UNION P-N

DIODO DE UNIN PN POLARIZADO:

La unin p-n est polarizada directamente cuando a laregin p se leaplica unpotencial mayor que ala regin n. Para ello, tal y como se ve, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo (zonap) y elpolo negativo alctodo (zona n).

En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos:

Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son empujados hacia la unin por el campo electrnico EPOOL a que da lugar la polarizacin.

Por tanto se reduce la anchura e la zona e transicin

El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de la unin Eu.As, se reduce el campo elctrico de la uniny, consecuentemente, labarrera de potencial. Recordar que, como vimos en el Tema 4, la barrera de potencial sin polarizacin es VJ=Vo. Con la polarizacin directa de la unin p-n se reduce en la forma VJ=Vo-V siendo V la tensin directa aplicada a dicha unin.

LA LEY DE SHOCKLEY

vemos que los electrones libres de la zona N pasan a ocupar los huecos de la zona P y los huecos de la zona P pasan a la zona N, de manera que en la unin la zona P se carga negativamente y la zona N se carga positivamente. Ac vemos La cantidad de electrones es mayor en la zona N, as como es menor la cantidad de huecos en la zona P. Los electrones que van llegando a la zona P generan un campo elctrico que se opone cada vez ms a que otros electrones pasen, hasta que se alcanza un estado de equilibrio en el cual no pasan ms electrones.

Es un dispositivo de dos terminales que o tiene los estados estables, no se de confundir con el diodo e barrera Schottky est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p

CONMUTACIN DEL DIODO

En este aplle se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus tornas de positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otranegativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin.

Este esquema se sita en la parte superior derecha delapplet y se puede conmutar entre tensiones haciendo"click" con el ratn en la zona entre las dos fuentes detencin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje Yuna flecha que sealala mencionada zona sensibleEl usuario puede modificar todos losparmetros del circuito presionando el botn del panel superior con el texto"Parmetrosciscuito". Al presionarlo aparecer una ventana con tres campos editables donde sepueden introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), la tensin inversa (VR) y la resistencia depolarizacin (R). Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios. Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde se representan los parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del diodo. La primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito; la segunda la corriente que circula por el diodo; la tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo (aplicando la aproximacin de diodo asimtrico) y la ltima grfica es la tensin que cae en tornas del diodo. Esta cuatro grficas se van actualizando en el tiempo y sern desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo. En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que rigen el comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las ecuaciones literales para la carga del diodo,la tensin en tornas del diodoy para los perfiles de los minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo de cada una de estas ecuaciones demuestran las mismas pero sustituyendo cada variable por al valor actual que tiene en la simulacin.