tt8k2tr : transistors...tt8k2 datasheet l電気的特性 (ta = 25 c) parameter symbol conditions...
TRANSCRIPT
TT8K2 30V Nch + Nch Middle Power MOSFET Datasheet
ll外形図外形図
VDSS 30V TSST8
RDS(on)(Max.) 90mΩ
ID ±2.5A
PD 1.25W
ll特長特長ll内部回路図内部回路図
1) 高速スイッチング、低オン抵抗2) 低電圧駆動(2.5V駆動)3) 小型 high power パッケージ4) ゲート保護ダイオード内蔵5) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
ll包装仕様包装仕様
タイプ
包装形態Embossed
Tape
ll用途用途 リールサイズ (mm) 180
スイッチング テープ幅 (mm) 8
基本発注単位(個) 3000
テーピングコード TR
標印 K02
ll絶対最大定格絶対最大定格 (Ta = 25°C) <Tr1, Tr2共通>
Parameter Symbol Value Unit
ドレイン・ソース間電圧 VDSS 30 V
ドレイン電流 (直流) ID ±2.5 A
ドレイン電流 (パルス) ID,pulse*1 ±10 A
ゲート・ソース間電圧 VGSS ±12 V
全許容損失
トータルPD
*21.25
W 素子 1.0
トータル PD*3 0.6
ジャンクション温度 Tj 150 ℃
保存温度 Tstg -55 ~ +150 ℃
www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20150730 - Rev.001
TT8K2 Datasheet
ll熱抵抗熱抵抗
Parameter SymbolValues
UnitMin. Typ. Max.
熱抵抗 (ジャンクション・外気間)
トータルRthJA
*2- - 100
℃/W 素子 - - 125
トータル RthJA*3 - - 208
ll電気的特性電気的特性 (Ta = 25°C) <Tr1, Tr2共通>
Parameter Symbol ConditionsValues
UnitMin. Typ. Max.
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA 30 - - V
ドレイン・ソース降伏電圧温度係数
ΔV(BR)DSS ID = 1mA- 29 - mV/℃
ΔTj referenced to 25℃
ドレイン遮断電流 IDSS VDS = 30V, VGS = 0V - - 1 μA
ゲート漏れ電流 IGSS VDS = 0V, VGS = ±12V - - ±10 μA
ゲートしきい値電圧 VGS(th) VDS = 10V, ID = 1mA 0.5 - 1.5 V
ゲートしきい値電圧温度係数
ΔVGS(th) ID = 1mA- -1.6 - mV/℃
ΔTj referenced to 25℃
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)*4
VGS = 4.5V, ID = 2.5A - 65 90
mΩ VGS = 4V, ID = 2.5A - 70 95
VGS = 2.5V, ID = 2.5A - 95 130
ゲート抵抗 RG f = 1MHz, open drain - 20 - Ω
順伝達アドミタンス |Yfs|*4 VDS = 10V, ID = 2.5A 2.2 - - S
www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/11 20150730 - Rev.001
TT8K2 Datasheet
ll電気的特性電気的特性 (Ta = 25°C) <Tr1, Tr2共通>
Parameter Symbol ConditionsValues
UnitMin. Typ. Max.
入力容量 Ciss VGS = 0V - 180 -
pF出力容量 Coss VDS = 10V - 60 -
帰還容量 Crss f = 1MHz - 35 -
ターンオン遅延時間 td(on)*4 VDD ⋍ 15V,VGS = 4.5V - 7 -
ns上昇時間 tr*4 ID = 1.2A - 30 -
ターンオフ遅延時間 td(off)*4 RL = 12.5Ω - 20 -
下降時間 tf*4 RG = 10Ω - 20 -
llゲート電荷量特性ゲート電荷量特性 (Ta = 25°C) <Tr1, Tr2共通>
Parameter Symbol ConditionsValues
UnitMin. Typ. Max.
ゲート総電荷量 Qg*4 VDD ⋍ 15V - 3.2 -
nCゲート・ソース間電荷量 Qgs*4 ID = 2.5A - 0.9 -
ゲート・ドレイン間電荷量 Qgd*4 VGS = 4.5V - 0.4 -
ll内部ダイオード特性 内部ダイオード特性 (ソース・ドレイン間) (Ta = 25°C) <Tr1, Tr2共通>
Parameter Symbol ConditionsValues
UnitMin. Typ. Max.
ソース電流(直流) IS Ta = 25℃
- - 0.8A
ソース電流(パルス) ISP*1 - - 10
順方向電圧 VSD*4 VGS = 0V, IS = 2.5A - - 1.2 V
*1 Pw≦10μs , Duty cycle≦1%
*2 セラミック基板実装時 (30×30×0.8mm)
*3 ガラエポ基板実装時 (20×20×0.8mm)
*4 パルス
www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/11 20150730 - Rev.001
TT8K2 Datasheet
ll電気的特性曲線電気的特性曲線
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve Fig.2 Maximum Safe Operating Area
Fig.3 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width
Fig.4 Single Pulse Maximum Power dissipation
www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/11 20150730 - Rev.001
TT8K2 Datasheet
ll電気的特性曲線電気的特性曲線
Fig.5 Typical Output Characteristics(I) Fig.6 Typical Output Characteristics(II)
Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
Fig.8 Typical Transfer Characteristics
www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/11 20150730 - Rev.001
TT8K2 Datasheet
ll電気的特性曲線電気的特性曲線
Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction Temperature
Fig.10 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current
Fig.11 Drain Current Derating Curve Fig.12 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Gate Source Voltage
www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/11 20150730 - Rev.001
TT8K2 Datasheet
ll電気的特性曲線電気的特性曲線
Fig.13 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Junction Temperature
Fig.14 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(I)
www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 7/11 20150730 - Rev.001
TT8K2 Datasheet
ll電気的特性曲線電気的特性曲線
Fig.15 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(II)
Fig.16 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(III)
Fig.17 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(IV)
www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 8/11 20150730 - Rev.001
TT8K2 Datasheet
ll電気的特性曲線電気的特性曲線
Fig.18 Typical Capacitance vs. Drain - Source Voltage
Fig.19 Switching Characteristics
Fig.20 Dynamic Input Characteristics Fig.21 Source Current vs. Source Drain Voltage
www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 9/11 20150730 - Rev.001
TT8K2 Datasheet
ll測定回路図 測定回路図 <Tr1, Tr2共通>
図 1-1 スイッチング時間測定回路 図 1-2 スイッチング波形
図 2-1 ゲート電荷量測定回路 図 2-2 ゲート電荷量波形
www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 10/11 20150730 - Rev.001
TT8K2 Datasheet
ll外形寸法図外形寸法図
www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 11/11 20150730 - Rev.001
Datasheet
Part Number TT8K2Package TSST8Unit Quantity 3000Minimum Package Quantity 3000Packing Type TapingConstitution Materials List inquiryRoHS Yes
TT8K2 - Web PageDistribution Inventory