日新電機株式会社NISSIN　ELECTRIC　CO．，LTD．

　　　　　　　　本社〒615京都市右京区梅津高畝町47　　　　　　　　営業種目　　（1）受変電設備

　　　　　　　　　　　　　（2）調相設備　　　　　　　　　　　　　（3）制御システム・ビーム応用装置

　　　　　　　　　　　　　　◇核融合関連各種装置　　　　　　　　　　　　　　◇コンピュータ応用システム　　　　　　　　　　　　　　・◇半導体製造装置

　　　　　　　　　　　　　　◇薄膜形成関連装置　　　　　　　　　　　　　　◇電子線照射装置

　日新電機では，コンデンサから発展した高電圧技術をベースに，真空技術，イオン

加速技術，薄膜形成／評価技術を蓄え，ハイテク製品開発に取り組んでいます．半導

体デバイス製造用イオン注入装置から始まり，機能性薄膜形成用“IVD（lon　Vapo皿

Deposition）装置”，耐摩耗耐蝕コーティング用“マルチアーク装置”，磁性・絶縁薄膜

形成用“IBS（lon　Beam　Spattering）装置”，化合物半導体用“MBE（Molecular　Beam

Epitaxy）装置”および“MOCVD（Metal　Organic　ChemicalVapo皿Deposition）装置，

高機能コーティング用“プラズマCVD装置”，Si半導体用“CVD装置”他の製品を開

発してきました．

　日新電機では，また核融合・加速器関連製品の専門メーカーとして，各種電源，制

御システムを製作してきました．

　以下に，近年開発製作した2つの製品を紹介します．

田

（1）大電流大面積イオン源

一

　本装置（写真左〉は，日本原子力研究所の

核融合実験装置JT・60用中性粒子入射加熱

装置用の大電流大面積イオン源として開発

されたもので，日新電機が製作しました．

本装置は下記の性能を有しています．

・ビームエネルギー　75keV

・ビーム電流　　　　35A

・ビームサイズ　　　27cm×12cm

尚，現在JT－60U用にビームエネルギー

120keVに改造されています．

247

核融合研究　第65巻第2号　　1991年2月

（2）高エネルギーイオンシャワー装置

罐

一ヒ亀　　　螺　　’瀬諜

　イオンシャワー装置“ISW・150R型”（写真上）は，中性粒子入射装置（NBI）用イオン

源の製作実績を基にしたバケット型イオン源応用のハイテク製品の一例です．本装置

は以下の性能を有しています．

◇定格・仕様

　・高エネルギーイオン源（P，Bビーム）

　・低エネルギーイオン源（Hビーム）

◇特　長

　・大電流ビームによる高生産性

　・大面積，均一ビームによる処理

　・高い操作性，信頼性

　・容易な運転保守

1～100keV，2，μA～2mA

O．5～10keV，80mA

　本装置は，太陽電池の不純物注入，液晶駆動用薄膜トランジスタの不純物注入およ

び硝子・金属材料の表面改質，加工を主な用途としています．

　以上，この場をお借りして2つの製品を紹介いたしましたが，今後さらにプラズマ

核融合関連分野の製品開発に取り組んでいく所存です．

　本「会社紹介」のコーナーにより，日新電機株式会社について皆様のご理解をより深

めて戴ければ幸いです．

　　　　　　　　　　　　　　　　　（連絡先：高電圧機器開発部075－864－8346）

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一