第 4 章 蝕刻製程
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第 4 章 蝕刻製程. 班級:科管三乙 組員:林宗憲 49654043 王丹祈 49654047 吳清三 49654058 孟暐達 49654111 蔡銘鐘 49654112. 工作分配. 4.2.1~4.2.6 王丹祈 4.2.7~4.2.11 蔡銘鐘 4.3 林宗憲 PowerPoint 製作 孟暐達 報告修改及上台報告 吳清三. 4.2.1 蝕刻. 定義 : 藉由預先定義好的圖形把不要的區域去除,保留要留下的區域,將圖形轉移到所選定的基礎上其過程稱之為蝕刻。 - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
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4 49654043 49654047 49654058 49654111 49654112
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4.2.1~4.2.6 4.2.7~4.2.11 4.3 PowerPoint
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4.2.1 :()()
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4.2.2 :(1)(2)(3)
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(Chemical Machining CHM)(Chemical Etching)
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4.2.3 :()(Plasma Etching)(Physical Bomboard)(Active Radical)()(Chemical Reaction) (1) (Sputter Etching) (2) (Ion Beam Etching) (Plasma Etching) (Reactive Ion Etching RIE)
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(etchant)(selectivity)(isotropic etching)(undercut)3.a(anisotropic etching)3.c(Radical)
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(a).(b).(c).
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4.2.4 / :
: ()
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4.2.5 : (PVD)(CVD)(Plasma)(Plasma)
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4.2.6 :
:
:
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4.2.7 :Optical Emission
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4.2.8
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4.2.9 ()
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4.2.10 (Profile)
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4.2.11 (Passivative Gas)(Under layer Selectivit)
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4.3
(IC)IC;IC
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1121420
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(Si)(Ge) (GaAs)
1.2()
()
()
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1
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RIE
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(Micro loading Effect)