x8r 稳定型钛酸钡基陶瓷的制备与 研究
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X8R 稳定型钛酸钡基陶瓷的制备与 研究. 柳亚然. 实验一. 1. 经 1000 ℃ 煅烧后,衍射谱图已经完全形成 了 NiNb 2 O 6 与 MnNb 2 O 6 晶体 的衍射峰,特征衍射峰强且尖锐,说明 1000 ℃ 合成产物的晶型比较完善,已经形成了对称性较好、晶格完整的先驱体 晶体 ,但合成的铌锰小料中出现第二相 Nb 4 O 5. 铌锰小料性能验证实验 XRD 测试,分析主晶相. 实验进展. - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
X8R 稳定型钛酸钡基陶瓷的制备与研究
柳亚然
1
实验进展实验一
铌锰小料性能验证实验
XRD 测试,分析主晶相
20 30 40 50 60 70 800
500
1000
1500
2000
2500
3000
Inte
nsit
y
2-Theta()
NiNb2O
6
20 30 40 50 60 70 800
500
1000
1500
2000
2500
Inte
nsit
y
2-Theta()
MnNb2O
6
Nb4O
5
Fig.1. XRD patterns of a) niobium nickel compounds and b) niobium manganese compounds sintered at 1000℃
经 1000℃ 煅烧后,衍射谱图已经完全形成了 NiNb2O6 与 MnNb2O6 晶体的衍射峰,特征衍射峰强且尖锐,说明1000℃ 合成产物的晶型比较完善,已经形成了对称性较好、晶格完整的先驱体晶体,但合成的铌锰小料中出现第二相Nb4O5
• 体积电阻率• 绝缘强度
电学性能
• D=Ф35±5• h=1.5±0.2
尺寸指标 • Ф45• 压力:
20MPa 左右
制样项目指标:ρv ≥10^11Ω·cmEb≥7kV/mm
公司性能:ρv 待测 Eb≥8kV/mm
实验二X8R 瓷料性能实验
压制Ф45圆片,进行电学性能测试
2
球磨玻璃配方
以 g 配方为基础
10#GФ2 2h
Ф2 4h
MC-G2Ф5 4h
Ф5 8h
实验进展
实验三不同磨球的对比实验以 g 配方为基础,进行不同
磨球以及不同玻璃的对比实验
球磨时间
成型压力
烧结曲线
Fig.1. Dielectric properties of the X8R samples with different pressure and different milling time sintered
at 1150℃
-50 0 50 100 1501700
1800
1900
2000
2100
2200
2300
2400
2500
Temperature/C
4h-4MPa 4h-6MPa 8h-2MPa 8h-4MPa 8h-6MPa
-50 0 50 100 150-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
c/c
-%
Temperature/C
X8R window
4h-4MPa 4h-6MPa 8h-2MPa 8h-4MPa 8h-6MPa
分析:球磨 4h 时,不同的成型压力对陶瓷介电性能影响不显著;球磨 8h 时,成型压力主要使介温曲线产生纵向的变化,
随着成型压力增大,介温曲线向下偏移,压峰作用明显。
分析:不同的球磨时间使介温峰形状发生明显的变化,球磨时间由 4h 增大到 8h 时,在 50℃ 附近介电峰增强,居里峰向高温移动,电容量变化率随温度的变化曲线变得更加平坦,负温区、高温区的变化率均变小,但室温介电常数稍微下降。
MC-G2 玻璃实验
球磨4h
球磨8h
Fig.2. Dielectric properties of the X8R samples with different milling time sintered at different curve at 1150℃
-50 0 50 100 1501700
1800
1900
2000
2100
2200
2300
2400
Temperature/C
3.5-1-1-4h 3.5-1-1-8h 3-3-3-4h 3-3-3-8h
-50 0 50 100 150-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
3.5-1-1-4h 3.5-1-1-8h 3-3-3-4h 3-3-3-8h
c/c
-%Temperature/C
分析:当烧结曲线为 1# 时,球磨时间使介温曲线的纵向移动,当球磨 8h 时,介温峰明显向下偏移;当烧结曲线为 2# 时,球磨时间对其影响不大,球磨8h 时,其介温曲线比球磨 4h 的平缓;球磨 4h 时,烧结曲线对其介温曲线影响不显著;球磨 8h 时,介温曲线有明显的纵向移动。
MC-G2 玻璃实验
总结: 添加 MC-G2 玻璃的实验,整体来看,其室温介电常数偏低,大约为 2100 ,电容量随温度的变化率在高温区比较小。球磨时间为 4h时,其介电性能对成型压力及烧结曲线均不太敏感,没有显著差异;当球磨时间延长到 8h 时,介电性能随成型压力及烧结曲线的变化很大,增大成型压力,使介温曲线向下偏移,延长保温时间,使介电常数显著提高。另外,延长球磨时间,使居里峰向高温移动。因此,可以延长球磨时间,再通过调节烧结曲线(延长保温时间 / 退火等),来改善介温曲线,进一步提高介电性能。
MC-G2 玻璃实验
小锆球实验
-50 0 50 100 1501600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
Temperature/C
2-2h 2-4h
-50 0 50 100 150
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
2-2h 2-4h
c/c
-%
Temperature/C
X8R window
Fig.1. Dielectric properties of the X8R samples with different milling time sintered at 1150℃
分析:用 Ф2 锆球球磨时,球磨时间对介温性能影响很大,延长球磨时间,使介温曲线明显向下偏移,且对居里峰的压抑作用十分明显,居里峰几乎消失,另外,延长球磨时间,使居里峰略微向高温移动。
总结: 使用 Ф2 锆球实验,整体来看,其室温介电常数偏低,大约为 2500 , Ф2 锆球球磨,对居里峰有明显的压抑作用,并使居里峰略微向高温移动,此作用类似于本实验室 X8R 体系, CaZrO3 所起的作用。另外,使用小锆球可以提高球磨效率,减少球磨时间。
实验总结
Ф2 锆球实验减少球磨时间 Ф2 锆球实验减小 CaZrO3 添加量 10#G-MC-G2 实验延长球磨时间 (通过两种玻璃的配合,以及球磨时间的调整,有望提高其温度稳定性,提升介电性能。)
球磨
球磨时间
成型
成型压力
烧结
烧结曲线
最佳
介电性能
Table1. Dielectric properties of the X8R samples sintered at different curve
实验四送样准备
用第二批 X8R 大料,进行相关工艺,制备圆片
编号参数
注: Ф10-4MPa :直径为 10mm ,成型压力 4MPa依次类推
室温 -20℃ △C/C(20℃)-%
tanθ ε -55℃ 125℃ 140℃ 150℃ 150℃-20min
Ф10-4MPa 0.907 2796 -10.9 7.3 3.5 -13.9 -15.1
Ф10-4MPa 0.932 2838 -11.0 5.8 2.9 -14.0 -15.3
Ф20-4MPa 0.992 2857 -11.6 6.8 3.5 -14.4 -16.2
Ф10-3MPa 0.884 2815 -10.1 8.2 7.1 -11.4 -12.7
通过调节烧结温度和保温时间 ,有效提高陶瓷的
介电性能
1# 1180℃
3# 1150℃
性能:ε25℃ : ~3960tgδ :≤ 0.8%ΔC/C 25 ℃ :≤ 12%
配方:BaTiO3+K0.5Na0.5NbO3+Li-Ti-Si-O(sol-gel) (solid-state) ( sol-gel )