Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale

1948: nei Bell Labs Schockley, Brattain e Bardeen inventano il transistor

Base (GeN)

Emettitore (GeP)

Collettore (GeP)

supporto in plexiglass

Ib

Ie Ic

E C

B

1 - substrato N+2 - crescita epitassiale N=

strato epitassiale N =

substrato N+

Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale

1 - substrato N+2 - crescita epitassiale N=

strato epitassiale N =

3 - ossidazione superficiale

substrato N+

Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale

4 - deposiz. Resist, mascheratura, esposiz. UV, sviluppo, attacco acido

1 - substrato N+2 - crescita epitassiale N=

strato epitassiale N =

3 - ossidazione superficiale

substrato N+

Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale

5 - diffusione P di Boro per la Base

diffusione di Base P

4 - deposiz. Resist, mascheratura, esposiz. UV, sviluppo, attacco acido

strato epitassiale N =

substrato N+

Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale

8 - diffusione N+ di Emettitore

diffusione di Base P

6 - ossidazione superficiale7 - attacco acido selettivo

diffusione N+ di Em.

strato epitassiale N =

substrato N+

Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale

diffusione di Base P

9 - ossidazione superficiale

diffusione N+ di Em.

10 - attacco acido selettivo

strato epitassiale N =

substrato N+

Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale

diffusione di Base P

9 - ossidazione superficiale

diffusione N+ di Em.

10 - attacco acido selettivo

11 - metallizzazione superficiale12 - attacco acido selettivo

strato epitassiale N =

substrato N+

Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale

diffusione di Base P

9 - ossidazione superficiale

diffusione N+ di Em.

10 - attacco acido selettivo

11 - metallizzazione superficiale12 - attacco acido selettivo E B

COLLETTORE

E B

Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale13 - separazione dei chip14 - saldatura nel package15 - saldatura dei contatti

Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale

struttura interdigitata