휴대폰용 적층형 압전음향부품 제조공정 기술지원 · -2-제 출 문...

휴대폰용 적층형 압전음향부품휴대폰용 적층형 압전음향부품휴대폰용 적층형 압전음향부품휴대폰용 적층형 압전음향부품

제조공정 기술지원제조공정 기술지원제조공정 기술지원제조공정 기술지원

2005. 102005. 102005. 102005. 10

지원기관 요업 세라믹 기술원지원기관 요업 세라믹 기술원지원기관 요업 세라믹 기술원지원기관 요업 세라믹 기술원: ( ): ( ): ( ): ( )

지원기업지원기업지원기업지원기업 :::: 주 신우전자주 신우전자주 신우전자주 신우전자( )SWP( )SWP( )SWP( )SWP

산 업 자 원 부산 업 자 원 부산 업 자 원 부산 업 자 원 부

- 2 -

제 출 문제 출 문제 출 문제 출 문

산 업 자 원 부 장 관 귀 하산 업 자 원 부 장 관 귀 하산 업 자 원 부 장 관 귀 하산 업 자 원 부 장 관 귀 하

본 보고서를 휴대폰용 적층형 압전음향부품 제조공정 기술지원 지원기간“ ”( : 2004.

과제의 기술지원성과보고서로 제출합니다10.~2005. 9.) .

2005. 10. 31.2005. 10. 31.2005. 10. 31.2005. 10. 31.

지원기관 기관명 요업기술원지원기관 기관명 요업기술원지원기관 기관명 요업기술원지원기관 기관명 요업기술원: ( ): ( ): ( ): ( )

대표자 정 수 철대표자 정 수 철대표자 정 수 철대표자 정 수 철( )( )( )( )

지원기업 기업명 주 신우전자지원기업 기업명 주 신우전자지원기업 기업명 주 신우전자지원기업 기업명 주 신우전자: ( ) ( )SWP: ( ) ( )SWP: ( ) ( )SWP: ( ) ( )SWP

대표자 허 훈대표자 허 훈대표자 허 훈대표자 허 훈( )( )( )( )

지원책임자 김 병 익지원책임자 김 병 익지원책임자 김 병 익지원책임자 김 병 익::::

참여연구원 조 정 호참여연구원 조 정 호참여연구원 조 정 호참여연구원 조 정 호::::

전 명 표전 명 표전 명 표전 명 표" :" :" :" :

이 용 현이 용 현이 용 현이 용 현" :" :" :" :

- 3 -

기술지원성과 요약서기술지원성과 요약서기술지원성과 요약서기술지원성과 요약서

사업목표사업목표사업목표사업목표1.1.1.1.

본 지원사업의 목표는 최근 휴대폰의 기능 화음 스테레오 등 의 다양화로( , , MP3 )

휴대폰용 음향부품은 고출력 광대역 효율 등의 향상된 성능을 요구에 충족할, ,

수 있는 휴대폰용 적층형 압전 음향부품의 제조공정기술을 확립하는 것이다.

압전음향부품용 고유전율 압전소재 개선 지원-

유전율 전기결합계수 기계적품질계수= 3000, 60, 70

적층형 압전세라믹스 제조기술 개발 지원-

층두께 층= 20 , 3~5㎛

압전음향부품용 적층형 세라믹스 개발 지원- Bimorph Unit

적층형 압전세라믹스 진동판= +

기술지원내용 및 범위기술지원내용 및 범위기술지원내용 및 범위기술지원내용 및 범위2.2.2.2.


고유전율의 압전소재 개선 지원은 본 지원연구원에서 보유중인 압전소재 기술을

바탕으로 압전소재 개선 지원


장비 등 적층형 압전세라믹스를 제조 할 수 있는 장비를Dr, bladc, Laminate

지원하여 기업에서 요청한 이내의 두께로 층 이상을 적층하는 제조기술, 30 3㎛

을 지원


적층된 업전세라믹스와 진동판 조합을 통한 을 제조하는 한편Bimorph Unit ,

의 특성향상 신뢰성 향상 및 분석 기술을 지원Bimorph Unit ,

- 4 -

지원실적지원실적지원실적지원실적3.3.3.3.

지원항목지원내용

비고기술지원前 기술지원後

압전음향부품용

고유전율 압전소재 개선

유전율 2000,

전기결합계수 60,

기계적품질계수 70

유전율 3287

전기결합계수 61.7

기계적품질계수 102

계PNN-PZT

적층형 압전세라믹스

제조기술

단층형

압전세라믹스 제조

적층형

압전세라믹스 제조tape casting

압전음향부품용 적층형

세라믹스 Bimorph Unit

단층형

세라믹스 Bimorph

Unit

적층형

세라믹스 Bimorph

Unit

1. round type

2. square type

기술지원 성과 및 효과기술지원 성과 및 효과기술지원 성과 및 효과기술지원 성과 및 효과4.4.4.4.

해당기술 적용제품해당기술 적용제품해당기술 적용제품해당기술 적용제품1)1)1)1)

적용제품명 휴대폰 적용o :

모 델 명o : SPS-2117W, SPE-3407W

품질 및 가격품질 및 가격품질 및 가격품질 및 가격2)2)2)2)

원가절감 효과원가절감 효과원가절감 효과원가절감 효과3)3)3)3)

구 분 절 감 금 액 비 고

원부자재 절감 백만원 년120 / ( 10%)

인건비 절감 백만원 년/ ( %)

계 백만원 년120 / ( 10%)

- 5 -

적용제품 시장전망 매출성과적용제품 시장전망 매출성과적용제품 시장전망 매출성과적용제품 시장전망 매출성과4) ( )4) ( )4) ( )4) ( )

구 분당해연도

매출

차년도

예상매출

전년대비

증가비율비고

내 수 백만원 년/ 백만원 년600 /차년도

매출발생예정

수 출 천달러 년/ 천달러 년1,200 /차년도

매출발생예정

계 백만원 년/ 백만원 년1,600 /차년도

매출발생예정

참고) 적용제품 주요수출국 미국 유럽 중국1. : , ,

작성당시 환율기준 원2. : 1,000 = 1$

수입대체효과수입대체효과수입대체효과수입대체효과5)5)5)5)

해당기술의 기술력 향상 효과해당기술의 기술력 향상 효과해당기술의 기술력 향상 효과해당기술의 기술력 향상 효과6)6)6)6)

유전율 이상의 고유전율 압전 소재 개선 및 이내의 두께로 층 이상3000 20 3㎛

을 적층한 압전세라믹스를 제조할수 있는 기술을 바탕으로 압전음향부품용 적층

형 세라믹스 제작시 압전스피커는 이Bimorph Unit SPL(Sound Pressure Level)

약 이상의 음압 향상의 효과가 있음7dB

- 6 -

기술적 파급효과기술적 파급효과기술적 파급효과기술적 파급효과7)7)7)7)

본 기술지원의 파급효과는 관련 기술의 원천기술확보로 기술경쟁력 강화가 예상

되며 따라서 확보된 기술을 바탕으로 내수는 물론 수출력 향상의 파급효과가,

예상된다 또한 새로운 개념의 적층형 압전 소형스피커 기술이 도입되므로써 그. ,

동안 기술적 한계에 부딪혔던 소형 스피커업계에 한 단계 뛰어 넘는 기술이 확

보되어 이동통신 단말기의 다양하게 요구되는 음향특성의 기능을 충족시킬 수

있을 것으로 기대 된다 적층형 압전 소형 스피커의 활용 방안으로는 고출력 광. ,

대역 등의 특성으로 이동통신 단말기 노트북 등 소형음향기기의 사용, PDA, PC

이 필수적인 정보화 기기에 적용될 것이며 출력 음향특성 등 기존 기술의 기술, ,

적 한계를 뛰어 넘을 수 있는 것으로 예상된다.

적용기술 인증 지적재산권 획득여부적용기술 인증 지적재산권 획득여부적용기술 인증 지적재산권 획득여부적용기술 인증 지적재산권 획득여부5. ,5. ,5. ,5. ,

규격 인증획득규격 인증획득규격 인증획득규격 인증획득1) ,1) ,1) ,1) ,

지적재산권지적재산권지적재산권지적재산권2)2)2)2)

종 류 명칭 번호발명자고안자( )

귄리자 실시권자비고

등록 출원( , )

실용압전세라믹을이용한

전자음향변환기389002 신우SWP 신우SWP 신우SWP 등록

실용압전세라믹을이용한

전자음향변환기389003 신우SWP 신우SWP 신우SWP 등록

- 7 -

세부지원실적세부지원실적세부지원실적세부지원실적6.6.6.6.

항 목지원

건수지 원 성 과

기술정보제공

건289 기술지원 관련 특허 자료 별첨( 1)

건110 기술지원 관련 논문자료 별첨( 2)

건44 기술지원 관련 전문 서적 별첨( 3)

시제품제작 건5 압전스피커 시제품제작

양산화개발 건

공정개선

건16 고유전율 압전 조성물 개신

건12 하소 및 소결 공정 개선

건5 제조 기술Slurry

건8 제조 기술Green sheet

건3 및 소결기술Binder Burn out

건3 전극 형성 및 분극 기술

품질향상 건

시험분석

건8 측정TG - DSC

건4 입도분석

건68 를 이용한 결정상 분석XRD

건74 을 이용한 미세구조 관찰SEM

수출 및 해외바이어발굴 건

교육훈련

건4 공개강좌 참석 별첨( 4)

건4 현장기술기능인 교육 참석 별첨( 4)

건2 예비기술기능인 교육 참석 별첨( 4)

기술마케팅 경영자문/ 건

정책자금알선 건1 부품 소재 신뢰성 기반 확산사업ㆍ

논문게재 및 학술발표 건

사업관리시스템

지원실적업로드 회수건12 지원실적업로드

지원기업 방문회수건9 별첨( 5)

건36 파견근무 일수 일 주(2 / )

기 타 건

- 8 -

종합의견종합의견종합의견종합의견7.7.7.7.

압전음향부품용 고유전율 압전소재 개선 지원1.

고유전율 압전조성 [0.4Pb(Ni1/3Nb2/3)O3 - 0.6Pb(Zr0.32Ti0.68)O3 + 0.25MnO2의

기술 지원으로 유전율 전기적결합계수 기계적품질계수등의 기초 재료의 특성을, ,

향상 시켜 음향 특성 향상에 기여함.

적층형 압전세라믹스 제조기술 개발 지원2.

에 의한 성형 기술지원- Dr. Blade Sheet

에 의한 전극형성기술지원- Screen Printer

에 의한 적층기술지원- Laminater

소결 기술지원-

분극 기술지원 등을 통하여 적층형 압전세라믹스 제조기술을 지원함-

압전음향부품용 적층형 세라믹스 개발 지원3. Bimorph Unit

적층형 압전세라믹스 제조기술개발 지원을 통하여 제작된 이내의 두께로20 3㎛

층 이상을 적층된 압전세라믹스를 진동능력이 뛰어난 에 접착하여Vain(Ni Alloy)

형 압전스피커를 제작하여 기존 스피커에 비해 뛰어난 성능의 압전스피Bimor[h

커를 제작 지원함.

- 9 -

연구과제 세부과제 성과연구과제 세부과제 성과연구과제 세부과제 성과연구과제 세부과제 성과( )( )( )( )□□□□

과학기술 연구개발 성과과학기술 연구개발 성과과학기술 연구개발 성과과학기술 연구개발 성과1.1.1.1.

논문게재 성과□

사업화 성과사업화 성과사업화 성과사업화 성과2.2.2.2.

특허 성과□

출원된 실용신안의 경우○

세부사항

출원년도 실용신안명 출원인 출원국 출원번호

2005압전세라믹을 이용한

전자음향변환기신우전자SWP 한국 05-11774


전자음향변환기신우전자SWP 한국 05-11776

등록된 실용신안의 경우○

특허 세부사항

등록년도 실용신안명 등록인 등록국 등록번호


전자음향변환기신우전자SWP 한국 389002


전자음향변환기신우전자SWP 한국 389003

- 10 -

사업화 현황□

고용창출 효과□

- 11 -

세부지원 실적 증빙내용□

기술정보 제공 건 별첨 자료1. : 443 ( 1,2,3)

시제품 제작 건2. : 5

공정 개선 건3. : 47

- 12 -

시험 분석 건4. : 154

교육훈련 건5. : 10

No 일자 구체적 내용 증비유무

1 2004.10.18 센서기술 자료

2 2004.10.26 분석기술교육 자료

3 2005.01.03 실습교육 및 이론교육 실습

4 2005.02.15 성형공정 자료

5 2005.02.25 기술 및 응용NT 자료

6 2005.03.25 에너지 저장기술 및 동향 자료

7 2005.03.29 세라믹스 기초이론 자료

8 2005.07.04 실습교육 및 이론교육 실습

9 2005.07.27 소결이론 및 실습 자료

10 2005.09.07 반도체산업에 있어서의 파인세라믹스 자료

정책자금알산 건6. : 1

No 일자 구체적 내용 증비유무

1 2005.05.20 부품소재신뢰성기반기술확산사업 사업계획서

- 13 -

별첨 자료 1

NoNoNoNo 특허 제목 국내 특허특허 제목 국내 특허특허 제목 국내 특허특허 제목 국내 특허( )( )( )( )

1 압전 세라믹 조성물


3 적층 액츄에이터용 압전 세라믹 조성물 및 그 제조 방법

4 연성계 압전 세라믹 조성물 및 이를 이용한 압전 세라믹장치

5 세라믹 발진자용 비납계 압전 세라믹 조성물 및 그 제조 방법

6 가속도 센서용 압전 세라믹 조성물 및 그 제조 방법

7저온에서 소결이 가능한 조성물과 이를 이용한 압전P Z T

세라믹 장치

8 압전 자기 조성물


10 세라믹 액츄에이터용 압전 세라믹 조성물 및 압전 세라믹 제조 방법

11 압전 세라믹 조성물과 그 압전 세라믹 조성물을 이용한 압전소자



14 내열성 및 주파수 안정성이 우수한 압전 세라믹 조성물 및 이를 이용한 압전기기


16 압전 트랜스포머용 압전 세라믹스 조성물

17 가속도 센서용 압전 세라믹스 조성물

18 고주파 레조네이터용 세라믹 조성물


20 압전트랜스포머용 조성세라믹스의 제조방법

21고출력 압전 디바이스용 압진 세라믹 조성물 이를 이용한 압전 변압기 및 그,

구동방법

22 가속도 센서용 압전 세라믹스 조성물

23 세라믹 필터용 압전 세라믹스 조성물

24 압전자기 조성물 및 그 제조방법

25 압전 재료용 산화물 조성물

26 압전 세라믹 조성물 및 이의 제조 방법

27 저온 소결 압전체 조성 및 이 조성에 따른 저온 소결 압전체 제조 방법




31저하된 소결 온도에서 은과 함께 공연소할 수 있는 손실율의 세라믹 조성물 및P Z T

그의 제조 방법

32 세라믹 필터용 조성물

33 고진폭 압전 디바이스용 압전 세라믹 조성물

34 초전 재료용 세라믹 조성물

35 초음파 진동자용 압전 세라믹스 조성물


37 온도 특성이 우수한 압전 액츄에이터용 세라믹 조성물

38 압전 트랜스포머용 세라믹스 조성물의 제조 방법 및 압전 트랜스포머의 분극 방법

- 14 -

NoNoNoNo 특허 제목 국내 특허특허 제목 국내 특허특허 제목 국내 특허특허 제목 국내 특허( )( )( )( )

39 압전자기 조성물 및 이것을 이용한 압전 소자






45 바이모프 액츄에이터용 압전 세라믹스 조성물


47 적외선 센서용 초전성 세라믹스 조성물

48 압전자기 조성물 및 그의 제조방법

49 새로운 조성물의 압전 재료 개발





54전기 에너지 변환용 세라믹스 조성물 제조 방법 및 상기조성물을 이용한 장방형 판상 압전

트랜스포머

55 고주파용 압전 세라믹 조성물


57 저온 소결용 유전체 세라믹스 조성물

58 초전형 적외선 센서용 세라믹 조성물 및 그 제조 방법


60 신규한 압전 세라믹 조성물 및 그를 이용한 적층형 변위 소자의 제조 방법

61 작동기용 압전 세라믹 조성물


63 미소 변위 소자용 전왜 세라믹스 조성물

64 두께 진동자용 압전 세라믹 조성물

65 압전 자기 조성물의 제조 방법


67 전기적 특성이 우수한 압전 세라믹 조성물



70 압전자기 조성물의 제조 방법



73 투광성 압전 세라믹스 조성물


75 압전 자기 조성물의 제조 방법


77 고유전율계 세라믹 조성물

- 15 -

NoNoNoNo 특허 제목 미국 특허특허 제목 미국 특허특허 제목 미국 특허특허 제목 미국 특허( )( )( )( )

78 Soft piezoelectric ceramic composition and piezoelectric device using the same

79 Piezoelectric ceramic composition and piezoelectric element using the same

80 Piezoelectric ceramic composition and piezoelectric ceramic device using the same

81Piezoelectric ceramic composition reducing leakage current and piezoelectric device

using the same

82 Compositions for ceramic igniters

83Piezoelectric ceramic composition, and high power output transformer made of the

same composition


same composition

85 Piezoelectric ceramic composition and piezoelectric ceramic device using the same


same composition


same composition

88 Piezoelectric ceramic composition and piezoelectric element containing the same

89 Piezoelectric ceramic compositions


91 Composition and piezoelectric porcelain

92 Piezoelectric ceramic composition and methods for production thereof

93 Piezoelectric ceramic composition for use in an Itrasonic wave motor

94 Composition for piezoelectric ceramics

95 Piezoelectric ceramic composition and piezoelectric device using the same

96 Piezoelectric ceramic composition for use piezoelectric transformer

97 Piezoelectric ceramic composition



100Low-loss PZT ceramic composition cofirable with silver

at a reduced sintering temperature and process for producing same

101Complex substituted lanthanum-lead-zirconium-titanium perovskite, ceramic

composition and actuator



104 Piezo-electric ceramic composition


106 Lead perovskite based ceramic compositions without any free lead oxide

107PZT ceramic compositions having reduced sintering temperatures and process for

producing same

108 Piezoelectric ceramic composition for actuator

109 Ceramic composition

110 Piezoelectric ceramic composition for actuators

111 Composition for piezoresistive and superconductive application

112 Piezoelectric ceramic composition for actuator

- 16 -

NoNoNoNo 특허 제목 미국 특허특허 제목 미국 특허특허 제목 미국 특허특허 제목 미국 특허( )( )( )( )


114Piezoelectric element with giant electrostrictive effect and ceramic composition for

preparing same


116Conductor composition and method of manufacturing a ceramic multilayer

structure using the same

117Low temperature sintering ceramic material composition

and process for producing the low temperature sintering ceramic


119 Low-temperature sintering ceramic composition

120Process for injection molding ceramic composition employing an agaroid gell-forming

material to green strength to a

121 Dielectric ceramic composition

122 PTC ceramic composition

123 Ceramic compositions and devices

124 Method of preparing a ceramic composition

125 Low fire ceramic compositions

126 Ferroelectric ceramic composition

127 Ceramic compositions and devices

128 Ceramic composition for a piezoelectric body and electromechanical transducer

129 Ceramic compositions

130 High dielectric constant type ceramic composition


132 Ferromagneticpiezoelectric ceramic composition

133 Ferromagnetic piezoelectric ceramic composition

134 Method of preparing a piezoelectric ceramic composition


136 Ferroelectric ceramic compositions


NoNoNoNo 특허 제목 유럽 국제 특허특허 제목 유럽 국제 특허특허 제목 유럽 국제 특허특허 제목 유럽 국제 특허( , )( , )( , )( , )

138PIEZOELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND PIEZOELECTRIC ELEMENT INCLUDING

THE SAME

139 Piezoelectric ceramic composition, its production method and piezoelectric device

140Piezoelectric/electrostrictive film type device and piezoelectric/electrostrictive

porcelain composition

141 Piezoelectric ceramic composition and piezoelectric actuator for ink-jet head

142PIEZOELECTRIC PORCELAIN COMPOSITION, PIEZOELECTRIC ELEMENT, AND

METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

143 Piezoelectric ceramic composition and piezoelectric actuator for ink-jet head

144 Composition of piezoelectric porcelain

145Piezoelectric ceramic composition and method of production of same, piezoelectric

element, and dielectric element

146 Composition of piezoelectric ceramics

- 17 -


147PIEZOELECTRIC PORCELAIN COMPOSITION, LAMINATED

PIEZOELECTRIC DEVICE THEREFROM AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME

148

PIEZOELECTRIC COMPOSITION, PIEZOELECTRIC BODY COMPRISING SAID

COMPOSITION AND A METHOD FOR PRODUCING SAID COMPOSITION AND SAID

BODY

149Piezoelectric ceramic composition, its production method, and piezoelectric device

and dielectric device

150 Piezoelectric ceramic composition, its production method, and piezoelectric device


152 COMPOSITIONS FOR CERAMIC IGNITERS

153 Composition of piezoelectric porcelain

154PIEZOELECTRIC CERAMIC COMPOSITIONS AND METHODS FOR PRODUCTION

THEREOF

155LOW-LOSS PZT CERAMIC COMPOSITION COFIRABLE WITH SILVER AT A REDUCED

SINTERING TEMPERATURE AND PROCESS FOR PRODUCING SAME

156Process for stabilizing organotion compounds with lactames and/or lactones, and

metalalcotolates, and compositions for the coating of glass and ceramics

157 Dielectric ceramic composition and electronic device

158LOW-LOSS PZT CERAMIC COMPOSITION COFIRABLE WITH SILVER AT A REDUCED

SINTERING TEMPERATURE AND PROCESS FOR PRODUCING SAME

159Process for stabilizing organotin compounds with lactames and/or lactones, and

metalalcoholates, and compositions for the coating of glass and ceramics

160METHOD FOR PREPARING SILICON CARBIDE CERAMIC MATERIALS, AND

STARTIND COMPOSITION FOR USE WITH THIS METHOD

161 Printing medium for ceramic colouring composition

162 DEVICE FOR MIXING A DENTAL CERAMIC COMPOSITION

163Partially crystallizing ceramic enamel composition containing bismuth silicate, and use

thereof

164COMPOSITION FOR FORMING CERAMIC SUBSTANCES AND PROCESS

FOR PRODUCING CERAMIC SUBSTANCES

165 CERAMIC SLIP COMPOSITION AND METHOD FOR MAKING THE SAME

166 WHISKER REINFORCED CERAMIC CUTTING TOOL AND COMPOSITION THEREOF

167MULTILAYER CO-FIRED CERAMIC COMPOSITIONS AND CERAMIC-ON-METAL

CIRCUIT BOARD

168Silicon nitride ceramic, silicon-base composition for

production thereof and processes for producing these

169CERAMIC COATING COMPOSITIONS AND METHOD OF APPLYING SUCH

COMPOSITIONS TO CERAMIC OR METALLIC SUBSTRATES

170 BISMUTH-BASED DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITIONS

171 Low-fire ceramic dielectric compositions and capacitors made therefrom

172COMPOSITION FOR FORMING CERAMIC SUBSTANCES AND PROCESS FOR

PRODUCING CERAMIC SUBSTANCES

173 WHITEWARE CERAMIC SUBSTANCES

174 Dielectric ceramic compositions

- 18 -


175Semiconducting ceramic composition having positive

temperature coefficient of resistance and production process

176

Ceramicizable size composition for continuous mineral

filaments, filaments coated with composition and sizing process and heat

treatment using the composition

177 Ceramic dielectric compositions

178 Brazing composition and process for an alumina containing ceramic

179 Dielectric ceramic compositions and dielectric resonators

180Low viscosity medium for a ceramic coating composition,

which makes possible a high solids content

181Complex, substituted lanthanum-lead-zirconium-titanium-perowskite, ceramic

composition and actuator

182METHOD FOR PREPARING SILICON CARBIDE CERAMIC MATERIALS, AND

STARTING COMPOSITION FOR USE WITH THIS METHOD

183

METHOD FOR PREPARING SILICON CARBIDE CERAMIC MATERIALS, AND/OR

PRECURSORS THEREOF, AND STARTING COMPOSITION FOR USE WITH THIS

METHOD

184PROCRSS AND COMPOSITION FOR ASSEMBLING PART MADE OF

CERAMIC AND REFRACTIRY ALLOY

185 DEVICE FOR MIXING A DENTAL CERAMIC COMPOSITION

186CHEMICALLY ACTIVE CERAMIC COMPOSITIONS WITH A THIOL AND/OR

AMINE MOIETY

187 CHEMICALLY ACTIVE CERAMIC COMPOSITIONS WITH A PHOSPHO-ACID MOITY

188 CHEMICALLY ACTIVE CERAMIC COMPOSITIONS WITH A PYROGALLOL MOIETY

189CHEMICALLY ACTIVE CERAMIC COMPOSITIONS WITH AN HYDROXYQUINOLINE

MOIETY

190 Compositions for colouring ceramics and process therefor

191 CERAMIC SLIP COMPOSITION AND METHOD FOR MAKING THE SAME


193Binder for ceramic compositions, thermally processable compositions and process

for the manufacture of norganic, shaped, sintered bodies

194CERAMIC FIBERS AND METHODS, MACHINES AND COMPOSITIONS OF MATTER

FOR MAKING THE SAME

195 Ceramic composition for circuit substrat and its fabrication

196 GLASS AND CERAMIC CLEANING COMPOSITIONS

197PROCESS AND COMPOSITION FOR ASSEMBLING PART MADE OF CERAMIC AND

REFRACTORY ALLOY

198 Process for preparing a ceramic body and composition therefor

199 Dielectric ceramic compositions

- 19 -


200

METHOD FOR JOINING CERAMIC AND METAL-CERAMIC HEATING ELEMENTS TO

ELECTRICAL TERMINALS BY MICROPYRETIC SYNTHESIS, COMPOSITIONS FOR

ELECTRICAL TERMINALS AND HEATERS COMPRISING THE SAME


202 Lead perovskite based ceramic composition

203 Microwave dielectric ceramic composition

204 Ceramic composition and thermistor comprising such ceramic composition

205 ANTIBACTERIAL MILDEWPROOF GLAZE COMPOSITION FOR CERAMIC PRODUCTS

206 Process for the preparation of sintered ceramic bodies and compositions therefor

207Process for the preparation of fine monodispersed oxide powders, fine

monodispersed oxide powder, ceramic composition and its use

208Decorated ceramic and glass products, process for their manufacture, and coloured

ceramic compositions to be used in this process

209Substituted barium-neodymium-titanium perovskite, dielectric, ceramic composition

and capacitor, and microwave component containing said composition

210 WHITEWARE CERAMIC COMPOSITIONS

211 CERAMIC GLASS COMPOSITION

212PROCESS FOR PREPARING AN OSSEOUS CERAMIC MATERIAL AND BONE

REGENERATING AND GROWTH PROMOTING COMPOSITION

213 Microwave dielectric ceramic composition and preparing method thereof

214Alumina composition, molded article and ceramics and process for producing

ceramics

215 A raw material composition for ceramic materials and process for its preparation

216CERAMIC FIBERS AND METHODS, MACHINES AND COMPOSITIONS OF MATTER

FOR MAKING THE SAME

217 ANTIBACTERIAL MILDEWPROOF GLAZE COMPOSITION FOR CERAMIC PRODUCTS

218INJECTABLE CERAMIC COMPOSITIONS AND METHODS FOR THEIR PREPARATION

AND USE

219 Ceramic composition, thermistor element, and process for producing a ceramic body

220DECORATIVE FLOOR COVERINGS HAVING THE APPEARANCE FO CERAMIC TILE AND

COMPOSITIONS AND METHODS FOR MAKING SAME

221Ceramic composition thermistor element comprising same,

processes for producing same

222 Non-reducing dielectric ceramic composition

223 Batch compositions for cordierite ceramics

224 Composition fo dielectric ceramics

225 Thermal shock resistant multilayer ceramic capacitor termination compositions


- 20 -


227 Unleaded transpararent vitreous ceramic compositions and articles

228circuit substrate comprising nitride type ceramics method for preparing it, and

metallizing composition for use in it

229Ceramic via composition, multilayer ceramic circuit containing same, and process for

using same

230 ZINC-STABLE CERAMIC INK COMPOSITIONS

231PROCESS AND CERAMIC MOULD FOR PRODUCING TITANIUM DENTAL CASTINGS

AND CERAMISABLE COMPOSITION FOR MAKING SUCH A CERAMIC MOULD

232 Ceramic adhesive composition and use thereof

233 Improved X7R dielectric ceramic composition and capacitor made therefrom

234INJECTABLE CERAMIC COMPOSITIONS AND METHODS FOR THEIR PREPARATION

AND USE

235 Dielectric ceramic composition and multilayer microwave device employing the same

236 Dielectric ceramic compositions and microwave devices using, the same

237DECORATIVE FLOOR COVERINGS HAVING THE APPEARANCE OF CERAMIC TILE AND

COMPOSITIONS AND METHODS FOR MAKING SAME

238Dielectric ceramic composition, method of preparing the composition, and dielectric

resonator or filter using the composition

239 Dielectric ceramic composition for high-frequency use and dielectric material

240 A superconducting ceramic composition

241Dielectric ceramic composition containing zinc oxide-boron oxide-silica glass,

method of preparation and use thereof as resonator and filter

242 Method of producing low temperature firing dielectric ceramic composition

243 BaO-xTiO2 dielectric ceramic composition

244 Low dielectric inorganic composition for multilayer ceramic package


246 POLYMERIC CERAMIC BINDER COMPOSITIONS

247Via paste compositions and use thereof to form conductive vias in circuitized

ceramic substrates

248IMPROVED CERAMIC DIELECTRIC COMPOSITIONS AND METHOD FOR ENHANCING

DIELECTRIC PROPERTIES

249 IMPROVED CERAMIC DIELECTRIC COMPOSITION AND METHOD OF PREPARATION

250IMPROVED CERAMIC DIELECTRIC COMPOSITIONS AND METHOD FOR IMPROVING

SINTERABILITY

251 Method and compositions for binding ceramic powders

252Ceramic compositions having a metallic coating, method of making the same and

composition of the powder used

- 21 -


253 Ceramic color composition and process for producing a sheet glass employing it

254 Ceramic compositions and processes for the manufacture and use thereof

255Ceramic composition for dielectric resonator and process for preparing the

composition

256 DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION


258METHOD AND COMPOSITION OF PREPARING ENCAPSULATED CERAMIC METAL

OXIDES

259Plasticizer and injection mouldable composition containing metallic and ceramic

powder

260 COMPOSITIONS FOR REDUCING WEAR ON CERAMIC SURFACES


262Ceramic composition for the production of the upper layer of double layered

stonewarw tiles

263 Ceramic composition

264 Dielectric ceramic composition of BaO, TiO2, Nd2O3,Sm2O3 and Al2O3


266 Lubricant and grease composition for ceramic meterial

267 Dielectric ceramic composition of BaO, TiO2, Nd2O3, Sm2O3 and Al2O3

268 Low dielectric inorganic composition for multilyer ceramic package

269 Dental ceramic composition for titanium prostheses

270 Ceramic compositions

271 A ceramic paint composition

272 Di-electric ceramic composition and dielectric resonator

273 CERAMIC COMPOSITION AND ELECTRONIC COMPONENT MADE THEREFORM

274Process for coating and bending a glass plate and ceramic colour coating

composition

275 Composition for ceramics and processes for their production


277Oligosiloxanes as well as reinforced thermoplastic compositions and ceramic

compositions obtained therewith

278Method of producing porous ceramic filter, using cordierite composition including

talc and silica powders

279 Composition suitable for injection moulding of ceramic powders

280IMPROVED CERAMIC DIELECTRIC COMPOSITIONS AND METHOD FOR

ENHANCING DIELECTRIC PROPERTIES

281IMPROVED CERAMIC DIELECTRIC COMPOSITIONS AND METHOD OF

PREPARATION

282IMPROVED CERAMIC DIELECTRIC COMPOSITIONS AND METHOD FOR

IMPROVING SINTERABILITY

- 22 -


283 Vitreous ceramic composition suitable for coating ceramic articles

284Vitreous ceramic composition with high crystallization speed for glazing ceramic

pieced and in particular tiles

285 Thermoplastic composition for the preparation of ceramic moulding masses

286 VIA-FORMING CERAMICS COMPOSITION

287 PIEZOELECTRIC CERAMIC COMPOSITION FOR ACTUATOR


289Refractory and electroconductive ceramic compositions and process for the

preparation thereof

- 23 -

별첨 자료 2

No.No.No.No. 논문 제목논문 제목논문 제목논문 제목

1 세라믹스 테이프케스팅 성형기술(Tape Casting)

2 테이프 캐스팅법에 의한 용 박판 제조MCFC Anode Ni-WC

3 적층압전변압기의 전기적 특성

4분말의 함량 및 적층공정이 법으로 제조된 의 물성에 미치는Tape Casting Ni-Zn Ferrite

영향

5와 분말의 혼합비율에 따른 테이프 캐스트된 지르코니아 박판의 전기적3Y-ZrO2 8Y-ZrO2

성질의 변화

6 후막의 마이크로파 소성 및 전기적 특성BaTiO3

7 계의 조성변화에 의한 다층 콘덴서 물성Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3

8 유기물 조성에 따른 알루미나 테이프의 열간 가압 거동

9테잎 캐스팅법을 이용하여 통전활성 소결법으로 제조한 경사기능성 계 복합PSZ/NiCrAlY

체의 미세구조와 열차폐 특성

10 옥살산염법에 의한 계 초전도계 분말 합성과 후막 제조(Bi, Pb)-2223

11 테이프 케스팅 거동에 미치는 알루미나의 입도분포의 영향

12 Anisotropy of theSilicon Nitride Prepared by Tape Casting

13 기판 양산용 기술Alumina Tape Casting

14 알루미나 활석계에서 알루미나의 입자 크기가 테이프 케스팅 및 소결 거동에 미치는 영향-

15 을 이용한 자기강화 질화규소 보합체 제조Medified Tape Casting

16 계 압전세라믹스의 전기적 특성에 미치는 상의 영향PNN-PT-PZ Pyrochlore

17 계 완화형 강유전체에서 전왜특성의 온도 의존성PMN

18 계 페로브스카이트 의 자리 에 따른 및Pb A-複合化合物置渙燒結誘電特性

19 계 세라믹스의 소결 및 전기적 특성Pb(Zn, Nb)O3-Pb(Ni, Nb)O3-PbTiO3-PbZrO3

20계에서 의 화학적 특성이 상생성 미세화학Pb(Zn, Mg)1/3Nb2/3O3 Columbite Precursors ,

및 유전특성에 미치는 영향

21계에서 자리 치환에 따른 상환정화 및 유전 특성Pb(Zn0.6Mg0.4)1/3Nb2/3O3 [PZMN] A-

변화

22 계에서 자리 치환에 따른 상안정화 및 유전특성변화Pb(Zn0.6Mg0.4)1/3Nb2/3O3 A-

23 계 완화형 강유전체의 특성에 미치는 첨가량의 변화Pb(Zn0.3Nb2/3)O3PbTiO3 PbTiO3

- 24 -


24Electical and mechanical properties of NiO doped Pb(Ni1/3Nb2/3)O3 - PbTiO3 -

PbZrO3 ceramics

25Effect of Sintering Temperature on the Dielectric Property of Lead Magnesium

Niobate-Lead Titanate Ceramics

26 의 첨가가 세라믹스의 유전특성에 미치는 영향CuO PMN-PT

27Pyroelectric property of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 ceramics for pyroelectric sensor

application

28두가지 형태의 법으로 제조된 세라믹스columbite precursor Pb(Ni, Nb)O3-Pb(Zr, Ti)O3

에서의 유전 및 압전 특성에 미치는 의 첨가 영향CuO


30 계 압전세라믹스의 전기적 특성에 미치는 상의 영향PNN-PT-PZ Pyrochlore


32 계의 유전 및 압전특성Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3

33가 첨가된 계의 미소 거시 분역 반전과 열탄성 마르텐PbZrO3 Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 -

사이트 변태

34 장방형 세라믹 공진자의 비선형공진특성PZT

35 세라믹의 유전 및 압전특성(Pb, Nd)(Ti, Mn)O3

36 Effects of dopants on the microstructure and properties of PZT ceramics

37 강유전 음극에서 비대칭 전극구조가 전자 방출 특성에 미치는 영향Pb(Zr0.3Ti0.2)O3

38 첨가 세라믹스의 치밀화와 고용한계NiO Pb(Zro.525 Ti0.475)O3

39 Effects of dopants on the microstructure and properties of PZT ceramic

40 강유전 음극에서 비대칭 전극구조가 전자 방출 특성에 미치는 영향Pb(Zro.8Ti0.2)O3

41계의 정방정상과 능면체정상의 경계조성에 대한 기계적 응력과 전기장의 영향 열역학PZT :

적 고찰

42 압전세라믹스의 전기적 특성에 미치는 상의 영향PNN-PT-PzrP Pyrochlore

43 계의 유전 및 압전특성Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3

44가 첨가된 계의 미소 거시 분역 반전과 열탄성 마르텐PbZrO3 Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 -

사이트 변태

45 고용체의 합성반응기구PMN-PT-BT

46Effect of silver dopant on electrical properties of PMN-PNN-PZT piezoelectric

ceramics by complex impedance spectroscopy

- 25 -


47Modified cofiring behaviors between PMN-PNN-PZT piezoelectric ceramics and

PZT-doped 70Ag-30Pd alloy metallization

48Processing and properties of PMMN-PZT quaternary piezoelectric ceramic for

ultrasonic motors

49Microdisplacement characteristicsand microstructures of functionally graded

piezoelectric ceramic actuator

50 하소온도가 의 와 공진특성에 미치는 영향PZT Kg

51 하소온도가 의 소결특성에 미치는 영향PZT

52 Indented crack growth during poling of a high displacement PZT material

53 압전세라믹소자 개발에 관한 연구

54 닥터블레이드법에 의한 계 경사기능 압전 엑튜에이터의 제조와 압전 변위 특성PLZT

55정방정상과 능면체상의 경계조성 세라믹스에서 화학조성의 불균일성이 상 공Pb(Zr, Ti)O3

존에 미치는 영향

56 세라믹의 구조와 전기적 특성(Bal-xPbx)TiO3

57 의 결정구조가 압전특성에 미치는 영향PVDF

58 컨버터용 압전 세라믹의 분극전계에 의한 전기적 특성DC-DC

59 용 재료 개발High Power

60 컨버터용 압전 세라믹의 분극전계에 의한 전기적 특성Dc-DC

61 치환에 의한 초음파 송신기용 압전 소자의 전기적 특성에 관한 연구Ba

62 내부전극을 이용한 적측형 압전 액츄에티어의 제조AgPd

63 형광등 점등용 압전트랜스포머

64 집중 등가회로를 사용한 압전 변압기의 승압비 및 효율 해석

65 진동 측정용 압전형 가속도센서의 압전특성 효과

66 종 횡파 동시 측정용 초음파 센서의 개발-

67 적측형 압전 액튜에이터의 제조 및 압전특성

68 세라믹스의 유전이력 특성에 미치는 의 영향Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 MnO2

69 용융점 합성법에 의한 가 첨가된 의 유전성MnO2 Pb(Fe1/2Nb1/2)O3

70 세라믹스의 유전 및 압전성에 미치는 의 영향Pb(Zr0.52 Ti0.48) O3 MnO2ㅐ

- 26 -


71 저온에서 소결한 세라믹스의 전기적특성Pb(Mg,Te,Mn,Nb)O3 Pb(Zr,Ti)O3

72 가 계의 전기 및 압전성질에 미치는 영향La2O3 Pb(Sn1/7Mn2/7Nb4/7)O3-Pb(Zr,Ti)O3

73 세라믹의 대역 압전특성(Pb,La)(Ti,Mn)O3 VHF

74 합성시 전구체 혼합방법에 따른 반응 경로 변화Pb(Zn0.6Mg0.4)1/3Nb2/3O3[PZMN]

75 세라믹스의 소결 거동 및 압전 특성에 대한 연구Pb(1-x)Cdx[Mn, Sb),Zr,Ti]O3

76 와 첨가가 반도체 세라믹의 전기적 특성에 미치는 영향Nb2O5 MnO Pb0.6Sr0.4TiO3

77 첨가에 따른 계 완화형 강유전체에서의 압전특성MnO2 PMN-PT

78 기판위에 증착시킨 박막의 특성 및 그 응용ITO PLT

79소결체 및 전극의 크기와 조성이 계 압전세라믹스의Pb(Mn1/3Nb2/3)O3 PbTiO3-PbZrO3

공진특성에 미치는 영향

80 계 압전 세라믹의 필터로서의 응용Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3

81 수열합성에 의한 계의 분말제조 및 특성Pb(Mn1/3 Sb2/3)0.08Ti0.425O3 Kp

82 계의 유전 및 압전성질(Pb1-1.5xLax)(Til-yMny)O3

83 고주파 유전체 의 첨가에 따른 유전특성 변화(Pb0.62Ca0.38)ZrO3 Mn

84을 첨가한 계 세라믹스의 물리적 성질과 압전트랜스의CeO2 Pb(Mg, Te, Mn, Nb)O3-PZT

출력특성

85계에서 의 화학적 특성이 상생성 미세화학Pb(Zn, Mg)1/3Nb2/3O3 Columbite precursors ,

및 유전특성에 미치는 영향

86 차 두께방향 진동모드로 동작되는 압전트랜스포머의 특성2 Voltage Gain

87 이동통신용 표면탄성과 필터의 내전력 특성

88 유기 고분자재료의 압전특성에 관한 연구

89 원환형 초음파 모터

90 Measurement Techniques of Piazolectric Ceramics

91 압전트랜스 적층화 기술

92 압전재료의 평가기술

93 세라믹의 필터 에 미치는 의 영향? Kp2QM Pb(Mg1/3N2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3電特性

94 세라믹 의 에 관한壓電變壓器昇壓特性硏究

95 액츄에이터와壓電詔音波電動機

- 27 -


96 압전 세라믹스 주파수 소자의 소개와 개발 동향

97 압전 세라믹 의 특성 및 기술동향Converter

98 압전 세라믹 변압기의 구동회로 기술

99 압전 변압기의 기초 이론

100 세라믹스 테이프케스팅 성형기술(Tape Casting)

101 분압용 세라믹과 압전 액츄에이터를 이용한 고전압 계측에 관한 연구

102 복합 압전 트랜스듀서의 전기적 특성

103 등가화 방법을 이용한 금속 압전 세라믹 적층평판의 진동해석-

104 도플러효과에 의한 주파수 변화에 대응하는 수중 초음파변환자의 제안

105결합형 유한요소 경계요소 기법을 사용한 심해저용 압전형 유연성 쏘나 트랜스듀서의 구-

조 설계

106 강유전체 세라믹스에서의 전계인가에 따른 및 의 등시 측정Polarization Strain

107 법에 의한 계 미분말의 성형과 소결성Slurry Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3

108가 테잎캐스팅법에 의해 제조된 세라믹스의 초전 특성에 미치는 영MnO2 Pb0.9La0.1TiO3

향

109다공성 세라믹스와 다공질층을 포함하는 적층세라믹스의 제조에 관한 연구 불균일 적층II.

소결체

110 다공성 세라믹스와 다공질층을 포함하는 적층세라믹스의 제조에 관한 연구 기공구조I.

- 28 -

별첨 자료 3

No.No.No.No. 기술 정보 서적기술 정보 서적기술 정보 서적기술 정보 서적

1 압전 센서의 기술 및 제품동향

2 파인세라믹스 제조공정

3 성형공정

4 소결이론의 현장 적용 및 후처리공정

5 분말 성형기 운영관리 및 금형설계

6 분무건조장치

7 성형의 기초이론

8 분위기 소결로, Box Furnace, hot process, HIP, CIP, GPS

9 파인세라믹스의 제조공정

10 소결의 이론

11 이론Kiln

12 가공 및 압출성형Tape casting

13 세라믹 원료 분체의 물성 및 평가

14 세라믹스 원료와 성형 및 소결공정의 이론과 실제

15 전재재료와 광학재료

16 파인세라믹스 기초이론

17 소결공정

18 분말 합성 기술 및 성형기술

19 소결기술

20 박막기법 후막기법,

21 세라믹스 분체

22 후처리가공 도금공정,

23 분석 기법 및AFM TG-DTA

24 이론 및 습식분석의 이론TEM , XRF

25 압출성형

26 광학용 세라믹스

27 여과 및 청정장치

28 압전 세라믹스의 응용기술

29 반도성 세라믹스

30 센서기술

31 에너지 저장기술 및 동향

32 반도체 산업에 있어서의 파인세라믹스 역할

33 투과 현미경

34 세라믹스의 광학적 성질

35 원자간력 현미경의 원리와 응용

36 선 회절 분석X-

37 성형기술 성형기법 가압성형I- ,

38 성형기술 후막기법 및 제조공정II-

39 성형기술 사출성형III-

40 소결기술 소결의 원리 및 응용I-

41 및 금형 기술Process

42 분무건조장치

43 세라믹스의 결정구조

44 세라믹스 화학 및 기기분석 방법

- 29 -

별첨 자료 4.

No. 날 짜 교육 내용 주 제

1 04.10.18 공개강좌 센서기술

2 04.10.26~28현장기술

기능인교육분석기술교육

3 05.01.03~28예비기술기능인

교육실습교육 이론교육,

4 05.02.15~18현장기술

기능인교육성형공정

5 05.02.25 공개강좌 기술 및 응용NT

6 05.03.25 공개강좌 에너지 저장기술 및 동향

7 05.03.29~31현장기술

기능인교육세라믹스 기초이론

8 05.07.04~29예비기술기능인

교육실습교육 이론교육,

9 05.07.27~29현장기술

기능인 교육소결이온 및 실습

10 05.09.07 공개강좌반도체 산업에 있어서의

파인세라믹스 역할

별첨 자료 5.

방문장소방문장소방문장소방문장소 방문일자방문일자방문일자방문일자 방문자방문자방문자방문자 방문 내용방문 내용방문 내용방문 내용

1 신우전자㈜ 월 일3 11 이용현 과재관련미팅

2 〃 월 일3 16 〃 관련미팅powder

3 〃 월 일3 25 〃 압전조성물 관련 미팅

4 〃 월 일3 31 〃 전달sample

5 〃 월 일3 29 〃 자료전달

6 〃 월 일4 11 〃〃

7 〃 월 일4 13 〃 업무협의

8 〃 월 일5 17 〃 전달sample

9 〃 월 일5 19 〃 업무협의

- 30 -

목 차목 차목 차목 차

제 장 서론제 장 서론제 장 서론제 장 서론1111

제 절 기술지원 필요성제 절 기술지원 필요성제 절 기술지원 필요성제 절 기술지원 필요성1111

제 절 기술지원 목표제 절 기술지원 목표제 절 기술지원 목표제 절 기술지원 목표2222

제 절 기술지원 내용제 절 기술지원 내용제 절 기술지원 내용제 절 기술지원 내용3333

제 장 본론제 장 본론제 장 본론제 장 본론2222

제 절 기술지원 성과제 절 기술지원 성과제 절 기술지원 성과제 절 기술지원 성과1111

기술지원 달성 정도기술지원 달성 정도기술지원 달성 정도기술지원 달성 정도1.1.1.1.

기술지원 내용기술지원 내용기술지원 내용기술지원 내용2.2.2.2.

가 압전음향부품용 고유전율 압전소재 개선 지원가 압전음향부품용 고유전율 압전소재 개선 지원가 압전음향부품용 고유전율 압전소재 개선 지원가 압전음향부품용 고유전율 압전소재 개선 지원....

나 적층형 압전세라믹스 제조기술 개발 지원나 적층형 압전세라믹스 제조기술 개발 지원나 적층형 압전세라믹스 제조기술 개발 지원나 적층형 압전세라믹스 제조기술 개발 지원....

다 압전음향부품용 적층형 세라믹스 개발 지원다 압전음향부품용 적층형 세라믹스 개발 지원다 압전음향부품용 적층형 세라믹스 개발 지원다 압전음향부품용 적층형 세라믹스 개발 지원. Bimorph Unit. Bimorph Unit. Bimorph Unit. Bimorph Unit

제 절 기술지원 수행제 절 기술지원 수행제 절 기술지원 수행제 절 기술지원 수행2222

기술지원 추진일정 및 성과기술지원 추진일정 및 성과기술지원 추진일정 및 성과기술지원 추진일정 및 성과1.1.1.1.

가 기술지원 추진일정가 기술지원 추진일정가 기술지원 추진일정가 기술지원 추진일정....

나 추진 일정 대비 기술지원 성과나 추진 일정 대비 기술지원 성과나 추진 일정 대비 기술지원 성과나 추진 일정 대비 기술지원 성과....

기술지원 방법기술지원 방법기술지원 방법기술지원 방법2.2.2.2.




제 장 결 론제 장 결 론제 장 결 론제 장 결 론3333

- 31 -

제 장 서론제 장 서론제 장 서론제 장 서론1111

제 절 기술지원 필요성제 절 기술지원 필요성제 절 기술지원 필요성제 절 기술지원 필요성1111

지원기업은 휴대폰용 초소형 음향부품 전문 제조기업 주요고객으로 국내에 삼성전

자 전자 팬택 큐리텔 등이 있으며 국외기업으로는 노키아 모토로라 지멘, LG , & , , , ,

스 필립스 캐논 후지쯔 등 휴대폰을 제조하는 거의 모든 기업을 고객으로 하고, , , ,

있다.

현재 방식의 음향부품이 주요 제품으로 자리 잡고 있으나 최근, Dynamic Electro ,

휴대폰의 기능 화음 스테레오 등 의 다양화로 휴대폰용 음향부품은 고출력( , , MP3 ) ,

광대역 효율 등의 향상된 성능을 요구받고 있다 기존 방식의 음, . Dynamic Electro

향부품의 기술적 한계를 뛰어넘고자 압전 음향부품의 기술지원이 필요하게 되었다.

제 절 기술지원 목표제 절 기술지원 목표제 절 기술지원 목표제 절 기술지원 목표2222

주요목표 세부목표 상세예상목표

휴대폰용 적층형

압전음향부품

제조공정

기술지원

고유전율 압전소재 개선 지원-

적층형 압전세라믹스-

제조기술 지원

적층형 세라믹스- Bimorph

개발 지원Unit

유전율- 3000

전기결합계수- 60

기계적품질계수- 70

적층수 층- 3~5

층 두께- 20㎛

제 절 기술지원 내용제 절 기술지원 내용제 절 기술지원 내용제 절 기술지원 내용3333


고유전율의 압전소재 개선 지원은 본 지원연구원에서 보유중인 압전소재 기술을 바

탕으로 기술지원

- 32 -


본 지원연구원에서는 등 기타 적층형 압전세라믹스를 제조 할 수 있는Dr, blade

장비를 보유하고 있으며 기업에서 요청한 이내의 두께로 층 이상을 적층하, 30 3㎛

는 제조기술 지원


적층된 업전세라믹스와 진동판 조합을 통한 을 제조하는 한편Bimorph Unit ,

의 특성향상 및 분석 기술 지원Bimorph Unit

- 33 -

제 장 본 론제 장 본 론제 장 본 론제 장 본 론2222

제 절 기술지원 성과제 절 기술지원 성과제 절 기술지원 성과제 절 기술지원 성과1111

기술지원 달성 정도기술지원 달성 정도기술지원 달성 정도기술지원 달성 정도1.1.1.1.

기술지원 목표기술지원 목표기술지원 목표기술지원 목표 목표대비 달성 정도목표대비 달성 정도목표대비 달성 정도목표대비 달성 정도

고유전율 압전소재 개선지원□

유전율- 3000

전기결합계수- 60%


적층형 압전세라믹 제조기술 개발 지원□

적층수 층- 3~5

층 두께- 20㎛

고유전율 압전소재 개선지원□

유전율- 3287

전기결합계수- 61.7%


적층형 압전세라믹 제조기술 개발 지원□

적층수 층- 3

층 두께- 30㎛

기술지원 내용기술지원 내용기술지원 내용기술지원 내용2.2.2.2.


고유전율 압전세라믹스 조성물 개발 지원-

유전율 이상 이상 이상= 3287 , Kp 61.7% , Qm 102

압전세라믹스 제조기술 개발 지원- powder

압전세라믹스의 분극 처리 기술 지원-

압전음향부품용 고유전율 압전소재 개선 지원을 통하여 목표대비 배의 고유전율을2

갖는 압전 조성물을 개발함으로써 고출력 광대역 효율 등의 향상된 성능을 요구하, ,

는 압전소재를 개발함.

- 34 -


제조공정 기술개발 지원- Slurry

제조 기술 지원- Green Sheet

두께 제조기술지원= 30 Green Sheet㎛

의 적층기술 지원- Green Sheet

적층= 30 3layer㎛

적층 의 소결기술 지원- sheet

분극처리 기술 지원-

적층형 압전세라믹스 제조기술지원을 통하여 압전세라믹스의 적층기술20 3layer㎛

을 습득함으로써 압전음향 부품의 음압 및 음질을 향상시킬 수 있는 기반을 마련

함.


및 조립 기술지원- Vain Meterial Bonding

음향특성 분석 기술지원-

적층된 압전세라믹스와 진동판 조합을 통한 과Bimorph Unit(round type square

을 제조하여 압전스피커의 특성향상 및 분석 기술을 지원함type)

- 35 -

제 절 기술지원 수행제 절 기술지원 수행제 절 기술지원 수행제 절 기술지원 수행2222

기술지원 추진일정 및 성과기술지원 추진일정 및 성과기술지원 추진일정 및 성과기술지원 추진일정 및 성과1.1.1.1.

가 기술지원 추진일정가 기술지원 추진일정가 기술지원 추진일정가 기술지원 추진일정....

- 36 -

나 추진 일정 대비 기술지원 성과나 추진 일정 대비 기술지원 성과나 추진 일정 대비 기술지원 성과나 추진 일정 대비 기술지원 성과....

- 37 -

기술지원 방법기술지원 방법기술지원 방법기술지원 방법2.2.2.2.


압전세라믹스 제조 방법압전세라믹스 제조 방법압전세라믹스 제조 방법압전세라믹스 제조 방법1)1)1)1)

가 압전세라믹스의 조성 설계가 압전세라믹스의 조성 설계가 압전세라믹스의 조성 설계가 압전세라믹스의 조성 설계))))

기존의 보유하고 있었던 압전센서에 사용되어진 압전소재에 대한 전기적 특성값들

을 표 에 나타내었다 표 과 같이 기존의 압전소재는 유전율과 전기 기계적 결1 . 1 ㆍ

합계수 가 작은 반면 기계적 품질계수 값이 큼을 볼 수 있다 그러나 음향(Kp) (Qm) . ,

부품용으로 사용을 위해서는 고출력 광대역의 성능을 요하므로 유전율과 전기 기, ㆍ

계적 계수가 크며 변위가 큰 압전 소재를 사용하여야 한다 따라서 기존의 압전조.

성물에 대하여 개선의 요지가 있어 특허와 논문검색을 통하여 아래와 같은 조성물

을 선정하여 압전소재 개선 실험을 하였다.

조성식< > xPb(Ni1/3Nb2/3)O3 - yPbZrO3 - zPbTiO3 (PNT-PZT)

그림 은 위 조성식에 대한 세라믹스의 상태도를 나타낸 것으로 실험에1 PNN-PZT

사용 되어진 조성식을 점으로 표시하였다.

그림 는2 “Pb(Ni1/3Nb2/3)O3 - PbTiO3 - PbZrO3 계의 유전 및 압전특성 에 대하여”

에 게재되어 있는 로서Journal of the korean Ceramic Society(Vol. 25, No.5) data

과PNN PbTiO3의 변화에 따른 유전율(εr 과 전기 기계결합계수 값의 변화를 나) (Kp)ㆍ

타낸 그래프 이다.

표 세라믹스의 전기적 특성표 세라믹스의 전기적 특성표 세라믹스의 전기적 특성표 세라믹스의 전기적 특성1. PCW-PZT1. PCW-PZT1. PCW-PZT1. PCW-PZT

조 성 εr Kp(%) Qm D33(10-12CN

-1)

PCW-PZT 1125 34.7 1955 350

- 38 -

그림 성분계의 상태도그림 성분계의 상태도그림 성분계의 상태도그림 성분계의 상태도1. PNN-PZ-PT 31. PNN-PZ-PT 31. PNN-PZ-PT 31. PNN-PZ-PT 3

- 39 -

그림 과그림 과그림 과그림 과2. PNN PbTiO2. PNN PbTiO2. PNN PbTiO2. PNN PbTiO3333 에 따른 유전율에 따른 유전율에 따른 유전율에 따른 유전율mole% (mole% (mole% (mole% (εεεεrrrr 과 전기 기계결합계수과 전기 기계결합계수과 전기 기계결합계수과 전기 기계결합계수) (Kp)) (Kp)) (Kp)) (Kp)ㆍㆍㆍㆍ

본 실험에 적용된본 실험에 적용된본 실험에 적용된본 실험에 적용된2. PbZrO2. PbZrO2. PbZrO2. PbZrO3333와와와와 PbTiOPbTiOPbTiOPbTiO3333의 변화에 따른 조성의 변화에 따른 조성의 변화에 따른 조성의 변화에 따른 조성

- 40 -

나 원료 합성나 원료 합성나 원료 합성나 원료 합성))))

표 에 본 실험에 적용된 조성을2. PbZrO3와 PbTiO3의 변화에 따라 나타내었다 출.

발물질로는 시약급의 PbO, ZrO2, TiO2, NiO, Nb2O5를 사용하였으며 를 원, powder

하는 조성식에 맞도록 의 오차범위로 정확히 평량한 후 영기±0.001g , polyethylene

에서 증류수를 분산용매로 하여 로 시간 습식 혼합하였다 아래에zirconia ball 24 .

원료 혼합 조건을 나타내었다.

원료의 혼합 방법은 일반적인 고상합성법과 법의 두가지 방법을 택하여columbite

공정 변화에 따른 특성을 개선하고자 하였다 법은 문헌에서 보고된 일반. columbite

적인 고상합성법에서 나타나는 NiNbO6의 상을 억제하는 방법으로 이pyroclore

상은 압전특성을 저하시키는 차상으로 나타난다 그림 에 본 실험에 응pyroclore 2 . 3

용된 두 공정을 나타내었다.

다 하소 및 성형다 하소 및 성형다 하소 및 성형다 하소 및 성형))))

일반적인 고상합성법으로 혼합된 는 에서 건조 후 분쇄slurry hot-plate (No.40

하여 에 넣어 까지 분의 승온 속도로 시간 유지sieve) alumina Crucible 900 5 / 2℃ ℃

하여 하소하였다 법으로 만들어진. columbite NiNbO6 는 까지 분의slurry 1100 5 /℃ ℃

승온 속도로 시간 하소 한 후4 PbO, ZrO2, TiO2와 다시 혼합하여 시간24 ball-mill

후 일반적인 고상합성법과 같이 하소 하였다.

- 41 -

그림 실험 공정도그림 실험 공정도그림 실험 공정도그림 실험 공정도3.3.3.3.

- 42 -

하소된 를 로 시간 분쇄 후 로서 를 약 첨가하powder ball-mill 48 binder 5%PVA 5%

여 로 분급하여 를 얻었다 이렇게 준비된 는200 mesh sieve powder . powder 10�

에 충진하여disk mold 1500kgf/cm2의 압력을 가하여 성형 시편을 제조하였다.

라 및 소결라 및 소결라 및 소결라 및 소결) binder burn-out) binder burn-out) binder burn-out) binder burn-out

성형된 시편을 까지 분으로 승온하여 를 소각하였으며550 0.5 / binder , 115℃ ℃

까지 분의 승온 속도로 시간 유지하여 소결을 하였다 소결 후0 ~1250 5 / 2 .℃ ℃ ℃

을 이용하여 미세구조를 관찰 하였다SEM .

마 전극부착 및 분극처리마 전극부착 및 분극처리마 전극부착 및 분극처리마 전극부착 및 분극처리))))

소결된 시편은 로 연마 세척한 후 양면에0.5t , silver paste(Sung Jee Tech. Co.

를 하여 건조 소성하였다 전극건조는SJA-41-252) screen pring , . 100 dry oven℃

내에서 실시하였으며 전극 소성은 에서 분간 유지시켜 행하였다 분극처리, 710 10 .℃

로는 속에서 의 전압을 인가하여 분간 행하였다80 Silicon oil 4KV/mm 30 .℃

바 물성측정바 물성측정바 물성측정바 물성측정))))

미세구조는 코팅을 한 후 주사전자 현미경을 이용하여 관찰하였으며 선Gold , x-

회절분석을 이용하여 시편의 상을 분석하였다 분극 후의 전기적 특성인.

와 주파수 특성은 를 사용하여 규Capacitance Impedance analyzer(HP4194) EMAS

격에 근거하여 측정하였다.

- 43 -

압전세라믹스 제조 결과압전세라믹스 제조 결과압전세라믹스 제조 결과압전세라믹스 제조 결과2)2)2)2)

가 을 이용한 상분석가 을 이용한 상분석가 을 이용한 상분석가 을 이용한 상분석) X-ray diffraction) X-ray diffraction) X-ray diffraction) X-ray diffraction

를 이용하여 비율에 따른 소결체의 상분석을 하였다 그림 는 일반XRD Ti/(Ti+Zr) . 4

적인 고상합성법을 이용하여 비율에 따른 소결체 의Ti/(Ti+Zr) powder XRD pattern

이다 그림 는 법을 이용하여 비율에 따른 소결체 의. 5 columbite Ti/(Ti+Zr) powder

이다 두 의 분석 결과 모두 상 및 는XRD pattern . pattern , pyroclore second phase

나타나지 않았으며 전형적인 상을 나타내었다 그림 과 은 시편perovskite . 6 7 Bulk

의 이다XRD pattern .

변화에 따른Ti/(Ti/Zr) Rhombohedral lattice parameter(aR 를 구하기 위하여 면) 200

의 을 하여 그림 에 나타내었다 의 양이 증가할수록 일XRD pattern scan 8 . Ti(Ti/Zr)

반적인 고상합성법과 법 모두 면의 위치가 뒤쪽으로 되어 나타나columbite 200 shift

는 것을 볼 수 있다.

그림그림그림그림 4. Conventional method XRD4. Conventional method XRD4. Conventional method XRD4. Conventional method XRD

pattern (powder)pattern (powder)pattern (powder)pattern (powder)

그림그림그림그림 5. Columbite method XRD5. Columbite method XRD5. Columbite method XRD5. Columbite method XRD

pattern (powder)pattern (powder)pattern (powder)pattern (powder)

- 44 -

그림그림그림그림 6. Conventional method XRD6. Conventional method XRD6. Conventional method XRD6. Conventional method XRD

pattern (bulk)pattern (bulk)pattern (bulk)pattern (bulk)

그림그림그림그림 7. Columbite method XRD7. Columbite method XRD7. Columbite method XRD7. Columbite method XRD

pattern (bulk)pattern (bulk)pattern (bulk)pattern (bulk)

그림 면의그림 면의그림 면의그림 면의8. 200 XRD pattern8. 200 XRD pattern8. 200 XRD pattern8. 200 XRD pattern

- 45 -

표 변화에 따른 면의표 변화에 따른 면의표 변화에 따른 면의표 변화에 따른 면의3. Ti/(Ti+Zr) 200 Rhombohedral lattice parameter(a3. Ti/(Ti+Zr) 200 Rhombohedral lattice parameter(a3. Ti/(Ti+Zr) 200 Rhombohedral lattice parameter(a3. Ti/(Ti+Zr) 200 Rhombohedral lattice parameter(aRRRR))))

의의의의(a) powder a(a) powder a(a) powder a(a) powder aRRRR값값값값 의의의의(b) Bulk a(b) Bulk a(b) Bulk a(b) Bulk aRRRR 값값값값

이는 문헌 조사의 결과와 일치하는 것으로 의 양이 증가할수록Ti/(Ti/Zr)

구조에서 구조로 변화되는 것으로 나타났다 표 에Rhombohedral Tetragonal . 3

면의200 Rhombohedral lattice parameter(aR 의 값을 일반적인 고상합성법과)

법으로 비교하여 나타내었다 그림 는 표 의 값들을 나타낸 이columbite . 9 2 profile

다.

그림 변화에 따른 면의그림 변화에 따른 면의그림 변화에 따른 면의그림 변화에 따른 면의9. Ti/(Ti+Zr) 200 Rhombohedral lattice paramcter(a9. Ti/(Ti+Zr) 200 Rhombohedral lattice paramcter(a9. Ti/(Ti+Zr) 200 Rhombohedral lattice paramcter(a9. Ti/(Ti+Zr) 200 Rhombohedral lattice paramcter(aRRRR))))

- 46 -

나 을 이용한 미세구조 관찰나 을 이용한 미세구조 관찰나 을 이용한 미세구조 관찰나 을 이용한 미세구조 관찰) SEM) SEM) SEM) SEM

일반적인 고상합성법으로 에서 소결되어진 의 미세구조 사진을 그림1200 sample℃

에 나타내었다 의 함량에 따라10 . Ti/(Ti+Zr) a=40, b=42, c=44, d=46, e=48, f=50

로 나타내었다 전체적으로 완전히 소결이 이루어 지지 않은 기공이 많은 양상을.

나타내었으며 소결된 들은 정도로 나타났다 그림 은 법으, grain 1~2 . 11 columbite㎛

로 에서 소결되어진 의 미세구조 사진으로 일반적인 고상합성법의 미1200 sample℃

세구조와 비슷한 양상을 띠었다.

그림 고상합성법을 이용하여 에서 소결된 의 미세구조그림 고상합성법을 이용하여 에서 소결된 의 미세구조그림 고상합성법을 이용하여 에서 소결된 의 미세구조그림 고상합성법을 이용하여 에서 소결된 의 미세구조10. 1200 sample10. 1200 sample10. 1200 sample10. 1200 sample℃℃℃℃

그림 법을 이용하여 에서 소결된 의 미세구조그림 법을 이용하여 에서 소결된 의 미세구조그림 법을 이용하여 에서 소결된 의 미세구조그림 법을 이용하여 에서 소결된 의 미세구조11. columbite 1200 sample11. columbite 1200 sample11. columbite 1200 sample11. columbite 1200 sample℃℃℃℃

- 47 -

다 압전세라믹스의 전기적 특성 관찰다 압전세라믹스의 전기적 특성 관찰다 압전세라믹스의 전기적 특성 관찰다 압전세라믹스의 전기적 특성 관찰))))

그림 에 일반적인 고상합성법과 법을 이용한 의 의 함12 clumbite sample Ti/(Ti+Zr)

량 변화에 따른 유전율 값을 나타내었다 변화에 따른유전율 변화의 값은. process

적었으며 의 함량 변하에 따른 유전율은 가 많이 들어갈수록 유전율 값, Ti/(Ti+Zr) Ti

이 증가함을 볼 수 있다.

그림 은 일반적인 고상합성법과 법을 이용한 의 의 함13 clumbite sample Ti/(Ti+Zr)

량 변화에 따른 전기 기계적 결합계수 값으로 유전율 변화와 비슷하게(Kp)ㆍ

변화에 따른 전기 기계적 결합계수 값의 변화는 적었다 그러나process (Kp) .ㆍ

의 함량 변화에 따른 전기 기계적 결합계수 값은 가 많이 들어갈수Ti/(Ti+Zr) (Kp) Tiㆍ

록 전기 기계적 결합계수 값이 증가하는 것으로 나타났다(Kp) .ㆍ

그림 는 일반적인 고상합성법과 법을 이용한 의 의 함14 clumbite sample Ti/(Ti+Zr)

량 변화에 따른 기계적 품질계수 값을 나타낸 이다 나(Qm) profile . process

의 함량 변화에 따른 기계적 품질계수 값의 변화는 적게 나타났으며Ti/(Ti+Zr) (Qm) ,

정도의 낮은 기계적 품질계수 값을 나타내고 있다30~37 (Qm) .

그림 와 의 함량 변화에 따른 유전율그림 와 의 함량 변화에 따른 유전율그림 와 의 함량 변화에 따른 유전율그림 와 의 함량 변화에 따른 유전율12. process Ti/(Ti+Zr)12. process Ti/(Ti+Zr)12. process Ti/(Ti+Zr)12. process Ti/(Ti+Zr)

- 48 -

그림 와 의 함량 변화에 따른 전기 기게적 결합계수그림 와 의 함량 변화에 따른 전기 기게적 결합계수그림 와 의 함량 변화에 따른 전기 기게적 결합계수그림 와 의 함량 변화에 따른 전기 기게적 결합계수13. process Ti/(Ti+Zr) (Kp)13. process Ti/(Ti+Zr) (Kp)13. process Ti/(Ti+Zr) (Kp)13. process Ti/(Ti+Zr) (Kp)ㆍㆍㆍㆍ

그림 와 의 함량 변화에 따른 기계적 품질계수그림 와 의 함량 변화에 따른 기계적 품질계수그림 와 의 함량 변화에 따른 기계적 품질계수그림 와 의 함량 변화에 따른 기계적 품질계수14. process Ti/(Ti+Zr) (Qm)14. process Ti/(Ti+Zr) (Qm)14. process Ti/(Ti+Zr) (Qm)14. process Ti/(Ti+Zr) (Qm)

- 49 -

그림 와 에는 일반적인 고상합성법과 법을 이용한 의15 16 clumbite sample

의 함량 변화에 따른 압전전하계수Ti/(Ti+Zr) d31값과 g31값을 비교하여 나타내었다.

두 값 모두 유전율 변화와 전기 기계적 결합계수 값의 변화와 비슷한 양상을(Kp)ㆍ

나타내었는데 변화의 값 차이는 볼 수 없었던 반면 의 함량에 따process , Ti/(Ti+Zr)

라서는 의 함량이 증가할수록 압전전하계수Ti/(Ti+Zr) d31값과 g31값 모두 증가하는

것으로 나타났다.

그림 와 의 함량 변화에 따른 압전전하계수그림 와 의 함량 변화에 따른 압전전하계수그림 와 의 함량 변화에 따른 압전전하계수그림 와 의 함량 변화에 따른 압전전하계수15. process Ti/(Ti+Zr) (d15. process Ti/(Ti+Zr) (d15. process Ti/(Ti+Zr) (d15. process Ti/(Ti+Zr) (d31313131))))

그림 와 의 함량 변화에 따른 압전전하계수그림 와 의 함량 변화에 따른 압전전하계수그림 와 의 함량 변화에 따른 압전전하계수그림 와 의 함량 변화에 따른 압전전하계수16. process Ti/(Ti+Zr) (g16. process Ti/(Ti+Zr) (g16. process Ti/(Ti+Zr) (g16. process Ti/(Ti+Zr) (g31313131))))

- 50 -

표 와 에는 전기적 특성 값들을 정리하여 나타내었다 표 는 고상합성법을 이용4 5 . 4

한 압전세라믹스 제조 결과의 소결온도에 따른 전기적 특성 값들을 정리 하였고,

표 에는 법을 이용하여 제조된 압전세라믹스의 소결온도에 따른 전기적5 columbite

특성 값들을 정리하여 나타내었다.

표 고상합성법으로 제조된 압전세라믹스의 소결온도에 따른표 고상합성법으로 제조된 압전세라믹스의 소결온도에 따른표 고상합성법으로 제조된 압전세라믹스의 소결온도에 따른표 고상합성법으로 제조된 압전세라믹스의 소결온도에 따른4. PNN-PZT4. PNN-PZT4. PNN-PZT4. PNN-PZT

전기적 특성전기적 특성전기적 특성전기적 특성

- 51 -

표 법으로 제조된 압전세라믹스의 소결온도에 따른 전기적표 법으로 제조된 압전세라믹스의 소결온도에 따른 전기적표 법으로 제조된 압전세라믹스의 소결온도에 따른 전기적표 법으로 제조된 압전세라믹스의 소결온도에 따른 전기적5. columbite PNN-PZT5. columbite PNN-PZT5. columbite PNN-PZT5. columbite PNN-PZT

특성특성특성특성

- 52 -

을 통한 압전세라믹스 특성 개선을 통한 압전세라믹스 특성 개선을 통한 압전세라믹스 특성 개선을 통한 압전세라믹스 특성 개선3) feed back3) feed back3) feed back3) feed back

가 압전세라믹스의 조성 설계가 압전세라믹스의 조성 설계가 압전세라믹스의 조성 설계가 압전세라믹스의 조성 설계))))

의 선행실험 결과 유전율은 정도이며 전기 기계결합계수PNN-PZT 1300~1600 , ㆍ

는 정도였다 이러한 특성은 압전음향부품용 고유전율 소재로 사용하(Kp) 35~50% .

기에 적합하지 않은 특성을 나타내므로 문헌 및 특허조사를 보완하여 조성 설계를

다시 하였다 표 에 관련 문헌을 조사하여 나타내었다. 6 .

표 의 논문 및 특허 조사를 바탕으로 표 과 같은 조성을 선정하여 실험하였다6 7 .

표 의 조성식 은 문헌 검색을 통하여 얻어진 조성식이며 조성식 는 초기 실험7 1 , 2

을 통하여 얻어진 결과를 토대로 조성과 값 증진을 위하여Ti rich Qm MnO2를 첨

가한 조성식이다.

표 계 압전세라믹스 관련 논문표 계 압전세라믹스 관련 논문표 계 압전세라믹스 관련 논문표 계 압전세라믹스 관련 논문6. PNN-PZT6. PNN-PZT6. PNN-PZT6. PNN-PZT

제 목제 목제 목제 목

1111 Pb(Ni1/3 Nb2/3)O3 계의 유전 및 압전특성-PZ-PT

2222

두가지 형태의 법으로 제조된Columbite precursor

Pb(Ni,Nb)O3-Pb(Zr,Ti)O3 세라믹스에서의 유전 및 압전특성에 미치는

의 첨가영향CuO

3333 계 세라믹스의 압전변위 특성PNN-PZ-PT

4444가 도핑된NiO Pb(Ni1/3Nb2/3)O3 세라믹스의 전기적 물성과 기-PZ-PT

계적 물성

5555초음파 센서 수신기 용 계 압전세라믹스에 첨가가 미( ) PZT-PNN MnO2

치는 영향

6666Synthesis of Lead Nickel Niobate-Lead Zirconate Titanate Solid

Solutions by a B-site Precursor Method

표 에 사용된 조성식표 에 사용된 조성식표 에 사용된 조성식표 에 사용된 조성식7. Feed back7. Feed back7. Feed back7. Feed back

조성식조성식조성식조성식 1111 0.51Pb(Ni1/3Nb2/3)O3 - 0.15PbZrO3 - 0.34PbTiO3

조성식조성식조성식조성식 2222 0.40Pb(Ni1/3Nb2/3)O3 - 0.60Pb(Zr0.38Ti10.62)O3 + xMnO2

- 53 -

그림 은 선정된 조성식이 에서 위치하는 상 경계를 나타내17 PNN-PZ-PT system

는 상태도이다 그림을 보면 선행실험의 경우 구조였으나. Rhombohedral feed back

을 통한 조성 설계는 구조를 갖고 있는 것을 볼 수가 있다 또한tetragonal . ,

비율에서도 선행실험과 다른 쪽으로 택하여 조성을 선정하였다Ti/(Ti+Zr) Ti rich .

표 은 에 게제된8 Journal of the korean Ceramic Society Vol.26, No.6

계 세라믹스의 압전변위특성 에 관한 논문으로 조성과 유“PNN-PZ-PT ” Feed back

사한 조성으로 에서 높은 유전율과 전기 기계 결합계수 값을 나타내고Ti rich (Kp)ㆍ

있음을 알 수 있다.

그림 에 사용된 조성식의 상경계그림 에 사용된 조성식의 상경계그림 에 사용된 조성식의 상경계그림 에 사용된 조성식의 상경계17. Feed back17. Feed back17. Feed back17. Feed back

- 54 -

표 조성과 유사 논문의 전기적 특성표 조성과 유사 논문의 전기적 특성표 조성과 유사 논문의 전기적 특성표 조성과 유사 논문의 전기적 특성8. feed back8. feed back8. feed back8. feed back

나 압전세라믹스 제조 방법나 압전세라믹스 제조 방법나 압전세라믹스 제조 방법나 압전세라믹스 제조 방법))))

조성에 대한 압전세라믹스의 제조 방법은 에 대한 선행 실feed back PNN-PZ-PT

험의 방법과 동일한 방법으로 진행을 하였으며 일반적인 고상합성법과, columbite

법의 두가지 방법을 이용하여 를 제조 하였다 선행실험 결과 을 이용powder . SEM

한 소결성 측정을 보완하기 위하여 실험에서는 아르키메데스법을 이용feed back

하여 소결 밀도를 같이 측정하여 소결체에 대한 소결성을 관찰하였다 또한. feed

실험에서는 성분이 많이 들어감에 따라 상이 많이 나타날 것으로back PNN pyroclore

생각되어 하소후의 관찰을 병행하여 상합성 여부를 판단하였다 전기적 특성XRD .

측정에서는 온도변화에 따른 유전율을 측정함으로서 를 측정curie temperature(Tc)

하였다.

다 을 통한 압전세라믹스 특성 개선 결과다 을 통한 압전세라믹스 특성 개선 결과다 을 통한 압전세라믹스 특성 개선 결과다 을 통한 압전세라믹스 특성 개선 결과) feed back) feed back) feed back) feed back

조성식 의 실험 결과조성식 의 실험 결과조성식 의 실험 결과조성식 의 실험 결과1111①①①①

을 이용한 상분석을 이용한 상분석을 이용한 상분석을 이용한 상분석X-ray diffractionX-ray diffractionX-ray diffractionX-ray diffraction㉮㉮㉮㉮

그림 에18 NiNbO6에 대한 와 의 하소 후 을 나타내었다900 1100 XRD pattern .℃ ℃

보다 에서 중간상이 없는 완전한900 1100 NiNbO℃ ℃ 6상을 얻을 수 있었다.

- 55 -

그림 의 하소 후그림 의 하소 후그림 의 하소 후그림 의 하소 후18. NiNbO6 XRD pattern18. NiNbO6 XRD pattern18. NiNbO6 XRD pattern18. NiNbO6 XRD pattern

그림 에는 일반적인 고상합성법으로 제조된 의 하소 후19 powder 900 XRD℃

과 소결 후 을 나타내었다 그림에서 볼 수 있듯이 하pattern 1200 XRD pattern .℃

소 후와 소결 후 모두 정도에서 상이 나타나는 것을 볼 수 있는데 이29 pyroclore℃

는 0.51Pb(Ni1/3Nb2/3)O3 - 0.15PbZrO3 - 0.34PbTiO3 조성과 같이 의 함량이PNN

증가할수록 일반적인 고상합성법으로는 상을 제거하기가 어려움을 알 수pyroclore

있다.

그림 은 법을 이용하여 제조된 의 하소 및 소결20 columbite powder 900 1200℃ ℃

후 이다 그림에서 하소 후 부근의 는 일반적인XRD pattern . 900 29° XRD peak℃

고상합성법과 비교하여 가 많이 줄어들었음을 알 수 있는데 이는 고상합성Intensity

법에 비하여 법을 이용한 방법이 상을 많이 억제 할 수 있음을columbite pyroclore

나타낸다 또한 소결 후 에서는 전혀 상이 나타나지 않은 전. XRD pattern pyroclore

형적인 상의 만 관찰 되었다perovskite peak .

- 56 -

그림 고상합성법을 이용한 의 하소 및 소결그림 고상합성법을 이용한 의 하소 및 소결그림 고상합성법을 이용한 의 하소 및 소결그림 고상합성법을 이용한 의 하소 및 소결19. powder XRD pattern19. powder XRD pattern19. powder XRD pattern19. powder XRD pattern

그림 법을 이용한 의 하소 및 소결그림 법을 이용한 의 하소 및 소결그림 법을 이용한 의 하소 및 소결그림 법을 이용한 의 하소 및 소결20. columbite powder XRD pattern20. columbite powder XRD pattern20. columbite powder XRD pattern20. columbite powder XRD pattern

- 57 -

소결 밀도 측정소결 밀도 측정소결 밀도 측정소결 밀도 측정㉯㉯㉯㉯

소결 밀도를 측정하여 그림 에 나타내었다 소결 온도에 따라 밀도를 측정 하였21 .

는데 의 소결에서는 에서는 에서는 로 나타1150 7.98, 1200 8.01, 1250 7.88℃ ℃ ℃

났다 세라믹스의 적정 소결. 0.51Pb(Ni1/3Nb2/3)O3 - 0.15PbZrO3 - 0.34PbTiO3

온도는 이며 그 이상의 온도에서는 의 휘발로 인하여 소결 밀도가 떨어1200 , Pb℃

지는 것으로 나타났다.

을 이용한 미세구조 관찰을 이용한 미세구조 관찰을 이용한 미세구조 관찰을 이용한 미세구조 관찰SEMSEMSEMSEM㉰㉰㉰㉰

와 소결 온도에 따른 미세구조 관찰 결과를 그림 에 나타내었다 그림process 22 .

의 는 고상합성법으로 제조된 의 소결시편의 미세구조 사진으22 A) powder 1200℃

로 가 존재하며 입자 성장이 불균일하게 나타난다pore .

그림 의 는 법으로 제조된 의 소결 온도에 따른 미세구22 B)C)D) columbite powder

조 사진이다 그림 의 는 로 소결된 시편의 미세구조 사진으로 약간의. 22 B) 1150℃

가 존재하며 입성장이 균일하지 못하나 에서 소결한 은 가pore 1200 sample pore℃

없으며 도 로 균일하게 나타났다grain 3~5 .㎛

그림그림그림그림 21. 0.51Pb(Ni21. 0.51Pb(Ni21. 0.51Pb(Ni21. 0.51Pb(Ni1/31/31/31/3NbNbNbNb2/32/32/32/3)O)O)O)O3333-0.15PbZrO-0.15PbZrO-0.15PbZrO-0.15PbZrO3333-0.34PbTiO-0.34PbTiO-0.34PbTiO-0.34PbTiO3333 세라믹스의 소결밀도 측정세라믹스의 소결밀도 측정세라믹스의 소결밀도 측정세라믹스의 소결밀도 측정

- 58 -

그림 와 소결 온도에 따른 미세구조 사진그림 와 소결 온도에 따른 미세구조 사진그림 와 소결 온도에 따른 미세구조 사진그림 와 소결 온도에 따른 미세구조 사진22. process22. process22. process22. process

에서 소결된 은 약간의 된 상태를 보이며 입자 또한 균일하지1250 sample melting℃

못하게 나타났다 을 통하여 미세구조 관찰 결과 소결 밀도를 측정한 와. SEM data

일치하에 에서 가장 좋은 소결 상태를 보이고 있어1200 0.51Pb(Ni℃ 1/3Nb2/3)O3 -

0.15PbZrO3 - 0.34PbTiO3 세라믹스의 적정 소결 온도는 임을 다시 확인할1200℃

수 있었다.

압전세라믹의 전기적 특성 관찰압전세라믹의 전기적 특성 관찰압전세라믹의 전기적 특성 관찰압전세라믹의 전기적 특성 관찰㉱㉱㉱㉱

소결 온도에 따른 유전율을 측정하여 그림 에 나타내었다 미세구조가 가장 균일23 .

하고 좋았던 의 유전율이 가장 높게 나타났으며 그때의 유전율 값은 로1200 6069℃

나타났으며 소결과 소결에서도 이 넘는 높은 값을 나타내었다1150 1250 5500 .℃ ℃

그림 에는 소결 온도에 따른 전기 기계적 결합계수 값의 변화와 기계적 품질24 (Kp)ㆍ

계수 값 을 나타내었다(Qm) .

- 59 -

그림 소결 온도에 따른 유전율 측정그림 소결 온도에 따른 유전율 측정그림 소결 온도에 따른 유전율 측정그림 소결 온도에 따른 유전율 측정23.23.23.23.

그림에서 좌측에는 전기 기계적 결합계수 값을 우측에는 기계적 품질계수 값(Kp)ㆍ

을 나타내었는데 에서의 전기 기계적 결합계수 값이 가장 큰(Qm) 1200 (Kp)℃ ㆍ

를 나타내었다 기계적 품질계수 값 일때 가장 큰 값인 를60.32% . (Qm) 1250 66.9℃

나타내었다 그래프를 보면 전기 기계적 결합계수 값과 기계적 품질계수 값. (Kp)ㆍ

이 반비례함을 알 수 있다 이는 전기 기계적 결합계수 값은 값에 비례(Qm) . (Kp) fㆍ △

하며 기계적 품질계수 값 은 값에 반비례하다는 공진 반공진 식과 일치함(Qm) f△ ㆍ

을 알 수 있다.

압전전하계수(d33 값을 측정하여 그림 에 나타내었다 압전전하계수) 25 . (d33 값 또한) ,

소결 에서 가장 높은 값을 나타내었는데 그 값은1200 sample 686×10℃-12

으로C/N

나타났다 압전전하계수. (d31 과 압전전하계수) (g31 도 압전전하계수) (d33 의 값과 비슷)

한 값을 보였으며 그 값들에 대한 을 그림 나타내었다profile 26 .

- 60 -

그림 소결온도에 따른 값과 값 비교그림 소결온도에 따른 값과 값 비교그림 소결온도에 따른 값과 값 비교그림 소결온도에 따른 값과 값 비교24. Kp Qm24. Kp Qm24. Kp Qm24. Kp Qm

그림 소결온도에 따른 압전전하계수그림 소결온도에 따른 압전전하계수그림 소결온도에 따른 압전전하계수그림 소결온도에 따른 압전전하계수25. (d25. (d25. (d25. (d33333333))))

- 61 -

그림 소결온도에 따른 압전전하계수그림 소결온도에 따른 압전전하계수그림 소결온도에 따른 압전전하계수그림 소결온도에 따른 압전전하계수26. (d26. (d26. (d26. (d31313131 과 압전전하계수과 압전전하계수과 압전전하계수과 압전전하계수) (g) (g) (g) (g31313131))))

미터와 고온 를 연결하여 온도변화에 따른 값을 측정하LCR chamber capacitance

여 고온 상경계를 알아보고자 하였다 그림 은 그 측정 결과를 나타낸 것으로. 27

에서 으로 상전이하는 는 정도로tetragonal phase cubic curie temperature(Tc) 170℃

나타났다.

번 조성식의 에 따른 압전세라믹스의 특성 개선 결과번 조성식의 에 따른 압전세라믹스의 특성 개선 결과번 조성식의 에 따른 압전세라믹스의 특성 개선 결과번 조성식의 에 따른 압전세라믹스의 특성 개선 결과1 feed back1 feed back1 feed back1 feed back⑤⑤⑤⑤

에 따른 압전세라믹스의 특성개선 결과 음향부품용으로 사용하기에 적합feedback

한 고유전율 및 높은 전기 기계적 결합계수 값과 큰 압전전하계수(Kp) (dㆍ 33 값을 갖)

는 소재를 제작할 수 있었으나 기계적 품질계수값 은 매우 낮은 값을 나타내었(Qm)

다 표 에 에 따른 압전세라믹스의 특성 개선 결과에 대한 값들을 정리. 8 feed back

하여 나타내었다.

- 62 -

표 조성식 의 에 따른 압전세라믹스의 특성 개선 결과표 조성식 의 에 따른 압전세라믹스의 특성 개선 결과표 조성식 의 에 따른 압전세라믹스의 특성 개선 결과표 조성식 의 에 따른 압전세라믹스의 특성 개선 결과8. 1 feed back8. 1 feed back8. 1 feed back8. 1 feed back

그림그림그림그림 21. 0.15Pb(Ni21. 0.15Pb(Ni21. 0.15Pb(Ni21. 0.15Pb(Ni1/31/31/31/3NbNbNbNb2/32/32/32/3)O)O)O)O3333-0.15PbZrO-0.15PbZrO-0.15PbZrO-0.15PbZrO3333-0.34PbTiO-0.34PbTiO-0.34PbTiO-0.34PbTiO3333 세라믹스의 측정세라믹스의 측정세라믹스의 측정세라믹스의 측정TcTcTcTc

- 63 -

조성식 의 실험 결과조성식 의 실험 결과조성식 의 실험 결과조성식 의 실험 결과2222②②②②

을 이용한 상분석을 이용한 상분석을 이용한 상분석을 이용한 상분석X-ray diffractionX-ray diffractionX-ray diffractionX-ray diffraction㉮㉮㉮㉮

조성식 의2 MnO2의 첨가량에 따른 을 그림 에 나타내었다 의XRD pattern 22 . MnO2

첨가량에 따라 는 는 는 는 를 보여(a) 0wt%, (b) 0.25wt%, (c) 0.5wt%, (d) 0.75wt%

준다 그림에서 볼 수 있듯이 는 볼 수 없는 순수한 상만. second phase peroveskite

관찰되었다.

을 이용한 미세구조 관찰을 이용한 미세구조 관찰을 이용한 미세구조 관찰을 이용한 미세구조 관찰SEMSEMSEMSEM㉯㉯㉯㉯

MnO2의 첨가량에 따른 미세구조 사진을 그림 에 나타내었다23 . MnO2를 첨가하지

않은 의 경우 의 를 관찰 할 수 있었으며Reference 1-2 grain size , MnO㎛ 2를 첨가

하였을 때는 로 가 커짐을 관찰 할 수 있었다2-5 grain size . MnO㎛ 2의 첨가량이

까지는 가 거의 존재하지 않으나 이상에서는0.25wt% second phase 0.5wt% grain

에boundary MnO2로 생각되어지는 가 많이 나타남을 볼 수 있었다second phase .

그림그림그림그림 22. MnO22. MnO22. MnO22. MnO2222첨가량에 따른 조성식 의첨가량에 따른 조성식 의첨가량에 따른 조성식 의첨가량에 따른 조성식 의2 XRD pattern2 XRD pattern2 XRD pattern2 XRD pattern

- 64 -

(a) MnO(a) MnO(a) MnO(a) MnO2222 0wt%0wt%0wt%0wt% (b) MnO(b) MnO(b) MnO(b) MnO2222 0.25wt%0.25wt%0.25wt%0.25wt%

(c) MnO(c) MnO(c) MnO(c) MnO2222 0.5wt%0.5wt%0.5wt%0.5wt% (d) MnO(d) MnO(d) MnO(d) MnO2222 0.75wt%0.75wt%0.75wt%0.75wt%

그림그림그림그림 23. MnO23. MnO23. MnO23. MnO2222 첨가량에 따른 조성식 의 미세구조 사진첨가량에 따른 조성식 의 미세구조 사진첨가량에 따른 조성식 의 미세구조 사진첨가량에 따른 조성식 의 미세구조 사진2222

소결밀도 측정 및 전기적 특성 관찰소결밀도 측정 및 전기적 특성 관찰소결밀도 측정 및 전기적 특성 관찰소결밀도 측정 및 전기적 특성 관찰㉰㉰㉰㉰

그림 에24 MnO2의 첨가량에 따른 소결 밀도 측정과 유전율 측정에 대한 을profile

나타내었다 소결밀도는. MnO2를 첨가하지 않은 의 경우 를 나타내Reference 7.95

지만 MnO2를 정도 소량 첨가하였을 때는 의 좋은 소결 밀도를 나타내0.25wt% 8.02

었다 그러나. MnO2의 양이 이상 첨가시에는 오히려 소결밀도가 감소하였는0.5wt%

데 이는 의 영향으로 생각되어진다 유전율은second phase . MnO2의 첨가량이

의 소량 첨가시에는 완만히 감소하나 이상 첨가시에는 급격히 감소0.25wt% 0.5wt%

함을 볼 수 있었다.

- 65 -

그림 에는 전기기계 결합계수 와 기계적 품질계수 값을 나타내었다25 (Kp) (Qm) .

MnO2가 첨가되지 않았을 때는 는 은 을 나타내었으며Kp 0.56, Qm 60 MnO2를

첨가하였을 때는 가 으로 가장 높았으며0.5wt% Kp 0.624 MnO2의 첨가량이 증가할

수록 값이 증가하였다Qm .

번 조성식의 에 따른 압전세라믹스의 특성 개선 결과번 조성식의 에 따른 압전세라믹스의 특성 개선 결과번 조성식의 에 따른 압전세라믹스의 특성 개선 결과번 조성식의 에 따른 압전세라믹스의 특성 개선 결과2 feed back2 feed back2 feed back2 feed back㉱㉱㉱㉱

에 따른 압전세라믹스의 특성개선 결과 사업계획 목표를 모두 만족 시키feedback

는 압전 조성물을 개발할 수 있었으며 그 조성물에 대한 전기적 특성 값을 표 에, 9

나타내었다.

표 조성식 의 에 따른 압전세라믹스의 특성 개선 결과표 조성식 의 에 따른 압전세라믹스의 특성 개선 결과표 조성식 의 에 따른 압전세라믹스의 특성 개선 결과표 조성식 의 에 따른 압전세라믹스의 특성 개선 결과9. 2 feed back9. 2 feed back9. 2 feed back9. 2 feed back

- 66 -

그림그림그림그림 24. MnO24. MnO24. MnO24. MnO2222 첨가량에 다른 조성식 의 소결밀도와 유전율첨가량에 다른 조성식 의 소결밀도와 유전율첨가량에 다른 조성식 의 소결밀도와 유전율첨가량에 다른 조성식 의 소결밀도와 유전율2222

그림그림그림그림 24. MnO24. MnO24. MnO24. MnO2222 첨가량에 다른 조성식 의 와첨가량에 다른 조성식 의 와첨가량에 다른 조성식 의 와첨가량에 다른 조성식 의 와2 Kp Qm2 Kp Qm2 Kp Qm2 Kp Qm

- 67 -


세라믹 적층 공정은 세라믹 다층 콘덴서의 대표적인 제조 방법인 법Freen sheet

이 가장 많이 이용되고 있으며 본 실험에서는 에 의한, Tape casting green sheet

법을 이용하였다 법은 일반적으로 생산성과 효율이 우수하며. Tape casting MLC,

알루미나 기판 다층 세라믹 등의 정밀요업 제품의 제조에 많이 적용되고, package

있는 대표적인 세라믹 제조방법 중의 하나이다 법에서는 의. Green sheet slurry

물성이 전 공정에 미치는 영향이 매우 크므로 제품의 수율과 특성을 좌우하는 중요

한 요인으로 작용하게 된다 는 세라믹 분말과 유기재료로 구성되며 유기물. Slurry ,

질의 성분과 역할에 따라 유동성을 부여하는 세라믹 분말을 고루 분산시켜solvent,

주는 분산제 및 등으로 이루어진다deflocculant, lubricant, defoaming agent .

는 결합제와 가소제등을 용해함으로써 특성을 부여하고 에 필Solvent tape casting

요한 에 유동성을 주는데 중요한 역할을 한다 의 점도는 을 좌slurry . slurry casting

우하는 근본적인 성질중의 하나이고 이 점도의 조절은 일차적으로 에 의해solvent

결정된다 흔히 제조 공정에서 사용되는 에 따라 수계와 비수계로 구. MLC solvent

분되는데 의 선택에 따라서는 물과의 반응 관계에 따라 많은 인자solvent system

들을 조절하지만 비수계에서는 많은 종류의 가 존재하기 때문에organic solvent

그 선택이 매우 복잡하다 이와 같은 선택에 있어서 결합제의 용해도 점도관계 외. ,

에 공정 면에서는 과의 반응여부이다 시 건조 전에는carrier film . Tape casting

가 휘발되기 전이므로 과 가 반응할 경우 의 성형이solvent carrier film solvent tape

불가능하게 된다 또한 과 의 접착성도 에 의해 좌우되므. carrier film slurry solvent

로 사전 시험이 필요하다 그리고 목적하는 의 수축관계로 인해 매우 얇은. tape

를 성형하는 경우 휘발 속도가 빠른 를 택하는 것이 유리하고tape(<50 ) solvent㎛

비교적 두꺼운 를 얻고자 할 때는 휘발 속도가 느린 것을 택하는 것이 유리하tape

다 그 이외에 건조장치 즉 의 길이나 건조 온도 등에 따라서도 의 선. caster solvent

택이 고려되어야 한다 그리고 결합제는 로서 의. long chain polymer slurry

를 변화시키고 세라믹 입자들을 강하게 연결시켜 에 강도를rheology green tape

부여한다 사용된 결함제의 종류나 양등은 특성 성형체의 강도. slurry , , lamination,

등과 직결된다greed density, .

- 68 -

이와 같은 는 액상의 유동성에 중대한 영향을 미쳐 점도를 증가시키고binder

에서 으로 의 특성을 변화시키며 세라믹 분말Newtonian Pseudoplastic slurry flow

의 분산에 기여한다 이와 같은 에 대한 연구는 매우 복잡하고 거의. binder system

실험에 의존하여 진행될 수밖에 없다 선행 연구되었던 고유전율 압전세라믹 조성.

물인 계 압전 세라믹을 이용하여 을 하였다PNN-PZT Tape casting . tape casting

하는데 많이 이용되는 사의 종합 를 이용하였다 그리고Ferro binder(Ferro B73225) .

제조시 압전 세라믹의 경우 과 세라믹 분말의 상대량과slurry binder system

시간에 그 점도가 크게 변화되고 의 강도가 비교적 낮기 때문에milling green tape

의 제작과 적층시 취급에 주의가 필요하다 적층공정을 위한 제조 공green sheet .

정을 그림 에 나타내었다25 .

그림 적층형 압전세라믹스 제조 공정도그림 적층형 압전세라믹스 제조 공정도그림 적층형 압전세라믹스 제조 공정도그림 적층형 압전세라믹스 제조 공정도25.25.25.25.

- 69 -

제조기술 지원제조기술 지원제조기술 지원제조기술 지원1) Green Sheet1) Green Sheet1) Green Sheet1) Green Sheet

가 제조가 제조가 제조가 제조) Slurry) Slurry) Slurry) Slurry

를 제조하기 위해 압전음향부품용 고유전율 압전소재 개선을 통하여 제작된Slurry

조성을 전자저울을 이용하여 정확히 평량하였다 압전세라믹 분말은 적PNN-PZT .

층제를 제작하기 위해 을 제작하였으며 은 미국 사의4kg , binder system Ferrol

을 사용하였다Ferro B73225 .

사용한 압전 세라믹 분말과 의 양은 무게비로 로 조절하여binder system 65:35

에 이용하였으며 은 으로 시간 동안 하여tape casting milling 120rpm 24 milling

를 제조하였다 이렇게 제조된 는 조건을 확립하기 위하여slurry . slurry tape casting

점도를 측정하였다 의 점도는 의 점도를 결정하고 두께등에 큰. slurry tape casting

영향을 미치므로 기준이 설정되어야 한다 점도가 지나치게 낮은 경우 에서. blade

의 양이 증가하여 의 두께와 폭을 제어하기가 어렵고 점도가 지나치게slurry sheet

높으면 성형시 건조가 너무 빨라 성형체의 두께 방향에 대한 밀도의 균일성이 나빠

진다 사실 의 점도는 세라믹 분말 시간 입도분포. slurry , binder system, milling , ,

온도 등 거의 모든 요소에 민감하게 영향을 받으므로 모든 성분이 실험을 통해 검

토되고 결정되어야 하는 사항이다 이와 같은 의 점도는 사 모델. slurry Brookfield

를 사용하였으며 측정 조건은 상온에서 의 을DVII viscometer spdl 62 cylinder type

사용하며 에서 단위로 측정하였다 본 배합비 하에서 점도 측정 결과는rpm 12 cps .

1.30×103

였다 그리고 측정된 점도 값으로부터 실험상의 세라믹 분말과cps .

의 적당한 배합 비율을 결정하였으나 위의 비율은 사용한 분말의 입binder system

자크기나 형태에 의한 비표면적의 변화에 의하여 바뀔 수도 있다 제조된 는. Slurry

제조를 위하여 를 사용하여 시간 동안 처리 하였다green sheet Ball Miller 5 Aging .

그림 에 제조된 를 나타내었다26 Slurry .

- 70 -

그림 제조된그림 제조된그림 제조된그림 제조된26. Slurry26. Slurry26. Slurry26. Slurry

- 71 -

나 제조나 제조나 제조나 제조) Green Sheet) Green Sheet) Green Sheet) Green Sheet

원하는 세라믹 의 두께는 정도였으며 여기에 적합한 점도 범위는type 2mil

였으며 결과 양호한 를 얻을 수 있었다 의 조1000-3000 cps casting sheet . slurry

합은 세라믹 분체 이 혼합된 상태이므로 중 수 많은 기포가, binder system milling

형성된다 이때 내에 존재하는 기포들은 내부와 표면에 잔류하여 밀도를 저하. slurry

시키고 유전 강도를 약화시키는 직접적인 원인이 될수 있다 표면에 있는 기. Tape

포들은 내부 전극을 차단시키는 등 많은 역효과적 이므로 공정이 필요하deairing

다 본 실험에서는 진공 펌프와 초음파 진동을 병행하여 을 실시하였다. deairing .

그림 에 에 사용한 장치의 개략도를 나타내었다 주된 구27 tape casting Dr. Blade .

성은 구동 모타 등이다 본 실험에서는 으Dr. Blade, Bed, Carrier film, . carrier film

로 고밀도 을 사용하였으며 의 두께는 였다 성polyethylend film , films 100 . Tape㎛

형시 가장 염두에 두어야할 점은 의 유동 특성과 성형조건과의 관계이slurry sheet

다 의 두께는 일반적으로 의 간격이 고정되었을 때. sheet Dr. Blade head gab slurry

의 점도 즉 의 이동속도는 에 작용하는 를 변화시키고carrier film slurry sheet rate

이는 의 유동 특성을 변화시켜 최종 에 영향을 미친다 그림 에slurry slurry flux . 28

를 이용한 의 제작 모습을 나타내었다Dr. blade Steet .

그림 장치의 개략도그림 장치의 개략도그림 장치의 개략도그림 장치의 개략도27. Br. Blade27. Br. Blade27. Br. Blade27. Br. Blade

- 72 -

그림 를 이용한 제작 모습그림 를 이용한 제작 모습그림 를 이용한 제작 모습그림 를 이용한 제작 모습28. Dr. Blade green sheet28. Dr. Blade green sheet28. Dr. Blade green sheet28. Dr. Blade green sheet

- 73 -

적층기술지원적층기술지원적층기술지원적층기술지원2)2)2)2)

가 전극형성 및가 전극형성 및가 전극형성 및가 전극형성 및) Punch) Punch) Punch) Punch

제작된 는 알맞은 크기로 절단하여 내부전극 인쇄에 들어가고 여기에green tape ,

사용되는 내부전극은 세라믹의 소결조건에 적합한 것을 사용하여야 하며 본 실험에

서는 와 페이스트를 이용하였다 이와 같은 고온용 전극의Pd/Ag(80/20) alloy Pt .

경우 고온에서 안정하고 세라믹과 반응하지 않는 귀금속을 사용하는 것이 유리하

다 인쇄전극의 두께는 전극의 점도 압력 의. , squeeze , sieve mask mesh number,

속도 그리고 와 기판과의 간격등이 중요한 요소이므로 이들을squeeze , sieve mask

고려하여 도포하고 전극의 두께가 너무 얇아 전극 건조 후 균일성이 없다든가 절단

되지 않도록 하며 또 더욱 두꺼워서 전극이 번지거나 을 일으키지 않, delamination

도록 주의한다 또한 의 재질과 수 및 청결도 등도 요구된다 본. sieve mask mesh .

실험에서는 재질의 를 로 사용하였다 사용한 는 대영steel sieve 320 mesh . printer

을 사용하였다 도포된 내부전극의 두께는 약 정도였Tech. pad printing M/C . 10㎛

다 된 는 을 이용하여 절단하였다 그림. screen printing sheet punching machine .

와 그림 에 된 와 으로 절단된 의 모습29 30 Screen print sheet Punching M/C sheet

을 나타내었다.

그림 된그림 된그림 된그림 된29. Screen print green sheet29. Screen print green sheet29. Screen print green sheet29. Screen print green sheet

그림 로 전단된그림 로 전단된그림 로 전단된그림 로 전단된30. Punching M/C green sheet30. Punching M/C green sheet30. Punching M/C green sheet30. Punching M/C green sheet

- 74 -

나 형성나 형성나 형성나 형성) Via Hole) Via Hole) Via Hole) Via Hole

로 절단된 는 로 을 형성하였으며- punching M/C green sheet 0.8mm Via Hole∅

그 모습을 그림 에 나타내었다31 .

그림 이 형성된 모습그림 이 형성된 모습그림 이 형성된 모습그림 이 형성된 모습31. Via Hole31. Via Hole31. Via Hole31. Via Hole

다 적층다 적층다 적층다 적층) (Laminate)) (Laminate)) (Laminate)) (Laminate)

이 형성된 는 상온에서 시간 정도 완전히 건조시킨 후 적층에Via Hole sheet 4-10

들어간다 인쇄된 를 회전하여 번갈아가며 적층한다 본 실험에서는. sheet 180o .

두께의 를 층 적층하여2mil sheet 3 300kg f/cmㆍ2의 압력으로 에서 시간동60 24℃

안 를 한 후 기를 이용하여 적층에 들어갔다 이때 중요변수는WIP lamination .

압력 이다 본 실험에서 세라믹 콘덴서 개발laminating temperature, pressing time .

경험을 바탕으로 단 압착법을 이용하였으며 압력 및 온도 유지시간은 각각2

9000Kg/cm2

초 회 하였다 이 끝난 적층세라믹은 날카로운, 70 , 20 /3 . Lamination℃

로 절단하게 되는데 적층형 압전체의 경우 절단시 가 빗겨나가 적층체cutter blade

의 내부 전극의 손상이나 형태의 손상이 없도록 하며 적층체를 약간 가열하여 절,

단하는 것이 효과적이다.

- 75 -

소결기술지원소결기술지원소결기술지원소결기술지원3)3)3)3)

소결 스케줄은 형의 소결과 달리하였다 적층체의 경우 많은 유기 바인더가 함bulk .

유되어 있으므로 바인더 소각이 매우 천천히 그리고 완전이 이루어져야 하므로 열

분석 결과로부터 바인더 온도와 승온 속도를 결정하였다 바인더 제거를burn out .

위한 온도는 였으며 시간 행하였다 소결은 시간310 , 24 (50 /hr) . 1150 , 2 (30℃ ℃ ℃

로 하였다 특히 소결후 냉각속도가 중요하였다 노냉시 내부전극과 적층면0 /hr) . .℃

사이에 많은 이 유발되는데 이와 같은 은 냉각과정에서 전극과 세라믹의crack crack

열팽창계수의 차이에 기인하는 것으로 밝혀졌다 소결은 적층체의 위 아래에 같은. ,

조성으로 성형 소결한 직사각형 형태의 세라믹을 쌓아 소결 과정 중에 발생될 수,

있는 변형을 예방하였다 그림 와 그림 에 두게의 를 장 적층하여. 32 33 2mil sheet 2

한 후의 적층 단면과 소결체의 단면을 나타내었다Test Binder burn out .

분극기술지원분극기술지원분극기술지원분극기술지원4)4)4)4)

소결이 끝난 적층압전 세라믹에 외부전극을 형성하기 위하여 고온용 silver paste

성지 를 이용하였다 외부전극이 부착된 적층형 압전 세라믹은( Tech) . 120 silicon℃

에서 의 전계를 분 동안 인가하여 분극처리 하였다oil 2kV/mm 10 .

- 76 -


1) Round Type Piezo Speaker1) Round Type Piezo Speaker1) Round Type Piezo Speaker1) Round Type Piezo Speaker

가 최적 형상가 최적 형상가 최적 형상가 최적 형상) Design) Design) Design) Design

외관외관외관외관①①①①

외측 치수- : 20.6×1.1T�

- Frame+Set Poron(0.5~1T)

총 중량- : 0.7g

- 77 -

휴대폰 적용휴대폰 적용휴대폰 적용휴대폰 적용②②②②

전체체적 휴대폰 폴더 의 내부 공간 스피커 설계 체적 고정 체적 일: UPPER ( + ),

반적으로 약 삼성 인테나 폰의 경우 정도를 사용하지만 를 권장 하고3CC ( ) 4 cc

있다.

설계체적 기존의 스피커 및 리시버 등의 부품을 적용하기 위한 공간으로: PIEZO

를 적용 한다면 이 공간은 기타 부품 공간으로 활용 가능하다Speaker .

고정체적 이 공간은 및 기구 조립 시 필요한 공간이지만 내부 공명공간: Dual LCD

역할을 하고 있으며 약 정도의 공간을 가진다0.5 cc .

휴대폰 권장 체적 설계 체적 및 고정체적 포함4 cc ( )

고 정 체 적 폴더 내부 스피커 설계 체적을 제외한 나머지 부품 체적

설계 체적 의 성능을 가장 크게 좌우하는 체적Piezo - speaker

- 78 -

기구설계를 위한 중요한 칫수기구설계를 위한 중요한 칫수기구설계를 위한 중요한 칫수기구설계를 위한 중요한 칫수③③③③

휴대폰 장착 위치 및 형태휴대폰 장착 위치 및 형태휴대폰 장착 위치 및 형태휴대폰 장착 위치 및 형태④④④④

일반 적용 방법과 동일하다 단 효과적인 공간 활용을 위해* Dynamic Speaker . ,

폴더의 커버 부분에 얇게 부착 시킨 부분이 최대의 장점이다.

- 79 -

기능기능기능기능1 Mode - Speaker1 Mode - Speaker1 Mode - Speaker1 Mode - Speaker⑤⑤⑤⑤

장점 기구 설계 및 적용이 간편하고 공간 활용이 효율적이며 큰 음압성능을 자랑:

한다.

단점 가지 기능 스피커 리시버 을 동시에 사용할 수 없으므로 리시버를: 2 ( + )

따로 사용해야 한다.

단 슬라이드 인 경우는 리시버가 따로 필요 없다, Phone .

기능기능기능기능2 Mode - Speaker, Receiver2 Mode - Speaker, Receiver2 Mode - Speaker, Receiver2 Mode - Speaker, Receiver⑥⑥⑥⑥

장점 가지 기능 스피커 리시버 을 동시에 구현 할 수 있으며 풍부한 음압: 2 ( , )

을 자랑 한다.

단점 공간 제약을 최소화 하기 위하여 상단에 스피커의 일부를 장착해야 하: PCB

므로 적용시 구체적인 합의를 통해 설계해야 한다.

- 80 -

나 및 세라믹나 및 세라믹나 및 세라믹나 및 세라믹) Vain Material Bonding) Vain Material Bonding) Vain Material Bonding) Vain Material Bonding

다 음향특성 분석 기술지원다 음향특성 분석 기술지원다 음향특성 분석 기술지원다 음향특성 분석 기술지원))))

전기적 사양전기적 사양전기적 사양전기적 사양①①①①

- 81 -

주파수 특성 및 특성 비교주파수 특성 및 특성 비교주파수 특성 및 특성 비교주파수 특성 및 특성 비교17mm Dynamic speaker17mm Dynamic speaker17mm Dynamic speaker17mm Dynamic speaker②②②② ∅∅∅∅

- 82 -

입력전압에 따른 주파수 특성입력전압에 따른 주파수 특성입력전압에 따른 주파수 특성입력전압에 따른 주파수 특성③③③③

- 83 -

라 특성개선지원라 특성개선지원라 특성개선지원라 특성개선지원))))

시편제작 특성 측정시편제작 특성 측정시편제작 특성 측정시편제작 특성 측정①①①①

시편측정시 오차가 벗어나 특성이 불균일함±3dB

- 84 -

특성의특성의특성의특성의 불균불균불균불균일성 원인일성 원인일성 원인일성 원인②②②②

양면테이프의 접착력 불균일-

본드량의 불균일-

측정 지그의 부 정확성-

개선대책개선대책개선대책개선대책③③③③

개선- Metal Housing

양면 접착 테잎 개선-

접착 본드 실리콘 교체-

혹은 고정 부착- Wire PCB Wire

- 85 -

2) S2) S2) S2) Sqqqquare Type Piezo Speakeruare Type Piezo Speakeruare Type Piezo Speakeruare Type Piezo Speaker

가 최적 형상가 최적 형상가 최적 형상가 최적 형상) Design) Design) Design) Design

외관외관외관외관①①①①

휴대폰 적용휴대폰 적용휴대폰 적용휴대폰 적용②②②②

- 86 -

패널패널패널패널과 사이의 공과 사이의 공과 사이의 공과 사이의 공간간간간* A* A* A* Air Gap( LCD )ir Gap( LCD )ir Gap( LCD )ir Gap( LCD )

넓을 수록 소리 특성이 향상됨 전체 를 약 정도를 권장 하고- ( Air Space 2.4 cc

있다.)

패널패널패널패널의 재질의 재질의 재질의 재질 ::::

신뢰성 항목 만족할 것- Acry(-40 ~+85 )℃ ℃

패널패널패널패널의의의의 코팅코팅코팅코팅 ::::

위에 인쇄 일반적으로 양면 하드 코팅을 사용 하고 있으나- Hard Coating silk - ,

단면 하드 코팅 제품에서 더욱 부드러운 사운드를 구현 할 수 있음

패널패널패널패널의의의의 두께두께두께두께

두께가 얇을 수록 특성이 우수하나 신뢰성에서는 두께가- 0.8 mm, 1.0 mm => ,

두꺼울 수록 우수함.

패널패널패널패널의의의의 크크크크기기기기

이 비율로 적용될 경우 최적의 소리- Golden Ratio = : 1, Silver Ratio= :1 =>

특성이 구현됨

- 87 -

패널패널패널패널의의의의 chamferchamferchamferchamfer

하우징과의 접촉 면적을 감속-

패널의 자유도를 증가시키기 위해 패널 가장자리에 를 유지하여야 함- chamfer

나 및 세라믹나 및 세라믹나 및 세라믹나 및 세라믹) Vain Material Bonding) Vain Material Bonding) Vain Material Bonding) Vain Material Bonding

SSSSqqqquare Type Piezo Ceramics Unituare Type Piezo Ceramics Unituare Type Piezo Ceramics Unituare Type Piezo Ceramics Unit

Type Piezo Speaker UnitType Piezo Speaker UnitType Piezo Speaker UnitType Piezo Speaker Unit

- 88 -

다 음향특성 분석 기술지원다 음향특성 분석 기술지원다 음향특성 분석 기술지원다 음향특성 분석 기술지원))))

전기적 사양전기적 사양전기적 사양전기적 사양①①①①

- 89 -

주파수 특성 및 특성 비교주파수 특성 및 특성 비교주파수 특성 및 특성 비교주파수 특성 및 특성 비교17mm Dynamic speaker17mm Dynamic speaker17mm Dynamic speaker17mm Dynamic speaker②②②② ∅∅∅∅

라라라라 낙낙낙낙하 신하 신하 신하 신뢰뢰뢰뢰성성성성 확보확보확보확보))))

낙하 시 의 뒤틀림 방지와 낙하에 의한 의 과도한 진동을 막기 위해casc beam

와 이 필요함stopper cushion .

- 90 -

낙낙낙낙하하하하 테테테테스스스스트트트트①①①①

간의 이탈은 없다 감소는 약 이내로 볼 수 있다 자체는Stub & lens . SPL 6dB . DMA

미세한 손상을 입은 것으로 생각된다 특성은 좋지 않다. .


미세한 손상을 입은 것으로 생각된다 전체적으로 우수한 상태이다 의 변위. . STUB

가 주요 인자로 생각되어 진다.

- 91 -



가 주요 인자로 생각되어 진다 특이 사항은 후 특성이 일치하는 결과가 회. Drop 1

나왔다는 점이다.



가 주요 인자로 생각되어 진다 특이 사항은 후 특성이 일치하는 결과가 회. Drop 1

나왔다는 점이다.

- 92 -

간의 이탈은 없다 감소는 약 이내로 볼 수 있다 자체Stub & lens . SPL 20dB . DMA

는 치명적인 손상을 입은 것으로 생각된다.

- 93 -

마 경마 경마 경마 경쟁쟁쟁쟁사 제품 비교사 제품 비교사 제품 비교사 제품 비교) () () () (AAAAuthentic)uthentic)uthentic)uthentic)

공진 공진이 약 정도 낮게 나타나고 있음- (Natural Frequency) : Hz~100Hz

음압 공진부터 까지 음압 차가 없으나- (Sound Pressure Level) : 2kHz

에서 정도의 음압 차가 발생3kHz~5kHz 7~8 dB

주파수 곡선 유동 차 공진 형성 전체적인 주파수 특성은 크게 차이가 없- (1,2 ) :

으나 개의 빔을 사용한 압전스피커가 차 공진의 특성이 주파수 영역 이상2 2 (3kHz )

에서 높게 나타나고 있다.

- 94 -

내부 용적 변화 및 윈도우 사이즈 변화에 따른 주파수 특성 실험

소형 휴대폰 에서보다 전체적인 공진은 상승 하였으나- Mockup Phone 1 kHz ~

까지 음압이 약 까지 크게 상승 하였으며 이상에서는2 kHz 5dB ~ 20 dB 3kHz

과 유사한 음압 특성을 나타내고 있다 결과적으로 내부 용적이 커Mockup Phone .

지고 윈도우의 사이즈가 커지면서 경쟁사의 제품과 특성에 큰 차이가 없다.

각 회사별 장단점은 있으나 음질 및 음색에 대해서는 에 대한 성능 차이보다UNIT

는 실제 기구에 실장 되었을 때 특성에서 큰 차이를 보이고 있음을 알 수 있다.

즉 의 적용을 고려할 때 한정된 공간을 잘 설계하는 것이 음질과 음, Mobile Phone

압을 좌우하는 중요한 요소로 작용하는 것이다.

- 95 -

바 와 비교바 와 비교바 와 비교바 와 비교) Piezo Speaker 1318 Dynamic Speaker) Piezo Speaker 1318 Dynamic Speaker) Piezo Speaker 1318 Dynamic Speaker) Piezo Speaker 1318 Dynamic Speaker

Piezo SpeakerPiezo SpeakerPiezo SpeakerPiezo Speaker①①①①

ITEMS COMMENTS

1 CAPACITANCE440 ± 15% ( 1 Vrms/DMA + LCD

Window)

2SOUND PRESURE

LEVEL (SPL).

85 ± 2 dB (10Vrms) at 0.8, 0.1, 1.2,

1.5kHz AVERAGE

3RESONANT

FREQUENCY (Fo).850Hz ± 15% at 1.0Vrms

4 FREQUENCY RANGE. 500Hz ~ 8kHz

5 DISTORTION (THD). Less than 10% at 1kHz, 10Vrms

6RATED INPUT

PORWER10 Vrms ( Speaker mode )

7BUZZ & RATTLE,

ETC.

Should not be audible buzzes& rattles

when it tested the twice rated input

power.

Speaker modeSpeaker modeSpeaker modeSpeaker mode

- 96 -

IIIImpedancempedancempedancempedance

1318 Dynamic Speaker1318 Dynamic Speaker1318 Dynamic Speaker1318 Dynamic Speaker②②②②

ITEMS COMMENTS

1 IMPEDANCE. 8 ± 15% at 2kHz.Ω

2SOUND PRESURE

LEVEL (SPL).

87.5 ± 2 dB (0.1W/0.1m) at 0.8, 1.0, 1.2,

1.5kHz AVERAGE

3RESONANT

FREQUENCY (Fo).840Hz ± 15% at 1.0Vrms

4 FREQUENCY RANGE. Fo ~ 20kHz

5 DISTORTION (THD). Less than 10% at 2kHz, 2Vrms

6 RATED INPUT PORWER

0.5W

정격 이상으로 본 를 사용시1. POWER SPK

단선불량이 발생할 수 있습니다COIL .

정격 의 배로 동작 검사시 이음2. POWER 2

및 음떨림 없을것.

7 BUZZ & RATTLE, ETC.

Should not be audible buzzes& rattles

when it tested the twice rated input

power.

- 97 -

Speaker modeSpeaker modeSpeaker modeSpeaker mode

IIIImpedancempedancempedancempedance

- 98 -

연구 기자재의연구 기자재의연구 기자재의연구 기자재의 활활활활용용용용3.3.3.3.

- 99 -

가가가가. FESEM. FESEM. FESEM. FESEM

나나나나. XRD. XRD. XRD. XRD

- 100 -

다다다다. TG-DSC. TG-DSC. TG-DSC. TG-DSC

라라라라. Particle size analyzer. Particle size analyzer. Particle size analyzer. Particle size analyzer

- 101 -

마마마마.... IIIImpedance analyzermpedance analyzermpedance analyzermpedance analyzer

바바바바. furnace. furnace. furnace. furnace

- 102 -

사사사사. Ball mill. Ball mill. Ball mill. Ball mill

아아아아. Poling Machine. Poling Machine. Poling Machine. Poling Machine

- 103 -

자자자자. Dr. Blade. Dr. Blade. Dr. Blade. Dr. Blade

차차차차 압착기압착기압착기압착기....

- 104 -

카 커팅카 커팅카 커팅카 커팅기기기기....

타타타타. Sound level meter. Sound level meter. Sound level meter. Sound level meter

- 105 -

파 및파 및파 및파 및 무무무무향실향실향실향실.... AAAAudio analyzerudio analyzerudio analyzerudio analyzer

하 공구 현미경하 공구 현미경하 공구 현미경하 공구 현미경....

- 106 -

제 장 결 론제 장 결 론제 장 결 론제 장 결 론3333

압전음향부품용 고유전율 압전소재 개선 지원압전음향부품용 고유전율 압전소재 개선 지원압전음향부품용 고유전율 압전소재 개선 지원압전음향부품용 고유전율 압전소재 개선 지원1.1.1.1.

고유전율 압전조성 [0.4Pb(Ni1/3Nb2/3)O3 - 0.6Pb(Zr0.32Ti0.68)O3 + 0.25MnO2의 기

술을 지원함으로써 유전율 전기적결합계수 기계적 품질계수 등의 기초 재료의 특, ,

성을 향상시켜 음향 특성 향상에 기여함.

적층형 압전세라믹스 제조기술 개발 지원적층형 압전세라믹스 제조기술 개발 지원적층형 압전세라믹스 제조기술 개발 지원적층형 압전세라믹스 제조기술 개발 지원2.2.2.2.

에 의한 성형 기술지원- Dr. Blade Sheet

에 의한 전극형성기술지원- Screen Printer

에 의한 적층기술지원- Laminater

소결 및 분극 기술지원 등-

적층형 압전세라믹스 제조기술을 지원하여 압전음향부품의 구조개선을 통하여 SPL

및 저공진동의 음향 특성을 향상시킴

압전음향부품용 적층형 세라믹스 개발 지원압전음향부품용 적층형 세라믹스 개발 지원압전음향부품용 적층형 세라믹스 개발 지원압전음향부품용 적층형 세라믹스 개발 지원3. Bimorph Unit3. Bimorph Unit3. Bimorph Unit3. Bimorph Unit

적층형 압전세라믹스 제조기술개발 지원을 통하여 제작된 이내의 두께로 층20 3㎛

이상을 적층된 압전세라믹스를 진동능력이 뛰어난 에 접착하여Vain(Ni Alloy)

형 압전스피커를 제작하여 기존 스피커에 비해 뛰어난 성능의 압전스피커Bimorph

를 제작 지원함.

- 107 -

휴대폰용 적층형 압전음향부품 제조공정 기술지원 · -2-제 출 문...

Documents