electrónica básica 5

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UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE FACULTAD DE TECNOLOGÍA INGENIERIA MECATRÓNICA CAMPUS TIQUIPAYA ELECTRONICA BASICA II Informe de Practica de Laboratorio Nº 5 RESPUESTA EN FRECUENCIA DE LOS AMPLIFICADORES Grupo “C” Estudiante: Estela Albarracín Carmona Evaluació n

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Universidad Privada del ValleFacultad de tecnologaEvaluacin

ingenieria mecatrnicaCampus Tiquipaya

ELECTRONICA BASICA II

Informe de Practica de Laboratorio N 5

RESPUESTA EN FRECUENCIA DE LOS AMPLIFICADORES

Grupo C

Estudiante: Estela Albarracn Carmona

Docente: Ing. Elas Chavez

Cochabamba 08 de Mayo del 2015Gestin I 2015RESPUESTA EN FRECUENCIA DE LOS AMPLIFICADORES1. OBJETIVO a) Objetivo general Interpretar los efectos que causan en el comportamiento del amplificador en bajas y altas frecuencias, los capacitores internos y externos, en relacin con el cancho de bandas.

2.- MARCO TERICOLa respuesta en frecuencia en los amplificadores establece el rango en el cual trabajar el sistema sin distorsionar la seal. Este se conoce como ancho de banda (BW, Band Width) y determina las frecuencias para las cuales se produce el proceso de amplificacin. El valor de este parmetro depende de los dispositivos y de la configuracin amplificadora. En los siguientes apartados, se describen las zonas de trabajo de un amplificador, se analiza la respuesta en frecuencia de configuraciones bsicas y se plantea una metodologa que permite determinar el ancho de banda para un amplificador multietapa.Respuesta en frecuencia y modelos La respuesta en frecuencia de un amplificador tiene tres reas: La regin de baja frecuencia, descrita por la respuesta de un filtro pasaalto Una regin independiente de la frecuencia (rea central de la curva) La regin de alta frecuencia, descrita por la respuesta de un filtro pasabajosLa regin de baja frecuencia se caracteriza por una frecuencia de corte inferior fL ( L), la regin de alta frecuencia se describe a travs de la frecuencia de corte superior, fH ( H). Se define ancho de banda como BW = fH fLEn la prctica, si los circuitos son acoplados directamente, BW = fH. Para determinar la respuesta en frecuencia de un amplificador monoetapa, se consideran tanto los efectos producidos por los condesadores de acoplo, como los efectos capacitivos del dispositivo activo. Para el BJT se debe usar un modelo que describa los efectos de alta frecuencia, ste se conoce como modelo hbrido . A. Modelo hbrido La red de la Fig. 2, corresponde al modelo de alta frecuencia del BJT, donde C, es la suma de la capacitancia de difusin en el emisor y la capacitancia de la unin en el emisor [Savant], debido a que el primero es mayor se considera casi igual a la capacitancia de difusin. C, es la capacidad de union del colector, rx ( rb) representa un efecto resistivo parsito de contacto (llamada resistencia de difusin de la base), r, equivale a la resistencia de la base.Los parmetros C y C , son llamados Cbe y Cbc respectivamente y en las hojas de especificacin de transistores aparecen como Cib (capacitancia de entrada en base comun) y Cob [Horenstein] (Capacitancia de salida en la con- figuracin base comn) respectivamente. El modelo puede ser completado usando un resistor ro en paralelo con la fuente de corriente. El parmetro gm, se conoce como transconductancia y se define en trminos de los parmetros de polarizacin como gm = IC VT y en trminos de hf e se tiene que gm = hfe r . B. Modelo de alta frecuencia del FET El modelo de alta frecuencia del FET se indica en la Fig. 3, ste describe tanto el JFET como el MOSFET canal n. Por lo general, las capacidades indicadas tienen un valor bajo en pF.Las capacidades Cgs y Cgd, representan las capacidades distribuidas que atraviesan el xido entre la puerta y el canal [Malik]. En el JFET representan las capacidades de deplexin. El modelo se mejora agregando un resistor ro en la salida (rds).

3.- MATERIALES Y EQUIPO Generador de seal Osciloscopio Digital Multmetro Digital Fuente de poder DC Resistencias de diseo 2 Transistores BJT de diseo (2N2222) 1 Transistor BJT de diseo (2N3906) Capacitores de diseo Breadboard 1 LM 781

4.- PROCEDIMIENTOPARTE 1: ARME EL CIRCUITO: Medir la corriente y voltaje del punto de operacin y compararlas con los calculados en forma terica.

Conecte el generador de seales a la entrada del amplificador, a una frecuencia en la cual se mantenga la ganancia estable, mida la ganancia de voltaje del amplificador y compare con los resultados calculados y simulados

Mida la frecuencia de corte del amplificador

Mida la frecuencia de corte del amplificador

PARTE 2:Conecte el capacitor CL entre la base y el colector

Seleccione una frecuencia en la cual se mantenga la ganancia estable, mida la ganancia de voltaje del amplificador y compare con los resultados calculados y simulados

Mida la frecuencia de corte del amplificador

Mida la frecuencia de corte del amplificador

5.- DATOS, CLCULOS Y GRFICOSSin CL

6.-CUESTIONARIO1.- En el informe, en base a estas mediciones sacar las conclusiones con respecto a las frecuencias de Corte, inferior y superior.R.- Las conclusiones estarn adjuntas en el punto 7 del informe.

7.- CONCLUSIONESDe acuerdo con las mediciones realizadas en los voltajes y corrientes, podemos observar que fueron las esperadas, con un rango mnimo de error el cual se encuentra dentro del rango de las tolerancias. Por lo cual podemos concluir que las conexiones de los circuitos, las mediciones respectivas y lo clculos fueron correctos. Tambin podemos concluir que los objetivos propuestos para el laboratorio fueron cumplidos satisfactoriamente, y que se lograron los propsitos planteados. Las frecuencias de corte, bajas y altas, fueron dentro del rango esperado, con una aproximacin bastante cercana a los valores calculados.

8.- RECOMENDACIONESSe recomienda tener especial cuidado al hacer las conexiones en el circuito, para evitar un mal uso del material y resultados incorrectos. Tambin leer con atencin el cdigo de colores en las resistencias, para saber bien con lo que se est trabajando y poder anticipar los resultados para calcular la exactitud experimental. Se recomienda al momento de utilizar el multmetro que ste est conectado correctamente y ajustado en una escala apropiada para la cantidad de corriente que se medir. Adems asegurarse de identificar correctamente los terminales del transistor y conocer su datasheet para asegurar una conexin correcta del circuito.

9.- BIBLIOGRAFAhttp://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/ieeerf03.pdf

http://coit.es/foro/pub/ficheros/libros05._el_amplificador_de_baja_frecuencia_b547e8a6.pdf

http://ocw.uc3m.es/tecnologia-electronica/componentes-y-circuitos-electronicos/material-de-clase-1/tema-iii/OCW-CCE_S19_Respuesta_en_frecuencia_de_amplificadores_con_transistores.pdf

http://electronicavm.net/2011/03/10/amplificador-de-baja-frecuencia-completo/