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一般増幅用 QSZ2

TSMT5 パッケージに 2SB1695 と 2SD2657 内蔵。 構造 外形寸法図 (Unit : mm)

エピタキシャルプレーナ形シリコントランジスタ 特長 1) 低 VCE(sat) 2)小型パッケージである。 用途 DC / DC コンバータ モータドライバ パッケージ、標印及び包装仕様 内部回路図

Type QSZ2

TSMT5

Z02

TR

3000

パッケージ名標印

包装記号基本発注単位

絶対最大定格 (Ta=25C)

Tr1 Parameter

コレクタ・ベース間電圧コレクタ・エミッタ間電圧エミッタ・ベース間電圧

コレクタ電流

コレクタ損失

接合部温度保存温度

VCBO

VCEO

VEBO

IC

PC

TjTstg

−30 VVVA

mW/Total

°C°C

−30−6

−1.5A−3

5001.250.9150

−55~+150

Symbol Limits Unit

∗1 Pw=1ms 単パルス∗2 各端子を推奨ランドに実装した場合∗3 セラミック基板25mm 25mm t0.8mm使用時

lcp ∗1

∗2

W/Total ∗3

W/Element ∗3

+ + Tr2

Parameter SymbolVCBO

VCEO

VEBO

ICICP

PC

TjTstg

Limits30306

1.5

150−55∼+150

3 ∗1

UnitVVVAA

°C°C

コレクタ・ベース間電圧コレクタ・エミッタ間電圧エミッタ・ベース間電圧

コレクタ電流

コレクタ損失

接合部温度保存温度

mW/Total5001.250.9

∗1 Pw=1ms 単パルス∗2 各端子を推奨ランドに実装した場合∗3 セラミック基板25mm 25mm t0.8mm使用時

∗2

W/Total ∗3

W/Element∗3

+ +

2.9

2.8

1.9

1.6

0.95

0.95

0.4 (1)

(5)

(3)

(2)

(4)

0∼0.

1

0.16

0.85

0.7

0.3∼0.6

ROHM : TSMT5

QSZ2

標印略記号 : Z02

各端子とも同寸法

Tr1 Tr2

(5) (4)

(3)(2)(1)

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Data Sheet QSZ2

電気的特性 (Ta=25C)

Tr1

Parameter

コレクタ・ベース降伏電圧

コレクタ・エミッタ降伏電圧

エミッタ・ベース降伏電圧

コレクタしゃ断電流

エミッタしゃ断電流

直流電流増幅率

コレクタ・エミッタ飽和電圧

利得帯域幅積

出力容量

Symbol

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

IEBO

hFE

VCE(sat)

Cob

Min.

−30

−30

−6

−

−

270

−

−

−

−

−

−

−

−200

−

13

−

−

−

−100

−100

680

−370

−

V IC= −10μA

IC= −1mA

IE= −10μA

VCB= −30V

VEB= −6V

VCE= −2V, IC = −100mA

IC= −1A, IB= −50mA

VCB= −10V, IE=0mA, f=1MHz

V

V

nA

−

mV

nA

fT − 280 − VCE −2V, IE=100mA, f = 100MHzMHz

pF

Typ. Max. Unit Conditions

∗

∗

∗ パルス測定 Tr2

Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions

VCB=10V, IE=0A, f=1MHz利得帯域幅積 fT − 300 − MHz VCE=2V, IE= −100mA, f=100MHz

BVCBO 30 − − V IC=10μA

コレクタ・エミッタ降伏電圧 BVCEO 30 − − V IC=1mA

コレクタ・ベース降伏電圧

BVEBO 6 − − V IE=10μAエミッタ・ベース降伏電圧ICBO − − 100 nA VCB=30Vコレクタしゃ断電流IEBO − − 100 nA VEB=6Vエミッタしゃ断電流

VCE(sat) − 140 350 mV IC=1A, IB=50mAコレクタ・エミッタ飽和電圧hFE 270 − 680 − VCE=2V, IC=100mA直流電流増幅率

Cob − 11 − pF出力容量

∗

∗

∗ パルス測定

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Data Sheet QSZ2

電気的特性曲線 Tr1

0.01 0.1 110

DC

CU

RR

EN

T G

AIN

: hF

E

1000

100

Ta=100°C

Ta= −40°C

Ta=25°C

VCE=2VPulsed

0.001 10

COLLECTOR CURRENT : IC (A)

Fig.1 DC current gain vs. collector current

0.1

0.01

10

1

0.001 0.01 0.1 101B

AS

E S

AT

UR

AT

ION

VO

LTA

GE

: V

BE

(sa

t) (V

)C

OLL

EC

TO

R S

AT

UR

AT

ION

VO

LTA

GE

: V

CE

(sa

t) (V

)

Ta=25°C

Ta=25°C

Ta= −40°C

Ta= −40°C

Ta=100°C

Ta=100°C

VBE(sat)

VCE(sat)

IC/IB=20PulsedIC/IB=20/1Pulsed

COLLECTOR CURRENT : IC (A)

Fig.2 Collector-emitter saturation voltagebase-emitter saturation voltagevs. collector current

0.001 0.01 0.1 1 100.01

CO

LLE

CT

OR

SA

TU

RA

TIO

N V

OLT

AG

E :

VC

E(s

at) (V

)

0.1

1Ta=25°CPulsed

IC/IB=10/1

IC/IB=20/1

IC/IB=50/1

COLLECTOR CURRENT : IC (A)

Fig.3 Collector-emitter saturation voltagevs. collector current

0.5 10.001

CO

LLE

CT

OR

CU

RR

EN

T :

IC (A

)

0.01

1

0.1

VCE=2VPulsed

Ta=100°C Ta=25°C

Ta= −40°C

0 1.5

BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)

Fig.4 Grounded emitter propagationcharacteristics

0.1 110

TR

AN

SIT

ION

FR

EQ

UE

NC

Y :

fT (M

Hz)

1000

100

Ta=25°CVCE=2Vf=100MHz

0.01 10

EMITTER CURRENT : IE (A)

Fig.5 Gain bandwidth productvs. emitter current

0.01 0.1 1 101

10

1000

100

Ta=25°CVCE=5Vf=100MHztstg

tdon

tr

tf

COLLECTOR CURRENT : IC (A)

Fig.6 Switching time

SW

ITC

HIN

G T

IME

: (n

s)

1 101

10

100

1000

f=1MHzIC=0ATa=25°C

CO

LLE

CTO

R O

UTP

UT

CA

PA

CIT

AN

CE

: C

ob (p

F)E

MIT

TER

INP

UT

CA

PA

CIT

AN

CE

: C

ib (p

F)

Cib

Cob

1000.1

Fig.7 Collector output capacitancevs. collector-base voltageEmitter input capacitancevs. emitter-base voltage

EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB(V)COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB(V)

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Data Sheet QSZ2

Tr2

0.001 0.01 0.1 1 1010

DC

CU

RR

EN

T G

AIN

: hF

E

1000

100

Ta=100°C

Ta= −40°C

Ta=25°C

VCE= −2VPulsed

COLLECTOR CURRENT : IC (A)

Fig.8 DC current gain vs. collector current

0.1

0.01

1

0.001 0.01 0.1 101

BA

SE

SA

TU

RA

TIO

N V

OLT

AG

E :

VB

E (

sat)

(V)

CO

LLE

CT

OR

SA

TU

RA

TIO

N V

OLT

AG

E :

VC

E (

sat)

(V)

Ta=25°C

Ta=25°C

Ta= −40°C

Ta= −40°C

Ta=100°C

Ta=100°C

VBE(sat)

VCE(sat)

IC/IB=20/1Pulsed

COLLECTOR CURRENT : IC (A)

Fig.9 Collector-emitter saturation voltagebase-emitter saturation voltagevs. collector current

0.001 0.01 0.1 1 100.001

0.01

CO

LLE

CT

OR

SA

TU

RA

TIO

N V

OLT

AG

E :

VC

E(s

at) (V

)

0.1

1

10Ta=25°CPulsed

IC/IB=10/1IC/IB=20/1

IC/IB=50/1

COLLECTOR CURRENT : IC (A)

Fig.10 Collector-emitter saturation voltage vs. collector current

0 0.5 1 1.50.001

CO

LLE

CT

OR

CU

RR

EN

T :

IC (A

)

0.01

1

0.1

VCE= −2VPulsed

Ta=100°C Ta=25°C

Ta= −40°C

BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)

Fig.11 Grounded emitter propagation characteristics

0.1 10.01 10

Fig.12 Gain bandwidth product vs. emitter current

EMITTER CURRENT : IE (A)

10

TR

AN

SIT

ION

FR

EQ

UE

NC

Y :

fT (M

Hz)

1000

100

Ta=25°CVCE=2Vf=100MHz

0.01 0.1 1 101

10

1000

100

Ta=25°CVCE= −5VIC/IB=20/1tstg

tdon

tr

tf

COLLECTOR CURRENT : IC (A)

Fig.13 Switching time

SW

ITC

HIN

G T

IME

: (n

s)

1 10 1000.11

10

100

1000

f=1MHzIC=0ATa=25°C

CO

LLE

CTO

R O

UTP

UT

CA

PA

CIT

AN

CE

: C

ob (p

F)E

MIT

TER

INP

UT

CA

PA

CIT

AN

CE

: C

ib (p

F)

Cib

Cob

Fig.14 Collector output capacitance vs. collector-base voltage Emitter input capacitance vs. emitter-base voltage

EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB(V)COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB(V)

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R1120A