29 mosfet - struktur dan cara kerja devais
DESCRIPTION
MOSFETTRANSCRIPT
1
MOS Field-EffectTransistors (MOSFETs)
©2012 Mervin T Hutabarat
2
Struktur dan Cara Kerja Devais MOSFET
3
Struktur Fisik
Tampak perspektif Potongan melintang
Nilai Tipikal Teknologi SaatL 0,03-1um, W 0,1-100um, tox 1-10nm
4
Tegangan Gate Nol
Tegangan gate nol drain-source membentuk dioda back-to-back
Arus drain-source sangat kecil (nol)
5
Pembentukan Kanal
Saat gate mendapat tegangan positif, elektron terkumpul di bawah elektroda gate
Bila tegangan melampaui Vt terbentuk kanal dari drain ke source akibat inversi pembawa muatan
Devais dengan kanal terbentuk n disebut MOSFET kanal n
Tegangan efektif atau overdrive gate
Muatan dalam kanal
tGSOV Vvv
OVox vWLCQ ox
oxox tC
6
MOSFET dengan vDS kecil
Arus kecil mengalir dari drain ke source (elektron dari source ke drain) akibat drift
Muatan per satuan panjang kanal
Medan listik sepanjang kanal
Laju drift elektron Arus drain
OVoxWvCQ
kanal panjangsatuan
L
vE DS
L
vE DS
nn elektrondrift laju DStGSoxnDSOVoxnD vVvL
WCvv
L
WCi
7
MOSFET dengan vDS kecil
Arus drain
Transkonduktansi gDS
Penentu arusParameter transkondutansi proses dan Aspect Ratio
Parameter transkonduktansi MOSFET
Plot arus tegangan
Perilaku mendekati sifat linier resitansi
DStGSoxnD vVvL
WCi
tGSoxnOVoxnDS VvL
WCv
L
WCg
oxnn Ck '
L
W
L
WC
L
Wkk oxnnn '
tGSoxnOVoxnDS
DS
VvLW
CvLW
Cgr
111
8
Saat vDS diperbesar
Tegangan pada ujung kanal source
Tegangan pada ujung kanal drain
Kedalaman kanal tidak sama pada source dan drain dankanal yang terbentuk ‘tapered’. Source lebih dalam karena overdrive voltage lebih besar
OVtGS VVv
DSOVtDSGSGD vVVvvv
9
Perubahan Kanal oleh VDS
10
Kurva iD vs vDS untuk VGS > Vt
11
Operasi VDS besar (>=VOV)
12
Struktur Devais PMOS
Tanpa tegangan Dengan tegangan VSB
13
Penampang CMOS
14
Lay Out CMOSPotonganmelintang
Layout
©2012 Mervin T Hutabarat
15
Penurunan Persamaan Arus - Tegangan
16
ox
oxox tC
Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith
Figure 4.8 Derivation of the iD–vDS characteristic of the NMOS transistor.
Kapasitansi gate-channel
(dielektrik SiO2) per
satuan area (1)
Equipotential pada arah y (melebar)
Muatan tersimpan dalamKapasitor (3)
VCQ
(2)
Muatan tersimpan dalam“potongan” equipotensial(4)
tGSox VxvvdxWCdq )(
17
tGSox VxvvdxWCdq )(
Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith
Figure 4.8 Derivation of the iD–vDS characteristic of the NMOS transistor.
tGSox VxvvWCdx
dq )(
Muatan pada celah potongan sehingga
Medan listrik pada “potongan”
dx
xdvxE
Laju elektron (drift)Karena medan listrik
dx
xdvxE
dt
dxnn
Arus drift pada celah “potongan”
dt
dx
dx
dq
dt
dqi
dx
xdvVxvvWCi tGSoxn )(
18Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith
dx
xdvVxvvWCii tGSoxnD )(
Arus drain yang disebabkan arus drift pada celah “potongan”
xdvVxvvWCdxi tGSoxnD )(
dapat disusun menjadi
Integrasi dengan batas sourcedan drain atau x antar 0 dan L
dan tegangan 0 dan vDS
DSv
tGSoxn
L
D xdvVxvvWCdxi00
)(
memberikan
2
2
1DSDStGSoxnD vvVv
L
WCi
Untuk saturasi tGSDsat Vvv arus drain menjadi 2
2
1tGSoxnD Vv
L
WCi
19Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith
2
2
1tGSoxnD Vv
L
WCi
2
2
1DSDStGSoxnD vvVv
L
WCi definisi konstanta
oxnn Ck '
2'
2
1DSDStGSnD vvVv
L
Wki
2'
2
1tGSnD Vv
L
Wki