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COMITE D’ORGANISATION • Dr. T. Boutkedjirt (Président, USTHB) • Pr. M. Kechouane (USTHB) • Pr. M. Drir (USTHB) • Pr. N. Saidi(USTHB) • Pr .F. Boubnider (USTHB) • Dr N. Haine (USTHB) • Dr. B. Alili (USTHB) • Dr. N. Benrekaa (USTHB) • Dr. A. Rahal (USTHB) • Dr. R. Outemzabet (USTHB) • Dr. F. Hamadache (USTHB) • Mr A. Dahel (USTHB) • Mr R. Louni (USTHB) • Mr C. Guerbi (USTHB) • Mr R. Saoud (USTHB) • Mr M. Bentouri (USTHB) • Mr D. Semmam (USTHB)  COMITE SCIENTIFIQUE • Pr .M. Kechouane (Président, USTHB) • Pr. M. Drir (USTHB) • Pr. F. Boubenider (USTHB) • Pr. D. Bradai (USTHB) • Pr. H. Djelouah (USTHB) • Pr. M. Bendaoud (USTHB) • Pr. A. Soualmia (USTHB) • Pr. D. Mekki (U. Annaba) • Pr. Z. Boumerzoug (U. Biskra) • Pr. N. Saidi (USTHB) • Pr. S. Aida (U. Constantine) • Pr. S. Hamzaoui (U. Oran) • Pr. N. Beldjoudi (USTHB) • Dr. M. Boumaour (UDTS) • Dr. R. Drai (C.S.C.) • Dr. A. Rahal (USTHB) • Dr. N. Gabouze (UDTS) • Dr. H. Kellou (USTHB) 

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CONTEXTE Le Séminaire National  sur  les Matériaux et  leurs Applications,  initié par  le  Laboratoire  de  Physique  des  Matériaux,  le  Département Matériaux et Composants de  la Faculté de Physique de  l’Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumediene s’est tenu le 7‐8‐9 décembre 2009 à la salle de conférence de la Faculté de Physique de l’USTHB.  OBJECTIFS 

• Echanger les expériences et les connaissances et faire le point sur les avancées technologiques dans le domaine des sciences des matériaux (métalliques,  semi‐conducteurs,  diélectriques,  polymères,….),  leurs caractérisations, modélisations et applications envisagées. 

• Proposer  des  missions  d’assistance  scientifique  et  technique  aux institutions  publiques  et  privées  ainsi  qu’aux  industriels  en  vue  de répondre à leurs préoccupations et à leurs besoins. 

• Dégager  des  cadres  de  partenariat  et  de  collaboration  dans  le domaine de recherche /développement. 

• Prendre  en  charge  des  formations  spécifiques  dans  le  cadre  de l’ouverture des masters.  PROGRAMME ET THEMES Le programme scientifique comprendra des conférences invitées, des présentations  orales,  des  sessions  posters  de  communications sélectionnées par le comité scientifique et des ateliers.  Les thèmes retenus sont : 1. Contrôle non destructif des matériaux et structures. 2. Métallurgie et ingénierie des matériaux. 3. Matériaux diélectriques et polymères. 4. Couches minces et semi‐conducteurs. 5. Elaboration, caractérisation et modélisation. 

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1er Séminaire National sur les Matériaux et leurs Applications SENAMAP’09

 

 

SOMMAIRE 

Conférences Plénières:  PL 01 : Mining the Periodic Table                                                                   H. AOURAG and N. SETTOUTIPL 02 : Semiconducteurs et Applications dans la santé                                     T. MOHAMMED‐BRAHIMPL 03 : Développements récents en imagerie ultrasonore                                                   A. BOUAKKAZ  Communications Thème 1 : O 01‐T1 : Développement d’une méthodologie de contrôle par Emission Acoustique 

H. BENSOUILAH, S. GRAINI, S. MECHRAOUI, J. FAVERGEON, S. BENMEDAKHENE, D. D. MEKKIO 02‐T1 : The Multiscale analysis for ultrasonic material characterisation                          F. BETTAYEBO 03‐T1 : Etude expérimentale de l'atténuation des ondes ultrasonores dans un composite à base de polymère                                                                                         S. TOUMI, F. BOUBENIDER, A. DAHEL O  04‐T1 :  Inspection  interne,  par  ondes  guidées,  des  structures  tubulaires,  étude  théorique  et validation expérimentale                                                                                  H. ZITOUNE, F. BOUBENIDERP 01‐T1 : Etude de la recristallisation, par ondes ultrasonores, de l’acier doux tréfilé                                                                                                  M. AIT OUARABI, F. BOUBENIDER , D. BRADAÏP 02‐T1 : Simulation de lignes échographiques HF pour la réalisation d’images ultrasonores d’un tissu biologique mou                                                                                 A. BENNAMANE, T. BOUTKEDJIRT 

P  03‐T1 :  Les  méthodes  de  Contrôle  Non  Destructif  (CND)  appliquées  pour  la  détection  des 5criques dans la partie chaude d'un turboréacteur                              S. BENNOUD, F. LARBI, F. SALAH P  04‐T1 :  Comparaison  du  BMD    du  Calcanéum  obtenu  par  ultrasons  au  BMD  obtenu  par l’absorptiometrie biphotonique (DXA) sur le col du fémur, du radius et du rachis  

H.DAOUI, F. BOUBENIDERP 05‐T1 : T.G.D. et caractérisation de cibles et défauts dans les matériaux 

R. LOUNI, F. BOUBENIDER, A. DAHEL, R. REZZOUGP 06‐T1 : Etude comparative DXA – Ultrasons, pour  le radius et  la phalange  (os trabéculaires)  in‐vivo (Application à l’ostéoporose)                                                                M. MEBARKI, F. BOUBENIDER P 07‐T1 : Utilisation des modes de Lamb S0 et A0, à  très bas produits  fréquence‐épaisseur, pour localiser et mesurer les variations d’épaisseurs visibles et non visibles dans des plaques métalliques minces.                                                                                                                          S. SAIT, F. BOUBENIDER  Communications Thème 2 : O  01‐T2 :  Effet  des  réparations  successives  sur  la  qualité  d’un  joint  soudé  dans  l’acier  à  haute limite élastique X70M.                                NOUR EDDINE, B. MAMACHE, R. BADJI, M. BOUABDALLAH O 02‐T2 : Contribution à l’étude du système ternaire Fe‐Co‐C. F. HADDAD, S. E. AMARA et R. KESRI. O 03‐T2 : Caractérisation d’aciers calorisés       S. MENDIL, A. MEZIANE, S. AZEM, K. TAÏBI, S. YEFSAH O  04‐T2 :  Effet  des  additions  ternaires  et  évolution  des  défauts  ponctuels  en  fonction  de  la température dans les alliages TiAlN.                                                     ZIBOUCHE, D. BRADAI, A. KELLOU P 01‐T2 : Cinétique de recristallisation de l’alliage industriel Pb (0.08%) Ca (2%) Sn (% en poids)  

F. ABOUHILOU, H. AZZEDDINE, B. ALILI, D. BRADAI P 02‐T2 : Caractérisation de phases carbures présentes dans les alliages multi‐constitués à base de fer                                                                                                   A. AOUIZ, L. AMARA‐ADNANE et R. KESRI 

P 03‐T2 : Analyse thermographique du comportement en traction d’un acier revêtu en Zinc et en présence d’inclusion rigide                                   F. BOUAKSA P04‐T2 : Etude de l’alliage métallique Al80Cu20 solidifié rapidementN. BOUMAIZA et A. BOUYOUCEF P 05‐T2 : Etude de la précipitation dans le système Al‐ Zn –Mg 

S. BOURZAM, N. BOUZROURA, M. KADI‐HANIFI 

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P 06‐T2 : Influence de l’ajout du titane sur la résistance à la corrosion du cuivre en milieu salin D. GUERNICHE, A. BENCHETTARA 

P 07‐T2 : Etude par dilatométrie de  l'effet des recuits anisothermes sur  la transformation ordre‐désordre de l’alliage. Cu‐50 % mass Au                                                                  F. HANINI, D. HAMANA 

P 08‐T2 : Influence du traitement thermique et de  la température sur  la résistance à  la corrosion d’une fonte hypereutectique de synthèse en milieu acide 

F. KELLOU, A. BENCHETTARA, S.E. AMARA 

P 09‐T2 : Caractérisation d’alliages industriels Cu‐Ni‐Si pour l’industrie électronique B. MEHDI, L. DJEBALA, F. GUERZA, H. AZZEDDINE, B. ALILI ET D. BRADAI 

P 10‐T2 : Influence de la précipitation sur la corrosion de l’alliage d’aluminium 7075 A. NAIMI, M. TRARI, H. YOUSFI 

P 11‐T2 : Etude électrochimique d’un dépôt de molybdène obtenu par projection thermique dans les milieux NaCl et H2SO4                                                            S. TLILI, M.Z. TOUHAMI, M. MOTHTARI, A. BOUKARI  Communications Thème 3 : O 01‐T3 : Structural properties and phase transitions in KNbO3 based  Ceramics 

 L. TAÏBI‐BENZIADA, Z. LADJEROUD  O 02‐T3 : Propriétés physiques de nouveaux verres à anions mixtes 

T. DJOUAMA, M. POULAIN, O. MEBARKI O  03‐T3 :  nfluence  de  l’adjonction  de  nanoparticules  sur  le  comportement  et  la  dégradation  à température des résines polyesters insaturées.                     S. SEGHAR, S. AZEM P  01‐T3 :  La  détermination  de  la  conductivité  statique  des  matériaux  diélectriques  par  la spectroscopie fréquentielle                                                                             O. ALLOUANE, A. SOUALMIA 

P  02‐T3 :  Les  propriétés  diélectriques  du  composite  BaTiO3‐Fe2O3  fritté  par  chauffage micro‐ondes                                                                                    F. AOUADJA, M.T. BENLAHRACHE, S. ACHOUR P 03‐T3 : Etude de  l’effet de  l’hydratation sur  le comportement de  la  transition vitreuse dans  le PLLA                                                                             I. BAYOU, A. ABDALLAH, Z. GUEBAILI, N. BENREKAA P 04‐T3 : Simulation du Processus de Piégeage/ Dépiégeage de Charges dans les Structures MIM à Hauts Champs                                              A. BELDJILALI, N. SAIDI‐AMROUN, M. SAIDI, M. BENDAOUD P 05‐T3 : Etude de l’effet de la température sur l’évolution de la conductivité électrique en régime continu d’un composite polyester/noir de carbone 

Y. CHERFI, R. HACHICHI, O. ALLOUANE, R. DOUALI, N. BELDJOUDI P 06‐T3 : Mise en évidence de l’accumulation de la charge d’espace dans les polymères (PEN) par la mesure des courants finaux                  N. BELKAHLA, M. SAIDI, N. SAIDI‐AMROUN, M. BENDAOUD P 07‐T3 : Some dielectric properties of polyesters films used in capacitors 

S. BERDOUS, N. SAIDI‐AMROUN, M. SAIDI, M. BENDAOUD P 08‐T3 : Etude de  l’effet des conditions de polarisation sur  le mode de  relaxation principale du PET par courants thermiquement stimulés      M.T. BERKANE, A. GOURARI P  09‐T3 : Determination  of  optical  properties  of  PMMA  and  PMA  in mid‐infrared  region  using mechanic molecular                                                                     N. BERRAHOU, M.O. BENSAID, S. HIADSI P  10‐T3 :  Etude  d’un  composite  cristal  liquide  ferroélectrique/  Polymère  par  spectroscopie diélectrique non linéaire 

Y. CHERFI, J. HEMINE , R. DOUALI, A. DAOUDI, N. BELDJOUDI, J. M. LEBLOND, C. LEGRAND P  11‐T3 :  Comparaison  du  comportement  de  la  phase  amorphe  mobile  du  polyéthylène téréphthalate PET et le polylactic‐acid PLA.        Z. GUEBAILI, A. ABDALLAH, I. BAYOU, N. BENREKAA P  12‐T3 :  Mesure  des  paramètres  diélectriques  du  verre  (pyrex)  en  hyperfréquences  par  la méthode de perturbation de cavités                                        N. HAÏNE  

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P  13‐T3 :  Effet  de  l’addition  d’une  pression  partielle  d’oxygène  aux  vapeurs  de  TMS  sur  les propriétés électriques de films déposés par plasma microonde                                                M. KIHEL, 

 S. SAHLI, A. ZENASNI, P. RAYNAUD, Y. SEGUI P 14‐T3 : Phonon scattering at anharmonic surface                                   S .MOKRANI 

P 15‐T3 : Rupture diélectrique de l’alumine                                               F. TALBI, F. LALAM, D. MALEC  Communications Thème 4 : O 01‐T4 : Croissance de nanostructures de ZnO en fonction de la température.                   Y. BAKHA, 

 M. ZERDALI, M. BOUDERBALA, T. SAHRAOUI, K. BENDIMERAD, S. HAMZAOUI  O 02‐T4 : Capteur de gaz à base d’oxyde de zinc dopé (Al et Cu) et non dopé           K. BENDIMERAD, 

 M. ZERDALI, M. BOUDERBALA, M. ADNANE, Y. BAKHA, S. HAMZAOUI  O 03‐T4 : Effect of oxygen pressure and substrate type on microstructure and morphology of ZnO thin films                                                                                                                                        S. LEMLIKCHI,  

S. ABDELLI‐MESSACI, S. LAFANE, T. KERDJA, S. MALEK, M. SAAD, A. GUITTOUM P 01‐T4 : Etude des phénomènes physiques intervenant dans la technique Silar   ABDERRAHMANE,  

M. ADNANE, T. SAHRAOUI, S. HAMZAOU P 02‐T4 : Caractérisation de  couches minces de  ZnO élaborées par  voie électrochimique  sur du silicium                         N. AIT AHMED; G. FORTAS; H.HAMMACHE; S. SAM; A.MANSERI; N. GABOUZE P 03‐T4 : L’effet du recuit à des très hautes températures d’une couche mince de ZnO déposée par spray pyrolyse pour application photovoltaïque                                                                  H. BELKHALFA, 

R.TALA‐IGHIL, S.SALI, S.KERMADI, M.BOUMAOUR, F.TAYOUR, F.AIT‐ AMAR, Y.SI‐AHMED P 04‐T4 : Effet de recuit isotherme sur les transistors MOSFET irradiés : vue par OTCP 

A. BENABDELMOUMEN, B. DJEZZAR, H. TAHI, R. SERHANE  P 05‐T4 : Propriétés physiques de couches minces de ZnO déposées par pulvérisation cathodique en continu                 A. BOUGHALOUT, A. BRIGHET, R. CHERFI, N. ZEBBAR, M. SIAD, M. KECHOUANE P 06‐T4 : Comparison of properties between ZnO thin films prepared from different targets by R.F magnetron sputtering          Y. BOUZNIT, Y. BEGGAH, K. DJESSAS, M. S. AIDA, F. CHOUIKH, F. YNINEB P  07‐T4 :  Structural,  optical  and  electrical  properties  of  a‐Si1‐xCx:H  films  synthesized  by  DC‐magnetron co‐sputtering technique                                                             A. BRIGHET, M. KECHOUANE, 

 A. KEFFOUS, A. CHERIET, Y. BELKACEM, H. MENARI, T. KERDJA, L. GUERBOUS, A. BOUKEZZATA P  08‐T4 :  Etude  d’un  contact  métallique  sérigraphique  déposé  sur  silicium  monocristallin  et multicristallin pour application photovoltaïque           F. CHELLI, 

 R. TALA‐IGHIL, S. SALI, S. OUSSALAH, M. BOUMAOUR, F. TAYOUR, Y. SI‐AHMED 

P 09‐T4 : Effects of Aluminium and Bismuth incorporation on the structural and optical properties of ZnO thin films synthesized by spray pyrolysis 

F. CHOUIKH, Y.BEGGEH, M. S. AIDA, Y. BOUZNIT, F. YNINEB ET A. HAFDALLAH P 10‐T4 : Electrical properties of reactively sputtered carbon nitride films as a function of nitrogen incorporation                            N. E. DERRADJI, P. Y. TESSIER, L. MAHDJOUBI,M. T. KADRI, H. BELKHIR P 11‐T4 : Application de microparticules de silicium poreux pour la détection                   N. GHELLAI, 

 A. CHIALI, A. KERMAD, S. M. CHABANE‐SARI, N. E. CHABANE‐SARI, N. ZOUADI, N. GABOUZE P 12‐T4 : 1 micron CMOS Process Simulation                              F. HADJ LARBI, R. SERHANE A. SMATTI P 13‐T4 : Effect of annealing on structural and optical properties of indium‐tin‐oxyde thin films  

F. HADJERSI, L. KERKACHE P 14‐T4 : Characterization of solution grown nanostructured lead sulphide thin films 

 S. KACI, A. KEFFOUS P 15‐T4 : Caractérisation électrique et physico‐chimique des plaquettes de silicium multicristallin (Si‐MC) et effet du gettering par diffusion de phosphore sur les impuretés de chrome 

N. KHELIFATI ET D. BOUHAFS 

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P  16‐T4 :  Caractérisations  électriques  et  optiques  du  a‐SiGe:H  en  couches  minces  dans  les structures Al/a‐SiGe:H et Au/a‐SiGe:H                                                L. LAIDOUDI, A. FEDALA, A. RAHAL P 17‐T4 : Influence des différentes techniques de dépôt sur les propriétés magnétiques du système Fe‐Pd en couches minces                                                                                   H. MIMOUNI; A. LAGGOUN  P  18‐T4 :  Elaboration  et  caractérisation  des  couches minces  nano‐structurées  obtenues  par  co‐pulvérisation cathodique triode magnétron 

M. MOKHTARI, S.TLILI, F.GUENFOUD, N.E BELIARDOUH, A. SAKER P 19‐T4 : Etude des propriétés structurales des souches minces de Bi2S3 élaborées par la technique de Dépôt par Bain Chimique (CBD).                N. SELMANE , 

 N. HAMDADOU, M. BOUHMIDI. D. CHALABI, A.SAIDANE P 20‐T4 : Simulation du procédé  technologique du comportement électrique du dispositif CMOS 1µm à l’aide des outils de SILVACO                                             R. SERHANE, F. HADJ LARBI, A. SMATTI P  21‐T4 :  Effet  de  recuit  sur  la  caractéristique  courant‐tension  (I‐V)  des  structures  de  silicium amorphe hydrogéné dopé au bore                                     S. TATA, N. KHELIFATI, A. FEDALA, A. RAHAL P 22‐T4 : Elaboration et caractérisation de films TiCN réalisés par pulvérisation magnétron RF 

M.TAZEROUT, N.SAOULA, K.HENDA  

 Communications Thème 5 : O  01‐T5 :  Électrogreffage  du  polythioophène  sur  la  surface  du  silicium  poreux modifié  par  la réaction “Click Chemistry”. Application : capteur d’hydrogène             S. BELHOUSSE, 

 N. GABOUZE, R. BOUKHERROUB, S. SZUNERITS, A. KEFFOUS AND A. BENABOURA  O  02‐T5 : Volatile organic  compound  sensor based on  thin plasma polymerization of  TEOS  and quartz crystal microbalance                        BOUGHAROUAT, A.BELLEL, S. SAHLI, Y.SEGUI, P.RAYNAUD  O  03‐T5 :  Effets  des  conditions  d’élaboration  sur  la  densification  d’une  alumine  à  base  d’une poudre de bœhmite                            S. LAMOURI, M. HAMIDOUCHE, N. BOUAOUADJA, G. FANTOZZI  O 04‐T5 : Elaboration d’un matériau dur par infiltration de carbures de tungstène par du bronze   

K. SAIDANI, S. AZEM  O  05‐T5 :  Sur  la  modélisation  des  propriétés  diélectrique  et  électrique  par  réflectométrie temporelle                             A. SOUALMIA ; M. ABDELGUERFI ; O. ALLOUANE ; C. GUERBI ; R. SAOUD  O 13‐T5 : Elaboration et caractérisation structurale des poudres CdS1‐XCoX nano‐structurées 

H. YAHI, A. MEDDOURA, J. EBOTHE  P 01‐T5 : Caractérisation thermomécanique des alliages d’aluminium soudés par le procédé TIG 

M. AISSANI, Y. BENKEDDA, R. BADJI  et D. H. BASSIR  

P 02‐T5 : Modélisation de l’effet Marangoni lors d’élaboration du bain de fusion par le soudage TIG N. AIT MOUSSA*& M. AISSANI  

P  03‐T5 :  Influence  des  nanostructures  implantées  dans  un  système  à  triples  chaînes  sur  la diffusion d’ondes élastiques                                                       M. BOUATELI, R. TIGRINE, B. BOURAHLA  P 04‐T5 : Simulation par Dynamique Moléculaire de l’alliage B2‐NiAl  M. BOUCHERRAB, H. BOUZAR  P  05‐T5 :  Modélisation  du  transport  d’énergie  phononique  dans  les  systèmes  de  basses dimensionnalités                                                                                                                  Y. CHEBALLAH P  06‐T5 :  Formation  of  thick  and  luminescent  porous  silicon  layer  on  low‐doped  silicon  by anodization in HF/Acetic acid solution        A. DJEMAA, 

 N. GABOUZE, M. KECHOUANE, Y. BELAROUSSI  , A. MANSERI, H. MENARI 

P  07‐T5 :  Modélisation  des  profiles  SIMS  de  l'hydrogène  dans  le  silicium,  effet  de  niveau énergétique de l'hydrogène               A. LAHRECHE, 

 Y. BENKINIOUAR‐BEGGAH, A. AMRANI, A. BOUKRIKA, F. BOUFALGHA, S. M. AIDA P 08‐T5 : First‐principles study of the optical properties of Ga2O3 in its ambient and high‐pressure phases                                                                                            F. LITIMEIN, D. RACHED, K. BOUGHRARA 

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P 09‐T5 : Influence du niobium et du titane sur des alliages à base de fer   N. MADAOUI, K. TAIBI, L. AMARA‐ADNANE  

P 10‐T5 : Characterization of in‐situ doped polycrystalline silicon using Schottky diodes and admittance spectroscopy                                             L. MAHDJOUBI, 

 H. AYED, L BÉCHIRI, M. BENABDESLEM, N. BENSLIM AND T. MOHAMMED‐BRAHIM P 11‐T5 : Etude du comportement en solidification de l’intermétallique ternaire Fe‐Cr‐Nb 

S. MANSOUR, N. BOUTAREK, H. AID, S. E. AMARA P  12‐T5 :  Elaboration  et  Caractérisation  d’un  Nanomatériau  à  base  de  Fer  Cobalt  obtenu  par mécano‐synthèse                                                        H. OUBOUCHOU, M. ZERGOUG, Y ADERRAHMANE  P  13‐T5 :  Effet  des  additions  ternaires  et  évolution  des  défauts  ponctuels  en  fonction  de  la température dans les alliages FeNb et FeZr                                         L. RABAHI, D. BRADAI, A. KELLOU  P 14‐T5 : Réalisation et caractérisation de silicium poreux pour applications en photo détection 

I. RAHMOUNE, F.BECHIRI , S.HAMZAOUI, M.ZERDALI. M. BOUDERBALA  P 15‐T5 : Structural, electronic and elastic properties of  some B2  intermetallic compounds  from first principle calculation                       SEKKAL, A. BENZAIR2, H.I. FARAOUN, G. MERAD1, H. AOURAG  

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Conférences Plénières 

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Mining the Periodic Table  

H. Aourag and N. Settouti LEPM, University of Tlemcen, Algeria 

   Abstact (PL 01): 

Computational complexity  in DFT calculations  is crucial  in  the  reliability of  the calculated properties  of materials.  Computational  cost  of  such methods  is  dominated  by  expensive  first‐principles determination of structural energies and atomic forces, including structural relaxations. Data mining  is  an  opportunity  to  eliminate  recalculation  of  known  data,  and,  consequently,  to reduce the total cost of calculations and can be extended  for the prediction of any materials on the basis of those of the periodic table. We propose data mining as a universal tool for the design of new material. We show, that the DFT Database  is a powerful tool  for  information  integration and data mining, which can greatly reduce computational complexity in materials world. 

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  Semiconducteurs et Applications dans la santé 

 T. Mohammed‐Brahim 

GM‐IETR, UMR CNRS 6164, Université Rennes 1, Bat.11B, Campus de Beaulieu, F‐35042 Rennes Cedex, FRANCE, E‐mail : brahim@univ‐rennes1.fr 

 Résumé (PL‐02):  L’extraordinaire développement des  communications, de  l’accès  large  à  l’information en  temps réel,  de  l’impression  que  le  monde  est  devenu  un  village  est  largement  dû  aux  progrès  de l’électronique  à  base  de  semi‐conducteurs  depuis  une  cinquantaine  d’années. Depuis  quelques années,  le  domaine  de  la  santé  humaine  a  commencé  à  profiter  de  ces  progrès  comme  en témoignent par exemple actuellement les systèmes d’administration automatique de l’insuline ou les tests biologiques. Ainsi  les  progrès  réalisés  dans  le  domaine  de  la  fabrication  de  micro‐dispositifs  mécaniques (pompes, moteurs…) à base de semi‐conducteurs,  intégrés avec un  traitement électronique, ont permis d’avancer dans la mise au point de systèmes d’aide aux malades, dont certains sont dans le commerce actuellement. Par  ailleurs,  la mise  au  point  de micro‐capteurs  électroniques  est  suffisamment  avancée  pour espérer une mise à disposition rapide de tests biologiques rapides, simples à mettre en œuvre et donc décentralisables, capables de soulager les grosses structures hospitalières. Enfin,  ces  capteurs  électroniques  seront  d’un  grand  apport  dans  la maîtrise  et  le  contrôle  de l’environnement (qualité de  l’air, qualité de  l’eau) dont dépend non seulement  la santé humaine mais aussi la qualité de la nourriture humaine. Ces différents développements seront abordés durant cette conférence qui montrera en plus tout leur bénéfice économique en termes de création d’emplois 

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Développements récents en imagerie ultrasonore  

BOUAKKAZ Ayache UMR Inserm U930, B1A, CHU Bretonneau, Tours 

[email protected] (Pl‐03) Ayache Bouakaz graduated from the University of Sétif, Algeria, from the Department of Electrical Engineering. He obtained his Ph.D. degree in 1996 from the Department of Electrical Engineering at the Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), France. In 1998 he joined the Department of Bioengineering at the Pennsylvania State University in State College, PA, USA where he worked  as  a postdoc  for 1  year.  From  February 1999  to November 2004,  he  has  been  employed  at  the  Erasmus  University  Medical  Center,  Rotterdam,  The Netherlands. His research focused on imaging, ultrasound contrast agents and transducer design. Since  January  2005,  he  has  held  a  permanent  position  as  a  director  of  research  at  the  French Institute  for  Health  and  Medical  Research,  INSERM  in  Tours,  France,  where  he  heads  the ultrasound laboratory. His research focuses on imaging and therapeutic applications of ultrasound and microbubbles. The course will deal with basic principles of ultrasound generation, propagation and  interaction with  biological matter. Moreover  details  about medical  imaging with  ultrasound waves will  be given in addition to recent developments in therapy and diagnostic methods.  

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Thème 1 : Contrôle non destructif des matériaux et structures 

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Développement d’une méthodologie de contrôle par Emission Acoustique de la corrosion sur câbles précontraints 

 H. Bensouilah1, S. Graini1, S. Mechraoui2, J. Favergeon2,   

S. Benmedakhene,2  D. D. Mekki.3 1 Département  de métallurgie, faculté des sciences de l’ingénieur, Université Badji Mokhtar, BP 12 El Hadjar Annaba 

Algérie. 2 Laboratoire ROBERVAL, UMR CNRS 6253, Centre de Recherches de Royallieu, Université de Technologie de 

Compiègne, BP 20529, F‐60205 Compiègne, France 3 Départements de physique, faculté des sciences, Université Badji Mokhtar ,BP 12 El Hadjar Annaba Algérie 

E‐mail: [email protected]   

Résumé (O 01‐T1):  La  qualité  exceptionnelle  des  câbles  à  pouvoir  supporter  de    grandes  charges  axiales  tout  en maintenant   des raideurs de flexion et de torsion relativement faibles, a suscité   un engouement sans précédent   quant à  leur utilisation. Cependant,  les sollicitations cycliques, et  l’agressivité du milieu  environnant  dans  lequel  ils  évoluent,  génèrent  une  corrosion  et  entretiennent  un phénomène de  fatigue   qui  les  rend doublement vulnérables, et met en danger  les utilisateurs.  Malgré toutes  les précautions requises,  la corrosion sous contraintes   reste  la première cause de rupture des câbles. L’objet de cette étude consiste à utiliser l’émission acoustique comme moyen de contrôle non destructif, pour recueillir les signaux émis, les traiter en temps réel de manière à localiser les défauts, répertorier ces défauts et leur spécifier une signature acoustique, dans le but de prévenir de l’avènement d’une rupture de la structure et  pourquoi pas , la mise au point d’un système  automatique  d’auscultation  acoustique  des  câbles  avec  critères  pré  établis  de déclanchement d’alarmes avant rupture.  Mots clés : Défauts / Corrosion / Câbles / Emission Acoustique. 

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The Multiscale analysis for ultrasonic material characterisation  

Fairouz BETTAYEB Research centre on welding and control, BP: 64, Route de Delly Brahim. Chéraga, Algiers. ALGERIA. Tel/ Fax: 213 21 36 

18 50 E‐mail: [email protected] 

  Abstract (O 02‐T1): Ultrasonic material  characterization  is  an  important  item  and  takes  an  increasing  place  during fabrication and “in service inspection” processes in power and petrochemical industries. Since, the performance of ultrasonic examination techniques are often affected by the physical structure of the component, the effects of aging and environment on failure mechanisms cannot be sufficiently predicted.  Due  to  their  computational  efficiency  the  multi‐resolution  models  are  the  mainly investigated approaches for multi‐scale analysis.    In this work a multi‐resolution ultrasonic signal analysis is achieved for enhanced filtering algorithm and advanced material characterization 

Keywords : material characterization, multiscale analysis, multiresolution analysis, ultrasound  

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Etude expérimentale de l'atténuation des ondes ultrasonores dans un composite à base de polymère 

 S. TOUMI, F. BOUBENIDER, A. DAHEL 

 Laboratoire de Physique des Matériaux Faculté de Physique, Equipe  « Ondes et Acoustique » U.S.T.H.B, BP32, El Alia 16111 Alger 

E‐mail : [email protected]  Résumé (O 03‐T1): 

Les polymères  jouent un rôle très  important dans  l’industrie (emballage, électroménager, automobile,  etc.),  dû  à  leurs  caractéristiques mécaniques  remarquables  associées  à  un  faible poids. Ces matériaux sont connus pour leur mauvaise résistance à la fatigue, et donc une durée de vie  limitée. Pour augmenter  cette durée de vie et améliorer  leurs propriétés mécaniques, nous ajoutons à ce polymère des  inclusions sphériques de carbone  (graphite), où  le PMMA  (plexiglas) est pris comme matériau de base. Pour la détermination des paramètres mécaniques (module de Young  et  coefficient  d’atténuation  lié  à  la  viscosité  du matériau)  du  polymère  renforcé,  nous utilisons  une  technique  ultrasonore.  L’étude  expérimentale  consiste  à  utiliser  la  méthode d’interférométrie  ultrasonore  pour  mesurer  les  vitesses  longitudinale  et  transversale  dans  le matériau biphasique puis de  remonter au module de Young   et au coefficient d’atténuation. En réalité  le matériau est viscoélastique donc dispersif ;  il est absorbant et donc atténue  fortement l’onde acoustique. Pour appréhender ce phénomène, nous avons étudié l’évolution du coefficient d’atténuation en fonction de la fréquence.   Mots  clés :  Polymère, Onde Ultrasonore,  Interférométrie, Coefficient  d’atténuation, Module  de Young. 

 

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Inspection interne, par ondes guidées, des structures tubulaires, étude théorique et validation expérimentale 

 H. Zitoune, F. Boubenider 

Laboratoire de Physique des Matériaux, Equipe « Ondes et Acoustique », Faculté de Physique, U.S.T.H.B., B.P.32, El Alia 16111 Alger 

E‐mail : [email protected]  

Résumé (O 04‐T1):   L’utilisation de  la structure tubulaire dans différents domaines  industriels nécessite, pour assurer la sécurité publique et sécuriser l’environnement, un contrôle préventif non destructif. La méthode  la  plus  utilisée  pour  contrôler  ce  genre  de  structures  est  le  contrôle  par  ondes ultrasonores guidées, car certains modes de ces ondes possèdent une excellente sensibilité à  la surface  interne ou externe du tube. En outre, les ondes guidées ont la capacité de se propager sur de  longues  distances  dans  la  direction  axiale.  Pour  mettre  en  pratique  cette  technique d’inspection  pouvant  caractériser,  détecter  et  localiser  tout  produit  en  contact  avec  la  surface interne  du  tube  (eau,  huile,  etc.  ou  encrassement),  nous  faisons  une  étude  détaillée  du comportement du tube lorsqu’il est soumis à une vibration.   Il existe une infinité de modes guidés, répartis en trois familles, pouvant se propager dans un guide d’onde cylindrique : Longitudinal L  (0, n), de   torsion   T  (0, n)   et   de  flexion     F  (m, n). Notre recherche consiste en  l’étude théorique des différents modes susceptibles de se propager dans des structures tubulaires afin de différencier  les modes, pour une fréquence donnée, selon leurs sensibilités à différents milieux se trouvant dans le tube (liquides, semi‐ solides ou solides, en contact avec la paroi). Pour cela, les courbes de dispersion, c'est‐à‐dire, les vitesses de phase et les vitesses  de  groupe,  en  fonction  de  la  fréquence,  ont  été  tracées  ainsi  que  les  déplacements. L’analyse des composantes du déplacement, à une fréquence donnée, nous a permis de prédire la sensibilité d’un mode spécifique, aux milieux  en contact avec la surface interne du tube.    Suite  à  cette  étude,  une  application  a  été  réalisée  pour  vérifier  la  sensibilité  du mode choisi,  le mode de compression L (0, 4), aux dépôts alimentaires, à  l’état semi‐solide et solide, à l’intérieur d’un tube utilisé dans l’industrie alimentaire. Les résultats expérimentaux obtenus sont en très bon accord avec les prédictions théoriques.    Mots  clés :  tube,  ondes  guidées,  modes,  courbes  de  dispersion,  courbes  de  déplacements, viscosité. 

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10 

Etude de la recristallisation, par ondes ultrasonores, de l’acier doux tréfilé  

M. AIT OUARABI(1) , F. BOUBENIDER(1) , D. BRADAÏ(2)  (1) Equipe « Ondes et Acoustique », Laboratoire de Physique des Matériaux  

(2) Equipe « Transformations de phases‐Microstructure‐Texture », Laboratoire de Physique des Matériaux,  U.S.T.H.B., Faculté de physique, B.P32, El‐Alia 16111, Alger. 

E‐mail : [email protected][email protected]   Résumé (P 01‐T1):   L’étude  et  l’évaluation  de  la microstructure  des matériaux  et  des  structures  sont  d’une importance majeure. Elles contribuent à  la détermination de  la qualité ainsi que des conditions optimales  d’utilisation  de  ces  matériaux.  L’évaluation  de  la  microstructure  se  fait  par  une multitude  de  techniques, usuellement  connues,  telles  que :  les  essais  mécaniques,  la métallographie,  la  Diffraction  des  Rayons  X,  la  microscopie  électronique  à  balayage,  etc. Cependant,  il  est  parfois  difficile  d’effectuer  de  telles  mesures,  dans  certaines  conditions  de travail,  sans  porter  atteinte  à  l’intégrité  de  la  structure ;  à  l’exemple  des  contrôles  in‐situ.  Les techniques  de  caractérisation  par  voie  ultrasonore,  gagnent  de  plus  en  plus  d’intérêt  pour l’évaluation de l’état microstructural et la mesure des propriétés mécaniques des matériaux. Ceci est  dû  au  caractère  non  destructif  des  ces  ondes.  L’avantage  de  l’utilisation  du  contrôle  par ultrasons  au  lieu  des  contrôles  traditionnels,  que  nous  avons  cité  précédemment,      est  la possibilité  d’obtenir  les  informations  nécessaires  sur  la  microstructure  et  les  propriétés mécaniques  du matériau  ou  de  la  structure  tout  en  préservant  son  intégrité.  Les mesures  de vitesses, de l’atténuation et de toute quantité à laquelle nous avons accès via la propagation d’une onde  ultrasonore,  fournissent  beaucoup  d’informations  relatives  aux  propriétés  du milieu  dans lequel elle se propage.   L’étude, que nous proposons,  consiste à  suivre  l’évolution de  la  recristallisation dans un acier  doux  tréfilé  à  froid,  ayant  subi  différents  traitements  thermiques,  en  utilisant  les  ondes ultrasonores.  Les  résultats  de  ce  contrôle  seront    comparés  à  ceux  obtenus  par  des  essais  de microdureté Vickers et par la métallographie pour les mêmes échantillons.  Mots clés : Ondes Ultrasonores, Recristallisation, Microstructure. 

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11 

Simulation de lignes échographiques HF pour la réalisation d’images ultrasonores d’un tissu biologique mou 

 1Abderrazek Bennamane, 2Tarek Boutkedjirt  

1 Equipe de Recherche Ondes et Acoustique, Laboratoire de Physique des Matériaux 2 Equipe de Recherche Physique des Ultrasons, Laboratoire de Physique des Matériaux 

U.S.T.H.B., Faculté de physique, B.P32, El‐Alia 16111, Alger  E‐mail: [email protected][email protected] 

 Résumé (P 02‐T1): 

Depuis  quelques  années  les  ultrasons  ont  pris  un  essor  considérable  dans  le  domaine médical. Ils sont utilisés aussi bien pour la caractérisation des tissus biologiques que pour des fins thérapeutiques.  Comparativement  aux  autres  méthodes  de  caractérisation  de  matériaux,  les ultrasons  permettent  une  évaluation  non  destructive  de  leurs  propriétés  acoustiques.  Les phénomènes de  réflexion et de diffusion  lors de  la  traversée du  faisceau ultrasonore du milieu exploré résultant du changement d’impédance acoustique sont à l’origine de la formation d’échos (donc de  l’image échographique). Dans cette étude, nous abordons  la modélisation du processus de  formation  d’images  échographiques.  Nous  nous  intéressons  à  des  milieux  globalement homogènes, dans lesquels sont incrustés des diffuseurs ponctuels dans un volume diffusant limité. De plus, nous considérons le cas de milieux comportant des diffuseurs sphériques de plus grandes tailles et fortement échogènes. 

Dans  cette  approche,  les  diffuseurs  peuvent  être  considérés  régulièrement  ou aléatoirement répartis. Dans le deuxième cas, les diffuseurs sont distribués dans le milieu avec une densité de probabilité gaussienne dans  chacune des  trois directions de  l’espace.  La  fonction de diffusion de chaque diffuseur ne varie que par son amplitude. Ces diffuseurs vont  introduire des gradients d’impédance  acoustiques qui peuvent  être  aussi bien négatifs que positifs.  Les  tissus biologiques  peuvent  donc  être  étudiés  à  partir  de  l’image  échographique,  à  travers  laquelle apparaissent les degrés de réflectivité et de diffusion de ces tissus.  

Dans une première phase, nous montrons que  la propagation des  ondes ultrasonores  à travers ces milieux est liée à leurs caractéristiques structurales. Il est alors possible de remonter à ces  caractéristiques par une procédure d’inversion. Dans une deuxième étape, nous utilisons  le programme  Field  II   pour  simuler des  images échographiques de  ces milieux. On  construit une image  échographique  en  procédant  à  un  balayage,  mécanique  ou  électronique,  du  faisceau ultrasonore  dans  un  plan.  On  enregistre  la  ligne  d’échos  en mode  A  obtenue  à  chacune  des positions  latérales du  faisceau, puis on en extrait  l’enveloppe. Cette enveloppe sert à codifier  la brillance de  l’image en niveaux de gris ; ce qui permet d’obtenir  l’échographie dite de mode B.  Il en résulte une  image sur  laquelle  les échos sont représentés à un emplacement correspondant à leur profondeur et dont la brillance est proportionnelle à l’amplitude. 

Les  résultats obtenus dans  le  cas où  l’atténuation est prise en  compte  sont  comparés à ceux obtenus dans le cas où le milieu est non atténuant. L’effet du phénomène d’atténuation sur l’aspect qualitatif des images échographiques obtenues est considéré. Nos résultats montrent que l’allure  des  signaux  échographiques  est  fortement  dépendante  de  la  constitution  du  milieu diffusant.  Les  images  obtenues  à  partir  de  125  lignes  échographiques  reflètent  une  bonne concordance avec les milieux simulés. 

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Les méthodes de Contrôle Non Destructif (CND) appliquées pour la détection des criques dans la partie chaude d'un turboréacteur 

 Salim BENNOUD, Farid LARBI, Farouk SALAH 

Département de l’aéronautique , université Saad Dahlab Blida, E‐mail: [email protected]

 Résumé (P 03‐T1): 

Tous  les  avions,  quels  qu’ils  soient,  sont  régulièrement  vérifiés.  Ces  contrôles  sont principalement visuels et externes. D’autres visites  telles que  les  "grandes visites" ou  "révisions générales"  sont  plus  poussées  et  nécessitent  le  démontage  de  certains  éléments  de  l’avion. L’examen  reste  cependant  visuel  et  subjectif.  Certaines  parties  de  l’avion  demeurent  des  plus inaccessibles et sont donc difficiles à inspecter. 

Les moyens de détection doivent permettre au mieux d’assurer des contrôles soit lors de la construction initiale, soit lors du suivi de navigabilité pour tous les aéronefs. 

Il est donc indispensable de bien caractériser les matériaux et définir les indicateurs les plus sensibles à la présence d’endommagement afin de prévenir leur ruine et à les utiliser de manière optimal. 

Le Contrôle Non Destructif  (CND) regroupe  les méthodes  les plus répandues pour détecter les défauts internes d’une pièce ou examiner l’intégrité d’une structure, son intérêt majeur est de mettre  en  évidence  la  prise  en  considération  de  tout  ce  qui  a  pour  conséquence  que  la  pièce contrôlée se distingue de celle nominale. 

Le but de cette étude de  faisabilité est de proposer un ou plusieurs moyens efficaces, non subjectifs et les moins coûteux possible pour la détection et le contrôle des criques dans la partie chaude  d’un  turboréacteur,  le  travail  effectué  se  base  donc,sur  l’utilisation  des  techniques  du contrôle non destructif pour détecter   et suivre  l’évolution de    l’endommagement des matériaux dans cette  partie.  MOTS CLES : chambre de combustion, contrôle non destructif, criques, turbine. 

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Comparaison du BMD  du Calcanéum obtenu par ultrasons au BMD obtenu par l’absorptiometrie biphotonique (DXA) sur le col du fémur, du radius et du rachis.  

 H.DAOUI, F. BOUBENIDER 

Laboratoire de Physique des Matériaux, Equipe « Ondes et Acoustique », Faculté de Physique, U.S.T.H.B., BP32. El Alia 16011 Alger 

E‐mail : [email protected][email protected]  

Résumé (P 04‐T1): Comme technique alternative à  la densitométrie osseuse par rayons  ‐X  (DXA, Dual   X‐ray 

Absorptiometry),  l’ultrason quantitatif  (USQ)   prend   un  intérêt de plus en plus  important   pour l’évaluation osseuse non invasive du risque fracturaire d’origine ostéoporotique. 

En théorie,  l'onde mécanique ultrasonore est sensible à  la fois à  la quantité d'os (densité) et aux propriétés qualitatives osseuses (élasticité, microarchitecture).  

Le calcanéum est un site privilégié des mesures ultrasonores  .Bien que ce ne soit pas un site privilégié de fracture, il a été choisi comme site de mesure par les spécialistes pour différentes raisons : • Il est facilement accessible pour les mesures en transmission. • La couche de tissu mou autour du calcanéum est faible ce qui n’influence que légèrement les mesures. • Tout comme  la vertèbre et  l’extrémité du col du fémur  il est principalement composé d’os trabéculaire.  • Il est soumis à des forces équivalentes à celles qui s’exercent au niveau du col du fémur. L’objet de notre recherche consiste à comparer  le BMD (Densité Minérale Osseuse = BMD Bone Mineral  Density  ,  en  g/m2)  du  calcanéum  obtenu  par  ultrasons  au  BMD  obtenu  par l’absorptiometrie biphotonique (DXA) sur le col du fémur, du radius et du rachis. L’étude est faite pour des sujets plus ou moins jeunes (18‐54 ans) dans  le but de chercher  le degré de corrélation qu’il pourrait y avoir entre  les deux méthodes dans  le but d’avoir une référence algérienne. Nos expériences sont faites au niveau de  l’hôpital de DOUERA pour  la DXA et dans   notre  laboratoire pour  les mesures  ultrasonores  à  l’aide  de  nos  transducteurs  et  d’un  sonomètre  SAHARA  qui mesure la célérité SOS (speed of Sound) en m/s et l’atténuation ultrasonique de la bande passante (BUA=Broadband Ultrasonic Attenuation, en dB/MHZ) les résultats sont également exprimés sous  forme de densité minérale osseuse (DMO = BMD Bone Mineral Density , en g/m2).  

 Mots clés : Ultrasons, milieux solides, milieu poreux, calcanéum, ostéoporose 

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T.G.D. et caractérisation de cibles et défauts dans les matériaux  

Rachid Louni, Fouad Boubenider, Abdelwahab Dahel, Rachid Rezzoug Laboratoire de Matériaux et Composants. Faculté de Physique, U.S.T.H.B. 

BP 32, EL Alia Bab Ezzouar. 16111 Alger, Algérie Email : [email protected] 

 Résumé (P 05‐T1):   La  Théorie  Géométrique  de  la  Diffraction  vient  compléter  la  théorie  de  l’optique géométrique en introduisant des rayons diffractés qui vont permettre de décrire avec une relative précision  les  champs électromagnétiques qui  sont présents dans  les  zones d’ombres. On doit à Keller  l’idée originale du prolongement des  lois de  l’optique géométrique à des phénomènes de diffraction  et  à  Kouyoumjian  et  Pathak  une  mise  en  forme  rigoureuse  et  l’élaboration  de formulations uniformes pour décrire le champ diffracté. La cohérence de cette théorie est fondée sur le fait que les rayons diffractés doivent obéir aux mêmes lois que la théorie géométrique. Cette méthode,  alliée  aux  techniques  de  la  spectroscopie  ultrasonore  permet  de  caractériser  les dimensions  de  cibles  et  ou  de  défauts  de  formes  géométriques  différentes mais  relativement simples.   Dans ce travail, nous présentons cette méthode et nous l’illustrons avec quelques résultats de  mesures  de  dimensions  et  vitesse  déjà  obtenus  précédemment  grâce  à  une  technique expérimentale permettant de mesurer les écarts de fréquence entre pics des spectres des signaux rétrodiffusés  par  des  cibles  ou  cavités  de  différents matériaux  insérées  ou  usinées  dans  une matrice en Aluminium.        

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Etude comparative DXA – Ultrasons, pour le radius et la phalange (os trabéculaires) in‐vivo (Application à l’ostéoporose). 

 M. Mebarki, F. Boubenider 

Laboratoire de Physique des Matériaux, Equipe « Ondes et Acoustique », Faculté de Physique, U.S.T.H.B., BP32. El Alia 16011 Alger 

Email : [email protected][email protected]  Résumé (P 06‐T1): 

La masse osseuse s’accroît au cours de l’enfance et de l’adolescence et atteint, vers 20‐25 ans, un maximum appelé pic de masse, ce capital osseux reste à peut près stable entre 20 et 40 ans environ quand débute, pour  les deux sexes, une perte osseuse  lente. Après  la ménopause  la perte osseuse est importante chez la femme, cette perte se traduit par une faible masse osseuse et une détérioration de  la micro‐architecture du  tissu osseux. Elle est responsable de  la  fragilité osseuse donc de l’augmentation du risque fracturaire connue sous le nom d’ostéoporose. 

La technique de référence, du fait de ses performances remarquables et de ses nombreux avantages,  utilisée  aujourd’hui  pour    diagnostiquer      la maladie  est    l’Absorptiométrie  osseuse biphotonique  à  rayons  X  (DXA  =  Dual  X‐ray  Absorptiometry).    Elle  est    reconnue  comme  une technique  fiable  d’évaluation  du  risque  fracturaire,  elle  ne  permet  pas  la  détermination  des modifications architecturales du tissu osseux.  

Pour essayer de valider  l’utilisation des ultrasons comme  instrument de diagnostic et de suivi  thérapeutique, nous cherchons à mesurer  le degré de   corrélation   qui existerait   entre  les mesures  ultrasonores  et  la DXA.  La méthode  de  caractérisation  que  nous  proposons  utilise  les ondes élastiques  (dans notre cas  les ondes ultrasonores), c’est une technique non  invasive, sans danger pour les patients, le dispositif expérimental est portable et largement moins coûteux que la DXA. 

Dans ce but, nous mesurons les vitesses des ondes ultrasonores dans le radius distal et les phalanges (au niveau du laboratoire) de femmes de différents âges. Ces mesures nous permettent de  faire  une  étude  comparative  entre  la  DXA  (fait  au  niveau  de  l’Hôpital  de  DOUERA)  et l’utilisation  des  ultrasons.  Pour  cela,  nous  traçons  la  courbe  de  la  vitesse  de  déplacement  des  ondes ultrasonores, (SOS=Speed Of Sound en m/s) à travers  les tissus, en fonction de  l’âge,  que nous comparons à celle de  la densité osseuse donnée par  la technique DXA, du site en question (radius) d’une part, et nous faisons une comparaison avec d’autres sites (le rachis, le col du fémur) d’autre part.  Mots clés : ultrason, DXA, radius, phalange, ostéoporose  

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Utilisation des modes de Lamb S0 et A0, à très bas produits fréquence‐épaisseur, pour localiser et mesurer les variations d’épaisseurs visibles et non visibles dans 

des plaques métalliques minces.  

SAIT Smail, BOUBENIDER Fouad   Laboratoire  de Physique des Matériaux, Equipe : Ondes et Acoustique, U.S.T.H.B (Faculté de Physique) 

E‐mail : [email protected][email protected]  Résumé (P 07‐T1): 

Des dégradations  (érosion, oxydation,  frottements, etc.) peuvent apparaitre au  cours du temps,  dans  des  plaques  utilisées  dans    différentes  industries.  Ces  dégradations,  affectent    les structures quelles composent en réduisant, parfois de façon  infime,    leurs épaisseurs. Ces pertes d’épaisseurs peuvent affecter  les  parois externes et/ou  internes des plaques et causer de graves préjudices. Plusieurs méthodes, utilisant des ondes de volume, existes pour contrôler ce genre de défaut, mais ces méthodes sont  locales  (l’opérateur doit se déplacer tout  le  long de  la surface à caractériser) et ne donnent pas  toujours satisfaction. Le but de ce    travail est de  localiser et de mesurer ces faibles pertes d’épaisseur en utilisant les ondes guidées de Lamb. 

Le contrôle par ondes guidées (ondes de Lamb), est une méthode d'examen relativement récente,  cette  dernière,  présente  un  vaste  champ  d'application  qui  s'étend  aux  matériaux, métalliques, plastiques et  composites, elle  s'applique aussi aux produits moulés,  laminés  (tôles, rails,…), étirés (tubes, ronds,…), aux assemblages soudés, brasés ou collés. Ce  contrôle, permet de détecter des manques ou des discontinuités de la matière, dans des structures à l'état d'ébauche, fini ou en service. En outre, ces ondes possèdent la propriété de se propager sur plusieurs mètres et d’être très sensibles aux faibles variations d’épaisseur.  

D’où, l’idée d’utiliser  les ondes de Lamb pour localiser et mesurer la variation d’épaisseur de plaques très minces. Le travail présenté  ici, consiste à montrer  la faisabilité de cette méthode en essayant de  localiser par  le mode S0   des pertes d’épaisseur usinées manuellement   dans des plaques minces,  et  de mesurer  la  variation  subit  par  la  plaque  en  utilisant  le mode  de  Lamb antisymétrique (de flexion) A0 aux très bas produits fréquence‐épaisseur. Les résultats, montrent qu’il est possible de détecter des pertes d’épaisseur de  faible  importance  (théoriquement pour des plaques de duralumin dont  le produit  fréquence‐épaisseur est compris entre « zéro » et 0.2 MHz.mm), dans des plaques minces, dont la variation d’épaisseur, visible ou non visible (face non accessible ou revêtus d’une protection),  est très mince. 

 Mots clés : Contrôle non destructif, ondes de Lamb, faibles épaisseur.  

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Thème 2 : Métallurgie et ingénierie des matériaux 

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Effet des réparations successives sur la qualité d’un joint soudé dans l’acier à haute limite élastique X70 

 M. Nour Eddine1, B. Mamache1, R. Badji1, M. Bouabdallah2 

1 Centre de Recherche Scientifique et Technique en Soudage et Contrôle (CSC), Chéraga, Alger. 2 Laboratoire de Génie Sismique et Dynamique des Structures (LGSDS), Ecole Nationale Supérieure Polytechnique, Alger 

E‐mail : [email protected]  

Résumé (O 01‐T2): Les  aciers  à  haute  limite  élastique  (HSLA)  de  canalisation  avec  une microstructure  de  ferrite aciculaire  ont  été  développés  rapidement  depuis  les  années  70  pour  satisfaire  la  demande croissante  dans  le  domaine  du  transport  de  pétrole  brut  ou  de  gaz  naturel.  De  tels  aciers  de canalisation peuvent fournir d'excellentes combinaisons de haute résistance, de dureté, résistance à la corrosion et surtout, une bonne soudabilité. Le but de ce travail est l'étude de l'influence des réparations successives des défauts de soudage sur la microstructure et les propriétés mécaniques de la zone affectée thermiquement dans le cas de soudage des pipelines destinés pour le transport du  pétrole  et  gaz  de  catégorie  API  5L  X70  par  le  procédé  de  soudage  à  l'arc  avec  électrode enrobée. L'évolution de la microstructure a été étudiée en utilisant l'examen métallographique par la microscopie optique. Les propriétés mécaniques ont été évaluées par traction, résilience et  la microdureté.  L’étude  de  la microstructure  et  son  comportement mécanique  à montré  que  les réparations  effectuées    sur  un  joint  soudé  n'a  aucune  influence  sur  le  changement  de  la microstructure de la zone affectée thermiquement (ZAT) parce que les cycles thermiques répétés après  chaque  réparation mènent  aux mêmes  transformations précédentes  a  conditions que  les paramètres  de  soudages  restent  inchangés.  La microstructure  après  chaque  réparation  dans  la zone à gros grains (CGHAZ)  et la zone à grains fins (FGHAZ) est constituée d'une ferrite polygonale à grains fins, des îlots de perlite, et des précipités dispersés dans toute la matrice (voir fig.1).             Fig.1 :  Evolution  microstructurales  dans  la  zone  à  gros  grains  (CGHAZ)  à  mi‐épaisseur  de l'échantillon après chaque réparation. Par  ailleurs,  les  propriétés  mécaniques  obtenues  à  l’issue  de  la  troisième  ou  la  quatrième réparation restent conformes   aux exigences de  la norme API, ainsi qu'aux exigences des normes ASME  et OFFSHORE.  Ceci  nous  a  permis  de  conclure  qu’il  est  possible  d'ajouter  une  troisième réparation en plus des deux réparations limitées par la norme OFFSHORE.  Mots  clés  :  Soudage,  réparation,  zone  affectée  thermiquement,  API  5L  X70,  pipeline,  ferrite aciculaire 

Soudure Réparation

Réparation Réparation

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Contribution à l’étude du système ternaire Fe‐Co‐C.  

F. HADDAD, S. E. AMARA et R. KESRI. Laboratoire d’Electrochimie, Corrosion, Métallurgie et Chimie Minérale. Faculté de Chimie. Université des Sciences et 

de la Technologie Houari Boumediene, B. P. 32, El Alia, Bab Ezzouar Alger, Algérie. E‐mail : [email protected] 

 Résumé (O02‐T2): Nous nous proposons dans cette étude de tracer la projection de la nappe liquidus du système Fe‐Co‐C dans l’angle riche en fer. Pour cela, une série d’alliages FeCoC a été élaborée dans un four à arc sous atmosphère d’argon. Les températures de transformations liquide‐solide et solide‐solide sont déterminées à l’aide d’un appareil d’Analyse Thermique Différentielle. Les phases formées au cours de la solidification de ces alliages sont caractérisées par microscopie électronique à balayage et Rayons X. Ainsi,  les chemins de refroidissement des alliages étudiés ont été établis en relation avec les microstructures observées. Ce travail a mené au tracé de la projection de la nappe liquidus dans l’angle riche en fer du ternaire Fe‐Co‐C. Cette projection comporte trois nappes de cristallisation primaires (δ(Fe), γ(Fe) et graphite) et deux lignes monovariantes; une péritectique  L + δ(Fe) ↔ γ(Fe) et une eutectique L ↔ γ(Fe) + C.  

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Caractérisation d’aciers calorisés  

Sabrina Mendil(1), Abdallah Meziane(1), Saïd Azem(1), Kamel Taïbi(2), Saïd Yefsah(1) (1) Laboratoire de Physico‐Chimie des Matériaux, Université Mouloud Mammeri de Tizi‐Ouzou. Hasaoua BP17, 15000. 

Algérie.   (2) LSGM, Faculté du Génie Mécanique et du Génie des Procédés, Université USTHB de Bab‐Ezzouar, 16311.Algérie. 

E Mail : [email protected]  

Résumé (O03‐T2):   La calorisation à chaud est un traitement thermochimique qui consiste à saturer la surface d’un  acier  en  aluminium.  Autrement  dit,  c’est  la  diffusion  superficielle  par  voie  thermique  de l’aluminium dans l’acier. L’apport de l’aluminium en surface accroît considérablement la résistance à l’oxydation du fer et de ses alliages tout en gardant de bonnes propriétés mécaniques.    Des expériences ont été réalisées à la température de 800°C sur des échantillons d’acier à différentes  teneurs en  carbone  (XC10 et XC48).  Les échantillons  sont  immergés dans des bains d’aluminium  pur  et  dans  l’aluminium  saturé  en  fer.  Le  contact  fer‐aluminium  a  conduit  à  la formation de composés intermétalliques à la surface des échantillons. La diffraction de rayon X a révélé  les composés suivants: Al13Fe4, Fe2Al5 et Fe3Al. L’observation au microscope optique a mis en évidence trois couches distinctes; la couche d’acier, la couche extérieure riche en aluminium et la  couche  intermétallique.  Les  échantillons  traités  dans  le  bain  d’aluminium  pur,  présente  une morphologie irrégulière de la couche intermétallique. Elle apparaît sous un profil en dents de scie qui  se  développent  et  s’orientent  vers  le  cœur  de  l’acier.  Une  accumulation  de  la  perlite  à l’interface  couche  intermétallique/acier  semble  retarder  la  croissance  de  la  couche intermétallique. Un autre traitement a été effectué dans un bain d’aluminium saturé en fer. Dans ce cas, la couche intermétallique ne présente plus l’allure en dents de scie mais plutôt une allure rectiligne.  Le  temps  de  calorisation  favorise  la  croissance  de  la  couche  intermétallique.  En revanche, la teneur en carbone semble limiter la formation de cette dernière. L’observation de la couche  extérieure  d’aluminium  par  microscopie  électronique  à  balayage  en  mode  électrons rétrodiffusés a révélé deux contrastes différents,  l’un sombre qui correspond à  l’élément  le plus léger, l’aluminium, et l’autre clair que l’on peut attribuer au fer, l’élément le plus lourd. Ces zones claires apparaissent sous forme de ramifications riches en fer noyées dans la matrice d’aluminium. Ces ramifications sont dues à  la diffusion du fer dans  l’aluminium comme semble  le suggérer  les cartographies X et les profils de concentration du fer et d’aluminium.   Mots‐clés :  Aciers  calorisés,  Composés  intermétalliques,  Ramifications, Diffraction  de  rayons  X, Microscopie Electronique à Balayage, Cartographies X.    

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Effet des additions ternaires et évolution des défauts ponctuels en fonction de la température dans les alliages TiAl 

 N. ZIBOUCHE1, D. BRADAI1, A. KELLOU2.  

1Laboratoire physique des matériaux, Équipe transformation de phases et texture, Faculté de Physique, USTHB 2Laboratoire physique théorique, Faculté de Physique, USTHB 

 E‐mail : [email protected]   

Résumé (O 04‐T2):  Les  alliages  intermétalliques  TiAl  sont des matériaux prometteurs et  suscitent un  grand 

intérêt technologique. Leurs propriétés mécaniques élevées à hautes températures et leur bonne tenue à la corrosion leurs confèrent de diverses applications dans plusieurs domaines. Cependant leur utilisation est limitée par leur fragilité aux basses températures. L’ajout de certains éléments d’additions permet d’améliorer  leurs caractéristiques physiques en faisant apparaître des phases très stables aux basses températures.  

Cette étude consiste à déterminer la concentration des défauts ponctuels en fonction de la température en utilisant le model Wagner Schottky. Les énergies de formation des différents types des défauts sont calculées en utilisant une méthode Ab  initio basée sur  la méthode LAPW basée sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). 

Les  calculs  ont  été  faits  pour  plusieurs  phases  du  système  TiAl  cristallisant  dans  les structures L10, L12 et DO22. Les énergies de préférence de site des éléments d’addition, ainsi que les différents paramètres structuraux tels le paramètre de maille, le module de compression et les énergies de formation sont déterminés.  Mots clés : TiAl, Modèle de Wagner‐Schottky, DFT, LAPW. 

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Cinétique de recristallisation de l’alliage industriel  Pb (0.08%) Ca (2%) Sn (% en poids)  

 ABOUHILOU.F, AZZEDDINE.H, ALILI.B, BRADAI.D 

Laboratoire « physique des matériaux », Faculté de Physique, U.S.T.H.B., Bp32 El‐Alia, Alger, Algérie 

E ‐mail : [email protected]  Résumé (P 01‐T2): Une  des  applications  industrielles  du  plomb  et  de  ses  alliages  est  la  fabrication  des  plaques d’accumulateurs  pour  les  batteries  de  démarrage  automobile. Cette  application  industrielle  est basée  sur  les  phénomènes  de  transformations  de  phases  à  l’état  solide  des  alliages  qui  se produisent pendant et après les processus de fabrication en usine. Généralement, les alliages à base Pb [1‐5]  non vieillis présentent immédiatement après laminage une  dureté  élevée  due  à  l’écrouissage.  Au  cours  du  traitement  ultérieure  de  vieillissement  à température ambiante, la structure évolue par vieillissement‐recristallisation et le résultat final est la  résultante  de  deux  mécanismes :  l’un  adoucissant  (recristallisation),  l’autre  durcissant (transformation continue ou discontinue).   Dans  ce  travail,  nous  étudions  l’évolution  de  la  cinétique  de  recristallisation  par  l’analyse  de l’évolution de deux caractérisations qui sont la dureté et la conductivité.        Références : [1] Abouhilou.F, Thèse de magister, USTHB (2004). [2]Safi.M, Thèse de magister, USTHB (2002). [3]Safi.M, Alili.B, Bradai.D, Revue Algérienne De Physique01 (2006)53‐56. [4] Safi.M, Abouhilou.F, Alili.B, Bradai.D, phys.chem.Neews28 (2006)122‐127. [5]Bouirden.L, Thèse de doctorat, Université de Nancy I (1990)3‐33.    

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Caractérisation de phases carbures présentes dans les alliages multi‐constitués à base de fer 

 AOUIZ Assia(a,b), AMARA‐ADNANE Leila(a) et KESRI Rafika(a) 

(a) Laboratoire d'Electrochimie‐Corrosion, Métallurgie et Chimie Minérale. Faculté de Chimie. Université Des Sciences et de la Technologie Houari Boumediene. B.P 32, El Alia, Bab Ezzouar, Alger 16111, Algérie. (b) Département de Chimie, Faculté des sciences, Université M'hamed Bougara,  Boumerdès. 

Fax : 021 24 73 11 E‐mail : [email protected] 

 Résumé (P 02‐T2):   Le  présent  travail  a  pour  but  la  caractérisation microstructurale  de  phases  présentes dans  des  alliages  muticonstitués,  comportant  plusieurs  éléments  d’addition  carburigènes  et alphagènes tels que le Chrome (Cr), le molybdène (Mo) et le titane (Ti), ainsi que les éléments non carburigènes et gamagènes tels que le Nickel (Ni) et  le cobalt (Co).  Ces    alliages  ont  été élaborés dans un four à arc à partir des métaux purs et de graphite sous atmosphère d’argon.   Dans le but de mettre en évidences l’existence et la nature des phases carbures formées (carbures de  chrome,  carbures de molybdène et  carbures de  titane)   dans nos alliages et  leurs morphologies respectives plusieurs techniques expérimentales complémentaires ont été réalisées; telles que : - Détermination  des  températures  de  transformation  des  phases  par  l’analyse  thermique différentielle (ATD). - Des observations  au microscope optique  (M.O) et électronique  à balayage  (M.E.B)  associé  à l'E.D.X (analyseur X à énergie dispersive)   - Analyses par diffraction des rayons X (DRX). - Des essais de microdureté. En se basant sur toutes ces techniques nous avons pu mettre en évidence la présence de plusieurs types de carbures tels: 

Carbures de titane : MC.  Carbures de molybdène : M2C et M6C.  Carbures de chrome : M7C3 et M23C6. 

  

Mots clés : Aciers, carbures de titane, carbures de chrome, carbures de molybdène.   

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Analyse thermographique du comportement en traction d’un acier revêtu en Zinc et en présence d’inclusion rigide 

 F. Bouaksa 

Université des sciences et de la Technologie Mohamed Boudiaf El‐M’Naour BP 1505 

  Oran Algérie *Département des Mines et Métallurgie Faculté Génie Mécanique, usto BP 1505 Oran El mnaour En collaboration avec le laboratoire LMS(Laboratoire de Mécaniques des Solides Paris‐France) 

E‐mail : [email protected][email protected]  Résumé (P 03‐T2):  Les  inclusions sont généralement  l’origine des concentrations de contraintes dans  les matériaux et peuvent être une source d’amorçage et de propagation de fissure. Le comportement élastique des matériaux est très affecté par  la présence de défauts qui peuvent entraîner  l’affaiblissement de la structure et provoquer sa destruction. La  connaissance  de  la  distribution  des  contraintes  au  voisinage  des  différentes  zones  a  une importance pour quantifier le facteur d’intensité de contraintes (FIC) en fonction de la géométrie de l’inclusion. Dans  cette étude, on a essayé de décrire un dispositif expérimental, utilisant  les  techniques de thermographie  infrarouge,  et  permettant  d’observer  les  phénomènes  thermiques  durant  la déformation des échantillons en traction simple sur un acier revêtu en zinc et en présence d’une inclusion  non métallique  et  rigide. On  utilise  pour  cela,  les  images  thermiques  fournies  par  la caméra  infra‐rouge.  On  présente  le  dispositif  expérimental,  puis  successivement,  on  décrit  la variation  des  déplacements  en  fonction  de  la  force  exercée  pour  chaque  échantillon.  En  fin d’article, on présente quelques résultats obtenus avec plusieurs échantillons.   

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Etude de l’alliage métallique Al80Cu20 solidifié rapidment  

N. BOUMAIZA et A. BOUYOUCEF Département de Physique, Université Mentouri, Constantine 

E‐mail : [email protected]  

Résumé (P 04‐T2):   Le  développement  de  nouvelles  techniques  de  solidification  rapide  a  ouvert  la  voie  à  de nombreuses  études  concernant  les  effets  de  la  solidification  rapide  sur  la microstructure  des métaux. Dans ce domaine, beaucoup de travaux montrant qu’un alliage biphasé à l’équilibre peut se  transformer  en  solution  solide  sursaturée  ou  même  en  phase  vitreuse,  simplement  par refroidissement rapide de l’alliage à partir de l’état liquide.    Nous avons étudiés l’effet de deux vitesses de refroidissement élevées sur la microstructure de  l’alliage Al‐Al2Cu. Ce  système  binaire,  qui  forme  la  base  des  alliages  à  haute  résistance,  est largement employé comme système de référence car  les constantes physiques et  les paramètres thermodynamiques sont bien définis.           Nous  avons  étudié  le  développement  de  la  microstructure  (changements  de  phases  et paramètres  de  la maille)  des  échantillons  à  partir  de  l’analyse  des  spectres  de  diffraction.  Le diffractogramme des rayons X de  l’alliage à  l’état brute d’élaboration (avant solidification rapide) nous montre que nous sommes en présence de deux phases : α‐Al et θ‐Al2Cu.       Les vitesses de  solidifications  rapides  de  10  m/s  et  42  m/s  sont  utilisées.  Ceci  entraîne  la  variation  des paramètres des mailles, de la phase α‐Al et de la phase θ–Al2Cu. Ces variations des paramètres de la maille sont dues à  la  formation des microcontraintes  interne, responsables de  l'augmentation de la dureté de l'alliage (durcissement structurale). A la vitesse de solidification rapide de 10 m/s, le nombre de pics de diffraction  représentatifs de  la phase θ‐Al2Cu a augmenté par  rapport au diffractogramme de l’échantillon brut.    A plus grande vitesse de solidification rapide (42 m/s)  le décalage des raies vers  les grands angles  augmente  d'avantage  par  rapport  aux  raies  des  échantillons  solidifiés  aux  vitesses précédentes. Les phases durcies augmentent aussi, ce qui explique  l'amélioration des propriétés mécaniques de l'alliage avec l'augmentation de la vitesse de solidification. Le décalage des raies va être expliqué par le calcul des paramètres de la maille.    Nous avons calculé les paramètres du réseau cristallin de tous les échantillons, en utilisant le logiciel (DICVOL06) [26].   Ces  résultats  montrent  clairement  la  diminution  du  paramètre  de  la  maille  avec l’augmentation de  la vitesse de  solidification. Plus  la vitesse de  solidification est grande, plus  le paramètre de la maille est petit (Figure IV.7) pour la phase α et (Figure IV.8) pour la phase θ. Cette diminution des paramètres de la maille confirment bien le déplacement des raies de la phase α‐Al et de  la phase θ‐Al2Cu noté dans  le paragraphe précédent qui traite  l'analyse par diffraction des rayons X. La solidification rapide induit une légère contraction du réseau cristallin ce qui conduit à la  formation des microcontraintes  internes, donc à  l'amélioration des propriétés mécaniques de l'alliage (augmentation de la dureté).  

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Etude de la précipitation dans le système Al‐ Zn –Mg  

S‐BOURZAM, N‐BOUZROURA, M‐KADI‐HANIFI Laboratoire  de  Solution  Solide, Faculté de Physique, USTHB 

E‐mail: Saida.Bourzam @yahoo.fr  

Résumé (P 05‐T2): Les  Alliages  d'AL‐Zn‐Mg  sont  largement  utilisés  pour  des  applications  structurales  dans 

l’industrie automobile. Leurs propriétés mécaniques  sont dûes   à    la précipitation des éléments d'addition (Zn, Mg). Ces alliages précipitent selon  la séquence de précipitation suivante: solution solide sursaturée→ Zones GP→ή→η   . Les  traitements  thermiques  (d'homogénéisation  et  de  revenu)  à  des  températures  comprises entre 1000C et 2000C,  permettent  l’étude de l'influence des précipités métastables (GP, ή) et des précipités  stables   η  sur  le durcissement  structural de  ces alliages.   Cette étude montre que  la composition  en  Zinc  joue  un  rôle  important  dans  l'augmentation  de  durcissement  par précipitation.  La  densité  et  la  stabilité  des  zones  GP  et  la  phase  ή      sont  responsables  de  ce durcissement.     Mots‐clés : Al‐Zn‐Mg – précipitation   

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Influence de l’ajout du titane sur la résistance à la corrosion du cuivre en milieu salin 

 D. GUERNICHE1, A. BENCHETTARA2 

1 Centre de Recherche Scientifique et Technique en Analyses  physico‐chimiques, BP 248 Alger RP 16004 2 Laboratoire d’Electrochimie‐Corrosion, Métallurgie et Chimie Minérale 

Faculté de Chimie BP 32‐ El Alia Bab Ezzouar 16 111 Alger E‐ Mail  : [email protected] 

 Résumé (P 06‐T2): 

Le cuivre est caractérisé par une bonne conductibilité thermique, mais en milieu NaCl 3% et à  température  élevée  son  courant de  corrosion  est  assez  grand par  rapport  à  celui du    titane. Notre objectif est d’élaborer des alliages ayant  la bonne conductibilité thermique du cuivre et  la bonne tenue à la corrosion du titane.  

La  caractérisation des binaires de base  a été  réalisé  au moyen des méthodes physiques d’analyse (Diffraction des Rayons X, Microsonde Electronique et Microdureté). 

Des méthodes électrochimiques usuelles ont été mises en œuvre afin de tester la tenue à la corrosion de ces matériaux. 

Il  ressort de cette étude que  l’ajout du  titane améliore  la  tenue à  la corrosion du cuivre dans NaCl 3%.           Mots clés : Cuivre, NaCl, alliages de cuivre, polarisation potentiodynamique 

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Etude par dilatométrie de l'effet des recuits anisothermes sur la transformation ordre‐désordre de l’alliage. Cu‐50 % mass Au 

 F. HANINIa, D. HAMANAb 

a*Laboratoire des Couches Minces et Interface Département de Physique, Faculté des Sciences Exactes, Université Mentouri –Constantine, Algérie 

bLaboratoire des Transformations de Phases, Département de Physique, Faculté des Sciences Exactes, Université Mentouri –Constantine, Algérie. 

E‐mail : [email protected]   Résumé (P 07‐T2): 

L'analyse dilatométrique différentielle est une technique qui a prouvée son efficacité dans l'étude des transformations de phases. Parmi ces transformations à  l’état solide dans  les alliages métalliques on pourrait citer  la transformation ordre‐désordre, dont  la cinétique est déterminée par plusieurs facteurs: l’énergie d’activation ‘’Ea’’, le facteur pré exponentiel ko, et l’exposant ‘’n’’ (l’ordre  de  réaction)  ;  la  détermination  de  l'énergie  d'activation  est  l'étape  la  plus  importante. Dans ce travail nous nous sommes  intéressés à  l'étude de  l'effet des recuits anisothermes sur  la transformation  ordre‐désordre  dans  l’alliage  Cu‐50 % mass.  Au  par  la  dilatométrie.  Avec  cette méthode  les échantillons ont été chauffés avec différentes vitesses  jusqu'à 500 °C. Pour calculer les  énergies  d'activations  apparentes  liées  à  la  formation  des  quelques  phases  détectées,  on  a utilisé  la méthode  isoconventionnelle  très  répandue de Starink qui permet de calculer  l’énergie d’activation d’un système à partir de l’évolution de la température  du pic ‘’TP ‘’en fonction de  la vitesse.  Mots‐clés  :  Transformation  ordre‐désordre,  Analyse  isoconversionnelle,  Analyse  dilatométrique différentielle, Energie d’activation.  

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Influence du traitement thermique et de la température sur la résistance à la corrosion d’une fonte hypereutectique de synthèse en milieu acide 

 F. Kellou, A. Benchettara, S.E. Amara 

Laboratoire d’Electrochimie‐Corrosion, Métallurgie et Chimie Minérale Faculté de Chimie, USTHB, BP 32 EL Alia, BabEzzouar, Alger 16111 

E ‐mail : kelfarida@ yahoo.fr, [email protected][email protected]  Résumé (P 08‐T2):   Différents  traitements  thermiques peuvent  être  effectués  sur  les matériaux métalliques, selon le but recherché : le recuit, la trempe, le revenu, le vieillissement etc.… Pour notre part, nous avons élaboré une fonte alliée au titane Fe‐1Ti‐20C (atm %), à laquelle nous avons fait subir un recuit à 800°C durant 48 heures, suivi d’un refroidissement à l’air.  La combinaison de la microscopie optique, de la microscopie électronique à balayage (MEB) ainsi que de  la diffraction des  rayons X  (DRX)  a permis d’identifier  les différentes phases  cristallines présentes  à  la  surface  de  l’échantillon.  Il  est  apparu  que  l’alliage  recuit,  présente  une  phase perlitique plus grossière que celle de l’alliage non traité thermiquement. 

La mise en œuvre des méthodes électrochimiques usuelles, nous a permis de comparer la résistance à la corrosion des deux matériaux, dans un milieu connu pour son agressivité H2SO41N, en  l’occurrence. Cette étude révèle, que  le recuit réalisé sur  la fonte de synthèse, a amélioré ses performances  vis‐à‐vis de  la  corrosion  en  solution  acide  sulfurique normale  à  25°C. Ce  résultat peut être expliqué par le grossissement des carbures de fer (Fe 3C), qui conduit à la diminution des contacts interfaciaux (cémentite‐ferrite) et de ce fait au ralentissement de la vitesse de dissolution métallique. 

Par ailleurs, nous nous sommes intéressé à l’effet de l’élévation de température de 25°C à 55°C, sur  le comportement électrochimique de  la fonte traitée,  immergée dans  l’acide sulfurique 1N.Il  ressort  de  cette  investigation,  que  le  potentiel  de  dissolution  ne  subit  aucune  variation, lorsque  la température croît, contrairement à  la densité de courant de corrosion qui accuse une hausse. Ceci atteste d’une diminution de  la résistance à  la corrosion de ce matériau, sous  l’effet d’un accroissement de la température.  Mots clés : Alliage base fer‐ Titane‐  Perlite‐ Acide sulfurique‐ Dissolution anodique    

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Caractérisation d’alliages industriels Cu‐Ni‐Si pour l’industrie électronique  

B. Mehdi, L. Djebala, F. Guerza, H. Azzeddine, B. Alili et D. Bradai Equipe « Transformations de Phases, Microstructure Texture », Laboratoire « Physique des Matériaux », Faculté de 

Physique, USTHB. Email : [email protected] 

 Résumé (P 09‐T2):   Dans la suite du travail consacré à l’étude des alliages destinés à l’industrie électronique (Connectique) et qui sont à base de Cu‐Ni [1‐5], nous nous intéressons à une nouvelle famille d’alliages de la même base et qui appartiennent au système Cu‐Ni‐Si. Le remplacement progressif du Sn par le Si est motivé par des considérations de couts et de disponibilité naturelle des deux éléments d’une part, et d’autre part, des propriétés mécaniques et électriques équivalentes.   Ayant reçu des échantillons d’alliages de la part de collaborateurs industriels étrangers, toute étude préliminaire consiste à les caractériser par les différentes techniques aussi bien lourdes que légères, sinon, toutes études ultérieures seraient biaisées par des écarts par rapport aux valeurs nominales ou dictées par les diagrammes de phases des systèmes.   Dans cette communication, nous présenterons les résultats d’une caractérisation par EDAX, DRX et MEB des échantillons d’alliages Cu‐Ni‐Si et Cu‐Ni‐Si‐Cr qui font l’objet d’un travail synergique de l’équipe. Nos résultats sont analysés et comparés aux valeurs nominales fournies par les collaborateurs industriels.  

 Références : [1] F. Hadj‐Larbi, Thèse de Magister, USTHB (2006).  [2] F. Hadj‐Larbi et al. Physical & Chemical News, 49, (2009), 81‐87. [3] B. Alili, Thèse de Doctorat d’Etat, USTHB (2007). [4] B. Alili et al. Materials Characterisation, 59, (2008) 1526‐1530.. [5] B. Alili et al. Metallic Materials, 46, (2008) 371‐376.   

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Influence de la précipitation sur la corrosion de l’alliage d’aluminium 7075  

A. Naimi1, M. Trari2, H. Yousfi1 1 Laboratoire de Solutions Solides, Faculté de Physique, USTHB, MB. 32, Al‐Alia, 16100, Algérie,  

2 Laboratoire de Stockage et des Energies renouvelables, Faculté de Chimie, USTHB, MB.32, Al‐Alia, 16100, Algérie. E ‐mail : [email protected] 

 Résumé (P 10‐T2): La microstructure hétérogène des alliages d’aluminium industriels tel que le 7075, rendent les très susceptible à  la  corrosion.  L’alliage d’aluminium 7075, homogénéisé  (solution  solide  sursaturée, sss) et trempé se décompose suivant la séquence de précipitation:                                        sss   GP zones    ŋ’          ŋ (MgZn2 or Mg (ZnAlCu)2) Où  GP  les  zone  de    Guenier‐Preston,  ή  et  ŋ    sont  respectivement  le  précipité  de  transition métastable  et la phase d’équilibre. Dans le présent travail, la technique de polarisation potentiodynamique est utilisée pour étudier la corrosion de  l’alliage 7075 dans  les différents stades de précipitation. Les essais calorimétriques (DSC)  juste  après  homogénéisation  indique  des  pics  exothermiques,  correspondent  aux  trois réactions de précipitation.  Le premier   pic    correspond    aux      zones GP;    le  second  à  la phase métastable ή et le troisième à la phase d’équilibre ŋ. Les mesures de polarisation potentiodynamique de  l’alliage 7075 dans  ces différents  stades de précipitation  dans  les  solutions  NaCl  (3  %)  et  H2SO4  (0.1%) montre  les mêmes  potentiels  de  passivation  pour  les  différents  stades  de  précipitations  dans  le NaCl.  Par  contre  dans H2SO4  la corrosion de  l’alliage est plus  faible dans  les zones GP que dans  les phases ŋ et ή. La vitesse de corrosion de l’alliage estimée en utilisant les courbes de Tafel indique que l’alliage dans l’état des zones GP présente une bonne  résistance    à  la  corrosion dans  les deux  solutions. Cependant  la susceptibilité à la dissolution est plus prononcée dans l’état de la phase métastable ή.  Mots clés : corrosion, alliage, précipitation.  

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Etude électrochimique d’un dépôt de molybdène obtenu par projection thermique dans les milieux NaCl et H2SO4 

 S. TLILI1, M.Z. TOUHAMI2, M. MOTHTARI1, A. BOUKARI1 

1 Unité de Recherche Appliquée en Sidérurgie et Métallurgie (URASM‐ CSC‐ Annaba), El‐Hadjar / Annaba, Algérie  

2Faculté de Sciences de l’ingénieur, Université d’Annaba, BP12‐23000‐Algérie Département de  Métallurgie et Génie des Matériaux 

Email : tlili [email protected]  Résumé (P 11‐T2): Dans ce manuscrit, nous avons déposé un revêtement de molybdène par le procédé de projection à flamme fil sur une fonte grise à graphite sphéroïdal pour la protection des organes mécaniques contre la corrosion. Après l’optimisation des paramètres de projection, nous avons obtenu des couches de molybdène de l’ordre de 0,78 mm.  Des tests électrochimiques ont été utilisés pour évaluer le comportement vis‐à‐vis de la corrosion dans un milieu salin NaCl à 32 g/l et acide H2SO4 à 0.1N à la température ambiante. Une caractérisation par microscopie optique, filiation de la microdureté, DRx, profilomètrie  linéaire et enfin, des observations par microscopie électroniques à balayage et une caractérisation par DSC ont été effectuées sur le dépôt de molybdène avant et après corrosion.    Mots  clés :  Revêtement  de molybdène,  projection  flamme  fil,  comportement  électrochimique, fonte grise. 

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Thème 3 : Matériaux diélectriques et polymères 

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Structural properties and phase transitions in KNbO3 based  Ceramics  

L. Taïbi‐Benziada*, Z. Ladjeroud  Faculty of Chemistry, U.S.T.H.B., P.O. Box 32 El‐Alia, 16024 Bab‐Ezzouar, Algiers, Algeria.  

E‐mail: [email protected]   

Abstract (O 01‐T3): Ferroelectrics ABO3 with the perovskite‐type structure and their solid solutions are of considerable importance for technological applications [1‐4]. Nowadays, ABO3 ceramics become the "heart" of smart  systems  in  many  electronic  devices  with  high  level  of  intelligence.  Up  to  now,  lead‐containing materials such as PbTiO3, Pb(Zr,Ti)O3 or PZT and Pb(Mg,Nb)O3 or PMN have dominated the market of electronics  [5, 6]. Nevertheless,  lead  (Pb)  is known  to be  toxic and may  seriously affect human health and natural environment. Therefore, extensive research  is actually oriented towards the replacement of  lead‐based ceramics with  lead‐free materials. Alkaline niobates and, in particular, potassium niobate KNbO3 and  its  solid  solutions have been  found  to be  the most promising lead‐free ferroelectric compounds [7, 8]. In this study, we report the effect of 20 mol. % of KMgF3 on the structural properties and phase transitions in KNbO3. KNbO3 and KMgF3 powders were prepared by solid state reaction at 850 and 700 °C, respectively. 80 mol. % of KNbO3 were then mixed with 20 mol. % of KMgF3 and dry‐ground in a glove box. This powder mixture was pressed into pellets and the tablets were sintered at 900 °C for 15 h in gold sealed tubes under dry helium. The obtained oxifluoride K(Nb0.8Mg0.2)O2.4F0.6 was  investigated by X‐ray  diffraction  (XRD),  differential  scanning  calorimetry  (DSC)  and  dielectric  measurements performed in a wide temperature range (200‐800 K). Like KNbO3, the prepared oxifluoride  is orthorhombic at room temperature and undergoes three phase transitions corresponding to various structural changes. These ones occur at T1 = 293 K, T2 = 448 K and TC = 544 K, respectively. The ferroelectric Curie temperature of the fluorinated ceramic (TC = 544 K)  is much  lower than that of pure potassium niobate (TC = 708 K). A maximum of the dielectric permittivity ε of about 1800 and a dissipation factor tanδ of 43 % are observed at TC. The ceramic K(Nb0.8Mg0.2)O2.4F0.6 could be of interest for electromechanical conversion in piezoelectric devices owing to its high values of TC and tanδ.  References : [1] C. Buchal, M. Siegert: Integr. Ferroelectrics Vol. 35 (2001), p. 1 [2] D.H. Yoon, B.I. Lee: J. Eur. Ceram. Soc. Vol. 24 (2004), p. 753 [3] J.F. Scott:  Mater. Sci. Eng. B Vol. 120 (2005), p. 6 [4] Y. Higuchi, Y. Sugimoto, J. Harada, H. Tamura : J. Eur. Ceram. Soc. Vol.  27 (2007), p. 2785 [5] S.Y. Chu, T.Y. Chen: IEEE Trans. Ultras. Ferroelectri. Freq. Contr. Vol. 51 (2004), p. 663 [6] N.R.  Harris, M.  Hill,  R.  Torah,  R.  Towsend,  S.P.  Beeby,  N.M. White,  G.  Ding:  Sensors  and Actuators A Vol. 132 (2006), p. 311 [7] K. Singh, V. Lingwal, S.C. Bhatt, N.S. Panwar, B.S. Semwal: Materials Research Bulletin Vol. 36 (2001), p. 2365 [8] E. Ringaard, T. Wurlitzer: J. Eur. Ceram. Soc. Vol. 25 (2005), p. 2701  

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Propriétés physiques de nouveaux verres à anions mixtes   

T. Djouama1, M. Poulain2, O. Mébarki1 1 Laboratoire de Chimie appliquée, Université Mohamed Khider Biskra, 07000, Algérie 

2 Sciences Chimiques, Université de Rennes1, Campus de Beaulieu, 35042 Rennes Cedex , France E‐mail: [email protected] 

 Résumé  (O 02‐T3): 

Une nouvelle famille  de verres fluorophosphatés  dans la série (80‐x)NaPO3 ‐ x MnF2 ‐ 20ZnF2 a    été  synthétisée  et  caractérisée.    x  représente  la  fraction molaire  en  fluorure de manganèse contenue dans le verre étudié : (0  ≥ x  ≤ 60 % molaire).  

Des échantillons de 5 mm d’épaisseur ont été obtenus. Ces verres ont une couleur  rose et présentent  une  bonne  stabilité  thermique  vis‐à‐vis  de  la  recristallisation.  Leurs  propriétés thermiques, mécaniques, optiques (Tg, ρ, E, Hv et  nD) ont été déterminées et sont corrélées à la nature du cation  incorporé.        Une  étude  magnétique  leur  a  été  consacrée  et  montre  que  leur  comportement  est paramagnétique  entre  3  K  et  la  température  ambiante.  En  outre,  ces  verres  adoptent  un comportement  antiferromagnétique  lors  de  la  substitution MnF2/NaPO3,  et  la  température  de Curie paramagnétique varie linéairement avec cette substitution.  Dans  le  moyen  IR,  ces  verres  transmettent  entre  60‐80%  et  la  longueur  d’onde  de  coupure caractéristique des vibrateurs du réseau (tétraèdres PO4)

   se situe à environ 4,5 µm.   Mots clés : Verres fluorophosphates, DSC, température de transition vitreuse, densité, module de Young, micro‐dureté, susceptibilité magnétique, propriétés optiques.  Références :   [1] T. Djouama, A. Boutarfaia, M. Poulain,  Optoelectronic and Adv. Mat.‐ Rapid Comm., 1, 122 (2007). [2] J. Guery, G. Courbion and C. Jacoboni, Rev. Chim. Minérale, 21, 784 (1984). [3]  F.  Gan,  Y.  Jiang  &  F.  Jiang,  “Formation  and  structure  of  aluminium  phosphate  (Al(PO3)3)‐containing fluorophosphate glass”, J. Non. Cryst. Solids., 52 (1‐3), 263‐73.  (1982). [4] G. Poirier, M. Poulain, Y. Messaddeq, S. J. L Ribeiro ; “New tungstate fluorophosphate glasses”; J. Non‐Cryst. Solids 351, 293. [5] M  A  Bunuel,  R  Alcala  and  R  Casesy;  “Optical  study  of Mn2+    ions  environments  in  fluoro hlorozirconate  and  fluorobromozirconate  glasses”;  J.  Phys.:  Condens.  Matter  10,  9343–9358 (1998). 

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Influence de l’adjonction de nanoparticules sur le comportement et la dégradation à température des résines polyesters insaturées. 

 Said SEGHAR, Said AZEM  

Département de Génie mécanique, Université Mouloud MAMMERI de Tizi‐Ouzou. Algérie.  E‐mail : [email protected][email protected] 

 Résumé  (O 03‐T3): 

Les  nanocomposites  constituent  une  nouvelle  classe  de  matériaux  conjuguant  les caractéristiques  d’une  matrice  et  les  propriétés  remarquables  des  renforts  de  tailles manométriques.  De  nombreux  nanocomposites  sont  élaborés  à  partir  d’un  polymère (thermoplastique ou  thermodurcissable) dans  lequel sont dispersées de nanoparticules qui  leurs confèrent des propriétés mécaniques et physiques pouvant élargir leur domaine d’application.  

Au cours de ce travail, nous nous sommes intéressés à l’influence de l’adjonction de deux types de  nanoparticules,  en  l’occurrence  une  argile  naturelle  et  le  graphite,  sur  le  vieillissement thermique de la résine polyester insaturée. 

Les argiles naturelles sont des minerais hydrophiles dont le mélange avec une résine organique n’est pas homogène. La dispersion des nano‐charges dans la résine étant  un paramètre important qui détermine  les propriétés du matériau  final, un  traitement de ces argiles est par conséquent indispensable pour les rendre organophiles. 

Après  caractérisation  par  diffraction  des  rayons  X  (DRX),  il  a  été  constaté  que  l’argile  est constituée  de montmorillonite,  de  composition  chimique  NaMgAlSiO2(OH)H2O, mélangée  à  du Quartz  (SiO2).  Le  traitement  thermique  a  permis  d’éliminer  les  cations  Na+  et  Mg++  de  la montmorillonite pour obtenir   une argile de composition Al2O3.2SiO2.2H2O qui est une variété de la Kaolinite.  

A l’effet de réduire la granulométrie du graphite, celui‐ci a subit un broyage mécanique  à haute énergie à de différentes durées. La morphologie et  la taille des particules utilisées ainsi que  leur dispersion  dans  la  résine  polyester  sont  observées  et mesurées  au microscope  électronique  à balayage (MEB).  

Ensuite,  afin  de  compléter  la  polymérisation  du  nanocomposite  et  réduire  les  contraintes résiduelles induites par le retrait lors du moulage, les éprouvettes élaborées ont été maintenues à une  température de 60°C pendant 24 heures. Dans un premier  temps,  les échantillons ont été analysés  par  dilatométrie  à  température  variable  (jusqu’à  120°C)  pour  enregistrer  l’effet  des charges  sur  la  dilatation  thermique  et  la  température  de  transition  vitreuse.  Dans  un  second temps, des analyses thermogravimétriques ont été effectuées pour suivre  l’évolution de  la perte de  masse  des  échantillons  en  fonction  de  la  température  et  définir  ainsi  la  température  de dégradation des matériaux élaborés. Enfin, le vieillissement de la résine chargée et non chargée a été mis en évidence à l’aide d’une spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier (IRTF). Ainsi, il a été constaté que le graphite atténue le vieillissement du polyester même à faibles proportions, ce qui est amélioré dans le cas des nano‐composites argile/polyester.  

 Mots‐clés  :  Nanoparticules,  nano‐composites,  polymères  chargés,  montmorillonite,  Kaolinite,  dégradation thermique. 

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La détermination de la conductivité statique des matériaux diélectriques par la spectroscopie fréquentielle 

 O. ALLOUANE, A. SOUALMIA 

Laboratoire de Physique des Matériaux, Equipe Spectroscopie Diélectrique, Faculté de physique U.S.T.H.B., B.P32, El‐Alia 16111, Alger 

Email : [email protected][email protected]  Résumé (P 01‐T3): 

Dans  ce  travail,  nous  proposons  une  méthode  fréquentielle  permettant  de  calculer  la permittivité et la conductivité électrique statique des matériaux diélectriques liquides.   

Les  mesures  sont  réalisées  à  l’aide  d’un  analyseur  d’impédance  de  type  HP4191A recouvrant  la gamme de  fréquences de 1MHz à 1GHz. La  technique de mesure est basée sur  le principe d’une excitation par une onde électromagnétique à laquelle répond l’échantillon par une onde  réfléchie  contenant  l’information  nécessaire  sur  les  caractéristiques  diélectriques du matériau étudié. Les résultats obtenus donnent un aperçu sur  le comportement polaire à travers la présence d’un phénomène de relaxation diélectrique. 

La première étape consiste à mesurer  le coefficient de réflexion des échantillons étudiés, puis  on  détermine  deux  paramètres  essentiels  pour  la  caractérisation  diélectrique  tels  que  la permittivité relative complexe et la conductivité électrique.    

 Mots clés : Coefficient de réflexion, permittivité relative complexe, conductivité statique.    

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38 

Les propriétés diélectriques du composite BaTiO3‐Fe2O3 fritté par chauffage micro‐ondes 

 Fayçal Aouadja, M.T. Benlahrache, S. Achour  

Laboratoire des Céramiques, Département de Physique, Faculté des Sciences Exactes, Université Mentouri ‐Constantine, Route d’Ain El Bey, 25000‐ Constantine‐ Algérie. 

Email : [email protected]  

Résumé (P 02‐T3): Les procédés utilisant le chauffage micro‐ondes pour obtenir de hautes températures nécessaires à  la synthèse des phases et à  la densification des céramiques sont peu développés. Pourtant ces techniques de chauffage présentent des spécificités souvent  intéressantes  (cinétique de mise en température,  faible  consommation  d’énergie)  Néanmoins,  les  applications  ne  sont  pas  encore totalement  maîtrisées  et  modélisées.  Dans  la  présente  étude  le  BaTiO3  dopé  à  différents pourcentages de Fe2O3 (07%, 15% et 20% mol) a été synthétisé et fritté par chauffage micro‐ondes à  1200°C  pendant  20 minutes  dans  une  cavité micro‐ondes multimode.  Les  résultats  obtenus propriétés diélectriques et  les phases  formées des céramiques élaborées par cette méthode ont été comparés à ceux obtenus par la méthode conventionnelle. Les mesures de la densité relative on été faites par la méthode Archimède. L’analyse des pastilles frittées par diffraction des RX a été faite à l’aide d’un diffractomètre en utilisant une anticathode (kαCu) à longueur d’onde 1.54056 Å (I = 40 mA et V = 40 KV). Les mesures de constante diélectrique (εr) et l’angle de perte diélectrique tanδ on été réalisée, dans un intervalle de température variant entre 30 et 380 °C pour une fréquence de 1kHz  à l’appareil de mesure RLC mètre (HP 4284A).   Les  résultats  trouvés montrent  que  la  synthèse  et  le  frittage  par micro‐ondes  est  plus  simple, rapide, et d’une énergie efficace en comparaison avec  la  synthèse et  le  frittage par  la méthode conventionnelle,  il a été démontré que  le  traitement par micro‐ondes peut  fritter  les composés BaTiO3‐Fe2O3  avec  des  propriétés mécaniques  et  électrique  améliorées, pour  les  pourcentage élevés de Fe2O3 (15 % et 20 % mol).  Mots clés : chauffage micro‐ondes, BaTiO3‐Fe2O3, propriété diélectrique, phases 

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Etude de l’effet de l’hydratation sur le comportement de la transition vitreuse dans le PLLA 

 I. Bayou, A. Abdallah, Z. Guebaili, N. Benrekaa 

Faculté de Physique, Laboratoire Physique des Matériaux, université des sciences et de la technologie, BP 32 el Alia bab‐ezzouar 16111‐ Alger 

E‐mail : [email protected]  Résumé (P 03‐T3): L’une  des  méthodes  de  préparation  du  biopolymère  dégradable  (polylactic‐acid)  PLLA  est  la dissolution  avec  évaporation  d’un  solvant  organique  suivie  d’une  émulsification  avec  du polyvinylalcol. Cette procédure est en général suivie d’un dégagement d’eau dont la présence peut affecter le comportement thermique du matériau en fonction de l’environnement d’utilisation. En effet, ce matériau est utilisé sous  forme poreuse dans  la greffe osseuse en particulier et dans  le domaine biomédical en général.  Le  travail que nous proposons  s’intègre dans  cette optique.  La transition vitreuse, qui représente l’un des paramètres les plus importants dans la caractérisation d’un polymère,  fait  l’objet de nos  investigations.  L’évolution de  cette grandeur  sera étudiée en fonction de  la contenance en eau par  l’analyse des courants  thermo‐stimulés. L’évolution à des températures plus basses que 37°C sera interprétée par le modèle d’interaction de Lenard‐Jones.   

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Simulation du Processus de Piégeage/ Dépiégeage de Charges dans les Structures MIM à Hauts Champs 

 BELDJILALI ABDESLEM, SAIDI‐AMROUN NADIA, SAIDI MOHAMED, BENDAOUD MOHAMED  

Laboratoire de Physique des Matériaux, Faculté de Physique, USTHB BP 32 El‐Alia, Bab‐Ezzouar, Alger. Fax : 213 021 24 73 44 

E‐mail : [email protected]  Résumé (P 04‐T3): 

Les  polymères  sont  des  matériaux  amorphes  ou  semi  cristallins.  En  raison  de  leurs excellentes propriétés électriques,  ils sont de plus en plus utilisés dans  le domaine de  l’isolation des câbles de  la haute tension pour  le transport de  l’énergie. Le désordre dans ces matériaux se traduit par un chevauchement des bandes de transport avec la bande interdite, ce qui conduit à la formation d’états localisés dans le gap. Selon la nature physique ou chimique des défauts présents dans  le matériau,  des  pièges  ‘accessibles’  aux  électrons  et  aux  trous  sont  créés  à  différentes profondeurs  énergétiques  dans  la  bande  interdite.  L’accumulation  de  la  charge  d’espace (électrons, trous et même des ions) dans le volume du matériau, à cause des sites pièges, conduit à des distorsions importantes du champ électrique interne. Cela rend le phénomène du claquage, qui  devient  de  plus  en  plus  probable,  très  difficile  à  prédire.  A  cet  effet,  la  durée  de fonctionnement  ‘sans danger’ des  câbles de  la haute  tension  se  trouve  ainsi  considérablement réduite. 

Dans  le  but  de mettre  en  évidence  la  charge  d’espace  accumulée  dans  le  polyéthylène naphthalate  (PEN),  la  technique  des  courants  thermiquement  stimulés  (courants  finaux)  a  été utilisée.  Mais  les  mesures  expérimentales,  à  elles  seules,  ne  permettent  pas  de  localiser  et d’accéder à l’effet direct de cette charge d’espace accumulée sur le comportement électrique des matériaux polymères lorsqu’ils sont sous tension continue ou alternative. 

Nous  développons  alors  un modèle  de  simulation  numérique  décrivant  l’évolution  de  la charge d’espace accumulée dans  le volume d’un diélectrique  sous  tension  continue. Ce modèle nous permet de suivre instantanément les distributions spatiales des porteurs de charge libres et piégées (stockées) dans le volume du diélectrique et celle du champ électrique local F(x, t). D’autre part,  le courant de charge total est calculé en vue de comparer  les résultats de  la simulation aux résultats expérimentaux obtenus par des mesures effectuées sur des échantillons de polyéthylène naphtalate. 

Notre objectif est d’étudier, en fonction du temps, le processus du piégeage/dépiégeage des porteurs de charge dans un échantillon de polyéthylène naphtalate pris en sandwich entre deux électrodes métalliques. Nous calculons également  le profil  final du champ électrique  interne qui peut être utilisé pour  alimenter d’autres  simulations, puisque quelque  soit  le  scénario  futur,  le champ électrique local demeure toujours un paramètre important.  Mots clés : Charge d’espace, piégeage, polymères, simulation. 

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Etude de l’effet de la température sur l’évolution de la conductivité électrique en régime continu d’un composite polyester/noir de carbone 

 Yacine CHERFI (1), Redouane HACHICHI (1), Ouiza ALLOUANE (1), Redouane DOUALI (2), 

Nadir BELDJOUDI (1) (1)Laboratoire de Physique Théorique, USTHB, Faculté de Physique, BP 32 El Alia, Bab Ezzouar, Alger 

E‐mail : [email protected]   Résumé (P 05‐T3): Les composites à matrice polymère chargée en noir de carbone trouvent leurs applications  dans plusieurs secteurs industriels. Ils sont utilisés comme électrodes  dans les applications médicales, l’absorption radar, les électrodes anticorrosion, et les dissipateurs d’électricité statique. L’étude de  l’effet de la teneur en noir de carbone sur la conductivité électrique en régime continu de matériaux composites à matrice polyester insaturé, a mis en évidence une transition isolant – conducteur au voisinage d’une concentration en volume de 12.5 % en noir de carbone. Dans ce travail, nous examinons l’effet de la température sur l’évolution de la conductivité de ces composites. Les résultats obtenus sont interprétés en impliquant différents mécanismes de conduction selon des modèles  théoriques appliqués aux systèmes désordonnés dans lesquels la 

conductivité suit une loi de la forme  ( ) ( )[ ]γσσ TTT 00 exp −= , où γ est une constante dépendante de la température et des caractéristiques des grains (leur taille et leur distribution dans le diélectrique).  Mots clés : composite, polymère, agrégats, percolation, conduction.   

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Mise en évidence de l’accumulation de la charge d’espace dans les polymères (PEN) par la mesure des courants finaux 

 N. Belkahla, M. Saidi, N. Saidi‐Amroun, M. Bendaoud 

Laboratoire de Physique des matériaux, Faculté de Physique, USTHB BP 32, El‐Alia 16111 Alger, Algérie. Tél/ Fax : 021 24 73 44 

E‐mail : [email protected][email protected],  [email protected] 

 Résumé (P 06‐T3):  Le présent  travail  s’inscrit dans  le  cadre de  la  contribution  à  l’étude de  la  réponse d’un  film 

polymère  aux  hautes  tensions.  Il  s’agit  du  polyéthylène  naphthalate  (PEN),  qui  est  considéré comme l’un des excellents isolants électriques. Dans le but d’étudier le phénomène de piégeage et de dépiégeage dans ce polymère, nous avons utilisé  la technique des courants finaux qui consiste à chauffer l’échantillon à la fin de la décharge isotherme afin de libérer les charges restées piéger dans des sites privilégiés même après la mise en court‐circuit de l’échantillon. Afin de contrôler le piégeage et/ou le dépiégeage des porteurs de charge, nous avons changé plusieurs paramètres (le champ  électrique,  la  température,  la  vitesse  de  chauffage,  etc.)  au  cours  de  la  charge  et  nous avons vu leur influence sur les courants de décharge non‐isothermes afin d’étudier la cinétique de piégeage et/ou de dépiégeage et de  solliciter un  type particulier de pièges  à  savoir,  les pièges superficiels ou profonds. La plage de variation du champ électrique est entre 40MV/m et  64MV/m et celle de la température est entre la température ambiante et 160°C. Les résultats obtenus ont permis  de montrer  l’évolution  des  courants  de  décharge  finaux,  sous  forme  de  pics,  pour  les différents paramètres étudiés et de visualiser deux températures caractéristiques de l’échantillon, il  s’agit  de  la  température  de  transition  vitreuse  Tg  et  celle  de  la  préfusion  des  cristallites. L’apparition des pics au cours du chauffage de  l’échantillon   montre une  libération d’un nombre important  de  charges  qui  sont  restées  piéger  dans  son  volume même  après  sa mise  en  court circuit.    

 

   

 

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Some dielectric properties of polyesters films used in capacitors  

S. Berdous, N. Saidi‐Amroun, M. Saidi, M. Bendaoud Material Physics Laboratory, Physics Faculty, University of Science and Technology (USTHB), Algiers, Algeria 

E‐mail : [email protected]  

Abstract (P 07‐T3): Thermoplastic  polyesters  are  widely  used  due  to  combination  of  their  physical,  thermal, mechanical and electrical properties combined with satisfactory processing characteristics. Among them,  poly  (ethylene  terephthalate)  (PET)  is mainly  used  in  electrical  or  electronic  and  other engineering  applications,  but  some,  of  its  properties  seem  to  limit  its  development.  This  is particularly the case in electrical engineering where the natural trend is to diminish the insulation size  and  therefore,  to  increase  applied  stresses.  Whatever  the  envisaged  applications, temperature  is  one  of  these  stresses.  To  follow  this  evolution  a  new  polyester,  poly  (ethylene naphthalene‐2,6‐dicarboxylate)  (PEN), has been  synthesise  and  is  considered  as  a  substitute.  In fact,  in the domain of electronics and electrical engineering, PEN  is a new aromatic polyester of the  same  chemical  as PET  from which  it differs only by  the double  aromatic naphthalene  ring, instead of the single phenyl group in PET. PEN has been developed as a dielectric materials in the film form because of its better thermal characteristics, the thermal rating and the glass transition temperature  of  PEN  are  respectively  50°C  and  40°C  higher  than  those  of  PET,  and  radiation withstand, compared to PET and other polymeric dielectrics used in dielectric film fabrication, e.g. polypropylene (PP), as well as the possibility of obtaining films as thin as < 0,9 mm, thereby giving a response to the very demanding requirements of electrical engineering like the  thermal stress in surface mounted technology, the demand of a longer lifetime for electrical devices, and finally the miniaturization of capacitors. The same high temperature properties, allow the use of PEN  for a variety of application like flexible printed circuit boards where it is subjected to high temperature during  soldering  operations.  The  reliability  of  this  equipment  is  strongly  related  on  the morphological  characteristics  of  materials  used  and  the  stresses  applied.  However,  from  an electrical  point  of  view,  little work  has  been  reported  on  its  properties  and  on  their  changes according to the endured stresses. The aim of this work is to investigate the electrical properties of PEN over a wide range of frequency and temperature by means of dielectric relaxation processes. This  investigation  is examined  from measurements of charging and discharging currents  flowing through a film. Compared to PET, this study  is given, to know the structure‐property relationship and to study the effect of external stress on their dielectric behaviour, in order to obtain a deeper knowledge of the performance for engineering applications.   Keywords  : Polyethylene terephthalate; Poly (ethylene‐2,6‐naphthalene dicarboxylate); dielectric properties. 

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Etude de l’effet des conditions de polarisation sur le mode de relaxation principale du PET par courants thermiquement stimulés 

 M.T. Berkane, A. Gourari 

Laboratoire de physique des Matériaux / Equipe matériaux diélectriques Faculté de physique  USTHB ‐ BP 32 El Alia ‐ Bab Ezzouar ‐ Alger – ALGERIE 

E‐mail : [email protected]  

Résumé (P 08‐T3): L’étude  de  l’effet  des  conditions  de  polarisation  par  la méthode  des  courants  thermiquement stimulés (CTS) sur le mode de relaxation principal du PET amorphe, a donné  résultats intéressant. L’influence du champ électrique se traduit par, une augmentation linéaire de l’intensité du mode de relaxation principale (mode  ) ainsi que celle de la polarisation totale de ce pic, confirmant ainsi  le caractère dipolaire de la relaxation. L’élévation de la température de polarisation conduit à une augmentation progressive de l’intensité et de la polarisation qui atteignent un palier de saturation  au  voisinage de  gT  . les énergies d’activation enregistrées, augmentent pour des températures de polarisation inférieures à  CTp °= 70 , puis rejoignent un palier de saturation. Un tel résultat est dû à un processus  thermiquement  activé et  à une distribution du  temps de  relaxation.  Le  temps de polarisation  nécessaire  pour  atteindre  la  saturation  et  de  3min  environs  pour  le  PET.  La température de transition vitreuse   augmente  avec la vitesse de chauffage. Ce résultat confirme la nature cinétique de  la transition vitreuse. Par ailleurs, pour  les mesures calorimétriques (DSC), on  remarque  une  baisse  de  la  température  de  fusion  au  fur  et  à mesure  que  la  vitesse  de chauffage s’élève.  Mots clés : relaxation, transition, PET, DSC, CTS. 

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45 

Determination of optical properties of PMMA and PMA in mid‐infrared region using mechanic molecular 

 N. BERRAHOU, M.O. BENSAID, S. HIADSI 

Laboratory of Electronic Microscopy and Materials Science, Department of Physics‐Faculty of Sciences Oran, (Mohamed Boudiaf), BP 1505 Oran El M’Naouar 31100 Algéria 

E‐Mail: [email protected]  

Abstract (P 09‐T3): PolyMethylMethacrylate and polyMethylAcrylate absorptive polymers serve as the active layer of a new class of photonic devices based on the strong coupling of light and matter. It can be done by comparing  infrared  reflection  with  infrared  transmission measurements  on  the  same  sample. PMMA and PMA amorphous polymers are analyzed using a mechanic molecular  simulation and Kramers‐Kronig relations. The normal mode of vibrations and integrated Intensities are extracted from atomistic simulation using  second  generation  force  field  PCFF.  These  parameters  allow  the  determination  of  the imaginary part k, of the complex refractive  index, N. Using the numerical resolution of Kramers‐Kronig relations, the real part n, can be calculated. The resulting spectrum is compared to spectra coming from spectrometry experimental technique. and simulated absorption spectra. The normal modes are correctly described indicating  The polymer film show accurate agreement between calculated and experimental spectra of the refractive  index  the quality of  the  force  field. Simulation of  spectra  is  shown  to be crucial  for a good  detailed  interpretation  of  the  experimental  spectra  and  the  basis  of  optical  effects  is explained.  Keywords  :  polymethylmethacrylate,  polymethylacrylate,  atomistic  simulation,  kramers‐kronig, refractive index. 

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Etude d’un composite cristal liquide ferroélectrique/ Polymère par spectroscopie diélectrique non linéaire 

 Yacine CHERFI (1), Jamal HEMINE (2) , Redouane DOUALI (3), Abdelylah DAOUDI (4), 

Nadir BELDJOUDI (1), Jean Marc LEBLOND (3), Christian LEGRAND (3) (1)Laboratoire de Physique Théorique, USTHB, Faculté de Physique, BP 32 El Alia, Bab Ezzouar, Alger 

E‐mail : [email protected]  

Résumé  (P 10‐T3): La spectroscopie diélectrique non  linéaire consiste à étudier  la  réponse électrique de matériaux soumis  à  des  champs  électrique  intense.  Dans  ce  cas  le  champ  électrique  et  le  déplacement électrique  ne  sont  plus  proportionnels.  Dans  le  cas  d’un  champ  sinusoïdal,  le  courant  et  le déplacement  électriques  peuvent  être  analysés  comme  étant  la  somme  d’harmoniques introduisant différentes permittivités complexes non linéaires,  ∗

nm,ε  , où  m  et  n sont la puissance du champs électrique et  l’ordre de  l’harmonique respectivement. Nous montrons dans ce travail que certains paramètres physiques comme la polarisation, la viscosité et l’énergie élastique, d’un cristal  liquide  ferroélectrique  dans  la  phase  SmC*,  peuvent  être  obtenus  par  les mesures  des permittivités  ∗

1,1ε   et  ∗3,3ε conformément  à  un  modèle  théorique.  De  nouveaux  résultats  de 

spectroscopie  non  linéaire,  obtenus  dans  le  cas  d’un  composite  cristal  liquide  ferroélectrique stabilisé par un polymère. Ces matériaux  sont obtenus par photo‐ polymérisation.  L’effet de  la phase polymère sur les paramètres physique du cristal liquide ferroélectrique est étudié.    Mots clés : composite, cristal liquide, diélectrique, non linéaire.  

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47 

Comparaison du comportement de la phase amorphe mobile du polyéthylène téréphthalate PET et le polylactic‐acid PLA 

 Z. Guebaili, A. Abdallah, I. Bayou, N. Benrekaa 

Faculté de Physique, Laboratoire Physique des Matériaux, université des sciences et de la technologie, BP 32 el Alia bab‐ezzouar 16111‐ Alger 

E‐mail : [email protected]  Résumé  (P 11‐T3): Le  polyéthylène  téréphathalate  est  l’un  des  matériaux  les  plus  utilisés  dans  le  domaine  de l’emballage alimentaire en raison de ses excellentes propriétés mécaniques optiques et la facilité de sa mise en œuvre. Les polymères tels que le PLA ont suscités un intérêt particulier ces dernières années comme alternative au PET pour  leur biodégradabilité. Ce matériau présente en plus, des propriétés  physiques  comparables  à  ceux  du  PET.  Pour  cette  raison,  et  vu  l’actualité mondiale penchée sur la protection de l’environnement et l’industrie verte, nous avons orienté notre travail vers une  comparaison du  comportement  anélastique de  la phase  amorphe mobile de  ces deux matériaux en  introduisant  le  concept de  fragilité.  Les  caractérisations  sont basées  sur  l’analyse enthalpique différentielle et les courants thermiquement stimulés TSDC.  

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48 

Mesure des paramètres diélectriques du verre (pyrex) en hyperfréquences  par la méthode de perturbation de cavités  

 N. Haïne 

Laboratoire Physique des Matériaux, Faculté de physique USTHB Alger,  Tél: 021 24 73 44….Fax: 021 24 73 44 E‐mail : [email protected] 

 Résumé  (P 12‐T3): 

Les ondes hertziennes sont des vibrations électromagnétiques de fréquences élevées. Les hyperfréquences  « micro‐ondes »  correspondent  à  cette  partie  du  spectre  électromagnétique comprise entre 300 MHz et 300GHz.   Les  hyperfréquences  ont  trouvé  plusieurs  domaines  d’application,  la  télécommunication notamment, dans  le  secteur  industriel  comme  la  fixation de produit de  teinture,  la mesure des dimensions, on trouve aussi les hyperfréquences dans nos maisons, les fours à micro‐ondes.   Ces ondes ont en outre, une application dans le domaine de recherche scientifique, comme la mesure de la constante diélectrique « ε  » et de la conductivité électrique« σ  » des matériaux.     Notre cellule de mesure est une cavité cylindrique métallique, qui    résonne  sur  le mode TM020  dans  la  gamme  de  fréquence  8.5  ‐12.5    GHz.  On  a  utilisé  comme  échantillon  plusieurs capillaires en verre de marque Pyrex,  avec différents rayons et épaisseurs.   La mesure  de  la  constante  diélectrique  complexe  *ε   de  l’échantillon  est  basée  sur  les changements de la fréquence de résonance et du coefficient de qualité de la cavité, qui sont dus à l’introduction de cet échantillon à l’intérieur de la cavité.    La méthode de perturbation a été utilisée pour la 1ère fois par H.A. Bethe et J.Schwinger en 1943 ; leur cavité était une cavité rectangulaire résonnante sur le mode TE106. Cette méthode est applicable  lorsque  le changement des champs électrique et magnétique dû à l’introduction de  l’échantillon est très faible. La carte des champs est supposée  la même avec ou sans échantillon. Dans cette méthode, la variation relative de la fréquence complexe est reliée à la variation relative de  l’énergie emmagasinée dans  la cavité. Un simple calcul permet d’obtenir  les valeurs de la permittivité diélectrique de l’échantillon.    Mots clés : diélectrique, micro‐ondes, perturbation.   

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49 

Effet de l’addition d’une pression partielle d’oxygène aux vapeurs de TMS sur les propriétés électriques de films déposés par plasma microonde 

 M. Kihela, S. Sahlia, A. Zenasnib, P. Raynaudb, Y. Seguib 

aLaboratoire de Microsystèmes et Instrumentation (LMI) Université Mentouri de Constantine‐Algérie. bUniversités de Toulouse ‐ LAPLACE ‐ CNRS, Université Paul Sabatier, 118 Routde Narbonne, 31062 Toulouse cedex – 

France E‐mail: [email protected]  

 Résumé  (P 13‐T3):   Les propriétés diélectriques des  couches minces déposées par plasma déterminent  leurs potentialités d’application dans  les structures  intermétalliques utilisées dans  la  technologie ULSI (Ultra Large Scale Integration). Beaucoup de travaux de recherche sont actuellement menées pour l’étude des propriétés électriques de films diélectriques déposés par plasma et ce,  dans le but est de trouver les paramètres de dépôt le plus adéquats pour élaborer des couches minces ayant des propriétés  diélectriques  comparables  avec  leur  application.  Dans  ce  travail,  des  films  minces diélectriques ont été élaborés par plasma à partir de vapeurs de Tetramethylsilane (TMS) pur ou en  mélange  avec  une  forte  proportion  d’oxygène.  Le  réacteur  de  dépôt  est  de  type  RCER (Résonance  cyclotronique  électronique  répartie)  et  le  plasma  a  été  excité  avec  une  fréquence microonde  de  2.45  GHz.  L’étude  des  propriétés  physico‐chimique  de  ces  films  a montré  que l’introduction d’une forte proportion d’oxygène en mélange avec les vapeurs de TMS conduit à un matériau  à  fort  caractère  inorganique  et  de  type  SiOx  alors  que  les  films  élaborés  à  partir  de molécules de TMS pur ont un caractère polymérique. La caractérisation électrique de ces films à travers l’étude de leurs caractéristiques courant‐tension (caractéristiques I(V)) et capacité‐tension (caractéristiques  C(V)).  La  caractérisation  I(V)  montre  que  la  conduction  dans  tous  les  films déposés est  limitée par  la  formation d’une  charge d’espace. Par ailleurs,  les  films de  type  SiOx (obtenus  à  partir  d’un  précurseur  contenant  une  forte  proportion  d’oxygène)  présentent  des courants  de  fuite  moins  prononcés  comparés  à  ceux  enregistrés  sur  les  films  déposés  avec uniquement du  TMS pur.  L’étude de  l’hystérésis des  courbes C(V)  a  révélé une diminution des charges  libres dans  le film élaboré  lorsque  le taux d’oxygène dans  le précurseur augmente. Cette évolution  a  été  attribuée  à  une  diminution  des  groupements  organiques  au  profit  des groupements inorganiques lorsque la pression d’oxygène dans le mélange précurseur passe de 0 à 90%. 

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50 

Phonon scattering at anharmonic surface   

S .Mokrani   Département de Physique, Faculté des Sciences, Université Mouloud Mammeri, 

BP 17 RP 15000 Tizi‐Ouzou, Algérie.  E‐mail: [email protected] 

 Abstract  (P 14‐T3): 

Low‐dimensional  systems  of  various  natures  and  of  controlled  complex  geometries  are nowadays  available  as  a  result  of  the  development  of  nanotechnologies.  Progress  in  atomic engineering makes  it  possible  today  to  build  arrays  of  atomic  chains by  self‐assembly  epitaxial techniques on suitable vicinal surfaces or substrates,  [1‐3].    It has been shown  that  the physical properties of these systems are very sensitive to the  local environment and the finite size of the system.  It  is well  known  at  present  that  low  dimensional  systems  show  physical  and  chemical properties that are different from their properties in the crystal bulk. 

The  vicinity  of  surfaces  and  interfaces  are  the  most  plausible  locations  of  anharmonicity, because  the atoms placed close  to  them usually have  less neighbours  than  the bulk atoms. The atoms anharmonicity may occur even though the regions away from the extremity or  in the bulk fulfil the conditions of the harmonic approximation. The best example of this  is provided by the grain boundaries, where a  lower coordination of the surface atoms gives them more freedom to move. The cumulative experimental evidence points to surface anharmonicity as responsible  for the  processes  such  as  surface  thermal  expansion,  possible  roughening  transitions,  and  surface melting. The surface phonons have also been found to shift and broaden significantly more than in the bulk.  

    The purpose of the present work is to study theoretically the dynamical properties of detailed simplest  case  represented  by  an  anharmonic  surface  planar  semi‐infinite  quasi‐harmonic monatomic  planar waveguides modeling  discrete microscopic  structures with  nearest  and  next nearest neighbours elastic force constants. This is done in full accordance with Landauer‐Büttiker formalism  [4‐6],  for electron  transport and by use with success  the mathematical  framework of the matching method [7]. We are mainly interested in the calculation of the reflection coefficients of  an  incident  bulk  vibration  wave  at  this  anharmonic  surface.  In  particular  the  calculation concerns  the  evolution  of  the  surface  atoms  relative  vibration  amplitude  as  function  of dimensionless scattering frequency. The model my equally serve for the study of these dynamical properties in macroscopically constructed systems, and it is possible to test the theoretical results via  an  experiment  using  laboratory  scale masses,  binding  springs,    and wave  generators  as  in acoustical studies. 

 Key words : surface and interface, anharmonic defect, theory of scattering  

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51 

 Rupture diélectrique de l’alumine  

Talbi Fatiha1, Lalam Fadila1, et Malec David2 1 Laboratoire de Physique et Chimie Quantique, Université Mouloud Mammeri, Tizi Ouzou 

2 Laplace,Université Paul Sabatier, Toulouse, France E‐mail : [email protected] 

 Résumé  (P 15‐T3): 

L’objectif  de  notre  travail  est  l’étude  des  céramiques  utilisées  pour  isoler  les  puces  des composants de puissance haute  tension.  Il s’agit d’alumines polycristallines  (Al2O3).Ces alumines peuvent  subir  en  fonctionnement  des  fortes  contraintes  électriques  et  thermiques,  pouvant  à terme  conduire  à  la  rupture  diélectrique  du matériau  (claquage)  et  donc  à  la  défaillance  du composant de puissance. Afin d’identifier et de comprendre le mécanisme de cette rupture, nous avons procédé à des mesures expérimentales de cette dernière complétée par des observations microscopiques des échantillons claqués. 

Dans ce papier, nous présentons  les résultats de ces observations microscopiques qui ont montré  la  présence  d’un  canal  se  terminant  par  un  cratère,  sur  chaque  échantillon  claqué. L’évolution  de  la  taille  du  cratère  en  fonction  de  l’épaisseur  de  l’échantillon,  l’influence  de  la nature  des  électrodes  sur  le  cratère  ainsi  que  la  localisation  de  la matière  fondue  tendent  à confirmer l’hypothèse d’un probable claquage mécanique dans ces alumines.  Mots clés : Rupture diélectrique, Alumine, claquage mécanique.   

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52 

                           

Thème 4 : Couches minces et semi-conducteurs

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53 

Croissance de nanostructures de ZnO en fonction de la température.     

Y. BAKHA, M. ZERDALI, M. BOUDERBALA, T. SAHRAOUI, K. BENDIMERAD, S. HAMZAOUI. Laboratoire de Microscopie Electronique et Sciences des Matériaux, Département de physique, Université des Sciences 

et de la Technologie d’Oran Mohamed Boudiaf (U.S.T.O.M.B).  E‐mail : [email protected] 

 Résumé (O 01‐T4) ::  

L’objectif de notre  travail est  la  réalisation des  couches minces de ZnO par voie humide (micro pipetage) à différentes températures.  Le procédé étant d’utiliser l’acétate de zinc dissout dans du méthanol à 0.06 mole/l. 

On remarque par microscopie électronique à balayage une croissance granulaire classique de  not  dépôts  jusqu'à  la  température  (T=480°C),  à  partir  de  500°C  débute  la  formation  des nanostructures ou les nanotubes orientés selon la direction (002). 

Les mesures électriques montrent d’abord une croissance régulière de la résistivité de nos échantillons jusqu'à T = 480°C, à T =500°C nous assistons à une chute brutale de la résistivité d’un ordre  de  grandeur  de  la  résistivité,  ce  qui  laisse  présager  que  nous  sommes  en  présence  d’un phénomène de transition de phase du 1 er ordre.    Mots  clés :  oxyde  de  zinc,  croissance,  transition  de  phase,  nanostructure,  nanotube,  micro pipetage. 

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54 

Capteur de gaz à base d’oxyde de zinc dopé (Al et Cu) et non dopé   

K. BENDIMERAD, M. ZERDALI, M. BOUDERBALA, M. ADNANE, Y. BAKHA, S. HAMZAOUI Laboratoire de Microscopie Electronique et Sciences des Matériaux, Département de physique, Université des Sciences 

et de la Technologie d’Oran Mohamed Boudiaf (U.S.T.O.M.B).  E‐mail : [email protected] 

 Résumé (O 02‐T4) ::  

L’objectif  de  ce  travail  est  la  réalisation  de  capteurs  à gaz  à base  de  couches  minces d’oxyde de zinc  (ZnO) dopées et non dopées, avec un mini  four  intégré (conçu avec une double couche de nickel plus tungstène) sur un wafer de Si poly cristallin, afin de contrôler et de réguler à plus ou moins un degré Celsius (1°C) de précision. 

Nous avons obtenus quatre  types de capteurs : ZnO pur, ZnO dopé Al 1% et 3 % et ZnO dopé Cu 1%. 

Les mesures électriques effectuées sur ses capteurs ont montré  une grande sensibilité au gaz d’éthanol pour celui dopé  Cu (S = 200), une sensibilité moyenne pour le non dopé (S = 50) et une faible sensibilité pour le dopé Al (S = 3). 

L’état  de  surface  observé par  MEB  présente  une  structure  colonnaire  pour  toutes  les couches avec des tailles de grains observées par DRX correspondant à de la taille des colonnes. 

L’échantillon  dopé Cu  présente  des  tailles  de  grains  et  de  colonne  double  de  celle  des autres. 

Cette  sensibilité ne  peut  par  conséquent  pas  être  expliquée  par  l’effet morphologique. L’explication serait dans un effet catalytique du Cu ? Il est à noter que le ZnO dopé Cu est de type p.   Mots clés : capteur de gaz, oxyde de zinc, mini four, sensibilité.    

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55 

Effect of oxygen pressure and substrate type on microstructure and morphology of ZnO thin films 

 S. Lemlikchi1, S. Abdelli‐Messaci1, S. Lafane1, T. Kerdja1, S. Malek1, M. Saad2, A. Guittoum2 

1Advanced technology development centreCité 20 Aout 1956 BP 17 Baba Hassen, Algiers, Algeria 

2The nuclear research centre of Algiers2 Bd Frantz‐Fanon, Algiers, Algeria E‐mail : [email protected][email protected] 

 Abstract (O 03‐T4): Zinc  oxide  (ZnO)  is  a  wide  band  gap  (3.4  eV)  semiconductor.  It  exhibits  good  piezoelectric, photoelectric and optical properties. Hence  it  is an  ideal candidate  to  realize an optical devices such as light emitting diodes, transparent conductive films, solar cell, sensor and surface acoustic wave devices. ZnO thin films and nanostructures have been produced by a wide range of growth techniques,  including  chemical  vapor  deposition  (CVD)  and  physical  vapor  deposition  (PVD). Amongst  these  various  growth methods,  the  pulsed  laser  deposition  (PLD)  has  several  notable advantages. The plasma  induced by PLD  is very energetic,  its mobility can be controlled easily by changing  experimental  parameters  such  as  background  gas  pressure which  is  one  of  the most important parameters influencing film quality. In  the present work, ZnO  thin  films were deposited on Si  (001) and glass  substrates by PLD.   A pulsed KrF excimer  laser with 248 nm wavelength was  focused on ZnO  target with an  incidence angle of 45°. The laser energy density was fixed to 2 J/cm2. The experiments were performed into oxygen atmosphere at a pressure range of 2‐500Pa. The substrates were placed at fixed distance of 30mm from the target surface and their temperature was kept at 300°C. The  structure  of  deposited  films was  characterized  by  X‐ray  diffraction  (XRD).  The  influence  of oxygen background pressure on the crystalline orientation and film anisotropy were investigated. The  oxygen  pressure  plays  an  important  role  in  the  ZnO  film  growth. One  has  found  that  the microstructure,  crystallinity  and  orientation  of  grown  ZnO  films  are  strongly  dependent  on  the oxygen  pressure.  At  low  pressure,  c‐axis  oriented  ZnO  films  were  obtained  on  Si  substrates whereas (103) oriented ZnO were obtained on glass substrates. These different textures might be ascribed  to  the  kinetic  of  atomic  arrangement  during  deposition.    However,  at  high  oxygen pressure, random oriented films were deposited on both silicon and glass substrates.  The morphology  was  characterized  by  scanning  electron microscopy  SEM.  It  is  seen  that  the morphology  is also affected by  the O2 pressure. Honeycomb and  spaghetti  like  structures were obtained  at  2  and  10  Pa  respectively whereas  different  size  and  shape micro‐crystallites were grown at 50 and 500 Pa.   

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56 

Etude des phénomènes physiques intervenant dans la technique Silar   

A. ABDERRAHMANE, M. ADNANE, T. SAHRAOUI, S. HAMZAOUI. Laboratoire de Microscopie Electronique et Sciences des Matériaux, Département de physique, Université des Sciences 

et de la Technologie d’Oran Mohamed Boudiaf (U.S.T.O.M.B).  E‐mail : [email protected] 

 Résumé (P 01‐T4): Le technique SILAR (Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction) est basée sur l’adsorption et la  réaction des  ions contenus dans  les  solutions précurseurs pour  former une couche mince. Le phénomène d’adsorption est un phénomène de surface. Dans ce travail nous étudions la croissance des couches sur différents substrats. On remarque par MEB que  les couches adsorbées sur substrat métallique  tel que  le cuivre adhère plus  fortement que celle déposée sur substrat de verre quelque soit le pH des solutions. La croissance s’effectue sur  les  substrats métalliques alors qu’elle n’a  lieu pour  les  substrats de  verre que pour des pH suffisamment grands. Ce phénomène s’explique par le fait que les charges électriques sur un métal ont la possibilité de ce mouvoir pour réduire au minimum l’énergie d’interaction des ions de la solution avec le métal. Par  contre  pour  le  substrat  diélectrique  (isolant)  cette  possibilité  n’existe  pas  et  l’interaction charge‐substrat  ne  conduit  pas  à  un  minimum  d’énergie.    Mots clés : SILAR, Adsorption, Energie d’interaction, métal, diélectrique. 

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57 

Caractérisation de couches minces de ZnO élaborées par voie électrochimique sur du silicium 

 N. Ait Ahmed1, 2 ; G. Fortas2 ; H.Hammache1 ; S. Sam 2 ; A.Manseri2 ; N. Gabouze2 

1 : Laboratoire d’électrochimie et corrosion, université A.Mira de Bejaia, 06000. 2: U.D.T.S, 2Bd Frantz­Fanon, B.P .140, 7merveilles Algiers, Algeria. 

E‐mail : [email protected] 

 Résumé (P 02‐T4): Le  développement  et  la  caractérisation  de  couches  minces  de  ZnO  est  d’un  grand  intérêt en  raison  de  ses  propriétés  uniques  électriques,  optiques,  qui  le  rend  apte  pour  des applications  dans  différents  domaines,  particulièrement  en  photovoltaïque.  Le  présent travail  est  consacré  à  l’électrodéposition  de  couches  minces  de  ZnO  sur  Silicium  de  type‐n.  Les  dépôts  de  ZnO  ont  été  caractérisés  par  différentes  techniques,  tels  que  la microscopie  électronique  à  balayage  (MEB),  l’analyse  spectroscopie  de  masse  des  ions secondaires  (SIMS)  et  la  diffraction  des  rayons  X  (DRX).  Les  résultats  obtenus  montrent bien  que  la  morphologie,  la  composition  et  la  structure  des  dépôts  de  ZnO  dépendent fortement  des  conditions  de  déposition.  Les  spectres  DRX  confirment  la  présence  de couches  minces  de  ZnO.  L’observation    au  MEB  montre  que  les  films  de  ZnO  sont compactes  et  homogènes.  En  outre,  la  spectroscopie  d’énergie  dispersive  (EDS)  montre l’existance  de  zinc  et  d’oxygène,  résultat  confirmé  par  l’analyse  SIMS  où  le  taux  de  Zn/O obtenu  est  proche  de  l’unité.  Le  spectre  de  transmission  présente  une  valeur  de transmission    proche  de  95%  à  une  longueur  d’onde  de  500  nm.  Ces  résultats  seront  très intéressants pour des applications en photovoltaïques (cellules solaires).  Mots clés : Oxyde de zinc, Electrodéposition, Diffraction, Morphologie, silicium. 

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58 

L’effet du recuit à des très hautes températures d’une couche mince de ZnO déposée par spray pyrolyse pour application photovoltaïque 

 H.BELKHALFA1,2, R.TALA‐IGHIL2, S.SALI2, S.KERMADI2, M.BOUMAOUR2, F.TAYOUR2, F.AIT‐AMAR2 

, Y. SI‐AHMED2 

1LMMC, Université de Boumerdes ; 2 UDTS, Unité de développement de la technologie du silicium, Alger. 

E-mail : kbelkalfa@yaho  

Résumé (P 03‐T4): En raison de la conjugaison de sa grande stabilité avec ses propriétés photoélectriques, l’oxyde de zinc  (ZnO)  s’adapte  bien  pour  différentes  applications  commerciales  telles  que  les  électrodes transparentes,  les  piles  solaires,  les  variances,  les  catalyseurs,  les  dispositifs  électroniques,  les capteurs à gaz… etc.  Ce travail est une étude qui porte sur  la caractérisation de couches minces de ZnO déposées sur des  substrats  de  verre  et  de  silicium  par  projection  pyrolyse  (spray  pyrolyse)  en  utilisant  le chlorure de zinc en tant que précurseur dissout dans  l’eau  (solution de départ); c’est une étude systématique de l’influence  de la température de recuit et des paramètres de dépôt sur la qualité des  couches.  Pour  optimiser  ces  paramètres,  on  a  effectué  différentes  caractérisations.  Les propriétés physiques de ces films ont été étudiées en fonction de la température du substrat Ts, de la concentration du précurseur (molarité) et de la température de recuit . L’analyse par diffraction de rayon X (DRX) a confirmé que les couches sont cristallins préférentiellement orientés suivant les plans (002) perpendiculaire à la surface du substrat. La spectrophotométrie UV visible de ces films confirme qu’il est possible d’obtenir de bons films transparents de ZnO avec une transmittance de 85 % environ dans la région du visible. Ces films ont également un gap optique entre 3,2 et 3,5 eV selon  les paramètres de dépôt. Les mesures électriques ont été effectuée aussi et ont donné des résistivités de l’ordre de < 10 Ω.cm.   Mots‐clés : ZnO, couches minces, spray pyrolyse, recuit.   

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Effet de recuit isotherme sur les transistors MOSFET irradiés : vue par OTCP  

A. Benabdelmoumen, B. Djezzar, H. Tahi, R. Serhane Équipe de Recherche : Caractérisation des Dispositifs à Semi‐conducteurs ‘CDS’. Division Microélectronique et 

Nanotechnologie ‘DMN’.  Centre de Développement des Technologies Avancées CDTA Cité du 20 août 1956, Baba Hassen, BP n°17, Alger. 

E‐mail: abenabdelmoumen, [email protected] @cdta.dz, [email protected][email protected]  Résumé (P 04‐T4): 

Le présent travail porte sur  l’étude de  l’effet de recuit  isotherme des transistors MOSFET (de type NMOS) sur les caractéristiques et les paramètres électriques de ce dernier. Ces transistors sont fabriqués sur  la même structure de teste (chip) par  le procédé technologique conventionnel CMOS 1µm par ISiT ( Institute for Silicon technology) à Fraunhofer en Allemagne, la caractérisation est  effectuée  sur  plusieurs  transistors  ayant  des  rapports  géométriques  (W/L  de  la  grille) différents. Dans  le but d’étudier  l’effet d’irradiation et de  recuit  thermique, nous  avons  irradié notre structure par une source de rayonnement gamma (60Co) à une dose de 1.5 Mrad.  

Une série successive des recuits isothermes est effectuée à 100°C sur la structure de teste afin d’obtenir une durée totale de recuit de 300 heures. Les caractéristiques électriques courant‐tension (Ids(Vgs) et Ids(Vds) ) sont d’abord mesurés à l’état vierge (avant irradiation) et l’état irradié (après irradiation). D’autres caractérisations sont effectuées après chaque opération de recuit. Des mesures de courant de pompage de charge ont  fait  l’objet de cette étude. Ces mesures ont été réalisées  sur  un  banc  de  caractérisation  qu’est  un  testeur  sous  pointes  de  régulation manuel (modèle Karl‐sus AP4 Prober).  Des méthodes d’extraction des densités des charges induites par irradiation ont été appliquées sur les  différentes  caractéristiques  obtenues.  Les méthodes  d’extraction  appliqués  sur  les mesures courant tension sont la sub‐ThreShold Slop (STS) et la Mid Gap (MG) ainsi que la méthode Oxide‐Trap based on Charge‐Pumping (OTCP) appliqué sur les mesures de pompage de charage. A partir des  ces méthodes nous  avons pu déterminer  les densités des  charges  induites par  l’irradiation dans l’oxyde ΔNot, dans l’interface ΔNit et près de l’interface ΔNbt et de suivre leur évolution en fonction de temps de recuit. Nous avons pu également suivre l’évolution de la dérive de la tension de  seuil  ΔVth  en  fonction  de  temps  de  recuit.  L’évolution  des  ces  paramètres  électriques déterminés par ces méthodes d’extraction ont montré une certaine conformité entre eux et avec celle trouvé dans la littérature. 

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Propriétés physiques de couches minces de ZnO déposées par  pulvérisation cathodique en continu 

 A. Boughalout1, A. Brighet1, R. Cherfi1, N. Zebbar1, M. Siad2, M. Kechouane1 

1Equipe Couches Minces et Semiconducteurs, Laboratoire de Physique des Matériaux, USTHB, Faculté de Physique, BP 32 El Alia, Alger, Algérie  

2Centre de Recherche Nucléaire d‟Alger, 2 Bd F. Fanon BP140 Alger‐7 merveilles 16200, Alger Algérie  E‐mail :[email protected][email protected]  

 Résumé (P 05‐T4): 

L'oxyde de zinc  (ZnO) Comme conducteur transparent a reçu une grande attention au cours des 

dernières  années.  En  effet,  nous  trouvons  ce  matériau  dans  différentes  technologies :  le 

photovoltaïque, microélectronique, les capteurs de gaz. 

Le ZnO peut être déposé par une multitude de techniques telles que  la pulvérisation cathodique 

en RF, DC ou DC magnétron, par  laser pulsé, par épitaxie par  jets moléculaires et bien d’autres 

méthodes  [2‐5].  Les  propriétés  de  ce  matériau  (structurale,  optique  et  électrique)  sont 

extrêmement liées à la technique de dépôt utilisée et aussi aux paramètres de dépôt.  

Dans le cadre de ce travail, nous avons déposé des couches minces de ZnO par pulvérisation d'une 

cible métallique de Zinc en utilisant un plasma d’un mélange de gaz (argon, oxygène) à 100°C. La 

pression totale des  gaz a était maintenue constant à 100 Pa. 

Les  couches minces de ZnO ont été déposées  sur des  substrats de  silicium monocristallin et de 

verre  Corning.  Ces  échantillons  sont  caractérisés  par  la  transmission  optique,  l'absorption 

infrarouge,  la  diffraction  des  rayons  X  (XRD),  la microscopie  électronique  à  balayage  (MEB),  la 

spectrométrie de rétrodiffusion Rutherford (RBS) et par les mesures de conductivité électrique. 

Ces  différentes  caractérisations  montrent,  entre  autres,  que  la  vitesse  de  dépôt  et  la 

stœchiométrie des couches sont fortement dépendantes de la teneur en oxygène dans la chambre 

de dépôt. Elles montrent aussi que  la transmission optique est très élevée (plus de 80%) dans  la 

gamme de  longueurs d’ondes située entre 400nm et 2500 nm. Les mesures DRX montrent à  leur 

tour que la structure cristalline de nos couches révèlent une phase cristalline hexagonal avec des 

paramètres de maille a = 3,2530 Å Et C = 5.2110 Å. 

 

Mots‐clés : ZnO, couches minces, pulvérisation cathodique, recuit.   

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Comparison of properties between ZnO thin films prepared from different targets by R.F magnetron sputtering 

 Y.Bouznit1, Y.Beggah1, K. Djessas2, M.S.Aida3, F.Chouikh1, F.Ynineb3 

1 LEM, Faculté de science de l’ingénieur université de Jijel 18000 Algérie. 2 LMEPS, Université de Perpignan, 52, avenue Paul Alduy, 66860 Perpignan Cedex, France 

3 LCMI, Faculté des sciences, université de Constantine 25000 Algérie. E‐mail : [email protected] 

 Abstract (P 06‐T4): Zinc oxide thin films were deposited by a r.f. magnetron sputtering using a zinc oxide targets. The first  type of  those  targets  is a product of NEYCOO Company whereas  the  second  type  it comes from aerogel nanopowders prepared by sol–gel technique for the first time [1].  In  this  study  and for the two type of targets, we consider the undoped Zinc oxyde and the 2%. Al‐doped ZnO. The depositions from different targets were carried with and without reactive oxygen gas at ambient temperature under optimized conditions  (argon‐oxygen gas  flow  ratio,  target‐substrate distance etc…)  to  give  good  quality  films  suitable  for  transparent  electrodes.  The  obtained  films were characterized  and  analyzed  by  X‐ray  diffraction  (XRD)  and  ultraviolet–visible  and  infrared  light spectrophotometer.  It was found that the origin of target had a great influence on the structural, electrical and optical properties of ZnO thin films. All films showed a hexagonal wurtzite structure and high preferential orientation in the (002) crystallographic direction. The grain size has been derived from the FWHM of the (002)‐peak according to the Scherer‐formula.  The transmittance of all films was higher than 80% in the visible wavelength spectrum with a sharp fundamental absorption edge.  Reference :  [1] Z. Ben Ayadi, L. El Mir, K. Djessas and S. Alaya, Materials Science and Engineering C 28 (2008) 613–617  Keywords : Tin film‐ZnO – RF sputtering – XRD‐ Optical gap. 

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Structural, optical and electrical properties of a‐Si1‐xCx:H films synthesized by DC‐magnetron co‐sputtering technique 

 A. Brigheta, M. Kechouanea, A. Keffousb, A. Cherietb, Y. Belkacemb, H. Menarib, T. Kerdjac, L. 

Guerbousd, A. Boukezzatab a Laboratoire de Physique des Matériaux, USTHB, Faculté de Physique, BP 32 El Alia, Alger, Algeria 

b Division Couches Minces et Applications, UDTS, 2 Bd, Frantz Fanon, BP. 140 Alger 7 merveilles, Alger, Algeria c Division Milieux Ionisés, Centre de Développement des Technologies Avancées, B.P. 17 Baba Hassen, Alger, Algeria  

d Centre de Recherche Nucléaire d’Alger, 2 Bd Frantz Fanon BP399, Alger Gare, Algeria  E‐mail: [email protected][email protected] 

 Abstract (P 07‐T4): Due  to  its  excellent  physical  and  electrical  properties which make  SiC  suitable  for  high  power, frequency  and  temperature  applications  as well  as optoelectronic devices  [1,2], however  there exist many difficulties in the crystal growth of SiC. A number of methods including chemical vapour deposition  (CVD),  plasma‐enhanced  CVD  (PECVD),  reactive  magnetron  sputtering  (RMS)  and pulsed  laser deposition  (PLD) have been used  to produce SiC  layers  [3].  In  this contribution, SiC layers were fabricated  in DC magnetron sputtering system on corning glass and p type Si(100)by co‐sputtering  of  intrinsic  silicon  as  target  coated  by    10  x  5  mm2  sprigs    (32  sprigs)  of polycrystalline 6H‐SiC in argon and hydrogen plasma mixture. The a‐Si1‐xCx:H thin films have been characterized by UV‐Visible‐IR  spectrophotometry,  Fourier  transform  infrared  spectroscopy  (FT‐IR),  X‐Ray  diffraction,  secondary  ions  mass  spectrometry  (SIMS),  electrical  conductivity measurements and photoluminescence (PL). The band gap energy values of a‐SiC:H films, for thicknesses ranging from 0.18 to 2.5 µm, increases until to reach a constant value around 2.70 eV. This behaviour was observed as well  in undoped material as  in doped a‐Si:H, and can be explained by  the  influence of hydrogen bonding on  the valence band edge through the transforming of Si‐Si weak bonds to Si‐C bonds those correspond to the deep energetic levels in valence band.  FT‐IR measurements clearly evidenced  the absorption bands at around 660, 769 and 1108 cm‐1, which correspond to Si‐C transitional phase (Si1‐xCx alloys, x < 0.5), SiC transverse optical phonons and  Si‐O  stretching  vibration,  respectively.  The  Si‐C  absorption  band  is  shifted  to  higher wave number  than  those  for  the  6H‐SiC  phonon  mode  (located  at  780  cm‐1).  The  peak  shift  was attributed to the size effects of the precipitates.  XRD results showed that the growth layer was amorphous until they were annealed at 400 °C and SIMS data revealed a structure as a‐Si0.75C0.25:H corresponding to 25 % at. Carbon; confirmed by the elementary chemical analysis (EDX). Photoluminescence spectra of the samples were observed in  the  visible  range at  room  temperature with  two peaks  centred  at 470 nm  and 550 nm.  The origin of the PL was discussed.  Photoluminescence  spectra  of  the  samples  were  observed  in  the  visible  range  at  room temperature with two peaks centred at 470 and 550 nm. The origin of the PL was discussed.  [1] RM  Bayazitov,  IB  Khaibullin,  RI  Batalov,  RM  Nurutdinov,  LKh  Antonova,  VP  Aksenov,  GN Mikhailova, Nucl. Instrum. Methods, Phys. Res. B 206 (2003) 984. [2] Naseem Shahzad, Yasin Shazia, J. Mater. Sci. Technol. 13 (1997) 499. [3] A. Keffous, K. Bourenane, M. Kechouane, N. Gabouze, T. Kerdja, Vacuum 81 (2007) 632.  Keywords: a‐SiC:H, DC magnetron sputtering, , physical properties 

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 Etude d’un contact métallique sérigraphique déposé sur silicium monocristallin et multicristallin pour application photovoltaïque 

 F. CHELLI1, R. TALA‐IGHIL2, S. SALI2, S. OUSSALAH3, M. BOUMAOUR2, F. TAYOUR2, Y. SI‐AHMED2 

1 LMMC, Université de Boumerdes 2 UDTS, Unité de développement de la technologie du silicium, Alger 3 CDTA, Centre de développement des technologies avancées, Alger 

E‐mail : [email protected]  Résumé (P 08‐T4): Le photovoltaïque se présente comme l’alternative possible aux énergies développées jusqu’à lors pour sites  isolés. Son caractère non polluant et  illimité  fait de  l’énergie solaire un candidat  idéal pour les années à venir. Si elle répond de manière parfaite aux critères « écologiques » exigés, en revanche  le  prix  de  revient  actuel  du  kilowattheure  la  rend  prohibitive  pour  de  nombreuses applications et de fait, empêche son essor  industriel. Afin d’inverser  la tendance,  les recherches, dans ce domaine, jonglent entre les notions de rendement et prix de revient pour lui assurer une compétitivité future.    La connectique reste un des facteurs limitant le rendement de conversion. A partir de la technique de sérigraphie utilisée en industrie pour réaliser ces contacts, la composition des pâtes déposées, les  traitements  thermiques  sont  autant  de  points  sensibles  dans  l’élaboration  d’une  cellule photovoltaïque. Ce  travail  a  pour  but  de  caractériser  la  qualité  des  contacts  des  faces  avant.  Le  terme  qualité désigne  ici  non  seulement  les  propriétés  de  l’encre  métallique  dans  son  volume,  mais  juge également de  l’interface  créé par  ce  contact avec  le  silicium. Au  travers de  leur  caractérisation microscopique,  notre  objectif  est  d’expliquer  un  comportement macroscopique.  Ce  travail  est donc une étude de matériaux, au respect des propriétés électriques de l’ensemble.  Mots  clés :  cellules  solaires,  contact  métal‐semi  conducteur,  microscopie,  morphologie, caractérisation I(V). 

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Effects of Aluminium and Bismuth incorporation on the structural and optical properties of ZnO thin films synthesized by spray pyrolysis. 

 F.Chouikh1, Y.Beggeh1, M.S.Aida2, Y.Bouznit1, F.Ynineb2 et A. Hafdallah2.  

LEM(1), faculté des Sciences de l’ingénieur, Université de Jijel 18000, Algérie.  LCMI(2), faculté des sciences, université Mentouri, Constantine25000, Algérie .    

E‐mail : [email protected]  Abstract (P 09‐T4): Effects of Al and Bi doped ZnO thin films synthesized by spray pyrolysis technique on the structural and optical properties have been studied. The concentration ratio of [Al]/[Zn] and [Bi]/[Zn] varied  from   1  to 3 %mol. The  films  thicknesse was  found  in  the  range 900‐1100 nm. X‐ray diffraction analysis  indicates that the films doped with Al using aluminium chloride (AlCl3.H2O) has a textured structure with  (002) preferred orientation, however, ZnO doped Bi  films exhibit  (100)   preferred orientation  .The  grain  size  calculated  by  Debye‐Scherer  formula  increases  with  the  Al concentration when    it decreases with  that of Bismuth. The average optical  transmittance of all films, regardless the type and concentration doping, was higher than 80% in the visible range, the values  of  optical  direct  band  gap  and  disorder  energy(Urbach  energy) were  deduced  from  the absorption spectra.     Keywords : ZnO; spray pyrolysis; XRD; Urbach energy.  

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Electrical properties of reactively sputtered carbon nitride films as a function of nitrogen incorporation 

  

N.E. Derradjia, P.Y. Tessierb, L. Mahdjoubi

a,M.T. Kadria, H. Belkhir 

(a) LESIMS, Département de physique, Université Badji Mokhtar, BP12, El Hadjar(Annaba) (b) LPCM, IMN, UMR6502‐CNRS, Université de Nantes, 44322 Nantes Cedex 

E‐mail : [email protected]  Abstract (P 10‐T4):  Amorphous  carbon  nitride  (a‐CN

x)  thin  films  have  been  synthesized  by  rf  reactive magnetron 

sputtering  of  a  graphite  target  in  a Ar/N2  gas mixture.  The  electrical  conductivity  of  films was 

studied  as  a  function  of  temperature  between  80K  and  400K.  The  conductivity  increases with increasing nitrogen  content and also with  temperature  indicating  that  the  films present a  semi conducting behaviour, whereas there is a strong decrease in σ at nitrogen content higher than 13 at %. The temperature dependence evolutions was thermally activated and suggest the presence of  two  types  of  conduction  associated  with  two  different  activation  energies.  Chemical composition  and  C‐N  bonds was  investigated  by  XPS  (X‐Ray  Photoelectron  Spectroscopy).  The results, related to the core  level C1s and N1s, show the structural change. The  increasing (π*/σ*) ratio  calculated  from  EELS  spectra  vs.  the N  content  (  0.1  at  0  at %.N  and  0.15  at  28  at %N)  suggests  that,  around  C  and  N  atoms,  the  number  of  π  bonds  related  to  sp2  and  sp  orbital, increases on the detriment of the number of σ bond , related to the sp. The conductivity variation was  interpreted within the  limits of the band structure model of the π electrons  in a disordered carbon with the presence of localized states.   Keys words : Carbon, Nitride, Bonding, Sputtering, conductivity 

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Application de microparticules de silicium poreux pour la détection  N.GHELLAI*, A. CHIALI*, A. KERMAD*, S.M.CHABANE‐SARI* N.E.CHABANE‐SARI*, N. ZOUADI** N. 

GABOUZE**. *Unité de recherche des Matériaux et des Energies renouvelables (U.R.M.E.R) Université  Abou –Baker Belkaid B.p : 119  

TLEMCEN 13000 ALGERIE Tel/Fax: 043.  21.  58.  90 & 89 ** Unité De Développement De La Technologie Du SiliciumUDTS, BP 399, Alger, Algerie. 

E‐mail: [email protected]  

Résumé (P 11‐T4): L’amélioration de la vie courante sur le plan de la santé humaine et de l’environnement est une préoccupation sociétale prioritaire. La détection de composés chimiques et/ou biologiques dans l’air ou dans l’eau suscite par conséquent un grand intérêt et couvre un champ d’application très vaste. Les particules de taille micrométrique de silicium poreux sont « encodées » optiquement et peuvent être « programmées » chimiquement pour accomplir des tâches telles que la détection de composés chimiques ou biologiques. Ces particules peuvent être utilisées dans différents domaines comme la médecine, la surveillance de la pollution ou la détection de risques biologiques (bioterrorisme).  Mots clés : Silicium poreux ; détection ; capteur chimique et biochimique ; pollution .  

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1 micron CMOS Process Simulation  

Fayçal Hadj Larbi, Rafik Serhane Abderrazak Smatti Équipe de Recherche : Caractérisation des Dispositifs à Semi‐conducteurs ‘CDS’. Division Microélectronique et 

Nanotechnologie ‘DMN’. Centre de Développement des Technologies Avancées CDTA Cité du 20 août 1956, Baba Hassen, BP n°17, Alger. 

E‐mail: fhadjlarbi, [email protected] @cdta.dz , [email protected]  Résumé (P 12‐T4): 

Durant  les  dernières  décennies,  la  robustesse  des  machines  de  calcul  a  permit  à  la simulation numérique d’être  largement et  intensivement utilisée comme une étape préliminaire indispensable avant de passer à une réalisation pratique de n’importe quel procédé technologique et de son optimisation dans le but d’éviter des essais trop coûteux et des erreurs de procédure. 

Dans le cadre du transfert technologique du procédé CMOS 1µm à double caisson (Double Poly n+ doped, Double Metal) de  l’institut Allemand  ISiT au CDTA d’Alger, nous nous  intéressons, dans  ce  travail,  tout  particulièrement  à  la  simulation  de  ce  procédé  avec  les  outils  de  TCAD (Technology Computer Aided Design) de SILVACO. Nous nous limitons dans la présente simulation au cas d’un seul niveau de poly‐silicium et un seul niveau de métal. Le procédé utilise un substrat de dopage de type P, contient 14 étapes de lithographie et fait appel à 12 masques. 

Nous  traitons  ici  le  cas du module ATHENA des outils TCAD permettant  la  simulation de toutes  les étapes technologiques (oxydation et recuit thermiques,  implantation  ionique, dépôt et gravure des couches de matériaux)  rencontrées  lors de  la  fabrication des dispositifs électriques. Nous présenterons les résultats obtenus par simulation des étapes du procédé.  Mots clés : Procédé CMOS, Simulation, Outils TCAD.      

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Effect of annealing on structural and optical properties of indium‐tin‐oxyde thin films 

 F. HADJERSI, L. KERKACHE  

Faculté des sciences, département de Physique, Université Ferhat Abbas, Sétif 19000, ALGERIA   E‐mail: [email protected] 

 Abstract (P 13‐T4): Transparent  conducting  indium  tin oxide  (ITO)  thin  films were  prepared  on  glass  substrates  by radio frequency (r.f.) sputtering system with high density target (90wt. In2O3 and 10 wt. %SnO2). X‐ray  diffraction  (XRD)  and  Scanning  Electron Microscopy  (SEM)  experiments were  performed  to study the structure and the surface morphology of these samples. The results shows that the as‐deposited ITO thin films have a <111> texture. The lattice parameters are found to be larger than the bulk value, indicating that the samples are under a tensile stress. The grain size increases with increasing  thickness.  SEM  images  show  a  dense  granular  structure with  grains  having  different shapes and sizes. After deposition,  the samples have been annealed  in  the air at  temperature T =400  °C  . We  found  that  the <111>  texture becomes  stronger after  the annealing  treatment. A large increase of the grain size with increasing T is observed. The lattice constant decreases with T to become closer  to  the bulk value,  i.e. annealing seems  to  relieve  the stress present  in  the as‐deposited  films.  In  the  as‐deposited  films,  the  transmission  is  greater  than  80%  in  the  visible region. The  refractive  index n values are  found  to be  in  the 1.7  to 1.9  range. The energy gap  is found to depend on the ppo, the values are between 3.60 and 3.77eV. 

All the results will be discussed and correlated.  

Keywords : ITO thin films, RF sputtering, X‐ray diffraction, Optical properties  

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Characterization of solution grown nanostructured lead sulphide thin films   

Samira Kaci, Aissa keffous Unité de Développement de la Technologie du Silicium (UDTS), Division des Couches Minces et Applications, 02, Bd 

Frantz Fanon, BP 399 Alger, Alger Gare, Algérie. E‐mail : [email protected] 

 Résumé (P 14‐T4): 

PbS is well‐known semiconductor compound with very good photoconductive properties in the infrared (IR) domain (800‐3000 nm). Since the mid 1940s, it has mainly been used in fields such as  IR  detectors  and  photography.  Recently  PbS  has  found  application  in  photonic  and  optical switch  devices  and  in  dye‐sensitized,  thin  film  and  organic  solar  cells  because  of  size‐tuneable properties. Bulk PbS has a direct band gap of 0.42 eV which  is too  low for optimal application  in solar cells. However the fundamental band gap of semiconductor like PbS is very sensitive to finite size effects. Therefore, by varying  the  size and  shape  from bulk material  to nano‐particles,  it  is possible to change the optical band gap from about 0.286 eV up to 2.8 or 5.2 eV, which is suitable for solar cell production.  

In this work, nano‐crystalline  lead sulphide  (PbS) thin  films have been deposited on glass and on Si (111) single crystal substrates (fig. 1) via a simple one‐step and spontaneous reaction of Pb(CH3COO)2  and  CS(NH2)2,  in  aqueous  NaOH  solution,  at  room  temperature.  The  structural, morphological, optical and electrical properties were characterized. PbS nanoparticles were found to  be  preferentially  oriented  along  the  (200)  plane.  The  Seebeck  measurements  at  room temperature show that the conduction  is p type for PbS thin films as grown. An absorption peak centred at 470 nm  (fig. 2), which  shifts  towards  short wavelength  compared with  the bulk PbS indicated  a  profound  blue‐shift  in  the  absorption  as  a  consequence  of  strong  quantum confinement. The optical band gap of 1.56 eV associated with this excitonic peak might be well‐ suited for solar photovoltaic cells applications.   

  References : [1] Biancardo M., Krebs F. C., Solar Energy Material & Solar Cells, 91, 2007, 1755‐1762. [2] Y. J. Yang, Materials Science & Engineering, B, 131, 2006, 200‐202.   Keywords: PbS thin films, Chemical bath deposition, nanocrystals 

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Caractérisation électrique et physico‐chimique des plaquettes de silicium multicristallin (Si‐MC) et effet du gettering par diffusion de phosphore sur les 

impuretés de chrome   

N. Khelifati, D. Bouhafs U.D.T.S/Division Cellules et Modules Photovoltaïques. 2, Bd. Frantz Fanon, les sept merveilles B.P.140, Algiers, Algeria 

E‐mail : [email protected]  Résumé (P 15‐T4): Dans ce travail, nous avons caractérisé des plaquettes de silicium multicristallin (Si‐mc) de type‐p et d’une résistivité de  l’ordre de 1 Ω.cm, élaboré par  la méthode HEM (Heat Exchange Method). Les plaquettes utilisées sont voisines et découpées du milieu de  lingot. Ses deux faces ayant subi une diffusion de phosphore dans un four en quartz à partir d’une source liquide POCL3. Le procédé du recuit utilisé comporte deux paliers de températures ; le premier à TH=930°C et le deuxième à des  températures modérées TL variables entre 600°C et 800°C. Les  résultats obtenus dans cette étude ont été discutés selon la variation de la température TL.  Les mesures de la résistance carrée (R�) de l’émetteur, en utilisant la méthode de la quatre‐points ont montré que sa valeur  reste autour de 29 Ω/� avec une distribution  relativement homogène pour  toutes  les plaquettes étudiées.  L’exploitation des propriétés physico‐chimiques  a été  faite par  deux  techniques :  la  spectroscopie  Infrarouge  à  Transformée  de  Fourier  (FTIR)  et Spectrométrie  de  Masse  d'Ions  Secondaires  (SIMS).  La  spectroscopie  FTIR  a  montré  que  les plaquettes sont considérablement contaminées par  l’oxygène à ses différentes formes. Le niveau de dopage en bore et la concentration de phosphore diffusé ont été déterminés par le SIMS, leurs valeurs ont été trouvées, respectivement, autour de 2 .1016 cm‐3 et 1,5 .1020 cm‐3 pour toutes les températures de deuxième palier (TL). L’évolution des profils SIMS du chrome avec la température TL a été aussi étudiée. Cette évolution est certainement due à l’effet ’’gettering externe’’ basé sur le piégeage des  impuretés de  chrome dans  région  superficielle  fortement dopée  au phosphore après sa diffusion depuis le volume.   Mots clés : Silicium multicristallin, impuretés, gettering externe. 

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Caractérisations électriques et optiques du a‐SiGe:H en couches minces dans les structures Al/a‐SiGe:H et Au/a‐SiGe:H 

 L. Laidoudi, A. Fedala, A. Rahal  

Laboratoire de Physique des Matériaux: Couches Minces et Semi‐conducteursDépartement Matériaux et ComposantsFaculté de Physique, USTHB,BP 32 El Alia, 16111 Bab‐Ezzouar, Alger, Algerie. 

E‐mail : [email protected]  Résumé (P 16‐T4): Le grand intérêt porté au silicium amorphe hydrogéné (a‐Si:H) est dû à sa facilité de fabrication, la possibilité de  le déposer sur des grandes surfaces planes et non planes, sa forte absorption dans le domaine du visible… Cet intérêt s’est élargi à ses alliages et en particulier au silicium‐germanium amorphe hydrogéné (a‐SiGe:H), dont le gap peut être modifié par le contrôle de la concentration de germanium. Le  thème de notre étude est  la  caractérisation électrique et optique de  couche mince de        a‐SiGe:H.  Les  échantillons  sont  préparés  par  pulvérisation  cathodique  assistée  d’un  champ magnétique, où  le silicium et  le germanium sont co‐pulvérisés. La température de dépôt (150°C) est choisie pour être compatible avec  la technologie « basse température ». La concentration de germanium  dans  les  couches  est  déterminée  par  la  technique  EDAX  (X‐ray  energy  dispersion analysis).  Le  gap  du matériau,  son  indice  de  réfraction  ainsi  que  l’épaisseur  des  couches  sont déduits à partir des mesures de transmission optique. Les mesures électriques sont effectuées sur deux  types de structures Au/a‐SiGe:H et Al/a‐SiGe:H. Une comparaison de  l’effet redresseur par ces deux métaux (Au et Al) est présentée. Les mesures de transmission optique nous ont permis de mettre en évidence la diminution du gap optique,  et  de  l’indice  de  réfraction  lorsque  la  concentration  de  germanium  augmente.  Ces comportements ont été expliqués par un effet alliage Si‐Ge et une diminution de la compacité du matériau  lors  de  l’augmentation  de  la  teneur  de  germanium.  Des  mesures courant_tension_température  ont  permis  d’étudier  l’évolution  des  paramètres  électriques  des couches obtenues en  fonction de  la    teneur en germanium comme,  la conductivité, son énergie d’activation, ainsi que le redressement. Une comparaison de ces deux types (Au/a‐SiGe:H et Al/a‐SiGe:H) de dispositifs est présentée. 

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Influence des différentes techniques de dépôt sur les propriétés magnétiques du système Fe‐Pd en couches minces 

 Hamid MIMOUNI; Ali LAGGOUN 

E‐mail : [email protected][email protected]  Résumé (P 17‐T4):    Les matériaux magnétiques en  couches minces élaborés par pulvérisation  cathodique RF (radiofréquences) sont des systèmes de  très haute qualité utilisés en particulier comme support de  l’information  (enregistrement magnétique et magnéto‐optique). Aujourd’hui,  la majorité des disques  durs  à mémoire magnétique  utilise  le  principe  de  l’enregistrement  longitudinal.  Cette densité  d’enregistrement  augmente  toujours  au  rythme  de  60%  par    an    pour  atteindre actuellement 2 Gbits/cm2 [1,2].  

Cependant, cette densité d’enregistrement  longitudinale est  limitée physiquement par  la taille  des  domaines  magnétiques  à  cause  de  l’instabilité  thermique  associé  au superparamagnétisme [3]. Pour repousser cette  limite,  les travaux scientifiques dans ce domaine s’orientent  actuellement  vers  la  recherche  de  matériaux  à  forte  anisotropie  magnétique perpendiculaire  [4,5]. Pour élaborer des  couches minces à aimantation perpendiculaire, on doit utiliser  l’anisotropie magnéto‐cristalline  uniaxiale  que  possèdent  certains matériaux  comme  les grenats,  le cobalt , certains alliages à base de terres rares,  les alliages métalliques chimiquement ordonnés [6,7,8,9]. Ces derniers s’avèrent potentiellement très intéressants pour l’enregistrement magnéto‐optique  (technologie  adaptée  aux médias  à  aimantation  perpendiculaire)  [10].  Parmi tous les alliages ordonnés à forte anisotropie magnétique, le système FePd présente un fort effet magnéto‐optique  (effet Kerr polaire)  [11], qui  le prédispose  à  être un bon  candidat pour  cette technologie, d’où  l’intérêt porté à cet alliage en couche mince dans ce projet de communication. Nous nous  intéressons en particulier aux résultats obtenus par  les techniques d’épitaxie par  jets moléculaires (substrat haute température) et de mise en ordre chimique par irradiation [12].  Mots clés : Couches minces FePd, pulvérisation cathodique RF, épitaxie par jets moléculaires, mise en ordre par irradiation, anisotropie magnétique uniaxiale, micromagnétisme et modélisation.   

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Elaboration et caractérisation des couches minces nano‐structurées obtenues par co‐pulvérisation cathodique triode magnétron 

 M. MOKHTARI1, S.TLILI1, F.GUENFOUD2 , N.E BELIARDOUH2, A. SAKER3 

1 Unité de Recherche Appliqué en Sidérurgie Métallurgie, URASM‐ CSC, Annaba, ALGERIE 2 Département de métallurgie & génie des matériaux‐ Université B. Mokhtar de Annaba, ALGERIE 

3Département de physique‐ Université B. Mokhtar de Annaba , BP12‐ 23000, ALGERIE E‐mail : [email protected] 

Résumé (P 18‐T4): Dans notre approche nous avons élaboré des  films minces nano‐structurés par  co‐pulvérisation cathodique  triode magnétron (procédé PVD). Les films ont été obtenus à partir de deux cibles ultra pures respectivement du fer et du silicium d’alliage. Ces alliages trouvent beaucoup d’application dans l’industrie électrique, électronique et plus particulièrement comme des capteurs magnétiques. Cinq (05) compositions ont été élaborées  en  fonction de la teneur en silicium allant de 4 à  38 at. % Si. Après  déposition,  plusieurs moyens  d’investigations  ont  été  utilisé  pour  la  caractérisation  du dépôt à savoir la microscopie optique, la Diffraction RX, la microscopie électronique à balayage et enfin,  pour  évaluer  le  comportement  à  la  corrosion  des  films  Fe‐Si,  des  tests  électrochimiques dans de l’eau douce et NaCl à 3,5 % ont été réalisé. Cette étude a mis en évidence l’effet de la variation du taux du silicium sur la transformation de la structure  de  l’état  cristallin  à  l’amorphe  d’une  part  et  la  nature  de  l’électrolyte  sur  le comportement électrochimique d’autre part selon que le caractère est cristallin ou amorphe.  Mots‐clés : Alliages  Fe‐Si, pulvérisation  cathodique magnétron,  comportement  électrochimique, couche mince.  

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Etude des propriétés structurales des souches minces de Bi2S3 élaborées par la technique de Dépôt par Bain Chimique (CBD) 

 N. Selmane (1). N. Hamdadou (2), M. Bouhmidi (2). D. Chalabi (1), A. Saidane (1)

(1) Laboratoire de Caractérisation et Simulation des Composants et Circuits Electroniques (CaSiCCE). (2)  Département de Physique et Chimie. 

E.N.S.E.T,  BP 1523 EL‐M'naouer, Oran 31000, Algérie. E‐ mail : [email protected]

 Résumé (P 19‐T4):    Les  matériaux  choisis  pour  l’application  photovoltaïque  doivent  répondre  à  certains critères imposés par l’application visée, ils doivent avoir une bande interdite d’énergie adaptée au rayonnement solaire (1.1‐1.8 eV), et un fort coefficient d’absorption optique  (α>105 cm‐1) dans la gamme de spectre solaire, afin de présenter une grande efficacité de conversion d’énergie. Ainsi beaucoup de matériaux sont en voie d’émerger dans ce domaine, parmi ceux‐ci nous citons  les chalcogénures  de  métaux  de  transition.  Le  trisulfure  de  bismuth  Bi2S3  est  un  matériau semiconducteur faisant partie de cette famille, il présente des propriétés électronique, électrique et  optique  intéressantes  pour  les  applications  optoélectroniques  notamment  le  domaine  photovoltaïque. La bande interdite du Bi2S3  est de nature directe et la valeur de sa largeur est Eg =1.66eV.       L’objectif  de  nôtre  travail  est  double.  Tout  d’abord,  la  mise  au  point  de  matériaux semiconducteurs sous forme de couches minces, possédant les propriétés pré requises pour leurs utilisations comme couches absorbantes dans des cellules solaires. Le second objectif est d’utiliser des techniques d'élaboration simples et peu coûteuses.  

Nous  décrivons  le  procédé  d'élaboration  de  nos  couches minces  de  Bi2S3,  il  s'agit  de  la technique de dépôt par bain chimique (CBD: Chemical Bath Deposition). Nous présentons ensuite les  résultats obtenus par  la caractérisation structurale à  l'aide de  l'analyse par  la diffraction des rayons X, établie sur les couches minces préparées. Ces dernières sont de nature polycristalline et cristallisent dans  la structure orthorhombique,  les valeurs des paramètres de maille déduits sont a= 11.46A°,   b=11.25 A°   et c=3.96 A°. Les grains ont une taille moyenne de D= 92   A° avec une orientation préférentielle Fhkl~ 50%.   Références :  [1] C.D. Lokhande, R.S. Mane, B.R. Sankapal,  A chemical method for the deposition of Bi2S3  thin films from a non‐ aqueux bath, Thin Solid Films 359 (2000) P1366‐140497 (2006) 58 – 64. [2] C.D. Lokhande, B.R.SanKapal, R.S  .Mane, H.M.Pathan, structural charcterization of chemically deposited Bi2S3 applied surface science187 (2002) P108 –115. [3] J.D. Desai,  CD.  Lokhande,  Chemical  deposition  of  Bi2S3  thin  films  from  thioacetamide  bath, Materials Chemistry and Physics 41(1995) P98‐103. [4] Z.Kebbab, N.Benramdane, M.Latreche, H.Tabet, M.Boukhelfa, A. Bouzidi, Structural and optical properties of spray‐pyrolysed Bi2S3 thin Film,   Mater. sci .eng B64 (1999) P84‐87. [5] Z. Kebbab, M. Medles, N.Benramdanem,  A. Bouzidi, A, Nakrela, H. Tabet‐Derrazm  optical and electrical  properties of Bi2S3  films deposited   by spray pyrolysis,Thin Solid Films 479(2006)58‐64.  Mots clés : Couche mince, CBD, Diffraction de rayons X, Trisulfure de bismuth.  

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Simulation du procédé technologique du comportement électrique du dispositif CMOS 1µm à l’aide des outils de SILVACO 

 Rafik Serhane, Fayçal Hadj Larbi, Abderrazak Smatti 

Équipe de Recherche : Caractérisation des Dispositifs à Semi‐conducteurs ‘CDS’. Division Microélectronique et Nanotechnologie ‘DMN’. Centre de Développement des Technologies Avancées CDTA 

Cité du 20 août 1956, Baba Hassen, BP n°17, Alger. E‐mail: [email protected], fhadjlarbi @cdta.dz, )[email protected] 

 Résumé (P 20‐T4): 

Dans  la recherche  fondamentale ou appliquée d’aujourd’hui,  la simulation numérique est devenue un outil indispensable afin d’analyser et de comprendre les phénomènes complexes ainsi que  la  prédiction  et  la  conception  dans  plusieurs  domaines.  Les  outils  de  simulation  dans  le domaine  de  la  recherche  et  de  développement  des  composants  microélectroniques  aident énormément  à  la  prévision  des  phénomènes  physiques  qui  se manifestent  dans  les  dispositifs électriques avant de passer à  leur réalisation. Ces outils de simulation permettent, également,  la conception  et  l’amélioration  de  nouveaux  procédés  technologiques  de  fabrication  des  circuits intégrés. 

Nous  présenterons  dans  le  présent  travail  une  simulation  numérique ;  (i)  des  étapes technologiques  du  procédé  de  fabrication  des  circuits  intégrés  CMOS  et  (ii)  du  comportement électrique du dispositif, à l’aide des outils TCAD (Technology Computed Aided Design) de Silvaco.  

Le module ATHENA de simulation du procédé permet de construire  la structure physique du  dispositif  par  les  simulations  successives  des  étapes  du  procédé  (oxydation  thermique, implantation ionique, dépôt et gravure des couches de matériaux). La structure ainsi obtenue est chargée par le module ATLAS afin de simuler son comportement électrique. 

Nous  présenterons  les  résultats  de  simulation  des  étapes  technologiques  d’ISiT  (Institut Silizium  Technology)  qui  sera  transféré  au  CDTA,  ainsi  que  les  résultats  de  simulation  du comportement électrique des  transistors P‐MOSFET et N‐MOSFET de  la  technologie CMOS 1µm, nous effectuerons, ensuite, une extraction des paramètres électriques des deux  transistors sous différents  régimes  de  polarisation.  Nous  comparerons  enfin  nos  résultats  de  la  simulation (caractéristiques électriques I‐V) à ceux mesurés expérimentalement sur les structures fabriquées. 

 Mots clés : Procédé CMOS, Simulation, Outils TCAD.    

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Effet de recuit sur la caractéristique courant‐tension (I‐V) des structures de silicium amorphe hydrogéné dopé au bore 

 S. Tata, N. Khelifati, A. Fedala, A. Rahal 

Laboratoire de Physique des Matériaux: Couches Minces et Semi‐conducteurs,Département Matériaux et ComposantsFaculté de Physique, USTHB,BP 32 El Alia, 16111 Bab‐Ezzouar, Alger, Algerie. 

E‐mail : [email protected]  Résumé (P 21‐T4): Le  silicium  amorphe  hydrogéné  (a‐Si:H)  en  couche mince  est  un matériau  intéressant  pour  de nombreuses applications telles que les cellules solaires.  Notre  travail rentre dans  le cadre de  la caractérisation électrique de structures à base de a‐Si:H dopé bore où  il est déposé par  la technique de pulvérisation DC magnétron sur des substrats de Silicium monocristallin dopé N+. Le plot d’or est déposé sur  la couche a‐Si:H par évaporation. La structure étudiée est le dispositif Au/a‐Si : H (P)/c‐Si (N+). Nous étudions l'effet du recuit sur ces échantillons et l'influence éventuelle du dépôt de la couche a‐Si: H  sur  la caractéristique courant‐tension  (I‐V) à  la  température 40°C  sous obscurité  sur une série d’échantillons déposés à différente concentration de bore durant le dépôt. A  travers  cette étude, nous avons pu noter  tout d’abord, que  les différents  recuits ont modifié aussi bien les parties directes que inverses des caractéristiques courant‐tension (I‐V). D’autre part, nous avons pu constater que ces modifications étaient irréversibles.   Mots clés : Semi‐conducteur, a‐Si : H, caractéristique I‐V, recuit. 

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Elaboration et caractérisation de films TiCN réalisés par pulvérisation magnétron RF 

M.Tazerout1,2, N.Saoula2*, K.Henda2 

1LMMC,UMBB,Avenue de l’indépendance, 35000 Boumerdes, Algérie  2DMIL, CDTA, Cité du 20 août 1956, BP17 Baba Hassen, Alger, Algérie. 

E‐mail: [email protected]  

Résumé (P 22‐T4): L’étude  des  couches  minces  connait  un  essor  considérable,  aussi  bien  dans  les  approches théoriques que dans  les  techniques expérimentales.  L’industrie, par  ses divers domaines, est  la plus exigeante de la technologie des dépôts et des revêtements, ainsi, grâce au développement de nouveaux  procédés  d’élaboration  de  couches  minces,  on  est  arrivé  à  mettre  au  point  des matériaux possédant des propriétés désirées. Des études ont été réalisés sur le composé TiCN et des résultats surprenants ont été obtenus sur les propriétés de ces couches. Plusieurs  techniques  sont  utilisées  pour  déposer  les  couches  minces  de  TiCxNy  ,  dont  les techniques de  dépôt  chimique  en  phases  vapeur  (CVD), qui  travaillent  en moyennes  et  hautes températures.  L’avantage  d’utiliser  les  techniques  de  dépôt  physique  en  phase  vapeur  (PVD) réside dans  le  fait de  travailler à des  température plus basses. De plus  c’est une  technique qui respecte l’environnement. Dans notre cas nous avons utilisé une des techniques PVD, à savoir la pulvérisation cathodique en faisant varier la pression totale, la puissance de la décharge, la composition du mélange gazeux et le temps de dépôts.  L’objectif de notre  travail, est  l’étude de  l’effet des conditions expérimentales sur  les propriétés mécaniques,  optiques  et  électriques  des  couches  minces  de  carbonitrure  de  titane  (TiCN) déposées par pulvérisation cathodique magnétron RF (13,56 MHz). 

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Thème 5 : Elaboration, caractérisation et modélisation

 

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Électrogreffage du polythioophène sur la surface du silicium poreux modifié par la réaction “Click Chemistry”. Application : capteur d’hydrogène 

 S. Belhousse1,3, N. Gabouze1, R. Boukherroub2, S. Szunerits2, A. Keffous1 and A. Benaboura3 

1 UDTS, 2 Bd Frantz Fanon B.P 140 7 merveilles Algiers, Algeria. 2 Institut de Recherche Interdisciplinaire (USR 3078) et Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (UMR 8520, Avenue Poincaré – BP 60069, 59652 Villeneuve d’Ascq, France. 

3 USTHB, faculté de chimie, laboratoire de synthèse macromoléculaire et thio organique macromoléculaire. B.P 32 Bab‐Ezzouar16111, Algiers, Algeria. 

Email: [email protected]  

Résumé (O 01‐T5): Ces  dernières  années,  l’évolution  des  matériaux  hybrides,  combinaison  de  matériaux 

inorganiques avec la matière organique, est en croissance continuelle dans pratiquement tous les domaines.  En  effet,  l’association  de  ces  deux  phases  permet  d’aboutir  à  des  structures  ou nouveaux matériaux possédant de nouvelles   propriétés.  La  fonctionnalisation de  la  surface du silicium  poreux  par  greffage  covalent  d’espèces  organiques    permet  la  stabilisation  de  cette surface pour réaliser des structures capables d’être employées comme détecteur de gaz. Le choix de polymères  conducteurs ou  semi‐conducteurs  comme partie organique, paraît essentiel  car  il permet une amélioration du  transfert de charge  interfacial assurant ainsi une continuité dans  le mécanisme de conduction pour une meilleure détection. De plus, comparativement aux jonctions métal / semi‐conducteur pour  lesquelles un métal est déposé ou « évaporé » sur  la surface pour assurer  le  contact électrique,  l’utilisation d’un polymère  conducteur  comme  top  contact, parait particulièrement attractif évitant les dommages éventuels causés par évaporation métallique. 

Nous avons choisi comme polymère conducteur le polythiophène, sa propriété majeure est sa conductivité électrique et sa stabilité à l’air.  

La surface du silicium  poreux formé par voie électrochimique a été traitée, Afin de réaliser un greffage  covalent du polythiophène en greffant au préalable  le monomère  thiophène  sur  la surface en utilisant la réaction « Click Chemistry ». Le concept de la réaction « Click Chemistry » a été  introduit en 2001 par Sharpless1,  il est basé sur  le cuvre (I) comme catalyseur pour formé un triazol à travers la réaction de cycloaddition de Huisgen 1,3 dipolaire entre un azide et un alcyne2,3. 

La spectroscopie Infrarouge à transformée de Fourier (FTIR), la microscopie électronique à balayage  (SEM), des mesures électrochimiques et  la Spectrométrie de masse d'ions  secondaires (SIMS)  ont  été  utilisées  afin  de  suivre  les  changements  intervenus  après  chaque  étape. Finalement,  les caractérisations, courant‐tension, capacité‐tension et  le  temps de  réponse de  la structure en présence du gaz hydrogène montrent une bonne sensibilité et un temps de réponse rapide et réversible, à température ambiante. 

 Références : 1 H. C. Kolb, M. G. Finn and K. B. Sharpless. Angewandte Chemie  International Edition 40  (11): 2004–2021(2001) 2  R.  Huisgen,  in  1,3‐Dipolar  Cycloaddition  Chemistry;  A.  Pawda,  Ed.; Wiley:  New  York,  1984; Chapter 1, pp 1‐176. 3 V. V. Rostovtsev, L. G. Green, V. V. Forkin, K. B. Sharpless, Angew. Chem. Int. Ed., 2002, 41, 2595. 

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Volatile organic compound sensor based on thin plasma polymerization of TEOS and quartz crystal microbalance  

 A. Bougharouat, A.Bellel, S. Sahli*, Y.Segui**, P.Raynaud** 

1Laboratoire des Etudes de Matériaux d’Electronique pour Applications Médicales (LEMEAMED), Faculté des Sciences de l’Ingénieur, Université Mentouri de Constantine   

2Laboratoire de Microsystèmes et Instrumentation (LMI), Faculté des Science de l’Ingénieur,  Université Mentouri de Constantine  

3Laboratoire  Plasmas  et Conversion d’Energie (LAPLACE), Université Paul Sabatier,  118 route de Narbonne ‐ 31062 Toulouse‐France  

E‐mail: [email protected]  Abstract (O 02‐T5): The detection of volatile organic compounds (VOC)  in environmental protection, health care and industrial  processing  has  been  a  subject  for  research  and  development  over  the  last  decades. Alcohols such as methanol and ethanol are used  in many workplaces and  laboratories, medicine and  food  industry.  The  exposure  to  some  VOCs  for  a  long  time may  causes  diseases  such  as eyesight disturbance, conjunctiva  inflammation, nerve disease or  serious  irreversible effect. The development and construction of new chemical sensors, which can be placed in situ reducing the need  for  sample  collection  and  expensive  off  site  analysis  is  an  attractive  area  of  research.  In recent years, quartz‐crystal microbalances (QCM) are commonly used as transducers for chemical gas  sensing.  For  this purpose,  the  surface of  a quartz  crystal electrode  is  coated with  sensitive layer  capable of  interacting with  the analyte of  interest.  In  this work, plasma polymerization of tetraethoxysilane (TEOS) has been used for producing QCM chemical sensors. TEOS thin films were deposited using plasma enhanced chemical vapor deposition technique (PECVD) at low frequency power from pure vapor of TEOS and different thickness. The sensor was exposed towards a wide range  of  VOC molecules,  such  as  ethanol, methanol,  acetone  and  chloroform.  The  correlation between  the  interaction  of  analyte with  the  sensitive  layer  and  the  chemical  structures  of  the elaborated  layers  has  been  investigated.  Generally,  the  frequency  shift  (∆f)  of QCM  increases linearly with the vapor concentration. This is expected since the more analyte molecules provided in  the  test cell, more analyte would be adsorbed onto  the  sensitive  layer. The  frequency of  the crystal back  shifted  to  its  initial  values  indicated  full desorption of  analytes  from  the electrode surface  which  indicated  that  no  chemical  bond  formed  during  the  adsorption  process.  This behavior confirms that the sensing interaction between polymer coating and analytes is a physical adsorption. FTIR analysis showed that VOCs molecules  interact via hydrogen bonding due to the presence of the –OH group  in the elaborated  layers. The frequency shift of the sensor showed a great affinity of the sensitive layer to molecules of methanol because; probably smaller molecules easily position themselves  inside the polymeric film. However, the ∆f of the QCM decreases with the  increasing molecular weight  of  the  analyte.  The  shift  frequency  of  the  QCM  coated with different  thickness  of  plasma‐polymerized  TEOS  film  was  recorded  upon  exposure  to  various concentrations of injected analyte vapor. It was found that as the coating thickness increased the magnitude  of  the  response  (∆f)  also  increased.  The  results  suggest  the  easy  diffusion  and homogenous sorption of VOC vapor in the bulk of the sensing coating.  Keywords : Thin film; chemical sensors; QCM; TEOS  

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Effets des conditions d’élaboration sur la densification  d’une alumine à base d’une poudre de bœhmite 

 S. Lamouri, M. Hamidouche, N. Bouaouadja, G. Fantozzi(*) 

Laboratoire des matériaux non métalliques, Département d’optique et de mécanique de précision, université de Sétif ‐ Algérie 

(*) Mateis, INSA de Lyon, 69621 Cedex, Villeurbanne  France E‐mail : [email protected] 

 Résumé (O 03‐T5): 

Ce  travail  consiste  en  l’élaboration,  puis,  la  caractérisation  d’une  céramique  à  base d’alumine (Boehmite). Les étapes de cette étude se résument comme suit: 

La poudre brute de départ (Gibbsite) a été calcinée à une température de 450°C pendant 2h  puis    broyée  avec  un  broyeur  à  attrition  durant  3h.  La  granulomètrie  des  poudres  a  été effectuée avec un granulomètre Laser.  

Des analyses thermiques différentielles ont été conduites à différentes vitesses de chauffe. Après  le  séchage de  la poudre, un ajout de  liant a été effectué pour  faciliter  la mise en  forme. Cette dernière a été réalisée avec une presse uniaxiale, puis, avec une presse isostatique à froid à différentes valeurs de pression (200 MPa, 250 MPa et 350 MPa). Deux formes d’échantillons ont été  façonnées  (cylindrique  et  prismatique).  Les  comprimés  cylindriques  ont  été  utilisés  pour étudier le frittage à l’aide d’un dilatomètre. Les prismatiques ont été frittés sous air à différentes températures (1600°C, 1650°C et 1700°C) durant 2h. 

L’identification des phases formées a été effectuée à travers les spectres de diffraction des rayons X. Les courbes dilatomètriques montrent un important retrait à partir de 1200°C (début de frittage) et une densification au‐delà de 1600°C dans le cas de la boehmite broyée. Les mesures de porosités  (porosimètre  à mercure  et  Archimède)  ont montré  un  effet  notable  des  conditions d’élaboration. Le module élastique a été mesuré, par Grindo‐Sonic et ultrasons, en  fonction des pressions et températures d’élaboration.     Mots clés : Alumine, Boehmite, Liants, Elaboration, Mise en forme, Densification. 

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Elaboration d’un matériau dur par infiltration  de carbures de tungstène par du bronze  

 Kamal SAIDANI, Saïd AZEM 

Département de Génie mécanique, Université Mouloud MAMMERI de Tizi‐Ouzou  Hasnaoua BP 17 Tizi‐Ouzou  15000 Algérie ‐ Tel : 0776 64 12 67 

Email : [email protected]  

Résumé (O 04‐T5): Le carbure de tungstène WC est apprécié pour sa grande dureté et sa bonne tenue à l’usure. Il est très utilisé dans les outils de forage et d’usinage. Sa grande fragilité ne permet pas son utilisation comme matériau de structure mais il est souvent densifié en présence de métaux ou des alliages qui lui apportent la ténacité nécessaire. Les matériaux ainsi obtenus conjuguent les propriétés de dureté  et  de  réfractarité  de  la  céramique WC  et  la  ductilité  de  la  phase  liante métallique.  La métallurgie des poudres constitue la meilleure méthode d’élaboration de ce  matériau composite céramique–métal appelé cermet. Dans notre travail nous nous sommes proposés d’élaborer un matériau dur à base de carbures de tungstène (WC et W2C) densifiés par du bronze.  Dans une première étape, les carbures sont synthétisés par carburation à chaud du tungstène par du graphite sous atmosphère d’argon pur. Le mélange W‐6,13%C en masse (teneur en carbone de WC  stœchiométrique)  a  été  d’abord  broyé  à  haute  énergie  puis  traité  à  de  différentes températures (1000, 1100, 1200 et 1300°C). L’analyse des produits, par diffraction des rayons X, a révélé  la  formation du monocarbure de tungstène et de  l’hémicarbure W2C dont  la quantité est d’autant plus faible que la température et  le temps de maintien sont élevés.   L’excès de carbone semble favoriser la formation du monocarbure WC coexistant avec un résidu de graphite. Dans une seconde étape, les carbures obtenus sont densifiés par la méthode d’infiltration par une phase liquide à 1220°C, température déterminée au préalable par dilatométrie anisotherme. Cette méthode  consiste  à porter  à  la  fusion une   pastille de bronze placée  sur une poudre de carbures  légèrement  tassée  dans  un  moule  en  graphite.  Le  chauffage  à  1220°C,  sous  argon, provoque  la  fusion  du  bronze  qui  s’infiltre    dans  les  interstices    de  la  poudre  des  carbures demeurant  à  l’état  solide.  Dans  ce  cas,  les  effets  de  gravité  et  de  la  capillarité  favorisent  le phénomène de densification du matériau en présence d’une phase liquide. Les  matériaux  élaborés  sont  caractérisés    par  diffraction  des  rayons  X  et  par  microscopie électronique à balayage ainsi que par mesure des caractéristiques mécaniques en  l’occurrence  la limite de rupture, la limite élastique et le module de Young.  Mots clés : Cermet, infiltration, carbures de tungstène, broyage mécanique. 

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Sur la modélisation des propriétés diélectrique et électrique par réflectométrie temporelle 

 A. Soualmia ; M. Abdelguerfi ; O. Allouane ; C. Guerbi ; R. Saoud Equipe Spectroscopie Diélectrique, Faculté de Physique  USTHB  

E‐mail : [email protected]  Résumé (O 05‐T5): Les  aspects  fondamentaux  et  appliqués  de  la  Spectroscopie  Diélectrique  fournissent  des informations  sur  les mouvements moléculaires  ainsi  les   processus de    relaxation de différents genres de matériaux diélectriques.  Sa caractéristique principale de  la Spectroscopie Diélectrique réside dans  l'étendue de  la gamme de    fréquences  à  travers  laquelle  la matière  diélectrique  répond  à  l'excitation    par  un  champ électromagnétique appliqué. Aussi la réponse  diélectrique observée est elle liée aux évènements moléculaires provoqués la plupart du temps par  la migration de charge et l'orientation de dipôles.  La  migration  des  charges  provoque  des  pertes  diélectriques  par  conduction    et  l'orientation dipolaire produit, en raison de  l'alignement des dipôles dans  la direction du champ appliqué ,des pertes diélectriques par le processus de relaxation.  C'est  pourquoi    le  plus  attrayant  aspect  de  la  spectroscopie  diélectrique    se  situe  dans  son applicabilité  à  l'étude  des  corrélations  directes  entre  la  réponse  du  vrai  système    qui  est  un échantillon diélectrique et un circuit modèle équivalent  idéalisé composé d'éléments électriques discrets tels résistance, inductance, capacitance   Historiquement,  le  comportement des molécules polaires est étudié   expérimentalement par  la mesure  de  la  conductivité  et  de  la  permittivité  complexe  dans  la  gamme    de  fréquences considérée. Mais,  parce  que  la  spectroscopie diélectrique    couvre  exceptionnellement  un  large domaine de  fréquences, un grand nombre d'appareillages et   de  techniques  laborieuses dans  le domaine fréquentiel sont requis  Cependant,  depuis  quelques  décennies  la  réflectométrie  temporelle  est  apparue  comme  une alternative  de  l'approche  de  la  caractérisation  diélectrique  fréquentielle.  Cela  est  dû  dans  une première étape au fait qu'en une seule mesure, utilisant un signal temporel appliqué comme un flash à un échantillon diélectrique, on peut  alors obtenir une réponse de même nature  Par  ailleurs  les  TDR  fournissent  un  regard  plus  intuitif    et  plus  direct  aux  caractéristiques  du matériau  .Elles  offrent  naturellement  des  mesures  rapides,    non  destructives,  in  situ  et automatisées. Elles permettent également, des prévisions et plus d'interprétations.   Le  but  de  ce  travail  est  la  recherche  d'une  meilleure  compréhension  des  paramètres caractéristiques qui décrivent  fidèlement  le modèle de pertes diélectriques, en d'autres  termes, une approche de modèles, pouvant décrire la relaxation diélectrique et  la conductivité électrique. ou encore, les mécanismes de polarisation.  Pour cela,  les méthodes TDR peuvent   être méthode utiles moyennant  la compréhension d'une théorie  de  base  ,  de  sorte  que  l'on  puisse  interpréter  correctement  des mesures    TDR  et  en déduire  alors des prévisions et  interprétations  concernant  le    comportement diélectrique de  la matière  Mots clé : spectroscopie diélectrique temporelle, pertes diélectriques, relaxation  

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Caractérisation thermomécanique des alliages d’aluminium soudés par le procédé TIG. 

 M. AISSANI1,2*, Y. BENKEDDA2, R. BADJI1  et D. H. BASSIR3 

1 LMM, Centre de recherche scientifique en soudage et contrôle (CSC). P.B 64, route de Dely Ibrahim Chéraga Alger, ALGÉRIE 

2 LTSM, Département mécanique, Université Saad Dahlab de Blida. BP 270, route de Soumaa.09000. Blida, ALGÉRIE. 

3 LMA, Institut FEMTO‐ST, UMR/CNRS 6174, Département Mécanique Appliquée 24, rue de l'Epitaphe, 25000 Besançon, FRANCE. 

Email : [email protected]  Résumé (P 01‐T5): Le présent travail porte sur  l’étude expérimentale paramétrique des soudures de tôles d’alliages d’aluminium 2017 et 2024 réalisées par  le procédé TIG  (Tungsten‐Inert‐Gas). Des tôles des deux nuances ayant différentes épaisseurs ont été soudées avec différents paramètres. Ces alliages sont réputés par leur difficulté d’être  soudé à l’arc électrique.  Un montage expérimental permettant la mesure des cycles thermiques dans différentes positions des tôles et de  la déformation verticale de l’assemblage a été mis en place. La déformation  verticale  générée dans  l’assemblage  soudé  a été mesurée par  la  technique des LVDTs  (Linear Variable Differential Transformer). Les résultats obtenus ont montré que  la valeur de déformation diminue en augmentant l’épaisseur de la tôle soudée. La caractérisation thermomécanique et métallurgique des cordons de soudure a été effectuée au moyen  des  essais  de  traction  et  de microdureté  pour  vérifier  la  qualité  des  cordons  obtenus. L’implantation des jauges de déformation dans les différentes zones du cordon de soudure (Métal de base MB, la zone fondue ZF et la zone affectée thermiquement ZAT) lors d’un essai de traction nous a permis d’estimer  la déformation  locale de chaque zone et de déduire  les caractéristiques mécanique du matériau (E, σe et εe) dans ces zones. Les essais de microdureté ont révélé une  légère variation à travers  le cordon de soudure malgré l’hétérogénéité structurale obtenue suite à la solidification. Des études métallographiques de  la morphologie et de  la taille des grains ont été effectuées par microscope optique et microscope électronique à balayage MEB. Ces techniques nous ont permis de mettre en évidence l’étendu des différentes zones du cordon de soudure dans ces nuances.  Mots‐clés : Soudage TIG, Caractérisation mécanique et métallurgique, Alliage d’aluminium, MEB, Jauge de déformation, ZAT, ZF.   

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Modélisation de l’effet Marangoni lors d’élaboration du bain de fusion par le soudage TIG 

 N. AIT MOUSSA, M. AISSANI 

Centre de Soudage et Contrôle, CSC, Route de Delly Brahim, BP 64, Chéraga, Alger Tel : 021.36.18.54‐55, Fax : 021.36.18.56 Email : [email protected] 

 Résumé (P 02‐T5): Dans cette étude, on s'intéresse aux mouvements de liquide (métal fondu) dans le bain de fusion crée lors du soudage à l'arc‐TIG. Ces mouvements sont initiés par des différentes forces d'origines physiques  qui  conditionnent,  selon  leur  dominance,  l'allure mouillante  ou  pénétrante  du  joint soudé. En effet, sur la surface du bain fondu, il existe un fort gradient thermique entre les bords et le centre. Cette variation de  température est de  l'ordre de 1300° à 1500° et qui s'étale sur une largeur de quelques millimètres du bain fondu. Ce gradient thermique se transforme en gradient de  tension superficielle qui engendre un  transport de métal du centre vers  les bords. En même temps, le métal aux bords est transporté vers le centre au fond du bain de fusion. Ce phénomène de  la direction de  convection  en  fonction du  gradient de  tension de  surface  est  connu  sous  le nom effet Marangoni. Dans  cette  optique,  nous  utilisons  un modèle mathématique  décrivant  l’écoulement  du  fluide dans  un  bain  fondu  créé  par  l'arc  électrique  du  soudage  TIG.  Ce modèle  résout  les  équations couplées de  l’écoulement de fluide  laminaire et du transfert thermique gérant  le comportement des différents courants au sein du volume fondu. Pour cela, on utilise un code de calcul ‐ANSYS®‐basé sur la méthode des éléments finis. Nous porterons une attention toute particulière aux mécanismes de tension de surface conduisant à la création de courants thermo‐capillaires (ou courants de Marangoni).  Les résultats obtenus sont acceptables en comparant avec celle de  la  littérature. Ce travail nous ouvre aussi une voie de perspective vers l'expérimentale, afin de valider et adapter notre modèle à des cas réels.  Mots  clés :  Physique  du  soudage, Métal  liquide,  Soudage  TIG,  Thermo‐capillarité  (Marangoni), Modélisation, Interface liquide Solide. 

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Influence des nanostructures implantées dans un système à triples chaînes sur la diffusion d’ondes élastiques 

 M. Bouateli, R. Tigrine, B. Bourahla 

Laboratoire de Physique et Chimie  Quantique, Département de Physique, Faculté des Sciences, Université Mouloud Mammeri de Tizi‐Ouzou,  B.P. N° 17 RP, 15000 Tizi‐Ouzou, Algérie. 

E‐mail: [email protected]  

Résumé (P 03‐T5): La  course  à  la  miniaturisation  et  l’émergence  des  nanotechnologies  qui  constituent 

maintenant  un  enjeu  stratégique  pour  les  industries  de  secteurs  comme  l’électronique, l’armement,  la médecine,  les télécommunications et  l’optique devraient permettre dans  le  futur d’accroître les capacités de stockage de l’information, la rapidité de fonctionnement des dispositifs électroniques  et  systèmes  physiques  mais  aussi  conduire  à  l’apparition  de  nouvelles fonctionnalités.  L’échelle  nanométrique  constitue  le  domaine  de  convergence  de  plusieurs disciplines  scientifiques.  La  miniaturisation  des  dispositifs  électroniques,  ouvre  de  larges perspectives industrielles. L’un des challenges de la technologie moderne, en ce moment,  est de créer des systèmes atomiques ou moléculaires capables de transférer une information à l’échelle du nanomètre. Dans ce contexte,   la science des surfaces  joue un rôle capital puisqu’elle permet l’élaboration  de  nanostructures  à  géométrie  parfaitement  contrôlée.  En  effet,  il  a  été montré récemment que  l’auto‐organisation des marches de surfaces  favorise  la croissance de structures moléculaires de basse dimension.       La recherche théorique dans  le domaine des nanostructures s’est focalisée pour une grande partie sur  l’étude des propriétés électroniques. L’exemple  le plus étudié,  est  celui  de  la  conduction  électrique  dans  des  systèmes  mésoscopiques  (l’ordre  du nanomètre). A cette échelle, la résistance de tels systèmes, dont les dimensions sont de l’ordre du nanomètre, ne peut pas être prédite par  la théorie classique du transport. Pour  la comprendre  il faut tenir compte des effets quantiques. 

Landauer a proposé à la fin des années 50 une approche de ce problème qui s’est révélée particulièrement  riche  et  adaptée.  Il  a  montré  que  la  conductance  d’un  fil  quantique  est directement liée aux propriétés de diffusion d’un tel système considéré comme un guide d’ondes perturbé par des défauts et, expérimentalement, des sauts de conductance sont observés. Lors de la  croissance  d’un  substrat  apparaissent  des  défauts  de  surface.  L’état  morphologique  de  la surface  se  présente  donc  généralement  sous  la  forme  d’une  distribution  de  marches  et  de terrasses atomiques, de hauteurs variées, ainsi que de différents types de défauts ponctuels tels que  des  adatomes,  adlacunes  et  des  puits  atomiques.  Nous  nous  intéressons  à  l’étude  de  la diffusion  des  ondes  élastiques  par  une  nanostructure  implantée  dans  un  réseau  périodique  à triples  chaînes  atomiques  en  utilisant  la  méthode  de  raccordement.  La  zone  de  défaut  est caractérisée respectivement par une différence des constantes de force  et de masse par rapport au réseau parfait.   Nous étudions aussi  l’influence de  la masse sur  les courbes de  la conductance phononique, que nous comparons à celle du réseau idéal.  

  La conductance  du système perturbé est caractérisée, comme en électronique, par des résonances de type Fano dues à l’interaction entre les modes de continuum et ceux induits par le défaut. Nous observons que quand la masse du défaut augmente, les résonances se déplacent vers les basses fréquences.  

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Simulation par Dynamique Moléculaire de l’alliage B2‐NiAl  

M. BOUCHERRAB, H. BOUZAR Laboratoire de Physique et Chimie Quantique, Université  Mouloud Mammeri, 1500 Tizi‐Ouzou, Algérie 

E‐mail : [email protected]  

Résumé (P 04‐T5): Les  composés  intermétalliques,  en  particulier  les  aluminure  de  nickel,  ont  des  potentialités importantes comme matériaux utilisables à hautes températures. Des simulations de Dynamique Moléculaire ont été effectuées en utilisant un potentiel  semi‐empirique à N‐corps de  type EAM (Embedded Atom Method). L’utilisation de ce potentiel nous a permis de calculer les énergies de formation  de  défauts  ponctuels,  d’étudier  la  relaxation  de  surface  (001),  énergie  d’adsorption d’atomes  et  différents  dépôts  de marches  atomique  sur  cette  surface.  Notre modèle  nous  a permis de reproduire  la distance  inter plan du volume à partir du 5ème plan de subsurface, ainsi que les énergies d’adsorptions atomiques diminuent en fonction du nombre d’atomes déposés sur la surface (001).   Mots clés :   Dynamique Moléculaire, Potentiel EAM, Relaxation en surface 

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 Modélisation du transport d’énergie phononique dans les systèmes de basses dimensionnalités 

 Y. Cheballah 

Département de Physique, Faculté des Sciences, Université Mouloud Mammeri, BP 17 RP, 15000 Tizi‐Ouzou, Algérie.  

E‐mail: [email protected]  

Résumé (P 05‐T5): L’un  des  challenges  de  la  technologie  moderne,  est  de  créer  des  systèmes  atomiques  ou moléculaires  capables  de  transférer  une  information  à  l’échelle  du  nanomètre,  dont  l’objectif principal  est  de  les  intégrer  dans  des  dispositifs  physiques mésoscopiques.      Les  technologies modernes permettent la fabrication des systèmes de basses dimensionnalités avec des géométries bien  définies  et  des  nanostructures  incorporées.  La  présence  de  telles  nanostructures  est  d’un grand  intérêt  technologique  et  trouvent  des  applications  dans  divers  dispositifs  électroniques, acoustiques  et magnétiques.  Pendant  que  la  taille  de  ces  systèmes  continue  à  être  réduite,  le phénomène  du  transport  d’énergie  devient  de  plus  en  plus  compliquer  et  le  problème  de  son extraction est extrêmement  important. La détermination de  l’effet de ces nanostructures sur  les propriétés  dynamiques  et  de  diffusion  des  phonons,  principaux  responsables  du  transfert thermique dans les systèmes de basses dimensionnalité, été étudié dans le cadre de cette étude. Nous  avons  développé  un modèle  de  calcul  théorique  à  l’échelle  atomique  pour  l’étude  de  la transmission  des  phonons  et  du  transport  d’énergie  phononique  à  travers  un  fil  atomique d’atomes  identique  de  masses  (M),  reliant  deux  guides  d’ondes  plans  semi  infinis  d’atomes identiques  de  masses  (m)  et  d’un  paramètre  de  réseau  (a).  Les  forces  inter  atomiques  sont représentées  par  des  constantes  d’interactions  (k1)  et  (k2),  données  respectivement  entre premiers  et  secondes  voisins.  L’étude  dynamique  du  guide  d’ondes  parfait  et  le  calcul  des coefficients de réflexion et de transmission ainsi que la conductance phononique et la conductivité thermique à travers le fil atomique couplant les deux guides d’ondes parfaits, ont été obtenus en utilisant  la méthode de  raccordement dans  le  cadre de  l’approximation harmonique des  forces centrales limité aux interactions entre seconds voisins. Par analogie à la conductance électronique qui est lié au phénomène de diffusion, développée par R. Landauer, nous calculons la conductance phononique.  Par  ailleurs,  nous  avons  calculé  la  conductivité  thermique  à  travers  le  système considérer en utilisant  l’équation de  la diffusion  thermique donnée par  J. Fourier. Nos  résultats numériques nous permettent d’avoir une étude détaillée des propriétés vibrationnelles du guide d’ondes parfait. L’introduction du  fil atomique entre  les deux guides d’ondes parfait,  laisse sont empreinte  sur  la  diffusion  des  phonons  qui  dépende  considérablement  des  paramètres  du système  ainsi  que  de  l’énergie  de  l’onde  excitatrice.  Les  courbes  de  diffusion  présentent  des résonances de  type  Fano dues  aux  interactions  entre  les modes propageants du  volume  et  les modes  localisés au voisinage du fil atomique dû à  la brisure de  la symétrie de translation dans  la direction  perpendiculaire  à  la  jonction  atomique.  Les  résultats  obtenus  montrent  que  le comportement des ondes de vibration présente une certaine similarité avec  le cas électronique. De plus nous avons apporté, à  travers cette étude, une  reconnaissance partielle à  la  théorie du transport d’énergie phononique dans les systèmes de basses dimensionnalités.  Mots clés : Transport thermique;  fil atomique ; diffusion de phonons. 

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Formation of thick and luminescent porous silicon layer on low‐doped silicon by anodization in HF/Acetic acid solution 

 A. Djemaa1,3 , N. Gabouze1, M. Kechouane3, Y. Belaroussi2  , A. Manseri1, H. Menari1 

1UDTS, 2 Bd Frantz Fanon B.P. 140 Alger 7 Merveilles, Alger, Algérie 2CDTA, Haouch Oukil B.P.17 Baba‐Hassan, Alger, Algérie 

3LCMS, Faculté de Physique. USTHB. B.P.32 El Alia, 16111, Bab Ezzouar, Alger, Algérie E‐mail : [email protected] 

 Abstract Résumé (P 06‐T5): Porous silicon  is usually prepared by electrochemical etching  in aqueous hydrogen  fluoride  (HF). However for highly resistive and amorphous p‐type silicon, an instability which limits the growth of nanoporous  layer, can be observed  [1].Consequently  the porous  layer  thickness does no  longer increase with anodization time. This  instability was explained by the  large resistivity value of the porous silicon (PS) in comparison with that of the electrolyte.  In order to increase the maximum thickness of PS, several strategies have been considered in this respect:  varying  the  resistivity  of  the  electrolyte  and  illumination  of  the  sample  (injection  of carriers)  during  the  anodization.  A  porous  layer  thickness  up  to  12  um  has  obtained  but unfortunately the exposed area is of the same order than the spot diameter of the laser (3 mm). In the present work, p‐type porous silicon layers were fabricated by anodization of highly resistive silicon (0.1 to 20 kΩ cm) in HF/Acetic acid solution. As a function of etching time, HF concentration, the porous layer morphology was investigated by scanning electron microscopy  (SEM), the photoluminescence measurements were carried out by luminescence  spectrometer.  As  a  result,  only  the  formation  of  nano  or  mesoporous  layer  is observed for the samples which are anodized in a solution of HF concentration up to 25%. For HF concentration below 25 %, macropores formation appears for etching time higher than 5 min. For all HF concentration, the maximum PS thickness  is found of about 2 um. We have demonstrated that upon HF/acetic acid anodization, the layer thickness is not limited by the instability. Finally, the porous  layers thus formed are  luminescent.  It was found that the PL spectra present generally a red emission.  Reference : [1]  J‐N.Chazalviel,  F.Ozanam,  N.Gabouze,  S.Fellah  and  R.B.Wehrspohn,  Journal  of  the Electrochemical Society. 149, 1 – 10, (2002).  

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Modélisation des profiles SIMS de l'hydrogène dans le silicium, effet de niveau énergétique de l'hydrogène 

 Lahreche Abderrezak1, Benkiniouar‐Beggah Yamina2**, A. Amrani1, A. Boukrika3, F. Boufalgha1, 

S. M. Aida4 1Unité de Développement des technologies de Silicium, 02, B. Frantz Fanon Alger‐ B. P. N°140 Alger‐7‐ Merveille. 

2 Faculté des sciences de l'ingénieur Université de Jijel, BP 98 Ouled Aissa, 18000 Jijel, Algérie. 3 Laboratoire d'Etude des Matériaux, Université de Jijel, BP 98 Ouled Aissa, 18000 Jijel, Algérie. 

4 Laboratoire des couches minces et interfaces, Université de Montouri, 25000 Constantine, Algérie. E‐mail : [email protected],**[email protected] 

 Résumé (P 07‐T5): Un modèle qui décrit  la diffusion de  l'hydrogène dans  le silicium dans  la gamme de température entre 120 – 200°C et proposé. Ce modèle prend en considération l'état de charge de l'hydrogène et  son  niveau  énergétique.  Il  s'avère  bien  que  le  niveau  énergétique  de  l'hydrogène  influe énormément sur le profil SIMS simulé de l'hydrogène dans le silicium. La position du niveau de l'hydrogène est déterminée pour les deux types de silicium ainsi que son coefficient  de  diffusion  et  l'énergie  des  complexes  hydrogène  dopant  formés.  Finalement  on  a essayé d'adapter ce modèle pour  le cas du ZnO on a  trouvé que  l'hydrogène doit se comporter comme un donneur ce qui est en accord avec la littérature.  Mots Clés : Modélisation, SIMS, Hydrogène, Niveau énergétique.     

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First‐principles study of the optical properties of Ga2O3 in its ambient and high‐pressure phases 

 F. Litimein, D. Rached, K.  Boughrara 

Laboratoire des Matériaux Magnétiques University of Sidi Bel‐Abbes, 22000 Sidi Bel‐Abbes, Algerie. 

E‐mail: [email protected]  Abstract (P 08‐T5): Optical properties such as the dielectric function, reflectance, and energy‐loss function of gallium sesquioxide (Ga2O3) in its ambient (β) and high‐pressure (α) phases are reported for a wide energy range  of  0–50eV.  The  calculations  of  optical  properties  employ  first‐principles  full  potential linearized  augmented  plane  wave method  within  the  local‐density‐approximation.  Our  results show subtle differences  in the calculated optical properties of the monoclinic (β), and hexagonal (α) phases of Ga2O3, which may be attributed to the higher symmetry and packing density of these phases. For both phases the conduction band minimum (CBM)  is  located at Γ point, whereas the valence band maximum  (VBM)  is  located at the M point  for β‐Ga2O3 and at L point  for α‐Ga2O3. The calculated  (average)  index of  refraction, extinction coefficient and  reflection show excellent agreement with the experimental values.  

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Influence du niobium et du titane sur des alliages à base de fer  

MADAOUI Noureddine1, TAIBI kamel2, AMARA‐ADNANE Leila1. 1Laboratoire d'Electrochimie‐Corrosion, Métallurgie et Chimie Minérale. Faculté de Chimie. Université Des  Sciences et 

de la Technologie Houari Boumediene. B.P 32, El Alia, Bab Ezzouar, Alger 16111, Algérie 2Laboratoire des Sciences des Matériaux. Faculté de Génie des Procédés, Université Des Sciences et de la Technologie 

Houari Boumediene. B.P 32, El Alia,Bab Ezzouar, Alger 16111, Algérie E‐mail : [email protected]   

 Résumé (P 09‐T5): 

L’addition d’éléments métalliques ou non métalliques aux alliages à base de fer conduit à l’obtention de nouveaux matériaux performants répondants à divers types de sollicitations. Si  la littérature fait  largement état de  l’influence des éléments d’additions sur  les propriétés d’emploi tells que  la résistance à  l’abrasion et à  la corrosion,  la  trempabilité,  la coulabilité de ces alliages l’influence de ces additions sur les comportements des phases à l’échelle microscopique constitue toujours un domaine d’intérêt tant sur le plan industriel que sur le plan scientifique. 

Dans  cette partie de notre  étude  sur  les  alliages quaternaires, nous  avons  insiste  sur  la nature des phases carbures formées avant et après analyse thermique différentielle d’alliages type FeNbTiC. 

Ces alliages ont été élaborés dans un  four à arc à partir des métaux purs et de graphite sous  atmosphère  d’argon.  Une  fois  élaborés,  ils  subissent  chacun  une  analyse  thermique différentielle qui sert à déterminer  les températures de transformations de phases  liquide‐solide et solide‐solide. 

La  caractérisation  de  ces  alliages  à  nécessité  l’emploi  de  plusieurs  techniques expérimentales : la diffraction des rayons X, observation au microscope optique et au microscope électronique  à  balayage  (MEB)  associée  à  l’EDX  (analyseur  X  à  énergie  dispersive)  dans  le  but d’analyser les différentes phases formées avant et après ATD. 

Sur  la  base  des  résultats  obtenus  sur  les  phases  carbures  nous  avons  pu  mettre  en évidence l’existence de deux types de carbures respectivement riches en niobium notés (Nb,Ti)C1‐x et  des  carbures  riches  en  titane  notés  (Ti,Nb)C1‐x

  , NbC1‐x  ,  TiC1‐x

  dans  les  alliages  quaternaires FeNbTiC.  Mots‐clés : alliages quaternaires a base de fer, carbures de titane, carbures de niobium, carbures mixtes. 

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Characterization of in‐situ doped polycrystalline silicon using Schottky diodes and admittance spectroscopy 

 L. Mahdjoubi1 , H. Ayed1, L Béchiri1, M. Benabdeslem, N. Benslim and T. Mohammed‐Brahim2 

 

1Laboratoire Cristaux et Couches Minces, Faculté des Sciences, Dpt de physique 1(LESIMS), Université Badji Mokhtar BP.12 Annaba, 23200, Algérie. 

2GM‐IETR, Université RENNES I, 35042 Rennes Cedex, France. E‐mail : [email protected] 

 Abstract (P 10‐T5): 

Polycrystalline silicon  (polysilicon)  is widely studied and applied now  in different  fields where the need of silicon devices made at low temperature is crucial. The most common example is the active matrix  flat panel displays that uses polysilicon thin  film transistors TFT’s made directly on glass substrate. In the photovoltaic field also, many works continue to be devoted to this material. These major applications both need a  low‐temperature deposition process ( < 600°C) due to the use  of  glass  substrates  and  a  high‐quality  polysilicon.  The  electrical  transport  properties may  be different in the parallel and perpendicular to the surface directions. Most of characterisation techniques of  polysilicon  lead  to  the  knowledge  of  the  parallel  (or  coplanar)  properties.  However,  some  of polysilicon devices as photovoltaic solar cells need the knowledge of the properties perpendicular to the surface 

Schottky Au‐Polysilicon diodes are successfully realised  in this work. The diffusion potential  is around 1.3 eV as determined from Capacitance – Bias C‐V characteristics. The depth profile of the apparent  doping  is  deduced  from  these  measurements.  Its  behaviour  leads  to  the  expected experimental profile. Moreover,  the diode admittance measurements versus  the  frequency and the  temperature  at  different  biases  show  the  possibility  to  use  this  device  to  characterise  the electrical quality of the polysilicon. 

 

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Etude du comportement en solidification de l’intermétallique  ternaire Fe‐Cr‐Nb 

 S. Mansour (1), N. Boutarek (1), H. Aid (1), S.E. Amara (2) 

(1) Laboratoire des Sciences et Génie des Matériaux, Faculté de Génie Mécanique et Génie des Procédés, USTHB, BP 32 El Alia, 16111 Bab Ezzouar, Alger, Algérie. 

(2) Laboratoire d’Electrochimie‐Corrosion Métallurgie et Chimie Minérale, Faculté de Chimie, Université des USTHB, BP 32 El Alia, 16111 Bab Ezzouar, Alger, Algérie. E‐mail: [email protected] 

 Résumé (P 11‐T5): Ces dernières  années ont été marquées par une demande  croissante en matériaux  structuraux capable de résister à des milieux oxydants à haute température dans divers domaines, notamment les turboréacteurs aéronautiques. Ces matériaux doivent avoir, outre une excellente résistance à l’oxydation  à  haute  température,  un  point  de  fusion  élevé  et  des  caractéristiques mécaniques maîtrisées suivant la température. Afin  de  dépasser  ces  limites  et  aller  plus  loin  dans  les  performances,  l’utilisation  des intermétalliques pourrait ouvrir de nouvelle voies en exploitant les combinaisons adéquates. L’exploitation des diagrammes binaires ou ternaires entrant dans la composition des aciers ou des fontes  n’a  pas  fini  de  susciter  des  interrogations.  Aussi  dans  cette  étude  qui  s’inscrit  dans  la continuité  des  recherches menées  sur  les  alliages  à  base  de  fer,  l’objectif  poursuivis  cible  la participation à une meilleure compréhension du comportement en solidification des alliages Fe‐Cr‐Nb. Cet  objectif  sera  atteint  à  travers  un  ensemble  d’actions  concentrées  essentiellement  sur l’élaboration  des  compositions  visées  dans  un  premier  temps,  suivies  de  différentes caractérisations physico‐chimiques (XRF, DRX MEB et ATD. Parmi  les résultats obtenus, on distingue  la mise en évidence de  la présence de  la phase α’. Son étendue ainsi que ses températures de transformation ont été redéfini  Mots  clés  :  Diagrammes, alliages de fer, solidification, phase, transformation.  

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Elaboration et Caractérisation d’un Nanomatériau à base de Fer Cobalt obtenu par mécano‐synthèse 

 H. OUBOUCHOU, M. ZERGOUG, Y ADERRAHMANE 

Division des Procédés Electriques et Magnétiques Centre de soudage et de contrôle, Route de Dely Ibrahim, B.P:64, Chéraga, Alger 

Tel: (213)(21) 36 18 54 à 55,  Fax: (213)(21) 36 18 50 E‐mail: [email protected] 

 Résumé (P 12‐T5): 

L’élaboration  des  nanomatériaux  a  connue  une  évolution  ces  dernières  années,  Les nanomatériaux  présentent  le  plus  souvent  des  comportements  originaux  et  des  propriétés  qui diffèrent considérablement de celles des matériaux massifs de même composition chimique. L’objet  de  notre  travail  consiste  dans  l’analyse  des  nano  poudres  obtenus  après  des transformations par mécano‐synthèse et d’étudier leur comportement physiques Nous avons choisi dans notre travail le  système Fe‐Co, Il est lié au fait que ce dernier constitue la base d’aimant permanent d’une part et son utilisation dans diverses applications d’autre part. L’élaboration de l’alliage Fe80Co20 par broyage mécanique d’un mélange de poudres de fer et de cobalt   a été  la première étape,  la deuxième étape consiste à caractériser  les éléments obtenus par l’utilisation de la diffraction des rayons X (DRX)  et Microscope électronique a balayage (MEB)   Mots  clés :  Fe‐Co,  diffraction  des  rayons  X,  Microscope  électronique  a  balayage,  broyage mécanique.     

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Effet des additions ternaires et évolution des défauts ponctuels en fonction de la température dans les alliages FeNb et FeZr 

 L. RABAHI1, D. BRADAI1, A. KELLOU2.  

1Laboratoire physique des matériaux, Équipe transformation de phases et texture, Faculté de Physique, USTHB 2Laboratoire physique théorique, Faculté de Physique, USTHB 

E‐mail : [email protected].  

Résumé (P 13‐T5):  Les  intermétalliques  sont  des  composés  prometteurs  qui  suscitent  un  grand  intérêt 

technologique. Ces matériaux allient des propriétés mécaniques élevées à hautes températures et une assez bonne résistance à l’oxydation. Cependant leur utilisation est limitée par leur fragilité à basses  températures. Ce qui  incite  les métallurgistes à  introduire des éléments d’additions pour améliorer leurs caractéristiques physiques.  

Ce travail consiste à déterminer  la concentration des défauts ponctuels en  fonction de  la température en utilisant le model Wagner Schottky. Les énergies de formation des différents types des  défauts  sont  calculées  en  utilisant  une  méthode  Ab  initio  basée  sur  la  méthode  du pseudopotentiel et sur la base des ondes planes. 

Les calculs ont été  faits pour deux alliages FeNb et FeZr cristallisant dans  la structure B2. Les énergies de préférence de site des éléments d’addition Ti, V, et Cr sont calculées ainsi que les différents paramètres  structuraux  tels  le paramètre de maille,  le module de  compression et  les énergies de formation.    Mots clés : Intermétalliques (IMC), FeNb, FeZr, Ab initio, Modèle de Wagner‐Schottky. 

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Réalisation et caractérisation de silicium poreux pour    applications en photo détection  

 I. RAHMOUNE, F.BECHIRI , S.HAMZAOUI, M.ZERDALI. M. BOUDERBALA 

Laboratoire de Microscopie Electronique et Sciences des Matériaux Université  des Sciences et de Technologie d’Oran  

E‐mail : [email protected]  

Résumé (P 14‐T5): Le  silicium  est  caractérisé par  une  faible  absorption  dans  la  région  visible  ce  qui  limite  ces applications dans  la photo‐détection dans cette  région. Le  silicium poreux présente un  très bon candidat  pour  améliorer  cette  réponse  spectrale.   Nous  avons  réalisé  des  couches  de  silicium poreux PS sur substrat de Si orientée (100) de type n, avec une résistivité de1 Ohm cm. La technique de réalisation du PS est basée sur  l’attaque anodique ou  le substrat Si est exposé à une solution HF sous la présence d’une tension V(V).  Nous avons pu enregistrer la courbe I,V qui permette de dévoiler trois régions caractéristiques en fonction de la tension délivrée pendant l’attaque anodique. Une région de formation de silicium nano poreux étendue sur une  large fenêtre de tension, une zone  de  formation  de  silicium mesoporeux,   et  une  zone  d électro  polissage  de  la  surface  du substrat. Les  conditions  expérimentales  adoptés  pour  nos  applications  étaient  un  régime  de  faible densité de courant  (1 à 5 mA/ cm2), ou on  favorise  la  formation de silicium nano poreux, sur un temps d’anodisation court (10 min). Les épaisseurs estimées des couches PS varient de 100 à 500 nm, épaisseurs adéquates pour  les applications optoélectroniques.  Mots clés : silicium poreux, attaque anodique, densité de courant     

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Structural, electronic and elastic properties of some B2 intermetallic compounds from first principle calculation 

 A. Sekkal1*, A. Benzair2, H.I. Faraoun, G. Merad1, H. Aourag1 

1Laboratoire d'Etude et Prédiction de Matériaux, Unité de Recherche Matériaux et Energies Renouvelables, Département de Physique, faculté des Sciences,Université Abou Bekr Belkaid B.P 119, 13000Tlemcen, Algérie 

2Département de Physique, faculté des sciences, Université Djillali Liabes. 22000 Sidi Bel Abbés, Algérie. E‐mail : [email protected] 

  Abstract (P 15‐T5): The  inter‐metallic  compounds  typically  possess  Chemical,  physical,  and mechanical  properties superior  to  ordinary metals.  However,  the most  intermetallic  compounds  exhibit  very  limited ductility at room temperatures and their brittle behavior, in both single and polycrystalline forms has been extensively investigated. A new class of highly ordered, ductile intermetallic systems has been  discovered  recently  .These  alloys  have  the  B2  structure  and  are  based  on  a  rare‐earth element and a late transition metal or an early p‐element. Apparently, there are 120 such alloys; most of these have not been studied, but at least 12 such compounds have been found to possess significantly  high  ductility  and  fracture  toughness  in  polycrystalline  form when  tested  at  room temperature and in air. YCu is typical member of ductile.   In this Study, ab initio self‐consistent calculations have been performed on the structural, elastic and electronic properties of rare earth inter‐metallic compounds YCu and YRh which crystallize in the CsCl‐ B2  type  structure. The  investigate using  the  full potential  linearized augmented plane wave method  (FP‐LAPW) within density  functional  Theory  (DFT). We used  generalized  gradient approximation  (GGA) which  is  based  on  exchange  correlation  energy optimization,  are  used  to determinate  the  total energies,  the electronic  structures. The  total energies are computed as a function of volume and fitted to the Murnaghane equation of state. The latter provide us with the ground states properties such as  lattice parameter, bulk modulus and elastic constants of  these compounds. Our results are in good agreement with numerous experimental and theoretical data available for YCu, while for YRh the elastic constants are not available.  Keywords : Intermetallic compounds, electronic structure, elastic properties, ab‐initio  method.  

 

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