BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO

ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG

TRƯƠNG QUỐC HUY

NGHI N C U GI I H

H T HI N Đ C H N C NG NG

ẠCH TH C ĐI N I I

Chuyên ngành: Kỹ thuật Điện tử

Mã số: 60 52 02 03

TÓ TẮT LUẬN ĂN THẠC Ĩ KỸ THUẬT

Đà Nẵng - Năm 2015

Công trình được hoàn thành tại

ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG

Người hướng dẫn khoa học: PGS.TS. NGUYỄN ĂN CƯỜNG

Phản biện 1: TS. HU NH I T THẮNG

Phản biện 2: TS. NGUYỄN H ÀNG C

Luận văn được bảo vệ tại Hội đồng chấm Luận văn tốt nghiệp

Thạc sĩ kỹ thuật điện tử tại Đại học Đà Nẵng vào ngày 21 tháng 6

năm 2015

* Có thể tìm hiểu luận văn tại:

Trung tâm Thông tin - Học liệu, Đại học Đà Nẵng

1

Đ U

1. Tính cấp thiết của đề tài

V i s h t tri n v công nghệ n n c ng như s gia tăng

v số lượng các nhà sản xuất và cung cấ , IC đ thành thành h n

hông th thi u trong c c lĩnh v c c a đ i sống Tu nhi n, s gia

tăng c ng đ đặt ra vấn đ quan ngại v bảo mật ph n cứng c a thi t

bị C c m độc c th làm giảm chất lượng hệ thống, có th xóa dữ

liệu, hoặc mở ra c c cửa hậu đ ăn cắp các thông tin tối mật hoặc

thậm chí phả h y cả hệ thống.

Đ khắc phục vấn đ này, nhi u nghiên cứu đ được th c hiện

đ tìm ra hương h tối ưu h t hiện m độc hương h th

công là h n cứng được hân tích ư i máy phân tích phổ l ctron

Ngoài hương h , c n c hương h h c được chia làm 2 loại

chính:

Ki m tra v logic

Phân tích các thông số khác

Kiểm tra về logic:

Hạn ch c a hương h nà là c n c một thi t tham

chi u vàng thi t hông nhi m m độc đ làm chu n và chu n bị

các v ctor đ ki m tra.

Phân tích kênh bênh (SCA):

hương h hân tích kênh bênh ti p cận ki m tra các hành

vi bất thư ng (do m độc gâ ra) trong thông số hệ thống như ng

điện, năng lượng ti u thụ, và chậm tr tr n đư ng d n. hương h

SCA có hiệu quả cho việc h t hiện m độc hiệu uả cho c c hệ

thống c iện tích l n. Tuy nhiên, độ nhạy c a hương h SCA

được thách thức bởi s i n thi n công nghệ. Phát hiện sai v m độc

nhỏ có th xảy ra khi các hiệu ứng bi n đổi quá trình i n thi n công

nghiệ ví dụ, năng lượng) đ phân tích kênh bên.

2

Trong luận văn này, một hương h được hảo s t nh m

loại bỏ s c n thi t c a thi t k vàng đ tham chi u và phát hiện m

độc nhỏ trong khi chạy. uận văn hai th c các đặc tính đặc biệt c a

mạch th c điện vi sai đ phát hiện m độc hương h nà là

không tốn kém c ng như hông c n ph n cứng bổ sung c n thi t đ

th c hiện các n n tảng phát hiện m độc.

D a tr n đặc đi m c a c c mạch số thi t th o hương h

th c điện vi sai, đ tài

SA ” được l a chọn

2. Mục tiêu nghiên cứu

Đ tài tậ trung nghi n cứu c c vấn đ sau

- hảo s t ảnh hưởng c a m độc l n mạch th c điện vi sai

- â ng mô hình giả lậ ảnh hưởng c a m độc l n mạch

th c t

- Đ nh gi hương h h t hiện m độc tr n mạch sử ụng

th c điện vi sai v i c c ti u chí h c nhau

- Đưa ra i n nghị ụng hương h vào th c t

3. Đối tượng và phạm vi nghiên cứu

- Nghi n cứu hương h m độc được nh ng vào h n cứng

và ảnh hưởng c a m độc l n toàn hệ thống sử ụng hương h

th c điện vi sai

- Nghiên cứu c c hương h h t hiện m độc h n cứng

tr n một mạch logic thi t th o hương h th c điện vi sai.

- Nghi n cứu thi t mạch thử nghiệm sử ụng hương h

th c điện vi sai .

- Nghiên cứu hương h đ nh gi hiệu uả c a hương

h h t hiện m độc h n cứng

3

4. hương pháp nghiên cứu

- t hợ nghi n cứu l thu t và thi t mạch h t hiện m

độc h n cứng, thử nghiệ hương h nà tr n mạch th c t c ui

mô v a và nhỏ

C c ư c ti n hành cụ th như sau

+ Thu thập, phân tích các tài liệu và thông tin liên quan.

Thi t lậ môi trư ng giả lậ

Thi t mạch h t hiện m độc h n cứng

Thi t mạch thử nghiệm

Nh ng m độc l n mạch thử nghiệm.

Tích hợ mạch h t hiện m độc l n mạch thử nghiệm

c định r c c ti u chí đ đ nh gi hương h đ ra v i

c c hương h h c

Đ nh gi t uả a tr n mạch thử nghiệm

Đ uất, i n nghị c c hương h tối ưu hiệu uả tr n

mạch thử nghiệm cụ th

5. Bố cục đề tài

Ngoài các ph n Mở đ u, K t luận và hư ng phát tri n, Tài liệu

tham khảo, Phụ lục, luận văn ao gồm c c chương sau

CHƯƠNG 1. GI I THI ĐỘC H N C NG VÀ

ẠCH TH NGHI

CHƯƠNG 2. HƯƠNG HÁ HÁT HI N ĐỘC

H N C NG

CHƯƠNG 3. THI T ẠCH HÁT HI N ĐỘC VÀ

ẠCH TH NGHI

CHƯƠNG 4. THỰC HI N VÀ K T QUẢ MÔ PHỎNG

6. Tổng quan tài liệu nghiên cứu

Tài liệu nghiên cứu được tham khảo là những bài báo, các luận

văn thạc sỹ t c c trư ng đại học c a các quốc gia khác trên th gi i,

4

cùng v i các trang web tìm hi u. Luận văn chắc chắn không tránh

khỏi những sai sót, rất mong nhận được s góp ý c a Hội đồng đ

luận văn trở thành một công trình th c s có ích.

5

CHƯƠNG 1

GI I THI U Đ C H N C NG À ẠCH

TH NGHI

1.1. GI I THI U CHƯƠNG

Chương nà s gi i thiệu tổng uan v m độc h n cứng

Chương s cung cấ h i niệm chung v c c loại m độc và ảnh

hưởng c a m độc l n h n cứng Ngoài ra, chương c ng gi i thiệu

v mạch thử nghiệm cho hương h đ uất.

1.2. Đ C H N C NG

độc h n cứng là một mạch số độc hại được nh ng n

trong một mạch l n n đ n r r ữ liệu r r ữ liệu hoặc gâ tổn

hại đ n c c chức năng ình thư ng c a mạch hi ch ng được ích

hoạt

n 1.2 n ạ

6

D a vào c c đặc tính c a m độc mà ch ng ta c th hân loại

ra a loại chính a vào đặc tính vật l , đặc tính ích hoạt và đặc

tính t c động

1.3. ẠCH TH C ĐI N I I

ạch th c điện vi sai (DCVSL) là một kỹ thuật mạch

CMOS v i lợi th hơn các kỹ thuật NAND / NOR mạch truy n thống

v độ chậm tr , ti u hao năng lượng, iện tích, linh hoạt và logic.

1.3.1. K th ật DCVSL

ạch th c điện vi sai DCVSL gổm 2 h n câ u t định

nhị hân DCVSL tr và tải loa

n 1.3 ạ DCVSL.

1.3.2. Ng ên hoạt đ ng

u trình chu n trạng th i c th chia làm 3 giai đoạn

n định trạng th i trư c hi chu n trạng th i

ạch nhị hân h ng lại độ mạnh c a tải và chu n

trạng th i một đ u ra

Chu n trạng th i đ u ra c n lại

7

1.3.3. Thiết kế DCVSL ử dụng ảng Ka na gh

1.4. ẠCH TH NGHI

uận văn ch sử ụng hương h tr n mạch th c điện vi

sai n n mạch thử nghiệm s được thi t th o hương h nà

1.5. K T LUẬN CHƯƠNG

ạch th c điện vi sai là một ỹ thuật tối ưu cho c c thi t

c n c những tín hiệu ổ t c cho nhau đ th c hiện c c chức năng

nhất định ỹ thuật c n được ụng rộng r i trong c c mạch c n

tốc độ cao C c mạch th c điện vi sai àng được thi t th o

hương h sử ụng ảng aunaugh độc h n cứng rất đa

ạng và ảnh hưởng c a m độc l n h n cứng c ng rất hức tạ T

vào đặc đi m và ảnh hưởng c a m độc mà c th hân loại m độc

th o c c nh m chính Ảnh hưởng c a m độc đặt ra vấn đ th ch

thức c c nhà ngu n cứu đ tìm ra giải h h t hiện m độc một

c ch nhanh ch ng và c độ tin cậ cao Đặc iệt là ứng ụng c a

mạch IC đang rất hổ i n và c mắt trong tất cả c c ngành c n c

độ ảo mật cao như uân s , uốc h ng

8

CHƯƠNG 2

HƯƠNG H H T HI N Đ C H N C NG

2.1. GI I THI U CHƯƠNG

Chương s gi i thiệu v c c hương h h t hiện m độc

hổ i n hiện na và c ch thức h t hiện m độc Ngoài ra, chương

c ng gi i thiệu hương h được đ uất c a luận văn

2.2. T NG QU N HƯƠNG H H T HI N Đ C

H N C NG

Ngoài hương h hân tích l ctron, c c hương h h c

a vào c c đặc tính ảnh hưởng c a m độc c ng được h t tri n

C c hương h nà c th nh m lại là hân tính thông số c a

mạch và ích hoạt m độc t vào cấu tr c c a mạch

2.2.1. hương pháp ph n t ch phổ ct on

2.2.2. hát hiện m đ c d a ào th ng ố hoạt đ ng

C c thông số hoạt động, ao gồm cả th i gian và năng lượng,

có th được sử dụng đ phát hiện m độc

a.

b.

2.2.3. hương pháp k ch hoạt m đ c

hương h ích hoạt m độc c th đ nhanh u trình

h t hiện m độc và c th t hợ v i hương h v năng lượng

N u m độc được ích hoạt, mạch m độc s ti u thụ năng lượng

nhi u hơn

9

a.

2.3. T NG QU N HƯƠNG H H T HI N Đ C

H N C NG NG ẠCH TH C ĐI N I I

nh 2.6 t n t n t

uận văn đ xuất một hương h h t hiện m độc cho h

ngư i sử dụng đ phát hiện m độc ti m năng trong l c hoạt động và

hông c n tham chi u vàng

2.4. H T HI N Đ C H N C NG TR N NĂNG

LƯ NG TI U H NGẮN ẠCH

2.4.1. Năng ượng tiê hao ng n mạch t ên mạch thác điện

áp i ai

Mỗi cổng mạch th c điện vi sai c n đ u vào bổ t c và tạo

đ u ra bổ sung. N u cặ đ u ra s hông c n ổ t c, d n đ n tiêu thụ

điện ngắn mạch kéo dài lâu hơn một c ch đ ng th i gian hơn so

v i trư ng hợp đ u vào bổ t c.

uận văn ki m tra điện năng trung ình cho đ u vào bổ t c và

hông ổ t c cho c c cổng DCV đơn giản sử ụng thư viện

reference 90nm.

10

n 2.1 ăn n tăn gây v n t

Năng ượng t ng nh

Cổng Đ ào ổ t c n Đ ào kh ng ổ t c

INV 39.03 86.87

NAND2-AND2 65.96 91.17

NOR2-OR2 65.96 91.17

XNOR2-NOR2 98.74 91.73

NAND3-AND3 92.87 88.78

NOR3-OR3 92.86 88.78

XNOR3-NOR3 140.63 88.86

Năng lượng cho một cổng cơ ản hi ị nhi m m độc l n gấ

1 l n năng lượng cho mạch hoạt động ình thư ng Năng lượng

ti u h n l n sinh ra ch u t ng ị ngắn mạch o ài

2.4.2. ác ất năng ượng tiê hao ng n mạch ất thường

2. . NH HƯ NG C C NG NGH Đ N NĂNG LƯ NG

R R À TI U TH

V i s h t tri n c a công nghệ, ích thư c c a O ngà

càng giảm Đi u nà s làm cho c c mạch ti t iệm iện tích và tăng

tốc độ c a mạch Tu nhi n, việc làm giảm l ngth c a c c con O

s làm cho ng r ng tĩnh c a mạch tăng đ ng D ng r s

tăng đ n mức năng lượng ti u thụ chính là chính là ng r c a mạch

2.6. K T LUẬN CHƯƠNG

T vào đặc đi m c a t ng mạch cụ th , c c hương h s

được sử ụng nh m h t hiện m độc v i hiệu suất cao nhất C rất

nhi u hương h , nhưng nhìn chung tất cả c c hương h đ u

tậ trung hai th c nhưng i u hiện ất thư ng o m độc gâ ra như

độ tr tăng, ti u thụ năng lượng l n D a vào đặc đi m c a mạch

th c điện vi sai, hương h luận văn đ ra s hai th c vào năng

lượng ti u thụ ất thư ng o m độc gâ ra

11

CHƯƠNG 3

THI T K ẠCH H T HI N Đ C À ẠCH

TH NGHI

3.1. GI I THI U CHƯƠNG

Chương s cung cấ tổng ua mạch h t hiện m độc được đ

uất đ sử ụng vào th c t Tu nhi n, mạch h t hiện m độc s

được giả lậ trong môi trư ng hs ic đ đ nh gi hương h s t

v i th c t nhất

3.2. T NG QU N ẠCH H T HI N Đ C

ạch h t hiện m độc th c t là t hợ giữa hai thành h n

là uản l ng điện và ộ vi ử l Tổng uan mạch h t hiện m

độc được đ cậ ở hình 3 1

m n ng MicrocontrollerV

I

ADC

trung tâm

n i HT

ch m

OUT

! OUT

u o i

=

n 3.1 ạ t n t t t

Tất cả mô hỏng tính to n s được th c hiện trong môi trư ng

giả lậ Hs ic Môi ng p Hspice

ch m

OUT

! OUT

u o

Công Synopsys

Custom Waveview

Công nh n

Công o u n

p

t n t

= i

n ạ t n ậ

12

3.3. T NG QU N C NG C THI T K

3.4. THI T K Đ C

Cổng O 2 được chọn làm tải trọng c a m độc v i một là

tín hiệu ữ liệu và tín hiệu c n lại là tín hiệu ích hoạt m độc.

3.5. THI T K ẠCH TH NGHI

ạch thử nghiệm đ đ nh gi hương h h t hiện m độc

h n cứng cho mạch th c điện vi sai là mạch cộng toàn h n

64 bit.

3.5.1. C ng toàn ph n 1-bit

13

n 3.9 ạ t n năn n ạ t n

năn n

3.5.2. C ng toàn ph n 4-bit

n n t n n t

3.5.3. ạch I C -85 C432

ạch thử nghiệm ti th o là I C - C432 Chức năng

mạch, hoạt động mạch, ch thích mạch và V rilog s được lấ t

trang c a http://web.eecs.umich.edu/~jhayes/iscas.restore/c432.html.

T c c V rilog, công cụ D sign Com il r s sử ụng c c ữ liệu

nhậ vào o ngư i sử ụng thi t lậ và thư viện s ịch sang n tlist

mức cổng sao cho thỏa m n c c ui định v th i gian và chức năng

c a V rilog

14

3.6. K T LUẬN CHƯƠNG

ạch đ uất nh m ứng ụng hương h c a luận văn rất

hả thi hi ụng vào th c t Hơn nữa, tất cả đ u c th được giả

lậ v i độ chính c cao Đ đ nh gi hương h một c ch chính

c, hai mạch thử nghiệm được sử ụng đ là mạch cộng 4 it và

mạch I C - C432 độc l n lượt được nh ng vào nhi u vị trí

h c nhau c a mạch thử nghiệm Ngoài ra, chương c ng cung cấ

nhi u loại m độc đa ạng

15

CHƯƠNG 4

TH NGHI À Đ NH GIÁ K T QU

4.1. GI I THI U CHƯƠNG

Trong chương nà , luận văn s trình à v thi t lậ thử

nghiệm hương h đ ra tr n c c mạch thử nghiệm C c ảnh

hưởng c a m độc s được hảo s t tr n mạch thử nghiệm uận văn

c ng hảo s t s ảnh hưởng c a công nghệ l n hương h uận

văn c ng cung cấ ưu đi m và nhược đi m c a hương h

4.2. THI T LẬ TH NGHI

T vào mục đích thử nghiệm, luận văn s thi t lậ c c thử

nghiệm cho c c mạch h c nhau Tu nhi n, đi m chung cho c c l n

thử nghiệm là ch n m độc và tín hiệu đ u vào và m t hiệu uả

c a hương h ỗi vị trí ch n m độc, luận văn s sử ụng 2

m u tổ hợ đ u vào ng u nhi n đ hảo s t.

4.2.1. ạch c ng 4 it toàn ph n

Luận văn l a chọn 4 it đ nh ng m độc làm tha đổi cặ

ổ t c c a c c it trong hi c c cặ ổ t c c a B v n giữ đ ng gi

trị Như vậ , s c vị trí đ nh ng m độc, 4 vị trí c a gi trị

và 1 vị trí gi trị Cin

4.2.2. ạch I C -85 C432

ạch I C - C432 c 32 it đ u vào, l n lượt s nh ng m

độc vào c c đ u vào c a mạch thử nghiệm

4.2.3. Khảo át ảnh hư ng của c ng nghệ ên phương

pháp

Đ hảo s t s ảnh hưởng c a cộng l n hương h h t hiện

m độc, luận văn s sử ụng mạch cộng 4 it t hợ ộ so s nh 4

it đ hảo s t giữa 2 ngth là nm và 220nm.

16

4.3. K T QU

4.3.1. ạch c ng toàn ph n 4 it

n n n t n n n

C th thấ tr n hình 4 4, mặc t c động c a m độc s

hông làm ng c a mạch cộng tha đổi ất thư ng nhưng s làm

ng tại ộ so s nh 4 it tha đổi một c ch ất thư ng T c động

nà s r rệt hơn n u chân đ u ra ị lững l i nhi u O h c

17

n t ạn t n n t n

C c u tố sử ụng cho hương h nà nh m h t hiện m

độc

Năng lượng ất thư ng ng ất thư ng

Đ u ra hông ổ t c

Đ u ra ị lững

D a vào c c u tố tr n, t uả c a hương h rất hả uan

v i mạch cộng 4 it

18

n t t n t t

t uả rất hả uan n u t hợ cả 3 u tố c suất h c

hiện m độc l n t i g n 1 tại tất cả vị trí ch n m độc

4.3.2. ạch I C -85 C432

n 4.7 t v ạ ISCAS-85 C432

19

4.3.3. nh hư ng của c ng nghệ ên phương pháp

n 4.8 n n n n n n

C th thấ trong hình 4 , ở công nghệ nm, s h c nhau

giữa ng c t c động và hông c t c động c a m độc Ch nh lệch

ng tại ngth là 22 nm c a ộ cộng 4 it g n gấ đôi c n ở

nm thì ấ ng nhau Tương t ng tại ộ so s nh 4 it,

ch nh lệch gấ 3 ở 22 nm trong hi ch nh lệch chi là g n gấ 1 ở

90nm.

20

n 4.9 n n t n v n

Như vậ , hi ng r tăng l n s làm cho hả năng c a hương

h giảm đi ngth 22 nm cho t uả g n trong hi ch là

cho nm hả năng c a hương h nà c th giảm đ n

tại c c công nghệ thấ hơn như 4 nm hoặc 2 nm

4.4. NH HƯƠNG H KH C

n 4.1 n v n

Tiê ch h n t ch phổ

electron

hương pháp

t ên mạch

DVCSL

hương pháp

ph n th ch

ản đ nhiệt

Th i gian

âu – c th

o ài đ n

th ng

Nhanh - được

ụng tr c ti

tr n mạch đang

hoạt động

Nhanh – c

th hân tích

tr c ti tr n

mạch đang

hoạt động

Ảnh

hưởng

Công nghệ

càng cao thì

Ảnh hưởng đ n

hiệu suất Công

Ảnh hưởng

đ n hiệu suất

0.00

10.00

20.00

30.00

40.00

50.00

60.00

70.00

80.00

A0 A6 A12 A18 A24 A30 A36 A42 A48 A54 A60 A63 c

s ât

p t

n ma ô

c (%

)

Vi i en ma ôc

90nm 220nm

21

công nghệ th i gian hân

tích càng l n

nghệ càng cao

ng r đ ng vai

tr l n

Công nghệ

càng cao ng

r đ ng vai tr

l n

hạm vi

ứng ụng

n – cả

mạch C O

và th c điện

vi sai

Ch ụng cho

mạch th o cơ

ch th c điện

vi sai

n – cả

mạch C O

và th c điện

vi sai

Chi hí Đắt ti n ti n Đắt ti n

Hiệu suất

Cao – c th

l n đ n 1

cho c c mạch

hông u

hức tạ

Cao H u h t cho

c c gi trị hơn

C c mạch

nhỏ cho t uả

100%.

hụ thuộc vào

iện tích c a

m độc đối v i

iện tích mạch

thử nghiệm

h t hiện

v ng

nhi m m

độc

C th h t

hiện v ng

nhi m m độc

hông hỗ trợ

C th h t

hiện v ng

nhi m m độc

o s nh v i c c hương h h c, hương h đ uất trong

luận văn c rất nhi u ưu đi m và nhược đi m sau

a.

hương h c c c ưu đi m đ ng gi và c th sử ụng

hông c n thi t vàng thi t hông nhi m m độc

Hiệu uả cao v i c c mạch v a và nhỏ

h t hiện tức th i trong th i gian chạ c a mạch

C th t i sử ụng cho nhi u chi trong một l n i m

tra

Chi hí thấ và hông u c u s chu n ị nhi u

22

Cho hiệu suất cao cả những m độc nhỏ

b.

B n cạnh c c ưu đi m, hương h c ng c nhi u nhược

đi m c n cân nhắc trư c hi ứng ụng vào th c t

hương h ch ứng ụng cho mạch số và sử ụng

hương h th c điện vi sai hông th sử ụng cho

mạch th o công nghệ C O và mạch analog

hương h ị chi hối h nhi u ởi công ngh , công

nghệ cao s làm giảm hiệu uả c a hương h

hông c hả năng h t hiện loại m độc và vị trí c a

m độc

4.5. K T LUẬN CHƯƠNG

t uả c a hương h tr n c c mạch thử nghiệm rất hả

uan hương h c th t hợ v i i u hiện ất thư ng h c đ

tăng hiệu suất c a hương h t uả tr n mạch cộng 4 it g n

như đạt 1 n u hương h t hợ c c i u hiện như t uả

lỗi Tu nhi n, hương h c ng ị chi hối ởi công nghệ ích

thư c càng giảm s làm hiệu suất c a hương h giảm đ ng

B n cạnh nhi u ưu đi m, c c nhược đi m c a hương h c n cân

nhắc trư c hi ụng vào th c t

23

K T LUẬN À KI N NGH

K t luận:

uận văn đ hảo s t đặc tính mạch th c điện vi sai ạch

th c điện vi sai luông c tính chất đặc iệt là c c tín hiệu luôn c

cặ ổ t c N u gi trị ổ t c nà ị tha đổi s làm tha đổi chức

năng c a mạch C c cặ ữ liệu hông ổ t c s làm cho mạch ị

ngắn mạch và c c đ u ra hông ổ t c C c đ u ra hông ổ t c c

th được lan tru n trong mạch lan tru n c th làm mạch ị

ngắn mạch tại ví trí O ti th o

D a vào tính chất đặc iệt c a mạch th c điện vi sai,

hương h h t hiện m độc a tr n năng lượng ất thư ng được

đ suất đ ụng Phát hiện m độc tr n mạch sử dụng hương

h th c điện vi sai có th được th c hiện b ng cách sử dụng liên

tục, năng lượng ti u thụ ất thư ng, hoặc k t quả đ u ra lỗi. hương

pháp này là không tốn kém c ng như hông c n ph n cứng bổ sung

c n thi t đ th c hiện các n n tảng phát hiện m độc Ngoài ra,

hương h c ng hông c n thi t vàng đ so s nh như c c

hương h h c

uận văn đ hảo s t hương h tr n c c mạch thử nghiệm

Đ hảo s t vị trí t c động c a m độc, luận văn ch n m độc vào

c c đ u vào c a mạch thử nghiệm và hảo s t hương h cho t

uả h tốt v i c c mạch thử nghiệm t uả c th đạt đ n 1

n u t hợ nhi u hương h h c tr n mạch thử nghiệm uận

văn c n hảo s t t c động c a ng r l n mạch thử nghiệm Công

nghệ càng l n cao s làm cho hiệu suất h t hiện m độc giảm

uống

24

ớng phát tri n:

hương h hảo s t c nhi u ưu đi m c th ti tục h t

tri n đ ứng ụng vào th c t Tu nhi n hương h c n nhi u hạn

ch và c n được nghiên cứu âu hơn đ đưa vào th c t Hư ng h t

tri n ti th o c a đ tài là i m tra hương h tr n c c mạch th c

t l n hơn hi mà ng ngắn mạch s h hân iệt hơn so v i c c

ng r r Ngoài ra, hương h nà c n được i m tra tr n c c

công nghệ thấ hơn như 2 nm đ i m tra hiệu suất c a hương

h

uận văn đ uất hương h nà n n được sử ụng ti n h t

hiện m độc nh m hân loại chi nào c hả năng ị nhi m m độc

au hi loại, ngư i i m tra c th gởi những m u c hả năng ị

nhi m m độc cao nhất đ n trung tâm hân tích hổ l ctron Trong

th i gian nà c th sử ụng th m hương h i m tra v ctor đ

h t hiện m độc hoặc hương h ản đồ nhiệt đ h t hiện v ng

ị nhi m m độc nhất đ tậ trung c c v ctor t c động vào v ng nà

hoặc u c u c c nhà cung cấ thi t ảng tham chi u vàng đ c

th c định vị trí m độc