«Мощные радиочастотные транзисторы и ...joint stock company...

Докладчик: Грищенко Сергей Викторович

Воронеж 2018

«Мощные радиочастотные транзисторы и усилительные модули на их основе»

2 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

Радиочастотное направление АО «НИИЭТ»

Мощные ВЧ и СВЧ транзисторы

Кремниевые биполярные

Кремниевые полевые

DMOS и LDMOS

GaN HEMT

(ТВПЭ)

Усилительные модули

В миниатюрном корпусе

Типа «Pallet»

В металлическом экранированном

корпусе

МИС СВЧ


КОЭФФИЦИЕНТ УСИЛЕНИЯ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ

0

5

10

15

20

25

30

БТ DMOS LDMOS GaN

Ко

эф

фи

ци

ент

уси

ле

ни

я,

дБ

Данные для частоты 500 МГц


ПОЛОСА СОГЛАСОВАНИЯ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ

0

1

2

3

4

5

6

7

БТ DMOS LDMOS GaN

Пол

оса

со

гла

со

ва

ни

я, ГГц

При допустимом уровне рассогласования с КСВН = 2


КРЕМНИЕВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

- Диапазон частот 200 – 1150 МГц

- Выходная мощность 0,5 – 500 Вт

- Коэффициент усиления 3 – 10 дБ

- КПД стока 35 – 60 %

- Напряжение питания 7,5; 12,5; 28; 50 В


КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ


- Выходная мощность 0,5 – 1200 Вт

- Коэффициент усиления 8,5 – 19 дБ

- КПД стока 40 – 65 %

- Напряжение питания 12,5; 28; 50 В

- Технология DMOS, LDMOS


МУ-200

высоковольтный n-канальный полевой транзистор

- Максимально допустимое

постоянное напряжение сток-исток 800 В

- Импульсный ток стока 30 А

- Сопротивление сток-исток в

открытом состоянии 0,8 Ом

УМ в диапазоне до 1МГц

СДВ системы связи


2П9111 - LDMOS ТРАНЗИСТОРЫ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ


- Выходная мощность 80; 150; 250 Вт

- Коэффициент усиления 17; 16; 15 дБ

- КПД стока 65 %

- Напряжение питания 28 В

- Режим работы непрерывный

Аналог: BLF546, BLF647,

ф. AMPLEON, NXP


2П9120 – СЕРИЯ СВЕРХМОЩНЫХ LDMOS ТРАНЗИСТОРОВ


- Выходная мощность 500; 1000; 1200 Вт




- Режим работы импульсный

Аналоги: BLF574, BLF578,

ф. AMPLEON, NXP


2П9103 - LDMOS ТРАНЗИСТОРЫ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ


- Выходная мощность (ПО) 10; 45; 75; 150; 300 Вт

- Коэффициент усиления 16 дБ




- Уровень комбинационных

составляющих ≤ - 25 дБ

Аналог: BLF2045, BLF861, BLF872,

ф. AMPLEON, NXP


2П9123 ЛИНЕЙНЫЕ LDMOS ТРАНЗИСТОРЫ УВЧ-ДИАПАЗОНА


- Выходная мощность (ПО) 0,5, 15, 100 Вт


- Коэффициент полезного

действия 40 %

- Напряжение питания 28; 50 В



- Режим работы двухтоновый

Аналог:BLF871, ф. NXP


2П9133 ШИРОКОПОЛОСНЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ LDMOS ТРАНЗИСТОРЫ

L-ДИАПАЗОНА

Тип

транзистора

РВЫХ И,

Вт

fmin,

МГц

fmax,

МГц

КУР, дБ ηC, % UПИТ, В Тип корпуса

2П9133А 25 1200 1400 17 43 50 КТ-55С-1

2П9133Б 35 1200 1400 16 43 36 КТ-55С-1

2П9133В 50 1200 1400 16 43 50 КТ-55С-1

2П9133Г1 350 1200 1400 16 43 50 КТ-81B-1

2П9133ДС 500 1200 1400 16 43 50 КТ-103A-2

Режим работы импульсный (τи = 1 мс, Q = 10)

Аналоги: ф. NXP, AMPLEON, INTEGRA


ОКР «ВОЛЬТ-И10»

«Комплект мощных ВЧ DMOS транзисторов непрерывного режима для работы

в ОВЧ диапазоне частот»

Тип


РВЫХ,

Вт

Fтест,

МГц

КУР, дБ ηC, % UПИТ, В UСИ

max, В

Тип корпуса

2ПЕ226А 30 30 18 50 50 125 КТ-31А

2ПЕ310А 150 108 18 50 50 170 КТ-31В

2ПЕ311А 300 30 20 50 50 170 КТ-31С

2ПЕ311Б 400 30 19 50 50 170 КТ-31С

2ПЕ310Б 150 150 18 50 100 250 КТ-31В

Аналоги: ф. NXP, ST


МОЩНЫЕ СВЧ НИТРИД ГАЛЛИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Мощные импульсные GaN транзисторы

Тип


РВЫХ,

Вт

fТЕСТ,

МГц

fmax,

МГц

КУР,

дБ

ηC, % UПИТ,

В

Тип корпуса

ТНГ270100-28 100 2700 3500 9 60 28 КТ-55C-1

ТНГ310100-50 100 3100 3500 11 50 50 КТ-55C-1

ТНГ400100-50 100 4000 4500 12 50 50 КТ-55C-1

Параметры радиоимпульса: (τи = 300 мкс, Q = 10)


МОЩНЫЕ СВЧ НИТРИД ГАЛЛИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Серия мощныx 28 В GaN транзисторов для непрерывного режима

Тип


РВЫХ,

Вт

fТЕСТ,

МГц

fmax,

МГц


ПП9136А 5 4000 6000 17,5 55 28 КТ-81С-1

ПП9137А 10 4000 6000 14 60 28 КТ-81С-1

ПП9138А 15 4000 6000 13 55 28 КТ-81С-1

ПП9138Б 25 4000 6000 11 52 28 КТ-81С-1

ПП9139А1 50 2900 4000 14 60 28 КТ-55C-1


ОКР «Дискрет-39-Т»,

GaN транзисторы для L-, S-, C-, X- диапазонов частот (1)

Тип транзистора РВЫХ ,

Вт

fmin,

ГГц

fmax, ГГц

(fтест, ГГц)


Тип 1 400* 0,5 1,6

(1,6) 12 60 50 КТ-81B-1

Тип 2-1 80 0,03 1,8

(1,7) 17 65 28 КТ-55С-1

Тип 2-2 60 0,03 3,1

(2,5) 15 65 28 КТ-55С-1

Тип 3-1 20 0,03 4,2

(4) 13 45 28 КТ-81С-1

Тип 3-2 2 0,03 4,2

(4) 13,5 45 28 КТ-81С-1

*Режим работы импульсный (τи = 1 мс, Q = 10)

Аналоги: ф. CREE, SUMITOMO, FUJITSU, INTEGRA, MICROSEMI




Тип транзистора РВЫХ ,

Вт

fmin,

ГГц

fmax, ГГц

(fтест, ГГц)


Тип 4-1 5 7,7 8,7

(7,7 - 8,7) 13 30 28 КТ-81С-1

Тип 4-2 30 7,7 8,7

(7,7 - 8,7) 12 30 28 QF253

Тип 5-1 0,5 0,03 12

(12) 6 20 28 QF062

Тип 5-2 0,12 0,03 12

(12) 7 20 28 QF062




Тип транзистора РВЫХ,

Вт

fmin,

ГГц

fmax, ГГц

(fтест, ГГц)


Тип 6 5 0,03 6

(4) 13 45 28 КТ-81С-1

Тип 7 10 0,03 6

(4) 10 45 28 КТ-81С-1

Тип 8 15 0,03 6

(4) 10 45 28 КТ-81С-1

Тип 9 25 0,03 6

(4) 9 45 28 КТ-81С-1

Тип 10 100 0,03 2,5

(1,5) 13 45 28 КТ-55С-1

Аналоги: ф. CREE, SUMITOMO, FUJITSU, INTEGRA, MICROSEMI


ОКР «Дискрет-40»,

Импульсные биполярные СВЧ транзисторы L- диапазона частот

Тип транзистора РВЫХ И,

Вт

fmin,

ГГц

fmax, ГГц КУР, дБ ηC, % UПИТ, В Тип корпуса

Тип 1 15 1,45 1,55 10 35 50 Тип 1

Тип 2 110 1,45 1,55 9 45 50 Тип 2

Тип 3 650 1,45 1,55 8 40 50 Тип 3

Тип 4 20 1,03 1,09 12 45 50 Тип 1

Тип 5 140 1,03 1,09 10 50 50 Тип 2

Тип 6

800 1,03 1,09 8 50 50 Тип 3

Аналоги: ф. INTEGRA


СТЕНД ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ S-ПАРАМЕТРОВ И ОПТИМАЛЬНЫХ

ИМПЕДАНСОВ

ИСТОЧНИКА И НАГРУЗКИ СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ


- Выходная мощность ≤ 400Вт

- КСВН 1:25


непрерывный


УНГ20С2560 – Интегральный усилительный модуль на базе МИС СВЧ


УСИЛИТЕЛЬНЫЕ МОДУЛИ

УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ В МИНИАТЮРНОМ КОРПУСЕ

- Диапазон частот 1,5 – 1215 МГц

- Выходная мощность 1 – 100 Вт

- Входная мощность 1 – 100 мВт

- Напряжение питания 7,5; 12,5; 28; 50 В

- Корпуса К-1 - 14×42×6 мм

К-2 - 20×67×9 мм


УМ135-3 - СВЕРХШИРОКОПОЛОСНЫЙ МОДУЛЬ УМ

- Рабочий диапазон частот 1,5 – 520 МГц

- Выходная мощность 5 Вт

- Входная мощность 20 мВт




- Корпус К2 - 20×67×9

мм


УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ В МИНИАТЮРНОМ КОРПУСЕ

на

GaN транзисторах

УМ140-12


- Импульсная выходная мощность 100 Вт

- τи=10мкс, Q=10

- Коэффициент усиления 30дБ


- Корпус К-2В - 20×67×9 мм


М44265, М44266 - ИМПУЛЬСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ (ПАЛЛЕТ)

S-ДИАПАЗОНА

- Полоса частот 2,7 – 3,1 ГГц

- Выходная мощность 300; 80 Вт

- Коэффициент усиления 8;10 дБ





τи = 500мкс

Q = 10


М421354 - УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ (ПАЛЛЕТ) НЕПРЕРЫВНОГО РЕЖИМА

ВЧ-ДИАПАЗОНА

- Полоса частот 1,5 – 30 МГц










УМП00130-300 - УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ (ПАЛЛЕТ) НЕПРЕРЫВНОГО

РЕЖИМА

ВЧ-ДИАПАЗОНА

- Полоса частот 1,5 – 30 МГц










УМП3570-130 – УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ (ПАЛЛЕТ) НЕПРЕРЫВНОГО

РЕЖИМА ОВЧ-ДИАПАЗОНА

- Полоса частот 35 – 70 МГц


- Входная мощность 20 мВт






УМП148-2к – ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ (ПАЛЛЕТ)

ОВЧ-ДИАПАЗОНА

- Рабочая частота 148,5 МГц







τ =120мкс,

Q =500


ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ УМ-15К

- Рабочая частота 148,5 МГц

- Выходная мощность 15 кВт


- Напряжение питания 220 В -50Гц

- Габариты 500 х 550 х 450 мм


τ =120мкс,

Q =500


ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ В ЭКРАНИРОВАННОМ КОРПУСЕ

L-ДИАПАЗОНА







ИМПУЛЬСНЫЕ УСИЛИТЕЛЬНЫЕ МОДУЛИ СВЧ В ГЕРМЕТИЧНОМ

ЭКРАНИРОВАННОМ КОРПУСЕ L-ДИАПАЗОНА






33

АО «Росэлектроника»

121059, Россия г. Москва

Бережковская наб., д. 38, стр.1

Тел.: +7 (495) 777-42-82

Факс: +7 (495) 708-23-16

E-mail: [email protected]

mailto:[email protected]

АО «Росэлектроника»

121059, Россия г. Москва

Бережковская наб., д. 38, стр.1

Тел.: +7 (495) 777-42-82

Факс: +7 (495) 708-23-16

E-mail: [email protected]

mailto:[email protected]

«Мощные радиочастотные транзисторы и ...joint stock company...

Documents