Mediante la grfica de entrada del transistor se pueden deducir las expresiones analticas que permiten analizar matemticamente el funcionamiento de este. As, existen diferentes expresiones para las distintas zonas de funcionamiento.Para |VGS| < |Vp| (zona activa), la curva de valores lmite de ID viene dada por la expresin:

Siendo la IDSS la ID de saturacin que atraviesa el transistor para VGS = 0, la cual viene dada por la expresin:

Los puntos incluidos en esta curva representan las ID y VGS (punto de trabajo, Q) en zona de saturacin, mientras que los puntos del rea inferior a sta representan la zona hmica.Para |VGS| > |Vp| (zona de corte): ID = 0ECUACIN DE SALIDAEn la grfica de salida se pueden observar con ms detalle los dos estados en los que el JFET permite el paso de corriente. En un primer momento, la ID va aumentando progresivamente segn lo hace la tensin de salida VDS. Esta curva viene dada por la expresin: que suele expresarse como, siendo: Por tanto, en esta zona y a efectos de anlisis, el transistor puede ser sustituido por una resistencia de valor Ron, con lo que se observa una relacin entre la ID y la VDS definida por la Ley de Ohm. Esto hace que a esta zona de funcionamiento se le denomina zona hmica.

A partir de una determinada VDS la corriente ID deja de aumentar, quedndose fija en un valor al que se denomina ID de saturacin o IDSAT. El valor de VDS a partir del cual se entra en esta nueva zona de funcionamiento viene dado por la expresin:. Esta IDSAT, caracterstica de cada circuito, puede calcularse mediante la expresin: