field effect transistor (fet)
Post on 01-Jan-2016
146 Views
Preview:
DESCRIPTION
TRANSCRIPT
Field Effect Transistor (FET)
By : ALFITH, S.Pd, M.Pd
Perbedaan FET dan BJT
BJT
CI
BI
Kontrol arus
FET
DI
GSV
Kontroltegangan
BJT Bipolar device (dua carrier : elektron dan hole)FET Unipolar device (satu carrier : elektron / n-channel atau hole / p-channel)
Struktur FET
FET
JFET(Junction FET)
MOSFET(Metal Oxide
Semiconduktor FET)
Depletion Mode Enhancement ModeJFET kanal n JFET kanal P
Perbedaan JFET dan MOSFET
Struktur dan karakteristiknyaLapisan oksidasi pada MOSFETMOSFET bisa tegangan GS positif
JFET kanal n
G
S
D
DI
GSV
DSV
Jika G-S tidak diberikan bias (VGS=0) maka deplesi hanya pada sambungan PN saja masih ada celah kanal n maka dengan hanya memberikan D-S tegangan kecil (VDS kecil) maka arus drain (ID) mengalir
Jika VDS dinaikkan terus saat VGS=0, maka VDS= VDG
dimana tipe p hole-nya pada G ditarik oleh tegangan negatif sehingga deplesi semakin mengecil kanal membesar akan didapatkan ID konstan.
Jika terus dinaikkan, akan dicapai saluran diapit oleh daerah deplesi pada daerah sekitar Drain, yang nilainya sama dengan bias balik VDG= - VP
Kenaikkan lebih lanjut tidak akan merubah bentuk saluran ID tetap konstan pada nilainya yang dicapai saat VDS= - VP
Jika VGS dinaikkan maka deplesi semakin melebar dan suatu saat didapatkan arus drain sama dengan nol dan saat itulah dikatakan VGS=Vp tegangan pinch off
Kurva karakteristik Drain
Kurva karakteristik Drain
Daerah Ohmic/trioda
Kurva karakteristik Drain
Daerah aktif/pinch off/saturasi
Daerah Ohmic/Trioda
Daerah Aktif/ Pinch Off
Kurva Transfer2
1
p
GSDSSD V
VII
)(mAID
)(VoltVDS1
0GSV
1GSV
2GSV
3GSV
24 3)(VoltVGS
pGS
D
VV
I
0
DSSI
JFET kanal p
G
S
D
DI
GSV
DSV
MOSFET depletion mode
Kurva Karakteristik
)(mAID
)(VoltVDS1
0GSV
1GSV
2GSV
3GSV
26 3)(VoltVGS
1GSV
JFET Kanal n
d- Mosfet kanal n
DSSI
Daerah Ohmic/Trioda
Daerah Aktif/Pinch Off/Saturasi
Simbol MOSFET depletion mode
MOSFET enhancement mode
Kurva karakteristik
)(mAID
)(VoltVDS0
Daerahohmic
Daerahsaturasi
VV thGS 3)(
VVGS 5,3VVGS 4
VVGS 5,4
VVGS 5VVGS 6
Daerah Ohmic/Trioda
Daerah Aktif/ Pinch Off
Simbol MOSFET enhancement mode
Karakteristik FET
Operasinya tergantung pada aliran pembawa mayoritas saja.
Mudah dibuat dalam bentuk IC dan memerlukan tempat lebih sedikit dalam IC.
Rin tinggi (ratusan M). Derau lebih rendah dibandingkan transistor
bipolar. Hasil kali penguatan dan lebar band frekuensi
lebih kecil. gm FET < gm transistor bipolar. Konsumsi daya kecil
top related