poster sunumlari

16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009

POSTERSUNUMLARI

16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009P1

Experimental and Theoretical Calculations on N-Biphenyl-4-ylmethylene-N’-[4-(3-methyl-3-phenyl-cyclobutyl]-thiazol-2-yl]-

hydrazine

Çiğdem Yüksektepe 1, Nezihe Çalışkan1, Ibrahim Yılmaz2 ve AlaaddinÇukurovalı 2

1Fizik Bölümü, Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, 55139, Samsun2Kimya Bölümü, Fırat Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, 23119, Elazığ

(C27H25N3S) kapalı formülü ile verilen yeni kristal yapı, 1H NMR, 13C NMR, IR, UV-Visspektroskopi ve tek kristal X-ışını kırınımı yöntemleriyle sentezlenip, yapısı aydınlatılmıştır.Bileşik, monoklinik, P21/c uzay grubunda kristalize olmuştur ve yaklaşık olarak 0.5:0.5oranında ikizlenmiştir. X-ışını deneyinden elde edilen moleküler geometri ve dimerik yapıyaek olarak, hesaplamalı yöntemlerden ab initio metodu kullanarak, taban durumda monomer vedimer halleri için optimize moleküler geometrileri, titreşim frekansları, Mullikan yükdağılımları ve HOMO, LUMO öncü orbital enerjileri hesaplatılmıştır. Hesaplamalarda,Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi (B3LYP) ve Hartree- Fock metodu kullanılarak elde edilensonuçların deneysel değerlerle karşılaştırması yapılmış, baz setleri olarak 6-31G(d, p) ve 3-21G seçilmiştir. Ayrıca, deneysel olarak kristal yapı aydınlatılırken, moleküller arası N–H...Nhidrojen bağının kristal paketlenmeyi dengelediği görülmüştür ve sonuç olarak, bu hidrojenbağının titreşim frekanslarına etkisi araştırılmış, teorik ve deneysel yoldan elde edilen verilerinbirbiriyle uyum içinde olduğu bulunmuştur.

16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009 P2

Polimerik Lifli Demetlerin Topolojisi ve Mekaniği

İbrahim Mutlay1,21Kimya Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, 06100, Ankara

2Hayzen Mühendislik, Ağaç İşleri San. Sit. 521. sok. No: 39, İvedik OSB, Ankara

Tekstil malzemeleri, polimer zincirleri, canlı dokular, proteinler vb. çok geniş bir aralıktadeğişen sayısız örneğin mikroyapısı polimerik lifli sistemlerden oluşmaktadır. Proteinlerinzincirli/lifli katlanma mekanizmaları biyofiziğin en önemli sorunlarındandır. Öte yandantekstil yapıları günümüz teknolojisinin temel malzemelerinden biri olup gündelik giyimdışında uzay-havacılıkta kompozit malzemeler gibi stratejik uygulama sahalarına sahiptir.Konunun verilen önemine rağmen lifli yapıları açıklamada maalesef yakın zamana kadar basitmekanik ve geometrik yaklaşımlar kullanılmış ve bekleneceği üzere oluşturulan modelleroldukça yetersiz kalmıştır. Bunun üzerine son dönemde, topolojik kavramları ve gerçekçimekanik yaklaşımları esas alan modeller geliştirilmesi hususunda çalışmalar başgöstermiştir.

Mevcut çalışmada lifli demetlerin mekanik davranışı için çokölçekli bir model geliştirilmiştir.Bu maksatla liflerin topolojisi ≥ 2 mertebeli eğriler ve yönlenmiş ortonormal çerçevelerkullanılarak tanımlanmıştır. Liflerin eğilme, burulma ve uzama davranışını bir arada veren birHamiltonyan terimi önerilmiştir. Ardından, tanımlanan bireysel liflerden kurulu bir lif demetielde edebilmek için gerekli topolojik simetri bağıntıları tartışılmıştır. Lif demetine aitHamiltonyan terimi, bireysel lif Hamiltonyanı ve lifler-arası etkileşimler göz önündebulundurularak ortaya konmuştur.


Kane Tipi Yarıiletken Kuantum Tellerinde Balistik İletkenlik

A.M. Babanlı1,2, S. Bahçeli1, D.Türköz Altuğ11Süleyman Demirel Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Isparta 32260, Türkiye

2Institute of Physics, Azerbaijan Academy of Sciences, 370143, Baku, Azerbaijan

Rashba spin-orbital etkileşmesi dikkate alınarak et kalınlıklı içi boş silindir şeklinde olan Kanetipi yarıiletkenin yüzeyindeki elektronun enerji spektrumu, balistik iletkenliği hesaplandı.Elektronun enerji spektrumu, Rashba spin-orbital sabitinin işaretine bağlı olarak değişiminiinceledik. Elektronun enerji spektrumu iki dala sahiptir. Rashba parametresinin büyükdeğerlerinde enerjinin bir dalında iki minimum, bir maksimum oluşur. Bu ekstremumları dışmagnetik alanla kontrol etmek mümkündür. Ekstremumların oluşması balistik iletkenliğinFermi enerjisine bağlı değişiminde monoton olmayan aralıklar oluşmasına sebep olur. Balistikiletkenliğin Fermi enerjisine bağlı olarak değişimi mutlak sıfır sıcaklığında ve sıfırdan farklısıcaklıklarda araştırılmıştır. Elektronların g-faktörünün Rashba spin-orbital etkileşmeparametresine bağlı olarak değişimi lineerdir.


Yarımagnetik Yarıiletken Kuantum KuyularındaElektronların Enerji Spektrumları

A. M. Babanlı1,2, S. Çakmak1 ve E. Akpınar Ergün11Fizik Bölümü, Süleyman Demirel Üniversitesi, Çünür,32260, Isparta

2Institute of Physics, Azerbaijan Academy of Sciences, 370143, Baku, Azerbaijan

Bu çalışmada, magnetik alanda parabolik sınırlayıcı potansiyele sahip olan Cd1-xMnxTeyarımagnetik yarıiletken, kuantum kuyularında elektronların enerji spektrumları, durumyoğunluğu, iki boyutlu elektron yoğunluğu ve dalga fonksiyonu hesaplanmıştır. Dalgafonksiyonu Hermite polinomları cinsinden bulunmuştur. Hamiltonian yazılırken elektronlarlaMn ionları arasındaki değiş-tokuş etkileşmesi dikkate alınmıştır. Magnetik alan kuantumkuyusu yüzeyine paralel yönelmiş, x-ekseninde parabolik potansiyelin olduğu durumincelenmiştir. Bulunan enerji spektrumu Mn iyonunun konsantrasyonuna bağlı olarak değişir.Enerinin alabileceği çeşitli hallerde, durum yoğunluğu için analitik ifadeler bulunmuştur.Dejenere olmayan ve güçlü dejenere olmuş durum için kimyasal potansiyelin ifadesihesaplanmıştır.


İki Boyutlu Elektron Gazında Düzensizlik Potansiyelinin PerdelemeTeorisi Davranışı

Sinem Erden Gulebaglan1, Görkem Oylumluoğlu2, Uğur Erkarslan2, AfifSiddiki2 ve Ismail Sokmen1

1Dokuz Eylül Üniversitesi,Fizik Bölümü, Tinaztepe Kampüsü, 35100 İzmir, Turkiye2Muğla Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizk Bölümü, 48170-Kotekli, Muğla, Turkiye

Safsızlık potansiyelinin etkisi sistematik bir şekilde çalışılarak, tam sayılı kuantize Hall etkisiüzerindeki etkileri incelenmiştir. Safsızlıkların (impurity) nümerik araştırması yapılıp, üçboyutta Poisson eşitliği çözülmüştür. Safsızlık erimi açısından, düzensizlik (disorder)potansiyeli ile uzun ve kısa erim potansiyeli özellikleri ayrı ayrı incelenmiştir. Basit ve aynızamanda temel olan Thomas Fermi dielektrik fonksiyonunu kullanarak uzun erim düzensizlikpotansiyelinin iyi perdelenmiş olduğu ve kısa erim kısmının zayıf olduğu gösterilmiştir. Platogenişliğinin temelde düzensizlik potansiyelinin uzun erimli salınımlarına bağlı olduğubulunmuştur.


GeI2 Bileşiğinin Yapısal, Elektronik, Elastik ve TermodinamikÖzelliklerinin ab initio Yöntemi ile İncelenmesi

Hacı Özışık1, Havva Boğaz Özışık1,2 ve Kemal Çolakoğlu21Fizik Bölümü, Aksaray Üniversitesi, Kampus, 68200, Aksaray

2Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

Bu çalışmada, GeI2 bileşiğinin fluorite (C1), ideal β-Cristobalite (C9), Rutile (C4), PbCl2

(C23), hexagonal omega (C32) ve CdI2 fazları VaSP (ab initio/LDA) program paketikullanılarak incelendi. En kararlı durumun CdI2 fazı olduğu ve örgü sabitinin deneysel değerleuyumlu olduğu görüldü. Bu faza ait elastik sabitleri “Zor-Zorlama (Stress-Strain)” yöntemikullanılarak ilk kez bu çalışmada hesaplandı. Elektronik band yapısı ve durumlar yoğunluğu(DOS) CdI2 yapı için çizildi. Ayrıca bu bileşiğin kohesif enerji değeri tahmin edildi. Fononfrekansları temel simetri yönlerinde “Direct Method” yöntemi kullanılarak ilk kez hesaplandı.Daha sonra fonon frekanslarından elde edilen veriler yardımıyla bazı termodinamiközelliklerin (Entalpi, Etropi, Isı kapasitesi, İç enerji ve Serbest Enerji) sıcaklıkla değişimiincelendi. Elde edilen sonuçlar yorumlandı.


Baryum Çinko (BaZn) bileşiğinin Yapısal, Elektronik, Elastik veTermodinamik Özelliklerinin ab initio Yöntemi ile İncelenmesi

Havva Boğaz Özışık1,2, Hacı Özışık2 ve Kemal Çolakoğlu11Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2Fizik Bölümü, Aksaray Üniversitesi, Kampus, 68200, Aksaray

Bu çalışmada, BaZn bileşiğinin B1, B2, B3 ve B4 fazlarının yapısal, elektronik ve elastiközellikleri VaSP (ab initio/LDA) program paketi kullanılarak hesaplandı. En kararlı fazın B2(CsCl) olduğu görüldü. Elde edilen örgü sabitinin literatür değeri ile uyumlu olduğu görüldü.Elastik sabitleri, “Zor-Zorlama (Stress-Strain)” ve “Volume-Conserving” yöntemlerikullanılarak hesaplandı ve her iki yöntemden elde edilen sonuçların birbiriyle uyumlu olduğugörüldü. Ayrıca dinamik (fonon frekansları) ve termodinamik özellikler (Entalpi, ısı kapasitesi,iç enerji, serbest enerji) hesaplandı. Aynı bileşiğin elektronik band yapısı ve durumlaryoğunluğu (DOS) hesaplanarak yorumlandı.


Tl2In2S3Se Katmanlı Yarı İletkenlerin Optik Spektrumlarının Belirgin Özellikleri

İpek Güler ve Nizami Hasanli Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 06531 Ankara

Tl2In2S3Se katmanlı tek kristallerin optik özellikleri, geçirgenlik ve yansıma ölçümleri yoluyla450-1100 nm dalga boyu aralığında incelendi. Soğurma verilerinin analizi sonucunda kristalin2.16 eV luk indirekt bant genişliği ve 2.42 eV luk direkt bant genişliğine sahip olduğu tespitedildi. Yansıma indeksinin dağılımı Wermple-DiDomenico tekli-efektif-salınım modelivasıtasıyla incelendi. Yansıma indeks parametreleri olan: salınım energisi, dispersiyonenergisi, salınım tesir derecesi ve sıfır-frekanslı yansıma indeksi sırasıyla 4.78 eV, 43.58 eV,13.18 × 1013 m-2 ve 3.18 olarak tespit edildi. X-ışınımı ölçümleri yardımıyla monoklinik birimhücrenin parametreleri bulundu.


(Z)-6-[(5-Chloro-2-hydroxyphenyl)aminomethylene]-2-ethoxycyclohexa-2,4-dienone molekülün Kristalografik ve Kuramsal

Analiz Çalışması

A. Özek1* , Ç. Albayrak2 ve O. Büyükgüngör1 1Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fizik Bölümü, Samsun

2 Sinop Üniversitesi, Eğitim Fakültesi, Sinop*[email protected]

Başlıktaki molekülün (C15H14ClNO3), kristal yapısı X-ışınları analizi yöntemiyle belirlendi(Şekil 1). Kristal, P21/c uzay grubunda monoklinik yapıda olup a =15.4313(7) Å, b =7.1710(2) Å, c = 12.6071(6) Å, α =90.00º, β = 111.168(4)º, γ = 90.00 º , Z = 4 özelliklerinesahiptir. Kristal yapı, içerdiği N1-H1…O3 ve N1-H1…O1 molekül içi hidrojen bağıyla keto-amin tautomerik form göstermektedir ve sırasıyla S(5), S(6) halka motifi oluşturmaktadır.Yapıda molekül içi N-H…O hidrojen bağlarına ek olarak O-H...O ve C-H...O moleküler arasıhidrojen bağı belirlenmiştir. Molekülün kristal paketlenmesinde bu etkileşimlere ek olarakπ...π etkileşimi de önemli rol oynamıştır. Çalışmanın kuramsal hesaplamalar kısmındaGaussian 03W (Gaussian 03W, 2004) paket programı içersinde yer alan yoğunluk fonksiyonelteorisi DFT yöntemi ile molekülün geometri optimizasyonu, enerji ve moleküler özellikleribelirlendi.

Şekil 1

Kaynaklar:

[1] Frisch, M. J., et al. (2004). GAUSSIAN03 Revision E.01. Gaussian, Inc., Wallingford CT06492, USA.


Nanoyapılı n-CdO/p-Si fotodiyotunun fabrikasyonu ve fizikselkarakterizasyonu

Müjdat Çağlar1, Fahrettin Yakuphanoğlu2, Yasemin Çağlar1, Saliha Ilıcan11 Fizik Bölümü, Anadolu Üniversitesi, 26470, Eskişehir

2 Fizik Bölümü, Fırat Üniversitesi, 23169, Elazığ

Bu çalışmada, nanoyapılı n-CdO/p-Si diyotunun elektriksel özellikleri akım-voltaj ve kapasite-voltaj karakteristikleri kullanılarak araştırıldı. CdO yarıiletken filmi p-tipi Silisyum üzerine soljel spin kaplama metodu ile hazırlandı. X- ışını kırınım deseninden filmin polikristal yapıyasahip olduğu bulundu. Taramalı elektron mikroskobu (SEM) fotoğraflarından, filmin nano-parçacıklardan oluşan kümeler şeklinde oluştuğu görüldü. Optik absorpsiyon ölçümlerinigerçekleştirmek için aynı deney koşullarında ITO alttaş üzerine CdO filmi büyütüldü. Eldeedilen filmin optik bant aralığı 2.45 eV olarak hesaplandı. Au/n-CdO/p-Si fotodiyotununidealite faktörü, bariyer yüksekliği ve seri direnç değeri hesaplandı. Diyot için elde edilenelektronik parametrelerin, opto-elektronik sensör uygulamaları için uygun olabileceğigörülmektedir.

Teşekkür:Bu çalışma, Anadolu Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Komisyonu tarafından 061039nolu projesi olarak desteklenmektedir.


Sol jel spin kaplama metodu ile elde edilen ZnO yarıiletken filmininfiziksel özellikleri üzerine kalay katkısının etkisi

Yasemin Çağlar, Müjdat Çağlar, Saliha IlıcanFizik Bölümü, Anadolu Üniversitesi, 26470, Eskişehir

Bu çalışmada, katkısız ve %5 Sn katkılı ZnO filmleri cam alttaşlar üzerine sol jel spin kaplamametodu kullanılarak elde edilmiştir. Elde edilen filmlerin kristalografik özellikleri, yüzeyselyapısı ve optik özellikleri incelenmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden filmlerin polikristal vehekzagonal yapıda oldukları gözlenmiştir. Filmlerin tanecik boyutu ve yapılanma katsayısıhesaplanmıştır. SEM fotoğraflarından, ZnO filminin kırışık-ağ yapıda olduğu ve aynı yapının%5 Sn katkılı ZnO filminde de korunduğu, ancak tetragonal yapıda parçacıkların oluştuğubelirlenmiştir. Elde edilen filmlerin geçirgenlik ve specular-yansıma ölçümlerindenyararlanılarak, optik bant aralıkları, Urbach enerjileri ve optik sabitleri hesaplanmıştır.Filmlerin kırılma indisi ve sönüm katsayısı Sn katkısına bağlı olarak incelenmiştir.

Teşekkür:Bu çalışma, Anadolu Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Komisyonu tarafından 061039nolu projesi olarak desteklenmektedir.


Kristal Alanlı FM/AFM İki-Tabakalı Kafes Üzerinde Spin-3/2 IsingModelinin Taban-Durumu Faz Diyagramları

Ali Yiğit1,2 ve Erhan Albayrak2 1Fizik Bölümü, Çankırı Karatekin Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi,18100, Çankırı

2Fizik Bölümü, Erciyes Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, 38039, Kayseri

İki tabakalı kafes üzerinde ferromanyetik/antiferromanyetik (FM/AFM) etkileşimleri içinSpin-3/2 Ising modelinin taban-durumu faz diyagramları koordinasyon sayısı genel qdeğerleri için kristal alana değeri değiştirilerek sabit manyetik alan altında detaylı bir biçimdeelde edildi. Sistemin (J2/J1, J3/qJ1) düzlemlerinde elde edilen taban-durumu faz diyagramlarınagöre topolojik olarak 29 farklı taban-durumu konfigürasyonu sergilediği bulundu. Kristal alandeğeri daha da negatif olmaya başladığında, beklenildiği gibi faz diyagramlarının sadece spin±1/2 değerlerini içerdiği gözlemlendi.


ZnO:Co Filmleri: Yapısal ve Yüzeysel Özellikler

Barbaros Demirselçuk ve Vildan BilginFizik Bölümü, Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, 17020, Çanakkale

Son yıllarda, düşük elektriksel özdirence ve görünür bölgede yüksek optik geçirgenliğe sahipgeniş bant aralıklı yarıiletken malzemelerden meydana gelen ve optoelektronik cihazlardayaygın kullanım alanlarına sahip saydam iletken oksit (TCO) filmlerin üretilmesi ve fizikselözelliklerinin incelenmesi üzerine pek çok çalışma yapılmaktadır. Bu çalışmada da, TCOsınıfına ait bir malzeme olan katkısız ve %2, 4 ve 6 oranında Co katkılı ZnO filmleri,yarıiletken film üretimi için uygun ve ekonomik bir teknik olan Ultrasonik KimyasalPüskürtme (UKP) Tekniği ile 275±5 °C taban sıcaklığında mikroskop cam tabanlar üzerineelde edilmiştir. Elde edilen tüm filmlerin XRD ile yapısal ve SEM ile yüzeysel özellikleriincelenmiş olup elemental analizleri EDS ile yapılmıştır. XRD incelemeleri sonucunda tümfilmlerin polikristal yapıda oluştukları belirlenmiş olup, katkısız ZnO filmlerinin kristalleşmedüzeylerinin iyi olduğu ve Co katkısına bağlı olarak filmlerin kristalleşme düzeylerinin birazkötüleştiği görülmüştür. Ayrıca, XRD desenlerinden faydalanılarak tüm filmler için yapılanmakatsayıları, yarı pik genişlikleri, tane büyüklükleri ve dislokasyon yoğunlukları gibi bazıyapısal parametreler hesaplanmış ve bu parametreler üzerine Co katkısının etkisiaraştırılmıştır. SEM görüntülerinden de film yüzeylerinin hemen hemen homojen olduğubelirlenmiştir.

Teşekkür: Bu çalışma, Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri(BAP) tarafından 2009/146 no’lu projeden desteklenmiştir.


Zn/ZnSe/n-Si/Au-Sb Yapının Akım–Voltaj KarakteristiklerininSıcaklığa Bağlılığı

B. Güzeldir, A. Ateş ve M. SağlamFizik Bölümü, Atatürk Üniversitesi, Fen Fakültesi, 25240, Erzurum

Bu çalışmada n-tipi Si yarıiletkeni kullanıldı. Gerekli kimyasal temizleme işlemleri yapıldıktan

sonra n-Si vakum ortamına alınarak mat yüzeyine Au-Sb alaşımı buharlaştırılıp 4200

C’de 3dakika tavlanarak omik kontak elde edildi. n-Si’un parlak yüzeyi üzerine Successive IonicLayer Adsorption and Reaction (SILAR) metodu yardımıyla ZnSe ince filmi büyütüldü. Dahasonra, elde edilen ince filmlerin üzerinde kontak alanını belirlemek için 1 milimetre çaplımaskeler kullanılarak Zn metali buharlaştırıldı ve böylece Zn / ZnSe / n-Si /Au-Sb yapısı eldeedildi. Elde edilen Zn/ZnSe/n-Si/Au-Sb yapıların sıcaklığa bağlı akım-voltaj (I-V) ölçümlerisıvı azot sıcaklığından başlanarak oda sıcaklığına kadar 20K adımlarla (80-300K) alındı Herbir sıcaklık ölçümünden sonra alınan akım-voltaj ( I-V) ölçümlerinden yararlanarak idealitefaktörü, engel yüksekliği değerleri sıcaklığa bağlı olarak hesaplandı. Artan sıcaklığa bağlıolarak idealite faktörü değerlerinin azaldığı, engel yüksekliği değerlerinin arttığı gözlendi.Modifiye edilmiş Richardson eğrilerinden elde edilen Richardson sabitinin teorik olarak n-tipiSi yarıiletken için hesaplanan (112 A/K2cm2) sayısal değeri ile uyum içinde olduğu bulundu.SILAR metodu elde edilen Zn/ZnSe/n-Si/Au-Sb yapının, metal-yarıiletken diyotları devreelemanı modifikasyonu uygulamalarında alternatif olarak kullanılabileceği görüldü.

Teşekkür:Bu çalışma, TÜBİTAK tarafından TBAG-108T500 numaralı proje ile desteklenmektedir.Verdiği destekten dolayı TÜBİTAK’a teşekkür ederiz.


Süperiletken tek eklemli interferometer bazında kuantum bit

I.N.Askerzade1,2 , Ş. Emrah11 Bilgisayar Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, 06100, Tandoğan, Ankara, Turkiye

2 Azerbaycan Bilimler Akademisi, Fizik Enstütü, Bakü- AZ1143, Azerbaycan

Josepson eklemi ve interferometerler bazındakı kuantum bitler son yıllar yogun ilgigörmektedir. Süperietken kuantum bitlerin özellikjleri Hamiltonian formalizmi kapsamında

araştırıla bilir. Bu yaklaşımda Cooper çiftlerinin sayı operatoru n için n ij¶

= -¶

ifadesi

kullanıla bilir, burada f Josephson fazıdır/1,2/. Süperiletken tek eklemli interferometeriçin uygun hamiltonian aşagıdakı gibi yazılabilir:

22 ( )ˆ cos

2e

C J JH E n E El

j jj -= - + , burada

2c

JIEe

=h -Josephson alakası,

2(2 )2CeEC

= -

Coulomb enerjisi,0

2F

= cLIl

p-normalizasyon yapılmş süperiletken ilmeğin induktansı,

0F magnetik akının kuantumu. Perturbasion yaklaşımı kullanılarak taban durumunun

yarılması için ED ifade elde edilmiştir. Gösterilmiştir ki, EDFL

L parametresi ve eF dış

manyetik akı ile belirlenmektedir, burada 20 1( )FLp wF

=h

kuantum fluktuatuason induktansı,

LC1

=w ise harmonik salınganın frekansıdır. Elde edilen sonuçlar kuantum bitlerin

kontrölu /3/ ve onların farklı fiziksel büyüklüklere duyarlılığını araştırma için önemlidir.

Referanslar

1. Legget A.J., Carg A.// 1985. Phys.Rev. Letters,v.54., p.8372. Vendin G., Shumeiko V.S., //2007. Low temperature physics. v.33. p. 9573. Pashkin Yu.A., Astafiev O., Yakamoto T., Nakamura Y. , Tsai J.S. //2009. Quantum Inf. Process,.v. 8 . p.55


Isısal Buharlaştırılma Tekniği kullanılarak Üretilen CIGS İnceFilmlerin Karakterizasyonu

İ. Candan, M. Parlak ve Ç. ErçelebiFizik Bölümü, Ortadoğu Teknik Üniversitesi, 06531, Ankara

Bu çalışmada, güneş pili yapılarında soğurucu katman olarak kullanılmak üzere CuIn1-x GaxSe2(CIGS) yarıiletken ince filmler ısısal buharlaştırma tekniği kullanılarak üretildi. Üretilen CIGSince filmlerin üretim sıcaklığındaki yapısal özellikleri ve bu özelliklerin farklı tavlamasıcaklığı ve farklı tavlama sürelerine göre değişimi X-ışını kırınımı (XRD) ve enerji dağılımlıX-ışını analizi (EDXA) yöntemleri kullanılarak incelendi. Ayrıca, filmlerin elektrikselözellikleri sıcaklık bağımlı iletkenlik ölçümü, Hall etkisi ölçümü ve fotoiletkenlik ölçümleriyapılarak karakterize edildi. CIGS yarıiletken ince filmlerde iletkenliğin oda sıcaklığında,tavlama sıcaklığına ve süresine bağlı olarak 1.98 x10-3 ile 2.70 x10-1 (Ω-cm)-1 aralığındadeğiştiği görüldü. Sıcaklık bağımlı iletkenlik ölçümlerinden aktivasyon enerjisi değerleritavlama işleminin süresi ve sıcaklığına bağlı olarak yaklaşık 8 meV ile 108 meV aralığındahesaplandı. Filmlerin fotoiletkenliklerinin aydınlatma şiddeti ile orantılı olarak arttığı vearttışın tavlama sıcaklığına göre değiştiği görüldü. Filmlerin optik özellikleri 325-900 nmaralığında geçirgenlik ölçümleri yapılarak incelendi. Yapılan geçirgenlik ölçümleri neticesindeüretilen CIGS yarıiletken ince filmlerin optik bant enerji aralığı değerlerinin tavlamasıcaklığına bağlı olarak 1.32 eV ile 1.41 eV aralığında değiştiği gözlendi.


Difüzyon yoluyla Demir (Fe) katkılanmış Bi-2223 süperiletkenindedifüzyon-ısıl işlem süresinin numunenin mekanik özellikleri üzerine

etkisi

E. Aşıkuzun1, Ö. Öztürk1 ve C. Terzioğlu21Fizik Bölümü, Kastamonu Üniversitesi, 37100, Kastamonu

2Fizik Bölümü, Abant İzzet Baysal Üniversitesi, 14280, Bolu

Bu çalışmada, standart katıhal reaksiyon metodu kullanılarak hazırlananBi1.8Pb0.35Sr1.9Ca2.1Cu3Oy süperiletkenine difüzyon yoluyla demir (Fe) katkılanması vedifüzyon ısıl işlem süresinin, süperiletkenin mekaniksel ve süperiletkenlik özellikleri üzerineetkisi incelenmiştir. Bi-2223 süperiletkeni üzerine, metal buharlaştırma cihazıyla kaplanandemir (Fe) film tabakası, ısıl işlem yöntemi ile numuneye difüze ettirilmiştir. AraştırmalarSEM, dc özdirenç ve mikrosertlik ölçümlerinden oluşmaktadır. Bu ölçümler, difüzyon-ısılişlem süresinin arttırılmasıyla kritik sıcaklık (Tc), kritik akım yoğunluğu (Jc), vickersmikrosertliği (Hv), esneklik katsayısı (E), gerilme (Y), kırılma dayanımı (KIC) değerleriniiyileştirdiğini ve tanecikler arası bağlantıyı geliştirdiğini göstermektedir. Numunelerinmekaniksel özellikleri difüzyon-ısıl işlem süresine ve yüke bağlı olarak bulunmuştur. Ekolarak, numunelerin Vickers mikrosertliği (Ho), esneklik katsayısı (E), gerilme (Y) ve kırılmadayanımı (KIC) değerleri yükten bağımsız olarak da hesaplanmıştır. Bu çalışmada, Bi-2223süperiletken malzemesine difüzyon yoluyla demir katkılaması sonucunda, numunenin mekanikve süperiletkenlik özelliklerinde meydana gelen bu iyileşmenin nedenleri tartışılmıştır.

Bu çalışma Türkiye Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Kurumu (Tübitak) tarafındandesteklenmiştir. (Proje No:104T325)


Ab-initio Yöntem Kullanılarak DySb Bileşiğinin Yapısal, Elektronik,Elastik ve Termodinamik Özelliklerinin İncelenmesi

C. Deniz Uysal1, Yasemin Öztekin Çiftci1, Kemal Çolakoğlu1 ve ÜlküBayhan2

1Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2Fizik Bölümü, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, 15030, Burdur

Bu çalışmada, yoğunluk fonksiyoneli teorisi(DFT) ve düzlem dalga pseudo potansiyelinedayanan ab-initio kod olarak VASP (Vienna ab simulation package) paket proğramıkullanılarak DySb bileşiğinin yapısal, elektronik ve elastik özellikleri için hesaplamalaryapıldı. Değiş tokuş korelasyon potansiyeli olarak genelleştirilmiş gradyentyaklaşımı(GGA)kullanıldı. Toplam enerji hesaplamalarında iyonlar ve elektronlar arasındakietkileşmeleri tanımlamak için VASP tarafından sağlanan PAW (projected augmented plane-wave) metodu kullanıldı. NaCl (B1), CsCl (B2), ZB (B3), WC (Bh) ve Tetragonal fazlardayapı parametreleri araştırıldı. Aynı zamanda quasi-harmonic Debye modeli kullanılaraktermodinamik özellikler belirlendi. Hacim, bulk modülü, termal genleşme katsayısı, ısıkapasitesi ve Debye sıcaklığının basınç (0 - 20 GPa) ve sıcaklıkla (0 - 2000 K) değişimiincelendi. Bulduğumuz sonuçların mevcut diğer teorik ve deneysel çalışmalarla uyum içindeolduğu gözlemlendi.


MoTa ve MoNb ikili Bileşiklerinin CsCl Yapıda Yapısal, Elektronik veFonon Özelliklerinin İncelenmesi

N. Arikan1, Ş. Uğur, G. Uğur2 ve M. Çivi21İlköğretim Bölümü, Fen Bilgisi Anabilim Dalı, Ahi Evran Üniversitesi, Kırşehir


Bu çalışmada yoğunluk fonksiyonel teorisi (DFT) içerisinde genelleştirilmiş eğim yaklaşımı(GGA) kullanılarak B2 (CsCl) yapıdaki MoTa ve MoNb bileşiklerinin yapısal, elektronik vefonon özellikleri araştırıldı. Hesaplanan örgü sabitleri ve hacim modüllerinin diğer teorikçalışmalarla uyumlu olduğu görüldü. Hesaplanan örgü sabitleri kullanılarak elektronik bantyapısı ve durum yoğunluğu eğrileri çizildi. İki bileşiğinde elektronik bant yapı grafiklerininoldukça benzer özellikte olduğu bulundu. Ayrıca yoğunluk fonksiyonel pertürbasyon teorisikullanılarak fonon frekansları hesaplanarak temel simetri yönleri boyunca çizildi.


Ni0.80Rh0.20 Alaşımının Moleküler Dinamik Simülasyonu

Ülkü Bayhan1, Yasemin Öztekin Çiftçi21Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

2FizikBölümü, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, Burdur,15030,Burdur

Bu çalışmada, Ni0.80Rh0.20 alaşımının moleküler dinamik simülasyonu, Sutton-Chen (SC)potansiyeli kullanılarak incelendi. Potansiyel parametreleri Ni, Rh, metalleri ile Ni0.80 Rh 0.20alaşımının deneysel fonksiyon parametrelerine fit edilmesiyle elde edilen veriler kullanıldı.Ni0.80 Rh 0.20 alaşımının camsı yapı oluşum sürecini atomik olarak tanımlamak için, sabitbasınç, sabit sıcaklık (NPT) moleküler dinamik simülasyonu uygulandı. Sıvı fazda iken6.66x1013 K/s soğutma hızında Ni0.80 Rh 0.20 alaşımının yapısı ve metallik cam oluşumu radyaldağılım fonksiyonu yardımı ile incelendi. Simülasyon, üç temel doğrultu boyunca periyodiksınır şartlarını sağlayan kübik bir hücrede 864 atom içeren sistemle gerçekleştirildi. Hareketdenklemleri genişletilmiş Hamiltoniyen yaklaşımı kullanılarak sayısal olarak çözüldü.Soğutma deneyi için sıvı hal başlangıcı, katının sıvı sıcaklığına ısıtılmasıyla elde edildi. Sistem0.1K-3000K sıvılaşma bölgesi üzerindeki sıcaklığa kadar ısıtıldıktan sonra homojenize edildive hızla oda sıcaklığına soğutuldu.

Anahtar Kelimeler: Moleküler Dinamik Simülasyon, Sutton-Chen Potansiyeli, Ni-RhAlaşımı


Tl2Ga2Se3S Katmanlı Kristallerde Isıluyarılmış Akım Ölçümleri ileTuzak Parametrilerinin Belirlenmesi

M. Işık1, N. M. Hasanli2 ve H.Özkan21Atılım Üniversitesi, Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü

2ODTÜ, Fizik Bölümü

Tl2Ga2Se3S katmanlı tek kristallerinde 10-300 K sıcaklık aralığında ısıluyarılmış akımölçümleri gerçekleştirildi. Deneysel veriler aktivasyon enerjileri 12, 76 ve 177 meV olan üçelektron tuzak merkezinin bulunduğunu gösterdi. Bu tuzak seviyelerinin yakalama kesitalanları ve yoğunlukları belirlendi. Deneysel sonuçlar ile yavaş geri tuzaklanmaya dayalıteorik öngörülerinin uyumlu olması bu tuzak seviyelerinde geri tuzaklanmanın ihmal edilebilirolduğunu gösterdi. Farklı ışınlama sıcaklıkları sonucunda elde edilen ısıluyarılmış akım ölçümverilerinin analizi elektron tuzaklarının üstel dağılımını ortaya çıkardı. Bu deneysel teknik,tuzak dağılımlarının farklı iki tuzak seviyesi için 10 ve 88 meV/geçiş değerine sahip olduğunugösterdi.


L21 Yapıdaki Ni2MnGa ve Ni2FeIn Bileşiklerinin Yapısal, Elektronik veElastik Özelliklerinin Hesaplanması

G. Uğur1 ve R. Ellialtıoğlu21Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

2Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, Ankara

Bu çalışmada ferromagnetik L21 yapıdaki Ni2MnGa Heusler bileşiğinin yapısal, elastik veelektronik özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisinin (DFT) gelişmiş metotları ile araştırıldı.Farklı sanki potansiyeller (PAW, GGA, PAW-GGA, PAW-PBE) kullanılarak örgü sabitihesaplandı. PAW-GGA ile hesaplanan örgü sabiti kullanılarak hacim modülü hidrostatikbasınç altında zorlanma, ikinci mertebeden elastik sabitleri ise basit, ortorombik, tetragonal vemonoklinik zorlanma uygulanarak elde edildi. Bileşiğin toplam ve elementel manyetikmoment katkıları hesaplandı. Spin kutuplanmış elektronik bant yapısı ve durum yoğunluğueğrileri çizildi. Fermi seviyesi civarındaki bantların Ga-4p ve Ni-3d elektronlarındankaynaklanma olduğu görüldü. Elde edilen tüm sonuçlar literatürdeki deneysel ve diğerkuramsal sonuçlarla karşılaştırıldı. Ayrıca aynı yapıdaki Ni2FeIn bileşiği için PAW-PBE sankipotansiyeli kullanarak yapılan hesapların sonucunda yapısal, elektronik ve elastik özellikleriçalışıldı.

Teşekkür:

Bu çalışma Hacettepe Üniversitesi 0701602005 nolu projesi ile desteklenmiştir.


B2 Yapıdaki CoAl Alaşımının Yapısal, Elektronik ve TitreşimÖzelliklerinin Teorik Olarak İncelenmesi

A. İyigör1, Ş. Uğur1 ve R. Ellialtıoğlu21Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara


Bu çalışmada yoğunluk fonksiyonel teorisi (DFT) kapsamında içerisinde genelleştirilmişgradiyent yaklaşımı (GGA) ve yerel yoğunluk yaklaşımı (LDA) kullanılarak CsCl (B2)yapıdaki CoAl alaşımının yapısal, elektronik ve titreşim özellikleri araştırıldı. Elektronik bantyapısı, kısmi ve toplam durum yoğunluğu eğrileri spin-aşağı ve spin-yukarı durumlar içinçizildi. Fermi enerjisinin hemen altındaki bantların M-R simetri yönü hariç oldukça düzolduğu ve toplam durum yoğunluğu eğrisinde keskin bir tepe verdiği görüldü. Kısmi durumyoğunluğu eğrisinden bu keskin tepenin Co-3d elektronlarından kaynaklandığı sonucunavarıldı. Yapısal ve elektronik özellikler için elde edilen sonuçların daha önceki çalışmalarlauyumlu olduğu gözlendi. Son olarak CoAl alaşımının fonon dağılım ve durum yoğunluğueğrileri temel simetri yönleri boyunca çizildi.

Teşekkür:Bu çalışma, Gazi Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Birimi 05/2009-39 nolu projesi veHacettepe Üniversitesi 0701602005 nolu projesi ile desteklenmiştir.


Magnetron Reaktif-Saçtırma Yöntemiyle TiN İnce FilmlerininHazırlanması ve Fiziksel Özelliklerinin Belirlenmesi

A.Begüm Arığ, Hakan Çalışkan, H.Zafer DurusoyFizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800, Ankara

TiN kaplamaları, yalıtkan malzemelerde bulunan kovalent bağlar, yüksek sertlik ve erimesıcaklığı gibi özellikleri içerisinde barındırırken, metalik elektriksel iletkenlik, düşük sürtünmekatsayısı, kimyasal dayanıklılık gibi ilave özelliklere sahip olmasından ötürü çok dikkat çekensihirli bir malzemedir.Ayrıca görünür bölgede sergilediği yüksek optik geçirgenliğinden ve sahip olduğu altınrenginden ötürü de optik kaplamalarda oldukça sık tercih edilen bir katmandır. TiN’ün bu tipolağanüstü özelliklere sahip olması, onu geniş uygulama alanlarının ve teknolojikuygulamaların aranılan malzemesi haline getirmiştir.Sunulan çalışmada, metalik Ti hedefine uygulanan RF/DC gücünün, alttaşa uygulanan negatifdağlama geriliminin ve nitrojen kısmi basıncının kaplama hızına, filmin elektriksel direncine,rengine ve geçirgenliğine olan etkisi incelenmiştir. Bu sayede istenilen stokiyometride veözellikte TiN elde edebilmek için gerekli optimum deneysel koşullar belirlenmiştir.% 6-30 oranlarında değişen N2 kısmi basıncında, 40-150 Watt saçtırma gücünde ve 0-250VDC dağlama voltajlarında deneyler yapılmış ve üstün özelliklerde TiN örneklerhazırlanmıştır. Örneklerin I-V özellikleri 100-400 K aralığında ölçülerek, TiN kaplamalarınmetalik davranış sergiledikleri gözlenmiştir. Ayrıca NKD fotospektrometresi ile 350-1100 nmaralığında eş-zamanlı optik yansıtma ve geçirgenlik değerleri ölçülmüştür. Ölçümsonuçlarından TiN’ün 500 nm civarında yer alan optik pencereye sahip olduğu belirlenmiştir.Özelliklerin, hazırlanma şartlarına olan bağımlılığı irdelenmiştir.


Nematik Fazlarda Elektro-optik Olaylar

Rıdvan KarapınarFizik Bölümü, Yüzüncü Yıl Üniversitesi, 65080 Van

Nematik Sıvı Kristal (NSK) fazlar, kristal yapılı katılar ile izotropik sıvılar arasında bir ara halsergileyen organik bileşiklerdir. NSK bir ortamda moleküllerin uzun eksenleri ortaklaşa olarakbelirli bir yön vektörü boyunca dizilme eğilimi gösterirler. Bu durum maddenin fizikselözelliklerinde anizotropik bir davranışın ortaya çıkmasına yol açar. Moleküllerin düzenlenmebiçimlerine bağlı olarak nematik, simektik ve kolesterik gibi ara fazlar arasinda teknolojiköneme sahip olan nematik fazdir. Bu fazdaki moleküllerin elektrik ve manyetik alan gibi dışetkilere oldukça duyarlı olmasi nedeniyle, bu maddeler örneğin birkaç voltluk bir potansiyelfarkı uygulanması ile opak halden saydam bir hale geçebilirler. NSK’lerin bu ilginç elektro-optik özellikleri gösterge amaçlı elektronik devrelerin çalışma ilkesini oluşturur. Özellikle1980li yıllardan başlayarak, NSK teknolojisindeki gelişmeler bilimsel araştırmalar ve teknikuygulamalar arasındaki karşılıklı etkileşmenin sonucu olarak doruk noktaya ulaşmış vegünümüzde renkli, düz ekranlı ve yüksek bilgi yoğunluğuna sahip bilgisayar ve televizyon gibigöstergelerin yapımı gerçekleşmiştir. Bu bildiride, NSK fazlarin elektro-optik özellikleriinceleme konusu edilmektedir.


Propan-1,3-diamin ve N-metilpropan-1,3-diamin ile Hazırlanan Cu(II)ve Ni(II)–Orotat Komplekslerinin Yapısal Olarak İncelenmesi

Gökhan Kaştaş1, Hümeyra Paşaoğlu1, Okan Z. Yeşilel2 ve İbrahim Kani31Fizik Bölümü, Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Samsun.

2Kimya Bölümü, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Eskişehir.3Kimya Bölümü, Anadolu Üniversitesi, Fen-Fakültesi, Eskişehir.

Bu çalışmada, geçiş metal iyonları ile hazırlanan [Cu2(µ-HOr)2(pda)2] (1), [Cu2(µ-HOr)2(mpda)2].3(H2O) (2) ve [Ni(HOr)(pda)(H2O)2] (3) (HOr: Orotik asit anyonu; pda:Propan-1,3-diamin; mpda: N-metilpropan-1,3-diamin) komplekslerinin yapıları X-ışını kırımıyöntemiyle belinlenmiştir. Kompleks 1, dimerik [Cu2(µ-HOr)2(pda)2] birimlerden meydanagelmektedir ve Cu(II) iyonları tepesinde köprü O atomu bulunan kare piramit koordinasyongeometrisine sahiptir. Kristal yapıda N–H···O tipi hidrojen bağlarıyla bağlanan HOr ligantları(101) düzleminde merkezi-simetrik )8(2

2R halkaları oluşturmaktadır. HOr ve pda ligantları

arasındaki hidrojen bağları ise (n+1, 0, 1/2) konumlarında yer alan )8(22R halkaları

oluşturmaktadır. Kompleks 2, ilk bahsedilen kompleks 1 ile aynı koordinasyon geometrisinesahiptir. Ancak kompleks 2, orotat ligantlarının yapıda köprü olarak davrandığı birkoordinasyon polimeridir. Birbirine komşu [Cu(HOr)(mpda)] birimleri HOr ligantınınkarboksil oksijenleri ile bağlanmaktadır ve a ekseni boyunca ilerleyen zig-zag bir zincir yapıoluşturmaktadır. Kristal paketlenmede N–H···O ve O–H···O tipi hidrojen bağlarının üç boyutlusupramoleküler bir yapı oluşturduğu görülmektedir. Kompleks 3 de Ni(II) iyonu kompleks 1den farklı olarak bozunmuş octahedral bir çevreye sahiptir. Hidrojen bağları, üç boyutlupolimerik yapı oluşmunda etkin rol oynamaktadır. Karboksil grupları, pda ligantının amingrupları ile etkileşmektedir ve HOr ligantları primidin N ve ekzosiklik O atomları üzerindenbirbirlerine karşılıklı olarak hidrojen bağlarıyla bağlanmıştır. Böylece, kristal paketlenmede

)8(22R ve )12(2

2R halka motifleri oluşmaktadır. Tüm bu etkileşimlerin etkisiyle de yapıdabasamak biçimli hidrojen bağ deseni oluşmaktadır (Şekil 1).

Şekil 1. [Ni(HOr)(pda)(H2O)2] kristal paketlenmesinde oluşan merdiven biçimi hidrojen bağdeseni.


TiO2 Destekli Nanoyapıların ve yüzeylerinYapısal ve Elektronik Özellikleri

N. Akın1, M. Çakmak1 ve Ş. Ellialtıoğlu21Yarıiletken Teknolojileri İleri Araştırmalar Labaratuvarı, Gazi Üniversitesi, 06500 Ankara

2Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 06531 [email protected]

Elektronik devrelerde tel görevi üstlenebilecek yeni yapılar oluşturabilmek, yeni nano elektrikcihazlar üretebilmek güncel ve oldukça popüler bir konudur. Yapılan teorik çalışmalar, uygunnanotüplerin üretilmesi ve geliştirilmesi açısından hem zaman hem de kaynak tasarrufusağlamaktadır, hatta uygun olmayanların elenmesi bakımından deneysel çalışmalara öncülükedebilmektedir. Bu çalışmada, oluşturulması düşünülen GaN nanotüplerini tek başınaincelemek yerine TiO2 (titanya) yüzeyi üzerinde incelemek, yapıyı teknolojik olarak çok dahaönemli bir hale getirecektir. Dielektrik sabiti yüksek malzemelerden olan TiO2 çok düzgün vekararlı yüzeylere sahiptir ve bu özelliği ile büyük ilgi görmektedir. İlk hesaplamalardaTiO2’nın en kararlı yüzeyi olan rutil (110) yüzeyi için örgü parametresi hesabı ve band yapısıhesabı yapıldı. Hesaplamalarda VASP ab-initio simülasyon paket programı kullanıldı [1,2] veelde edilen Egap= 1,69 eV değerinin daha önce çalışılmış teorik bir çalışma ile oldukça uyumluolduğu görüldü [3]. Sonraki aşamalarda rutil (110) yüzeyi üzerine GaN nanotüpününtutunması incelenecek ve bu sistem için band hesabı yapılacak ve kimyasal bağ yapılarıbelirlenecektir.

Bu çalışma TÜBİTAK–TBAG 107T560 nolu proje ile desteklenmektedir.

Anahtar Kelimeler: GaN nanotüp, titanya yüzeyleri, yoğunluk fonksiyoneli hesapları

Kaynaklar[1] G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 47, 558 (1993), and 49, 14251 (1994).[2] G. Kresse and J. Furthmüller, Comp. Mat. Sci. 6, 15 (1996).[3] F. Labat, P. Baranek, C. Domain, C. Minot, and C. Adamo, J. Chem. Phys. 126, 154703(2007).

mailto:nihanakin:@gazi.edu.tr


B1 ve B2 Yapıdaki ZrX (X=S, N, P, C) Bileşiklerinin Yapısal,Elektronik ve Fonon Özellikleri

A. Karaduman1, G. Uğur1 ve R. Ellialtıoğlu21Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara


NaCl(B1) ve CsCl(B2) yapıdaki ZrX (X=S, N, P, C) bileşiklerinin yapısal, elektronik ve fononözellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi (DFT) ile beraber sanki potansiyel (PP) vegenelleştirilmiş gradiyent yaklaşımı (GGA) kullanılarak araştırıldı. Yapısal özellikleriçerisinde hesaplanan örgü sabitleri, hacim modülleri ve hacim modüllerinin basınca görebirinci türevleri daha önce yapılan çalışmalarla karşılaştırıldı. Bütün bileşiklerin iki farklıfazda elektronik bant yapıları, kısmi ve toplam durum yoğunluğu eğrileri çizildi. Son olarakB1 ve B2 yapıdaki ZrX (X=S, N, P, C) bileşiklerinin fonon dağılım eğrileri lineer-tepkiyaklaşımında çizildi. ZrN ve ZrC bileşiklerinin B1 yapıda, ZrS bileşiğinin ise B2 yapıdakararlı fonon dağılımı gösterdiği bulundu.

Teşekkür:

Bu çalışma Hacettepe Üniversitesi 0701602005 nolu projesi ile desteklenmiştir.


ZrX (X=Zn, Os, Ru, Pt) Bileşiklerinin Sezyum Klorür Yapıda Yapısal,Elektronik ve Titreşim Özellikleri

S. Kaplan1, N. Arikan2, G. Uğur1 ve M. Çivi11Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

2İlköğretim Bölümü,Fen Bilgisi Anabilim Dalı, Ahi Evran Üniversitesi, Kırşehir

Bu çalışmada sezyum klorür yapıda ZrX (X=Zn, Os, Ru, Pt) bileşiklerinin yapısal, elektronikve titreşim özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi içerisinde genelleştirilmiş eğim yaklaşımı(GGA) kullanılarak hesaplandı. Bulunan yapısal özellikler literatürde mevcut diğerçalışmalarla karşılaştırıldı. Elde edilen örgü sabitlerini kullanarak elektronik bant yapısı vedurum yoğunluğu grafikleri çizdirildi. Son olarak fonon dağılım ve durum yoğunluğu eğrileritemel simetri yönleri boyunca çizildi. ZrPt hariç diğer bileşiklerin kararlı olduğu görüldü.

Teşekkür:

Bu çalışma, Gazi Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Biriminin 05/2008-18 ve 05/2007-17 nolu projeleri ile desteklenmiştir.


Au/PVA/n-Si (MIS) Schottky Diyotların Elektriksel ParametrelerininDüşük Sıcaklıklarda İncelenmesi

S. Bengi1, M. M. Bülbül1, İ. Dökme2, Ş. Altındal1, T. Tunç31Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

2Fen Bilgisi Öğretmenliği, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara3Fen Bilgisi Öğretmenliği, Aksaray Üniversitesi, Kampüs, 68100, Aksaray

Au/PVA/n-Si (MIS) Schottky diyotların kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V)karakteristikleri, 80- 300K düşük sıcaklık ve ±6V voltaj aralığında 1 MHz için incelendi. Seridirençten dolayı doğru beslem C-V grafiğinin bir pik verdiği ve bu pik değerlerinin artansıcaklık değerleriyle arttığı gözlendi. Bu MIS yapının C-V ve G/w-V eğrilerinde ideal bir MISyapıda beklenmeyen belirgin bir voltaj değerinde kesişme gözlendi. Arayüzey durumları (Nss)ve seri direnç (Rs) değerlerinin MIS yapının elektriksel özellikleri üzerinde önemli ölçüdeetkili olduğu gözlendi. Ayrıca, MIS yapının 1 MHz yüksek frekansta ölçülen Cm ve Gm/wdeğerleri, gerçek Cc ve Gc/w değerlerini elde etmek için seri direnç etkisi dikkate alınarakdüzeltildi.


PrN Bileşiğinin Yapısal, Elektronik, Elastik ve TermodinamikÖzelliklerinin İlk Prensip Hesaplarla İncelenmesi

Belgin Koçak, Yasemin Öztekin Çiftçi, Kemal ÇolakoğluFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

Bu çalışmada genelleştirilmiş gradyent yaklaşımı (GGA) altında yoğunluk fonksiyoneli teorisi(DFT) ve düzlem dalga pseudo-potansiyel yöntemi kullanılarak PrN bileşiğinin yapısal,elektronik, elastik ve termodinamik özellikleri incelendi. Bileşik için NaCl(B1), CsCl(B2),ZB(B3), WC(Bh) ve tetragonal kristal yapılarında örgü parametreleri, bulk modülü, bulkmodülünün basınç türevi ve kohesif enerji değerleri hesaplandı. Ayrıca yarı harmonik debyeyaklaşımı kullanılarak V/Vo oranının basınçla, bulk modülü ve lineer termal genleşmekatsayısının sıcaklık ve basınçla değişimi incelendi.


TbN Bileşiğinin Yapısal, Elektronik, Elastik ve TermodinamikÖzelliklerinin Ab-initio Yöntemle İncelenmesi

Merve Özayman1, Yasemin Öztekin Çiftci1, Kemal Çolakoğlu1 ve ÜlküBayhan2

1Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2Fizik Bölümü, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, 15030, Burdur

Bu çalışmada, TbN bileşiğinin yapısal, elektronik ve elastik özelliklerinin belirlenmesindeetkin bir yöntem olan yoğunluk fonksiyoneli teorisi (DFT) ve düzlem dalga pseudopotansiyeline dayanan ab-initio kod olarak VASP (Vienna ab simulation package)kullanılarak hesaplamalar yapıldı. Değiş tokuş korelasyonu potansiyeli olarak genelleştirilmişgradyent yaklaşımı (GGA) kullanıldı. Toplam enerji hesaplamalarında iyonlar ve elektronlararasındaki etkileşmeleri tanımlamak için VASP tarafından sağlanan belirginleştiren düzlemdalga (projected augmented plane-wave- PAW) metodu kullanıldı. NaCl (B1), CsCl (B2), ZB(B3), WC (Bh) ve Tetragonal fazlarda yapı parametreleri araştırıldı. Aynı zamanda quasi-harmonic Debye modeli kullanılarak termodinamik özellikler belirlendi. Hacim, bulk modülü,termal genleşme katsayısı, ısı kapasitesi ve Debye sıcaklığının basınç ve sıcaklıkla değişimi 0 -113 GPa ve 0 - 2000 K sıcaklık aralıklarında incelendi. Bulduğumuz sonuçların diğer teorik vedeneysel çalışmalarla uyum içinde olduğu gözlemlendi.


YB2 Bileşiğinin Titreşimsel ve Termodinamik Özellikleri

Engin Deligöz1, Kemal Çolakoğlu2 ve Yasemin Çiftçi21Fizik Bölümü, Aksaray Üniversitesi, 68100, Aksaray


Bu çalışmada, YB2 bileşiğinin P6/mmm (örgü grubu 191) yapısının titreşimsel vetermodinamiksel özellikleri ab-initio hesaplama yöntemi ile incelendi. Hesaplamalar, SIESTAprogramı ile genelleştirilmiş eğim yaklaşımı göre oluşturulan değiş-tokuş korelasyonfonksiyoneli ile gerçekleştirildi. Hesaplanan örgü sabitleri kullanılarak yük yoğunluğu, fonondispersiyon ve durum yoğunluğu eğrileri çizilerek gamma noktasındaki modlarda atomlarınhareketi incelendi ve sonuçlar tartışıldı. Hesaplanan fonon dispersiyon eğrisinde negatif modbulunmaması, bu yapının dinamiksel olarak kararlı olduğunu gösterdi. Ayrıca serbest enerji, içenerji, ısı kapasitesi ve entropinin sıcaklık ile değişimi incelendi. Elde edilen sonuçlarındeneysel çalışmalar ile uyumlu olduğu görüldü.


SrSe ve SrTe Bileşiklerinin ab-initio Yöntemle Dinamik Özelliklerininİncelenmesi

B. Nay1, Ş. Uğur1 ve R. Ellialtıoğlu21Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara


B2(CsCl) yapıdaki SrSe ve SrTe bileşiklerinin yapısal, elektronik ve titreşim özellikleri sankipotansiyel metodu (PP) ve genelleştirilmiş gradiyent yaklaşımı (GGA) kullanılarak hesaplandı.Her iki bileşiğinde örgü sabitlerinin ve hacim modüllerinin daha önceki deneysel ve teorikçalışmalarla oldukça uyumlu olduğu görüldü. Temel simetri yönleri boyunca elektronik bantyapısı ve durum yoğunluğu grafikleri çizildi. Ayrıca doğrudan ve dolaylı bant aralıkları diğerçalışmalarla karşılaştırıldı. Bu iki bileşiğin fonon frekansları lineer tepki yaklaşımında ilk defabu çalışmada hesaplandı ve durum yoğunlukları ile birlikte temel simetri yönleri boyuncaçizildi.

Teşekkür:

Bu çalışma, Gazi Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Birimi 05/2009-39 nolu projesi veHacettepe Üniversitesi 0701602005 nolu projesi ile desteklenmiştir.


Boşluk Dopingi ile Grafen Şeritteki Karbon Bağlarının Relaksiyonu

Osman Özsoy1,2 ve Kikuo Harigaya31Elektronik Teknolojisi Bölümü, Kayseri Meslek Yüksekokulu, Erciyes Üniversitesi, 38039, Kayseri

2Erciyes Teknopark A.Ş., Erciyes Üniversitesi, 38039, Kayseri3Nanotechnology Research Institute, AIST, Tsukuba 305-8568 Japan

Nano-skaladaki malzemelerin bağlarındaki değişiklik yapmanın ve elektronik band yapısınıdeğiştirmenin en direkt yollarından birisi doping olayıdır. Bu çalışmada, oldukça küçük birgrafen şeridi dikkate alınmış ve boşluklarla doping yapılmıştır. Şeridin bağlarındaki değişiklikboşluk sayısı artırılarak analiz edilmiş ve sonuçlar doping yapmadan ve doping yapıldıktansonar karşılaştırılmıştır.


Ag-Sn İkili Metalik Alaşımında Katı Sn Fazı İçin Katı-Sıvı ve TaneArayüzey Enerjilerinin Deneysel Olarak Belirlenmesi

Fatma Meydaneri1, Mehmet Özdemir2, Buket Saatçi1, Murat Lüy31Erciyes Üniversitesi,Fen-Edeb. Fakültesi, Fizik Bölümü, Talas, 38039, Kayseri

2Erciyes Üniversitesi,Fen-Edeb. Fakültesi, Kimya Bölümü, Talas, 38039, Kayseri3Kırıkklale Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik-Elektronik Bölümü, Yahşihan, 71450, Kırıkkale

Katı-sıvı yüzey enerjisi σks ; katı-sıvı arayüzeyinde yüzeyin birim alanını oluşturmak içingerekli enerji olup, maddelerin temel fiziksel sabitlerinden (örneğin yoğunluk, iletkenlik,entropi, özdirenç, erime sıcaklığı vb.) birisidir ve katı-sıvı faz dönüşümlerinde,termodinamikte, çekirdeklenme teorisinde, yüzey gerilim hesaplanmasında büyük etkiyesahiptir. Saf malzemeler ve alaşımlar için katı-sıvı arayüzey enerjisini ölçmek zordur. Katı-sıvıarayüzey enerjisini deneysel olarak ölçmek için kullanılan en uygun metod (GBGM) tanearayüzey oluğu metodudur. Bu metodun zorluğu, alaşımlarda makroskobik olarak düzgün birtane arayüzey oluk şeklini elde edebilmek için numunenin sabit sıcaklık gradyentinde oldukçauzun bir süre tutulmasının gerekliliğidir. σks yi hesaplamak için katı ve sıvı fazların ısıiletkenlik katsayıları, katı fazın sıcaklık gradyenti, oluk koordinatlarının ölçümü yapılır, etkinentropi değerleri hesaplanır ve bu ölçümlerden faydalanarak Gibbs-Thomson (G) katsayısıhesaplanır.Bu çalışmada (Ag-%96,5 ağ.Sn) ötektik alaşımı için elde edilen oluk şekillerinden bilgisayarprogramı yardımıyla Gibbs-Thomson (G) katsayısı elde edilmiştir. Daha sonra fazdiyagramından yararlanarak birim hacim başına düşen entropi değişimi hesaplanmıştır.

fSL SGD=s eşitliğinden σks katı-sıvı arayüzey enerjisi,

BBksA

Akskk CosCos qsqss += eşitliğinden ise σgb tane arayüzey enerjisi

hesaplanmıştır. Buna göre (Ag-%96,5 ağ. Sn) alaşım sistemi için yapılan hesaplamalardaGibbs-Thomson katsayısı G, σks enerjisi, σgb enerjisi sırasıyla (8,2±0,65 ×10-8) Km,(104,96±13,64) mJ/m2, (200,61±30,09) mJ/m2 olarak belirlenmiştir ve önceki çalışmalarlakıyaslandığında literatürle uyumlu olduğu gözlemlenmiştir [1-3].

[1] M. Gündüz, J.D. Hunt, Acta Metall., 33, (1985), 1651.[2] M. Gündüz, J.D. Hunt, Acta Metall. , 37, (1989), 1839.[3] Meydaneri F., Saatçi B., Gündüz M., Özdemir M., Measurement of solid-liquid interfacialenergy for solid Zn in the Zn-Cd eutectic system. Surf Sci ., 2007, 601, 2171.


Mg-Sn Alaşım Sisteminde Katı Sn Fazı İçin Katı-Sıvı ArayüzeyEnerjisinin Ölçülmesi

Mehmet Özdemir2, Fatma Meydaneri1, Buket Saatçi11Erciyes Üniversitesi,Fen-Edeb. Fakültesi, Fizik Bölümü, Talas, 38039, Kayseri

2Erciyes Üniversitesi,Fen-Edeb. Fakültesi, Kimya Bölümü, Talas, 38039, Kayseri

Katı-sıvı arayüzey enerjisi σks; katı-sıvı arayüzey eğriliğinin denge erime sıcaklığınıetkilemesinden dolayı Gibbs-Thomson eşitliğiyle tanımlanmış olup, yüzeyin birim alanınıoluşturmak için gerekli enerjidir. Ayrıca maddenin temel fiziksel sabitlerinden (yoğunluk,entropi, iletkenlik, özdirenç vb.) birisidir ve faz dönüşümlerinde, metalurjinin yaygın biralanında, katılaştırma teorilerinde, çekirdeklenme teorilerinde (otomotiv sanayi, optikmemoriler, protein kristallerin elde edilmesi, yüksek sıcaklığa dayanıklı uzay araçları yapımı,medikal alanda ileri cam seramiklerin imalatı gibi ileri teknoloji uygulamalarında) oldukçaönemlidir. σks’yi ölçmek için kullanılan en yaygın metod "grain boundary groove method"denilen tane arayüzey oluğu metodudur. Bu metod ile saf malzemelerde olduğu gibi ikili veçok bileşenli sistemlerde de (hem saydam hem de opak ) katı-sıvı ve tane arayüzey enerjileriölçülebilmektedir.Bu çalışmada Mg-%98 ağ. Sn alaşımı için Bridgemen tipi doğrusal katılaştırma fırınıkullanılarak sıvı fazın ısı iletkenliğinin katı fazın ısı iletkenliğine oranı R (R=KL /KS )belirlenmiştir. Radyal ısı akış fırını ile de katı fazın ısı iletkenlik katsayısı belirlenmiştir.Numunenin sabit sıcaklık da 5 gün dengede tutulmasıyla elde edilen tane arayüzey olukşekillerinden katı fazın sıcaklık gradyenti, oluk koordinatlarının düzeltmesi hesaplanmıştır venümerik metod yardımı ile Gibbs-Thomson katsayısı G elde edilmiştir. DSf etkin entropideğişiminin de hesaplanmasıyla katı-sıvı arayüzey enerjisi belirlenmiştir ve literatürlekarşılaştırması yapılmıştır [1].

[1] B. Saatçi, S. Çimen, H. Pamuk and M. Gündüz, The interfacial free energy of solid Sn onthe boundary interface with liquid Cd-Sn eutectic solution, J. Phys.: Condens. Matter ,19,(2007).


Katmanlı Yapıya Sahip Yarıiletken Kristallerde İzotermal AzalmaEğrilerinin Modellenmesi

İlker Küçük1, Tacettin Yıldırım2, Mehmet Işık3, Hisham A. Nasser4,Nizami Hasanli4,

1Fizik Bölümü, Uludağ Üniversitesi, Görükle Kampüsü, 16059 Bursa2Fizik Bölümü, Nevşehir Üniversitesi, Avanos Yolu, 50300 Nevşehir

3Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü, Atılım Üniversitesi, , 06836 Ankara4Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, , 06531 Ankara

Katmanlı yapıya sahip yarıiletken kristaller, geniş aralıkta ışığı geçirmesi ve görünür spektralbölgede ışığa duyarlılığı nedeniyle optoelektronik uygulamalarda önemlidir. Yarıiletken devreverimini etkileyen etkenlerden biri de tuzak merkezleridir ve onların fiziksel özelliklerininkarakterize edilmesine ihtiyaç vardır. Bu çalışmada; ısısal uyarılmış akım yöntemiyle eldeedilen deneysel veriler, çok katmanlı algılayıcı sinir ağı ve genetik algoritma yaklaşımlarıkullanılarak modellendi. Deneysel izotermal azalma eğrilerinin sonuçları ve modellemeyleelde edilen sonuçlar uyumluydu. Geliştirilen bu yapay sinir ağı modeli katmanlıyarıiletkenlerin izotermal azalma eğrilerini tahmin edebilir.


Örümcek Ağları Üzerine Bir Çalışma: Ağ Örneklerinin LaboratuarKoşularında Toplanma Yolları, İkincil Ağ Üretimleri ve Yapısal

Araştırmalar

Semra İde1, Elif Hilal Soylu2, M.F. Sargon3 ve Tuncay Türkeş41Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06800, Beytepe-Ankara

2Karadeniz Teknik Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Trabzon3Hacettepe Üniversitesi, Tıp Fakültesi, Anatomi Bölümü, Ankara

4Niğde Üniversitesi, Fen Fakültesi, Biyoloji Bölümü, Niğde

Üstün mekanik özelliklerinden dolayı örümcek ağları, pek çok bilimsel araştırmaya konuolmaktadır. İçerdikleri zengin protein yapı, mekanik özelliklerinin yanında bu malzemelerintıbbi ve kozmetik uygulamalarda da kullanılabilmesine olanak sağlamaktadır.Bir örümceğin ürettiği ağlar, anahat, saklanma/dinlenme ağı ve yumurtalarınıkoruduğu/yavrularını beslediği kokon formları başta olmak üzere yedi farklı çeşittedir. Buağların yapısı ve özellikleri örümceğin türüne, yaşadığı ortama, ağı örme nedenine ve aldığıbesinlere bağlı olarak değişebilmektedir. 107T017 nolu TÜBİTAK projemiz kapsamındayapılan çalışmalar ile bu örneklerin yapısı farklı türlere göre sistematik bir biçimdearaştırılmaktadır. Yapısal incelemelerimizde ağ içeriğindeki moleküler yapılar için; FT-IR veXRD, nano oluşumlar için; SWAXS ve DLS, Mikro yapılar için; SEM deneysel yöntemleri ileçalışılmaktadır.Yapısal incelemelerimizin yanında bu ağların mekanik özellikleri de incelenerek, en kaliteliağı üreten türler ve ürettikleri değerli ağ tipleri belirlenmiştir. Projemizin geldiği son aşamadaüstün özellikte ağlar üreten örümcekler laboratuvar koşullarında yaşam kabinlerine alınmıştır.Bu örümceklerden en az üçer kez örnek toplanması için çalışmalarımız başlamıştır. Buaşamada proteince zengin besinler verilerek bol ağ üretimi sağlanmakla birlikte, belirliaralıklarla örümceklerin biyofiziksel olarak sağılması ve elde edilen ağların ikincilüretimlerinin yapılması da hedeflenmektedir.Bu çalışmada, örümceğe ve ürettiği ağın yapısına zarar vermeden, en fazla uzunlukta örnektoplayabilmek için hangi biyofiziksel yöntemlerin kullanıldığı açıklanmaktadır. Ayrıca,incelenecek örneklerin toplanması ve ikincil ağ örneklerinin üretilmesi için tasarlanan elektro-mekanik sistemlerden ve yaptığımız uygulamalardan bahsedilmektedir. Son olarak, yapısalaraştırmalarımızda kullanılan deneysel yöntemlerle ne tür bilgilere ulaştığımız konusunda dabilgiler verilmektedir.

TÜBİTAK’a (Proje No:107T017) ve Hacettepe Üniversitesi Bilimsel Araştırmalar Birimi ’ne(Proje No:06 A 602 012) çalışmalarımıza sağladıkları desteklerden dolayı teşekkür ederiz.


Metalik/Manyetik Nanoparçacıklar ve SWAXS Analizleri

Semra İde1, Elif Hilal Soylu2, Engin Tıraşoğlu31Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06800, Beytepe-Ankara

2,3 Karadeniz Teknik Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Trabzon

Metalik/manyetik nanoparçacıklar, üstün optik, elektronik, manyetik ve floresansözelliklerinden dolayı, fizik ve kimya alanındaki teknolojik uygulamalarda yaygın olarakincelenen malzemelerdir. Tıbbi ve biyolojik açıdan da çok önemli olan bu nanoparçacıkların,hücre ayrımı ve saflaştırmasında, ilaç salımında, manyetik hedefli ilaç taşıyıcı sistemlerde vebiyosensör olarak pek çok hastalığın tanı ve tedavisinde kullanılması artık alışılagelmişuygulamalardır.Metalik nanoparçacıklar olarak en dikkat çekici grubu altın nanoparçacıklar oluşturmaktadır.Altın nanoparçacıkların toksik olmaması, doku yüzeylerine kolayca tutunabilmeleri, biyolojikajanların nanoparçacıkların yüzeylerine rahatlıkla bağlanabilmeleri ve oldukça kararlı yapıdaolmaları v.b. özelliklerinden dolayı, bu malzemeler pek çok araştırmaya konu olmaktadırlar.Manyetik nanoparçacıklar olarak en dikkat çekici olanlar ise, manyetit( Fe3O4), maghemit (γ-Fe2O3), kobalt ve nikel olarak sıralanabilir. Bu nanoparçacıkların biyolojik ortamlardakigösterdikleri toksik etkilerden kurtulmak ve topaklanmalarını önlemek için polimerlerlekaplama işlemleri de yaygın olarak araştırılmaktadır.İster metalik ister manyetik nanoparçacıklar olsun, hepsinin üç boyutlu oluşum formları,boyutları, boyut dağılımları, yüzey alanları, oluşumların birbirine olan uzaklıkları v.b. gibiyapısal bilgiler, bu parçacıkların teknolojik uygulamalara kazandırılabilmesi için mutlakabelirlenmesi gereken yapısal bilgilerdir.Ülkemiz olanakları ile bu tür yapısal bilgilerin tamamına, Hacettepe Üniversitesi, FizikMühendisliği Bölümü, X-Işınları Laboratuvarı deneysel donanımları arasında bulunanSWAXS sistemi ile ulaşılabilmektedir. Bu çalışmada, laboratuvarımızda yapılan bu türanalizlere örnekler verilecek ve disiplinler arası araştırmalarımızda işbirliği içinde olduğumuzhem kendi üniversitemizden hem de başka üniversitelerden gelen istekler üzerinegerçekleştirdiğimiz araştırma ve çalışmalarımızdan bahsedilecektir.

TÜBİTAK’a (Proje No:109T016) ve Hacettepe Üniversitesi Bilimsel Araştırmalar Birimi ’ne(Proje No:06 A 602 012) çalışmalarımıza sağladıkları desteklerden dolayı teşekkür ederiz.


Sol-Jel Yöntemi kullanılarak Farklı Alttaşlar Üzerine Elde EdilenTiO2 Filmlerinin Fiziksel Özellikleri

Seval Aksoy, Yasemin Çağlar, Saliha Ilıcan, Müjdat ÇağlarFizik Bölümü, Fen Fakültesi, Anadolu Üniversitesi,26470 Eskişehir

Titanyum oksit (TiO2) filmler, fiziksel ve kimyasal kararlılıkları, yüksek kırılma indisine,yüksek geçirgenlik ve yüksek elektriksel dirence sahip olmaları nedeniyle optik ve elektroniktepek çok uygulama alanına sahiptir. Bu çalışmada, TiO2 filmleri cam taban (T1) ve p-tipisilisyum (Si) (T2) taban üzerinde sol jel spin kaplama yöntemi ile elde edildi. Elde edilenfilmlerin yapısal ve optik özellikleri araştırıldı. Filmlerin kristal yapısı ve tercihli yönelimi X-ışını kırınım desenleri ile araştırılmış ve her ikisinin de polikristal yapıda olduğu bulunmuştur.T1 filminin optik geçirgenlik spektrumu 300-800 nm dalgaboyu aralığında bütünleştirilmişküre ataçmanlı spektrofotometre kullanılarak ölçüldü. Görünür bölgede ortalama geçirgenliğiyaklaşık %76 olarak bulundu. Her iki filmin yansıma spektrumu ise 5o specular-yansımaataçmanı kullanılarak yapılmıştır. Optik metod kullanılarak, T1 filminin direk bant aralığınasahip olduğu bulunmuştur. Ayrıca bu filmin optik sabitleri ve dispersiyon parametreleribelirlenmiştir.

TeşekkürBu çalışma Anadolu Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Fonu tarafından desteklenmiştir(Proje No: 061039).


Farklı Molaritelerde Hazırlanmış ZnO Filmlerinin Kristal Yapısı veOptik Özellikleri

Emine Yüksel, Seval Aksoy, Yasemin Çağlar, Saliha Ilıcan, Müjdat ÇağlarAnadolu Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 26470 Eskişehir

Çinko oksit (ZnO) filmleri, geçirgen elektrotlar, piezoelektrik aygıtlar, gaz sensörleri gibi pekçok ilginç potansiyel uygulamalara sahiptir ve heteroeklem güneş pillerinde pencere materyaliolarak kullanılmaktadır. Bu çalışmada, 0.25M ve 0.50M lik kaplama çözeltileri kullanılarakZnO filmleri (sırasıyla Z1 ve Z2 filmleri) sol-jel spin kaplama yöntemi ile elde edildi. Eldeedilen filmlerin optik ve yapısal özellikleri araştırıldı. Filmlerin kristal yapısı ve yönelimi X-ışını kırınım deseni ile araştırıldı ve her iki filmin de polikristal yapıda ve (002) tercihliyönelimine sahip olduğu bulundu. Filmlerin tanecik boyutları, örgü sabitleri ve yapılanmakatsayıları hesaplandı. Elde edilen filmlerin geçirgenlikleri bütünleştirilmiş küre ataçmanlıspektrofotometre ile ölçüldü. Optik metot kullanılarak, Z1 ve Z2 filmlerinin optik bantaralıkları sırasıyla 3.27eV ve 3.29eV olarak bulundu. Ayrıca filmlerin optik sabit sabitleri(kırılma indisi, sönüm katsayısı, dielektrik sabitleri) hesaplandı.

Teşekkür

Bu çalışma Anadolu Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Fonu tarafından desteklenmiştir(Proje No: 061039).


2-Benzoilbenzoik Asit Ligantının Mn(II), Ni(II), Cu(II), Zn(II) veCd(II) Kompleksleri: Sentez ve Karakterizasyon

M. Hakkı Yıldırım1, Hümeyra Paşaoğlu1, Zerrin Heren2 ve Derya Hıra21Fizik Bölümü, Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, 55139, Samsun

2Kimya Bölümü, Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, 55139, Samsun

Bu çalışmada 2-benzoilbenzoik asit (2-byba) ligantının geçiş metal komplekslerindekikoordinasyon biçimlerinin araştırılması amacı ile imidazol (im) ve benzimidazol (bim) çerenkarışık ligantlı Mn(II), Ni(II), Cu(II), Zn(II) ve Cd(II) kompleksleri sentezlendi. Sentezlenenkomplekslerin yapısal ve spektroskopik özellikleri; elementel analiz, manyetik duyarlılık, X-ışınları tek kristal kırınım tekniği, kırmızıaltı ve morötesi spektroskopi teknikleri ile incelendi.Komplekslerin termik davranışları ise eş zamanlı TG, DTG ve DTA teknikleri ile tayin edildi.Komplekslerin kristal yapısında 2-byba ligantının hem tek hem de iki dişli ligant olarakkoordine olabildiği, Mn(II) ve Cd(II) geçiş metallerinde ise aynı komplekste hem tek hem deçift dişli ligant olarak davrandığı gözlenmiştir.


SnTe Bileşiğinin Yapısal, Elektronik, Elastik ve TermodinamikÖzelliklerinin İncelenmesi

Tuğçe Ataseven, Yasemin Öztekin Çiftci, Kemal ÇolakoğluFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

Genelleştirilmiş Gradyan Yaklaşımı (GGA) dahilinde Yoğunluk Fonksiyonu Teorisi (DensityFunctional Theory, DFT) ve düzlem dalga pseudo potansiyeline dayanan Vienna Ab-initioSimulation Package (VASP) paket proğramı kullanılarak SnTe bileşiğinin yapısal, elastik,elektronik ve termodinamik özellikleri incelendi. Elde ettiğimiz sonuçlar diğer teorik vedeneysel çalışmalarla karşılaştırıldı ve sonuçların uyumlu olduğu gözlendi. B1, B2, B3, Bh vetetragonal fazlarda yapı parametreleri araştırıldı. Ayrıca, quasi-harmonic Debye Modelikullanılarak SnTe bileşiğinin termodinamik özellikleri hesaplandı. Hacim, Bulk modülü,termal genleşme katsayısı, ısı kapasitesi ve Debye sıcaklığının basınç ve sıcaklıkla değişimi 0-113GPa basınç ve 0-2000K sıcaklık aralıklarında incelendi.


n-GaAs Üzerinde Oluşturulan Schottky Diyotunun Karanlıkta ve IşıkAltındaki Bazı Parametreleri

Metin Özer, D.Eylül Ergen ve Tofig S. MammadovFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar,06500, Ankara

Metal-yarıiletken kontaklar, son yıllarda yarıiletken teknolojisinin en önemli elemanlarındanbirisi olmuştur. Bu yapılar, yenilenebilir enerji kaynaklarından birisi olan güneş pillerininyapımında kullanılabilmektedir. GaAs yarıiletken kristaller üzerinde oluşturulan güneş pilleri,verim ve diğer bazı özellikleri açısından büyük bir gelecek vaat etmektedir. Bu nedenle, buyapıların karanlıkta ve ışık altındaki özelliklerinin incelenmesi ve parametrelerininbelirlenmesi yarıiletken teknolojisindeki kullanımı sırasında kolaylıklar sağlayacaktır. Buçalışmada, n-GaAs pullar üzerine, Vakumda Metal Buharlaştırma Metodu ile, 100 Å Aukaplanarak Schottky diyotları oluşturuldu. Bu yapıların karanlıkta ve farklı ışık şiddetlerindeakım-gerilim ve sığa-gerilim ölçümleri yapılarak bazı parametreleri belirlendi. Elde edilensonuçlara göre parametrelerin ışık şiddetine bağlı değiştiği gözlendi.


Yüksek Basınçta SnS’nin Cmcm Faz Dönüşümü; Sabit Basınç AltındaAb İnitio Çalışması

Sebahaddin Alptekin1 ve Murat Durandurdu2,31Fizik Bölümü, Çankırı Karatekin Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi,18100, Çankırı22Department of Physics, University of Texas at El Paso, El Paso, Texas 79968, USA

3Fizik Bölümü, Ahi Evran Üniversitesi, 40100, Kırşehir

Yüksek basınçta SnS’nin kararlılığı, sabit basınç kullanılarak ab initio tekniğiyle çalışıldı.Başlangıçta bu malzemede basıncın sebep olduğu faz dönüşümü, Pnma yapısından Cmcmyapısına basınç uygulanarak simülasyon yardımıyla elde edildi. Pnma yapısından Cmcmyapısına dönüşüm 15 GPa basınçta gerçekleşti. Cmcm hala tabakalı yapıya sahip ,yükseksıcakta elde edilen formu ile iki tabakalı rocksalt yapıya benzerdir.Bu faz dönüşümü aşamalıolarak ilerler, bu ise ikinci komşu uzaklılarının önemli ölçüde azalmasından kaynaklanır. Bufaz değişimi aynı zamanda toplam enerji hesaplamaları ile de çalışıldı.


Hidrojen Adsorpsiyonu İle Tek Duvarlı (6,0) BN NanotüpünElektronik Özelliklerindeki Değişim

S. Özkıraç ve B. KutluGazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 06500 Teknikokullar Ankara, Türkiye

[email protected], [email protected]

Bu çalışmada tek duvarlı (6,0) zig-zag bor nitrür(BN) nanotüpün elektronik ve yapısalözellikleri “Yoğunluk Fonksiyoneli Teorisi” (DFT) ile incelenmiştir. Hidrojen adsorpsiyonuile tek duvarlı (6,0) BN nanotüpün yasak enerji aralığındaki değişim, yoğunluk fonksiyoneliteorisini temel alan CASTEP Paket Programı kullanılarak hesaplanmıştır. Hesaplamalardagenelleştirilmiş gradyent yaklaşımı (GGA), Wang ve Perdew (PW91) değiş-tokuş korelasyonfonksiyoneli ve elektron iyon etkileşimleri Ultrasoft sözde potansiyeli kullanılmıştır. Sonuçolarak, Hidrojen adsorpsiyonu ile yasak enerji aralığının yarıiletkenden yalıtkana doğru birdeğişim gösterdiği tespit edilmiştir. Adsorpsiyon ile (6,0) BN nanotüpün elektrikselözelliklerinin değişmesi onun sensör olarak kullanılabileceğine işaret etmektedir.

Kaynakça:

1. Payne M.C., Teter M., Allan D.C. and Joannopouls J.D., Rev. Mod. Phys., 1992, 64, 10452. Mailman V, Winkler B, White J. A., Pickard C.J., Payne M.C., Akhmatskaya E.V. andNobes R.H, Int. J. Quantum Chem. , 2000, 77,8953. Perdew J., Chevary J.A, Vosko S.H., Jacson K.A., Pederson M.R. and Fiolhais C.,Phys.Rev. B.,1992, 46, 66714. Wang Y. and Perdew J.P., Phys Rev. B.,1991, 43,89115. Vanderbilt D, Phys Rev. B.,1990, 41,7892

mailto:bkutlu:@gazi.edu.tr

mailto:bkutlu:@gazi.edu.tr


Rutil TiO2(110)-(1×2) yüzeyine tutunmuş karbon nanotüpünelektronik özellikleri

Ceren Tayran1, Mehmet Çakmak1, ve Şinasi Ellialtıoğlu21Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 06531, Ankara

Yeniden yapılandırılmış rutil TiO2(110)-(1×2) yüzeyi üzerine tutunmuş karbon nanotüpünelektronik özellikleri yoğunluk fonksiyonu teorisinin kullanıldığı ab initio hesaplamaları ileincelenmiştir. STM ölçümleriyle deneysel olarak önerilen ve ilk-ilke hesaplamalarıyla teorikolarak da uyumlu bulunan bir “added-row model” ele alındı. Öncelikle, yüzey üzerinetutunmuş (6–6) koltuk tipi nanotüp çalışıldı. CNT’nin yeniden yapılandırılmış rutil added-rowyüzeyine güçlü bir biçimde bağlanmadığı gözlendiyse de, added-row oksijenlerdenarındırıldığında oluşan Ti–C bağları boyunca anlamlı bir bağlanma elde edildi. Sisteminyapısal özellikleri, elektronik bant yapısı ve yüzey durumlarının orbital doğası incelendi.

Teşekkür:Bu çalışma, TÜBİTAK tarafından TBAG–107T560 projesi kapsamında desteklenmektedir.


K, Rb Sıvı Metal ve Alaşımlarının Özdirençlerinin Hesaplanması

S. Deniz Korkmaz1, Şadan Korkmaz21İlköğretim Bölümü, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Meşelik, 26480, Eskişehir

2Fizik Bölümü, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Meşelik, 26480, Eskişehir

Bu çalışmada K ve Rb sıvı metalleri ile K-Rb sıvı metal alaşımının yapısal ve elektroniktaşınım özellikleri incelenmiştir. Yapı faktörleri Ornstein-Zernike denkleminin HMSAyaklaşımıyla çözümünden elde edilmiştir. Atomlar arası etkileşme potansiyeli olarak Fiolhaisve diğ. tarafından katıhal için önerilen elektron-iyon potansiyeli kullanılmıştır. ÖzdirençleriZiman Formülü ile Ferraz ve March tarafından önerilen özdirenç formülü kullanılarakhesaplanmıştır. Özdirenç hesabı için gerekli olan form faktörlerinin hesaplanmasında iki farklıperdeleme fonksiyonu kullanılmış, sonuçlar deneysel verilerle karşılaştırılarak perdelemefonksiyonlarının özdirenç üzerindeki etkisi incelenmiştir.


Cr2AlC Bileşiğinin Yapısal, Elastik, Elektronik ve ManyetikÖzelliklerinin ab-initio Metodla İncelenmesi

N.Körözlü1, K. Çolakoğlu1, E. Deligöz21Gazi Üniversitesi, Fizik Bölümü , Teknikokullar, 06500, Ankara, Türkiye

2Aksaray Üniversitesi, Fizik Bölümü, 68100, Aksaray, Türkiye

Bu çalışmada Yoğunluk Fonksiyoneli Teorisine (DFT) dayalı spin polarize genelleştirilmişeğim yaklaşımı (GGA) kullanarak Cr2AlC bileşiğinin, yapısal, elastic, elektronik ve manyetikmomenti hesaplanmıştır. Hesaplanan örgü sabiti, bulk modülü, ikinci dereceden elasticsabitleri, yasak enerji aralığı ve manyetik moment değeri elde edilip diğer deneysel ve teorikçalışmalarla kıyaslanmıştır. Elde edilen sonuçlar literature değerleri ile oldukça uyumiçerisindedir.


Spin-1 Blume-Emery-Griffiths modelinde dinamik alınganlığın üçlünokta ve kritik son nokta davranışları

Rıza ErdemFizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Taşlıçiftlik, 60250, Tokat

Tersinmez termodinamiğin Onsager teorisi ve moleküler alan yaklaşımına dayalı dengeistatistik teori kristal alan etkileşmesinin dâhil edildiği Spin-1 Blume-Emery-Griffiths (BEG)modeline uygulanarak dinamik alınganlık ifadesi türetildi. Dağılganlık ve sönüm katsayılarıolarak ta adlandırılan gerçel ve sanal bileşenlerin üçlü (R) ve kritik son nokta (E) davranışlarıaraştırıldı. R noktasında dağılganlık katsayısının düşük frekanslarda atlama-süreksizliğiyaparken yüksek frekanslarda ‘pik’ sergilediği bulundu. Soğurma katsayısının ise aynı noktadatüm frekanslar için atlama-süreksizliği yaptığı gözlendi. Bu üçlü nokta davranışları içinortalama alan kritik üstel değeri de sıfır olarak hesaplandı. Diğer taraftan, gerçel ve sanalbileşenler kritik son nokta civarında düşük frekanslarda sırasıyla -1.086 ve -2.173 üsteldeğerleri ile sonsuza ıraksarken yüksek frekanslarda gerçel bileşen +1.153 üsteli ile sıfırayakınsadı diğer bileşen sıfır üsteli ile tam E noktasında ‘pik’ yapısı sergiledi.

Teşekkür: Çalışma, TÜBİTAK tarafından desteklenmiştir (No: 106T579).


II Tip Yüksek Sıcaklık Süperiletkenlerinin Mikro Dalga YüzeyDirencinde Gözlenen Balık Kuyruğu Etkisi

Şükrü Yıldız1, Fedai İnanır2 ve Uğur Kölemen11Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, 60240,Tokat

2Fizik Bölümü, Rize Üniversitesi,53100, Rize

Mikrodalga yüzey direncinin sıcaklığa bağlılığı, Rs-T eğrileri alışıldık öz direnç-sıcaklık, ρ-Teğrileri ile benzerlik göstermesine rağmen, bazı sıra dışı durumlar da söz konusu olabilir. Bunadir gözlenen durumlardan birisi de II tip süperiletkenlerin manyetizasyon ve manyetikzorlanım çevrimlerinde karşılaşılan balık kuyruğu etkisidir. Sunulan çalışmada mikro dalgayüzey direncinin sıcaklık bağlılığında karşılaşılabilecek balık kuyruğu etkisi modellenmiştir.

(Bu çalışma, Gaziosmanpaşa Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Komisyonu tarafındandesteklenmektedir (Proje No: 2009/10))


II Tip Süperiletkenlerde Farklı Akı Etkileri için Mikrodalga YüzeyDirencinin Modellenmesi

Fedai İnanır1, Şükrü Yıldız2 ve Uğur Kölemen21Fizik Bölümü, Rize Üniversitesi,53100, Rize

2Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, 60240,Tokat

Bir yüksek sıcaklık süperiletkeninde yüzey direncinin alan bağlılığının histerezis göstermesi,uygulanan dış manyetik alan ve/veya transport akım ve onlara dik bir mikrodalga alantarafından çivilenmiş akı çizgilerinin hareket ettirilmesi ile açıklanabilir. Bu çalışmada, Coffeyve Clem modeli çerçevesinde [Phys. Rev. Lett. 67, 386 (1991); Phys. Rev. B 45, 9872; 45,10527 (1992)] transport akımın ve/veya sabit dış manyetik alanın bir fonksiyonu olarak eldeedilen mikro dalga yüzey direnci hesaplamaları sunulmuştur.

(Bu çalışma, Gaziosmanpaşa Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Komisyonu tarafındandesteklenmektedir (Proje No: 2009/10))


TAVLAMA SICAKLIĞININ ZnO İNCE FİLMLERİN OPTİKSELÖZELLİKLERİ ÜZERİNE ETKİSİ

F. Özyurt Kuş1,2, T. Serin3 ve N. Serin41Ankara Üniversitesi Fizik Mühendisliği, Ankara, Türkiye

2Hacettepe Üniversitesi Hacettepe Meslek Yüksekokulu, Ankara, Türkiye, [email protected] Ankara Üniversitesi Fizik Mühendisliği, Ankara, Türkiye, [email protected]

4 Ankara Üniversitesi Fizik Mühendisliği, Ankara, Türkiye,n [email protected]

Bu çalışmada ZnO ince filmler sol-gel daldırma yöntemiyle elde edilmiştir. Filmler 200-350°Carasında farklı sıcaklıklarda tavlanmış ve tavlama sıcaklığının filmlerin optiksel özelliklerineetkisi UV-VIS-NIR geçirgenlik spektrumları 300-1700 nm dalgaboyu aralığında çekilerekincelenmiştir. Film kalınlıkları spektrumlardan Swanepoel yöntemiyle hesaplanmıştır. Aynıdaldırma sayısında farklı tavlamanın film kalınlığını etkilediği görülmüştür. Film kalınlığı200°C de tavlanan filmler için 366nm iken 350°C da tavlanan filmlerde 500nm bulunmuştur .Filmlerin geçirgenliklerinin tavlama sıcaklığıyla değişmediği, %92 gibi yüksek birgeçirgenliğe sahip oldukları görülmüştür. Farklı tavlama sıcaklıklarında elde edilen ZnOfilmlerin yasak enerji bant aralıkları Tauc bağıntısıyla hesaplanmış ve tavlama sıcaklığı artıkça3.2eV’dan 3.12eV’a azaldığı, yüksek frekans dielektrik sabitlerinin ise kurutma sıcaklığıartıkça 2.7’den 3.5’e arttığı gözlenmiştir.


LiAl Bileşiğinin Yapısal, Elektronik, Elastik ve TermoelastikÖzelliklerinin İncelenmesi

İrem Öner1, Kemal Çolakoğlu1, Yasemin Öztekin Çiftci1, Engin Deligöz21Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

2Fizik Bölümü, Aksaray Üniversitesi, 68100, Aksaray

Bu çalışmada Yoğunluk Fonksiyonu Teorisi (Density Functional Theory, DFT) ‘ne dayalıVASP paket programı/PAW/GGA yöntemleri kullanılarak LiAl (B2 fazında) bileşiğininyapısal, elektronik, elastik ve termo-elastik özellikleri hesaplanmıştır. Elektronik bant yapısı,faz geçiş basıncı ve ilişkili durumların toplam yoğunluğu incelenerek ikinci mertebeden elastiksabitleri (Cij) stres-strain yöntemi, termo-elastik sabitleri quasi-harmonik Debye yaklaşımı ilebelirlendi. Teorik olarak elde edilen yapısal parametreler, mevcut literatür değerleriylekarşılaştırıldı ve tam bir uyum içinde olduğu gözlendi.


NiSb bileşiğinin Yapısal, Elektronik, Elastik ve Titreşimsel Özellikleriüzerinde ab initio Hesaplamaları

G. Surucu1, K. Colakoglu1, E. Deligoz2, and H.Ozisik21 Gazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500, Ankara, TÜRKİYE

2 Aksaray Üniversitesi, Fizik Bölümü, 68100, Aksaray, TÜRKİYE

Bu çalışmada ab-initio yöntemi kullanılarak NiSb (NiAs yapıda) kristalinin bulk özellikleriüzerine teorik hesaplamalar yapılmıştır. İlk olarak, öngörülen kristal yapının örgü sabiti, bulkmodülü ve bulk modülünün birinci türevi (Murnaghan hal denklemine fit edilerek) hesaplandı.Elastik modülleri stres–strain yöntemi ile hesaplandı. Fonon frekansları sonlu küçükyerdeğiştirme (finite displacement) metodu ile hesaplanarak elde edilen veriler termodinamiközelliklerin hesabında kullanıldı. Bulunan sonuçların mevcut literatürle uyum içerisindeolduğu görüldü.


CrSb Bileşiğinin Ab-Initio Metod ile Elastik, Elektronik ve OptikÖzelliklerinin İncelenmesi

Esin K. M. Arifoğlu, Kemal Çolakoğlu, Nurettin Körözlü, Yasemin Ö.Çiftçi

Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

Bu çalışmada rSb bileşiği, Zinc Blend ve Ortorombik ( MnP ) yapılarda Castep paketprogramı ile spin polarize etki dahil edilerek Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi’ne ( DensityFunctional Theory – DFT ) dayanan ab-initio yöntemleri ve Perdev-Burke-Ernzerhof (PBE)/GGA parametrizasyon sonuçları kullanılmıştır. Elektron - iyon etkileşmeleri ultrasoftpseudopotansiyelleri ile temsil edildi. Bileşiğin bant yapısı, elastik sabitleri , durumyoğunluğu, dielektrik fonksiyonu ve diğer optik özellikleri incelendi. Bulunan sonuçlarınmevcut literatür çalışmaları ile uyum içerisinde olduğu görüldü.


P/Si(111)-(2x1) yüzeyinin atomik ve elektronik yapısı

Z. Ayduğan1, Ç. Kaderoğlu1, B. Alkan1, M. Çakmak21Ankara Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği Bölümü Ankara

2Gazi Üniversitesi, Fen - Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü Ankara

Si(111)-2x1 yüzeyi üzerine fosfor (P) adsorplanmasının atomik ve elektronik özellikleri sanki-potansiyel ve Yoğunluk Fonksiyonel Teorisine (DFT) dayalı ab-initio hesaplamaları ileincelendi.Kararlı geometrik yapıyı belirlemek için, dört farklı bağlanma noktası göz önüne alındı. p-bağlı zincir yapısında, ‘üst’ konumun diğer bağlanma noktalarına göre yaklaşık 0.1 eV/adatomdaha enerjitik olduğu bulundu.Bu kararlı geometriye karşı gelen elektronik yapı incelendiğinde, temel bant aralığında biryüzey durumuna sahip olduğu ve metalik davranış sergilediği gözlendi.Bu yüzey durumunun kaynağını belirlemek için elektronik yük yoğunlukları çizildiğinde,yüzeyin P atomunun pz orbitalinden kaynaklanan p karatere sahip olduğu bulundu.


Çift Kanallı AlGaAs/InGaAs/GaAs Tabanlı p-HEMT Yapılarında 1 ve2-boyutta Schrödinger-Poisson Çözümleri ve Akım-Gerilim

İncelemeleri

G. Atmaca, K. Elibol, P. Tasli, S. B. Lisesivdin ve M. KasapFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

AlGaAs/InGaAs/GaAs tabanlı yaklaşık morfik olarak büyütülen yüksek elekron hareketliliklitransistörler (p-HEMT) yüksek frekans uygulamalarında, mikrodalga ve yüksek hızlı dijitaluygulamalarında kullanılanılan performansı dengeli aygıtlardır. AlxGa1-xAs /InxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs / InxGa1-xAs /GaAs çift kanallı p-HEMT için 1-band 1-boyutlu ve 1-band 2-boyutluSchrödinger-Poisson eşitlikleri çözüldü. Bu çalışmada iki ayrı kuyudaki 2-boyutlu elektrongazının (2DEG) elektron yoğunluğu ve dalga fonksiyonları incelendi. Çift kanallıpHEMT'lerde bir boyutta, yüzeyden uzaktaki AlGaAs bariyer tabakası ve orta GaAstabakasının kalınlıklarının, taşıyıcı yoğunlukları ve 2DEG dalga fonksiyonları üzerindekietkisi araştırıldı. Buradan elde edilen optimize HEMT yapısı üzerine 0.25 mikrometre geçituzunluğuna sahip çift kanallı Al0.24Ga0.76As/In0.15Ga0.85As/GaAs/Al0.24Ga0.76As/In0.15Ga0.85As/GaAs tabanlı p-HEMT'in farklı geçit ve savak voltajları için iki boyutta bandyapısı ve akım-gerilim incelemeleri yapıldı.


NiAl(110)-(2x2) Yüzeyine HS ve HO Tutunması

Meryem Evecen ve Mehmet ÇakmakFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

NiAl(110)-(2x2) yüzeyi üzerine HS ve HO tutunması yoğunluk fonksiyonu teorisi (YFT)kullanılarak incelendi. Yüzey üzerinde HS ve HO tutunma noktaları bulundu. HS’nin HO’dandaha zayıf olarak genellikle 2Ni-Al noktasına tutunduğu ve HO’nun da 2Al-Ni noktasınatutunduğu görüldü. Her iki durumda HS ve HO moleküllerindeki S, O ve H atomlarınınsırasıyla yüzeydeki 2Ni-Al, 2Al-Ni ve Ni-Ni noktalarına daha yakın olduğu görüldü. Bunoktalar NiAl(110) yüzeyi üzerinde ayrı ayrı S, O ve H için hesaplanan en düşük enerjilinoktalar ile uyumlu olduğu tespit edildi. En düşük enerjili noktalara tutunmada HS ve HO’nunyüzeye daha paralel olduğu görüldü. Sırasıyla bu noktaların tutunma enerjileri -2.99 eV ve -4.23 eV olarak hesaplandı. HS molekülünün bağ uzunluğu 1.45 Å ve HO molekülünün bağuzunluğu 0.98 Å olarak bulundu. HS ve HO moleküllerinin ikinci en düşük enerjilinoktalarının elde edilmesinde aynı olası tutunma noktasının (Ni-Al ara) kullanılmasıyla benzertutunma yollarının olduğu görüldü. NiAl(110) yüzeyi üzerinde SHHS +® ve

OHHO +® ayrılma yolu incelendi.

Yüzey üzerinde en düşük enerjili HS ve HO tutunma noktalarının yandan ve tepedengörünüşü:

[1] D. E. Jiang ve E. A. Carter, Surf. Sci. 2005; 583, 60-68.


Foton Akısı Modülasyonu Altında Güneş Gözesi Kısa Devre Akımınınİncelenmesi

A. Sertap Kavasoğlu1,2, Neşe Kavasoğlu1,2, Özcan Birgi1,2, Osman Pakma1,2

ve Şener Oktik1,21Fizik Bölümü, Muğla Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, 48170, Muğla

2Temiz Enerji Kaynakları Araştırma Geliştirme Merkezi, Muğla Üniversites, 48170, Muğla

Si ve Cu(Inx, Ga1-x) Se2 tabanlı güneş gözelerinin verimliliklerini artırmaya yönelik oldukçafazla çalışma olmasına karşın, aygıt perofrmansını etkileyen mekanizmaların anlaşılmasınayönelik ölçüm teknikleri ve analiz yöntemleri üzerine araştırmalar sınırlıdır.

Bu çalışmada öncelikli olarak, literatürde oldukça yeni bir teknik sayılan ModüleFotoimpedans ismiyle anılan bir deneysel teknik geliştirilmeye çalışılmıştır. Bu deneyselölçüm tekniğinde; güneş gözesi, soğurucu tabakasını oluşturan yarıiletken malzemenin optikbant aralığını karşılayacak monokromatik bir demet ile aydınlatılır. Monokromatik demetisağlayan LED gurupları, tasarlanan bir elektronik devre yardımıyla sürülerek, sürekli bir fotonakısı üzerine çok küçük sinüzoidal bir foton akısı modülasyonu sağlayacak hale getirilmiştir.Foton akısı modülasyonu ve güneş gözelerinin ürettiği kısa devre akımı arasındaki faz farkı,HP4192A impedance analizör yardımı ile ölçülerek, optoelektronik transfer fonksiyonuhesaplanmıştır. Önerilen bu teknik yardımyla Porus Si ve Cu(Inx, Ga1-x) Se2 tabanlı güneşgözeleri üzerinde, foton uyarımıyla yaratılan fototaşıyıcı dinamiği sıcaklığın fonksiyonu olarakincelenmiştir. Yapılan ölçümlerde her iki güneş gözesinde de faz açısının sıcaklığınfonksiyonu olarak değiştiği gözlemlenmiştir. Sıcaklığa bağlı olarak elde edilen faz açıları vekısa devre akım değerleri kullanılarak yük taşınım süreleri hesaplanmıştır. Yapılan analizlersonucunda oda sıcaklığında yük taşınımı süresi Porus Si tabanlı güneş gözesi için t=0.12 msCu(Inx, Ga1-x) Se2 tabanlı güneş gözesi için t=2.2 ms şeklinde bulunmuştur.


Au/TiO2/n-Si Schottky Diyotlarında Ara-yüzey Durum Analizi

H. Altuntaş1, A. Yıldız,2, Y. Özen1, Ş. Altındal1, S. Özçelik11Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

2Fizik Bölümü, Ahi Evran Üniversitesi, , Aşıkpaşa,40040, Kırşehir

Geniş bant aralığına sahip bir yarıiletken olan TiO2, yüksek dielektriksel özelliği ile elektronikendüstrisinde önemli bir yere sahiptir[1-2]. TiO2, Anatase, Rutile ve Brookite olmak üzere üçfarklı kristal fazında bulunmaktadır[3]. Rutile fazı, Anatase fazından daha yüksek dielektriksabitine sahiptir. Bu çalışmada, TiO2, RF-DC Sputtering yöntemiyle n-Si alttaş üzerinebiriktirilmiştir. Elde edilen numuneden iki parça, farklı sıcaklıklarda tavlanarak anatase verutile fazına sahip olmaları sağlanmıştır. Bu filmlerin elektriksel özellikleri akım-voltaj (I-V)ve kapasitans-voltaj (C-V) yöntemiyle karakterize edilmiştir. Rutile fazına sahip olan örnek,anatase fazına sahip örneğe göre daha düşük ara-yüzey duruma sahip olduğu görülmüştür.

Referanslar:

[1] M.-K. Lee, J.-J. Huang, Y.-H. Hung, J. Electrochem. Soc. 152 (2005) F190. [2] S. Chakraborty, M.K. Bera, C.K. Maiti, P.K. Bose, J. Appl. Phys. 100 (2006) 023706. [3] U. Diebold, Surf. Sci. Rep. 48 (2003) 53.


InAs Yarıiletken Bileşiğinde Dislokasyonların Elektron TaşınımınaEtkisi

Mustafa Akarsu1, Senem Aydoğu2 ve Ömer Özbaş11Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Meşelik, Eskişehir2Dumlupınar Üniversitesi, Fizik Bölümü, Merkez Kampus, Kütahya

InAs yarıiletken bileşiğinde, elektron taşınımı Monte Carlo yöntemiyle incelendi.Hesaplamalara, akustik fonon, iyonize safsızlık, polar optik fonon, non-polar optik fonon,vadiler arası saçılmalar ve dislokasyon saçılmaları dahil edildi. Dislokasyon saçılmalarınınelektron sürüklenme hızı ve mobilitesi üzerindeki etkileri incelendi. Dislokasyon yoğunluğunabağlı olarak, düşük elektrik alan değerlerinde dislokasyonların sürüklenme hızı üzerindebelirgin bir etkisi görülmesine rağmen, yüksek elektrik alan değerlerinde dislokasyonlarınetkisi yok oldu. Belirli bir dislokasyon yoğunluğu üzerinde düşük alan mobilitesinin keskin birbiçimde azaldığı görüldü.


InGaAs Yarıiletkenin Elektriksel İletkenlik Özellikleri

B. Kayhan1, A. Yildiz1, 2, H. Altuntaş3, M. Kasap3 ve S. Özçelik31Fizik Bölümü, Ahi Evran Üniversitesi,Aşıkpaşa Kampüsü, 40040, Kırşehir

2Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, 06100, Ankara3Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

MBE ile büyütülen InGaAs ince filmleri için sıcaklığa bağlı Hall ve özdirenç ölçümleriyapıldı. Anormal sıcaklığa bağlı özdirenç davranışı gözlendi. Araştırılan numunelerin 200 Kcivarında yarıiletken-metal geçişi sergiledikleri bulundu. Düşük sıcaklık bölgesinde (T <200K), özdirencin sıcaklığa bağımlılığı elektron-elektron etkileşmeleri ile açıklandı. Yükseksıcaklıklarda (T > 200K) ise elektron-fonon etkileşmelerinin baskın olduğu belirlendi. AyrıcaFotolümünesans ve XRD ölçümleri yapılarak numunelerin optiksel ve yapısal özellikleribelirlenerek, gözlemlenen yarıiletken-metal geçişinin nedeni de tartışıldı.


InP Yarıiletkeninde Saçılma Mekanizmalarının Belirlenmesi

B. Kayhan1, A. Yildiz1, 2, A. Bengi3, M. Kasap3 ve T. Mammadov31Fizik Bölümü, Ahi Evran Üniversitesi,Aşıkpaşa Kampüsü, 40040, Kırşehir


MBE ile büyütülen InP ince filmleri için elektriksel, yapısal ve optiksel özellikler, sırası ilesıcaklığa bağlı Hall ve özdirenç ölçümleri, XRD ve fotolümünesans ölçümleri ile araştırıldı.Yüksek taşıyıcı konsantrasyonu ile numunelerin dejenere yarıiletken özellikleri sergilediklerigözlendi. Sıcaklığa bağlı mobilite verileri analiz edilerek numunelerde elektron iletimindebaskın olan saçılma mekanizmaları belirlendi.


TiO2 İnce Filmlerinin Alttaş Sıcaklığına Bağlı İletkenlik Özellikleri

A. Yildiz1, 2, N. Serin2, T. Serin2 ve M. Kasap31Fizik Bölümü, Ahi Evran Üniversitesi,Aşıkpaşa Kampüsü, 40040, Kırşehir


DC püskürtme yöntemi ile büyütülen TiO2 ince filmleri için sıcaklığa bağlı özdirenç ölçümleriyapıldı. Alttaş sıcaklığı ile elektriksel özellikler arasındaki ilişki araştırıldı. Numunelerdebaskın olan iletkenlik mekanizmaları belirlendi. Numunelerin çeşitli elektriksel parametreleri;bariyer yüksekliği, Fermi seviyesindeki durumların yoğunluğu, alıcı ve verici konsantrasyonubelirlendi. Bulunan parametrelerin değerleri alttaş sıcaklığının bir fonksiyonu olarakkıyaslandı.


SnO2 Yarıiletken Filmlerinin Üretilmesive Bazı Fiziksel Özelliklerinin İncelenmesi

Müge Söyleyici, Elif Ketenci, Meryem Polat, İdris Akyüz, Ferhunde AtayEskisehir Osmangazi Üniversitesi,Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü,Eskisehir

[email protected]

Bu çalışmada, teknolojideki kullanım alanlarını incelemek ve geliştirmek amacıyla SnO2filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği (UKP) ile 335±5ºC sıcaklığındaki cam tabanlarüzerine çöktürülmüştür. Üretilen filmlerin özelliklerini iyileştirmek için farklı sıcaklıklardatavlama işlemi yapılmış ve filmlerin optik ve yüzey özellikleri üzerine tavlama sıcaklığınınetkisi araştırılmıştır. Üretilen filmlerin yansıma, geçirgenlik ve soğurmaspektrumları, optiksabitleri (n ve k) ve kalınlık değerleri spektroskopik elipsometre ve UV spektrometre cihazlarıkullanılarak belirlenmiştir. Filmlerin kalınlıkları ve optik sabitlerinin belirlenmesinde Cauchy-Urbach modeli kullanılmıştır. Üretilen filmlerin üç boyutta yüzey görüntülerini incelemek veyüzey pürüzlülüklerini belirlemek amacıyla atomik kuvvet mikroskobu (AFM) görüntülerialınmıştır. Optik ve yüzey özellikleri incelenerek, SnO2 filmlerinin opto-elektronikaygıtlardaki kullanım potansiyeli araştırılmıştır.

Anahtar Kelimeler: SnO2, Ultrasonik Kimyasal Püskürtme Tekniği, Elipsometre, UV veAFM.

mailto:MSoyleyici:@ogu.edu.tr


Farklı Taban Sıcaklıklarında Elde Edilen CdS FilmlerininOptik ve Yüzey Özellikleri

İdris Akyüz, Ferhunde Atay, Kutay Yaman, Elif Ketenci, Müge Söyleyici,Meryem Polat

Eskisehir Osmangazi Üniversitesi,Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü,[email protected]; [email protected]; [email protected];

[email protected];[email protected]

Yarıiletken teknolojisi ve fotovoltaik uygulamalar günümüzde oldukça popüler bir araştırmakonusudur. Bu çerçevede incelenen pek çok yarıiletken malzeme ve bunları üretmek içinkullanılan farklı teknikler mevcuttur. Bu malzemelerden birisi de CdS yarıiletken filmleridir.Bu çalışmada, teknolojideki kullanım alanlarını incelemek ve geliştirmek amacıyla CdSyarıiletken filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile cam tabanlar üzerine farklı tabansıcaklıklarında çöktürülerek elde edilmiştir. Üretilen filmlerin kalınlıkları ve kırılma indisleriile sönüm katsayıları spektroskopik elipsometri tekniği ile Cauch-Urbach modeli kullanılarakbelirlenmiştir. Filmlerin geçirgenlik ve soğurma spektrumları UV spektrometre cihazıkullanılarak alınmış ve optik metot ile bant aralıkları belirlenmiştir. Ayrıca soğurmaspektrumlarından yola çıkılarak filmler için Urbach parametreleri belirlenmiştir. Filmlerin üçboyutta yüzey görüntülerini incelemek amacıyla AFM görüntüleri alınmıştır. Bu verilerışığında optik ve yüzey özellikleri yorumlanarak filmlerin yarıiletken teknolojisinde vefotovoltaik uygulamalarda kullanım potansiyelleri araştırılmıştır.

Anahtar Kelimeler: CdS, AFM, Optik özellikler.

mailto:iakyuz:@ogu.edu.tr

mailto:fatay:@ogu.edu.tr

mailto:kutayyaman:@gmail.com.tr

mailto:eketenci:@ogu.edu.tr;[email protected]


Katkısız ve Cu Katkılı CdO Filmlerinin Optik Özellikleri

Ferhunde Atay1, Vildan Bilgin2, İdris Akyüz1 ve Salih Köse11Fizik Bölümü, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, 26480, Eskişehir

2Fizik Bölümü, Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, 17020, Çanakkale

Son yıllarda yapılan çalışmalar, ITO, SnO2, ZnO ve CdO gibi Saydam İletken Oksit (SİO)malzemelerin fotovoltaik güneş pili uygulamalarında önemli bir yere sahip olduklarınıgöstermiştir. CdO filmleri SİO malzemeler içinde az çalışılan, önemi son yıllarda anlaşılan veteknolojik cihazların performans limitlerinin arttırılmasında kullanılabilecek uygunkarakteristiklere sahip malzemelerdir. Katkısız ve Cu katkılı (%1, %2 ve %3) CdO filmleri,yarıiletken film üretimi için ekonomik ve uygulaması kolay bir teknik olan, UltrasonikKimyasal Püskürtme Tekniği ile 300±5°C taban sıcaklığında mikroskop cam tabanlar üzerinebüyütülmüşlerdir. Filmlerin geçirgenlik ve soğurma spektrumları alınarak, yansımaları, kırılmaindisleri, yasak enerji aralıkları ve Urbach parametreleri gibi optiksel parametrelerihesaplanmıştır. Katkısız CdO filmlerinin geçirgenliklerinin yaklaşık %70 civarında olduğu,%1 ve %2 Cu katkısıyla geçirgenliklerinin azaldığı ancak %3 katkısı ile arttığı görülmüştür.Filmlerin yasak enerji aralıklarının ve Urbach parametrelerinin sırasıyla 2.28-2.33 eV ve 710-874 meV aralıklarında değiştiği belirlenmiştir.


“(E)-3-[2-(Triflorometil)feniliminometil]-benzen-1,2-diol”(I) ve“(E)-3-[(2-Florofenilimino)metil]-benzen-1,2-diol”(II)

Bileşiklerinin Yapısal Karakterizasyonu

Ersin Temel1, Çiğdem Albayrak2, Mustafa Odabaşoğlu3 ve OrhanBüyükgüngör1

1Fizik Bölümü, Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, 55139, Samsun2Fen Bilgisi Öğretmenliği Bölümü, Sinop Üniversitesi, Eğitim Fakültesi, 57010, Samsun

3Kimya Programı, Pamukkale Üniversitesi, Meslek Yüksek Okulu, 20159, Denizli

Bu çalışmada (I) ve (II) bileşiklerinin kristal yapısı X-ışını kırınımıyla belirlenmiştir. Birinci

bileşik asimetrik biriminde iki molekül ile triklinik 1P uzay grubunda kristallenirken, ikincibileşik monoklinik 21/P c uzay grubunda kristallenmiştir. Her ikisi de enol-imintautomerik formda olan bu bileşikler Schiff bazları için karakteristik olan O-H...O ve N-H...O

tip hidrojen bağlarıyla paketlenmiştir. Bu hidrojen bağları, her iki yapıda (6)S ve merkezi

simetrik22 (10)R halkaları oluştururken, ikinci yapıda ilave (5)S halkası da

bulunmaktadır.

Şekil 1. Bileşik (I)’in asimetrik biriminde bulunan iki molekülün ORTEP çizimi

Şekil 2. Bileşik (II)’nin ORTEP çizimi


UAs Bileşiğinin Yapısal, Elektronik, Elastik ve TermodinamikÖzelliklerinin Ab-initio Yöntemle İncelenmesi

Hakan Tanrıkulu1, Yasemin Öztekin Çiftci 1, Kemal Çolakoğlu 1, EnginDeligöz2

1 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Fizik Bölümü, Aksaray Üniversitesi, 68100, Aksaray

Genelleştirilmiş Gradyan Yaklaşımı (GGA) dahilinde Yoğunluk Fonksiyonu Teorisi (DensityFunctional Theory, DFT) ne dayanan Vienna Ab-initio Simulation Package (VASP) paketprogramı kullanılarak UAs bileşiğinin yapısal, elastik, elektronik ve termodinamik özellikleriincelendi. Elde ettiğimiz sonuçlar diğer teorik ve deneysel çalışmalarla karşılaştırıldı vesonuçların uyumlu olduğu gözlendi. B1 ve B2 fazlarda yapı parametreleri araştırıldı. Ayrıca,quasi-harmonic Debye Modeli kullanılarak UAs bileşiğinin termodinamik özelliklerihesaplandı. Hacim, Bulk modülü, termal genleşme katsayısı, ısı kapasitesi ve Debye sıcaklığıgibi bazı termodinamik niceliklerin basınç ve sıcaklıkla değişimi incelendi.


“Bis(2-hidroksietil)-etilendiaminbis(sakkarinat)çinko(II)” Kompleksinin Sentezi ve Karakterizasyonu

İlkay Yıldırım1, Ahmet Karadağ2 ve Bünyamin Karabulut11Fizik Bölümü, Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi,55139, Samsun2Kimya Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, 60250, Tokat

[Zn(N-bisydeten)(sak)2] (N-bisydeten:[N,N-Bis(2-hidroksietil)etilendiamin]) (sak: Sakkarinat)bileşiğinin yapısı X-ışınları tek kristal yöntemi ile aydınlatıldı. Kompleks monoklinik C2/cuzay grubunda kristallenmektedir. Birim hücre parametreleri a=27.8227(9) Å, b=7.8434(2)Å, c=22.4349(8) Å, β=102.614(3)° ve V=4777.7(3) Å3 olarak bulunmuştur. Kristal yapıda N-bisydeten ligantı amin, imin ve hidroksil grupları üzerinden dört dişli olarak bağlanmıştır.Sakkarinatlar ise biri karboksil diğeri ise azot atomu üzerinden bağlanarak yaygın olmayan birkoordinasyon biçimini tercih etmişlerdir. Kristal paketlenmede molekül içi O−H…O veO−H…N, moleküller arasında ise N−H...O tipi hidrojen bağları baskındır. N−H...O tipihidrojen bağları ile oluşan dimerik birimler C−H...O tipi bağlarla paketlenmeyisağlamaktadırlar.

Şekil 1. Kompleksin %30 olasılıklı ORTEP-III çizimi. Sadelik için hidrojenlergösterilmemiştir.


Safir ve SiC Üzerine Büyütülmüş AlGaN/AlN/GaN HEMT YapılardakiSıcak Elektron Dinamiğinin Karşılaştırılması

Aykut Ilgaz1, Sibel Gökden1, Ali Teke1, Süleyman Özçelik2,S.B.Lisesivdin2 ve Ekmel Özbay3

1Fizik Bölümü, Balıkesir Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, 10145, Balıkesir2Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

3Fizik Bölümü, Bilkent Üniversitesi, Elektrik Elektronik Mühendisliği ,Nanoteknoloji Araştırma Merkezi - NANOTAM, 06800, Ankara

Bu çalışmada, safir ve SiC alttabakalar üzerine büyütülmüş AlGaN/AlN/GaN HEMT yapılarınsıcak elektron dinamiği incelenmiştir. I-V ve Hall ölçümleri tamamlanarak karşılaştırmalıolarak analizi yapılmış ve mobilite karşılaştırma yöntemi kullanılarak elektron sıcaklıkları veenerji durulma zamanları belirlenmiştir.


Ge(111)-(3x2) ve Si(111)-(3x2) Yüzeylerine Yb tutunmasının Ab initioÇalışması

S. Özkaya 1,2, M. Çakmak 1 ve B. Alkan 31 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, 06500 Ankara, Türkiye

2 Fizik Bölümü, Aksaray Üniversitesi, 68100 Aksaray, Türkiye3 Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, 06100 Ankara, Türkiye

Ge (Si)(111) yüzeyi üzerine Yb tutunması ile oluşan (3x2) yeniden yapılanması ilk ilkelertoplam enerji hesaplamarı kullanılarak çalışıldı. İki mümkün farklı tutunma bölgesi düşünüldü:(i) H3 ve (ii) T4 bölgesi. Bu bağlanma bölgeleri ile ilgili toplam enerjilerin birbirine çok yakınolduğu, Yb/Ge (Si)(111)-(3x2) yapısı için T4 modelinin, H3 model ile kıyaslandığında 0.01(0.08) eV/birimhücre kadar daha kararlı olduğu bulundu. Önerilen modelin aksine Ge=Ge çiftbağında herhangi bir bükülme belirlenmedi. Yüzeylerin elektronik bant yapısı ve ilgili orbitaldoğası da hesaplandı. Her iki yüzey içinde elde edilen sonuçların, son deneysel bulgularlauyumlu olduğu görüldü.


Gd5Si1.95-xGe2.05-xMn2x (2x= 0.02 ve 0.06) Alaşımlarının ManyetokalorikÖzellikleri

Ercüment Yüzüak, İlker Dinçer ve Yalçın ElermanFizik Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Ankara Üniversitesi, Beşevler, Ankara

Günümüzdeki soğutma teknolojisi, yaşadığımız doğaya zarar veren, pahalı ve düşük verimlibir teknolojidir. Gelecekte, bu nedenlerden dolayı geleneksel-gaz sıkıştırmalı soğutucularınyerlerini, çevre dostu ve yüksek verimli manyetik soğutuculara bırakacakları düşünülmektedir.Manyetik soğutma, oda sıcaklığı yakınlarında ve üstün manyetokalorik etki gösterebilenGd5(Si-Ge)4 alaşımlarının 1990’lı yıllarda keşfedilmesi ile ev tipi buzdolapları ve klimalar gibisoğutma uygulamaları için de gündeme gelmiştir [1]. Manyetik soğutma teknolojisinde üstünmanyetokalorik etki gösteren malzemeler kullanılmaktadır. Bu malzemelerin ortak özelliğibirinci dereceden yapısal ve manyetik faz geçişlerine sahip olmalarıdır. Gd5(Si-Ge)4

alaşımında yüksek manyetik entropi değişim gözlemlendikten sonra bu alaşımlarla ilgili olarakmanyetokalorik özelliklerini geliştirmek amacıyla bir çok çalışma yapılmıştır. Bu çalışmada,büyük manyetik entropi değişimi gösteren Gd5Si1.95Ge2.05 kompozisyon dışındaki alaşımına,Mn katkılaması ile faz geçişinin, Curie sıcaklığının ve manyetik entropi değişiminin üzerineetkisi incelenmiştir. Bu bağlamda Gd5Si1.95-xGe2.05-xMn2x (2x=0.02, 0.06) alaşımları eldeedilmiştir. Bütün alaşımlar, alaşımları oluşturan saf elementlerin argon atmosferi altında arkergitme fırınında, su soğutmalı bakır pota kullanılarak elde edilmiştir. Elde edilen alaşımlarınkristal yapılarını tespit etmek için X-ışını toz kırınım deneyleri Cu hedefli Rigaku Dmax 2200toz kırınımmetresi ile yapılmıştır. Manyetik özellikleri belirlenmek için, Quantum DesignPPMS kullanılmıştır. X-ışını toz kırınım deneylerine göre, bütün alaşımların oda sıcaklığındamonoklinik yapıda (uzay grubu: P1121/a) kristallendiği tespit edilmiştir. Ayrıca, bütünalaşımlarda az miktada yabancı faz (ortorombik, uzay grubu: Pnma) tespit edilmiştir.Alaşımların manyetik ölçümleri 5–350 K sıcaklık aralığında sıfır alan soğutmalı-ZFC, alansoğutmalı ve alan ısıtmalı-FH olarak yapılmıştır. Sıcaklığa bağlı mıknatıslanma ölçümlerinegöre, Curie sıcaklığı artan Mn miktarı ile artış göstermiştir. Manyetik entropi değişiminihesaplayabilmek ve alaşımının karakteristik geçişinin anlayabilmek amacıyla manyetik alanabağlı mıknatıslanma ölçümü yapılmıştır. Manyetik alana bağlı mıknatıslanma ölçümlerinegöre, Gd5Si1.95-xGe2.05-xMn2x (2x=0.02, 0.06) alaşımlarında birinci derecede faz geçişigözlenmiştir. Gd5Si1.95Ge2.05 alaşımların gözlemlenen en yüksek manyetokalorik etki eldeedilmiştir [2].

Kaynaklar:[1] V.K. Percharsky et al. 1997 J. Alloys Compd. 260 98.[2] E. Yüzüak et al. 2009 J. Magn. Magn. Mater. gönderildi.


RuSr2RECu2O8 (RE = Eu) Süperiletkenin Mekaniksel ÖzelliklerininEnerji Metodu ile İncelenmesi

U. Alp1, O. Uzun1, U. Topal2, F. Yılmaz1, U. Kölemen11Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, 60240 Tokat, Türkiye,

2 TÜBİTAK-UME, 54 41470 Gebze-Kocaeli, Türkiye

Amonyum Nitrat Eritme (ANE) tekniği ile hazırlanmış olan RuSr2RECu2O8 (RE = Gd)süperiletkeninin mekaniksel özellikleri dinamik nanoçentme tekniği ile incelendi. Berkovichçentme testleri oda sıcaklığında ve 10-400 mN kuvvet aralığında yapıldı. XRD ölçümlerindenmalzemenin tetragonal yapıya sahip olduğu ve az miktarda SrRuO3 ve Sr2GdRuO6 safsızlığıiçerdiği anlaşıldı. Mekaniksel özellikleri değerlendirmek için yük-yerdeğiştirme eğrileri ve bueğrilerden elde edilen enerji değerleri (Mutlak Enerji;EM , Toplam Enerji;ET, Plastik Enerji; EPve Elastik Enerji; EE) analiz edildi. Nanosertlik (H) ve indirgenmiş elastiklik modülü (Er)değerleri Oliver-Pharr metodu ve enerji yaklaşımı metodu ile hesaplandı. Bu iki metotkarşılaştırıldı. Ayrıca, malzemenin mekanik özellikleri hakkında bilgi veren bazı özelmalzeme sabitleri (Elastik-Toplam; υET , Plastik-Toplam; υPT ve Elastik-Plastik; υEP enerjisabitleri) hesaplandı. Nanosertlik ve indirgenmiş elastiklik modülü değerlerinin, yükün artmasıile birlikte azaldığı görüldü (Çentik Boyut Etkisi; ÇBE). Bu sonuçların literatür ile uyumiçerisinde olduğu belirlendi.


InGaAs/GaAs Süperörgülerdeki Arayüzey Kusurlarının SıcaklığaBağlı Yapısal İncelemesi

B. Sarıkavak1, M. K. Öztürk1, T. S. Mammadov1,2 ve S. Özçelik11Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

2Fizik Enstitüsü,Azerbaycan Ulusal Bilimler Akademisi, Bakü, Azarbeycan

Moleküler Demet Epitaksi (MBE) kullanılarak büyütülen InGaAs süperörgü yapıları hızlıtermal tavlama yöntemiyle oda sıcaklığından 775°C’ ye kadar tavlanıp, her sıcaklık için yüksekçözünürlükteki X- ışınları cihazı kullanılarak, paralel X-ışınları gerilmesi (eII), dik X-ışınlarıgerilmesi (e^), misfit (ef), rahatlama dereceleri (R), x bileşeni, tilt açıları ve dislokasyonhesaplanmıştır. Elde edilen sonuçlardan yapısal özellikler her yansıma düzlemi için artansıcaklıkta farklı özellikler gösterir. Bunun nedeni ise, artan tavlama sıcaklığında, uzaysalinhomojen gerilim dağılımı InGaAs süperörgü yapısında gevşemeye neden olur bu da büyütmeboyunca In atomlarının göçünü artırır [1-3]. Tavlama sıcaklığının artması da süperörgüdekiarayüzeylerde bozulmaya dolayısıyla yapının yapısal özelliklerinde bir olumsuzluğa nedenolmaktadır. Şekil 1 a ve b asimetrik düzlemlerde tavlama sonucu meydana gelen bozulmayıgöstermektedir. Tavlama sıcaklığı arttıkça FWHM lardaki genişlemeler görülmektedir, bu

genişlemelerde yapının bozulduğunu göstermektedir.

Şekil 1. a. (224) yönelimi için farklı tavlama sıcaklıklarında Şiddet-theta grafiği, b. (115) yönelimi için farklı tavlama sıcaklıklarında Şiddet-theta grafiği.

[1] B.M. Arora, K.S. Chandrasekaran, M.R. Gokhale, G. Nair, G. Venugopal Rao, G.Amarendra and B. Viswanathan, J. of Appl. Phys., 87 (2000) 8444.[2] Chris G. Van De Walle, M. D. McCluskey, C.P. Master, L.T. Romano, N.M. Johnson,Materials Science and Engineering B59 (1999) 274.[3] Y. W. Choi, C.R. Wie, K. R. Evans and C. E. Stutz, J. Appl. Phys. 68 (1990) 1303.

Theta (derece)41.4 41.6 41.8 42.0 42.2

Şid

det (

arb.

)

(224) refleksiyonu

50oC

400oC

500oC

600oC

750oC

775oC

Theta (derece)44.6 44.8 45.0 45.2 45.4 45.6

Şid

det (

arb.

)

(115) refleksiyonu

50oC

400oC

500oC

600oC

750oC

775oC


Zn/p-tipi Si Schottky Diyot Yapısının Elektriksel Özellikleri ve Arayüzey Durumları

Şükrü Karataş1, Şemsettin Altındal2 ve A. Mecit Türüt31Fizik Bölümü, Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi, 46100,Kahramanmaraş

2Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara3Fizik Bölümü, Atatürk Üniversitesi, 25240, Erzurum

Bu çalışmanın amacı, (100) yönelimine sahip, Bor katkılı p-tipi tek silisyum kristalkullanılarak yapılan Zn/p-Si Schottky diyot yapısının akım iletim mekanizmalarınınincelenmesi ve bu yapıya ait temel parametrelerin akım-gerilim karakteristiklerinden tayinedilmesi ve seri direnç etkisini incelemektir. Zn/p-Si Schottky diyot yapısının temelparametreleri olan, idelite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç Cheung metodu kullanılarakelde edildi. Hazırlanan Zn/p-Si (MS) Schottky diyotu için temel fiziksel parametreler farklımetotlar kullanılarak hesaplandı ve sonuçların birbirleriyle ve literatürle uygun olduğugözlendi. Ayrıca diyot karakteristiklerini oldukça etkileyen ara yüzey durumlarının yasakenerji aralığındaki dağılım profili oda sıcaklığında akım-voltaj ölçümlerinden elde edildi.


Zaman Eksenli THz Spektroskopisinde Etalon Etkisi

Halil Berberoğlu, Devrim Köseoğlu, Hakan AltanFizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 06531, Ankara

Terahertz teknolojilerinden en çok yararlanılan alan malzeme belirleme vekarakterizasyonudur. Silikon ve GaAs gibi yarı iletken teknolojilerinde çok kullanılanmalzemelerin yük taşıyıcılarının hızlı dinamikleri terahertz spektroskopisi ile inceleyençalışmalar literatürde yer almaktadır [1, 2, 3, 4, 5]. THz atılımlarının ölçüm karakteristiklerifoto-iletken antenler [2] ve elektro-optik belirleme yöntemleri [6] ile yapılmıştır. Buçalışmada, kip kilitli Ti:Al2O3 lazeri kullanılarak, merkez dalga boyu λ = 800nm, atılım süresiτ = 30 fs ve tekrarlama hızı 70 MHz olan femto saniyle atılımlar kullanılmıştır. 180 mW olanortalama hüzme gücü iki optik yola ayrılmış olup, bunun 36 mW ‘lık olanı GaAs tabanlı 10μmdipole aralıklı fotoiletken antene (PCA) yönlendilmiştir. Anten 2.5 kHz ve Vp-p=10 V ilemodüle edilmiştir. Üretilen THz alanının ölçümü elektro-optik yöntem ile 2mm kalınlığındaki<110> yönelimli ZnTe kristali ile ¼ dalga plakası (QW), Wollaston prizması (WP) ve foto-algılayıcı sistemi ile yapılmıştır. Sinyalin genliği ve fazı lock-in (Model SR830 DSP)yükseltici yardımıyla eşevreli olarak ölçülmüştür. Örnekler THz alanına dik olarakyeleştirilmiş olup THz alanı 10cm odak uzaklığı olan TPX lensleri ile örnek üzerineodaklanmıştır. Terahertz Spektroskopi ölçümlerinde önlenemeyen çeşitli etkilerden dolayıoluşan kaymaların ve salınımların giderilmesi amacıyla Etalon etkisini temel alan bir yöntemkullanılmıştır. Bu çalışmanın birinci kısmında zaman-eksenli Terahertz spektroskopisistemlerinin kalibrasyonu için Fabry-Perot Etalon modelinden [7] yararlanılabileceğigösterildi. Bu model kullanılarak 0.65 mm GaAs ve 1 mm ZnTe kristallerinin terahertzzaman eksenli ölçümleri yapıldı. Fabry-Perot Etalon etkisi terahertz zaman ekseninde ikincilpiklere sebep olmaktadır. Bu ikincil pikler aslında Fourier dönüşümü sırasında spektroskopikbilgiler salınımlar içerisinde kaybolur. Öte yandan, bu yansımalar (echo) Etalon modeli ilekullanılarak Fourier dönüşümü sonucunda frekansların kalibre edilmesi için kullanılabilir.Ayrıca, bu yansımalar Fourier dönüşümünde spektroskopik bilgilerin kaybolmasınayolaçabilir, bu nedenle önlenmeleri gerekmektedir. Bu çalışmanın ikinci kısmında da buyansımaların istenmeyen etkilerinin giderilmesi için her iki kristalin analizine bu algoritmauygulandı. Böylelikle spektroskopik ölçümlerin analizi için nümerik iyileştirme sağlandı.Kısaca, kullanılan yöntemlerin her ikisi de terahertz ölçümlerinde veri analizini pratiktekolaylaştırabilecek bir potansiyeli olması açısından önem taşımaktadır.Referanslar:[1] M.C. Beard, G.M. Turner, and C.A. Schmuttenmaer, Phys. Rev. B, Vol. 62, No. 23,p15764-15777, (2000)[2]D. Grischkowsky, S. Keiding, M. van Exter, and C. Fattinger, Journal of the OpticalSociety of America B: Optical Physics, 7 (10), pp2006-20015, (1990)[3]M. van Exter and D. Grischkowsky, IEEE Transactions on Microwave Theory andTechniques, 38 (11), pp.1684-1691, (1990)[4]M. van Exter, D. Grischkowsky, Applied Physics Letters, 56 (17), pp.1694-1696, (1990)[5]M. van Exter, D. Grischkowsky, Physical Review B, 41 (7), pp.12140-12149, (1990)[6]Q. Wu and X.-C. Zhang, Applied. Physics Letters, 67, 3523, (1995)[7]M. Naftaly, et. al., Journal of Optical Society of America B, Vol.26, No. 7, (2009)Bu çalışma TÜBİTAK tarafından TBAG-1001-107T742 projesi kapsamında desteklemektedir.


Bakır Sülfür İnce Filmlerin SILAR Metoduyla Büyütülmesi ve Yapısal,Optik ve Elektriksel Özelliklerinin İncelenmesi

Aykut Astam, M. Ali Yıldırım, Zafer Şimşek, Aytunç Ateş, MuhammetYıldırım

Fizik Bölümü, Atatürk Üniversitesi, 25240, Erzurum

Bakır sülfür (CuxS) ince filmler SILAR (Sıralı İyonik Tabaka Adsorpsiyonu ve Reaksiyonu)metodu kullanılarak cam taban malzeme yüzeyine oda sıcaklığında büyütüldü. Taban malzemeyüzeyine homojen bir film elde etmek için çözelti konsantrasyonu ve pH’sı, taban sıcaklığı,adsorpsiyon, reaksiyon ve durulama zamanı gibi büyütme parametreleri optimize edildi. Eldeedilen filmler yapısal optik ve elektriksel açıdan sırasıyla XRD (X-ışını difraksiyonu), optiksoğurma ve iki nokta prob özdirenç ölçüm yöntemleri kullanılarak incelendi. Sonuç olarakCuxS ince filmlerin polikristal yapıda, yasak enerji aralığının 1,9 eV ve yaklaşık 10-2 Ώcmözdirence sahip olduğu belirlendi.


Üretim Tekniğinin Cu-12Al-0.6Be Alaşımında Şekil HatırlamaÖzellikleri Üzerine Etkisi

1S.Ergen*, 1O.Uzun, 1F. Yılmaz ve 1U. Kölemen1Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi,60240,Tokat

Nispeten düşük maliyetleri, kolay üretilebilirlikleri ve daha geniş potansiyel dönüşümsıcaklıkları dolayısıyla Cu-temelli şekil hafızalı alaşımlar, Ni-Ti alaşımları ile birlikte halenendüstride en çok kullanılan iki alaşım grubunu oluşturmaktadır. Temel bileşenleri Cu-Al olanşekil hafızalı alaşımlara, Be, Mn ve Ni gibi üçüncü element ilavesinin b faz kararlılığındaetkili olduğu ve martensitik dönüşüm sıcaklığını azalttığı bildirilmiştir [1]. Be ilavesinin iseCu-temelli alaşımlarda şekil bellek etkisine zarar vermeksizin termal kararlılığı arttırdığı vemartensitik dönüşüm sıcaklığını büyük ölçüde azalttığı rapor edilmiştir [2]. Son yapılanaraştırmalarda ise ağırlıkça %(11-12 )Al ve %(0.4-0.8) Be içeren Cu-Al-Be alaşımlarınınyalnızca iyi bir şekil bellek etkisine sahip olmadıkları, aynı zamanda martensit yapıda çözünenBe’un kolay çökelmemesi dolayısıyla uygun yaşlanma direnci ve termal kararlılığa da sahipoldukları tespit edilmiştir [3]. Diğer taraftan çok yüksek soğuma hızları dolayısıyla hızlıkatılaştırma tekniklerinin genel olarak ince taneli alaşımların üretilmesi ve böylelikle kabataneli mikroyapılara eşlik eden çeşitli problemlerin azaltılması için uygun bir üretim yöntemiolduğu bilinmektedir [4]. Bu nedenle sunulan bu çalışmada, şekil hatırlamalı alaşım grubunagiren Cu-12Al-0.6Be alaşımı geleneksel döküm ve hızlı katılaştırma tekniklerinden birisi olaneriyik eğirme (melt spinning) yöntemi ile üretilmiştir. Yapılan analizler sonucunda, gelenekseldökümle üretilmiş karşıtına kıyasla hızlı katılaştırılmış alaşımın belirgin bir şekil hatırlamaözelliğine ve homojen bir mikroyapıya sahip olduğu gözlendi. Sonuç olarak, hızlı katılaştırmatekniğinin alaşımın şekil hatırlama özelliğini iyileştirdiği kanaatine varıldı.

Kaynaklar:1. Recarte V., Perez- Saez R. B., Bocanegra E.H., No M.L., San Juan J., 2002. Metal.Mater. Trans. A33 2581–2591.2. Balo S. N., Ceylan M. J., 2002. Effect of Be content on some characteristics of Cu-Al-Be shape memory alloys. Mater Sci Technol., 124, 200-8.3. Kustov S., Pons J., Cesari E., Morin M., Van Humbeeck J., 2004. Athermalstabilization of Cu-Al- Be beta '(1) martensite due to plastic deformation and heat treatment.Mater. Sci. Eng. A 373–3284. Uzun O., Karaaslan T., Gogebakan M., Keskin M., 2004. Hardness andmicrostructural characteristics of rapidly solidified Al–8–16 wt.%Si alloys. Journal of Alloysand Compounds, 376, 149–157.

Bu çalışma, Gaziosmanpaşa Üniversitesi Blimsel Araştırma Projeleri Birimince (Proje No:2009/54) desteklenmiştir.


N,N’-BİS(METİLSÜLFONİL)ETİLENDİAMİN Bileşiğinin YapısalElektronik Ve Çizgisel Olmayan Optik(NLO)Özelliklerinin

İncelenmesi

Hamit Alyar1, Neslihan Özbek2 Saliha Alyar3 ve Nurcan Karacan41Dumlupınar üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 43100 Kütahya2Ahi Evran Üniversitesi Eğitim Fakültesi , İlköğretim Bölümü, 40100 Kırşehir

3Çankırı Karatekin Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, Kimya Bölümü,18200 Çankırı4Gazi Üniversitesi Fen- Edebiyat Fakültesi , Kimya Bölümü, 06500 Ankara

Sülfonamitler, insanlarda bakteri enfeksiyonlarının tedavisinde kullanılan ilk ilaç grubudur vebakteriyostatik olarak etki etmektedir. Sülfonamitler; sistemik enfeksiyonlar, üriner sistemenfeksiyonları, Nocardia asteroides enfeksiyonu, Toxoplasma gondii enfeksiyonu veMycobacterium leprae enfeksiyonu gibi hastalıklarında halen kullanılmaktadırlar [1-3]. Buçalışmada molekülün geometri optimizasyonu HF ve DFT metodlarıyla 6-31++G(d,p) temelseti kullanılarak yapılmış ve yapısal özelliklerinden bağ uzunlukları, bağ açıları ve dihedralaçıları ile HOMO-LUMO moleküler orbital enerji farkı, dipol momenti ve çizgisel olmayanoptik özelliklerinden polarizebilite, anizotropik polarizebilite ve hiperpolarizebilitesihesaplanmıştır. DFT metoduyla hesaplama yapılırken B-LYP ve B3LYP fonksiyonellerikullanılmış ve tüm hesaplamalar GAUSSIAN 03W paket programı kullanılarakgerçekleştirilmiştir.

Kaynaklar

1.Meyers, F., Jawetz, H. E., and Goldfien, A. Review of Medical Pharmacology, 3rded.,Lange Medical Publications, Los Altos, Calif., 523–527 (1972).2. Petri, W. A. , Hardman, J. G., Limbird, L. E. and A. Goodman Gilman, eds.,Goodman andGilman’s The Pharmacological Basis of Therapeutics, 10th ed., McGraw-Hill, New York,1171–1188 (2001).3.Işık, K., Ozdemir Kocak, F., “Antimicrobial activity screening of some sulfonamidederivatives on some Nocardia species and isolates” Microbiological Research, 164, 49-58(2009).


2, 2´-BİPİRİDİN Molekülünün Yapısal Elektronik ve ÇizgiselOlmayan Optik Özelliklerinin İncelenmesi

Hamit Alyar1, Mehmet Bahat21Fizik Bölümü, Dumlupınar Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, 43100 Kütahya

2Fizik Bölümü,Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi , 06500 Ankara

2, 2´-Bipiridin bileşiği metalik şelatların oluşumu, zeolit yüzeyleri üzerine adsorbsiyonusağlamak gibi çalışma alanları vardır[1]. Bu çalışmada 2,2´-bipiridin molekülünün yapısalözelliklerinden bağ uzunlukları, bağ açıları ve dihedral açıları ile HOMO-LUMO molekülerorbital enerji farkları ve çizgisel olmayan optik özellikleri piridin halkaları arasındaki dihedralaçının fonksiyonu olarak incelendi. Hesaplamalarda dihedral açı 0° den 180° ye kadar 15° likadımlarla arttırıldı. Hesaplamalar DFT metodunun B3LYP/6-31++G** modeli ile yapıldı.Tüm hesaplamalar GAUSSIAN 03W paket programıyla gerçekleştirildi.

Teşekkür:Bu çalışma, DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ tarafından BAP-2007-1 projesi olarakdesteklenmektedir.

Kaynaklar

[1]. F. Marquez, I. Lopez Tocon, J.C. Otero, J.I. Marcos, J. Mol. Struc. 410-411(1997) 447-450


Düşük Boyutlu Sistemlerde Tuzaklama Potansiyelinin SayısalBenzetişim Metoduyla İncelenmesi

Selman Mirioğlu, Uğur Erkarslan, Görkem Oylumluoğlu ve Afif SıddıkiFizik Bölümü, Muğla Üniversitesi, Kötekli, 48170, Muğla

Nano-ölçekli yapılarda, ince yarıiletken katmanlarda taşıyıcı yüklerin bazı boyutlardakihareketlerinin kısıtlanması (kuantum kuyu, kuantum tel, kuantum nokta) kuantum mekanikselolayların anlaşılmasına olanak vermektedir. Moleculer Beam Epitaxy (MBE) yöntemindekristal genellikle z yönünde katmanlar şeklinde büyütülmekle birlikte, son yıllarda yapılandeneysel çalışmalarda büyütülen bu kristaller, odacıktan çıkarılarak kesilip düzeltildikten sonraodacığa yerleştirilmekte ve 90 derecelik açıyla tekrar büyütme işlemi gerçekleştirilmektedir.Cleaved-edge overgrown (CEO) olarak bilinen bu teknikle büyütülen kristallerde, her ikikristal yüzeyine de uygulanan potansiyeller yardımıyla farklı kenar durumları yaratılabilmekteve yine bu teknikle yüksek kaliteli kuantum telleri üretilebilmektedir. Üretilen bu tellerde (10mikro metreye kadar) taşınımın balistik olduğu bilinmektedir. Yarı iletken kristallerinbüyütme parametreleri, kapılara uygulanan voltajlar gerek iki boyutlu elektron gazının (2BEG)gerekse de kuantum telinin potansiyel şekillerini etkilemektedir.Bu çalışmada 2BEG ve kuantum teli için Poisson denklemini ve dalga fonksiyonunu ikiboyutta kendinden tutarlı çözen simülasyon programı yardımıyla yapıların potansiyelprofilleri, elektron magneto-taşınım durumları ve geçiş olasılıkları sistematik olarakincelenmiştir.


Yüksek Basınç ve Yüksek Sıcaklık Altında Uranyum Hexaborit (UB6)Kristalinin Yapısal Özeliklerinin İncelenmesi

Aynur Tatar, Sezgin AydınFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

Yoğunluk fonksiyonu teorisi kapsamında, genelleştirilmiş gradyent yaklaşımı kullanılarakUranyum Hexaborit (UB6) bileşiğinin kristal yapısı ve yapısal parametreleri incelendi.Kristalin basınç altındaki davranışını gözlemlemek için 0-45 GPa aralığında hidrostatik basınçuygulandı. Kuantum mekaniksel hesaplamalardan elde edilen sonuçlar quasi-harmonik Debyemodeli içinde değerlendirilerek bir bileşiğin mekanik karakterizasyonunun yapılmasındaönemli bir parametre olan bulk modülünün sıcaklık bağımlılığı araştırıldı. Elde edilen sonuçlaruygun literatürle karşılaştırıldı.


4-[(3-fenil- alliden amino) -5- tiyofen -2-yl- methil-2,4-dihidro-[1,2,4]triazol-3-on Molekülünün Sentezi, Yapısal Karakterizasyonu ve

Kuramsal Analiz Çalışması

N. B. Arslan1*, Canan Kazak1, Yasemin Ünver 2 ve Kemal Sancak21Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 55139 Samsun, Turkiye

2Karadeniz Teknik Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Kimya Bölümü, 61080 Trabzon, Turkiye*[email protected]

Tek kristal formunda olan 4-[(3-fenil- alliden amino) -5- tiyofen -2-yl- methil-2,4-dihidro-[1,2,4]triazol-3-on molekülünün kristal yapısı X-ışınları kırınım yöntemi ile aydınlatıldı.Yapısı aydınlatılan molekül için kuramsal yöntemlerden yoğunluk fonksiyonel teorisikullanılarak geometri optimizasyonu yapıldı, elektrostatik potansiyel yüzeyleri ile HOMO,LUMO enerji düzeyleri belirlendi. Ayrıca yapının IR, 1H-NMR, 13C-NMR ve MS analizleriyapılıp incelendi.


Au/ (Co, Zn) Katkılı/n-Si Schottky Engel Diyotların Akım-Gerilim (I-V) Karakteristiklerinin Işık Şiddetine Bağlı İncelenmesi

H.Uslu, U. Aydemir, Ş. AltındalFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

Bu çalışmada Au/polyvinyl alkol (Co, Zn-Katkılı)/n-Si Schottky engel diyotlarda (SBDs)doyma akımı (I0), sıfır belsem engel yüksekliği ( B0), idealite faktörü (n) ve seri direnç (Rs)gibi temel elektriksel parametreler oda sıcaklığında doğru belsem akım-voltaj (I-V) ölçümlerikullanılarak hem karanlık hem de farklı ışık şiddetlerinde (125 W ve 250 W) incelendi.Cheung metodu kullanılarak elde edilen seri direnç değerleri, artan ışık şiddetiyleazalmaktadır. Yüksek n ve Rs değerleri, M/S ara yüzeyindeki ışık etkisiyle aktive olmuş arayüzey durumlarının varlığına atfedildi. Ayrıca, ara yüzey durum yoğunluğunun (Nss) yasakenerji aralığındaki dağılım profili, engel yüksekliğinin voltaja bağlı değişimi dikkate alınarakelde edildi. Nss değerleri yasak enerji aralığının ortasında iletim bandının alt kenarına doğruhemen hemen üstel olarak artmakta olduğu gözlendi.

Anahtar kelimeler: Au/PVA/n-Si Schottky diyotları, ışık etkisi, I-V karakteristikleri, arayüzey durumları, seri direnç.


p-InGaAs Tabakası İçin Au-içeren ve -içermeyen Nadir Bulunur MetalSilikat

Ohmik Kontaklar

A. Bengi1,2, S.J. Jang2, C.I. Yeo2, T. Mammadov1, S. Özçelik1, Y.T. Lee21Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

2Enformasyon ve Komünikasyon Bölümüi, Gwangju Fen ve Teknoloji Enstitüsü, 500-712, Gwangju, GüneyKore

Günümüzde oldukça geniş uygulama alanları olan optik ve elektronik aygıtların üretimindeohmik kontakların önemi oldukça fazladır. Üretilen aygıtın yüksek güçte ve frekanslardaçalışması, yaşam süresi gibi aygıt özelliklerini etkileyen en önemli parametrelerden biri dekontak özellikleri yani diğer bir deyişle karakteristik kontak direncidir. Günümüzde, üretilencihazlarda karakteristik kontak direncinin 1x10-6 Ωcm2 değerinden daha düşük olmasıamaçlanmaktadır. Geleneksel ohmik kontaklara ek olarak geçiş metal silikatları yarıiletkenendüstrisindeki öneminden dolayı çok uzun yıllardır çalışılmaktadır. Fakat, günümüze kadarolan araştırmalarda bu konuda yapılan çalışmalar oldukça azdır. Bu metallere olan ilgi vearaştırmalar temel ve teknolojik sebeplerden dolayı gittikçe artmaktadır. Bu elementlerinmetalik direnci ve düşük Schottky bariyer yükseklikleri gibi özellikleri, malzemeleri ohmikkontak için cazip hale getirmektedir. Bu çalışmada p-InGaAs tabakası için geleneksel(Pd/Ir/Au, Ti/Pt/Au ve Pt/Ti/Pt/Au) ve Au-içeren ve içermeyen nadir bulunur metal silikat(Gd/Si/Ti/Au, Gd/Si/Pt/Au ve Gd/Si/Pt) ohmik kontaklar incelendi. Ohmik kontaközelliklerinin incelenebilmesi için fotolitografi yardımıyla Transmisyon Çizgi Modeli (TLM)numunelerinin fabrikasyonu yapıldı. Fabrikasyonu tamamlanan numunelerin karakteristikkontak direnci Transmisyon Çizgi Modeli kullanılarak hesaplandı. Metalizasyon işlemi içingeleneksel ohmik kontaklı numunuler farklı sıcaklıklarda farklı sürelerde tavlandı. Tavlamaişlemleri sonucunda 400 oC’de 25 s tavlanan Pt/Ti/Pt/Au ohmik kontaklı numunenin en düşükkarakteristik kontak direncine, 0.111x10-6 Ωcm-2 , sahip olduğu görüldü. Nadir bulunur metalsilikat ohmik kontaklı numuneler ise farklı sıcaklıklarda, metal silikat oluşumu için gelenekselohmik kontaklı numunelerden daha uzun süre tavlandı. Yapılan analizler sonucunda 400 oC’de1dk süreyle tavlanan Au-içermeyen Gd/Si/Pt ohmik kontağın en düşük karakteristik kontakdirencine, 4.410x10-6 Ωcm-2, sahip olduğu görüldü.


InxGa1-xAs / GaAs Çoklu Kuantum Kuyu Yapısının MBE Tekniği ileBüyütülmesi: Yapısal ve Optik Özelliklerinin İncelenmesi

B.Kınacı1, A. Bengi1, T. Asar1, S.Ş. Çetin1, T.S. Mammadov1,2, S. Özçelik11 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

2Fizik Enstitiüsü, Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi, Bakü

InGaAs/GaAs kuantum kuyu yapıları, kızılötesi lazerlerde, fotodedektörlerde ve entegreoptoelektronik sistemlerde önemli uygulamalara sahiptir. [1,2]. InGaAs temelli aygıtlar; foto-diyotları, metal-yarıiletken-metal fotodedektörleri, çoklu yapılı lazerleri, kauntum tel venoktalarını ve modülasyon katkılı alan etkili transistörleri (HEMT) içermektedir [3].Bu çalışmada InxGa1-xAs/GaAs (x=26) çoklu kuantum kuyu yapısı epi-hazır SI GaAs (100)alttaş üzerine katı kaynaklı moleküler demet epitaksi (MBE) tekniği kullanılarak büyütüldü.Büyütülen InxGa1-xAs/GaAs çoklu kuantum kuyu yapısının Yüksek Çözünürlüklü X-IşınıKırınım cihazı ile yapısal (In kompozisyonu ve tabaka kalınlıkları) ve Fotolüminesans (FL)sistemi ile optik özellikleri ( In kompozisyonu ve yasak bant aralığı) incelendi. XRD ve odasıcaklığı FL analizleri sonucunda In kompozisyonu sırasıyla %25,43 ve %26,96 olarakbulunmuştur. Bu analizler uyumlu olması hedeflenen yapının büyütüldüğü göstermektedirayrıca oda sıcaklığı FL ölçümleri sonucunda yasak bant aralığı 1,049 eV olarak bulundu.Sıcaklığa bağlı (12-77 K) olarak gerçekleştirilen ölçümler sonucunda InxGa1-xAs/GaAs çoklukuantum kuyu yapısının yasak bant aralığı değerlerinin ve maksimum pik yarı genişliğideğerlerinin sırasıyla 1,290-1,311 eV ve 54,75-47,27 meV aralığında değiştiği gözlemlendi.

1. Rosenberg, J. J., Benlamri, M., Krircher, P.D., Woodall, J. M. and Petit, G. D., IEEEElectron Device Lett, EDL-6: 491(1985).

2. Laidig, W. D., Lin, Y. F. And Caldwell P. J., J. Appl. Phys., 57: 33 (1985).

3. Bhattacharya, P.K., University of Michigan, USA, 1-50 (1993).


Au/ (Co, Zn) Katkılı/n-Si Schottky Engel Diyotların Temel ElektrikselParametrelerinin Işık Şiddetine Bağlı İncelenmesi

İ. Taşçıoğlu1, H.Uslu1, T. Tunç21Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

2Fen Bilgisi Öğretmenliği, Aksaray Üniversitesi, Kampüs, 68100, Aksaray

Au/polyvinyl alkol (Co, Zn-Katkılı)/n-Si Schottky engel diyotların (SBDs) doğru ve tersbeslem kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristikleri, oda sıcaklığındave 1 MHz de hem karanlık hem de farklı ışık şiddetleri (125 W ve 250 W) altında incelendi. C-V ve G/w-V eğrilerinde seri direnç (Rs), terslenim ve tüketim bölgesinde etkili olmaz iken,iletim bandında oldukça etkili olduğu ve bu eğrilerde bükülmeye yol açtığı gözlendi. Rs değeriartan ışık şiddetiyle önemli ölçüde azalırken, verici katkı atomlarının yoğunluğu (ND)artmaktadır. Bu durum, ışık şiddeti etkisiyle metal/yarıiletken ara yüzeyinde çok sayıdaelektron-hol çiftinin oluşmasına ve dolayısıyla ara yüzeydeki moleküllerin yeniden yapılanıpdüzenlenmesine atfedildi. Ayrıca, sıfır beslem engel yüksekliği ( B0), tüketim tabakasınınkalınlığı (WD) ve idealite faktörü (n) gibi temel diyot parametreleri de ışık şiddetine bağlıolarak incelendi.

Anahtar kelimeler: Au/PVA/n-Si Schottky diyotları, ışık etkisi, C-V ve G/w-Vkarakteristikleri.


Püskürtme Yöntemiyle Hazırlanmış Farklı Ar/O2 Oranlı TİO2 İnceFilmlerin Optik Özelliklerinin İncelenmesi

Y. Özen1, P. Durmuş1, S. Özçelik1

Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

Farklı Ar/O2 oranlarına sahip olan Titanyum dioksit (TiO2) ince filmler 200 oC alttaşsıcaklığında cam üzerine RF Magnetron püskürtme sistemi yardımıyla büyütüldü. Püskürtmesisteminin gaz akışları her bir gaz için ayrı kütle değişim kontrol ünitesi ile A numunesi için%20 Ar ve %20 O2, B numunesi için %10 Ar ve %20 O2 ve C numunesi için ise %90 Ar ve%10 O2 olarak belirlendi. Büyütülen A, B ve C numunelerinin optik karakterizasyonu UV-VISspektrometresi ve fotolüminesans sistemi kullanılarak gerçekleştirildi. 200-1100 nm aralığındayapılan transmisyon ölçümleri sonucunda numunelerin yasak bant aralığı A-C numuneleri içinsırasıyla 3.24, 3.33, 3.30 eV bulundu. Fotolüminesans analizleri sonucunda ise A-Cnumuneleri için yasak bant aralığı ve FWHM değerleri sırasıyla 3.151, 3.172, 3.205 eV ve0.58, 0.72, 0.75 eV bulundu. Yapılan analizler sonucunda, O2 gaz akışı azaldığındamalzemenin yapısında bir bozulma görüldü.

hn (eV)

2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8

(ahn

)1/2 (c

m.e

V)-1

/2

0

50

100

150

200

250

300

350

400

ABC

(Eg)A=3.24 eV(Eg)B=3.33 eV(Eg)C=3.30 eV

Foton Enerjisi (eV)

1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

FL Ş

idde

ti (k

.b.)

0.0

5.0e+6

1.0e+7

1.5e+7

2.0e+7

2.5e+7 ABC

Ar/O2 oranı20/20 10/20 90/10

E g (e

V)

3.143.153.163.173.183.193.203.21

FWH

M (e

V)

0.560.580.600.620.640.660.680.700.720.740.76

Eg(eV)FWHM (eV)


Au/SrTiO3/n-Si Yapısındaki Derin Seviyelerin Tavlamaya Bağlı DLTSMetodu ile Karakterizasyonu

U.Aydemir1, İ.Taşçıoğlu1, T.Asar1, Y.Şafak1, Ş.Altındal1,T.S.Mammadov1,2, S.Özçelik1

1Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2Fizik Enstitüsü, Milli İlimler Akademisi, Bakü, Azerbaycan

Au/SrTiO3/n-Si Schottky bariyer diyotlarının (SBD) elektriksel karakterizasyonu tavlamayabağlı olarak incelendi. RF magnetron püskürtme metoduyla hazırlanan numuneler Schottkydiyot oluşturulmadan önce oksijen ortamında tavlandı ve Au/SrTiO3/n-Si yapısındaki tuzakseviyelerinin tavlama sıcaklığına göre değişimi Derin Seviye Sönüm Spektroskopisi (DLTS)yöntemiyle incelendi. Oksijen ortamında 250 oC (numune A) ve 450 oC’de (numune B)tavlanan bu iki yapının Arrehenius eğrilerinden elektron tuzak seviyelerinin aktivasyonenerjileri sırasıyla 235 eV ve 168 eV olarak elde edildi. Deneysel sonuçlara göre tavlamasıcaklığı artarken yapıdaki tuzak seviyelerinin aktivasyon enerjisinin azaldığı gözlendi. Bu ikiyapının kıyaslanmasıyla, yapıdaki tuzak seviyelerinin oksijene duyarlılığı gözlendi. Bu tuzakseviyelerinin kaynağı yapıdaki oksijen boşluklarına atfedildi. Ayrıca A ve B numuneleri içinsırasıyla tuzakların yakalanma tesir kesiti 1,4x10-21 cm2, 7,6x10-21 cm2 olarak ve tuzakyoğunluğu 5,96x1015 cm-3, 1,31x1014 cm-3 olarak elde edildi.

Anahtar kelimeler: Schottky bariyer diyotları, DLTS, termal tavlama, tuzak seviyeleri.

Şekil 1. (a) 250 oC de tavlanan (b) 450 oC’de tavlanan numunelerin DLTS spektrumu.


P93

Aşamalı tavlamanın Al/p-Si/Cd/As/Cd katmanlı yapısının diyotparametreleri üzerine etkisi

S. Kahraman, F. Bayansal, H. M. Çakmak, H. A. Çetinkara, H. S. GüderFizik Bölümü, FEF Fak., Mustafa Kemal Üni., Tayfur Sökmen Kampüsü, 31034, Hatay

Metal/yarıiletken Schottky diyotlardaki Fermi seviyesi çivilenmesinde yarıiletken yüzeyindebulunan arayüzey durumları sorumludur. Bu arayüzey durumları Schottky diyotlardaki (ΦB)bariyer yüksekliği değerini belirlemektedir. Bu çalışmada katmanlı yapıların Fermi seviyesiçivilenmesi üzerine etkisini araştırmak Al/p-Si/Cd/As/Cd yapısı üretilmiştir. p-Si üzerineomik kontak oluşturmak için 1500 Å Al kaplanmış ve 580 oC’de 3 dakika tavlanmıştır. p-Siüzerine doğrultucu kontak oluşturmak için 200Å/600Å/1500Å kalınlıklarında Cd/As/Cdkatmanlı yapısı fiziksel buhar biriktirme (PVD) yöntemiyle oluşturulmuştur. Aşamalı tavlamaişlemi uygulanarak (sırasıyla 150 oC’de 3 dak., 180 oC’de 1 dak., 210 oC’de 30 s ve 220 oC’de10 s) As atomlarının metal/yarıiletken arayüzeyine difüzyonu sağlanmıştır. Bu işlem ilemetal/yarıiletken arayüzeyine difüze olan As atomlarının arayüzeyde ince bir n+-Si tabakasıoluşturması sağlanır. Bu çalışmada üretilen diyotların idealite faktörleri (n) ve doğrultucukısımlarının engel yükseklikleri (ΦB) değişik yöntemler kullanılarak hesaplanmıştır. Diyotlarınidealite faktörlerinde kademeli olarak 2,34’ten 1,54’e azalma, engel yüksekliklerinde ise 0,75eV’dan 0,78 eV’a artış olduğu görülmüştür.


ReB3 Bileşiğinin İlk-Prensiplerle İncelenmesi

Sezgin Aydın, Mehmet ŞİMŞEKFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

ReB3 bileşiğinin yapısal parametreleri, elektronik özellikleri ilk-prensipler yaklaşımıylaaraştırıldı. Hesaplanan durum yoğunluğu ve band grafiklerinden bu materyalin iletken karaktersergilediği görüldü. İlk-prensip hesaplamalarından elde edilen bilgiler Simunek tarafındangeliştirilen sertlik metodu içinde kullanılarak bileşiğin sertliği hesaplandı ve ReB2 den dahasert olmadığı sonucuna varıldı. Bireysel bağ sertlikleri de incelenerek ayrıntılı bir sertlikanalizi sunuldu.


InGaAs/GaAs Çoklu Kuantum Kuyulu Güneş Pili Fabrikasyonu

T. Asar1, U. Aydemir1, B. Kınacı1, T.S. Mammadov2, S. Özçelik11Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

Yarıiletken Teknolojileri İleri Araştırmalar Laboratuarı (www.starlab.gazi.edu.tr)2Fizik Enstitüsü, Milli İlimler Akademisi, Bakü, Azerbaycan

Günümüz elektronik ürünlerinde kullanılan transistörler, doğrultucu diyotlar gibi güneş pilleride yarıiletken maddelerden yapılırlar. Yarıiletken özellik gösteren birçok madde arasındagüneş pili yapmak için en elverişli olanlar, silisyum (Si), galyum arsenit (GaAs), kadmiyumtellür (CdTe) gibi malzemelerdir. Son zamanlarda ise yüksek verimliliğe sahip GaAsteknolojisine dayalı güneş pillerine ilgi artmıştır. Güneş ışığının yoğunlaştırılması ile küçükboyutlardaki bu pillerden %40 civarında verime ulaşılabilmiştir.Bu çalışmada; moleküler demet epitaksi (MBE) tekniği kullanılarak büyütülen InGaAs/GaAsçoklu kuantum kuyulu güneş pili (MQWSC) yapısı incelenmiştir (Şekil-1). Büyütülen yapınınyapısal analizleri yüksek çözünürlüklü X-ışını kırınımı (HRXRD) tekniğiyle yapılmıştır.Büyütülen MQWSC yapısının metalizasyonu için; püskürtme ve buharlaştırma sistemlerikullanılmıştır. Fabrikasyonu tamamlanan güneş pilinin karanlık ve ışık altında akım-gerilimölçümlerinden açık devre voltajı (Voc), kısa devre akımı (Isc), dolum faktörü (FF) ve verim (n)gibi temel elektriksel parametreler; sırasıyla 0.82 V, 2.41 mA, 0.83 ve 14% olarak eldeedilmiştir. Bu parametrelere ait akım-gerilim (I-V) grafiği Şekil-2 ‘de verilmiştir.

Şekil-1 Şekil-2

-0,0025

-0,002

-0,0015

-0,001

-0,0005

0

0,0005

0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9

Voltaj (V)

Akı

m (A

) Voc = 0,82 V

Isc = 2,41 mA

FF = 0,83

n = 14 %

http://www.starlab.gazi.edu.tr/


P96

Tavlama Sıcaklığının SnS Filmlerininin Yapısal, Yüzeysel, Optiksel veRaman Özellikleri Üzerine Etkisi

Salih Köse1, Tülay Özer2, Sabiha Aksay2, Meryem Polat11Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fak. Fizik Bölümü, 26020, Eskişehir

2Anadolu Üniversitesi, Fen Fak. Fizik Bölümü, 26470, Eskişehir

SnS ortorombik yapıda IV-VI grubu bir yarıiletkendir. Güneş pillerinde yüksek absorbsiyonkatsayısı (104cm-1) ve uygun bant aralığı nedeniyle umut verici bir materyaldir[1]. SnS filmleriheteroeklem fotovoltaik güneş pillerinde, bazı optoelektronik cihazlarda ve sensör yapımındakullanılmaktadır [2-4]. SnS, farklı taban sıcaklıklarında payreks cam tabanlar üzerine hemüretim kolaylığı hem de kimyasal oluşumu bakımından araştırmacıların son yıllarda ilgisiniçekmektedir. Ultrasonik kimyasal püskürtme (Ultrasonic, Chemical. Pyrolysis-UCP) tekniğiile elde edilen SnS filmleri, 200-400oC sıcaklık aralıklarında ve hava ortamında iki saat süreile tavlanmıştır. Optik yöntem ve atomik kuvvet mikroskobu kullanılarak, yasak enerjiaralıkları ve yüzey durumlarında meydana gelen değişimler incelenmiştir. Filmlerinkalınlıkları, kırılma indisleri ve dielektrik sabitleri elipsometrik yöntem ile hesaplanmıştır.Raman spektrumları çekilerek, spektrumların tavlama sıcaklığına etkisinin değerlendirmesiyapılmıştır.

Anahtar Kelimeler: SnS, ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği, AFM, fotovoltaik, güneşpilleri; Raman spektrumları.

[1]. Guo Yuying, Shi Weimin, Wei Guangpu, Proceedings of ISES World Congress 2007(Vol. I – Vol. V) Pages 1337-1340, (2009)[2] S. Aksay, T. Özer, M. Zor, Eur. Phys. J. Appl. Phys. 47 (2009) 30502.[3] C. An, K. Tang, G. Shen, C. Wang, Q. Yang, B. Hai, Y. Qian, J. Crystal Growth 244, 333(2002)[4] N. Koteswara Reddy, K.T. Ramakrishna Reddy, G. Fisher, R. Best and P.K. Dutta, J. Phys.D. Appl. Phys. 32, 988 (1999)

https://commerce.metapress.com/content/w15k66/?p=a3453e8185394472bc2b0f6fd8e51c45&pi=0

https://commerce.metapress.com/content/w15k66/?p=a3453e8185394472bc2b0f6fd8e51c45&pi=0


Fotovoltaik Güneş Pillerinde Pencere ve Absorblayıcı TabakalarınSeçimi ve Bazı Fiziksel Özellikleri

Meryem Polat1,Gülşah Gürbüz1,Tülay Özer2,Salih Köse1, Muhsin Zor21Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen Edeb. Fak., Fizik Bölümü, 26020,Eskişehir

[email protected], [email protected], [email protected] Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 26020, Eskişehir

[email protected], [email protected]

Uzay ve yeryüzü uygulamalarında güneş ışınlarından doğrudan elektrik üretiminde kullanılanhomoeklem ve heteroeklem polikristal, fotovoltaik güneş pillerinin yapısını oluşturan pencereve absorblayıcı tabakaların fiziksel, yapısal ve yüzeysel özellikleri büyük önem taşımaktadır.Uygun olmayan materyal seçimi, pillerin verimliliğini olumsuz yönde etkilemekte ve pilkullanım ömrünü sınırlamaktadır. Buna bağlı olarak yüksek özdirençli, düşük geçirgenlikkatsayısına sahip olan pencere materyallerinin ve yüksek optik bant aralıklı absorblayıcıtabakaların kullanımı pil verimliliğini etkileyecektir. Bu nedenle fotovoltaik güneş pillerindekullanılan malzemelerin kristalleşme dereceleri, yüzey morfolojileri, elektriksel ve optikselözellikleri pil çalışması üzerine etki etmektedir.Bu çalışmamızda teorik olarak fotovoltaik güneş pillerinde kullanılan pencere ve absorblayıcıtabakaların yapısal, yüzeysel ve fiziksel özellikleri araştırılmıştır.

Anahtar kelimeler: Fotovoltaik Olay; Monoeklem, Heteroeklem, Amorf Güneş Pilleri;Pencere ve Absorblayıcı Tabakalar.Kaynaklar[1] Z.BENMOHAMED, M.REMRAM, Material, Science-Poland, Vol. 25, No.1, 2007. [2] F:\Wikipedia.htm.[3] Hans DESSILVESTRO, Dyesol. Ltd., February 2008.[ 4] A. TATAROĞLU, Ş.ALTINDAL, İ.DÖKME; G.U. Journal of science, 16(4); 677-685,2003.[5] Application Note Series, Keithley, Number 1953.[6] Ewa RADZIEMSKA; ınt.j. Journal Res. 2006:30 127-137.[7] L.C. BURTON; Solar Cells, 1(1979/80) 159-174.[8] Shi Yul KKIM, Dong Seop KIM, Byung Tae AHN and Ho Bin IM; Thin Solid Films, 229 (1993) 227-231 .[ 9] H.J. MÖLLER, and ALL, Solar Energy Materials and Solar Cells, 72 (2002),403.[10] V.borjanovıc, and ALL, Solar Energy Materials and Solar Cells, 72 (2002),487.[11] H. BAYHAN, A.S. KAVASOĞLU, Turk J.Phys. 31(2007), 7-10. TÜBİTAK.[12] Richard J.KOMP. Ph.D., Praticac Fotovoltaics Electricity From Solar Cell; aatec publications, 2002[13] Tom MARKVART; Luis CASTANER, Solar Cells Materials, Manufacture and Operation, Elsevier; 2005-2006.[14] DSH. CHAN, JCH PHANG IEEE, Transaction on Elektron Devices, Ed-34 (1987) 286.

mailto:skose:@ogu.edu.tr

mailto:tulayozer:@anadolu.edu.tr

mailto:mzor:@anadolu.edu.tr


Karbon Tetraklorürde III-IV Faz Geçişinin İncelenmesi

H.Yurtseven, Y. DildarODTÜ Fizik Bölümü, 06531 Ankara

Karbon tetraklorürün (CCl4) III-IV faz geçişi yakınında eşsıcaklıklı sıkıştırılabilirlik KT ,ısısal genleşme αp ve öz ısı ( Cp – Cv) basıncın işlevi olarak hesaplanmıştır.αp nin KT ile ve Cp – Cv nin αp ile çizgisel değişimleri ( Pippard bağıntıları) CCl4 ün III-IVfaz geçişi yakınında elde edilmiştir. Hesaplanan αp , KT ve Cp – Cv değerleri, farklıbasınçlarda ölçülen deneysel değerlerle karşılaştırılabilir.


Sodyum Nitratta Düzenli-Düzensiz Faz Geçişi

H.Yurtseven, Ş. AslanODTÜ Fizik Bölümü, 06531 Ankara

Sodyum nitratın ( NaNO3) düzenli-düzensiz faz geçişi ( Tc = 548 K) Raman saçılması yoluylaincelenmiştir. Deneysel Raman şiddeti sıcaklığın işlevi olarak analiz edilmiş ve kuvvet-yasasıbağıntısına göre düzen parametresi için kritik üs değeri bulunmuştur.Raman bandının genişliği düzen parametresi ( Raman şiddeti) cinsinden sıcaklığın işleviolarak hesaplanmış ve deneysel ölçümlerle karşılaştırılmıştır.


Fe(1-x) – Alx Alaşımının İkinci Derece Elastik SabitlerininWien2k ile İncelenmesi

Nurcan Çevik, Ercan Uçgun ve Hamza Y. OcakFizik Bölümü, Dumlupınar Üniversitesi, Merkez Kampus, 43100, Kütahya

Fe(1-x) – Alx (x=0.125; 0.25; 0,5) alaşımının ikinci derece elastik sabitleri wiwn2k programıyardımıyla incelendi. Bu çalışmada; kristal yapılar süpercell olarak tasarlandı. Elde edilensonuçlardan; her bir oran için Cij>0 olduğu ve deneysel değerler ile de örtüştüğü görüldü.


Simetrik Boşalma aralıklı Kızılötesi Görüntü Çevirici SistemdeElektriksel Karakteristiklerin İncelenmesi

Sadık Cetin, Gülcan Kalkan, Hilal Kurt, Bahtiyar SalamovFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

Simetrik boşalma aralığına sahip (d1 = 50 m ; d2 = 50 m) bir KÖ çevirici sistemde zamanlaakımda meydana gelen değişiklikler U = 200 Volt-2000 Volt besleme gerilimi altında p= 28Torr-342 Torr basınç aralığında farklı fotodetektör çapları için ayrıntılı olarak incelendi. Tekboşalma aralıklı çevirici hücresinden farklı olarak, UB breakdown değerlerinin daha büyükolduğu ve sistemin daha küçük akım değerlerinde (I = 3x10-5 A) kararsızlaştığı tespitedildi.Buna karşılık çift boşalma aralığından dolayı, akım-voltaj ve akım-zaman grafiklerindemodülasyonlar gözlendi. Ayrıca büyük elektrotlara arası mesafeler için histerezis eğrileri eldeedildi. Gerçekleştirilen deneyler çift gaz boşalma aralığı ile yapılan en kapsamlı çalışmadır.Elde edilen deneysel veriler KÖ çevirici sistemin optimizasyonu için kullanılacaktır.


Bir Yarıiletken Gaz Boşalma Elektronik Sisteminde PlazmaÖzelliklerinin İncelenmesi

A.Inalöz, H.Yucel Kurt, B.G. SalamovFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

Neon gazının boşalma özellikleri p (30-760 Torr), d(330 μm–530 μm) lik elektrotlar arasımesafe ve D (9 mm -18 mm) lik katot çapı için incelendi. Bu araştırmanın amacı Neon vehava ortamında boşalma karakteristikleri ile geometrik parametreler arasındaki bağlantıyı dahadetaylı olarak ele almaya yöneliktir. Deneysel analiz N-tipi Akım voltaj karakteristikleri vezamana bağlı akım ve boşalma ışık emisyonununu kullanarak gerçekleştirildi. Akımın dinamikbölgesi U = 200–1200 Voltluk besleme voltajı altında katot materyaline gönderilen farklışiddetteki Infrared ışık şiddetleri için gerçekleştirildi. Eğer uygulanan elektrik alan kritikdeğerden daha yüksekse, osilasyonlu davranış gözlenir. Yeterince yüksek voltajlarda sistemindinamik özelliklerini incelemek için gerçekleştirdiğimiz deneyler, konuyla alakalı süreçlerinözellilerini nicel olarak daha iyi anlamaya katkıda bulunmaktadır.


La0.65(Pb1-xDyx)0.35MnO3 (x=0.2, 0.4, 0.6, 0.8) Manganit BileşiklerininYapısal, Manyetik ve Manyetokalorik Özelliklerinin İncelenmesi

E. Taşarkuyu1, A. Coşkun1, A. E. Irmak1, S. Aktürk1, G.Unlu1,C.Sarıkürkcü2, S.Aksoy3, M.Acet3 ve A. Yücel1

1Fizik Bölümü, Muğla Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi,48000, Muğla2Kimya Bölümü, Muğla Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi,48000, Muğla

3Experimentalphysik, Universität Duisburg-Essen, D-47048 Duisburg, Germany

Bu çalışmada, La0.65(Pb1-xDyx)0.35MnO3 (x=0.2, 0.4, 0.6, 0.8) manganit bileşikleri sol-jelyöntemi kullanılarak hazırlanmış ve 1400oC’de 24 saat ısıl işleme tabi tutularak eldeedilmiştir. Dy+3 katkısının bileşiklerin yapısal özellikleri üzerine etkisi X Işını Kırınımanalizleri (XRD) ve Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) görüntüleri ile belirlenmiştir. Dy+3

katkısının bileşiklerin manyetik özellikleri üzerine etkisi, manyetik özellikler ölçüm sistemi(MPMS) kullanılarak 10-320K aralığında M-T ve 0-5T alan değişimlerinde Curie geçişsıcaklığı (TC) civarında M-H eğrileri alınarak incelenmiştir. Malzemelere ait manyetik entropideğişimleri M-H eğrileri kullanılarak hesaplanmıştır. AFM analizlerinden, yapıya fazlamiktarda Dy+3 girmesi sonucunda bileşiklerin tanecik büyüklüğünde bir azalmanın meydanageldiği bulunmuştur. Manyetik ölçümler sonucunda, katkı miktarındaki artışa bağlı olarakörneklerin ferromanyetik-paramanyetik faz geçiş sıcaklıklarında (TC) 180 K’den 135 K’ekadar bir azalma olduğu bulunmuştur. Bu durumun, artan Dy+3 iyon sayısına bağlı olarakMn+3/Mn+4 oranındaki artış ile ilişkili olduğu gösterilmiştir. Benzer ilişki M-T eğrileri bazalınarak hesaplanan DSM değerlerinde de bulunmuştur. 1T’lık alan değişimlerinde, artan katkımiktarına bağlı olarak bileşikler için hesaplanan DSM değerleri sırasıyla 0.80 J/kgK, 0.65J/kgK,0.48 J/kgK ve 0.48 J/kgK olarak elde edilmiştir.


Isıl İşlem Sıcaklığının La1.4Ca1.6Mn2O7 Çiftli Perovskit BileşiğininYapısal ve Manyetik Özelliklerine Etkisinin İncelenmesi

A. Coşkun1, E. Taşarkuyu1, A. E. Irmak1, S. Aktürk1, G.Unlu1,C.Sarıkürkcü2,S.Aksoy3,M.Acet3 ve A. Yücel1

1Fizik Bölümü, Muğla Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi,48000, Muğla2Kimya Bölümü, Muğla Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi,48000, Muğla

3Experimentalphysik, Universität Duisburg-Essen, D-47048 Duisburg, Germany

Yakın zamanda yapılan araştırmalarda, R1-xAxMnO3 ve (RA)n+1MnnO3n+1 (R=bazınadir toprak elementleri, A=+1 ve +2 değerlikli elementler) formundaki manganitbileşiklerinde yeterince yüksek MKE değeri bulunmuş ve oda sıcaklığı civarında manyetiksoğutucu sistemlerin geliştirilmesinde büyük bir potansiyele sahip olduğu görülmüştür.Perovskit yapı içerisindeki Mn+3 iyonlarının bir kısmı katkılama miktarı ve katkılananelementin değerliğine göre Mn+4 iyonlarına yükseltgenmektedir. Bu bileşiklerde, A yerineyapılan +2 değerlikli element katkısı bir Mn+3 iyonunu Mn+4 iyonuna yükseltgerken, +1değerlikli element katkısı iki Mn iyonunu Mn+3’den Mn+4’e yükseltgemektedir. Bununsonucunda malzeme her iki iyonu da (+3 ve +4) içeren karışık değerlikli bir özellik kazanır.Mn+3/Mn+4 oranı malzemenin yapısal, manyetik ve elektriksel özelliklerini doğrudanetkilemektedir. Özellikle teknolojik uygulama açısından, yüksek manyetik entropideğişimlerini düşük alanlarda gösteren ve bu özellikleri farklı element katkılamaları ileyükseltilebilen bu malzemelerin, çok ucuza ve kolay hazırlanmaları, uygulanan ısıl işlem ileistenilen tanecik büyüklüklerine ulaşılabilinmesi, yüksek kimyasal kararlılık göstermelerimanyetik soğutma sistemlerinde kullanılmaya aday mükemmel malzemeler olduklarını ortayakoymuştur.Bu çalışmada sol-jel yöntemi ile hazırlanan La1.4Ca1.6Mn2O7 manganit bileşiği, 1000oC,1200oC ve 1400oC’de 24 saat ısıl işleme tabi tutulmuştur. Bileşiklerin yapısal analizleriTaramalı Elektron Mikroskobu (SEM) ve X Işını Difraktometresi (XRD), manyetik özellikleriise Manyetik Özellikleri Ölçüm Sistemi (MPMS) kullanılarak yapılmıştır. XRD sonuçlarındanbileşiklerin herhangi bir safsızlık ve ikincil fazlar içermeyen tetragonal yapıda ve I4/mmmuzay grubuna sahip olduğu bulunmuştur. Artan ısıl işlem sıcaklığına bağlı olarak bileşiklerintanecik büyüklüklerinin 200-300nm’den 2-3 mm’ye kadar büyüdüğü SEM analizlerisonucunda bulunmuştur. Manyetik ölçümlerden 1000oC, 1200oC ve 1400oC ısıl işlem görenbileşiklerin Curie geçiş sıcaklıkları (TC) sırasıyla, 220K, 255K ve 265K olarak belirlenmiştir.Bu örneklerin M-H eğrilerinden, 1T’lık manyetik alan değişiminde hesaplanan manyetikentropi değişimleri sırasıyla 0.58J/kgK, 2.5J/kgK ve 3.1J/kgK olarak elde edilmiştir.


Farklı Tip Alttaşlar Kullanılarak InGaAs/GaAs Yapılarında SıcaklığaBağlı Kusur Analizinin Yapılması

G. Özat1,B. Sarıkavak1, M. K. Öztürk1, S. Sağlam1,2,T.S. Mammedov1,3 veS. Özçelik1

1Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2Fizik Bölümü, Aksaray Üniversitesi,Aksaray

3Fizik Enstitüsü,Azerbaycan Ulusal Bilimler Akademisi, Bakü, Azarbeycan

p-GaAs (100) ve n-GaAs (100) alttaş kullanılarak Moleküler Demet Epitaksi tekniği ilebüyütülen çoklu kuantum kuyulu InGaAs/GaAs yapılarının şematik diyagramı aşağıdakiŞekilde gösterildi.Yüksek çözünürlükteki X–ışınları kırınımı sistemi kullanılarak büyütülenkristal yapıların ısıl etki altında yapısal değişimleri incelendi. Her iki yapı 20°C, 555°C, 610°C,665°C, 720°C’ de hızlı ısıl tavlama tekniği ile azot atmosferinde tavlandı. Tavlanan yapılar,simetrik ve asimetrik yönelimlerde w-2θ ölçümleri alındı. Elde edilen piklerin yarı genişlik(FWHM) ve pik pozisyonlarından yararlanarak kusur analizleri yapıldı.Ayrıca, kırınımdesenlerinden yaralanılarak, paralel X-ışınları gerilmesi (eII), dik X-ışınları gerilmesi (e^),misfit (ef), rahatlama dereceleri (R), tilt açıları ve kusur yoğunlukları hesaplandı. Tavlamasıcaklığının 500 oC’den küçük olduğu durumlarda örgü sabiti ve FWHM değerlerininanalizinden kristal yapıda iyileşme olduğu gözlenmiştir. 650 oC’den büyük tavlamasıcaklıklarında (004) yansıma düzleminde hem GaAs hem de InGaAs için FWHM değerlerininanormal artış gösterdiği; bu davranış, yapıdaki grup III atomlarının tabakalarda difüzyonauğradığı ve bu sıcaklıklarda kristal düzlemin kırıldığı şeklinde yorumlanmıştır.

MBE ile büyütülen InGaAs/GaAs yapısı


Tavlama Sıcaklığının TiO2 Filmleri Üzerindeki Etkisi

İ. Kars, T. Asar, S.Ş. Çetin, M.K. Öztürk, S.ÖzçelikFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

www.starlab.gazi.edu.tr

Titanyum dioksit, TiO2 fotovoltaik güneş pilleri, elektriksel izolasyon ve optik elemanlardakiuygulamalar için büyük potansiyeli nedeniyle dikkat çekmektedir [1]. TiO2 ince filmleri içinpek çok büyütme yöntemi kullanılabilmektedir. Bu tekniklerden biri de magnetron püskürtmeyöntemidir [2]; Yüksek biriktirme oranına sahip olması, yüksek kaliteli filmlerin geniş bölgebiriktirme oranı, homojen tabaka oluşturma gibi nedenlerle tercih edilmektedir [3].TiO2 ince filmleri, n tip Si alttaş üzerine DC magnetron püskürtme tekniği kullanılarak 150oCde büyütüldü. Stylus tipi profilometre kullanılarak, filmlerin kalınlıkları belirlendi. Hızlıtermal tavlama (RTA) sistemi ile O2 ortamında 20 dakika farklı sıcaklıklarda tavlandı. Farklıakı oranların da büyütülen numunelerin, tavlama sıcaklığına bağlı değişimleri X-ışını Kırınımı(XRD) ve Morötesi (UV) spektrometre kullanılarak analiz edildi. Biriktirildiğinde amorfyapıda olan numunelerin tavlamadan sonra anataz yapıya dönüştüğü gözlendi. Tavlamasıcaklığının numunelerin yapısal ve optic özellikleri üzerine etkisi incelendi.

1. Long H., Yang G., Chen A., Li Y., Lu P., Thin Solid Films 517 (2008) 745-7492. Ab. Benyoucef, Am. Benyoucef, F. Lapostolle, D. Klein, B. Benyoucef , Journal ofElectron Devices, 5, (2007),159-1633. Singh P., Kumar A., Kour D., Physica B 403 (2008) 3769-3773


B2-RhX (X=Y, Mg, Sc) Bileşiklerinin Yapısal, Elektronik ve TitreşimÖzellikleri

E. Asker1, Ş. Uğur1 ve R. Ellialtıoğlu21Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara


Bu çalışmada ikili B2-RhX (X=Y, Mg, Sc) bileşiklerinin yapısal, elektronik ve titreşimözellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi içerisinde genelleştirilmiş gradiyent yaklaşımı (GGA)kullanılarak hesaplandı. Hesaplanan denge örgü sabitleri, hacim modülleri ve hacimmodüllerinin basınca göre birinci türevleri daha önceki çalışmalarla karşılaştırıldı. Elde edilenörgü sabitleri kullanılarak çizdirilen elektronik bant yapısı ve durum yoğunluğu grafiklerindenher üç bileşiğin de metalik karakter gösterdiği gözlendi. RhY ve RhMg için fonon frekanslarıilk defa bu çalışmada hesaplandı ve temel simetri yönleri boyunca çizildi.

Teşekkür:

Bu çalışma, Gazi Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Birimi 05/2009-39 nolu projesi veHacettepe Üniversitesi 0701602005 nolu projesi ile desteklenmiştir.


Oksidasyon Yöntemiyle Kuantum NoktalardaElektronik Yük Taşınımının Nümerik İncelenmesi

I. Pekyılmaz, S. Mırıoglu, H. Atçı, A. Buğdaylı, M. Ceylan veA. Sıddıki

Fizik Bölümü, Muğla Üniversitesi, Kötekli, 48170, Muğla

Kuantum mekaniğinde gözlem, deneycinin deneyin bir parçası olması nedeniyle deneyselzorluklar içermektedir. Bir sistem üzerinde ölçüm yapıldığında sistemin özelliklerideğişmektedir. Sistemi değiştirmeden ölçüm yapmak için kuantum nokta kontak ile kuantumnokta arasındaki yük taşınım geçirgenlik genliklerini seçilmiş enerji değerleri içinhesaplanmakta ve böylece kuantum nokta durumlarını bozmadan elektron geçişiincelenebilmektedir. İki boyutlu elektron gazında kuantum noktası elektrostatik olarak yaniyüzeye yerleştirilen yüklü metalik kapılarla veya kimyasal kesme yöntemiyletanımlanmaktadır [1,2]. Son yıllarda geliştirilen diğer bir yöntem ise atomik kuvvetmikroskobunu kullanana yerel oksidasyon yöntemidir. Bu yöntemle kuantum noktasınınbiçim sınırlandırılması ortadan kalkmakta ve küçük ölçeklerde kuantum noktası tanımlanabilmektedir. Böylece küçük ölçeklerde yüzey gerilim yöntemiyle oluşturulan kuantumnoktasındaki deneysel zorluklar kimyasal kesme yöntemindeki biçimin maske ilesınırlandırılması ve kuantum noktalarının denetlenebilirliğinin kısıtlanması problemleriniortadan kaldırmaktadır [3, 4]. Bu çalışmada üç boyutta Poisson denklemi oksidasyonyöntemiyle elde edilen kuantum nokta için, nümerik olarak çözülecek, iki boyutta elektrongazının enerji özdeğer ve öz vektörleri sonlu farklar yöntemini kullanarak elde edilecektir [5].Elde edilen daga fonksiyonları kullanılarak yük taşınım olasılıkları tartışılacaktır.

Kaynaklar:[1] Avinun-Kalish M, Heiblum M, Zarchin O, Mahalu D and Umansky V, Nature 436 529,(2005).[2] F. E. Camino, W. Zhou, and V. J. Goldman, Phys. Rev. Lett. 95, 246802 (2005).[3] H. W. Schumacher, U. F. Keyser, U. Zeitler, R. J. Haug, K. Eberl, Appl. Phys. Lett. 75 (8),1107 (1999).[4] R. Leturcq, D. Graf, T. Ihn, K. Ensslin, D. D. Driscoll and A. C. Gossard, Europhys. Lett.67, 439 (2004).[5] S.Arslan, E. Cicek, D. Eksi, S. Aktas, A. Weichselbaum and A. Siddiki, Phys. Rev. B, 78,125423 (2008).

Teşekkür:Bu çalışma, TÜBİTAK tarafından desteklenmektedir (Proje No: 109T083).

http://www.edpsciences.org/articles/epl/abs/2004/15/epl8285/epl8285.html

http://www.edpsciences.org/articles/epl/abs/2004/15/epl8285/epl8285.html


Kimyasal Tepkime Şebekelerinin Smoluchowski Kinetiği

İbrahim Mutlay1,21Kimya Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, 06100, Ankara

2Hayzen Mühendislik, Ağaç İşleri San. Sit. 521. sok. No: 39, İvedik OSB, Ankara

Karmaşık kimyasal tepkimeler biyokimyasal süreçler, petrokimya ve yanma gibi çok farklısahalarda kendini göstermektedir. Bu bakımdan karmaşık tepkime mekanizmalarınıaçıklayacak genel kuramların geliştirilmesi yaşam bilimleri, enerji üretimi ve diğer sayısızbilimsel ve teknolojik alan için olağanüstü önem arz etmektedir. Karmaşık kimyasal tepkimekinetiğinde son yıllarda şebeke (network) yaklaşımları özellikle göze çarpmaktadır. Kimyasalgirdi/çıktıların düğüm, etkileşimlerin ise bağ çizgileri olarak alınmasıyla ortaya çıkan şebeke,tepkimelerin topolojik olarak incelenebilmesini olanaklı kılmaktadır. Böylece elde edilentopolojik uzay, hesaplamalı çalışmalarda büyük yararlar sağlar. Smoluchowski denklemikolloidal sistemlerin koagulasyon kinetiklerinin modellenmesinde kullanılan bir bağıntıdır.Ancak denklemin başarısı, uygulama alanını kimyasal ve fiziksel bir çok sürecin zamana bağlıdeğişimlerine yaymış ve oldukça umut veren sonuçlara ulaşılmıştır.

Bu çalışmada, kimyasal tepkime şebekelerinin zamana bağlı değişimi ve özellikle kümelenmedavranışı Smoluchowski denklemi kullanılarak modellenmiştir. Tepkime şebekesi kendisinioluşturan öbeklere ayrıştırılmış ve Smoluchowski denklemi bu öbeklerin topolojik boyutkinetiklerini tanımlamak üzere uyarlanmıştır. Elde edilen denklem K = A + B(k + j) kerneliiçin analitik olarak çözülmüştür. Analitik genel çözüm bazı özel haller için irdelenerek öbekboyutlarının zamana bağlı değişimi tartışılmıştır.


Bir Seri Seramik ve Porselen Örneklerinin X-IşınıToz Kırınım Yöntemi İle Nitel Analizi

Sema Öztürk Yıldırım1 ve Hatice Yıldız21Erciyes Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 38039, Kayseri

2Erciyes Üniversitesi,Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, 38039, Kayseri

Teknolojinin gelişmesi ve çevresel bilince ulaşılması, günlük hayatta seramik ve porseleninher alanda yaygın olarak kullanımına yol açmıştır. Ülkemiz seramik ve porselen üretiminde veihracatında dünya ölçeğinde önemli bir yere sahiptir. Hammadde kaynaklarının son derecezengin olması; sektörde yeni teknolojilerin kullanılması, dinamik bir yatırım ortamınyaratılması dünya pazarındaki yerini ve önemini açıkça ortaya koymaktadır.Seramik; silikatlar, alüminatlar gibi anorganik maddelerin belirli oranlarda karıştırılıp su ilebirlikte metal oksitler, alkali ve toprak alkali bileşikler kullanılarak yoğrulması,şekillendirilmesi, sırlanması ve pişirilmesi yoluyla sert ürün elde edilmesini sağlayan bilim,teknoloji ve sanatı da içeren bir endüstri dalıdır. Porselen ise kaolin, kuvars ve feldispat gibisadece doğal kaynaklı hammaddelerden üretilen ışık geçirgenliğine sahip, sağlıklı bir ürünolarak tarif edilmektedir [1,2].İki ürün grubunun da, gerek hammaddeleri ve gerekse üretim şekilleri tamamen farklıdır.Seramik ürünlerin pişirim sıcaklıkları porselen ürünlerden daha düşük olduğu için, poroz (sugeçirgen)ürünlerdir ve kullanımlarda, su emmesinden kaynaklanan sır çatlakları ortayaçıkmakla birlikte sır sert bir darbeyle çatlayabilir. Aynı zamanda seramik ürünler ışığıgeçirmezken, porselen ürünler ışık geçirgenliği özelliğine sahiptirler.Bu çalışmada, X-ışını toz kırınım yöntemi ile bir seri seramik ve porselen örneğinin nitelanalizleri yapıldı. Örneklerin kırınım desenleri oda sıcaklığında, RIGAKU marka D-MAX 220model toz difraktometresi ile ve bakır radyasyonu [l(CuKa) = 1.54056Å] kullanılarak alındı.Toz kırınım desenlerinden elde edilen veriler değerlendirilerek, örneklerin yapılarına girenmaddeler nitel olarak tayin edildi.

Kaynaklar:[1]. Reed, J. S., 1995, “ Principles of Ceramic Processing”, John Wiley & Sons Inc., 658 p.[2]. Ryan, W., 1978, “Properties of Ceramic Raw Materials”, Pregamon Pres, 113 p.

Bu çalışma Erciyes Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Birimi tarafındanFBT-06-15 kodu ile desteklenmiştir.

http://tr.wikipedia.org/wiki/Silikat

http://tr.wikipedia.org/w/index.php?title=Al%FCminat&action=edit&redlink=1

http://tr.wikipedia.org/wiki/Su

http://tr.wikipedia.org/w/index.php?title=Metal_oksit&action=edit&redlink=1

http://tr.wikipedia.org/wiki/Alkali_metal

http://tr.wikipedia.org/wiki/Alkalin


Tm3+ Katkılı (1-x)TeO2-(x)ZnO-5TiO2 Optik CamlarınınFiziksel ve Mikroyapısal Olarak Araştırılması

İdris Kabalcı1, Hasan Gökçe2, M.Lütfi Öveçoğlu21Fizik Eğitimi Bölümü, Harran Üniversitesi, 63100, Şanlıurfa

2Metalurji ve Malzeme Mühendisliği, İstanbul Teknik Üniversitesi, 34469, İstanbul

Tm3+ katkılı telürit esaslı optik camlarının sentezi, optik ve mikroyapısal özelliklerininaraştırılması amacıyle farklı cam kompozisyonları için gerçekleştirildi. Cam malzemelerinsentezinde 800oC sıcaklığında, elektrikli-zaman ayarlı ortamda eritme teknikleri kullanıldı. Buçalışmada, ilk olarak Tm3+ katkılı telürit optik camlarının, 200 ile 1300 nm dalgaboyuaralığında soğurma spektrumları ölçüldü. Elde edilen soğurma spektrumları gözönünealındığında, Tm3+ iyonlarının optik cam malzemeler içinde, 1D2, 1G4, 3F2, 3F3, 3F4, ve 3H5 gibisoğurma bandlarına sahip olduğu görüldü. Soğurma spektrumlarından elde edilen datalarsonucu, optik enerji band aralıkları (Eg) hesaplandı. İlave olarak, Farklı ZnO camkompozisyonları için malzemelerin yoğunlukları, Archimed prensibi uygulanarak hesaplandı.Artan ZnO cam kompozisyonuna göre (x= %5-30 mol), yoğunluk değişimi 5.42’ den 4.51g/cm3 olarak azalma gösterdiği tespit edildi. Optik cam malzemelerin ısısal karakteristikleriolarak, cam geçişi sıcaklığı (Tg), kristallenme (Tc) ve erime sıcaklıkları (Tm), Isıl Analizleri(DTA) sonucu belirlendi. Farklı kristallenme sıcaklıklarında ısıl tavlamaya tabii tutulan optikmalzemelerin, yüzey topoğrafyası, mikroyapısal ve kimyasal bileşenleri, Elektron Mikroskopu(SEM) ve X-Işını Kırınımı spektrometresi kullanılarak analiz edildi.


Cd / CdSe / n-Si /Au-Sb Yapının Seri Direnç Değerleri ÜzerindeTermal Tavlamanın Etkileri

B. Güzeldir1, A. Ateş1 ve M. Sağlam11Fizik Bölümü, Atatürk Üniversitesi, Fen Fakültesi, 25240, Erzurum

Bu çalışmada, 400µm kalınlıklı, 1-10 Ω-cm özdirençli n-Si yarıiletkeni kullanıldı. Gereklikimyasal temizleme işlemleri yapıldıktan sonra n-Si vakum ortamına alınarak mat yüzeyine

Au-Sb alaşımı buharlaştırılıp 4200

C’de 3 dakika tavlanarak omik kontak elde edildi. n-Si’unparlak yüzeyi üzerine Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) metoduyardımıyla CdSe ince filmi büyütüldü. Elde edilen ince filmlerin üzerinde kontak alanınıbelirlemek için 1 milimetre çaplı maskeler kullanılarak Cd metali buharlaştırıldı ve böylece Cd/ CdSe / n-Si /Au-Sb yapısı elde edildi. Daha sonra oda sıcaklığında akım-voltaj (I-V)ölçümleri alındı. Termal tavlamanın etkisini araştırmak için, bu yapı sırasıyla 500C’denbaşlanarak 4000 C ‘ye kadar 3 dakika süreyle termal tavlama işlemine maruz bırakıldı. Her birtermal tavlama sıcaklığından sonra alınan ( I-V) ölçümlerinden yararlanarak idealite faktörü,engel yüksekliği, doyma akım yoğunluğu ve seri direnç değerleri tavlama sıcaklığına bağlıolarak farklı metotlarla hesaplandı. Artan tavlama sıcaklığına bağlı olarak idealite fakrörü veengel yüksekliği değerlerinin azaldığı, seri direnç değerlerinin ise 1000C’ye kadar arttığı, dahasonra ise artan sıcaklık değerleri ile azaldığı bulundu.

Teşekkür:Bu çalışma, TÜBİTAK tarafından TBAG-108T500 numaralı proje ile desteklenmektedir.Verdiği destekten dolayı TÜBİTAK’a teşekkür ederiz.


Saf GaSe ile Sn ve Ge Katkılı GaSe Kristallerinin Çizgisel OlmayanSoğurma ve Doyum Suğurması

Mustafa Yüksek1, Ayhan Elmalı1, Mevlüt Karabulut2 ve G.M. Mamedov21FizikMühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, 06100, Ankara

2Fizik Bölümü, Kafkas Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, 36100, Kars

Galyum Selenid (GaSe), Galyum Sülfid (GaS) ve İndiyum Selenid (InSe) gibi tabakalı III-VIkristalleri yarıiletken aygıtlarda potansiyel uygulama alanlarından dolayı geniş bir şekildeçalışılmaktadır [1]. GaSe kristali c-ekseni doğrultusunda büyüyen hekzagonal yapıda, tabakalıbir kristaldir ve tabakaları van der Waals kuvvetleriyle birbirlerine bağlanırlar. Her bir tabakakimyasal bağlanmada güçlü anizotropi ile karakterize edilen Se-Ga-Ga-Se düzeninde birbirinekovalent bağlarıyla bağlanmış dört atomdan oluşur [2,3]. GaSe kristalini c-eksenine dikkesmek çok kolay iken, istenilen herhangi bir doğrultuda kesmek zordur. GaSe’nin herhangibir molekülle katkılandırılması, onun herhangi bir doğrultuda kesilebilme işleminikolaylaştıran, aynı zamanda optik ve diğer fiziksel özelliklerini arttıran en iyi yöntemdir. [4-8].Katkılandırılmış GaSe kristalinin optik ve mekanik özellikleri daha önce geniş bir biçimdeçalışılmış olmasına rağmen, çizgisel olmayan optik özellikleri çok az çalışılmıştır [9-11]. GaSekristalleri büyütülme ve katkılandırılma koşullarına bağlı olarak p- veya n- tipi yarıiletkenlerolabilirler. Biz bu çalışmada Bridgman yöntemiyle büyütülmüş saf GaSe ile % 0.01Germanyum (Ge) ve % 0.5 Kalay (Sn) katkılı GaSe kristallerinin çizgisel olmayan soğurma vedoyum soğurmalarını; aynı frekanslı (10 Hz), aynı dalga boylu (1064 nm), fakat farklı atmasürelerine (4 nanosaniye ve 65 pikosaniye) sahip iki lazer kaynağı kullanarak Z- tarama deneyiyöntemiyle farklı şiddetlerde (0.049 - 0.106 GW/cm2) inceledik [12,13]. Saf GaSe bütünşiddetlerde çizgisel olmayan soğurma göstermektedir. Ge ve Sn katkılı GaSe kristalleri isedüşük şiddetlerde doyum soğurması gösterirken, yüksek şiddetlerde çizgisel olmayan soğurmagöstermektedir. Katkılı GaSe’lerde düşük şiddetlerde gözlenen doyum soğurmaları katkıatomlarının oluşturdukları katkı seviyelerinden kaynaklanmaktadır.Referanslar1. C. Julien, I. Samaras, Solid State Ionics 27, 101 (1988).2. J. C. J. M. Terhell, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 7, 55 (1983).3. J. V. Mc Canny, R. B. Murray, J. Phys. C 10, 1211 (1977).4. G. Micocci, A. Serra, A. Tepore, J. Appl. Phys. 82, 2365 (1997).5. J. F. Sanchez-Royo, D. Errandonea, A. Segura, L. Roa, A. Chevy, J. Appl. Phys. 83, 4750 (1998).6. G. Micocci, A. Serra, A. Tepore, Phys. Stat. Sol. (a) 162, 649 (1997).7. S. Shigetomi, T. Ikari, H. Nakashima, J. Appl. Phys. 80, 4779 (1996).8. S. Shigetomi, T. Ikari, Phil. Mag. Lett. 79, 575 (1999).9. D. R. Suhre, N. B. Singh, V. Balakrishna, N. C. Fernelius, F. K. Hopkins, Opt. Lett. 22, 775 (1997).10. N. B. Singh, D. R. Suhre, W. Rosch, R. Meyer, M. Marable, N. C. Fernelius, F. K. Hopkins, D. E.Zelmon, R. Narayanan, J. Cryst. Growth 198, 588 (1999).11. S. Das, C. Ghosh, O. G. Voevodina, Yu. M. Andreev, S. Yu. Sarkisov Appl. Phys. B 82, 43 (2006).12. M. Yüksek, A. Elmali, M. Karabulut, G.M. Mamedov, Opt. Mater. 31, 1663 (2009)13. M. Yüksek, A. Elmali, M. Karabulut, G.M. Mamedov, Appl. Phys. B DOI 10.1007/s00340-009-3665-y


TiB ve TiB2 Bileşiklerinin Yapısal, Mekanik ve ElektronikÖzelliklerinin İlk-Prensipler Yaklaşımı ile İncelenmesi

Zehra Nazlıcan, Sezgin Aydın, Mehmet ŞimşekFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

Yoğunluk fonksiyonu teorisi kapsamında genelleştirilmiş gradyent yaklaşımı (GGA)kullanılarak TiB ve TiB2 bileşiklerinin yapısal, mekanik ve elektronik özellikleri incelendi.Her iki bileşik için elastik sabitler hesaplanarak, bu sabitlerin Born şartlarını sağlayıpsağlamadıkları araştırıldı ve mekanik kararlı oldukları görüldü. Hesaplamalardan elde edilenveriler yardımıyla bu bileşiklerin sertlikleri hesaplandı ve sertlik değerlerinin farklı olmasınısağlayan yapısal parametreler tartışıldı. Yapılan elektronik hesaplamalar sonucunda bulunanband yapıları ve durum yoğunluğu grafiklerinden, her iki bileşiğin metalik karakter sergilediğigörüldü. Hesaplanan sonuçlar daha önceki çalışmaların sonuçları ile karşılaştırıldı. Son olarak,spin-polarize etkiler dikkate alınarak yapılan hesaplamalarda, bu iki bileşiğin manyetik birkarakter sergilemediği sonucuna varıldı.


Fe-Ni-Mn-Cr ve Fe-Ni-Mn-Cr-Si Alaşımlarının Termal, Elektrikselİletkenlik ve Mekanik Özelliklerinin İncelenmesi

Şule Ocak Araz1, Selçuk Aktürk2, Hüseyin Aktaş11,3Fizik Bölümü, Kırıkkale Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, 71450, Kırıkkale

2Fizik Bölümü, Muğla Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, 48121, Muğla

Fe-Ni-Mn-Cr ve Fe-Ni-Mn-Cr-Si alaşımlarının Ni element yüzdelerinin ve ısıl işlemsürelerinin değiştirilmesi ile meydana gelen faz dönüşümlerinin; TGA ve DTA ile termalözellikleri, Four Probe Metot ile direnç değerleri, Vickers metot ile mekanik özellikleriincelenmiştir.Fe-Ni-Mn-Si-Cr alaşımlarında Ni ve Si element oranlarına ve ısıl işlem süre-sıcaklığına bağlıolarak DTA-TGA ölçümleri sonucunda ortaya çıkan ‘kütle artışı’ ve ‘enerji kazanç sıcaklıkfarkları’ belirlenmiştir. Elde edilen sonuçlara göre, Fe tabanlı malzemelerde ısıl işlemsüresinin malzemenin termal karakteristikleri üzerinde oldukça önemli rol oynadığını ortayakonulmuştur. Alaşımın kristal yapısına bağlı olarak incelenen alaşımların direnç değerlerinindeğiştiği gözlenmiştir. Bu ise alaşımların atomik düzenleniminin elektriksel direnç üzerinde nederece etkili olduğunu ortaya koymaktadır. Alaşımlarda ortaya çıkan fazların farklı mekaniközellikler gösterdiği ortaya konulmuştur. Mekanik yönden en sert malzemenin sırası ilemartensite, bainite, dentrite, austenite yapılarda olduğu bu alaşım için elde edilen sonuçlardanbiridir.

Anahtar Kelimeler: TGA, DTA, Vickers Metot, Four Probe Metot


Bir Süperiletken Yük Kubitinin Sayısal Modellenmesi

Mehmet Cantürk1, Erol Kurt2 ve İman Askerzade31Bilgisayar Mühendisliği Bölümü , Mühendislik Fakültesi, Atılım Üniversitesi, 06836 İncek, Ankara2Elektrik Eğitimi Bölümü,Teknik Eğitim Fakültesi, Gazi Üniversitesi, 06500 Teknikokullar, Ankara

3Bilgisayar Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Anakara Üniversitesi, 06100 Tandoğan, Ankara

Süperiletken bir yük kübitinin özdeğer ve özfonksiyonları, yaygın kullanılan yoğunluk matrisiyöntemi yerine, Schrödinger denkleminden hareketle Mathieu tipi bir denklemedönüştürülerek sayısal olarak araştırılmıştır. Özfonksiyonlar periyodik sınır koşulları altındafaz-bağlı uzayda zamandan bağımsız olarak sonlu farklar yöntemi yardımıyla çözümlenmiş veenerji band diagramı, kapı gerilimlerinin fonksiyonu olarak farklı boyutsuz Josephsonbağlanma enerjisi (Ej/Ec) için elde edilmiştir. Kübitin durağan kuantum durumları için Cooperçifti kutusundaki süper akımın, Coulomb engeli tarafından bastırıldığı gözlenmiştir. Cooperçifti sayısının beklenen değeri <n>, kapı sayıları ng ve boyutsuz Josepson enerjisi cinsindenbulunarak bazı sayısal çıktıların, deneysel verilerle karşılaştırılması sağlanmış, sayısalsonuçların deneylerle çok iyi uyum gösterdiği saptanmıştır.


Manyetik Sistemlerde Makroskopik Durum Denklemlerinin ZamanSerisi Yöntemiyle Çözülmesi

A.Tolga Ülgen1, Naci Sünel2 ve Osman Özsoy3,41Fen Bilimleri Enstitüsü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi,60250 Tokat

2Fizik Bölümü, İzzet Baysal Üniversitesi,14280 Bolu3Elektronik Teknolojisi Bölümü, Kayseri Meslek Yüksekokulu, Erciyes Üniversitesi, 38039, Kayseri

4Erciyes Teknopark A.Ş., Erciyes Üniversitesi, 38039, Kayseri

Tek boyutlu spin-örgü modelindeki makroskopik durum denklemleri kullanılarak öncesistemin düzen parametreleri elde edilmiştir. Daha sonra verilen parametre değerleri içinzaman serisi yöntemi kullanılarak elde edilen non-lineer, kublajlı ve öz-uyumlu denklemlerçözülmüştür. Bu çalışmada, faz grafiği elde etmek için literatürün aksine farklı işlemlere gerekduymadan sadece zaman serisi yöntemiyle olası tüm durumlar tek bir grafikte incelenerek fazgrafikleri elde edilmiştir. Bugüne kadar yapılmış olan hesaplamaların bazı eksik tarafları farkedilmiş ve hesaplamada kullanılan algoritmanın yetersizliği giderilmiştir.


Biyolojik Örneklerle Hazırlanan Nanokompozitler: SWAXS Analizlerive Mekanik Ölçümler

Semra İde1, Elif Hilal Soylu2, Atila Yoldaş3, Salih Aslan4, Hüsnü Aksoy51Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06800, Beytepe-Ankara

2Karadeniz Teknik Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Trabzon3Adana Veteriner Kontrol ve Araştırma Enstitüsü, Adana

4Hacettepe Üniversitesi, Ağaç İşl. Endüst. Müh. Böl.,06800, Beytepe-Ankara5Hacettepe Üniversitesi, Jeoloji Mühendisliği Bölümü, 06800, Beytepe-Ankara

Teknolojik uygulamalarda, doğal malzemeler kullanılarak elde edilen kompozit malzemeler,biyolojik uyumluluk açısından ve çevre kirliliği açısından her hangi bir tehlikeoluşturmamalarından dolayı tercih edilmektedirler.Bu sunumda, iki tür biyolojik doğal malzeme üzerinde gerçekleştirdiğimiz araştırmalarımızdanbahsedilecektir. İlk grupta, Tavşan ve Ratlardan elde edilmiş doğal kemik yapılar kullanılarak,ikinci grupta ise ülkemiz florasında yetişen farklı ağaç türlerinden elde edilmiş doğal ahşapmikrotozlar kullanılarak hazırlanan nanokompozitlerle ilgili çalışmalarımız anlatılacaktır.Doğal kemik dokunun en önemli içeriği hidroksiapatit yapıdır. Kristal formdaki bu kalsiyumtuz yapısının biyolojik doku içindeki dağılımı, boyutları ve birbirlerine olan uzaklıkları kemikdokunun mekanik özelliklerini doğrudan etkilemektedir. Hidroksiapatitin sentetik formları dişhekimliğinde ve ortopedik uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Ancak kemik ve dişdokusu gibi doğal malzemelerin onarımında, eksik dokunun tamamlanmasında doğalnanokompozit malzemelerin gösterdikleri üstün özelliklere henüz tam anlamı ileulaşılamamıştır. Bu nedenle üstün mekanik özelliklerinden dolayı doğal malzemelerin (köpekbalığı diş dokusu gibi) doğrudan kullanılabileceği kompozitlerin hazırlanması, mekanik,termal ve toksik özelliklerinin incelenmesi oldukça dikkat çekmektedir.Ahşap malzemeler hakkında yapılan araştırmalarda ise yeni sentezlenen nanokompozitmalzemelerle, iyi bir yalıtıma (neme, sese, sıcaklığa v.b. dış etkenlere karşı yüksek dirençgösteren özelliklere), hafiflik, sağlamlık, dayanıklılık, esneklik gibi üstün mekanik özelliklereve biyolojik açıdan faydalı (anti toksik , anti bakteriyel, insektisit)özelliklere ulaşılmayaçalışılmaktadır.Bu sunum kapsamında, bu tür malzemelerin doğrudan incelediğimiz doğal yapıları, ardındantoksik olmayan nanoparçacıklar ve yapıştırıcılar kullanılarak hazırladığımız nanokompozitformları ve belirlediğimiz yalıtım ve mekanik özellikleri hakkında bilgiler verilecektir.

TÜBİTAK’a (Proje No:109T016) ve Hacettepe Üniversitesi, Bilimsel Araştırmalar Birimi ’ne(Proje No:06 A 602 012) çalışmalarımıza sağladıkları desteklerden dolayı teşekkür ederiz.


İki Tabakalı Bal Peteği Örgüsünde Karma Spin–1 ve Spin–3/2Ferrimanyetik Ising Sistemin Etkin Alan Teorisi ile İncelenmesi1*

Mustafa Keskin1, Bayram Deviren2,3 ve Salih Akbudak3,41Fizik Bölümü, Erciyes Üniversitesi, 38039, Kayseri

2Fizik Bölümü, Nevşehir Üniversitesi, 50300, Nevşehir3Fen Bilimleri Enstitüsü, Erciyes Üniversitesi, 38039, Kayseri

4Fizik Bölümü, Adıyaman Üniversitesi, 02040, Adıyaman

İki tabakalı bal peteği örgüsü üzerinde karma spin–1 ve spin–3/2 ferrimanyetik Isingmodelinin dengeli davranışları, korelâsyonlu etkin alan teorisiyle incelendi. Sistemin tabandurum faz diyagramları manyetik alan (h) ve tek-iyon veya kristal alan parametresi (Δ)düzlemlerinde elde edildi. Sistemin manyetik özellikleri (faz diyagramları, compensation(telafi) sıcaklıkları ve mıknatıslanmaları) sıcaklığın bir fonksiyonu olarak korelâsyonlu etkinalan teorisiyle araştırılarak, (∆, kT/|J3|) düzleminde faz diyagramları elde edildi ve sistemdeparamanyetik (P) fazın yanında, ferrimanyetik (1, 3/2), (1, 1/2) ve (0, 1/2) fazlarının olduğugörüldü. Sistem üzerinde etkileşim parametrelinin etkisi incelenerek, (J3/J1, kT/J1), (J1/J3,kT/J3) ve (J2/J3, kT/J3) eksenlerinde faz diyagramları sunuldu. Bu faz diyagramlarındaki ilginçnokta: Birinci- ve ikinci-tür faz geçişlerine ilaveten sistemde üçlü kritik ve çoklu kritiknoktaların bulunmasıdır. Ayrıca, sistemin (T, J2), (T, J1), (J1, ∆) ve (J2, ∆) eksenlerinde deilginç faz diyagramları elde edilmiştir.

Bu çalışma Türkiye Bilimsel ve Teknik Araştırma Kurumu (TÜBİTAK) Proje No. 107T133 veErciyes Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Birimi, Proje No: FBA-06-01 ve FBD-08-593 tarafından desteklenmiştir.


Polikristal Üretiminde Kullanılan Normal ve Ultrasonik KimyasalPüskürtme Teknikleri

Salih KöseESOGÜ Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü 26480, Eskişehir.

[email protected]

Polikristal yarıiletken materyallerin üretiminde kimyasal püskürtme tekniği son yıllarda yaygınolarak kullanılmaktadır. Yarıiletken pn eklem yapılı cihazların yüksek verimlilikle çalışmaları,kullanılan materyalin kristalleşme derecesine, elektrik, optik özelliklerine, katkı elementlerinintürüne, üretim parametrelerine, yüzey morfolojilerine ve materyal seçimine bağlıdır.Kristallerin bu özellikleri ise kullanılan kristal büyütme tekniklerine bağlıdır. Geniş yüzeylipolikristallerin büyütülmesinde,normal ve ultrasonik kimyasal püskürtme teknikleri sıkçakullanılmaktadır. Bu tekniklerle, II-VI grup bileşiklerinden olan CdS, ZnO, CdO,ZnS gibi ikli,CdxIn1-xS, CdxZn1-xS, CdxAl1-xS, CuxIn1-xS gibi üçlü polikristal alaşımlar elde edilmektedir.Ayrıca veya dörtlü yada beşli elementlerden oluşan alaşımlarında elde edilmesi mümkündür.Ancak element sayısı artdıkça malzemenin kompleksliği de artmakta ve analizi zorlaşmaltadır.Bu teknikler ile farklı elementler katkılanarak, yarıiletken malzemelerin elektriksel, optiksel,yapısal ve yüzeysel özellikleri değiştirilmekte, malzeme içerisindeki elementlerin atomik veelemantel ağırlıkları kontrol edilmektedir.Bu çalışmada, normal ve ultrasonik kimyasal püskürtme tekniğinin avantajları, dezavantajlarıve kullanılan sistemin parametrelerinden ve yapım maliyetinden söz edilecektir.

Anahtar Kelimeler:Ultrasonik Kimyasal Püskürtme Tekniği, ( Ultrasonic Spray Pyrolysis),Yarıiletkenler; II-VI, II-III-VI grup yarıiletken bileşikler.

KAYNAKLAR[1] R. R. Chamberlin and J. S. Skarman; J. Electrochem.Soc., 113 (1966)90.[2] M.Fujimoto, T.Urano, S. Murari, Y. Nishi; Jpn.Appl.Phys.28(1989)2587.[3] Z.Guangghui, S.A.Wessel, K. Colbow;J. Phys.D.: Appl.Phys.22(1988)1802.[4] P.Rajı, C. Sanjeevıraja, k. Ramachandran, Bull. Mater.Sci. vol.no:3 June 2005, pp.233-238,[5] L.D.Kadam, C.H.Bhosale, P.S.Patil,Tr.J.Pyscs21(1997)1037[6] http.:// www.fluidproducts.com/ultrason.htm[7] http.://www.lechler.de/uk/main/product/general_industry/ultrasonic_atomizers /index.shtml.[8] D.Perednis, L.J. Gauckler, Journal of Electroceramics, 14(2005) pp.103-1111.[9] D. Perednis,M.B. Joerger, K. Honegger, L.J. Gauckler, http.://216.239…./DP-Sotc/.pdf+spray+pyrolysisi Technique and hı.[10] M.Calixto-Rodriguez, H.Martinez, A. Sanchez-Juarez, J. Campos-Alvarez, A. Tiburcio-Silver, M.E. Calixto, Thin Solid Films 517(2009)2497-2499.[11] P.Rajı.C. Sanjeervıraja and K. Ramachandran, Bull.Mater.Sci Vol. 28 No.3 june 2005, pp.233-238

mailto:skose:@ogu.edu.tr


Elektromagnetik Dalgalar ile Yoğun Atomik Yapıların Etkileşimi

Taner Şengör1Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü, Yıldız Teknik Üniversitesi,

Yıldız, Beşiktaş, 34349, İstanbul

Günümüzde, metamateryallerle gerçekleştirilen bazı özel yapılar elektromagnetik kalkanlamave optik görünmezlik çalışmalarında kullanılır olmuştur. Elektromagnetik kalkanlamaamaçlarıyla nano ölçekteki atomik yapılar, optik görünmezlik çalışmaları içinse daha küçükölçekteki atomik yapıların kullanılması gerekmektedir1. Etkin bir kalkanlama hedef cisminbahsedilen özel yapılarla tümüyle çevrelenmesi ile gerçeklenebilme şansına sahiptir. Kuramsalolarak kısa süreli pratik amaçlar için elektromagnetik kalkanlama, hedef cismi özel yapıdakiküresel kabuklar içerisine yerleştirerek kısmen fakat yeterince elverişli yaklaşıklıklarla eldeedilebilmektedir1. Bahsedilen bu uygulama bakımından küresel kabuk şeklindeki bir yüzeyüzerine dizilmiş nano ölçekteki atomik yapılardan oluşan bir yoğun madde örneği seçilmiştir(Şek. 1.).

Şekil 1. Küresel kabuk yapısı.

Bu kabuk üzerine dışarıdan gönderilen ve magnetik dipol şeklinde değişim gösterenelektromagnetik dalga örneklerinin kabuk üzerinde dizili atomik yapının içindentransmisyonuna ilişkin yayılım özellikleri elde edilmeye çalışılmıştır2.

Yukarıda açıklanan problemin formülasyonu Zaman Domeninde Sonlu Farklar Yöntemi(FDTD) kullanılarak gerçekleştirilmiştir ve çeşitli çekirdek yapılı atom dizilişleri ile oluşanetkileşimlerin çeşitli frekanslardaki magnetik dipolün özelliklerine göre değişimleri eldeedilmiştir.1Şengör T., “Designing the Nano-Elements for Global EM Cloaking and Optical Invisibility,”International Conference on Nanomaterials and Nanosystems, İstanbul, Türkiye, 10-13Ağustos 2009.2Sengor T., " Properties of a non-planar metamaterial elements: ring resonators on a sphericalsubstrate, " The First International Congress on Advanced Electromagnetic Materials inMicrowaves and Optics, Italy, Rome, Metamaterials 2007 Congress, 22-26 October 2007.


Bir Seri Çimento Örneklerinin Nitel Analizi

Sema Öztürk Yıldırım1 ve Tuğba BULMUŞ21Erciyes Üniversitesi,Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 38039, Kayseri2Erciyes Üniversitesi,Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, 38039, Kayseri

Çimento ile harç ve beton gibi çimentolu ürünler, insanoğlunun geçmişte en fazla kullandığıve gelecekte en fazla kullanacağı yapı malzemesi olmakla beraber özellikleri en az bilinenmalzemelerdir. Bunun nedeni, ilk bakıştaki basit görünümleri ve kolay sanılan üretimleridir.Çimentonun gerek kimyasal yapısı gerekse su ile reaksiyonu son derece karmaşıktır. Özellikleinşaat sektöründe kullanılan ana elemanlardan biri olan çimento ve onun yapısınınbileşenlerinin tayin edilmesi çimentonun kullanıldığı yapı ve benzerlerinin sağlamlık vedayanıklılığını etkileyecektir.Bu çalışmada inşaat sektöründe oldukça önemli bir yere sahip olan çimento örneklerinin X-ışını toz kırınım yöntemi kullanılarak nitel analizleri yapıldı. X-ışınları kırınım yöntemi ileyapılan kimyasal analizle numune içindeki her bir örneğin bileşeni ve bunların değişikizomorfları tespit edildi. Kimyasal formülleri açık bir şekilde saptandı.

Bu çalışma Erciyes Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Birimi tarafından

FBT-01-21 kodu ile desteklenmiştir.


C20H25N3O’nun Sentezi ve Kristal Yapı Analizi

Sema Öztürk Yıldırım1, Mehmet Akkurt1 ve Vickie McKee21Erciyes Üniversitesi,Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 38039, Kayseri

2Department of Chemistry, Loughborough University, LeicestershireLE11 3TU, Englande-mail: [email protected]

Sentezi yapılan ve X-ışın tek kristal kırınım tekniği kullanılarak düşük sıcaklıkta üç boyutluyapısı aydınlatılan bileşik bir benzotriazol türevidir. Benzotriazol türevleri korezyana karşıkoruyucu-katkılama maddesi olarak kullanılmaktadır[1]. Son yıllarda ise ultraviole stabilizanıolarak önemli uygulama alanları vardır. Özellikle afak ve psödoafaklarda UV fıltrasyonusağlamak için PMMA lenslerin içine üretim aşamasında katılan benzotriazol gibi kromoforlaretkili bir UV filtresi görevi görürler [2].Bileşiğin tek kristal kırınım verileri düşük sıcaklıkta [T=150(2)K], Bruker SMART APEX IIdifraktometre sisteminde, MoKa (l = 0.71073 Å) radyasyonu kullanılarak toplandı. Kristal yapıdirek metotla çözüldü ve moleküler yapı parametreleri en küçük kareler yöntemi ile arıtıldı.Kristal verileri : C20H25N3O, ortorombik sistem, Pca21, Mr = 323.43, a = 8.231 (3) Å, b =13.142 (5) Å, c = 16.152 (7) Å, V = 1747.2 (12) Å3, Z = 4, Dx = 1.230 g/cm3, F(000) = 696,m(Mo) = 0.08 mm-1.

Kaynaklar:[1]. Shitagaki, S., Seo, S. & Nishi, T. (2004). PCT Int. Appl. WO 2004060021.[2]. Buratto L., General principles of implantology, in extracapsular cataract microsurgery, Edby Buratto L, Piazza Republica, Milano. First ed, (1989) 7:183.


Fe40Ni40B20 Camsı Metalinde Mekaniksel Davranışın SıcaklıklaDeğişimi

Orhan Uzun, Fikret Yılmaz, Necati Başman ve Uğur Kölemen

Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Taşlıçiftlik Yerleşkesi, 60240, Ankara

Metalik bağları ve amorf yapıları ile karakterize edilen camsı metaller, malzemelerin özel birgrubunu teşkil etmektedir. Düzensiz yapıları dolayısıyla sahip oldukları eşsiz bazı özelliklericamsı metalleri, mekaniksel ve tribolojik uygulamalar için cazip hale getirmektedir [1]. Öteyandan, camsı metallerin belli bir sıcaklığın üzerinde amorf durumlarını koruyamayarak kristalduruma geçmeleri, bu alaşımların özellikle yüksek sıcaklık uygulamalarında, kristallenmesıcaklığının altında olduğu kadar üstünde de nasıl davrandığının bilinmesini gereklikılmaktadır. Çalışmamızda, Fe-tabanlı camsı alaşımlar grubuna giren Fe40Ni40B20 alaşımı melt-spinning yöntemi ile 30 m/s disk devir hızında üretildi. Alaşımın diferansiyel taramalıkalorimetre (DSC) analizlerinden, kristallenme sıcaklığı 434 ºC olarak belirlendi. Diğertaraftan, kristallenme sıcaklığının altında (22, 150 ve 300 °C) ve üstündeki (450 °C)sıcaklıklarda yapılan mikromekanik karakterizasyon çalışmalarında, alaşımın sertlik (H) veelastiklik modülü (Er) değerlerinin artan sıcaklıkla birlikte azalma eğiliminde olduğu ve sözkonusu eğilimin kristallenme sıcaklığının altındaki sıcaklıklarda nispeten daha az, üstünde iseçok daha belirgin olduğu gözlendi.

Kaynaklar

[1] P. Patsalas, A. Lekatou, E. Pavlidou, S. Foulias, M. Kamaratos, G.A. Evangelakis, A.R.Yavari, J. Alloys Comp., 434-435 (2007) 229-233.

Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2003K120510) teşekkür ederiz.

poster sunumlari

Documents