njg1127hb6 800mhz 帯低雑音増幅器 gaas mmicnjg1127hb6 - 2 - 絶対最大定格 t a =+25 c,...

NJG1127HB6

- 1 - Ver.2017-08-02

800MHz 帯低雑音増幅器 GaAs MMIC

■概要 ■外形

NJG1127HB6 は 800MHz 帯域用途向け通信端末での使用を主目

的としたバイパス回路付き低雑音増幅器です。760MHz 帯の車車

間・路車間(V2X)通信にも最適な製品です。

本製品は、ロジック回路を内蔵しており、1 ビットのコントロー

ル信号で High Gainモード/Low Gainモードの切り替えが可能です。

High Gain モード時には高 IIP3、低雑音を実現し、Low Gain モー

ド時には低雑音増幅器がスタンバイ状態となるため、低消費電流を

実現することができます。

パッケージには、USB8-B6 パッケージを採用し、小型化、薄型

化を実現しました。

■特徴

●電源電圧 2.65V～4.0V

●高利得 15.0dB typ. @f=880MHz, VDD=2.8V

16.0dB typ. @f=760MHz, VDD=3.3V

●低雑音 1.4dB typ. @f=880MHz, VDD=2.8V

1.2dB typ. @f=760MHz, VDD=3.3V

●高 IIP3 +11.0dBm typ. @f=880MHz, VDD=2.8V

+8.0dBm typ. @f=760MHz, VDD=3.3V

●小型・薄型パッケージ USB8-B6（Package Size: 1.5 x 1.5 x 0.55mm typ.）

●RoHS 対応、ハロゲンフリー、MSL1

端子配列

NJG1127HB6

注: 本資料に記載された内容は、予告変更することがありますので、ご了承下さい。

1 Pin INDEX

(Top View) ピン配置

1.VINV

2.GND

3.RF OUT

4.GND

5.RF IN

6.GND

7. VCTL

8. GND

Bias Circuit

Logic

Circuit 1

3 5

8

7

6 2

4

NJG1127HB6

- 2 -

■絶対最大定格

Ta=+25°C, Zs=Zl=50

項目記号条件定格単位

電源電圧 VDD 5.0 V

インバータ電源電圧 VINV 5.0 V

切替電圧 VCTL 5.0 V

入力電力 Pin VDD＝3.3V +22 dBm

消費電力 PD 基板実装時、Tjmax=150°C 160 mW

動作温度 Topr -40~+105 °C

保存温度 Tstg -55~+150 °C

NJG1127HB6

- 3 -

■電気的特性 1 (DC 特性)

共通条件: Ta=+25°C, Zs=Zl=50

項目記号条件最小標準最大単位

動作電圧 VDD 2.65 - 4.0 V

インバータ電圧 VINV 2.65 - 4.0 V

切替電圧(High)_1 VCTL(H)_1 VDD=2.8V 1.80 1.85 VDD+0.3 V

切替電圧(High)_2 VCTL(H)_2 VDD=3.3V 1.80 3.3 VDD+0.3 V

切替電圧(Low) VCTL(L) 0 0 0.3 V

動作電流_1(1) (LNA High Gain 時)

IDD_1(1) RF OFF VDD=VINV=2.8V, VCTL=1.85V

- 10.0 16.0 mA

動作電流_1(2) (LNA Low Gain 時)

IDD_1(2) RF OFF VDD=VINV=2.8V, VCTL=0V

- 1 5 µA

動作電流_2(1) (LNA High Gain 時)

IDD_2(1) RF OFF VDD=VINV=3.3V, VCTL=3.3V

- 13.0 21.0 mA

動作電流_2(2) (LNA Low Gain 時)

IDD_2(2) RF OFF VDD=VINV=3.3V, VCTL=0V

- 1 6 µA

インバータ電流_1(1) (LNA High Gain 時)

IINV_1(1) RF OFF VDD=VINV=2.8V, VCTL=1.85V

- 150 240 µA

インバータ電流_1(2) (LNA Low Gain 時)

IINV_1(2) RF OFF VDD=VINV=2.8V, VCTL=0V

- 15 40 µA

インバータ電流_2(1) (LNA High Gain 時)

IINV_2(1) RF OFF VDD=VINV=3.3V, VCTL=3.3V

- 170 300 µA

インバータ電流_2(2) (LNA Low Gain 時)

IINV_2(2) RF OFF VDD=VINV=3.3V, VCTL=0V

- 20 50 µA

切替電流_1 ICTL_1 RF OFF, VCTL=1.85V - 5 15 µA

切替電流_2 ICTL_2 RF OFF, VCTL=3.3V - 40 80 µA

NJG1127HB6

- 4 -

■電気的特性 2 (LNA High Gain モード 1)

共通条件: VDD=VINV=2.8V, VCTL=1.85V, fRF=880MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50,指定の外部回路 1 による


小信号電力利得_1(1) Gain_1(1) 13.5 15.0 17.0 dB

雑音指数_1(1) NF_1(1) 基板、コネクタ損失

(入力側 0.04dB)除く - 1.4 1.8 dB

1dB 利得圧縮時

出力電力_1(1) P-1dB_1(1) +4 +9 - dBm

入力 3 次インター

セプトポイント_1(1) IIP3_1(1)

f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=-25dBm

+8 +11 - dBm

RF IN VSWR _1(1) VSWRi_1(1) - 1.5 2.0

RF OUT VSWR_ 1(1) VSWRo_1(1) - 1.5 2.0

■電気的特性 3 (LNA Low Gain モード 1)

共通条件: VDD=VINV=2.8V, VCTL=0V, fRF=880MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50,指定の外部回路 1 による


小信号電力利得_1(2) Gain_1(2) -4.0 -2.5 0 dB


(入力側 0.04dB)除く - 2.5 5.0 dB

1dB 利得圧縮時

出力電力_1(2) P-1dB_1(2) +1.0 +8.0 - dBm




+15.0 +19.0 - dBm

RF IN VSWR _1(2) VSWRi_1(2) - 2.3 2.7

RF OUT VSWR _1(2) VSWRo_1(2) - 1.8 2.1

NJG1127HB6

- 5 -

■電気的特性 4 (LNA High Gain モード 2)

共通条件: VDD=VINV=VCTL=3.3V, fRF=760MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50,指定の外部回路 2 による


小信号電力利得_2(1) Gain_2(1) 13.5 16.0 18.5 dB


(入力側 0.04dB)除く - 1.2 1.8 dB

1dB 利得圧縮時

出力電力_2(1) P-1dB_2(1) +4.0 +11.0 - dBm

出力電力 Pout Pin=-40~+22dBm - - +15.5 dBm




+6.0 +8.0 - dBm

利得切替時間_(1) Ts_(1) Low gain to high gain mode to be within 1dB of the final gain

- 0.5 2.5 µs

RF IN VSWR _2(1) VSWRi_2(1) - 1.6 2.0

RF OUT VSWR_ 2(1) VSWRo_2(1) - 1.3 2.0

■電気的特性 5 (LNA Low Gain モード 2)

共通条件: VDD=VINV=3.3V, VCTL=0V, fRF=760MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50,指定の外部回路 2 による


小信号電力利得_2(2) Gain_2(2) -4.5 -2.5 0 dB


(入力側 0.04dB)除く - 2.5 5.5 dB

1dB 利得圧縮時

出力電力_2(2) P-1dB_2(2) +1.0 +7.5 - dBm




+15.0 +21.0 - dBm

利得切替時間_(2) Ts_(2) High gain to low gain mode to be within 1dB of the final gain

- 1.0 2.5 µs

RF IN VSWR_2(2) VSWRi_2(2) - 2.1 3.0

RF OUT VSWR_2(2) VSWRo_2(2) - 1.6 2.1

NJG1127HB6

- 6 -

■端子情報

番号端子名機能説明

1 VINV

内部論理（インバータ）用の電圧供給端子です。外部からの RF 雑音を

回避するために、この端子と GND の間にバイパスコンデンサを設置して

下さい。

2 GND 接地端子

3 RFOUT

外部整合回路を介して RF 信号が出力されます。この端子は LNA 電源電圧

供給端子も兼ねていますので、推奨回路図に示す L4 を介して電源を供給し

て下さい。推奨回路図に示す C2 はバイパスコンデンサです。

4 GND 接地端子

5 RFIN 外部整合回路を介して RF 入力信号が入力されます。

この端子には DC ブロッキングキャパシタが内蔵されています。

6 GND 接地端子

7 VCTL

コントロール端子です。論理信号によって LNA の High Gain モードか Low

Gain モードを選択します。High Gain モードを選択する場合には+1.8V 以上

の電圧を、Low Gain モードを選択する場合は 0～+0.3Vの電圧を印可して下

さい。

8 GND 接地端子

注意事項

１）接地端子（2, 4, 6, 8 番端子）は、インダクタンスが小さくなり良好な RF 特性が得ら

れるように、極力グランドプレーンの近くに接続して下さい。

■真理値表

VCTL Gain Mode LNA

L Low bypass

H High pass

“H” = VCTL(H)、”L” = VCTL(L)

NJG1127HB6

- 7 -

■特性例 (LNA High Gain モード 1)

(共通条件：Ta=+25oC, fRF =880MHz, VDD=VINV=2.8V, VCTL=1.85V, Zs=Zl=50,指定の外部回路 1 による)

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

750 800 850 900 950 1000

10

11

12

13

14

15

16

17

18

Ga

in (

dB

)

frequency (MHz)

NF

(d

B)

Gain

NF, Gain vs. frequency

NF

(f=750~1000MHz)

-80

-60

-40

-20

0

20

40

-30 -20 -10 0 10 20

Po

ut,

IM

3 (

dB

m)

Pin (dBm)

IIP3=+10.4dBm

Pout

Pout, IM3 vs. Pin

IM3

OIP3=+25.7dBm

(f1=880MHz, f2=f1+100kHz)

-30

-20

-10

0

10

20

-40 -30 -20 -10 0 10

Pout vs. Pin

Po

ut

(dB

m)

Pin (dBm)

P-1dBout=+9.2Bm

Gain 1dB Compression Line

Pout

P-1dBin=-5.0dBm

(f=880MHz)

0

5

10

15

20

-40 -30 -20 -10 0 10

8

10

12

14

16

IDD (

mA

)

Pin (dBm)G

ain

(d

B)

Gain

Gain, IDD vs. Pin

IDD

P-1dBin=-5.0dBm

(f=880MHz)

22

23

24

25

26

27

28

29

30

860 870 880 890 900 910

9

10

11

12

13

14

15

16

17

OIP

3 (

dB

m)

frequency (MHz)II

P3

(d

Bm

)

OIP3

OIP3, IIP3 vs. frequency

IIP3

(f1=860~910MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-25dBm)

NJG1127HB6

- 8 -

■ 特性例 (LNA High Gain モード 1)

(共通条件：Ta=+25oC, fRF =880MHz, VDD=VINV=2.8V, VCTL=1.85V, Zs=Zl=50,指定の外部回路 1 による)

S11, S22 S21, S12

Zin, Zout VSWR

NJG1127HB6

- 9 -


(共通条件：Ta=+25oC, fRF =880MHz, VCTL=1.85V, Zs=Zl=50,指定の外部回路 1 による)

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

10.0

11.0

12.0

13.0

2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6

P-1

dB

(OU

T)

(dB

m)

VDD, VINV (V)

P-1dB(OUT) vs. VDD, VINV

P-1dB(OUT)

(f=880MHz)

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

VS

WR

i

VDD, VINV (V)V

SW

Ro

VSWRi

VSWRi, VSWRo vs. VDD, VINV

VSWRo

(f=880MHz)

14

16

18

20

22

24

26

28

30

2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6

4

6

8

10

12

14

16

18

20

OIP

3 (

dB

m)

VDD, VINV (V)

IIP

3 (

dB

m)

OIP3

OIP3, IIP3 vs. VDD, VINV

IIP3

(f1=880MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-25dBm)

11

12

13

14

15

16

17

18

19

2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

Ga

in (

dB

)

VDD, VINV (V)

NF

(d

B)

Gain

Gain, NF vs. VDD, VINV

NF

(f=880MHz)

6

7

8

9

10

11

12

13

14

2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

IDD (

mA

)

VDD, VINV (V)

IINV (

mA

)

IDD

IDD, IINV vs. VDD, VINV

IINV

(RF OFF)

NJG1127HB6

- 10 -

■ 特性例 (LNA Low Gain モード 1)

(共通条件：Ta=+25oC, fRF =880MHz, VDD=VINV=2.8V, VCTL=0V, Zs=Zl=50,指定の外部回路 1 による)

-50

-40

-30

-20

-10

0

10

20

-40 -30 -20 -10 0 10 20

Pout vs. Pin

Po

ut

(dB

m)

Pin (dBm)

P-1dBin=+11.5dBm

Gain 1dB Compression Line

Pout

P-1dBout=+7.8dBm

(f=880MHz)

-9

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

-40 -30 -20 -10 0 10 20

0.0

0.3

0.5

0.8

1.0

1.3

1.5

1.8

2.0

IDD (

uA

)

Pin (dBm)G

ain

(d

B)

Gain

Gain, IDD vs. Pin

IDDP-1dBin=+10.8dBm

(f=880MHz)

-100

-80

-60

-40

-20

0

20

-30 -20 -10 0 10 20 30

Po

ut,

IM

3 (

dB

m)

Pin (dBm)

IIP3=+23.5dBm

Pout

Pout, IM3 vs. Pin

IM3

OIP3=+20.5dBm

(f1=880MHz, f2=f1+100kHz)

18

20

22

24

26

28

30

860 870 880 890 900 910

18

20

22

24

26

28

30

OIP

3 (

dB

m)

frequency (MHz)II

P3

(d

Bm

)

OIP3

OIP3, IIP3 vs. frequency

IIP3

(f1=860~910MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-12dBm)

0

1

2

3

4

5

6

7

8

750 800 850 900 950 1000

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

0

1

Ga

in (

dB

)

frequency (MHz)

NF

(d

B) Gain

NF, Gain vs. frequency

NF

(f=750~1000MHz)

NJG1127HB6

- 11 -


(共通条件：Ta=+25oC, fRF =880MHz, VDD=VINV=2.8V, VCTL=0V, Zs=Zl=50,指定の外部回路 1 による)

S11, S22 S21, S12

Zin, Zout VSWR

NJG1127HB6

- 12 -


(共通条件：Ta=+25oC, fRF =880MHz, VCTL=0V, Zs=Zl=50,指定の外部回路 1 による)

6

7

8

9

10

11

2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6

P-1

dB

(OU

T)

(dB

m)

VDD, VINV (V)

P-1dB(OUT) vs. VDD, VINV

P-1dB(OUT)

(f=880MHz)

0.00

0.05

0.10

0.15

0.20

2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4

0

5

10

15

20

IDD (

uA

)

VDD, VINV (V)

IINV (

uA

)

IDD

IDD, IINV vs. VDD, VINV

IINV

(RF OFF)

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

VS

WR

i

VDD, VINV (V)V

SW

Ro

VSWRi

VSWRi, VSWRo vs. VDD, VINV

VSWRo

(f=880MHz)

20

22

24

26

28

30

32

34

36

2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4

14

16

18

20

22

24

26

28

30

OIP

3 (

dB

m)

VDD, VINV (V)

IIP

3 (

dB

m)

OIP3

OIP3, IIP3 vs. VDD, VINV

IIP3

(f1=880MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-12dBm)

-4.0

-3.5

-3.0

-2.5

-2.0

-1.5

-1.0

-0.5

0.0

2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

Gain

(d

B)

VDD, VINV (V)

NF

(d

B)

Gain

Gain, NF vs. VDD, VINV

NF

(f=880MHz)

NJG1127HB6

- 13 -

-25

-20

-15

-10

-5

0

5

10

15

-40 -30 -20 -10 0 10

Po

ut

(dB

m)

Pin (dBm)

P-1dB(IN)=-4.4dBm

Pout

Pout vs. Pin(fRF=760MHz, High Gain mode)

P-1dB(OUT)=+10.8dBm

4

6

8

10

12

14

16

18

20

9

10

11

12

13

14

15

16

17

-40 -30 -20 -10 0 10

Ga

in (

dB

)

IDD (

mA

)

Pin (dBm)

Gain

IDD

Gain, IDD vs. Pin(fRF=760MHz, High Gain mode)

P-1dB(IN)=-4.4dBm

0

5

10

15

20

0 5 10 15 20

k f

ac

tor

frequency (GHz)

k factor vs. frequency(fRF=50M~20GHz, High Gain mode)

特性グラフ (LNA High Gain モード 2)

(共通条件: Ta=+25oC, fRF=760MHz, VDD=VINV=VCTL=3.3V, Zs=Zl=50, 指定の外部回路 2 による)

-100

-80

-60

-40

-20

0

20

-40 -30 -20 -10 0 10

Po

ut,

IM

3 (

dB

m)

Pin (dBm)

IIP3=+8.3dBm

Pout

IM3

Pout, IM3 vs. Pin(fRF=760M+760.1MHz, High Gain mode)

0.8

1

1.2

1.4

1.6

1.8

2

12

13

14

15

16

17

18

600 650 700 750 800 850 900

No

ise

Fig

ure

(d

B)

Ga

in (

dB

)frequency (MHz)

NF

NF, Gain vs. frequency(fRF=600M~900MHz, High Gain mode)

Gain

(NF: Exclude PCB, Connector Losses)

NJG1127HB6

- 14 -

特性グラフ (LNA High Gain モード 2)

(共通条件: Ta=+25oC, fRF =760MHz, VDD=VINV=VCTL=3.3V, Zs=Zl=50, 指定の外部回路 2 による)

S11, S22 S21, S12

Zin, Zout VSWR

NJG1127HB6

- 15 -

-50

-40

-30

-20

-10

0

10

-40 -30 -20 -10 0 10 20

Po

ut

(dB

m)

Pin (dBm)

P-1dB(IN)=+10.0dBm

Pout

Pout vs. Pin(fRF=760MHz, Low Gain mode)

P-1dB(OUT)=+7.4dBm

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

-40 -30 -20 -10 0 10 20

Ga

in (

dB

)

IDD (

mA

)

Pin (dBm)

Gain

IDD

Gain, IDD vs. Pin(fRF=760MHz, Low Gain mode)

P-1dB(IN)=+10.0dBm

特性グラフ (LNA Low Gain モード 2)

(共通条件: Ta=+25oC , fRF =760MHz, VDD=VINV=3.3V, VCTL=0V, Zs=Zl=50, 指定の外部回路 2 による)

-100

-80

-60

-40

-20

0

20

-40 -30 -20 -10 0 10 20 30

Po

ut,

IM

3 (

dB

m)

Pin (dBm)

Pout

IM3

Pout, IM3 vs. Pin(fRF=760M+760.1MHz, Low Gain mode)

IIP3=+20.8dBm

0

5

10

15

20

0 5 10 15 20

k f

ac

tor

frequency (GHz)

k factor vs. frequency(fRF=50M~20GHz, Low Gain mode)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

-5

-4

-3

-2

-1

0

1

2

3

600 650 700 750 800 850 900

No

ise

Fig

ure

(d

B)

Ga

in (

dB

)frequency (MHz)

NF

NF, Gain vs. frequency(fRF=600M~900MHz, Low Gain mode)

Gain

(NF: Exclude PCB, Connector Losses)

NJG1127HB6

- 16 -

特性グラフ (LNA Low Gain モード 2)

(共通条件: Ta=+25oC, fRF =760MHz, VDD=VINV=3.3V, VCTL=0V, Zs=Zl=50, 指定の外部回路 2 による)

S11, S22 S21, S12

Zin, Zout VSWR

NJG1127HB6

- 17 -


(共通条件：fRF =880MHz, VDD=VINV=2.8V, VCTL=1.85V, Zs=Zl=50,指定の外部回路 1 による)

NJG1127HB6

- 18 -


(共通条件：fRF =880MHz, VDD=VINV=2.8V, VCTL=0V, Zs=Zl=50,指定の外部回路 1 による)

NJG1127HB6

- 19 -


(共通条件: fRF=760MHz, VDD=VINV=VCTL=3.3V, Zs=Zl=50, 指定の外部回路 2 による)

NJG1127HB6

- 20 -


(共通条件：fRF =760MHz, VDD=VINV=3.3V, VCTL=0V, Zs=Zl=50,指定の外部回路 2 による)

NJG1127HB6

- 21 -

外部回路図 1 (fRF＝880MHz)

基板実装図 1 (fRF＝880MHz)

部品番号型名

L1～L4 太陽誘電製

HK1005 シリーズ

C1,C2 村田製作所製

GRM15 シリーズ

■外部部品リスト 1 (fRF=880MHz)

(Top View)

RF IN RF OUT

VDD

VCTL VINV

L1

L2

L4

L3 C1

C2

PCB

基板材質：FR-4

基板厚：0.2mm

マイクロストリップライン幅：0.4mm

(Z0=50)

外形サイズ：17.0mm×17.0mm

RF IN RF OUT

Bias

Circuit

Logic

Circuit

1

35

8

7

6 2

4

L1 39nH

L2 12nH

L3 12nH

L4 12nH

C1 1000pF

C2 1000pF

VDD=2.8V

VCTL=0V or 1.85V VINV=2.8V

(Top View)

1 Pin INDEX

NJG1127HB6

- 22 -

外部回路図 2 ( fRF＝760MHz)

基板実装図 2 (fRF＝760MHz)

部品番号型名

L1 ~ L4 村田製作所製

LQP03T_02 シリーズ

C1,C2 村田製作所製

GRM03 シリーズ

RF IN

VDD

VCTL VINV

L1

L2 39nH

L4

L3 C1

C2

(Top View)

RF OUT

PCB

基板材質：FR-4

基板厚：0.2mm

マイクロストリップライン幅：0.4mm

(Z0=50)

外形サイズ：17.0mm×17.0mm

RF IN RF OUT

Bias

Circuit

Logic

Circuit

1

35

8

7

6 2

4

L1 39nH

L2 15nH

L3 15nH

L4 12nH

C1 15pF

C2 1000pF

VDD=3.3V

VCTL=0V or 3.3V VINV=3.3V

(Top View)

1 Pin INDEX

■外部部品リスト 2 (fRF＝760MHz)

NJG1127HB6

- 23 -

0.038±0.01

1pin INDEX

0.4±0.1

(TOP VIEW) (SIDE VIEW)

1.5

±0

.05

0.2±0.050.2±0.05

0.3

±0

.1

0.2

±0

.10

.2±

0.1

0.5±0.1 0.5±0.1

1.5±0.05

R0.075

7 6 5

1 2 3

84

0.14±0.05

(BOTTOM VIEW)

0.3±0.05

0.55±0.05

■パッケージ外形図（USB8-B6）

＜注意事項＞

このデータブックの掲載内容の正確さには

万全を期しておりますが、掲載内容について

何らかの法的な保証を行うものではありませ

ん。とくに応用回路については、製品の代表

的な応用例を説明するためのものです。また、

工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴

うものではなく、第三者の権利を侵害しない

ことを保証するものでもありません。

ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項

この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のため、

製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は、関

連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。

この製品は静電放電･サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。

端子処理 : 金メッキ

基板 : FR5

モールド樹脂 : エポキシ樹脂

単位 : mm

重量 : 4mg

njg1127hb6 800mhz 帯低雑音増幅器 gaas mmicnjg1127hb6 - 2 - 絶対最大定格 t a =+25 c,...

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