光電科技 led: materials and device aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授...
DESCRIPTION
*Bonding and Band structure in semiconductors 3TRANSCRIPT
![Page 1: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/1.jpg)
光電科技
LED: Materials and Device Aspects
授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系
中華民國一○二年四月二十二日1
![Page 2: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/2.jpg)
§ 1-1 Optical Semiconductor Materials
*Elemental semiconductors : Si, Ge, ( used in photodiodes only)*Compound semiconductors
Ⅲ- compounds Ⅴ & alloys Ⅳ compounds & alloys Ⅰ- -Ⅲ Ⅵ2 compounds Ⅱ- -Ⅳ Ⅴ2 compounds Ⅳ- compoundsⅣ For applications in light emitting devices like LEDs and LDs as well as photodiodes ( solar cells & photodetectors)
2
![Page 3: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/3.jpg)
*Bonding and Band structure in semiconductors
3
![Page 4: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/4.jpg)
4
![Page 5: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/5.jpg)
5
![Page 6: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/6.jpg)
6
![Page 7: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/7.jpg)
Physical Properties of Optical Semiconductors
7
![Page 8: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/8.jpg)
8
![Page 9: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/9.jpg)
9
![Page 10: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/10.jpg)
10
![Page 11: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/11.jpg)
11
![Page 12: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/12.jpg)
12
![Page 13: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/13.jpg)
13
![Page 14: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/14.jpg)
14
![Page 15: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/15.jpg)
15
![Page 16: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/16.jpg)
16
![Page 17: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/17.jpg)
17
![Page 18: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/18.jpg)
18
![Page 19: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/19.jpg)
19
![Page 20: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/20.jpg)
20
![Page 21: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/21.jpg)
21
![Page 22: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/22.jpg)
22
![Page 23: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/23.jpg)
23
![Page 24: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/24.jpg)
24
![Page 25: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/25.jpg)
25
![Page 26: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/26.jpg)
26
![Page 27: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/27.jpg)
27
![Page 28: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/28.jpg)
28
![Page 29: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/29.jpg)
29
![Page 30: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/30.jpg)
30
![Page 31: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/31.jpg)
31
![Page 32: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/32.jpg)
32
![Page 33: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/33.jpg)
33
![Page 34: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/34.jpg)
34
![Page 35: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/35.jpg)
35
![Page 36: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/36.jpg)
36
![Page 37: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/37.jpg)
37
![Page 38: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/38.jpg)
38
![Page 39: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/39.jpg)
![Page 40: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/40.jpg)
cross-section of diffusion fabricated LED
![Page 41: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/41.jpg)
light emitting in the pn junction
![Page 42: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/42.jpg)
42
![Page 43: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/43.jpg)
EQE of LEDs in the visible spectrum
![Page 44: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/44.jpg)
LED material Substrate Type Wavelength(nm) Color Efficiency
InGaN Sapphire D 370-680 UV-Red Medium-High
AlGaInP GaAs D 560 Green Medium
AlGaInP GaP D 570 Green Medium
AlGaInP GaP D 590 Yellow High
AlGaInP GaP D 607 Orange High
AlGaInP GaP D 620-650 Red High
AlGaAs GaAs D 650-675 Red Medium
Table 1: III-V semiconductor LEDs’ wavelength, Color and Efficiency
![Page 45: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/45.jpg)
LED material Substrate Type Wavelength(nm) Color Efficiency
GaAsP:N GaP I 589 Yellow Low
GaAsP:N GaP I 632 Red Low
GaAsP GaAs D 649 Red Low
GaP GaP I 555 Green Low
GaP:N GaP I 565 Green Low
GaP:N,N GaP I 590 Yellow Low
GaP:ZnO GaP I 699 Red Medium
AlGaAs:Si GaAs D 820-890 IR High
GaAs:Si GaAs D 920-950 IR High
![Page 46: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/46.jpg)
Cross-sectional schematic of a flip chip (覆晶 ) GaN LED
![Page 47: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/47.jpg)
InGaAs LED containing a photonic crystal
![Page 48: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/48.jpg)
48
![Page 49: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/49.jpg)
49
![Page 50: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/50.jpg)
光電科技
LED: Recent Advances and Applications
授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系
中華民國一○二年五月二十日50
![Page 51: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/51.jpg)
![Page 52: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/52.jpg)
Internal Quantum Efficiency Enhancement
52
![Page 53: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/53.jpg)
Cheng-Liang Wang, Jyh-Rong Gong,* Ming-Fa Yeh, Bor-Jen Wu, Wei-Tsai Liao, Tai-Yuan Lin, and Chung-Kwei Lin
53
IEEE Photonic Technology Letters 18 (2006) 1497
* Department of Physics, National Chung Hsing University, TAIWAN, R.O.C.
![Page 54: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/54.jpg)
GaN-based LED structures w/wo SPSLs
Undoped GaNu-GaN + SPSL
p-GaN
5-pair AlGaN(2nm)/GaN(2nm) SPSL
Sample A
u-GaN ( 0.1mm)
MQWsSample B
Sample C
Sample D
u-GaN ( 0.1mm)u-GaN ( 0.1mm)
sapphire substrate
n-GaN (4mm)
Ni/Au
Ti/Al
u-GaN ( 0.4mm)
u-GaN ( 0.4mm)
u-GaN ( 0.4mm)
u-GaN ( 0.4mm)
C. L. Wang et al. IEEE Photon. Tech. Lett. 18 (2006) 1497
![Page 55: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/55.jpg)
C. L. Wang et al. IEEE Photon. Tech. Lett. 18 (2006) 1497
![Page 56: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/56.jpg)
C. L. Wang et al. IEEE Photon. Tech. Lett. 18 (2006) 1497
![Page 57: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/57.jpg)
InGaN/GaNmulti-quantum wells
2 sets of short period superlattices
500nm
100nm
u-GaN
n-GaN
p-GaN
n-GaN
C. L. Wang et al. IEEE Photon. Tech. Lett. 18 (2006) 1497
![Page 58: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/58.jpg)
C. L. Wang et al. IEEE Photon. Tech. Lett. 18 (2006) 1497
![Page 59: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/59.jpg)
59
Cheng-Liang Wang , Ming-Chang Tsai, Jyh-Rong Gong,* Wei-Tsai Liao, Ping-Yuan Lin, Kuo-Yi Yen, Chia-Chi Chang, Hsin-Yueh Lin , and Shen-Kwang Hwang
* Department of Physics, National Chung Hsing University, TAIWAN, R.O.C.
Materials Science & Engineering B 138 (2007) 180
![Page 60: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/60.jpg)
According to the standard Shockley model , the I–V relationshipof a forward-biased p–n junction can be approximated
by I = Is exp(q V/ηkT),
where Is, q, k, η and T, respectively, are saturation current of thediode, electron charge, Boltzmann constant, and ideality factorand absolute temperature of the diode.
60
![Page 61: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/61.jpg)
Semilogarithmic I–V plots of the forward-biased In0.2Ga0.8N/GaNMQWLEDs having (a) zero-set, (b) one-set, (c) two-set, and (d) three-set Al0.3Ga0.7N/GaNSPSL insertion.
C. L. Wang et al. MSE B 138 (2007) 180
![Page 62: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/62.jpg)
Typical optical surface morphologies of etched In0.2Ga0.8N/GaN MQW LEDs having (a) zero-, (b) one-, (c) two-, and (d) three-set Al0.3Ga0.7N/GaN SPSL insertion.
C. L. Wang et al. MSE B 138 (2007) 180
![Page 63: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/63.jpg)
C. L. Wang et al. MSE B 138 (2007) 180
Typical I–V characteristics of the reverse-biased In0.2Ga0.8N/GaNMQWLEDs (1) without SPSL insertion, (2) with one set of Al0.3Ga0.7N/GaN SPSLinsertion, (3) with two sets of Al0.3Ga0.7N/GaN SPSL insertion, and (4) withthree sets of Al0.3Ga0.7N/GaN SPSL insertion, respectively. The inset exhibitsplots of the corresponding EL intensity vs. emissionwavelength of the two LEDshaving no SPSL and two sets of SPSL operated at 20 mA.
![Page 64: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/64.jpg)
C. L. Wang et al. MSE B 138 (2007) 180
![Page 65: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/65.jpg)
Wei-Tsai Liao, Jyh-Rong Gong,* Cheng-Liang Wang, Wei-Lin Wang,Chih-Chang Tsuei, Cheng-Yen Lee, Keh-Chang Chen, Jeng-Rong Ho, andRen C. Luo
65
Electrochemical and Solid-State Letters, 10 1 H5-H7 (2007)
* Department of Physics, National Chung Hsing University, TAIWAN, R.O.C.
![Page 66: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/66.jpg)
Typical 0002 DCXRD curves of the In0.1Ga0.9N/Al0.03Ga0.97NMQW LED structures grown on c- and a-plane sapphire substrates. Insets:the corresponding XTEM micrographs of the LEDs near MQW area, respectively
W. T. Liao et al. Electrochem. Solid-State Lett. 10 (2007) H5
![Page 67: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/67.jpg)
Characteristics of the In0.1Ga0.9N/Al0.03Ga0.97N MQW LEDs grown on c- and a-plane sapphire substrates
W. T. Liao et al. Electrochem. Solid-State Lett. 10 (2007) H5
![Page 68: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/68.jpg)
Plots of EL intensity vs forward current of theIn0.1Ga0.9N/Al0.03Ga0.97N MQW LEDs grown on c- and a-plane sapphiresubstrates. Inset: a typical room-temperature EL spectra measured at 20 mAfor the In0.1Ga0.9N/Al0.03Ga0.97N MQW LEDs grown on c- and a-plane sapphiresubstrates.
W. T. Liao et al. Electrochem. Solid-State Lett. 10 (2007) H5
![Page 69: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/69.jpg)
Typical FESEM surface morphologies of the etched In0.1Ga0.9N/Al0.03Ga0.97N MQW LEDs grown on a c- and b a-plane sapphire substrates
W. T. Liao et al. Electrochem. Solid-State Lett. 10 (2007) H5
![Page 70: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/70.jpg)
External Quantum Efficiency Enhancement
70
![Page 71: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/71.jpg)
Kuo-Yi Yen, Chien-Hua Chiu, Chun-Wei Li, Chien-Hua Chou, Pei-Shin Lin, Tzu-Pei Chen,Tai-Yuan Lin, and Jyh-Rong Gong*
71
* Department of Physics, National Chung Hsing University, TAIWAN, R.O.C.
IEEE PhotonicTechnologyLett.ers 24 (2012) 2105
![Page 72: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/72.jpg)
72
![Page 73: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/73.jpg)
Typical I-V curves of (a) N2-annealed n+-GZO contacts along with anITO contact on p-GaN/sapphire templates and (b) forward-biased InGaN/GaNMQW LEDs with an as-deposited n+-GZO TCL, an ITO TCL and n+-GZOTCLs being N2-annealed at 400 °C, 500 °C, 600 °C, 700 °C, and 800 °C.
K. Y. Yen et al. IEEE Photon.Tech.Lett. 24 (2012) 2105
![Page 74: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/74.jpg)
Schematic showing electron tunneling in a reverse-biased n+GZO/p-GaN hetero-junction
K. Y. Yen et al. IEEE Photon. Tech. Lett. 24 (2012) 2105
![Page 75: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/75.jpg)
K. Y. Yen et al. IEEE Photon.Tech.Lett. 24 (2012) 2105
(a)–(f) θ-2θ XRD plots of as-deposited n+-GZO TCL and n+-GZO TCLs on GaN/c-sapphire substrates being annealed at 400 °C, 500 °C, 600 °C, 700 °C, and 800 °C for 5 min in N2 ambient.
![Page 76: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/76.jpg)
Light output powers of InGaN/GaN MQW LEDs with as-depositedn+-GZO, 400 °C N2-annealed n+-GZO and commercial ITO TCLs
K. Y. Yen et al. IEEE Photon. Tech. Lett. 24 (2012) 2105
![Page 77: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/77.jpg)
Optical transmittances of as-deposited n+-GZO, 400 °C N2-annealedn+-GZO and ITO films deposited on c-sapphire substrates
K. Y. Yen et al. IEEE Photon. Tech. Lett. 24 (2012) 2105
![Page 78: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/78.jpg)
78
![Page 79: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/79.jpg)
![Page 80: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/80.jpg)
![Page 81: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/81.jpg)
![Page 82: 光電科技 LED: Materials and Device Aspects 授課教師 : 龔 志 榮 教授 國立中興大學物理學系 中華民國一○二年四月二十二日 1](https://reader038.vdocuments.pub/reader038/viewer/2022102609/5a4d1ace7f8b9ab059970968/html5/thumbnails/82.jpg)