之放大與縮小爾後電子束經過物鏡即如同光學顯微鏡原理相

同但此時調整項圈(coil)所造成之磁場控制電子束進行最後對焦動

作完成對焦讓電子束與試片作用激發出二次電子背向散射電子

Auger電子連續X光與特徵X光等一般SEM為利用二次電子進行成

像因二次電子之信號主要源自電子束下方之區域能提供高解析之

影像而背像散射之電子亦能作為信號之來源當電子束掃描試片表

面時偵測器同時偵測由表面射出之二次電子強度輸入至同步掃描

之陰極射線管同時顯示試片之影像而陰極射線管上同步點之亮度與

對比則根據偵測到之訊號強度進行改變利用此方式試片表面之特

徵狀況即可逐一表現出來如圖26所示本實驗乃使用國家奈米元

件實驗室之掃描式電子顯微鏡其

(field emission)

38

圖27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖(71)

243

於偵測器上形成不同亮度

穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron MicroscopyTEM)

穿透式電子顯微鏡系統設計如圖 28 所示由電子槍(electron

gun)發射電子束經過一組磁透鏡(condenser lens)聚焦後以遮蔽孔

徑(condenser aperture)選擇電子束尺寸大小(beam size)後通過一組控

制電子束之掃描線圈再透過物鏡(objective lens)聚焦入射至試片

上於試片上側裝一訊號接收器用以選取二次電子或背向散射電子

成像此種儀器之優點為所需之樣品量很少且其解析度可達到原子

級之層次(10-10 m)若樣品含多電子原子則電子束將無法穿透樣品

於偵測器上顯示之亮度較暗電子束可穿透之樣品於偵測器上形成較

亮之點利用不同物質具不同電子密度之性質經電子束之穿透過程中

原子核對電子束產生之折射程度之差異性

對比之影像即為樣品之形狀和結構

但以下幾點須注意(1) 真空下要穩定 (2) 若是揮發性之物質在經電

39

子碰撞後容易消失此儀器除可用以鑑定物質之型態大小與內部細微

結構外亦可進行電子繞射而電子繞射圖可用以觀測樣品之結晶度

格常數

一天後再將銅網放置於儀器之樣品槽中調

整好儀器即可觀測

表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

好壞與計算晶

樣品製備

將欲觀測之粉末樣品取極少量溶於乙醇溶液中置於超音波震盪器中

約10分鐘使粉末均勻分散於溶液中爾後再利用已鍍上一層多孔性

碳膜之銅網放置於溶液中撈取預分析之樣品拿出銅網後用拭鏡紙將

多餘之乙醇拭乾並風乾

圖28 TEM電子腔內部結構示意圖

244 比

ASAP) 先將適量樣品 200oC 除氣(degas)至壓力為 3 times10 -3 torr以去除樣

品上之吸附水氣與其它吸附物質並於 77 K 下進行氮氣等溫吸附

40

利用 BET 公式求得比表面積利用 BJH 公式求得脫附曲線之孔洞分

態相似而於高分壓相異之行為則是因為 H4

隙較 H3 窄之緣故

291 IUPAC 制定之物理等溫吸附-脫附分類圖

布(pore size distribution)

氣體吸附曲線之型態會隨著材料之孔徑結構成分溫度及吸附

分子種類而不同 (圖 291)氣體吸附曲線 IUPAC 定義為下列六種型

態第一型為典型微孔材料第二型通常是無孔材料或孔徑較大之材

料第三與第五型曲線發生於當吸附分子間親和力大於其與固體材料

表面間作用力時之模式第四型為中孔材料於高分壓時會產生遲滯

迴圈(hysteresis loops)而第六型為一結構近乎完美均勻之表面所造成

之吸附曲線根據 IUPAC 之分類遲滯迴圈依其型態可分為四種型

態(圖 292)H1型常為規則圓柱狀孔洞材料或由規則球狀體間孔隙所

造成而 H2 型遲滯迴圈之形成通常表示材料中之孔洞與形狀較不規

則H3與 H4型迴圈之型

41

圖 292 IUPAC 制定之遲滯迴圈型態示意圖

245

T) 收集

光並測量其螢光強度並以 DataMax 軟體分析光譜資料

光激發光譜儀(Photoluminescence PL)(65)

光激發螢光 (photoluminescence PL) 光譜儀乃為簡便與精準地

檢測發光材料之光特性於本研究中採用FluoroMax-3測量螢光材料

之激發光譜(excitation spectra)與放射光譜(emission spectra)如圖

210 所示光源為利用氙弧燈提供一寬波段之激發光源為得高解

析之螢光量測數據入射光源須為持一特定之波長藉由單光器

(monochromater)之狹縫 (slit) 將光源出射光分成特定波長之入射

光入射光之能量被螢光粉體吸收後螢光粉體將發射另一特定波長

之光段打至發射光之單光器如同激發光之單光器只允許某一狹

窄之波段通過再利用光電倍增管 (photomultiplier tube PM

42

圖 210 螢光體光譜量測過程

圖211為本研究所使用之FluoroMax-3光譜儀各結構實際之配

置其包含七大主要部分涵蓋

1 Xenon光源與其保護座

1a Xenon光源電源裝置(power supply)

1b Xenon光源閃光(flash lamp)

2 入射光源單光器(excitation monochromator)

3 樣品放置槽(sample compartment)

4 發射光源單光器(emission monochromator)

5 偵測器[signal detector (photomultiplier tube)]

6 參考偵測器[reference detector (photodiode and current-acquisition

module)]

7 儀器控制電子元件(instrument control)

實驗之過程光源由圖中1部分發射而將螢光粉體置於樣品槽

43

內並置於圖中3之樣品放置槽圖中7為連接電腦控制藉由控制圖

中2與4之單光器則分別進行激發光譜與放射光譜之實驗由光電倍增

管放大(圖中5)而收集其中激發光譜可由圖中6偵測Xenon光源之訊

號並校正若進行比較發射光譜之絕對強度實驗過程則控制實驗之

時間於兩小時內完成此時期之光譜經穩定度量測誤差值座落於3

以內所得之發射光譜強度比較為可信之數值圖 212則為儀器之

實際外觀

圖211 光激發光光譜儀構造

44

圖212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀

246 拉曼散射光譜儀 (Micro Raman Scattering Spectrometer)

當光源照射於物質表面時光子會與物質之原子分子產生交互

作用造成能量之交換或動量之改變若無能量交換僅方向改變為

彈性碰撞稱為瑞立散射 (Reyleigh Scattering)若方向改變又有能量

交換為非彈性碰撞稱為拉曼散射 (Raman Scattering)當拉曼散

射光與物質相互作用時會與物質內之原子分子之振動頻率耦合

即可於入射光頻率之兩邊產生正或負之頻率位移此一頻率位移之數

值與物質內原子分子振動頻率相當此位移即為拉曼位移(Raman

Shift)此頻率位移可用下式表示

sυ υ υΔ = minus (26)

υΔ 代表拉曼散射光與入射光頻率差υ 代表入射光子之頻率 sυ 代表

散射光子之頻率

45

247 紫外可見光擴散式反射光譜(UV-Vis diffuse reflectance spectra

UV-

描範圍為200 nm至800 nm並以Spectra Calc

體收集光譜訊號

247

分光波被反射與散

另一部分光透過其餘之光才被物質吸收

Vis DRS)(72)

本研究乃將定量之粉末置於石英圓盤上再將其放置於樣品槽

相對於 BaSO4 作為參考物於室溫下以Hitachi-U3410紫外-可見光光

譜儀分析其擴散反射式光譜(diffuse reflectance spectrum)光譜掃描之

速率為120 nmmin掃

1 固態粉體之吸收光譜

吸收光譜顯示光照射於發光材料時其激發波長與材料所吸收能

量值之關係激發波長照射於發光材料時一部

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖

46

只有被吸收之光對材料之發光產生作用然而非每一被吸收光其

所有波長皆能引起激發作用因此研究吸收光譜可知哪些波長之激發

光被吸收吸收率為多少此對研究材料之發光過程為一重要課題

發光材料對光吸收公式可表達為

( ) 0( )K xI I e λ

λ λ (27)

式 27中I0(λ)為波長為λ之光照射至材料時之發光強度I(λ)為光

通過厚度為X之材料層後其發

minus=

光強度Kλ為吸收係數Kλ隨照射光波

長變

表面(圖 214)即使壓製成

錠依舊有部分光以散射釋出(圖 215)

化之曲線稱吸收光譜

因發光材料為粉末晶體故難以測出其吸收光譜一般則是測試

反射光譜用以確定其吸收光譜由 Kλ(吸收) = 1-Kλ(反射)得出材料之吸收

圖譜Kλ(反射)為被測材料之反射係數當其散射與穿透很小時可測得

然多數之物質其粉體非規則排列成一平整

粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚

度其公式如下

圖214 圖215

擴散式反射光譜儀則利用Schuster-Kubelka-Munk理論其中假設

無規則之反射光束

2(1 )( )2

R kF RR s

infininfin

minus= = (28)

infin

47

其中k為吸收係數s為散射係數一般量測與標準品相對之反射值Rinfin

而非量測絕對值之反射值其中標準品為白色固體粉末常見有KBr

用於IR(43500 ~ 400cm-1)波段BaSO4MgO作為紫外光至可見光波

段之標準品

圖216 Hitachi-U3410紫外-可見光光譜儀

248

於超高真

下操作故最好將樣品溶劑先行抽乾以免污染儀器

X射線光電子能譜儀( X-ray Photoelectron SpectroscopyXPS )

其原理為一束X光射線入射至樣品表面藉由光電效應將某一能

階之電子激發為光電子爾後經由分析光電子動能即可獲得關於表

面元素組成與元素之化學環境當數個原子鍵結成一化合物時其於

化合物中之結合能明顯與純原子時不同內核層電子之束縛能亦有不

同之變化即為一般之化學位移(Chemical Shift)分析束縛能之變

化便可獲得材料中之電子結構與化學鍵結之訊息其所造成之能譜

位移可用以區分不同氧化態之元素偵測深度約為5 nm (除氫元素外

皆可偵測)樣品製備將粉末樣品先行打錠經除水與抽真空之前

處理後送測放入儀器之樣品室中進行分析由於儀器是

48

24

分析與 TEM 等

結果

μ 表示材料單位厚度對X光之吸收則以式29以表示其相互之關係

9 X 光吸收光譜 (X-ray Absorption Spectroscopy XAS)(73)

同步輻射為接近光速之電子受加速度而產生之電磁波其可提供

連續波長可調能量範圍寬廣之光源並具光點小強度高與準直性

佳等特性近二十年應用同步輻射 (synchrotron radiation) 光源於 X

光吸收光譜之技術愈趨成熟使 X 光吸收光譜成為一項分析物質結

構之利器利用同步輻射光源對材料進行 X 光吸收光譜研究主要

包括 X 光吸收近吸收邊緣結構(X-ray absorption near-edge structure

XANES)與延伸 X 光吸收精細結構(extended X-ray absorption fine

structureEXAFS)其中 XANES 用於檢測材料中特定原子之電子組

態而 EXAFS 則測定原子之局部結構(local structure)可得知原子與

其鄰近原子間之距離種類及數目等X 光吸收光譜可發揮於原子短

程結構與電子組態上之優點與傳統 XRD 長程有序

相互配合可更加了解奈米材料之結構特性

當物質受到X光照射而吸收X光可用吸收係數 μ 表示其吸收之

程度若以I0表示入射X光之強度I 表示穿透光強度樣品厚度為 x

0 exp( )I I xμ= minus (29)

現象會隨X光能量增強而逐漸平

地降低構成吸收光譜之底線

若X光能量改變即使物質中之原子不吸收不散射等因素測得之

穿透光強度仍較入射光強度減小此

49

2491 X 光吸收近吸收邊緣結構 (X-ray Absorption Near-Edge

Structu XANES)

有關吸收原子之電子

組態價數及其所處晶格位置之對稱性資訊

re

當 X 光能量逐漸增強至物質中所含原子之吸收能量(absorption

edge)原子內層電子開始吸收 X 光之光子躍遷至外層之空軌域

造成吸收係數激增即形成 X 光吸收近吸收邊緣結構(XANES)於

吸收邊緣前與後各 30 eV 區域內之一些圖譜特徵包含吸收前緣之突

起躍昇區段上之肩部主峰之相對高度甚至吸收邊緣之位置(常

以躍昇段之第一個反曲點能量為視之)統稱為 XANES如圖 217

所示為 Ti K-edge 之 XANES 示意圖其可提供

圖217 Ti K-edge之XANES示意圖

50

25 染料敏化太陽能電池之組裝與特性分析

251

工作電極漿料之製作對於太陽能電池效率而言為最重要且最關

鍵之步驟本實驗採用奈米級粉體作為主要材料由於顆粒小其比

表面積大可使染料吸附量增加但如此微小粒子亦容易因凡得瓦

力庫倫力等發生團聚現象團聚現象對於粒徑小於 10 μm 之顆粒尤

其明顯因此於漿料之製備過程中必須透過機械攪拌及超音波震盪

等方式使其均勻分散本實驗漿料為參考 Seigo 等人於 2008 年所

發表之論文 製備首先秤取適量先前合成之二氧化鈦粉末加入配

ethyl cellulose分別為 5-15 mPas 與 30-50

mPas)膠體溶液松 terpineol)無水乙醇上述混合物置入單頸

瓶中激烈攪拌約 10 小時並減壓抽氣濃縮以去除乙醇再以超音

1 小時即完成漿料製備

252 導電玻璃清洗

[fluorine-doped tin oxide

FTO](尺寸23 x 30 cm)以中性清潔劑初步洗滌之後浸泡於丙酮溶

劑內並置於超音波震盪器內 10 分鐘丙酮可溶解油漬與黏膠卻

對 FTO 無影響可防止製備工作電極薄膜中出現裂痕及缺陷接著

使用去離子水同樣於超音波震盪下清洗玻璃最後再以乙醇於超音波

作用下洗滌乙醇可以溶解大部分之有機溶劑包括丙酮

璃之電阻)乙醇清洗完後將導電玻璃置入烘箱中以 70oC 烘烤 30

分鐘以去除殘餘有機物

3 電池組裝與特性測試

FTO 玻璃固定於網印機機台上利用網印法(如圖

FTO 玻璃上(工作電極面積

工作電極漿料配製

(74)

製好之兩種乙基纖維素(

油醇(

波震盪

首先將摻雜氟之二氧化錫導電玻璃

(會增加玻

25

(1) 將清洗完成之

218 所示)將製備好之漿料均勻塗佈於

51

複以上動作直到所

其表面於室

Black dye 溶液中放置

染料敏化太陽能電池有關組裝之詳細流程圖如圖 219 所示

需之膜厚或者所需要之雙層或多層結構設計

(2) 將鍍膜完成之工作電極置於 40 mM TiCl4 乙醇溶液中並置入 70oC

烘箱中 30 分鐘取出後以去離子水及乙醇交替潤洗

溫下乾燥後置於方形爐中 500oC 煅燒 30 分鐘

(3) 將製備好之工作電極薄膜浸泡於 02 mM

室溫暗室浸泡 24 小時使其自行吸附

(4) 待二氧化鈦電極吸附染料步驟完成後利用乙腈(acetonitrile)清洗

工作電極表面靜置乾燥後即可得已製備完成且吸附染料分子

之二氧化鈦薄膜電極首先將氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑

金屬之相對電極之空隙中再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結

合並防止氣泡產生以長尾夾固定既可完成此三明治結構之

圖 218 網印機塗佈示意圖

52

TiO2 (or TiO2Eu3+ ) powder

1 Screen printing on FTO (15Ωsq)

(A active=016cm2) 2 DryingRT 3 Gradually heated under an airflow at 325oC 5min 375oC 5 min 450oC 15min and finally at 500oC 15 min

1+ Two kind ethyl cellulose solution (5ndash15mPas and 30-50 mPas) + Terpineol + pure ethanol 2 Stirring10 hr 3 Rotary-evaporator (40oC) 50 min 4 Sonication 30 min

paste

Repeated until desirable Film thickness was obtained

TiO2 film FTO

1 Immersed in TiCl4 EtOH 70oC (30 min)2 Calcined 500 oC 30 min in air flow 3 Soaked in black dye (02 mM )

DyeTiO2 film FTO

1 Put the spacing film aside the TiO2 film2 Combined with sputtered Pt electrode3 Injected the ImacrI3- electrolyte

DSSC

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖

53

254 染料敏化太陽能電池性能測試

2541 電流電壓效率曲線(I-V curve)量測

於太陽能電池效率量測方面由於太陽光光譜將不斷變動因此

必須有一套國際量測標準目前國際上太陽能電池量測主要以美國

ASTM G-159 (Air Mass 15) 為主由於太陽光入射角度會隨著穿過

大氣層厚度之不同而隨之改變一般以大氣質量數 (Air Mass AM)

表示並規定太陽光在大氣層外直接垂直照射稱為AM 0太陽光與

地球表面夾角為90deg時稱AM 1而入射太陽光與地表之夾角為4819deg

時則為AM 15將完成之電池元件進行效能測試其光電轉換效率值

之檢測系統如圖 220 所示此檢測系統中為選擇300瓦(W)氙燈光源

模擬太陽光(AM 15)光源於開啟後須熱機10分鐘為避免檢測時因

光源不穩定而造成量測誤差並利用一標準單晶矽電池(效率值約為

1173 )以調整入射光源強度為100 mWcm2

將電池置於待檢測位置接上正負電極後利用電源電錶儀

(Keithley 2400) 控制輸出電壓並量測輸出電流值以獲得電流-電壓

曲線(I-V Curve)並藉由所得之I-V Curve圖中可獲得開路電壓(Voc)

閉路電流(Isc)填充因子(FF)與光電轉換效率(η)等評估電池效能之參

數其中短路電流乃指太陽能電池於無負荷狀態下外部電路短路

時之輸出電流此時電壓為零於理想之狀態下太陽能電池之短路

電流即等於照光時所產生之光電流而開環電壓即為太陽能電池於負

載無限大之狀況下為外部電流斷路時所量到之電壓此時之輸出電

流為零轉換效率可定義如下

max ( )P Isc Voc FPin Pin

η Ftimes times= = (210)

其中 Pin 為入射光功率FF因子定義為電池輸出最大功率

54

(Pmax)與理想最大功率之比值關係如下

max max max P I VF FIsc Voc Isc Voc

times= =

times times (211)

由上式可知此 FF 值為表示太陽能電池電壓電流表現與理

想行為間之差異此值受電池內部串聯並聯電阻工作溫度照光

強度等影響

圖220 電池光電轉換效率值檢測系統

圖221 太陽能電池I-V 特性曲線示意圖

55

2542 入射單色光之光電轉換效率量測(incident photon to current

convers-ion efficiencyIPCE)

IPCE 為單位時間內外電路中產生之電子數目 Ne 與單位時間內

入射單色光光子數目 Np 之比如其理論計算式為

2 2 [1240 ( )] [ ( ) ( )] 100SC incIPCE J A cm nm I w cmλ= times times times (212)

式中 JSC 為短路電流密度λ為入射光之波長Iinc 為入射光強度

從式中可看出奈米多孔膜(如TiO2)之比表面積越大吸附染料分子

越多光吸收效率就越高光電轉換效率測定系統可得到單一波長之

光電轉換效率根據此數據可瞭解整個光譜裡不同波長範圍之光對

電流之貢獻得到 IPCE 對波長之光譜與吸收光譜不相同因既

使能吸收光亦未必能有效轉換成電流本量測系統涵蓋以下主要組

(1) 光源500 W Xe lamp能發射全波長之光

(2) Water filter過濾光源發出之紅外光減少紅外光引起之熱

(3) 單光器(monochromator)以光柵選擇波長並投射至樣品

(4) 光強度偵測器偵測投射波長之強度

(5) 定電位定電流儀Keithley 2400用以讀出電流訊號

待測樣品經過不同波長之光照射時會反映出不同程度之光電流經

定電位定電流儀讀出電流值並記錄下來本實驗每隔10 nm 之波長

記錄電流值範圍從 350 nm 至1000 nm紀錄所有之電流值後再

經光強度偵測器量測各波長光線之能量將電流與光能量帶入式

212計算後即可得到各波長光線之光電轉換效率IPCE ㄧ般亦反

映至電池總效率上IPCE 越大則效率越高

56

圖222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖(75)

2543 電化學阻抗分析(Electrochemical impedance spectroscopy

EIS)(76)

交流阻抗定義

阻抗 = 電壓電流

交流阻抗定義阻抗 = 電壓電流 ( ( )( )

V fZI f

= )

其中電壓與電流之值會隨著頻率( f )變動而改變阻抗其實是由實部

阻抗(Zrsquo)與虛部阻抗(Zrdquo)所構成表示法為 Z Z jZ= minus

其中 Z 實部阻抗(real impedance) Z 虛部阻抗(imaginary impedance)

j = 1minus 而 Z Z Z θ (相角)之間關係如圖 223 所示

57

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

圖 223 Z Z Z θ 之間關係圖

交流阻抗測量過程如下

施加一小振幅之交流電壓(大多為正弦波訊號)使電極電位於平

衡電極電位附近微擾當達到穩定狀態後測其響應電流訊號之振幅

(magnitude)及相(phase)進而求得阻抗(impedance)然後依據所設

想之等效電路(equivalent circuit)透過阻抗圖譜之分析以及 Z-plot 程

式進行參數擬合精算以求出電極之動力學參數測量方式將組裝

好之電池於光源之持續照射下達到一穩定之電壓以電化學分析

儀(CHI 611C)測量選擇「AC Impedance」模式給予一個振幅為

10 mV 之交流電壓掃描頻率設定為 105 Hz 至 005 Hz

(a)

58

(b) high

medium low

圖 224典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖(77)

從典型之電化學阻抗圖譜可於奈氏圖(Nyquist plot)觀察到三個

半圓形之訊號參照圖 224b 依序從左至右分為高頻區 (high

frequency)中頻區(medium frequency)低頻區(low frequency)其所

分別代表之意義為(參照圖 224a )

高頻區電子於白金相對電極與電解質介面(Pt-FTOElectrolyte)之間

之傳輸阻抗

中頻區電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗

低頻區碘三負離子(I3minus)於電解質中之擴散阻抗

於經過電化學阻抗測量之後所得到之圖譜參考 Wu 等人之文獻

(78)設想之等效電路如圖 225 所示

59

FTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSCFTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSC

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

keff

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

EIS raw rata - P25 TiO2 (12 μm)

magnitude

phase

|Z| = ( |Zrsquo| 2 + |Zrdquo| 2 )12

θ = tan-1 ( |Zrdquo| |Zrsquo| )

=gt |Zrsquo| and |Zrdquo|

input output derived

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析

60

經過電化學阻抗分析過後原始數據如圖 226 所示經由等效

電路假設之後並進一步使用 Z-View 軟體效正並參考 Adachi 等人(79)

所發展之模式可以得到下列參數

(1) L (μm) 電極膜厚 (film thickness)

(2) keff (s-1) 電子再結合速率常數 (reaction rate constant for

recombination)

(3) τ (s) 電子壽命 (lifetime of electrons)

(4) Rk (Ω) 電子再結合之電荷傳導電阻亦即暗反應電阻

(charge-transfer resistance related to recombination

of electron )

(5) Rw (Ω)電子於 TiO2 中之傳導電阻 (electron transport

resistance in TiO2)

(6) Deff (cm2s)有效電子擴散係數 (effective electron diffusion

coefficient)

(7) Ln (μm) 電子擴散長度 (electron diffusion length)

其中 τDeffLn(7879)可以由下列公式求得

1 effkτ = (213)

2

( ) (keff

w

R LDR

= times (214)

( )nL Dτ= times eff (215)

61

26 量子點敏化太陽能電池之組裝

261 硒化鎘 (CdSe) 量子點之製備

(1) 取051克之氧化鎘(cadmium oxide CdO)與3克之油酸(oleic acid

OA C17H33COOH)溶入126 mL之1-十八烷烯(1-Octadecene

C18H36)中配製成A溶液

(2) 取 13 mmol之硒粉( selenium Se)與 05克之三正辛基膦

( tri-n-octylphosphine (C8H17)3P )溶入 10 mL 之 1- 十八烷烯

(1-Octadecene C18H36)中以磁石持續攪拌1小時配製成B溶

(3) 將A溶液與磁石置入三頸瓶中以每分鐘280轉之速率攪拌並以

25 mtorr之氮氣去除瓶中之剩餘空氣

(4) 將三頸瓶以每分鐘5oC之升溫速率將溫度升高至200~205oC溶

液之顏色將呈現淡黃色透明澄清溶液接著繼續升溫至280oC

(5) 接著將B溶液以針筒迅速注入三頸瓶中注入完畢開始計時達

到反應時間即離開熱源溶液顏色將從淡黃色透明澄清變化成橘

紅色澄清溶液

(6) 將溶液加入乙醇中以每分鐘10000轉之轉速離心10分鐘數次

即可完成CdSe-OA量子點並保存於己烷中

詳細配製流程如圖227所示

62

CdO and Oleic Acid(OA) were dissolved in 1-Octadecene

Heated to ~205oCuntil the color of solution turn to transparent colorless then the temperature was increased to 280oC

Injection of SeTOP solution and stop heating (in 2 min)

The CdSe nanoparticles were precipitated using EtOH and then kept in hexane

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖

63

262 硒化鎘 (CdSe) 量子點之改質 (Ligand exchange)

(1) 將02 mmol之巰基丙酸(mercaptopropionic acidMPA)溶入30 mL

之甲醇中並以四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium hydroxide

in methanolTMAOH)滴定調整溶液pH值至114

(2) 將溶液置入三頸瓶中於氮氣之環境下加熱至55oC

(3) 將保存於己烷中之硒化鎘量子點加入甲醇以每分鐘10000轉之速

率離心十分鐘重複三次

(4) 取約2 mL之MPA溶液再取40毫克之硒化鎘溶入溶液中再倒回

三頸瓶

(5) 將三頸瓶溫度加熱至65oC並以鋁箔包覆三頸瓶使溶液於黑暗

中反應20小時

(6) 接著將溶液與ethyl acetate以21之比例混合再將混合溶液與

Hexane以11混合以每分鐘10000轉之速率離心十分鐘重複2

至3次即可得到CdSe-MPA之量子點

詳細配製流程如圖228所示

64

02 mmol of MPA was dissolved in 30 mL of anhydrous methanol and pH-adjusted to 114 by addition of TMAOH

Heated to 55degC and than added to a vial containing approximately 40 mg of CdSe

Heated to 65degC and refluxed for approximately 24 hrs under nitrogen gas in the dark

The nanocrystals were isolated by addition of ethyl acetate to induce flocculation

The CdSe nanoparticles were precipitated using methanol

The CdSe nanoparticles were stored in toluene

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖

65

263 量子點敏化電池之組裝

(1)利用與 253 節中相同之方法製備工作電極薄膜並先將工作電

極浸泡純MPA溶液4小時取出後立刻將其浸泡入之前合成之硒化

鎘甲苯溶液靜置一天之後取出先以甲苯沖洗去除未吸附之多

餘奈米粒子再利用乙腈(acetonitrile)清洗工作電極表面靜置乾燥

後即可得已製備完成且吸附量子點之二氧化鈦薄膜電極

(2)再氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑金屬之相對電極之空隙中

再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結合並防止氣泡產生以長尾

夾固定既可完成此三明治結構之量子點敏化太陽能電池

附註

(1) 電解液配製

二甲丙基咪唑碘(dimethyl propyl imidazolium iodide ) 06 M 碘化鋰

(lithium iodide LiI) 01 M 碘 (iodine I2) 005 M 及第三丁基吡啶

tert-butylpryidine (05 M) 溶於乙腈(acetonitrile)中

(2) 染料溶液配製

Solaronix 公司 black dye 02 mM 及脫氧膽酸 (deoxycholic acid DCA)

20 mM 溶於乙醇 (ethanol)中

66

第三章 結果與討論

本研究之重點於利用兩種不同合成方法製備 TiO2Eu3+工作電極

材料並探討其運用於染料敏化太陽能電池之效應前者使用

Ti(OC4H9)4溶膠為合成二氧化鈦之前驅物與 Eu2O3為摻雜 Eu3+來源

以溶膠凝膠法與水熱法合成 TiO2 奈米粒子後者使用商用二氧化鈦

粉末(Degussa P25)為合成二氧化鈦與 Eu(NO3)35H2O 為摻雜 Eu3+

來源直接利用水熱法合成粉末針對兩系列工作電極材料之晶體結

構與光譜特性進行不同目的之階段分析分別敘述如下

第一階段為材料結構鑑定分析

(1-1) X-光繞射光譜儀(X-ray diffraction XRD)

(1-2) 結構精算(Refinement)

(1-3) 掃描式電子顯微鏡(SEM)

(1-4) 穿透式電子顯微鏡(Transmission electron microscope TEM)

(1-5) 氮氣等溫吸附與脫附儀(BET)

第二階段為光譜特性分析

(2-1) 光激發光譜(PL)

(2-2) 拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum)

(2-3) 紫外 ‐可見光擴散式反射光譜 (UV-Vis diffuse reflectance

spectra UV-Vis DRS )

(2-4) X 射線光電子能譜儀(XPS)

(2-5) X-光吸收光譜(X-ray absorption spectroscopy XAS)

第三階段為太陽能電池特性分析

(3-1) 太陽能電池 I-V 曲線效率量測(I-V curve)

(3-2) 入射單色光之光電轉換效率量測(IPCE)

(3-3) 電化學交流阻抗分析(EIS)

67

31 TiO2Eu3+ 材料結構鑑定分析

311 晶體結構分析

天然二氧化鈦為 n 型半導體於分子之結構中屬閃鋅晶格其中

鈦原子具 22 個電子以外圍 3d 軌域之 4 個價電子與氧原子形成共

價鍵 (Covalent Bond)自然界中二氧化鈦以銳鈦礦(Anatase)金紅

石 (Rutile)與板鈦礦 (Brookite)三種結晶組態存在其中最常見與最

廣泛使用的為前面兩種組態後者則極為罕見圖 31 為典型銳鈦礦

(Anatase) 之晶體結構圖屬四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα

=β=γ=90deg其空間群(space group)為 I 41amd其中 I 表體心晶格

(Body centered unit cell)41a 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 41旋移

軸(screw axis)即平行 c 軸旋 360deg4 = 90deg後平移 14 晶軸距離且

於垂直[001]方向具一 a 軸之旋移面(glide plane)m 表垂直[100]或[010]

方向具一鏡面(mirror plane)d 表垂直於[110]或[1-10]方向具一沿 c

軸移動之鑽石射移面(diamond glide plane)而圖 32 為典型金紅石

(Rutile) 之晶體結構圖為四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα=

β=γ=90deg其空間群為 P 42mnm其中 P 表簡單晶格(primitive cell)

42m 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 42旋移軸(screw axis)即平行 c

軸旋轉 360deg4 = 90deg後平移 24 晶軸距離且於垂直[001]方向具一反

射面n 表垂直[100]或[010]方向具一斜角射移面(diagonal glide)末

項之 m 表垂直於[110]或[1-10]方向具一反射面雖此兩種晶相皆是以

TiO6八面體鍵結而成然而 Ti-TiTi-O 鍵長與氧鍵結數不同等差異

造成兩相之質量密度(mass density)與電子組態皆相異

68

圖 31 TiO2銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖

圖 32 TiO2金紅石(Rutile)相晶體結構圖

69

3111 TiO2Eu3+ (TBT 系列) XRD 分析

此系列工作電極粉體以溶膠凝膠法與水熱法進行合成並添加

銪(Eu)為活化劑其主體晶格為二氧化鈦(TiO2)如圖 33 所示為 TBT

系列 TiO2Eu3+之 XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu含量自 x = 0 增

至 x = 005於 X-光繞射圖譜得知隨 Eu 濃度增加粉體皆呈現 TiO2

銳鈦礦 (Anatase) 之相若以離子半徑大之原子取代於主體晶格中原

子半徑小之原子故主體晶格將擴張其面間距(d)增加並根據布

拉格繞射公式 2 sind nθ λ= 可知繞射角度(θ)亦減小於圖 33 XRD

圖譜中銳鈦礦繞射面(101)之主繞射峰並無位移初步判斷為低濃

度取代之緣故而較多數文獻(80)之論點則因 Eu3+之離子半徑約為 108

Aring而 Ti4+之離子半徑約為 068 Aring兩種離子半徑差異頗大造成利

用溶膠-凝膠法與水熱法等軟性合成法並不易將 Eu 直接取代 TiO2 晶

格中 Ti 之位置故無法於使二氧化鈦晶格擴張此論點於 GSAS 結

構精算結果中將再次討論

20 30 40 50 60

A(211)A(105)A(200)A(004)

Ti1-xO2Eux (TBT)

JCPDS089-4921

x = 0015

2 θ (degree)

Inte

nsity

(au

)

x = 0

x = 00075

x = 002 x = 0025 x = 003

x = 004

x = 005Anatase

A(101)

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜

70

為計算合成粉體之粒徑大小根據晶體學 Scherrer equation(如式

31) (81)其中 D 為粒徑大小 (crystal grain size)k 為無單位常數 09

λ為 Cu Kα1之波長 015405 nmβ為圖譜中最強之繞射峰(101)之半高

寬θ為繞射角度 254o之半

coskD λ

β θ= (31)

計算不同 Eu 摻雜量其粒徑大小分布如圖 34 所示顯示隨著 Eu 摻雜

量增加粒徑大小隨之縮小至 x = 004 時達至飽和穩定研判為

Eu3+雖難取代 TiO2 中 Ti4+位置卻可能於晶格表面或空隙中形成

Eu-Ti-O 鍵結進而限制其晶格成長(82)而觀察此 TBT 系列粒徑分布

由 9~20 nm 範圍屬微小奈米粒子形成微小粒徑之因可由生成機制

說明此系列樣品由溶膠凝膠法將鈦酸四丁酯 (Tetrabutyl titanate) 水

解形成加入硝酸使生成環境處於 pH 小於 2故此過程須將鈦醇前

驅物於酸催化下水解縮合而成而三維聚合體骨架 (polymeric

skeletons) 於低含水與低水解速率下將由於 Ti-O-Ti 之鍵結逐漸形成

而更緊密堆積因此造成微小奈米粉體之形成(8384)

-001 000 001 002 003 004 005 0068

10

12

14

16

18

20

22

1027978

13241439

16781722

1934

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

) Ti1-xO2Eux(TBT)

2176

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖

71

為更進一步瞭解稀土離子摻雜進入二氧化鈦後之確切晶體結構

與精細結構變化本研究利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進

行結構精算精算過程中以 ICSD-93098 為起始模型此為空間群

I 41amd 之銳鈦礦 TiO2各原子之熱振動參數設定為等方向性

(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為 1且相同格位之

原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖 35 為 TBT 系列

Ti097O2Eu0033+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構精算所獲得之

XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理論擬合曲線

下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置以及下方藍

色實線表為理論值與實驗值之誤差

由 GSAS 結構精算結果得知如表 31a 所列TBT 系列 Eu3+

摻雜 TiO2結構之空間群仍屬於 I 41amd其中 Eu3+取代四配位之 Ti2+

位置較為合理其信賴指數為 χ2 = 237Rwp = 598與 Rp = 482

可得知樣品之結晶性良好其晶型之結晶程度好壞對往後染料敏化太

陽能電池光電轉換效率之優劣有決定性之影響晶格參數為 a = b =

37835 (6) Aring 與 c = 94945 (17) Aring晶格體積為 13591(4) Aring3根據

Vegard(85)定律固態材料因摻雜不同大小離子半徑之元素使其結構

產生膨脹(expansion)或壓縮(compression)效應而直接影響其晶格大

小與體積之變化根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較(表

31b)晶格體積並無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之

Eu3+離子(095 Aring)難以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與上述 XRD

結果吻合

72

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

圖 35 TBT 系列 Ti097O2Eu0033+粉體 X 光繞射結構精算圖

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

0000000

0000000

0245966

0338408

-0023401

0182541

1000000

1000000

261

382

Space group I 41amd (tetragonal) Cell Parameter

a = b = 37835 (6) Aring c = 94945

(17) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13591(4) Aring3

Reliability Factors χ2 = 237 Rwp = 598 Rp = 482

73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參數

Eu

ratio(x) a(A) b(A) c(A) Volume(A) Rp() Rwp() χ2

0 37809(18) 37809(18) 94795(9) 13551(16) 51 61 20300075 37805(18) 37805(18) 94796(9) 13548(16) 53 66 2270015 3790723) 3790723) 94839(11) 13628(20) 72 85 239002 37806(33) 37806(33) 94737(17) 13540(29) 62 75 2450025 37805(12) 37805(12) 94420(23) 13495(7) 52 61 185003 37835 (6) 37835 (6) 94945(17) 13591(4) 48 60 237004 37868(5) 37868(5) 94868(15) 13604(34) 63 79 279005 37772(24) 37772(24) 95012(6) 135557(15) 42 52 184

3112 TiO2Eu3+ (P25 系列)

此系列工作電極粉體為利用水熱法合成以添加銪(Eu)為活化

劑其主體晶格為二氧化鈦如圖 36 所示為 P25 系列 TiO2Eu3+之

XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu自 x = 0 增至 x = 01於 X-光繞

射圖譜得知隨 Eu 濃度增加與前一 TBT 系列比較不同之處為粉體

所呈現為 TiO2 銳鈦礦(Anatase)與金紅石(Rutile)兩項共存(之後亦利

用結構精算驗證此結果)其中以銳鈦礦(Anatase)所佔比例為多數

爾後分析將針對兩項比例作計算依據圖 36不同 Eu3+摻雜量之系

列樣品並無發現明顯之 Eu2O3或 Eu 與 Ti 複合氧化物之繞射峰出現

此為由於 Eu3+均勻分散於 TiO2晶體之表面所致(86)其主相 anatase 於

(101)處之繞射峰亦無明顯位移產生其為離子半徑差異較大之因

研判 Eu3+並無直接取代 TiO2晶格中 Ti4+之位置以 Scherrer equation

計算之粒徑大小分布如圖 37 所示文獻(87)曾報導由於金紅石(Rutile)

晶體結晶性較銳鈦礦(Anatase)為差也因此粒徑相對較小本實驗經

過 Eu 摻雜後之樣品雖將提高銳鈦礦(Anatase)相之比例(將於後文說

74

明)但由圖 37 可得知此兩相比例差異之影響對於晶格成長之限制不

大初步判斷為此系列以商用粉 P25 為前驅物進行水熱法過程中

摻雜之 Eu3+座落於晶體表面主晶體二氧化鈦並不會進行分解

(decompose)再結晶

20 30 40 50 60

R(1

01)

R(1

10)

A(1

05)

A(2

11)

A(2

00)

A(1

12)

A(1

03)

A(1

04)A

(101

)

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

x = 0

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0025x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015Anatase

Rutile

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜

000 005 010 015 0208

10121416182022242628

238237236238246248

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

)

Ti1-xO2Eux(P25)

253

圖 37 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布

75

本系列亦利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進行兩相結構

精算精算過程中銳鈦礦(Anatase)以 ICSD-202243 為起始模型而

金紅石(Rutile)則以 ICSD-202241 為起始模型各原子之熱振動參數

設定為等方向性(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為

1且相同格位之原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖

38 為 P25 系列 Ti09O2Eu013+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構

精算所獲得之 XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理

論擬合曲線下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置

以及下方藍色實線表為理論值與實驗值之誤差由 GSAS 結構精算結

果如表 32 所列P25系列 Eu3+摻雜 TiO2結構之空間群屬於 I41amd

之銳鈦礦與 P42mnm 之金紅石兩相共存其精算信賴指數為 χ2 =

185Rwp = 61 與 Rp = 52 銳鈦礦之晶格參數為 a = b = 37850

(33) Aring 與 c = 94950 (9) Aring晶格體積為 13603 (21) Aring3 金紅石之晶

格參數為 a = b = 45867 (0) Aring 與 c = 29540(0) Aring晶格體積為 6215

(0) Aring3根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較晶格體積亦

無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之 Eu3+離子(095 Aring)難

以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與 XRD 結果吻合亦與 TBT

系列結果相同

藉由 XRD 分析並根據 Spurr 與 Myers 所發展之理論(88)銳

鈦礦(Anatase)特徵峰A (101)與金紅石(Rutile)特徵峰R(110)兩結

晶面之強度可計算出異相態比例由方程式32a與32b

(32a ) 1

(1 08( ))RXA RI I+

=

1A RX X= minus (32b )

式中XA 為銳鈦礦之重量百分比XR 為金紅石之重量百分比IR 為

76

金紅石 X-ray 於(110)之繞射峰強度IA 為銳鈦礦X-ray 於(101) 之

繞射峰強度由此式計算出此系列樣品之兩相比例與利用 GSAS 結

構精算後得出之兩相比例比較如表33所示可知藉由兩種計算方法

所得之結果相近未經 Eu 摻雜之樣品(x = 0)所得銳鈦礦與金紅石之

重量百分比與一般文獻所記載此系列合成前趨物 Degussa P25 二氧

化鈦之兩相重量百分比(銳鈦礦75 金紅石25 )(89)接近而透過 Eu

之摻雜具效提升銳鈦礦之重量百分比此與 Setiawati 等人(90) 於期

刊中發表透過稀土元素(EuSm)之摻雜於高溫燒結過程中將有

效抑制金紅石相之生成進而增加銳鈦礦之穩定性之結果吻合以染

料敏化太陽能電池而言使用銳鈦礦晶相小粒徑高比表面積之

TiO2 粉末較有利於製造多孔薄膜電極時表現出高光電轉換效率

之特性而由於一般商業二氧化鈦粉末於高溫 (約700至900oC) 時會

產生相變(Anatase變至Rutile)因此於塗佈多孔薄膜工作電極後固

化之燒結溫度應避免高於轉相溫度

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

77

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

Ti

O

0000000

0000000

0000000

0304690

0250000

0250000

0000000

0304690

0375000

0170031

0000000

0000000

1000000

1000000

1000000

1000000

241

184

250

250

Space group (A) I 41amd (tetragonal)

(R) P 42mnm (tetragonal)

Reliability Factors χ2 = 185 Rwp = 61 Rp = 52

Cell Parameter

(Anatase)

a = b = 37850 (33) Aring c = 94950

(9) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13603 (21) Aring3

(Rutile)

a = b = 45867(0) Aring c = 29540(0) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 6215 (0) Aring3

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果

Ti1-xO2Eux3+ x=0 x=0025 x=005 x=0075 x=01 x=0125 x=015

Anatase(wt ) 751 817 849 839 853 836 849

Rutile(wt ) 249 183 151 161 147 164 151

Anatase(wt

)

753 824 853 835 849 834 847

Rutile(wt ) 246 176 147 165 151 166 153

GSAS refinement results

78

312 晶體表面形貌分析

3121 SEM 與 TEM 粉體形貌分析

此部分討論透過掃瞄式電子顯微鏡與穿透式電子顯微鏡觀察所

合成粉體之表面形貌以及粒徑大小分布將結果與 XRD 與 BET 所得

結果作比較如圖 391 (a)~(b)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+中 x = 0 以及

x = 003 之 SEM 影像由圖中可察覺所合成樣品皆為無孔洞表面光

滑之粉體與文獻中(89)未製成工作電極前之二氧化鈦形貌相符透過

Eu 摻雜改質後相較於未摻雜樣品粒徑似乎有縮小之趨勢此與 XRD

所得結果吻合而相較於 TBT 系列圖 392(a)~(d)顯示 P25 系列於

不同 Eu 摻雜量時之粉體 SEM 圖由圖中顯示樣品仍為無孔洞表

面光滑之粉體然而透過 Eu 之摻雜粒徑大小並無明顯改變約略

於 23~25 nm 之間此與 XRD 所計算出結果相符

但若欲進一步測量其準確粒徑分布須透過TEM量測放大倍率作

觀察圖310(a)~(f)為TBT系列 Ti1-xO2Eux3+ 中 x = 0~004 之TEM

影像由圖中可察覺粉體顆粒大小均勻形狀近似圓球狀影像中

並無顯示類似之添加稀土金屬晶相結果皆與SEM吻合其由於TEM

影像中顏色較深暗之部分表示本實驗所配製之粉體具聚集堆積之

情形推測可能為此TEM實驗製備方法中只單純將粉體分散於純乙醇

內並無額外加入任何分散劑而造成粉體顆粒產生團聚現象因此

由圖中所觀察之粉體大小可能為二次粒徑但由於系列樣品中其隨

著Eu3+摻雜量增加可明顯觀察至其粒徑亦隨之變小此結果將配合

BET之結果加以討論

79

(b) (a)

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+SEM 圖放大倍率皆為 100k圖(a)為

x = 0圖(b)為 x = 003

80

(b) (a)

(d)

(c

圖 392 (a)~(d)為 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為

100k圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)為 x = 015

81

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(a) (b)

(c) (d)

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(f) (e)

20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm

圖 310 (a)~(f)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+TEM 圖放大倍率皆為 200kx

(a) x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f) x = 004

82

3122 氮氣等溫吸附與脫附分析(Brunauer -Emmett-TellerBET)

31221 TBT 系列粉體 BET 分析

分析所合成之工作電極粉體其表面形貌以及比表面積分布本研

究針對樣品進行氮氣等溫吸附與脫附分析氣體吸附法測定比表面積

之原理為依據氣體於固體表面之吸附特性於一定之壓力下被測

樣品顆粒(吸附劑)之表面於超低溫下對氣體分子(吸附質)呈現可

逆之物理或化學吸附作用於某一壓力下其存在相對應之平衡吸附

量通過測定出該平衡吸附量並藉由理論模型以等效求出被測樣品

之比表面積由於實際顆粒外表面之不規則性嚴格來講該方法測

定之結果為吸附質分子所能到達之顆粒外表面與內部通孔總表面積

之和

圖 311(a) ~ (g)為 TBT 系列樣品針對不同 Eu 摻雜濃度之工作電

極粉體所測之 BET(Brunauer-Emmett-Teller)等溫吸附法之結果藉由

遲滯迴圈之範圍及形狀可輔以判斷孔空形狀與大小此系列樣品之氣

體吸附曲線依 IUPAC 定義於 x = 0即無 Eu 摻雜時由於其於高

相對壓力(relative pressure PsPo)時遲滯迴圈不明顯故推測屬於第

二型第二型通常為無孔材料或孔徑較大之材料配合 SEM 圖判斷

應為無孔材料顯示合成之粉體其表面光滑完整而隨著 Eu 之摻雜

量之增加氣體吸附曲線於高相對壓力出現些微遲滯迴圈現象推測

屬於第四型中孔洞材料但由 SEM 判斷粉體仍無中孔洞材料現象

為完整平滑之粉體初步判斷造成中孔洞原因為粉體堆疊時所產生之

空隙造成且遲滯迴圈較為垂直故應為規則之球體陣列間孔洞造

成而經由 BET 程式計算此 TBT 系列樣品之比表面積顯示隨著

Eu 含量之增加其比表面積亦隨之增加於 Eu 摻雜量至 x = 004 時

達至飽和此結果與 XRDTEM 結果吻合隨著 Eu 含量之增加

83

由於粒徑因為 Eu-Ti-O 鍵結產生造成晶體成長受限而隨之粒徑變

小因此造成比表面積隨之增加圖 312 為 Eu 不同摻雜量與比表面

積之關係圖

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0015)

V

olum

e ad

sorb

ed (c

m3

g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=002)

Absorption process Desorption process

(c)

84

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=003)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(d)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=004)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

050

100150200250300350400450500

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=005)

Absorption process Desorption process

(e)

(f)

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖

85

000 001 002 003 004 00570

80

90

100

110

120

130

140

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

789

9821027

1076

1328

1266

圖 312 TBT 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

31222 P25 系列粉體 BET 分析

圖 313 為 P25 系列樣品於不同 Eu 摻雜濃度下所測定 BET

(Brunauer -Emmett-Teller)等溫吸附法之結果與 TBT 系列比較依

IUPAC 之定義配合 SEM 與 TEM 之結果此系列樣品仍為無孔洞

之奈米材料且其高相對壓力處遲滯迴圈之形狀與 P25 標準圖譜相

近可判斷於此系列中經由 Eu 之摻雜後於表面形成之 Eu-Ti-O 之

鍵結較弱因此限制晶格成長現象較不明顯此結果與 XRD 粒徑大

小分布趨勢吻合

86

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPO)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0075)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=015)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

(c)

圖 313 (a)~(c) P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之 BET 圖

87

000 005 010 015

0

10

20

30

40

50

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

333

477 509

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

32 TiO2Eu3+ 粉體光譜特性分析

3211 光激發光譜分析(PL)

以 Eu3+作為活化中心之紅色螢光粉研究已屬豐碩而藉由主體晶

格之變異進而整齊發光特性而先前亦具 Eu3+摻雜入 TiO2 之研究

但多數為薄膜製程以探討其光電與觸媒特性本研究亦透過光激發

光譜之分析藉以探討不同 Eu3+濃度摻雜之粉體其發光特性與機制

Zou 等人(91)於 2006 年之研究指出由於其間接傳遞之特性TiO2

之塊材(bulk)於室溫下並無放光僅於 77 K 時於 500 nm 處具微

弱放光習知 Eu3+離子之激發光譜具以下三種特徵第一種為主體晶

格吸收以 Y2O3 Eu3+為例於激發波長(≦230 nm) 存在 Y2O3之主

體晶格吸收第二種為電荷轉移躍遷(charge transfer transition)為

Eu3+-O2-之間電荷轉移所產生之躍遷其常為寬帶譜此特徵峰一般

88

介於 250 ~350 nm(92 - 94)第三種為 f-f 軌域之躍遷此為 300~500 nm

之間 Eu3+離子之 4f 軌域相互躍遷所造成之特徵吸收峰如圖 315 所

示為摻 Eu3+離子之 TiO2光激發光譜圖與放射光譜圖於 612 nm 作

放射波長下之激發光譜中最強吸收峰為 394 nm其為 7F05L6軌域

電子躍遷其中由左至右亦包含 7F016D4(384 nm)7F0

5G2(380

nm)7F05D3(414 nm)7F0

5D2(464 nm)之吸收峰值故吸收峰皆為

4f 軌域之內層電子躍遷(95)並無上述之主體晶格吸收或電荷轉移等

現象其乃因 Eu3+-O2-之間共價性太低但電荷轉移所需能量太大

故不易發生再者因電荷轉移吸收帶與主體晶格能隙重疊故產生

能量移轉電荷轉移吸收帶吸收之能量移轉至主體晶格爾後以非發

光形式釋放

於 394 nm 激發並測其放射光譜最強之放射波長為 612 nm隨

濃度改變此一最強放射峰值並無任何改變此為 5D07F2軌域電子躍

遷且三價稀土離子佔據晶格之非對稱中心時非對稱中心之晶格場

對 J = 0 2 之躍遷特別敏感故此躍遷亦稱為強制電偶極躍遷(forced

electric-dipole transition)而磁偶極躍遷(magnetic-dipole transition)一

般不受發光中心周圍結構對稱性之影響5D07F1即屬於此類自左

至右分別為 5D07F0(580 nm)5D0

7F1(592 nm)5D07F4(652 nm)

觀察激發放射光譜圖 315 之放射峰皆為 5D07FJ之電子躍遷即自激

發態之最低能階躍遷至基態而無較高能能階激發態之躍遷其乃複

合聲子弛緩過程(multiphonon relaxation process)(96)所致

89

350 400 450 500 550 600 650 700

00

30x106

60x106

90x106

12x107

15x107

5DJ-7FJ

414

(7 F 01

-6D

3 )

384

(7 F 01

-5 Gj5 L

7)

535

(7 F 01

-5 D3

)

394

(7 F 01

-5 L6 )

λem= 612 nm

464

(7 F 01

-5 D2 )

592

(0-1

)58

0 (0

-0)

652

(0-4

)

Ti097O2 Eu0033+

612

(0-2

)

λex= 394 nm

Inte

nsity

(au

)

Wavelength(nm)

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖

由於本研究為藉由經由工作電極摻雜 Eu3+而使其放紅光並給與

染料吸收以加強其效為提供染料 Black dye 更多之紅光可利用 Eu

摻雜濃度對於發光強度之關係加以討論由圖 316 中可發現 TBT 系

列中隨著 Eu3+離子摻雜濃度由 x = 0 變化至 x = 005其發光強度隨

活化中心 Eu3+濃度增加而增強爾後摻雜濃度高於 x = 003 時強度

卻隨逐漸衰減而 P25 系列中最高發光強度時之摻雜量則為 x = 01

時 此現象為濃度淬滅效應(concentration quenching)所造成此淬減

效應產生可能因素有二

(1) 自身吸收(self-absorbing)或自消光(self-quenching)效應如同液態

螢光之現象固態溶液於高活化中心濃度時吸收物種平均距離縮減

90

使活化中心產生之螢光為另一活化中心所吸收致使發光強度減弱

(2) 能量傳遞至非放光中心 使能量損耗導致發光效率降低

Frindell 等人(97)所發表之文獻中將 Eu 摻雜入非結晶相 TiO2薄膜所

形成非傳統之發光性薄膜其觀點為放光來源為 Eu-Eu 離子間之能

量傳遞其放光濃度淬滅效應與本研究之觀點一致皆為自消光所造

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖

圖 317 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL 光譜圖

500 550 600 650 700

00

20x106

40x106

60x106

x(content)

Ti1-xO2Eux(P25)

0150125

010075

0050025

0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 464 nm

500 550 600 650 700

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

Ti1-xO2Eux(TBT)

005004

0030025

0020015

00075 0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 394 nm

91

而圖 319 與圖 320 分別為兩系列不同 Eu 摻雜量激發光譜(PLE)

之比較可觀察 TBT 系列樣品於 612 nm 作放射波長下最強吸收

峰為 394 nm其次為 464 nm然而對於 P25 系列反而最強吸收峰

為 464 nm394 nm 峰值相對減小甚大為解釋此現象可由圖 318 之

發光機制圖說明當 TiO2 Eu 照光時對主體晶格 TiO2與活化劑(Eu3+)

皆會受光激發電子當 TiO2吸收波長小於 394 nm 之入射光時光電

子快速傳遞至 Eu3+晶格場分裂能階中進行非輻射緩解至各能階進行

放光其中至 5D0後回至 7F0即產生波長 612 nm 之最強放光由於

次共價陽離子 Eu 之摻雜造成主體晶格於價帶與傳導帶間形成一受

限態(trapped state)提供激發光電子一停留之暫態因此若吸收例如

394464 nm 等波長亦會產生復合放強光或非輻射緩解(虛線)

由放射光譜(PL)可知 P25 系列於最強放光 612 nm 處之發光強度明顯

小於 TBT 系列因此可說明 P25 系列受 394 nm 入射光子量極少吸

收機率減小而致使放射光強度減弱故可說明 394 nm 峰值相對減小

之因

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖

92

300 330 360 390 420 450 480 510 540

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

λem = 612 nm

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

000075

0015002

0025003

004005

PLE

圖 319 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE 光譜圖

330 360 390 420 450 480 510 540

00

20x106

40x106

x(content)

λem= 612 nm

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

00025

0050075

010125

015

PLE

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux

3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖

93

3212 臨界距離與能量轉移機制

根據 Dexter 與 Schulman(98)所提出之濃度淬滅效應(concentration

quenching effect)由圖 316 隨 Eu3+離子濃度逐漸增加時其發光強

度亦逐漸增加於 x = 003 時發光強度達至最高值爾後再添加過

量之活化中心(x>003)導致 Eu3+離子彼此間之距離縮短促使 Eu3+

-Eu3+離子對(ion pair)形成並隨摻雜濃度增加而增加使發光能量於

Eu3+-Eu3+離子對內傳遞以非輻射緩解方式消失其發光強度逐漸衰

減此外可利用 Blasse 等人(99)所提粗略計算添加相同之活化中心於

主體晶格內藉由結構精算所得晶格參數推知其發生能量轉移之臨界

半徑(critical radiusRc)

1 3

c3R 2

4 c

Vx Nπ

⎡ ⎤asymp ⎢ ⎥

⎣ ⎦ (33)

式 33 中V 為單位晶格之體積xc 為活化中心之臨界濃度N

為單位晶格中陽離子所占有之個數

臨界半徑乃於臨界濃度(critical concentration xc)時發光中心傳

遞至非放光中心之最小平均距離於本研究中調變 Eu3+離子之濃度

(x = 0~005)其強度最大值發生於 x = 003即為 xc值並利用結構

精算得此樣品之單位晶格體積為 13591(4) Aring3於每一單位晶格中

此 TBT 系列銳鈦礦向為四方晶系故每單位晶格中之 Ti4+ 離子(同為

活化中心之取代位置)所占有之個數為 1 個即 N = 1經計算結果可

得 Rc值約為 205 Aring以相同方法計算 P25 之樣品其 xc = 01單位

晶格體積 V 為 13603(16) Aring3經計算結果可得 Rc值約為 137 AringP25

系列之臨界半徑較 TBT 系列短之原因為合成過程中摻雜元素晶體

長成之差異造成 P25 系列樣品粒徑較大Eu3+與 TiO2 之鍵結強度

較小因此於活化中心間傳遞電子之距離須更小以達濃度淬滅效應現

94

象發生

綜合上段文中所述Ti1-xO2 Eux3+螢光粉之濃度淬滅效應乃因

其發光能量於 Eu3+-Eu3+離子對(ion pair)內傳遞而淬滅本研究將探

討其能量轉移機制

Ozawa(100)等人與 Wang(101)等人於文獻中指出此複合極矩交互作

用與活化中心濃度與其發光強度具一關係式

1 31 ( )QI K x

minus⎡ ⎤= +⎣ ⎦ (34)

式中x 為活化中心濃度I 為發光強度Q = 68 與 10 分別對

應為偶極-偶極(dipole-dipole)偶極-四極(dipole-quadrupole) 與四極-

四極(quadrupole-quadrupole)交互作用K與 β為對應主體晶格之常數

圖 321為Ti1-xO2 Eux3+

(x = 0~005)樣品以 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)

作圖圖中可觀察為一線性關係其擬合(fit)線之斜率為 -062經由

上述關係式之計算後可得 Q 值為 486近似於 6故由此結果可推論

本研究二氧化鈦摻雜 Eu3+離子之濃度淬滅效應主要乃以偶極-偶極交

互作用(dipole-dipole interaction)所致

-22 -20 -18 -16 -14 -12

83

84

85

86

87

88

89

log

( Ix

Eu3+

)

log (xEu3+)

Ti1-xO2Eux3+

Slope = -06195

圖 321 Ti1-xO2 Eux

3+之 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)關係圖

95

322 拉曼散射光譜分析 (Raman scattering spectrum)

3221 TBT系列粉體拉曼散射光譜分析

拉曼散射光譜為量測材料之鍵結狀態非常普遍之方法其原理為

利用光子與樣品中之聲子之間之交互作用量測晶體中之各種振動模

式包括了分子內之振動與晶格振動因此當樣品中晶格變化極微小

時亦能藉由拉曼散射光譜儀觀測於材料晶相結構之鑑定拉曼光

譜亦提供一材料結構與鍵結組態之特徵可與 X 光繞射圖譜互為印

證根據 Balachandran 與 Eror 報導(102)銳鈦礦(Anatase)具六種

Raman active 振動模式(vibrational modes)A1g + 2B1g + 3Eg 金紅石

(Rutile)具四種 Raman active 振動模式A1g + B1g + B2g + Eg由圖 322

中 TBT 系列之拉曼光譜於 146398518 和 641 cm-1 處其顯示二

氧化鈦晶相之特徵散射峰值分別對應銳鈦礦中 Eg A1gB1g Eg

之振動模態(Vibration Mode) (103 104)且 146 cm-1處之散射峰較尖銳

指出粉體之結晶性佳並與 XRD 結構精算之結果吻合另外此系

列中並無發現金紅石之散射峰出現顯示 TBT 系列樣品為銳鈦礦之

純相此與 XRD 之結果吻合

藉由 146 cm-1處 Eg振動模態之散射峰作觀察可知經由 Eu 摻雜

後其繞射峰具往高波數位移之現象有文獻指出(105 106)當二氧化

鈦於晶體結構中之氧空缺(oxygen vacancy)增加時將增加銳鈦礦於

146 (Eg) cm-1之波數因此研判本系列樣品經由 Eu 之摻雜均增加粉

體晶體中氧空缺爾後 X 光吸收光譜將更進一步討論而 Choi 等人

(107)於銳鈦礦之二氧化鈦中以體積收縮效應 (volume contraction effect)

解釋由於粒徑縮小而使晶粒之徑向壓(radial pressure)變小因此造成

鄰近原子鍵結與振動強度改變使繞射峰有往高波數位移之現象

96

100 200 300 400 500 600 7000

1

2

3

4In

tens

ity (a

u)

Raman shift (cm-1)

148(Eg)

146(Eg)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0015

x = 0

x = 002

x = 0025

x = 003

x = 004

x = 005

398(B1g) 518(A1g)641(Eg)

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

97

3222 P25系列樣品拉曼散射光譜分析

本實驗亦將 P25 系列樣品進行拉曼散射光譜之分析如圖 323

所示 P25 系列之拉曼光譜於 146398518 與 641 cm-1 處出現二

氧化鈦晶相之拉曼散射峰值與 TBT 系列相似分別對應銳鈦礦中

Eg A1gB1g Eg之振動模態(Vibration Mode) 然而 P25 系列樣品

於未摻雜 Eu 時(x = 0)時於 454616 cm-1 處出現分別對應於 Eg

A1g 振動模式之金紅石特徵散射峰出現此金紅石特徵峰之因主要

是由於 x = 0 之樣品存在重量百分比約 25 之金紅石晶相結構隨著

Eu 濃度之增加於 x = 0025 時 454 cm-1之特徵峰已消失而當摻雜

濃度大於 25 mol (x = 0025) 時粉體皆呈現銳鈦礦之拉曼特徵

峰此與 XRD 結論吻合由於稀土元素之摻雜抑制燒結過程中銳

鈦礦轉變成金紅石之現象於最強散射峰 146 cm-1處 Eg振動模態之

散射峰分析可知經由過 Eu 摻雜此繞射峰亦具往高波數位移之現

象然而總括兩系列樣品於此散射峰之位移現象皆不顯著主要乃因

摻雜稀土元素之量過少因此造成主體氧空缺不足以造成明顯之波數

位移現象(108)

98

100 200 300 400 500 600 700

R-616(A1gR-454(Eg

))

147 Eg( )

146(Eg)

641(Eg)518(A1g)

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

(au

)

Raman shift (cm-1)

x = 0025

x = 0

x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015

398(B1g)

圖 323 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

99

323 紫外-可見光擴散式反射光譜分析(UV-Vis DRS)

3231 TBT 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

二氧化鈦為一具半導體特性之物質且為一直接能隙之 n 型半導

體經由紫外光之照射使其表面電子電洞分離純相之二氧化鈦

其價帶與導電帶之能量差(即能隙大小)約為 32 eV相當於 380 nm

光波長之能量經由愛因斯坦發展光電理論之計算能量約座落於紫

外光範圍言下之意為必須透過紫外光激發始將其電子與電洞分離

進而能夠顯現觸媒之催化活性或光電特性然而許多學者於二氧化

鈦之製備過程中添加不同比例之過渡元素金屬離子研究發現可改變

二氧化鈦之光激發特性本研究為透過於二氧化鈦中摻雜鑭系金屬

Eu並透過不同比例之添加期望藉以改善其光激發特性在此透過

紫外可見光擴散式反射光譜分析兩系列所合成 Ti1-xO2 Eux粉體其特

圖 324 為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 之紫外-可見光擴

散式反射光譜顯示未摻雜 Eu 樣品(x = 0)於圖譜短波長約 332 nm 處

具強吸收帶顯示 Ti 以四方晶系之 Ti4+ 存在於晶格中此吸收帶為

將價帶 O-2p 軌域之電子激發至傳導帶 Ti-3d 軌域(109 110)而經由 Eu

之摻雜此系列樣品吸收邊緣延長至較長波長約 400 處此現象於一

般半導體中若具雜質(impurity)或缺陷(defect)態存在即會由於其

本質傳遞而具極強之吸收(111)於本研究中Eu 離子即扮演此雜質之

角色將改變二氧化鈦之晶格環境且由XRD之結論可知由於Eu (III)

之離子半徑遠大於 Ti (IV)之離子半徑因此難藉溶膠-凝膠法與水熱

法等合成將之取代故經過摻雜之二氧化鈦形成一新相化合物此新

相化合物具兩種特性(1) 經過 Eu 摻雜後之二氧化鈦之能隙變小(2)

吸收邊緣延長至較長波長因此較低能量之入射光子即可被利用此

100

現象於圖 324 中特徵譜線紅位移現象中可證實Saif 與 Mottaleb 於

文獻中(110)亦說明鑭系正離子為電子清除劑(electron scavenger)之角

色進而影響主體之發光與光觸媒特性

200 250 300 350 400 450 500

x = 004

Ti1-xO2Eux(TBT)

F(R

)

Wavelength (nm)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

x = 0Red shift

圖 324 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS 光譜

進一步計算此系列樣品之能隙大小評估添加Eu後對光觸媒之光

吸收特性之影響最常以Schuster-Kubelka-Munk 理論方程式並配合

漫反射光譜以估算材料之能隙值擴散式反射光譜儀所利用Schuster

-Kubelka-Munk 理論(112 113)多應用於鋪陳較厚之粉體其中假設無規

則之反射光束粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚度適

用其公式如下

2(1 ) ( )( )2

R kF RR s( )

λαλ

infininfin

infin

minus= = = (35)

101

其中 k 為樣品之吸收係數s 為散射係數一般量測與標準品

相對之反射值 Rinfin 即 refR R Rinfin = 而非量測絕對值之反射值其

中本實驗之 refR 為硫酸鋇 (BaSO4) 之反射係數而若考慮s與波長λ

弱相關之因素則 ( ) F R k sα infin= = 於窄範圍內可正比於吸收以

1

[ ( ) ]F R h ηυtimes 對 hυ 作圖(KM圖)可用以得到材料之能隙值於 KM

圖中hυ 為入射光子之能量而指數η則是由因光子吸收情形造成材

料光吸收範圍之轉移形式決定(114)本研究中粉體特性利用 KM 圖

(指數η =2)可以得到一線性關係藉由此圖形以線性外插法可精確地

求得材料之能隙值計算此系列樣品 Eu 之摻雜量增加後其能隙大

小之趨勢為329326324322314312 eV呈現縮小之現象

Tanner等人(115)提出將稀土元素Er3+摻雜入α-Al2O3中其中Er3+之離子

半徑仍遠大於主體晶格中之Al3+難以取代其晶格位置研判於低濃度

摻雜時形成一新化合物ErAlO3且隨著摻雜濃度增加其能隙亦有

縮小之趨勢而Umebayashi等人(116)將V Cr Mn Fe Co等金屬元素摻

雜入TiO2 後一電子填滿態形成於價帶頂端與傳導帶底部之間且

隨著摻雜量增加此局部填滿態(localized occupied level)將向低能量

位移造成能隙縮小故可研判本實驗中經過 Eu 摻雜之樣品其

能隙調整為Eu3+ 3d所形成之軌域與O-2p 軌域所混成之頂端(價帶)

至Ti4+ 3d 軌域之底部(導帶)因此造成能隙縮小將此與Rengaraj等

人之研究結果吻合(117) 在此將Eu摻雜後之可見光激發過程示於圖

327中

102

25 30 35 40

[F(R

)hν

]12

hν (eV)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算圖

000 001 002 003 004310312314316318320322324326328330

312314

322324326

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

329

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖

103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖

3232 P25 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

而針對 P25 系列樣品同樣可藉紫外-可見光擴散式反射光譜圖

分析如圖 328 中亦發現隨著 Eu 之摻雜濃度增加樣品之反射光

譜線與前趨物 Degussa P25 相近且吸收邊緣亦具紅位移現象然而

相較於 TBT 系列其吸收譜線卻較為狹窄對於光觸媒之利用較為

不利且此系列粉體亦藉由 Schuster - Kubelka-Munk 理論計算其能隙

大小由於 Eu 摻雜造成能隙縮小之現象較不如 TBT 系列顯著推論

由於合成方法與前趨物不同所致其造成樣品形成結晶之結果不同

且 Eu 於 P25 系列粉體中與 O 軌域之混成程度不如 TBT 系列

104

250 300 350 400 450 500

00

02

04

06

08

10

12

x = 015F(R

)

Wavelength (nm)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

x = 0

Red shift

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜

25 30 35 40

[F

(R)

hν]1

2

hν(eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖

105

00 01 02300302304306308310312314316318320322

310312

317

313

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖

324 X 射線光電子能譜儀(XPS)

本研究藉由 X 射線光電子能譜儀探討粉體之能階性質其乃藉

由光電效應將某能階之電子激發而成為光電子藉由分析此些光電子

之能量進而得知束縛能獲得關於表面元素組成以及元素之化學環

境狀態由於本實驗以 Eu 摻雜入主體二氧化鈦中由 XRD 精算結

果顯示即使 Eu 摻雜量增加其晶格體積並無擴張趨勢基於 Eu3+與

Ti4+之離子半徑之差異初步判定Eu並未取代二氧化鈦晶格中Ti4+ 之

位置由於稀土原子與主體晶格鍵結成一化合物時其化合物之結合

能明顯會與純原子時不同其內核層電子之束縛能亦會有不同之變

化即一般之化學位移 (Chemical Shift)其所造成之能譜位移可用

以區分不同氧化態之元素

利用 XPS 分析 Ti1-xO2Eux3+ TBT 系列中 x = 03 之粉體由全光

譜結果表示奈米粉體表面主要含 TiOC 三種元素其中 C 元素

來自於污染雜質碳而 XPS 偵測深度約為 5 nm未於全光譜中偵測

106

到 Eu 之特徵峰(1134911652 eV)出現初步推測含 Eu 化合物可能

未於粉體表面而存在於晶格空隙(interstitial)中(86)如圖 331 所示為

TBT 系列 x = 0 與 x = 3 針對 Ti-2p 軌域所呈現之 XPS 圖譜其中

Ti-2p32與 Ti-2p12之束縛能約於 4583 與 464 eV間距為 57 eV兩

特徵峰之相對強度(積分面積)比約為 21皆為二氧化鈦晶格中 Ti4+

之貢獻與文獻中銳鈦礦相之特徵峰吻合(118)當 Eu 之摻雜(x = 3)顯

示可見 Ti-2p32 與 Ti-2p12 之束縛能位置具化學位移現象(4585 與

4642 eV)此化學位移現象可藉共價鍵理論(covalent bonding theory)

解釋顯示 Eu3+合併(incorporate)入 TiO2 中(於晶格表面或空隙)而形

成 Eu-O-Ti 鍵結由於 Eu 之存在造成 Ti 與 O 所共價之電子雲密度

減少而改變其束縛能因此束縛能增加(119)造成特徵峰向高能量偏

移如圖 332 為 O-1s 軌域之 XPS 圖譜經 Eu 之摻雜亦出現化學位

移之現象另亦有文獻指出(120)若二氧化鈦表面之本質缺陷(intrinsic

defect)增加由於缺陷結構會促使電子從陰離子(O)中傳遞至陽離子

(Ti)或摻雜離子(C)中造成 O 束縛能增加此與本實驗之位移現象吻

合至針對 P25 系列樣品同樣觀察 Ti-2p32Ti-2p12 與 O-1s 軌域之

XPS 圖譜(圖 333334)指出相較於 TBT 系列樣品無論為 Ti-2p

抑或 O-1s 軌域化學位移之現象皆較不明顯研判於表面 Eu-O-Ti

共價鍵之鍵結強度較弱因此電子轉移現象減小

107

456 458 460 462 464 466

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

527 528 529 530 531

5298

Ti1-xO2Eux(TBT)O 1S

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0

5297

x = 003

4642

4585464

Ti1-xO2Eux(TBT)

Ti 2p12

Binding energy (eV)

Inte

nsity

(au

)

Ti 2p32

x = 0

4583

x = 003

108

458 460 462 464 466

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

4643

45854642

In

tens

ity (a

u)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

Ti 2p12

Ti 2p32

x = 0

4584

x = 01

527 528 529 530 531

5297

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

O 1S

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0

5296

x = 003

109

本研究亦建立兩系列樣品之價帶導帶與標準氫電極之相對位

置以利解釋雙層工作電極模型機制本研究針對低能量入射光子慢

速掃瞄粉體之 XPS 光譜由於 XPS 原理中運用光電效應概念偵

測光電子能量(Ek)為入射光子能量扣除內核層電子束縛能與功函數

即 k bE h Eυ ϕ= minus minus (如圖 335 說明 )由二氧化鈦之分子軌域

(Molecular orbital)圖樣可知其價帶位於 O-2p 軌域因此圖 336 中為

針對 TBT 系列樣品(x = 03)之價帶圖譜由態密度(density of state)圖

譜可知代表價帶(O-2p)之放射特徵譜線而費米能階(EF)於價帶圖譜

中視為 0 eV因此可透過類似計算能隙大小之外差法方式計算其價

帶相對於標準氫電極之大小(120)可之經由 Eu 之摻雜二氧化鈦之

價帶位置由 32 eV 降低至 21 eV由圖中亦可得 Eu 摻雜樣品降低粉

體之價帶位置並結合紫外‐可見光擴散式反射光譜分析後所得粉體

之能隙大小可建立如圖 338 所示兩系列樣品之能隙位階圖

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖

110

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

21

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0 x = 003

32

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

20

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25) x = 0 x = 01

25

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

111

圖 338 兩系列樣品未摻雜與摻雜 Eu3+粉體能隙位階圖

112

325 X-光吸收光譜(XAS)

本研究所製備之工作電極粉體係屬奈米材料因奈米材料相較塊

材之結晶性較差由X光粉末繞射圖譜中(powder X-ray diffraction)將

無法獲得進一步之結構資訊X吸收光譜可提供局部之結構資訊(local

structure)適合作為奈米材料結構研究之方法此外更可提供繞射法

所無法獲得之氧化態訊息故本研究乃藉由國家同步輻射研究中心

BL20A光束線以進行吸收光譜量測藉比對X光吸收近邊緣結構

(X-ray absorption near edge structure XANES)以得知特定原子氧化價

數與 d-軌域之電子填滿率並可分辨吸收原子所處之晶位對稱性

由於同步20A光束線而言待測樣品可以為晶型或非晶型固體甚至

為液體或氣體因此應用範圍十分廣泛尤其各元素之吸收邊緣能量

少有重疊可調整入射能量至各個元素之吸收區進行掃描以分別偵

測非常適於量測含有多種元素之樣品系統

由圖 339 與圖 341 中兩系列樣品之 O-k edge 吸收光譜指出此二

氧化鈦之 O-K edge 之特徵譜線與文獻中吻合(121)觀察兩系列中於吸

收邊緣之特徵譜線經由 Eu 之摻雜並無明顯位移現象顯示粉體中

O 之價數並明顯變化判斷為低濃度摻雜之故然而放大 528 eV 附

近之特徵峰觀察後發現(圖 340 與圖 342)隨著 Eu 之摻雜量增加

此吸收峰強度亦隨之增強由分子軌域之概念顯示由於 Eu 之摻

雜造成 O 之電子雲轉移散布至 Eu 軌域因此造成 O 電子組態中出

現更多空軌域亦即增加粉體之氧空缺由於 TiO2 摻雜次共價鍵陽

離子(subcovalent cation)造成之氧空缺會形成攔截態(trap state)或雜質

態(impurity state)(122 123)可能形成放光中心影響粉體之螢光性質亦

可能造成電子傳遞時之阻礙

113

531 540 549

0

1

2

3

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux(TBT)O K-edge XAS

圖 339 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

114

5272 5280 5288

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 340 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜局部放大圖

525 530 535 540 545 550

0

1

2

3

Photon Energy (eV)

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux(P25)O K-edge XAS

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

115

5272 5280 5288

Photon Energy (ev)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大圖

116

33 Ti1-xO2Eux3+粉體於染料敏化太陽能電池之應用研究

上述各節已討論 Ti1-xO2Eux3+ 粉體之晶體結構形貌光學電

子組態各種特性本研究藉由此經修飾之二氧化鈦粉體應用於染料敏

化太陽能電池之工作電極材料並藉由其特殊發光特性與結構設計

以提高太陽能電池之效率

331 單層工作電極電池效率量測

未經修飾之二氧化鈦(TiO2)由於其能隙約為32 eV亦即所能

利用之光波範圍僅限於紫外光區域此情況下 TiO2 於一般日照射能

產生電子-電洞對之效率差所展現之光催化活性低應用價值不高

故為提升對太陽光之吸收效率進而提升 TiO2整體光催化效率為當

前一重要課題一般提高效率之方法分為修飾 TiO2表面或晶體結構

以增加其對光波之吸收率與抑制電子-電洞對之再結合TiO2之晶體

中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性質之改變益於光

催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕捉電子或電洞之缺陷

益於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素與 TiO2 共結晶增益對

光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化效果

第一個部分由於本研究透過 Eu3+摻雜入二氧化鈦中於光激發

光譜分析可得知兩系列摻雜 Eu 粉體於藍紫光(394464 nm)激發造成

於 612 nm 處之放光配合染料 black dye 於紅光附近之吸收可提高

染料之額外吸光量進而提高光激發電子之數量以提高能量使用之效

率圖 343 中為 TBT 系列分別取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體與摻

雜 Eu 後發光強度最高 (x = 003)之粉體工作電極材料(分別以 0-TBT

與 Eu003-TBT 表示)組裝電池後量測之光電特性為討論分析其再

現性本研究以相同條件多次組裝電池量測求證結果由表 34 中光

電特性參數得知兩種樣品所得 FF 因子皆達理想電池之表現

117

Eu003-TBT 電池平均效率為 178 而 0-TBT 獲得平均為 234

之較高效率其中短路電流密度(Jsc)從 436 下降至 320 mAcm2為主

要原因以同樣想法將 P25 系列粉體取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體

以及摻雜 Eu 後發光強度最高 (x = 01)之粉體工作電極材料(分別以

0-P25 及 Eu01-P25 表示)組裝電池後量測之光電特性於圖 344 中

顯示由表 35 光電特性參數亦可知 0-P25 平均效率為 189 而

Eu01-P25 為 124 其中短路電流密度從 373 下降至 221 mAcm2

與 TBT 比較同一結構P25 系列之電池效率明顯較小推測仍為

粒徑較大由 BET 之計算可知供染料吸附之比表面積較少因此造

成效率較低針對電池中之工作電極Eu 摻雜後之材料反而效率降

低在此提出可能之機制如圖 345 所示於電子傳遞過程中理

想狀況為光電子迅速由染料之 LUMO 傳遞至二氧化鈦導帶再經由

FTO 導致外電路使用然而由於 Eu 摻雜後之工作電極Eu 所形成之

氧空缺捕捉光電子此時氧空缺類似 trap state因此造成光電子量下

降再者由於被染料激發之光電子到達工作電極時亦可能部分

用以形成 Eu 放紅光之復合電子來源因此亦為光電子量下降之因

可由表 34 與表 35 中經 Eu 摻雜後之工作電極電池光電流之現象得

118

00 02 04 06 08 10 120

1

2

3

4

5

6(TBT)Ti1-xO2Eux

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage (V)

x = 0 231 224 237 233

x=003 176 185 168 182

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 34 TBT 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT 16 074 436 069 234(8)

Eu003-TBT 14 077 320 058 178(2)

119

00 02 04 06 08 100

1

2

3

4

5C

urre

nt d

ensi

ty (m

Ac

m2 )

Voltage (V)

x = 0

189 191 182 193

x = 01 123 125 119 127

Ti1-xO2Eux (P25)

圖 344 P25 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 35 P25 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P25 14 071 373 067 189(2)

Eu01-P25 15 079 221 054 124(3)

120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖

332 雙層工作電極結構

對於提高染料敏化太陽能效率由效率 sc oc inJ V FF Pη = times times 可

知致力於提高其開路電壓 (Voc) 亦為提高效率其中之一方法以

此觀念為基礎之研究例如 Durr 等人(124)於 2006 年利用於原 TiO2上塗

佈 Ti1-xZrxO2與 ZrO2之混合物由於 ZrO2之能隙約為 5 eV相對於

TiO2之 32 eV形成一道位階屏障阻擋傳導至 TiO2傳導帶之光電

子與染料之 HOMO(Highest occupied molecular orbital)或電解質中 I3minus

再復合之機會進而提高光電子傳導致外電路之數量本研究鑑於先

前對於 Eu 摻雜入 TiO2後提高其價帶位階並增加其能隙大小之結

果設計雙層結構以降低光電子再復合之機率因此下一部分實驗

121

因此本研究將利用Eu摻雜對於 TiO2 之粉體與未摻雜 TiO2相異之光

電特性設計出雙層結構工作電極藉以探討對於太陽能電池效率之

影響

3321 雙層工作電極結構電池製作說明

首先說明此雙層結構工作電極之太陽能電池之設計先於十片清

洗完之 FTO 上透過網印塗佈一層未摻雜 Eu 之二氧化鈦電極(約 6~7

μm)經過層溫燒結後再分成兩組各五片其中一組繼續塗佈一層

相近厚度未摻雜 Eu (x = 0)之二氧化鈦電極而另一組則塗佈一層摻

雜 Eu 後發光強度最高(TBT 系列x = 003)之電極再進行層溫燒結

並與第一部分單層結構相同利用四氯化鈦處理後再進行 500oC 燒結

即完成分別以 0-TBT0-TBT 與 Eu003-TBT0-TBT 表示而 P25 系

列樣品亦以相同步驟製得分別以 0-P250-P25 及 Eu01-P250-P25 電

池雙層結構設計圖如圖 346 所示

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖

122

3322 電池效率量測

為探討其組裝之再現性與穩定性本研究亦以相同條件多次組裝

電求證結果圖 347 為 TBT 系列雙層結構電池之電流-電壓圖由表

中可得知0-TBT0-TBT與Eu003-TBT0-TBT平均效率分別為260

與 343 短路電流密度 (Jsc)為 565 mAcm2與 702 mAcm2開路

電壓為 066 V 與 071 V顯見第二層為 Eu 摻雜之二氧化鈦電極效

率短路電流開路電壓皆增加而 P25 系列第二層若為 Eu 摻雜後

之電極由表 36 中可觀察出效率短路電流開路電壓皆增加但

與 TBT 比較同一結構電池效率明顯較小推測仍為粒徑較大

造成染料吸附量較少 圖 349 為 Eu003-TBT0-TBT 雙層結構電極

材料與染料間能隙之相對位置本研究亦藉此解釋效率提高之原因

由短路電流增加之現象可知光電子被利用之數量增加即光電子從

染料之 LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)快速傳導至第二層

Eu003-TBT 再至第一層 0-TBT由於電子於此傳遞過程中之速率與

兩因素相關(1) 染料用以吸附於二氧化鈦之結構種類強度(2) 染

料 LUMO 與二氧化鈦工作電極之傳導帶(conduction band)之相對位

置而透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動

力(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導

帶位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑

或與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機

率增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值Kim 等人於

2008 年之研究中(125)利用二氧化鈦摻雜鉻(Cr)之材料改變原二氧

化鈦之半導體屬性作為屏蔽電極層亦可減少電子再復合機率而提

高效率

而對於開路電壓增加之現象須先瞭解染料敏化太陽能電池運作

123

時之能階變化階原理由Kubo (55)所建立如圖350(a)所示為一DSSC

於未照光之能階圖亦即TiO2染料電解介質面之間不存在電位差

故其費米能階 (Fermai level EF)可視為自由電子所混成之平衡狀態

當DSSC照光後如圖350(b)所示染料吸收光波產生激發之光電子

與電洞之分離同時造成電位差此電位差即為TiO2之CB與染料之

LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)混成能階(Efn)相對染料

之HOMO (Highest occupied molecular orbital)與電解質氧化還原電位

(I-I3-之ERedox)之混成能階(Efn)之電位差(ΔV)而此電位差之最大直即

為光電壓之最大值亦即開路電壓本研究中由於雙層結構第二層

Eu003-TBT傳導帶上移造成與染料之LUMO混成能階上移因此與

染料之HOMO與電解質氧化還原電位(Iminus I3minus之ERedox)之混成能階差異

變大增大電位差因此提高開路電壓值

124

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 100

1

2

3

4

5

6

7

8

9C

urre

nt d

ensi

ty(m

Ac

m2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT 273 258 250 260

Eu003-TBT0-TBT 342 340 339 352

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 36 TBT 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT0-TBT 15 066 565 070 260(8)

Eu003-TBT0-TBT 16 071 702 068 343(2)

125

00 01 02 03 04 05 06 07 08 090

1

2

3

4

5

6

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-P250-P25 195 201 191 189

Eu01-P250-P25 237 214 242 254

圖 348 P25 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 37 P25 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P250-P25 15 066 420 069 194(5)

Eu01-P250-P25 14 070 473 070 237(2)

126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變化(55)

127

3322 雙層工作電極結構電池入射單色光子-電子轉化效率(IPCE)量

為驗證雙層工作電極結構之電池中效率提高原因之論點本實驗

針對電池進行單色光子-電子轉化效率(IPCE)量測透過自動單光濾

鏡控制光源照射電池之波長藉以觀察電池於不同波長之入射光照射

下其外部量子效率展現由圖 351a 及 351b 分別顯示 TBT 與 P25

系列電池所呈現之 IPCE 圖譜譜線趨勢與參考文獻(75)相近其中

Eu003-TBT0-TBT 電池於可見光區之外部量子效率明顯大於

0-TBT0-TBT 所呈現P25 系列亦有相同趨勢結果於橘紅光附近

(610-620 nm) 提升較明顯是否為第二層結構 TiO2 Eu 於 612 nm 部

分放光為 Black dye 所吸收而增加光利用之故仍未確定故本研究

透過工作電極之放射光譜印證乃將製作完成之 Eu003-TBT0-TBT

電池工作電極一部分未浸泡另一部分浸泡染料 black dye 溶液 24 小

時並以無水乙腈沖洗後待至乾燥進行光激發光譜分析(PL)由圖

352 之結果可知未浸泡之工作電極(plain)經過染料浸泡後(black dye)

於 612 nm 之激發光譜幾乎吻合但是放射光強度略為減弱因此可

知第二層工作電極放射之紅光部分中少量為染料所吸收然而由於太

陽光中紫外光部分只佔 5 因此 394 nm 之激發光轉換成紅光比例

相對極為少量因此藉此增加電池效率效果有限因此雙層結構電池

中第二層為 Eu 摻雜之樣品效率提高之因主要仍為 3222 節中所解

釋由於階梯狀能階設計減少電子再復合機率以增加光電子之可使

用量此論點將於下節電化學交流阻抗分析中再次討論

128

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-TBT0-TBT

Eu003-TBT0-TBT

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-P250-P25

Eu01-p250-p25

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖

129

350 400 450 500 550 600 650 700

In

tens

ity (a

u)

Wavelength(nm)

Eu003-TBT0-TBT Plain black dye46

4

394

612

PLE - λem= 612 nm

PL - λex= 394 nm

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作

電極之激發與放射光譜

3323 雙層工作電極結構電池電化學阻抗(EIS)量測

進一步驗證 3321 中雙層工作電極電池不同結構中效率相異之

原因本研究將一系列電池進行電化學阻抗測試測試結果如圖 353

所示經 Z-view 軟體 fitting 之後並參考 Adachi 等人(79)所發展之模

式獲得如表 38 所列參數藉各參數間之比較可瞭解電池於照光

工作時激發光電子於電池中傳遞之情形

由圖 353 阻抗圖譜中Yoshida 等人(77)界定位於中頻區之圖譜意

義為光電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質液介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗因此本研究發現 TBT 系

列中0-TBT0-TBT 中頻區之半圓半徑明顯大於 Eu003-TBT0-TBT

之結果可得知透過雙層結構之設計(圖 349)第二層為 Eu003-TBT

130

之電池其相對能階形成階梯型驅動力之增加明顯降低工作電極

層與層間之傳輸電阻再者亦可證明第二層形成一傳遞屏障降低

傳遞電子與電解液中 I3-再復合之還原作用而 0-P250-P25 以及

Eu01-P250-P25 之間亦具此現象圖 353 中亦可比較 TBT 與 P25 兩

系列明顯其工作電極內電阻之因素亦反應於電池效率結果上

將圖 353 所得電交流阻抗結果透過 Z-view 軟體 fitting 後得到表

38 所列參數先觀察 TBT 系列兩電池可知第二層為 Eu003-TBT

之電池其 keff (電子再結合速率常數)由 315 下降至 247 s-1因此電

子生命週期提升可知驅動力之增加提升電子傳導之動力學參數

(126)加速電子傳遞以減少電子於電極中之停留機率此點可由 Rw (電

子於 TiO2中之傳導電阻)之降低得證再者由 Rk (電子再結合之電

荷傳導電阻)亦為暗反應電阻此值對於電池效率越大越佳

Eu003-TBT0-TBT 電池較 0-TBT0-TBT 由 1603 增加至 1934顯示

第二層為 Eu003-TBT 之電池由於能階結構之設計降低其電子再

復和之機率此論點與交流阻抗圖譜之結果吻合

由於本雙層結構電池之研究皆控制塗佈步驟中之參數以確立

各電池之膜厚皆相近始可討論 Deff (有效電子擴散係數)與 Ln(電子擴

散長度)對於電子傳遞機制之優劣影響(參考式 214215)相較於

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 電池之 Deff有效從 257 x 10-4提

升至 336 x 10-4 cm2s佐證 Eu003-TBT0-TBT 電池具效延長電子壽

命之現象由表 38 中結果得知各雙層結構電池精算後之 Ln長度皆

大於工作電極膜厚確立各系列電池之傳導電子有效為 FTO 導電

玻璃收集而傳遞至外電路使用而 Eu003-TBT0-TBT 之 Ln 值較

0-TBT0-TBT 所得之 Ln值大 以上結果皆顯示第二層為 Eu003-TBT

之電池可有效減少電子因粉體之氧空缺被捕捉而停滯之機率增加

131

之驅動力促使電子可於工作電極中有效而快速地傳遞進而提高光電

轉換效率而關於 P25 系列之討論顯示 0-P250-P25 與

Eu01-P250-P25 之各參數比較與效率結果皆吻合現象解釋與 TBT

系列相同

關於TBT系列與 P25系列之Deff之比較顯示TBT系列之Deff 普

遍皆大於 P25 系列亦具相關文獻(127)指出由於晶相之含量差異亦

會影響此值由於 Anatase 晶相與 Rutile 晶相均為正立方晶系

(Tetragonal system)結構其晶相皆是以 TiO6之八面體存在不同處

為於 Anatase 晶相中其不論 abc 軸方向其八面體間之鍵結均

是以 edge-sharing 之方式存在而於 Rutile 晶相中則為於 ab 軸以

corner-sharing 之方式存在於 c 軸方向以 edge-sharing 之方式鍵結

此結構之差異造成 Anatase 傳導電子之能力較佳此結果於已有之光

觸媒研究已確立因此相較於 P25 系列TBT 系列擁有較純之 Anatase

晶相因此 Deff較大而光電轉換效率亦較高

132

20 30 40 50 60 70 800

5

10

15

20

25

30

Z

(ohm

)

Z (ohm)

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 0-P250-P25 Eu01-P250-P25

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖譜

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數分析

Structure

L

(μm)

keff

(s-1)

τ

(s)

Rk

(Ω)

Rw

(Ω)

Deff

(cm2s)

Ln

(μm)

0-TBT0-TBT 16 315 0032 1603 4987 257 E-04

287

Eu003-TbT0-TBT 15 247 0040 1934 3236 336 E-04 367

0-P250-P25 15 451 0022 1123 7011 164E-04 190

Eu01-P250-P25 14 356 0028 1465 5445 188 E-04 229

133

333 CdSe 敏化雙層工作電極結構電池光電特性分析

由於二氧化鈦其能隙較大(約 32 eV)之故因此可見光中可激發

其電子之波段較窄必須透過窄能隙材料之吸附以增加其對於可見光

之利用除染料以外近年來所發展之量子點材料亦為一具潛力之

敏化物

本研究欲驗證量子點取代Black dye之角色後效率趨勢是否相

同因此取染料敏化實驗中效率較高之TBT系列作為雙層電極結構材

料並以硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物本實驗所合成之硒化鎘測

量其吸收光譜(UV-Vis)可知第一個吸收峰值之對應波長約於554

nm藉由Peng等人(128)所發展之方程式估算出粒子大小(D)可計算粒

徑約為305 nm

D = (16122times10-9)λ4- (26575times10-6)λ3 +(16242times10-3)λ2 - (04277)λ

+ (4157) (38)

其中 λ 為第一個吸收峰值之對應波長

圖 354 為 TBT 系列雙層結構量子點電池之電流-電壓圖由表

39 中0-TBT0-TBT(Plain)與 Eu003-TBT0-TBT(Plain)代表未吸附

CdSe 之電池效率極低分別為 00040 與 00060 而經過 CdSe

之摻雜後[0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)]平均效

率分別提升為為 0047 與 0083 光電流值亦明顯提升顯示量

子點之吸附增加電池對於入射光能量之利用若比較

0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)兩組數據其 FF 值

比染料敏化電池值較為低此為現階段量子點電池之通病亦為效率

一直無法提升之因而第二層為 Eu 摻雜之工作電極效率短路電

流與開路電壓值皆提升此與染料敏化電池系列之趨勢相同表示而

透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動力

134

(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導帶

位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑或

與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機率

增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 1000

01

02

03

04

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT(CdSe) 0045 0046 0049 0049

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 0083 0085 0081 0082

0-TBT0-TBT(Plain) 00040 00043

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 00062 00063

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC (V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

() 0-TBT0-TBT(Plain) 14 043 002 009 00040(2)

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 16 044 003 012 00060(3)0-TBT0-TBT(CdSe) 15 054 025 034 0047(2)

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 16 058 033 037 0083(1)

135

第四章 結論

本研究成功利用不同前趨物以溶膠凝膠法與水熱法之合成方法

製備出兩系列 TiO2Eu3+工作電極材料( TBT 與 P25)以 XRD 等量測

進行材料結構鑑定分析並探討 Eu 摻雜後對於 TiO2之發光特性與電

子組態之影響爾後將材料應用於敏化太陽能電池之工作電極研究

修飾後之 TiO2電極對於電池效率之影響其重要結果如下

(a)本研究以溶膠凝膠法及水熱法藉由 Eu 摻雜成功合成出純銳鈦礦

(Anatase)之二氧化鈦並且由於 Eu-Ti-O 鍵結形成不僅延緩金紅

石(Rutile)晶相生成有較好之光電特性亦限制晶體之成長由於

粒徑越小增加其比表面積因此有效提升太陽能電池染料之吸附

量增加電池之效率表現

(b)以光激發光譜分析樣品得知隨著活化劑 Eu 摻雜量之增加主體

晶格 TiO2 之發光強度隨之增加於高濃度出現濃度淬滅現象而

拉曼光譜亦證實藉由 Eu 摻雜成功延遲煆燒過程中金紅石(Rutile)晶

相生成且增加粉體表面之氧空缺

(c)本研究以紫外-可見光擴散式反射光譜測量 TiO2Eu3+之吸收特性

經由 Eu 摻雜後出現之紅位移現象顯示 TiO2 於摻雜稀土金屬離

子產生能階混成造成能隙縮小增加對於可見光範圍之吸收並以

X 射線光電子能譜儀分析獲知摻雜離子 Eu3+於晶體中位置並以價

帶光譜之量測成功建立樣品之價帶傳導帶能階位置而 X-光吸

收光譜之近邊緣光譜分析得知Eu 摻雜後鍵結中電子轉移造成表

面氧空缺增加

(d)將合成之材料應用於染料敏化太陽能電池之工作電極本研究原

構想欲透過發紅光之 TiO2Eu3+以增加染料 Black dye 於紅光波段

136

之利用然而由光電特性卻發現由於摻雜後氧空缺所造成之雜質

態捕捉光電子由光電流降低之現象證實光電子量減少

(e)為提高染料敏化電池效率本研究利用雙層結構工作電極之設計而

形成階梯式位階排列不僅增加傳遞驅動力亦由於電極屏障生成

以減少電子再復合之機率而短路電流之增加證實此點並透過與

染料能階之混成提高開路電壓值因此整體結果提高電池之效

率而將染料製換為硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物第二層為

Eu 摻雜材料之電池效率亦明顯提升進一步證實此研究構想之

正確性

總而言之本研究合成兩系列 TiO2Eu3+樣品並探討其之晶體

結構特性發光性質以及建立摻雜離子 Eu3+對於其電子組態之影

響且透過雙層結構設計成功提高敏化太陽能電池之效率

137

參考文獻

1 許志偉 陳宏仁 林怡君 and 王立義 有機無機太陽能電池之

現況發展 化工 第52卷 第2期 49-58 民94

2 AJ McEvoy and M Gritzel Sol Energ Mat Sol C 1994 32 3

221

3 A Hagfeldt B Didriksson T Palmquist H Lindstroumlm S Soumldergren

H Rensmo and SE Lindquist Sol Energ Mat Sol C 1994 31

481

4 B OrsquoRegan and M Graumltzel Nature 1991 353 737

5 M Graumltzel Nature 2001 414 338

6 黃建昇 結晶矽太陽電池發展近況 工業材料雜誌 第203期 150

民92

7 httpcdnetstpiorgtwtechroommarketenergyenergy022htm 國

家實驗研究院科技政策研究與資訊中心(Science amp Technology

Policy Research and Information CenterSTPI)

8 M Graumltzel Phil Trans R Soc A 2007 365 993

9 X Chen and SS Mao Chem Rev 2007 107 2891

10 D Cahen G Hodes M Graumltzel JF Guillemoles and I Riess J

Phys Chem B 2000 104 2053

11 D Matthews P Infelta and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C

1996 44 119

12 M Graumltzel J Photochem Photobio A 2004 164 3

13 TN Rao and LJ Bahadur J Electrochem Soc 1997 144 179

14 AB Kashyout M Soliman and M Fathy Mater Chem Phys

2005 90 230

15 P Guo and MA Aegerter Thin Solid Films 1999 351 290

138

16 K Sayama H Sugihara and H Arakawa Chem Mater 1998 10

3825

17 BV Bergeron A Marton G Oskam and GJ Meyer J Phys Chem

B 2005 109 793

18 S Chappel and A Zaban Sol Energ Mat Sol C 2002 71 141

19 K Hara T Horiguchi T Kinoshita K Sayama H Sugihara and H

Arakawa Sol Energ Mat Sol C 2000 115 64

20 B Tan E Toman Y Li and YY Wu J Am Chem Soc 2007 129

463

21 CJ Barbeacute F Arendse P Comte M Jirousek F Lenzmann V

Shklover and M Graumltzel J Am Ceram Soc 1997 80 3157

22 K Kalyanasundaram and M Graumltzel Coord Chem rev 1998 177

347

23 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B

2000 104 989

24 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio RH Baker E Muumlller P

Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem Soc 1993

115 6382

25 G P Smestad and M Graumltzel J Chem Educ 1998 75 752

26 劉茂煌奈米光電池工業材料雜誌 2003203 期 民93

27 MK Nazeeruddin SM Zakeeruddi RH Baker M Jirouse P Lisk

N Vlachopoulos V Shklover CH Fischer and M GraumltzelInog

Chem 1999386298

28 KS Finnie JR Bartlett and JL Woolfrey Langmuir 1998 14

2744

29 C Bauer G Boschloo E Mukhtar and A HagfeldtJ PhysCem B

2002 106 12693

139

30 CG Garcia NYM Iha R Argazzi and CA Bignozzi Inorg Chem

1994 33 5741

31 MK Nazeeruddin M Amirnasr P Comte JR Mackay AJ

McQuillan R Houriet and M Gratzel Langmuir 2000 16 8525

32 MK Nazeeruddin P Peacutechy T Renouard SM Zakeeruddin R H

Baker P Comte P Liska L Cevey E Costa V Shklover L

Spiccia GB Deacon CA Bignozzi and M Graumltzel J Am Chem

Soc 2001 123 1613

33 J Hagaen W Schaffrath P Otschik R Fink A Bacher HW

Schmidt and D Haarer Synthetic Met 1997 89 215

34 N Papageorgiou WF Maier and M Graumltzel J Electrochem Soc

1997 144 876

35 A Kay and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C 1996 44 99

36 S Chen SK Deb and H Witzke US Patent 1978 4080488

March 21

37 M Graumltzel and K Kalyanasundaram Curr SCi 1994 66 706

38 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio R Humphry-Baker E

Muumlller P Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem

Soc 1993 115 6382

39 M Graumltzel AIP Conf Proc 1997 404 119

40 M Graumltzel J Photo Photobio A Chem 2004 164 3

41 L Han Y Chiba and A Islam 16th International Conference of

Photochemical Conversion and Solar Sstorage Uppsala Sweden

2006

42 Y Chiba A Islam and Y Watanabe J Appl Phys 2006 45 638

43 MK Nazeeruddin FD Angelis and S Fantacci J Am Chem Soc

2005 127 16835

140

44 JM Kroon NJ Bakker HJP Smit P Liska KR Thampi P

Wang SM Zakeeruddin M Gratzel A Hinsch S Hore U Wurfel

R Sastrawan JR Durrant E Palomares H Pettersson T

Gruszecki J Walter K Skupien and GE Tulloch Prog Photovolt

Res Appl

45 H Arakawa T Yamaguchi and A Takeuchi 16th International

Conference of Photochemical Conversion and Solar Storage

Uppsala Sweden 2006 W42P210

46 M Spath JV Roosmalen and P Sommeling 3rd WCPEC Osaka

Japan 2003

47 H Tsubomura M Matsumura Y Nomura and T Amamiya Nature

1976 261 402

48 PM Sommeling 2nd WCPEC Vienna 1998

49 CJ Barbe J Am Cera Soc 1997 80 3157

50 K Tennakone J Phys D Appl Phys 1998 31 1492

51 MK Nazeeruddin P Pĕchy and M Graumltzel Chem Comm 1997 36

1705

52 K Hara Chem Comm 2001 68 569

53 角野 裕康 村井 伸次 御子柴 智 東芝レビュー 2001 56 7

54 A Hagfeldt Nano Letters 2001 1 97

55 W Kubo Chem Comm 2002 39 374

56 原 浩二郎 AIST Today 2002 12 14

57 L Vlachopouios J Am Chem Soc 1988 110 1216

58 V Vamathevan H Tse R Amala G Lowb and S McEvoy

Catalysis Today 2002 68 201

59 MI Litter and JA Navio J Photo Photobio A Chem 1996 98

171

141

60 J Yu H Yu CH Ao SC Lee JC Yu and W Ho Thin Solid

Films 1999 496 273

61 W Li Y Wang H Lin SI Shah CP Huang DJ Doren SA

Rykov JG Chen and MA Barteau Appl Phys Lett 2003 83 20

62 R Asahi T Morikawa T Ohwaki K Aoki and Y Taga Science

2001 293 269

63 C Jia E Xie A Peng R Jiang F Ye H Lin and T Xu Thin Solid

Films 2006 496 555

64 M Saif and MSA Abdel-Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360

2863

65 湯友聖 台灣師範大學碩士論文 臺北 民 97

66 RC Ropp Luminescence and the Solid State Elservier Amsterdam

2004

67 H Dieke and RA Satten Am J Phys 1970 38 399

68 httpcaiwiteducnmseliuyu2006pptliuX-rayppt

69 AR West Basic Solid State Chemistry John Wiley amp Sons

Singapore 1991

70 吳泰伯 and 許樹恩 X-光繞射原理與材料結構分析 國科會精儀

中心 台北 民 82

71 httpwwwndhuedutw~nanolabtext93_Ma_II_v2pdf

72 林群哲 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 96

73 賴泓均 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 95

74 S Ito TN Murakami P Comte P Liska C Graumltzel MK

Nazeeruddin and M Graumltzel Thin Solid Films 2008 516 4613

75 H Kusama M Kurashige K Sayama M Yanagida and Hideki

Sugihara J Photochem Photobio A 2007 189 100

76 蕭光宏 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 97

142

77 Y Yoshida S Tokashiki K Kubota R Shiratuchi Y Yamaguchi

M Kono and S Hayase Sol Energ Mat Sol C 2008 92 646

78 JJ Wu GR Chen HH Yang CH Ku and JY Lai Appl Phys

Lett 2007 90 213109

79 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

80 J Lin and JC Yu J Photochem Photobiol A Chem 1998 116 63

81 T Lindgren JM Mwabora E Avendano J Jonsson A Hoel CG

Granqvist and SE Lindquist J Phys Chem B 2003 107 5709

82 H Tang H Berger PE Schimid F Levy and G Burri Solid State

Commun 1993 87 847

83 G Oskam A Nellore RL Penn and PC Searson J Phys Chem B

2003 107 1734

84 MA Anderson MJ Gieselmann Q Xu J Membr Sci 1988 39

243

85 P Ganguly N Shah M Phadke V Ramaswamy IS Mulla Phys

Rev B 1993 47 991

86 JH Li WL Kang WH Yan YH Guo HF Gao and ZH Liu

Acta Phys Chim Sin 2008 24 1030

87 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B 2000

104 8989

88 RA Spurr and H Myers Anal Chem 1957 29 760

89 S Yin H Yamaki M Komatsu Q Zhang J Wang Q Tang F Saito

and T Sato J Mater Chem 2003 13 2996

90 E Setiawati and K Kawano J Alloy Compd 2008 451 293

91 B Zou L Xiao T Li J Zhao Z Lai and S Gu Appl Phys Lett

1991 59 1826

143

92 J Yang ZW Quan DY Kong XM Liu and J Lin Cryst Growth

Des 2007 7 730

93 T Hirai and Y Kondo J Phys Chem C 2007 111 168

94 S Yan J Zhang X Zhang S Lu X Ren Z Nie and X Wang J

Phys Chem C 2007 111 13256

95 G Blasse and BC Grabmaier Luminescence Materials Chap 9

186

96 T Miyakawa and D L Dexter Phys Rev B 1970 1 2961

97 KL Frindell MH Bartl MR Robinson GC Bazan A Popitsch

and GD Stucky J Solid State Chem 2003 172 81

98 DL Dexter JH Schulman J Chem Phys 1954 22 1063

99 T Blasse G Philips Res Rep 1969 24 131

100 L Ozawa and PM Jaffe J Electrochem Soc 1971 118 1678

101 QZ Wang J Tian XH Yang and X Gao J Chin Lumin 1995

16 57

102 YH Zhang CK Chan J Porter and W Guo J Mater Res 1998

13 2602

103 BD Yao YF Chan XY Zhang WF Zhang ZY Yang and N

Wang Appl Phys Lett 1998 82 281

104 D Bersani PP Lottic and XZ Ding Appl Phys Lett 1998 72 1

105 YL Li and T Ishigaki J Phys Chem B 2004 108 15536

106 JC Parker RW Siegel J Mater Res1990 5 1246

107 HC Choi YM Jung and SB Kim Vib Spectrosc 2005 37 33

108 JG Li X Wang K Watanabe and T Ishigaki J Phys Chem B

2006 110 1121

109 T Sreethawong Y Suzuki S Yoshikawa Int J Hydrogen Energ

2005 30 1053

144

110 M Saif and A Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360 2863

111 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2005 247 36

112 AB Murphy Appl Opt 2007 46 3133

113 P Kubelka J Opt Soc Am 1948 28 448

114 DG Barton M Shtein RD Wilson SL Soled and E Iglesia J

Phys Chem B 1999 103 630

115 PA Tanner KL Wong and Y Liang Chem Phys Lett 2004 399

15

116 T Umebayashi T Yamaki H Itoh and KJ Asai Phys Chem Solid

2002 63 1909

117 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2006 247 36

118 X Lai Q Guo BK Min and DW Goodman Surf Sci 2001 487

1

119 FM Liu TM Wang JQ Li C Wang SK Zheng and M Duan J

Magn Magn Mater 2002 251 245

120 W Gopel Surf Sci 1984 139 333

121 AG Thomas WR Flavell AK Mallick AR Kumarasinghe

DTsoutsou N Khan C Chatwin S Rayner and GC Smith Phys

Rev B 2007 75 035105

122 X Wang JG Li H Kamiyama M Katada N Ohashi Y

Moriyoshi and T Ishigaki J Am Chem Soc 2005 127 10982

123 D Vogtender R Poducky J Redinger ELD Habenstreit W

Habenstreit and U Diebold Phys Rev B 2002 65 125411

124 M Durr S Rosselli A Yasuda and G Nelles J Phys Chem B

2006 110 21899

145

146

125 C Kim KS Kim HY Kim and YS Han J Mater Chem 2008

18 5809

126 I Robel M Kuno and PV Kamat J Am Chem Soc 2007 129

4136

127 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

128 W Yu L Qu W Guo and X Peng Chem Mater 2003 15 285

  • Poyu封面
  • 洪柏育-碩士論文摘要-0609-2009
  • Poyu謝誌
  • PoYu Hung-MS Thesis-0625-2009pdf
Page 8: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成

圖目錄

圖 11a 各類型太陽能電池效率之發展情形helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip5

圖 11b 各式種類太陽能電池效率演進圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip5

圖 12 染料敏化太陽能電池結構示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip7

圖 13 染料敏化太陽能電池各反應動力學比較示意圖helliphelliphellip8

圖 14 N3 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip13

圖 15 N719 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip13

圖 16 Black dye 染料之化學結構式helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip14

圖 17 Black dye 染料與 N719 染料吸收光譜比較圖helliphelliphellip14

圖 18 DSSC 研究發展時程回顧helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip18

圖 19 主體晶格之陽離子分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip21

圖 110 主體晶格中不具光學活性陰離子團分布圖helliphelliphelliphellip21

圖 111 格中具光學活性陰離子團分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip22

圖 112 活化劑之陽離子團分布圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip22

圖 21 以溶膠-凝膠法與水熱法合成 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux實驗

流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip29

圖 22 以水熱法合成 P25 系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖helliphellip30

圖 231 (a)銅靶之 X 光光譜 (b)封閉式 X 光射線管helliphelliphelliphellip32

圖 232 X 光原理示意圖Cu 1s 電子游離後形成之電洞由 2p 電

子填入並伴隨 X 光釋出helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip33

圖 234 X 光繞射之示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip34

圖 24 X-光粉末繞射儀(PANalytical XrsquoPert PRO XRD) helliphellip35

圖 25 晶體繞射結構解析之一般流程helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip37

圖 26 掃描式電子顯微鏡(NDL)HITACHI S-4000helliphelliphelliphellip38

V

圖 27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip39

圖 28 TEM電子腔內部結構示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip40

圖 291 IUPAC制定之物理等溫吸附-脫附分類圖helliphelliphelliphelliphellip41

圖 292 IUPAC制定之遲滯迴圈型態示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip42

圖 210 螢光體光譜量測過程helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip43

圖 211 光激發光光譜儀構造helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip44

圖 212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀helliphelliphelliphelliphellip45

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip46

圖 216 Hitachi-U3410 紫外-可見光光譜儀helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip48

圖 217 Ti K-edge之XANES示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip50

圖 218 網印機塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip52

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖helliphelliphelliphelliphellip53

圖 220 電池光電轉換效率值檢測系統helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip55

圖 221 太陽能電池 I-V 特性曲線示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip55

圖 222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖helliphelliphelliphelliphellip57

圖 223 Z Z Z θ 之間之關係圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip58

圖 224 典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖helliphelliphellip59

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip60

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析helliphellip60

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip63

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip65

圖 31 TiO2 銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip69

圖 32 TiO2 金紅石(Rutile)相晶體結構圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip69

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜helliphelliphellip70

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖helliphelliphellip71

VI

圖 35 TBT系列Ti097O2Eu0033+粉體X光繞射結構精算圖helliphellip73

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜helliphelliphelliphelliphellip75

圖37 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布helliphelliphelliphelliphelliphellip75

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖helliphelliphellip77

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 003helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 80

圖 392 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)

為 x = 15helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip81

圖 310 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ TEM 圖放大倍率皆為 200kx(a)

x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f)

x = 004 helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip82

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖85

圖 312 TBT系列樣品不同Eu摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip86

圖 313 (a)~(c) P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之BET圖87

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip88

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖helliphelliphelliphellip90

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖helliphellip91

圖 317 P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL光譜圖helliphelliphellip91

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip92

圖 319 TBT系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE光譜圖helliphellip93

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖helliphellip93

圖 321 Ti1-xO2 Eux3+之 log(xEu

3+)對 log(IxEu3+)關係圖helliphelliphelliphellip95

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖hellip97

圖323 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖helliphellip99

圖 324 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS光譜helliphellip101

VII

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip103

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip104

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜helliphelliphellip105

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖105

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖106

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphellip108

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip108

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip110

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖338兩系列樣品未摻雜及摻雜Eu3+粉體能隙位階圖helliphelliphellip112

圖 339 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜helliphelliphelliphellip114

圖 340 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip115

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜helliphelliphelliphellip115

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip116

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip119

圖344 P25系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphellip121

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip122

VIII

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

圖348 P25系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖helliphellip127

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變

化helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip127

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作電極之激

發與放射光譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 130

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖

譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip135

IX

X

表目錄

表 11 各類型太陽能電池之比較helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip4

表 2-1 本研究所使用之藥品清單helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip25

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip33

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數hellip73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參

數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip74

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數helliphelliphellip78

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果helliphelliphellip78

表 34 TBT系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip119

表 35 P25系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

表36 TBT系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

表 37 P25系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數

分析helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip135

第一章 緒論

11 前言

聖經舊約創世紀記載著上帝說要有光即有光時至今日太

陽光為地球上最重要且最為豐富之可再生能源亦為人類唯一用之不

盡取之不竭之能量來源每年於地球上之光照能量可達到全球人類

年消耗量之數千萬倍以上由於各類天然能源快速耗竭故有效利用

太陽能轉換成所需之能源成為ㄧ門極為重要之課題各種再生能源中

涵蓋太陽能水力發電風力發電燃料電池以及鋰離子電池等

僅太陽能電池為一種將太陽光直接轉換為電能之光電元件早於1954

年時美國 Bell 實驗室首先提出以矽半導體作為太陽能電池之材

料此一領域於眾多研究學者與工程人員之努力下迄今相關之理論

與技術均已相當成熟且真正地商品化雖然無機半導體-矽太陽能電

池發展至今製程已漸趨穩定但由於對於原料之純度高度要求因此

製備成本難再大幅降低因此各研究單位莫不積極找尋另一低成本

製程簡易之替代材料此為目前使太陽能電池應用普及之發展重點

相較於傳統矽晶材料無機奈米材料具低密度質量輕成本低廉且

可使用一般傳統且發展完備之塗佈方式例如旋轉塗佈 (spin

coating)刮刀塗佈(doctor-blade coating)網版印刷(screen printing)

或近來發展之噴墨印刷 (ink-jet printing)等不需高價位設備之方法來

製備光伏元件 (photovoltaic device)因此不但可簡易地製備不同大

小之元件 並且可大幅提升進一步顯著降低元件成本之機會同時

無機奈米材料可透過分子結構設計例如摻雜金屬離子或是改變其形

貌藉以調整其能階與能隙大小電荷轉移能力電荷傳導速度溶

解度成膜之結晶型態等重要材料特徵另外所吸附之有機分子通

常具高光吸收係數與良好之延展性因而可藉以製備輕薄且可撓曲之

1

攜帶式電池元件(1)色素增感 (dye-sensitization) 之概念源起於19世

紀攝影技術使用色素增感鹵化銀(silver halide)可產生黑與白之感光

膜(photographic films)此被視為關於色素增感半導體之第一個重大

研究(2)然而最早之光電化學使用之平滑電極只有於膜表面吸附之

單層色素才能有效的將電子注入半導體內但此單層色素內光線之吸

收效率極低於多孔性之 TiO2 奈米薄膜內其有效表面積能增加至

1000倍因此要使光線吸收效率增加必須使每一個 TiO2 粒子表面

皆吸附單層色素(3)直到1991年瑞士科學家Graumltzel利用奈米技術改良

工作電極進而開發出高效率(71~79 )太陽能電池稱為染料敏化太

陽能電池 (dye - sensitized solar cellsDSSC) (4)其成果引起全球能

源界之關注以及熱烈投入發展近年來染料敏化太陽能電池澎勃發

展最大原因仍在於簡單製程無須投入昂貴設備無塵室廠房等

設備而二氧化鈦電解質等材料價格便宜亦為關鍵要素此外

DSSC 可使用具可撓曲性基材應用端因此大幅擴張相較於目

前主流矽晶太陽能電池只適用於大型戶外屋頂等少數應用場

合其具較大之應用空間

12 太陽能電池簡介

太陽能電池依照所使用之材料以及製程之不同可分為矽基

型化合物半導體型與有機半導體型三類

ㄧ矽基型太陽能電池(5 - 7)

根據結晶形態矽基型太陽能電池可分為單晶矽(monocrystalline

silicon)多晶矽(polycrystalline silicon)與非晶矽(amorphous silicon)三

類單晶矽之組成原子均按照一定規則週期性排列以單晶矽製

備之太陽能電池轉換效率最高約為24 使用壽命年限亦較長

2

但通常所使用之矽半導體基材純度極高相對地製造成本亦最多

多晶矽是以熔融態之矽鑄造固化而成其矽原子堆積方式不只一

種而是由多種不同排列方向之單晶所組成多晶矽太陽能電池由

於製程簡單故成本較低轉換效率約18-20 非晶矽對光之吸收性

比矽強約500倍只需薄薄一層即可將光子之能量有效地 吸

收其轉換效率雖僅 13-14 然而因為非晶矽不需使用昂貴之

結晶矽基板而用較便宜之玻璃陶瓷或是金屬等基板如此不僅

可以節省大量之材料成本亦提高製作大面積之太陽電池之可能性

(結晶矽太陽電池之面積受限於矽晶圓之尺寸)製造成本為三者間

最低為其最大之優勢故未來亦具發展潛力世界上已有多家公司生

產該種電池之產品例如美國 uni-solarsolarex日本三洋電機

夏普大陸深圳拓日與德國 Schott Solar非晶矽薄膜太陽電池之主

要優點是成本低製備容易但亦存在嚴重缺點即性能不穩定其

光電轉換效率隨光照時間延續而衰減另外非晶矽薄膜太陽電池之效

率亦較低(95 )為提升非晶矽電池效率大多數廠商採用雙層p-i-n

結構(一層非晶矽能階約17 eV與一層微晶矽能階約14 eV堆疊而成)

串接使電池可以吸收各種不同波長之光源達到對太陽光最大利用

進而提升整個之轉換效率

二化合物半導體型薄膜太陽能電池(5 8)

化合物半導體型薄膜太陽能電池則可分為下列幾類Ⅲ-Ⅴ族

[包括砷化鎵 (GaAs) 磷化銦 (InP)磷化鎵銦 (InGaP) ]Ⅱ-Ⅵ

族[包括碲化鎘 (CdTe)硒化銦銅 (CuInSe)]等化合物半導體為直

接能隙材料其能隙於11及16 eV之間與太陽光譜匹配度較佳此

些材料所製作之太陽電池亦都有很高之效率尤其多接面串疊型

(InGaPGaAsInGaAs multijunction tandem cell)之太陽能電池效率甚

3

至可以接近40 然而製作過程中需於真空及高溫下操作使得造價

昂貴且並未大量生產故目前商業市場上仍以矽基型太陽能電池為

三有機半導體型

有機半導體型太陽能電池具成本低廉製程簡易可應用於大

面積化以及具可撓曲性等優點故近年來度受到各界矚目本論文

中所研究之染料敏化太陽能電池(5 9)即為其中之一 然而此系列之

太陽能電池至今尚未量產之主因是在於其轉換效率低高溫穩定性

不佳及大尺寸太陽能板開發等問題因此提高轉換效率與穩定性

則成為目前研究之首要目標

表 11 各類型太陽能電池之比較(5)

4

圖 11a 各類型太陽能電池效率之發展情形(8)

圖 11b 各式種類太陽能電池效率演進圖(16)

5

13 染料敏化太陽能電池

131 工作原理

染料敏化太陽能電池之組成以及此類電池之工作原理與相對能

階位置圖如圖12 所示塗有多孔性奈米結晶性二氧化鈦(porous

nanocrystalline TiO2)之透明導電玻璃(陽極)染料分子吸附於TiO2

上含有Iminus I3minus之氧化還原對(reduction-oxidation couple)電解質塗有

鉑(Pt)觸媒層之相對電極(陰極)所組成於外接負載情況下整個電

池形成連通迴路而產生電流與電壓當太陽光照射至染料而產生激發

電子由於染料分子LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)能階

較 TiO2 導帶高(Ecconduction band)染料激發態電子迅速注入TiO2

導帶中而形成染料陽離子其中 TiO2 不單作為染料支持劑且為電

子之受體與導體雖然少部分電子會經由再結合(recombination)過程

而消失但大部分電子經由導電玻璃而傳導至外電路氧化態之染料

從電解質獲得電子而還原輸出之光電壓為照光下半導體之費米能階

(Fermi level)與電解質氧化還原可逆電對 (redox couple)之Nernst

potential差( )電解液經由相對電極上傳來之電子而被還原(10)如

此整個電路各部分皆得以再生無淨反應生成其持續之光電流由

此產生整個反應表示如下(11)

陽極 S(基態) + 能量( hυ ) rarr S(激發態)helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip照光激發

S rarr S+ + e- (CB)helliphellip染料激發態電子進入TiO2導帶

2S+ + 3 Iminus (電解質) rarr 2S + I3minushelliphelliphellipS再生Iminus消耗

陰極 I3minus+ 2e- rarr 3 IminushelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellipIminus再生

副反應 2e-(CB) + I3minusrarr3 IminushelliphellipTiO2 導帶上之電子與I3

minus結合

其中S為染料基態(ground state)S為染料激發態(excited state)S+

為氧化態染料離子(oxidized state)

6

圖 12 染料敏化太陽能電池結構示意圖(12)

圖13 為染料敏化太陽能電池各層間反應時間示意圖當染料經

照光後激發態電子注入 TiO2 導帶於 pico-second 範圍而結合過

程則約發生於 micro-second 之時間因此前者電子傳遞速率約為後

者之103倍甚至可達106倍故形成光誘導電荷分離之動力學基礎可

見光誘導分離非常有效造成淨電子流出此外電子之生命週期(life

time)與擴散係數(diffusion coefficient)決定電子之擴散長度(diffusion

length)電子於多孔膜中傳遞並不如在單晶中快故必須盡可能減少

電子行走路徑與穿越晶體界面數因此存在有一最佳膜厚對應最

大光電流值最後染料之還原反應發生於 nano-second 範圍

速率快於結合過程而能迅速消除電洞符合目前太陽能電池所要求之

7

條件形成此種快速轉移之機制乃因分子軌域之電子波函數與TiO2

導電帶之電子波函數造成耦合現象詳細之傳遞過程可以由量子力學

方法計算

圖 13 染料敏化太陽能電池各反應動力學比較示意(12)

132 染料敏化太陽能電池各部分介紹

1321 奈米結晶多孔膜電極 (nanocrystalline porous electrode)

奈米半導體光陽極材料(如TiO2)具重要地位其結構與性能直接

影響與光敏染料分子之匹配及接受染料分子注入電子之效率與光電

池之開路電壓一般染料敏化太陽電池對半導體光電極有如下要求

具比較大之比表面積以吸附更多染料分子適當導電帶能階以使與染

料激發態相匹配提高激發態染料朝向半導體電極注入電子之效率

較高之費米能階以提高電池之開路電壓較小之電阻率促使電池之內

阻減小由於 TiO2 具安定無毒穩定性高且便宜等優點故最為

被廣泛研究其他材料如 ZnO (1314) Nb2O5(1516)SnO2

(1718)In2O3(19)

8

以及二元材料Zn2SnO4(20)等都曾被研究然而電子注入效率之高低仍

須考慮染料分子與半導體結晶結構之特定方向鍵結 各研究致力於發

展相搭配之染料目前仍是以 TiO2 為主流材料天然之二氧化鈦

有三種結晶型態即銳鈦礦型(Anatase)金紅石型 (Rutile)與板鈦

礦型(Brookite)主要是由於鈦原子與氧原子排列不同而形成相異結晶

構造於此三種結晶型態中銳鈦礦型與金紅石型皆具光催化能力

銳鈦礦型與金紅石型二氧化鈦之共價帶電位很高經光照射後所生成

之電洞具極強之氧化能力 再者銳鈦礦型之傳導帶電位比金紅石型

高造成銳鈦礦型之能隙大於金紅石型(銳鈦礦型約為33 eV金紅石

型約為31 eV)受光激發至傳導帶之電子較不易回復至價帶因此

其電子具較強還原能力綜合上述可知銳鈦礦型二氧化鈦具較高催

化活性之因

染料敏化太陽能電池之一項重要關鍵技術即是引入高粗糙因

子 (roughness factor)之多孔性海棉狀(sponge-like)半導體電極結構

其目的除使染料大量吸附外並且提供適當孔洞大小供電解質擴

散薄膜電極材料之製作一般可區分為下列兩種略述如下

方法一(21 22)

瑞士教授 Graumltzel 之研究群乃利用溶膠-凝膠(sol-gel)之方法獲

得具結晶性與高比表面積之奈米顆粒依此法所得之顆粒最終型態是

受到環境之合成條件影響例如水解與聚合之酸鹼度溫度前驅物之

化學性質溶劑觸媒濃度等均扮演著重要角色以下粗略描述製作

步驟及其對應之環境與影響

I 水解 (Hydrolysis)此步驟牽涉 Ti(IV)鹽類之水解控制前驅物之

選擇可以為四異丙氧基鈦 (titanium isopropoxide) 或四氯化鈦

( TiCl4)並於 01 M HNO3 之酸性環境下進行水解使所得之膠體

9

粒子能均勻分散並且穩定懸浮於液體中實驗證明於相當高之水與

鈦比例下不論是逐滴加入(dropwise)抑或是全加(one shot)皆不

影響最後產物型態(22)

II 膠溶作用(Peptization)此步驟於 70-100oC 下持溫數小時除使

膠體粒子相互連結形成高交集度粒狀結構凝膠外同時亦因能量之提

供而破壞凝團聚集(deagglomeration) 之情形(22)結晶化亦於此時發

生顆粒亦同時微幅成長

III水熱成長(Hydrothermal growth) 此步驟之目的乃於高溫之環境

下藉由奧斯瓦特熟成過程 (Ostwald ripening) 將小顆粒溶解並進一

步成長為較大之結晶顆 粒溫度改變不僅影響最終之顆粒大小

同時亦將影響最終多孔膜之平均孔徑此外Rutile結晶相亦會於較高

溫時形成文獻(23)指出Anatase相顯示較佳之電子傳輸速率與生命週

期一般是以Anatase相為主而Rutile相之反射係數顆粒均比Anatase

相大導致生成之薄膜不具透明性但可使入射光能於多孔膜內多次

反射而被有效利用因此亦有相關研究作為太陽能電池電極為10 μm

厚並有部分Rutile相之 TiO2 多孔膜為主(21)

方法二(24 25)

利用商業化二氧化鈦粉末 (Degussa P-25為 70 銳鈦礦

(anatase)30 金紅石(rutile)之混合物粒徑約24 nm比表面積約

50 m2g)加入乙醯丙酮(acetyl acetone)或 HNO3 用以預防粒子聚

集以及添加介面活性劑用以降低表面張力以利塗佈

最後將上述方法所製得之二氧化鈦粉末與凝聚劑(binder)充分

混合利用刮刀成膜(doctor blade)之方式將上述膠態溶液塗佈於導

電玻璃上經 450oC 煆燒30分鐘後使顆粒彼此間經燒結聚同時與

導電玻璃間形成良好之電接觸(electronic contact)凝聚劑於此步驟

10

中被燒掉而遺留下孔洞完成粗糙因子約為1000之多孔膜(roughness

factor = 總表面積投影表面積) (24)值得注意之為不同煆燒溫度與

時間亦將影響最終孔徑分布進而影響電解質擴散與電池之效率表

現此外亦有利用網板印刷(screen printing)熱分解噴鍍技術(spray

pyrolysis deposition)等應用於大量生產之方式溶液之配方需做進一

步調整才能適用

1322 染料(dye)

染料為染料敏化太陽能電池中之重要組成部分在近 20 年之研

究中已嘗試合成 900 多種之染料並應用於染料敏化太陽能電池

但其中只有一小部分具良好之光敏化性能其中主要是釕(Ru)之多

吡啶錯合物而染料性能之優劣將直接影響到染料敏化太陽能電池

之光電轉換效率前述提到要藉由光激發二氧化鈦而產生反應須要

低於 388nm 之紫外光但紫外光所佔太陽光能中只有 5 是故必

須利用太陽光能占最高比例之可見光而染料能夠幫助二氧化鈦之吸

收波長提高至可見光區因此染料能藉由可見光之激發驅使電子躍遷

至二氧化鈦半導體電極並接受來自電解質之電子還原而一般染料

必須符合以下幾點條件(26)

(1) 緊密吸附於二氧化鈦表面亦即為能夠快速達到吸附平衡且不

易脫落故染料分子母體中一般應該要含有易與奈米半導體表面結

合之基團如-COOH-SO3H-PO3H2如染料上之-COOH 官能基

會與二氧化鈦膜上之-OH 官能基形成成酯類而增強二氧化鈦導帶

3d 軌域與色素染料 π軌帶電子之耦合使電子轉移更為容易

(2) 對可見光具很好之吸收特性即是能吸收大部分之入射光

(3) 其氧化鈦(S+)與激發態(S)要具較高之穩定性與活性

11

(4) 激發態壽命足夠長並具很高之電荷(電子電洞)傳輸效率

(5) 具足夠之激發態氧化還原電位以保證染料激發態電子注入二

氧化鈦導帶

(6)氧化還原過程(包括基態與激發態)中要有相對較低之位勢使

初級與次級電子轉移過程中之自由能損失最小

以釕之多吡啶錯合物為主之染料敏化劑為藉由吸附於二氧化鈦

表面其提供主要光子吸收與隨後發生電子注入之步驟典型釕之多

吡啶錯合物化學結構最早是由 Graumltzel 團隊所發現此類型染料因其

具較強之可見光吸收能力良好光電化學性質激發態穩定性高及與

二氧化鈦表面具強之連結作用力且可接受約 5x107 次氧化還原反

應因此成為廣泛使用之染料敏化劑如圖 14~16 之結構(27)N719

光敏染料於 535nm395nm 有最大吸收峰N3 dye其吸收光之

範圍可達可見光區從 400 nm~800 nm全質子化 N3 dye 於 538

nm398 nm 有最大吸收峰(28)Black Dye為目前最具效能之染料

其吸收光範圍涵蓋可見光且可達近紅外光區(900nm)單一質子化

Black Dye 於 610 nm413 nm 有最大吸收峰於拉曼振動光譜研究

中亦指出單一質子化 Black Dye 與二氧化鈦之表面鍵結與 N3 Dye

相同是由螯狀雙牙配位 (Chelate Bidentate)或架橋配位 (Bridging

Bidentate)型式與二氧化鈦配位鍵結其差別在於 Black Dye 乃以

COOmacr與 TBA+與二氧化鈦產生配位鍵結(29)然而以上此些染料可於

可見光與近紅外光區具吸收主要可歸因於金屬-官能基電荷傳遞

(Metal-to-Ligand Charge TransferMLCT)之性質由金屬(Ru)之電子

傳遞至位於外圍之羧基化吡啶配位鍵之 π 反鍵結軌域之後在少於

100 fs 時間內將電子傳入二氧化鈦之導帶(30-34)因此理論上光子轉換

為電子之比例可達至 100本研究所使用之染料 N719 與 black dye

12

之吸收光譜比較圖如圖 17 所示

圖 14 N3 染料之化學結構式(27)

圖 15 N719 染料之化學結構式(30)

13

圖 16 Black dye 染料之化學結構式(29)

圖 17 Black dye 染料與 N719 染料吸收光譜比較圖(31)

1323 電解液(electrolyte)

目前 DSSC 依其結構與研究使用目的不同亦搭配相異種類之

電解質液態電解質溶膠-凝膠(準固態)電解質與固態電解質本研

14

究所使用之液體電解質由於其擴散速率快光電轉換率高及組成成分

易於設計調整且對於奈米多孔膜滲透性佳故一直廣泛研究但

存在著許多問題(1) 傳統碘離子 (IminusI3minus) 電解質溶液之有機溶劑多

半有毒性其滲漏與揮發問題需解決(2) 實際於長期日照下應用之

發電穩定性與熱穩定性有待加強(3) 嚴密封裝需求將提昇製程成

本(4) 柔軟材質上應用困難(5) 有機溶劑對染料吸附之不利影響

以上問題於應用上均造成某種程度阻礙一般電解質都須具高極性有

機溶劑作搭配於液態電解質濕式元件中會選擇如乙烯碳酸鹽

(ethylenecarbonate)乙腈(acetonitrile)丙烯碳(propylenecarbonate)

之混合溶劑而電解質之選擇有I2LiIKITerapropylammonium

iodideTertabutylammoniumiodide 等Graumltzel 等人(32)以black dye為

染料06 M dimethylpropylimidazolium01 M I201 M LiI 與05 M

4-tert-butylpyridine 為電解質 (溶劑為methoxyacetonitrile)於 100

mWcm2強光下光電轉換效率為104 碘化物中陽離子常用的為

咪唑銨(imidazolium) 類陽離子或鋰離子(Li+)Imidazolium 類陽離子

可以吸附於奈米 TiO2 表面阻絕了 I3minus 與 TiO2 表面之接觸因此

抑制導帶電子與 I3minus 於 TiO2 表面結合使電池輸出功率與光電轉換

效率得以明顯提升由於 imidazolium 陽離子之體積大於鹼金屬離子

體積只要增大碘鹽中陽離子體積即易導致陽離子對 Iminus 束縛力減

弱一方面可以提高碘鹽於有機溶劑之溶解度進而提高 Iminus 濃度

另一方面亦因陽離子對 Iminus 之束縛力減弱Iminus 還原活性及於有機溶劑

之遷移率亦增強上述兩者均有利提高氧化態染料再生為基態染料之

速率(33)當電解質溶液中加入小體積 Li+ 時若 Li+ 濃度很小此

時 Li+ 主要是吸附於 TiO2 表面上若 Li+ 濃度增大則 Li+ 於

TiO2 表面吸附與嵌入 TiO2 膜內兩種情況共存此種情況之 Li+ 可

15

與傳導帶電子形成電子對 Li+- e-由於 Li+- e- 電子對既可於 TiO2

表面遷移亦有可能脫離 TiO2 表面遷移此將明顯減小導帶電子於

相鄰或不相鄰鈦原子之間之傳輸阻力及距離可知於電解質中加入

Li+可大幅改善電子於 TiO2 之間之傳輸進而提高染料敏化太陽

能電池之光電流(33)

1324 相對電極(counter electrode)

相對電極於染料敏化太陽能電池中扮演快速還原I3-之角色有效

觸媒催化劑極具必要性目前白金(Pt)觸媒最為被廣泛利用但其對

於光電效率表現程度(動力學常數化學穩定度附著穩定度)深受製

作方法所影響如電化學法 (electrochemically) 與蒸鍍法 (vapor

deposited)上述兩製作方法由於穩定度不佳與還原能力不好而不適

用濺鍍法(sputtering)目前最為被廣泛利用(此亦為本研究白金電極之

製作方法)其穩定性佳製作程序簡便卻須消耗較多白金而不適用

於大量生產Papageorgiou等人則發展出熱沉積(thermal decomposition)

法(34)此方法不僅大量減少白金使用量於動力學參數化學穩定性

機械強度及透明性上皆有其優異之處只是做法上較為麻煩此外

Kay與Graumltzel亦發展利用多孔性碳(porous carbon)做為觸媒層(35)此觸

媒層為碳黑(carbonblack)石墨奈米結晶性 TiO2 粉末混合物碳

黑可連接分離之石墨片進而提高導電度TiO2 則作為黏著劑(binder)

用此項技術之最大優點在於成本花費降低然而目前效能仍較白金

觸媒差

133 染料敏化太陽能電池之文獻回顧與發展現況

於1978 年美國專利發表第一個最先使用染料敏化 TiO2 來轉換

太陽光能之元件(36)TiO2 為寬能隙 n 型半導體對空氣及水有穩定

16

之抗氧化能力(4)然而電極為寬能隙半導體係為延伸於太陽光中可見

光區域之光譜應答但仍必須與染料高濃度掺雜此專利染料使用為

N-methylp- henaziniumion此使 TiO2 光譜響應延伸至500 nm然而

此專利中所組裝之元件轉換效率相當低且穩定性亦有待商榷直到

1991年瑞士洛桑高等工業學校(Ecole Polytechnique Federale de

LausanneEPFL)之 Graumltzel 與 OrsquoRegan 發展染料敏化奈米薄膜太

陽電池取得重大之突破(43738)電極為奈米多孔TiO2使用更穩定更

有效率之過渡金屬 Ru 等有機化合物染料其光電轉換效率可達 71

而於 1997年其轉換效率達至10 ~ 11 (39)澳大利亞國際永續技

術公司(Scientific and Technical InformationSTI)徳國 INAP (Institut

fuer Angewandte Photovoltaik Solarpunkt ) 研究所荷蘭國家能源研究

所(Energieonderzoek Centrum NederlandECN)日本日立公司日

本富士公司瑞典 Uppsala 大學瑞士 Leclanche SASolaronix

等公司均於產業化研究中已取得較大之發展 過去10年中全世界各

主要實驗室與公司於不同面積太陽電池上取得不同光電轉換效率其

中瑞士 EPFL 與日本夏普公司於小面積(面積小於1 cm2)電池上獲得

超過 11 之光電轉換效率(40-43)ECN 於條狀電池(1~5 cm2)上達82

(有效面積236 cm2) 之光電轉換效率瑞士EPFL(44)日本Sharp公

司Arakawa等(45)於條狀電池(1~5 cm2 ) 上取得與小電池(面積小於1

cm2)相當之轉換效率101 (131 cm2)104 (1004 cm2 ) 與99

歐盟 ECN 研究所取得面積大於1cm2電池效率最高紀錄 (815 (25

cm2)58 (100 cm2) 平均45 ) (46)由於DSSC電池之特殊性大

面積電池之研製與產業化一直是該電池研究難點目前澳大利亞

STI 公司建立世界第一個亦為迄今獨一無二面積 200 m2 之染料敏

化奈米薄膜太陽電池平面屋頂亦顯現出未來工業化之前景該結果

17

使人們對產業化染料太陽能電池之性能極具信心 2002 年美國

Konarka 公司亦投入 1350 萬美元對以透明導電高分子等軟性薄膜

為導電極之染料敏化奈米薄膜太陽能電池進行產業化與實用化研

究該研究是基於美國軍隊對軟性與移動性較好能源轉換之應用要

求故得到美國軍方大力支持因此於能源危機之促使下全球研

究單位莫不藉由改善DSSC各部分之特性以提高效率或設計其結構

以增其實用性

圖 18 DSSC 研究發展時程回顧(4 22 24 40 47-57)

14 二氧化鈦摻雜元素材料之研究

TiO2 之晶體中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性

質之改變易有助於光催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕

18

捉電子或電洞之缺陷有助於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素

與 TiO2 共結晶添加之過渡金屬亦將於光觸媒之傳導帶與價帶之間

形成新獨立能階因此可以較低之能量使電子激發進而擴大激發光

源之使用增益對光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化

效果通常摻雜元素之量(濃度)低時較有利光觸媒活性太高會大幅

改變 TiO2 原有特性每種元素之摻雜有其特定最佳化條件

Vamathevan 等人(58)配製含 Fe3+ 或 Ag+ 之摻雜改質二氧化鈦

以蔗糖之光氧化分解成二氧化碳以進行光觸媒催化活性評估結果顯

示添加之銀離子與鐵離子皆有一最適劑量分別為銀(20 atom )

與鐵(10 atom )於最佳金屬添加量比例之外銀改質型觸媒之

催化活性會略為降低故近年來研究發現 Fe3+ 為有效之摻雜離子

(5960)Li等人(61)利用有機金屬化學氣相沈積法(metal organic chemical

vapor deposition MOCVD ) 以 四 異 丙 氧 基 鈦 (Titanium

tetraisopropoxide TTIP)和 (CH3COCHCOCH3)3NdxH2O作為前驅

物以製備摻雜 Nd3+ 之改質二氧化鈦結果顯示隨著Nd3+摻雜量

之增加改質後之二氧化鈦觸媒於可見光波長範圍之吸收能力亦隨之

增加

除此之外其他如 Mo5+Ru3+Os3+Re3+Cr3+V4+與Rh3+

以及非金屬元素N (62)之摻雜等此方面研究近年來引起相當多投入

關於稀土離子摻雜進入一般陶瓷材料之研究已進行幾十年然而近幾

年始開始出現對於稀土原子摻雜進入半導體材料之研究將Tb3+摻雜

入TiO2 粉末或是薄膜中確實可以發出綠光(6364) TiO2中分別摻雜

Eu3+Tb3+Sm3+可以明顯觀察不論摻雜之稀土元素種類改變其

相皆與純之TiO2相符合證明摻雜稀土元素進入TiO2並不會改變其原

有之結構也因而不會因此改變TiO2原有之結構特性但卻可以影響

19

其電子組態與能階分布進而改變其光電特性目前故有稀土原子摻

雜進入半導體材料之研究皆只探討其發光機制與少許光觸媒特性分

析對於直接於太陽能電池電極之應用仍極為少數

141 TiO2Eu 粉體發光特性說明(65)

針對本實驗合成之工作電極材料雖發光強度無法與商用紅色螢

光粉比擬但仍為一無機螢光體主要由主體晶格(host lattice簡稱

H)與活化劑(activator簡稱 A)兩者所構成之其化學式一般以 HA

表示活化劑因可能取代主體晶格中特定離子位置稱為摻雜劑

(dopant)

1411 主體晶格(Host)

主體涵蓋一個或數個陽離子與一個或數個陰離子結合而成一般

主體於光激發過程中所扮演之角色為能量傳遞者而主體中之陽離子

或陰離子必須不具光學活性(optically inert)如此能量之放射與吸收

均於活化中心進行陽離子之選擇條件須具如惰性之電子組態(如

ns2np6d10)或具封閉之外層電子組態(如 f0f7f14)故不具光學活性

圖 19 為週期表中可作為螢光體主體之陽離子分布圖主體之選擇對

發光強度與光譜特性影響極大其中活化劑離子所進入晶格位置之

點對稱(point symmetry)與配位數(coordination number)以及所取代主

體離子之半徑大小均決定發光之行為

20

圖 19 主體晶格之陽離子分布圖(66)

陰離子團之選擇有二一為不具光學活性之陰離子團如圖

110另一則為具光學活性(optically-active)可充當活化劑之陰離子

團如圖 111後者通稱為自身活化(self-activated)之螢光體如

CaWO4YVO4等此為週期表中可作為螢光體主體晶格之陰離子

圖 110 主體晶格中不具光學活性陰離子團分布圖(66)

21

圖 111 主體晶格中具光學活性陰離子團分布圖(66)

1412 活化劑(Activator)

活化劑一般分成兩類陽離子團與陰離子團前者須具正確之價

數後者須具自身活化能力且可產生電荷轉移作為活化劑之陽離子

一般具 (nd10)((n+1)s2) 電子組態此類呈現高放光效率或半填滿軌

域如Mn2+Fe3+等如圖 112此外活化劑之添加本質上屬於

取代缺陷故活化劑與主體陽離子之大小須相近如相差太多將造成

晶格之扭曲故活化劑之種類與主體內之添加取代量即受到限制

圖 1 12 活化劑之陽離子團分布圖(66)

22

本研究採用之活化劑為稀土離子(67)其發光特性取決於稀土離子

Eu 4f 殼層電子性質稀土離子之電子躍遷主要具以下兩種形式(1) f

- f 躍遷(2) f - d 躍遷多數三價鑭系離子發生於內層之 4f - 4f 能階

躍遷根據選擇律此種l = 0 之電偶極躍遷原屬禁戒(forbidden)

但因 4f 組態與反對稱之組態 g 或 d 發生混合使原屬禁戒之 f - f 躍

遷成為允許(allowed)且 4f 殼層上之電子受外殼層 5s24p6 之遮蔽效

應故其 f - f 能階躍遷特徵如下

(1) 發射光譜呈線性譜線強度較弱

(2) 主體晶格(host)對發射波長影響不顯著

(3) 濃度與溫度淬滅變小即使於 400~500仍可發光

(4) 螢光壽命較長

15 研究動機與目的

本論文研究基於之前眾多之成果所建立之理論基礎提出一將稀

土元素摻雜入 DSSC 之工作電極中之創新構思欲藉由類似螢光粉之

觀念於主體 (host) 中摻入活化劑 (activator) 再經由特定波段之

激發產生放光之過程放射光之波長取決於主體與活化劑之搭配此

概念之目的是要增加染料敏素之吸收率進而提升整體之效益而所

需放射之光取決於染料敏素之 IPCE(incident-photon-to-current

conversion efficiency) 值於何處有最大值關於稀土離子摻雜進入一

般陶瓷材料之研究已進行幾十年近幾年則開始有對於摻雜進入半導

體材料之研究而先前眾多研究只探討其光觸媒特性並無應用於染

料敏化太陽能電池之顯著成果其中 Eu3+具非常好之紅色可見光發光

性Eu3+離子吸收波長 300 ~ 450 nm 左右之太陽光後其內層 4f ndash4f

軌域間之轉換將可放射出 593 nm (5D0 rarr 7F1) 612 nm (5D0 rarr 7F2)

650 nm (5D0 rarr 7F3)與 697 nm (5D0 rarr 7F4)紅光範圍之可見光Black

Dye 其 化 學 名 稱 為 【 thithiocycanato 44rsquo4rdquo-tricarboxy

23

31-22rsquo6rsquo2rdquo-terpyridine ruthenium(II)】(RuLrsquo(NCS)3 Complex)且其於

610 nm 與 413 nm 有最大吸收峰且其 ICPE 值於 400~600 nm 範圍

可達 80 恰位於 Eu3+之最強放光處故研究是否可藉由此放光增

加染料之吸收進而提升激發電子量再者稀土元素之摻雜並不會

破壞原有之晶體結構卻可影響其電子能態或原子結構調整其能

隙故本研究亦透過設計雙層結構之工作電極使各層工作電極傳導

帶之相對位置更有利於電子之傳遞以增加激發電子傳導速率並

減少電子再復合機率提升太陽能電池之效率

24

第二章 實驗步驟與儀器分析方法

21 化學藥品

本研究使用之藥品皆為試藥級之純度故使用前不須進行再純化

之步驟其來源與名稱如表 2-1 所示

表 2-1 本研究所使用之藥品清單

玻璃基板

FTO 導電玻璃 [ SnO2F TCO ] Solaronix TCO22-15

15 Ωsq

編號 藥品 廠商 純度

(1) 氧化銪 [ Eu2O3 ] Sigma-Aldrich 999

(2) 鈦酸四丁酯 [ Ti(OC4H9)4 ] Acroros 99

(3) 二氧化鈦 [ TiO2 ] Degussa P25 NA

(4) 硝酸銪 [ Eu(NO3)35H2O ] Sigma-Aldrich 998

(5) 碘 [ I2 ] Merck 98+

(6) 碘化鋰 [ LiI ] Merck 98+

(7) 4-特-丁基呲啶 [ C9H13N ] Aldrich 99

(8) 第三丁醇 [ (CH3)3COH ]JTB 998

(9) 四氯化鈦 [ TiCl4 ] Aldrich 999

(10) 無水乙醇 [ C2H5OH ] Riedel-de Haeumln 998

(11) 乙腈 [CH3CN] Fluka 99

(12) 乙基纖維素[Ethyl cellulose] Fluka 99

(13) 松油醇[C10H18O]terpineol Fluka NA

25

(14) 丙酮 [ CH3COCH3 ] Riedel-de Haeumln 99

(15) 甲醇 [ CH3OH ] Fluka 998

(16) 己烷 [C6H14] Riedel-de Haeumln 99

(17) 氧化鎘 [ CdO ] 林 純藥工會株

式會社 99

(18) 油酸 [ C9H18C8H15COOH ] Aldrich 90

(19) 1-十八烷烯 [ C18H36 ] Aldrich 90

(20) 三正辛基膦 [ (C8H17)3P ] Alfa Aesar 90

(21) 硒粉 [ Se ] ACROS

995

(22) 巰基丙酸 [ HS(CH2)2COOH ] Fluka

99

(23) 四甲基氫氧化銨 [ (CH3)4NOH ] Fluka

25 wt

本研究所採用之二次去離子水為經 Millipore 公司之 Milli-Q 純水系統

所處理其電阻值為 18 MΩ-cm

22 合成方法

221 溶膠凝膠法 (Micelle and sol - gel)

此方法乃利用水油與介面活性劑之三元體系所形成之混合溶

液利用其極性相近物質之相互聚集為理論基礎其中之介面活性劑

將扮演不相容物質彼此間之橋樑其中量少之一方將以微胞或微乳液

之形式存在微胞之形狀將隨著加入試劑之濃度差異而形成各種不同

26

形狀所選取之反應物須存在於微胞中而形成溶膠以利進行凝膠化

之反應於微胞中溶膠 (Sol) 之定義為極小之膠體粒子因凡得瓦

爾力與電雙層作用下產生布朗運動而均勻分散於系統中而形成所

謂溶膠與凝膠 (Gel) 為經過水解 (Hydrolysis) 與縮合 (Condensation)

反應後分子單體經由鍵結而逐漸形成大分子之凝膠狀態溶膠‐凝

膠法之基本步驟為利用金屬醇化物或金屬鹽類溶於水或醇類等溶劑

中進行水解與縮合反應所形成之凝膠產物之性質及結構與製備過程

之條件具密切之關係例如反應原料之種類濃度溶劑溫度

壓力pH 值等因素溶膠-凝膠法於形成薄膜與塊材方面具顯著之優

點且溶膠易形成摻雜故可製備均勻分布及可調性之多種複合材

料介面活性劑之功能為抑止成長中之晶體持續成長故控制微胞之

形狀即可改變晶體之形狀首先須控制溶液中之相對組成與溫度才

能達到形成微胞之條件且微胞之尺寸均於微米級以下故此微胞可

視為一種微反應器總而言之溶膠凝膠為一種膠狀懸浮液藉由膠

化作用得到固體其產生之多孔性凝膠可藉由化學方法之純化及高溫

退火之程序得到高純度與高結晶性之氧化物

222 水熱法 (Hydrothermal)

水熱法為於液相中配製超奈米材料之濕化學方法研究之溫度

範圍於水之沸點與臨界點(374oC)之間一般反應過程中維持100 ~

250oC之溫度與03 ~ 40 MPa之蒸汽壓之高溫高壓環境下反應溶劑

因高溫高壓條件下而達到其臨界點時對固體物質之溶解度增加

因而達到加速反應進行之效果此方法可提供製備一維奈米材料之新

途徑水熱法具下列幾項特點(1) 利用水熱法可直接於溶液中合

成粉體(2) 於大部分之水熱過程中長晶之程序已經完成故不須

再經過煅燒(3) 利用溫度之調變可控制粉體之尺寸(4) 利用不同

27

之起始物可得不同型態之粉體故水熱合成法可製備之材料相當廣

泛涵蓋金屬氧化物複合氧化物等數十種粉末合成之粒子大小

範圍介於01微米至幾十微米經過濾洗滌與乾燥等過程獲得之

晶體其結晶性佳團聚情況少產率高與較窄之細微性分布因此可

得純度高且細微性均勻之各類材料

23 實驗流程

本研究以兩種不同前趨物與合成方法製備 TiO2Eu3+ 之工作電極材

料分述如下

231 TPT[鈦酸四丁酯Ti(OC4H9)4 Tetrabutyl titanate]系列

此系列之奈米粒子為透過溶膠凝膠法後經水熱法及燒結而成首

先按所需之化學配比 (stoichiometry) 秤取適量之 Eu2O3並置入 100

mL 之三頸瓶中加入 9 mL 之 1 M 硝酸溶液60 mL 之去離子水(使

整體之 pH 值小於 2)激烈攪拌 30 分鐘再緩緩滴入適量配比之鈦

酸四丁酯 Ti(OC4H9)4 (Tetrabutyl titanateTBT)並激烈攪拌 1 小時

上述溶液之溫度控制於 80oC 並持續攪拌進行迴流程序時間為 10 小

時再置入 125 mL 之鐵氟龍 (telfon) 杯中並封入不鏽鋼壓力釜

(autoclave)進行水熱法溫度控制於 227oC時間為 12 小時可得白

色之膠體再以酒精反覆沖洗後於高溫 500oC 下退火 6 小時即可

得 TiO2Eu3+白色奈米粒子詳細合成流程如圖 21 所示

28

Eu2O3 and 9 mL aqueous nitric acid (1M) solution are added to 60 mL DI water with pH lt2

After vigorously stirring for half an hour 10 mL tetrabutyl titanate Ti(OC4H9)4 is slowly dripped into the above solution with vigorous stirring for 1 h

The mixture is then heated to 80oC with continual stirring for 10 h

Hydrothermal treatment in the autoclave at 227oC for 12 h

After repeatedly washing with ethanol the white slurry is annealed in air for 6 h at 500oC

圖 21以溶膠-凝膠法與水熱法合成TBT系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

232 P25(Degussa P25 TiO2)系列

按適量之化學配比秤取商用之二氧化鈦粉末(Degussa P25)與

Eu(NO3)35H2O置入裝有 30 mL 去離子水之 100 mL 燒杯中室溫

下激烈攪拌 2 小時將上述之白色溶液置入 125 mL 鐵氟龍 (telfon)

杯中並封入不鏽鋼壓力釜 (autoclave)進行水熱法溫度控制於

150oC時間為 48 小時待冷卻至室溫後將所得之白色膠體以去離

子水反覆沖洗其目的為去除表面殘餘之 Eu(NO3)35H2O爾後於

350oC 之溫度下退火 2 小時即可得白色 TiO2 Eu3+白色奈米粒子

詳細合成流程如圖 22 所示

29

Commercial TiO2 powders (P25) and europium nitrate was added to 30 mL of an aqueous solution under vigorous stirring

After stirring strongly the slurry was heated at 150oC for 48 h by hydrothermal method

After hydrothermal treatment repeated centrifugation and wash with distilled water (4 time repeated)

Annealed at 350oC for 2 h

圖 22 以水熱法合成 P25 系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

24 樣品鑑定分析

以 X 光粉末繞射儀(X-ray diffractionXRD)Rietveld 精算法鑑

定材料之純度與長程有序晶體結構以穿透式電子顯微鏡

(Transmission electron microscope TEM) 與掃瞄式電子顯微鏡

(scanning electron microscopeSEM)分別鑑定材料之結構與表面型

態利用比表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

ASAP) 分析粉體之樣貌與比表面積利用光激發光光譜儀

(photoluminescencePL)分析電極材料之激發光譜與放射光譜特性

以拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum) 測定分子之振動模式

以判定晶相與原子結構以紫外-可見光擴散式反射光譜(UV-Vis

diffuse reflectance spectra UV-Vis DRS ) 分析固態粉體於紫外光與可

見光其吸收特性利用 X 射線光電子能譜儀(X-ray Photoelectron

30

SpectroscopyXPS)分析表面元素組成與原子能級結構以 X 光吸收

光譜 (X-ray absorption spectroscopyXAS)之 X 光近吸收邊緣結構

(X-ray absorption near edge structureXANES)決定樣品中元素之價數

與電子結構茲將各實驗儀器分析之過程與原理分述於下列各節

241 粉末 X-光繞射儀(X-ray diffraction XRD)

2411 X-光繞射工作原理

X 光為一種短波長之電磁波其波長約為 10 Aring(10-10 m)陽極放

射出之 X 光由連續性不同波長之 X 光所組成故稱之為連續性 X

光譜(continuous X-ray spectrum)或白色 X 光但隨著外加電壓增大

連續性 X 光譜之波長分布範圍與其光線強度將隨之增大當電壓加

至超過門檻電壓(threshold voltage)或激發電壓(excitation voltage)時

除發生連續性 X 光譜外另將產生某些特定波長之 X 光稱之為特

性 X 光(characteristic X-ray spectrum)如圖 231(a)X 光粉末繞射儀由

電子槍產生電子如圖 231(b)所示此電子藉由 40 keV 之工作電壓

加速撞擊金屬靶材(常用之靶材為銅靶)將其靶材中 K 層(1s)電子撞

出電子游離後形成之電洞隨即由L層(2p)電子填補並伴隨X光釋出

31

Characteristic peaks

Continuous radiation

Energy

High-energy Ka

stimulusLaKb

lswl

Int

sity

e

m

Low-energy stimulus

enof

itted

rad

iatio

n冷卻水

真空 璃

接變壓器)

鈹窗 聚焦罩

銅X射線 鎢絲

靶(陽極)

X射線

管座(

Wavelength

Short wavelength limit a) b)

圖 231 (a)銅靶之 X 光光譜 (b)封閉式 X 光射線管

角動量子數之變化必須為plusmn1 (l = plusmn1)如由 L 層

(2p) 子填補 K 層(1s)電洞即 2p 1s 轉移(transition)並伴隨 X 光釋

如圖 232 所示此段波長之 X-ray 定義為 Kα波長為 15418 Aring

同理 3p 1s 則定義為 Kβ波長為 13922 Aring一般 Kα比 Kβ之強度較

強而 Kβ較 Kα之能量為高但由 p 1s 之轉移中因 2p 軌域具二

種不同型式之 Kα1與 Kα2

很難分辦但易與 K 一般常使用鎳單色光濾片(nickel filter)將

Kβ濾除(cut o

( ((68)

一般 X 光所使用金屬靶材之波長如表 22 所示以銅靶為例當

外加電壓促使電子高速撞擊銅靶之 K 層(1s)電子使其內層電子游離

並產生電洞依據吸收選擇定律(selection rule)當電子從一能階躍遷

至另一能階時其

2

自旋態(spin state)故產生 Kα1與 Kα2一般

β分辦

ff)

32

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長(69)

Target Kα1 Kα2 Kz Cr 22896 22935 22909

Fe 19360 19399 19373

Cu 15405 15443 15418

Mo 07093 07135 07117

Ag 05594 05638 05608

z is the intensity-weighted average of α1 and α2

圖 232 X 光原理示意圖Cu 1s 電子游離後形成之電洞由 2p 電子

填入並伴隨 X 光釋出(69)

德國科學家勞爾 (Von Laue) 於 1912 年提出 X 光進入晶體後因

干涉 年布拉格 ( 學

理論

稱為布拉

作用而產生繞射現象同 Bragg) 將勞爾提出之數

改以較簡潔之數學式導出 X 光之繞射條件如圖 233 所示

設晶面距離為 d入射光與晶面之夾角為 θ當入射光被二相鄰晶面

所反射二反射光束會有一光程差若此光程差為波長之整數倍(n

為正整數)時亦即當此二反射光束同步各光波之振幅具加成之效

果而形成建設性干涉合成波滿足此條件即可產生繞射

33

格定律(Braggrsquos Law)

2 sind nθ λ= (21)

晶體之 X 光繞射實驗提供兩項重要訊息(1) 繞射峰位置 2θ

(2) 為繞射峰強度(I)第一項訊息提供晶體之晶胞形狀大小(即晶格常

數)之資料第二項訊息提供晶體內部組成原子種類與位置之資料

隨材料之晶體結構與組成變化每個晶體此兩項資料各不相同因此

可利用 X 光繞射法分析材料屬何種礦物晶體或結晶材料

圖 233 X 光繞射之示意圖

2412 XRD 實驗儀器

粉末樣品之 X 光繞射分析係採用 PANalytical XrsquoPert PRO X-ray

powder diffractometer(XRD)型繞射儀其以銅靶(Cu)為光源功率為

3 kW放射光源 Kα1之波長為 15406 Aring操作時使用之電壓與電流分

別為 40 kV 與 40 mA 之條件下進行粉末繞射分析實驗其中 2θ繞射

角掃描範圍為 20 ~ 80 度每間隔 002 度讀取一次數據掃瞄模式為

2θθ將分析樣品平鋪於樣品槽(sample holder)置於圖 24 之旋轉中

心此時將繞射測角儀做旋轉偵測器則與出射光之夾角 2θ入射

光與槽座之夾角為 θ利用同步紀錄之系統而得各繞射峰之強度與角

34

度(2θ)之分布關係

圖 24 X-光粉末繞射儀(PANalytical XrsquoPert PRO XRD)

析然而中子繞射之儀器普遍性不佳利用Rietveld法可

分析

度(於本研究中以2θ量測範圍為0 ~ 180度間格為001度停留時間為10

因此可避免重疊峰之分解問題

2413 結構精算(70)

GSAS 程式採用 Rietveld 全光譜精算法 (Rietveld full pattern

refinement method簡稱Rietveld法)做結構精算Rietveld法為1969 H

M Retiveld所提出適合分析由X-光與中子粉末繞射所得之數據利

用結構精算可得物質之物理與化學特徵性質然而多數之物質不易合

成單晶之形式多數乃以多晶或粉晶存在最早則以中子粉末繞射之

數據加以分

X-光粉末繞射所得之數據使得分析晶體結構之研究之可靠性大

幅提升

Rietveld法主要為以階梯之模式(step scan)掃描其每一步之峰形強

秒)而不用整個繞射峰之積分強度

35

2ci k k k k biy S L F HT P y= Φ +sum利用此計算方法所得之繞射強度 ( S為

比例常數Lk乃涵蓋勞倫茲極化與多重性因子Fk為結構因子Tk

為穿透因子Pk為優先取向H為反射波形函數ybi乃背景強度)用

以模擬觀察所得之繞射強度(yoi)使由假設結構模型計算出之繞射圖

形與實驗量測之繞射圖趨於一致 並使最小方差擬合之殘差R為最

2( )R Wi ci oiy y= minussum 2 ( 2)

計算所得之繞射圖譜與測量所得之圖譜其相吻合之程度是由所

謂擬合參數(reliability factor)即R值決定一般以R值小於10為可

接受之最低要求常用有Rp與Rwp

oi ciP

oi

y yR

yminus

= sumsum (23)

)(( )

2

2WPRW y

= i oi ci

i oi

W y yminussumsum (24)

i較大

而一般認為Rwp較具代表性意義之擬合度判斷依據並定義

式中Wi為加權指數ㄧ般僅繞射峰存在其繞射強度之W2χ 即

ldquogo

odness of fitrdquo用以表示分析之品質

( )χ 2 =minusM

N N (25)

O V

其中M為minimization functionNO為step scan所得之繞射圖點

數NV為精算時所使用之變數個數利用最小平方差擬合與傅立葉

(Fourier)合成求得之電子密度函數進而得知粉體之晶格常數鍵長

鍵角等結構參數

Rietveld法為一可將晶體結構解析最完善之方法然而並非所有

36

之結構皆有其詳盡之原子座標位置Le Bail 法為1988年法國晶體學

家Armel Le Bail所發展利用電腦程式模擬將原本錯誤之原子位

置移動至較符合粉體模型之位置稱為整體性之最優化(global

optimization methods)或稱直接空間方法(direct space methods)利用

此方法可對於新

合成或未有詳盡之原子座標資訊給予空間群與晶格

常數之資料

圖25 晶體繞射結構解析之一般流程

37

242

型號為HITACHI S-4000其電子

槍為冷場發射式

圖26 掃描式電子顯微鏡(NDL)HITACHI S-4000

掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope SEM)

掃描式電子顯微鏡主要由真空系統電子槍透鏡組與偵測器組

成其成像原理為利用一束具有5 ~ 30 KV能量之電子束經過聚焦

镜使發散之電子束能聚集成一微小電子束掃描線圈作用於偏折電子

束使其能於試片表面進行二維之掃描工作另一功能為觀測試片時控

制倍率之放大與縮小爾後電子束經過物鏡即如同光學顯微鏡原理相

同但此時調整項圈(coil)所造成之磁場控制電子束進行最後對焦動

作完成對焦讓電子束與試片作用激發出二次電子背向散射電子

Auger電子連續X光與特徵X光等一般SEM為利用二次電子進行成

像因二次電子之信號主要源自電子束下方之區域能提供高解析之

影像而背像散射之電子亦能作為信號之來源當電子束掃描試片表

面時偵測器同時偵測由表面射出之二次電子強度輸入至同步掃描

之陰極射線管同時顯示試片之影像而陰極射線管上同步點之亮度與

對比則根據偵測到之訊號強度進行改變利用此方式試片表面之特

徵狀況即可逐一表現出來如圖26所示本實驗乃使用國家奈米元

件實驗室之掃描式電子顯微鏡其

(field emission)

38

圖27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖(71)

243

於偵測器上形成不同亮度

穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron MicroscopyTEM)

穿透式電子顯微鏡系統設計如圖 28 所示由電子槍(electron

gun)發射電子束經過一組磁透鏡(condenser lens)聚焦後以遮蔽孔

徑(condenser aperture)選擇電子束尺寸大小(beam size)後通過一組控

制電子束之掃描線圈再透過物鏡(objective lens)聚焦入射至試片

上於試片上側裝一訊號接收器用以選取二次電子或背向散射電子

成像此種儀器之優點為所需之樣品量很少且其解析度可達到原子

級之層次(10-10 m)若樣品含多電子原子則電子束將無法穿透樣品

於偵測器上顯示之亮度較暗電子束可穿透之樣品於偵測器上形成較

亮之點利用不同物質具不同電子密度之性質經電子束之穿透過程中

原子核對電子束產生之折射程度之差異性

對比之影像即為樣品之形狀和結構

但以下幾點須注意(1) 真空下要穩定 (2) 若是揮發性之物質在經電

39

子碰撞後容易消失此儀器除可用以鑑定物質之型態大小與內部細微

結構外亦可進行電子繞射而電子繞射圖可用以觀測樣品之結晶度

格常數

一天後再將銅網放置於儀器之樣品槽中調

整好儀器即可觀測

表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

好壞與計算晶

樣品製備

將欲觀測之粉末樣品取極少量溶於乙醇溶液中置於超音波震盪器中

約10分鐘使粉末均勻分散於溶液中爾後再利用已鍍上一層多孔性

碳膜之銅網放置於溶液中撈取預分析之樣品拿出銅網後用拭鏡紙將

多餘之乙醇拭乾並風乾

圖28 TEM電子腔內部結構示意圖

244 比

ASAP) 先將適量樣品 200oC 除氣(degas)至壓力為 3 times10 -3 torr以去除樣

品上之吸附水氣與其它吸附物質並於 77 K 下進行氮氣等溫吸附

40

利用 BET 公式求得比表面積利用 BJH 公式求得脫附曲線之孔洞分

態相似而於高分壓相異之行為則是因為 H4

隙較 H3 窄之緣故

291 IUPAC 制定之物理等溫吸附-脫附分類圖

布(pore size distribution)

氣體吸附曲線之型態會隨著材料之孔徑結構成分溫度及吸附

分子種類而不同 (圖 291)氣體吸附曲線 IUPAC 定義為下列六種型

態第一型為典型微孔材料第二型通常是無孔材料或孔徑較大之材

料第三與第五型曲線發生於當吸附分子間親和力大於其與固體材料

表面間作用力時之模式第四型為中孔材料於高分壓時會產生遲滯

迴圈(hysteresis loops)而第六型為一結構近乎完美均勻之表面所造成

之吸附曲線根據 IUPAC 之分類遲滯迴圈依其型態可分為四種型

態(圖 292)H1型常為規則圓柱狀孔洞材料或由規則球狀體間孔隙所

造成而 H2 型遲滯迴圈之形成通常表示材料中之孔洞與形狀較不規

則H3與 H4型迴圈之型

41

圖 292 IUPAC 制定之遲滯迴圈型態示意圖

245

T) 收集

光並測量其螢光強度並以 DataMax 軟體分析光譜資料

光激發光譜儀(Photoluminescence PL)(65)

光激發螢光 (photoluminescence PL) 光譜儀乃為簡便與精準地

檢測發光材料之光特性於本研究中採用FluoroMax-3測量螢光材料

之激發光譜(excitation spectra)與放射光譜(emission spectra)如圖

210 所示光源為利用氙弧燈提供一寬波段之激發光源為得高解

析之螢光量測數據入射光源須為持一特定之波長藉由單光器

(monochromater)之狹縫 (slit) 將光源出射光分成特定波長之入射

光入射光之能量被螢光粉體吸收後螢光粉體將發射另一特定波長

之光段打至發射光之單光器如同激發光之單光器只允許某一狹

窄之波段通過再利用光電倍增管 (photomultiplier tube PM

42

圖 210 螢光體光譜量測過程

圖211為本研究所使用之FluoroMax-3光譜儀各結構實際之配

置其包含七大主要部分涵蓋

1 Xenon光源與其保護座

1a Xenon光源電源裝置(power supply)

1b Xenon光源閃光(flash lamp)

2 入射光源單光器(excitation monochromator)

3 樣品放置槽(sample compartment)

4 發射光源單光器(emission monochromator)

5 偵測器[signal detector (photomultiplier tube)]

6 參考偵測器[reference detector (photodiode and current-acquisition

module)]

7 儀器控制電子元件(instrument control)

實驗之過程光源由圖中1部分發射而將螢光粉體置於樣品槽

43

內並置於圖中3之樣品放置槽圖中7為連接電腦控制藉由控制圖

中2與4之單光器則分別進行激發光譜與放射光譜之實驗由光電倍增

管放大(圖中5)而收集其中激發光譜可由圖中6偵測Xenon光源之訊

號並校正若進行比較發射光譜之絕對強度實驗過程則控制實驗之

時間於兩小時內完成此時期之光譜經穩定度量測誤差值座落於3

以內所得之發射光譜強度比較為可信之數值圖 212則為儀器之

實際外觀

圖211 光激發光光譜儀構造

44

圖212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀

246 拉曼散射光譜儀 (Micro Raman Scattering Spectrometer)

當光源照射於物質表面時光子會與物質之原子分子產生交互

作用造成能量之交換或動量之改變若無能量交換僅方向改變為

彈性碰撞稱為瑞立散射 (Reyleigh Scattering)若方向改變又有能量

交換為非彈性碰撞稱為拉曼散射 (Raman Scattering)當拉曼散

射光與物質相互作用時會與物質內之原子分子之振動頻率耦合

即可於入射光頻率之兩邊產生正或負之頻率位移此一頻率位移之數

值與物質內原子分子振動頻率相當此位移即為拉曼位移(Raman

Shift)此頻率位移可用下式表示

sυ υ υΔ = minus (26)

υΔ 代表拉曼散射光與入射光頻率差υ 代表入射光子之頻率 sυ 代表

散射光子之頻率

45

247 紫外可見光擴散式反射光譜(UV-Vis diffuse reflectance spectra

UV-

描範圍為200 nm至800 nm並以Spectra Calc

體收集光譜訊號

247

分光波被反射與散

另一部分光透過其餘之光才被物質吸收

Vis DRS)(72)

本研究乃將定量之粉末置於石英圓盤上再將其放置於樣品槽

相對於 BaSO4 作為參考物於室溫下以Hitachi-U3410紫外-可見光光

譜儀分析其擴散反射式光譜(diffuse reflectance spectrum)光譜掃描之

速率為120 nmmin掃

1 固態粉體之吸收光譜

吸收光譜顯示光照射於發光材料時其激發波長與材料所吸收能

量值之關係激發波長照射於發光材料時一部

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖

46

只有被吸收之光對材料之發光產生作用然而非每一被吸收光其

所有波長皆能引起激發作用因此研究吸收光譜可知哪些波長之激發

光被吸收吸收率為多少此對研究材料之發光過程為一重要課題

發光材料對光吸收公式可表達為

( ) 0( )K xI I e λ

λ λ (27)

式 27中I0(λ)為波長為λ之光照射至材料時之發光強度I(λ)為光

通過厚度為X之材料層後其發

minus=

光強度Kλ為吸收係數Kλ隨照射光波

長變

表面(圖 214)即使壓製成

錠依舊有部分光以散射釋出(圖 215)

化之曲線稱吸收光譜

因發光材料為粉末晶體故難以測出其吸收光譜一般則是測試

反射光譜用以確定其吸收光譜由 Kλ(吸收) = 1-Kλ(反射)得出材料之吸收

圖譜Kλ(反射)為被測材料之反射係數當其散射與穿透很小時可測得

然多數之物質其粉體非規則排列成一平整

粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚

度其公式如下

圖214 圖215

擴散式反射光譜儀則利用Schuster-Kubelka-Munk理論其中假設

無規則之反射光束

2(1 )( )2

R kF RR s

infininfin

minus= = (28)

infin

47

其中k為吸收係數s為散射係數一般量測與標準品相對之反射值Rinfin

而非量測絕對值之反射值其中標準品為白色固體粉末常見有KBr

用於IR(43500 ~ 400cm-1)波段BaSO4MgO作為紫外光至可見光波

段之標準品

圖216 Hitachi-U3410紫外-可見光光譜儀

248

於超高真

下操作故最好將樣品溶劑先行抽乾以免污染儀器

X射線光電子能譜儀( X-ray Photoelectron SpectroscopyXPS )

其原理為一束X光射線入射至樣品表面藉由光電效應將某一能

階之電子激發為光電子爾後經由分析光電子動能即可獲得關於表

面元素組成與元素之化學環境當數個原子鍵結成一化合物時其於

化合物中之結合能明顯與純原子時不同內核層電子之束縛能亦有不

同之變化即為一般之化學位移(Chemical Shift)分析束縛能之變

化便可獲得材料中之電子結構與化學鍵結之訊息其所造成之能譜

位移可用以區分不同氧化態之元素偵測深度約為5 nm (除氫元素外

皆可偵測)樣品製備將粉末樣品先行打錠經除水與抽真空之前

處理後送測放入儀器之樣品室中進行分析由於儀器是

48

24

分析與 TEM 等

結果

μ 表示材料單位厚度對X光之吸收則以式29以表示其相互之關係

9 X 光吸收光譜 (X-ray Absorption Spectroscopy XAS)(73)

同步輻射為接近光速之電子受加速度而產生之電磁波其可提供

連續波長可調能量範圍寬廣之光源並具光點小強度高與準直性

佳等特性近二十年應用同步輻射 (synchrotron radiation) 光源於 X

光吸收光譜之技術愈趨成熟使 X 光吸收光譜成為一項分析物質結

構之利器利用同步輻射光源對材料進行 X 光吸收光譜研究主要

包括 X 光吸收近吸收邊緣結構(X-ray absorption near-edge structure

XANES)與延伸 X 光吸收精細結構(extended X-ray absorption fine

structureEXAFS)其中 XANES 用於檢測材料中特定原子之電子組

態而 EXAFS 則測定原子之局部結構(local structure)可得知原子與

其鄰近原子間之距離種類及數目等X 光吸收光譜可發揮於原子短

程結構與電子組態上之優點與傳統 XRD 長程有序

相互配合可更加了解奈米材料之結構特性

當物質受到X光照射而吸收X光可用吸收係數 μ 表示其吸收之

程度若以I0表示入射X光之強度I 表示穿透光強度樣品厚度為 x

0 exp( )I I xμ= minus (29)

現象會隨X光能量增強而逐漸平

地降低構成吸收光譜之底線

若X光能量改變即使物質中之原子不吸收不散射等因素測得之

穿透光強度仍較入射光強度減小此

49

2491 X 光吸收近吸收邊緣結構 (X-ray Absorption Near-Edge

Structu XANES)

有關吸收原子之電子

組態價數及其所處晶格位置之對稱性資訊

re

當 X 光能量逐漸增強至物質中所含原子之吸收能量(absorption

edge)原子內層電子開始吸收 X 光之光子躍遷至外層之空軌域

造成吸收係數激增即形成 X 光吸收近吸收邊緣結構(XANES)於

吸收邊緣前與後各 30 eV 區域內之一些圖譜特徵包含吸收前緣之突

起躍昇區段上之肩部主峰之相對高度甚至吸收邊緣之位置(常

以躍昇段之第一個反曲點能量為視之)統稱為 XANES如圖 217

所示為 Ti K-edge 之 XANES 示意圖其可提供

圖217 Ti K-edge之XANES示意圖

50

25 染料敏化太陽能電池之組裝與特性分析

251

工作電極漿料之製作對於太陽能電池效率而言為最重要且最關

鍵之步驟本實驗採用奈米級粉體作為主要材料由於顆粒小其比

表面積大可使染料吸附量增加但如此微小粒子亦容易因凡得瓦

力庫倫力等發生團聚現象團聚現象對於粒徑小於 10 μm 之顆粒尤

其明顯因此於漿料之製備過程中必須透過機械攪拌及超音波震盪

等方式使其均勻分散本實驗漿料為參考 Seigo 等人於 2008 年所

發表之論文 製備首先秤取適量先前合成之二氧化鈦粉末加入配

ethyl cellulose分別為 5-15 mPas 與 30-50

mPas)膠體溶液松 terpineol)無水乙醇上述混合物置入單頸

瓶中激烈攪拌約 10 小時並減壓抽氣濃縮以去除乙醇再以超音

1 小時即完成漿料製備

252 導電玻璃清洗

[fluorine-doped tin oxide

FTO](尺寸23 x 30 cm)以中性清潔劑初步洗滌之後浸泡於丙酮溶

劑內並置於超音波震盪器內 10 分鐘丙酮可溶解油漬與黏膠卻

對 FTO 無影響可防止製備工作電極薄膜中出現裂痕及缺陷接著

使用去離子水同樣於超音波震盪下清洗玻璃最後再以乙醇於超音波

作用下洗滌乙醇可以溶解大部分之有機溶劑包括丙酮

璃之電阻)乙醇清洗完後將導電玻璃置入烘箱中以 70oC 烘烤 30

分鐘以去除殘餘有機物

3 電池組裝與特性測試

FTO 玻璃固定於網印機機台上利用網印法(如圖

FTO 玻璃上(工作電極面積

工作電極漿料配製

(74)

製好之兩種乙基纖維素(

油醇(

波震盪

首先將摻雜氟之二氧化錫導電玻璃

(會增加玻

25

(1) 將清洗完成之

218 所示)將製備好之漿料均勻塗佈於

51

複以上動作直到所

其表面於室

Black dye 溶液中放置

染料敏化太陽能電池有關組裝之詳細流程圖如圖 219 所示

需之膜厚或者所需要之雙層或多層結構設計

(2) 將鍍膜完成之工作電極置於 40 mM TiCl4 乙醇溶液中並置入 70oC

烘箱中 30 分鐘取出後以去離子水及乙醇交替潤洗

溫下乾燥後置於方形爐中 500oC 煅燒 30 分鐘

(3) 將製備好之工作電極薄膜浸泡於 02 mM

室溫暗室浸泡 24 小時使其自行吸附

(4) 待二氧化鈦電極吸附染料步驟完成後利用乙腈(acetonitrile)清洗

工作電極表面靜置乾燥後即可得已製備完成且吸附染料分子

之二氧化鈦薄膜電極首先將氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑

金屬之相對電極之空隙中再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結

合並防止氣泡產生以長尾夾固定既可完成此三明治結構之

圖 218 網印機塗佈示意圖

52

TiO2 (or TiO2Eu3+ ) powder

1 Screen printing on FTO (15Ωsq)

(A active=016cm2) 2 DryingRT 3 Gradually heated under an airflow at 325oC 5min 375oC 5 min 450oC 15min and finally at 500oC 15 min

1+ Two kind ethyl cellulose solution (5ndash15mPas and 30-50 mPas) + Terpineol + pure ethanol 2 Stirring10 hr 3 Rotary-evaporator (40oC) 50 min 4 Sonication 30 min

paste

Repeated until desirable Film thickness was obtained

TiO2 film FTO

1 Immersed in TiCl4 EtOH 70oC (30 min)2 Calcined 500 oC 30 min in air flow 3 Soaked in black dye (02 mM )

DyeTiO2 film FTO

1 Put the spacing film aside the TiO2 film2 Combined with sputtered Pt electrode3 Injected the ImacrI3- electrolyte

DSSC

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖

53

254 染料敏化太陽能電池性能測試

2541 電流電壓效率曲線(I-V curve)量測

於太陽能電池效率量測方面由於太陽光光譜將不斷變動因此

必須有一套國際量測標準目前國際上太陽能電池量測主要以美國

ASTM G-159 (Air Mass 15) 為主由於太陽光入射角度會隨著穿過

大氣層厚度之不同而隨之改變一般以大氣質量數 (Air Mass AM)

表示並規定太陽光在大氣層外直接垂直照射稱為AM 0太陽光與

地球表面夾角為90deg時稱AM 1而入射太陽光與地表之夾角為4819deg

時則為AM 15將完成之電池元件進行效能測試其光電轉換效率值

之檢測系統如圖 220 所示此檢測系統中為選擇300瓦(W)氙燈光源

模擬太陽光(AM 15)光源於開啟後須熱機10分鐘為避免檢測時因

光源不穩定而造成量測誤差並利用一標準單晶矽電池(效率值約為

1173 )以調整入射光源強度為100 mWcm2

將電池置於待檢測位置接上正負電極後利用電源電錶儀

(Keithley 2400) 控制輸出電壓並量測輸出電流值以獲得電流-電壓

曲線(I-V Curve)並藉由所得之I-V Curve圖中可獲得開路電壓(Voc)

閉路電流(Isc)填充因子(FF)與光電轉換效率(η)等評估電池效能之參

數其中短路電流乃指太陽能電池於無負荷狀態下外部電路短路

時之輸出電流此時電壓為零於理想之狀態下太陽能電池之短路

電流即等於照光時所產生之光電流而開環電壓即為太陽能電池於負

載無限大之狀況下為外部電流斷路時所量到之電壓此時之輸出電

流為零轉換效率可定義如下

max ( )P Isc Voc FPin Pin

η Ftimes times= = (210)

其中 Pin 為入射光功率FF因子定義為電池輸出最大功率

54

(Pmax)與理想最大功率之比值關係如下

max max max P I VF FIsc Voc Isc Voc

times= =

times times (211)

由上式可知此 FF 值為表示太陽能電池電壓電流表現與理

想行為間之差異此值受電池內部串聯並聯電阻工作溫度照光

強度等影響

圖220 電池光電轉換效率值檢測系統

圖221 太陽能電池I-V 特性曲線示意圖

55

2542 入射單色光之光電轉換效率量測(incident photon to current

convers-ion efficiencyIPCE)

IPCE 為單位時間內外電路中產生之電子數目 Ne 與單位時間內

入射單色光光子數目 Np 之比如其理論計算式為

2 2 [1240 ( )] [ ( ) ( )] 100SC incIPCE J A cm nm I w cmλ= times times times (212)

式中 JSC 為短路電流密度λ為入射光之波長Iinc 為入射光強度

從式中可看出奈米多孔膜(如TiO2)之比表面積越大吸附染料分子

越多光吸收效率就越高光電轉換效率測定系統可得到單一波長之

光電轉換效率根據此數據可瞭解整個光譜裡不同波長範圍之光對

電流之貢獻得到 IPCE 對波長之光譜與吸收光譜不相同因既

使能吸收光亦未必能有效轉換成電流本量測系統涵蓋以下主要組

(1) 光源500 W Xe lamp能發射全波長之光

(2) Water filter過濾光源發出之紅外光減少紅外光引起之熱

(3) 單光器(monochromator)以光柵選擇波長並投射至樣品

(4) 光強度偵測器偵測投射波長之強度

(5) 定電位定電流儀Keithley 2400用以讀出電流訊號

待測樣品經過不同波長之光照射時會反映出不同程度之光電流經

定電位定電流儀讀出電流值並記錄下來本實驗每隔10 nm 之波長

記錄電流值範圍從 350 nm 至1000 nm紀錄所有之電流值後再

經光強度偵測器量測各波長光線之能量將電流與光能量帶入式

212計算後即可得到各波長光線之光電轉換效率IPCE ㄧ般亦反

映至電池總效率上IPCE 越大則效率越高

56

圖222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖(75)

2543 電化學阻抗分析(Electrochemical impedance spectroscopy

EIS)(76)

交流阻抗定義

阻抗 = 電壓電流

交流阻抗定義阻抗 = 電壓電流 ( ( )( )

V fZI f

= )

其中電壓與電流之值會隨著頻率( f )變動而改變阻抗其實是由實部

阻抗(Zrsquo)與虛部阻抗(Zrdquo)所構成表示法為 Z Z jZ= minus

其中 Z 實部阻抗(real impedance) Z 虛部阻抗(imaginary impedance)

j = 1minus 而 Z Z Z θ (相角)之間關係如圖 223 所示

57

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

圖 223 Z Z Z θ 之間關係圖

交流阻抗測量過程如下

施加一小振幅之交流電壓(大多為正弦波訊號)使電極電位於平

衡電極電位附近微擾當達到穩定狀態後測其響應電流訊號之振幅

(magnitude)及相(phase)進而求得阻抗(impedance)然後依據所設

想之等效電路(equivalent circuit)透過阻抗圖譜之分析以及 Z-plot 程

式進行參數擬合精算以求出電極之動力學參數測量方式將組裝

好之電池於光源之持續照射下達到一穩定之電壓以電化學分析

儀(CHI 611C)測量選擇「AC Impedance」模式給予一個振幅為

10 mV 之交流電壓掃描頻率設定為 105 Hz 至 005 Hz

(a)

58

(b) high

medium low

圖 224典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖(77)

從典型之電化學阻抗圖譜可於奈氏圖(Nyquist plot)觀察到三個

半圓形之訊號參照圖 224b 依序從左至右分為高頻區 (high

frequency)中頻區(medium frequency)低頻區(low frequency)其所

分別代表之意義為(參照圖 224a )

高頻區電子於白金相對電極與電解質介面(Pt-FTOElectrolyte)之間

之傳輸阻抗

中頻區電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗

低頻區碘三負離子(I3minus)於電解質中之擴散阻抗

於經過電化學阻抗測量之後所得到之圖譜參考 Wu 等人之文獻

(78)設想之等效電路如圖 225 所示

59

FTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSCFTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSC

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

keff

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

EIS raw rata - P25 TiO2 (12 μm)

magnitude

phase

|Z| = ( |Zrsquo| 2 + |Zrdquo| 2 )12

θ = tan-1 ( |Zrdquo| |Zrsquo| )

=gt |Zrsquo| and |Zrdquo|

input output derived

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析

60

經過電化學阻抗分析過後原始數據如圖 226 所示經由等效

電路假設之後並進一步使用 Z-View 軟體效正並參考 Adachi 等人(79)

所發展之模式可以得到下列參數

(1) L (μm) 電極膜厚 (film thickness)

(2) keff (s-1) 電子再結合速率常數 (reaction rate constant for

recombination)

(3) τ (s) 電子壽命 (lifetime of electrons)

(4) Rk (Ω) 電子再結合之電荷傳導電阻亦即暗反應電阻

(charge-transfer resistance related to recombination

of electron )

(5) Rw (Ω)電子於 TiO2 中之傳導電阻 (electron transport

resistance in TiO2)

(6) Deff (cm2s)有效電子擴散係數 (effective electron diffusion

coefficient)

(7) Ln (μm) 電子擴散長度 (electron diffusion length)

其中 τDeffLn(7879)可以由下列公式求得

1 effkτ = (213)

2

( ) (keff

w

R LDR

= times (214)

( )nL Dτ= times eff (215)

61

26 量子點敏化太陽能電池之組裝

261 硒化鎘 (CdSe) 量子點之製備

(1) 取051克之氧化鎘(cadmium oxide CdO)與3克之油酸(oleic acid

OA C17H33COOH)溶入126 mL之1-十八烷烯(1-Octadecene

C18H36)中配製成A溶液

(2) 取 13 mmol之硒粉( selenium Se)與 05克之三正辛基膦

( tri-n-octylphosphine (C8H17)3P )溶入 10 mL 之 1- 十八烷烯

(1-Octadecene C18H36)中以磁石持續攪拌1小時配製成B溶

(3) 將A溶液與磁石置入三頸瓶中以每分鐘280轉之速率攪拌並以

25 mtorr之氮氣去除瓶中之剩餘空氣

(4) 將三頸瓶以每分鐘5oC之升溫速率將溫度升高至200~205oC溶

液之顏色將呈現淡黃色透明澄清溶液接著繼續升溫至280oC

(5) 接著將B溶液以針筒迅速注入三頸瓶中注入完畢開始計時達

到反應時間即離開熱源溶液顏色將從淡黃色透明澄清變化成橘

紅色澄清溶液

(6) 將溶液加入乙醇中以每分鐘10000轉之轉速離心10分鐘數次

即可完成CdSe-OA量子點並保存於己烷中

詳細配製流程如圖227所示

62

CdO and Oleic Acid(OA) were dissolved in 1-Octadecene

Heated to ~205oCuntil the color of solution turn to transparent colorless then the temperature was increased to 280oC

Injection of SeTOP solution and stop heating (in 2 min)

The CdSe nanoparticles were precipitated using EtOH and then kept in hexane

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖

63

262 硒化鎘 (CdSe) 量子點之改質 (Ligand exchange)

(1) 將02 mmol之巰基丙酸(mercaptopropionic acidMPA)溶入30 mL

之甲醇中並以四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium hydroxide

in methanolTMAOH)滴定調整溶液pH值至114

(2) 將溶液置入三頸瓶中於氮氣之環境下加熱至55oC

(3) 將保存於己烷中之硒化鎘量子點加入甲醇以每分鐘10000轉之速

率離心十分鐘重複三次

(4) 取約2 mL之MPA溶液再取40毫克之硒化鎘溶入溶液中再倒回

三頸瓶

(5) 將三頸瓶溫度加熱至65oC並以鋁箔包覆三頸瓶使溶液於黑暗

中反應20小時

(6) 接著將溶液與ethyl acetate以21之比例混合再將混合溶液與

Hexane以11混合以每分鐘10000轉之速率離心十分鐘重複2

至3次即可得到CdSe-MPA之量子點

詳細配製流程如圖228所示

64

02 mmol of MPA was dissolved in 30 mL of anhydrous methanol and pH-adjusted to 114 by addition of TMAOH

Heated to 55degC and than added to a vial containing approximately 40 mg of CdSe

Heated to 65degC and refluxed for approximately 24 hrs under nitrogen gas in the dark

The nanocrystals were isolated by addition of ethyl acetate to induce flocculation

The CdSe nanoparticles were precipitated using methanol

The CdSe nanoparticles were stored in toluene

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖

65

263 量子點敏化電池之組裝

(1)利用與 253 節中相同之方法製備工作電極薄膜並先將工作電

極浸泡純MPA溶液4小時取出後立刻將其浸泡入之前合成之硒化

鎘甲苯溶液靜置一天之後取出先以甲苯沖洗去除未吸附之多

餘奈米粒子再利用乙腈(acetonitrile)清洗工作電極表面靜置乾燥

後即可得已製備完成且吸附量子點之二氧化鈦薄膜電極

(2)再氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑金屬之相對電極之空隙中

再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結合並防止氣泡產生以長尾

夾固定既可完成此三明治結構之量子點敏化太陽能電池

附註

(1) 電解液配製

二甲丙基咪唑碘(dimethyl propyl imidazolium iodide ) 06 M 碘化鋰

(lithium iodide LiI) 01 M 碘 (iodine I2) 005 M 及第三丁基吡啶

tert-butylpryidine (05 M) 溶於乙腈(acetonitrile)中

(2) 染料溶液配製

Solaronix 公司 black dye 02 mM 及脫氧膽酸 (deoxycholic acid DCA)

20 mM 溶於乙醇 (ethanol)中

66

第三章 結果與討論

本研究之重點於利用兩種不同合成方法製備 TiO2Eu3+工作電極

材料並探討其運用於染料敏化太陽能電池之效應前者使用

Ti(OC4H9)4溶膠為合成二氧化鈦之前驅物與 Eu2O3為摻雜 Eu3+來源

以溶膠凝膠法與水熱法合成 TiO2 奈米粒子後者使用商用二氧化鈦

粉末(Degussa P25)為合成二氧化鈦與 Eu(NO3)35H2O 為摻雜 Eu3+

來源直接利用水熱法合成粉末針對兩系列工作電極材料之晶體結

構與光譜特性進行不同目的之階段分析分別敘述如下

第一階段為材料結構鑑定分析

(1-1) X-光繞射光譜儀(X-ray diffraction XRD)

(1-2) 結構精算(Refinement)

(1-3) 掃描式電子顯微鏡(SEM)

(1-4) 穿透式電子顯微鏡(Transmission electron microscope TEM)

(1-5) 氮氣等溫吸附與脫附儀(BET)

第二階段為光譜特性分析

(2-1) 光激發光譜(PL)

(2-2) 拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum)

(2-3) 紫外 ‐可見光擴散式反射光譜 (UV-Vis diffuse reflectance

spectra UV-Vis DRS )

(2-4) X 射線光電子能譜儀(XPS)

(2-5) X-光吸收光譜(X-ray absorption spectroscopy XAS)

第三階段為太陽能電池特性分析

(3-1) 太陽能電池 I-V 曲線效率量測(I-V curve)

(3-2) 入射單色光之光電轉換效率量測(IPCE)

(3-3) 電化學交流阻抗分析(EIS)

67

31 TiO2Eu3+ 材料結構鑑定分析

311 晶體結構分析

天然二氧化鈦為 n 型半導體於分子之結構中屬閃鋅晶格其中

鈦原子具 22 個電子以外圍 3d 軌域之 4 個價電子與氧原子形成共

價鍵 (Covalent Bond)自然界中二氧化鈦以銳鈦礦(Anatase)金紅

石 (Rutile)與板鈦礦 (Brookite)三種結晶組態存在其中最常見與最

廣泛使用的為前面兩種組態後者則極為罕見圖 31 為典型銳鈦礦

(Anatase) 之晶體結構圖屬四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα

=β=γ=90deg其空間群(space group)為 I 41amd其中 I 表體心晶格

(Body centered unit cell)41a 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 41旋移

軸(screw axis)即平行 c 軸旋 360deg4 = 90deg後平移 14 晶軸距離且

於垂直[001]方向具一 a 軸之旋移面(glide plane)m 表垂直[100]或[010]

方向具一鏡面(mirror plane)d 表垂直於[110]或[1-10]方向具一沿 c

軸移動之鑽石射移面(diamond glide plane)而圖 32 為典型金紅石

(Rutile) 之晶體結構圖為四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα=

β=γ=90deg其空間群為 P 42mnm其中 P 表簡單晶格(primitive cell)

42m 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 42旋移軸(screw axis)即平行 c

軸旋轉 360deg4 = 90deg後平移 24 晶軸距離且於垂直[001]方向具一反

射面n 表垂直[100]或[010]方向具一斜角射移面(diagonal glide)末

項之 m 表垂直於[110]或[1-10]方向具一反射面雖此兩種晶相皆是以

TiO6八面體鍵結而成然而 Ti-TiTi-O 鍵長與氧鍵結數不同等差異

造成兩相之質量密度(mass density)與電子組態皆相異

68

圖 31 TiO2銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖

圖 32 TiO2金紅石(Rutile)相晶體結構圖

69

3111 TiO2Eu3+ (TBT 系列) XRD 分析

此系列工作電極粉體以溶膠凝膠法與水熱法進行合成並添加

銪(Eu)為活化劑其主體晶格為二氧化鈦(TiO2)如圖 33 所示為 TBT

系列 TiO2Eu3+之 XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu含量自 x = 0 增

至 x = 005於 X-光繞射圖譜得知隨 Eu 濃度增加粉體皆呈現 TiO2

銳鈦礦 (Anatase) 之相若以離子半徑大之原子取代於主體晶格中原

子半徑小之原子故主體晶格將擴張其面間距(d)增加並根據布

拉格繞射公式 2 sind nθ λ= 可知繞射角度(θ)亦減小於圖 33 XRD

圖譜中銳鈦礦繞射面(101)之主繞射峰並無位移初步判斷為低濃

度取代之緣故而較多數文獻(80)之論點則因 Eu3+之離子半徑約為 108

Aring而 Ti4+之離子半徑約為 068 Aring兩種離子半徑差異頗大造成利

用溶膠-凝膠法與水熱法等軟性合成法並不易將 Eu 直接取代 TiO2 晶

格中 Ti 之位置故無法於使二氧化鈦晶格擴張此論點於 GSAS 結

構精算結果中將再次討論

20 30 40 50 60

A(211)A(105)A(200)A(004)

Ti1-xO2Eux (TBT)

JCPDS089-4921

x = 0015

2 θ (degree)

Inte

nsity

(au

)

x = 0

x = 00075

x = 002 x = 0025 x = 003

x = 004

x = 005Anatase

A(101)

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜

70

為計算合成粉體之粒徑大小根據晶體學 Scherrer equation(如式

31) (81)其中 D 為粒徑大小 (crystal grain size)k 為無單位常數 09

λ為 Cu Kα1之波長 015405 nmβ為圖譜中最強之繞射峰(101)之半高

寬θ為繞射角度 254o之半

coskD λ

β θ= (31)

計算不同 Eu 摻雜量其粒徑大小分布如圖 34 所示顯示隨著 Eu 摻雜

量增加粒徑大小隨之縮小至 x = 004 時達至飽和穩定研判為

Eu3+雖難取代 TiO2 中 Ti4+位置卻可能於晶格表面或空隙中形成

Eu-Ti-O 鍵結進而限制其晶格成長(82)而觀察此 TBT 系列粒徑分布

由 9~20 nm 範圍屬微小奈米粒子形成微小粒徑之因可由生成機制

說明此系列樣品由溶膠凝膠法將鈦酸四丁酯 (Tetrabutyl titanate) 水

解形成加入硝酸使生成環境處於 pH 小於 2故此過程須將鈦醇前

驅物於酸催化下水解縮合而成而三維聚合體骨架 (polymeric

skeletons) 於低含水與低水解速率下將由於 Ti-O-Ti 之鍵結逐漸形成

而更緊密堆積因此造成微小奈米粉體之形成(8384)

-001 000 001 002 003 004 005 0068

10

12

14

16

18

20

22

1027978

13241439

16781722

1934

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

) Ti1-xO2Eux(TBT)

2176

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖

71

為更進一步瞭解稀土離子摻雜進入二氧化鈦後之確切晶體結構

與精細結構變化本研究利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進

行結構精算精算過程中以 ICSD-93098 為起始模型此為空間群

I 41amd 之銳鈦礦 TiO2各原子之熱振動參數設定為等方向性

(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為 1且相同格位之

原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖 35 為 TBT 系列

Ti097O2Eu0033+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構精算所獲得之

XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理論擬合曲線

下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置以及下方藍

色實線表為理論值與實驗值之誤差

由 GSAS 結構精算結果得知如表 31a 所列TBT 系列 Eu3+

摻雜 TiO2結構之空間群仍屬於 I 41amd其中 Eu3+取代四配位之 Ti2+

位置較為合理其信賴指數為 χ2 = 237Rwp = 598與 Rp = 482

可得知樣品之結晶性良好其晶型之結晶程度好壞對往後染料敏化太

陽能電池光電轉換效率之優劣有決定性之影響晶格參數為 a = b =

37835 (6) Aring 與 c = 94945 (17) Aring晶格體積為 13591(4) Aring3根據

Vegard(85)定律固態材料因摻雜不同大小離子半徑之元素使其結構

產生膨脹(expansion)或壓縮(compression)效應而直接影響其晶格大

小與體積之變化根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較(表

31b)晶格體積並無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之

Eu3+離子(095 Aring)難以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與上述 XRD

結果吻合

72

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

圖 35 TBT 系列 Ti097O2Eu0033+粉體 X 光繞射結構精算圖

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

0000000

0000000

0245966

0338408

-0023401

0182541

1000000

1000000

261

382

Space group I 41amd (tetragonal) Cell Parameter

a = b = 37835 (6) Aring c = 94945

(17) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13591(4) Aring3

Reliability Factors χ2 = 237 Rwp = 598 Rp = 482

73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參數

Eu

ratio(x) a(A) b(A) c(A) Volume(A) Rp() Rwp() χ2

0 37809(18) 37809(18) 94795(9) 13551(16) 51 61 20300075 37805(18) 37805(18) 94796(9) 13548(16) 53 66 2270015 3790723) 3790723) 94839(11) 13628(20) 72 85 239002 37806(33) 37806(33) 94737(17) 13540(29) 62 75 2450025 37805(12) 37805(12) 94420(23) 13495(7) 52 61 185003 37835 (6) 37835 (6) 94945(17) 13591(4) 48 60 237004 37868(5) 37868(5) 94868(15) 13604(34) 63 79 279005 37772(24) 37772(24) 95012(6) 135557(15) 42 52 184

3112 TiO2Eu3+ (P25 系列)

此系列工作電極粉體為利用水熱法合成以添加銪(Eu)為活化

劑其主體晶格為二氧化鈦如圖 36 所示為 P25 系列 TiO2Eu3+之

XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu自 x = 0 增至 x = 01於 X-光繞

射圖譜得知隨 Eu 濃度增加與前一 TBT 系列比較不同之處為粉體

所呈現為 TiO2 銳鈦礦(Anatase)與金紅石(Rutile)兩項共存(之後亦利

用結構精算驗證此結果)其中以銳鈦礦(Anatase)所佔比例為多數

爾後分析將針對兩項比例作計算依據圖 36不同 Eu3+摻雜量之系

列樣品並無發現明顯之 Eu2O3或 Eu 與 Ti 複合氧化物之繞射峰出現

此為由於 Eu3+均勻分散於 TiO2晶體之表面所致(86)其主相 anatase 於

(101)處之繞射峰亦無明顯位移產生其為離子半徑差異較大之因

研判 Eu3+並無直接取代 TiO2晶格中 Ti4+之位置以 Scherrer equation

計算之粒徑大小分布如圖 37 所示文獻(87)曾報導由於金紅石(Rutile)

晶體結晶性較銳鈦礦(Anatase)為差也因此粒徑相對較小本實驗經

過 Eu 摻雜後之樣品雖將提高銳鈦礦(Anatase)相之比例(將於後文說

74

明)但由圖 37 可得知此兩相比例差異之影響對於晶格成長之限制不

大初步判斷為此系列以商用粉 P25 為前驅物進行水熱法過程中

摻雜之 Eu3+座落於晶體表面主晶體二氧化鈦並不會進行分解

(decompose)再結晶

20 30 40 50 60

R(1

01)

R(1

10)

A(1

05)

A(2

11)

A(2

00)

A(1

12)

A(1

03)

A(1

04)A

(101

)

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

x = 0

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0025x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015Anatase

Rutile

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜

000 005 010 015 0208

10121416182022242628

238237236238246248

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

)

Ti1-xO2Eux(P25)

253

圖 37 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布

75

本系列亦利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進行兩相結構

精算精算過程中銳鈦礦(Anatase)以 ICSD-202243 為起始模型而

金紅石(Rutile)則以 ICSD-202241 為起始模型各原子之熱振動參數

設定為等方向性(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為

1且相同格位之原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖

38 為 P25 系列 Ti09O2Eu013+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構

精算所獲得之 XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理

論擬合曲線下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置

以及下方藍色實線表為理論值與實驗值之誤差由 GSAS 結構精算結

果如表 32 所列P25系列 Eu3+摻雜 TiO2結構之空間群屬於 I41amd

之銳鈦礦與 P42mnm 之金紅石兩相共存其精算信賴指數為 χ2 =

185Rwp = 61 與 Rp = 52 銳鈦礦之晶格參數為 a = b = 37850

(33) Aring 與 c = 94950 (9) Aring晶格體積為 13603 (21) Aring3 金紅石之晶

格參數為 a = b = 45867 (0) Aring 與 c = 29540(0) Aring晶格體積為 6215

(0) Aring3根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較晶格體積亦

無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之 Eu3+離子(095 Aring)難

以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與 XRD 結果吻合亦與 TBT

系列結果相同

藉由 XRD 分析並根據 Spurr 與 Myers 所發展之理論(88)銳

鈦礦(Anatase)特徵峰A (101)與金紅石(Rutile)特徵峰R(110)兩結

晶面之強度可計算出異相態比例由方程式32a與32b

(32a ) 1

(1 08( ))RXA RI I+

=

1A RX X= minus (32b )

式中XA 為銳鈦礦之重量百分比XR 為金紅石之重量百分比IR 為

76

金紅石 X-ray 於(110)之繞射峰強度IA 為銳鈦礦X-ray 於(101) 之

繞射峰強度由此式計算出此系列樣品之兩相比例與利用 GSAS 結

構精算後得出之兩相比例比較如表33所示可知藉由兩種計算方法

所得之結果相近未經 Eu 摻雜之樣品(x = 0)所得銳鈦礦與金紅石之

重量百分比與一般文獻所記載此系列合成前趨物 Degussa P25 二氧

化鈦之兩相重量百分比(銳鈦礦75 金紅石25 )(89)接近而透過 Eu

之摻雜具效提升銳鈦礦之重量百分比此與 Setiawati 等人(90) 於期

刊中發表透過稀土元素(EuSm)之摻雜於高溫燒結過程中將有

效抑制金紅石相之生成進而增加銳鈦礦之穩定性之結果吻合以染

料敏化太陽能電池而言使用銳鈦礦晶相小粒徑高比表面積之

TiO2 粉末較有利於製造多孔薄膜電極時表現出高光電轉換效率

之特性而由於一般商業二氧化鈦粉末於高溫 (約700至900oC) 時會

產生相變(Anatase變至Rutile)因此於塗佈多孔薄膜工作電極後固

化之燒結溫度應避免高於轉相溫度

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

77

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

Ti

O

0000000

0000000

0000000

0304690

0250000

0250000

0000000

0304690

0375000

0170031

0000000

0000000

1000000

1000000

1000000

1000000

241

184

250

250

Space group (A) I 41amd (tetragonal)

(R) P 42mnm (tetragonal)

Reliability Factors χ2 = 185 Rwp = 61 Rp = 52

Cell Parameter

(Anatase)

a = b = 37850 (33) Aring c = 94950

(9) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13603 (21) Aring3

(Rutile)

a = b = 45867(0) Aring c = 29540(0) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 6215 (0) Aring3

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果

Ti1-xO2Eux3+ x=0 x=0025 x=005 x=0075 x=01 x=0125 x=015

Anatase(wt ) 751 817 849 839 853 836 849

Rutile(wt ) 249 183 151 161 147 164 151

Anatase(wt

)

753 824 853 835 849 834 847

Rutile(wt ) 246 176 147 165 151 166 153

GSAS refinement results

78

312 晶體表面形貌分析

3121 SEM 與 TEM 粉體形貌分析

此部分討論透過掃瞄式電子顯微鏡與穿透式電子顯微鏡觀察所

合成粉體之表面形貌以及粒徑大小分布將結果與 XRD 與 BET 所得

結果作比較如圖 391 (a)~(b)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+中 x = 0 以及

x = 003 之 SEM 影像由圖中可察覺所合成樣品皆為無孔洞表面光

滑之粉體與文獻中(89)未製成工作電極前之二氧化鈦形貌相符透過

Eu 摻雜改質後相較於未摻雜樣品粒徑似乎有縮小之趨勢此與 XRD

所得結果吻合而相較於 TBT 系列圖 392(a)~(d)顯示 P25 系列於

不同 Eu 摻雜量時之粉體 SEM 圖由圖中顯示樣品仍為無孔洞表

面光滑之粉體然而透過 Eu 之摻雜粒徑大小並無明顯改變約略

於 23~25 nm 之間此與 XRD 所計算出結果相符

但若欲進一步測量其準確粒徑分布須透過TEM量測放大倍率作

觀察圖310(a)~(f)為TBT系列 Ti1-xO2Eux3+ 中 x = 0~004 之TEM

影像由圖中可察覺粉體顆粒大小均勻形狀近似圓球狀影像中

並無顯示類似之添加稀土金屬晶相結果皆與SEM吻合其由於TEM

影像中顏色較深暗之部分表示本實驗所配製之粉體具聚集堆積之

情形推測可能為此TEM實驗製備方法中只單純將粉體分散於純乙醇

內並無額外加入任何分散劑而造成粉體顆粒產生團聚現象因此

由圖中所觀察之粉體大小可能為二次粒徑但由於系列樣品中其隨

著Eu3+摻雜量增加可明顯觀察至其粒徑亦隨之變小此結果將配合

BET之結果加以討論

79

(b) (a)

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+SEM 圖放大倍率皆為 100k圖(a)為

x = 0圖(b)為 x = 003

80

(b) (a)

(d)

(c

圖 392 (a)~(d)為 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為

100k圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)為 x = 015

81

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(a) (b)

(c) (d)

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(f) (e)

20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm

圖 310 (a)~(f)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+TEM 圖放大倍率皆為 200kx

(a) x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f) x = 004

82

3122 氮氣等溫吸附與脫附分析(Brunauer -Emmett-TellerBET)

31221 TBT 系列粉體 BET 分析

分析所合成之工作電極粉體其表面形貌以及比表面積分布本研

究針對樣品進行氮氣等溫吸附與脫附分析氣體吸附法測定比表面積

之原理為依據氣體於固體表面之吸附特性於一定之壓力下被測

樣品顆粒(吸附劑)之表面於超低溫下對氣體分子(吸附質)呈現可

逆之物理或化學吸附作用於某一壓力下其存在相對應之平衡吸附

量通過測定出該平衡吸附量並藉由理論模型以等效求出被測樣品

之比表面積由於實際顆粒外表面之不規則性嚴格來講該方法測

定之結果為吸附質分子所能到達之顆粒外表面與內部通孔總表面積

之和

圖 311(a) ~ (g)為 TBT 系列樣品針對不同 Eu 摻雜濃度之工作電

極粉體所測之 BET(Brunauer-Emmett-Teller)等溫吸附法之結果藉由

遲滯迴圈之範圍及形狀可輔以判斷孔空形狀與大小此系列樣品之氣

體吸附曲線依 IUPAC 定義於 x = 0即無 Eu 摻雜時由於其於高

相對壓力(relative pressure PsPo)時遲滯迴圈不明顯故推測屬於第

二型第二型通常為無孔材料或孔徑較大之材料配合 SEM 圖判斷

應為無孔材料顯示合成之粉體其表面光滑完整而隨著 Eu 之摻雜

量之增加氣體吸附曲線於高相對壓力出現些微遲滯迴圈現象推測

屬於第四型中孔洞材料但由 SEM 判斷粉體仍無中孔洞材料現象

為完整平滑之粉體初步判斷造成中孔洞原因為粉體堆疊時所產生之

空隙造成且遲滯迴圈較為垂直故應為規則之球體陣列間孔洞造

成而經由 BET 程式計算此 TBT 系列樣品之比表面積顯示隨著

Eu 含量之增加其比表面積亦隨之增加於 Eu 摻雜量至 x = 004 時

達至飽和此結果與 XRDTEM 結果吻合隨著 Eu 含量之增加

83

由於粒徑因為 Eu-Ti-O 鍵結產生造成晶體成長受限而隨之粒徑變

小因此造成比表面積隨之增加圖 312 為 Eu 不同摻雜量與比表面

積之關係圖

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0015)

V

olum

e ad

sorb

ed (c

m3

g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=002)

Absorption process Desorption process

(c)

84

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=003)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(d)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=004)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

050

100150200250300350400450500

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=005)

Absorption process Desorption process

(e)

(f)

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖

85

000 001 002 003 004 00570

80

90

100

110

120

130

140

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

789

9821027

1076

1328

1266

圖 312 TBT 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

31222 P25 系列粉體 BET 分析

圖 313 為 P25 系列樣品於不同 Eu 摻雜濃度下所測定 BET

(Brunauer -Emmett-Teller)等溫吸附法之結果與 TBT 系列比較依

IUPAC 之定義配合 SEM 與 TEM 之結果此系列樣品仍為無孔洞

之奈米材料且其高相對壓力處遲滯迴圈之形狀與 P25 標準圖譜相

近可判斷於此系列中經由 Eu 之摻雜後於表面形成之 Eu-Ti-O 之

鍵結較弱因此限制晶格成長現象較不明顯此結果與 XRD 粒徑大

小分布趨勢吻合

86

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPO)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0075)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=015)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

(c)

圖 313 (a)~(c) P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之 BET 圖

87

000 005 010 015

0

10

20

30

40

50

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

333

477 509

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

32 TiO2Eu3+ 粉體光譜特性分析

3211 光激發光譜分析(PL)

以 Eu3+作為活化中心之紅色螢光粉研究已屬豐碩而藉由主體晶

格之變異進而整齊發光特性而先前亦具 Eu3+摻雜入 TiO2 之研究

但多數為薄膜製程以探討其光電與觸媒特性本研究亦透過光激發

光譜之分析藉以探討不同 Eu3+濃度摻雜之粉體其發光特性與機制

Zou 等人(91)於 2006 年之研究指出由於其間接傳遞之特性TiO2

之塊材(bulk)於室溫下並無放光僅於 77 K 時於 500 nm 處具微

弱放光習知 Eu3+離子之激發光譜具以下三種特徵第一種為主體晶

格吸收以 Y2O3 Eu3+為例於激發波長(≦230 nm) 存在 Y2O3之主

體晶格吸收第二種為電荷轉移躍遷(charge transfer transition)為

Eu3+-O2-之間電荷轉移所產生之躍遷其常為寬帶譜此特徵峰一般

88

介於 250 ~350 nm(92 - 94)第三種為 f-f 軌域之躍遷此為 300~500 nm

之間 Eu3+離子之 4f 軌域相互躍遷所造成之特徵吸收峰如圖 315 所

示為摻 Eu3+離子之 TiO2光激發光譜圖與放射光譜圖於 612 nm 作

放射波長下之激發光譜中最強吸收峰為 394 nm其為 7F05L6軌域

電子躍遷其中由左至右亦包含 7F016D4(384 nm)7F0

5G2(380

nm)7F05D3(414 nm)7F0

5D2(464 nm)之吸收峰值故吸收峰皆為

4f 軌域之內層電子躍遷(95)並無上述之主體晶格吸收或電荷轉移等

現象其乃因 Eu3+-O2-之間共價性太低但電荷轉移所需能量太大

故不易發生再者因電荷轉移吸收帶與主體晶格能隙重疊故產生

能量移轉電荷轉移吸收帶吸收之能量移轉至主體晶格爾後以非發

光形式釋放

於 394 nm 激發並測其放射光譜最強之放射波長為 612 nm隨

濃度改變此一最強放射峰值並無任何改變此為 5D07F2軌域電子躍

遷且三價稀土離子佔據晶格之非對稱中心時非對稱中心之晶格場

對 J = 0 2 之躍遷特別敏感故此躍遷亦稱為強制電偶極躍遷(forced

electric-dipole transition)而磁偶極躍遷(magnetic-dipole transition)一

般不受發光中心周圍結構對稱性之影響5D07F1即屬於此類自左

至右分別為 5D07F0(580 nm)5D0

7F1(592 nm)5D07F4(652 nm)

觀察激發放射光譜圖 315 之放射峰皆為 5D07FJ之電子躍遷即自激

發態之最低能階躍遷至基態而無較高能能階激發態之躍遷其乃複

合聲子弛緩過程(multiphonon relaxation process)(96)所致

89

350 400 450 500 550 600 650 700

00

30x106

60x106

90x106

12x107

15x107

5DJ-7FJ

414

(7 F 01

-6D

3 )

384

(7 F 01

-5 Gj5 L

7)

535

(7 F 01

-5 D3

)

394

(7 F 01

-5 L6 )

λem= 612 nm

464

(7 F 01

-5 D2 )

592

(0-1

)58

0 (0

-0)

652

(0-4

)

Ti097O2 Eu0033+

612

(0-2

)

λex= 394 nm

Inte

nsity

(au

)

Wavelength(nm)

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖

由於本研究為藉由經由工作電極摻雜 Eu3+而使其放紅光並給與

染料吸收以加強其效為提供染料 Black dye 更多之紅光可利用 Eu

摻雜濃度對於發光強度之關係加以討論由圖 316 中可發現 TBT 系

列中隨著 Eu3+離子摻雜濃度由 x = 0 變化至 x = 005其發光強度隨

活化中心 Eu3+濃度增加而增強爾後摻雜濃度高於 x = 003 時強度

卻隨逐漸衰減而 P25 系列中最高發光強度時之摻雜量則為 x = 01

時 此現象為濃度淬滅效應(concentration quenching)所造成此淬減

效應產生可能因素有二

(1) 自身吸收(self-absorbing)或自消光(self-quenching)效應如同液態

螢光之現象固態溶液於高活化中心濃度時吸收物種平均距離縮減

90

使活化中心產生之螢光為另一活化中心所吸收致使發光強度減弱

(2) 能量傳遞至非放光中心 使能量損耗導致發光效率降低

Frindell 等人(97)所發表之文獻中將 Eu 摻雜入非結晶相 TiO2薄膜所

形成非傳統之發光性薄膜其觀點為放光來源為 Eu-Eu 離子間之能

量傳遞其放光濃度淬滅效應與本研究之觀點一致皆為自消光所造

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖

圖 317 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL 光譜圖

500 550 600 650 700

00

20x106

40x106

60x106

x(content)

Ti1-xO2Eux(P25)

0150125

010075

0050025

0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 464 nm

500 550 600 650 700

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

Ti1-xO2Eux(TBT)

005004

0030025

0020015

00075 0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 394 nm

91

而圖 319 與圖 320 分別為兩系列不同 Eu 摻雜量激發光譜(PLE)

之比較可觀察 TBT 系列樣品於 612 nm 作放射波長下最強吸收

峰為 394 nm其次為 464 nm然而對於 P25 系列反而最強吸收峰

為 464 nm394 nm 峰值相對減小甚大為解釋此現象可由圖 318 之

發光機制圖說明當 TiO2 Eu 照光時對主體晶格 TiO2與活化劑(Eu3+)

皆會受光激發電子當 TiO2吸收波長小於 394 nm 之入射光時光電

子快速傳遞至 Eu3+晶格場分裂能階中進行非輻射緩解至各能階進行

放光其中至 5D0後回至 7F0即產生波長 612 nm 之最強放光由於

次共價陽離子 Eu 之摻雜造成主體晶格於價帶與傳導帶間形成一受

限態(trapped state)提供激發光電子一停留之暫態因此若吸收例如

394464 nm 等波長亦會產生復合放強光或非輻射緩解(虛線)

由放射光譜(PL)可知 P25 系列於最強放光 612 nm 處之發光強度明顯

小於 TBT 系列因此可說明 P25 系列受 394 nm 入射光子量極少吸

收機率減小而致使放射光強度減弱故可說明 394 nm 峰值相對減小

之因

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖

92

300 330 360 390 420 450 480 510 540

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

λem = 612 nm

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

000075

0015002

0025003

004005

PLE

圖 319 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE 光譜圖

330 360 390 420 450 480 510 540

00

20x106

40x106

x(content)

λem= 612 nm

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

00025

0050075

010125

015

PLE

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux

3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖

93

3212 臨界距離與能量轉移機制

根據 Dexter 與 Schulman(98)所提出之濃度淬滅效應(concentration

quenching effect)由圖 316 隨 Eu3+離子濃度逐漸增加時其發光強

度亦逐漸增加於 x = 003 時發光強度達至最高值爾後再添加過

量之活化中心(x>003)導致 Eu3+離子彼此間之距離縮短促使 Eu3+

-Eu3+離子對(ion pair)形成並隨摻雜濃度增加而增加使發光能量於

Eu3+-Eu3+離子對內傳遞以非輻射緩解方式消失其發光強度逐漸衰

減此外可利用 Blasse 等人(99)所提粗略計算添加相同之活化中心於

主體晶格內藉由結構精算所得晶格參數推知其發生能量轉移之臨界

半徑(critical radiusRc)

1 3

c3R 2

4 c

Vx Nπ

⎡ ⎤asymp ⎢ ⎥

⎣ ⎦ (33)

式 33 中V 為單位晶格之體積xc 為活化中心之臨界濃度N

為單位晶格中陽離子所占有之個數

臨界半徑乃於臨界濃度(critical concentration xc)時發光中心傳

遞至非放光中心之最小平均距離於本研究中調變 Eu3+離子之濃度

(x = 0~005)其強度最大值發生於 x = 003即為 xc值並利用結構

精算得此樣品之單位晶格體積為 13591(4) Aring3於每一單位晶格中

此 TBT 系列銳鈦礦向為四方晶系故每單位晶格中之 Ti4+ 離子(同為

活化中心之取代位置)所占有之個數為 1 個即 N = 1經計算結果可

得 Rc值約為 205 Aring以相同方法計算 P25 之樣品其 xc = 01單位

晶格體積 V 為 13603(16) Aring3經計算結果可得 Rc值約為 137 AringP25

系列之臨界半徑較 TBT 系列短之原因為合成過程中摻雜元素晶體

長成之差異造成 P25 系列樣品粒徑較大Eu3+與 TiO2 之鍵結強度

較小因此於活化中心間傳遞電子之距離須更小以達濃度淬滅效應現

94

象發生

綜合上段文中所述Ti1-xO2 Eux3+螢光粉之濃度淬滅效應乃因

其發光能量於 Eu3+-Eu3+離子對(ion pair)內傳遞而淬滅本研究將探

討其能量轉移機制

Ozawa(100)等人與 Wang(101)等人於文獻中指出此複合極矩交互作

用與活化中心濃度與其發光強度具一關係式

1 31 ( )QI K x

minus⎡ ⎤= +⎣ ⎦ (34)

式中x 為活化中心濃度I 為發光強度Q = 68 與 10 分別對

應為偶極-偶極(dipole-dipole)偶極-四極(dipole-quadrupole) 與四極-

四極(quadrupole-quadrupole)交互作用K與 β為對應主體晶格之常數

圖 321為Ti1-xO2 Eux3+

(x = 0~005)樣品以 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)

作圖圖中可觀察為一線性關係其擬合(fit)線之斜率為 -062經由

上述關係式之計算後可得 Q 值為 486近似於 6故由此結果可推論

本研究二氧化鈦摻雜 Eu3+離子之濃度淬滅效應主要乃以偶極-偶極交

互作用(dipole-dipole interaction)所致

-22 -20 -18 -16 -14 -12

83

84

85

86

87

88

89

log

( Ix

Eu3+

)

log (xEu3+)

Ti1-xO2Eux3+

Slope = -06195

圖 321 Ti1-xO2 Eux

3+之 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)關係圖

95

322 拉曼散射光譜分析 (Raman scattering spectrum)

3221 TBT系列粉體拉曼散射光譜分析

拉曼散射光譜為量測材料之鍵結狀態非常普遍之方法其原理為

利用光子與樣品中之聲子之間之交互作用量測晶體中之各種振動模

式包括了分子內之振動與晶格振動因此當樣品中晶格變化極微小

時亦能藉由拉曼散射光譜儀觀測於材料晶相結構之鑑定拉曼光

譜亦提供一材料結構與鍵結組態之特徵可與 X 光繞射圖譜互為印

證根據 Balachandran 與 Eror 報導(102)銳鈦礦(Anatase)具六種

Raman active 振動模式(vibrational modes)A1g + 2B1g + 3Eg 金紅石

(Rutile)具四種 Raman active 振動模式A1g + B1g + B2g + Eg由圖 322

中 TBT 系列之拉曼光譜於 146398518 和 641 cm-1 處其顯示二

氧化鈦晶相之特徵散射峰值分別對應銳鈦礦中 Eg A1gB1g Eg

之振動模態(Vibration Mode) (103 104)且 146 cm-1處之散射峰較尖銳

指出粉體之結晶性佳並與 XRD 結構精算之結果吻合另外此系

列中並無發現金紅石之散射峰出現顯示 TBT 系列樣品為銳鈦礦之

純相此與 XRD 之結果吻合

藉由 146 cm-1處 Eg振動模態之散射峰作觀察可知經由 Eu 摻雜

後其繞射峰具往高波數位移之現象有文獻指出(105 106)當二氧化

鈦於晶體結構中之氧空缺(oxygen vacancy)增加時將增加銳鈦礦於

146 (Eg) cm-1之波數因此研判本系列樣品經由 Eu 之摻雜均增加粉

體晶體中氧空缺爾後 X 光吸收光譜將更進一步討論而 Choi 等人

(107)於銳鈦礦之二氧化鈦中以體積收縮效應 (volume contraction effect)

解釋由於粒徑縮小而使晶粒之徑向壓(radial pressure)變小因此造成

鄰近原子鍵結與振動強度改變使繞射峰有往高波數位移之現象

96

100 200 300 400 500 600 7000

1

2

3

4In

tens

ity (a

u)

Raman shift (cm-1)

148(Eg)

146(Eg)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0015

x = 0

x = 002

x = 0025

x = 003

x = 004

x = 005

398(B1g) 518(A1g)641(Eg)

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

97

3222 P25系列樣品拉曼散射光譜分析

本實驗亦將 P25 系列樣品進行拉曼散射光譜之分析如圖 323

所示 P25 系列之拉曼光譜於 146398518 與 641 cm-1 處出現二

氧化鈦晶相之拉曼散射峰值與 TBT 系列相似分別對應銳鈦礦中

Eg A1gB1g Eg之振動模態(Vibration Mode) 然而 P25 系列樣品

於未摻雜 Eu 時(x = 0)時於 454616 cm-1 處出現分別對應於 Eg

A1g 振動模式之金紅石特徵散射峰出現此金紅石特徵峰之因主要

是由於 x = 0 之樣品存在重量百分比約 25 之金紅石晶相結構隨著

Eu 濃度之增加於 x = 0025 時 454 cm-1之特徵峰已消失而當摻雜

濃度大於 25 mol (x = 0025) 時粉體皆呈現銳鈦礦之拉曼特徵

峰此與 XRD 結論吻合由於稀土元素之摻雜抑制燒結過程中銳

鈦礦轉變成金紅石之現象於最強散射峰 146 cm-1處 Eg振動模態之

散射峰分析可知經由過 Eu 摻雜此繞射峰亦具往高波數位移之現

象然而總括兩系列樣品於此散射峰之位移現象皆不顯著主要乃因

摻雜稀土元素之量過少因此造成主體氧空缺不足以造成明顯之波數

位移現象(108)

98

100 200 300 400 500 600 700

R-616(A1gR-454(Eg

))

147 Eg( )

146(Eg)

641(Eg)518(A1g)

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

(au

)

Raman shift (cm-1)

x = 0025

x = 0

x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015

398(B1g)

圖 323 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

99

323 紫外-可見光擴散式反射光譜分析(UV-Vis DRS)

3231 TBT 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

二氧化鈦為一具半導體特性之物質且為一直接能隙之 n 型半導

體經由紫外光之照射使其表面電子電洞分離純相之二氧化鈦

其價帶與導電帶之能量差(即能隙大小)約為 32 eV相當於 380 nm

光波長之能量經由愛因斯坦發展光電理論之計算能量約座落於紫

外光範圍言下之意為必須透過紫外光激發始將其電子與電洞分離

進而能夠顯現觸媒之催化活性或光電特性然而許多學者於二氧化

鈦之製備過程中添加不同比例之過渡元素金屬離子研究發現可改變

二氧化鈦之光激發特性本研究為透過於二氧化鈦中摻雜鑭系金屬

Eu並透過不同比例之添加期望藉以改善其光激發特性在此透過

紫外可見光擴散式反射光譜分析兩系列所合成 Ti1-xO2 Eux粉體其特

圖 324 為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 之紫外-可見光擴

散式反射光譜顯示未摻雜 Eu 樣品(x = 0)於圖譜短波長約 332 nm 處

具強吸收帶顯示 Ti 以四方晶系之 Ti4+ 存在於晶格中此吸收帶為

將價帶 O-2p 軌域之電子激發至傳導帶 Ti-3d 軌域(109 110)而經由 Eu

之摻雜此系列樣品吸收邊緣延長至較長波長約 400 處此現象於一

般半導體中若具雜質(impurity)或缺陷(defect)態存在即會由於其

本質傳遞而具極強之吸收(111)於本研究中Eu 離子即扮演此雜質之

角色將改變二氧化鈦之晶格環境且由XRD之結論可知由於Eu (III)

之離子半徑遠大於 Ti (IV)之離子半徑因此難藉溶膠-凝膠法與水熱

法等合成將之取代故經過摻雜之二氧化鈦形成一新相化合物此新

相化合物具兩種特性(1) 經過 Eu 摻雜後之二氧化鈦之能隙變小(2)

吸收邊緣延長至較長波長因此較低能量之入射光子即可被利用此

100

現象於圖 324 中特徵譜線紅位移現象中可證實Saif 與 Mottaleb 於

文獻中(110)亦說明鑭系正離子為電子清除劑(electron scavenger)之角

色進而影響主體之發光與光觸媒特性

200 250 300 350 400 450 500

x = 004

Ti1-xO2Eux(TBT)

F(R

)

Wavelength (nm)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

x = 0Red shift

圖 324 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS 光譜

進一步計算此系列樣品之能隙大小評估添加Eu後對光觸媒之光

吸收特性之影響最常以Schuster-Kubelka-Munk 理論方程式並配合

漫反射光譜以估算材料之能隙值擴散式反射光譜儀所利用Schuster

-Kubelka-Munk 理論(112 113)多應用於鋪陳較厚之粉體其中假設無規

則之反射光束粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚度適

用其公式如下

2(1 ) ( )( )2

R kF RR s( )

λαλ

infininfin

infin

minus= = = (35)

101

其中 k 為樣品之吸收係數s 為散射係數一般量測與標準品

相對之反射值 Rinfin 即 refR R Rinfin = 而非量測絕對值之反射值其

中本實驗之 refR 為硫酸鋇 (BaSO4) 之反射係數而若考慮s與波長λ

弱相關之因素則 ( ) F R k sα infin= = 於窄範圍內可正比於吸收以

1

[ ( ) ]F R h ηυtimes 對 hυ 作圖(KM圖)可用以得到材料之能隙值於 KM

圖中hυ 為入射光子之能量而指數η則是由因光子吸收情形造成材

料光吸收範圍之轉移形式決定(114)本研究中粉體特性利用 KM 圖

(指數η =2)可以得到一線性關係藉由此圖形以線性外插法可精確地

求得材料之能隙值計算此系列樣品 Eu 之摻雜量增加後其能隙大

小之趨勢為329326324322314312 eV呈現縮小之現象

Tanner等人(115)提出將稀土元素Er3+摻雜入α-Al2O3中其中Er3+之離子

半徑仍遠大於主體晶格中之Al3+難以取代其晶格位置研判於低濃度

摻雜時形成一新化合物ErAlO3且隨著摻雜濃度增加其能隙亦有

縮小之趨勢而Umebayashi等人(116)將V Cr Mn Fe Co等金屬元素摻

雜入TiO2 後一電子填滿態形成於價帶頂端與傳導帶底部之間且

隨著摻雜量增加此局部填滿態(localized occupied level)將向低能量

位移造成能隙縮小故可研判本實驗中經過 Eu 摻雜之樣品其

能隙調整為Eu3+ 3d所形成之軌域與O-2p 軌域所混成之頂端(價帶)

至Ti4+ 3d 軌域之底部(導帶)因此造成能隙縮小將此與Rengaraj等

人之研究結果吻合(117) 在此將Eu摻雜後之可見光激發過程示於圖

327中

102

25 30 35 40

[F(R

)hν

]12

hν (eV)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算圖

000 001 002 003 004310312314316318320322324326328330

312314

322324326

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

329

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖

103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖

3232 P25 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

而針對 P25 系列樣品同樣可藉紫外-可見光擴散式反射光譜圖

分析如圖 328 中亦發現隨著 Eu 之摻雜濃度增加樣品之反射光

譜線與前趨物 Degussa P25 相近且吸收邊緣亦具紅位移現象然而

相較於 TBT 系列其吸收譜線卻較為狹窄對於光觸媒之利用較為

不利且此系列粉體亦藉由 Schuster - Kubelka-Munk 理論計算其能隙

大小由於 Eu 摻雜造成能隙縮小之現象較不如 TBT 系列顯著推論

由於合成方法與前趨物不同所致其造成樣品形成結晶之結果不同

且 Eu 於 P25 系列粉體中與 O 軌域之混成程度不如 TBT 系列

104

250 300 350 400 450 500

00

02

04

06

08

10

12

x = 015F(R

)

Wavelength (nm)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

x = 0

Red shift

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜

25 30 35 40

[F

(R)

hν]1

2

hν(eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖

105

00 01 02300302304306308310312314316318320322

310312

317

313

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖

324 X 射線光電子能譜儀(XPS)

本研究藉由 X 射線光電子能譜儀探討粉體之能階性質其乃藉

由光電效應將某能階之電子激發而成為光電子藉由分析此些光電子

之能量進而得知束縛能獲得關於表面元素組成以及元素之化學環

境狀態由於本實驗以 Eu 摻雜入主體二氧化鈦中由 XRD 精算結

果顯示即使 Eu 摻雜量增加其晶格體積並無擴張趨勢基於 Eu3+與

Ti4+之離子半徑之差異初步判定Eu並未取代二氧化鈦晶格中Ti4+ 之

位置由於稀土原子與主體晶格鍵結成一化合物時其化合物之結合

能明顯會與純原子時不同其內核層電子之束縛能亦會有不同之變

化即一般之化學位移 (Chemical Shift)其所造成之能譜位移可用

以區分不同氧化態之元素

利用 XPS 分析 Ti1-xO2Eux3+ TBT 系列中 x = 03 之粉體由全光

譜結果表示奈米粉體表面主要含 TiOC 三種元素其中 C 元素

來自於污染雜質碳而 XPS 偵測深度約為 5 nm未於全光譜中偵測

106

到 Eu 之特徵峰(1134911652 eV)出現初步推測含 Eu 化合物可能

未於粉體表面而存在於晶格空隙(interstitial)中(86)如圖 331 所示為

TBT 系列 x = 0 與 x = 3 針對 Ti-2p 軌域所呈現之 XPS 圖譜其中

Ti-2p32與 Ti-2p12之束縛能約於 4583 與 464 eV間距為 57 eV兩

特徵峰之相對強度(積分面積)比約為 21皆為二氧化鈦晶格中 Ti4+

之貢獻與文獻中銳鈦礦相之特徵峰吻合(118)當 Eu 之摻雜(x = 3)顯

示可見 Ti-2p32 與 Ti-2p12 之束縛能位置具化學位移現象(4585 與

4642 eV)此化學位移現象可藉共價鍵理論(covalent bonding theory)

解釋顯示 Eu3+合併(incorporate)入 TiO2 中(於晶格表面或空隙)而形

成 Eu-O-Ti 鍵結由於 Eu 之存在造成 Ti 與 O 所共價之電子雲密度

減少而改變其束縛能因此束縛能增加(119)造成特徵峰向高能量偏

移如圖 332 為 O-1s 軌域之 XPS 圖譜經 Eu 之摻雜亦出現化學位

移之現象另亦有文獻指出(120)若二氧化鈦表面之本質缺陷(intrinsic

defect)增加由於缺陷結構會促使電子從陰離子(O)中傳遞至陽離子

(Ti)或摻雜離子(C)中造成 O 束縛能增加此與本實驗之位移現象吻

合至針對 P25 系列樣品同樣觀察 Ti-2p32Ti-2p12 與 O-1s 軌域之

XPS 圖譜(圖 333334)指出相較於 TBT 系列樣品無論為 Ti-2p

抑或 O-1s 軌域化學位移之現象皆較不明顯研判於表面 Eu-O-Ti

共價鍵之鍵結強度較弱因此電子轉移現象減小

107

456 458 460 462 464 466

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

527 528 529 530 531

5298

Ti1-xO2Eux(TBT)O 1S

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0

5297

x = 003

4642

4585464

Ti1-xO2Eux(TBT)

Ti 2p12

Binding energy (eV)

Inte

nsity

(au

)

Ti 2p32

x = 0

4583

x = 003

108

458 460 462 464 466

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

4643

45854642

In

tens

ity (a

u)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

Ti 2p12

Ti 2p32

x = 0

4584

x = 01

527 528 529 530 531

5297

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

O 1S

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0

5296

x = 003

109

本研究亦建立兩系列樣品之價帶導帶與標準氫電極之相對位

置以利解釋雙層工作電極模型機制本研究針對低能量入射光子慢

速掃瞄粉體之 XPS 光譜由於 XPS 原理中運用光電效應概念偵

測光電子能量(Ek)為入射光子能量扣除內核層電子束縛能與功函數

即 k bE h Eυ ϕ= minus minus (如圖 335 說明 )由二氧化鈦之分子軌域

(Molecular orbital)圖樣可知其價帶位於 O-2p 軌域因此圖 336 中為

針對 TBT 系列樣品(x = 03)之價帶圖譜由態密度(density of state)圖

譜可知代表價帶(O-2p)之放射特徵譜線而費米能階(EF)於價帶圖譜

中視為 0 eV因此可透過類似計算能隙大小之外差法方式計算其價

帶相對於標準氫電極之大小(120)可之經由 Eu 之摻雜二氧化鈦之

價帶位置由 32 eV 降低至 21 eV由圖中亦可得 Eu 摻雜樣品降低粉

體之價帶位置並結合紫外‐可見光擴散式反射光譜分析後所得粉體

之能隙大小可建立如圖 338 所示兩系列樣品之能隙位階圖

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖

110

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

21

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0 x = 003

32

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

20

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25) x = 0 x = 01

25

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

111

圖 338 兩系列樣品未摻雜與摻雜 Eu3+粉體能隙位階圖

112

325 X-光吸收光譜(XAS)

本研究所製備之工作電極粉體係屬奈米材料因奈米材料相較塊

材之結晶性較差由X光粉末繞射圖譜中(powder X-ray diffraction)將

無法獲得進一步之結構資訊X吸收光譜可提供局部之結構資訊(local

structure)適合作為奈米材料結構研究之方法此外更可提供繞射法

所無法獲得之氧化態訊息故本研究乃藉由國家同步輻射研究中心

BL20A光束線以進行吸收光譜量測藉比對X光吸收近邊緣結構

(X-ray absorption near edge structure XANES)以得知特定原子氧化價

數與 d-軌域之電子填滿率並可分辨吸收原子所處之晶位對稱性

由於同步20A光束線而言待測樣品可以為晶型或非晶型固體甚至

為液體或氣體因此應用範圍十分廣泛尤其各元素之吸收邊緣能量

少有重疊可調整入射能量至各個元素之吸收區進行掃描以分別偵

測非常適於量測含有多種元素之樣品系統

由圖 339 與圖 341 中兩系列樣品之 O-k edge 吸收光譜指出此二

氧化鈦之 O-K edge 之特徵譜線與文獻中吻合(121)觀察兩系列中於吸

收邊緣之特徵譜線經由 Eu 之摻雜並無明顯位移現象顯示粉體中

O 之價數並明顯變化判斷為低濃度摻雜之故然而放大 528 eV 附

近之特徵峰觀察後發現(圖 340 與圖 342)隨著 Eu 之摻雜量增加

此吸收峰強度亦隨之增強由分子軌域之概念顯示由於 Eu 之摻

雜造成 O 之電子雲轉移散布至 Eu 軌域因此造成 O 電子組態中出

現更多空軌域亦即增加粉體之氧空缺由於 TiO2 摻雜次共價鍵陽

離子(subcovalent cation)造成之氧空缺會形成攔截態(trap state)或雜質

態(impurity state)(122 123)可能形成放光中心影響粉體之螢光性質亦

可能造成電子傳遞時之阻礙

113

531 540 549

0

1

2

3

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux(TBT)O K-edge XAS

圖 339 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

114

5272 5280 5288

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 340 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜局部放大圖

525 530 535 540 545 550

0

1

2

3

Photon Energy (eV)

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux(P25)O K-edge XAS

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

115

5272 5280 5288

Photon Energy (ev)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大圖

116

33 Ti1-xO2Eux3+粉體於染料敏化太陽能電池之應用研究

上述各節已討論 Ti1-xO2Eux3+ 粉體之晶體結構形貌光學電

子組態各種特性本研究藉由此經修飾之二氧化鈦粉體應用於染料敏

化太陽能電池之工作電極材料並藉由其特殊發光特性與結構設計

以提高太陽能電池之效率

331 單層工作電極電池效率量測

未經修飾之二氧化鈦(TiO2)由於其能隙約為32 eV亦即所能

利用之光波範圍僅限於紫外光區域此情況下 TiO2 於一般日照射能

產生電子-電洞對之效率差所展現之光催化活性低應用價值不高

故為提升對太陽光之吸收效率進而提升 TiO2整體光催化效率為當

前一重要課題一般提高效率之方法分為修飾 TiO2表面或晶體結構

以增加其對光波之吸收率與抑制電子-電洞對之再結合TiO2之晶體

中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性質之改變益於光

催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕捉電子或電洞之缺陷

益於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素與 TiO2 共結晶增益對

光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化效果

第一個部分由於本研究透過 Eu3+摻雜入二氧化鈦中於光激發

光譜分析可得知兩系列摻雜 Eu 粉體於藍紫光(394464 nm)激發造成

於 612 nm 處之放光配合染料 black dye 於紅光附近之吸收可提高

染料之額外吸光量進而提高光激發電子之數量以提高能量使用之效

率圖 343 中為 TBT 系列分別取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體與摻

雜 Eu 後發光強度最高 (x = 003)之粉體工作電極材料(分別以 0-TBT

與 Eu003-TBT 表示)組裝電池後量測之光電特性為討論分析其再

現性本研究以相同條件多次組裝電池量測求證結果由表 34 中光

電特性參數得知兩種樣品所得 FF 因子皆達理想電池之表現

117

Eu003-TBT 電池平均效率為 178 而 0-TBT 獲得平均為 234

之較高效率其中短路電流密度(Jsc)從 436 下降至 320 mAcm2為主

要原因以同樣想法將 P25 系列粉體取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體

以及摻雜 Eu 後發光強度最高 (x = 01)之粉體工作電極材料(分別以

0-P25 及 Eu01-P25 表示)組裝電池後量測之光電特性於圖 344 中

顯示由表 35 光電特性參數亦可知 0-P25 平均效率為 189 而

Eu01-P25 為 124 其中短路電流密度從 373 下降至 221 mAcm2

與 TBT 比較同一結構P25 系列之電池效率明顯較小推測仍為

粒徑較大由 BET 之計算可知供染料吸附之比表面積較少因此造

成效率較低針對電池中之工作電極Eu 摻雜後之材料反而效率降

低在此提出可能之機制如圖 345 所示於電子傳遞過程中理

想狀況為光電子迅速由染料之 LUMO 傳遞至二氧化鈦導帶再經由

FTO 導致外電路使用然而由於 Eu 摻雜後之工作電極Eu 所形成之

氧空缺捕捉光電子此時氧空缺類似 trap state因此造成光電子量下

降再者由於被染料激發之光電子到達工作電極時亦可能部分

用以形成 Eu 放紅光之復合電子來源因此亦為光電子量下降之因

可由表 34 與表 35 中經 Eu 摻雜後之工作電極電池光電流之現象得

118

00 02 04 06 08 10 120

1

2

3

4

5

6(TBT)Ti1-xO2Eux

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage (V)

x = 0 231 224 237 233

x=003 176 185 168 182

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 34 TBT 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT 16 074 436 069 234(8)

Eu003-TBT 14 077 320 058 178(2)

119

00 02 04 06 08 100

1

2

3

4

5C

urre

nt d

ensi

ty (m

Ac

m2 )

Voltage (V)

x = 0

189 191 182 193

x = 01 123 125 119 127

Ti1-xO2Eux (P25)

圖 344 P25 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 35 P25 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P25 14 071 373 067 189(2)

Eu01-P25 15 079 221 054 124(3)

120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖

332 雙層工作電極結構

對於提高染料敏化太陽能效率由效率 sc oc inJ V FF Pη = times times 可

知致力於提高其開路電壓 (Voc) 亦為提高效率其中之一方法以

此觀念為基礎之研究例如 Durr 等人(124)於 2006 年利用於原 TiO2上塗

佈 Ti1-xZrxO2與 ZrO2之混合物由於 ZrO2之能隙約為 5 eV相對於

TiO2之 32 eV形成一道位階屏障阻擋傳導至 TiO2傳導帶之光電

子與染料之 HOMO(Highest occupied molecular orbital)或電解質中 I3minus

再復合之機會進而提高光電子傳導致外電路之數量本研究鑑於先

前對於 Eu 摻雜入 TiO2後提高其價帶位階並增加其能隙大小之結

果設計雙層結構以降低光電子再復合之機率因此下一部分實驗

121

因此本研究將利用Eu摻雜對於 TiO2 之粉體與未摻雜 TiO2相異之光

電特性設計出雙層結構工作電極藉以探討對於太陽能電池效率之

影響

3321 雙層工作電極結構電池製作說明

首先說明此雙層結構工作電極之太陽能電池之設計先於十片清

洗完之 FTO 上透過網印塗佈一層未摻雜 Eu 之二氧化鈦電極(約 6~7

μm)經過層溫燒結後再分成兩組各五片其中一組繼續塗佈一層

相近厚度未摻雜 Eu (x = 0)之二氧化鈦電極而另一組則塗佈一層摻

雜 Eu 後發光強度最高(TBT 系列x = 003)之電極再進行層溫燒結

並與第一部分單層結構相同利用四氯化鈦處理後再進行 500oC 燒結

即完成分別以 0-TBT0-TBT 與 Eu003-TBT0-TBT 表示而 P25 系

列樣品亦以相同步驟製得分別以 0-P250-P25 及 Eu01-P250-P25 電

池雙層結構設計圖如圖 346 所示

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖

122

3322 電池效率量測

為探討其組裝之再現性與穩定性本研究亦以相同條件多次組裝

電求證結果圖 347 為 TBT 系列雙層結構電池之電流-電壓圖由表

中可得知0-TBT0-TBT與Eu003-TBT0-TBT平均效率分別為260

與 343 短路電流密度 (Jsc)為 565 mAcm2與 702 mAcm2開路

電壓為 066 V 與 071 V顯見第二層為 Eu 摻雜之二氧化鈦電極效

率短路電流開路電壓皆增加而 P25 系列第二層若為 Eu 摻雜後

之電極由表 36 中可觀察出效率短路電流開路電壓皆增加但

與 TBT 比較同一結構電池效率明顯較小推測仍為粒徑較大

造成染料吸附量較少 圖 349 為 Eu003-TBT0-TBT 雙層結構電極

材料與染料間能隙之相對位置本研究亦藉此解釋效率提高之原因

由短路電流增加之現象可知光電子被利用之數量增加即光電子從

染料之 LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)快速傳導至第二層

Eu003-TBT 再至第一層 0-TBT由於電子於此傳遞過程中之速率與

兩因素相關(1) 染料用以吸附於二氧化鈦之結構種類強度(2) 染

料 LUMO 與二氧化鈦工作電極之傳導帶(conduction band)之相對位

置而透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動

力(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導

帶位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑

或與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機

率增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值Kim 等人於

2008 年之研究中(125)利用二氧化鈦摻雜鉻(Cr)之材料改變原二氧

化鈦之半導體屬性作為屏蔽電極層亦可減少電子再復合機率而提

高效率

而對於開路電壓增加之現象須先瞭解染料敏化太陽能電池運作

123

時之能階變化階原理由Kubo (55)所建立如圖350(a)所示為一DSSC

於未照光之能階圖亦即TiO2染料電解介質面之間不存在電位差

故其費米能階 (Fermai level EF)可視為自由電子所混成之平衡狀態

當DSSC照光後如圖350(b)所示染料吸收光波產生激發之光電子

與電洞之分離同時造成電位差此電位差即為TiO2之CB與染料之

LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)混成能階(Efn)相對染料

之HOMO (Highest occupied molecular orbital)與電解質氧化還原電位

(I-I3-之ERedox)之混成能階(Efn)之電位差(ΔV)而此電位差之最大直即

為光電壓之最大值亦即開路電壓本研究中由於雙層結構第二層

Eu003-TBT傳導帶上移造成與染料之LUMO混成能階上移因此與

染料之HOMO與電解質氧化還原電位(Iminus I3minus之ERedox)之混成能階差異

變大增大電位差因此提高開路電壓值

124

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 100

1

2

3

4

5

6

7

8

9C

urre

nt d

ensi

ty(m

Ac

m2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT 273 258 250 260

Eu003-TBT0-TBT 342 340 339 352

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 36 TBT 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT0-TBT 15 066 565 070 260(8)

Eu003-TBT0-TBT 16 071 702 068 343(2)

125

00 01 02 03 04 05 06 07 08 090

1

2

3

4

5

6

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-P250-P25 195 201 191 189

Eu01-P250-P25 237 214 242 254

圖 348 P25 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 37 P25 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P250-P25 15 066 420 069 194(5)

Eu01-P250-P25 14 070 473 070 237(2)

126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變化(55)

127

3322 雙層工作電極結構電池入射單色光子-電子轉化效率(IPCE)量

為驗證雙層工作電極結構之電池中效率提高原因之論點本實驗

針對電池進行單色光子-電子轉化效率(IPCE)量測透過自動單光濾

鏡控制光源照射電池之波長藉以觀察電池於不同波長之入射光照射

下其外部量子效率展現由圖 351a 及 351b 分別顯示 TBT 與 P25

系列電池所呈現之 IPCE 圖譜譜線趨勢與參考文獻(75)相近其中

Eu003-TBT0-TBT 電池於可見光區之外部量子效率明顯大於

0-TBT0-TBT 所呈現P25 系列亦有相同趨勢結果於橘紅光附近

(610-620 nm) 提升較明顯是否為第二層結構 TiO2 Eu 於 612 nm 部

分放光為 Black dye 所吸收而增加光利用之故仍未確定故本研究

透過工作電極之放射光譜印證乃將製作完成之 Eu003-TBT0-TBT

電池工作電極一部分未浸泡另一部分浸泡染料 black dye 溶液 24 小

時並以無水乙腈沖洗後待至乾燥進行光激發光譜分析(PL)由圖

352 之結果可知未浸泡之工作電極(plain)經過染料浸泡後(black dye)

於 612 nm 之激發光譜幾乎吻合但是放射光強度略為減弱因此可

知第二層工作電極放射之紅光部分中少量為染料所吸收然而由於太

陽光中紫外光部分只佔 5 因此 394 nm 之激發光轉換成紅光比例

相對極為少量因此藉此增加電池效率效果有限因此雙層結構電池

中第二層為 Eu 摻雜之樣品效率提高之因主要仍為 3222 節中所解

釋由於階梯狀能階設計減少電子再復合機率以增加光電子之可使

用量此論點將於下節電化學交流阻抗分析中再次討論

128

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-TBT0-TBT

Eu003-TBT0-TBT

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-P250-P25

Eu01-p250-p25

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖

129

350 400 450 500 550 600 650 700

In

tens

ity (a

u)

Wavelength(nm)

Eu003-TBT0-TBT Plain black dye46

4

394

612

PLE - λem= 612 nm

PL - λex= 394 nm

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作

電極之激發與放射光譜

3323 雙層工作電極結構電池電化學阻抗(EIS)量測

進一步驗證 3321 中雙層工作電極電池不同結構中效率相異之

原因本研究將一系列電池進行電化學阻抗測試測試結果如圖 353

所示經 Z-view 軟體 fitting 之後並參考 Adachi 等人(79)所發展之模

式獲得如表 38 所列參數藉各參數間之比較可瞭解電池於照光

工作時激發光電子於電池中傳遞之情形

由圖 353 阻抗圖譜中Yoshida 等人(77)界定位於中頻區之圖譜意

義為光電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質液介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗因此本研究發現 TBT 系

列中0-TBT0-TBT 中頻區之半圓半徑明顯大於 Eu003-TBT0-TBT

之結果可得知透過雙層結構之設計(圖 349)第二層為 Eu003-TBT

130

之電池其相對能階形成階梯型驅動力之增加明顯降低工作電極

層與層間之傳輸電阻再者亦可證明第二層形成一傳遞屏障降低

傳遞電子與電解液中 I3-再復合之還原作用而 0-P250-P25 以及

Eu01-P250-P25 之間亦具此現象圖 353 中亦可比較 TBT 與 P25 兩

系列明顯其工作電極內電阻之因素亦反應於電池效率結果上

將圖 353 所得電交流阻抗結果透過 Z-view 軟體 fitting 後得到表

38 所列參數先觀察 TBT 系列兩電池可知第二層為 Eu003-TBT

之電池其 keff (電子再結合速率常數)由 315 下降至 247 s-1因此電

子生命週期提升可知驅動力之增加提升電子傳導之動力學參數

(126)加速電子傳遞以減少電子於電極中之停留機率此點可由 Rw (電

子於 TiO2中之傳導電阻)之降低得證再者由 Rk (電子再結合之電

荷傳導電阻)亦為暗反應電阻此值對於電池效率越大越佳

Eu003-TBT0-TBT 電池較 0-TBT0-TBT 由 1603 增加至 1934顯示

第二層為 Eu003-TBT 之電池由於能階結構之設計降低其電子再

復和之機率此論點與交流阻抗圖譜之結果吻合

由於本雙層結構電池之研究皆控制塗佈步驟中之參數以確立

各電池之膜厚皆相近始可討論 Deff (有效電子擴散係數)與 Ln(電子擴

散長度)對於電子傳遞機制之優劣影響(參考式 214215)相較於

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 電池之 Deff有效從 257 x 10-4提

升至 336 x 10-4 cm2s佐證 Eu003-TBT0-TBT 電池具效延長電子壽

命之現象由表 38 中結果得知各雙層結構電池精算後之 Ln長度皆

大於工作電極膜厚確立各系列電池之傳導電子有效為 FTO 導電

玻璃收集而傳遞至外電路使用而 Eu003-TBT0-TBT 之 Ln 值較

0-TBT0-TBT 所得之 Ln值大 以上結果皆顯示第二層為 Eu003-TBT

之電池可有效減少電子因粉體之氧空缺被捕捉而停滯之機率增加

131

之驅動力促使電子可於工作電極中有效而快速地傳遞進而提高光電

轉換效率而關於 P25 系列之討論顯示 0-P250-P25 與

Eu01-P250-P25 之各參數比較與效率結果皆吻合現象解釋與 TBT

系列相同

關於TBT系列與 P25系列之Deff之比較顯示TBT系列之Deff 普

遍皆大於 P25 系列亦具相關文獻(127)指出由於晶相之含量差異亦

會影響此值由於 Anatase 晶相與 Rutile 晶相均為正立方晶系

(Tetragonal system)結構其晶相皆是以 TiO6之八面體存在不同處

為於 Anatase 晶相中其不論 abc 軸方向其八面體間之鍵結均

是以 edge-sharing 之方式存在而於 Rutile 晶相中則為於 ab 軸以

corner-sharing 之方式存在於 c 軸方向以 edge-sharing 之方式鍵結

此結構之差異造成 Anatase 傳導電子之能力較佳此結果於已有之光

觸媒研究已確立因此相較於 P25 系列TBT 系列擁有較純之 Anatase

晶相因此 Deff較大而光電轉換效率亦較高

132

20 30 40 50 60 70 800

5

10

15

20

25

30

Z

(ohm

)

Z (ohm)

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 0-P250-P25 Eu01-P250-P25

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖譜

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數分析

Structure

L

(μm)

keff

(s-1)

τ

(s)

Rk

(Ω)

Rw

(Ω)

Deff

(cm2s)

Ln

(μm)

0-TBT0-TBT 16 315 0032 1603 4987 257 E-04

287

Eu003-TbT0-TBT 15 247 0040 1934 3236 336 E-04 367

0-P250-P25 15 451 0022 1123 7011 164E-04 190

Eu01-P250-P25 14 356 0028 1465 5445 188 E-04 229

133

333 CdSe 敏化雙層工作電極結構電池光電特性分析

由於二氧化鈦其能隙較大(約 32 eV)之故因此可見光中可激發

其電子之波段較窄必須透過窄能隙材料之吸附以增加其對於可見光

之利用除染料以外近年來所發展之量子點材料亦為一具潛力之

敏化物

本研究欲驗證量子點取代Black dye之角色後效率趨勢是否相

同因此取染料敏化實驗中效率較高之TBT系列作為雙層電極結構材

料並以硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物本實驗所合成之硒化鎘測

量其吸收光譜(UV-Vis)可知第一個吸收峰值之對應波長約於554

nm藉由Peng等人(128)所發展之方程式估算出粒子大小(D)可計算粒

徑約為305 nm

D = (16122times10-9)λ4- (26575times10-6)λ3 +(16242times10-3)λ2 - (04277)λ

+ (4157) (38)

其中 λ 為第一個吸收峰值之對應波長

圖 354 為 TBT 系列雙層結構量子點電池之電流-電壓圖由表

39 中0-TBT0-TBT(Plain)與 Eu003-TBT0-TBT(Plain)代表未吸附

CdSe 之電池效率極低分別為 00040 與 00060 而經過 CdSe

之摻雜後[0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)]平均效

率分別提升為為 0047 與 0083 光電流值亦明顯提升顯示量

子點之吸附增加電池對於入射光能量之利用若比較

0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)兩組數據其 FF 值

比染料敏化電池值較為低此為現階段量子點電池之通病亦為效率

一直無法提升之因而第二層為 Eu 摻雜之工作電極效率短路電

流與開路電壓值皆提升此與染料敏化電池系列之趨勢相同表示而

透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動力

134

(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導帶

位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑或

與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機率

增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 1000

01

02

03

04

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT(CdSe) 0045 0046 0049 0049

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 0083 0085 0081 0082

0-TBT0-TBT(Plain) 00040 00043

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 00062 00063

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC (V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

() 0-TBT0-TBT(Plain) 14 043 002 009 00040(2)

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 16 044 003 012 00060(3)0-TBT0-TBT(CdSe) 15 054 025 034 0047(2)

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 16 058 033 037 0083(1)

135

第四章 結論

本研究成功利用不同前趨物以溶膠凝膠法與水熱法之合成方法

製備出兩系列 TiO2Eu3+工作電極材料( TBT 與 P25)以 XRD 等量測

進行材料結構鑑定分析並探討 Eu 摻雜後對於 TiO2之發光特性與電

子組態之影響爾後將材料應用於敏化太陽能電池之工作電極研究

修飾後之 TiO2電極對於電池效率之影響其重要結果如下

(a)本研究以溶膠凝膠法及水熱法藉由 Eu 摻雜成功合成出純銳鈦礦

(Anatase)之二氧化鈦並且由於 Eu-Ti-O 鍵結形成不僅延緩金紅

石(Rutile)晶相生成有較好之光電特性亦限制晶體之成長由於

粒徑越小增加其比表面積因此有效提升太陽能電池染料之吸附

量增加電池之效率表現

(b)以光激發光譜分析樣品得知隨著活化劑 Eu 摻雜量之增加主體

晶格 TiO2 之發光強度隨之增加於高濃度出現濃度淬滅現象而

拉曼光譜亦證實藉由 Eu 摻雜成功延遲煆燒過程中金紅石(Rutile)晶

相生成且增加粉體表面之氧空缺

(c)本研究以紫外-可見光擴散式反射光譜測量 TiO2Eu3+之吸收特性

經由 Eu 摻雜後出現之紅位移現象顯示 TiO2 於摻雜稀土金屬離

子產生能階混成造成能隙縮小增加對於可見光範圍之吸收並以

X 射線光電子能譜儀分析獲知摻雜離子 Eu3+於晶體中位置並以價

帶光譜之量測成功建立樣品之價帶傳導帶能階位置而 X-光吸

收光譜之近邊緣光譜分析得知Eu 摻雜後鍵結中電子轉移造成表

面氧空缺增加

(d)將合成之材料應用於染料敏化太陽能電池之工作電極本研究原

構想欲透過發紅光之 TiO2Eu3+以增加染料 Black dye 於紅光波段

136

之利用然而由光電特性卻發現由於摻雜後氧空缺所造成之雜質

態捕捉光電子由光電流降低之現象證實光電子量減少

(e)為提高染料敏化電池效率本研究利用雙層結構工作電極之設計而

形成階梯式位階排列不僅增加傳遞驅動力亦由於電極屏障生成

以減少電子再復合之機率而短路電流之增加證實此點並透過與

染料能階之混成提高開路電壓值因此整體結果提高電池之效

率而將染料製換為硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物第二層為

Eu 摻雜材料之電池效率亦明顯提升進一步證實此研究構想之

正確性

總而言之本研究合成兩系列 TiO2Eu3+樣品並探討其之晶體

結構特性發光性質以及建立摻雜離子 Eu3+對於其電子組態之影

響且透過雙層結構設計成功提高敏化太陽能電池之效率

137

參考文獻

1 許志偉 陳宏仁 林怡君 and 王立義 有機無機太陽能電池之

現況發展 化工 第52卷 第2期 49-58 民94

2 AJ McEvoy and M Gritzel Sol Energ Mat Sol C 1994 32 3

221

3 A Hagfeldt B Didriksson T Palmquist H Lindstroumlm S Soumldergren

H Rensmo and SE Lindquist Sol Energ Mat Sol C 1994 31

481

4 B OrsquoRegan and M Graumltzel Nature 1991 353 737

5 M Graumltzel Nature 2001 414 338

6 黃建昇 結晶矽太陽電池發展近況 工業材料雜誌 第203期 150

民92

7 httpcdnetstpiorgtwtechroommarketenergyenergy022htm 國

家實驗研究院科技政策研究與資訊中心(Science amp Technology

Policy Research and Information CenterSTPI)

8 M Graumltzel Phil Trans R Soc A 2007 365 993

9 X Chen and SS Mao Chem Rev 2007 107 2891

10 D Cahen G Hodes M Graumltzel JF Guillemoles and I Riess J

Phys Chem B 2000 104 2053

11 D Matthews P Infelta and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C

1996 44 119

12 M Graumltzel J Photochem Photobio A 2004 164 3

13 TN Rao and LJ Bahadur J Electrochem Soc 1997 144 179

14 AB Kashyout M Soliman and M Fathy Mater Chem Phys

2005 90 230

15 P Guo and MA Aegerter Thin Solid Films 1999 351 290

138

16 K Sayama H Sugihara and H Arakawa Chem Mater 1998 10

3825

17 BV Bergeron A Marton G Oskam and GJ Meyer J Phys Chem

B 2005 109 793

18 S Chappel and A Zaban Sol Energ Mat Sol C 2002 71 141

19 K Hara T Horiguchi T Kinoshita K Sayama H Sugihara and H

Arakawa Sol Energ Mat Sol C 2000 115 64

20 B Tan E Toman Y Li and YY Wu J Am Chem Soc 2007 129

463

21 CJ Barbeacute F Arendse P Comte M Jirousek F Lenzmann V

Shklover and M Graumltzel J Am Ceram Soc 1997 80 3157

22 K Kalyanasundaram and M Graumltzel Coord Chem rev 1998 177

347

23 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B

2000 104 989

24 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio RH Baker E Muumlller P

Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem Soc 1993

115 6382

25 G P Smestad and M Graumltzel J Chem Educ 1998 75 752

26 劉茂煌奈米光電池工業材料雜誌 2003203 期 民93

27 MK Nazeeruddin SM Zakeeruddi RH Baker M Jirouse P Lisk

N Vlachopoulos V Shklover CH Fischer and M GraumltzelInog

Chem 1999386298

28 KS Finnie JR Bartlett and JL Woolfrey Langmuir 1998 14

2744

29 C Bauer G Boschloo E Mukhtar and A HagfeldtJ PhysCem B

2002 106 12693

139

30 CG Garcia NYM Iha R Argazzi and CA Bignozzi Inorg Chem

1994 33 5741

31 MK Nazeeruddin M Amirnasr P Comte JR Mackay AJ

McQuillan R Houriet and M Gratzel Langmuir 2000 16 8525

32 MK Nazeeruddin P Peacutechy T Renouard SM Zakeeruddin R H

Baker P Comte P Liska L Cevey E Costa V Shklover L

Spiccia GB Deacon CA Bignozzi and M Graumltzel J Am Chem

Soc 2001 123 1613

33 J Hagaen W Schaffrath P Otschik R Fink A Bacher HW

Schmidt and D Haarer Synthetic Met 1997 89 215

34 N Papageorgiou WF Maier and M Graumltzel J Electrochem Soc

1997 144 876

35 A Kay and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C 1996 44 99

36 S Chen SK Deb and H Witzke US Patent 1978 4080488

March 21

37 M Graumltzel and K Kalyanasundaram Curr SCi 1994 66 706

38 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio R Humphry-Baker E

Muumlller P Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem

Soc 1993 115 6382

39 M Graumltzel AIP Conf Proc 1997 404 119

40 M Graumltzel J Photo Photobio A Chem 2004 164 3

41 L Han Y Chiba and A Islam 16th International Conference of

Photochemical Conversion and Solar Sstorage Uppsala Sweden

2006

42 Y Chiba A Islam and Y Watanabe J Appl Phys 2006 45 638

43 MK Nazeeruddin FD Angelis and S Fantacci J Am Chem Soc

2005 127 16835

140

44 JM Kroon NJ Bakker HJP Smit P Liska KR Thampi P

Wang SM Zakeeruddin M Gratzel A Hinsch S Hore U Wurfel

R Sastrawan JR Durrant E Palomares H Pettersson T

Gruszecki J Walter K Skupien and GE Tulloch Prog Photovolt

Res Appl

45 H Arakawa T Yamaguchi and A Takeuchi 16th International

Conference of Photochemical Conversion and Solar Storage

Uppsala Sweden 2006 W42P210

46 M Spath JV Roosmalen and P Sommeling 3rd WCPEC Osaka

Japan 2003

47 H Tsubomura M Matsumura Y Nomura and T Amamiya Nature

1976 261 402

48 PM Sommeling 2nd WCPEC Vienna 1998

49 CJ Barbe J Am Cera Soc 1997 80 3157

50 K Tennakone J Phys D Appl Phys 1998 31 1492

51 MK Nazeeruddin P Pĕchy and M Graumltzel Chem Comm 1997 36

1705

52 K Hara Chem Comm 2001 68 569

53 角野 裕康 村井 伸次 御子柴 智 東芝レビュー 2001 56 7

54 A Hagfeldt Nano Letters 2001 1 97

55 W Kubo Chem Comm 2002 39 374

56 原 浩二郎 AIST Today 2002 12 14

57 L Vlachopouios J Am Chem Soc 1988 110 1216

58 V Vamathevan H Tse R Amala G Lowb and S McEvoy

Catalysis Today 2002 68 201

59 MI Litter and JA Navio J Photo Photobio A Chem 1996 98

171

141

60 J Yu H Yu CH Ao SC Lee JC Yu and W Ho Thin Solid

Films 1999 496 273

61 W Li Y Wang H Lin SI Shah CP Huang DJ Doren SA

Rykov JG Chen and MA Barteau Appl Phys Lett 2003 83 20

62 R Asahi T Morikawa T Ohwaki K Aoki and Y Taga Science

2001 293 269

63 C Jia E Xie A Peng R Jiang F Ye H Lin and T Xu Thin Solid

Films 2006 496 555

64 M Saif and MSA Abdel-Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360

2863

65 湯友聖 台灣師範大學碩士論文 臺北 民 97

66 RC Ropp Luminescence and the Solid State Elservier Amsterdam

2004

67 H Dieke and RA Satten Am J Phys 1970 38 399

68 httpcaiwiteducnmseliuyu2006pptliuX-rayppt

69 AR West Basic Solid State Chemistry John Wiley amp Sons

Singapore 1991

70 吳泰伯 and 許樹恩 X-光繞射原理與材料結構分析 國科會精儀

中心 台北 民 82

71 httpwwwndhuedutw~nanolabtext93_Ma_II_v2pdf

72 林群哲 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 96

73 賴泓均 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 95

74 S Ito TN Murakami P Comte P Liska C Graumltzel MK

Nazeeruddin and M Graumltzel Thin Solid Films 2008 516 4613

75 H Kusama M Kurashige K Sayama M Yanagida and Hideki

Sugihara J Photochem Photobio A 2007 189 100

76 蕭光宏 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 97

142

77 Y Yoshida S Tokashiki K Kubota R Shiratuchi Y Yamaguchi

M Kono and S Hayase Sol Energ Mat Sol C 2008 92 646

78 JJ Wu GR Chen HH Yang CH Ku and JY Lai Appl Phys

Lett 2007 90 213109

79 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

80 J Lin and JC Yu J Photochem Photobiol A Chem 1998 116 63

81 T Lindgren JM Mwabora E Avendano J Jonsson A Hoel CG

Granqvist and SE Lindquist J Phys Chem B 2003 107 5709

82 H Tang H Berger PE Schimid F Levy and G Burri Solid State

Commun 1993 87 847

83 G Oskam A Nellore RL Penn and PC Searson J Phys Chem B

2003 107 1734

84 MA Anderson MJ Gieselmann Q Xu J Membr Sci 1988 39

243

85 P Ganguly N Shah M Phadke V Ramaswamy IS Mulla Phys

Rev B 1993 47 991

86 JH Li WL Kang WH Yan YH Guo HF Gao and ZH Liu

Acta Phys Chim Sin 2008 24 1030

87 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B 2000

104 8989

88 RA Spurr and H Myers Anal Chem 1957 29 760

89 S Yin H Yamaki M Komatsu Q Zhang J Wang Q Tang F Saito

and T Sato J Mater Chem 2003 13 2996

90 E Setiawati and K Kawano J Alloy Compd 2008 451 293

91 B Zou L Xiao T Li J Zhao Z Lai and S Gu Appl Phys Lett

1991 59 1826

143

92 J Yang ZW Quan DY Kong XM Liu and J Lin Cryst Growth

Des 2007 7 730

93 T Hirai and Y Kondo J Phys Chem C 2007 111 168

94 S Yan J Zhang X Zhang S Lu X Ren Z Nie and X Wang J

Phys Chem C 2007 111 13256

95 G Blasse and BC Grabmaier Luminescence Materials Chap 9

186

96 T Miyakawa and D L Dexter Phys Rev B 1970 1 2961

97 KL Frindell MH Bartl MR Robinson GC Bazan A Popitsch

and GD Stucky J Solid State Chem 2003 172 81

98 DL Dexter JH Schulman J Chem Phys 1954 22 1063

99 T Blasse G Philips Res Rep 1969 24 131

100 L Ozawa and PM Jaffe J Electrochem Soc 1971 118 1678

101 QZ Wang J Tian XH Yang and X Gao J Chin Lumin 1995

16 57

102 YH Zhang CK Chan J Porter and W Guo J Mater Res 1998

13 2602

103 BD Yao YF Chan XY Zhang WF Zhang ZY Yang and N

Wang Appl Phys Lett 1998 82 281

104 D Bersani PP Lottic and XZ Ding Appl Phys Lett 1998 72 1

105 YL Li and T Ishigaki J Phys Chem B 2004 108 15536

106 JC Parker RW Siegel J Mater Res1990 5 1246

107 HC Choi YM Jung and SB Kim Vib Spectrosc 2005 37 33

108 JG Li X Wang K Watanabe and T Ishigaki J Phys Chem B

2006 110 1121

109 T Sreethawong Y Suzuki S Yoshikawa Int J Hydrogen Energ

2005 30 1053

144

110 M Saif and A Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360 2863

111 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2005 247 36

112 AB Murphy Appl Opt 2007 46 3133

113 P Kubelka J Opt Soc Am 1948 28 448

114 DG Barton M Shtein RD Wilson SL Soled and E Iglesia J

Phys Chem B 1999 103 630

115 PA Tanner KL Wong and Y Liang Chem Phys Lett 2004 399

15

116 T Umebayashi T Yamaki H Itoh and KJ Asai Phys Chem Solid

2002 63 1909

117 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2006 247 36

118 X Lai Q Guo BK Min and DW Goodman Surf Sci 2001 487

1

119 FM Liu TM Wang JQ Li C Wang SK Zheng and M Duan J

Magn Magn Mater 2002 251 245

120 W Gopel Surf Sci 1984 139 333

121 AG Thomas WR Flavell AK Mallick AR Kumarasinghe

DTsoutsou N Khan C Chatwin S Rayner and GC Smith Phys

Rev B 2007 75 035105

122 X Wang JG Li H Kamiyama M Katada N Ohashi Y

Moriyoshi and T Ishigaki J Am Chem Soc 2005 127 10982

123 D Vogtender R Poducky J Redinger ELD Habenstreit W

Habenstreit and U Diebold Phys Rev B 2002 65 125411

124 M Durr S Rosselli A Yasuda and G Nelles J Phys Chem B

2006 110 21899

145

146

125 C Kim KS Kim HY Kim and YS Han J Mater Chem 2008

18 5809

126 I Robel M Kuno and PV Kamat J Am Chem Soc 2007 129

4136

127 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

128 W Yu L Qu W Guo and X Peng Chem Mater 2003 15 285

  • Poyu封面
  • 洪柏育-碩士論文摘要-0609-2009
  • Poyu謝誌
  • PoYu Hung-MS Thesis-0625-2009pdf
Page 9: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成

圖 27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip39

圖 28 TEM電子腔內部結構示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip40

圖 291 IUPAC制定之物理等溫吸附-脫附分類圖helliphelliphelliphelliphellip41

圖 292 IUPAC制定之遲滯迴圈型態示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip42

圖 210 螢光體光譜量測過程helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip43

圖 211 光激發光光譜儀構造helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip44

圖 212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀helliphelliphelliphelliphellip45

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip46

圖 216 Hitachi-U3410 紫外-可見光光譜儀helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip48

圖 217 Ti K-edge之XANES示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip50

圖 218 網印機塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip52

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖helliphelliphelliphelliphellip53

圖 220 電池光電轉換效率值檢測系統helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip55

圖 221 太陽能電池 I-V 特性曲線示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip55

圖 222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖helliphelliphelliphelliphellip57

圖 223 Z Z Z θ 之間之關係圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip58

圖 224 典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖helliphelliphellip59

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip60

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析helliphellip60

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip63

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip65

圖 31 TiO2 銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip69

圖 32 TiO2 金紅石(Rutile)相晶體結構圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip69

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜helliphelliphellip70

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖helliphelliphellip71

VI

圖 35 TBT系列Ti097O2Eu0033+粉體X光繞射結構精算圖helliphellip73

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜helliphelliphelliphelliphellip75

圖37 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布helliphelliphelliphelliphelliphellip75

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖helliphelliphellip77

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 003helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 80

圖 392 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)

為 x = 15helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip81

圖 310 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ TEM 圖放大倍率皆為 200kx(a)

x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f)

x = 004 helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip82

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖85

圖 312 TBT系列樣品不同Eu摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip86

圖 313 (a)~(c) P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之BET圖87

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip88

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖helliphelliphelliphellip90

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖helliphellip91

圖 317 P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL光譜圖helliphelliphellip91

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip92

圖 319 TBT系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE光譜圖helliphellip93

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖helliphellip93

圖 321 Ti1-xO2 Eux3+之 log(xEu

3+)對 log(IxEu3+)關係圖helliphelliphelliphellip95

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖hellip97

圖323 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖helliphellip99

圖 324 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS光譜helliphellip101

VII

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip103

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip104

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜helliphelliphellip105

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖105

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖106

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphellip108

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip108

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip110

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖338兩系列樣品未摻雜及摻雜Eu3+粉體能隙位階圖helliphelliphellip112

圖 339 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜helliphelliphelliphellip114

圖 340 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip115

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜helliphelliphelliphellip115

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip116

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip119

圖344 P25系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphellip121

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip122

VIII

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

圖348 P25系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖helliphellip127

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變

化helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip127

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作電極之激

發與放射光譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 130

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖

譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip135

IX

X

表目錄

表 11 各類型太陽能電池之比較helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip4

表 2-1 本研究所使用之藥品清單helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip25

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip33

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數hellip73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參

數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip74

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數helliphelliphellip78

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果helliphelliphellip78

表 34 TBT系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip119

表 35 P25系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

表36 TBT系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

表 37 P25系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數

分析helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip135

第一章 緒論

11 前言

聖經舊約創世紀記載著上帝說要有光即有光時至今日太

陽光為地球上最重要且最為豐富之可再生能源亦為人類唯一用之不

盡取之不竭之能量來源每年於地球上之光照能量可達到全球人類

年消耗量之數千萬倍以上由於各類天然能源快速耗竭故有效利用

太陽能轉換成所需之能源成為ㄧ門極為重要之課題各種再生能源中

涵蓋太陽能水力發電風力發電燃料電池以及鋰離子電池等

僅太陽能電池為一種將太陽光直接轉換為電能之光電元件早於1954

年時美國 Bell 實驗室首先提出以矽半導體作為太陽能電池之材

料此一領域於眾多研究學者與工程人員之努力下迄今相關之理論

與技術均已相當成熟且真正地商品化雖然無機半導體-矽太陽能電

池發展至今製程已漸趨穩定但由於對於原料之純度高度要求因此

製備成本難再大幅降低因此各研究單位莫不積極找尋另一低成本

製程簡易之替代材料此為目前使太陽能電池應用普及之發展重點

相較於傳統矽晶材料無機奈米材料具低密度質量輕成本低廉且

可使用一般傳統且發展完備之塗佈方式例如旋轉塗佈 (spin

coating)刮刀塗佈(doctor-blade coating)網版印刷(screen printing)

或近來發展之噴墨印刷 (ink-jet printing)等不需高價位設備之方法來

製備光伏元件 (photovoltaic device)因此不但可簡易地製備不同大

小之元件 並且可大幅提升進一步顯著降低元件成本之機會同時

無機奈米材料可透過分子結構設計例如摻雜金屬離子或是改變其形

貌藉以調整其能階與能隙大小電荷轉移能力電荷傳導速度溶

解度成膜之結晶型態等重要材料特徵另外所吸附之有機分子通

常具高光吸收係數與良好之延展性因而可藉以製備輕薄且可撓曲之

1

攜帶式電池元件(1)色素增感 (dye-sensitization) 之概念源起於19世

紀攝影技術使用色素增感鹵化銀(silver halide)可產生黑與白之感光

膜(photographic films)此被視為關於色素增感半導體之第一個重大

研究(2)然而最早之光電化學使用之平滑電極只有於膜表面吸附之

單層色素才能有效的將電子注入半導體內但此單層色素內光線之吸

收效率極低於多孔性之 TiO2 奈米薄膜內其有效表面積能增加至

1000倍因此要使光線吸收效率增加必須使每一個 TiO2 粒子表面

皆吸附單層色素(3)直到1991年瑞士科學家Graumltzel利用奈米技術改良

工作電極進而開發出高效率(71~79 )太陽能電池稱為染料敏化太

陽能電池 (dye - sensitized solar cellsDSSC) (4)其成果引起全球能

源界之關注以及熱烈投入發展近年來染料敏化太陽能電池澎勃發

展最大原因仍在於簡單製程無須投入昂貴設備無塵室廠房等

設備而二氧化鈦電解質等材料價格便宜亦為關鍵要素此外

DSSC 可使用具可撓曲性基材應用端因此大幅擴張相較於目

前主流矽晶太陽能電池只適用於大型戶外屋頂等少數應用場

合其具較大之應用空間

12 太陽能電池簡介

太陽能電池依照所使用之材料以及製程之不同可分為矽基

型化合物半導體型與有機半導體型三類

ㄧ矽基型太陽能電池(5 - 7)

根據結晶形態矽基型太陽能電池可分為單晶矽(monocrystalline

silicon)多晶矽(polycrystalline silicon)與非晶矽(amorphous silicon)三

類單晶矽之組成原子均按照一定規則週期性排列以單晶矽製

備之太陽能電池轉換效率最高約為24 使用壽命年限亦較長

2

但通常所使用之矽半導體基材純度極高相對地製造成本亦最多

多晶矽是以熔融態之矽鑄造固化而成其矽原子堆積方式不只一

種而是由多種不同排列方向之單晶所組成多晶矽太陽能電池由

於製程簡單故成本較低轉換效率約18-20 非晶矽對光之吸收性

比矽強約500倍只需薄薄一層即可將光子之能量有效地 吸

收其轉換效率雖僅 13-14 然而因為非晶矽不需使用昂貴之

結晶矽基板而用較便宜之玻璃陶瓷或是金屬等基板如此不僅

可以節省大量之材料成本亦提高製作大面積之太陽電池之可能性

(結晶矽太陽電池之面積受限於矽晶圓之尺寸)製造成本為三者間

最低為其最大之優勢故未來亦具發展潛力世界上已有多家公司生

產該種電池之產品例如美國 uni-solarsolarex日本三洋電機

夏普大陸深圳拓日與德國 Schott Solar非晶矽薄膜太陽電池之主

要優點是成本低製備容易但亦存在嚴重缺點即性能不穩定其

光電轉換效率隨光照時間延續而衰減另外非晶矽薄膜太陽電池之效

率亦較低(95 )為提升非晶矽電池效率大多數廠商採用雙層p-i-n

結構(一層非晶矽能階約17 eV與一層微晶矽能階約14 eV堆疊而成)

串接使電池可以吸收各種不同波長之光源達到對太陽光最大利用

進而提升整個之轉換效率

二化合物半導體型薄膜太陽能電池(5 8)

化合物半導體型薄膜太陽能電池則可分為下列幾類Ⅲ-Ⅴ族

[包括砷化鎵 (GaAs) 磷化銦 (InP)磷化鎵銦 (InGaP) ]Ⅱ-Ⅵ

族[包括碲化鎘 (CdTe)硒化銦銅 (CuInSe)]等化合物半導體為直

接能隙材料其能隙於11及16 eV之間與太陽光譜匹配度較佳此

些材料所製作之太陽電池亦都有很高之效率尤其多接面串疊型

(InGaPGaAsInGaAs multijunction tandem cell)之太陽能電池效率甚

3

至可以接近40 然而製作過程中需於真空及高溫下操作使得造價

昂貴且並未大量生產故目前商業市場上仍以矽基型太陽能電池為

三有機半導體型

有機半導體型太陽能電池具成本低廉製程簡易可應用於大

面積化以及具可撓曲性等優點故近年來度受到各界矚目本論文

中所研究之染料敏化太陽能電池(5 9)即為其中之一 然而此系列之

太陽能電池至今尚未量產之主因是在於其轉換效率低高溫穩定性

不佳及大尺寸太陽能板開發等問題因此提高轉換效率與穩定性

則成為目前研究之首要目標

表 11 各類型太陽能電池之比較(5)

4

圖 11a 各類型太陽能電池效率之發展情形(8)

圖 11b 各式種類太陽能電池效率演進圖(16)

5

13 染料敏化太陽能電池

131 工作原理

染料敏化太陽能電池之組成以及此類電池之工作原理與相對能

階位置圖如圖12 所示塗有多孔性奈米結晶性二氧化鈦(porous

nanocrystalline TiO2)之透明導電玻璃(陽極)染料分子吸附於TiO2

上含有Iminus I3minus之氧化還原對(reduction-oxidation couple)電解質塗有

鉑(Pt)觸媒層之相對電極(陰極)所組成於外接負載情況下整個電

池形成連通迴路而產生電流與電壓當太陽光照射至染料而產生激發

電子由於染料分子LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)能階

較 TiO2 導帶高(Ecconduction band)染料激發態電子迅速注入TiO2

導帶中而形成染料陽離子其中 TiO2 不單作為染料支持劑且為電

子之受體與導體雖然少部分電子會經由再結合(recombination)過程

而消失但大部分電子經由導電玻璃而傳導至外電路氧化態之染料

從電解質獲得電子而還原輸出之光電壓為照光下半導體之費米能階

(Fermi level)與電解質氧化還原可逆電對 (redox couple)之Nernst

potential差( )電解液經由相對電極上傳來之電子而被還原(10)如

此整個電路各部分皆得以再生無淨反應生成其持續之光電流由

此產生整個反應表示如下(11)

陽極 S(基態) + 能量( hυ ) rarr S(激發態)helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip照光激發

S rarr S+ + e- (CB)helliphellip染料激發態電子進入TiO2導帶

2S+ + 3 Iminus (電解質) rarr 2S + I3minushelliphelliphellipS再生Iminus消耗

陰極 I3minus+ 2e- rarr 3 IminushelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellipIminus再生

副反應 2e-(CB) + I3minusrarr3 IminushelliphellipTiO2 導帶上之電子與I3

minus結合

其中S為染料基態(ground state)S為染料激發態(excited state)S+

為氧化態染料離子(oxidized state)

6

圖 12 染料敏化太陽能電池結構示意圖(12)

圖13 為染料敏化太陽能電池各層間反應時間示意圖當染料經

照光後激發態電子注入 TiO2 導帶於 pico-second 範圍而結合過

程則約發生於 micro-second 之時間因此前者電子傳遞速率約為後

者之103倍甚至可達106倍故形成光誘導電荷分離之動力學基礎可

見光誘導分離非常有效造成淨電子流出此外電子之生命週期(life

time)與擴散係數(diffusion coefficient)決定電子之擴散長度(diffusion

length)電子於多孔膜中傳遞並不如在單晶中快故必須盡可能減少

電子行走路徑與穿越晶體界面數因此存在有一最佳膜厚對應最

大光電流值最後染料之還原反應發生於 nano-second 範圍

速率快於結合過程而能迅速消除電洞符合目前太陽能電池所要求之

7

條件形成此種快速轉移之機制乃因分子軌域之電子波函數與TiO2

導電帶之電子波函數造成耦合現象詳細之傳遞過程可以由量子力學

方法計算

圖 13 染料敏化太陽能電池各反應動力學比較示意(12)

132 染料敏化太陽能電池各部分介紹

1321 奈米結晶多孔膜電極 (nanocrystalline porous electrode)

奈米半導體光陽極材料(如TiO2)具重要地位其結構與性能直接

影響與光敏染料分子之匹配及接受染料分子注入電子之效率與光電

池之開路電壓一般染料敏化太陽電池對半導體光電極有如下要求

具比較大之比表面積以吸附更多染料分子適當導電帶能階以使與染

料激發態相匹配提高激發態染料朝向半導體電極注入電子之效率

較高之費米能階以提高電池之開路電壓較小之電阻率促使電池之內

阻減小由於 TiO2 具安定無毒穩定性高且便宜等優點故最為

被廣泛研究其他材料如 ZnO (1314) Nb2O5(1516)SnO2

(1718)In2O3(19)

8

以及二元材料Zn2SnO4(20)等都曾被研究然而電子注入效率之高低仍

須考慮染料分子與半導體結晶結構之特定方向鍵結 各研究致力於發

展相搭配之染料目前仍是以 TiO2 為主流材料天然之二氧化鈦

有三種結晶型態即銳鈦礦型(Anatase)金紅石型 (Rutile)與板鈦

礦型(Brookite)主要是由於鈦原子與氧原子排列不同而形成相異結晶

構造於此三種結晶型態中銳鈦礦型與金紅石型皆具光催化能力

銳鈦礦型與金紅石型二氧化鈦之共價帶電位很高經光照射後所生成

之電洞具極強之氧化能力 再者銳鈦礦型之傳導帶電位比金紅石型

高造成銳鈦礦型之能隙大於金紅石型(銳鈦礦型約為33 eV金紅石

型約為31 eV)受光激發至傳導帶之電子較不易回復至價帶因此

其電子具較強還原能力綜合上述可知銳鈦礦型二氧化鈦具較高催

化活性之因

染料敏化太陽能電池之一項重要關鍵技術即是引入高粗糙因

子 (roughness factor)之多孔性海棉狀(sponge-like)半導體電極結構

其目的除使染料大量吸附外並且提供適當孔洞大小供電解質擴

散薄膜電極材料之製作一般可區分為下列兩種略述如下

方法一(21 22)

瑞士教授 Graumltzel 之研究群乃利用溶膠-凝膠(sol-gel)之方法獲

得具結晶性與高比表面積之奈米顆粒依此法所得之顆粒最終型態是

受到環境之合成條件影響例如水解與聚合之酸鹼度溫度前驅物之

化學性質溶劑觸媒濃度等均扮演著重要角色以下粗略描述製作

步驟及其對應之環境與影響

I 水解 (Hydrolysis)此步驟牽涉 Ti(IV)鹽類之水解控制前驅物之

選擇可以為四異丙氧基鈦 (titanium isopropoxide) 或四氯化鈦

( TiCl4)並於 01 M HNO3 之酸性環境下進行水解使所得之膠體

9

粒子能均勻分散並且穩定懸浮於液體中實驗證明於相當高之水與

鈦比例下不論是逐滴加入(dropwise)抑或是全加(one shot)皆不

影響最後產物型態(22)

II 膠溶作用(Peptization)此步驟於 70-100oC 下持溫數小時除使

膠體粒子相互連結形成高交集度粒狀結構凝膠外同時亦因能量之提

供而破壞凝團聚集(deagglomeration) 之情形(22)結晶化亦於此時發

生顆粒亦同時微幅成長

III水熱成長(Hydrothermal growth) 此步驟之目的乃於高溫之環境

下藉由奧斯瓦特熟成過程 (Ostwald ripening) 將小顆粒溶解並進一

步成長為較大之結晶顆 粒溫度改變不僅影響最終之顆粒大小

同時亦將影響最終多孔膜之平均孔徑此外Rutile結晶相亦會於較高

溫時形成文獻(23)指出Anatase相顯示較佳之電子傳輸速率與生命週

期一般是以Anatase相為主而Rutile相之反射係數顆粒均比Anatase

相大導致生成之薄膜不具透明性但可使入射光能於多孔膜內多次

反射而被有效利用因此亦有相關研究作為太陽能電池電極為10 μm

厚並有部分Rutile相之 TiO2 多孔膜為主(21)

方法二(24 25)

利用商業化二氧化鈦粉末 (Degussa P-25為 70 銳鈦礦

(anatase)30 金紅石(rutile)之混合物粒徑約24 nm比表面積約

50 m2g)加入乙醯丙酮(acetyl acetone)或 HNO3 用以預防粒子聚

集以及添加介面活性劑用以降低表面張力以利塗佈

最後將上述方法所製得之二氧化鈦粉末與凝聚劑(binder)充分

混合利用刮刀成膜(doctor blade)之方式將上述膠態溶液塗佈於導

電玻璃上經 450oC 煆燒30分鐘後使顆粒彼此間經燒結聚同時與

導電玻璃間形成良好之電接觸(electronic contact)凝聚劑於此步驟

10

中被燒掉而遺留下孔洞完成粗糙因子約為1000之多孔膜(roughness

factor = 總表面積投影表面積) (24)值得注意之為不同煆燒溫度與

時間亦將影響最終孔徑分布進而影響電解質擴散與電池之效率表

現此外亦有利用網板印刷(screen printing)熱分解噴鍍技術(spray

pyrolysis deposition)等應用於大量生產之方式溶液之配方需做進一

步調整才能適用

1322 染料(dye)

染料為染料敏化太陽能電池中之重要組成部分在近 20 年之研

究中已嘗試合成 900 多種之染料並應用於染料敏化太陽能電池

但其中只有一小部分具良好之光敏化性能其中主要是釕(Ru)之多

吡啶錯合物而染料性能之優劣將直接影響到染料敏化太陽能電池

之光電轉換效率前述提到要藉由光激發二氧化鈦而產生反應須要

低於 388nm 之紫外光但紫外光所佔太陽光能中只有 5 是故必

須利用太陽光能占最高比例之可見光而染料能夠幫助二氧化鈦之吸

收波長提高至可見光區因此染料能藉由可見光之激發驅使電子躍遷

至二氧化鈦半導體電極並接受來自電解質之電子還原而一般染料

必須符合以下幾點條件(26)

(1) 緊密吸附於二氧化鈦表面亦即為能夠快速達到吸附平衡且不

易脫落故染料分子母體中一般應該要含有易與奈米半導體表面結

合之基團如-COOH-SO3H-PO3H2如染料上之-COOH 官能基

會與二氧化鈦膜上之-OH 官能基形成成酯類而增強二氧化鈦導帶

3d 軌域與色素染料 π軌帶電子之耦合使電子轉移更為容易

(2) 對可見光具很好之吸收特性即是能吸收大部分之入射光

(3) 其氧化鈦(S+)與激發態(S)要具較高之穩定性與活性

11

(4) 激發態壽命足夠長並具很高之電荷(電子電洞)傳輸效率

(5) 具足夠之激發態氧化還原電位以保證染料激發態電子注入二

氧化鈦導帶

(6)氧化還原過程(包括基態與激發態)中要有相對較低之位勢使

初級與次級電子轉移過程中之自由能損失最小

以釕之多吡啶錯合物為主之染料敏化劑為藉由吸附於二氧化鈦

表面其提供主要光子吸收與隨後發生電子注入之步驟典型釕之多

吡啶錯合物化學結構最早是由 Graumltzel 團隊所發現此類型染料因其

具較強之可見光吸收能力良好光電化學性質激發態穩定性高及與

二氧化鈦表面具強之連結作用力且可接受約 5x107 次氧化還原反

應因此成為廣泛使用之染料敏化劑如圖 14~16 之結構(27)N719

光敏染料於 535nm395nm 有最大吸收峰N3 dye其吸收光之

範圍可達可見光區從 400 nm~800 nm全質子化 N3 dye 於 538

nm398 nm 有最大吸收峰(28)Black Dye為目前最具效能之染料

其吸收光範圍涵蓋可見光且可達近紅外光區(900nm)單一質子化

Black Dye 於 610 nm413 nm 有最大吸收峰於拉曼振動光譜研究

中亦指出單一質子化 Black Dye 與二氧化鈦之表面鍵結與 N3 Dye

相同是由螯狀雙牙配位 (Chelate Bidentate)或架橋配位 (Bridging

Bidentate)型式與二氧化鈦配位鍵結其差別在於 Black Dye 乃以

COOmacr與 TBA+與二氧化鈦產生配位鍵結(29)然而以上此些染料可於

可見光與近紅外光區具吸收主要可歸因於金屬-官能基電荷傳遞

(Metal-to-Ligand Charge TransferMLCT)之性質由金屬(Ru)之電子

傳遞至位於外圍之羧基化吡啶配位鍵之 π 反鍵結軌域之後在少於

100 fs 時間內將電子傳入二氧化鈦之導帶(30-34)因此理論上光子轉換

為電子之比例可達至 100本研究所使用之染料 N719 與 black dye

12

之吸收光譜比較圖如圖 17 所示

圖 14 N3 染料之化學結構式(27)

圖 15 N719 染料之化學結構式(30)

13

圖 16 Black dye 染料之化學結構式(29)

圖 17 Black dye 染料與 N719 染料吸收光譜比較圖(31)

1323 電解液(electrolyte)

目前 DSSC 依其結構與研究使用目的不同亦搭配相異種類之

電解質液態電解質溶膠-凝膠(準固態)電解質與固態電解質本研

14

究所使用之液體電解質由於其擴散速率快光電轉換率高及組成成分

易於設計調整且對於奈米多孔膜滲透性佳故一直廣泛研究但

存在著許多問題(1) 傳統碘離子 (IminusI3minus) 電解質溶液之有機溶劑多

半有毒性其滲漏與揮發問題需解決(2) 實際於長期日照下應用之

發電穩定性與熱穩定性有待加強(3) 嚴密封裝需求將提昇製程成

本(4) 柔軟材質上應用困難(5) 有機溶劑對染料吸附之不利影響

以上問題於應用上均造成某種程度阻礙一般電解質都須具高極性有

機溶劑作搭配於液態電解質濕式元件中會選擇如乙烯碳酸鹽

(ethylenecarbonate)乙腈(acetonitrile)丙烯碳(propylenecarbonate)

之混合溶劑而電解質之選擇有I2LiIKITerapropylammonium

iodideTertabutylammoniumiodide 等Graumltzel 等人(32)以black dye為

染料06 M dimethylpropylimidazolium01 M I201 M LiI 與05 M

4-tert-butylpyridine 為電解質 (溶劑為methoxyacetonitrile)於 100

mWcm2強光下光電轉換效率為104 碘化物中陽離子常用的為

咪唑銨(imidazolium) 類陽離子或鋰離子(Li+)Imidazolium 類陽離子

可以吸附於奈米 TiO2 表面阻絕了 I3minus 與 TiO2 表面之接觸因此

抑制導帶電子與 I3minus 於 TiO2 表面結合使電池輸出功率與光電轉換

效率得以明顯提升由於 imidazolium 陽離子之體積大於鹼金屬離子

體積只要增大碘鹽中陽離子體積即易導致陽離子對 Iminus 束縛力減

弱一方面可以提高碘鹽於有機溶劑之溶解度進而提高 Iminus 濃度

另一方面亦因陽離子對 Iminus 之束縛力減弱Iminus 還原活性及於有機溶劑

之遷移率亦增強上述兩者均有利提高氧化態染料再生為基態染料之

速率(33)當電解質溶液中加入小體積 Li+ 時若 Li+ 濃度很小此

時 Li+ 主要是吸附於 TiO2 表面上若 Li+ 濃度增大則 Li+ 於

TiO2 表面吸附與嵌入 TiO2 膜內兩種情況共存此種情況之 Li+ 可

15

與傳導帶電子形成電子對 Li+- e-由於 Li+- e- 電子對既可於 TiO2

表面遷移亦有可能脫離 TiO2 表面遷移此將明顯減小導帶電子於

相鄰或不相鄰鈦原子之間之傳輸阻力及距離可知於電解質中加入

Li+可大幅改善電子於 TiO2 之間之傳輸進而提高染料敏化太陽

能電池之光電流(33)

1324 相對電極(counter electrode)

相對電極於染料敏化太陽能電池中扮演快速還原I3-之角色有效

觸媒催化劑極具必要性目前白金(Pt)觸媒最為被廣泛利用但其對

於光電效率表現程度(動力學常數化學穩定度附著穩定度)深受製

作方法所影響如電化學法 (electrochemically) 與蒸鍍法 (vapor

deposited)上述兩製作方法由於穩定度不佳與還原能力不好而不適

用濺鍍法(sputtering)目前最為被廣泛利用(此亦為本研究白金電極之

製作方法)其穩定性佳製作程序簡便卻須消耗較多白金而不適用

於大量生產Papageorgiou等人則發展出熱沉積(thermal decomposition)

法(34)此方法不僅大量減少白金使用量於動力學參數化學穩定性

機械強度及透明性上皆有其優異之處只是做法上較為麻煩此外

Kay與Graumltzel亦發展利用多孔性碳(porous carbon)做為觸媒層(35)此觸

媒層為碳黑(carbonblack)石墨奈米結晶性 TiO2 粉末混合物碳

黑可連接分離之石墨片進而提高導電度TiO2 則作為黏著劑(binder)

用此項技術之最大優點在於成本花費降低然而目前效能仍較白金

觸媒差

133 染料敏化太陽能電池之文獻回顧與發展現況

於1978 年美國專利發表第一個最先使用染料敏化 TiO2 來轉換

太陽光能之元件(36)TiO2 為寬能隙 n 型半導體對空氣及水有穩定

16

之抗氧化能力(4)然而電極為寬能隙半導體係為延伸於太陽光中可見

光區域之光譜應答但仍必須與染料高濃度掺雜此專利染料使用為

N-methylp- henaziniumion此使 TiO2 光譜響應延伸至500 nm然而

此專利中所組裝之元件轉換效率相當低且穩定性亦有待商榷直到

1991年瑞士洛桑高等工業學校(Ecole Polytechnique Federale de

LausanneEPFL)之 Graumltzel 與 OrsquoRegan 發展染料敏化奈米薄膜太

陽電池取得重大之突破(43738)電極為奈米多孔TiO2使用更穩定更

有效率之過渡金屬 Ru 等有機化合物染料其光電轉換效率可達 71

而於 1997年其轉換效率達至10 ~ 11 (39)澳大利亞國際永續技

術公司(Scientific and Technical InformationSTI)徳國 INAP (Institut

fuer Angewandte Photovoltaik Solarpunkt ) 研究所荷蘭國家能源研究

所(Energieonderzoek Centrum NederlandECN)日本日立公司日

本富士公司瑞典 Uppsala 大學瑞士 Leclanche SASolaronix

等公司均於產業化研究中已取得較大之發展 過去10年中全世界各

主要實驗室與公司於不同面積太陽電池上取得不同光電轉換效率其

中瑞士 EPFL 與日本夏普公司於小面積(面積小於1 cm2)電池上獲得

超過 11 之光電轉換效率(40-43)ECN 於條狀電池(1~5 cm2)上達82

(有效面積236 cm2) 之光電轉換效率瑞士EPFL(44)日本Sharp公

司Arakawa等(45)於條狀電池(1~5 cm2 ) 上取得與小電池(面積小於1

cm2)相當之轉換效率101 (131 cm2)104 (1004 cm2 ) 與99

歐盟 ECN 研究所取得面積大於1cm2電池效率最高紀錄 (815 (25

cm2)58 (100 cm2) 平均45 ) (46)由於DSSC電池之特殊性大

面積電池之研製與產業化一直是該電池研究難點目前澳大利亞

STI 公司建立世界第一個亦為迄今獨一無二面積 200 m2 之染料敏

化奈米薄膜太陽電池平面屋頂亦顯現出未來工業化之前景該結果

17

使人們對產業化染料太陽能電池之性能極具信心 2002 年美國

Konarka 公司亦投入 1350 萬美元對以透明導電高分子等軟性薄膜

為導電極之染料敏化奈米薄膜太陽能電池進行產業化與實用化研

究該研究是基於美國軍隊對軟性與移動性較好能源轉換之應用要

求故得到美國軍方大力支持因此於能源危機之促使下全球研

究單位莫不藉由改善DSSC各部分之特性以提高效率或設計其結構

以增其實用性

圖 18 DSSC 研究發展時程回顧(4 22 24 40 47-57)

14 二氧化鈦摻雜元素材料之研究

TiO2 之晶體中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性

質之改變易有助於光催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕

18

捉電子或電洞之缺陷有助於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素

與 TiO2 共結晶添加之過渡金屬亦將於光觸媒之傳導帶與價帶之間

形成新獨立能階因此可以較低之能量使電子激發進而擴大激發光

源之使用增益對光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化

效果通常摻雜元素之量(濃度)低時較有利光觸媒活性太高會大幅

改變 TiO2 原有特性每種元素之摻雜有其特定最佳化條件

Vamathevan 等人(58)配製含 Fe3+ 或 Ag+ 之摻雜改質二氧化鈦

以蔗糖之光氧化分解成二氧化碳以進行光觸媒催化活性評估結果顯

示添加之銀離子與鐵離子皆有一最適劑量分別為銀(20 atom )

與鐵(10 atom )於最佳金屬添加量比例之外銀改質型觸媒之

催化活性會略為降低故近年來研究發現 Fe3+ 為有效之摻雜離子

(5960)Li等人(61)利用有機金屬化學氣相沈積法(metal organic chemical

vapor deposition MOCVD ) 以 四 異 丙 氧 基 鈦 (Titanium

tetraisopropoxide TTIP)和 (CH3COCHCOCH3)3NdxH2O作為前驅

物以製備摻雜 Nd3+ 之改質二氧化鈦結果顯示隨著Nd3+摻雜量

之增加改質後之二氧化鈦觸媒於可見光波長範圍之吸收能力亦隨之

增加

除此之外其他如 Mo5+Ru3+Os3+Re3+Cr3+V4+與Rh3+

以及非金屬元素N (62)之摻雜等此方面研究近年來引起相當多投入

關於稀土離子摻雜進入一般陶瓷材料之研究已進行幾十年然而近幾

年始開始出現對於稀土原子摻雜進入半導體材料之研究將Tb3+摻雜

入TiO2 粉末或是薄膜中確實可以發出綠光(6364) TiO2中分別摻雜

Eu3+Tb3+Sm3+可以明顯觀察不論摻雜之稀土元素種類改變其

相皆與純之TiO2相符合證明摻雜稀土元素進入TiO2並不會改變其原

有之結構也因而不會因此改變TiO2原有之結構特性但卻可以影響

19

其電子組態與能階分布進而改變其光電特性目前故有稀土原子摻

雜進入半導體材料之研究皆只探討其發光機制與少許光觸媒特性分

析對於直接於太陽能電池電極之應用仍極為少數

141 TiO2Eu 粉體發光特性說明(65)

針對本實驗合成之工作電極材料雖發光強度無法與商用紅色螢

光粉比擬但仍為一無機螢光體主要由主體晶格(host lattice簡稱

H)與活化劑(activator簡稱 A)兩者所構成之其化學式一般以 HA

表示活化劑因可能取代主體晶格中特定離子位置稱為摻雜劑

(dopant)

1411 主體晶格(Host)

主體涵蓋一個或數個陽離子與一個或數個陰離子結合而成一般

主體於光激發過程中所扮演之角色為能量傳遞者而主體中之陽離子

或陰離子必須不具光學活性(optically inert)如此能量之放射與吸收

均於活化中心進行陽離子之選擇條件須具如惰性之電子組態(如

ns2np6d10)或具封閉之外層電子組態(如 f0f7f14)故不具光學活性

圖 19 為週期表中可作為螢光體主體之陽離子分布圖主體之選擇對

發光強度與光譜特性影響極大其中活化劑離子所進入晶格位置之

點對稱(point symmetry)與配位數(coordination number)以及所取代主

體離子之半徑大小均決定發光之行為

20

圖 19 主體晶格之陽離子分布圖(66)

陰離子團之選擇有二一為不具光學活性之陰離子團如圖

110另一則為具光學活性(optically-active)可充當活化劑之陰離子

團如圖 111後者通稱為自身活化(self-activated)之螢光體如

CaWO4YVO4等此為週期表中可作為螢光體主體晶格之陰離子

圖 110 主體晶格中不具光學活性陰離子團分布圖(66)

21

圖 111 主體晶格中具光學活性陰離子團分布圖(66)

1412 活化劑(Activator)

活化劑一般分成兩類陽離子團與陰離子團前者須具正確之價

數後者須具自身活化能力且可產生電荷轉移作為活化劑之陽離子

一般具 (nd10)((n+1)s2) 電子組態此類呈現高放光效率或半填滿軌

域如Mn2+Fe3+等如圖 112此外活化劑之添加本質上屬於

取代缺陷故活化劑與主體陽離子之大小須相近如相差太多將造成

晶格之扭曲故活化劑之種類與主體內之添加取代量即受到限制

圖 1 12 活化劑之陽離子團分布圖(66)

22

本研究採用之活化劑為稀土離子(67)其發光特性取決於稀土離子

Eu 4f 殼層電子性質稀土離子之電子躍遷主要具以下兩種形式(1) f

- f 躍遷(2) f - d 躍遷多數三價鑭系離子發生於內層之 4f - 4f 能階

躍遷根據選擇律此種l = 0 之電偶極躍遷原屬禁戒(forbidden)

但因 4f 組態與反對稱之組態 g 或 d 發生混合使原屬禁戒之 f - f 躍

遷成為允許(allowed)且 4f 殼層上之電子受外殼層 5s24p6 之遮蔽效

應故其 f - f 能階躍遷特徵如下

(1) 發射光譜呈線性譜線強度較弱

(2) 主體晶格(host)對發射波長影響不顯著

(3) 濃度與溫度淬滅變小即使於 400~500仍可發光

(4) 螢光壽命較長

15 研究動機與目的

本論文研究基於之前眾多之成果所建立之理論基礎提出一將稀

土元素摻雜入 DSSC 之工作電極中之創新構思欲藉由類似螢光粉之

觀念於主體 (host) 中摻入活化劑 (activator) 再經由特定波段之

激發產生放光之過程放射光之波長取決於主體與活化劑之搭配此

概念之目的是要增加染料敏素之吸收率進而提升整體之效益而所

需放射之光取決於染料敏素之 IPCE(incident-photon-to-current

conversion efficiency) 值於何處有最大值關於稀土離子摻雜進入一

般陶瓷材料之研究已進行幾十年近幾年則開始有對於摻雜進入半導

體材料之研究而先前眾多研究只探討其光觸媒特性並無應用於染

料敏化太陽能電池之顯著成果其中 Eu3+具非常好之紅色可見光發光

性Eu3+離子吸收波長 300 ~ 450 nm 左右之太陽光後其內層 4f ndash4f

軌域間之轉換將可放射出 593 nm (5D0 rarr 7F1) 612 nm (5D0 rarr 7F2)

650 nm (5D0 rarr 7F3)與 697 nm (5D0 rarr 7F4)紅光範圍之可見光Black

Dye 其 化 學 名 稱 為 【 thithiocycanato 44rsquo4rdquo-tricarboxy

23

31-22rsquo6rsquo2rdquo-terpyridine ruthenium(II)】(RuLrsquo(NCS)3 Complex)且其於

610 nm 與 413 nm 有最大吸收峰且其 ICPE 值於 400~600 nm 範圍

可達 80 恰位於 Eu3+之最強放光處故研究是否可藉由此放光增

加染料之吸收進而提升激發電子量再者稀土元素之摻雜並不會

破壞原有之晶體結構卻可影響其電子能態或原子結構調整其能

隙故本研究亦透過設計雙層結構之工作電極使各層工作電極傳導

帶之相對位置更有利於電子之傳遞以增加激發電子傳導速率並

減少電子再復合機率提升太陽能電池之效率

24

第二章 實驗步驟與儀器分析方法

21 化學藥品

本研究使用之藥品皆為試藥級之純度故使用前不須進行再純化

之步驟其來源與名稱如表 2-1 所示

表 2-1 本研究所使用之藥品清單

玻璃基板

FTO 導電玻璃 [ SnO2F TCO ] Solaronix TCO22-15

15 Ωsq

編號 藥品 廠商 純度

(1) 氧化銪 [ Eu2O3 ] Sigma-Aldrich 999

(2) 鈦酸四丁酯 [ Ti(OC4H9)4 ] Acroros 99

(3) 二氧化鈦 [ TiO2 ] Degussa P25 NA

(4) 硝酸銪 [ Eu(NO3)35H2O ] Sigma-Aldrich 998

(5) 碘 [ I2 ] Merck 98+

(6) 碘化鋰 [ LiI ] Merck 98+

(7) 4-特-丁基呲啶 [ C9H13N ] Aldrich 99

(8) 第三丁醇 [ (CH3)3COH ]JTB 998

(9) 四氯化鈦 [ TiCl4 ] Aldrich 999

(10) 無水乙醇 [ C2H5OH ] Riedel-de Haeumln 998

(11) 乙腈 [CH3CN] Fluka 99

(12) 乙基纖維素[Ethyl cellulose] Fluka 99

(13) 松油醇[C10H18O]terpineol Fluka NA

25

(14) 丙酮 [ CH3COCH3 ] Riedel-de Haeumln 99

(15) 甲醇 [ CH3OH ] Fluka 998

(16) 己烷 [C6H14] Riedel-de Haeumln 99

(17) 氧化鎘 [ CdO ] 林 純藥工會株

式會社 99

(18) 油酸 [ C9H18C8H15COOH ] Aldrich 90

(19) 1-十八烷烯 [ C18H36 ] Aldrich 90

(20) 三正辛基膦 [ (C8H17)3P ] Alfa Aesar 90

(21) 硒粉 [ Se ] ACROS

995

(22) 巰基丙酸 [ HS(CH2)2COOH ] Fluka

99

(23) 四甲基氫氧化銨 [ (CH3)4NOH ] Fluka

25 wt

本研究所採用之二次去離子水為經 Millipore 公司之 Milli-Q 純水系統

所處理其電阻值為 18 MΩ-cm

22 合成方法

221 溶膠凝膠法 (Micelle and sol - gel)

此方法乃利用水油與介面活性劑之三元體系所形成之混合溶

液利用其極性相近物質之相互聚集為理論基礎其中之介面活性劑

將扮演不相容物質彼此間之橋樑其中量少之一方將以微胞或微乳液

之形式存在微胞之形狀將隨著加入試劑之濃度差異而形成各種不同

26

形狀所選取之反應物須存在於微胞中而形成溶膠以利進行凝膠化

之反應於微胞中溶膠 (Sol) 之定義為極小之膠體粒子因凡得瓦

爾力與電雙層作用下產生布朗運動而均勻分散於系統中而形成所

謂溶膠與凝膠 (Gel) 為經過水解 (Hydrolysis) 與縮合 (Condensation)

反應後分子單體經由鍵結而逐漸形成大分子之凝膠狀態溶膠‐凝

膠法之基本步驟為利用金屬醇化物或金屬鹽類溶於水或醇類等溶劑

中進行水解與縮合反應所形成之凝膠產物之性質及結構與製備過程

之條件具密切之關係例如反應原料之種類濃度溶劑溫度

壓力pH 值等因素溶膠-凝膠法於形成薄膜與塊材方面具顯著之優

點且溶膠易形成摻雜故可製備均勻分布及可調性之多種複合材

料介面活性劑之功能為抑止成長中之晶體持續成長故控制微胞之

形狀即可改變晶體之形狀首先須控制溶液中之相對組成與溫度才

能達到形成微胞之條件且微胞之尺寸均於微米級以下故此微胞可

視為一種微反應器總而言之溶膠凝膠為一種膠狀懸浮液藉由膠

化作用得到固體其產生之多孔性凝膠可藉由化學方法之純化及高溫

退火之程序得到高純度與高結晶性之氧化物

222 水熱法 (Hydrothermal)

水熱法為於液相中配製超奈米材料之濕化學方法研究之溫度

範圍於水之沸點與臨界點(374oC)之間一般反應過程中維持100 ~

250oC之溫度與03 ~ 40 MPa之蒸汽壓之高溫高壓環境下反應溶劑

因高溫高壓條件下而達到其臨界點時對固體物質之溶解度增加

因而達到加速反應進行之效果此方法可提供製備一維奈米材料之新

途徑水熱法具下列幾項特點(1) 利用水熱法可直接於溶液中合

成粉體(2) 於大部分之水熱過程中長晶之程序已經完成故不須

再經過煅燒(3) 利用溫度之調變可控制粉體之尺寸(4) 利用不同

27

之起始物可得不同型態之粉體故水熱合成法可製備之材料相當廣

泛涵蓋金屬氧化物複合氧化物等數十種粉末合成之粒子大小

範圍介於01微米至幾十微米經過濾洗滌與乾燥等過程獲得之

晶體其結晶性佳團聚情況少產率高與較窄之細微性分布因此可

得純度高且細微性均勻之各類材料

23 實驗流程

本研究以兩種不同前趨物與合成方法製備 TiO2Eu3+ 之工作電極材

料分述如下

231 TPT[鈦酸四丁酯Ti(OC4H9)4 Tetrabutyl titanate]系列

此系列之奈米粒子為透過溶膠凝膠法後經水熱法及燒結而成首

先按所需之化學配比 (stoichiometry) 秤取適量之 Eu2O3並置入 100

mL 之三頸瓶中加入 9 mL 之 1 M 硝酸溶液60 mL 之去離子水(使

整體之 pH 值小於 2)激烈攪拌 30 分鐘再緩緩滴入適量配比之鈦

酸四丁酯 Ti(OC4H9)4 (Tetrabutyl titanateTBT)並激烈攪拌 1 小時

上述溶液之溫度控制於 80oC 並持續攪拌進行迴流程序時間為 10 小

時再置入 125 mL 之鐵氟龍 (telfon) 杯中並封入不鏽鋼壓力釜

(autoclave)進行水熱法溫度控制於 227oC時間為 12 小時可得白

色之膠體再以酒精反覆沖洗後於高溫 500oC 下退火 6 小時即可

得 TiO2Eu3+白色奈米粒子詳細合成流程如圖 21 所示

28

Eu2O3 and 9 mL aqueous nitric acid (1M) solution are added to 60 mL DI water with pH lt2

After vigorously stirring for half an hour 10 mL tetrabutyl titanate Ti(OC4H9)4 is slowly dripped into the above solution with vigorous stirring for 1 h

The mixture is then heated to 80oC with continual stirring for 10 h

Hydrothermal treatment in the autoclave at 227oC for 12 h

After repeatedly washing with ethanol the white slurry is annealed in air for 6 h at 500oC

圖 21以溶膠-凝膠法與水熱法合成TBT系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

232 P25(Degussa P25 TiO2)系列

按適量之化學配比秤取商用之二氧化鈦粉末(Degussa P25)與

Eu(NO3)35H2O置入裝有 30 mL 去離子水之 100 mL 燒杯中室溫

下激烈攪拌 2 小時將上述之白色溶液置入 125 mL 鐵氟龍 (telfon)

杯中並封入不鏽鋼壓力釜 (autoclave)進行水熱法溫度控制於

150oC時間為 48 小時待冷卻至室溫後將所得之白色膠體以去離

子水反覆沖洗其目的為去除表面殘餘之 Eu(NO3)35H2O爾後於

350oC 之溫度下退火 2 小時即可得白色 TiO2 Eu3+白色奈米粒子

詳細合成流程如圖 22 所示

29

Commercial TiO2 powders (P25) and europium nitrate was added to 30 mL of an aqueous solution under vigorous stirring

After stirring strongly the slurry was heated at 150oC for 48 h by hydrothermal method

After hydrothermal treatment repeated centrifugation and wash with distilled water (4 time repeated)

Annealed at 350oC for 2 h

圖 22 以水熱法合成 P25 系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

24 樣品鑑定分析

以 X 光粉末繞射儀(X-ray diffractionXRD)Rietveld 精算法鑑

定材料之純度與長程有序晶體結構以穿透式電子顯微鏡

(Transmission electron microscope TEM) 與掃瞄式電子顯微鏡

(scanning electron microscopeSEM)分別鑑定材料之結構與表面型

態利用比表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

ASAP) 分析粉體之樣貌與比表面積利用光激發光光譜儀

(photoluminescencePL)分析電極材料之激發光譜與放射光譜特性

以拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum) 測定分子之振動模式

以判定晶相與原子結構以紫外-可見光擴散式反射光譜(UV-Vis

diffuse reflectance spectra UV-Vis DRS ) 分析固態粉體於紫外光與可

見光其吸收特性利用 X 射線光電子能譜儀(X-ray Photoelectron

30

SpectroscopyXPS)分析表面元素組成與原子能級結構以 X 光吸收

光譜 (X-ray absorption spectroscopyXAS)之 X 光近吸收邊緣結構

(X-ray absorption near edge structureXANES)決定樣品中元素之價數

與電子結構茲將各實驗儀器分析之過程與原理分述於下列各節

241 粉末 X-光繞射儀(X-ray diffraction XRD)

2411 X-光繞射工作原理

X 光為一種短波長之電磁波其波長約為 10 Aring(10-10 m)陽極放

射出之 X 光由連續性不同波長之 X 光所組成故稱之為連續性 X

光譜(continuous X-ray spectrum)或白色 X 光但隨著外加電壓增大

連續性 X 光譜之波長分布範圍與其光線強度將隨之增大當電壓加

至超過門檻電壓(threshold voltage)或激發電壓(excitation voltage)時

除發生連續性 X 光譜外另將產生某些特定波長之 X 光稱之為特

性 X 光(characteristic X-ray spectrum)如圖 231(a)X 光粉末繞射儀由

電子槍產生電子如圖 231(b)所示此電子藉由 40 keV 之工作電壓

加速撞擊金屬靶材(常用之靶材為銅靶)將其靶材中 K 層(1s)電子撞

出電子游離後形成之電洞隨即由L層(2p)電子填補並伴隨X光釋出

31

Characteristic peaks

Continuous radiation

Energy

High-energy Ka

stimulusLaKb

lswl

Int

sity

e

m

Low-energy stimulus

enof

itted

rad

iatio

n冷卻水

真空 璃

接變壓器)

鈹窗 聚焦罩

銅X射線 鎢絲

靶(陽極)

X射線

管座(

Wavelength

Short wavelength limit a) b)

圖 231 (a)銅靶之 X 光光譜 (b)封閉式 X 光射線管

角動量子數之變化必須為plusmn1 (l = plusmn1)如由 L 層

(2p) 子填補 K 層(1s)電洞即 2p 1s 轉移(transition)並伴隨 X 光釋

如圖 232 所示此段波長之 X-ray 定義為 Kα波長為 15418 Aring

同理 3p 1s 則定義為 Kβ波長為 13922 Aring一般 Kα比 Kβ之強度較

強而 Kβ較 Kα之能量為高但由 p 1s 之轉移中因 2p 軌域具二

種不同型式之 Kα1與 Kα2

很難分辦但易與 K 一般常使用鎳單色光濾片(nickel filter)將

Kβ濾除(cut o

( ((68)

一般 X 光所使用金屬靶材之波長如表 22 所示以銅靶為例當

外加電壓促使電子高速撞擊銅靶之 K 層(1s)電子使其內層電子游離

並產生電洞依據吸收選擇定律(selection rule)當電子從一能階躍遷

至另一能階時其

2

自旋態(spin state)故產生 Kα1與 Kα2一般

β分辦

ff)

32

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長(69)

Target Kα1 Kα2 Kz Cr 22896 22935 22909

Fe 19360 19399 19373

Cu 15405 15443 15418

Mo 07093 07135 07117

Ag 05594 05638 05608

z is the intensity-weighted average of α1 and α2

圖 232 X 光原理示意圖Cu 1s 電子游離後形成之電洞由 2p 電子

填入並伴隨 X 光釋出(69)

德國科學家勞爾 (Von Laue) 於 1912 年提出 X 光進入晶體後因

干涉 年布拉格 ( 學

理論

稱為布拉

作用而產生繞射現象同 Bragg) 將勞爾提出之數

改以較簡潔之數學式導出 X 光之繞射條件如圖 233 所示

設晶面距離為 d入射光與晶面之夾角為 θ當入射光被二相鄰晶面

所反射二反射光束會有一光程差若此光程差為波長之整數倍(n

為正整數)時亦即當此二反射光束同步各光波之振幅具加成之效

果而形成建設性干涉合成波滿足此條件即可產生繞射

33

格定律(Braggrsquos Law)

2 sind nθ λ= (21)

晶體之 X 光繞射實驗提供兩項重要訊息(1) 繞射峰位置 2θ

(2) 為繞射峰強度(I)第一項訊息提供晶體之晶胞形狀大小(即晶格常

數)之資料第二項訊息提供晶體內部組成原子種類與位置之資料

隨材料之晶體結構與組成變化每個晶體此兩項資料各不相同因此

可利用 X 光繞射法分析材料屬何種礦物晶體或結晶材料

圖 233 X 光繞射之示意圖

2412 XRD 實驗儀器

粉末樣品之 X 光繞射分析係採用 PANalytical XrsquoPert PRO X-ray

powder diffractometer(XRD)型繞射儀其以銅靶(Cu)為光源功率為

3 kW放射光源 Kα1之波長為 15406 Aring操作時使用之電壓與電流分

別為 40 kV 與 40 mA 之條件下進行粉末繞射分析實驗其中 2θ繞射

角掃描範圍為 20 ~ 80 度每間隔 002 度讀取一次數據掃瞄模式為

2θθ將分析樣品平鋪於樣品槽(sample holder)置於圖 24 之旋轉中

心此時將繞射測角儀做旋轉偵測器則與出射光之夾角 2θ入射

光與槽座之夾角為 θ利用同步紀錄之系統而得各繞射峰之強度與角

34

度(2θ)之分布關係

圖 24 X-光粉末繞射儀(PANalytical XrsquoPert PRO XRD)

析然而中子繞射之儀器普遍性不佳利用Rietveld法可

分析

度(於本研究中以2θ量測範圍為0 ~ 180度間格為001度停留時間為10

因此可避免重疊峰之分解問題

2413 結構精算(70)

GSAS 程式採用 Rietveld 全光譜精算法 (Rietveld full pattern

refinement method簡稱Rietveld法)做結構精算Rietveld法為1969 H

M Retiveld所提出適合分析由X-光與中子粉末繞射所得之數據利

用結構精算可得物質之物理與化學特徵性質然而多數之物質不易合

成單晶之形式多數乃以多晶或粉晶存在最早則以中子粉末繞射之

數據加以分

X-光粉末繞射所得之數據使得分析晶體結構之研究之可靠性大

幅提升

Rietveld法主要為以階梯之模式(step scan)掃描其每一步之峰形強

秒)而不用整個繞射峰之積分強度

35

2ci k k k k biy S L F HT P y= Φ +sum利用此計算方法所得之繞射強度 ( S為

比例常數Lk乃涵蓋勞倫茲極化與多重性因子Fk為結構因子Tk

為穿透因子Pk為優先取向H為反射波形函數ybi乃背景強度)用

以模擬觀察所得之繞射強度(yoi)使由假設結構模型計算出之繞射圖

形與實驗量測之繞射圖趨於一致 並使最小方差擬合之殘差R為最

2( )R Wi ci oiy y= minussum 2 ( 2)

計算所得之繞射圖譜與測量所得之圖譜其相吻合之程度是由所

謂擬合參數(reliability factor)即R值決定一般以R值小於10為可

接受之最低要求常用有Rp與Rwp

oi ciP

oi

y yR

yminus

= sumsum (23)

)(( )

2

2WPRW y

= i oi ci

i oi

W y yminussumsum (24)

i較大

而一般認為Rwp較具代表性意義之擬合度判斷依據並定義

式中Wi為加權指數ㄧ般僅繞射峰存在其繞射強度之W2χ 即

ldquogo

odness of fitrdquo用以表示分析之品質

( )χ 2 =minusM

N N (25)

O V

其中M為minimization functionNO為step scan所得之繞射圖點

數NV為精算時所使用之變數個數利用最小平方差擬合與傅立葉

(Fourier)合成求得之電子密度函數進而得知粉體之晶格常數鍵長

鍵角等結構參數

Rietveld法為一可將晶體結構解析最完善之方法然而並非所有

36

之結構皆有其詳盡之原子座標位置Le Bail 法為1988年法國晶體學

家Armel Le Bail所發展利用電腦程式模擬將原本錯誤之原子位

置移動至較符合粉體模型之位置稱為整體性之最優化(global

optimization methods)或稱直接空間方法(direct space methods)利用

此方法可對於新

合成或未有詳盡之原子座標資訊給予空間群與晶格

常數之資料

圖25 晶體繞射結構解析之一般流程

37

242

型號為HITACHI S-4000其電子

槍為冷場發射式

圖26 掃描式電子顯微鏡(NDL)HITACHI S-4000

掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope SEM)

掃描式電子顯微鏡主要由真空系統電子槍透鏡組與偵測器組

成其成像原理為利用一束具有5 ~ 30 KV能量之電子束經過聚焦

镜使發散之電子束能聚集成一微小電子束掃描線圈作用於偏折電子

束使其能於試片表面進行二維之掃描工作另一功能為觀測試片時控

制倍率之放大與縮小爾後電子束經過物鏡即如同光學顯微鏡原理相

同但此時調整項圈(coil)所造成之磁場控制電子束進行最後對焦動

作完成對焦讓電子束與試片作用激發出二次電子背向散射電子

Auger電子連續X光與特徵X光等一般SEM為利用二次電子進行成

像因二次電子之信號主要源自電子束下方之區域能提供高解析之

影像而背像散射之電子亦能作為信號之來源當電子束掃描試片表

面時偵測器同時偵測由表面射出之二次電子強度輸入至同步掃描

之陰極射線管同時顯示試片之影像而陰極射線管上同步點之亮度與

對比則根據偵測到之訊號強度進行改變利用此方式試片表面之特

徵狀況即可逐一表現出來如圖26所示本實驗乃使用國家奈米元

件實驗室之掃描式電子顯微鏡其

(field emission)

38

圖27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖(71)

243

於偵測器上形成不同亮度

穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron MicroscopyTEM)

穿透式電子顯微鏡系統設計如圖 28 所示由電子槍(electron

gun)發射電子束經過一組磁透鏡(condenser lens)聚焦後以遮蔽孔

徑(condenser aperture)選擇電子束尺寸大小(beam size)後通過一組控

制電子束之掃描線圈再透過物鏡(objective lens)聚焦入射至試片

上於試片上側裝一訊號接收器用以選取二次電子或背向散射電子

成像此種儀器之優點為所需之樣品量很少且其解析度可達到原子

級之層次(10-10 m)若樣品含多電子原子則電子束將無法穿透樣品

於偵測器上顯示之亮度較暗電子束可穿透之樣品於偵測器上形成較

亮之點利用不同物質具不同電子密度之性質經電子束之穿透過程中

原子核對電子束產生之折射程度之差異性

對比之影像即為樣品之形狀和結構

但以下幾點須注意(1) 真空下要穩定 (2) 若是揮發性之物質在經電

39

子碰撞後容易消失此儀器除可用以鑑定物質之型態大小與內部細微

結構外亦可進行電子繞射而電子繞射圖可用以觀測樣品之結晶度

格常數

一天後再將銅網放置於儀器之樣品槽中調

整好儀器即可觀測

表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

好壞與計算晶

樣品製備

將欲觀測之粉末樣品取極少量溶於乙醇溶液中置於超音波震盪器中

約10分鐘使粉末均勻分散於溶液中爾後再利用已鍍上一層多孔性

碳膜之銅網放置於溶液中撈取預分析之樣品拿出銅網後用拭鏡紙將

多餘之乙醇拭乾並風乾

圖28 TEM電子腔內部結構示意圖

244 比

ASAP) 先將適量樣品 200oC 除氣(degas)至壓力為 3 times10 -3 torr以去除樣

品上之吸附水氣與其它吸附物質並於 77 K 下進行氮氣等溫吸附

40

利用 BET 公式求得比表面積利用 BJH 公式求得脫附曲線之孔洞分

態相似而於高分壓相異之行為則是因為 H4

隙較 H3 窄之緣故

291 IUPAC 制定之物理等溫吸附-脫附分類圖

布(pore size distribution)

氣體吸附曲線之型態會隨著材料之孔徑結構成分溫度及吸附

分子種類而不同 (圖 291)氣體吸附曲線 IUPAC 定義為下列六種型

態第一型為典型微孔材料第二型通常是無孔材料或孔徑較大之材

料第三與第五型曲線發生於當吸附分子間親和力大於其與固體材料

表面間作用力時之模式第四型為中孔材料於高分壓時會產生遲滯

迴圈(hysteresis loops)而第六型為一結構近乎完美均勻之表面所造成

之吸附曲線根據 IUPAC 之分類遲滯迴圈依其型態可分為四種型

態(圖 292)H1型常為規則圓柱狀孔洞材料或由規則球狀體間孔隙所

造成而 H2 型遲滯迴圈之形成通常表示材料中之孔洞與形狀較不規

則H3與 H4型迴圈之型

41

圖 292 IUPAC 制定之遲滯迴圈型態示意圖

245

T) 收集

光並測量其螢光強度並以 DataMax 軟體分析光譜資料

光激發光譜儀(Photoluminescence PL)(65)

光激發螢光 (photoluminescence PL) 光譜儀乃為簡便與精準地

檢測發光材料之光特性於本研究中採用FluoroMax-3測量螢光材料

之激發光譜(excitation spectra)與放射光譜(emission spectra)如圖

210 所示光源為利用氙弧燈提供一寬波段之激發光源為得高解

析之螢光量測數據入射光源須為持一特定之波長藉由單光器

(monochromater)之狹縫 (slit) 將光源出射光分成特定波長之入射

光入射光之能量被螢光粉體吸收後螢光粉體將發射另一特定波長

之光段打至發射光之單光器如同激發光之單光器只允許某一狹

窄之波段通過再利用光電倍增管 (photomultiplier tube PM

42

圖 210 螢光體光譜量測過程

圖211為本研究所使用之FluoroMax-3光譜儀各結構實際之配

置其包含七大主要部分涵蓋

1 Xenon光源與其保護座

1a Xenon光源電源裝置(power supply)

1b Xenon光源閃光(flash lamp)

2 入射光源單光器(excitation monochromator)

3 樣品放置槽(sample compartment)

4 發射光源單光器(emission monochromator)

5 偵測器[signal detector (photomultiplier tube)]

6 參考偵測器[reference detector (photodiode and current-acquisition

module)]

7 儀器控制電子元件(instrument control)

實驗之過程光源由圖中1部分發射而將螢光粉體置於樣品槽

43

內並置於圖中3之樣品放置槽圖中7為連接電腦控制藉由控制圖

中2與4之單光器則分別進行激發光譜與放射光譜之實驗由光電倍增

管放大(圖中5)而收集其中激發光譜可由圖中6偵測Xenon光源之訊

號並校正若進行比較發射光譜之絕對強度實驗過程則控制實驗之

時間於兩小時內完成此時期之光譜經穩定度量測誤差值座落於3

以內所得之發射光譜強度比較為可信之數值圖 212則為儀器之

實際外觀

圖211 光激發光光譜儀構造

44

圖212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀

246 拉曼散射光譜儀 (Micro Raman Scattering Spectrometer)

當光源照射於物質表面時光子會與物質之原子分子產生交互

作用造成能量之交換或動量之改變若無能量交換僅方向改變為

彈性碰撞稱為瑞立散射 (Reyleigh Scattering)若方向改變又有能量

交換為非彈性碰撞稱為拉曼散射 (Raman Scattering)當拉曼散

射光與物質相互作用時會與物質內之原子分子之振動頻率耦合

即可於入射光頻率之兩邊產生正或負之頻率位移此一頻率位移之數

值與物質內原子分子振動頻率相當此位移即為拉曼位移(Raman

Shift)此頻率位移可用下式表示

sυ υ υΔ = minus (26)

υΔ 代表拉曼散射光與入射光頻率差υ 代表入射光子之頻率 sυ 代表

散射光子之頻率

45

247 紫外可見光擴散式反射光譜(UV-Vis diffuse reflectance spectra

UV-

描範圍為200 nm至800 nm並以Spectra Calc

體收集光譜訊號

247

分光波被反射與散

另一部分光透過其餘之光才被物質吸收

Vis DRS)(72)

本研究乃將定量之粉末置於石英圓盤上再將其放置於樣品槽

相對於 BaSO4 作為參考物於室溫下以Hitachi-U3410紫外-可見光光

譜儀分析其擴散反射式光譜(diffuse reflectance spectrum)光譜掃描之

速率為120 nmmin掃

1 固態粉體之吸收光譜

吸收光譜顯示光照射於發光材料時其激發波長與材料所吸收能

量值之關係激發波長照射於發光材料時一部

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖

46

只有被吸收之光對材料之發光產生作用然而非每一被吸收光其

所有波長皆能引起激發作用因此研究吸收光譜可知哪些波長之激發

光被吸收吸收率為多少此對研究材料之發光過程為一重要課題

發光材料對光吸收公式可表達為

( ) 0( )K xI I e λ

λ λ (27)

式 27中I0(λ)為波長為λ之光照射至材料時之發光強度I(λ)為光

通過厚度為X之材料層後其發

minus=

光強度Kλ為吸收係數Kλ隨照射光波

長變

表面(圖 214)即使壓製成

錠依舊有部分光以散射釋出(圖 215)

化之曲線稱吸收光譜

因發光材料為粉末晶體故難以測出其吸收光譜一般則是測試

反射光譜用以確定其吸收光譜由 Kλ(吸收) = 1-Kλ(反射)得出材料之吸收

圖譜Kλ(反射)為被測材料之反射係數當其散射與穿透很小時可測得

然多數之物質其粉體非規則排列成一平整

粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚

度其公式如下

圖214 圖215

擴散式反射光譜儀則利用Schuster-Kubelka-Munk理論其中假設

無規則之反射光束

2(1 )( )2

R kF RR s

infininfin

minus= = (28)

infin

47

其中k為吸收係數s為散射係數一般量測與標準品相對之反射值Rinfin

而非量測絕對值之反射值其中標準品為白色固體粉末常見有KBr

用於IR(43500 ~ 400cm-1)波段BaSO4MgO作為紫外光至可見光波

段之標準品

圖216 Hitachi-U3410紫外-可見光光譜儀

248

於超高真

下操作故最好將樣品溶劑先行抽乾以免污染儀器

X射線光電子能譜儀( X-ray Photoelectron SpectroscopyXPS )

其原理為一束X光射線入射至樣品表面藉由光電效應將某一能

階之電子激發為光電子爾後經由分析光電子動能即可獲得關於表

面元素組成與元素之化學環境當數個原子鍵結成一化合物時其於

化合物中之結合能明顯與純原子時不同內核層電子之束縛能亦有不

同之變化即為一般之化學位移(Chemical Shift)分析束縛能之變

化便可獲得材料中之電子結構與化學鍵結之訊息其所造成之能譜

位移可用以區分不同氧化態之元素偵測深度約為5 nm (除氫元素外

皆可偵測)樣品製備將粉末樣品先行打錠經除水與抽真空之前

處理後送測放入儀器之樣品室中進行分析由於儀器是

48

24

分析與 TEM 等

結果

μ 表示材料單位厚度對X光之吸收則以式29以表示其相互之關係

9 X 光吸收光譜 (X-ray Absorption Spectroscopy XAS)(73)

同步輻射為接近光速之電子受加速度而產生之電磁波其可提供

連續波長可調能量範圍寬廣之光源並具光點小強度高與準直性

佳等特性近二十年應用同步輻射 (synchrotron radiation) 光源於 X

光吸收光譜之技術愈趨成熟使 X 光吸收光譜成為一項分析物質結

構之利器利用同步輻射光源對材料進行 X 光吸收光譜研究主要

包括 X 光吸收近吸收邊緣結構(X-ray absorption near-edge structure

XANES)與延伸 X 光吸收精細結構(extended X-ray absorption fine

structureEXAFS)其中 XANES 用於檢測材料中特定原子之電子組

態而 EXAFS 則測定原子之局部結構(local structure)可得知原子與

其鄰近原子間之距離種類及數目等X 光吸收光譜可發揮於原子短

程結構與電子組態上之優點與傳統 XRD 長程有序

相互配合可更加了解奈米材料之結構特性

當物質受到X光照射而吸收X光可用吸收係數 μ 表示其吸收之

程度若以I0表示入射X光之強度I 表示穿透光強度樣品厚度為 x

0 exp( )I I xμ= minus (29)

現象會隨X光能量增強而逐漸平

地降低構成吸收光譜之底線

若X光能量改變即使物質中之原子不吸收不散射等因素測得之

穿透光強度仍較入射光強度減小此

49

2491 X 光吸收近吸收邊緣結構 (X-ray Absorption Near-Edge

Structu XANES)

有關吸收原子之電子

組態價數及其所處晶格位置之對稱性資訊

re

當 X 光能量逐漸增強至物質中所含原子之吸收能量(absorption

edge)原子內層電子開始吸收 X 光之光子躍遷至外層之空軌域

造成吸收係數激增即形成 X 光吸收近吸收邊緣結構(XANES)於

吸收邊緣前與後各 30 eV 區域內之一些圖譜特徵包含吸收前緣之突

起躍昇區段上之肩部主峰之相對高度甚至吸收邊緣之位置(常

以躍昇段之第一個反曲點能量為視之)統稱為 XANES如圖 217

所示為 Ti K-edge 之 XANES 示意圖其可提供

圖217 Ti K-edge之XANES示意圖

50

25 染料敏化太陽能電池之組裝與特性分析

251

工作電極漿料之製作對於太陽能電池效率而言為最重要且最關

鍵之步驟本實驗採用奈米級粉體作為主要材料由於顆粒小其比

表面積大可使染料吸附量增加但如此微小粒子亦容易因凡得瓦

力庫倫力等發生團聚現象團聚現象對於粒徑小於 10 μm 之顆粒尤

其明顯因此於漿料之製備過程中必須透過機械攪拌及超音波震盪

等方式使其均勻分散本實驗漿料為參考 Seigo 等人於 2008 年所

發表之論文 製備首先秤取適量先前合成之二氧化鈦粉末加入配

ethyl cellulose分別為 5-15 mPas 與 30-50

mPas)膠體溶液松 terpineol)無水乙醇上述混合物置入單頸

瓶中激烈攪拌約 10 小時並減壓抽氣濃縮以去除乙醇再以超音

1 小時即完成漿料製備

252 導電玻璃清洗

[fluorine-doped tin oxide

FTO](尺寸23 x 30 cm)以中性清潔劑初步洗滌之後浸泡於丙酮溶

劑內並置於超音波震盪器內 10 分鐘丙酮可溶解油漬與黏膠卻

對 FTO 無影響可防止製備工作電極薄膜中出現裂痕及缺陷接著

使用去離子水同樣於超音波震盪下清洗玻璃最後再以乙醇於超音波

作用下洗滌乙醇可以溶解大部分之有機溶劑包括丙酮

璃之電阻)乙醇清洗完後將導電玻璃置入烘箱中以 70oC 烘烤 30

分鐘以去除殘餘有機物

3 電池組裝與特性測試

FTO 玻璃固定於網印機機台上利用網印法(如圖

FTO 玻璃上(工作電極面積

工作電極漿料配製

(74)

製好之兩種乙基纖維素(

油醇(

波震盪

首先將摻雜氟之二氧化錫導電玻璃

(會增加玻

25

(1) 將清洗完成之

218 所示)將製備好之漿料均勻塗佈於

51

複以上動作直到所

其表面於室

Black dye 溶液中放置

染料敏化太陽能電池有關組裝之詳細流程圖如圖 219 所示

需之膜厚或者所需要之雙層或多層結構設計

(2) 將鍍膜完成之工作電極置於 40 mM TiCl4 乙醇溶液中並置入 70oC

烘箱中 30 分鐘取出後以去離子水及乙醇交替潤洗

溫下乾燥後置於方形爐中 500oC 煅燒 30 分鐘

(3) 將製備好之工作電極薄膜浸泡於 02 mM

室溫暗室浸泡 24 小時使其自行吸附

(4) 待二氧化鈦電極吸附染料步驟完成後利用乙腈(acetonitrile)清洗

工作電極表面靜置乾燥後即可得已製備完成且吸附染料分子

之二氧化鈦薄膜電極首先將氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑

金屬之相對電極之空隙中再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結

合並防止氣泡產生以長尾夾固定既可完成此三明治結構之

圖 218 網印機塗佈示意圖

52

TiO2 (or TiO2Eu3+ ) powder

1 Screen printing on FTO (15Ωsq)

(A active=016cm2) 2 DryingRT 3 Gradually heated under an airflow at 325oC 5min 375oC 5 min 450oC 15min and finally at 500oC 15 min

1+ Two kind ethyl cellulose solution (5ndash15mPas and 30-50 mPas) + Terpineol + pure ethanol 2 Stirring10 hr 3 Rotary-evaporator (40oC) 50 min 4 Sonication 30 min

paste

Repeated until desirable Film thickness was obtained

TiO2 film FTO

1 Immersed in TiCl4 EtOH 70oC (30 min)2 Calcined 500 oC 30 min in air flow 3 Soaked in black dye (02 mM )

DyeTiO2 film FTO

1 Put the spacing film aside the TiO2 film2 Combined with sputtered Pt electrode3 Injected the ImacrI3- electrolyte

DSSC

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖

53

254 染料敏化太陽能電池性能測試

2541 電流電壓效率曲線(I-V curve)量測

於太陽能電池效率量測方面由於太陽光光譜將不斷變動因此

必須有一套國際量測標準目前國際上太陽能電池量測主要以美國

ASTM G-159 (Air Mass 15) 為主由於太陽光入射角度會隨著穿過

大氣層厚度之不同而隨之改變一般以大氣質量數 (Air Mass AM)

表示並規定太陽光在大氣層外直接垂直照射稱為AM 0太陽光與

地球表面夾角為90deg時稱AM 1而入射太陽光與地表之夾角為4819deg

時則為AM 15將完成之電池元件進行效能測試其光電轉換效率值

之檢測系統如圖 220 所示此檢測系統中為選擇300瓦(W)氙燈光源

模擬太陽光(AM 15)光源於開啟後須熱機10分鐘為避免檢測時因

光源不穩定而造成量測誤差並利用一標準單晶矽電池(效率值約為

1173 )以調整入射光源強度為100 mWcm2

將電池置於待檢測位置接上正負電極後利用電源電錶儀

(Keithley 2400) 控制輸出電壓並量測輸出電流值以獲得電流-電壓

曲線(I-V Curve)並藉由所得之I-V Curve圖中可獲得開路電壓(Voc)

閉路電流(Isc)填充因子(FF)與光電轉換效率(η)等評估電池效能之參

數其中短路電流乃指太陽能電池於無負荷狀態下外部電路短路

時之輸出電流此時電壓為零於理想之狀態下太陽能電池之短路

電流即等於照光時所產生之光電流而開環電壓即為太陽能電池於負

載無限大之狀況下為外部電流斷路時所量到之電壓此時之輸出電

流為零轉換效率可定義如下

max ( )P Isc Voc FPin Pin

η Ftimes times= = (210)

其中 Pin 為入射光功率FF因子定義為電池輸出最大功率

54

(Pmax)與理想最大功率之比值關係如下

max max max P I VF FIsc Voc Isc Voc

times= =

times times (211)

由上式可知此 FF 值為表示太陽能電池電壓電流表現與理

想行為間之差異此值受電池內部串聯並聯電阻工作溫度照光

強度等影響

圖220 電池光電轉換效率值檢測系統

圖221 太陽能電池I-V 特性曲線示意圖

55

2542 入射單色光之光電轉換效率量測(incident photon to current

convers-ion efficiencyIPCE)

IPCE 為單位時間內外電路中產生之電子數目 Ne 與單位時間內

入射單色光光子數目 Np 之比如其理論計算式為

2 2 [1240 ( )] [ ( ) ( )] 100SC incIPCE J A cm nm I w cmλ= times times times (212)

式中 JSC 為短路電流密度λ為入射光之波長Iinc 為入射光強度

從式中可看出奈米多孔膜(如TiO2)之比表面積越大吸附染料分子

越多光吸收效率就越高光電轉換效率測定系統可得到單一波長之

光電轉換效率根據此數據可瞭解整個光譜裡不同波長範圍之光對

電流之貢獻得到 IPCE 對波長之光譜與吸收光譜不相同因既

使能吸收光亦未必能有效轉換成電流本量測系統涵蓋以下主要組

(1) 光源500 W Xe lamp能發射全波長之光

(2) Water filter過濾光源發出之紅外光減少紅外光引起之熱

(3) 單光器(monochromator)以光柵選擇波長並投射至樣品

(4) 光強度偵測器偵測投射波長之強度

(5) 定電位定電流儀Keithley 2400用以讀出電流訊號

待測樣品經過不同波長之光照射時會反映出不同程度之光電流經

定電位定電流儀讀出電流值並記錄下來本實驗每隔10 nm 之波長

記錄電流值範圍從 350 nm 至1000 nm紀錄所有之電流值後再

經光強度偵測器量測各波長光線之能量將電流與光能量帶入式

212計算後即可得到各波長光線之光電轉換效率IPCE ㄧ般亦反

映至電池總效率上IPCE 越大則效率越高

56

圖222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖(75)

2543 電化學阻抗分析(Electrochemical impedance spectroscopy

EIS)(76)

交流阻抗定義

阻抗 = 電壓電流

交流阻抗定義阻抗 = 電壓電流 ( ( )( )

V fZI f

= )

其中電壓與電流之值會隨著頻率( f )變動而改變阻抗其實是由實部

阻抗(Zrsquo)與虛部阻抗(Zrdquo)所構成表示法為 Z Z jZ= minus

其中 Z 實部阻抗(real impedance) Z 虛部阻抗(imaginary impedance)

j = 1minus 而 Z Z Z θ (相角)之間關係如圖 223 所示

57

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

圖 223 Z Z Z θ 之間關係圖

交流阻抗測量過程如下

施加一小振幅之交流電壓(大多為正弦波訊號)使電極電位於平

衡電極電位附近微擾當達到穩定狀態後測其響應電流訊號之振幅

(magnitude)及相(phase)進而求得阻抗(impedance)然後依據所設

想之等效電路(equivalent circuit)透過阻抗圖譜之分析以及 Z-plot 程

式進行參數擬合精算以求出電極之動力學參數測量方式將組裝

好之電池於光源之持續照射下達到一穩定之電壓以電化學分析

儀(CHI 611C)測量選擇「AC Impedance」模式給予一個振幅為

10 mV 之交流電壓掃描頻率設定為 105 Hz 至 005 Hz

(a)

58

(b) high

medium low

圖 224典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖(77)

從典型之電化學阻抗圖譜可於奈氏圖(Nyquist plot)觀察到三個

半圓形之訊號參照圖 224b 依序從左至右分為高頻區 (high

frequency)中頻區(medium frequency)低頻區(low frequency)其所

分別代表之意義為(參照圖 224a )

高頻區電子於白金相對電極與電解質介面(Pt-FTOElectrolyte)之間

之傳輸阻抗

中頻區電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗

低頻區碘三負離子(I3minus)於電解質中之擴散阻抗

於經過電化學阻抗測量之後所得到之圖譜參考 Wu 等人之文獻

(78)設想之等效電路如圖 225 所示

59

FTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSCFTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSC

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

keff

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

EIS raw rata - P25 TiO2 (12 μm)

magnitude

phase

|Z| = ( |Zrsquo| 2 + |Zrdquo| 2 )12

θ = tan-1 ( |Zrdquo| |Zrsquo| )

=gt |Zrsquo| and |Zrdquo|

input output derived

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析

60

經過電化學阻抗分析過後原始數據如圖 226 所示經由等效

電路假設之後並進一步使用 Z-View 軟體效正並參考 Adachi 等人(79)

所發展之模式可以得到下列參數

(1) L (μm) 電極膜厚 (film thickness)

(2) keff (s-1) 電子再結合速率常數 (reaction rate constant for

recombination)

(3) τ (s) 電子壽命 (lifetime of electrons)

(4) Rk (Ω) 電子再結合之電荷傳導電阻亦即暗反應電阻

(charge-transfer resistance related to recombination

of electron )

(5) Rw (Ω)電子於 TiO2 中之傳導電阻 (electron transport

resistance in TiO2)

(6) Deff (cm2s)有效電子擴散係數 (effective electron diffusion

coefficient)

(7) Ln (μm) 電子擴散長度 (electron diffusion length)

其中 τDeffLn(7879)可以由下列公式求得

1 effkτ = (213)

2

( ) (keff

w

R LDR

= times (214)

( )nL Dτ= times eff (215)

61

26 量子點敏化太陽能電池之組裝

261 硒化鎘 (CdSe) 量子點之製備

(1) 取051克之氧化鎘(cadmium oxide CdO)與3克之油酸(oleic acid

OA C17H33COOH)溶入126 mL之1-十八烷烯(1-Octadecene

C18H36)中配製成A溶液

(2) 取 13 mmol之硒粉( selenium Se)與 05克之三正辛基膦

( tri-n-octylphosphine (C8H17)3P )溶入 10 mL 之 1- 十八烷烯

(1-Octadecene C18H36)中以磁石持續攪拌1小時配製成B溶

(3) 將A溶液與磁石置入三頸瓶中以每分鐘280轉之速率攪拌並以

25 mtorr之氮氣去除瓶中之剩餘空氣

(4) 將三頸瓶以每分鐘5oC之升溫速率將溫度升高至200~205oC溶

液之顏色將呈現淡黃色透明澄清溶液接著繼續升溫至280oC

(5) 接著將B溶液以針筒迅速注入三頸瓶中注入完畢開始計時達

到反應時間即離開熱源溶液顏色將從淡黃色透明澄清變化成橘

紅色澄清溶液

(6) 將溶液加入乙醇中以每分鐘10000轉之轉速離心10分鐘數次

即可完成CdSe-OA量子點並保存於己烷中

詳細配製流程如圖227所示

62

CdO and Oleic Acid(OA) were dissolved in 1-Octadecene

Heated to ~205oCuntil the color of solution turn to transparent colorless then the temperature was increased to 280oC

Injection of SeTOP solution and stop heating (in 2 min)

The CdSe nanoparticles were precipitated using EtOH and then kept in hexane

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖

63

262 硒化鎘 (CdSe) 量子點之改質 (Ligand exchange)

(1) 將02 mmol之巰基丙酸(mercaptopropionic acidMPA)溶入30 mL

之甲醇中並以四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium hydroxide

in methanolTMAOH)滴定調整溶液pH值至114

(2) 將溶液置入三頸瓶中於氮氣之環境下加熱至55oC

(3) 將保存於己烷中之硒化鎘量子點加入甲醇以每分鐘10000轉之速

率離心十分鐘重複三次

(4) 取約2 mL之MPA溶液再取40毫克之硒化鎘溶入溶液中再倒回

三頸瓶

(5) 將三頸瓶溫度加熱至65oC並以鋁箔包覆三頸瓶使溶液於黑暗

中反應20小時

(6) 接著將溶液與ethyl acetate以21之比例混合再將混合溶液與

Hexane以11混合以每分鐘10000轉之速率離心十分鐘重複2

至3次即可得到CdSe-MPA之量子點

詳細配製流程如圖228所示

64

02 mmol of MPA was dissolved in 30 mL of anhydrous methanol and pH-adjusted to 114 by addition of TMAOH

Heated to 55degC and than added to a vial containing approximately 40 mg of CdSe

Heated to 65degC and refluxed for approximately 24 hrs under nitrogen gas in the dark

The nanocrystals were isolated by addition of ethyl acetate to induce flocculation

The CdSe nanoparticles were precipitated using methanol

The CdSe nanoparticles were stored in toluene

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖

65

263 量子點敏化電池之組裝

(1)利用與 253 節中相同之方法製備工作電極薄膜並先將工作電

極浸泡純MPA溶液4小時取出後立刻將其浸泡入之前合成之硒化

鎘甲苯溶液靜置一天之後取出先以甲苯沖洗去除未吸附之多

餘奈米粒子再利用乙腈(acetonitrile)清洗工作電極表面靜置乾燥

後即可得已製備完成且吸附量子點之二氧化鈦薄膜電極

(2)再氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑金屬之相對電極之空隙中

再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結合並防止氣泡產生以長尾

夾固定既可完成此三明治結構之量子點敏化太陽能電池

附註

(1) 電解液配製

二甲丙基咪唑碘(dimethyl propyl imidazolium iodide ) 06 M 碘化鋰

(lithium iodide LiI) 01 M 碘 (iodine I2) 005 M 及第三丁基吡啶

tert-butylpryidine (05 M) 溶於乙腈(acetonitrile)中

(2) 染料溶液配製

Solaronix 公司 black dye 02 mM 及脫氧膽酸 (deoxycholic acid DCA)

20 mM 溶於乙醇 (ethanol)中

66

第三章 結果與討論

本研究之重點於利用兩種不同合成方法製備 TiO2Eu3+工作電極

材料並探討其運用於染料敏化太陽能電池之效應前者使用

Ti(OC4H9)4溶膠為合成二氧化鈦之前驅物與 Eu2O3為摻雜 Eu3+來源

以溶膠凝膠法與水熱法合成 TiO2 奈米粒子後者使用商用二氧化鈦

粉末(Degussa P25)為合成二氧化鈦與 Eu(NO3)35H2O 為摻雜 Eu3+

來源直接利用水熱法合成粉末針對兩系列工作電極材料之晶體結

構與光譜特性進行不同目的之階段分析分別敘述如下

第一階段為材料結構鑑定分析

(1-1) X-光繞射光譜儀(X-ray diffraction XRD)

(1-2) 結構精算(Refinement)

(1-3) 掃描式電子顯微鏡(SEM)

(1-4) 穿透式電子顯微鏡(Transmission electron microscope TEM)

(1-5) 氮氣等溫吸附與脫附儀(BET)

第二階段為光譜特性分析

(2-1) 光激發光譜(PL)

(2-2) 拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum)

(2-3) 紫外 ‐可見光擴散式反射光譜 (UV-Vis diffuse reflectance

spectra UV-Vis DRS )

(2-4) X 射線光電子能譜儀(XPS)

(2-5) X-光吸收光譜(X-ray absorption spectroscopy XAS)

第三階段為太陽能電池特性分析

(3-1) 太陽能電池 I-V 曲線效率量測(I-V curve)

(3-2) 入射單色光之光電轉換效率量測(IPCE)

(3-3) 電化學交流阻抗分析(EIS)

67

31 TiO2Eu3+ 材料結構鑑定分析

311 晶體結構分析

天然二氧化鈦為 n 型半導體於分子之結構中屬閃鋅晶格其中

鈦原子具 22 個電子以外圍 3d 軌域之 4 個價電子與氧原子形成共

價鍵 (Covalent Bond)自然界中二氧化鈦以銳鈦礦(Anatase)金紅

石 (Rutile)與板鈦礦 (Brookite)三種結晶組態存在其中最常見與最

廣泛使用的為前面兩種組態後者則極為罕見圖 31 為典型銳鈦礦

(Anatase) 之晶體結構圖屬四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα

=β=γ=90deg其空間群(space group)為 I 41amd其中 I 表體心晶格

(Body centered unit cell)41a 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 41旋移

軸(screw axis)即平行 c 軸旋 360deg4 = 90deg後平移 14 晶軸距離且

於垂直[001]方向具一 a 軸之旋移面(glide plane)m 表垂直[100]或[010]

方向具一鏡面(mirror plane)d 表垂直於[110]或[1-10]方向具一沿 c

軸移動之鑽石射移面(diamond glide plane)而圖 32 為典型金紅石

(Rutile) 之晶體結構圖為四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα=

β=γ=90deg其空間群為 P 42mnm其中 P 表簡單晶格(primitive cell)

42m 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 42旋移軸(screw axis)即平行 c

軸旋轉 360deg4 = 90deg後平移 24 晶軸距離且於垂直[001]方向具一反

射面n 表垂直[100]或[010]方向具一斜角射移面(diagonal glide)末

項之 m 表垂直於[110]或[1-10]方向具一反射面雖此兩種晶相皆是以

TiO6八面體鍵結而成然而 Ti-TiTi-O 鍵長與氧鍵結數不同等差異

造成兩相之質量密度(mass density)與電子組態皆相異

68

圖 31 TiO2銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖

圖 32 TiO2金紅石(Rutile)相晶體結構圖

69

3111 TiO2Eu3+ (TBT 系列) XRD 分析

此系列工作電極粉體以溶膠凝膠法與水熱法進行合成並添加

銪(Eu)為活化劑其主體晶格為二氧化鈦(TiO2)如圖 33 所示為 TBT

系列 TiO2Eu3+之 XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu含量自 x = 0 增

至 x = 005於 X-光繞射圖譜得知隨 Eu 濃度增加粉體皆呈現 TiO2

銳鈦礦 (Anatase) 之相若以離子半徑大之原子取代於主體晶格中原

子半徑小之原子故主體晶格將擴張其面間距(d)增加並根據布

拉格繞射公式 2 sind nθ λ= 可知繞射角度(θ)亦減小於圖 33 XRD

圖譜中銳鈦礦繞射面(101)之主繞射峰並無位移初步判斷為低濃

度取代之緣故而較多數文獻(80)之論點則因 Eu3+之離子半徑約為 108

Aring而 Ti4+之離子半徑約為 068 Aring兩種離子半徑差異頗大造成利

用溶膠-凝膠法與水熱法等軟性合成法並不易將 Eu 直接取代 TiO2 晶

格中 Ti 之位置故無法於使二氧化鈦晶格擴張此論點於 GSAS 結

構精算結果中將再次討論

20 30 40 50 60

A(211)A(105)A(200)A(004)

Ti1-xO2Eux (TBT)

JCPDS089-4921

x = 0015

2 θ (degree)

Inte

nsity

(au

)

x = 0

x = 00075

x = 002 x = 0025 x = 003

x = 004

x = 005Anatase

A(101)

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜

70

為計算合成粉體之粒徑大小根據晶體學 Scherrer equation(如式

31) (81)其中 D 為粒徑大小 (crystal grain size)k 為無單位常數 09

λ為 Cu Kα1之波長 015405 nmβ為圖譜中最強之繞射峰(101)之半高

寬θ為繞射角度 254o之半

coskD λ

β θ= (31)

計算不同 Eu 摻雜量其粒徑大小分布如圖 34 所示顯示隨著 Eu 摻雜

量增加粒徑大小隨之縮小至 x = 004 時達至飽和穩定研判為

Eu3+雖難取代 TiO2 中 Ti4+位置卻可能於晶格表面或空隙中形成

Eu-Ti-O 鍵結進而限制其晶格成長(82)而觀察此 TBT 系列粒徑分布

由 9~20 nm 範圍屬微小奈米粒子形成微小粒徑之因可由生成機制

說明此系列樣品由溶膠凝膠法將鈦酸四丁酯 (Tetrabutyl titanate) 水

解形成加入硝酸使生成環境處於 pH 小於 2故此過程須將鈦醇前

驅物於酸催化下水解縮合而成而三維聚合體骨架 (polymeric

skeletons) 於低含水與低水解速率下將由於 Ti-O-Ti 之鍵結逐漸形成

而更緊密堆積因此造成微小奈米粉體之形成(8384)

-001 000 001 002 003 004 005 0068

10

12

14

16

18

20

22

1027978

13241439

16781722

1934

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

) Ti1-xO2Eux(TBT)

2176

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖

71

為更進一步瞭解稀土離子摻雜進入二氧化鈦後之確切晶體結構

與精細結構變化本研究利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進

行結構精算精算過程中以 ICSD-93098 為起始模型此為空間群

I 41amd 之銳鈦礦 TiO2各原子之熱振動參數設定為等方向性

(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為 1且相同格位之

原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖 35 為 TBT 系列

Ti097O2Eu0033+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構精算所獲得之

XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理論擬合曲線

下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置以及下方藍

色實線表為理論值與實驗值之誤差

由 GSAS 結構精算結果得知如表 31a 所列TBT 系列 Eu3+

摻雜 TiO2結構之空間群仍屬於 I 41amd其中 Eu3+取代四配位之 Ti2+

位置較為合理其信賴指數為 χ2 = 237Rwp = 598與 Rp = 482

可得知樣品之結晶性良好其晶型之結晶程度好壞對往後染料敏化太

陽能電池光電轉換效率之優劣有決定性之影響晶格參數為 a = b =

37835 (6) Aring 與 c = 94945 (17) Aring晶格體積為 13591(4) Aring3根據

Vegard(85)定律固態材料因摻雜不同大小離子半徑之元素使其結構

產生膨脹(expansion)或壓縮(compression)效應而直接影響其晶格大

小與體積之變化根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較(表

31b)晶格體積並無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之

Eu3+離子(095 Aring)難以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與上述 XRD

結果吻合

72

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

圖 35 TBT 系列 Ti097O2Eu0033+粉體 X 光繞射結構精算圖

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

0000000

0000000

0245966

0338408

-0023401

0182541

1000000

1000000

261

382

Space group I 41amd (tetragonal) Cell Parameter

a = b = 37835 (6) Aring c = 94945

(17) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13591(4) Aring3

Reliability Factors χ2 = 237 Rwp = 598 Rp = 482

73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參數

Eu

ratio(x) a(A) b(A) c(A) Volume(A) Rp() Rwp() χ2

0 37809(18) 37809(18) 94795(9) 13551(16) 51 61 20300075 37805(18) 37805(18) 94796(9) 13548(16) 53 66 2270015 3790723) 3790723) 94839(11) 13628(20) 72 85 239002 37806(33) 37806(33) 94737(17) 13540(29) 62 75 2450025 37805(12) 37805(12) 94420(23) 13495(7) 52 61 185003 37835 (6) 37835 (6) 94945(17) 13591(4) 48 60 237004 37868(5) 37868(5) 94868(15) 13604(34) 63 79 279005 37772(24) 37772(24) 95012(6) 135557(15) 42 52 184

3112 TiO2Eu3+ (P25 系列)

此系列工作電極粉體為利用水熱法合成以添加銪(Eu)為活化

劑其主體晶格為二氧化鈦如圖 36 所示為 P25 系列 TiO2Eu3+之

XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu自 x = 0 增至 x = 01於 X-光繞

射圖譜得知隨 Eu 濃度增加與前一 TBT 系列比較不同之處為粉體

所呈現為 TiO2 銳鈦礦(Anatase)與金紅石(Rutile)兩項共存(之後亦利

用結構精算驗證此結果)其中以銳鈦礦(Anatase)所佔比例為多數

爾後分析將針對兩項比例作計算依據圖 36不同 Eu3+摻雜量之系

列樣品並無發現明顯之 Eu2O3或 Eu 與 Ti 複合氧化物之繞射峰出現

此為由於 Eu3+均勻分散於 TiO2晶體之表面所致(86)其主相 anatase 於

(101)處之繞射峰亦無明顯位移產生其為離子半徑差異較大之因

研判 Eu3+並無直接取代 TiO2晶格中 Ti4+之位置以 Scherrer equation

計算之粒徑大小分布如圖 37 所示文獻(87)曾報導由於金紅石(Rutile)

晶體結晶性較銳鈦礦(Anatase)為差也因此粒徑相對較小本實驗經

過 Eu 摻雜後之樣品雖將提高銳鈦礦(Anatase)相之比例(將於後文說

74

明)但由圖 37 可得知此兩相比例差異之影響對於晶格成長之限制不

大初步判斷為此系列以商用粉 P25 為前驅物進行水熱法過程中

摻雜之 Eu3+座落於晶體表面主晶體二氧化鈦並不會進行分解

(decompose)再結晶

20 30 40 50 60

R(1

01)

R(1

10)

A(1

05)

A(2

11)

A(2

00)

A(1

12)

A(1

03)

A(1

04)A

(101

)

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

x = 0

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0025x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015Anatase

Rutile

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜

000 005 010 015 0208

10121416182022242628

238237236238246248

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

)

Ti1-xO2Eux(P25)

253

圖 37 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布

75

本系列亦利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進行兩相結構

精算精算過程中銳鈦礦(Anatase)以 ICSD-202243 為起始模型而

金紅石(Rutile)則以 ICSD-202241 為起始模型各原子之熱振動參數

設定為等方向性(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為

1且相同格位之原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖

38 為 P25 系列 Ti09O2Eu013+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構

精算所獲得之 XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理

論擬合曲線下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置

以及下方藍色實線表為理論值與實驗值之誤差由 GSAS 結構精算結

果如表 32 所列P25系列 Eu3+摻雜 TiO2結構之空間群屬於 I41amd

之銳鈦礦與 P42mnm 之金紅石兩相共存其精算信賴指數為 χ2 =

185Rwp = 61 與 Rp = 52 銳鈦礦之晶格參數為 a = b = 37850

(33) Aring 與 c = 94950 (9) Aring晶格體積為 13603 (21) Aring3 金紅石之晶

格參數為 a = b = 45867 (0) Aring 與 c = 29540(0) Aring晶格體積為 6215

(0) Aring3根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較晶格體積亦

無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之 Eu3+離子(095 Aring)難

以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與 XRD 結果吻合亦與 TBT

系列結果相同

藉由 XRD 分析並根據 Spurr 與 Myers 所發展之理論(88)銳

鈦礦(Anatase)特徵峰A (101)與金紅石(Rutile)特徵峰R(110)兩結

晶面之強度可計算出異相態比例由方程式32a與32b

(32a ) 1

(1 08( ))RXA RI I+

=

1A RX X= minus (32b )

式中XA 為銳鈦礦之重量百分比XR 為金紅石之重量百分比IR 為

76

金紅石 X-ray 於(110)之繞射峰強度IA 為銳鈦礦X-ray 於(101) 之

繞射峰強度由此式計算出此系列樣品之兩相比例與利用 GSAS 結

構精算後得出之兩相比例比較如表33所示可知藉由兩種計算方法

所得之結果相近未經 Eu 摻雜之樣品(x = 0)所得銳鈦礦與金紅石之

重量百分比與一般文獻所記載此系列合成前趨物 Degussa P25 二氧

化鈦之兩相重量百分比(銳鈦礦75 金紅石25 )(89)接近而透過 Eu

之摻雜具效提升銳鈦礦之重量百分比此與 Setiawati 等人(90) 於期

刊中發表透過稀土元素(EuSm)之摻雜於高溫燒結過程中將有

效抑制金紅石相之生成進而增加銳鈦礦之穩定性之結果吻合以染

料敏化太陽能電池而言使用銳鈦礦晶相小粒徑高比表面積之

TiO2 粉末較有利於製造多孔薄膜電極時表現出高光電轉換效率

之特性而由於一般商業二氧化鈦粉末於高溫 (約700至900oC) 時會

產生相變(Anatase變至Rutile)因此於塗佈多孔薄膜工作電極後固

化之燒結溫度應避免高於轉相溫度

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

77

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

Ti

O

0000000

0000000

0000000

0304690

0250000

0250000

0000000

0304690

0375000

0170031

0000000

0000000

1000000

1000000

1000000

1000000

241

184

250

250

Space group (A) I 41amd (tetragonal)

(R) P 42mnm (tetragonal)

Reliability Factors χ2 = 185 Rwp = 61 Rp = 52

Cell Parameter

(Anatase)

a = b = 37850 (33) Aring c = 94950

(9) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13603 (21) Aring3

(Rutile)

a = b = 45867(0) Aring c = 29540(0) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 6215 (0) Aring3

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果

Ti1-xO2Eux3+ x=0 x=0025 x=005 x=0075 x=01 x=0125 x=015

Anatase(wt ) 751 817 849 839 853 836 849

Rutile(wt ) 249 183 151 161 147 164 151

Anatase(wt

)

753 824 853 835 849 834 847

Rutile(wt ) 246 176 147 165 151 166 153

GSAS refinement results

78

312 晶體表面形貌分析

3121 SEM 與 TEM 粉體形貌分析

此部分討論透過掃瞄式電子顯微鏡與穿透式電子顯微鏡觀察所

合成粉體之表面形貌以及粒徑大小分布將結果與 XRD 與 BET 所得

結果作比較如圖 391 (a)~(b)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+中 x = 0 以及

x = 003 之 SEM 影像由圖中可察覺所合成樣品皆為無孔洞表面光

滑之粉體與文獻中(89)未製成工作電極前之二氧化鈦形貌相符透過

Eu 摻雜改質後相較於未摻雜樣品粒徑似乎有縮小之趨勢此與 XRD

所得結果吻合而相較於 TBT 系列圖 392(a)~(d)顯示 P25 系列於

不同 Eu 摻雜量時之粉體 SEM 圖由圖中顯示樣品仍為無孔洞表

面光滑之粉體然而透過 Eu 之摻雜粒徑大小並無明顯改變約略

於 23~25 nm 之間此與 XRD 所計算出結果相符

但若欲進一步測量其準確粒徑分布須透過TEM量測放大倍率作

觀察圖310(a)~(f)為TBT系列 Ti1-xO2Eux3+ 中 x = 0~004 之TEM

影像由圖中可察覺粉體顆粒大小均勻形狀近似圓球狀影像中

並無顯示類似之添加稀土金屬晶相結果皆與SEM吻合其由於TEM

影像中顏色較深暗之部分表示本實驗所配製之粉體具聚集堆積之

情形推測可能為此TEM實驗製備方法中只單純將粉體分散於純乙醇

內並無額外加入任何分散劑而造成粉體顆粒產生團聚現象因此

由圖中所觀察之粉體大小可能為二次粒徑但由於系列樣品中其隨

著Eu3+摻雜量增加可明顯觀察至其粒徑亦隨之變小此結果將配合

BET之結果加以討論

79

(b) (a)

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+SEM 圖放大倍率皆為 100k圖(a)為

x = 0圖(b)為 x = 003

80

(b) (a)

(d)

(c

圖 392 (a)~(d)為 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為

100k圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)為 x = 015

81

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(a) (b)

(c) (d)

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(f) (e)

20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm

圖 310 (a)~(f)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+TEM 圖放大倍率皆為 200kx

(a) x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f) x = 004

82

3122 氮氣等溫吸附與脫附分析(Brunauer -Emmett-TellerBET)

31221 TBT 系列粉體 BET 分析

分析所合成之工作電極粉體其表面形貌以及比表面積分布本研

究針對樣品進行氮氣等溫吸附與脫附分析氣體吸附法測定比表面積

之原理為依據氣體於固體表面之吸附特性於一定之壓力下被測

樣品顆粒(吸附劑)之表面於超低溫下對氣體分子(吸附質)呈現可

逆之物理或化學吸附作用於某一壓力下其存在相對應之平衡吸附

量通過測定出該平衡吸附量並藉由理論模型以等效求出被測樣品

之比表面積由於實際顆粒外表面之不規則性嚴格來講該方法測

定之結果為吸附質分子所能到達之顆粒外表面與內部通孔總表面積

之和

圖 311(a) ~ (g)為 TBT 系列樣品針對不同 Eu 摻雜濃度之工作電

極粉體所測之 BET(Brunauer-Emmett-Teller)等溫吸附法之結果藉由

遲滯迴圈之範圍及形狀可輔以判斷孔空形狀與大小此系列樣品之氣

體吸附曲線依 IUPAC 定義於 x = 0即無 Eu 摻雜時由於其於高

相對壓力(relative pressure PsPo)時遲滯迴圈不明顯故推測屬於第

二型第二型通常為無孔材料或孔徑較大之材料配合 SEM 圖判斷

應為無孔材料顯示合成之粉體其表面光滑完整而隨著 Eu 之摻雜

量之增加氣體吸附曲線於高相對壓力出現些微遲滯迴圈現象推測

屬於第四型中孔洞材料但由 SEM 判斷粉體仍無中孔洞材料現象

為完整平滑之粉體初步判斷造成中孔洞原因為粉體堆疊時所產生之

空隙造成且遲滯迴圈較為垂直故應為規則之球體陣列間孔洞造

成而經由 BET 程式計算此 TBT 系列樣品之比表面積顯示隨著

Eu 含量之增加其比表面積亦隨之增加於 Eu 摻雜量至 x = 004 時

達至飽和此結果與 XRDTEM 結果吻合隨著 Eu 含量之增加

83

由於粒徑因為 Eu-Ti-O 鍵結產生造成晶體成長受限而隨之粒徑變

小因此造成比表面積隨之增加圖 312 為 Eu 不同摻雜量與比表面

積之關係圖

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0015)

V

olum

e ad

sorb

ed (c

m3

g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=002)

Absorption process Desorption process

(c)

84

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=003)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(d)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=004)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

050

100150200250300350400450500

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=005)

Absorption process Desorption process

(e)

(f)

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖

85

000 001 002 003 004 00570

80

90

100

110

120

130

140

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

789

9821027

1076

1328

1266

圖 312 TBT 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

31222 P25 系列粉體 BET 分析

圖 313 為 P25 系列樣品於不同 Eu 摻雜濃度下所測定 BET

(Brunauer -Emmett-Teller)等溫吸附法之結果與 TBT 系列比較依

IUPAC 之定義配合 SEM 與 TEM 之結果此系列樣品仍為無孔洞

之奈米材料且其高相對壓力處遲滯迴圈之形狀與 P25 標準圖譜相

近可判斷於此系列中經由 Eu 之摻雜後於表面形成之 Eu-Ti-O 之

鍵結較弱因此限制晶格成長現象較不明顯此結果與 XRD 粒徑大

小分布趨勢吻合

86

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPO)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0075)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=015)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

(c)

圖 313 (a)~(c) P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之 BET 圖

87

000 005 010 015

0

10

20

30

40

50

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

333

477 509

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

32 TiO2Eu3+ 粉體光譜特性分析

3211 光激發光譜分析(PL)

以 Eu3+作為活化中心之紅色螢光粉研究已屬豐碩而藉由主體晶

格之變異進而整齊發光特性而先前亦具 Eu3+摻雜入 TiO2 之研究

但多數為薄膜製程以探討其光電與觸媒特性本研究亦透過光激發

光譜之分析藉以探討不同 Eu3+濃度摻雜之粉體其發光特性與機制

Zou 等人(91)於 2006 年之研究指出由於其間接傳遞之特性TiO2

之塊材(bulk)於室溫下並無放光僅於 77 K 時於 500 nm 處具微

弱放光習知 Eu3+離子之激發光譜具以下三種特徵第一種為主體晶

格吸收以 Y2O3 Eu3+為例於激發波長(≦230 nm) 存在 Y2O3之主

體晶格吸收第二種為電荷轉移躍遷(charge transfer transition)為

Eu3+-O2-之間電荷轉移所產生之躍遷其常為寬帶譜此特徵峰一般

88

介於 250 ~350 nm(92 - 94)第三種為 f-f 軌域之躍遷此為 300~500 nm

之間 Eu3+離子之 4f 軌域相互躍遷所造成之特徵吸收峰如圖 315 所

示為摻 Eu3+離子之 TiO2光激發光譜圖與放射光譜圖於 612 nm 作

放射波長下之激發光譜中最強吸收峰為 394 nm其為 7F05L6軌域

電子躍遷其中由左至右亦包含 7F016D4(384 nm)7F0

5G2(380

nm)7F05D3(414 nm)7F0

5D2(464 nm)之吸收峰值故吸收峰皆為

4f 軌域之內層電子躍遷(95)並無上述之主體晶格吸收或電荷轉移等

現象其乃因 Eu3+-O2-之間共價性太低但電荷轉移所需能量太大

故不易發生再者因電荷轉移吸收帶與主體晶格能隙重疊故產生

能量移轉電荷轉移吸收帶吸收之能量移轉至主體晶格爾後以非發

光形式釋放

於 394 nm 激發並測其放射光譜最強之放射波長為 612 nm隨

濃度改變此一最強放射峰值並無任何改變此為 5D07F2軌域電子躍

遷且三價稀土離子佔據晶格之非對稱中心時非對稱中心之晶格場

對 J = 0 2 之躍遷特別敏感故此躍遷亦稱為強制電偶極躍遷(forced

electric-dipole transition)而磁偶極躍遷(magnetic-dipole transition)一

般不受發光中心周圍結構對稱性之影響5D07F1即屬於此類自左

至右分別為 5D07F0(580 nm)5D0

7F1(592 nm)5D07F4(652 nm)

觀察激發放射光譜圖 315 之放射峰皆為 5D07FJ之電子躍遷即自激

發態之最低能階躍遷至基態而無較高能能階激發態之躍遷其乃複

合聲子弛緩過程(multiphonon relaxation process)(96)所致

89

350 400 450 500 550 600 650 700

00

30x106

60x106

90x106

12x107

15x107

5DJ-7FJ

414

(7 F 01

-6D

3 )

384

(7 F 01

-5 Gj5 L

7)

535

(7 F 01

-5 D3

)

394

(7 F 01

-5 L6 )

λem= 612 nm

464

(7 F 01

-5 D2 )

592

(0-1

)58

0 (0

-0)

652

(0-4

)

Ti097O2 Eu0033+

612

(0-2

)

λex= 394 nm

Inte

nsity

(au

)

Wavelength(nm)

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖

由於本研究為藉由經由工作電極摻雜 Eu3+而使其放紅光並給與

染料吸收以加強其效為提供染料 Black dye 更多之紅光可利用 Eu

摻雜濃度對於發光強度之關係加以討論由圖 316 中可發現 TBT 系

列中隨著 Eu3+離子摻雜濃度由 x = 0 變化至 x = 005其發光強度隨

活化中心 Eu3+濃度增加而增強爾後摻雜濃度高於 x = 003 時強度

卻隨逐漸衰減而 P25 系列中最高發光強度時之摻雜量則為 x = 01

時 此現象為濃度淬滅效應(concentration quenching)所造成此淬減

效應產生可能因素有二

(1) 自身吸收(self-absorbing)或自消光(self-quenching)效應如同液態

螢光之現象固態溶液於高活化中心濃度時吸收物種平均距離縮減

90

使活化中心產生之螢光為另一活化中心所吸收致使發光強度減弱

(2) 能量傳遞至非放光中心 使能量損耗導致發光效率降低

Frindell 等人(97)所發表之文獻中將 Eu 摻雜入非結晶相 TiO2薄膜所

形成非傳統之發光性薄膜其觀點為放光來源為 Eu-Eu 離子間之能

量傳遞其放光濃度淬滅效應與本研究之觀點一致皆為自消光所造

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖

圖 317 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL 光譜圖

500 550 600 650 700

00

20x106

40x106

60x106

x(content)

Ti1-xO2Eux(P25)

0150125

010075

0050025

0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 464 nm

500 550 600 650 700

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

Ti1-xO2Eux(TBT)

005004

0030025

0020015

00075 0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 394 nm

91

而圖 319 與圖 320 分別為兩系列不同 Eu 摻雜量激發光譜(PLE)

之比較可觀察 TBT 系列樣品於 612 nm 作放射波長下最強吸收

峰為 394 nm其次為 464 nm然而對於 P25 系列反而最強吸收峰

為 464 nm394 nm 峰值相對減小甚大為解釋此現象可由圖 318 之

發光機制圖說明當 TiO2 Eu 照光時對主體晶格 TiO2與活化劑(Eu3+)

皆會受光激發電子當 TiO2吸收波長小於 394 nm 之入射光時光電

子快速傳遞至 Eu3+晶格場分裂能階中進行非輻射緩解至各能階進行

放光其中至 5D0後回至 7F0即產生波長 612 nm 之最強放光由於

次共價陽離子 Eu 之摻雜造成主體晶格於價帶與傳導帶間形成一受

限態(trapped state)提供激發光電子一停留之暫態因此若吸收例如

394464 nm 等波長亦會產生復合放強光或非輻射緩解(虛線)

由放射光譜(PL)可知 P25 系列於最強放光 612 nm 處之發光強度明顯

小於 TBT 系列因此可說明 P25 系列受 394 nm 入射光子量極少吸

收機率減小而致使放射光強度減弱故可說明 394 nm 峰值相對減小

之因

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖

92

300 330 360 390 420 450 480 510 540

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

λem = 612 nm

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

000075

0015002

0025003

004005

PLE

圖 319 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE 光譜圖

330 360 390 420 450 480 510 540

00

20x106

40x106

x(content)

λem= 612 nm

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

00025

0050075

010125

015

PLE

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux

3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖

93

3212 臨界距離與能量轉移機制

根據 Dexter 與 Schulman(98)所提出之濃度淬滅效應(concentration

quenching effect)由圖 316 隨 Eu3+離子濃度逐漸增加時其發光強

度亦逐漸增加於 x = 003 時發光強度達至最高值爾後再添加過

量之活化中心(x>003)導致 Eu3+離子彼此間之距離縮短促使 Eu3+

-Eu3+離子對(ion pair)形成並隨摻雜濃度增加而增加使發光能量於

Eu3+-Eu3+離子對內傳遞以非輻射緩解方式消失其發光強度逐漸衰

減此外可利用 Blasse 等人(99)所提粗略計算添加相同之活化中心於

主體晶格內藉由結構精算所得晶格參數推知其發生能量轉移之臨界

半徑(critical radiusRc)

1 3

c3R 2

4 c

Vx Nπ

⎡ ⎤asymp ⎢ ⎥

⎣ ⎦ (33)

式 33 中V 為單位晶格之體積xc 為活化中心之臨界濃度N

為單位晶格中陽離子所占有之個數

臨界半徑乃於臨界濃度(critical concentration xc)時發光中心傳

遞至非放光中心之最小平均距離於本研究中調變 Eu3+離子之濃度

(x = 0~005)其強度最大值發生於 x = 003即為 xc值並利用結構

精算得此樣品之單位晶格體積為 13591(4) Aring3於每一單位晶格中

此 TBT 系列銳鈦礦向為四方晶系故每單位晶格中之 Ti4+ 離子(同為

活化中心之取代位置)所占有之個數為 1 個即 N = 1經計算結果可

得 Rc值約為 205 Aring以相同方法計算 P25 之樣品其 xc = 01單位

晶格體積 V 為 13603(16) Aring3經計算結果可得 Rc值約為 137 AringP25

系列之臨界半徑較 TBT 系列短之原因為合成過程中摻雜元素晶體

長成之差異造成 P25 系列樣品粒徑較大Eu3+與 TiO2 之鍵結強度

較小因此於活化中心間傳遞電子之距離須更小以達濃度淬滅效應現

94

象發生

綜合上段文中所述Ti1-xO2 Eux3+螢光粉之濃度淬滅效應乃因

其發光能量於 Eu3+-Eu3+離子對(ion pair)內傳遞而淬滅本研究將探

討其能量轉移機制

Ozawa(100)等人與 Wang(101)等人於文獻中指出此複合極矩交互作

用與活化中心濃度與其發光強度具一關係式

1 31 ( )QI K x

minus⎡ ⎤= +⎣ ⎦ (34)

式中x 為活化中心濃度I 為發光強度Q = 68 與 10 分別對

應為偶極-偶極(dipole-dipole)偶極-四極(dipole-quadrupole) 與四極-

四極(quadrupole-quadrupole)交互作用K與 β為對應主體晶格之常數

圖 321為Ti1-xO2 Eux3+

(x = 0~005)樣品以 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)

作圖圖中可觀察為一線性關係其擬合(fit)線之斜率為 -062經由

上述關係式之計算後可得 Q 值為 486近似於 6故由此結果可推論

本研究二氧化鈦摻雜 Eu3+離子之濃度淬滅效應主要乃以偶極-偶極交

互作用(dipole-dipole interaction)所致

-22 -20 -18 -16 -14 -12

83

84

85

86

87

88

89

log

( Ix

Eu3+

)

log (xEu3+)

Ti1-xO2Eux3+

Slope = -06195

圖 321 Ti1-xO2 Eux

3+之 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)關係圖

95

322 拉曼散射光譜分析 (Raman scattering spectrum)

3221 TBT系列粉體拉曼散射光譜分析

拉曼散射光譜為量測材料之鍵結狀態非常普遍之方法其原理為

利用光子與樣品中之聲子之間之交互作用量測晶體中之各種振動模

式包括了分子內之振動與晶格振動因此當樣品中晶格變化極微小

時亦能藉由拉曼散射光譜儀觀測於材料晶相結構之鑑定拉曼光

譜亦提供一材料結構與鍵結組態之特徵可與 X 光繞射圖譜互為印

證根據 Balachandran 與 Eror 報導(102)銳鈦礦(Anatase)具六種

Raman active 振動模式(vibrational modes)A1g + 2B1g + 3Eg 金紅石

(Rutile)具四種 Raman active 振動模式A1g + B1g + B2g + Eg由圖 322

中 TBT 系列之拉曼光譜於 146398518 和 641 cm-1 處其顯示二

氧化鈦晶相之特徵散射峰值分別對應銳鈦礦中 Eg A1gB1g Eg

之振動模態(Vibration Mode) (103 104)且 146 cm-1處之散射峰較尖銳

指出粉體之結晶性佳並與 XRD 結構精算之結果吻合另外此系

列中並無發現金紅石之散射峰出現顯示 TBT 系列樣品為銳鈦礦之

純相此與 XRD 之結果吻合

藉由 146 cm-1處 Eg振動模態之散射峰作觀察可知經由 Eu 摻雜

後其繞射峰具往高波數位移之現象有文獻指出(105 106)當二氧化

鈦於晶體結構中之氧空缺(oxygen vacancy)增加時將增加銳鈦礦於

146 (Eg) cm-1之波數因此研判本系列樣品經由 Eu 之摻雜均增加粉

體晶體中氧空缺爾後 X 光吸收光譜將更進一步討論而 Choi 等人

(107)於銳鈦礦之二氧化鈦中以體積收縮效應 (volume contraction effect)

解釋由於粒徑縮小而使晶粒之徑向壓(radial pressure)變小因此造成

鄰近原子鍵結與振動強度改變使繞射峰有往高波數位移之現象

96

100 200 300 400 500 600 7000

1

2

3

4In

tens

ity (a

u)

Raman shift (cm-1)

148(Eg)

146(Eg)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0015

x = 0

x = 002

x = 0025

x = 003

x = 004

x = 005

398(B1g) 518(A1g)641(Eg)

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

97

3222 P25系列樣品拉曼散射光譜分析

本實驗亦將 P25 系列樣品進行拉曼散射光譜之分析如圖 323

所示 P25 系列之拉曼光譜於 146398518 與 641 cm-1 處出現二

氧化鈦晶相之拉曼散射峰值與 TBT 系列相似分別對應銳鈦礦中

Eg A1gB1g Eg之振動模態(Vibration Mode) 然而 P25 系列樣品

於未摻雜 Eu 時(x = 0)時於 454616 cm-1 處出現分別對應於 Eg

A1g 振動模式之金紅石特徵散射峰出現此金紅石特徵峰之因主要

是由於 x = 0 之樣品存在重量百分比約 25 之金紅石晶相結構隨著

Eu 濃度之增加於 x = 0025 時 454 cm-1之特徵峰已消失而當摻雜

濃度大於 25 mol (x = 0025) 時粉體皆呈現銳鈦礦之拉曼特徵

峰此與 XRD 結論吻合由於稀土元素之摻雜抑制燒結過程中銳

鈦礦轉變成金紅石之現象於最強散射峰 146 cm-1處 Eg振動模態之

散射峰分析可知經由過 Eu 摻雜此繞射峰亦具往高波數位移之現

象然而總括兩系列樣品於此散射峰之位移現象皆不顯著主要乃因

摻雜稀土元素之量過少因此造成主體氧空缺不足以造成明顯之波數

位移現象(108)

98

100 200 300 400 500 600 700

R-616(A1gR-454(Eg

))

147 Eg( )

146(Eg)

641(Eg)518(A1g)

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

(au

)

Raman shift (cm-1)

x = 0025

x = 0

x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015

398(B1g)

圖 323 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

99

323 紫外-可見光擴散式反射光譜分析(UV-Vis DRS)

3231 TBT 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

二氧化鈦為一具半導體特性之物質且為一直接能隙之 n 型半導

體經由紫外光之照射使其表面電子電洞分離純相之二氧化鈦

其價帶與導電帶之能量差(即能隙大小)約為 32 eV相當於 380 nm

光波長之能量經由愛因斯坦發展光電理論之計算能量約座落於紫

外光範圍言下之意為必須透過紫外光激發始將其電子與電洞分離

進而能夠顯現觸媒之催化活性或光電特性然而許多學者於二氧化

鈦之製備過程中添加不同比例之過渡元素金屬離子研究發現可改變

二氧化鈦之光激發特性本研究為透過於二氧化鈦中摻雜鑭系金屬

Eu並透過不同比例之添加期望藉以改善其光激發特性在此透過

紫外可見光擴散式反射光譜分析兩系列所合成 Ti1-xO2 Eux粉體其特

圖 324 為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 之紫外-可見光擴

散式反射光譜顯示未摻雜 Eu 樣品(x = 0)於圖譜短波長約 332 nm 處

具強吸收帶顯示 Ti 以四方晶系之 Ti4+ 存在於晶格中此吸收帶為

將價帶 O-2p 軌域之電子激發至傳導帶 Ti-3d 軌域(109 110)而經由 Eu

之摻雜此系列樣品吸收邊緣延長至較長波長約 400 處此現象於一

般半導體中若具雜質(impurity)或缺陷(defect)態存在即會由於其

本質傳遞而具極強之吸收(111)於本研究中Eu 離子即扮演此雜質之

角色將改變二氧化鈦之晶格環境且由XRD之結論可知由於Eu (III)

之離子半徑遠大於 Ti (IV)之離子半徑因此難藉溶膠-凝膠法與水熱

法等合成將之取代故經過摻雜之二氧化鈦形成一新相化合物此新

相化合物具兩種特性(1) 經過 Eu 摻雜後之二氧化鈦之能隙變小(2)

吸收邊緣延長至較長波長因此較低能量之入射光子即可被利用此

100

現象於圖 324 中特徵譜線紅位移現象中可證實Saif 與 Mottaleb 於

文獻中(110)亦說明鑭系正離子為電子清除劑(electron scavenger)之角

色進而影響主體之發光與光觸媒特性

200 250 300 350 400 450 500

x = 004

Ti1-xO2Eux(TBT)

F(R

)

Wavelength (nm)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

x = 0Red shift

圖 324 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS 光譜

進一步計算此系列樣品之能隙大小評估添加Eu後對光觸媒之光

吸收特性之影響最常以Schuster-Kubelka-Munk 理論方程式並配合

漫反射光譜以估算材料之能隙值擴散式反射光譜儀所利用Schuster

-Kubelka-Munk 理論(112 113)多應用於鋪陳較厚之粉體其中假設無規

則之反射光束粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚度適

用其公式如下

2(1 ) ( )( )2

R kF RR s( )

λαλ

infininfin

infin

minus= = = (35)

101

其中 k 為樣品之吸收係數s 為散射係數一般量測與標準品

相對之反射值 Rinfin 即 refR R Rinfin = 而非量測絕對值之反射值其

中本實驗之 refR 為硫酸鋇 (BaSO4) 之反射係數而若考慮s與波長λ

弱相關之因素則 ( ) F R k sα infin= = 於窄範圍內可正比於吸收以

1

[ ( ) ]F R h ηυtimes 對 hυ 作圖(KM圖)可用以得到材料之能隙值於 KM

圖中hυ 為入射光子之能量而指數η則是由因光子吸收情形造成材

料光吸收範圍之轉移形式決定(114)本研究中粉體特性利用 KM 圖

(指數η =2)可以得到一線性關係藉由此圖形以線性外插法可精確地

求得材料之能隙值計算此系列樣品 Eu 之摻雜量增加後其能隙大

小之趨勢為329326324322314312 eV呈現縮小之現象

Tanner等人(115)提出將稀土元素Er3+摻雜入α-Al2O3中其中Er3+之離子

半徑仍遠大於主體晶格中之Al3+難以取代其晶格位置研判於低濃度

摻雜時形成一新化合物ErAlO3且隨著摻雜濃度增加其能隙亦有

縮小之趨勢而Umebayashi等人(116)將V Cr Mn Fe Co等金屬元素摻

雜入TiO2 後一電子填滿態形成於價帶頂端與傳導帶底部之間且

隨著摻雜量增加此局部填滿態(localized occupied level)將向低能量

位移造成能隙縮小故可研判本實驗中經過 Eu 摻雜之樣品其

能隙調整為Eu3+ 3d所形成之軌域與O-2p 軌域所混成之頂端(價帶)

至Ti4+ 3d 軌域之底部(導帶)因此造成能隙縮小將此與Rengaraj等

人之研究結果吻合(117) 在此將Eu摻雜後之可見光激發過程示於圖

327中

102

25 30 35 40

[F(R

)hν

]12

hν (eV)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算圖

000 001 002 003 004310312314316318320322324326328330

312314

322324326

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

329

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖

103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖

3232 P25 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

而針對 P25 系列樣品同樣可藉紫外-可見光擴散式反射光譜圖

分析如圖 328 中亦發現隨著 Eu 之摻雜濃度增加樣品之反射光

譜線與前趨物 Degussa P25 相近且吸收邊緣亦具紅位移現象然而

相較於 TBT 系列其吸收譜線卻較為狹窄對於光觸媒之利用較為

不利且此系列粉體亦藉由 Schuster - Kubelka-Munk 理論計算其能隙

大小由於 Eu 摻雜造成能隙縮小之現象較不如 TBT 系列顯著推論

由於合成方法與前趨物不同所致其造成樣品形成結晶之結果不同

且 Eu 於 P25 系列粉體中與 O 軌域之混成程度不如 TBT 系列

104

250 300 350 400 450 500

00

02

04

06

08

10

12

x = 015F(R

)

Wavelength (nm)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

x = 0

Red shift

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜

25 30 35 40

[F

(R)

hν]1

2

hν(eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖

105

00 01 02300302304306308310312314316318320322

310312

317

313

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖

324 X 射線光電子能譜儀(XPS)

本研究藉由 X 射線光電子能譜儀探討粉體之能階性質其乃藉

由光電效應將某能階之電子激發而成為光電子藉由分析此些光電子

之能量進而得知束縛能獲得關於表面元素組成以及元素之化學環

境狀態由於本實驗以 Eu 摻雜入主體二氧化鈦中由 XRD 精算結

果顯示即使 Eu 摻雜量增加其晶格體積並無擴張趨勢基於 Eu3+與

Ti4+之離子半徑之差異初步判定Eu並未取代二氧化鈦晶格中Ti4+ 之

位置由於稀土原子與主體晶格鍵結成一化合物時其化合物之結合

能明顯會與純原子時不同其內核層電子之束縛能亦會有不同之變

化即一般之化學位移 (Chemical Shift)其所造成之能譜位移可用

以區分不同氧化態之元素

利用 XPS 分析 Ti1-xO2Eux3+ TBT 系列中 x = 03 之粉體由全光

譜結果表示奈米粉體表面主要含 TiOC 三種元素其中 C 元素

來自於污染雜質碳而 XPS 偵測深度約為 5 nm未於全光譜中偵測

106

到 Eu 之特徵峰(1134911652 eV)出現初步推測含 Eu 化合物可能

未於粉體表面而存在於晶格空隙(interstitial)中(86)如圖 331 所示為

TBT 系列 x = 0 與 x = 3 針對 Ti-2p 軌域所呈現之 XPS 圖譜其中

Ti-2p32與 Ti-2p12之束縛能約於 4583 與 464 eV間距為 57 eV兩

特徵峰之相對強度(積分面積)比約為 21皆為二氧化鈦晶格中 Ti4+

之貢獻與文獻中銳鈦礦相之特徵峰吻合(118)當 Eu 之摻雜(x = 3)顯

示可見 Ti-2p32 與 Ti-2p12 之束縛能位置具化學位移現象(4585 與

4642 eV)此化學位移現象可藉共價鍵理論(covalent bonding theory)

解釋顯示 Eu3+合併(incorporate)入 TiO2 中(於晶格表面或空隙)而形

成 Eu-O-Ti 鍵結由於 Eu 之存在造成 Ti 與 O 所共價之電子雲密度

減少而改變其束縛能因此束縛能增加(119)造成特徵峰向高能量偏

移如圖 332 為 O-1s 軌域之 XPS 圖譜經 Eu 之摻雜亦出現化學位

移之現象另亦有文獻指出(120)若二氧化鈦表面之本質缺陷(intrinsic

defect)增加由於缺陷結構會促使電子從陰離子(O)中傳遞至陽離子

(Ti)或摻雜離子(C)中造成 O 束縛能增加此與本實驗之位移現象吻

合至針對 P25 系列樣品同樣觀察 Ti-2p32Ti-2p12 與 O-1s 軌域之

XPS 圖譜(圖 333334)指出相較於 TBT 系列樣品無論為 Ti-2p

抑或 O-1s 軌域化學位移之現象皆較不明顯研判於表面 Eu-O-Ti

共價鍵之鍵結強度較弱因此電子轉移現象減小

107

456 458 460 462 464 466

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

527 528 529 530 531

5298

Ti1-xO2Eux(TBT)O 1S

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0

5297

x = 003

4642

4585464

Ti1-xO2Eux(TBT)

Ti 2p12

Binding energy (eV)

Inte

nsity

(au

)

Ti 2p32

x = 0

4583

x = 003

108

458 460 462 464 466

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

4643

45854642

In

tens

ity (a

u)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

Ti 2p12

Ti 2p32

x = 0

4584

x = 01

527 528 529 530 531

5297

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

O 1S

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0

5296

x = 003

109

本研究亦建立兩系列樣品之價帶導帶與標準氫電極之相對位

置以利解釋雙層工作電極模型機制本研究針對低能量入射光子慢

速掃瞄粉體之 XPS 光譜由於 XPS 原理中運用光電效應概念偵

測光電子能量(Ek)為入射光子能量扣除內核層電子束縛能與功函數

即 k bE h Eυ ϕ= minus minus (如圖 335 說明 )由二氧化鈦之分子軌域

(Molecular orbital)圖樣可知其價帶位於 O-2p 軌域因此圖 336 中為

針對 TBT 系列樣品(x = 03)之價帶圖譜由態密度(density of state)圖

譜可知代表價帶(O-2p)之放射特徵譜線而費米能階(EF)於價帶圖譜

中視為 0 eV因此可透過類似計算能隙大小之外差法方式計算其價

帶相對於標準氫電極之大小(120)可之經由 Eu 之摻雜二氧化鈦之

價帶位置由 32 eV 降低至 21 eV由圖中亦可得 Eu 摻雜樣品降低粉

體之價帶位置並結合紫外‐可見光擴散式反射光譜分析後所得粉體

之能隙大小可建立如圖 338 所示兩系列樣品之能隙位階圖

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖

110

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

21

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0 x = 003

32

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

20

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25) x = 0 x = 01

25

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

111

圖 338 兩系列樣品未摻雜與摻雜 Eu3+粉體能隙位階圖

112

325 X-光吸收光譜(XAS)

本研究所製備之工作電極粉體係屬奈米材料因奈米材料相較塊

材之結晶性較差由X光粉末繞射圖譜中(powder X-ray diffraction)將

無法獲得進一步之結構資訊X吸收光譜可提供局部之結構資訊(local

structure)適合作為奈米材料結構研究之方法此外更可提供繞射法

所無法獲得之氧化態訊息故本研究乃藉由國家同步輻射研究中心

BL20A光束線以進行吸收光譜量測藉比對X光吸收近邊緣結構

(X-ray absorption near edge structure XANES)以得知特定原子氧化價

數與 d-軌域之電子填滿率並可分辨吸收原子所處之晶位對稱性

由於同步20A光束線而言待測樣品可以為晶型或非晶型固體甚至

為液體或氣體因此應用範圍十分廣泛尤其各元素之吸收邊緣能量

少有重疊可調整入射能量至各個元素之吸收區進行掃描以分別偵

測非常適於量測含有多種元素之樣品系統

由圖 339 與圖 341 中兩系列樣品之 O-k edge 吸收光譜指出此二

氧化鈦之 O-K edge 之特徵譜線與文獻中吻合(121)觀察兩系列中於吸

收邊緣之特徵譜線經由 Eu 之摻雜並無明顯位移現象顯示粉體中

O 之價數並明顯變化判斷為低濃度摻雜之故然而放大 528 eV 附

近之特徵峰觀察後發現(圖 340 與圖 342)隨著 Eu 之摻雜量增加

此吸收峰強度亦隨之增強由分子軌域之概念顯示由於 Eu 之摻

雜造成 O 之電子雲轉移散布至 Eu 軌域因此造成 O 電子組態中出

現更多空軌域亦即增加粉體之氧空缺由於 TiO2 摻雜次共價鍵陽

離子(subcovalent cation)造成之氧空缺會形成攔截態(trap state)或雜質

態(impurity state)(122 123)可能形成放光中心影響粉體之螢光性質亦

可能造成電子傳遞時之阻礙

113

531 540 549

0

1

2

3

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux(TBT)O K-edge XAS

圖 339 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

114

5272 5280 5288

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 340 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜局部放大圖

525 530 535 540 545 550

0

1

2

3

Photon Energy (eV)

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux(P25)O K-edge XAS

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

115

5272 5280 5288

Photon Energy (ev)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大圖

116

33 Ti1-xO2Eux3+粉體於染料敏化太陽能電池之應用研究

上述各節已討論 Ti1-xO2Eux3+ 粉體之晶體結構形貌光學電

子組態各種特性本研究藉由此經修飾之二氧化鈦粉體應用於染料敏

化太陽能電池之工作電極材料並藉由其特殊發光特性與結構設計

以提高太陽能電池之效率

331 單層工作電極電池效率量測

未經修飾之二氧化鈦(TiO2)由於其能隙約為32 eV亦即所能

利用之光波範圍僅限於紫外光區域此情況下 TiO2 於一般日照射能

產生電子-電洞對之效率差所展現之光催化活性低應用價值不高

故為提升對太陽光之吸收效率進而提升 TiO2整體光催化效率為當

前一重要課題一般提高效率之方法分為修飾 TiO2表面或晶體結構

以增加其對光波之吸收率與抑制電子-電洞對之再結合TiO2之晶體

中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性質之改變益於光

催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕捉電子或電洞之缺陷

益於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素與 TiO2 共結晶增益對

光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化效果

第一個部分由於本研究透過 Eu3+摻雜入二氧化鈦中於光激發

光譜分析可得知兩系列摻雜 Eu 粉體於藍紫光(394464 nm)激發造成

於 612 nm 處之放光配合染料 black dye 於紅光附近之吸收可提高

染料之額外吸光量進而提高光激發電子之數量以提高能量使用之效

率圖 343 中為 TBT 系列分別取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體與摻

雜 Eu 後發光強度最高 (x = 003)之粉體工作電極材料(分別以 0-TBT

與 Eu003-TBT 表示)組裝電池後量測之光電特性為討論分析其再

現性本研究以相同條件多次組裝電池量測求證結果由表 34 中光

電特性參數得知兩種樣品所得 FF 因子皆達理想電池之表現

117

Eu003-TBT 電池平均效率為 178 而 0-TBT 獲得平均為 234

之較高效率其中短路電流密度(Jsc)從 436 下降至 320 mAcm2為主

要原因以同樣想法將 P25 系列粉體取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體

以及摻雜 Eu 後發光強度最高 (x = 01)之粉體工作電極材料(分別以

0-P25 及 Eu01-P25 表示)組裝電池後量測之光電特性於圖 344 中

顯示由表 35 光電特性參數亦可知 0-P25 平均效率為 189 而

Eu01-P25 為 124 其中短路電流密度從 373 下降至 221 mAcm2

與 TBT 比較同一結構P25 系列之電池效率明顯較小推測仍為

粒徑較大由 BET 之計算可知供染料吸附之比表面積較少因此造

成效率較低針對電池中之工作電極Eu 摻雜後之材料反而效率降

低在此提出可能之機制如圖 345 所示於電子傳遞過程中理

想狀況為光電子迅速由染料之 LUMO 傳遞至二氧化鈦導帶再經由

FTO 導致外電路使用然而由於 Eu 摻雜後之工作電極Eu 所形成之

氧空缺捕捉光電子此時氧空缺類似 trap state因此造成光電子量下

降再者由於被染料激發之光電子到達工作電極時亦可能部分

用以形成 Eu 放紅光之復合電子來源因此亦為光電子量下降之因

可由表 34 與表 35 中經 Eu 摻雜後之工作電極電池光電流之現象得

118

00 02 04 06 08 10 120

1

2

3

4

5

6(TBT)Ti1-xO2Eux

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage (V)

x = 0 231 224 237 233

x=003 176 185 168 182

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 34 TBT 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT 16 074 436 069 234(8)

Eu003-TBT 14 077 320 058 178(2)

119

00 02 04 06 08 100

1

2

3

4

5C

urre

nt d

ensi

ty (m

Ac

m2 )

Voltage (V)

x = 0

189 191 182 193

x = 01 123 125 119 127

Ti1-xO2Eux (P25)

圖 344 P25 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 35 P25 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P25 14 071 373 067 189(2)

Eu01-P25 15 079 221 054 124(3)

120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖

332 雙層工作電極結構

對於提高染料敏化太陽能效率由效率 sc oc inJ V FF Pη = times times 可

知致力於提高其開路電壓 (Voc) 亦為提高效率其中之一方法以

此觀念為基礎之研究例如 Durr 等人(124)於 2006 年利用於原 TiO2上塗

佈 Ti1-xZrxO2與 ZrO2之混合物由於 ZrO2之能隙約為 5 eV相對於

TiO2之 32 eV形成一道位階屏障阻擋傳導至 TiO2傳導帶之光電

子與染料之 HOMO(Highest occupied molecular orbital)或電解質中 I3minus

再復合之機會進而提高光電子傳導致外電路之數量本研究鑑於先

前對於 Eu 摻雜入 TiO2後提高其價帶位階並增加其能隙大小之結

果設計雙層結構以降低光電子再復合之機率因此下一部分實驗

121

因此本研究將利用Eu摻雜對於 TiO2 之粉體與未摻雜 TiO2相異之光

電特性設計出雙層結構工作電極藉以探討對於太陽能電池效率之

影響

3321 雙層工作電極結構電池製作說明

首先說明此雙層結構工作電極之太陽能電池之設計先於十片清

洗完之 FTO 上透過網印塗佈一層未摻雜 Eu 之二氧化鈦電極(約 6~7

μm)經過層溫燒結後再分成兩組各五片其中一組繼續塗佈一層

相近厚度未摻雜 Eu (x = 0)之二氧化鈦電極而另一組則塗佈一層摻

雜 Eu 後發光強度最高(TBT 系列x = 003)之電極再進行層溫燒結

並與第一部分單層結構相同利用四氯化鈦處理後再進行 500oC 燒結

即完成分別以 0-TBT0-TBT 與 Eu003-TBT0-TBT 表示而 P25 系

列樣品亦以相同步驟製得分別以 0-P250-P25 及 Eu01-P250-P25 電

池雙層結構設計圖如圖 346 所示

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖

122

3322 電池效率量測

為探討其組裝之再現性與穩定性本研究亦以相同條件多次組裝

電求證結果圖 347 為 TBT 系列雙層結構電池之電流-電壓圖由表

中可得知0-TBT0-TBT與Eu003-TBT0-TBT平均效率分別為260

與 343 短路電流密度 (Jsc)為 565 mAcm2與 702 mAcm2開路

電壓為 066 V 與 071 V顯見第二層為 Eu 摻雜之二氧化鈦電極效

率短路電流開路電壓皆增加而 P25 系列第二層若為 Eu 摻雜後

之電極由表 36 中可觀察出效率短路電流開路電壓皆增加但

與 TBT 比較同一結構電池效率明顯較小推測仍為粒徑較大

造成染料吸附量較少 圖 349 為 Eu003-TBT0-TBT 雙層結構電極

材料與染料間能隙之相對位置本研究亦藉此解釋效率提高之原因

由短路電流增加之現象可知光電子被利用之數量增加即光電子從

染料之 LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)快速傳導至第二層

Eu003-TBT 再至第一層 0-TBT由於電子於此傳遞過程中之速率與

兩因素相關(1) 染料用以吸附於二氧化鈦之結構種類強度(2) 染

料 LUMO 與二氧化鈦工作電極之傳導帶(conduction band)之相對位

置而透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動

力(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導

帶位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑

或與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機

率增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值Kim 等人於

2008 年之研究中(125)利用二氧化鈦摻雜鉻(Cr)之材料改變原二氧

化鈦之半導體屬性作為屏蔽電極層亦可減少電子再復合機率而提

高效率

而對於開路電壓增加之現象須先瞭解染料敏化太陽能電池運作

123

時之能階變化階原理由Kubo (55)所建立如圖350(a)所示為一DSSC

於未照光之能階圖亦即TiO2染料電解介質面之間不存在電位差

故其費米能階 (Fermai level EF)可視為自由電子所混成之平衡狀態

當DSSC照光後如圖350(b)所示染料吸收光波產生激發之光電子

與電洞之分離同時造成電位差此電位差即為TiO2之CB與染料之

LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)混成能階(Efn)相對染料

之HOMO (Highest occupied molecular orbital)與電解質氧化還原電位

(I-I3-之ERedox)之混成能階(Efn)之電位差(ΔV)而此電位差之最大直即

為光電壓之最大值亦即開路電壓本研究中由於雙層結構第二層

Eu003-TBT傳導帶上移造成與染料之LUMO混成能階上移因此與

染料之HOMO與電解質氧化還原電位(Iminus I3minus之ERedox)之混成能階差異

變大增大電位差因此提高開路電壓值

124

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 100

1

2

3

4

5

6

7

8

9C

urre

nt d

ensi

ty(m

Ac

m2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT 273 258 250 260

Eu003-TBT0-TBT 342 340 339 352

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 36 TBT 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT0-TBT 15 066 565 070 260(8)

Eu003-TBT0-TBT 16 071 702 068 343(2)

125

00 01 02 03 04 05 06 07 08 090

1

2

3

4

5

6

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-P250-P25 195 201 191 189

Eu01-P250-P25 237 214 242 254

圖 348 P25 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 37 P25 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P250-P25 15 066 420 069 194(5)

Eu01-P250-P25 14 070 473 070 237(2)

126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變化(55)

127

3322 雙層工作電極結構電池入射單色光子-電子轉化效率(IPCE)量

為驗證雙層工作電極結構之電池中效率提高原因之論點本實驗

針對電池進行單色光子-電子轉化效率(IPCE)量測透過自動單光濾

鏡控制光源照射電池之波長藉以觀察電池於不同波長之入射光照射

下其外部量子效率展現由圖 351a 及 351b 分別顯示 TBT 與 P25

系列電池所呈現之 IPCE 圖譜譜線趨勢與參考文獻(75)相近其中

Eu003-TBT0-TBT 電池於可見光區之外部量子效率明顯大於

0-TBT0-TBT 所呈現P25 系列亦有相同趨勢結果於橘紅光附近

(610-620 nm) 提升較明顯是否為第二層結構 TiO2 Eu 於 612 nm 部

分放光為 Black dye 所吸收而增加光利用之故仍未確定故本研究

透過工作電極之放射光譜印證乃將製作完成之 Eu003-TBT0-TBT

電池工作電極一部分未浸泡另一部分浸泡染料 black dye 溶液 24 小

時並以無水乙腈沖洗後待至乾燥進行光激發光譜分析(PL)由圖

352 之結果可知未浸泡之工作電極(plain)經過染料浸泡後(black dye)

於 612 nm 之激發光譜幾乎吻合但是放射光強度略為減弱因此可

知第二層工作電極放射之紅光部分中少量為染料所吸收然而由於太

陽光中紫外光部分只佔 5 因此 394 nm 之激發光轉換成紅光比例

相對極為少量因此藉此增加電池效率效果有限因此雙層結構電池

中第二層為 Eu 摻雜之樣品效率提高之因主要仍為 3222 節中所解

釋由於階梯狀能階設計減少電子再復合機率以增加光電子之可使

用量此論點將於下節電化學交流阻抗分析中再次討論

128

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-TBT0-TBT

Eu003-TBT0-TBT

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-P250-P25

Eu01-p250-p25

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖

129

350 400 450 500 550 600 650 700

In

tens

ity (a

u)

Wavelength(nm)

Eu003-TBT0-TBT Plain black dye46

4

394

612

PLE - λem= 612 nm

PL - λex= 394 nm

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作

電極之激發與放射光譜

3323 雙層工作電極結構電池電化學阻抗(EIS)量測

進一步驗證 3321 中雙層工作電極電池不同結構中效率相異之

原因本研究將一系列電池進行電化學阻抗測試測試結果如圖 353

所示經 Z-view 軟體 fitting 之後並參考 Adachi 等人(79)所發展之模

式獲得如表 38 所列參數藉各參數間之比較可瞭解電池於照光

工作時激發光電子於電池中傳遞之情形

由圖 353 阻抗圖譜中Yoshida 等人(77)界定位於中頻區之圖譜意

義為光電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質液介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗因此本研究發現 TBT 系

列中0-TBT0-TBT 中頻區之半圓半徑明顯大於 Eu003-TBT0-TBT

之結果可得知透過雙層結構之設計(圖 349)第二層為 Eu003-TBT

130

之電池其相對能階形成階梯型驅動力之增加明顯降低工作電極

層與層間之傳輸電阻再者亦可證明第二層形成一傳遞屏障降低

傳遞電子與電解液中 I3-再復合之還原作用而 0-P250-P25 以及

Eu01-P250-P25 之間亦具此現象圖 353 中亦可比較 TBT 與 P25 兩

系列明顯其工作電極內電阻之因素亦反應於電池效率結果上

將圖 353 所得電交流阻抗結果透過 Z-view 軟體 fitting 後得到表

38 所列參數先觀察 TBT 系列兩電池可知第二層為 Eu003-TBT

之電池其 keff (電子再結合速率常數)由 315 下降至 247 s-1因此電

子生命週期提升可知驅動力之增加提升電子傳導之動力學參數

(126)加速電子傳遞以減少電子於電極中之停留機率此點可由 Rw (電

子於 TiO2中之傳導電阻)之降低得證再者由 Rk (電子再結合之電

荷傳導電阻)亦為暗反應電阻此值對於電池效率越大越佳

Eu003-TBT0-TBT 電池較 0-TBT0-TBT 由 1603 增加至 1934顯示

第二層為 Eu003-TBT 之電池由於能階結構之設計降低其電子再

復和之機率此論點與交流阻抗圖譜之結果吻合

由於本雙層結構電池之研究皆控制塗佈步驟中之參數以確立

各電池之膜厚皆相近始可討論 Deff (有效電子擴散係數)與 Ln(電子擴

散長度)對於電子傳遞機制之優劣影響(參考式 214215)相較於

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 電池之 Deff有效從 257 x 10-4提

升至 336 x 10-4 cm2s佐證 Eu003-TBT0-TBT 電池具效延長電子壽

命之現象由表 38 中結果得知各雙層結構電池精算後之 Ln長度皆

大於工作電極膜厚確立各系列電池之傳導電子有效為 FTO 導電

玻璃收集而傳遞至外電路使用而 Eu003-TBT0-TBT 之 Ln 值較

0-TBT0-TBT 所得之 Ln值大 以上結果皆顯示第二層為 Eu003-TBT

之電池可有效減少電子因粉體之氧空缺被捕捉而停滯之機率增加

131

之驅動力促使電子可於工作電極中有效而快速地傳遞進而提高光電

轉換效率而關於 P25 系列之討論顯示 0-P250-P25 與

Eu01-P250-P25 之各參數比較與效率結果皆吻合現象解釋與 TBT

系列相同

關於TBT系列與 P25系列之Deff之比較顯示TBT系列之Deff 普

遍皆大於 P25 系列亦具相關文獻(127)指出由於晶相之含量差異亦

會影響此值由於 Anatase 晶相與 Rutile 晶相均為正立方晶系

(Tetragonal system)結構其晶相皆是以 TiO6之八面體存在不同處

為於 Anatase 晶相中其不論 abc 軸方向其八面體間之鍵結均

是以 edge-sharing 之方式存在而於 Rutile 晶相中則為於 ab 軸以

corner-sharing 之方式存在於 c 軸方向以 edge-sharing 之方式鍵結

此結構之差異造成 Anatase 傳導電子之能力較佳此結果於已有之光

觸媒研究已確立因此相較於 P25 系列TBT 系列擁有較純之 Anatase

晶相因此 Deff較大而光電轉換效率亦較高

132

20 30 40 50 60 70 800

5

10

15

20

25

30

Z

(ohm

)

Z (ohm)

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 0-P250-P25 Eu01-P250-P25

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖譜

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數分析

Structure

L

(μm)

keff

(s-1)

τ

(s)

Rk

(Ω)

Rw

(Ω)

Deff

(cm2s)

Ln

(μm)

0-TBT0-TBT 16 315 0032 1603 4987 257 E-04

287

Eu003-TbT0-TBT 15 247 0040 1934 3236 336 E-04 367

0-P250-P25 15 451 0022 1123 7011 164E-04 190

Eu01-P250-P25 14 356 0028 1465 5445 188 E-04 229

133

333 CdSe 敏化雙層工作電極結構電池光電特性分析

由於二氧化鈦其能隙較大(約 32 eV)之故因此可見光中可激發

其電子之波段較窄必須透過窄能隙材料之吸附以增加其對於可見光

之利用除染料以外近年來所發展之量子點材料亦為一具潛力之

敏化物

本研究欲驗證量子點取代Black dye之角色後效率趨勢是否相

同因此取染料敏化實驗中效率較高之TBT系列作為雙層電極結構材

料並以硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物本實驗所合成之硒化鎘測

量其吸收光譜(UV-Vis)可知第一個吸收峰值之對應波長約於554

nm藉由Peng等人(128)所發展之方程式估算出粒子大小(D)可計算粒

徑約為305 nm

D = (16122times10-9)λ4- (26575times10-6)λ3 +(16242times10-3)λ2 - (04277)λ

+ (4157) (38)

其中 λ 為第一個吸收峰值之對應波長

圖 354 為 TBT 系列雙層結構量子點電池之電流-電壓圖由表

39 中0-TBT0-TBT(Plain)與 Eu003-TBT0-TBT(Plain)代表未吸附

CdSe 之電池效率極低分別為 00040 與 00060 而經過 CdSe

之摻雜後[0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)]平均效

率分別提升為為 0047 與 0083 光電流值亦明顯提升顯示量

子點之吸附增加電池對於入射光能量之利用若比較

0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)兩組數據其 FF 值

比染料敏化電池值較為低此為現階段量子點電池之通病亦為效率

一直無法提升之因而第二層為 Eu 摻雜之工作電極效率短路電

流與開路電壓值皆提升此與染料敏化電池系列之趨勢相同表示而

透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動力

134

(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導帶

位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑或

與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機率

增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 1000

01

02

03

04

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT(CdSe) 0045 0046 0049 0049

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 0083 0085 0081 0082

0-TBT0-TBT(Plain) 00040 00043

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 00062 00063

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC (V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

() 0-TBT0-TBT(Plain) 14 043 002 009 00040(2)

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 16 044 003 012 00060(3)0-TBT0-TBT(CdSe) 15 054 025 034 0047(2)

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 16 058 033 037 0083(1)

135

第四章 結論

本研究成功利用不同前趨物以溶膠凝膠法與水熱法之合成方法

製備出兩系列 TiO2Eu3+工作電極材料( TBT 與 P25)以 XRD 等量測

進行材料結構鑑定分析並探討 Eu 摻雜後對於 TiO2之發光特性與電

子組態之影響爾後將材料應用於敏化太陽能電池之工作電極研究

修飾後之 TiO2電極對於電池效率之影響其重要結果如下

(a)本研究以溶膠凝膠法及水熱法藉由 Eu 摻雜成功合成出純銳鈦礦

(Anatase)之二氧化鈦並且由於 Eu-Ti-O 鍵結形成不僅延緩金紅

石(Rutile)晶相生成有較好之光電特性亦限制晶體之成長由於

粒徑越小增加其比表面積因此有效提升太陽能電池染料之吸附

量增加電池之效率表現

(b)以光激發光譜分析樣品得知隨著活化劑 Eu 摻雜量之增加主體

晶格 TiO2 之發光強度隨之增加於高濃度出現濃度淬滅現象而

拉曼光譜亦證實藉由 Eu 摻雜成功延遲煆燒過程中金紅石(Rutile)晶

相生成且增加粉體表面之氧空缺

(c)本研究以紫外-可見光擴散式反射光譜測量 TiO2Eu3+之吸收特性

經由 Eu 摻雜後出現之紅位移現象顯示 TiO2 於摻雜稀土金屬離

子產生能階混成造成能隙縮小增加對於可見光範圍之吸收並以

X 射線光電子能譜儀分析獲知摻雜離子 Eu3+於晶體中位置並以價

帶光譜之量測成功建立樣品之價帶傳導帶能階位置而 X-光吸

收光譜之近邊緣光譜分析得知Eu 摻雜後鍵結中電子轉移造成表

面氧空缺增加

(d)將合成之材料應用於染料敏化太陽能電池之工作電極本研究原

構想欲透過發紅光之 TiO2Eu3+以增加染料 Black dye 於紅光波段

136

之利用然而由光電特性卻發現由於摻雜後氧空缺所造成之雜質

態捕捉光電子由光電流降低之現象證實光電子量減少

(e)為提高染料敏化電池效率本研究利用雙層結構工作電極之設計而

形成階梯式位階排列不僅增加傳遞驅動力亦由於電極屏障生成

以減少電子再復合之機率而短路電流之增加證實此點並透過與

染料能階之混成提高開路電壓值因此整體結果提高電池之效

率而將染料製換為硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物第二層為

Eu 摻雜材料之電池效率亦明顯提升進一步證實此研究構想之

正確性

總而言之本研究合成兩系列 TiO2Eu3+樣品並探討其之晶體

結構特性發光性質以及建立摻雜離子 Eu3+對於其電子組態之影

響且透過雙層結構設計成功提高敏化太陽能電池之效率

137

參考文獻

1 許志偉 陳宏仁 林怡君 and 王立義 有機無機太陽能電池之

現況發展 化工 第52卷 第2期 49-58 民94

2 AJ McEvoy and M Gritzel Sol Energ Mat Sol C 1994 32 3

221

3 A Hagfeldt B Didriksson T Palmquist H Lindstroumlm S Soumldergren

H Rensmo and SE Lindquist Sol Energ Mat Sol C 1994 31

481

4 B OrsquoRegan and M Graumltzel Nature 1991 353 737

5 M Graumltzel Nature 2001 414 338

6 黃建昇 結晶矽太陽電池發展近況 工業材料雜誌 第203期 150

民92

7 httpcdnetstpiorgtwtechroommarketenergyenergy022htm 國

家實驗研究院科技政策研究與資訊中心(Science amp Technology

Policy Research and Information CenterSTPI)

8 M Graumltzel Phil Trans R Soc A 2007 365 993

9 X Chen and SS Mao Chem Rev 2007 107 2891

10 D Cahen G Hodes M Graumltzel JF Guillemoles and I Riess J

Phys Chem B 2000 104 2053

11 D Matthews P Infelta and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C

1996 44 119

12 M Graumltzel J Photochem Photobio A 2004 164 3

13 TN Rao and LJ Bahadur J Electrochem Soc 1997 144 179

14 AB Kashyout M Soliman and M Fathy Mater Chem Phys

2005 90 230

15 P Guo and MA Aegerter Thin Solid Films 1999 351 290

138

16 K Sayama H Sugihara and H Arakawa Chem Mater 1998 10

3825

17 BV Bergeron A Marton G Oskam and GJ Meyer J Phys Chem

B 2005 109 793

18 S Chappel and A Zaban Sol Energ Mat Sol C 2002 71 141

19 K Hara T Horiguchi T Kinoshita K Sayama H Sugihara and H

Arakawa Sol Energ Mat Sol C 2000 115 64

20 B Tan E Toman Y Li and YY Wu J Am Chem Soc 2007 129

463

21 CJ Barbeacute F Arendse P Comte M Jirousek F Lenzmann V

Shklover and M Graumltzel J Am Ceram Soc 1997 80 3157

22 K Kalyanasundaram and M Graumltzel Coord Chem rev 1998 177

347

23 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B

2000 104 989

24 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio RH Baker E Muumlller P

Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem Soc 1993

115 6382

25 G P Smestad and M Graumltzel J Chem Educ 1998 75 752

26 劉茂煌奈米光電池工業材料雜誌 2003203 期 民93

27 MK Nazeeruddin SM Zakeeruddi RH Baker M Jirouse P Lisk

N Vlachopoulos V Shklover CH Fischer and M GraumltzelInog

Chem 1999386298

28 KS Finnie JR Bartlett and JL Woolfrey Langmuir 1998 14

2744

29 C Bauer G Boschloo E Mukhtar and A HagfeldtJ PhysCem B

2002 106 12693

139

30 CG Garcia NYM Iha R Argazzi and CA Bignozzi Inorg Chem

1994 33 5741

31 MK Nazeeruddin M Amirnasr P Comte JR Mackay AJ

McQuillan R Houriet and M Gratzel Langmuir 2000 16 8525

32 MK Nazeeruddin P Peacutechy T Renouard SM Zakeeruddin R H

Baker P Comte P Liska L Cevey E Costa V Shklover L

Spiccia GB Deacon CA Bignozzi and M Graumltzel J Am Chem

Soc 2001 123 1613

33 J Hagaen W Schaffrath P Otschik R Fink A Bacher HW

Schmidt and D Haarer Synthetic Met 1997 89 215

34 N Papageorgiou WF Maier and M Graumltzel J Electrochem Soc

1997 144 876

35 A Kay and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C 1996 44 99

36 S Chen SK Deb and H Witzke US Patent 1978 4080488

March 21

37 M Graumltzel and K Kalyanasundaram Curr SCi 1994 66 706

38 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio R Humphry-Baker E

Muumlller P Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem

Soc 1993 115 6382

39 M Graumltzel AIP Conf Proc 1997 404 119

40 M Graumltzel J Photo Photobio A Chem 2004 164 3

41 L Han Y Chiba and A Islam 16th International Conference of

Photochemical Conversion and Solar Sstorage Uppsala Sweden

2006

42 Y Chiba A Islam and Y Watanabe J Appl Phys 2006 45 638

43 MK Nazeeruddin FD Angelis and S Fantacci J Am Chem Soc

2005 127 16835

140

44 JM Kroon NJ Bakker HJP Smit P Liska KR Thampi P

Wang SM Zakeeruddin M Gratzel A Hinsch S Hore U Wurfel

R Sastrawan JR Durrant E Palomares H Pettersson T

Gruszecki J Walter K Skupien and GE Tulloch Prog Photovolt

Res Appl

45 H Arakawa T Yamaguchi and A Takeuchi 16th International

Conference of Photochemical Conversion and Solar Storage

Uppsala Sweden 2006 W42P210

46 M Spath JV Roosmalen and P Sommeling 3rd WCPEC Osaka

Japan 2003

47 H Tsubomura M Matsumura Y Nomura and T Amamiya Nature

1976 261 402

48 PM Sommeling 2nd WCPEC Vienna 1998

49 CJ Barbe J Am Cera Soc 1997 80 3157

50 K Tennakone J Phys D Appl Phys 1998 31 1492

51 MK Nazeeruddin P Pĕchy and M Graumltzel Chem Comm 1997 36

1705

52 K Hara Chem Comm 2001 68 569

53 角野 裕康 村井 伸次 御子柴 智 東芝レビュー 2001 56 7

54 A Hagfeldt Nano Letters 2001 1 97

55 W Kubo Chem Comm 2002 39 374

56 原 浩二郎 AIST Today 2002 12 14

57 L Vlachopouios J Am Chem Soc 1988 110 1216

58 V Vamathevan H Tse R Amala G Lowb and S McEvoy

Catalysis Today 2002 68 201

59 MI Litter and JA Navio J Photo Photobio A Chem 1996 98

171

141

60 J Yu H Yu CH Ao SC Lee JC Yu and W Ho Thin Solid

Films 1999 496 273

61 W Li Y Wang H Lin SI Shah CP Huang DJ Doren SA

Rykov JG Chen and MA Barteau Appl Phys Lett 2003 83 20

62 R Asahi T Morikawa T Ohwaki K Aoki and Y Taga Science

2001 293 269

63 C Jia E Xie A Peng R Jiang F Ye H Lin and T Xu Thin Solid

Films 2006 496 555

64 M Saif and MSA Abdel-Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360

2863

65 湯友聖 台灣師範大學碩士論文 臺北 民 97

66 RC Ropp Luminescence and the Solid State Elservier Amsterdam

2004

67 H Dieke and RA Satten Am J Phys 1970 38 399

68 httpcaiwiteducnmseliuyu2006pptliuX-rayppt

69 AR West Basic Solid State Chemistry John Wiley amp Sons

Singapore 1991

70 吳泰伯 and 許樹恩 X-光繞射原理與材料結構分析 國科會精儀

中心 台北 民 82

71 httpwwwndhuedutw~nanolabtext93_Ma_II_v2pdf

72 林群哲 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 96

73 賴泓均 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 95

74 S Ito TN Murakami P Comte P Liska C Graumltzel MK

Nazeeruddin and M Graumltzel Thin Solid Films 2008 516 4613

75 H Kusama M Kurashige K Sayama M Yanagida and Hideki

Sugihara J Photochem Photobio A 2007 189 100

76 蕭光宏 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 97

142

77 Y Yoshida S Tokashiki K Kubota R Shiratuchi Y Yamaguchi

M Kono and S Hayase Sol Energ Mat Sol C 2008 92 646

78 JJ Wu GR Chen HH Yang CH Ku and JY Lai Appl Phys

Lett 2007 90 213109

79 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

80 J Lin and JC Yu J Photochem Photobiol A Chem 1998 116 63

81 T Lindgren JM Mwabora E Avendano J Jonsson A Hoel CG

Granqvist and SE Lindquist J Phys Chem B 2003 107 5709

82 H Tang H Berger PE Schimid F Levy and G Burri Solid State

Commun 1993 87 847

83 G Oskam A Nellore RL Penn and PC Searson J Phys Chem B

2003 107 1734

84 MA Anderson MJ Gieselmann Q Xu J Membr Sci 1988 39

243

85 P Ganguly N Shah M Phadke V Ramaswamy IS Mulla Phys

Rev B 1993 47 991

86 JH Li WL Kang WH Yan YH Guo HF Gao and ZH Liu

Acta Phys Chim Sin 2008 24 1030

87 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B 2000

104 8989

88 RA Spurr and H Myers Anal Chem 1957 29 760

89 S Yin H Yamaki M Komatsu Q Zhang J Wang Q Tang F Saito

and T Sato J Mater Chem 2003 13 2996

90 E Setiawati and K Kawano J Alloy Compd 2008 451 293

91 B Zou L Xiao T Li J Zhao Z Lai and S Gu Appl Phys Lett

1991 59 1826

143

92 J Yang ZW Quan DY Kong XM Liu and J Lin Cryst Growth

Des 2007 7 730

93 T Hirai and Y Kondo J Phys Chem C 2007 111 168

94 S Yan J Zhang X Zhang S Lu X Ren Z Nie and X Wang J

Phys Chem C 2007 111 13256

95 G Blasse and BC Grabmaier Luminescence Materials Chap 9

186

96 T Miyakawa and D L Dexter Phys Rev B 1970 1 2961

97 KL Frindell MH Bartl MR Robinson GC Bazan A Popitsch

and GD Stucky J Solid State Chem 2003 172 81

98 DL Dexter JH Schulman J Chem Phys 1954 22 1063

99 T Blasse G Philips Res Rep 1969 24 131

100 L Ozawa and PM Jaffe J Electrochem Soc 1971 118 1678

101 QZ Wang J Tian XH Yang and X Gao J Chin Lumin 1995

16 57

102 YH Zhang CK Chan J Porter and W Guo J Mater Res 1998

13 2602

103 BD Yao YF Chan XY Zhang WF Zhang ZY Yang and N

Wang Appl Phys Lett 1998 82 281

104 D Bersani PP Lottic and XZ Ding Appl Phys Lett 1998 72 1

105 YL Li and T Ishigaki J Phys Chem B 2004 108 15536

106 JC Parker RW Siegel J Mater Res1990 5 1246

107 HC Choi YM Jung and SB Kim Vib Spectrosc 2005 37 33

108 JG Li X Wang K Watanabe and T Ishigaki J Phys Chem B

2006 110 1121

109 T Sreethawong Y Suzuki S Yoshikawa Int J Hydrogen Energ

2005 30 1053

144

110 M Saif and A Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360 2863

111 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2005 247 36

112 AB Murphy Appl Opt 2007 46 3133

113 P Kubelka J Opt Soc Am 1948 28 448

114 DG Barton M Shtein RD Wilson SL Soled and E Iglesia J

Phys Chem B 1999 103 630

115 PA Tanner KL Wong and Y Liang Chem Phys Lett 2004 399

15

116 T Umebayashi T Yamaki H Itoh and KJ Asai Phys Chem Solid

2002 63 1909

117 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2006 247 36

118 X Lai Q Guo BK Min and DW Goodman Surf Sci 2001 487

1

119 FM Liu TM Wang JQ Li C Wang SK Zheng and M Duan J

Magn Magn Mater 2002 251 245

120 W Gopel Surf Sci 1984 139 333

121 AG Thomas WR Flavell AK Mallick AR Kumarasinghe

DTsoutsou N Khan C Chatwin S Rayner and GC Smith Phys

Rev B 2007 75 035105

122 X Wang JG Li H Kamiyama M Katada N Ohashi Y

Moriyoshi and T Ishigaki J Am Chem Soc 2005 127 10982

123 D Vogtender R Poducky J Redinger ELD Habenstreit W

Habenstreit and U Diebold Phys Rev B 2002 65 125411

124 M Durr S Rosselli A Yasuda and G Nelles J Phys Chem B

2006 110 21899

145

146

125 C Kim KS Kim HY Kim and YS Han J Mater Chem 2008

18 5809

126 I Robel M Kuno and PV Kamat J Am Chem Soc 2007 129

4136

127 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

128 W Yu L Qu W Guo and X Peng Chem Mater 2003 15 285

  • Poyu封面
  • 洪柏育-碩士論文摘要-0609-2009
  • Poyu謝誌
  • PoYu Hung-MS Thesis-0625-2009pdf
Page 10: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成

圖 35 TBT系列Ti097O2Eu0033+粉體X光繞射結構精算圖helliphellip73

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜helliphelliphelliphelliphellip75

圖37 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布helliphelliphelliphelliphelliphellip75

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖helliphelliphellip77

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 003helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 80

圖 392 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為 100k

圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)

為 x = 15helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip81

圖 310 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ TEM 圖放大倍率皆為 200kx(a)

x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f)

x = 004 helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip82

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖85

圖 312 TBT系列樣品不同Eu摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip86

圖 313 (a)~(c) P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之BET圖87

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖helliphellip88

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖helliphelliphelliphellip90

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖helliphellip91

圖 317 P25系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL光譜圖helliphelliphellip91

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip92

圖 319 TBT系列Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE光譜圖helliphellip93

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖helliphellip93

圖 321 Ti1-xO2 Eux3+之 log(xEu

3+)對 log(IxEu3+)關係圖helliphelliphelliphellip95

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖hellip97

圖323 P25系列Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖helliphellip99

圖 324 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS光譜helliphellip101

VII

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip103

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip104

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜helliphelliphellip105

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖105

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖106

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphellip108

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip108

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip110

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖338兩系列樣品未摻雜及摻雜Eu3+粉體能隙位階圖helliphelliphellip112

圖 339 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜helliphelliphelliphellip114

圖 340 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip115

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜helliphelliphelliphellip115

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip116

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip119

圖344 P25系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphellip121

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip122

VIII

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

圖348 P25系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖helliphellip127

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變

化helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip127

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作電極之激

發與放射光譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 130

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖

譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip135

IX

X

表目錄

表 11 各類型太陽能電池之比較helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip4

表 2-1 本研究所使用之藥品清單helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip25

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip33

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數hellip73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參

數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip74

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數helliphelliphellip78

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果helliphelliphellip78

表 34 TBT系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip119

表 35 P25系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

表36 TBT系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

表 37 P25系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數

分析helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip135

第一章 緒論

11 前言

聖經舊約創世紀記載著上帝說要有光即有光時至今日太

陽光為地球上最重要且最為豐富之可再生能源亦為人類唯一用之不

盡取之不竭之能量來源每年於地球上之光照能量可達到全球人類

年消耗量之數千萬倍以上由於各類天然能源快速耗竭故有效利用

太陽能轉換成所需之能源成為ㄧ門極為重要之課題各種再生能源中

涵蓋太陽能水力發電風力發電燃料電池以及鋰離子電池等

僅太陽能電池為一種將太陽光直接轉換為電能之光電元件早於1954

年時美國 Bell 實驗室首先提出以矽半導體作為太陽能電池之材

料此一領域於眾多研究學者與工程人員之努力下迄今相關之理論

與技術均已相當成熟且真正地商品化雖然無機半導體-矽太陽能電

池發展至今製程已漸趨穩定但由於對於原料之純度高度要求因此

製備成本難再大幅降低因此各研究單位莫不積極找尋另一低成本

製程簡易之替代材料此為目前使太陽能電池應用普及之發展重點

相較於傳統矽晶材料無機奈米材料具低密度質量輕成本低廉且

可使用一般傳統且發展完備之塗佈方式例如旋轉塗佈 (spin

coating)刮刀塗佈(doctor-blade coating)網版印刷(screen printing)

或近來發展之噴墨印刷 (ink-jet printing)等不需高價位設備之方法來

製備光伏元件 (photovoltaic device)因此不但可簡易地製備不同大

小之元件 並且可大幅提升進一步顯著降低元件成本之機會同時

無機奈米材料可透過分子結構設計例如摻雜金屬離子或是改變其形

貌藉以調整其能階與能隙大小電荷轉移能力電荷傳導速度溶

解度成膜之結晶型態等重要材料特徵另外所吸附之有機分子通

常具高光吸收係數與良好之延展性因而可藉以製備輕薄且可撓曲之

1

攜帶式電池元件(1)色素增感 (dye-sensitization) 之概念源起於19世

紀攝影技術使用色素增感鹵化銀(silver halide)可產生黑與白之感光

膜(photographic films)此被視為關於色素增感半導體之第一個重大

研究(2)然而最早之光電化學使用之平滑電極只有於膜表面吸附之

單層色素才能有效的將電子注入半導體內但此單層色素內光線之吸

收效率極低於多孔性之 TiO2 奈米薄膜內其有效表面積能增加至

1000倍因此要使光線吸收效率增加必須使每一個 TiO2 粒子表面

皆吸附單層色素(3)直到1991年瑞士科學家Graumltzel利用奈米技術改良

工作電極進而開發出高效率(71~79 )太陽能電池稱為染料敏化太

陽能電池 (dye - sensitized solar cellsDSSC) (4)其成果引起全球能

源界之關注以及熱烈投入發展近年來染料敏化太陽能電池澎勃發

展最大原因仍在於簡單製程無須投入昂貴設備無塵室廠房等

設備而二氧化鈦電解質等材料價格便宜亦為關鍵要素此外

DSSC 可使用具可撓曲性基材應用端因此大幅擴張相較於目

前主流矽晶太陽能電池只適用於大型戶外屋頂等少數應用場

合其具較大之應用空間

12 太陽能電池簡介

太陽能電池依照所使用之材料以及製程之不同可分為矽基

型化合物半導體型與有機半導體型三類

ㄧ矽基型太陽能電池(5 - 7)

根據結晶形態矽基型太陽能電池可分為單晶矽(monocrystalline

silicon)多晶矽(polycrystalline silicon)與非晶矽(amorphous silicon)三

類單晶矽之組成原子均按照一定規則週期性排列以單晶矽製

備之太陽能電池轉換效率最高約為24 使用壽命年限亦較長

2

但通常所使用之矽半導體基材純度極高相對地製造成本亦最多

多晶矽是以熔融態之矽鑄造固化而成其矽原子堆積方式不只一

種而是由多種不同排列方向之單晶所組成多晶矽太陽能電池由

於製程簡單故成本較低轉換效率約18-20 非晶矽對光之吸收性

比矽強約500倍只需薄薄一層即可將光子之能量有效地 吸

收其轉換效率雖僅 13-14 然而因為非晶矽不需使用昂貴之

結晶矽基板而用較便宜之玻璃陶瓷或是金屬等基板如此不僅

可以節省大量之材料成本亦提高製作大面積之太陽電池之可能性

(結晶矽太陽電池之面積受限於矽晶圓之尺寸)製造成本為三者間

最低為其最大之優勢故未來亦具發展潛力世界上已有多家公司生

產該種電池之產品例如美國 uni-solarsolarex日本三洋電機

夏普大陸深圳拓日與德國 Schott Solar非晶矽薄膜太陽電池之主

要優點是成本低製備容易但亦存在嚴重缺點即性能不穩定其

光電轉換效率隨光照時間延續而衰減另外非晶矽薄膜太陽電池之效

率亦較低(95 )為提升非晶矽電池效率大多數廠商採用雙層p-i-n

結構(一層非晶矽能階約17 eV與一層微晶矽能階約14 eV堆疊而成)

串接使電池可以吸收各種不同波長之光源達到對太陽光最大利用

進而提升整個之轉換效率

二化合物半導體型薄膜太陽能電池(5 8)

化合物半導體型薄膜太陽能電池則可分為下列幾類Ⅲ-Ⅴ族

[包括砷化鎵 (GaAs) 磷化銦 (InP)磷化鎵銦 (InGaP) ]Ⅱ-Ⅵ

族[包括碲化鎘 (CdTe)硒化銦銅 (CuInSe)]等化合物半導體為直

接能隙材料其能隙於11及16 eV之間與太陽光譜匹配度較佳此

些材料所製作之太陽電池亦都有很高之效率尤其多接面串疊型

(InGaPGaAsInGaAs multijunction tandem cell)之太陽能電池效率甚

3

至可以接近40 然而製作過程中需於真空及高溫下操作使得造價

昂貴且並未大量生產故目前商業市場上仍以矽基型太陽能電池為

三有機半導體型

有機半導體型太陽能電池具成本低廉製程簡易可應用於大

面積化以及具可撓曲性等優點故近年來度受到各界矚目本論文

中所研究之染料敏化太陽能電池(5 9)即為其中之一 然而此系列之

太陽能電池至今尚未量產之主因是在於其轉換效率低高溫穩定性

不佳及大尺寸太陽能板開發等問題因此提高轉換效率與穩定性

則成為目前研究之首要目標

表 11 各類型太陽能電池之比較(5)

4

圖 11a 各類型太陽能電池效率之發展情形(8)

圖 11b 各式種類太陽能電池效率演進圖(16)

5

13 染料敏化太陽能電池

131 工作原理

染料敏化太陽能電池之組成以及此類電池之工作原理與相對能

階位置圖如圖12 所示塗有多孔性奈米結晶性二氧化鈦(porous

nanocrystalline TiO2)之透明導電玻璃(陽極)染料分子吸附於TiO2

上含有Iminus I3minus之氧化還原對(reduction-oxidation couple)電解質塗有

鉑(Pt)觸媒層之相對電極(陰極)所組成於外接負載情況下整個電

池形成連通迴路而產生電流與電壓當太陽光照射至染料而產生激發

電子由於染料分子LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)能階

較 TiO2 導帶高(Ecconduction band)染料激發態電子迅速注入TiO2

導帶中而形成染料陽離子其中 TiO2 不單作為染料支持劑且為電

子之受體與導體雖然少部分電子會經由再結合(recombination)過程

而消失但大部分電子經由導電玻璃而傳導至外電路氧化態之染料

從電解質獲得電子而還原輸出之光電壓為照光下半導體之費米能階

(Fermi level)與電解質氧化還原可逆電對 (redox couple)之Nernst

potential差( )電解液經由相對電極上傳來之電子而被還原(10)如

此整個電路各部分皆得以再生無淨反應生成其持續之光電流由

此產生整個反應表示如下(11)

陽極 S(基態) + 能量( hυ ) rarr S(激發態)helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip照光激發

S rarr S+ + e- (CB)helliphellip染料激發態電子進入TiO2導帶

2S+ + 3 Iminus (電解質) rarr 2S + I3minushelliphelliphellipS再生Iminus消耗

陰極 I3minus+ 2e- rarr 3 IminushelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellipIminus再生

副反應 2e-(CB) + I3minusrarr3 IminushelliphellipTiO2 導帶上之電子與I3

minus結合

其中S為染料基態(ground state)S為染料激發態(excited state)S+

為氧化態染料離子(oxidized state)

6

圖 12 染料敏化太陽能電池結構示意圖(12)

圖13 為染料敏化太陽能電池各層間反應時間示意圖當染料經

照光後激發態電子注入 TiO2 導帶於 pico-second 範圍而結合過

程則約發生於 micro-second 之時間因此前者電子傳遞速率約為後

者之103倍甚至可達106倍故形成光誘導電荷分離之動力學基礎可

見光誘導分離非常有效造成淨電子流出此外電子之生命週期(life

time)與擴散係數(diffusion coefficient)決定電子之擴散長度(diffusion

length)電子於多孔膜中傳遞並不如在單晶中快故必須盡可能減少

電子行走路徑與穿越晶體界面數因此存在有一最佳膜厚對應最

大光電流值最後染料之還原反應發生於 nano-second 範圍

速率快於結合過程而能迅速消除電洞符合目前太陽能電池所要求之

7

條件形成此種快速轉移之機制乃因分子軌域之電子波函數與TiO2

導電帶之電子波函數造成耦合現象詳細之傳遞過程可以由量子力學

方法計算

圖 13 染料敏化太陽能電池各反應動力學比較示意(12)

132 染料敏化太陽能電池各部分介紹

1321 奈米結晶多孔膜電極 (nanocrystalline porous electrode)

奈米半導體光陽極材料(如TiO2)具重要地位其結構與性能直接

影響與光敏染料分子之匹配及接受染料分子注入電子之效率與光電

池之開路電壓一般染料敏化太陽電池對半導體光電極有如下要求

具比較大之比表面積以吸附更多染料分子適當導電帶能階以使與染

料激發態相匹配提高激發態染料朝向半導體電極注入電子之效率

較高之費米能階以提高電池之開路電壓較小之電阻率促使電池之內

阻減小由於 TiO2 具安定無毒穩定性高且便宜等優點故最為

被廣泛研究其他材料如 ZnO (1314) Nb2O5(1516)SnO2

(1718)In2O3(19)

8

以及二元材料Zn2SnO4(20)等都曾被研究然而電子注入效率之高低仍

須考慮染料分子與半導體結晶結構之特定方向鍵結 各研究致力於發

展相搭配之染料目前仍是以 TiO2 為主流材料天然之二氧化鈦

有三種結晶型態即銳鈦礦型(Anatase)金紅石型 (Rutile)與板鈦

礦型(Brookite)主要是由於鈦原子與氧原子排列不同而形成相異結晶

構造於此三種結晶型態中銳鈦礦型與金紅石型皆具光催化能力

銳鈦礦型與金紅石型二氧化鈦之共價帶電位很高經光照射後所生成

之電洞具極強之氧化能力 再者銳鈦礦型之傳導帶電位比金紅石型

高造成銳鈦礦型之能隙大於金紅石型(銳鈦礦型約為33 eV金紅石

型約為31 eV)受光激發至傳導帶之電子較不易回復至價帶因此

其電子具較強還原能力綜合上述可知銳鈦礦型二氧化鈦具較高催

化活性之因

染料敏化太陽能電池之一項重要關鍵技術即是引入高粗糙因

子 (roughness factor)之多孔性海棉狀(sponge-like)半導體電極結構

其目的除使染料大量吸附外並且提供適當孔洞大小供電解質擴

散薄膜電極材料之製作一般可區分為下列兩種略述如下

方法一(21 22)

瑞士教授 Graumltzel 之研究群乃利用溶膠-凝膠(sol-gel)之方法獲

得具結晶性與高比表面積之奈米顆粒依此法所得之顆粒最終型態是

受到環境之合成條件影響例如水解與聚合之酸鹼度溫度前驅物之

化學性質溶劑觸媒濃度等均扮演著重要角色以下粗略描述製作

步驟及其對應之環境與影響

I 水解 (Hydrolysis)此步驟牽涉 Ti(IV)鹽類之水解控制前驅物之

選擇可以為四異丙氧基鈦 (titanium isopropoxide) 或四氯化鈦

( TiCl4)並於 01 M HNO3 之酸性環境下進行水解使所得之膠體

9

粒子能均勻分散並且穩定懸浮於液體中實驗證明於相當高之水與

鈦比例下不論是逐滴加入(dropwise)抑或是全加(one shot)皆不

影響最後產物型態(22)

II 膠溶作用(Peptization)此步驟於 70-100oC 下持溫數小時除使

膠體粒子相互連結形成高交集度粒狀結構凝膠外同時亦因能量之提

供而破壞凝團聚集(deagglomeration) 之情形(22)結晶化亦於此時發

生顆粒亦同時微幅成長

III水熱成長(Hydrothermal growth) 此步驟之目的乃於高溫之環境

下藉由奧斯瓦特熟成過程 (Ostwald ripening) 將小顆粒溶解並進一

步成長為較大之結晶顆 粒溫度改變不僅影響最終之顆粒大小

同時亦將影響最終多孔膜之平均孔徑此外Rutile結晶相亦會於較高

溫時形成文獻(23)指出Anatase相顯示較佳之電子傳輸速率與生命週

期一般是以Anatase相為主而Rutile相之反射係數顆粒均比Anatase

相大導致生成之薄膜不具透明性但可使入射光能於多孔膜內多次

反射而被有效利用因此亦有相關研究作為太陽能電池電極為10 μm

厚並有部分Rutile相之 TiO2 多孔膜為主(21)

方法二(24 25)

利用商業化二氧化鈦粉末 (Degussa P-25為 70 銳鈦礦

(anatase)30 金紅石(rutile)之混合物粒徑約24 nm比表面積約

50 m2g)加入乙醯丙酮(acetyl acetone)或 HNO3 用以預防粒子聚

集以及添加介面活性劑用以降低表面張力以利塗佈

最後將上述方法所製得之二氧化鈦粉末與凝聚劑(binder)充分

混合利用刮刀成膜(doctor blade)之方式將上述膠態溶液塗佈於導

電玻璃上經 450oC 煆燒30分鐘後使顆粒彼此間經燒結聚同時與

導電玻璃間形成良好之電接觸(electronic contact)凝聚劑於此步驟

10

中被燒掉而遺留下孔洞完成粗糙因子約為1000之多孔膜(roughness

factor = 總表面積投影表面積) (24)值得注意之為不同煆燒溫度與

時間亦將影響最終孔徑分布進而影響電解質擴散與電池之效率表

現此外亦有利用網板印刷(screen printing)熱分解噴鍍技術(spray

pyrolysis deposition)等應用於大量生產之方式溶液之配方需做進一

步調整才能適用

1322 染料(dye)

染料為染料敏化太陽能電池中之重要組成部分在近 20 年之研

究中已嘗試合成 900 多種之染料並應用於染料敏化太陽能電池

但其中只有一小部分具良好之光敏化性能其中主要是釕(Ru)之多

吡啶錯合物而染料性能之優劣將直接影響到染料敏化太陽能電池

之光電轉換效率前述提到要藉由光激發二氧化鈦而產生反應須要

低於 388nm 之紫外光但紫外光所佔太陽光能中只有 5 是故必

須利用太陽光能占最高比例之可見光而染料能夠幫助二氧化鈦之吸

收波長提高至可見光區因此染料能藉由可見光之激發驅使電子躍遷

至二氧化鈦半導體電極並接受來自電解質之電子還原而一般染料

必須符合以下幾點條件(26)

(1) 緊密吸附於二氧化鈦表面亦即為能夠快速達到吸附平衡且不

易脫落故染料分子母體中一般應該要含有易與奈米半導體表面結

合之基團如-COOH-SO3H-PO3H2如染料上之-COOH 官能基

會與二氧化鈦膜上之-OH 官能基形成成酯類而增強二氧化鈦導帶

3d 軌域與色素染料 π軌帶電子之耦合使電子轉移更為容易

(2) 對可見光具很好之吸收特性即是能吸收大部分之入射光

(3) 其氧化鈦(S+)與激發態(S)要具較高之穩定性與活性

11

(4) 激發態壽命足夠長並具很高之電荷(電子電洞)傳輸效率

(5) 具足夠之激發態氧化還原電位以保證染料激發態電子注入二

氧化鈦導帶

(6)氧化還原過程(包括基態與激發態)中要有相對較低之位勢使

初級與次級電子轉移過程中之自由能損失最小

以釕之多吡啶錯合物為主之染料敏化劑為藉由吸附於二氧化鈦

表面其提供主要光子吸收與隨後發生電子注入之步驟典型釕之多

吡啶錯合物化學結構最早是由 Graumltzel 團隊所發現此類型染料因其

具較強之可見光吸收能力良好光電化學性質激發態穩定性高及與

二氧化鈦表面具強之連結作用力且可接受約 5x107 次氧化還原反

應因此成為廣泛使用之染料敏化劑如圖 14~16 之結構(27)N719

光敏染料於 535nm395nm 有最大吸收峰N3 dye其吸收光之

範圍可達可見光區從 400 nm~800 nm全質子化 N3 dye 於 538

nm398 nm 有最大吸收峰(28)Black Dye為目前最具效能之染料

其吸收光範圍涵蓋可見光且可達近紅外光區(900nm)單一質子化

Black Dye 於 610 nm413 nm 有最大吸收峰於拉曼振動光譜研究

中亦指出單一質子化 Black Dye 與二氧化鈦之表面鍵結與 N3 Dye

相同是由螯狀雙牙配位 (Chelate Bidentate)或架橋配位 (Bridging

Bidentate)型式與二氧化鈦配位鍵結其差別在於 Black Dye 乃以

COOmacr與 TBA+與二氧化鈦產生配位鍵結(29)然而以上此些染料可於

可見光與近紅外光區具吸收主要可歸因於金屬-官能基電荷傳遞

(Metal-to-Ligand Charge TransferMLCT)之性質由金屬(Ru)之電子

傳遞至位於外圍之羧基化吡啶配位鍵之 π 反鍵結軌域之後在少於

100 fs 時間內將電子傳入二氧化鈦之導帶(30-34)因此理論上光子轉換

為電子之比例可達至 100本研究所使用之染料 N719 與 black dye

12

之吸收光譜比較圖如圖 17 所示

圖 14 N3 染料之化學結構式(27)

圖 15 N719 染料之化學結構式(30)

13

圖 16 Black dye 染料之化學結構式(29)

圖 17 Black dye 染料與 N719 染料吸收光譜比較圖(31)

1323 電解液(electrolyte)

目前 DSSC 依其結構與研究使用目的不同亦搭配相異種類之

電解質液態電解質溶膠-凝膠(準固態)電解質與固態電解質本研

14

究所使用之液體電解質由於其擴散速率快光電轉換率高及組成成分

易於設計調整且對於奈米多孔膜滲透性佳故一直廣泛研究但

存在著許多問題(1) 傳統碘離子 (IminusI3minus) 電解質溶液之有機溶劑多

半有毒性其滲漏與揮發問題需解決(2) 實際於長期日照下應用之

發電穩定性與熱穩定性有待加強(3) 嚴密封裝需求將提昇製程成

本(4) 柔軟材質上應用困難(5) 有機溶劑對染料吸附之不利影響

以上問題於應用上均造成某種程度阻礙一般電解質都須具高極性有

機溶劑作搭配於液態電解質濕式元件中會選擇如乙烯碳酸鹽

(ethylenecarbonate)乙腈(acetonitrile)丙烯碳(propylenecarbonate)

之混合溶劑而電解質之選擇有I2LiIKITerapropylammonium

iodideTertabutylammoniumiodide 等Graumltzel 等人(32)以black dye為

染料06 M dimethylpropylimidazolium01 M I201 M LiI 與05 M

4-tert-butylpyridine 為電解質 (溶劑為methoxyacetonitrile)於 100

mWcm2強光下光電轉換效率為104 碘化物中陽離子常用的為

咪唑銨(imidazolium) 類陽離子或鋰離子(Li+)Imidazolium 類陽離子

可以吸附於奈米 TiO2 表面阻絕了 I3minus 與 TiO2 表面之接觸因此

抑制導帶電子與 I3minus 於 TiO2 表面結合使電池輸出功率與光電轉換

效率得以明顯提升由於 imidazolium 陽離子之體積大於鹼金屬離子

體積只要增大碘鹽中陽離子體積即易導致陽離子對 Iminus 束縛力減

弱一方面可以提高碘鹽於有機溶劑之溶解度進而提高 Iminus 濃度

另一方面亦因陽離子對 Iminus 之束縛力減弱Iminus 還原活性及於有機溶劑

之遷移率亦增強上述兩者均有利提高氧化態染料再生為基態染料之

速率(33)當電解質溶液中加入小體積 Li+ 時若 Li+ 濃度很小此

時 Li+ 主要是吸附於 TiO2 表面上若 Li+ 濃度增大則 Li+ 於

TiO2 表面吸附與嵌入 TiO2 膜內兩種情況共存此種情況之 Li+ 可

15

與傳導帶電子形成電子對 Li+- e-由於 Li+- e- 電子對既可於 TiO2

表面遷移亦有可能脫離 TiO2 表面遷移此將明顯減小導帶電子於

相鄰或不相鄰鈦原子之間之傳輸阻力及距離可知於電解質中加入

Li+可大幅改善電子於 TiO2 之間之傳輸進而提高染料敏化太陽

能電池之光電流(33)

1324 相對電極(counter electrode)

相對電極於染料敏化太陽能電池中扮演快速還原I3-之角色有效

觸媒催化劑極具必要性目前白金(Pt)觸媒最為被廣泛利用但其對

於光電效率表現程度(動力學常數化學穩定度附著穩定度)深受製

作方法所影響如電化學法 (electrochemically) 與蒸鍍法 (vapor

deposited)上述兩製作方法由於穩定度不佳與還原能力不好而不適

用濺鍍法(sputtering)目前最為被廣泛利用(此亦為本研究白金電極之

製作方法)其穩定性佳製作程序簡便卻須消耗較多白金而不適用

於大量生產Papageorgiou等人則發展出熱沉積(thermal decomposition)

法(34)此方法不僅大量減少白金使用量於動力學參數化學穩定性

機械強度及透明性上皆有其優異之處只是做法上較為麻煩此外

Kay與Graumltzel亦發展利用多孔性碳(porous carbon)做為觸媒層(35)此觸

媒層為碳黑(carbonblack)石墨奈米結晶性 TiO2 粉末混合物碳

黑可連接分離之石墨片進而提高導電度TiO2 則作為黏著劑(binder)

用此項技術之最大優點在於成本花費降低然而目前效能仍較白金

觸媒差

133 染料敏化太陽能電池之文獻回顧與發展現況

於1978 年美國專利發表第一個最先使用染料敏化 TiO2 來轉換

太陽光能之元件(36)TiO2 為寬能隙 n 型半導體對空氣及水有穩定

16

之抗氧化能力(4)然而電極為寬能隙半導體係為延伸於太陽光中可見

光區域之光譜應答但仍必須與染料高濃度掺雜此專利染料使用為

N-methylp- henaziniumion此使 TiO2 光譜響應延伸至500 nm然而

此專利中所組裝之元件轉換效率相當低且穩定性亦有待商榷直到

1991年瑞士洛桑高等工業學校(Ecole Polytechnique Federale de

LausanneEPFL)之 Graumltzel 與 OrsquoRegan 發展染料敏化奈米薄膜太

陽電池取得重大之突破(43738)電極為奈米多孔TiO2使用更穩定更

有效率之過渡金屬 Ru 等有機化合物染料其光電轉換效率可達 71

而於 1997年其轉換效率達至10 ~ 11 (39)澳大利亞國際永續技

術公司(Scientific and Technical InformationSTI)徳國 INAP (Institut

fuer Angewandte Photovoltaik Solarpunkt ) 研究所荷蘭國家能源研究

所(Energieonderzoek Centrum NederlandECN)日本日立公司日

本富士公司瑞典 Uppsala 大學瑞士 Leclanche SASolaronix

等公司均於產業化研究中已取得較大之發展 過去10年中全世界各

主要實驗室與公司於不同面積太陽電池上取得不同光電轉換效率其

中瑞士 EPFL 與日本夏普公司於小面積(面積小於1 cm2)電池上獲得

超過 11 之光電轉換效率(40-43)ECN 於條狀電池(1~5 cm2)上達82

(有效面積236 cm2) 之光電轉換效率瑞士EPFL(44)日本Sharp公

司Arakawa等(45)於條狀電池(1~5 cm2 ) 上取得與小電池(面積小於1

cm2)相當之轉換效率101 (131 cm2)104 (1004 cm2 ) 與99

歐盟 ECN 研究所取得面積大於1cm2電池效率最高紀錄 (815 (25

cm2)58 (100 cm2) 平均45 ) (46)由於DSSC電池之特殊性大

面積電池之研製與產業化一直是該電池研究難點目前澳大利亞

STI 公司建立世界第一個亦為迄今獨一無二面積 200 m2 之染料敏

化奈米薄膜太陽電池平面屋頂亦顯現出未來工業化之前景該結果

17

使人們對產業化染料太陽能電池之性能極具信心 2002 年美國

Konarka 公司亦投入 1350 萬美元對以透明導電高分子等軟性薄膜

為導電極之染料敏化奈米薄膜太陽能電池進行產業化與實用化研

究該研究是基於美國軍隊對軟性與移動性較好能源轉換之應用要

求故得到美國軍方大力支持因此於能源危機之促使下全球研

究單位莫不藉由改善DSSC各部分之特性以提高效率或設計其結構

以增其實用性

圖 18 DSSC 研究發展時程回顧(4 22 24 40 47-57)

14 二氧化鈦摻雜元素材料之研究

TiO2 之晶體中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性

質之改變易有助於光催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕

18

捉電子或電洞之缺陷有助於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素

與 TiO2 共結晶添加之過渡金屬亦將於光觸媒之傳導帶與價帶之間

形成新獨立能階因此可以較低之能量使電子激發進而擴大激發光

源之使用增益對光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化

效果通常摻雜元素之量(濃度)低時較有利光觸媒活性太高會大幅

改變 TiO2 原有特性每種元素之摻雜有其特定最佳化條件

Vamathevan 等人(58)配製含 Fe3+ 或 Ag+ 之摻雜改質二氧化鈦

以蔗糖之光氧化分解成二氧化碳以進行光觸媒催化活性評估結果顯

示添加之銀離子與鐵離子皆有一最適劑量分別為銀(20 atom )

與鐵(10 atom )於最佳金屬添加量比例之外銀改質型觸媒之

催化活性會略為降低故近年來研究發現 Fe3+ 為有效之摻雜離子

(5960)Li等人(61)利用有機金屬化學氣相沈積法(metal organic chemical

vapor deposition MOCVD ) 以 四 異 丙 氧 基 鈦 (Titanium

tetraisopropoxide TTIP)和 (CH3COCHCOCH3)3NdxH2O作為前驅

物以製備摻雜 Nd3+ 之改質二氧化鈦結果顯示隨著Nd3+摻雜量

之增加改質後之二氧化鈦觸媒於可見光波長範圍之吸收能力亦隨之

增加

除此之外其他如 Mo5+Ru3+Os3+Re3+Cr3+V4+與Rh3+

以及非金屬元素N (62)之摻雜等此方面研究近年來引起相當多投入

關於稀土離子摻雜進入一般陶瓷材料之研究已進行幾十年然而近幾

年始開始出現對於稀土原子摻雜進入半導體材料之研究將Tb3+摻雜

入TiO2 粉末或是薄膜中確實可以發出綠光(6364) TiO2中分別摻雜

Eu3+Tb3+Sm3+可以明顯觀察不論摻雜之稀土元素種類改變其

相皆與純之TiO2相符合證明摻雜稀土元素進入TiO2並不會改變其原

有之結構也因而不會因此改變TiO2原有之結構特性但卻可以影響

19

其電子組態與能階分布進而改變其光電特性目前故有稀土原子摻

雜進入半導體材料之研究皆只探討其發光機制與少許光觸媒特性分

析對於直接於太陽能電池電極之應用仍極為少數

141 TiO2Eu 粉體發光特性說明(65)

針對本實驗合成之工作電極材料雖發光強度無法與商用紅色螢

光粉比擬但仍為一無機螢光體主要由主體晶格(host lattice簡稱

H)與活化劑(activator簡稱 A)兩者所構成之其化學式一般以 HA

表示活化劑因可能取代主體晶格中特定離子位置稱為摻雜劑

(dopant)

1411 主體晶格(Host)

主體涵蓋一個或數個陽離子與一個或數個陰離子結合而成一般

主體於光激發過程中所扮演之角色為能量傳遞者而主體中之陽離子

或陰離子必須不具光學活性(optically inert)如此能量之放射與吸收

均於活化中心進行陽離子之選擇條件須具如惰性之電子組態(如

ns2np6d10)或具封閉之外層電子組態(如 f0f7f14)故不具光學活性

圖 19 為週期表中可作為螢光體主體之陽離子分布圖主體之選擇對

發光強度與光譜特性影響極大其中活化劑離子所進入晶格位置之

點對稱(point symmetry)與配位數(coordination number)以及所取代主

體離子之半徑大小均決定發光之行為

20

圖 19 主體晶格之陽離子分布圖(66)

陰離子團之選擇有二一為不具光學活性之陰離子團如圖

110另一則為具光學活性(optically-active)可充當活化劑之陰離子

團如圖 111後者通稱為自身活化(self-activated)之螢光體如

CaWO4YVO4等此為週期表中可作為螢光體主體晶格之陰離子

圖 110 主體晶格中不具光學活性陰離子團分布圖(66)

21

圖 111 主體晶格中具光學活性陰離子團分布圖(66)

1412 活化劑(Activator)

活化劑一般分成兩類陽離子團與陰離子團前者須具正確之價

數後者須具自身活化能力且可產生電荷轉移作為活化劑之陽離子

一般具 (nd10)((n+1)s2) 電子組態此類呈現高放光效率或半填滿軌

域如Mn2+Fe3+等如圖 112此外活化劑之添加本質上屬於

取代缺陷故活化劑與主體陽離子之大小須相近如相差太多將造成

晶格之扭曲故活化劑之種類與主體內之添加取代量即受到限制

圖 1 12 活化劑之陽離子團分布圖(66)

22

本研究採用之活化劑為稀土離子(67)其發光特性取決於稀土離子

Eu 4f 殼層電子性質稀土離子之電子躍遷主要具以下兩種形式(1) f

- f 躍遷(2) f - d 躍遷多數三價鑭系離子發生於內層之 4f - 4f 能階

躍遷根據選擇律此種l = 0 之電偶極躍遷原屬禁戒(forbidden)

但因 4f 組態與反對稱之組態 g 或 d 發生混合使原屬禁戒之 f - f 躍

遷成為允許(allowed)且 4f 殼層上之電子受外殼層 5s24p6 之遮蔽效

應故其 f - f 能階躍遷特徵如下

(1) 發射光譜呈線性譜線強度較弱

(2) 主體晶格(host)對發射波長影響不顯著

(3) 濃度與溫度淬滅變小即使於 400~500仍可發光

(4) 螢光壽命較長

15 研究動機與目的

本論文研究基於之前眾多之成果所建立之理論基礎提出一將稀

土元素摻雜入 DSSC 之工作電極中之創新構思欲藉由類似螢光粉之

觀念於主體 (host) 中摻入活化劑 (activator) 再經由特定波段之

激發產生放光之過程放射光之波長取決於主體與活化劑之搭配此

概念之目的是要增加染料敏素之吸收率進而提升整體之效益而所

需放射之光取決於染料敏素之 IPCE(incident-photon-to-current

conversion efficiency) 值於何處有最大值關於稀土離子摻雜進入一

般陶瓷材料之研究已進行幾十年近幾年則開始有對於摻雜進入半導

體材料之研究而先前眾多研究只探討其光觸媒特性並無應用於染

料敏化太陽能電池之顯著成果其中 Eu3+具非常好之紅色可見光發光

性Eu3+離子吸收波長 300 ~ 450 nm 左右之太陽光後其內層 4f ndash4f

軌域間之轉換將可放射出 593 nm (5D0 rarr 7F1) 612 nm (5D0 rarr 7F2)

650 nm (5D0 rarr 7F3)與 697 nm (5D0 rarr 7F4)紅光範圍之可見光Black

Dye 其 化 學 名 稱 為 【 thithiocycanato 44rsquo4rdquo-tricarboxy

23

31-22rsquo6rsquo2rdquo-terpyridine ruthenium(II)】(RuLrsquo(NCS)3 Complex)且其於

610 nm 與 413 nm 有最大吸收峰且其 ICPE 值於 400~600 nm 範圍

可達 80 恰位於 Eu3+之最強放光處故研究是否可藉由此放光增

加染料之吸收進而提升激發電子量再者稀土元素之摻雜並不會

破壞原有之晶體結構卻可影響其電子能態或原子結構調整其能

隙故本研究亦透過設計雙層結構之工作電極使各層工作電極傳導

帶之相對位置更有利於電子之傳遞以增加激發電子傳導速率並

減少電子再復合機率提升太陽能電池之效率

24

第二章 實驗步驟與儀器分析方法

21 化學藥品

本研究使用之藥品皆為試藥級之純度故使用前不須進行再純化

之步驟其來源與名稱如表 2-1 所示

表 2-1 本研究所使用之藥品清單

玻璃基板

FTO 導電玻璃 [ SnO2F TCO ] Solaronix TCO22-15

15 Ωsq

編號 藥品 廠商 純度

(1) 氧化銪 [ Eu2O3 ] Sigma-Aldrich 999

(2) 鈦酸四丁酯 [ Ti(OC4H9)4 ] Acroros 99

(3) 二氧化鈦 [ TiO2 ] Degussa P25 NA

(4) 硝酸銪 [ Eu(NO3)35H2O ] Sigma-Aldrich 998

(5) 碘 [ I2 ] Merck 98+

(6) 碘化鋰 [ LiI ] Merck 98+

(7) 4-特-丁基呲啶 [ C9H13N ] Aldrich 99

(8) 第三丁醇 [ (CH3)3COH ]JTB 998

(9) 四氯化鈦 [ TiCl4 ] Aldrich 999

(10) 無水乙醇 [ C2H5OH ] Riedel-de Haeumln 998

(11) 乙腈 [CH3CN] Fluka 99

(12) 乙基纖維素[Ethyl cellulose] Fluka 99

(13) 松油醇[C10H18O]terpineol Fluka NA

25

(14) 丙酮 [ CH3COCH3 ] Riedel-de Haeumln 99

(15) 甲醇 [ CH3OH ] Fluka 998

(16) 己烷 [C6H14] Riedel-de Haeumln 99

(17) 氧化鎘 [ CdO ] 林 純藥工會株

式會社 99

(18) 油酸 [ C9H18C8H15COOH ] Aldrich 90

(19) 1-十八烷烯 [ C18H36 ] Aldrich 90

(20) 三正辛基膦 [ (C8H17)3P ] Alfa Aesar 90

(21) 硒粉 [ Se ] ACROS

995

(22) 巰基丙酸 [ HS(CH2)2COOH ] Fluka

99

(23) 四甲基氫氧化銨 [ (CH3)4NOH ] Fluka

25 wt

本研究所採用之二次去離子水為經 Millipore 公司之 Milli-Q 純水系統

所處理其電阻值為 18 MΩ-cm

22 合成方法

221 溶膠凝膠法 (Micelle and sol - gel)

此方法乃利用水油與介面活性劑之三元體系所形成之混合溶

液利用其極性相近物質之相互聚集為理論基礎其中之介面活性劑

將扮演不相容物質彼此間之橋樑其中量少之一方將以微胞或微乳液

之形式存在微胞之形狀將隨著加入試劑之濃度差異而形成各種不同

26

形狀所選取之反應物須存在於微胞中而形成溶膠以利進行凝膠化

之反應於微胞中溶膠 (Sol) 之定義為極小之膠體粒子因凡得瓦

爾力與電雙層作用下產生布朗運動而均勻分散於系統中而形成所

謂溶膠與凝膠 (Gel) 為經過水解 (Hydrolysis) 與縮合 (Condensation)

反應後分子單體經由鍵結而逐漸形成大分子之凝膠狀態溶膠‐凝

膠法之基本步驟為利用金屬醇化物或金屬鹽類溶於水或醇類等溶劑

中進行水解與縮合反應所形成之凝膠產物之性質及結構與製備過程

之條件具密切之關係例如反應原料之種類濃度溶劑溫度

壓力pH 值等因素溶膠-凝膠法於形成薄膜與塊材方面具顯著之優

點且溶膠易形成摻雜故可製備均勻分布及可調性之多種複合材

料介面活性劑之功能為抑止成長中之晶體持續成長故控制微胞之

形狀即可改變晶體之形狀首先須控制溶液中之相對組成與溫度才

能達到形成微胞之條件且微胞之尺寸均於微米級以下故此微胞可

視為一種微反應器總而言之溶膠凝膠為一種膠狀懸浮液藉由膠

化作用得到固體其產生之多孔性凝膠可藉由化學方法之純化及高溫

退火之程序得到高純度與高結晶性之氧化物

222 水熱法 (Hydrothermal)

水熱法為於液相中配製超奈米材料之濕化學方法研究之溫度

範圍於水之沸點與臨界點(374oC)之間一般反應過程中維持100 ~

250oC之溫度與03 ~ 40 MPa之蒸汽壓之高溫高壓環境下反應溶劑

因高溫高壓條件下而達到其臨界點時對固體物質之溶解度增加

因而達到加速反應進行之效果此方法可提供製備一維奈米材料之新

途徑水熱法具下列幾項特點(1) 利用水熱法可直接於溶液中合

成粉體(2) 於大部分之水熱過程中長晶之程序已經完成故不須

再經過煅燒(3) 利用溫度之調變可控制粉體之尺寸(4) 利用不同

27

之起始物可得不同型態之粉體故水熱合成法可製備之材料相當廣

泛涵蓋金屬氧化物複合氧化物等數十種粉末合成之粒子大小

範圍介於01微米至幾十微米經過濾洗滌與乾燥等過程獲得之

晶體其結晶性佳團聚情況少產率高與較窄之細微性分布因此可

得純度高且細微性均勻之各類材料

23 實驗流程

本研究以兩種不同前趨物與合成方法製備 TiO2Eu3+ 之工作電極材

料分述如下

231 TPT[鈦酸四丁酯Ti(OC4H9)4 Tetrabutyl titanate]系列

此系列之奈米粒子為透過溶膠凝膠法後經水熱法及燒結而成首

先按所需之化學配比 (stoichiometry) 秤取適量之 Eu2O3並置入 100

mL 之三頸瓶中加入 9 mL 之 1 M 硝酸溶液60 mL 之去離子水(使

整體之 pH 值小於 2)激烈攪拌 30 分鐘再緩緩滴入適量配比之鈦

酸四丁酯 Ti(OC4H9)4 (Tetrabutyl titanateTBT)並激烈攪拌 1 小時

上述溶液之溫度控制於 80oC 並持續攪拌進行迴流程序時間為 10 小

時再置入 125 mL 之鐵氟龍 (telfon) 杯中並封入不鏽鋼壓力釜

(autoclave)進行水熱法溫度控制於 227oC時間為 12 小時可得白

色之膠體再以酒精反覆沖洗後於高溫 500oC 下退火 6 小時即可

得 TiO2Eu3+白色奈米粒子詳細合成流程如圖 21 所示

28

Eu2O3 and 9 mL aqueous nitric acid (1M) solution are added to 60 mL DI water with pH lt2

After vigorously stirring for half an hour 10 mL tetrabutyl titanate Ti(OC4H9)4 is slowly dripped into the above solution with vigorous stirring for 1 h

The mixture is then heated to 80oC with continual stirring for 10 h

Hydrothermal treatment in the autoclave at 227oC for 12 h

After repeatedly washing with ethanol the white slurry is annealed in air for 6 h at 500oC

圖 21以溶膠-凝膠法與水熱法合成TBT系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

232 P25(Degussa P25 TiO2)系列

按適量之化學配比秤取商用之二氧化鈦粉末(Degussa P25)與

Eu(NO3)35H2O置入裝有 30 mL 去離子水之 100 mL 燒杯中室溫

下激烈攪拌 2 小時將上述之白色溶液置入 125 mL 鐵氟龍 (telfon)

杯中並封入不鏽鋼壓力釜 (autoclave)進行水熱法溫度控制於

150oC時間為 48 小時待冷卻至室溫後將所得之白色膠體以去離

子水反覆沖洗其目的為去除表面殘餘之 Eu(NO3)35H2O爾後於

350oC 之溫度下退火 2 小時即可得白色 TiO2 Eu3+白色奈米粒子

詳細合成流程如圖 22 所示

29

Commercial TiO2 powders (P25) and europium nitrate was added to 30 mL of an aqueous solution under vigorous stirring

After stirring strongly the slurry was heated at 150oC for 48 h by hydrothermal method

After hydrothermal treatment repeated centrifugation and wash with distilled water (4 time repeated)

Annealed at 350oC for 2 h

圖 22 以水熱法合成 P25 系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

24 樣品鑑定分析

以 X 光粉末繞射儀(X-ray diffractionXRD)Rietveld 精算法鑑

定材料之純度與長程有序晶體結構以穿透式電子顯微鏡

(Transmission electron microscope TEM) 與掃瞄式電子顯微鏡

(scanning electron microscopeSEM)分別鑑定材料之結構與表面型

態利用比表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

ASAP) 分析粉體之樣貌與比表面積利用光激發光光譜儀

(photoluminescencePL)分析電極材料之激發光譜與放射光譜特性

以拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum) 測定分子之振動模式

以判定晶相與原子結構以紫外-可見光擴散式反射光譜(UV-Vis

diffuse reflectance spectra UV-Vis DRS ) 分析固態粉體於紫外光與可

見光其吸收特性利用 X 射線光電子能譜儀(X-ray Photoelectron

30

SpectroscopyXPS)分析表面元素組成與原子能級結構以 X 光吸收

光譜 (X-ray absorption spectroscopyXAS)之 X 光近吸收邊緣結構

(X-ray absorption near edge structureXANES)決定樣品中元素之價數

與電子結構茲將各實驗儀器分析之過程與原理分述於下列各節

241 粉末 X-光繞射儀(X-ray diffraction XRD)

2411 X-光繞射工作原理

X 光為一種短波長之電磁波其波長約為 10 Aring(10-10 m)陽極放

射出之 X 光由連續性不同波長之 X 光所組成故稱之為連續性 X

光譜(continuous X-ray spectrum)或白色 X 光但隨著外加電壓增大

連續性 X 光譜之波長分布範圍與其光線強度將隨之增大當電壓加

至超過門檻電壓(threshold voltage)或激發電壓(excitation voltage)時

除發生連續性 X 光譜外另將產生某些特定波長之 X 光稱之為特

性 X 光(characteristic X-ray spectrum)如圖 231(a)X 光粉末繞射儀由

電子槍產生電子如圖 231(b)所示此電子藉由 40 keV 之工作電壓

加速撞擊金屬靶材(常用之靶材為銅靶)將其靶材中 K 層(1s)電子撞

出電子游離後形成之電洞隨即由L層(2p)電子填補並伴隨X光釋出

31

Characteristic peaks

Continuous radiation

Energy

High-energy Ka

stimulusLaKb

lswl

Int

sity

e

m

Low-energy stimulus

enof

itted

rad

iatio

n冷卻水

真空 璃

接變壓器)

鈹窗 聚焦罩

銅X射線 鎢絲

靶(陽極)

X射線

管座(

Wavelength

Short wavelength limit a) b)

圖 231 (a)銅靶之 X 光光譜 (b)封閉式 X 光射線管

角動量子數之變化必須為plusmn1 (l = plusmn1)如由 L 層

(2p) 子填補 K 層(1s)電洞即 2p 1s 轉移(transition)並伴隨 X 光釋

如圖 232 所示此段波長之 X-ray 定義為 Kα波長為 15418 Aring

同理 3p 1s 則定義為 Kβ波長為 13922 Aring一般 Kα比 Kβ之強度較

強而 Kβ較 Kα之能量為高但由 p 1s 之轉移中因 2p 軌域具二

種不同型式之 Kα1與 Kα2

很難分辦但易與 K 一般常使用鎳單色光濾片(nickel filter)將

Kβ濾除(cut o

( ((68)

一般 X 光所使用金屬靶材之波長如表 22 所示以銅靶為例當

外加電壓促使電子高速撞擊銅靶之 K 層(1s)電子使其內層電子游離

並產生電洞依據吸收選擇定律(selection rule)當電子從一能階躍遷

至另一能階時其

2

自旋態(spin state)故產生 Kα1與 Kα2一般

β分辦

ff)

32

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長(69)

Target Kα1 Kα2 Kz Cr 22896 22935 22909

Fe 19360 19399 19373

Cu 15405 15443 15418

Mo 07093 07135 07117

Ag 05594 05638 05608

z is the intensity-weighted average of α1 and α2

圖 232 X 光原理示意圖Cu 1s 電子游離後形成之電洞由 2p 電子

填入並伴隨 X 光釋出(69)

德國科學家勞爾 (Von Laue) 於 1912 年提出 X 光進入晶體後因

干涉 年布拉格 ( 學

理論

稱為布拉

作用而產生繞射現象同 Bragg) 將勞爾提出之數

改以較簡潔之數學式導出 X 光之繞射條件如圖 233 所示

設晶面距離為 d入射光與晶面之夾角為 θ當入射光被二相鄰晶面

所反射二反射光束會有一光程差若此光程差為波長之整數倍(n

為正整數)時亦即當此二反射光束同步各光波之振幅具加成之效

果而形成建設性干涉合成波滿足此條件即可產生繞射

33

格定律(Braggrsquos Law)

2 sind nθ λ= (21)

晶體之 X 光繞射實驗提供兩項重要訊息(1) 繞射峰位置 2θ

(2) 為繞射峰強度(I)第一項訊息提供晶體之晶胞形狀大小(即晶格常

數)之資料第二項訊息提供晶體內部組成原子種類與位置之資料

隨材料之晶體結構與組成變化每個晶體此兩項資料各不相同因此

可利用 X 光繞射法分析材料屬何種礦物晶體或結晶材料

圖 233 X 光繞射之示意圖

2412 XRD 實驗儀器

粉末樣品之 X 光繞射分析係採用 PANalytical XrsquoPert PRO X-ray

powder diffractometer(XRD)型繞射儀其以銅靶(Cu)為光源功率為

3 kW放射光源 Kα1之波長為 15406 Aring操作時使用之電壓與電流分

別為 40 kV 與 40 mA 之條件下進行粉末繞射分析實驗其中 2θ繞射

角掃描範圍為 20 ~ 80 度每間隔 002 度讀取一次數據掃瞄模式為

2θθ將分析樣品平鋪於樣品槽(sample holder)置於圖 24 之旋轉中

心此時將繞射測角儀做旋轉偵測器則與出射光之夾角 2θ入射

光與槽座之夾角為 θ利用同步紀錄之系統而得各繞射峰之強度與角

34

度(2θ)之分布關係

圖 24 X-光粉末繞射儀(PANalytical XrsquoPert PRO XRD)

析然而中子繞射之儀器普遍性不佳利用Rietveld法可

分析

度(於本研究中以2θ量測範圍為0 ~ 180度間格為001度停留時間為10

因此可避免重疊峰之分解問題

2413 結構精算(70)

GSAS 程式採用 Rietveld 全光譜精算法 (Rietveld full pattern

refinement method簡稱Rietveld法)做結構精算Rietveld法為1969 H

M Retiveld所提出適合分析由X-光與中子粉末繞射所得之數據利

用結構精算可得物質之物理與化學特徵性質然而多數之物質不易合

成單晶之形式多數乃以多晶或粉晶存在最早則以中子粉末繞射之

數據加以分

X-光粉末繞射所得之數據使得分析晶體結構之研究之可靠性大

幅提升

Rietveld法主要為以階梯之模式(step scan)掃描其每一步之峰形強

秒)而不用整個繞射峰之積分強度

35

2ci k k k k biy S L F HT P y= Φ +sum利用此計算方法所得之繞射強度 ( S為

比例常數Lk乃涵蓋勞倫茲極化與多重性因子Fk為結構因子Tk

為穿透因子Pk為優先取向H為反射波形函數ybi乃背景強度)用

以模擬觀察所得之繞射強度(yoi)使由假設結構模型計算出之繞射圖

形與實驗量測之繞射圖趨於一致 並使最小方差擬合之殘差R為最

2( )R Wi ci oiy y= minussum 2 ( 2)

計算所得之繞射圖譜與測量所得之圖譜其相吻合之程度是由所

謂擬合參數(reliability factor)即R值決定一般以R值小於10為可

接受之最低要求常用有Rp與Rwp

oi ciP

oi

y yR

yminus

= sumsum (23)

)(( )

2

2WPRW y

= i oi ci

i oi

W y yminussumsum (24)

i較大

而一般認為Rwp較具代表性意義之擬合度判斷依據並定義

式中Wi為加權指數ㄧ般僅繞射峰存在其繞射強度之W2χ 即

ldquogo

odness of fitrdquo用以表示分析之品質

( )χ 2 =minusM

N N (25)

O V

其中M為minimization functionNO為step scan所得之繞射圖點

數NV為精算時所使用之變數個數利用最小平方差擬合與傅立葉

(Fourier)合成求得之電子密度函數進而得知粉體之晶格常數鍵長

鍵角等結構參數

Rietveld法為一可將晶體結構解析最完善之方法然而並非所有

36

之結構皆有其詳盡之原子座標位置Le Bail 法為1988年法國晶體學

家Armel Le Bail所發展利用電腦程式模擬將原本錯誤之原子位

置移動至較符合粉體模型之位置稱為整體性之最優化(global

optimization methods)或稱直接空間方法(direct space methods)利用

此方法可對於新

合成或未有詳盡之原子座標資訊給予空間群與晶格

常數之資料

圖25 晶體繞射結構解析之一般流程

37

242

型號為HITACHI S-4000其電子

槍為冷場發射式

圖26 掃描式電子顯微鏡(NDL)HITACHI S-4000

掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope SEM)

掃描式電子顯微鏡主要由真空系統電子槍透鏡組與偵測器組

成其成像原理為利用一束具有5 ~ 30 KV能量之電子束經過聚焦

镜使發散之電子束能聚集成一微小電子束掃描線圈作用於偏折電子

束使其能於試片表面進行二維之掃描工作另一功能為觀測試片時控

制倍率之放大與縮小爾後電子束經過物鏡即如同光學顯微鏡原理相

同但此時調整項圈(coil)所造成之磁場控制電子束進行最後對焦動

作完成對焦讓電子束與試片作用激發出二次電子背向散射電子

Auger電子連續X光與特徵X光等一般SEM為利用二次電子進行成

像因二次電子之信號主要源自電子束下方之區域能提供高解析之

影像而背像散射之電子亦能作為信號之來源當電子束掃描試片表

面時偵測器同時偵測由表面射出之二次電子強度輸入至同步掃描

之陰極射線管同時顯示試片之影像而陰極射線管上同步點之亮度與

對比則根據偵測到之訊號強度進行改變利用此方式試片表面之特

徵狀況即可逐一表現出來如圖26所示本實驗乃使用國家奈米元

件實驗室之掃描式電子顯微鏡其

(field emission)

38

圖27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖(71)

243

於偵測器上形成不同亮度

穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron MicroscopyTEM)

穿透式電子顯微鏡系統設計如圖 28 所示由電子槍(electron

gun)發射電子束經過一組磁透鏡(condenser lens)聚焦後以遮蔽孔

徑(condenser aperture)選擇電子束尺寸大小(beam size)後通過一組控

制電子束之掃描線圈再透過物鏡(objective lens)聚焦入射至試片

上於試片上側裝一訊號接收器用以選取二次電子或背向散射電子

成像此種儀器之優點為所需之樣品量很少且其解析度可達到原子

級之層次(10-10 m)若樣品含多電子原子則電子束將無法穿透樣品

於偵測器上顯示之亮度較暗電子束可穿透之樣品於偵測器上形成較

亮之點利用不同物質具不同電子密度之性質經電子束之穿透過程中

原子核對電子束產生之折射程度之差異性

對比之影像即為樣品之形狀和結構

但以下幾點須注意(1) 真空下要穩定 (2) 若是揮發性之物質在經電

39

子碰撞後容易消失此儀器除可用以鑑定物質之型態大小與內部細微

結構外亦可進行電子繞射而電子繞射圖可用以觀測樣品之結晶度

格常數

一天後再將銅網放置於儀器之樣品槽中調

整好儀器即可觀測

表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

好壞與計算晶

樣品製備

將欲觀測之粉末樣品取極少量溶於乙醇溶液中置於超音波震盪器中

約10分鐘使粉末均勻分散於溶液中爾後再利用已鍍上一層多孔性

碳膜之銅網放置於溶液中撈取預分析之樣品拿出銅網後用拭鏡紙將

多餘之乙醇拭乾並風乾

圖28 TEM電子腔內部結構示意圖

244 比

ASAP) 先將適量樣品 200oC 除氣(degas)至壓力為 3 times10 -3 torr以去除樣

品上之吸附水氣與其它吸附物質並於 77 K 下進行氮氣等溫吸附

40

利用 BET 公式求得比表面積利用 BJH 公式求得脫附曲線之孔洞分

態相似而於高分壓相異之行為則是因為 H4

隙較 H3 窄之緣故

291 IUPAC 制定之物理等溫吸附-脫附分類圖

布(pore size distribution)

氣體吸附曲線之型態會隨著材料之孔徑結構成分溫度及吸附

分子種類而不同 (圖 291)氣體吸附曲線 IUPAC 定義為下列六種型

態第一型為典型微孔材料第二型通常是無孔材料或孔徑較大之材

料第三與第五型曲線發生於當吸附分子間親和力大於其與固體材料

表面間作用力時之模式第四型為中孔材料於高分壓時會產生遲滯

迴圈(hysteresis loops)而第六型為一結構近乎完美均勻之表面所造成

之吸附曲線根據 IUPAC 之分類遲滯迴圈依其型態可分為四種型

態(圖 292)H1型常為規則圓柱狀孔洞材料或由規則球狀體間孔隙所

造成而 H2 型遲滯迴圈之形成通常表示材料中之孔洞與形狀較不規

則H3與 H4型迴圈之型

41

圖 292 IUPAC 制定之遲滯迴圈型態示意圖

245

T) 收集

光並測量其螢光強度並以 DataMax 軟體分析光譜資料

光激發光譜儀(Photoluminescence PL)(65)

光激發螢光 (photoluminescence PL) 光譜儀乃為簡便與精準地

檢測發光材料之光特性於本研究中採用FluoroMax-3測量螢光材料

之激發光譜(excitation spectra)與放射光譜(emission spectra)如圖

210 所示光源為利用氙弧燈提供一寬波段之激發光源為得高解

析之螢光量測數據入射光源須為持一特定之波長藉由單光器

(monochromater)之狹縫 (slit) 將光源出射光分成特定波長之入射

光入射光之能量被螢光粉體吸收後螢光粉體將發射另一特定波長

之光段打至發射光之單光器如同激發光之單光器只允許某一狹

窄之波段通過再利用光電倍增管 (photomultiplier tube PM

42

圖 210 螢光體光譜量測過程

圖211為本研究所使用之FluoroMax-3光譜儀各結構實際之配

置其包含七大主要部分涵蓋

1 Xenon光源與其保護座

1a Xenon光源電源裝置(power supply)

1b Xenon光源閃光(flash lamp)

2 入射光源單光器(excitation monochromator)

3 樣品放置槽(sample compartment)

4 發射光源單光器(emission monochromator)

5 偵測器[signal detector (photomultiplier tube)]

6 參考偵測器[reference detector (photodiode and current-acquisition

module)]

7 儀器控制電子元件(instrument control)

實驗之過程光源由圖中1部分發射而將螢光粉體置於樣品槽

43

內並置於圖中3之樣品放置槽圖中7為連接電腦控制藉由控制圖

中2與4之單光器則分別進行激發光譜與放射光譜之實驗由光電倍增

管放大(圖中5)而收集其中激發光譜可由圖中6偵測Xenon光源之訊

號並校正若進行比較發射光譜之絕對強度實驗過程則控制實驗之

時間於兩小時內完成此時期之光譜經穩定度量測誤差值座落於3

以內所得之發射光譜強度比較為可信之數值圖 212則為儀器之

實際外觀

圖211 光激發光光譜儀構造

44

圖212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀

246 拉曼散射光譜儀 (Micro Raman Scattering Spectrometer)

當光源照射於物質表面時光子會與物質之原子分子產生交互

作用造成能量之交換或動量之改變若無能量交換僅方向改變為

彈性碰撞稱為瑞立散射 (Reyleigh Scattering)若方向改變又有能量

交換為非彈性碰撞稱為拉曼散射 (Raman Scattering)當拉曼散

射光與物質相互作用時會與物質內之原子分子之振動頻率耦合

即可於入射光頻率之兩邊產生正或負之頻率位移此一頻率位移之數

值與物質內原子分子振動頻率相當此位移即為拉曼位移(Raman

Shift)此頻率位移可用下式表示

sυ υ υΔ = minus (26)

υΔ 代表拉曼散射光與入射光頻率差υ 代表入射光子之頻率 sυ 代表

散射光子之頻率

45

247 紫外可見光擴散式反射光譜(UV-Vis diffuse reflectance spectra

UV-

描範圍為200 nm至800 nm並以Spectra Calc

體收集光譜訊號

247

分光波被反射與散

另一部分光透過其餘之光才被物質吸收

Vis DRS)(72)

本研究乃將定量之粉末置於石英圓盤上再將其放置於樣品槽

相對於 BaSO4 作為參考物於室溫下以Hitachi-U3410紫外-可見光光

譜儀分析其擴散反射式光譜(diffuse reflectance spectrum)光譜掃描之

速率為120 nmmin掃

1 固態粉體之吸收光譜

吸收光譜顯示光照射於發光材料時其激發波長與材料所吸收能

量值之關係激發波長照射於發光材料時一部

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖

46

只有被吸收之光對材料之發光產生作用然而非每一被吸收光其

所有波長皆能引起激發作用因此研究吸收光譜可知哪些波長之激發

光被吸收吸收率為多少此對研究材料之發光過程為一重要課題

發光材料對光吸收公式可表達為

( ) 0( )K xI I e λ

λ λ (27)

式 27中I0(λ)為波長為λ之光照射至材料時之發光強度I(λ)為光

通過厚度為X之材料層後其發

minus=

光強度Kλ為吸收係數Kλ隨照射光波

長變

表面(圖 214)即使壓製成

錠依舊有部分光以散射釋出(圖 215)

化之曲線稱吸收光譜

因發光材料為粉末晶體故難以測出其吸收光譜一般則是測試

反射光譜用以確定其吸收光譜由 Kλ(吸收) = 1-Kλ(反射)得出材料之吸收

圖譜Kλ(反射)為被測材料之反射係數當其散射與穿透很小時可測得

然多數之物質其粉體非規則排列成一平整

粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚

度其公式如下

圖214 圖215

擴散式反射光譜儀則利用Schuster-Kubelka-Munk理論其中假設

無規則之反射光束

2(1 )( )2

R kF RR s

infininfin

minus= = (28)

infin

47

其中k為吸收係數s為散射係數一般量測與標準品相對之反射值Rinfin

而非量測絕對值之反射值其中標準品為白色固體粉末常見有KBr

用於IR(43500 ~ 400cm-1)波段BaSO4MgO作為紫外光至可見光波

段之標準品

圖216 Hitachi-U3410紫外-可見光光譜儀

248

於超高真

下操作故最好將樣品溶劑先行抽乾以免污染儀器

X射線光電子能譜儀( X-ray Photoelectron SpectroscopyXPS )

其原理為一束X光射線入射至樣品表面藉由光電效應將某一能

階之電子激發為光電子爾後經由分析光電子動能即可獲得關於表

面元素組成與元素之化學環境當數個原子鍵結成一化合物時其於

化合物中之結合能明顯與純原子時不同內核層電子之束縛能亦有不

同之變化即為一般之化學位移(Chemical Shift)分析束縛能之變

化便可獲得材料中之電子結構與化學鍵結之訊息其所造成之能譜

位移可用以區分不同氧化態之元素偵測深度約為5 nm (除氫元素外

皆可偵測)樣品製備將粉末樣品先行打錠經除水與抽真空之前

處理後送測放入儀器之樣品室中進行分析由於儀器是

48

24

分析與 TEM 等

結果

μ 表示材料單位厚度對X光之吸收則以式29以表示其相互之關係

9 X 光吸收光譜 (X-ray Absorption Spectroscopy XAS)(73)

同步輻射為接近光速之電子受加速度而產生之電磁波其可提供

連續波長可調能量範圍寬廣之光源並具光點小強度高與準直性

佳等特性近二十年應用同步輻射 (synchrotron radiation) 光源於 X

光吸收光譜之技術愈趨成熟使 X 光吸收光譜成為一項分析物質結

構之利器利用同步輻射光源對材料進行 X 光吸收光譜研究主要

包括 X 光吸收近吸收邊緣結構(X-ray absorption near-edge structure

XANES)與延伸 X 光吸收精細結構(extended X-ray absorption fine

structureEXAFS)其中 XANES 用於檢測材料中特定原子之電子組

態而 EXAFS 則測定原子之局部結構(local structure)可得知原子與

其鄰近原子間之距離種類及數目等X 光吸收光譜可發揮於原子短

程結構與電子組態上之優點與傳統 XRD 長程有序

相互配合可更加了解奈米材料之結構特性

當物質受到X光照射而吸收X光可用吸收係數 μ 表示其吸收之

程度若以I0表示入射X光之強度I 表示穿透光強度樣品厚度為 x

0 exp( )I I xμ= minus (29)

現象會隨X光能量增強而逐漸平

地降低構成吸收光譜之底線

若X光能量改變即使物質中之原子不吸收不散射等因素測得之

穿透光強度仍較入射光強度減小此

49

2491 X 光吸收近吸收邊緣結構 (X-ray Absorption Near-Edge

Structu XANES)

有關吸收原子之電子

組態價數及其所處晶格位置之對稱性資訊

re

當 X 光能量逐漸增強至物質中所含原子之吸收能量(absorption

edge)原子內層電子開始吸收 X 光之光子躍遷至外層之空軌域

造成吸收係數激增即形成 X 光吸收近吸收邊緣結構(XANES)於

吸收邊緣前與後各 30 eV 區域內之一些圖譜特徵包含吸收前緣之突

起躍昇區段上之肩部主峰之相對高度甚至吸收邊緣之位置(常

以躍昇段之第一個反曲點能量為視之)統稱為 XANES如圖 217

所示為 Ti K-edge 之 XANES 示意圖其可提供

圖217 Ti K-edge之XANES示意圖

50

25 染料敏化太陽能電池之組裝與特性分析

251

工作電極漿料之製作對於太陽能電池效率而言為最重要且最關

鍵之步驟本實驗採用奈米級粉體作為主要材料由於顆粒小其比

表面積大可使染料吸附量增加但如此微小粒子亦容易因凡得瓦

力庫倫力等發生團聚現象團聚現象對於粒徑小於 10 μm 之顆粒尤

其明顯因此於漿料之製備過程中必須透過機械攪拌及超音波震盪

等方式使其均勻分散本實驗漿料為參考 Seigo 等人於 2008 年所

發表之論文 製備首先秤取適量先前合成之二氧化鈦粉末加入配

ethyl cellulose分別為 5-15 mPas 與 30-50

mPas)膠體溶液松 terpineol)無水乙醇上述混合物置入單頸

瓶中激烈攪拌約 10 小時並減壓抽氣濃縮以去除乙醇再以超音

1 小時即完成漿料製備

252 導電玻璃清洗

[fluorine-doped tin oxide

FTO](尺寸23 x 30 cm)以中性清潔劑初步洗滌之後浸泡於丙酮溶

劑內並置於超音波震盪器內 10 分鐘丙酮可溶解油漬與黏膠卻

對 FTO 無影響可防止製備工作電極薄膜中出現裂痕及缺陷接著

使用去離子水同樣於超音波震盪下清洗玻璃最後再以乙醇於超音波

作用下洗滌乙醇可以溶解大部分之有機溶劑包括丙酮

璃之電阻)乙醇清洗完後將導電玻璃置入烘箱中以 70oC 烘烤 30

分鐘以去除殘餘有機物

3 電池組裝與特性測試

FTO 玻璃固定於網印機機台上利用網印法(如圖

FTO 玻璃上(工作電極面積

工作電極漿料配製

(74)

製好之兩種乙基纖維素(

油醇(

波震盪

首先將摻雜氟之二氧化錫導電玻璃

(會增加玻

25

(1) 將清洗完成之

218 所示)將製備好之漿料均勻塗佈於

51

複以上動作直到所

其表面於室

Black dye 溶液中放置

染料敏化太陽能電池有關組裝之詳細流程圖如圖 219 所示

需之膜厚或者所需要之雙層或多層結構設計

(2) 將鍍膜完成之工作電極置於 40 mM TiCl4 乙醇溶液中並置入 70oC

烘箱中 30 分鐘取出後以去離子水及乙醇交替潤洗

溫下乾燥後置於方形爐中 500oC 煅燒 30 分鐘

(3) 將製備好之工作電極薄膜浸泡於 02 mM

室溫暗室浸泡 24 小時使其自行吸附

(4) 待二氧化鈦電極吸附染料步驟完成後利用乙腈(acetonitrile)清洗

工作電極表面靜置乾燥後即可得已製備完成且吸附染料分子

之二氧化鈦薄膜電極首先將氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑

金屬之相對電極之空隙中再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結

合並防止氣泡產生以長尾夾固定既可完成此三明治結構之

圖 218 網印機塗佈示意圖

52

TiO2 (or TiO2Eu3+ ) powder

1 Screen printing on FTO (15Ωsq)

(A active=016cm2) 2 DryingRT 3 Gradually heated under an airflow at 325oC 5min 375oC 5 min 450oC 15min and finally at 500oC 15 min

1+ Two kind ethyl cellulose solution (5ndash15mPas and 30-50 mPas) + Terpineol + pure ethanol 2 Stirring10 hr 3 Rotary-evaporator (40oC) 50 min 4 Sonication 30 min

paste

Repeated until desirable Film thickness was obtained

TiO2 film FTO

1 Immersed in TiCl4 EtOH 70oC (30 min)2 Calcined 500 oC 30 min in air flow 3 Soaked in black dye (02 mM )

DyeTiO2 film FTO

1 Put the spacing film aside the TiO2 film2 Combined with sputtered Pt electrode3 Injected the ImacrI3- electrolyte

DSSC

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖

53

254 染料敏化太陽能電池性能測試

2541 電流電壓效率曲線(I-V curve)量測

於太陽能電池效率量測方面由於太陽光光譜將不斷變動因此

必須有一套國際量測標準目前國際上太陽能電池量測主要以美國

ASTM G-159 (Air Mass 15) 為主由於太陽光入射角度會隨著穿過

大氣層厚度之不同而隨之改變一般以大氣質量數 (Air Mass AM)

表示並規定太陽光在大氣層外直接垂直照射稱為AM 0太陽光與

地球表面夾角為90deg時稱AM 1而入射太陽光與地表之夾角為4819deg

時則為AM 15將完成之電池元件進行效能測試其光電轉換效率值

之檢測系統如圖 220 所示此檢測系統中為選擇300瓦(W)氙燈光源

模擬太陽光(AM 15)光源於開啟後須熱機10分鐘為避免檢測時因

光源不穩定而造成量測誤差並利用一標準單晶矽電池(效率值約為

1173 )以調整入射光源強度為100 mWcm2

將電池置於待檢測位置接上正負電極後利用電源電錶儀

(Keithley 2400) 控制輸出電壓並量測輸出電流值以獲得電流-電壓

曲線(I-V Curve)並藉由所得之I-V Curve圖中可獲得開路電壓(Voc)

閉路電流(Isc)填充因子(FF)與光電轉換效率(η)等評估電池效能之參

數其中短路電流乃指太陽能電池於無負荷狀態下外部電路短路

時之輸出電流此時電壓為零於理想之狀態下太陽能電池之短路

電流即等於照光時所產生之光電流而開環電壓即為太陽能電池於負

載無限大之狀況下為外部電流斷路時所量到之電壓此時之輸出電

流為零轉換效率可定義如下

max ( )P Isc Voc FPin Pin

η Ftimes times= = (210)

其中 Pin 為入射光功率FF因子定義為電池輸出最大功率

54

(Pmax)與理想最大功率之比值關係如下

max max max P I VF FIsc Voc Isc Voc

times= =

times times (211)

由上式可知此 FF 值為表示太陽能電池電壓電流表現與理

想行為間之差異此值受電池內部串聯並聯電阻工作溫度照光

強度等影響

圖220 電池光電轉換效率值檢測系統

圖221 太陽能電池I-V 特性曲線示意圖

55

2542 入射單色光之光電轉換效率量測(incident photon to current

convers-ion efficiencyIPCE)

IPCE 為單位時間內外電路中產生之電子數目 Ne 與單位時間內

入射單色光光子數目 Np 之比如其理論計算式為

2 2 [1240 ( )] [ ( ) ( )] 100SC incIPCE J A cm nm I w cmλ= times times times (212)

式中 JSC 為短路電流密度λ為入射光之波長Iinc 為入射光強度

從式中可看出奈米多孔膜(如TiO2)之比表面積越大吸附染料分子

越多光吸收效率就越高光電轉換效率測定系統可得到單一波長之

光電轉換效率根據此數據可瞭解整個光譜裡不同波長範圍之光對

電流之貢獻得到 IPCE 對波長之光譜與吸收光譜不相同因既

使能吸收光亦未必能有效轉換成電流本量測系統涵蓋以下主要組

(1) 光源500 W Xe lamp能發射全波長之光

(2) Water filter過濾光源發出之紅外光減少紅外光引起之熱

(3) 單光器(monochromator)以光柵選擇波長並投射至樣品

(4) 光強度偵測器偵測投射波長之強度

(5) 定電位定電流儀Keithley 2400用以讀出電流訊號

待測樣品經過不同波長之光照射時會反映出不同程度之光電流經

定電位定電流儀讀出電流值並記錄下來本實驗每隔10 nm 之波長

記錄電流值範圍從 350 nm 至1000 nm紀錄所有之電流值後再

經光強度偵測器量測各波長光線之能量將電流與光能量帶入式

212計算後即可得到各波長光線之光電轉換效率IPCE ㄧ般亦反

映至電池總效率上IPCE 越大則效率越高

56

圖222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖(75)

2543 電化學阻抗分析(Electrochemical impedance spectroscopy

EIS)(76)

交流阻抗定義

阻抗 = 電壓電流

交流阻抗定義阻抗 = 電壓電流 ( ( )( )

V fZI f

= )

其中電壓與電流之值會隨著頻率( f )變動而改變阻抗其實是由實部

阻抗(Zrsquo)與虛部阻抗(Zrdquo)所構成表示法為 Z Z jZ= minus

其中 Z 實部阻抗(real impedance) Z 虛部阻抗(imaginary impedance)

j = 1minus 而 Z Z Z θ (相角)之間關係如圖 223 所示

57

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

圖 223 Z Z Z θ 之間關係圖

交流阻抗測量過程如下

施加一小振幅之交流電壓(大多為正弦波訊號)使電極電位於平

衡電極電位附近微擾當達到穩定狀態後測其響應電流訊號之振幅

(magnitude)及相(phase)進而求得阻抗(impedance)然後依據所設

想之等效電路(equivalent circuit)透過阻抗圖譜之分析以及 Z-plot 程

式進行參數擬合精算以求出電極之動力學參數測量方式將組裝

好之電池於光源之持續照射下達到一穩定之電壓以電化學分析

儀(CHI 611C)測量選擇「AC Impedance」模式給予一個振幅為

10 mV 之交流電壓掃描頻率設定為 105 Hz 至 005 Hz

(a)

58

(b) high

medium low

圖 224典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖(77)

從典型之電化學阻抗圖譜可於奈氏圖(Nyquist plot)觀察到三個

半圓形之訊號參照圖 224b 依序從左至右分為高頻區 (high

frequency)中頻區(medium frequency)低頻區(low frequency)其所

分別代表之意義為(參照圖 224a )

高頻區電子於白金相對電極與電解質介面(Pt-FTOElectrolyte)之間

之傳輸阻抗

中頻區電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗

低頻區碘三負離子(I3minus)於電解質中之擴散阻抗

於經過電化學阻抗測量之後所得到之圖譜參考 Wu 等人之文獻

(78)設想之等效電路如圖 225 所示

59

FTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSCFTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSC

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

keff

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

EIS raw rata - P25 TiO2 (12 μm)

magnitude

phase

|Z| = ( |Zrsquo| 2 + |Zrdquo| 2 )12

θ = tan-1 ( |Zrdquo| |Zrsquo| )

=gt |Zrsquo| and |Zrdquo|

input output derived

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析

60

經過電化學阻抗分析過後原始數據如圖 226 所示經由等效

電路假設之後並進一步使用 Z-View 軟體效正並參考 Adachi 等人(79)

所發展之模式可以得到下列參數

(1) L (μm) 電極膜厚 (film thickness)

(2) keff (s-1) 電子再結合速率常數 (reaction rate constant for

recombination)

(3) τ (s) 電子壽命 (lifetime of electrons)

(4) Rk (Ω) 電子再結合之電荷傳導電阻亦即暗反應電阻

(charge-transfer resistance related to recombination

of electron )

(5) Rw (Ω)電子於 TiO2 中之傳導電阻 (electron transport

resistance in TiO2)

(6) Deff (cm2s)有效電子擴散係數 (effective electron diffusion

coefficient)

(7) Ln (μm) 電子擴散長度 (electron diffusion length)

其中 τDeffLn(7879)可以由下列公式求得

1 effkτ = (213)

2

( ) (keff

w

R LDR

= times (214)

( )nL Dτ= times eff (215)

61

26 量子點敏化太陽能電池之組裝

261 硒化鎘 (CdSe) 量子點之製備

(1) 取051克之氧化鎘(cadmium oxide CdO)與3克之油酸(oleic acid

OA C17H33COOH)溶入126 mL之1-十八烷烯(1-Octadecene

C18H36)中配製成A溶液

(2) 取 13 mmol之硒粉( selenium Se)與 05克之三正辛基膦

( tri-n-octylphosphine (C8H17)3P )溶入 10 mL 之 1- 十八烷烯

(1-Octadecene C18H36)中以磁石持續攪拌1小時配製成B溶

(3) 將A溶液與磁石置入三頸瓶中以每分鐘280轉之速率攪拌並以

25 mtorr之氮氣去除瓶中之剩餘空氣

(4) 將三頸瓶以每分鐘5oC之升溫速率將溫度升高至200~205oC溶

液之顏色將呈現淡黃色透明澄清溶液接著繼續升溫至280oC

(5) 接著將B溶液以針筒迅速注入三頸瓶中注入完畢開始計時達

到反應時間即離開熱源溶液顏色將從淡黃色透明澄清變化成橘

紅色澄清溶液

(6) 將溶液加入乙醇中以每分鐘10000轉之轉速離心10分鐘數次

即可完成CdSe-OA量子點並保存於己烷中

詳細配製流程如圖227所示

62

CdO and Oleic Acid(OA) were dissolved in 1-Octadecene

Heated to ~205oCuntil the color of solution turn to transparent colorless then the temperature was increased to 280oC

Injection of SeTOP solution and stop heating (in 2 min)

The CdSe nanoparticles were precipitated using EtOH and then kept in hexane

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖

63

262 硒化鎘 (CdSe) 量子點之改質 (Ligand exchange)

(1) 將02 mmol之巰基丙酸(mercaptopropionic acidMPA)溶入30 mL

之甲醇中並以四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium hydroxide

in methanolTMAOH)滴定調整溶液pH值至114

(2) 將溶液置入三頸瓶中於氮氣之環境下加熱至55oC

(3) 將保存於己烷中之硒化鎘量子點加入甲醇以每分鐘10000轉之速

率離心十分鐘重複三次

(4) 取約2 mL之MPA溶液再取40毫克之硒化鎘溶入溶液中再倒回

三頸瓶

(5) 將三頸瓶溫度加熱至65oC並以鋁箔包覆三頸瓶使溶液於黑暗

中反應20小時

(6) 接著將溶液與ethyl acetate以21之比例混合再將混合溶液與

Hexane以11混合以每分鐘10000轉之速率離心十分鐘重複2

至3次即可得到CdSe-MPA之量子點

詳細配製流程如圖228所示

64

02 mmol of MPA was dissolved in 30 mL of anhydrous methanol and pH-adjusted to 114 by addition of TMAOH

Heated to 55degC and than added to a vial containing approximately 40 mg of CdSe

Heated to 65degC and refluxed for approximately 24 hrs under nitrogen gas in the dark

The nanocrystals were isolated by addition of ethyl acetate to induce flocculation

The CdSe nanoparticles were precipitated using methanol

The CdSe nanoparticles were stored in toluene

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖

65

263 量子點敏化電池之組裝

(1)利用與 253 節中相同之方法製備工作電極薄膜並先將工作電

極浸泡純MPA溶液4小時取出後立刻將其浸泡入之前合成之硒化

鎘甲苯溶液靜置一天之後取出先以甲苯沖洗去除未吸附之多

餘奈米粒子再利用乙腈(acetonitrile)清洗工作電極表面靜置乾燥

後即可得已製備完成且吸附量子點之二氧化鈦薄膜電極

(2)再氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑金屬之相對電極之空隙中

再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結合並防止氣泡產生以長尾

夾固定既可完成此三明治結構之量子點敏化太陽能電池

附註

(1) 電解液配製

二甲丙基咪唑碘(dimethyl propyl imidazolium iodide ) 06 M 碘化鋰

(lithium iodide LiI) 01 M 碘 (iodine I2) 005 M 及第三丁基吡啶

tert-butylpryidine (05 M) 溶於乙腈(acetonitrile)中

(2) 染料溶液配製

Solaronix 公司 black dye 02 mM 及脫氧膽酸 (deoxycholic acid DCA)

20 mM 溶於乙醇 (ethanol)中

66

第三章 結果與討論

本研究之重點於利用兩種不同合成方法製備 TiO2Eu3+工作電極

材料並探討其運用於染料敏化太陽能電池之效應前者使用

Ti(OC4H9)4溶膠為合成二氧化鈦之前驅物與 Eu2O3為摻雜 Eu3+來源

以溶膠凝膠法與水熱法合成 TiO2 奈米粒子後者使用商用二氧化鈦

粉末(Degussa P25)為合成二氧化鈦與 Eu(NO3)35H2O 為摻雜 Eu3+

來源直接利用水熱法合成粉末針對兩系列工作電極材料之晶體結

構與光譜特性進行不同目的之階段分析分別敘述如下

第一階段為材料結構鑑定分析

(1-1) X-光繞射光譜儀(X-ray diffraction XRD)

(1-2) 結構精算(Refinement)

(1-3) 掃描式電子顯微鏡(SEM)

(1-4) 穿透式電子顯微鏡(Transmission electron microscope TEM)

(1-5) 氮氣等溫吸附與脫附儀(BET)

第二階段為光譜特性分析

(2-1) 光激發光譜(PL)

(2-2) 拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum)

(2-3) 紫外 ‐可見光擴散式反射光譜 (UV-Vis diffuse reflectance

spectra UV-Vis DRS )

(2-4) X 射線光電子能譜儀(XPS)

(2-5) X-光吸收光譜(X-ray absorption spectroscopy XAS)

第三階段為太陽能電池特性分析

(3-1) 太陽能電池 I-V 曲線效率量測(I-V curve)

(3-2) 入射單色光之光電轉換效率量測(IPCE)

(3-3) 電化學交流阻抗分析(EIS)

67

31 TiO2Eu3+ 材料結構鑑定分析

311 晶體結構分析

天然二氧化鈦為 n 型半導體於分子之結構中屬閃鋅晶格其中

鈦原子具 22 個電子以外圍 3d 軌域之 4 個價電子與氧原子形成共

價鍵 (Covalent Bond)自然界中二氧化鈦以銳鈦礦(Anatase)金紅

石 (Rutile)與板鈦礦 (Brookite)三種結晶組態存在其中最常見與最

廣泛使用的為前面兩種組態後者則極為罕見圖 31 為典型銳鈦礦

(Anatase) 之晶體結構圖屬四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα

=β=γ=90deg其空間群(space group)為 I 41amd其中 I 表體心晶格

(Body centered unit cell)41a 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 41旋移

軸(screw axis)即平行 c 軸旋 360deg4 = 90deg後平移 14 晶軸距離且

於垂直[001]方向具一 a 軸之旋移面(glide plane)m 表垂直[100]或[010]

方向具一鏡面(mirror plane)d 表垂直於[110]或[1-10]方向具一沿 c

軸移動之鑽石射移面(diamond glide plane)而圖 32 為典型金紅石

(Rutile) 之晶體結構圖為四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα=

β=γ=90deg其空間群為 P 42mnm其中 P 表簡單晶格(primitive cell)

42m 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 42旋移軸(screw axis)即平行 c

軸旋轉 360deg4 = 90deg後平移 24 晶軸距離且於垂直[001]方向具一反

射面n 表垂直[100]或[010]方向具一斜角射移面(diagonal glide)末

項之 m 表垂直於[110]或[1-10]方向具一反射面雖此兩種晶相皆是以

TiO6八面體鍵結而成然而 Ti-TiTi-O 鍵長與氧鍵結數不同等差異

造成兩相之質量密度(mass density)與電子組態皆相異

68

圖 31 TiO2銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖

圖 32 TiO2金紅石(Rutile)相晶體結構圖

69

3111 TiO2Eu3+ (TBT 系列) XRD 分析

此系列工作電極粉體以溶膠凝膠法與水熱法進行合成並添加

銪(Eu)為活化劑其主體晶格為二氧化鈦(TiO2)如圖 33 所示為 TBT

系列 TiO2Eu3+之 XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu含量自 x = 0 增

至 x = 005於 X-光繞射圖譜得知隨 Eu 濃度增加粉體皆呈現 TiO2

銳鈦礦 (Anatase) 之相若以離子半徑大之原子取代於主體晶格中原

子半徑小之原子故主體晶格將擴張其面間距(d)增加並根據布

拉格繞射公式 2 sind nθ λ= 可知繞射角度(θ)亦減小於圖 33 XRD

圖譜中銳鈦礦繞射面(101)之主繞射峰並無位移初步判斷為低濃

度取代之緣故而較多數文獻(80)之論點則因 Eu3+之離子半徑約為 108

Aring而 Ti4+之離子半徑約為 068 Aring兩種離子半徑差異頗大造成利

用溶膠-凝膠法與水熱法等軟性合成法並不易將 Eu 直接取代 TiO2 晶

格中 Ti 之位置故無法於使二氧化鈦晶格擴張此論點於 GSAS 結

構精算結果中將再次討論

20 30 40 50 60

A(211)A(105)A(200)A(004)

Ti1-xO2Eux (TBT)

JCPDS089-4921

x = 0015

2 θ (degree)

Inte

nsity

(au

)

x = 0

x = 00075

x = 002 x = 0025 x = 003

x = 004

x = 005Anatase

A(101)

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜

70

為計算合成粉體之粒徑大小根據晶體學 Scherrer equation(如式

31) (81)其中 D 為粒徑大小 (crystal grain size)k 為無單位常數 09

λ為 Cu Kα1之波長 015405 nmβ為圖譜中最強之繞射峰(101)之半高

寬θ為繞射角度 254o之半

coskD λ

β θ= (31)

計算不同 Eu 摻雜量其粒徑大小分布如圖 34 所示顯示隨著 Eu 摻雜

量增加粒徑大小隨之縮小至 x = 004 時達至飽和穩定研判為

Eu3+雖難取代 TiO2 中 Ti4+位置卻可能於晶格表面或空隙中形成

Eu-Ti-O 鍵結進而限制其晶格成長(82)而觀察此 TBT 系列粒徑分布

由 9~20 nm 範圍屬微小奈米粒子形成微小粒徑之因可由生成機制

說明此系列樣品由溶膠凝膠法將鈦酸四丁酯 (Tetrabutyl titanate) 水

解形成加入硝酸使生成環境處於 pH 小於 2故此過程須將鈦醇前

驅物於酸催化下水解縮合而成而三維聚合體骨架 (polymeric

skeletons) 於低含水與低水解速率下將由於 Ti-O-Ti 之鍵結逐漸形成

而更緊密堆積因此造成微小奈米粉體之形成(8384)

-001 000 001 002 003 004 005 0068

10

12

14

16

18

20

22

1027978

13241439

16781722

1934

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

) Ti1-xO2Eux(TBT)

2176

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖

71

為更進一步瞭解稀土離子摻雜進入二氧化鈦後之確切晶體結構

與精細結構變化本研究利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進

行結構精算精算過程中以 ICSD-93098 為起始模型此為空間群

I 41amd 之銳鈦礦 TiO2各原子之熱振動參數設定為等方向性

(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為 1且相同格位之

原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖 35 為 TBT 系列

Ti097O2Eu0033+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構精算所獲得之

XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理論擬合曲線

下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置以及下方藍

色實線表為理論值與實驗值之誤差

由 GSAS 結構精算結果得知如表 31a 所列TBT 系列 Eu3+

摻雜 TiO2結構之空間群仍屬於 I 41amd其中 Eu3+取代四配位之 Ti2+

位置較為合理其信賴指數為 χ2 = 237Rwp = 598與 Rp = 482

可得知樣品之結晶性良好其晶型之結晶程度好壞對往後染料敏化太

陽能電池光電轉換效率之優劣有決定性之影響晶格參數為 a = b =

37835 (6) Aring 與 c = 94945 (17) Aring晶格體積為 13591(4) Aring3根據

Vegard(85)定律固態材料因摻雜不同大小離子半徑之元素使其結構

產生膨脹(expansion)或壓縮(compression)效應而直接影響其晶格大

小與體積之變化根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較(表

31b)晶格體積並無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之

Eu3+離子(095 Aring)難以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與上述 XRD

結果吻合

72

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

圖 35 TBT 系列 Ti097O2Eu0033+粉體 X 光繞射結構精算圖

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

0000000

0000000

0245966

0338408

-0023401

0182541

1000000

1000000

261

382

Space group I 41amd (tetragonal) Cell Parameter

a = b = 37835 (6) Aring c = 94945

(17) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13591(4) Aring3

Reliability Factors χ2 = 237 Rwp = 598 Rp = 482

73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參數

Eu

ratio(x) a(A) b(A) c(A) Volume(A) Rp() Rwp() χ2

0 37809(18) 37809(18) 94795(9) 13551(16) 51 61 20300075 37805(18) 37805(18) 94796(9) 13548(16) 53 66 2270015 3790723) 3790723) 94839(11) 13628(20) 72 85 239002 37806(33) 37806(33) 94737(17) 13540(29) 62 75 2450025 37805(12) 37805(12) 94420(23) 13495(7) 52 61 185003 37835 (6) 37835 (6) 94945(17) 13591(4) 48 60 237004 37868(5) 37868(5) 94868(15) 13604(34) 63 79 279005 37772(24) 37772(24) 95012(6) 135557(15) 42 52 184

3112 TiO2Eu3+ (P25 系列)

此系列工作電極粉體為利用水熱法合成以添加銪(Eu)為活化

劑其主體晶格為二氧化鈦如圖 36 所示為 P25 系列 TiO2Eu3+之

XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu自 x = 0 增至 x = 01於 X-光繞

射圖譜得知隨 Eu 濃度增加與前一 TBT 系列比較不同之處為粉體

所呈現為 TiO2 銳鈦礦(Anatase)與金紅石(Rutile)兩項共存(之後亦利

用結構精算驗證此結果)其中以銳鈦礦(Anatase)所佔比例為多數

爾後分析將針對兩項比例作計算依據圖 36不同 Eu3+摻雜量之系

列樣品並無發現明顯之 Eu2O3或 Eu 與 Ti 複合氧化物之繞射峰出現

此為由於 Eu3+均勻分散於 TiO2晶體之表面所致(86)其主相 anatase 於

(101)處之繞射峰亦無明顯位移產生其為離子半徑差異較大之因

研判 Eu3+並無直接取代 TiO2晶格中 Ti4+之位置以 Scherrer equation

計算之粒徑大小分布如圖 37 所示文獻(87)曾報導由於金紅石(Rutile)

晶體結晶性較銳鈦礦(Anatase)為差也因此粒徑相對較小本實驗經

過 Eu 摻雜後之樣品雖將提高銳鈦礦(Anatase)相之比例(將於後文說

74

明)但由圖 37 可得知此兩相比例差異之影響對於晶格成長之限制不

大初步判斷為此系列以商用粉 P25 為前驅物進行水熱法過程中

摻雜之 Eu3+座落於晶體表面主晶體二氧化鈦並不會進行分解

(decompose)再結晶

20 30 40 50 60

R(1

01)

R(1

10)

A(1

05)

A(2

11)

A(2

00)

A(1

12)

A(1

03)

A(1

04)A

(101

)

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

x = 0

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0025x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015Anatase

Rutile

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜

000 005 010 015 0208

10121416182022242628

238237236238246248

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

)

Ti1-xO2Eux(P25)

253

圖 37 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布

75

本系列亦利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進行兩相結構

精算精算過程中銳鈦礦(Anatase)以 ICSD-202243 為起始模型而

金紅石(Rutile)則以 ICSD-202241 為起始模型各原子之熱振動參數

設定為等方向性(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為

1且相同格位之原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖

38 為 P25 系列 Ti09O2Eu013+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構

精算所獲得之 XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理

論擬合曲線下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置

以及下方藍色實線表為理論值與實驗值之誤差由 GSAS 結構精算結

果如表 32 所列P25系列 Eu3+摻雜 TiO2結構之空間群屬於 I41amd

之銳鈦礦與 P42mnm 之金紅石兩相共存其精算信賴指數為 χ2 =

185Rwp = 61 與 Rp = 52 銳鈦礦之晶格參數為 a = b = 37850

(33) Aring 與 c = 94950 (9) Aring晶格體積為 13603 (21) Aring3 金紅石之晶

格參數為 a = b = 45867 (0) Aring 與 c = 29540(0) Aring晶格體積為 6215

(0) Aring3根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較晶格體積亦

無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之 Eu3+離子(095 Aring)難

以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與 XRD 結果吻合亦與 TBT

系列結果相同

藉由 XRD 分析並根據 Spurr 與 Myers 所發展之理論(88)銳

鈦礦(Anatase)特徵峰A (101)與金紅石(Rutile)特徵峰R(110)兩結

晶面之強度可計算出異相態比例由方程式32a與32b

(32a ) 1

(1 08( ))RXA RI I+

=

1A RX X= minus (32b )

式中XA 為銳鈦礦之重量百分比XR 為金紅石之重量百分比IR 為

76

金紅石 X-ray 於(110)之繞射峰強度IA 為銳鈦礦X-ray 於(101) 之

繞射峰強度由此式計算出此系列樣品之兩相比例與利用 GSAS 結

構精算後得出之兩相比例比較如表33所示可知藉由兩種計算方法

所得之結果相近未經 Eu 摻雜之樣品(x = 0)所得銳鈦礦與金紅石之

重量百分比與一般文獻所記載此系列合成前趨物 Degussa P25 二氧

化鈦之兩相重量百分比(銳鈦礦75 金紅石25 )(89)接近而透過 Eu

之摻雜具效提升銳鈦礦之重量百分比此與 Setiawati 等人(90) 於期

刊中發表透過稀土元素(EuSm)之摻雜於高溫燒結過程中將有

效抑制金紅石相之生成進而增加銳鈦礦之穩定性之結果吻合以染

料敏化太陽能電池而言使用銳鈦礦晶相小粒徑高比表面積之

TiO2 粉末較有利於製造多孔薄膜電極時表現出高光電轉換效率

之特性而由於一般商業二氧化鈦粉末於高溫 (約700至900oC) 時會

產生相變(Anatase變至Rutile)因此於塗佈多孔薄膜工作電極後固

化之燒結溫度應避免高於轉相溫度

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

77

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

Ti

O

0000000

0000000

0000000

0304690

0250000

0250000

0000000

0304690

0375000

0170031

0000000

0000000

1000000

1000000

1000000

1000000

241

184

250

250

Space group (A) I 41amd (tetragonal)

(R) P 42mnm (tetragonal)

Reliability Factors χ2 = 185 Rwp = 61 Rp = 52

Cell Parameter

(Anatase)

a = b = 37850 (33) Aring c = 94950

(9) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13603 (21) Aring3

(Rutile)

a = b = 45867(0) Aring c = 29540(0) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 6215 (0) Aring3

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果

Ti1-xO2Eux3+ x=0 x=0025 x=005 x=0075 x=01 x=0125 x=015

Anatase(wt ) 751 817 849 839 853 836 849

Rutile(wt ) 249 183 151 161 147 164 151

Anatase(wt

)

753 824 853 835 849 834 847

Rutile(wt ) 246 176 147 165 151 166 153

GSAS refinement results

78

312 晶體表面形貌分析

3121 SEM 與 TEM 粉體形貌分析

此部分討論透過掃瞄式電子顯微鏡與穿透式電子顯微鏡觀察所

合成粉體之表面形貌以及粒徑大小分布將結果與 XRD 與 BET 所得

結果作比較如圖 391 (a)~(b)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+中 x = 0 以及

x = 003 之 SEM 影像由圖中可察覺所合成樣品皆為無孔洞表面光

滑之粉體與文獻中(89)未製成工作電極前之二氧化鈦形貌相符透過

Eu 摻雜改質後相較於未摻雜樣品粒徑似乎有縮小之趨勢此與 XRD

所得結果吻合而相較於 TBT 系列圖 392(a)~(d)顯示 P25 系列於

不同 Eu 摻雜量時之粉體 SEM 圖由圖中顯示樣品仍為無孔洞表

面光滑之粉體然而透過 Eu 之摻雜粒徑大小並無明顯改變約略

於 23~25 nm 之間此與 XRD 所計算出結果相符

但若欲進一步測量其準確粒徑分布須透過TEM量測放大倍率作

觀察圖310(a)~(f)為TBT系列 Ti1-xO2Eux3+ 中 x = 0~004 之TEM

影像由圖中可察覺粉體顆粒大小均勻形狀近似圓球狀影像中

並無顯示類似之添加稀土金屬晶相結果皆與SEM吻合其由於TEM

影像中顏色較深暗之部分表示本實驗所配製之粉體具聚集堆積之

情形推測可能為此TEM實驗製備方法中只單純將粉體分散於純乙醇

內並無額外加入任何分散劑而造成粉體顆粒產生團聚現象因此

由圖中所觀察之粉體大小可能為二次粒徑但由於系列樣品中其隨

著Eu3+摻雜量增加可明顯觀察至其粒徑亦隨之變小此結果將配合

BET之結果加以討論

79

(b) (a)

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+SEM 圖放大倍率皆為 100k圖(a)為

x = 0圖(b)為 x = 003

80

(b) (a)

(d)

(c

圖 392 (a)~(d)為 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為

100k圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)為 x = 015

81

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(a) (b)

(c) (d)

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(f) (e)

20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm

圖 310 (a)~(f)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+TEM 圖放大倍率皆為 200kx

(a) x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f) x = 004

82

3122 氮氣等溫吸附與脫附分析(Brunauer -Emmett-TellerBET)

31221 TBT 系列粉體 BET 分析

分析所合成之工作電極粉體其表面形貌以及比表面積分布本研

究針對樣品進行氮氣等溫吸附與脫附分析氣體吸附法測定比表面積

之原理為依據氣體於固體表面之吸附特性於一定之壓力下被測

樣品顆粒(吸附劑)之表面於超低溫下對氣體分子(吸附質)呈現可

逆之物理或化學吸附作用於某一壓力下其存在相對應之平衡吸附

量通過測定出該平衡吸附量並藉由理論模型以等效求出被測樣品

之比表面積由於實際顆粒外表面之不規則性嚴格來講該方法測

定之結果為吸附質分子所能到達之顆粒外表面與內部通孔總表面積

之和

圖 311(a) ~ (g)為 TBT 系列樣品針對不同 Eu 摻雜濃度之工作電

極粉體所測之 BET(Brunauer-Emmett-Teller)等溫吸附法之結果藉由

遲滯迴圈之範圍及形狀可輔以判斷孔空形狀與大小此系列樣品之氣

體吸附曲線依 IUPAC 定義於 x = 0即無 Eu 摻雜時由於其於高

相對壓力(relative pressure PsPo)時遲滯迴圈不明顯故推測屬於第

二型第二型通常為無孔材料或孔徑較大之材料配合 SEM 圖判斷

應為無孔材料顯示合成之粉體其表面光滑完整而隨著 Eu 之摻雜

量之增加氣體吸附曲線於高相對壓力出現些微遲滯迴圈現象推測

屬於第四型中孔洞材料但由 SEM 判斷粉體仍無中孔洞材料現象

為完整平滑之粉體初步判斷造成中孔洞原因為粉體堆疊時所產生之

空隙造成且遲滯迴圈較為垂直故應為規則之球體陣列間孔洞造

成而經由 BET 程式計算此 TBT 系列樣品之比表面積顯示隨著

Eu 含量之增加其比表面積亦隨之增加於 Eu 摻雜量至 x = 004 時

達至飽和此結果與 XRDTEM 結果吻合隨著 Eu 含量之增加

83

由於粒徑因為 Eu-Ti-O 鍵結產生造成晶體成長受限而隨之粒徑變

小因此造成比表面積隨之增加圖 312 為 Eu 不同摻雜量與比表面

積之關係圖

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0015)

V

olum

e ad

sorb

ed (c

m3

g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=002)

Absorption process Desorption process

(c)

84

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=003)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(d)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=004)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

050

100150200250300350400450500

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=005)

Absorption process Desorption process

(e)

(f)

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖

85

000 001 002 003 004 00570

80

90

100

110

120

130

140

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

789

9821027

1076

1328

1266

圖 312 TBT 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

31222 P25 系列粉體 BET 分析

圖 313 為 P25 系列樣品於不同 Eu 摻雜濃度下所測定 BET

(Brunauer -Emmett-Teller)等溫吸附法之結果與 TBT 系列比較依

IUPAC 之定義配合 SEM 與 TEM 之結果此系列樣品仍為無孔洞

之奈米材料且其高相對壓力處遲滯迴圈之形狀與 P25 標準圖譜相

近可判斷於此系列中經由 Eu 之摻雜後於表面形成之 Eu-Ti-O 之

鍵結較弱因此限制晶格成長現象較不明顯此結果與 XRD 粒徑大

小分布趨勢吻合

86

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPO)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0075)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=015)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

(c)

圖 313 (a)~(c) P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之 BET 圖

87

000 005 010 015

0

10

20

30

40

50

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

333

477 509

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

32 TiO2Eu3+ 粉體光譜特性分析

3211 光激發光譜分析(PL)

以 Eu3+作為活化中心之紅色螢光粉研究已屬豐碩而藉由主體晶

格之變異進而整齊發光特性而先前亦具 Eu3+摻雜入 TiO2 之研究

但多數為薄膜製程以探討其光電與觸媒特性本研究亦透過光激發

光譜之分析藉以探討不同 Eu3+濃度摻雜之粉體其發光特性與機制

Zou 等人(91)於 2006 年之研究指出由於其間接傳遞之特性TiO2

之塊材(bulk)於室溫下並無放光僅於 77 K 時於 500 nm 處具微

弱放光習知 Eu3+離子之激發光譜具以下三種特徵第一種為主體晶

格吸收以 Y2O3 Eu3+為例於激發波長(≦230 nm) 存在 Y2O3之主

體晶格吸收第二種為電荷轉移躍遷(charge transfer transition)為

Eu3+-O2-之間電荷轉移所產生之躍遷其常為寬帶譜此特徵峰一般

88

介於 250 ~350 nm(92 - 94)第三種為 f-f 軌域之躍遷此為 300~500 nm

之間 Eu3+離子之 4f 軌域相互躍遷所造成之特徵吸收峰如圖 315 所

示為摻 Eu3+離子之 TiO2光激發光譜圖與放射光譜圖於 612 nm 作

放射波長下之激發光譜中最強吸收峰為 394 nm其為 7F05L6軌域

電子躍遷其中由左至右亦包含 7F016D4(384 nm)7F0

5G2(380

nm)7F05D3(414 nm)7F0

5D2(464 nm)之吸收峰值故吸收峰皆為

4f 軌域之內層電子躍遷(95)並無上述之主體晶格吸收或電荷轉移等

現象其乃因 Eu3+-O2-之間共價性太低但電荷轉移所需能量太大

故不易發生再者因電荷轉移吸收帶與主體晶格能隙重疊故產生

能量移轉電荷轉移吸收帶吸收之能量移轉至主體晶格爾後以非發

光形式釋放

於 394 nm 激發並測其放射光譜最強之放射波長為 612 nm隨

濃度改變此一最強放射峰值並無任何改變此為 5D07F2軌域電子躍

遷且三價稀土離子佔據晶格之非對稱中心時非對稱中心之晶格場

對 J = 0 2 之躍遷特別敏感故此躍遷亦稱為強制電偶極躍遷(forced

electric-dipole transition)而磁偶極躍遷(magnetic-dipole transition)一

般不受發光中心周圍結構對稱性之影響5D07F1即屬於此類自左

至右分別為 5D07F0(580 nm)5D0

7F1(592 nm)5D07F4(652 nm)

觀察激發放射光譜圖 315 之放射峰皆為 5D07FJ之電子躍遷即自激

發態之最低能階躍遷至基態而無較高能能階激發態之躍遷其乃複

合聲子弛緩過程(multiphonon relaxation process)(96)所致

89

350 400 450 500 550 600 650 700

00

30x106

60x106

90x106

12x107

15x107

5DJ-7FJ

414

(7 F 01

-6D

3 )

384

(7 F 01

-5 Gj5 L

7)

535

(7 F 01

-5 D3

)

394

(7 F 01

-5 L6 )

λem= 612 nm

464

(7 F 01

-5 D2 )

592

(0-1

)58

0 (0

-0)

652

(0-4

)

Ti097O2 Eu0033+

612

(0-2

)

λex= 394 nm

Inte

nsity

(au

)

Wavelength(nm)

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖

由於本研究為藉由經由工作電極摻雜 Eu3+而使其放紅光並給與

染料吸收以加強其效為提供染料 Black dye 更多之紅光可利用 Eu

摻雜濃度對於發光強度之關係加以討論由圖 316 中可發現 TBT 系

列中隨著 Eu3+離子摻雜濃度由 x = 0 變化至 x = 005其發光強度隨

活化中心 Eu3+濃度增加而增強爾後摻雜濃度高於 x = 003 時強度

卻隨逐漸衰減而 P25 系列中最高發光強度時之摻雜量則為 x = 01

時 此現象為濃度淬滅效應(concentration quenching)所造成此淬減

效應產生可能因素有二

(1) 自身吸收(self-absorbing)或自消光(self-quenching)效應如同液態

螢光之現象固態溶液於高活化中心濃度時吸收物種平均距離縮減

90

使活化中心產生之螢光為另一活化中心所吸收致使發光強度減弱

(2) 能量傳遞至非放光中心 使能量損耗導致發光效率降低

Frindell 等人(97)所發表之文獻中將 Eu 摻雜入非結晶相 TiO2薄膜所

形成非傳統之發光性薄膜其觀點為放光來源為 Eu-Eu 離子間之能

量傳遞其放光濃度淬滅效應與本研究之觀點一致皆為自消光所造

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖

圖 317 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL 光譜圖

500 550 600 650 700

00

20x106

40x106

60x106

x(content)

Ti1-xO2Eux(P25)

0150125

010075

0050025

0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 464 nm

500 550 600 650 700

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

Ti1-xO2Eux(TBT)

005004

0030025

0020015

00075 0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 394 nm

91

而圖 319 與圖 320 分別為兩系列不同 Eu 摻雜量激發光譜(PLE)

之比較可觀察 TBT 系列樣品於 612 nm 作放射波長下最強吸收

峰為 394 nm其次為 464 nm然而對於 P25 系列反而最強吸收峰

為 464 nm394 nm 峰值相對減小甚大為解釋此現象可由圖 318 之

發光機制圖說明當 TiO2 Eu 照光時對主體晶格 TiO2與活化劑(Eu3+)

皆會受光激發電子當 TiO2吸收波長小於 394 nm 之入射光時光電

子快速傳遞至 Eu3+晶格場分裂能階中進行非輻射緩解至各能階進行

放光其中至 5D0後回至 7F0即產生波長 612 nm 之最強放光由於

次共價陽離子 Eu 之摻雜造成主體晶格於價帶與傳導帶間形成一受

限態(trapped state)提供激發光電子一停留之暫態因此若吸收例如

394464 nm 等波長亦會產生復合放強光或非輻射緩解(虛線)

由放射光譜(PL)可知 P25 系列於最強放光 612 nm 處之發光強度明顯

小於 TBT 系列因此可說明 P25 系列受 394 nm 入射光子量極少吸

收機率減小而致使放射光強度減弱故可說明 394 nm 峰值相對減小

之因

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖

92

300 330 360 390 420 450 480 510 540

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

λem = 612 nm

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

000075

0015002

0025003

004005

PLE

圖 319 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE 光譜圖

330 360 390 420 450 480 510 540

00

20x106

40x106

x(content)

λem= 612 nm

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

00025

0050075

010125

015

PLE

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux

3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖

93

3212 臨界距離與能量轉移機制

根據 Dexter 與 Schulman(98)所提出之濃度淬滅效應(concentration

quenching effect)由圖 316 隨 Eu3+離子濃度逐漸增加時其發光強

度亦逐漸增加於 x = 003 時發光強度達至最高值爾後再添加過

量之活化中心(x>003)導致 Eu3+離子彼此間之距離縮短促使 Eu3+

-Eu3+離子對(ion pair)形成並隨摻雜濃度增加而增加使發光能量於

Eu3+-Eu3+離子對內傳遞以非輻射緩解方式消失其發光強度逐漸衰

減此外可利用 Blasse 等人(99)所提粗略計算添加相同之活化中心於

主體晶格內藉由結構精算所得晶格參數推知其發生能量轉移之臨界

半徑(critical radiusRc)

1 3

c3R 2

4 c

Vx Nπ

⎡ ⎤asymp ⎢ ⎥

⎣ ⎦ (33)

式 33 中V 為單位晶格之體積xc 為活化中心之臨界濃度N

為單位晶格中陽離子所占有之個數

臨界半徑乃於臨界濃度(critical concentration xc)時發光中心傳

遞至非放光中心之最小平均距離於本研究中調變 Eu3+離子之濃度

(x = 0~005)其強度最大值發生於 x = 003即為 xc值並利用結構

精算得此樣品之單位晶格體積為 13591(4) Aring3於每一單位晶格中

此 TBT 系列銳鈦礦向為四方晶系故每單位晶格中之 Ti4+ 離子(同為

活化中心之取代位置)所占有之個數為 1 個即 N = 1經計算結果可

得 Rc值約為 205 Aring以相同方法計算 P25 之樣品其 xc = 01單位

晶格體積 V 為 13603(16) Aring3經計算結果可得 Rc值約為 137 AringP25

系列之臨界半徑較 TBT 系列短之原因為合成過程中摻雜元素晶體

長成之差異造成 P25 系列樣品粒徑較大Eu3+與 TiO2 之鍵結強度

較小因此於活化中心間傳遞電子之距離須更小以達濃度淬滅效應現

94

象發生

綜合上段文中所述Ti1-xO2 Eux3+螢光粉之濃度淬滅效應乃因

其發光能量於 Eu3+-Eu3+離子對(ion pair)內傳遞而淬滅本研究將探

討其能量轉移機制

Ozawa(100)等人與 Wang(101)等人於文獻中指出此複合極矩交互作

用與活化中心濃度與其發光強度具一關係式

1 31 ( )QI K x

minus⎡ ⎤= +⎣ ⎦ (34)

式中x 為活化中心濃度I 為發光強度Q = 68 與 10 分別對

應為偶極-偶極(dipole-dipole)偶極-四極(dipole-quadrupole) 與四極-

四極(quadrupole-quadrupole)交互作用K與 β為對應主體晶格之常數

圖 321為Ti1-xO2 Eux3+

(x = 0~005)樣品以 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)

作圖圖中可觀察為一線性關係其擬合(fit)線之斜率為 -062經由

上述關係式之計算後可得 Q 值為 486近似於 6故由此結果可推論

本研究二氧化鈦摻雜 Eu3+離子之濃度淬滅效應主要乃以偶極-偶極交

互作用(dipole-dipole interaction)所致

-22 -20 -18 -16 -14 -12

83

84

85

86

87

88

89

log

( Ix

Eu3+

)

log (xEu3+)

Ti1-xO2Eux3+

Slope = -06195

圖 321 Ti1-xO2 Eux

3+之 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)關係圖

95

322 拉曼散射光譜分析 (Raman scattering spectrum)

3221 TBT系列粉體拉曼散射光譜分析

拉曼散射光譜為量測材料之鍵結狀態非常普遍之方法其原理為

利用光子與樣品中之聲子之間之交互作用量測晶體中之各種振動模

式包括了分子內之振動與晶格振動因此當樣品中晶格變化極微小

時亦能藉由拉曼散射光譜儀觀測於材料晶相結構之鑑定拉曼光

譜亦提供一材料結構與鍵結組態之特徵可與 X 光繞射圖譜互為印

證根據 Balachandran 與 Eror 報導(102)銳鈦礦(Anatase)具六種

Raman active 振動模式(vibrational modes)A1g + 2B1g + 3Eg 金紅石

(Rutile)具四種 Raman active 振動模式A1g + B1g + B2g + Eg由圖 322

中 TBT 系列之拉曼光譜於 146398518 和 641 cm-1 處其顯示二

氧化鈦晶相之特徵散射峰值分別對應銳鈦礦中 Eg A1gB1g Eg

之振動模態(Vibration Mode) (103 104)且 146 cm-1處之散射峰較尖銳

指出粉體之結晶性佳並與 XRD 結構精算之結果吻合另外此系

列中並無發現金紅石之散射峰出現顯示 TBT 系列樣品為銳鈦礦之

純相此與 XRD 之結果吻合

藉由 146 cm-1處 Eg振動模態之散射峰作觀察可知經由 Eu 摻雜

後其繞射峰具往高波數位移之現象有文獻指出(105 106)當二氧化

鈦於晶體結構中之氧空缺(oxygen vacancy)增加時將增加銳鈦礦於

146 (Eg) cm-1之波數因此研判本系列樣品經由 Eu 之摻雜均增加粉

體晶體中氧空缺爾後 X 光吸收光譜將更進一步討論而 Choi 等人

(107)於銳鈦礦之二氧化鈦中以體積收縮效應 (volume contraction effect)

解釋由於粒徑縮小而使晶粒之徑向壓(radial pressure)變小因此造成

鄰近原子鍵結與振動強度改變使繞射峰有往高波數位移之現象

96

100 200 300 400 500 600 7000

1

2

3

4In

tens

ity (a

u)

Raman shift (cm-1)

148(Eg)

146(Eg)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0015

x = 0

x = 002

x = 0025

x = 003

x = 004

x = 005

398(B1g) 518(A1g)641(Eg)

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

97

3222 P25系列樣品拉曼散射光譜分析

本實驗亦將 P25 系列樣品進行拉曼散射光譜之分析如圖 323

所示 P25 系列之拉曼光譜於 146398518 與 641 cm-1 處出現二

氧化鈦晶相之拉曼散射峰值與 TBT 系列相似分別對應銳鈦礦中

Eg A1gB1g Eg之振動模態(Vibration Mode) 然而 P25 系列樣品

於未摻雜 Eu 時(x = 0)時於 454616 cm-1 處出現分別對應於 Eg

A1g 振動模式之金紅石特徵散射峰出現此金紅石特徵峰之因主要

是由於 x = 0 之樣品存在重量百分比約 25 之金紅石晶相結構隨著

Eu 濃度之增加於 x = 0025 時 454 cm-1之特徵峰已消失而當摻雜

濃度大於 25 mol (x = 0025) 時粉體皆呈現銳鈦礦之拉曼特徵

峰此與 XRD 結論吻合由於稀土元素之摻雜抑制燒結過程中銳

鈦礦轉變成金紅石之現象於最強散射峰 146 cm-1處 Eg振動模態之

散射峰分析可知經由過 Eu 摻雜此繞射峰亦具往高波數位移之現

象然而總括兩系列樣品於此散射峰之位移現象皆不顯著主要乃因

摻雜稀土元素之量過少因此造成主體氧空缺不足以造成明顯之波數

位移現象(108)

98

100 200 300 400 500 600 700

R-616(A1gR-454(Eg

))

147 Eg( )

146(Eg)

641(Eg)518(A1g)

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

(au

)

Raman shift (cm-1)

x = 0025

x = 0

x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015

398(B1g)

圖 323 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

99

323 紫外-可見光擴散式反射光譜分析(UV-Vis DRS)

3231 TBT 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

二氧化鈦為一具半導體特性之物質且為一直接能隙之 n 型半導

體經由紫外光之照射使其表面電子電洞分離純相之二氧化鈦

其價帶與導電帶之能量差(即能隙大小)約為 32 eV相當於 380 nm

光波長之能量經由愛因斯坦發展光電理論之計算能量約座落於紫

外光範圍言下之意為必須透過紫外光激發始將其電子與電洞分離

進而能夠顯現觸媒之催化活性或光電特性然而許多學者於二氧化

鈦之製備過程中添加不同比例之過渡元素金屬離子研究發現可改變

二氧化鈦之光激發特性本研究為透過於二氧化鈦中摻雜鑭系金屬

Eu並透過不同比例之添加期望藉以改善其光激發特性在此透過

紫外可見光擴散式反射光譜分析兩系列所合成 Ti1-xO2 Eux粉體其特

圖 324 為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 之紫外-可見光擴

散式反射光譜顯示未摻雜 Eu 樣品(x = 0)於圖譜短波長約 332 nm 處

具強吸收帶顯示 Ti 以四方晶系之 Ti4+ 存在於晶格中此吸收帶為

將價帶 O-2p 軌域之電子激發至傳導帶 Ti-3d 軌域(109 110)而經由 Eu

之摻雜此系列樣品吸收邊緣延長至較長波長約 400 處此現象於一

般半導體中若具雜質(impurity)或缺陷(defect)態存在即會由於其

本質傳遞而具極強之吸收(111)於本研究中Eu 離子即扮演此雜質之

角色將改變二氧化鈦之晶格環境且由XRD之結論可知由於Eu (III)

之離子半徑遠大於 Ti (IV)之離子半徑因此難藉溶膠-凝膠法與水熱

法等合成將之取代故經過摻雜之二氧化鈦形成一新相化合物此新

相化合物具兩種特性(1) 經過 Eu 摻雜後之二氧化鈦之能隙變小(2)

吸收邊緣延長至較長波長因此較低能量之入射光子即可被利用此

100

現象於圖 324 中特徵譜線紅位移現象中可證實Saif 與 Mottaleb 於

文獻中(110)亦說明鑭系正離子為電子清除劑(electron scavenger)之角

色進而影響主體之發光與光觸媒特性

200 250 300 350 400 450 500

x = 004

Ti1-xO2Eux(TBT)

F(R

)

Wavelength (nm)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

x = 0Red shift

圖 324 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS 光譜

進一步計算此系列樣品之能隙大小評估添加Eu後對光觸媒之光

吸收特性之影響最常以Schuster-Kubelka-Munk 理論方程式並配合

漫反射光譜以估算材料之能隙值擴散式反射光譜儀所利用Schuster

-Kubelka-Munk 理論(112 113)多應用於鋪陳較厚之粉體其中假設無規

則之反射光束粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚度適

用其公式如下

2(1 ) ( )( )2

R kF RR s( )

λαλ

infininfin

infin

minus= = = (35)

101

其中 k 為樣品之吸收係數s 為散射係數一般量測與標準品

相對之反射值 Rinfin 即 refR R Rinfin = 而非量測絕對值之反射值其

中本實驗之 refR 為硫酸鋇 (BaSO4) 之反射係數而若考慮s與波長λ

弱相關之因素則 ( ) F R k sα infin= = 於窄範圍內可正比於吸收以

1

[ ( ) ]F R h ηυtimes 對 hυ 作圖(KM圖)可用以得到材料之能隙值於 KM

圖中hυ 為入射光子之能量而指數η則是由因光子吸收情形造成材

料光吸收範圍之轉移形式決定(114)本研究中粉體特性利用 KM 圖

(指數η =2)可以得到一線性關係藉由此圖形以線性外插法可精確地

求得材料之能隙值計算此系列樣品 Eu 之摻雜量增加後其能隙大

小之趨勢為329326324322314312 eV呈現縮小之現象

Tanner等人(115)提出將稀土元素Er3+摻雜入α-Al2O3中其中Er3+之離子

半徑仍遠大於主體晶格中之Al3+難以取代其晶格位置研判於低濃度

摻雜時形成一新化合物ErAlO3且隨著摻雜濃度增加其能隙亦有

縮小之趨勢而Umebayashi等人(116)將V Cr Mn Fe Co等金屬元素摻

雜入TiO2 後一電子填滿態形成於價帶頂端與傳導帶底部之間且

隨著摻雜量增加此局部填滿態(localized occupied level)將向低能量

位移造成能隙縮小故可研判本實驗中經過 Eu 摻雜之樣品其

能隙調整為Eu3+ 3d所形成之軌域與O-2p 軌域所混成之頂端(價帶)

至Ti4+ 3d 軌域之底部(導帶)因此造成能隙縮小將此與Rengaraj等

人之研究結果吻合(117) 在此將Eu摻雜後之可見光激發過程示於圖

327中

102

25 30 35 40

[F(R

)hν

]12

hν (eV)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算圖

000 001 002 003 004310312314316318320322324326328330

312314

322324326

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

329

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖

103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖

3232 P25 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

而針對 P25 系列樣品同樣可藉紫外-可見光擴散式反射光譜圖

分析如圖 328 中亦發現隨著 Eu 之摻雜濃度增加樣品之反射光

譜線與前趨物 Degussa P25 相近且吸收邊緣亦具紅位移現象然而

相較於 TBT 系列其吸收譜線卻較為狹窄對於光觸媒之利用較為

不利且此系列粉體亦藉由 Schuster - Kubelka-Munk 理論計算其能隙

大小由於 Eu 摻雜造成能隙縮小之現象較不如 TBT 系列顯著推論

由於合成方法與前趨物不同所致其造成樣品形成結晶之結果不同

且 Eu 於 P25 系列粉體中與 O 軌域之混成程度不如 TBT 系列

104

250 300 350 400 450 500

00

02

04

06

08

10

12

x = 015F(R

)

Wavelength (nm)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

x = 0

Red shift

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜

25 30 35 40

[F

(R)

hν]1

2

hν(eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖

105

00 01 02300302304306308310312314316318320322

310312

317

313

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖

324 X 射線光電子能譜儀(XPS)

本研究藉由 X 射線光電子能譜儀探討粉體之能階性質其乃藉

由光電效應將某能階之電子激發而成為光電子藉由分析此些光電子

之能量進而得知束縛能獲得關於表面元素組成以及元素之化學環

境狀態由於本實驗以 Eu 摻雜入主體二氧化鈦中由 XRD 精算結

果顯示即使 Eu 摻雜量增加其晶格體積並無擴張趨勢基於 Eu3+與

Ti4+之離子半徑之差異初步判定Eu並未取代二氧化鈦晶格中Ti4+ 之

位置由於稀土原子與主體晶格鍵結成一化合物時其化合物之結合

能明顯會與純原子時不同其內核層電子之束縛能亦會有不同之變

化即一般之化學位移 (Chemical Shift)其所造成之能譜位移可用

以區分不同氧化態之元素

利用 XPS 分析 Ti1-xO2Eux3+ TBT 系列中 x = 03 之粉體由全光

譜結果表示奈米粉體表面主要含 TiOC 三種元素其中 C 元素

來自於污染雜質碳而 XPS 偵測深度約為 5 nm未於全光譜中偵測

106

到 Eu 之特徵峰(1134911652 eV)出現初步推測含 Eu 化合物可能

未於粉體表面而存在於晶格空隙(interstitial)中(86)如圖 331 所示為

TBT 系列 x = 0 與 x = 3 針對 Ti-2p 軌域所呈現之 XPS 圖譜其中

Ti-2p32與 Ti-2p12之束縛能約於 4583 與 464 eV間距為 57 eV兩

特徵峰之相對強度(積分面積)比約為 21皆為二氧化鈦晶格中 Ti4+

之貢獻與文獻中銳鈦礦相之特徵峰吻合(118)當 Eu 之摻雜(x = 3)顯

示可見 Ti-2p32 與 Ti-2p12 之束縛能位置具化學位移現象(4585 與

4642 eV)此化學位移現象可藉共價鍵理論(covalent bonding theory)

解釋顯示 Eu3+合併(incorporate)入 TiO2 中(於晶格表面或空隙)而形

成 Eu-O-Ti 鍵結由於 Eu 之存在造成 Ti 與 O 所共價之電子雲密度

減少而改變其束縛能因此束縛能增加(119)造成特徵峰向高能量偏

移如圖 332 為 O-1s 軌域之 XPS 圖譜經 Eu 之摻雜亦出現化學位

移之現象另亦有文獻指出(120)若二氧化鈦表面之本質缺陷(intrinsic

defect)增加由於缺陷結構會促使電子從陰離子(O)中傳遞至陽離子

(Ti)或摻雜離子(C)中造成 O 束縛能增加此與本實驗之位移現象吻

合至針對 P25 系列樣品同樣觀察 Ti-2p32Ti-2p12 與 O-1s 軌域之

XPS 圖譜(圖 333334)指出相較於 TBT 系列樣品無論為 Ti-2p

抑或 O-1s 軌域化學位移之現象皆較不明顯研判於表面 Eu-O-Ti

共價鍵之鍵結強度較弱因此電子轉移現象減小

107

456 458 460 462 464 466

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

527 528 529 530 531

5298

Ti1-xO2Eux(TBT)O 1S

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0

5297

x = 003

4642

4585464

Ti1-xO2Eux(TBT)

Ti 2p12

Binding energy (eV)

Inte

nsity

(au

)

Ti 2p32

x = 0

4583

x = 003

108

458 460 462 464 466

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

4643

45854642

In

tens

ity (a

u)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

Ti 2p12

Ti 2p32

x = 0

4584

x = 01

527 528 529 530 531

5297

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

O 1S

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0

5296

x = 003

109

本研究亦建立兩系列樣品之價帶導帶與標準氫電極之相對位

置以利解釋雙層工作電極模型機制本研究針對低能量入射光子慢

速掃瞄粉體之 XPS 光譜由於 XPS 原理中運用光電效應概念偵

測光電子能量(Ek)為入射光子能量扣除內核層電子束縛能與功函數

即 k bE h Eυ ϕ= minus minus (如圖 335 說明 )由二氧化鈦之分子軌域

(Molecular orbital)圖樣可知其價帶位於 O-2p 軌域因此圖 336 中為

針對 TBT 系列樣品(x = 03)之價帶圖譜由態密度(density of state)圖

譜可知代表價帶(O-2p)之放射特徵譜線而費米能階(EF)於價帶圖譜

中視為 0 eV因此可透過類似計算能隙大小之外差法方式計算其價

帶相對於標準氫電極之大小(120)可之經由 Eu 之摻雜二氧化鈦之

價帶位置由 32 eV 降低至 21 eV由圖中亦可得 Eu 摻雜樣品降低粉

體之價帶位置並結合紫外‐可見光擴散式反射光譜分析後所得粉體

之能隙大小可建立如圖 338 所示兩系列樣品之能隙位階圖

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖

110

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

21

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0 x = 003

32

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

20

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25) x = 0 x = 01

25

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

111

圖 338 兩系列樣品未摻雜與摻雜 Eu3+粉體能隙位階圖

112

325 X-光吸收光譜(XAS)

本研究所製備之工作電極粉體係屬奈米材料因奈米材料相較塊

材之結晶性較差由X光粉末繞射圖譜中(powder X-ray diffraction)將

無法獲得進一步之結構資訊X吸收光譜可提供局部之結構資訊(local

structure)適合作為奈米材料結構研究之方法此外更可提供繞射法

所無法獲得之氧化態訊息故本研究乃藉由國家同步輻射研究中心

BL20A光束線以進行吸收光譜量測藉比對X光吸收近邊緣結構

(X-ray absorption near edge structure XANES)以得知特定原子氧化價

數與 d-軌域之電子填滿率並可分辨吸收原子所處之晶位對稱性

由於同步20A光束線而言待測樣品可以為晶型或非晶型固體甚至

為液體或氣體因此應用範圍十分廣泛尤其各元素之吸收邊緣能量

少有重疊可調整入射能量至各個元素之吸收區進行掃描以分別偵

測非常適於量測含有多種元素之樣品系統

由圖 339 與圖 341 中兩系列樣品之 O-k edge 吸收光譜指出此二

氧化鈦之 O-K edge 之特徵譜線與文獻中吻合(121)觀察兩系列中於吸

收邊緣之特徵譜線經由 Eu 之摻雜並無明顯位移現象顯示粉體中

O 之價數並明顯變化判斷為低濃度摻雜之故然而放大 528 eV 附

近之特徵峰觀察後發現(圖 340 與圖 342)隨著 Eu 之摻雜量增加

此吸收峰強度亦隨之增強由分子軌域之概念顯示由於 Eu 之摻

雜造成 O 之電子雲轉移散布至 Eu 軌域因此造成 O 電子組態中出

現更多空軌域亦即增加粉體之氧空缺由於 TiO2 摻雜次共價鍵陽

離子(subcovalent cation)造成之氧空缺會形成攔截態(trap state)或雜質

態(impurity state)(122 123)可能形成放光中心影響粉體之螢光性質亦

可能造成電子傳遞時之阻礙

113

531 540 549

0

1

2

3

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux(TBT)O K-edge XAS

圖 339 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

114

5272 5280 5288

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 340 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜局部放大圖

525 530 535 540 545 550

0

1

2

3

Photon Energy (eV)

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux(P25)O K-edge XAS

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

115

5272 5280 5288

Photon Energy (ev)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大圖

116

33 Ti1-xO2Eux3+粉體於染料敏化太陽能電池之應用研究

上述各節已討論 Ti1-xO2Eux3+ 粉體之晶體結構形貌光學電

子組態各種特性本研究藉由此經修飾之二氧化鈦粉體應用於染料敏

化太陽能電池之工作電極材料並藉由其特殊發光特性與結構設計

以提高太陽能電池之效率

331 單層工作電極電池效率量測

未經修飾之二氧化鈦(TiO2)由於其能隙約為32 eV亦即所能

利用之光波範圍僅限於紫外光區域此情況下 TiO2 於一般日照射能

產生電子-電洞對之效率差所展現之光催化活性低應用價值不高

故為提升對太陽光之吸收效率進而提升 TiO2整體光催化效率為當

前一重要課題一般提高效率之方法分為修飾 TiO2表面或晶體結構

以增加其對光波之吸收率與抑制電子-電洞對之再結合TiO2之晶體

中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性質之改變益於光

催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕捉電子或電洞之缺陷

益於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素與 TiO2 共結晶增益對

光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化效果

第一個部分由於本研究透過 Eu3+摻雜入二氧化鈦中於光激發

光譜分析可得知兩系列摻雜 Eu 粉體於藍紫光(394464 nm)激發造成

於 612 nm 處之放光配合染料 black dye 於紅光附近之吸收可提高

染料之額外吸光量進而提高光激發電子之數量以提高能量使用之效

率圖 343 中為 TBT 系列分別取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體與摻

雜 Eu 後發光強度最高 (x = 003)之粉體工作電極材料(分別以 0-TBT

與 Eu003-TBT 表示)組裝電池後量測之光電特性為討論分析其再

現性本研究以相同條件多次組裝電池量測求證結果由表 34 中光

電特性參數得知兩種樣品所得 FF 因子皆達理想電池之表現

117

Eu003-TBT 電池平均效率為 178 而 0-TBT 獲得平均為 234

之較高效率其中短路電流密度(Jsc)從 436 下降至 320 mAcm2為主

要原因以同樣想法將 P25 系列粉體取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體

以及摻雜 Eu 後發光強度最高 (x = 01)之粉體工作電極材料(分別以

0-P25 及 Eu01-P25 表示)組裝電池後量測之光電特性於圖 344 中

顯示由表 35 光電特性參數亦可知 0-P25 平均效率為 189 而

Eu01-P25 為 124 其中短路電流密度從 373 下降至 221 mAcm2

與 TBT 比較同一結構P25 系列之電池效率明顯較小推測仍為

粒徑較大由 BET 之計算可知供染料吸附之比表面積較少因此造

成效率較低針對電池中之工作電極Eu 摻雜後之材料反而效率降

低在此提出可能之機制如圖 345 所示於電子傳遞過程中理

想狀況為光電子迅速由染料之 LUMO 傳遞至二氧化鈦導帶再經由

FTO 導致外電路使用然而由於 Eu 摻雜後之工作電極Eu 所形成之

氧空缺捕捉光電子此時氧空缺類似 trap state因此造成光電子量下

降再者由於被染料激發之光電子到達工作電極時亦可能部分

用以形成 Eu 放紅光之復合電子來源因此亦為光電子量下降之因

可由表 34 與表 35 中經 Eu 摻雜後之工作電極電池光電流之現象得

118

00 02 04 06 08 10 120

1

2

3

4

5

6(TBT)Ti1-xO2Eux

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage (V)

x = 0 231 224 237 233

x=003 176 185 168 182

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 34 TBT 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT 16 074 436 069 234(8)

Eu003-TBT 14 077 320 058 178(2)

119

00 02 04 06 08 100

1

2

3

4

5C

urre

nt d

ensi

ty (m

Ac

m2 )

Voltage (V)

x = 0

189 191 182 193

x = 01 123 125 119 127

Ti1-xO2Eux (P25)

圖 344 P25 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 35 P25 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P25 14 071 373 067 189(2)

Eu01-P25 15 079 221 054 124(3)

120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖

332 雙層工作電極結構

對於提高染料敏化太陽能效率由效率 sc oc inJ V FF Pη = times times 可

知致力於提高其開路電壓 (Voc) 亦為提高效率其中之一方法以

此觀念為基礎之研究例如 Durr 等人(124)於 2006 年利用於原 TiO2上塗

佈 Ti1-xZrxO2與 ZrO2之混合物由於 ZrO2之能隙約為 5 eV相對於

TiO2之 32 eV形成一道位階屏障阻擋傳導至 TiO2傳導帶之光電

子與染料之 HOMO(Highest occupied molecular orbital)或電解質中 I3minus

再復合之機會進而提高光電子傳導致外電路之數量本研究鑑於先

前對於 Eu 摻雜入 TiO2後提高其價帶位階並增加其能隙大小之結

果設計雙層結構以降低光電子再復合之機率因此下一部分實驗

121

因此本研究將利用Eu摻雜對於 TiO2 之粉體與未摻雜 TiO2相異之光

電特性設計出雙層結構工作電極藉以探討對於太陽能電池效率之

影響

3321 雙層工作電極結構電池製作說明

首先說明此雙層結構工作電極之太陽能電池之設計先於十片清

洗完之 FTO 上透過網印塗佈一層未摻雜 Eu 之二氧化鈦電極(約 6~7

μm)經過層溫燒結後再分成兩組各五片其中一組繼續塗佈一層

相近厚度未摻雜 Eu (x = 0)之二氧化鈦電極而另一組則塗佈一層摻

雜 Eu 後發光強度最高(TBT 系列x = 003)之電極再進行層溫燒結

並與第一部分單層結構相同利用四氯化鈦處理後再進行 500oC 燒結

即完成分別以 0-TBT0-TBT 與 Eu003-TBT0-TBT 表示而 P25 系

列樣品亦以相同步驟製得分別以 0-P250-P25 及 Eu01-P250-P25 電

池雙層結構設計圖如圖 346 所示

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖

122

3322 電池效率量測

為探討其組裝之再現性與穩定性本研究亦以相同條件多次組裝

電求證結果圖 347 為 TBT 系列雙層結構電池之電流-電壓圖由表

中可得知0-TBT0-TBT與Eu003-TBT0-TBT平均效率分別為260

與 343 短路電流密度 (Jsc)為 565 mAcm2與 702 mAcm2開路

電壓為 066 V 與 071 V顯見第二層為 Eu 摻雜之二氧化鈦電極效

率短路電流開路電壓皆增加而 P25 系列第二層若為 Eu 摻雜後

之電極由表 36 中可觀察出效率短路電流開路電壓皆增加但

與 TBT 比較同一結構電池效率明顯較小推測仍為粒徑較大

造成染料吸附量較少 圖 349 為 Eu003-TBT0-TBT 雙層結構電極

材料與染料間能隙之相對位置本研究亦藉此解釋效率提高之原因

由短路電流增加之現象可知光電子被利用之數量增加即光電子從

染料之 LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)快速傳導至第二層

Eu003-TBT 再至第一層 0-TBT由於電子於此傳遞過程中之速率與

兩因素相關(1) 染料用以吸附於二氧化鈦之結構種類強度(2) 染

料 LUMO 與二氧化鈦工作電極之傳導帶(conduction band)之相對位

置而透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動

力(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導

帶位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑

或與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機

率增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值Kim 等人於

2008 年之研究中(125)利用二氧化鈦摻雜鉻(Cr)之材料改變原二氧

化鈦之半導體屬性作為屏蔽電極層亦可減少電子再復合機率而提

高效率

而對於開路電壓增加之現象須先瞭解染料敏化太陽能電池運作

123

時之能階變化階原理由Kubo (55)所建立如圖350(a)所示為一DSSC

於未照光之能階圖亦即TiO2染料電解介質面之間不存在電位差

故其費米能階 (Fermai level EF)可視為自由電子所混成之平衡狀態

當DSSC照光後如圖350(b)所示染料吸收光波產生激發之光電子

與電洞之分離同時造成電位差此電位差即為TiO2之CB與染料之

LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)混成能階(Efn)相對染料

之HOMO (Highest occupied molecular orbital)與電解質氧化還原電位

(I-I3-之ERedox)之混成能階(Efn)之電位差(ΔV)而此電位差之最大直即

為光電壓之最大值亦即開路電壓本研究中由於雙層結構第二層

Eu003-TBT傳導帶上移造成與染料之LUMO混成能階上移因此與

染料之HOMO與電解質氧化還原電位(Iminus I3minus之ERedox)之混成能階差異

變大增大電位差因此提高開路電壓值

124

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 100

1

2

3

4

5

6

7

8

9C

urre

nt d

ensi

ty(m

Ac

m2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT 273 258 250 260

Eu003-TBT0-TBT 342 340 339 352

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 36 TBT 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT0-TBT 15 066 565 070 260(8)

Eu003-TBT0-TBT 16 071 702 068 343(2)

125

00 01 02 03 04 05 06 07 08 090

1

2

3

4

5

6

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-P250-P25 195 201 191 189

Eu01-P250-P25 237 214 242 254

圖 348 P25 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 37 P25 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P250-P25 15 066 420 069 194(5)

Eu01-P250-P25 14 070 473 070 237(2)

126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變化(55)

127

3322 雙層工作電極結構電池入射單色光子-電子轉化效率(IPCE)量

為驗證雙層工作電極結構之電池中效率提高原因之論點本實驗

針對電池進行單色光子-電子轉化效率(IPCE)量測透過自動單光濾

鏡控制光源照射電池之波長藉以觀察電池於不同波長之入射光照射

下其外部量子效率展現由圖 351a 及 351b 分別顯示 TBT 與 P25

系列電池所呈現之 IPCE 圖譜譜線趨勢與參考文獻(75)相近其中

Eu003-TBT0-TBT 電池於可見光區之外部量子效率明顯大於

0-TBT0-TBT 所呈現P25 系列亦有相同趨勢結果於橘紅光附近

(610-620 nm) 提升較明顯是否為第二層結構 TiO2 Eu 於 612 nm 部

分放光為 Black dye 所吸收而增加光利用之故仍未確定故本研究

透過工作電極之放射光譜印證乃將製作完成之 Eu003-TBT0-TBT

電池工作電極一部分未浸泡另一部分浸泡染料 black dye 溶液 24 小

時並以無水乙腈沖洗後待至乾燥進行光激發光譜分析(PL)由圖

352 之結果可知未浸泡之工作電極(plain)經過染料浸泡後(black dye)

於 612 nm 之激發光譜幾乎吻合但是放射光強度略為減弱因此可

知第二層工作電極放射之紅光部分中少量為染料所吸收然而由於太

陽光中紫外光部分只佔 5 因此 394 nm 之激發光轉換成紅光比例

相對極為少量因此藉此增加電池效率效果有限因此雙層結構電池

中第二層為 Eu 摻雜之樣品效率提高之因主要仍為 3222 節中所解

釋由於階梯狀能階設計減少電子再復合機率以增加光電子之可使

用量此論點將於下節電化學交流阻抗分析中再次討論

128

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-TBT0-TBT

Eu003-TBT0-TBT

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-P250-P25

Eu01-p250-p25

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖

129

350 400 450 500 550 600 650 700

In

tens

ity (a

u)

Wavelength(nm)

Eu003-TBT0-TBT Plain black dye46

4

394

612

PLE - λem= 612 nm

PL - λex= 394 nm

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作

電極之激發與放射光譜

3323 雙層工作電極結構電池電化學阻抗(EIS)量測

進一步驗證 3321 中雙層工作電極電池不同結構中效率相異之

原因本研究將一系列電池進行電化學阻抗測試測試結果如圖 353

所示經 Z-view 軟體 fitting 之後並參考 Adachi 等人(79)所發展之模

式獲得如表 38 所列參數藉各參數間之比較可瞭解電池於照光

工作時激發光電子於電池中傳遞之情形

由圖 353 阻抗圖譜中Yoshida 等人(77)界定位於中頻區之圖譜意

義為光電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質液介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗因此本研究發現 TBT 系

列中0-TBT0-TBT 中頻區之半圓半徑明顯大於 Eu003-TBT0-TBT

之結果可得知透過雙層結構之設計(圖 349)第二層為 Eu003-TBT

130

之電池其相對能階形成階梯型驅動力之增加明顯降低工作電極

層與層間之傳輸電阻再者亦可證明第二層形成一傳遞屏障降低

傳遞電子與電解液中 I3-再復合之還原作用而 0-P250-P25 以及

Eu01-P250-P25 之間亦具此現象圖 353 中亦可比較 TBT 與 P25 兩

系列明顯其工作電極內電阻之因素亦反應於電池效率結果上

將圖 353 所得電交流阻抗結果透過 Z-view 軟體 fitting 後得到表

38 所列參數先觀察 TBT 系列兩電池可知第二層為 Eu003-TBT

之電池其 keff (電子再結合速率常數)由 315 下降至 247 s-1因此電

子生命週期提升可知驅動力之增加提升電子傳導之動力學參數

(126)加速電子傳遞以減少電子於電極中之停留機率此點可由 Rw (電

子於 TiO2中之傳導電阻)之降低得證再者由 Rk (電子再結合之電

荷傳導電阻)亦為暗反應電阻此值對於電池效率越大越佳

Eu003-TBT0-TBT 電池較 0-TBT0-TBT 由 1603 增加至 1934顯示

第二層為 Eu003-TBT 之電池由於能階結構之設計降低其電子再

復和之機率此論點與交流阻抗圖譜之結果吻合

由於本雙層結構電池之研究皆控制塗佈步驟中之參數以確立

各電池之膜厚皆相近始可討論 Deff (有效電子擴散係數)與 Ln(電子擴

散長度)對於電子傳遞機制之優劣影響(參考式 214215)相較於

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 電池之 Deff有效從 257 x 10-4提

升至 336 x 10-4 cm2s佐證 Eu003-TBT0-TBT 電池具效延長電子壽

命之現象由表 38 中結果得知各雙層結構電池精算後之 Ln長度皆

大於工作電極膜厚確立各系列電池之傳導電子有效為 FTO 導電

玻璃收集而傳遞至外電路使用而 Eu003-TBT0-TBT 之 Ln 值較

0-TBT0-TBT 所得之 Ln值大 以上結果皆顯示第二層為 Eu003-TBT

之電池可有效減少電子因粉體之氧空缺被捕捉而停滯之機率增加

131

之驅動力促使電子可於工作電極中有效而快速地傳遞進而提高光電

轉換效率而關於 P25 系列之討論顯示 0-P250-P25 與

Eu01-P250-P25 之各參數比較與效率結果皆吻合現象解釋與 TBT

系列相同

關於TBT系列與 P25系列之Deff之比較顯示TBT系列之Deff 普

遍皆大於 P25 系列亦具相關文獻(127)指出由於晶相之含量差異亦

會影響此值由於 Anatase 晶相與 Rutile 晶相均為正立方晶系

(Tetragonal system)結構其晶相皆是以 TiO6之八面體存在不同處

為於 Anatase 晶相中其不論 abc 軸方向其八面體間之鍵結均

是以 edge-sharing 之方式存在而於 Rutile 晶相中則為於 ab 軸以

corner-sharing 之方式存在於 c 軸方向以 edge-sharing 之方式鍵結

此結構之差異造成 Anatase 傳導電子之能力較佳此結果於已有之光

觸媒研究已確立因此相較於 P25 系列TBT 系列擁有較純之 Anatase

晶相因此 Deff較大而光電轉換效率亦較高

132

20 30 40 50 60 70 800

5

10

15

20

25

30

Z

(ohm

)

Z (ohm)

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 0-P250-P25 Eu01-P250-P25

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖譜

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數分析

Structure

L

(μm)

keff

(s-1)

τ

(s)

Rk

(Ω)

Rw

(Ω)

Deff

(cm2s)

Ln

(μm)

0-TBT0-TBT 16 315 0032 1603 4987 257 E-04

287

Eu003-TbT0-TBT 15 247 0040 1934 3236 336 E-04 367

0-P250-P25 15 451 0022 1123 7011 164E-04 190

Eu01-P250-P25 14 356 0028 1465 5445 188 E-04 229

133

333 CdSe 敏化雙層工作電極結構電池光電特性分析

由於二氧化鈦其能隙較大(約 32 eV)之故因此可見光中可激發

其電子之波段較窄必須透過窄能隙材料之吸附以增加其對於可見光

之利用除染料以外近年來所發展之量子點材料亦為一具潛力之

敏化物

本研究欲驗證量子點取代Black dye之角色後效率趨勢是否相

同因此取染料敏化實驗中效率較高之TBT系列作為雙層電極結構材

料並以硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物本實驗所合成之硒化鎘測

量其吸收光譜(UV-Vis)可知第一個吸收峰值之對應波長約於554

nm藉由Peng等人(128)所發展之方程式估算出粒子大小(D)可計算粒

徑約為305 nm

D = (16122times10-9)λ4- (26575times10-6)λ3 +(16242times10-3)λ2 - (04277)λ

+ (4157) (38)

其中 λ 為第一個吸收峰值之對應波長

圖 354 為 TBT 系列雙層結構量子點電池之電流-電壓圖由表

39 中0-TBT0-TBT(Plain)與 Eu003-TBT0-TBT(Plain)代表未吸附

CdSe 之電池效率極低分別為 00040 與 00060 而經過 CdSe

之摻雜後[0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)]平均效

率分別提升為為 0047 與 0083 光電流值亦明顯提升顯示量

子點之吸附增加電池對於入射光能量之利用若比較

0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)兩組數據其 FF 值

比染料敏化電池值較為低此為現階段量子點電池之通病亦為效率

一直無法提升之因而第二層為 Eu 摻雜之工作電極效率短路電

流與開路電壓值皆提升此與染料敏化電池系列之趨勢相同表示而

透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動力

134

(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導帶

位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑或

與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機率

增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 1000

01

02

03

04

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT(CdSe) 0045 0046 0049 0049

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 0083 0085 0081 0082

0-TBT0-TBT(Plain) 00040 00043

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 00062 00063

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC (V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

() 0-TBT0-TBT(Plain) 14 043 002 009 00040(2)

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 16 044 003 012 00060(3)0-TBT0-TBT(CdSe) 15 054 025 034 0047(2)

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 16 058 033 037 0083(1)

135

第四章 結論

本研究成功利用不同前趨物以溶膠凝膠法與水熱法之合成方法

製備出兩系列 TiO2Eu3+工作電極材料( TBT 與 P25)以 XRD 等量測

進行材料結構鑑定分析並探討 Eu 摻雜後對於 TiO2之發光特性與電

子組態之影響爾後將材料應用於敏化太陽能電池之工作電極研究

修飾後之 TiO2電極對於電池效率之影響其重要結果如下

(a)本研究以溶膠凝膠法及水熱法藉由 Eu 摻雜成功合成出純銳鈦礦

(Anatase)之二氧化鈦並且由於 Eu-Ti-O 鍵結形成不僅延緩金紅

石(Rutile)晶相生成有較好之光電特性亦限制晶體之成長由於

粒徑越小增加其比表面積因此有效提升太陽能電池染料之吸附

量增加電池之效率表現

(b)以光激發光譜分析樣品得知隨著活化劑 Eu 摻雜量之增加主體

晶格 TiO2 之發光強度隨之增加於高濃度出現濃度淬滅現象而

拉曼光譜亦證實藉由 Eu 摻雜成功延遲煆燒過程中金紅石(Rutile)晶

相生成且增加粉體表面之氧空缺

(c)本研究以紫外-可見光擴散式反射光譜測量 TiO2Eu3+之吸收特性

經由 Eu 摻雜後出現之紅位移現象顯示 TiO2 於摻雜稀土金屬離

子產生能階混成造成能隙縮小增加對於可見光範圍之吸收並以

X 射線光電子能譜儀分析獲知摻雜離子 Eu3+於晶體中位置並以價

帶光譜之量測成功建立樣品之價帶傳導帶能階位置而 X-光吸

收光譜之近邊緣光譜分析得知Eu 摻雜後鍵結中電子轉移造成表

面氧空缺增加

(d)將合成之材料應用於染料敏化太陽能電池之工作電極本研究原

構想欲透過發紅光之 TiO2Eu3+以增加染料 Black dye 於紅光波段

136

之利用然而由光電特性卻發現由於摻雜後氧空缺所造成之雜質

態捕捉光電子由光電流降低之現象證實光電子量減少

(e)為提高染料敏化電池效率本研究利用雙層結構工作電極之設計而

形成階梯式位階排列不僅增加傳遞驅動力亦由於電極屏障生成

以減少電子再復合之機率而短路電流之增加證實此點並透過與

染料能階之混成提高開路電壓值因此整體結果提高電池之效

率而將染料製換為硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物第二層為

Eu 摻雜材料之電池效率亦明顯提升進一步證實此研究構想之

正確性

總而言之本研究合成兩系列 TiO2Eu3+樣品並探討其之晶體

結構特性發光性質以及建立摻雜離子 Eu3+對於其電子組態之影

響且透過雙層結構設計成功提高敏化太陽能電池之效率

137

參考文獻

1 許志偉 陳宏仁 林怡君 and 王立義 有機無機太陽能電池之

現況發展 化工 第52卷 第2期 49-58 民94

2 AJ McEvoy and M Gritzel Sol Energ Mat Sol C 1994 32 3

221

3 A Hagfeldt B Didriksson T Palmquist H Lindstroumlm S Soumldergren

H Rensmo and SE Lindquist Sol Energ Mat Sol C 1994 31

481

4 B OrsquoRegan and M Graumltzel Nature 1991 353 737

5 M Graumltzel Nature 2001 414 338

6 黃建昇 結晶矽太陽電池發展近況 工業材料雜誌 第203期 150

民92

7 httpcdnetstpiorgtwtechroommarketenergyenergy022htm 國

家實驗研究院科技政策研究與資訊中心(Science amp Technology

Policy Research and Information CenterSTPI)

8 M Graumltzel Phil Trans R Soc A 2007 365 993

9 X Chen and SS Mao Chem Rev 2007 107 2891

10 D Cahen G Hodes M Graumltzel JF Guillemoles and I Riess J

Phys Chem B 2000 104 2053

11 D Matthews P Infelta and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C

1996 44 119

12 M Graumltzel J Photochem Photobio A 2004 164 3

13 TN Rao and LJ Bahadur J Electrochem Soc 1997 144 179

14 AB Kashyout M Soliman and M Fathy Mater Chem Phys

2005 90 230

15 P Guo and MA Aegerter Thin Solid Films 1999 351 290

138

16 K Sayama H Sugihara and H Arakawa Chem Mater 1998 10

3825

17 BV Bergeron A Marton G Oskam and GJ Meyer J Phys Chem

B 2005 109 793

18 S Chappel and A Zaban Sol Energ Mat Sol C 2002 71 141

19 K Hara T Horiguchi T Kinoshita K Sayama H Sugihara and H

Arakawa Sol Energ Mat Sol C 2000 115 64

20 B Tan E Toman Y Li and YY Wu J Am Chem Soc 2007 129

463

21 CJ Barbeacute F Arendse P Comte M Jirousek F Lenzmann V

Shklover and M Graumltzel J Am Ceram Soc 1997 80 3157

22 K Kalyanasundaram and M Graumltzel Coord Chem rev 1998 177

347

23 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B

2000 104 989

24 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio RH Baker E Muumlller P

Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem Soc 1993

115 6382

25 G P Smestad and M Graumltzel J Chem Educ 1998 75 752

26 劉茂煌奈米光電池工業材料雜誌 2003203 期 民93

27 MK Nazeeruddin SM Zakeeruddi RH Baker M Jirouse P Lisk

N Vlachopoulos V Shklover CH Fischer and M GraumltzelInog

Chem 1999386298

28 KS Finnie JR Bartlett and JL Woolfrey Langmuir 1998 14

2744

29 C Bauer G Boschloo E Mukhtar and A HagfeldtJ PhysCem B

2002 106 12693

139

30 CG Garcia NYM Iha R Argazzi and CA Bignozzi Inorg Chem

1994 33 5741

31 MK Nazeeruddin M Amirnasr P Comte JR Mackay AJ

McQuillan R Houriet and M Gratzel Langmuir 2000 16 8525

32 MK Nazeeruddin P Peacutechy T Renouard SM Zakeeruddin R H

Baker P Comte P Liska L Cevey E Costa V Shklover L

Spiccia GB Deacon CA Bignozzi and M Graumltzel J Am Chem

Soc 2001 123 1613

33 J Hagaen W Schaffrath P Otschik R Fink A Bacher HW

Schmidt and D Haarer Synthetic Met 1997 89 215

34 N Papageorgiou WF Maier and M Graumltzel J Electrochem Soc

1997 144 876

35 A Kay and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C 1996 44 99

36 S Chen SK Deb and H Witzke US Patent 1978 4080488

March 21

37 M Graumltzel and K Kalyanasundaram Curr SCi 1994 66 706

38 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio R Humphry-Baker E

Muumlller P Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem

Soc 1993 115 6382

39 M Graumltzel AIP Conf Proc 1997 404 119

40 M Graumltzel J Photo Photobio A Chem 2004 164 3

41 L Han Y Chiba and A Islam 16th International Conference of

Photochemical Conversion and Solar Sstorage Uppsala Sweden

2006

42 Y Chiba A Islam and Y Watanabe J Appl Phys 2006 45 638

43 MK Nazeeruddin FD Angelis and S Fantacci J Am Chem Soc

2005 127 16835

140

44 JM Kroon NJ Bakker HJP Smit P Liska KR Thampi P

Wang SM Zakeeruddin M Gratzel A Hinsch S Hore U Wurfel

R Sastrawan JR Durrant E Palomares H Pettersson T

Gruszecki J Walter K Skupien and GE Tulloch Prog Photovolt

Res Appl

45 H Arakawa T Yamaguchi and A Takeuchi 16th International

Conference of Photochemical Conversion and Solar Storage

Uppsala Sweden 2006 W42P210

46 M Spath JV Roosmalen and P Sommeling 3rd WCPEC Osaka

Japan 2003

47 H Tsubomura M Matsumura Y Nomura and T Amamiya Nature

1976 261 402

48 PM Sommeling 2nd WCPEC Vienna 1998

49 CJ Barbe J Am Cera Soc 1997 80 3157

50 K Tennakone J Phys D Appl Phys 1998 31 1492

51 MK Nazeeruddin P Pĕchy and M Graumltzel Chem Comm 1997 36

1705

52 K Hara Chem Comm 2001 68 569

53 角野 裕康 村井 伸次 御子柴 智 東芝レビュー 2001 56 7

54 A Hagfeldt Nano Letters 2001 1 97

55 W Kubo Chem Comm 2002 39 374

56 原 浩二郎 AIST Today 2002 12 14

57 L Vlachopouios J Am Chem Soc 1988 110 1216

58 V Vamathevan H Tse R Amala G Lowb and S McEvoy

Catalysis Today 2002 68 201

59 MI Litter and JA Navio J Photo Photobio A Chem 1996 98

171

141

60 J Yu H Yu CH Ao SC Lee JC Yu and W Ho Thin Solid

Films 1999 496 273

61 W Li Y Wang H Lin SI Shah CP Huang DJ Doren SA

Rykov JG Chen and MA Barteau Appl Phys Lett 2003 83 20

62 R Asahi T Morikawa T Ohwaki K Aoki and Y Taga Science

2001 293 269

63 C Jia E Xie A Peng R Jiang F Ye H Lin and T Xu Thin Solid

Films 2006 496 555

64 M Saif and MSA Abdel-Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360

2863

65 湯友聖 台灣師範大學碩士論文 臺北 民 97

66 RC Ropp Luminescence and the Solid State Elservier Amsterdam

2004

67 H Dieke and RA Satten Am J Phys 1970 38 399

68 httpcaiwiteducnmseliuyu2006pptliuX-rayppt

69 AR West Basic Solid State Chemistry John Wiley amp Sons

Singapore 1991

70 吳泰伯 and 許樹恩 X-光繞射原理與材料結構分析 國科會精儀

中心 台北 民 82

71 httpwwwndhuedutw~nanolabtext93_Ma_II_v2pdf

72 林群哲 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 96

73 賴泓均 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 95

74 S Ito TN Murakami P Comte P Liska C Graumltzel MK

Nazeeruddin and M Graumltzel Thin Solid Films 2008 516 4613

75 H Kusama M Kurashige K Sayama M Yanagida and Hideki

Sugihara J Photochem Photobio A 2007 189 100

76 蕭光宏 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 97

142

77 Y Yoshida S Tokashiki K Kubota R Shiratuchi Y Yamaguchi

M Kono and S Hayase Sol Energ Mat Sol C 2008 92 646

78 JJ Wu GR Chen HH Yang CH Ku and JY Lai Appl Phys

Lett 2007 90 213109

79 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

80 J Lin and JC Yu J Photochem Photobiol A Chem 1998 116 63

81 T Lindgren JM Mwabora E Avendano J Jonsson A Hoel CG

Granqvist and SE Lindquist J Phys Chem B 2003 107 5709

82 H Tang H Berger PE Schimid F Levy and G Burri Solid State

Commun 1993 87 847

83 G Oskam A Nellore RL Penn and PC Searson J Phys Chem B

2003 107 1734

84 MA Anderson MJ Gieselmann Q Xu J Membr Sci 1988 39

243

85 P Ganguly N Shah M Phadke V Ramaswamy IS Mulla Phys

Rev B 1993 47 991

86 JH Li WL Kang WH Yan YH Guo HF Gao and ZH Liu

Acta Phys Chim Sin 2008 24 1030

87 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B 2000

104 8989

88 RA Spurr and H Myers Anal Chem 1957 29 760

89 S Yin H Yamaki M Komatsu Q Zhang J Wang Q Tang F Saito

and T Sato J Mater Chem 2003 13 2996

90 E Setiawati and K Kawano J Alloy Compd 2008 451 293

91 B Zou L Xiao T Li J Zhao Z Lai and S Gu Appl Phys Lett

1991 59 1826

143

92 J Yang ZW Quan DY Kong XM Liu and J Lin Cryst Growth

Des 2007 7 730

93 T Hirai and Y Kondo J Phys Chem C 2007 111 168

94 S Yan J Zhang X Zhang S Lu X Ren Z Nie and X Wang J

Phys Chem C 2007 111 13256

95 G Blasse and BC Grabmaier Luminescence Materials Chap 9

186

96 T Miyakawa and D L Dexter Phys Rev B 1970 1 2961

97 KL Frindell MH Bartl MR Robinson GC Bazan A Popitsch

and GD Stucky J Solid State Chem 2003 172 81

98 DL Dexter JH Schulman J Chem Phys 1954 22 1063

99 T Blasse G Philips Res Rep 1969 24 131

100 L Ozawa and PM Jaffe J Electrochem Soc 1971 118 1678

101 QZ Wang J Tian XH Yang and X Gao J Chin Lumin 1995

16 57

102 YH Zhang CK Chan J Porter and W Guo J Mater Res 1998

13 2602

103 BD Yao YF Chan XY Zhang WF Zhang ZY Yang and N

Wang Appl Phys Lett 1998 82 281

104 D Bersani PP Lottic and XZ Ding Appl Phys Lett 1998 72 1

105 YL Li and T Ishigaki J Phys Chem B 2004 108 15536

106 JC Parker RW Siegel J Mater Res1990 5 1246

107 HC Choi YM Jung and SB Kim Vib Spectrosc 2005 37 33

108 JG Li X Wang K Watanabe and T Ishigaki J Phys Chem B

2006 110 1121

109 T Sreethawong Y Suzuki S Yoshikawa Int J Hydrogen Energ

2005 30 1053

144

110 M Saif and A Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360 2863

111 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2005 247 36

112 AB Murphy Appl Opt 2007 46 3133

113 P Kubelka J Opt Soc Am 1948 28 448

114 DG Barton M Shtein RD Wilson SL Soled and E Iglesia J

Phys Chem B 1999 103 630

115 PA Tanner KL Wong and Y Liang Chem Phys Lett 2004 399

15

116 T Umebayashi T Yamaki H Itoh and KJ Asai Phys Chem Solid

2002 63 1909

117 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2006 247 36

118 X Lai Q Guo BK Min and DW Goodman Surf Sci 2001 487

1

119 FM Liu TM Wang JQ Li C Wang SK Zheng and M Duan J

Magn Magn Mater 2002 251 245

120 W Gopel Surf Sci 1984 139 333

121 AG Thomas WR Flavell AK Mallick AR Kumarasinghe

DTsoutsou N Khan C Chatwin S Rayner and GC Smith Phys

Rev B 2007 75 035105

122 X Wang JG Li H Kamiyama M Katada N Ohashi Y

Moriyoshi and T Ishigaki J Am Chem Soc 2005 127 10982

123 D Vogtender R Poducky J Redinger ELD Habenstreit W

Habenstreit and U Diebold Phys Rev B 2002 65 125411

124 M Durr S Rosselli A Yasuda and G Nelles J Phys Chem B

2006 110 21899

145

146

125 C Kim KS Kim HY Kim and YS Han J Mater Chem 2008

18 5809

126 I Robel M Kuno and PV Kamat J Am Chem Soc 2007 129

4136

127 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

128 W Yu L Qu W Guo and X Peng Chem Mater 2003 15 285

  • Poyu封面
  • 洪柏育-碩士論文摘要-0609-2009
  • Poyu謝誌
  • PoYu Hung-MS Thesis-0625-2009pdf
Page 11: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip103

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip104

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜helliphelliphellip105

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖105

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖106

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphellip108

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip108

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜helliphelliphelliphellip109

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip110

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip111

圖338兩系列樣品未摻雜及摻雜Eu3+粉體能隙位階圖helliphelliphellip112

圖 339 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜helliphelliphelliphellip114

圖 340 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip115

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜helliphelliphelliphellip115

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大

圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip116

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip119

圖344 P25系列工作電極電池之電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖helliphelliphelliphelliphelliphellip121

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖helliphelliphelliphelliphelliphellip122

VIII

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

圖348 P25系列雙層結構電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖helliphellip127

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變

化helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip127

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip129

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作電極之激

發與放射光譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip 130

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖

譜helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖helliphelliphelliphelliphelliphellip135

IX

X

表目錄

表 11 各類型太陽能電池之比較helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip4

表 2-1 本研究所使用之藥品清單helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip25

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip33

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數hellip73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參

數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip74

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數helliphelliphellip78

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果helliphelliphellip78

表 34 TBT系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip119

表 35 P25系列工作電極電池之光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip120

表36 TBT系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip125

表 37 P25系列雙層結構電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip126

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數

分析helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip133

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數helliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellip135

第一章 緒論

11 前言

聖經舊約創世紀記載著上帝說要有光即有光時至今日太

陽光為地球上最重要且最為豐富之可再生能源亦為人類唯一用之不

盡取之不竭之能量來源每年於地球上之光照能量可達到全球人類

年消耗量之數千萬倍以上由於各類天然能源快速耗竭故有效利用

太陽能轉換成所需之能源成為ㄧ門極為重要之課題各種再生能源中

涵蓋太陽能水力發電風力發電燃料電池以及鋰離子電池等

僅太陽能電池為一種將太陽光直接轉換為電能之光電元件早於1954

年時美國 Bell 實驗室首先提出以矽半導體作為太陽能電池之材

料此一領域於眾多研究學者與工程人員之努力下迄今相關之理論

與技術均已相當成熟且真正地商品化雖然無機半導體-矽太陽能電

池發展至今製程已漸趨穩定但由於對於原料之純度高度要求因此

製備成本難再大幅降低因此各研究單位莫不積極找尋另一低成本

製程簡易之替代材料此為目前使太陽能電池應用普及之發展重點

相較於傳統矽晶材料無機奈米材料具低密度質量輕成本低廉且

可使用一般傳統且發展完備之塗佈方式例如旋轉塗佈 (spin

coating)刮刀塗佈(doctor-blade coating)網版印刷(screen printing)

或近來發展之噴墨印刷 (ink-jet printing)等不需高價位設備之方法來

製備光伏元件 (photovoltaic device)因此不但可簡易地製備不同大

小之元件 並且可大幅提升進一步顯著降低元件成本之機會同時

無機奈米材料可透過分子結構設計例如摻雜金屬離子或是改變其形

貌藉以調整其能階與能隙大小電荷轉移能力電荷傳導速度溶

解度成膜之結晶型態等重要材料特徵另外所吸附之有機分子通

常具高光吸收係數與良好之延展性因而可藉以製備輕薄且可撓曲之

1

攜帶式電池元件(1)色素增感 (dye-sensitization) 之概念源起於19世

紀攝影技術使用色素增感鹵化銀(silver halide)可產生黑與白之感光

膜(photographic films)此被視為關於色素增感半導體之第一個重大

研究(2)然而最早之光電化學使用之平滑電極只有於膜表面吸附之

單層色素才能有效的將電子注入半導體內但此單層色素內光線之吸

收效率極低於多孔性之 TiO2 奈米薄膜內其有效表面積能增加至

1000倍因此要使光線吸收效率增加必須使每一個 TiO2 粒子表面

皆吸附單層色素(3)直到1991年瑞士科學家Graumltzel利用奈米技術改良

工作電極進而開發出高效率(71~79 )太陽能電池稱為染料敏化太

陽能電池 (dye - sensitized solar cellsDSSC) (4)其成果引起全球能

源界之關注以及熱烈投入發展近年來染料敏化太陽能電池澎勃發

展最大原因仍在於簡單製程無須投入昂貴設備無塵室廠房等

設備而二氧化鈦電解質等材料價格便宜亦為關鍵要素此外

DSSC 可使用具可撓曲性基材應用端因此大幅擴張相較於目

前主流矽晶太陽能電池只適用於大型戶外屋頂等少數應用場

合其具較大之應用空間

12 太陽能電池簡介

太陽能電池依照所使用之材料以及製程之不同可分為矽基

型化合物半導體型與有機半導體型三類

ㄧ矽基型太陽能電池(5 - 7)

根據結晶形態矽基型太陽能電池可分為單晶矽(monocrystalline

silicon)多晶矽(polycrystalline silicon)與非晶矽(amorphous silicon)三

類單晶矽之組成原子均按照一定規則週期性排列以單晶矽製

備之太陽能電池轉換效率最高約為24 使用壽命年限亦較長

2

但通常所使用之矽半導體基材純度極高相對地製造成本亦最多

多晶矽是以熔融態之矽鑄造固化而成其矽原子堆積方式不只一

種而是由多種不同排列方向之單晶所組成多晶矽太陽能電池由

於製程簡單故成本較低轉換效率約18-20 非晶矽對光之吸收性

比矽強約500倍只需薄薄一層即可將光子之能量有效地 吸

收其轉換效率雖僅 13-14 然而因為非晶矽不需使用昂貴之

結晶矽基板而用較便宜之玻璃陶瓷或是金屬等基板如此不僅

可以節省大量之材料成本亦提高製作大面積之太陽電池之可能性

(結晶矽太陽電池之面積受限於矽晶圓之尺寸)製造成本為三者間

最低為其最大之優勢故未來亦具發展潛力世界上已有多家公司生

產該種電池之產品例如美國 uni-solarsolarex日本三洋電機

夏普大陸深圳拓日與德國 Schott Solar非晶矽薄膜太陽電池之主

要優點是成本低製備容易但亦存在嚴重缺點即性能不穩定其

光電轉換效率隨光照時間延續而衰減另外非晶矽薄膜太陽電池之效

率亦較低(95 )為提升非晶矽電池效率大多數廠商採用雙層p-i-n

結構(一層非晶矽能階約17 eV與一層微晶矽能階約14 eV堆疊而成)

串接使電池可以吸收各種不同波長之光源達到對太陽光最大利用

進而提升整個之轉換效率

二化合物半導體型薄膜太陽能電池(5 8)

化合物半導體型薄膜太陽能電池則可分為下列幾類Ⅲ-Ⅴ族

[包括砷化鎵 (GaAs) 磷化銦 (InP)磷化鎵銦 (InGaP) ]Ⅱ-Ⅵ

族[包括碲化鎘 (CdTe)硒化銦銅 (CuInSe)]等化合物半導體為直

接能隙材料其能隙於11及16 eV之間與太陽光譜匹配度較佳此

些材料所製作之太陽電池亦都有很高之效率尤其多接面串疊型

(InGaPGaAsInGaAs multijunction tandem cell)之太陽能電池效率甚

3

至可以接近40 然而製作過程中需於真空及高溫下操作使得造價

昂貴且並未大量生產故目前商業市場上仍以矽基型太陽能電池為

三有機半導體型

有機半導體型太陽能電池具成本低廉製程簡易可應用於大

面積化以及具可撓曲性等優點故近年來度受到各界矚目本論文

中所研究之染料敏化太陽能電池(5 9)即為其中之一 然而此系列之

太陽能電池至今尚未量產之主因是在於其轉換效率低高溫穩定性

不佳及大尺寸太陽能板開發等問題因此提高轉換效率與穩定性

則成為目前研究之首要目標

表 11 各類型太陽能電池之比較(5)

4

圖 11a 各類型太陽能電池效率之發展情形(8)

圖 11b 各式種類太陽能電池效率演進圖(16)

5

13 染料敏化太陽能電池

131 工作原理

染料敏化太陽能電池之組成以及此類電池之工作原理與相對能

階位置圖如圖12 所示塗有多孔性奈米結晶性二氧化鈦(porous

nanocrystalline TiO2)之透明導電玻璃(陽極)染料分子吸附於TiO2

上含有Iminus I3minus之氧化還原對(reduction-oxidation couple)電解質塗有

鉑(Pt)觸媒層之相對電極(陰極)所組成於外接負載情況下整個電

池形成連通迴路而產生電流與電壓當太陽光照射至染料而產生激發

電子由於染料分子LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)能階

較 TiO2 導帶高(Ecconduction band)染料激發態電子迅速注入TiO2

導帶中而形成染料陽離子其中 TiO2 不單作為染料支持劑且為電

子之受體與導體雖然少部分電子會經由再結合(recombination)過程

而消失但大部分電子經由導電玻璃而傳導至外電路氧化態之染料

從電解質獲得電子而還原輸出之光電壓為照光下半導體之費米能階

(Fermi level)與電解質氧化還原可逆電對 (redox couple)之Nernst

potential差( )電解液經由相對電極上傳來之電子而被還原(10)如

此整個電路各部分皆得以再生無淨反應生成其持續之光電流由

此產生整個反應表示如下(11)

陽極 S(基態) + 能量( hυ ) rarr S(激發態)helliphelliphelliphelliphelliphelliphellip照光激發

S rarr S+ + e- (CB)helliphellip染料激發態電子進入TiO2導帶

2S+ + 3 Iminus (電解質) rarr 2S + I3minushelliphelliphellipS再生Iminus消耗

陰極 I3minus+ 2e- rarr 3 IminushelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphelliphellipIminus再生

副反應 2e-(CB) + I3minusrarr3 IminushelliphellipTiO2 導帶上之電子與I3

minus結合

其中S為染料基態(ground state)S為染料激發態(excited state)S+

為氧化態染料離子(oxidized state)

6

圖 12 染料敏化太陽能電池結構示意圖(12)

圖13 為染料敏化太陽能電池各層間反應時間示意圖當染料經

照光後激發態電子注入 TiO2 導帶於 pico-second 範圍而結合過

程則約發生於 micro-second 之時間因此前者電子傳遞速率約為後

者之103倍甚至可達106倍故形成光誘導電荷分離之動力學基礎可

見光誘導分離非常有效造成淨電子流出此外電子之生命週期(life

time)與擴散係數(diffusion coefficient)決定電子之擴散長度(diffusion

length)電子於多孔膜中傳遞並不如在單晶中快故必須盡可能減少

電子行走路徑與穿越晶體界面數因此存在有一最佳膜厚對應最

大光電流值最後染料之還原反應發生於 nano-second 範圍

速率快於結合過程而能迅速消除電洞符合目前太陽能電池所要求之

7

條件形成此種快速轉移之機制乃因分子軌域之電子波函數與TiO2

導電帶之電子波函數造成耦合現象詳細之傳遞過程可以由量子力學

方法計算

圖 13 染料敏化太陽能電池各反應動力學比較示意(12)

132 染料敏化太陽能電池各部分介紹

1321 奈米結晶多孔膜電極 (nanocrystalline porous electrode)

奈米半導體光陽極材料(如TiO2)具重要地位其結構與性能直接

影響與光敏染料分子之匹配及接受染料分子注入電子之效率與光電

池之開路電壓一般染料敏化太陽電池對半導體光電極有如下要求

具比較大之比表面積以吸附更多染料分子適當導電帶能階以使與染

料激發態相匹配提高激發態染料朝向半導體電極注入電子之效率

較高之費米能階以提高電池之開路電壓較小之電阻率促使電池之內

阻減小由於 TiO2 具安定無毒穩定性高且便宜等優點故最為

被廣泛研究其他材料如 ZnO (1314) Nb2O5(1516)SnO2

(1718)In2O3(19)

8

以及二元材料Zn2SnO4(20)等都曾被研究然而電子注入效率之高低仍

須考慮染料分子與半導體結晶結構之特定方向鍵結 各研究致力於發

展相搭配之染料目前仍是以 TiO2 為主流材料天然之二氧化鈦

有三種結晶型態即銳鈦礦型(Anatase)金紅石型 (Rutile)與板鈦

礦型(Brookite)主要是由於鈦原子與氧原子排列不同而形成相異結晶

構造於此三種結晶型態中銳鈦礦型與金紅石型皆具光催化能力

銳鈦礦型與金紅石型二氧化鈦之共價帶電位很高經光照射後所生成

之電洞具極強之氧化能力 再者銳鈦礦型之傳導帶電位比金紅石型

高造成銳鈦礦型之能隙大於金紅石型(銳鈦礦型約為33 eV金紅石

型約為31 eV)受光激發至傳導帶之電子較不易回復至價帶因此

其電子具較強還原能力綜合上述可知銳鈦礦型二氧化鈦具較高催

化活性之因

染料敏化太陽能電池之一項重要關鍵技術即是引入高粗糙因

子 (roughness factor)之多孔性海棉狀(sponge-like)半導體電極結構

其目的除使染料大量吸附外並且提供適當孔洞大小供電解質擴

散薄膜電極材料之製作一般可區分為下列兩種略述如下

方法一(21 22)

瑞士教授 Graumltzel 之研究群乃利用溶膠-凝膠(sol-gel)之方法獲

得具結晶性與高比表面積之奈米顆粒依此法所得之顆粒最終型態是

受到環境之合成條件影響例如水解與聚合之酸鹼度溫度前驅物之

化學性質溶劑觸媒濃度等均扮演著重要角色以下粗略描述製作

步驟及其對應之環境與影響

I 水解 (Hydrolysis)此步驟牽涉 Ti(IV)鹽類之水解控制前驅物之

選擇可以為四異丙氧基鈦 (titanium isopropoxide) 或四氯化鈦

( TiCl4)並於 01 M HNO3 之酸性環境下進行水解使所得之膠體

9

粒子能均勻分散並且穩定懸浮於液體中實驗證明於相當高之水與

鈦比例下不論是逐滴加入(dropwise)抑或是全加(one shot)皆不

影響最後產物型態(22)

II 膠溶作用(Peptization)此步驟於 70-100oC 下持溫數小時除使

膠體粒子相互連結形成高交集度粒狀結構凝膠外同時亦因能量之提

供而破壞凝團聚集(deagglomeration) 之情形(22)結晶化亦於此時發

生顆粒亦同時微幅成長

III水熱成長(Hydrothermal growth) 此步驟之目的乃於高溫之環境

下藉由奧斯瓦特熟成過程 (Ostwald ripening) 將小顆粒溶解並進一

步成長為較大之結晶顆 粒溫度改變不僅影響最終之顆粒大小

同時亦將影響最終多孔膜之平均孔徑此外Rutile結晶相亦會於較高

溫時形成文獻(23)指出Anatase相顯示較佳之電子傳輸速率與生命週

期一般是以Anatase相為主而Rutile相之反射係數顆粒均比Anatase

相大導致生成之薄膜不具透明性但可使入射光能於多孔膜內多次

反射而被有效利用因此亦有相關研究作為太陽能電池電極為10 μm

厚並有部分Rutile相之 TiO2 多孔膜為主(21)

方法二(24 25)

利用商業化二氧化鈦粉末 (Degussa P-25為 70 銳鈦礦

(anatase)30 金紅石(rutile)之混合物粒徑約24 nm比表面積約

50 m2g)加入乙醯丙酮(acetyl acetone)或 HNO3 用以預防粒子聚

集以及添加介面活性劑用以降低表面張力以利塗佈

最後將上述方法所製得之二氧化鈦粉末與凝聚劑(binder)充分

混合利用刮刀成膜(doctor blade)之方式將上述膠態溶液塗佈於導

電玻璃上經 450oC 煆燒30分鐘後使顆粒彼此間經燒結聚同時與

導電玻璃間形成良好之電接觸(electronic contact)凝聚劑於此步驟

10

中被燒掉而遺留下孔洞完成粗糙因子約為1000之多孔膜(roughness

factor = 總表面積投影表面積) (24)值得注意之為不同煆燒溫度與

時間亦將影響最終孔徑分布進而影響電解質擴散與電池之效率表

現此外亦有利用網板印刷(screen printing)熱分解噴鍍技術(spray

pyrolysis deposition)等應用於大量生產之方式溶液之配方需做進一

步調整才能適用

1322 染料(dye)

染料為染料敏化太陽能電池中之重要組成部分在近 20 年之研

究中已嘗試合成 900 多種之染料並應用於染料敏化太陽能電池

但其中只有一小部分具良好之光敏化性能其中主要是釕(Ru)之多

吡啶錯合物而染料性能之優劣將直接影響到染料敏化太陽能電池

之光電轉換效率前述提到要藉由光激發二氧化鈦而產生反應須要

低於 388nm 之紫外光但紫外光所佔太陽光能中只有 5 是故必

須利用太陽光能占最高比例之可見光而染料能夠幫助二氧化鈦之吸

收波長提高至可見光區因此染料能藉由可見光之激發驅使電子躍遷

至二氧化鈦半導體電極並接受來自電解質之電子還原而一般染料

必須符合以下幾點條件(26)

(1) 緊密吸附於二氧化鈦表面亦即為能夠快速達到吸附平衡且不

易脫落故染料分子母體中一般應該要含有易與奈米半導體表面結

合之基團如-COOH-SO3H-PO3H2如染料上之-COOH 官能基

會與二氧化鈦膜上之-OH 官能基形成成酯類而增強二氧化鈦導帶

3d 軌域與色素染料 π軌帶電子之耦合使電子轉移更為容易

(2) 對可見光具很好之吸收特性即是能吸收大部分之入射光

(3) 其氧化鈦(S+)與激發態(S)要具較高之穩定性與活性

11

(4) 激發態壽命足夠長並具很高之電荷(電子電洞)傳輸效率

(5) 具足夠之激發態氧化還原電位以保證染料激發態電子注入二

氧化鈦導帶

(6)氧化還原過程(包括基態與激發態)中要有相對較低之位勢使

初級與次級電子轉移過程中之自由能損失最小

以釕之多吡啶錯合物為主之染料敏化劑為藉由吸附於二氧化鈦

表面其提供主要光子吸收與隨後發生電子注入之步驟典型釕之多

吡啶錯合物化學結構最早是由 Graumltzel 團隊所發現此類型染料因其

具較強之可見光吸收能力良好光電化學性質激發態穩定性高及與

二氧化鈦表面具強之連結作用力且可接受約 5x107 次氧化還原反

應因此成為廣泛使用之染料敏化劑如圖 14~16 之結構(27)N719

光敏染料於 535nm395nm 有最大吸收峰N3 dye其吸收光之

範圍可達可見光區從 400 nm~800 nm全質子化 N3 dye 於 538

nm398 nm 有最大吸收峰(28)Black Dye為目前最具效能之染料

其吸收光範圍涵蓋可見光且可達近紅外光區(900nm)單一質子化

Black Dye 於 610 nm413 nm 有最大吸收峰於拉曼振動光譜研究

中亦指出單一質子化 Black Dye 與二氧化鈦之表面鍵結與 N3 Dye

相同是由螯狀雙牙配位 (Chelate Bidentate)或架橋配位 (Bridging

Bidentate)型式與二氧化鈦配位鍵結其差別在於 Black Dye 乃以

COOmacr與 TBA+與二氧化鈦產生配位鍵結(29)然而以上此些染料可於

可見光與近紅外光區具吸收主要可歸因於金屬-官能基電荷傳遞

(Metal-to-Ligand Charge TransferMLCT)之性質由金屬(Ru)之電子

傳遞至位於外圍之羧基化吡啶配位鍵之 π 反鍵結軌域之後在少於

100 fs 時間內將電子傳入二氧化鈦之導帶(30-34)因此理論上光子轉換

為電子之比例可達至 100本研究所使用之染料 N719 與 black dye

12

之吸收光譜比較圖如圖 17 所示

圖 14 N3 染料之化學結構式(27)

圖 15 N719 染料之化學結構式(30)

13

圖 16 Black dye 染料之化學結構式(29)

圖 17 Black dye 染料與 N719 染料吸收光譜比較圖(31)

1323 電解液(electrolyte)

目前 DSSC 依其結構與研究使用目的不同亦搭配相異種類之

電解質液態電解質溶膠-凝膠(準固態)電解質與固態電解質本研

14

究所使用之液體電解質由於其擴散速率快光電轉換率高及組成成分

易於設計調整且對於奈米多孔膜滲透性佳故一直廣泛研究但

存在著許多問題(1) 傳統碘離子 (IminusI3minus) 電解質溶液之有機溶劑多

半有毒性其滲漏與揮發問題需解決(2) 實際於長期日照下應用之

發電穩定性與熱穩定性有待加強(3) 嚴密封裝需求將提昇製程成

本(4) 柔軟材質上應用困難(5) 有機溶劑對染料吸附之不利影響

以上問題於應用上均造成某種程度阻礙一般電解質都須具高極性有

機溶劑作搭配於液態電解質濕式元件中會選擇如乙烯碳酸鹽

(ethylenecarbonate)乙腈(acetonitrile)丙烯碳(propylenecarbonate)

之混合溶劑而電解質之選擇有I2LiIKITerapropylammonium

iodideTertabutylammoniumiodide 等Graumltzel 等人(32)以black dye為

染料06 M dimethylpropylimidazolium01 M I201 M LiI 與05 M

4-tert-butylpyridine 為電解質 (溶劑為methoxyacetonitrile)於 100

mWcm2強光下光電轉換效率為104 碘化物中陽離子常用的為

咪唑銨(imidazolium) 類陽離子或鋰離子(Li+)Imidazolium 類陽離子

可以吸附於奈米 TiO2 表面阻絕了 I3minus 與 TiO2 表面之接觸因此

抑制導帶電子與 I3minus 於 TiO2 表面結合使電池輸出功率與光電轉換

效率得以明顯提升由於 imidazolium 陽離子之體積大於鹼金屬離子

體積只要增大碘鹽中陽離子體積即易導致陽離子對 Iminus 束縛力減

弱一方面可以提高碘鹽於有機溶劑之溶解度進而提高 Iminus 濃度

另一方面亦因陽離子對 Iminus 之束縛力減弱Iminus 還原活性及於有機溶劑

之遷移率亦增強上述兩者均有利提高氧化態染料再生為基態染料之

速率(33)當電解質溶液中加入小體積 Li+ 時若 Li+ 濃度很小此

時 Li+ 主要是吸附於 TiO2 表面上若 Li+ 濃度增大則 Li+ 於

TiO2 表面吸附與嵌入 TiO2 膜內兩種情況共存此種情況之 Li+ 可

15

與傳導帶電子形成電子對 Li+- e-由於 Li+- e- 電子對既可於 TiO2

表面遷移亦有可能脫離 TiO2 表面遷移此將明顯減小導帶電子於

相鄰或不相鄰鈦原子之間之傳輸阻力及距離可知於電解質中加入

Li+可大幅改善電子於 TiO2 之間之傳輸進而提高染料敏化太陽

能電池之光電流(33)

1324 相對電極(counter electrode)

相對電極於染料敏化太陽能電池中扮演快速還原I3-之角色有效

觸媒催化劑極具必要性目前白金(Pt)觸媒最為被廣泛利用但其對

於光電效率表現程度(動力學常數化學穩定度附著穩定度)深受製

作方法所影響如電化學法 (electrochemically) 與蒸鍍法 (vapor

deposited)上述兩製作方法由於穩定度不佳與還原能力不好而不適

用濺鍍法(sputtering)目前最為被廣泛利用(此亦為本研究白金電極之

製作方法)其穩定性佳製作程序簡便卻須消耗較多白金而不適用

於大量生產Papageorgiou等人則發展出熱沉積(thermal decomposition)

法(34)此方法不僅大量減少白金使用量於動力學參數化學穩定性

機械強度及透明性上皆有其優異之處只是做法上較為麻煩此外

Kay與Graumltzel亦發展利用多孔性碳(porous carbon)做為觸媒層(35)此觸

媒層為碳黑(carbonblack)石墨奈米結晶性 TiO2 粉末混合物碳

黑可連接分離之石墨片進而提高導電度TiO2 則作為黏著劑(binder)

用此項技術之最大優點在於成本花費降低然而目前效能仍較白金

觸媒差

133 染料敏化太陽能電池之文獻回顧與發展現況

於1978 年美國專利發表第一個最先使用染料敏化 TiO2 來轉換

太陽光能之元件(36)TiO2 為寬能隙 n 型半導體對空氣及水有穩定

16

之抗氧化能力(4)然而電極為寬能隙半導體係為延伸於太陽光中可見

光區域之光譜應答但仍必須與染料高濃度掺雜此專利染料使用為

N-methylp- henaziniumion此使 TiO2 光譜響應延伸至500 nm然而

此專利中所組裝之元件轉換效率相當低且穩定性亦有待商榷直到

1991年瑞士洛桑高等工業學校(Ecole Polytechnique Federale de

LausanneEPFL)之 Graumltzel 與 OrsquoRegan 發展染料敏化奈米薄膜太

陽電池取得重大之突破(43738)電極為奈米多孔TiO2使用更穩定更

有效率之過渡金屬 Ru 等有機化合物染料其光電轉換效率可達 71

而於 1997年其轉換效率達至10 ~ 11 (39)澳大利亞國際永續技

術公司(Scientific and Technical InformationSTI)徳國 INAP (Institut

fuer Angewandte Photovoltaik Solarpunkt ) 研究所荷蘭國家能源研究

所(Energieonderzoek Centrum NederlandECN)日本日立公司日

本富士公司瑞典 Uppsala 大學瑞士 Leclanche SASolaronix

等公司均於產業化研究中已取得較大之發展 過去10年中全世界各

主要實驗室與公司於不同面積太陽電池上取得不同光電轉換效率其

中瑞士 EPFL 與日本夏普公司於小面積(面積小於1 cm2)電池上獲得

超過 11 之光電轉換效率(40-43)ECN 於條狀電池(1~5 cm2)上達82

(有效面積236 cm2) 之光電轉換效率瑞士EPFL(44)日本Sharp公

司Arakawa等(45)於條狀電池(1~5 cm2 ) 上取得與小電池(面積小於1

cm2)相當之轉換效率101 (131 cm2)104 (1004 cm2 ) 與99

歐盟 ECN 研究所取得面積大於1cm2電池效率最高紀錄 (815 (25

cm2)58 (100 cm2) 平均45 ) (46)由於DSSC電池之特殊性大

面積電池之研製與產業化一直是該電池研究難點目前澳大利亞

STI 公司建立世界第一個亦為迄今獨一無二面積 200 m2 之染料敏

化奈米薄膜太陽電池平面屋頂亦顯現出未來工業化之前景該結果

17

使人們對產業化染料太陽能電池之性能極具信心 2002 年美國

Konarka 公司亦投入 1350 萬美元對以透明導電高分子等軟性薄膜

為導電極之染料敏化奈米薄膜太陽能電池進行產業化與實用化研

究該研究是基於美國軍隊對軟性與移動性較好能源轉換之應用要

求故得到美國軍方大力支持因此於能源危機之促使下全球研

究單位莫不藉由改善DSSC各部分之特性以提高效率或設計其結構

以增其實用性

圖 18 DSSC 研究發展時程回顧(4 22 24 40 47-57)

14 二氧化鈦摻雜元素材料之研究

TiO2 之晶體中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性

質之改變易有助於光催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕

18

捉電子或電洞之缺陷有助於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素

與 TiO2 共結晶添加之過渡金屬亦將於光觸媒之傳導帶與價帶之間

形成新獨立能階因此可以較低之能量使電子激發進而擴大激發光

源之使用增益對光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化

效果通常摻雜元素之量(濃度)低時較有利光觸媒活性太高會大幅

改變 TiO2 原有特性每種元素之摻雜有其特定最佳化條件

Vamathevan 等人(58)配製含 Fe3+ 或 Ag+ 之摻雜改質二氧化鈦

以蔗糖之光氧化分解成二氧化碳以進行光觸媒催化活性評估結果顯

示添加之銀離子與鐵離子皆有一最適劑量分別為銀(20 atom )

與鐵(10 atom )於最佳金屬添加量比例之外銀改質型觸媒之

催化活性會略為降低故近年來研究發現 Fe3+ 為有效之摻雜離子

(5960)Li等人(61)利用有機金屬化學氣相沈積法(metal organic chemical

vapor deposition MOCVD ) 以 四 異 丙 氧 基 鈦 (Titanium

tetraisopropoxide TTIP)和 (CH3COCHCOCH3)3NdxH2O作為前驅

物以製備摻雜 Nd3+ 之改質二氧化鈦結果顯示隨著Nd3+摻雜量

之增加改質後之二氧化鈦觸媒於可見光波長範圍之吸收能力亦隨之

增加

除此之外其他如 Mo5+Ru3+Os3+Re3+Cr3+V4+與Rh3+

以及非金屬元素N (62)之摻雜等此方面研究近年來引起相當多投入

關於稀土離子摻雜進入一般陶瓷材料之研究已進行幾十年然而近幾

年始開始出現對於稀土原子摻雜進入半導體材料之研究將Tb3+摻雜

入TiO2 粉末或是薄膜中確實可以發出綠光(6364) TiO2中分別摻雜

Eu3+Tb3+Sm3+可以明顯觀察不論摻雜之稀土元素種類改變其

相皆與純之TiO2相符合證明摻雜稀土元素進入TiO2並不會改變其原

有之結構也因而不會因此改變TiO2原有之結構特性但卻可以影響

19

其電子組態與能階分布進而改變其光電特性目前故有稀土原子摻

雜進入半導體材料之研究皆只探討其發光機制與少許光觸媒特性分

析對於直接於太陽能電池電極之應用仍極為少數

141 TiO2Eu 粉體發光特性說明(65)

針對本實驗合成之工作電極材料雖發光強度無法與商用紅色螢

光粉比擬但仍為一無機螢光體主要由主體晶格(host lattice簡稱

H)與活化劑(activator簡稱 A)兩者所構成之其化學式一般以 HA

表示活化劑因可能取代主體晶格中特定離子位置稱為摻雜劑

(dopant)

1411 主體晶格(Host)

主體涵蓋一個或數個陽離子與一個或數個陰離子結合而成一般

主體於光激發過程中所扮演之角色為能量傳遞者而主體中之陽離子

或陰離子必須不具光學活性(optically inert)如此能量之放射與吸收

均於活化中心進行陽離子之選擇條件須具如惰性之電子組態(如

ns2np6d10)或具封閉之外層電子組態(如 f0f7f14)故不具光學活性

圖 19 為週期表中可作為螢光體主體之陽離子分布圖主體之選擇對

發光強度與光譜特性影響極大其中活化劑離子所進入晶格位置之

點對稱(point symmetry)與配位數(coordination number)以及所取代主

體離子之半徑大小均決定發光之行為

20

圖 19 主體晶格之陽離子分布圖(66)

陰離子團之選擇有二一為不具光學活性之陰離子團如圖

110另一則為具光學活性(optically-active)可充當活化劑之陰離子

團如圖 111後者通稱為自身活化(self-activated)之螢光體如

CaWO4YVO4等此為週期表中可作為螢光體主體晶格之陰離子

圖 110 主體晶格中不具光學活性陰離子團分布圖(66)

21

圖 111 主體晶格中具光學活性陰離子團分布圖(66)

1412 活化劑(Activator)

活化劑一般分成兩類陽離子團與陰離子團前者須具正確之價

數後者須具自身活化能力且可產生電荷轉移作為活化劑之陽離子

一般具 (nd10)((n+1)s2) 電子組態此類呈現高放光效率或半填滿軌

域如Mn2+Fe3+等如圖 112此外活化劑之添加本質上屬於

取代缺陷故活化劑與主體陽離子之大小須相近如相差太多將造成

晶格之扭曲故活化劑之種類與主體內之添加取代量即受到限制

圖 1 12 活化劑之陽離子團分布圖(66)

22

本研究採用之活化劑為稀土離子(67)其發光特性取決於稀土離子

Eu 4f 殼層電子性質稀土離子之電子躍遷主要具以下兩種形式(1) f

- f 躍遷(2) f - d 躍遷多數三價鑭系離子發生於內層之 4f - 4f 能階

躍遷根據選擇律此種l = 0 之電偶極躍遷原屬禁戒(forbidden)

但因 4f 組態與反對稱之組態 g 或 d 發生混合使原屬禁戒之 f - f 躍

遷成為允許(allowed)且 4f 殼層上之電子受外殼層 5s24p6 之遮蔽效

應故其 f - f 能階躍遷特徵如下

(1) 發射光譜呈線性譜線強度較弱

(2) 主體晶格(host)對發射波長影響不顯著

(3) 濃度與溫度淬滅變小即使於 400~500仍可發光

(4) 螢光壽命較長

15 研究動機與目的

本論文研究基於之前眾多之成果所建立之理論基礎提出一將稀

土元素摻雜入 DSSC 之工作電極中之創新構思欲藉由類似螢光粉之

觀念於主體 (host) 中摻入活化劑 (activator) 再經由特定波段之

激發產生放光之過程放射光之波長取決於主體與活化劑之搭配此

概念之目的是要增加染料敏素之吸收率進而提升整體之效益而所

需放射之光取決於染料敏素之 IPCE(incident-photon-to-current

conversion efficiency) 值於何處有最大值關於稀土離子摻雜進入一

般陶瓷材料之研究已進行幾十年近幾年則開始有對於摻雜進入半導

體材料之研究而先前眾多研究只探討其光觸媒特性並無應用於染

料敏化太陽能電池之顯著成果其中 Eu3+具非常好之紅色可見光發光

性Eu3+離子吸收波長 300 ~ 450 nm 左右之太陽光後其內層 4f ndash4f

軌域間之轉換將可放射出 593 nm (5D0 rarr 7F1) 612 nm (5D0 rarr 7F2)

650 nm (5D0 rarr 7F3)與 697 nm (5D0 rarr 7F4)紅光範圍之可見光Black

Dye 其 化 學 名 稱 為 【 thithiocycanato 44rsquo4rdquo-tricarboxy

23

31-22rsquo6rsquo2rdquo-terpyridine ruthenium(II)】(RuLrsquo(NCS)3 Complex)且其於

610 nm 與 413 nm 有最大吸收峰且其 ICPE 值於 400~600 nm 範圍

可達 80 恰位於 Eu3+之最強放光處故研究是否可藉由此放光增

加染料之吸收進而提升激發電子量再者稀土元素之摻雜並不會

破壞原有之晶體結構卻可影響其電子能態或原子結構調整其能

隙故本研究亦透過設計雙層結構之工作電極使各層工作電極傳導

帶之相對位置更有利於電子之傳遞以增加激發電子傳導速率並

減少電子再復合機率提升太陽能電池之效率

24

第二章 實驗步驟與儀器分析方法

21 化學藥品

本研究使用之藥品皆為試藥級之純度故使用前不須進行再純化

之步驟其來源與名稱如表 2-1 所示

表 2-1 本研究所使用之藥品清單

玻璃基板

FTO 導電玻璃 [ SnO2F TCO ] Solaronix TCO22-15

15 Ωsq

編號 藥品 廠商 純度

(1) 氧化銪 [ Eu2O3 ] Sigma-Aldrich 999

(2) 鈦酸四丁酯 [ Ti(OC4H9)4 ] Acroros 99

(3) 二氧化鈦 [ TiO2 ] Degussa P25 NA

(4) 硝酸銪 [ Eu(NO3)35H2O ] Sigma-Aldrich 998

(5) 碘 [ I2 ] Merck 98+

(6) 碘化鋰 [ LiI ] Merck 98+

(7) 4-特-丁基呲啶 [ C9H13N ] Aldrich 99

(8) 第三丁醇 [ (CH3)3COH ]JTB 998

(9) 四氯化鈦 [ TiCl4 ] Aldrich 999

(10) 無水乙醇 [ C2H5OH ] Riedel-de Haeumln 998

(11) 乙腈 [CH3CN] Fluka 99

(12) 乙基纖維素[Ethyl cellulose] Fluka 99

(13) 松油醇[C10H18O]terpineol Fluka NA

25

(14) 丙酮 [ CH3COCH3 ] Riedel-de Haeumln 99

(15) 甲醇 [ CH3OH ] Fluka 998

(16) 己烷 [C6H14] Riedel-de Haeumln 99

(17) 氧化鎘 [ CdO ] 林 純藥工會株

式會社 99

(18) 油酸 [ C9H18C8H15COOH ] Aldrich 90

(19) 1-十八烷烯 [ C18H36 ] Aldrich 90

(20) 三正辛基膦 [ (C8H17)3P ] Alfa Aesar 90

(21) 硒粉 [ Se ] ACROS

995

(22) 巰基丙酸 [ HS(CH2)2COOH ] Fluka

99

(23) 四甲基氫氧化銨 [ (CH3)4NOH ] Fluka

25 wt

本研究所採用之二次去離子水為經 Millipore 公司之 Milli-Q 純水系統

所處理其電阻值為 18 MΩ-cm

22 合成方法

221 溶膠凝膠法 (Micelle and sol - gel)

此方法乃利用水油與介面活性劑之三元體系所形成之混合溶

液利用其極性相近物質之相互聚集為理論基礎其中之介面活性劑

將扮演不相容物質彼此間之橋樑其中量少之一方將以微胞或微乳液

之形式存在微胞之形狀將隨著加入試劑之濃度差異而形成各種不同

26

形狀所選取之反應物須存在於微胞中而形成溶膠以利進行凝膠化

之反應於微胞中溶膠 (Sol) 之定義為極小之膠體粒子因凡得瓦

爾力與電雙層作用下產生布朗運動而均勻分散於系統中而形成所

謂溶膠與凝膠 (Gel) 為經過水解 (Hydrolysis) 與縮合 (Condensation)

反應後分子單體經由鍵結而逐漸形成大分子之凝膠狀態溶膠‐凝

膠法之基本步驟為利用金屬醇化物或金屬鹽類溶於水或醇類等溶劑

中進行水解與縮合反應所形成之凝膠產物之性質及結構與製備過程

之條件具密切之關係例如反應原料之種類濃度溶劑溫度

壓力pH 值等因素溶膠-凝膠法於形成薄膜與塊材方面具顯著之優

點且溶膠易形成摻雜故可製備均勻分布及可調性之多種複合材

料介面活性劑之功能為抑止成長中之晶體持續成長故控制微胞之

形狀即可改變晶體之形狀首先須控制溶液中之相對組成與溫度才

能達到形成微胞之條件且微胞之尺寸均於微米級以下故此微胞可

視為一種微反應器總而言之溶膠凝膠為一種膠狀懸浮液藉由膠

化作用得到固體其產生之多孔性凝膠可藉由化學方法之純化及高溫

退火之程序得到高純度與高結晶性之氧化物

222 水熱法 (Hydrothermal)

水熱法為於液相中配製超奈米材料之濕化學方法研究之溫度

範圍於水之沸點與臨界點(374oC)之間一般反應過程中維持100 ~

250oC之溫度與03 ~ 40 MPa之蒸汽壓之高溫高壓環境下反應溶劑

因高溫高壓條件下而達到其臨界點時對固體物質之溶解度增加

因而達到加速反應進行之效果此方法可提供製備一維奈米材料之新

途徑水熱法具下列幾項特點(1) 利用水熱法可直接於溶液中合

成粉體(2) 於大部分之水熱過程中長晶之程序已經完成故不須

再經過煅燒(3) 利用溫度之調變可控制粉體之尺寸(4) 利用不同

27

之起始物可得不同型態之粉體故水熱合成法可製備之材料相當廣

泛涵蓋金屬氧化物複合氧化物等數十種粉末合成之粒子大小

範圍介於01微米至幾十微米經過濾洗滌與乾燥等過程獲得之

晶體其結晶性佳團聚情況少產率高與較窄之細微性分布因此可

得純度高且細微性均勻之各類材料

23 實驗流程

本研究以兩種不同前趨物與合成方法製備 TiO2Eu3+ 之工作電極材

料分述如下

231 TPT[鈦酸四丁酯Ti(OC4H9)4 Tetrabutyl titanate]系列

此系列之奈米粒子為透過溶膠凝膠法後經水熱法及燒結而成首

先按所需之化學配比 (stoichiometry) 秤取適量之 Eu2O3並置入 100

mL 之三頸瓶中加入 9 mL 之 1 M 硝酸溶液60 mL 之去離子水(使

整體之 pH 值小於 2)激烈攪拌 30 分鐘再緩緩滴入適量配比之鈦

酸四丁酯 Ti(OC4H9)4 (Tetrabutyl titanateTBT)並激烈攪拌 1 小時

上述溶液之溫度控制於 80oC 並持續攪拌進行迴流程序時間為 10 小

時再置入 125 mL 之鐵氟龍 (telfon) 杯中並封入不鏽鋼壓力釜

(autoclave)進行水熱法溫度控制於 227oC時間為 12 小時可得白

色之膠體再以酒精反覆沖洗後於高溫 500oC 下退火 6 小時即可

得 TiO2Eu3+白色奈米粒子詳細合成流程如圖 21 所示

28

Eu2O3 and 9 mL aqueous nitric acid (1M) solution are added to 60 mL DI water with pH lt2

After vigorously stirring for half an hour 10 mL tetrabutyl titanate Ti(OC4H9)4 is slowly dripped into the above solution with vigorous stirring for 1 h

The mixture is then heated to 80oC with continual stirring for 10 h

Hydrothermal treatment in the autoclave at 227oC for 12 h

After repeatedly washing with ethanol the white slurry is annealed in air for 6 h at 500oC

圖 21以溶膠-凝膠法與水熱法合成TBT系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

232 P25(Degussa P25 TiO2)系列

按適量之化學配比秤取商用之二氧化鈦粉末(Degussa P25)與

Eu(NO3)35H2O置入裝有 30 mL 去離子水之 100 mL 燒杯中室溫

下激烈攪拌 2 小時將上述之白色溶液置入 125 mL 鐵氟龍 (telfon)

杯中並封入不鏽鋼壓力釜 (autoclave)進行水熱法溫度控制於

150oC時間為 48 小時待冷卻至室溫後將所得之白色膠體以去離

子水反覆沖洗其目的為去除表面殘餘之 Eu(NO3)35H2O爾後於

350oC 之溫度下退火 2 小時即可得白色 TiO2 Eu3+白色奈米粒子

詳細合成流程如圖 22 所示

29

Commercial TiO2 powders (P25) and europium nitrate was added to 30 mL of an aqueous solution under vigorous stirring

After stirring strongly the slurry was heated at 150oC for 48 h by hydrothermal method

After hydrothermal treatment repeated centrifugation and wash with distilled water (4 time repeated)

Annealed at 350oC for 2 h

圖 22 以水熱法合成 P25 系列 Ti1-xO2 Eux實驗流程圖

24 樣品鑑定分析

以 X 光粉末繞射儀(X-ray diffractionXRD)Rietveld 精算法鑑

定材料之純度與長程有序晶體結構以穿透式電子顯微鏡

(Transmission electron microscope TEM) 與掃瞄式電子顯微鏡

(scanning electron microscopeSEM)分別鑑定材料之結構與表面型

態利用比表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

ASAP) 分析粉體之樣貌與比表面積利用光激發光光譜儀

(photoluminescencePL)分析電極材料之激發光譜與放射光譜特性

以拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum) 測定分子之振動模式

以判定晶相與原子結構以紫外-可見光擴散式反射光譜(UV-Vis

diffuse reflectance spectra UV-Vis DRS ) 分析固態粉體於紫外光與可

見光其吸收特性利用 X 射線光電子能譜儀(X-ray Photoelectron

30

SpectroscopyXPS)分析表面元素組成與原子能級結構以 X 光吸收

光譜 (X-ray absorption spectroscopyXAS)之 X 光近吸收邊緣結構

(X-ray absorption near edge structureXANES)決定樣品中元素之價數

與電子結構茲將各實驗儀器分析之過程與原理分述於下列各節

241 粉末 X-光繞射儀(X-ray diffraction XRD)

2411 X-光繞射工作原理

X 光為一種短波長之電磁波其波長約為 10 Aring(10-10 m)陽極放

射出之 X 光由連續性不同波長之 X 光所組成故稱之為連續性 X

光譜(continuous X-ray spectrum)或白色 X 光但隨著外加電壓增大

連續性 X 光譜之波長分布範圍與其光線強度將隨之增大當電壓加

至超過門檻電壓(threshold voltage)或激發電壓(excitation voltage)時

除發生連續性 X 光譜外另將產生某些特定波長之 X 光稱之為特

性 X 光(characteristic X-ray spectrum)如圖 231(a)X 光粉末繞射儀由

電子槍產生電子如圖 231(b)所示此電子藉由 40 keV 之工作電壓

加速撞擊金屬靶材(常用之靶材為銅靶)將其靶材中 K 層(1s)電子撞

出電子游離後形成之電洞隨即由L層(2p)電子填補並伴隨X光釋出

31

Characteristic peaks

Continuous radiation

Energy

High-energy Ka

stimulusLaKb

lswl

Int

sity

e

m

Low-energy stimulus

enof

itted

rad

iatio

n冷卻水

真空 璃

接變壓器)

鈹窗 聚焦罩

銅X射線 鎢絲

靶(陽極)

X射線

管座(

Wavelength

Short wavelength limit a) b)

圖 231 (a)銅靶之 X 光光譜 (b)封閉式 X 光射線管

角動量子數之變化必須為plusmn1 (l = plusmn1)如由 L 層

(2p) 子填補 K 層(1s)電洞即 2p 1s 轉移(transition)並伴隨 X 光釋

如圖 232 所示此段波長之 X-ray 定義為 Kα波長為 15418 Aring

同理 3p 1s 則定義為 Kβ波長為 13922 Aring一般 Kα比 Kβ之強度較

強而 Kβ較 Kα之能量為高但由 p 1s 之轉移中因 2p 軌域具二

種不同型式之 Kα1與 Kα2

很難分辦但易與 K 一般常使用鎳單色光濾片(nickel filter)將

Kβ濾除(cut o

( ((68)

一般 X 光所使用金屬靶材之波長如表 22 所示以銅靶為例當

外加電壓促使電子高速撞擊銅靶之 K 層(1s)電子使其內層電子游離

並產生電洞依據吸收選擇定律(selection rule)當電子從一能階躍遷

至另一能階時其

2

自旋態(spin state)故產生 Kα1與 Kα2一般

β分辦

ff)

32

表 22 一般 XRD 所使用金屬靶與其波長(69)

Target Kα1 Kα2 Kz Cr 22896 22935 22909

Fe 19360 19399 19373

Cu 15405 15443 15418

Mo 07093 07135 07117

Ag 05594 05638 05608

z is the intensity-weighted average of α1 and α2

圖 232 X 光原理示意圖Cu 1s 電子游離後形成之電洞由 2p 電子

填入並伴隨 X 光釋出(69)

德國科學家勞爾 (Von Laue) 於 1912 年提出 X 光進入晶體後因

干涉 年布拉格 ( 學

理論

稱為布拉

作用而產生繞射現象同 Bragg) 將勞爾提出之數

改以較簡潔之數學式導出 X 光之繞射條件如圖 233 所示

設晶面距離為 d入射光與晶面之夾角為 θ當入射光被二相鄰晶面

所反射二反射光束會有一光程差若此光程差為波長之整數倍(n

為正整數)時亦即當此二反射光束同步各光波之振幅具加成之效

果而形成建設性干涉合成波滿足此條件即可產生繞射

33

格定律(Braggrsquos Law)

2 sind nθ λ= (21)

晶體之 X 光繞射實驗提供兩項重要訊息(1) 繞射峰位置 2θ

(2) 為繞射峰強度(I)第一項訊息提供晶體之晶胞形狀大小(即晶格常

數)之資料第二項訊息提供晶體內部組成原子種類與位置之資料

隨材料之晶體結構與組成變化每個晶體此兩項資料各不相同因此

可利用 X 光繞射法分析材料屬何種礦物晶體或結晶材料

圖 233 X 光繞射之示意圖

2412 XRD 實驗儀器

粉末樣品之 X 光繞射分析係採用 PANalytical XrsquoPert PRO X-ray

powder diffractometer(XRD)型繞射儀其以銅靶(Cu)為光源功率為

3 kW放射光源 Kα1之波長為 15406 Aring操作時使用之電壓與電流分

別為 40 kV 與 40 mA 之條件下進行粉末繞射分析實驗其中 2θ繞射

角掃描範圍為 20 ~ 80 度每間隔 002 度讀取一次數據掃瞄模式為

2θθ將分析樣品平鋪於樣品槽(sample holder)置於圖 24 之旋轉中

心此時將繞射測角儀做旋轉偵測器則與出射光之夾角 2θ入射

光與槽座之夾角為 θ利用同步紀錄之系統而得各繞射峰之強度與角

34

度(2θ)之分布關係

圖 24 X-光粉末繞射儀(PANalytical XrsquoPert PRO XRD)

析然而中子繞射之儀器普遍性不佳利用Rietveld法可

分析

度(於本研究中以2θ量測範圍為0 ~ 180度間格為001度停留時間為10

因此可避免重疊峰之分解問題

2413 結構精算(70)

GSAS 程式採用 Rietveld 全光譜精算法 (Rietveld full pattern

refinement method簡稱Rietveld法)做結構精算Rietveld法為1969 H

M Retiveld所提出適合分析由X-光與中子粉末繞射所得之數據利

用結構精算可得物質之物理與化學特徵性質然而多數之物質不易合

成單晶之形式多數乃以多晶或粉晶存在最早則以中子粉末繞射之

數據加以分

X-光粉末繞射所得之數據使得分析晶體結構之研究之可靠性大

幅提升

Rietveld法主要為以階梯之模式(step scan)掃描其每一步之峰形強

秒)而不用整個繞射峰之積分強度

35

2ci k k k k biy S L F HT P y= Φ +sum利用此計算方法所得之繞射強度 ( S為

比例常數Lk乃涵蓋勞倫茲極化與多重性因子Fk為結構因子Tk

為穿透因子Pk為優先取向H為反射波形函數ybi乃背景強度)用

以模擬觀察所得之繞射強度(yoi)使由假設結構模型計算出之繞射圖

形與實驗量測之繞射圖趨於一致 並使最小方差擬合之殘差R為最

2( )R Wi ci oiy y= minussum 2 ( 2)

計算所得之繞射圖譜與測量所得之圖譜其相吻合之程度是由所

謂擬合參數(reliability factor)即R值決定一般以R值小於10為可

接受之最低要求常用有Rp與Rwp

oi ciP

oi

y yR

yminus

= sumsum (23)

)(( )

2

2WPRW y

= i oi ci

i oi

W y yminussumsum (24)

i較大

而一般認為Rwp較具代表性意義之擬合度判斷依據並定義

式中Wi為加權指數ㄧ般僅繞射峰存在其繞射強度之W2χ 即

ldquogo

odness of fitrdquo用以表示分析之品質

( )χ 2 =minusM

N N (25)

O V

其中M為minimization functionNO為step scan所得之繞射圖點

數NV為精算時所使用之變數個數利用最小平方差擬合與傅立葉

(Fourier)合成求得之電子密度函數進而得知粉體之晶格常數鍵長

鍵角等結構參數

Rietveld法為一可將晶體結構解析最完善之方法然而並非所有

36

之結構皆有其詳盡之原子座標位置Le Bail 法為1988年法國晶體學

家Armel Le Bail所發展利用電腦程式模擬將原本錯誤之原子位

置移動至較符合粉體模型之位置稱為整體性之最優化(global

optimization methods)或稱直接空間方法(direct space methods)利用

此方法可對於新

合成或未有詳盡之原子座標資訊給予空間群與晶格

常數之資料

圖25 晶體繞射結構解析之一般流程

37

242

型號為HITACHI S-4000其電子

槍為冷場發射式

圖26 掃描式電子顯微鏡(NDL)HITACHI S-4000

掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope SEM)

掃描式電子顯微鏡主要由真空系統電子槍透鏡組與偵測器組

成其成像原理為利用一束具有5 ~ 30 KV能量之電子束經過聚焦

镜使發散之電子束能聚集成一微小電子束掃描線圈作用於偏折電子

束使其能於試片表面進行二維之掃描工作另一功能為觀測試片時控

制倍率之放大與縮小爾後電子束經過物鏡即如同光學顯微鏡原理相

同但此時調整項圈(coil)所造成之磁場控制電子束進行最後對焦動

作完成對焦讓電子束與試片作用激發出二次電子背向散射電子

Auger電子連續X光與特徵X光等一般SEM為利用二次電子進行成

像因二次電子之信號主要源自電子束下方之區域能提供高解析之

影像而背像散射之電子亦能作為信號之來源當電子束掃描試片表

面時偵測器同時偵測由表面射出之二次電子強度輸入至同步掃描

之陰極射線管同時顯示試片之影像而陰極射線管上同步點之亮度與

對比則根據偵測到之訊號強度進行改變利用此方式試片表面之特

徵狀況即可逐一表現出來如圖26所示本實驗乃使用國家奈米元

件實驗室之掃描式電子顯微鏡其

(field emission)

38

圖27 電子束與試片作用產生各種電子示意圖(71)

243

於偵測器上形成不同亮度

穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron MicroscopyTEM)

穿透式電子顯微鏡系統設計如圖 28 所示由電子槍(electron

gun)發射電子束經過一組磁透鏡(condenser lens)聚焦後以遮蔽孔

徑(condenser aperture)選擇電子束尺寸大小(beam size)後通過一組控

制電子束之掃描線圈再透過物鏡(objective lens)聚焦入射至試片

上於試片上側裝一訊號接收器用以選取二次電子或背向散射電子

成像此種儀器之優點為所需之樣品量很少且其解析度可達到原子

級之層次(10-10 m)若樣品含多電子原子則電子束將無法穿透樣品

於偵測器上顯示之亮度較暗電子束可穿透之樣品於偵測器上形成較

亮之點利用不同物質具不同電子密度之性質經電子束之穿透過程中

原子核對電子束產生之折射程度之差異性

對比之影像即為樣品之形狀和結構

但以下幾點須注意(1) 真空下要穩定 (2) 若是揮發性之物質在經電

39

子碰撞後容易消失此儀器除可用以鑑定物質之型態大小與內部細微

結構外亦可進行電子繞射而電子繞射圖可用以觀測樣品之結晶度

格常數

一天後再將銅網放置於儀器之樣品槽中調

整好儀器即可觀測

表面積分析儀(Accelerated surface area and porosimetry

好壞與計算晶

樣品製備

將欲觀測之粉末樣品取極少量溶於乙醇溶液中置於超音波震盪器中

約10分鐘使粉末均勻分散於溶液中爾後再利用已鍍上一層多孔性

碳膜之銅網放置於溶液中撈取預分析之樣品拿出銅網後用拭鏡紙將

多餘之乙醇拭乾並風乾

圖28 TEM電子腔內部結構示意圖

244 比

ASAP) 先將適量樣品 200oC 除氣(degas)至壓力為 3 times10 -3 torr以去除樣

品上之吸附水氣與其它吸附物質並於 77 K 下進行氮氣等溫吸附

40

利用 BET 公式求得比表面積利用 BJH 公式求得脫附曲線之孔洞分

態相似而於高分壓相異之行為則是因為 H4

隙較 H3 窄之緣故

291 IUPAC 制定之物理等溫吸附-脫附分類圖

布(pore size distribution)

氣體吸附曲線之型態會隨著材料之孔徑結構成分溫度及吸附

分子種類而不同 (圖 291)氣體吸附曲線 IUPAC 定義為下列六種型

態第一型為典型微孔材料第二型通常是無孔材料或孔徑較大之材

料第三與第五型曲線發生於當吸附分子間親和力大於其與固體材料

表面間作用力時之模式第四型為中孔材料於高分壓時會產生遲滯

迴圈(hysteresis loops)而第六型為一結構近乎完美均勻之表面所造成

之吸附曲線根據 IUPAC 之分類遲滯迴圈依其型態可分為四種型

態(圖 292)H1型常為規則圓柱狀孔洞材料或由規則球狀體間孔隙所

造成而 H2 型遲滯迴圈之形成通常表示材料中之孔洞與形狀較不規

則H3與 H4型迴圈之型

41

圖 292 IUPAC 制定之遲滯迴圈型態示意圖

245

T) 收集

光並測量其螢光強度並以 DataMax 軟體分析光譜資料

光激發光譜儀(Photoluminescence PL)(65)

光激發螢光 (photoluminescence PL) 光譜儀乃為簡便與精準地

檢測發光材料之光特性於本研究中採用FluoroMax-3測量螢光材料

之激發光譜(excitation spectra)與放射光譜(emission spectra)如圖

210 所示光源為利用氙弧燈提供一寬波段之激發光源為得高解

析之螢光量測數據入射光源須為持一特定之波長藉由單光器

(monochromater)之狹縫 (slit) 將光源出射光分成特定波長之入射

光入射光之能量被螢光粉體吸收後螢光粉體將發射另一特定波長

之光段打至發射光之單光器如同激發光之單光器只允許某一狹

窄之波段通過再利用光電倍增管 (photomultiplier tube PM

42

圖 210 螢光體光譜量測過程

圖211為本研究所使用之FluoroMax-3光譜儀各結構實際之配

置其包含七大主要部分涵蓋

1 Xenon光源與其保護座

1a Xenon光源電源裝置(power supply)

1b Xenon光源閃光(flash lamp)

2 入射光源單光器(excitation monochromator)

3 樣品放置槽(sample compartment)

4 發射光源單光器(emission monochromator)

5 偵測器[signal detector (photomultiplier tube)]

6 參考偵測器[reference detector (photodiode and current-acquisition

module)]

7 儀器控制電子元件(instrument control)

實驗之過程光源由圖中1部分發射而將螢光粉體置於樣品槽

43

內並置於圖中3之樣品放置槽圖中7為連接電腦控制藉由控制圖

中2與4之單光器則分別進行激發光譜與放射光譜之實驗由光電倍增

管放大(圖中5)而收集其中激發光譜可由圖中6偵測Xenon光源之訊

號並校正若進行比較發射光譜之絕對強度實驗過程則控制實驗之

時間於兩小時內完成此時期之光譜經穩定度量測誤差值座落於3

以內所得之發射光譜強度比較為可信之數值圖 212則為儀器之

實際外觀

圖211 光激發光光譜儀構造

44

圖212 光激發光光譜儀(FluoroMax-3)儀器外觀

246 拉曼散射光譜儀 (Micro Raman Scattering Spectrometer)

當光源照射於物質表面時光子會與物質之原子分子產生交互

作用造成能量之交換或動量之改變若無能量交換僅方向改變為

彈性碰撞稱為瑞立散射 (Reyleigh Scattering)若方向改變又有能量

交換為非彈性碰撞稱為拉曼散射 (Raman Scattering)當拉曼散

射光與物質相互作用時會與物質內之原子分子之振動頻率耦合

即可於入射光頻率之兩邊產生正或負之頻率位移此一頻率位移之數

值與物質內原子分子振動頻率相當此位移即為拉曼位移(Raman

Shift)此頻率位移可用下式表示

sυ υ υΔ = minus (26)

υΔ 代表拉曼散射光與入射光頻率差υ 代表入射光子之頻率 sυ 代表

散射光子之頻率

45

247 紫外可見光擴散式反射光譜(UV-Vis diffuse reflectance spectra

UV-

描範圍為200 nm至800 nm並以Spectra Calc

體收集光譜訊號

247

分光波被反射與散

另一部分光透過其餘之光才被物質吸收

Vis DRS)(72)

本研究乃將定量之粉末置於石英圓盤上再將其放置於樣品槽

相對於 BaSO4 作為參考物於室溫下以Hitachi-U3410紫外-可見光光

譜儀分析其擴散反射式光譜(diffuse reflectance spectrum)光譜掃描之

速率為120 nmmin掃

1 固態粉體之吸收光譜

吸收光譜顯示光照射於發光材料時其激發波長與材料所吸收能

量值之關係激發波長照射於發光材料時一部

圖 213 光吸收反射散射與穿透圖

46

只有被吸收之光對材料之發光產生作用然而非每一被吸收光其

所有波長皆能引起激發作用因此研究吸收光譜可知哪些波長之激發

光被吸收吸收率為多少此對研究材料之發光過程為一重要課題

發光材料對光吸收公式可表達為

( ) 0( )K xI I e λ

λ λ (27)

式 27中I0(λ)為波長為λ之光照射至材料時之發光強度I(λ)為光

通過厚度為X之材料層後其發

minus=

光強度Kλ為吸收係數Kλ隨照射光波

長變

表面(圖 214)即使壓製成

錠依舊有部分光以散射釋出(圖 215)

化之曲線稱吸收光譜

因發光材料為粉末晶體故難以測出其吸收光譜一般則是測試

反射光譜用以確定其吸收光譜由 Kλ(吸收) = 1-Kλ(反射)得出材料之吸收

圖譜Kλ(反射)為被測材料之反射係數當其散射與穿透很小時可測得

然多數之物質其粉體非規則排列成一平整

粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚

度其公式如下

圖214 圖215

擴散式反射光譜儀則利用Schuster-Kubelka-Munk理論其中假設

無規則之反射光束

2(1 )( )2

R kF RR s

infininfin

minus= = (28)

infin

47

其中k為吸收係數s為散射係數一般量測與標準品相對之反射值Rinfin

而非量測絕對值之反射值其中標準品為白色固體粉末常見有KBr

用於IR(43500 ~ 400cm-1)波段BaSO4MgO作為紫外光至可見光波

段之標準品

圖216 Hitachi-U3410紫外-可見光光譜儀

248

於超高真

下操作故最好將樣品溶劑先行抽乾以免污染儀器

X射線光電子能譜儀( X-ray Photoelectron SpectroscopyXPS )

其原理為一束X光射線入射至樣品表面藉由光電效應將某一能

階之電子激發為光電子爾後經由分析光電子動能即可獲得關於表

面元素組成與元素之化學環境當數個原子鍵結成一化合物時其於

化合物中之結合能明顯與純原子時不同內核層電子之束縛能亦有不

同之變化即為一般之化學位移(Chemical Shift)分析束縛能之變

化便可獲得材料中之電子結構與化學鍵結之訊息其所造成之能譜

位移可用以區分不同氧化態之元素偵測深度約為5 nm (除氫元素外

皆可偵測)樣品製備將粉末樣品先行打錠經除水與抽真空之前

處理後送測放入儀器之樣品室中進行分析由於儀器是

48

24

分析與 TEM 等

結果

μ 表示材料單位厚度對X光之吸收則以式29以表示其相互之關係

9 X 光吸收光譜 (X-ray Absorption Spectroscopy XAS)(73)

同步輻射為接近光速之電子受加速度而產生之電磁波其可提供

連續波長可調能量範圍寬廣之光源並具光點小強度高與準直性

佳等特性近二十年應用同步輻射 (synchrotron radiation) 光源於 X

光吸收光譜之技術愈趨成熟使 X 光吸收光譜成為一項分析物質結

構之利器利用同步輻射光源對材料進行 X 光吸收光譜研究主要

包括 X 光吸收近吸收邊緣結構(X-ray absorption near-edge structure

XANES)與延伸 X 光吸收精細結構(extended X-ray absorption fine

structureEXAFS)其中 XANES 用於檢測材料中特定原子之電子組

態而 EXAFS 則測定原子之局部結構(local structure)可得知原子與

其鄰近原子間之距離種類及數目等X 光吸收光譜可發揮於原子短

程結構與電子組態上之優點與傳統 XRD 長程有序

相互配合可更加了解奈米材料之結構特性

當物質受到X光照射而吸收X光可用吸收係數 μ 表示其吸收之

程度若以I0表示入射X光之強度I 表示穿透光強度樣品厚度為 x

0 exp( )I I xμ= minus (29)

現象會隨X光能量增強而逐漸平

地降低構成吸收光譜之底線

若X光能量改變即使物質中之原子不吸收不散射等因素測得之

穿透光強度仍較入射光強度減小此

49

2491 X 光吸收近吸收邊緣結構 (X-ray Absorption Near-Edge

Structu XANES)

有關吸收原子之電子

組態價數及其所處晶格位置之對稱性資訊

re

當 X 光能量逐漸增強至物質中所含原子之吸收能量(absorption

edge)原子內層電子開始吸收 X 光之光子躍遷至外層之空軌域

造成吸收係數激增即形成 X 光吸收近吸收邊緣結構(XANES)於

吸收邊緣前與後各 30 eV 區域內之一些圖譜特徵包含吸收前緣之突

起躍昇區段上之肩部主峰之相對高度甚至吸收邊緣之位置(常

以躍昇段之第一個反曲點能量為視之)統稱為 XANES如圖 217

所示為 Ti K-edge 之 XANES 示意圖其可提供

圖217 Ti K-edge之XANES示意圖

50

25 染料敏化太陽能電池之組裝與特性分析

251

工作電極漿料之製作對於太陽能電池效率而言為最重要且最關

鍵之步驟本實驗採用奈米級粉體作為主要材料由於顆粒小其比

表面積大可使染料吸附量增加但如此微小粒子亦容易因凡得瓦

力庫倫力等發生團聚現象團聚現象對於粒徑小於 10 μm 之顆粒尤

其明顯因此於漿料之製備過程中必須透過機械攪拌及超音波震盪

等方式使其均勻分散本實驗漿料為參考 Seigo 等人於 2008 年所

發表之論文 製備首先秤取適量先前合成之二氧化鈦粉末加入配

ethyl cellulose分別為 5-15 mPas 與 30-50

mPas)膠體溶液松 terpineol)無水乙醇上述混合物置入單頸

瓶中激烈攪拌約 10 小時並減壓抽氣濃縮以去除乙醇再以超音

1 小時即完成漿料製備

252 導電玻璃清洗

[fluorine-doped tin oxide

FTO](尺寸23 x 30 cm)以中性清潔劑初步洗滌之後浸泡於丙酮溶

劑內並置於超音波震盪器內 10 分鐘丙酮可溶解油漬與黏膠卻

對 FTO 無影響可防止製備工作電極薄膜中出現裂痕及缺陷接著

使用去離子水同樣於超音波震盪下清洗玻璃最後再以乙醇於超音波

作用下洗滌乙醇可以溶解大部分之有機溶劑包括丙酮

璃之電阻)乙醇清洗完後將導電玻璃置入烘箱中以 70oC 烘烤 30

分鐘以去除殘餘有機物

3 電池組裝與特性測試

FTO 玻璃固定於網印機機台上利用網印法(如圖

FTO 玻璃上(工作電極面積

工作電極漿料配製

(74)

製好之兩種乙基纖維素(

油醇(

波震盪

首先將摻雜氟之二氧化錫導電玻璃

(會增加玻

25

(1) 將清洗完成之

218 所示)將製備好之漿料均勻塗佈於

51

複以上動作直到所

其表面於室

Black dye 溶液中放置

染料敏化太陽能電池有關組裝之詳細流程圖如圖 219 所示

需之膜厚或者所需要之雙層或多層結構設計

(2) 將鍍膜完成之工作電極置於 40 mM TiCl4 乙醇溶液中並置入 70oC

烘箱中 30 分鐘取出後以去離子水及乙醇交替潤洗

溫下乾燥後置於方形爐中 500oC 煅燒 30 分鐘

(3) 將製備好之工作電極薄膜浸泡於 02 mM

室溫暗室浸泡 24 小時使其自行吸附

(4) 待二氧化鈦電極吸附染料步驟完成後利用乙腈(acetonitrile)清洗

工作電極表面靜置乾燥後即可得已製備完成且吸附染料分子

之二氧化鈦薄膜電極首先將氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑

金屬之相對電極之空隙中再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結

合並防止氣泡產生以長尾夾固定既可完成此三明治結構之

圖 218 網印機塗佈示意圖

52

TiO2 (or TiO2Eu3+ ) powder

1 Screen printing on FTO (15Ωsq)

(A active=016cm2) 2 DryingRT 3 Gradually heated under an airflow at 325oC 5min 375oC 5 min 450oC 15min and finally at 500oC 15 min

1+ Two kind ethyl cellulose solution (5ndash15mPas and 30-50 mPas) + Terpineol + pure ethanol 2 Stirring10 hr 3 Rotary-evaporator (40oC) 50 min 4 Sonication 30 min

paste

Repeated until desirable Film thickness was obtained

TiO2 film FTO

1 Immersed in TiCl4 EtOH 70oC (30 min)2 Calcined 500 oC 30 min in air flow 3 Soaked in black dye (02 mM )

DyeTiO2 film FTO

1 Put the spacing film aside the TiO2 film2 Combined with sputtered Pt electrode3 Injected the ImacrI3- electrolyte

DSSC

圖 219 染料敏化太陽能電池之製備組裝流程圖

53

254 染料敏化太陽能電池性能測試

2541 電流電壓效率曲線(I-V curve)量測

於太陽能電池效率量測方面由於太陽光光譜將不斷變動因此

必須有一套國際量測標準目前國際上太陽能電池量測主要以美國

ASTM G-159 (Air Mass 15) 為主由於太陽光入射角度會隨著穿過

大氣層厚度之不同而隨之改變一般以大氣質量數 (Air Mass AM)

表示並規定太陽光在大氣層外直接垂直照射稱為AM 0太陽光與

地球表面夾角為90deg時稱AM 1而入射太陽光與地表之夾角為4819deg

時則為AM 15將完成之電池元件進行效能測試其光電轉換效率值

之檢測系統如圖 220 所示此檢測系統中為選擇300瓦(W)氙燈光源

模擬太陽光(AM 15)光源於開啟後須熱機10分鐘為避免檢測時因

光源不穩定而造成量測誤差並利用一標準單晶矽電池(效率值約為

1173 )以調整入射光源強度為100 mWcm2

將電池置於待檢測位置接上正負電極後利用電源電錶儀

(Keithley 2400) 控制輸出電壓並量測輸出電流值以獲得電流-電壓

曲線(I-V Curve)並藉由所得之I-V Curve圖中可獲得開路電壓(Voc)

閉路電流(Isc)填充因子(FF)與光電轉換效率(η)等評估電池效能之參

數其中短路電流乃指太陽能電池於無負荷狀態下外部電路短路

時之輸出電流此時電壓為零於理想之狀態下太陽能電池之短路

電流即等於照光時所產生之光電流而開環電壓即為太陽能電池於負

載無限大之狀況下為外部電流斷路時所量到之電壓此時之輸出電

流為零轉換效率可定義如下

max ( )P Isc Voc FPin Pin

η Ftimes times= = (210)

其中 Pin 為入射光功率FF因子定義為電池輸出最大功率

54

(Pmax)與理想最大功率之比值關係如下

max max max P I VF FIsc Voc Isc Voc

times= =

times times (211)

由上式可知此 FF 值為表示太陽能電池電壓電流表現與理

想行為間之差異此值受電池內部串聯並聯電阻工作溫度照光

強度等影響

圖220 電池光電轉換效率值檢測系統

圖221 太陽能電池I-V 特性曲線示意圖

55

2542 入射單色光之光電轉換效率量測(incident photon to current

convers-ion efficiencyIPCE)

IPCE 為單位時間內外電路中產生之電子數目 Ne 與單位時間內

入射單色光光子數目 Np 之比如其理論計算式為

2 2 [1240 ( )] [ ( ) ( )] 100SC incIPCE J A cm nm I w cmλ= times times times (212)

式中 JSC 為短路電流密度λ為入射光之波長Iinc 為入射光強度

從式中可看出奈米多孔膜(如TiO2)之比表面積越大吸附染料分子

越多光吸收效率就越高光電轉換效率測定系統可得到單一波長之

光電轉換效率根據此數據可瞭解整個光譜裡不同波長範圍之光對

電流之貢獻得到 IPCE 對波長之光譜與吸收光譜不相同因既

使能吸收光亦未必能有效轉換成電流本量測系統涵蓋以下主要組

(1) 光源500 W Xe lamp能發射全波長之光

(2) Water filter過濾光源發出之紅外光減少紅外光引起之熱

(3) 單光器(monochromator)以光柵選擇波長並投射至樣品

(4) 光強度偵測器偵測投射波長之強度

(5) 定電位定電流儀Keithley 2400用以讀出電流訊號

待測樣品經過不同波長之光照射時會反映出不同程度之光電流經

定電位定電流儀讀出電流值並記錄下來本實驗每隔10 nm 之波長

記錄電流值範圍從 350 nm 至1000 nm紀錄所有之電流值後再

經光強度偵測器量測各波長光線之能量將電流與光能量帶入式

212計算後即可得到各波長光線之光電轉換效率IPCE ㄧ般亦反

映至電池總效率上IPCE 越大則效率越高

56

圖222 Black dyeTiO2 IPCE特性曲線示意圖(75)

2543 電化學阻抗分析(Electrochemical impedance spectroscopy

EIS)(76)

交流阻抗定義

阻抗 = 電壓電流

交流阻抗定義阻抗 = 電壓電流 ( ( )( )

V fZI f

= )

其中電壓與電流之值會隨著頻率( f )變動而改變阻抗其實是由實部

阻抗(Zrsquo)與虛部阻抗(Zrdquo)所構成表示法為 Z Z jZ= minus

其中 Z 實部阻抗(real impedance) Z 虛部阻抗(imaginary impedance)

j = 1minus 而 Z Z Z θ (相角)之間關係如圖 223 所示

57

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

圖 223 Z Z Z θ 之間關係圖

交流阻抗測量過程如下

施加一小振幅之交流電壓(大多為正弦波訊號)使電極電位於平

衡電極電位附近微擾當達到穩定狀態後測其響應電流訊號之振幅

(magnitude)及相(phase)進而求得阻抗(impedance)然後依據所設

想之等效電路(equivalent circuit)透過阻抗圖譜之分析以及 Z-plot 程

式進行參數擬合精算以求出電極之動力學參數測量方式將組裝

好之電池於光源之持續照射下達到一穩定之電壓以電化學分析

儀(CHI 611C)測量選擇「AC Impedance」模式給予一個振幅為

10 mV 之交流電壓掃描頻率設定為 105 Hz 至 005 Hz

(a)

58

(b) high

medium low

圖 224典型染料敏化太陽能電池電化學阻抗示意圖(77)

從典型之電化學阻抗圖譜可於奈氏圖(Nyquist plot)觀察到三個

半圓形之訊號參照圖 224b 依序從左至右分為高頻區 (high

frequency)中頻區(medium frequency)低頻區(low frequency)其所

分別代表之意義為(參照圖 224a )

高頻區電子於白金相對電極與電解質介面(Pt-FTOElectrolyte)之間

之傳輸阻抗

中頻區電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗

低頻區碘三負離子(I3minus)於電解質中之擴散阻抗

於經過電化學阻抗測量之後所得到之圖譜參考 Wu 等人之文獻

(78)設想之等效電路如圖 225 所示

59

FTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSCFTO Pt-FTO

RS

C2

RwRk

W3

dyeTiO2

C1

R1

Equivalent Circuit of DSSC

圖 225 染料敏化太陽能電池等效電路圖

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

keff

hellip

-64

-68

-73

-75

-74

-71

-66

hellip

02

04

08

10

|Zldquo| ohm

hellip

394

384

372

358

344

331

319

hellip

226

225

225

223

|Zlsquo| ohm

-0207 3658 144

-0212 3519 174

-0211 3385 212

-0204 3258 257

-0175 3900 98

-0195 3792 119

-0161 3991 81

0036 2251 81050

0018 2250 66410

0008 2260 54690

0045 2232 96680

helliphelliphellip

helliphelliphellip

θ deg

|Z| ohm

Freq Hz

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

|Z|

Zrsquo

Zrdquo

θ (= ω t)

EIS raw rata - P25 TiO2 (12 μm)

magnitude

phase

|Z| = ( |Zrsquo| 2 + |Zrdquo| 2 )12

θ = tan-1 ( |Zrdquo| |Zrsquo| )

=gt |Zrsquo| and |Zrdquo|

input output derived

圖 226 染料敏化太陽能電池電化學阻抗原始數據分析

60

經過電化學阻抗分析過後原始數據如圖 226 所示經由等效

電路假設之後並進一步使用 Z-View 軟體效正並參考 Adachi 等人(79)

所發展之模式可以得到下列參數

(1) L (μm) 電極膜厚 (film thickness)

(2) keff (s-1) 電子再結合速率常數 (reaction rate constant for

recombination)

(3) τ (s) 電子壽命 (lifetime of electrons)

(4) Rk (Ω) 電子再結合之電荷傳導電阻亦即暗反應電阻

(charge-transfer resistance related to recombination

of electron )

(5) Rw (Ω)電子於 TiO2 中之傳導電阻 (electron transport

resistance in TiO2)

(6) Deff (cm2s)有效電子擴散係數 (effective electron diffusion

coefficient)

(7) Ln (μm) 電子擴散長度 (electron diffusion length)

其中 τDeffLn(7879)可以由下列公式求得

1 effkτ = (213)

2

( ) (keff

w

R LDR

= times (214)

( )nL Dτ= times eff (215)

61

26 量子點敏化太陽能電池之組裝

261 硒化鎘 (CdSe) 量子點之製備

(1) 取051克之氧化鎘(cadmium oxide CdO)與3克之油酸(oleic acid

OA C17H33COOH)溶入126 mL之1-十八烷烯(1-Octadecene

C18H36)中配製成A溶液

(2) 取 13 mmol之硒粉( selenium Se)與 05克之三正辛基膦

( tri-n-octylphosphine (C8H17)3P )溶入 10 mL 之 1- 十八烷烯

(1-Octadecene C18H36)中以磁石持續攪拌1小時配製成B溶

(3) 將A溶液與磁石置入三頸瓶中以每分鐘280轉之速率攪拌並以

25 mtorr之氮氣去除瓶中之剩餘空氣

(4) 將三頸瓶以每分鐘5oC之升溫速率將溫度升高至200~205oC溶

液之顏色將呈現淡黃色透明澄清溶液接著繼續升溫至280oC

(5) 接著將B溶液以針筒迅速注入三頸瓶中注入完畢開始計時達

到反應時間即離開熱源溶液顏色將從淡黃色透明澄清變化成橘

紅色澄清溶液

(6) 將溶液加入乙醇中以每分鐘10000轉之轉速離心10分鐘數次

即可完成CdSe-OA量子點並保存於己烷中

詳細配製流程如圖227所示

62

CdO and Oleic Acid(OA) were dissolved in 1-Octadecene

Heated to ~205oCuntil the color of solution turn to transparent colorless then the temperature was increased to 280oC

Injection of SeTOP solution and stop heating (in 2 min)

The CdSe nanoparticles were precipitated using EtOH and then kept in hexane

圖 227 硒化鎘量子點之配製流程圖

63

262 硒化鎘 (CdSe) 量子點之改質 (Ligand exchange)

(1) 將02 mmol之巰基丙酸(mercaptopropionic acidMPA)溶入30 mL

之甲醇中並以四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium hydroxide

in methanolTMAOH)滴定調整溶液pH值至114

(2) 將溶液置入三頸瓶中於氮氣之環境下加熱至55oC

(3) 將保存於己烷中之硒化鎘量子點加入甲醇以每分鐘10000轉之速

率離心十分鐘重複三次

(4) 取約2 mL之MPA溶液再取40毫克之硒化鎘溶入溶液中再倒回

三頸瓶

(5) 將三頸瓶溫度加熱至65oC並以鋁箔包覆三頸瓶使溶液於黑暗

中反應20小時

(6) 接著將溶液與ethyl acetate以21之比例混合再將混合溶液與

Hexane以11混合以每分鐘10000轉之速率離心十分鐘重複2

至3次即可得到CdSe-MPA之量子點

詳細配製流程如圖228所示

64

02 mmol of MPA was dissolved in 30 mL of anhydrous methanol and pH-adjusted to 114 by addition of TMAOH

Heated to 55degC and than added to a vial containing approximately 40 mg of CdSe

Heated to 65degC and refluxed for approximately 24 hrs under nitrogen gas in the dark

The nanocrystals were isolated by addition of ethyl acetate to induce flocculation

The CdSe nanoparticles were precipitated using methanol

The CdSe nanoparticles were stored in toluene

圖 228 硒化鎘量子點之改質流程圖

65

263 量子點敏化電池之組裝

(1)利用與 253 節中相同之方法製備工作電極薄膜並先將工作電

極浸泡純MPA溶液4小時取出後立刻將其浸泡入之前合成之硒化

鎘甲苯溶液靜置一天之後取出先以甲苯沖洗去除未吸附之多

餘奈米粒子再利用乙腈(acetonitrile)清洗工作電極表面靜置乾燥

後即可得已製備完成且吸附量子點之二氧化鈦薄膜電極

(2)再氧化還原電解液 ImacrI3macr注入於鍍上鉑金屬之相對電極之空隙中

再將二氧化鈦電極與相對電極緊密結合並防止氣泡產生以長尾

夾固定既可完成此三明治結構之量子點敏化太陽能電池

附註

(1) 電解液配製

二甲丙基咪唑碘(dimethyl propyl imidazolium iodide ) 06 M 碘化鋰

(lithium iodide LiI) 01 M 碘 (iodine I2) 005 M 及第三丁基吡啶

tert-butylpryidine (05 M) 溶於乙腈(acetonitrile)中

(2) 染料溶液配製

Solaronix 公司 black dye 02 mM 及脫氧膽酸 (deoxycholic acid DCA)

20 mM 溶於乙醇 (ethanol)中

66

第三章 結果與討論

本研究之重點於利用兩種不同合成方法製備 TiO2Eu3+工作電極

材料並探討其運用於染料敏化太陽能電池之效應前者使用

Ti(OC4H9)4溶膠為合成二氧化鈦之前驅物與 Eu2O3為摻雜 Eu3+來源

以溶膠凝膠法與水熱法合成 TiO2 奈米粒子後者使用商用二氧化鈦

粉末(Degussa P25)為合成二氧化鈦與 Eu(NO3)35H2O 為摻雜 Eu3+

來源直接利用水熱法合成粉末針對兩系列工作電極材料之晶體結

構與光譜特性進行不同目的之階段分析分別敘述如下

第一階段為材料結構鑑定分析

(1-1) X-光繞射光譜儀(X-ray diffraction XRD)

(1-2) 結構精算(Refinement)

(1-3) 掃描式電子顯微鏡(SEM)

(1-4) 穿透式電子顯微鏡(Transmission electron microscope TEM)

(1-5) 氮氣等溫吸附與脫附儀(BET)

第二階段為光譜特性分析

(2-1) 光激發光譜(PL)

(2-2) 拉曼散射式光譜(Raman scattering spectrum)

(2-3) 紫外 ‐可見光擴散式反射光譜 (UV-Vis diffuse reflectance

spectra UV-Vis DRS )

(2-4) X 射線光電子能譜儀(XPS)

(2-5) X-光吸收光譜(X-ray absorption spectroscopy XAS)

第三階段為太陽能電池特性分析

(3-1) 太陽能電池 I-V 曲線效率量測(I-V curve)

(3-2) 入射單色光之光電轉換效率量測(IPCE)

(3-3) 電化學交流阻抗分析(EIS)

67

31 TiO2Eu3+ 材料結構鑑定分析

311 晶體結構分析

天然二氧化鈦為 n 型半導體於分子之結構中屬閃鋅晶格其中

鈦原子具 22 個電子以外圍 3d 軌域之 4 個價電子與氧原子形成共

價鍵 (Covalent Bond)自然界中二氧化鈦以銳鈦礦(Anatase)金紅

石 (Rutile)與板鈦礦 (Brookite)三種結晶組態存在其中最常見與最

廣泛使用的為前面兩種組態後者則極為罕見圖 31 為典型銳鈦礦

(Anatase) 之晶體結構圖屬四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα

=β=γ=90deg其空間群(space group)為 I 41amd其中 I 表體心晶格

(Body centered unit cell)41a 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 41旋移

軸(screw axis)即平行 c 軸旋 360deg4 = 90deg後平移 14 晶軸距離且

於垂直[001]方向具一 a 軸之旋移面(glide plane)m 表垂直[100]或[010]

方向具一鏡面(mirror plane)d 表垂直於[110]或[1-10]方向具一沿 c

軸移動之鑽石射移面(diamond glide plane)而圖 32 為典型金紅石

(Rutile) 之晶體結構圖為四方晶系(tetragonal)晶軸 a = bnecα=

β=γ=90deg其空間群為 P 42mnm其中 P 表簡單晶格(primitive cell)

42m 為平行[001] (即 c 軸)方向具一 42旋移軸(screw axis)即平行 c

軸旋轉 360deg4 = 90deg後平移 24 晶軸距離且於垂直[001]方向具一反

射面n 表垂直[100]或[010]方向具一斜角射移面(diagonal glide)末

項之 m 表垂直於[110]或[1-10]方向具一反射面雖此兩種晶相皆是以

TiO6八面體鍵結而成然而 Ti-TiTi-O 鍵長與氧鍵結數不同等差異

造成兩相之質量密度(mass density)與電子組態皆相異

68

圖 31 TiO2銳鈦礦(Anatase)相晶體結構圖

圖 32 TiO2金紅石(Rutile)相晶體結構圖

69

3111 TiO2Eu3+ (TBT 系列) XRD 分析

此系列工作電極粉體以溶膠凝膠法與水熱法進行合成並添加

銪(Eu)為活化劑其主體晶格為二氧化鈦(TiO2)如圖 33 所示為 TBT

系列 TiO2Eu3+之 XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu含量自 x = 0 增

至 x = 005於 X-光繞射圖譜得知隨 Eu 濃度增加粉體皆呈現 TiO2

銳鈦礦 (Anatase) 之相若以離子半徑大之原子取代於主體晶格中原

子半徑小之原子故主體晶格將擴張其面間距(d)增加並根據布

拉格繞射公式 2 sind nθ λ= 可知繞射角度(θ)亦減小於圖 33 XRD

圖譜中銳鈦礦繞射面(101)之主繞射峰並無位移初步判斷為低濃

度取代之緣故而較多數文獻(80)之論點則因 Eu3+之離子半徑約為 108

Aring而 Ti4+之離子半徑約為 068 Aring兩種離子半徑差異頗大造成利

用溶膠-凝膠法與水熱法等軟性合成法並不易將 Eu 直接取代 TiO2 晶

格中 Ti 之位置故無法於使二氧化鈦晶格擴張此論點於 GSAS 結

構精算結果中將再次討論

20 30 40 50 60

A(211)A(105)A(200)A(004)

Ti1-xO2Eux (TBT)

JCPDS089-4921

x = 0015

2 θ (degree)

Inte

nsity

(au

)

x = 0

x = 00075

x = 002 x = 0025 x = 003

x = 004

x = 005Anatase

A(101)

圖 33 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)XRD 圖譜

70

為計算合成粉體之粒徑大小根據晶體學 Scherrer equation(如式

31) (81)其中 D 為粒徑大小 (crystal grain size)k 為無單位常數 09

λ為 Cu Kα1之波長 015405 nmβ為圖譜中最強之繞射峰(101)之半高

寬θ為繞射角度 254o之半

coskD λ

β θ= (31)

計算不同 Eu 摻雜量其粒徑大小分布如圖 34 所示顯示隨著 Eu 摻雜

量增加粒徑大小隨之縮小至 x = 004 時達至飽和穩定研判為

Eu3+雖難取代 TiO2 中 Ti4+位置卻可能於晶格表面或空隙中形成

Eu-Ti-O 鍵結進而限制其晶格成長(82)而觀察此 TBT 系列粒徑分布

由 9~20 nm 範圍屬微小奈米粒子形成微小粒徑之因可由生成機制

說明此系列樣品由溶膠凝膠法將鈦酸四丁酯 (Tetrabutyl titanate) 水

解形成加入硝酸使生成環境處於 pH 小於 2故此過程須將鈦醇前

驅物於酸催化下水解縮合而成而三維聚合體骨架 (polymeric

skeletons) 於低含水與低水解速率下將由於 Ti-O-Ti 之鍵結逐漸形成

而更緊密堆積因此造成微小奈米粉體之形成(8384)

-001 000 001 002 003 004 005 0068

10

12

14

16

18

20

22

1027978

13241439

16781722

1934

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

) Ti1-xO2Eux(TBT)

2176

圖 34 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005)粒徑分布圖

71

為更進一步瞭解稀土離子摻雜進入二氧化鈦後之確切晶體結構

與精細結構變化本研究利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進

行結構精算精算過程中以 ICSD-93098 為起始模型此為空間群

I 41amd 之銳鈦礦 TiO2各原子之熱振動參數設定為等方向性

(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為 1且相同格位之

原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖 35 為 TBT 系列

Ti097O2Eu0033+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構精算所獲得之

XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理論擬合曲線

下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置以及下方藍

色實線表為理論值與實驗值之誤差

由 GSAS 結構精算結果得知如表 31a 所列TBT 系列 Eu3+

摻雜 TiO2結構之空間群仍屬於 I 41amd其中 Eu3+取代四配位之 Ti2+

位置較為合理其信賴指數為 χ2 = 237Rwp = 598與 Rp = 482

可得知樣品之結晶性良好其晶型之結晶程度好壞對往後染料敏化太

陽能電池光電轉換效率之優劣有決定性之影響晶格參數為 a = b =

37835 (6) Aring 與 c = 94945 (17) Aring晶格體積為 13591(4) Aring3根據

Vegard(85)定律固態材料因摻雜不同大小離子半徑之元素使其結構

產生膨脹(expansion)或壓縮(compression)效應而直接影響其晶格大

小與體積之變化根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較(表

31b)晶格體積並無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之

Eu3+離子(095 Aring)難以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與上述 XRD

結果吻合

72

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

圖 35 TBT 系列 Ti097O2Eu0033+粉體 X 光繞射結構精算圖

表 31a TBT 系列 Ti097O2 Eu003 粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

0000000

0000000

0245966

0338408

-0023401

0182541

1000000

1000000

261

382

Space group I 41amd (tetragonal) Cell Parameter

a = b = 37835 (6) Aring c = 94945

(17) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13591(4) Aring3

Reliability Factors χ2 = 237 Rwp = 598 Rp = 482

73

表 31b TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 粉體之原子結構參數

Eu

ratio(x) a(A) b(A) c(A) Volume(A) Rp() Rwp() χ2

0 37809(18) 37809(18) 94795(9) 13551(16) 51 61 20300075 37805(18) 37805(18) 94796(9) 13548(16) 53 66 2270015 3790723) 3790723) 94839(11) 13628(20) 72 85 239002 37806(33) 37806(33) 94737(17) 13540(29) 62 75 2450025 37805(12) 37805(12) 94420(23) 13495(7) 52 61 185003 37835 (6) 37835 (6) 94945(17) 13591(4) 48 60 237004 37868(5) 37868(5) 94868(15) 13604(34) 63 79 279005 37772(24) 37772(24) 95012(6) 135557(15) 42 52 184

3112 TiO2Eu3+ (P25 系列)

此系列工作電極粉體為利用水熱法合成以添加銪(Eu)為活化

劑其主體晶格為二氧化鈦如圖 36 所示為 P25 系列 TiO2Eu3+之

XRD 圖逐漸添加不同含量之 Eu自 x = 0 增至 x = 01於 X-光繞

射圖譜得知隨 Eu 濃度增加與前一 TBT 系列比較不同之處為粉體

所呈現為 TiO2 銳鈦礦(Anatase)與金紅石(Rutile)兩項共存(之後亦利

用結構精算驗證此結果)其中以銳鈦礦(Anatase)所佔比例為多數

爾後分析將針對兩項比例作計算依據圖 36不同 Eu3+摻雜量之系

列樣品並無發現明顯之 Eu2O3或 Eu 與 Ti 複合氧化物之繞射峰出現

此為由於 Eu3+均勻分散於 TiO2晶體之表面所致(86)其主相 anatase 於

(101)處之繞射峰亦無明顯位移產生其為離子半徑差異較大之因

研判 Eu3+並無直接取代 TiO2晶格中 Ti4+之位置以 Scherrer equation

計算之粒徑大小分布如圖 37 所示文獻(87)曾報導由於金紅石(Rutile)

晶體結晶性較銳鈦礦(Anatase)為差也因此粒徑相對較小本實驗經

過 Eu 摻雜後之樣品雖將提高銳鈦礦(Anatase)相之比例(將於後文說

74

明)但由圖 37 可得知此兩相比例差異之影響對於晶格成長之限制不

大初步判斷為此系列以商用粉 P25 為前驅物進行水熱法過程中

摻雜之 Eu3+座落於晶體表面主晶體二氧化鈦並不會進行分解

(decompose)再結晶

20 30 40 50 60

R(1

01)

R(1

10)

A(1

05)

A(2

11)

A(2

00)

A(1

12)

A(1

03)

A(1

04)A

(101

)

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

x = 0

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0025x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015Anatase

Rutile

圖 36 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015)XRD 圖譜

000 005 010 015 0208

10121416182022242628

238237236238246248

Eu3+ content (x value)

Part

icle

size

(nm

)

Ti1-xO2Eux(P25)

253

圖 37 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~015)粒徑分布

75

本系列亦利用 GSAS 程式對合成之 TiO2Eu3+粉體進行兩相結構

精算精算過程中銳鈦礦(Anatase)以 ICSD-202243 為起始模型而

金紅石(Rutile)則以 ICSD-202241 為起始模型各原子之熱振動參數

設定為等方向性(isotropic)原子佔有率(occupancy)參數位置設定為

1且相同格位之原子其原子座標參數與熱振動參數均設定相同圖

38 為 P25 系列 Ti09O2Eu013+利用 GSAS 程式進行 X-光粉末繞射結構

精算所獲得之 XRD 圖譜其中ldquotimesrdquo符號表為實驗值紅色實線表為理

論擬合曲線下方綠色短直線表為理論模型結構應產生繞射峰之位置

以及下方藍色實線表為理論值與實驗值之誤差由 GSAS 結構精算結

果如表 32 所列P25系列 Eu3+摻雜 TiO2結構之空間群屬於 I41amd

之銳鈦礦與 P42mnm 之金紅石兩相共存其精算信賴指數為 χ2 =

185Rwp = 61 與 Rp = 52 銳鈦礦之晶格參數為 a = b = 37850

(33) Aring 與 c = 94950 (9) Aring晶格體積為 13603 (21) Aring3 金紅石之晶

格參數為 a = b = 45867 (0) Aring 與 c = 29540(0) Aring晶格體積為 6215

(0) Aring3根據此系列樣品(x = 0 ~ 005)結構精算參數比較晶格體積亦

無明顯擴張或壓縮之趨勢印證離子半徑較大之 Eu3+離子(095 Aring)難

以直接取代 Ti4+離子(068 Aring)此論點與 XRD 結果吻合亦與 TBT

系列結果相同

藉由 XRD 分析並根據 Spurr 與 Myers 所發展之理論(88)銳

鈦礦(Anatase)特徵峰A (101)與金紅石(Rutile)特徵峰R(110)兩結

晶面之強度可計算出異相態比例由方程式32a與32b

(32a ) 1

(1 08( ))RXA RI I+

=

1A RX X= minus (32b )

式中XA 為銳鈦礦之重量百分比XR 為金紅石之重量百分比IR 為

76

金紅石 X-ray 於(110)之繞射峰強度IA 為銳鈦礦X-ray 於(101) 之

繞射峰強度由此式計算出此系列樣品之兩相比例與利用 GSAS 結

構精算後得出之兩相比例比較如表33所示可知藉由兩種計算方法

所得之結果相近未經 Eu 摻雜之樣品(x = 0)所得銳鈦礦與金紅石之

重量百分比與一般文獻所記載此系列合成前趨物 Degussa P25 二氧

化鈦之兩相重量百分比(銳鈦礦75 金紅石25 )(89)接近而透過 Eu

之摻雜具效提升銳鈦礦之重量百分比此與 Setiawati 等人(90) 於期

刊中發表透過稀土元素(EuSm)之摻雜於高溫燒結過程中將有

效抑制金紅石相之生成進而增加銳鈦礦之穩定性之結果吻合以染

料敏化太陽能電池而言使用銳鈦礦晶相小粒徑高比表面積之

TiO2 粉末較有利於製造多孔薄膜電極時表現出高光電轉換效率

之特性而由於一般商業二氧化鈦粉末於高溫 (約700至900oC) 時會

產生相變(Anatase變至Rutile)因此於塗佈多孔薄膜工作電極後固

化之燒結溫度應避免高於轉相溫度

圖 38 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體 X-光繞射結構精算圖

20 30 40 50 60 70 80

Inte

nsity

(au

)

2 θ (degree)

77

表 32 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉體之各項原子結構參數

Atoms X Y Z Frac Uis100(Aring)

Ti

O

Ti

O

0000000

0000000

0000000

0304690

0250000

0250000

0000000

0304690

0375000

0170031

0000000

0000000

1000000

1000000

1000000

1000000

241

184

250

250

Space group (A) I 41amd (tetragonal)

(R) P 42mnm (tetragonal)

Reliability Factors χ2 = 185 Rwp = 61 Rp = 52

Cell Parameter

(Anatase)

a = b = 37850 (33) Aring c = 94950

(9) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 13603 (21) Aring3

(Rutile)

a = b = 45867(0) Aring c = 29540(0) Aring

a = β = γ =90deg

Cell volume = 6215 (0) Aring3

表 33 P25 系列 Ti09O2Eu013+粉末之兩相比例計算結果

Ti1-xO2Eux3+ x=0 x=0025 x=005 x=0075 x=01 x=0125 x=015

Anatase(wt ) 751 817 849 839 853 836 849

Rutile(wt ) 249 183 151 161 147 164 151

Anatase(wt

)

753 824 853 835 849 834 847

Rutile(wt ) 246 176 147 165 151 166 153

GSAS refinement results

78

312 晶體表面形貌分析

3121 SEM 與 TEM 粉體形貌分析

此部分討論透過掃瞄式電子顯微鏡與穿透式電子顯微鏡觀察所

合成粉體之表面形貌以及粒徑大小分布將結果與 XRD 與 BET 所得

結果作比較如圖 391 (a)~(b)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+中 x = 0 以及

x = 003 之 SEM 影像由圖中可察覺所合成樣品皆為無孔洞表面光

滑之粉體與文獻中(89)未製成工作電極前之二氧化鈦形貌相符透過

Eu 摻雜改質後相較於未摻雜樣品粒徑似乎有縮小之趨勢此與 XRD

所得結果吻合而相較於 TBT 系列圖 392(a)~(d)顯示 P25 系列於

不同 Eu 摻雜量時之粉體 SEM 圖由圖中顯示樣品仍為無孔洞表

面光滑之粉體然而透過 Eu 之摻雜粒徑大小並無明顯改變約略

於 23~25 nm 之間此與 XRD 所計算出結果相符

但若欲進一步測量其準確粒徑分布須透過TEM量測放大倍率作

觀察圖310(a)~(f)為TBT系列 Ti1-xO2Eux3+ 中 x = 0~004 之TEM

影像由圖中可察覺粉體顆粒大小均勻形狀近似圓球狀影像中

並無顯示類似之添加稀土金屬晶相結果皆與SEM吻合其由於TEM

影像中顏色較深暗之部分表示本實驗所配製之粉體具聚集堆積之

情形推測可能為此TEM實驗製備方法中只單純將粉體分散於純乙醇

內並無額外加入任何分散劑而造成粉體顆粒產生團聚現象因此

由圖中所觀察之粉體大小可能為二次粒徑但由於系列樣品中其隨

著Eu3+摻雜量增加可明顯觀察至其粒徑亦隨之變小此結果將配合

BET之結果加以討論

79

(b) (a)

圖 391 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+SEM 圖放大倍率皆為 100k圖(a)為

x = 0圖(b)為 x = 003

80

(b) (a)

(d)

(c

圖 392 (a)~(d)為 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ 之 SEM 圖放大倍率皆為

100k圖(a)為 x = 0圖(b)為 x = 005圖(c)為 x = 01圖(d)為 x = 015

81

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(a) (b)

(c) (d)

20 nm20 nm20 nm20 nm 20 nm20 nm20 nm20 nm

(f) (e)

20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm20 nm

圖 310 (a)~(f)為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+TEM 圖放大倍率皆為 200kx

(a) x = 0 (b) x =0015 (c) x = 002 (d) x = 0025(e) x = 003 (f) x = 004

82

3122 氮氣等溫吸附與脫附分析(Brunauer -Emmett-TellerBET)

31221 TBT 系列粉體 BET 分析

分析所合成之工作電極粉體其表面形貌以及比表面積分布本研

究針對樣品進行氮氣等溫吸附與脫附分析氣體吸附法測定比表面積

之原理為依據氣體於固體表面之吸附特性於一定之壓力下被測

樣品顆粒(吸附劑)之表面於超低溫下對氣體分子(吸附質)呈現可

逆之物理或化學吸附作用於某一壓力下其存在相對應之平衡吸附

量通過測定出該平衡吸附量並藉由理論模型以等效求出被測樣品

之比表面積由於實際顆粒外表面之不規則性嚴格來講該方法測

定之結果為吸附質分子所能到達之顆粒外表面與內部通孔總表面積

之和

圖 311(a) ~ (g)為 TBT 系列樣品針對不同 Eu 摻雜濃度之工作電

極粉體所測之 BET(Brunauer-Emmett-Teller)等溫吸附法之結果藉由

遲滯迴圈之範圍及形狀可輔以判斷孔空形狀與大小此系列樣品之氣

體吸附曲線依 IUPAC 定義於 x = 0即無 Eu 摻雜時由於其於高

相對壓力(relative pressure PsPo)時遲滯迴圈不明顯故推測屬於第

二型第二型通常為無孔材料或孔徑較大之材料配合 SEM 圖判斷

應為無孔材料顯示合成之粉體其表面光滑完整而隨著 Eu 之摻雜

量之增加氣體吸附曲線於高相對壓力出現些微遲滯迴圈現象推測

屬於第四型中孔洞材料但由 SEM 判斷粉體仍無中孔洞材料現象

為完整平滑之粉體初步判斷造成中孔洞原因為粉體堆疊時所產生之

空隙造成且遲滯迴圈較為垂直故應為規則之球體陣列間孔洞造

成而經由 BET 程式計算此 TBT 系列樣品之比表面積顯示隨著

Eu 含量之增加其比表面積亦隨之增加於 Eu 摻雜量至 x = 004 時

達至飽和此結果與 XRDTEM 結果吻合隨著 Eu 含量之增加

83

由於粒徑因為 Eu-Ti-O 鍵結產生造成晶體成長受限而隨之粒徑變

小因此造成比表面積隨之增加圖 312 為 Eu 不同摻雜量與比表面

積之關係圖

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0015)

V

olum

e ad

sorb

ed (c

m3

g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=002)

Absorption process Desorption process

(c)

84

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=003)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(d)

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Sample Ti1-xO2 Eux(x=004)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

050

100150200250300350400450500

Relative pressure (PsPo)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Sample Ti1-xO2 Eux(x=005)

Absorption process Desorption process

(e)

(f)

圖 311 (a)~(f)TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~005) 之 BET 圖

85

000 001 002 003 004 00570

80

90

100

110

120

130

140

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

789

9821027

1076

1328

1266

圖 312 TBT 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

31222 P25 系列粉體 BET 分析

圖 313 為 P25 系列樣品於不同 Eu 摻雜濃度下所測定 BET

(Brunauer -Emmett-Teller)等溫吸附法之結果與 TBT 系列比較依

IUPAC 之定義配合 SEM 與 TEM 之結果此系列樣品仍為無孔洞

之奈米材料且其高相對壓力處遲滯迴圈之形狀與 P25 標準圖譜相

近可判斷於此系列中經由 Eu 之摻雜後於表面形成之 Eu-Ti-O 之

鍵結較弱因此限制晶格成長現象較不明顯此結果與 XRD 粒徑大

小分布趨勢吻合

86

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g )

Relative pressure (PsPO)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

300

Sample Ti1-xO2 Eux(x=0075)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

00 02 04 06 08 10

0

50

100

150

200

250

Sample Ti1-xO2 Eux(x=015)

Vol

ume

adso

rbed

(cm

3 g)

Relative pressure (PsPo)

Absorption process Desorption process

(a)

(b)

(c)

圖 313 (a)~(c) P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x = 0 ~ 015) 之 BET 圖

87

000 005 010 015

0

10

20

30

40

50

BE

T S

urfa

ce a

rea

(m2 g

)

Eu3+ content( x value)

333

477 509

圖 314 P25 系列樣品不同 Eu 摻雜量與比表面積之關係圖

32 TiO2Eu3+ 粉體光譜特性分析

3211 光激發光譜分析(PL)

以 Eu3+作為活化中心之紅色螢光粉研究已屬豐碩而藉由主體晶

格之變異進而整齊發光特性而先前亦具 Eu3+摻雜入 TiO2 之研究

但多數為薄膜製程以探討其光電與觸媒特性本研究亦透過光激發

光譜之分析藉以探討不同 Eu3+濃度摻雜之粉體其發光特性與機制

Zou 等人(91)於 2006 年之研究指出由於其間接傳遞之特性TiO2

之塊材(bulk)於室溫下並無放光僅於 77 K 時於 500 nm 處具微

弱放光習知 Eu3+離子之激發光譜具以下三種特徵第一種為主體晶

格吸收以 Y2O3 Eu3+為例於激發波長(≦230 nm) 存在 Y2O3之主

體晶格吸收第二種為電荷轉移躍遷(charge transfer transition)為

Eu3+-O2-之間電荷轉移所產生之躍遷其常為寬帶譜此特徵峰一般

88

介於 250 ~350 nm(92 - 94)第三種為 f-f 軌域之躍遷此為 300~500 nm

之間 Eu3+離子之 4f 軌域相互躍遷所造成之特徵吸收峰如圖 315 所

示為摻 Eu3+離子之 TiO2光激發光譜圖與放射光譜圖於 612 nm 作

放射波長下之激發光譜中最強吸收峰為 394 nm其為 7F05L6軌域

電子躍遷其中由左至右亦包含 7F016D4(384 nm)7F0

5G2(380

nm)7F05D3(414 nm)7F0

5D2(464 nm)之吸收峰值故吸收峰皆為

4f 軌域之內層電子躍遷(95)並無上述之主體晶格吸收或電荷轉移等

現象其乃因 Eu3+-O2-之間共價性太低但電荷轉移所需能量太大

故不易發生再者因電荷轉移吸收帶與主體晶格能隙重疊故產生

能量移轉電荷轉移吸收帶吸收之能量移轉至主體晶格爾後以非發

光形式釋放

於 394 nm 激發並測其放射光譜最強之放射波長為 612 nm隨

濃度改變此一最強放射峰值並無任何改變此為 5D07F2軌域電子躍

遷且三價稀土離子佔據晶格之非對稱中心時非對稱中心之晶格場

對 J = 0 2 之躍遷特別敏感故此躍遷亦稱為強制電偶極躍遷(forced

electric-dipole transition)而磁偶極躍遷(magnetic-dipole transition)一

般不受發光中心周圍結構對稱性之影響5D07F1即屬於此類自左

至右分別為 5D07F0(580 nm)5D0

7F1(592 nm)5D07F4(652 nm)

觀察激發放射光譜圖 315 之放射峰皆為 5D07FJ之電子躍遷即自激

發態之最低能階躍遷至基態而無較高能能階激發態之躍遷其乃複

合聲子弛緩過程(multiphonon relaxation process)(96)所致

89

350 400 450 500 550 600 650 700

00

30x106

60x106

90x106

12x107

15x107

5DJ-7FJ

414

(7 F 01

-6D

3 )

384

(7 F 01

-5 Gj5 L

7)

535

(7 F 01

-5 D3

)

394

(7 F 01

-5 L6 )

λem= 612 nm

464

(7 F 01

-5 D2 )

592

(0-1

)58

0 (0

-0)

652

(0-4

)

Ti097O2 Eu0033+

612

(0-2

)

λex= 394 nm

Inte

nsity

(au

)

Wavelength(nm)

圖 315 TBT 系列 Ti097O2 Eu0033+之 PLPLE 光譜圖

由於本研究為藉由經由工作電極摻雜 Eu3+而使其放紅光並給與

染料吸收以加強其效為提供染料 Black dye 更多之紅光可利用 Eu

摻雜濃度對於發光強度之關係加以討論由圖 316 中可發現 TBT 系

列中隨著 Eu3+離子摻雜濃度由 x = 0 變化至 x = 005其發光強度隨

活化中心 Eu3+濃度增加而增強爾後摻雜濃度高於 x = 003 時強度

卻隨逐漸衰減而 P25 系列中最高發光強度時之摻雜量則為 x = 01

時 此現象為濃度淬滅效應(concentration quenching)所造成此淬減

效應產生可能因素有二

(1) 自身吸收(self-absorbing)或自消光(self-quenching)效應如同液態

螢光之現象固態溶液於高活化中心濃度時吸收物種平均距離縮減

90

使活化中心產生之螢光為另一活化中心所吸收致使發光強度減弱

(2) 能量傳遞至非放光中心 使能量損耗導致發光效率降低

Frindell 等人(97)所發表之文獻中將 Eu 摻雜入非結晶相 TiO2薄膜所

形成非傳統之發光性薄膜其觀點為放光來源為 Eu-Eu 離子間之能

量傳遞其放光濃度淬滅效應與本研究之觀點一致皆為自消光所造

圖 316 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PL 光譜圖

圖 317 P25 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~015)之 PL 光譜圖

500 550 600 650 700

00

20x106

40x106

60x106

x(content)

Ti1-xO2Eux(P25)

0150125

010075

0050025

0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 464 nm

500 550 600 650 700

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

Ti1-xO2Eux(TBT)

005004

0030025

0020015

00075 0

Inte

nsity

Wavelength(nm)

PL λex = 394 nm

91

而圖 319 與圖 320 分別為兩系列不同 Eu 摻雜量激發光譜(PLE)

之比較可觀察 TBT 系列樣品於 612 nm 作放射波長下最強吸收

峰為 394 nm其次為 464 nm然而對於 P25 系列反而最強吸收峰

為 464 nm394 nm 峰值相對減小甚大為解釋此現象可由圖 318 之

發光機制圖說明當 TiO2 Eu 照光時對主體晶格 TiO2與活化劑(Eu3+)

皆會受光激發電子當 TiO2吸收波長小於 394 nm 之入射光時光電

子快速傳遞至 Eu3+晶格場分裂能階中進行非輻射緩解至各能階進行

放光其中至 5D0後回至 7F0即產生波長 612 nm 之最強放光由於

次共價陽離子 Eu 之摻雜造成主體晶格於價帶與傳導帶間形成一受

限態(trapped state)提供激發光電子一停留之暫態因此若吸收例如

394464 nm 等波長亦會產生復合放強光或非輻射緩解(虛線)

由放射光譜(PL)可知 P25 系列於最強放光 612 nm 處之發光強度明顯

小於 TBT 系列因此可說明 P25 系列受 394 nm 入射光子量極少吸

收機率減小而致使放射光強度減弱故可說明 394 nm 峰值相對減小

之因

圖 318 TiO2 Eu 放光傳導機制說明圖

92

300 330 360 390 420 450 480 510 540

0020x10640x10660x10680x10610x10712x10714x107

x(content)

λem = 612 nm

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

000075

0015002

0025003

004005

PLE

圖 319 TBT 系列 Ti1-xO2 Eux3+ (x =0~005)之 PLE 光譜圖

330 360 390 420 450 480 510 540

00

20x106

40x106

x(content)

λem= 612 nm

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

Wavelength(nm)

00025

0050075

010125

015

PLE

圖 320 P25 系列 Ti1-xO2 Eux

3+ (x =0~015)之 PLE 光譜圖

93

3212 臨界距離與能量轉移機制

根據 Dexter 與 Schulman(98)所提出之濃度淬滅效應(concentration

quenching effect)由圖 316 隨 Eu3+離子濃度逐漸增加時其發光強

度亦逐漸增加於 x = 003 時發光強度達至最高值爾後再添加過

量之活化中心(x>003)導致 Eu3+離子彼此間之距離縮短促使 Eu3+

-Eu3+離子對(ion pair)形成並隨摻雜濃度增加而增加使發光能量於

Eu3+-Eu3+離子對內傳遞以非輻射緩解方式消失其發光強度逐漸衰

減此外可利用 Blasse 等人(99)所提粗略計算添加相同之活化中心於

主體晶格內藉由結構精算所得晶格參數推知其發生能量轉移之臨界

半徑(critical radiusRc)

1 3

c3R 2

4 c

Vx Nπ

⎡ ⎤asymp ⎢ ⎥

⎣ ⎦ (33)

式 33 中V 為單位晶格之體積xc 為活化中心之臨界濃度N

為單位晶格中陽離子所占有之個數

臨界半徑乃於臨界濃度(critical concentration xc)時發光中心傳

遞至非放光中心之最小平均距離於本研究中調變 Eu3+離子之濃度

(x = 0~005)其強度最大值發生於 x = 003即為 xc值並利用結構

精算得此樣品之單位晶格體積為 13591(4) Aring3於每一單位晶格中

此 TBT 系列銳鈦礦向為四方晶系故每單位晶格中之 Ti4+ 離子(同為

活化中心之取代位置)所占有之個數為 1 個即 N = 1經計算結果可

得 Rc值約為 205 Aring以相同方法計算 P25 之樣品其 xc = 01單位

晶格體積 V 為 13603(16) Aring3經計算結果可得 Rc值約為 137 AringP25

系列之臨界半徑較 TBT 系列短之原因為合成過程中摻雜元素晶體

長成之差異造成 P25 系列樣品粒徑較大Eu3+與 TiO2 之鍵結強度

較小因此於活化中心間傳遞電子之距離須更小以達濃度淬滅效應現

94

象發生

綜合上段文中所述Ti1-xO2 Eux3+螢光粉之濃度淬滅效應乃因

其發光能量於 Eu3+-Eu3+離子對(ion pair)內傳遞而淬滅本研究將探

討其能量轉移機制

Ozawa(100)等人與 Wang(101)等人於文獻中指出此複合極矩交互作

用與活化中心濃度與其發光強度具一關係式

1 31 ( )QI K x

minus⎡ ⎤= +⎣ ⎦ (34)

式中x 為活化中心濃度I 為發光強度Q = 68 與 10 分別對

應為偶極-偶極(dipole-dipole)偶極-四極(dipole-quadrupole) 與四極-

四極(quadrupole-quadrupole)交互作用K與 β為對應主體晶格之常數

圖 321為Ti1-xO2 Eux3+

(x = 0~005)樣品以 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)

作圖圖中可觀察為一線性關係其擬合(fit)線之斜率為 -062經由

上述關係式之計算後可得 Q 值為 486近似於 6故由此結果可推論

本研究二氧化鈦摻雜 Eu3+離子之濃度淬滅效應主要乃以偶極-偶極交

互作用(dipole-dipole interaction)所致

-22 -20 -18 -16 -14 -12

83

84

85

86

87

88

89

log

( Ix

Eu3+

)

log (xEu3+)

Ti1-xO2Eux3+

Slope = -06195

圖 321 Ti1-xO2 Eux

3+之 log(xEu3+)對 log(IxEu

3+)關係圖

95

322 拉曼散射光譜分析 (Raman scattering spectrum)

3221 TBT系列粉體拉曼散射光譜分析

拉曼散射光譜為量測材料之鍵結狀態非常普遍之方法其原理為

利用光子與樣品中之聲子之間之交互作用量測晶體中之各種振動模

式包括了分子內之振動與晶格振動因此當樣品中晶格變化極微小

時亦能藉由拉曼散射光譜儀觀測於材料晶相結構之鑑定拉曼光

譜亦提供一材料結構與鍵結組態之特徵可與 X 光繞射圖譜互為印

證根據 Balachandran 與 Eror 報導(102)銳鈦礦(Anatase)具六種

Raman active 振動模式(vibrational modes)A1g + 2B1g + 3Eg 金紅石

(Rutile)具四種 Raman active 振動模式A1g + B1g + B2g + Eg由圖 322

中 TBT 系列之拉曼光譜於 146398518 和 641 cm-1 處其顯示二

氧化鈦晶相之特徵散射峰值分別對應銳鈦礦中 Eg A1gB1g Eg

之振動模態(Vibration Mode) (103 104)且 146 cm-1處之散射峰較尖銳

指出粉體之結晶性佳並與 XRD 結構精算之結果吻合另外此系

列中並無發現金紅石之散射峰出現顯示 TBT 系列樣品為銳鈦礦之

純相此與 XRD 之結果吻合

藉由 146 cm-1處 Eg振動模態之散射峰作觀察可知經由 Eu 摻雜

後其繞射峰具往高波數位移之現象有文獻指出(105 106)當二氧化

鈦於晶體結構中之氧空缺(oxygen vacancy)增加時將增加銳鈦礦於

146 (Eg) cm-1之波數因此研判本系列樣品經由 Eu 之摻雜均增加粉

體晶體中氧空缺爾後 X 光吸收光譜將更進一步討論而 Choi 等人

(107)於銳鈦礦之二氧化鈦中以體積收縮效應 (volume contraction effect)

解釋由於粒徑縮小而使晶粒之徑向壓(radial pressure)變小因此造成

鄰近原子鍵結與振動強度改變使繞射峰有往高波數位移之現象

96

100 200 300 400 500 600 7000

1

2

3

4In

tens

ity (a

u)

Raman shift (cm-1)

148(Eg)

146(Eg)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0015

x = 0

x = 002

x = 0025

x = 003

x = 004

x = 005

398(B1g) 518(A1g)641(Eg)

圖 322 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

97

3222 P25系列樣品拉曼散射光譜分析

本實驗亦將 P25 系列樣品進行拉曼散射光譜之分析如圖 323

所示 P25 系列之拉曼光譜於 146398518 與 641 cm-1 處出現二

氧化鈦晶相之拉曼散射峰值與 TBT 系列相似分別對應銳鈦礦中

Eg A1gB1g Eg之振動模態(Vibration Mode) 然而 P25 系列樣品

於未摻雜 Eu 時(x = 0)時於 454616 cm-1 處出現分別對應於 Eg

A1g 振動模式之金紅石特徵散射峰出現此金紅石特徵峰之因主要

是由於 x = 0 之樣品存在重量百分比約 25 之金紅石晶相結構隨著

Eu 濃度之增加於 x = 0025 時 454 cm-1之特徵峰已消失而當摻雜

濃度大於 25 mol (x = 0025) 時粉體皆呈現銳鈦礦之拉曼特徵

峰此與 XRD 結論吻合由於稀土元素之摻雜抑制燒結過程中銳

鈦礦轉變成金紅石之現象於最強散射峰 146 cm-1處 Eg振動模態之

散射峰分析可知經由過 Eu 摻雜此繞射峰亦具往高波數位移之現

象然而總括兩系列樣品於此散射峰之位移現象皆不顯著主要乃因

摻雜稀土元素之量過少因此造成主體氧空缺不足以造成明顯之波數

位移現象(108)

98

100 200 300 400 500 600 700

R-616(A1gR-454(Eg

))

147 Eg( )

146(Eg)

641(Eg)518(A1g)

Ti1-xO2Eux(P25)

Inte

nsity

(au

)

Raman shift (cm-1)

x = 0025

x = 0

x = 005

x = 0075

x = 01

x = 0125

x = 015

398(B1g)

圖 323 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+(x = 0~005) 拉曼散射光譜圖

99

323 紫外-可見光擴散式反射光譜分析(UV-Vis DRS)

3231 TBT 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

二氧化鈦為一具半導體特性之物質且為一直接能隙之 n 型半導

體經由紫外光之照射使其表面電子電洞分離純相之二氧化鈦

其價帶與導電帶之能量差(即能隙大小)約為 32 eV相當於 380 nm

光波長之能量經由愛因斯坦發展光電理論之計算能量約座落於紫

外光範圍言下之意為必須透過紫外光激發始將其電子與電洞分離

進而能夠顯現觸媒之催化活性或光電特性然而許多學者於二氧化

鈦之製備過程中添加不同比例之過渡元素金屬離子研究發現可改變

二氧化鈦之光激發特性本研究為透過於二氧化鈦中摻雜鑭系金屬

Eu並透過不同比例之添加期望藉以改善其光激發特性在此透過

紫外可見光擴散式反射光譜分析兩系列所合成 Ti1-xO2 Eux粉體其特

圖 324 為 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 之紫外-可見光擴

散式反射光譜顯示未摻雜 Eu 樣品(x = 0)於圖譜短波長約 332 nm 處

具強吸收帶顯示 Ti 以四方晶系之 Ti4+ 存在於晶格中此吸收帶為

將價帶 O-2p 軌域之電子激發至傳導帶 Ti-3d 軌域(109 110)而經由 Eu

之摻雜此系列樣品吸收邊緣延長至較長波長約 400 處此現象於一

般半導體中若具雜質(impurity)或缺陷(defect)態存在即會由於其

本質傳遞而具極強之吸收(111)於本研究中Eu 離子即扮演此雜質之

角色將改變二氧化鈦之晶格環境且由XRD之結論可知由於Eu (III)

之離子半徑遠大於 Ti (IV)之離子半徑因此難藉溶膠-凝膠法與水熱

法等合成將之取代故經過摻雜之二氧化鈦形成一新相化合物此新

相化合物具兩種特性(1) 經過 Eu 摻雜後之二氧化鈦之能隙變小(2)

吸收邊緣延長至較長波長因此較低能量之入射光子即可被利用此

100

現象於圖 324 中特徵譜線紅位移現象中可證實Saif 與 Mottaleb 於

文獻中(110)亦說明鑭系正離子為電子清除劑(electron scavenger)之角

色進而影響主體之發光與光觸媒特性

200 250 300 350 400 450 500

x = 004

Ti1-xO2Eux(TBT)

F(R

)

Wavelength (nm)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

x = 0Red shift

圖 324 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) DRS 光譜

進一步計算此系列樣品之能隙大小評估添加Eu後對光觸媒之光

吸收特性之影響最常以Schuster-Kubelka-Munk 理論方程式並配合

漫反射光譜以估算材料之能隙值擴散式反射光譜儀所利用Schuster

-Kubelka-Munk 理論(112 113)多應用於鋪陳較厚之粉體其中假設無規

則之反射光束粉體顆粒任意散布顆粒尺度小於其測量之厚度適

用其公式如下

2(1 ) ( )( )2

R kF RR s( )

λαλ

infininfin

infin

minus= = = (35)

101

其中 k 為樣品之吸收係數s 為散射係數一般量測與標準品

相對之反射值 Rinfin 即 refR R Rinfin = 而非量測絕對值之反射值其

中本實驗之 refR 為硫酸鋇 (BaSO4) 之反射係數而若考慮s與波長λ

弱相關之因素則 ( ) F R k sα infin= = 於窄範圍內可正比於吸收以

1

[ ( ) ]F R h ηυtimes 對 hυ 作圖(KM圖)可用以得到材料之能隙值於 KM

圖中hυ 為入射光子之能量而指數η則是由因光子吸收情形造成材

料光吸收範圍之轉移形式決定(114)本研究中粉體特性利用 KM 圖

(指數η =2)可以得到一線性關係藉由此圖形以線性外插法可精確地

求得材料之能隙值計算此系列樣品 Eu 之摻雜量增加後其能隙大

小之趨勢為329326324322314312 eV呈現縮小之現象

Tanner等人(115)提出將稀土元素Er3+摻雜入α-Al2O3中其中Er3+之離子

半徑仍遠大於主體晶格中之Al3+難以取代其晶格位置研判於低濃度

摻雜時形成一新化合物ErAlO3且隨著摻雜濃度增加其能隙亦有

縮小之趨勢而Umebayashi等人(116)將V Cr Mn Fe Co等金屬元素摻

雜入TiO2 後一電子填滿態形成於價帶頂端與傳導帶底部之間且

隨著摻雜量增加此局部填滿態(localized occupied level)將向低能量

位移造成能隙縮小故可研判本實驗中經過 Eu 摻雜之樣品其

能隙調整為Eu3+ 3d所形成之軌域與O-2p 軌域所混成之頂端(價帶)

至Ti4+ 3d 軌域之底部(導帶)因此造成能隙縮小將此與Rengaraj等

人之研究結果吻合(117) 在此將Eu摻雜後之可見光激發過程示於圖

327中

102

25 30 35 40

[F(R

)hν

]12

hν (eV)

Ti1-xO2Eux(TBT)

x = 0 x = 0015 x = 002 x = 0025 x = 003 x = 004

圖 325 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) KM 能隙計算圖

000 001 002 003 004310312314316318320322324326328330

312314

322324326

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

329

圖 326 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 004) 能隙大小分布圖

103

圖 327 TiO2 Eu 可見光激發過程示意圖

3232 P25 系列粉體紫外-可見光擴散式反射光譜分析

而針對 P25 系列樣品同樣可藉紫外-可見光擴散式反射光譜圖

分析如圖 328 中亦發現隨著 Eu 之摻雜濃度增加樣品之反射光

譜線與前趨物 Degussa P25 相近且吸收邊緣亦具紅位移現象然而

相較於 TBT 系列其吸收譜線卻較為狹窄對於光觸媒之利用較為

不利且此系列粉體亦藉由 Schuster - Kubelka-Munk 理論計算其能隙

大小由於 Eu 摻雜造成能隙縮小之現象較不如 TBT 系列顯著推論

由於合成方法與前趨物不同所致其造成樣品形成結晶之結果不同

且 Eu 於 P25 系列粉體中與 O 軌域之混成程度不如 TBT 系列

104

250 300 350 400 450 500

00

02

04

06

08

10

12

x = 015F(R

)

Wavelength (nm)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

x = 0

Red shift

圖 328 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) DRS 光譜

25 30 35 40

[F

(R)

hν]1

2

hν(eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

圖 329 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015) KM 能隙計算圖

105

00 01 02300302304306308310312314316318320322

310312

317

313

Ene

rgy

band

gap

(eV

)

x value (Eu3+ content)

圖 330 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0 ~ 015)能隙大小分布圖

324 X 射線光電子能譜儀(XPS)

本研究藉由 X 射線光電子能譜儀探討粉體之能階性質其乃藉

由光電效應將某能階之電子激發而成為光電子藉由分析此些光電子

之能量進而得知束縛能獲得關於表面元素組成以及元素之化學環

境狀態由於本實驗以 Eu 摻雜入主體二氧化鈦中由 XRD 精算結

果顯示即使 Eu 摻雜量增加其晶格體積並無擴張趨勢基於 Eu3+與

Ti4+之離子半徑之差異初步判定Eu並未取代二氧化鈦晶格中Ti4+ 之

位置由於稀土原子與主體晶格鍵結成一化合物時其化合物之結合

能明顯會與純原子時不同其內核層電子之束縛能亦會有不同之變

化即一般之化學位移 (Chemical Shift)其所造成之能譜位移可用

以區分不同氧化態之元素

利用 XPS 分析 Ti1-xO2Eux3+ TBT 系列中 x = 03 之粉體由全光

譜結果表示奈米粉體表面主要含 TiOC 三種元素其中 C 元素

來自於污染雜質碳而 XPS 偵測深度約為 5 nm未於全光譜中偵測

106

到 Eu 之特徵峰(1134911652 eV)出現初步推測含 Eu 化合物可能

未於粉體表面而存在於晶格空隙(interstitial)中(86)如圖 331 所示為

TBT 系列 x = 0 與 x = 3 針對 Ti-2p 軌域所呈現之 XPS 圖譜其中

Ti-2p32與 Ti-2p12之束縛能約於 4583 與 464 eV間距為 57 eV兩

特徵峰之相對強度(積分面積)比約為 21皆為二氧化鈦晶格中 Ti4+

之貢獻與文獻中銳鈦礦相之特徵峰吻合(118)當 Eu 之摻雜(x = 3)顯

示可見 Ti-2p32 與 Ti-2p12 之束縛能位置具化學位移現象(4585 與

4642 eV)此化學位移現象可藉共價鍵理論(covalent bonding theory)

解釋顯示 Eu3+合併(incorporate)入 TiO2 中(於晶格表面或空隙)而形

成 Eu-O-Ti 鍵結由於 Eu 之存在造成 Ti 與 O 所共價之電子雲密度

減少而改變其束縛能因此束縛能增加(119)造成特徵峰向高能量偏

移如圖 332 為 O-1s 軌域之 XPS 圖譜經 Eu 之摻雜亦出現化學位

移之現象另亦有文獻指出(120)若二氧化鈦表面之本質缺陷(intrinsic

defect)增加由於缺陷結構會促使電子從陰離子(O)中傳遞至陽離子

(Ti)或摻雜離子(C)中造成 O 束縛能增加此與本實驗之位移現象吻

合至針對 P25 系列樣品同樣觀察 Ti-2p32Ti-2p12 與 O-1s 軌域之

XPS 圖譜(圖 333334)指出相較於 TBT 系列樣品無論為 Ti-2p

抑或 O-1s 軌域化學位移之現象皆較不明顯研判於表面 Eu-O-Ti

共價鍵之鍵結強度較弱因此電子轉移現象減小

107

456 458 460 462 464 466

圖 331 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 332 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

527 528 529 530 531

5298

Ti1-xO2Eux(TBT)O 1S

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0

5297

x = 003

4642

4585464

Ti1-xO2Eux(TBT)

Ti 2p12

Binding energy (eV)

Inte

nsity

(au

)

Ti 2p32

x = 0

4583

x = 003

108

458 460 462 464 466

圖 333 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ Ti 2p 軌域 XPS 圖譜

圖 334 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ O 1s 軌域 XPS 圖譜

4643

45854642

In

tens

ity (a

u)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25)

Ti 2p12

Ti 2p32

x = 0

4584

x = 01

527 528 529 530 531

5297

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

O 1S

Ti1-xO2Eux(P25)

x = 0

5296

x = 003

109

本研究亦建立兩系列樣品之價帶導帶與標準氫電極之相對位

置以利解釋雙層工作電極模型機制本研究針對低能量入射光子慢

速掃瞄粉體之 XPS 光譜由於 XPS 原理中運用光電效應概念偵

測光電子能量(Ek)為入射光子能量扣除內核層電子束縛能與功函數

即 k bE h Eυ ϕ= minus minus (如圖 335 說明 )由二氧化鈦之分子軌域

(Molecular orbital)圖樣可知其價帶位於 O-2p 軌域因此圖 336 中為

針對 TBT 系列樣品(x = 03)之價帶圖譜由態密度(density of state)圖

譜可知代表價帶(O-2p)之放射特徵譜線而費米能階(EF)於價帶圖譜

中視為 0 eV因此可透過類似計算能隙大小之外差法方式計算其價

帶相對於標準氫電極之大小(120)可之經由 Eu 之摻雜二氧化鈦之

價帶位置由 32 eV 降低至 21 eV由圖中亦可得 Eu 摻雜樣品降低粉

體之價帶位置並結合紫外‐可見光擴散式反射光譜分析後所得粉體

之能隙大小可建立如圖 338 所示兩系列樣品之能隙位階圖

圖 335 XPS 量測樣品價帶之原理說明圖

110

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

21

Ti1-xO2Eux(TBT)

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

x = 0 x = 003

32

圖 336 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

20

Inte

nsity

(au

)

Binding energy (eV)

Ti1-xO2Eux(P25) x = 0 x = 01

25

圖 337 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+

價帶 XPS 圖譜

111

圖 338 兩系列樣品未摻雜與摻雜 Eu3+粉體能隙位階圖

112

325 X-光吸收光譜(XAS)

本研究所製備之工作電極粉體係屬奈米材料因奈米材料相較塊

材之結晶性較差由X光粉末繞射圖譜中(powder X-ray diffraction)將

無法獲得進一步之結構資訊X吸收光譜可提供局部之結構資訊(local

structure)適合作為奈米材料結構研究之方法此外更可提供繞射法

所無法獲得之氧化態訊息故本研究乃藉由國家同步輻射研究中心

BL20A光束線以進行吸收光譜量測藉比對X光吸收近邊緣結構

(X-ray absorption near edge structure XANES)以得知特定原子氧化價

數與 d-軌域之電子填滿率並可分辨吸收原子所處之晶位對稱性

由於同步20A光束線而言待測樣品可以為晶型或非晶型固體甚至

為液體或氣體因此應用範圍十分廣泛尤其各元素之吸收邊緣能量

少有重疊可調整入射能量至各個元素之吸收區進行掃描以分別偵

測非常適於量測含有多種元素之樣品系統

由圖 339 與圖 341 中兩系列樣品之 O-k edge 吸收光譜指出此二

氧化鈦之 O-K edge 之特徵譜線與文獻中吻合(121)觀察兩系列中於吸

收邊緣之特徵譜線經由 Eu 之摻雜並無明顯位移現象顯示粉體中

O 之價數並明顯變化判斷為低濃度摻雜之故然而放大 528 eV 附

近之特徵峰觀察後發現(圖 340 與圖 342)隨著 Eu 之摻雜量增加

此吸收峰強度亦隨之增強由分子軌域之概念顯示由於 Eu 之摻

雜造成 O 之電子雲轉移散布至 Eu 軌域因此造成 O 電子組態中出

現更多空軌域亦即增加粉體之氧空缺由於 TiO2 摻雜次共價鍵陽

離子(subcovalent cation)造成之氧空缺會形成攔截態(trap state)或雜質

態(impurity state)(122 123)可能形成放光中心影響粉體之螢光性質亦

可能造成電子傳遞時之阻礙

113

531 540 549

0

1

2

3

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux(TBT)O K-edge XAS

圖 339 TBT 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

114

5272 5280 5288

Photon Energy (eV)

x= 0 00075 0015 002 0025 003 004 005

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 340 TBT系列Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS光譜局部放大圖

525 530 535 540 545 550

0

1

2

3

Photon Energy (eV)

Inte

nsity

(abs

uni

ts)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux(P25)O K-edge XAS

圖 341 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~005) XAS 光譜

115

5272 5280 5288

Photon Energy (ev)

x = 0 x = 005 x = 01 x = 015

Ti1-xO2Eux

O K-edge XAS

圖 342 P25 系列 Ti1-xO2Eux3+ (x = 0~015) XAS 光譜局部放大圖

116

33 Ti1-xO2Eux3+粉體於染料敏化太陽能電池之應用研究

上述各節已討論 Ti1-xO2Eux3+ 粉體之晶體結構形貌光學電

子組態各種特性本研究藉由此經修飾之二氧化鈦粉體應用於染料敏

化太陽能電池之工作電極材料並藉由其特殊發光特性與結構設計

以提高太陽能電池之效率

331 單層工作電極電池效率量測

未經修飾之二氧化鈦(TiO2)由於其能隙約為32 eV亦即所能

利用之光波範圍僅限於紫外光區域此情況下 TiO2 於一般日照射能

產生電子-電洞對之效率差所展現之光催化活性低應用價值不高

故為提升對太陽光之吸收效率進而提升 TiO2整體光催化效率為當

前一重要課題一般提高效率之方法分為修飾 TiO2表面或晶體結構

以增加其對光波之吸收率與抑制電子-電洞對之再結合TiO2之晶體

中摻入適量之過渡金屬造成結構上之缺陷或結晶性質之改變益於光

催化效應探究其原因可能有二(1) 形成捕捉電子或電洞之缺陷

益於電子-電洞對之分離(2) 摻雜其他元素與 TiO2 共結晶增益對

光波之吸收特性以及能隙之改變進而提升光催化效果

第一個部分由於本研究透過 Eu3+摻雜入二氧化鈦中於光激發

光譜分析可得知兩系列摻雜 Eu 粉體於藍紫光(394464 nm)激發造成

於 612 nm 處之放光配合染料 black dye 於紅光附近之吸收可提高

染料之額外吸光量進而提高光激發電子之數量以提高能量使用之效

率圖 343 中為 TBT 系列分別取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體與摻

雜 Eu 後發光強度最高 (x = 003)之粉體工作電極材料(分別以 0-TBT

與 Eu003-TBT 表示)組裝電池後量測之光電特性為討論分析其再

現性本研究以相同條件多次組裝電池量測求證結果由表 34 中光

電特性參數得知兩種樣品所得 FF 因子皆達理想電池之表現

117

Eu003-TBT 電池平均效率為 178 而 0-TBT 獲得平均為 234

之較高效率其中短路電流密度(Jsc)從 436 下降至 320 mAcm2為主

要原因以同樣想法將 P25 系列粉體取未摻雜 Eu (x = 0) 之粉體

以及摻雜 Eu 後發光強度最高 (x = 01)之粉體工作電極材料(分別以

0-P25 及 Eu01-P25 表示)組裝電池後量測之光電特性於圖 344 中

顯示由表 35 光電特性參數亦可知 0-P25 平均效率為 189 而

Eu01-P25 為 124 其中短路電流密度從 373 下降至 221 mAcm2

與 TBT 比較同一結構P25 系列之電池效率明顯較小推測仍為

粒徑較大由 BET 之計算可知供染料吸附之比表面積較少因此造

成效率較低針對電池中之工作電極Eu 摻雜後之材料反而效率降

低在此提出可能之機制如圖 345 所示於電子傳遞過程中理

想狀況為光電子迅速由染料之 LUMO 傳遞至二氧化鈦導帶再經由

FTO 導致外電路使用然而由於 Eu 摻雜後之工作電極Eu 所形成之

氧空缺捕捉光電子此時氧空缺類似 trap state因此造成光電子量下

降再者由於被染料激發之光電子到達工作電極時亦可能部分

用以形成 Eu 放紅光之復合電子來源因此亦為光電子量下降之因

可由表 34 與表 35 中經 Eu 摻雜後之工作電極電池光電流之現象得

118

00 02 04 06 08 10 120

1

2

3

4

5

6(TBT)Ti1-xO2Eux

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage (V)

x = 0 231 224 237 233

x=003 176 185 168 182

圖 343 TBT 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 34 TBT 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT 16 074 436 069 234(8)

Eu003-TBT 14 077 320 058 178(2)

119

00 02 04 06 08 100

1

2

3

4

5C

urre

nt d

ensi

ty (m

Ac

m2 )

Voltage (V)

x = 0

189 191 182 193

x = 01 123 125 119 127

Ti1-xO2Eux (P25)

圖 344 P25 系列工作電極電池之電流-電壓圖

表 35 P25 系列工作電極電池之光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P25 14 071 373 067 189(2)

Eu01-P25 15 079 221 054 124(3)

120

圖 345 單層電池結構效率降低之機制說明圖

332 雙層工作電極結構

對於提高染料敏化太陽能效率由效率 sc oc inJ V FF Pη = times times 可

知致力於提高其開路電壓 (Voc) 亦為提高效率其中之一方法以

此觀念為基礎之研究例如 Durr 等人(124)於 2006 年利用於原 TiO2上塗

佈 Ti1-xZrxO2與 ZrO2之混合物由於 ZrO2之能隙約為 5 eV相對於

TiO2之 32 eV形成一道位階屏障阻擋傳導至 TiO2傳導帶之光電

子與染料之 HOMO(Highest occupied molecular orbital)或電解質中 I3minus

再復合之機會進而提高光電子傳導致外電路之數量本研究鑑於先

前對於 Eu 摻雜入 TiO2後提高其價帶位階並增加其能隙大小之結

果設計雙層結構以降低光電子再復合之機率因此下一部分實驗

121

因此本研究將利用Eu摻雜對於 TiO2 之粉體與未摻雜 TiO2相異之光

電特性設計出雙層結構工作電極藉以探討對於太陽能電池效率之

影響

3321 雙層工作電極結構電池製作說明

首先說明此雙層結構工作電極之太陽能電池之設計先於十片清

洗完之 FTO 上透過網印塗佈一層未摻雜 Eu 之二氧化鈦電極(約 6~7

μm)經過層溫燒結後再分成兩組各五片其中一組繼續塗佈一層

相近厚度未摻雜 Eu (x = 0)之二氧化鈦電極而另一組則塗佈一層摻

雜 Eu 後發光強度最高(TBT 系列x = 003)之電極再進行層溫燒結

並與第一部分單層結構相同利用四氯化鈦處理後再進行 500oC 燒結

即完成分別以 0-TBT0-TBT 與 Eu003-TBT0-TBT 表示而 P25 系

列樣品亦以相同步驟製得分別以 0-P250-P25 及 Eu01-P250-P25 電

池雙層結構設計圖如圖 346 所示

圖 346 雙層結構工作電極之電池塗佈示意圖

122

3322 電池效率量測

為探討其組裝之再現性與穩定性本研究亦以相同條件多次組裝

電求證結果圖 347 為 TBT 系列雙層結構電池之電流-電壓圖由表

中可得知0-TBT0-TBT與Eu003-TBT0-TBT平均效率分別為260

與 343 短路電流密度 (Jsc)為 565 mAcm2與 702 mAcm2開路

電壓為 066 V 與 071 V顯見第二層為 Eu 摻雜之二氧化鈦電極效

率短路電流開路電壓皆增加而 P25 系列第二層若為 Eu 摻雜後

之電極由表 36 中可觀察出效率短路電流開路電壓皆增加但

與 TBT 比較同一結構電池效率明顯較小推測仍為粒徑較大

造成染料吸附量較少 圖 349 為 Eu003-TBT0-TBT 雙層結構電極

材料與染料間能隙之相對位置本研究亦藉此解釋效率提高之原因

由短路電流增加之現象可知光電子被利用之數量增加即光電子從

染料之 LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)快速傳導至第二層

Eu003-TBT 再至第一層 0-TBT由於電子於此傳遞過程中之速率與

兩因素相關(1) 染料用以吸附於二氧化鈦之結構種類強度(2) 染

料 LUMO 與二氧化鈦工作電極之傳導帶(conduction band)之相對位

置而透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動

力(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導

帶位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑

或與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機

率增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值Kim 等人於

2008 年之研究中(125)利用二氧化鈦摻雜鉻(Cr)之材料改變原二氧

化鈦之半導體屬性作為屏蔽電極層亦可減少電子再復合機率而提

高效率

而對於開路電壓增加之現象須先瞭解染料敏化太陽能電池運作

123

時之能階變化階原理由Kubo (55)所建立如圖350(a)所示為一DSSC

於未照光之能階圖亦即TiO2染料電解介質面之間不存在電位差

故其費米能階 (Fermai level EF)可視為自由電子所混成之平衡狀態

當DSSC照光後如圖350(b)所示染料吸收光波產生激發之光電子

與電洞之分離同時造成電位差此電位差即為TiO2之CB與染料之

LUMO (lowest unoccupied molecular orbital)混成能階(Efn)相對染料

之HOMO (Highest occupied molecular orbital)與電解質氧化還原電位

(I-I3-之ERedox)之混成能階(Efn)之電位差(ΔV)而此電位差之最大直即

為光電壓之最大值亦即開路電壓本研究中由於雙層結構第二層

Eu003-TBT傳導帶上移造成與染料之LUMO混成能階上移因此與

染料之HOMO與電解質氧化還原電位(Iminus I3minus之ERedox)之混成能階差異

變大增大電位差因此提高開路電壓值

124

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 100

1

2

3

4

5

6

7

8

9C

urre

nt d

ensi

ty(m

Ac

m2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT 273 258 250 260

Eu003-TBT0-TBT 342 340 339 352

圖 347 TBT 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 36 TBT 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-TBT0-TBT 15 066 565 070 260(8)

Eu003-TBT0-TBT 16 071 702 068 343(2)

125

00 01 02 03 04 05 06 07 08 090

1

2

3

4

5

6

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-P250-P25 195 201 191 189

Eu01-P250-P25 237 214 242 254

圖 348 P25 系列雙層結構電池電流-電壓圖

表 37 P25 系列雙層結構電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC

(V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

()

0-P250-P25 15 066 420 069 194(5)

Eu01-P250-P25 14 070 473 070 237(2)

126

圖 349 雙層工作電極結構電池效率改善之機制說明圖

圖 350 DSSC 電子能階示意圖(a)未照光 (b)光照之下之能階變化(55)

127

3322 雙層工作電極結構電池入射單色光子-電子轉化效率(IPCE)量

為驗證雙層工作電極結構之電池中效率提高原因之論點本實驗

針對電池進行單色光子-電子轉化效率(IPCE)量測透過自動單光濾

鏡控制光源照射電池之波長藉以觀察電池於不同波長之入射光照射

下其外部量子效率展現由圖 351a 及 351b 分別顯示 TBT 與 P25

系列電池所呈現之 IPCE 圖譜譜線趨勢與參考文獻(75)相近其中

Eu003-TBT0-TBT 電池於可見光區之外部量子效率明顯大於

0-TBT0-TBT 所呈現P25 系列亦有相同趨勢結果於橘紅光附近

(610-620 nm) 提升較明顯是否為第二層結構 TiO2 Eu 於 612 nm 部

分放光為 Black dye 所吸收而增加光利用之故仍未確定故本研究

透過工作電極之放射光譜印證乃將製作完成之 Eu003-TBT0-TBT

電池工作電極一部分未浸泡另一部分浸泡染料 black dye 溶液 24 小

時並以無水乙腈沖洗後待至乾燥進行光激發光譜分析(PL)由圖

352 之結果可知未浸泡之工作電極(plain)經過染料浸泡後(black dye)

於 612 nm 之激發光譜幾乎吻合但是放射光強度略為減弱因此可

知第二層工作電極放射之紅光部分中少量為染料所吸收然而由於太

陽光中紫外光部分只佔 5 因此 394 nm 之激發光轉換成紅光比例

相對極為少量因此藉此增加電池效率效果有限因此雙層結構電池

中第二層為 Eu 摻雜之樣品效率提高之因主要仍為 3222 節中所解

釋由於階梯狀能階設計減少電子再復合機率以增加光電子之可使

用量此論點將於下節電化學交流阻抗分析中再次討論

128

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-TBT0-TBT

Eu003-TBT0-TBT

圖 351a TBT 系列雙層結構電池 IPCE 圖

400 500 600 700 800 900 10000

5

10

15

20

25

30

35

Wavelength (nm)

IPC

E (

)

0-P250-P25

Eu01-p250-p25

圖 351b P25 系列雙層結構電池 IPCE 圖

129

350 400 450 500 550 600 650 700

In

tens

ity (a

u)

Wavelength(nm)

Eu003-TBT0-TBT Plain black dye46

4

394

612

PLE - λem= 612 nm

PL - λex= 394 nm

圖 352 Eu003-TBT0-TBT 電池吸附與未吸附染料工作

電極之激發與放射光譜

3323 雙層工作電極結構電池電化學阻抗(EIS)量測

進一步驗證 3321 中雙層工作電極電池不同結構中效率相異之

原因本研究將一系列電池進行電化學阻抗測試測試結果如圖 353

所示經 Z-view 軟體 fitting 之後並參考 Adachi 等人(79)所發展之模

式獲得如表 38 所列參數藉各參數間之比較可瞭解電池於照光

工作時激發光電子於電池中傳遞之情形

由圖 353 阻抗圖譜中Yoshida 等人(77)界定位於中頻區之圖譜意

義為光電子於二氧化鈦層中之傳輸阻抗以及電子於二氧化鈦與電解

質液介面(TiO2Electrolyte)之間之傳輸阻抗因此本研究發現 TBT 系

列中0-TBT0-TBT 中頻區之半圓半徑明顯大於 Eu003-TBT0-TBT

之結果可得知透過雙層結構之設計(圖 349)第二層為 Eu003-TBT

130

之電池其相對能階形成階梯型驅動力之增加明顯降低工作電極

層與層間之傳輸電阻再者亦可證明第二層形成一傳遞屏障降低

傳遞電子與電解液中 I3-再復合之還原作用而 0-P250-P25 以及

Eu01-P250-P25 之間亦具此現象圖 353 中亦可比較 TBT 與 P25 兩

系列明顯其工作電極內電阻之因素亦反應於電池效率結果上

將圖 353 所得電交流阻抗結果透過 Z-view 軟體 fitting 後得到表

38 所列參數先觀察 TBT 系列兩電池可知第二層為 Eu003-TBT

之電池其 keff (電子再結合速率常數)由 315 下降至 247 s-1因此電

子生命週期提升可知驅動力之增加提升電子傳導之動力學參數

(126)加速電子傳遞以減少電子於電極中之停留機率此點可由 Rw (電

子於 TiO2中之傳導電阻)之降低得證再者由 Rk (電子再結合之電

荷傳導電阻)亦為暗反應電阻此值對於電池效率越大越佳

Eu003-TBT0-TBT 電池較 0-TBT0-TBT 由 1603 增加至 1934顯示

第二層為 Eu003-TBT 之電池由於能階結構之設計降低其電子再

復和之機率此論點與交流阻抗圖譜之結果吻合

由於本雙層結構電池之研究皆控制塗佈步驟中之參數以確立

各電池之膜厚皆相近始可討論 Deff (有效電子擴散係數)與 Ln(電子擴

散長度)對於電子傳遞機制之優劣影響(參考式 214215)相較於

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 電池之 Deff有效從 257 x 10-4提

升至 336 x 10-4 cm2s佐證 Eu003-TBT0-TBT 電池具效延長電子壽

命之現象由表 38 中結果得知各雙層結構電池精算後之 Ln長度皆

大於工作電極膜厚確立各系列電池之傳導電子有效為 FTO 導電

玻璃收集而傳遞至外電路使用而 Eu003-TBT0-TBT 之 Ln 值較

0-TBT0-TBT 所得之 Ln值大 以上結果皆顯示第二層為 Eu003-TBT

之電池可有效減少電子因粉體之氧空缺被捕捉而停滯之機率增加

131

之驅動力促使電子可於工作電極中有效而快速地傳遞進而提高光電

轉換效率而關於 P25 系列之討論顯示 0-P250-P25 與

Eu01-P250-P25 之各參數比較與效率結果皆吻合現象解釋與 TBT

系列相同

關於TBT系列與 P25系列之Deff之比較顯示TBT系列之Deff 普

遍皆大於 P25 系列亦具相關文獻(127)指出由於晶相之含量差異亦

會影響此值由於 Anatase 晶相與 Rutile 晶相均為正立方晶系

(Tetragonal system)結構其晶相皆是以 TiO6之八面體存在不同處

為於 Anatase 晶相中其不論 abc 軸方向其八面體間之鍵結均

是以 edge-sharing 之方式存在而於 Rutile 晶相中則為於 ab 軸以

corner-sharing 之方式存在於 c 軸方向以 edge-sharing 之方式鍵結

此結構之差異造成 Anatase 傳導電子之能力較佳此結果於已有之光

觸媒研究已確立因此相較於 P25 系列TBT 系列擁有較純之 Anatase

晶相因此 Deff較大而光電轉換效率亦較高

132

20 30 40 50 60 70 800

5

10

15

20

25

30

Z

(ohm

)

Z (ohm)

0-TBT0-TBT Eu003-TBT0-TBT 0-P250-P25 Eu01-P250-P25

圖 353 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗圖譜

表 38 兩系列工作電極材料之雙層電極結構電池交流阻抗參數分析

Structure

L

(μm)

keff

(s-1)

τ

(s)

Rk

(Ω)

Rw

(Ω)

Deff

(cm2s)

Ln

(μm)

0-TBT0-TBT 16 315 0032 1603 4987 257 E-04

287

Eu003-TbT0-TBT 15 247 0040 1934 3236 336 E-04 367

0-P250-P25 15 451 0022 1123 7011 164E-04 190

Eu01-P250-P25 14 356 0028 1465 5445 188 E-04 229

133

333 CdSe 敏化雙層工作電極結構電池光電特性分析

由於二氧化鈦其能隙較大(約 32 eV)之故因此可見光中可激發

其電子之波段較窄必須透過窄能隙材料之吸附以增加其對於可見光

之利用除染料以外近年來所發展之量子點材料亦為一具潛力之

敏化物

本研究欲驗證量子點取代Black dye之角色後效率趨勢是否相

同因此取染料敏化實驗中效率較高之TBT系列作為雙層電極結構材

料並以硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物本實驗所合成之硒化鎘測

量其吸收光譜(UV-Vis)可知第一個吸收峰值之對應波長約於554

nm藉由Peng等人(128)所發展之方程式估算出粒子大小(D)可計算粒

徑約為305 nm

D = (16122times10-9)λ4- (26575times10-6)λ3 +(16242times10-3)λ2 - (04277)λ

+ (4157) (38)

其中 λ 為第一個吸收峰值之對應波長

圖 354 為 TBT 系列雙層結構量子點電池之電流-電壓圖由表

39 中0-TBT0-TBT(Plain)與 Eu003-TBT0-TBT(Plain)代表未吸附

CdSe 之電池效率極低分別為 00040 與 00060 而經過 CdSe

之摻雜後[0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)]平均效

率分別提升為為 0047 與 0083 光電流值亦明顯提升顯示量

子點之吸附增加電池對於入射光能量之利用若比較

0-TBT0-TBT(CdSe)與 Eu003-TBT0-TBT(CdSe)兩組數據其 FF 值

比染料敏化電池值較為低此為現階段量子點電池之通病亦為效率

一直無法提升之因而第二層為 Eu 摻雜之工作電極效率短路電

流與開路電壓值皆提升此與染料敏化電池系列之趨勢相同表示而

透過本實驗結構設計之此階梯式位階排列造成電子藉由驅動力

134

(driving force)快速傳遞至下一位階之現象並且由於前一層之傳導帶

位階較高之故形成類似一道屏障光電子不易跳回原傳導帶抑或

與電解液之 I3- 離子進行還原某一程度上減小電子再復和之機率

增加外電路可使用之光電子數因而增加光電流值

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 1000

01

02

03

04

Cur

rent

den

sity

(mA

cm

2 )

Voltage(V)

0-TBT0-TBT(CdSe) 0045 0046 0049 0049

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 0083 0085 0081 0082

0-TBT0-TBT(Plain) 00040 00043

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 00062 00063

圖 354 雙層電極結構量子點電池電流-電壓圖

表 39 雙層電極結構量子點電池光電參數

Structure

Film thickness(ave)

(μm)

VOC (V)

JSC

(mAcm2)

FF

η

() 0-TBT0-TBT(Plain) 14 043 002 009 00040(2)

Eu003-TBT0-TBT(Plain) 16 044 003 012 00060(3)0-TBT0-TBT(CdSe) 15 054 025 034 0047(2)

Eu003-TBT0-TBT(CdSe) 16 058 033 037 0083(1)

135

第四章 結論

本研究成功利用不同前趨物以溶膠凝膠法與水熱法之合成方法

製備出兩系列 TiO2Eu3+工作電極材料( TBT 與 P25)以 XRD 等量測

進行材料結構鑑定分析並探討 Eu 摻雜後對於 TiO2之發光特性與電

子組態之影響爾後將材料應用於敏化太陽能電池之工作電極研究

修飾後之 TiO2電極對於電池效率之影響其重要結果如下

(a)本研究以溶膠凝膠法及水熱法藉由 Eu 摻雜成功合成出純銳鈦礦

(Anatase)之二氧化鈦並且由於 Eu-Ti-O 鍵結形成不僅延緩金紅

石(Rutile)晶相生成有較好之光電特性亦限制晶體之成長由於

粒徑越小增加其比表面積因此有效提升太陽能電池染料之吸附

量增加電池之效率表現

(b)以光激發光譜分析樣品得知隨著活化劑 Eu 摻雜量之增加主體

晶格 TiO2 之發光強度隨之增加於高濃度出現濃度淬滅現象而

拉曼光譜亦證實藉由 Eu 摻雜成功延遲煆燒過程中金紅石(Rutile)晶

相生成且增加粉體表面之氧空缺

(c)本研究以紫外-可見光擴散式反射光譜測量 TiO2Eu3+之吸收特性

經由 Eu 摻雜後出現之紅位移現象顯示 TiO2 於摻雜稀土金屬離

子產生能階混成造成能隙縮小增加對於可見光範圍之吸收並以

X 射線光電子能譜儀分析獲知摻雜離子 Eu3+於晶體中位置並以價

帶光譜之量測成功建立樣品之價帶傳導帶能階位置而 X-光吸

收光譜之近邊緣光譜分析得知Eu 摻雜後鍵結中電子轉移造成表

面氧空缺增加

(d)將合成之材料應用於染料敏化太陽能電池之工作電極本研究原

構想欲透過發紅光之 TiO2Eu3+以增加染料 Black dye 於紅光波段

136

之利用然而由光電特性卻發現由於摻雜後氧空缺所造成之雜質

態捕捉光電子由光電流降低之現象證實光電子量減少

(e)為提高染料敏化電池效率本研究利用雙層結構工作電極之設計而

形成階梯式位階排列不僅增加傳遞驅動力亦由於電極屏障生成

以減少電子再復合之機率而短路電流之增加證實此點並透過與

染料能階之混成提高開路電壓值因此整體結果提高電池之效

率而將染料製換為硒化鎘(CdSe)量子點作為敏化物第二層為

Eu 摻雜材料之電池效率亦明顯提升進一步證實此研究構想之

正確性

總而言之本研究合成兩系列 TiO2Eu3+樣品並探討其之晶體

結構特性發光性質以及建立摻雜離子 Eu3+對於其電子組態之影

響且透過雙層結構設計成功提高敏化太陽能電池之效率

137

參考文獻

1 許志偉 陳宏仁 林怡君 and 王立義 有機無機太陽能電池之

現況發展 化工 第52卷 第2期 49-58 民94

2 AJ McEvoy and M Gritzel Sol Energ Mat Sol C 1994 32 3

221

3 A Hagfeldt B Didriksson T Palmquist H Lindstroumlm S Soumldergren

H Rensmo and SE Lindquist Sol Energ Mat Sol C 1994 31

481

4 B OrsquoRegan and M Graumltzel Nature 1991 353 737

5 M Graumltzel Nature 2001 414 338

6 黃建昇 結晶矽太陽電池發展近況 工業材料雜誌 第203期 150

民92

7 httpcdnetstpiorgtwtechroommarketenergyenergy022htm 國

家實驗研究院科技政策研究與資訊中心(Science amp Technology

Policy Research and Information CenterSTPI)

8 M Graumltzel Phil Trans R Soc A 2007 365 993

9 X Chen and SS Mao Chem Rev 2007 107 2891

10 D Cahen G Hodes M Graumltzel JF Guillemoles and I Riess J

Phys Chem B 2000 104 2053

11 D Matthews P Infelta and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C

1996 44 119

12 M Graumltzel J Photochem Photobio A 2004 164 3

13 TN Rao and LJ Bahadur J Electrochem Soc 1997 144 179

14 AB Kashyout M Soliman and M Fathy Mater Chem Phys

2005 90 230

15 P Guo and MA Aegerter Thin Solid Films 1999 351 290

138

16 K Sayama H Sugihara and H Arakawa Chem Mater 1998 10

3825

17 BV Bergeron A Marton G Oskam and GJ Meyer J Phys Chem

B 2005 109 793

18 S Chappel and A Zaban Sol Energ Mat Sol C 2002 71 141

19 K Hara T Horiguchi T Kinoshita K Sayama H Sugihara and H

Arakawa Sol Energ Mat Sol C 2000 115 64

20 B Tan E Toman Y Li and YY Wu J Am Chem Soc 2007 129

463

21 CJ Barbeacute F Arendse P Comte M Jirousek F Lenzmann V

Shklover and M Graumltzel J Am Ceram Soc 1997 80 3157

22 K Kalyanasundaram and M Graumltzel Coord Chem rev 1998 177

347

23 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B

2000 104 989

24 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio RH Baker E Muumlller P

Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem Soc 1993

115 6382

25 G P Smestad and M Graumltzel J Chem Educ 1998 75 752

26 劉茂煌奈米光電池工業材料雜誌 2003203 期 民93

27 MK Nazeeruddin SM Zakeeruddi RH Baker M Jirouse P Lisk

N Vlachopoulos V Shklover CH Fischer and M GraumltzelInog

Chem 1999386298

28 KS Finnie JR Bartlett and JL Woolfrey Langmuir 1998 14

2744

29 C Bauer G Boschloo E Mukhtar and A HagfeldtJ PhysCem B

2002 106 12693

139

30 CG Garcia NYM Iha R Argazzi and CA Bignozzi Inorg Chem

1994 33 5741

31 MK Nazeeruddin M Amirnasr P Comte JR Mackay AJ

McQuillan R Houriet and M Gratzel Langmuir 2000 16 8525

32 MK Nazeeruddin P Peacutechy T Renouard SM Zakeeruddin R H

Baker P Comte P Liska L Cevey E Costa V Shklover L

Spiccia GB Deacon CA Bignozzi and M Graumltzel J Am Chem

Soc 2001 123 1613

33 J Hagaen W Schaffrath P Otschik R Fink A Bacher HW

Schmidt and D Haarer Synthetic Met 1997 89 215

34 N Papageorgiou WF Maier and M Graumltzel J Electrochem Soc

1997 144 876

35 A Kay and M Graumltzel Sol Energ Mat Sol C 1996 44 99

36 S Chen SK Deb and H Witzke US Patent 1978 4080488

March 21

37 M Graumltzel and K Kalyanasundaram Curr SCi 1994 66 706

38 MK Nazeeruddin A Kay I Rodicio R Humphry-Baker E

Muumlller P Liska N Vlachopoulos and M Graumltzel J Am Chem

Soc 1993 115 6382

39 M Graumltzel AIP Conf Proc 1997 404 119

40 M Graumltzel J Photo Photobio A Chem 2004 164 3

41 L Han Y Chiba and A Islam 16th International Conference of

Photochemical Conversion and Solar Sstorage Uppsala Sweden

2006

42 Y Chiba A Islam and Y Watanabe J Appl Phys 2006 45 638

43 MK Nazeeruddin FD Angelis and S Fantacci J Am Chem Soc

2005 127 16835

140

44 JM Kroon NJ Bakker HJP Smit P Liska KR Thampi P

Wang SM Zakeeruddin M Gratzel A Hinsch S Hore U Wurfel

R Sastrawan JR Durrant E Palomares H Pettersson T

Gruszecki J Walter K Skupien and GE Tulloch Prog Photovolt

Res Appl

45 H Arakawa T Yamaguchi and A Takeuchi 16th International

Conference of Photochemical Conversion and Solar Storage

Uppsala Sweden 2006 W42P210

46 M Spath JV Roosmalen and P Sommeling 3rd WCPEC Osaka

Japan 2003

47 H Tsubomura M Matsumura Y Nomura and T Amamiya Nature

1976 261 402

48 PM Sommeling 2nd WCPEC Vienna 1998

49 CJ Barbe J Am Cera Soc 1997 80 3157

50 K Tennakone J Phys D Appl Phys 1998 31 1492

51 MK Nazeeruddin P Pĕchy and M Graumltzel Chem Comm 1997 36

1705

52 K Hara Chem Comm 2001 68 569

53 角野 裕康 村井 伸次 御子柴 智 東芝レビュー 2001 56 7

54 A Hagfeldt Nano Letters 2001 1 97

55 W Kubo Chem Comm 2002 39 374

56 原 浩二郎 AIST Today 2002 12 14

57 L Vlachopouios J Am Chem Soc 1988 110 1216

58 V Vamathevan H Tse R Amala G Lowb and S McEvoy

Catalysis Today 2002 68 201

59 MI Litter and JA Navio J Photo Photobio A Chem 1996 98

171

141

60 J Yu H Yu CH Ao SC Lee JC Yu and W Ho Thin Solid

Films 1999 496 273

61 W Li Y Wang H Lin SI Shah CP Huang DJ Doren SA

Rykov JG Chen and MA Barteau Appl Phys Lett 2003 83 20

62 R Asahi T Morikawa T Ohwaki K Aoki and Y Taga Science

2001 293 269

63 C Jia E Xie A Peng R Jiang F Ye H Lin and T Xu Thin Solid

Films 2006 496 555

64 M Saif and MSA Abdel-Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360

2863

65 湯友聖 台灣師範大學碩士論文 臺北 民 97

66 RC Ropp Luminescence and the Solid State Elservier Amsterdam

2004

67 H Dieke and RA Satten Am J Phys 1970 38 399

68 httpcaiwiteducnmseliuyu2006pptliuX-rayppt

69 AR West Basic Solid State Chemistry John Wiley amp Sons

Singapore 1991

70 吳泰伯 and 許樹恩 X-光繞射原理與材料結構分析 國科會精儀

中心 台北 民 82

71 httpwwwndhuedutw~nanolabtext93_Ma_II_v2pdf

72 林群哲 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 96

73 賴泓均 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 95

74 S Ito TN Murakami P Comte P Liska C Graumltzel MK

Nazeeruddin and M Graumltzel Thin Solid Films 2008 516 4613

75 H Kusama M Kurashige K Sayama M Yanagida and Hideki

Sugihara J Photochem Photobio A 2007 189 100

76 蕭光宏 台灣大學化學所碩士論文 臺北 民 97

142

77 Y Yoshida S Tokashiki K Kubota R Shiratuchi Y Yamaguchi

M Kono and S Hayase Sol Energ Mat Sol C 2008 92 646

78 JJ Wu GR Chen HH Yang CH Ku and JY Lai Appl Phys

Lett 2007 90 213109

79 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

80 J Lin and JC Yu J Photochem Photobiol A Chem 1998 116 63

81 T Lindgren JM Mwabora E Avendano J Jonsson A Hoel CG

Granqvist and SE Lindquist J Phys Chem B 2003 107 5709

82 H Tang H Berger PE Schimid F Levy and G Burri Solid State

Commun 1993 87 847

83 G Oskam A Nellore RL Penn and PC Searson J Phys Chem B

2003 107 1734

84 MA Anderson MJ Gieselmann Q Xu J Membr Sci 1988 39

243

85 P Ganguly N Shah M Phadke V Ramaswamy IS Mulla Phys

Rev B 1993 47 991

86 JH Li WL Kang WH Yan YH Guo HF Gao and ZH Liu

Acta Phys Chim Sin 2008 24 1030

87 NG Park JVD Lagemaat and AJ Frank J Phys Chem B 2000

104 8989

88 RA Spurr and H Myers Anal Chem 1957 29 760

89 S Yin H Yamaki M Komatsu Q Zhang J Wang Q Tang F Saito

and T Sato J Mater Chem 2003 13 2996

90 E Setiawati and K Kawano J Alloy Compd 2008 451 293

91 B Zou L Xiao T Li J Zhao Z Lai and S Gu Appl Phys Lett

1991 59 1826

143

92 J Yang ZW Quan DY Kong XM Liu and J Lin Cryst Growth

Des 2007 7 730

93 T Hirai and Y Kondo J Phys Chem C 2007 111 168

94 S Yan J Zhang X Zhang S Lu X Ren Z Nie and X Wang J

Phys Chem C 2007 111 13256

95 G Blasse and BC Grabmaier Luminescence Materials Chap 9

186

96 T Miyakawa and D L Dexter Phys Rev B 1970 1 2961

97 KL Frindell MH Bartl MR Robinson GC Bazan A Popitsch

and GD Stucky J Solid State Chem 2003 172 81

98 DL Dexter JH Schulman J Chem Phys 1954 22 1063

99 T Blasse G Philips Res Rep 1969 24 131

100 L Ozawa and PM Jaffe J Electrochem Soc 1971 118 1678

101 QZ Wang J Tian XH Yang and X Gao J Chin Lumin 1995

16 57

102 YH Zhang CK Chan J Porter and W Guo J Mater Res 1998

13 2602

103 BD Yao YF Chan XY Zhang WF Zhang ZY Yang and N

Wang Appl Phys Lett 1998 82 281

104 D Bersani PP Lottic and XZ Ding Appl Phys Lett 1998 72 1

105 YL Li and T Ishigaki J Phys Chem B 2004 108 15536

106 JC Parker RW Siegel J Mater Res1990 5 1246

107 HC Choi YM Jung and SB Kim Vib Spectrosc 2005 37 33

108 JG Li X Wang K Watanabe and T Ishigaki J Phys Chem B

2006 110 1121

109 T Sreethawong Y Suzuki S Yoshikawa Int J Hydrogen Energ

2005 30 1053

144

110 M Saif and A Mottaleb Inorg Chem Acta 2007 360 2863

111 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2005 247 36

112 AB Murphy Appl Opt 2007 46 3133

113 P Kubelka J Opt Soc Am 1948 28 448

114 DG Barton M Shtein RD Wilson SL Soled and E Iglesia J

Phys Chem B 1999 103 630

115 PA Tanner KL Wong and Y Liang Chem Phys Lett 2004 399

15

116 T Umebayashi T Yamaki H Itoh and KJ Asai Phys Chem Solid

2002 63 1909

117 S Rengaraj XZ Li PA Tanner ZF Pan and GKH Pang J Mol

Catal A Chem 2006 247 36

118 X Lai Q Guo BK Min and DW Goodman Surf Sci 2001 487

1

119 FM Liu TM Wang JQ Li C Wang SK Zheng and M Duan J

Magn Magn Mater 2002 251 245

120 W Gopel Surf Sci 1984 139 333

121 AG Thomas WR Flavell AK Mallick AR Kumarasinghe

DTsoutsou N Khan C Chatwin S Rayner and GC Smith Phys

Rev B 2007 75 035105

122 X Wang JG Li H Kamiyama M Katada N Ohashi Y

Moriyoshi and T Ishigaki J Am Chem Soc 2005 127 10982

123 D Vogtender R Poducky J Redinger ELD Habenstreit W

Habenstreit and U Diebold Phys Rev B 2002 65 125411

124 M Durr S Rosselli A Yasuda and G Nelles J Phys Chem B

2006 110 21899

145

146

125 C Kim KS Kim HY Kim and YS Han J Mater Chem 2008

18 5809

126 I Robel M Kuno and PV Kamat J Am Chem Soc 2007 129

4136

127 M Adachi M Sakamoto J Jiu Y Ogata and S Isoda J Phys

Chem B 2006 110 13872

128 W Yu L Qu W Guo and X Peng Chem Mater 2003 15 285

  • Poyu封面
  • 洪柏育-碩士論文摘要-0609-2009
  • Poyu謝誌
  • PoYu Hung-MS Thesis-0625-2009pdf
Page 12: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 13: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 14: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 15: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 16: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 17: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 18: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 19: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 20: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 21: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 22: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 23: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 24: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 25: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 26: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 27: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 28: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 29: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 30: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 31: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 32: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 33: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 34: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 35: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 36: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 37: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 38: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 39: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 40: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 41: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 42: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 43: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 44: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 45: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 46: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 47: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 48: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 49: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 50: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 51: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 52: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 53: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 54: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 55: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 56: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 57: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 58: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 59: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 60: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 61: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 62: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 63: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 64: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 65: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 66: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 67: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 68: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 69: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 70: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 71: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 72: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 73: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 74: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 75: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 76: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 77: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 78: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 79: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 80: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 81: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 82: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 83: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 84: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 85: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 86: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 87: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 88: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 89: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 90: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 91: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 92: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 93: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 94: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 95: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 96: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 97: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 98: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 99: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 100: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 101: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 102: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 103: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 104: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 105: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 106: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 107: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 108: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 109: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 110: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 111: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 112: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 113: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 114: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 115: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 116: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 117: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 118: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 119: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 120: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 121: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 122: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 123: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 124: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 125: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 126: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 127: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 128: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 129: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 130: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 131: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 132: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 133: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 134: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 135: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 136: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 137: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 138: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 139: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 140: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 141: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 142: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 143: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 144: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 145: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 146: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 147: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 148: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 149: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 150: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 151: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 152: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 153: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 154: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 155: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 156: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 157: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 158: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成
Page 159: National Taiwan Normal University Master Thesisrportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/102705/1/n069641039401.pdf本研究將以不同二氧化鈦前趨物及凝膠溶膠法、水熱法合成