薄膜ストレス測定装置 ダイジェスト イントロ ダクション …thin film stress...

●仕様および外観は改良のため予告なく変更されることがありますのでご了承下さい。製品カラーは、撮影・印刷インキの関係で実際の色と異なって見えることがあります。

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FLX シリーズ ヤマト科学

500℃温度サイクル用薄膜ス卜レス測定装置

薄膜ストレス測定装置FLX シリーズThin Film Stress Measurement Systems

室温から500℃までの温度範囲で、非接触・非破壊にて薄膜ストレスを正確に測定することができます。測定チャンバー内の温度を自由に設定できるため、実際のプロセスおよびIC動作時の環境下での薄膜特性をより正確に把握することができます。また、ガラス基板測定用オプションも用意しています。

■測定原理シリコンウエーハなどの基板上に薄膜を膜付けすると、基板と薄膜との物理定数が異なるために、ストレスが生じ基板が変形します。均一に膜付けされた薄膜による変形は、基板のそりとして現われるため、このそり（曲率半径）の変化量によりストレスを測定することができます。FLXシリーズは、まず膜付けされた薄膜によって生じる基板の曲率半径の変化量を算出します。曲率半径は、基板上を走査するレーザーの反射角度から計算されるので、膜付けの前後で曲率半径を測定し、その差を算出することにより曲率半径の変化量（R）を求めることができます。

■仕様型　式 FLX-2320-S FLX-2320-R FLX-2000-A FLX-3300-T FLX-3300-R測定範囲 1〜4000MPa（10,000Å薄膜でウェハ厚725μm） 1〜3500MPa（10,000Å薄膜でウェハ厚725μm）温度 温度使用範囲 室温〜500℃（オプション：−65℃〜500℃） 室温 室温〜500℃（オプション：−65℃〜500℃） 室温

昇温速度 〜25℃／分（Max.） − 〜15℃／分（Max.） −調整機構 ゼロ調整機構内蔵 − ゼロ調整機構内蔵 −

サンプルサイズ 75〜200mmφ 200mmφ、30mmφウェハマッピング 手動 自動 手動 手動 自動スキャン範囲 200mm 300mm価　格 お問い合せください

■アプリケーション例●LED●MEMS●SOLAR●SiC E/（1-v）：基板の2軸弾性係数（Pa）

（100）シリコンでは1.805E11Pa h：基板の厚さ（m） t：薄膜の厚さ（m） R：基板の曲率半径（m）

1／R＝1／R2−1／R1（R1：膜付け前の曲率半径、 R2：膜付け後の曲率）

S：薄膜ストレスの平均値（Pa）

S ＝ Eh2

（1-v）6Rt

ウェハ形状2D表示

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