6.2 集成运放性能参数及对应用电路的影响

44
6.2 6.2 集集集集集集集集集集集集集集集集集 集集集集集集集集集集集集集集集集集 6.4 6.4 集集集集集集集 集集集集集集集 6.3 6.3 集集集集集集集集集集集集 集集集集集集集集集集集集 6.1 6.1 集集集集集集集集集集集集集 集集集集集集集集集集集集集 集集集 集集集集集集集集集集集集集 集集集 集集集集集集集集集集集集集

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第六章 集成运算放大器及其应用电路. 6.1 集成运放应用电路的组成原理. 6.2 集成运放性能参数及对应用电路的影响. 6.3 高精度和高速宽带集成运放. 6.4 集成电压比较器. - +. A. Z f. i. Z 1. v s1. v o. v s2. 6.1 集成运放应用电路的组成原理. 根据集成运放自身所处的工作状态,运放应用电路分:线性应用电路和非线性应用电路两大类。. 线性应用电路. 组成: 集成运放外加深度负反馈。. 因负反馈作用,使运放小信号工作,故运放处于线性状态。. - PowerPoint PPT Presentation

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Page 1: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

6.2 6.2 集成运放性能参数及对应用电路的影响集成运放性能参数及对应用电路的影响

6.4 6.4 集成电压比较器集成电压比较器

6.3 6.3 高精度和高速宽带集成运放高精度和高速宽带集成运放

6.1 6.1 集成运放应用电路的组成原集成运放应用电路的组成原理理

第六章 集成运算放大器及其应用电路 第六章 集成运算放大器及其应用电路

Page 2: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

6.1 6.1 集成运放应用电路的组成原理集成运放应用电路的组成原理 根据集成运放自身所处的工作状态,运放应用电路分:线性应用电路和非线性应用电路两大类。

线性应用电路

-

+A

Z1

Zf

vovs1

vs2

i

Z1 或 Zf 采用非线性器件(如三极管),则可构成对数、反对数、乘法、除法等运算电路。

Z1 或 Zf 采用线性器件 (R 、 C) ,则可构成加、减、积分、微分等运算电路。

组成:集成运放外加深度负反馈。

因负反馈作用,使运放小信号工作,故运放处于线性状态。

Page 3: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

非线性应用电路 -

+A

vovI

VREF组成特点:运放开环工作。

由于开环工作时运放增益很大,因此较小的输入电压,即可使运放输出进入非线区工作。例如电压比较器。

6.1.1 6.1.1 集成运放理想化条件下两条重要法则 集成运放理想化条件下两条重要法则

理想运放

dvA

diR

0d oR

CMRK

BW失调和漂移 0

推论

diR

0d

o vA

vvv因

则 vv

因则 0i

Page 4: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

vv

说明:

0i

相当于运放两输入端“虚短路”。 虚短路不能理解为两输入端短接,只是 (v–-v+)的值小到了可以忽略不计的程度。实际上,运放正是利用这个极其微小的差值进行电压放大的。

同样,虚断路不能理解为输入端开路,只是输入电流小到了可以忽略不计的程度。

相当于运放两输入端“虚断路”。

实际运放低频工作时特性接近理想化,因此可利用“虚短、虚断”运算法则分析运放应用电路。此时,电路输出只与外部反馈网络参数有关,而不涉及运放内部电路。

Page 5: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

集成运放基本应用电路 反相放大器

-

+AR1

Rf

+-

vsvo

if

i1类型:电压并联负反馈

vv因 则 0v反相输入端“虚地”。

0i因 则 f1 ii

1

s

1

s1 R

v

R

vvi

f

o

ff R

v

R

vvi o

由图

输出电压表达式: svR

Rv

1

fo

输入电阻 1i RR

输出电阻 0o R

因 0v

因深度电压负反馈 ,

Page 6: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

同相放大器

-

+AR1

Rf

+-vs

vo

if

i1类型:电压串联负反馈

vv因 则 svv

注:同相放大器不存在“虚地”。0i因

1

s

11

0

R

v

R

vi

f

os

ff R

vv

R

vvi o

由图

输出电压表达式: vR

Rv

R

Rv s )1()1(

1

f

1

fo

输入电阻 iR

输出电阻 0o R因深度电压负反馈 ,

0i因

则 f1 ii

Page 7: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

同相跟随器

-

+A

+-vs

vo由图得 so vvv

vv因

由于 1f vA iR 0o R

所以,同相跟随器性能优于射随器。 归纳与推广 当 R1 、 Rf 为线性电抗元件时,在复频域内:

)()(

)()( s

1

fo sv

sZ

sZsv 反相放大器

)(])(

)(1[)( s

1

fo sv

sZ

sZsv 同相放大器

拉氏反变换 )t(ov得

注:拉氏反变换时 td

ds t

1d

s

Page 8: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

加、减运算电路 加、减运算电路 反相加法器

6.1.2 6.1.2 运算电路运算电路

-

+AR2

Rf

+-

vs2vo

if

i2

R1i1

+-

vs1

vv因 则 0v

0i因 则 f21 iii

f

o

2

s2

1

s1

R

v

R

v

R

v即 整理得 2

2

f1

1

fo ss v

R

Rv

R

Rv

说明:线性电路除可以采用“虚短、虚断”概念外,还可采 用叠加原理进行分析。 令 vs2=0 则 1

1

fo1 svR

Rv

令 vs1=0 则 22

fo2 svR

Rv

2o1oo vvv 例如

Page 9: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

同相加法器

-

+A

R2

Rf

+-

vs1

voR1

+-vs2

R3

利用叠加原理:

21

2s1

21

1s2

RR

vR

RR

vRv

则 vR

Rv )1(

3

fo

))(1(21

2s1

21

1s2

3

f

RR

vR

RR

vR

R

R

减法器 Rf

-

+A

R3

vs1voR2

vs2

R1令vs2=0 ,

11

fo1 svR

Rv

令vs1=0 , 32

23

1

fo2 )1(

RR

vR

R

Rv s

2o1oo vvv 11

fsvR

R

32

23

1

f )1(RR

vR

R

R s

Page 10: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

积分和微分电路 积分和微分电路

t

)( os

d

vdC

R

v

有源积分器

-

+A

R

C

+-

vsvo

方法一:利用运算法则

则 t

o sdtvRC

v1

o

方法二:利用拉氏变换

)()(Z

)()( s

1

fo sv

s

sZsv )(

1s sv

sRC)(

)/(1s sv

R

sC

拉氏反变换得 t

o sdtvRC

v1

o

Page 11: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

有源微分器 利用拉氏变换:

)()(Z

)()( s

1

fo sv

s

sZsv

)(s ssRCv)()/(1 s sv

sC

R

拉氏反变换得dt

dvRCv so

-

+A

R

C

+-

vsvo

波形变换

t

vs

0输入方波

积分输出三角波vo t0

微分输出尖脉冲 t

vo

0

Page 12: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

对数、反对数变换器 对数、反对数变换器 对数变换器

-

+A

R

+-

vsvo

T

BE

eSs V

v

IR

v利用运算法得: 由于 oBE vv

整理得 RI

vVv

S

sTo ln

缺点:vo 受温度影响大、动态范围小。

vs 必须大于 0 。

Page 13: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

改进型对数变换器

-+

A1+-

vs

vo

+-

A2

VCC

+-RL

R3R4to

vB2

R2R5

T1 T2

R1

iC2iC1

由图1C

C2T

1C

C2TBE1BE2B2 lg3.2ln

i

iV

i

iVvvv

由于 1sC1 / Rvi 2CC22BCCC2 //)( RVRvVi

(很小)

则 )lg(3.2lg3.2 sCC1

2T

2C

C1TB2 v

VR

RV

i

iVv

)lg()1(3.2)1( sT4

32B

4

3o KvV

R

Rv

R

Rv

( T1 、 T2 特性相同)

利用 R4 补偿 VT ,改善温度特性。vS 大范围变化时, vO 变化很小。

Page 14: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

反对数变换器

R

vI V

v

oS

T

BE

e 利用运算法则得 由于 sBE vv

整理得 T

s

SoV

v

eRIv

缺点: vo 受温度影响大。vs 必须小于 0 。

-

+A

R

+-

vsvo

T

Page 15: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

乘、除法器 乘、除法器

vo1-+

A1

vXRX

iX

R1

iX

T1

vo2

-+

A2

vYRY

iY

R2

iY

T2

-+

A4

T4

iO

vO

R4iO

-+

A3R3vo3

T3

vZRZ

iZ

iZ

因 T1 、 T2 、 T3 、 T4 构成跨导线性环,

则 OZYX iiii 分析方法一:

由图

整理得

XXX / Rvi YYY / Rvi ZZZ / Rvi 4OO / Rvi

Z

YX

YX

Z4O v

vv

RR

RRv (实现乘、除运算)

Page 16: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

vo1-+

A1

vXRX

iX

R1

iX

T1

vo2

-+

A2

vYRY

iY

R2

iY

T2

-+

A4

T4

iO

vO

R4iO

-+

A3R3vo3

T3

vZRZ

iZ

iZ

分析方法二:XS

XTBE1o1 ln

RI

vVvv

Z

YX

YX

Z4

v

vv

RR

RR

BE1YS

YTBE1BE2o2 ln v

RI

vVvvv

ZS

ZTBE3o3 ln

RI

vVvv

A1 、 A2 、 A3 对数放大器

A4 反对数放大器 T

o3o2

e4SOV

vv

RIv

Page 17: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

6.1.3 6.1.3 精密整流电路 精密整流电路

精密半波整流电路

利用集成运放高差模增益与二极管单向导电特性,构成对微小幅值电压进行整流的电路。

vo

-+

AvI

R1

vo

R2

RL

+

-

D1D2 vI =0 时 vO =0 D1 、 D2 vO=0

vI >0 时 vO <0 D1 、 D2 vO=0

vI <0 时 vO >0 D1 、 D2

vO= -(R2 / R1)vI

工作原理:

vO

vI

-R2 / R1

传输特性 vI

tvO

tvI

R2

R1

-

输入正弦波

输出半波

Page 18: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

精密转折点电路

当 v- > 0 ,即 vI > -(R3 / R1)VR 时:

当 v- < 0 ,即 vI < -(R3 / R1)VR 时:

vo

-+

AVRR1

vo

R2

RL

+

-

D1D2

R3vI

由图31

R3

31

I1

RR

VR

RR

vRv

vO >0 D1 、 D2

传输特性vO

vI

-R2 / R3

VRR3

R1

-

vO <0 D1 、 D2 vO=0 则

)( R1

3I

3

2O V

R

Rv

R

Rv 则

Page 19: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

精密转折点电路实现非线性的函数

R/R1

vo1

-+

A1VR1Rr1

R D1

D2R1

vI

vo2

-+

A2VR2Rr2

R D3

D4R2

R

R

-+

A3VR3Rr3

R D5

D6R3

R

vo3

-+

A4 vO

R

)( R11r

1I

1O1 V

R

Rv

R

Rv

)( R22r

2I

2O2 V

R

Rv

R

Rv

)( R33r

3I

3O3 V

R

Rv

R

Rv

)( O3O2O1O3 vvvv

R/R2R/R3

vO

vIvI1 vI2 vI3

传输特性

Page 20: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

6.1.3 6.1.3 仪器放大器 仪器放大器 仪器放大器是用来放大微弱差值信号的高精度放大器。 特点: KCMR 很高、 Ri 很大, Av 在很大范围内可调。

三运放仪器放大器 vv由

G

2I1IG R

vvi

0i由)( G21G2o1o RRRivv 得

由减法器 A3 得:2o

65

6

3

41o

3

4o )1( v

RR

R

R

Rv

R

Rv

若 R1 = R2 、 R3 = R5 、 R4 = R6 整理得 )

21(

G3

4

2I1I

of R

R

R

R

vv

vAv

vI1 + -

A1

R1

-+

A2

RG

vo1

vO

vI2

-+

A3R2

R3 R4

R5 R6

iG

vo2

Page 21: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

有源反馈仪器放大器

可证明G

S

4

43

2I1I

of R

R

R

RR

vv

vAv

vI1

+ -

A3

R1

-+

A1

RG

vO

IO

+ -A2

R2

R3

VCC

R5

R6

iG

vI2

RS

VEE

iSIO

R4

T1 T2

T3 T4

T1 、 T2 差放T3 、 T4 差放

A3 跟随器

A2 跟随器

A1 放大器

采用严格配对的低噪声对管和精密电阻,可构成低噪声、高精度、增益可调的仪器放大器。

Page 22: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

仪器放大器的应用 仪器放大器单片集成产品:

LH0036 、 LH0038 、 AMP-03 、 AD365 、 AD524等。例:仪器放大器构成的桥路放大器

温度为规定值时 RT =R 路桥平衡 vo =0 。温度变化时 RT R 路桥不平衡 vo 产生变化。

仪器放大器RG

RT

R R

Rt o

VREF

vo

Page 23: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

6.1.5 6.1.5 电流传输器 电流传输器 电流传输器:通用集成器件,广泛用于模拟信号处理电路中。 电流传输器电路符号及特点

Y

XZCC

vX

vY

vZ

iY=0

iX

iZ

Y 输入端: iY= 0 ,即 RY ;X 输入端: vX = vY ,且 vX 与 iX 大小无关, RX0 ;

Z 输出端: iZ = ± iX ,且 iZ 与 vZ 大小无关;

Page 24: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

电流传输器构成的模拟信号处理电路

Y

X ZCCvi

RLiX

iO

R

+-

互导放大器

互阻放大器

电流放大器

iYX vvv Rvii /XXo RviA /1/ iog

Y

XZCCis RL

iX

iO

R2

R1

1SYX Rivv

2XXo / Rvii

21Soi // RRiiA Y

XZCC1

ii

R

vo

iZ1

RL

Y

XCC2 Z

+-

i1Z ii Rivv 1Z2Yo

RivA ior /

Page 25: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

负阻变换器 Y

XZ CC2

iX1R2

Y

XCC1 Z

vi

iI

iZ2

R1

iZ1

RL

21X1Xi Rivv 1

2Y2Zi R

vii

L1XL1Z2Y RiRiv

L

21

i

ii R

RR

i

vR

Page 26: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

6.2 6.2 集成运放性能参数及对应用电路影响集成运放性能参数及对应用电路影响

6.2.1 6.2.1 集成运放性能参数集成运放性能参数Avd 高 (80~140dB) , Rid 高 (M) , Rod 低 (<200 )

vid RidvO

+-

v+

v-

Avd vid

+

-

Rod

+

-

Ric

Ric

IIB

IIB

IIO

2

IIO

2

+ -VIO

+-

Avd vic

KCMR

集成运放电路模型

差模特性KCMR 高 (80~120dB) , Ric 高 (>100M)

共模特性 输入直流误差特性

IIB(10~100A) , VIO (mV) , IIO( 为 IIB 的 5% ~ 10%) 大信号动态特性 转换速率 SR , 全功率带宽 BWP

Page 27: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

6.2.2 6.2.2 直流和低频参数对性能的影响 直流和低频参数对性能的影响

Avd 、 Rid 、 Rod 为有限值的影响

运放应用场合不同,各项性能参数影响也不同。因此工程估算时,可针对不同场合,有选择地分析运算误差。

)1(dL1

fodff

vvv ARR

RRAA

-+

A

R1

Rf

+-

vs

vo

RL

vidRid vO

+-

v-

Avd vid

-

+

Rod +

-

R1

Rf

vs+- RL

可证明

其中idf11 //// RRRR odfLL //// RRRR 1ff / RRAv

Avd 对精度影响最大。 Avd越大,运算误差越小。

Page 28: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

KCMR 、 Ric 为有限值的影响

-+

A

R1

Rf

+-

vs

vo

RL

可证明

其中

Avd 、 KCMR越大,同相放大器运算精度越高。

由于同相放大器输入端引入了共模信号,因此必须考虑 KCMR 的影响。

RicvO

+-

v-

Avd vid

Rod +

-

R1

Rf

vs

RL

v+

Ric

Rid+-

Avd vic

KCMR

)1

1(/1 CMRdf

ff KAA

AA

vv

vv

1ff /1 RRAv

Page 29: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

输入偏置电流 IIB 对性能的影响

-+

A

R1

Rf

+-vs

vo

R+= R1// Rf

则 IIB 在外电路反相端产生的直流电压 : 则 IIB 在外电路同相端产生的直流电压 :

RIV IB

RIV IB

设 R- 、 R+ 分别为外电路在反相端和同相端等效的直流电阻。

2/)( B2B1IB III 输入偏置电流

RR若 则 0idv 输出无失调

例:注:平衡电阻 R+ 的接入对性能指标计算没有影响,但运算精度得到明显改善。

因此,为减小 IIB 对运算精度的影响,要求外接在集成运放两输入端的直流电阻相等。

Page 30: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

失调电流 IIO 与失调电压 VIO 的影响

vO

+

-

R1

Rf

RL

IIB

IIB

IIO

2

IIO

2

+ -VIO

R+

))(1( IOIO1

fo RIV

R

Rv可证明

为减小失调的影响:在 R+ 较小时,应选择 VIO 小的运放;在 R+ 较大时,应选择 IIO 小的运放。

Page 31: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

6.2.3 6.2.3 高频参数对性能的影响 高频参数对性能的影响 小信号频率参数 开环带宽 BW

内补偿的集成运放可近似看成是单极点系统,该运放的上限截止频率即开环带宽 BW (或称 3dB 带宽)。

单位增益带宽 BWG

指增益下降到 1 ( 0dB )时对应的频率。小信号工作时,其值为常数,且 BWG = AvdI·BW 。

当运放闭环工作时, BWG 等于反馈电路的增益带宽积。

反馈越深, Avf 越小,闭环带宽 BWf 越宽。即 BWG = Avf·BWf

Page 32: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

大信号动态参数

指集成运放输出电压随时间最大可能的变化速率。其值越大,运放高频性能越好。

影响 SR主要原因:运放内部存在寄生电容和相位补偿电容。

转换速率(又称压摆率)max

oR

)(

dt

tdvS

指集成运放输出最大不失真峰值电压时,允许的最高工作频率。

全功率带宽ommax

RP 2πV

SBW

当 SR 一定时,最大不失真输出电压与工作频率成反比。工作频率越高,不失真输出的 Vom就越小。

Page 33: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

6.4 6.4 集成电压比较器 集成电压比较器

电压比较器的作用比较两输入信号大小,并以输出高、低电平来指示。

电压比较器的特点输入模拟量,输出数字量。实现模拟量与数字量间的转换。

6.4.1 6.4.1 电压比较器的作用电压比较器的作用

电压比较器工作原理

只要开环 Avd 很大,则 v+ 、 v-间的微小差值,即可使运放输出工作在饱和状态。

由 )(do vvAv v 可知

v+ > v- 时, vo=Vomax (正饱和值) v+ < v- 时, vo=Vomin (负饱和值) v+ = v- 时,逻辑状态转换

因此

Page 34: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

理想比较特性

-

+A

vovI

VREF

vI

vo

VREF

Vomax

Vomin

0

vI < VREF 时, vo=Vomax

vI > VREF 时, vo=Vomin

vI = VREF 时,逻辑状态转换 理想特性

vI

vo

VREF

Vomax

Vomin

0

实际比较特性

实际特性vI < VREF -Vomax/Avd 时, vo=Vomax

vI > VREF -Vomin /Avd 时, vo=Vomin

注: Avd 越大,比较特性越接近理想特性, VREF 作为 门限值的比较精度越高。

Page 35: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

6.4.1 6.4.1 具有不同比较特性的电压比较器具有不同比较特性的电压比较器 单限电压比较器

特点:运放开环工作。 过零比较器

-

+A

vo

vI

+

-

R1

D1

D2

R

R( VREF

=0 ) R1限流电阻,与 D1 、D2 共同构成电平变换电路。

VOH = VZ + VD(on)

VOL= -( VZ + VD(on) )

vI

vo

VOH

VOL

0

比较特性

t

vO

0

t

vI

0

Page 36: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

单限比较器

-

+A

vo

vI

+

-

R3

D1

D2R1//R2

VREF R1

R2

i1

i2

分析方法:1 )令 v-= v+求出的输入电压 vI 即门限电平。

2 )分别分析 vI 大于门限、小于门限时的输出 vO 电平。

0REF21

2I

21

1

VRR

Rv

RR

R令 得门限电平 REF

1

2I V

R

Rv

即 v+ < v-REF1

2I V

R

Rv 若 则 vO = VO

L即 v+ > v-若 REF1

2I V

R

Rv 则 vO = VO

H

比较特性

vI

vo

VOH

VOL

VREF

R2

R1

-

Page 37: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

单限比较器优点: 电路结构简单,可不计有限 KCMR 的影响。

单限比较器缺点: 电路抗干扰能力差。

例如:过零比较器,当门限电平附近出现干扰信号时,输出会出现误操作。

t

vO

0

vI

t0

Page 38: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

迟滞比较器(施密特触发器)

-

+A

vo

vI

+

-

R3

D1

D2

R

VREF

R1R2

特点 正反馈电路。具有双门限。

REF21

1O

21

2I V

RR

Rv

RR

Rv

得门限电平:

REF21

1OH

21

2IH V

RR

RV

RR

Rv

REF21

1OL

21

2IL V

RR

RV

RR

Rv

反相输入迟滞比较器

)( OLOH21

2ILIH VV

RR

RVVV

迟滞宽度: vI

voVOH

0

比较特性

VOL

VIL VIH

Page 39: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

-

+A

vo

vI

+

-

R3

D1

D2

R

VREF

R1R2

I21

1O

21

2REF v

RR

Rv

RR

RV

得门限电平:

同相输入迟滞比较器

迟滞宽度: vI

voVOH

0

比较特性

VOL

VIL VIH

将反相迟滞比较器中的 vI

与 VREF交换,即得同相输入迟滞比较器。

OL1

2REF

1

2IH )1( V

R

RV

R

RV

OH1

2REF

1

2IL )1( V

R

RV

R

RV

)( OLOH1

2ILIH VV

R

RVVV

Page 40: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

迟滞比较器优点: 电路抗干扰能力强。 例:反相输入迟滞比较器的比较特性如图示,在已知输入信号时,试画输出信号波形。

vI (V)

vo(V)

0

比较特性

7

-7

-6 6

vI (V)

t0

10

-10

6

- 6

t

vO (V)

0

7

-7

Page 41: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

迟滞比较器应用——方波发生器

-

+A

vo

+

-

R3

D1

D2

R

R1R2

C门限电平

OH21

2IH V

RR

Rv

OL21

2IL V

RR

Rv

设 t =0 时, vO=VOH ,初始 vC=0

则 VOH 经 R向 C充电 vC按指数规律当 vC VIH 时 vO跳变为 VO

L此时 C经 R 放电 vC按指数规律当 vC VIL 时 vO又上跳到 VOH

可证振荡周期: )2

1ln(21

2

R

RRCT

t

vO

0

vC

t0

VIH

VIL

VOH

VOL

Page 42: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

窗孔比较器

-+

A1

vI D1

D2

R/2

VREF2

R

R/4-+

A2

R

-VREF1

R

RvO

R

vO1

具有两个基准电源,可以判断位于两个指定门限之间的输入信号。

特点:

组成:A1 精密整流电路, A2单限比较器

Page 43: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

0REF2REF1I R

V

R

V

R

v由 A2

-+

A1

vI D1

D2

R/2

VREF2

R

R/4-+

A2

R

-VREF1

R

RvO

R

vO1

当 0 <vI <VREF1 时 : vO1 >0 D1 、 D2

得下门限 REF2REF1IL VVv

0O1REF2REF1I

R

v

R

V

R

V

R

v由 A2

当 vI >0 ,且 vI > VREF1 时 : vO1 <0 D1 、 D2

得上门限 REF2REF1IH VVv

此时 2/)( REF1I1OVvv

Page 44: 6.2  集成运放性能参数及对应用电路的影响

-+

A1

vI D1

D2

R/2

VREF2

R

R/4-+

A2

R

-VREF1

R

RvO

R

vO1

迟滞宽度 REF2ILIH 2VVVV

比较特性 vI

vo

VOH

0

VOL

VIL VIH