quang phổ laser

16
Quang phổ Laser DÙNG PHỔ RAMAN VÀ PHỔ QUANG PHÁT QUANG NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA TỈ LỆ KHÍ OXY VÀ SỰ Ủ NHIỆT ĐỐI VỚI MÀNG TIO 2 CHẾ TẠO BẰNG PP PHÚN XẠ MAGNETON PHẢN ỨNG

Upload: talisa

Post on 04-Feb-2016

89 views

Category:

Documents


1 download

DESCRIPTION

Quang phổ Laser. DÙNG PHỔ RAMAN VÀ PHỔ QUANG PHÁT QUANG NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA TỈ LỆ KHÍ OXY VÀ SỰ Ủ NHIỆT ĐỐI VỚI MÀNG TIO 2 CHẾ TẠO BẰNG PP PHÚN XẠ MAGNETON PHẢN ỨNG. Trình bày : Phạm Thanh Tâm Lê V ă n Nam. Quang phổ Laser. MỤC ĐÍCH:. - PowerPoint PPT Presentation

TRANSCRIPT

Page 1: Quang phổ Laser

Quang phổ Laser

DÙNG PHỔ RAMAN VÀ PHỔ QUANG PHÁT QUANG

NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA TỈ LỆ KHÍ OXY VÀ SỰ Ủ NHIỆT ĐỐI VỚI

MÀNG TIO2 CHẾ TẠO BẰNG PP PHÚN XẠ MAGNETON PHẢN ỨNG

Page 2: Quang phổ Laser
Page 3: Quang phổ Laser

Quang phổ Laser

MỤC ĐÍCH:

Nghiên cứu sự ảnh hưởng của tỉ lệ dòng oxy đưa vào trong hệ phún xạ trong việc chế tạo màng

Nghiên cứu sự ảnh hưởng của nhiệt độ ủ trong quá trình hình thành cấu trúc của màng

Page 4: Quang phổ Laser

Quang phổ Laser

GiỚI THIỆU:

Chế tạo màng TiOx bằng phương pháp phún xạ magneton trực tiếp ở nhiệt độ phòng với tỉ lệ dòng oxy đưa vào khoảng 3-15%

Sau đó đem ủ nhiệt ở 350-750oC

Dùng phổ nhiễu xạ tia X, quang phát quang và phổ Raman để nghiên cứu tính chất của màng

2

22

FOFO % 100%

FO FAr

Page 5: Quang phổ Laser

Quang phổ Laser

THÍ NGHIỆM:

Dùng đế p-Si(100), làm sạch bởi H2SO4 và H2O

Target Ti tinh khiết 99.99%, đường kính 2in và được áp vào nguồn DC 100W

Đế được áp điện thế -150V

Khoảng cách giữa đế và bia là 100mm

Áp suất nền 2.7*10-4 Pa, Áp suất làm việc 2.7*10-4 Pa

Thời gian phún xạ 40 phút

Độ dày của màng từ 50-200nm

Page 6: Quang phổ Laser

Quang phổ Laser

Cấu trúc màng, thông tin phase (anatase hay rutile) đo bởi quang phổ kế tia X sử dụng bức xạ Cu Kα (0.1542nm). Made in Japan

Các liên kết được đo bởi phổ Raman. Made in France

Phổ PL dùng laser He-Cd 325nm 50mW, cách tử và CCD

ĐO TÍNH CHẤT MÀNG:

Page 7: Quang phổ Laser

Quang phổ Lazer

LabRAM HR UV/Vis/NIR

+ Ar ion  CW Laser (514.5nm, 488nm) upto 40mW at sample.+ He-Cd  CW Laser (325nm) -Auto motor controlled XY mapping stage

Anatase Rutile

Page 8: Quang phổ Laser

Quang phổ Laser

Anatase

APPLICATION 1-     Paints, and Coating , emulsion interior Paints, Enamels  2-     Road-Marking Paints 3-     Filler , Primers, and undercoat  4-     Paper Industry  5-     Plastic Industry 6-     Rubber Industry  7-     Cement Industry.

widely used in painting, printing oilpaper makingPlasticRubberartificial fiber (sợi quang nhân tạo)welding electric (hàn điện)Enamel (tráng men)electric appliances and construction material etc

Rutile

Page 9: Quang phổ Laser

GIXRD patterns of titanium oxide films formed at: 3, 6, 10 and 15 FO2% and post-annealing at 750 °C for 2 min in air

RESULTS AND DISCUSSION_ The deposition time was fixed at 40 min.

_ The crystalline (101) anatase peak denoted as A(101) at 25,3°._ The (110) rutile peak denoted as R(110) at 27.4° can be easily observed from the TiOx thin film formed at 3 FO2%._ The intensity of anatase peaks at 3 FO2% is stronger than rutile peaks.

_ As FO2% is higher than 6%, the rutile peaks cannot be detected.

Page 10: Quang phổ Laser

GIXRD patterns of titanium oxide films formed at: 3 FO2% and post-annealed at RT, 350°C , 550°C , and 750°C for 2 min in air.

RESULTS AND DISCUSSION

_ TiOx film annealed at 350°C is still an amorphous film because of no distinct diffraction peak.

_ The mixed crystalline anatase and rutile films are obtained after 550°C and 750°C annealing.

_ The intensity of both anatase and rutile peaks increases with increasing temperature.

Page 11: Quang phổ Laser

Raman spectra of titanium oxide films formed at 3, 6, 10 and 15 FO2% and post-annealed at 750 °C for 2 min in air.

RESULTS AND DISCUSSION

_ The film at 3 FO2% shows several anatase peaks at 396 and 639 cm−1 and rutile peaks at 449 and 612 cm−1.

_ The rutile peaks decrease with increasing oxygen flow ratio.

_ The intensity of anatasepeak decreaseswith increasing oxygen flow ratio due to the reduction of film thickness.

Page 12: Quang phổ Laser

Raman spectra of titaniumoxide films at 3 FO2% and post-annealed at RT, 350 °C , 550 °C , and 750 °C for 2 min in air.

RESULTS AND DISCUSSION

_ The intensity of anatase peaks at 396 and 639 cm−1 and rutile peaks at 449 and612cm−1 increases with annealing temperature from RT to 750°C, especially for anatase peaks.

Page 13: Quang phổ Laser

PL spectra of titanium oxide films formed at 3, 6, 10 and 15 FO2% and post-annealed at 750 °C for 2 min in air.

RESULTS AND DISCUSSION

The relationship between the crystalline structure and PL behaviors of titanium oxides

Laser excitation: 325 nm, at the room temperature _ The weak shoulder peak at 650 nm is induced from the laser source._ An asymmetrical wide FWHM peak in visible region is observed at the 3 FO2% sample.

Page 14: Quang phổ Laser

The Gaussian fitted curve of PL spectra of the 3 FO2% film at 750 °C annealed for 2 min in air.

RESULTS AND DISCUSSION

_ The wide peak is merged from two different TiOx peaks.

_ The curve can be fitted into two Gaussian peaks at 486 nm (2,55eV) and 588 nm(2,11eV).

Page 15: Quang phổ Laser

PL spectra of titanium oxide films at 3 FO2% and post-annealed at RT, 350 °C , 550 °C , and 750 °C for 2 min in air.

RESULTS AND DISCUSSION

_ Luminescence shift caused by the mixed anatase and rutile phase. _ The intensity of PL peaks increases with annealing temperature because of enhancement of the crystallinephase._ For the as-deposited and 350 °C annealed samples, the PLsignal is very weak due to the poor crystallinity.

Page 16: Quang phổ Laser

The oxygen flow ratios during deposition and post-annealed temperatures result in the evolution of phase formation of the films

CONCLUSION

The XRD and Raman results indicate that the 3 FO2% film is formed of a mixed phase of anatase and rutile, and the specimens of 10 FO2%, and 15 FO2% are the single-phase anatase after 550–750 °C annealing

The as-deposited TiOx films and those annealed at 350 °C are all amorphous because of no distinct diffraction peak.

The minimum thermal annealing temperature necessary to stimulate the crystallization of film is between 350 °C and 550°C.