MED-EL Elektromedizinische Geräte GmbHFürstenweg 77a, 6020 Innsbruck, Austriaoffi ce@medel.com medel.com

32

نمادها

MR حساس به

MR ناامن برای

سازنده

به وبسایت ما به نشا�ن www.medel.com/isi مراجعه کنید.

دف�ت محیل همواره آماده ارائه کمک و راهنما�ی است.برای مشاهده اطالعات دف�ت محیل خود به »برگه تماس« پیوست مراجعه کنید.

31

C40

شکل 2: تصاویر MR به دست آمده با اسک�ن 1.5 تسال )کودک 8 ساله(

ن ایمپلنت شکل 1: باند رس برای ثابت نگه داش�ت

30

تنها باید از توایل حالت فعالیت عادی با حداک�ش نرخ جذب ویژه ) SAR ( معادل 3.2 وات/کیلوگرم برای •اسکن های رس و 2.0 وات/کیلوگرم برای اسکن های تمام بدن استفاده شود.

ن ن اسکن )موقتاً( موارد احساس شنوا�ی مانند صدای تق یا بوق و همچن�ی ممکن است بیماران در ح�ی •شنوا�ی مانند سوزن سوزن شدن، سوزش یا درد )اندک( را تجربه کنند. پیش از موارد حس شده غ�ی

/ انجام دادن MRI به�ت است اطالعات الزم را به بیمار ارائه کنید. احتمال شدت موارد احساس شنوا�یشنوا�ی را می توان با انتخاب توایل های دارای نرخ جذب ویژه ) SAR ( کم�ت و رسعت های تبعیت غ�ی

گرادیان کندتر کاهش داد.ن MRI درد یا ناراح�ت در ناحیه ایمپلنت رخ دهد، ح�ت با اینکه تمام در موارد نادر ممکن است در ح�ی •

پروتکل ها و دستورالعمل های بانداژ رعایت شده باشد. • احتمال بروز آثار نامطلوب بر روی تصویر وجود دارد )به شکل 2 مراجعه کنید(.

اگر قرار است اعضا�ی غ�ی از رس )مانند زانو( معاینه شود، دستورالعملهای باال باید رعایت شود. برای •بای ن تنه، به�ت است ابتدا پاهای بیمار وارد اسک�ن شود تا احتمال ضعیف شدن آه�ن معاینه اعضای پای�ی

ایمپلنت کاهش یابد.ن میشود. دستورالعملهای باال شامل بیماران دارای ایمپلنتهای دو‑جانبه MED‑EL ن�ی •

« بیمار و/یا عضو کاشت�ن ممکن است آسیب ایط ایم�ن MR و »رهنمودهای ایم�ن در صورت رعایت نشدن رسشببیند!

برای کاهش احتمال و شدت ناراح�ت بیمار، وی باید رسش را از دیواره اسک�ن نزدیک به ورودی اسک�ن دور نگه دارد.

C40

C40

29

) MRI ( اقدامات احتیاطی تصویربرداری رزونانس مغناطییس

( با MR ناسازگار و لوازم جان�باجزای خارجی سیستم ایمپلنت MED‑EL )پردازشگر صو�ت

هستند و باید پیش از عملیات اسکن جدا شوند.

اجزای دستگاههای کاشت�ن سیستم ایمپلنت MED‑EL حساس به MR هستند.

MRI فقط با برخی مدلهای دستگاه MED‑EL در بیماران دارای ایمپلنت MRI استفاده از روش تشخییصامکانپذیر است.

، این نوع ایمپلنتها خطر شناخته طبق مستندات ارائه شده، در صورت رعایت ضوابط و رهنمودهای ایم�نبای داخیل با جراحی( ن آه�ن شدهای در میدان مغناطییس با توان 0.2، 1.0 و 1.5 تسال MRI )بدون برداش�تندارد. پزشک/متصدی MRI همواره باید آگاه باشد که بیمار از ایمپلنت MED‑EL استفاده میکند و رعایت

وری است: پیشنهادها و رهنمودهای ایم�ن ویژه �ن

« انجام داد. ایط زیر، اسکن MRI را میتوان با رعایت »رهنمودهای ایم�ن در صورت برآورده شدن �شهای MRI با میدان مغناطییس استاتیک به توان 0.2، 1.0، یا 1.5 تسال. استفاده از میدان فقط اسک�ن •با توانهای دیگر مجاز نیست. در صورت استفاده از سایر توانها، امکان وارد شدن آسیب به بیمار و/یا

عضو مصنوعی وجود دارد.اسکن MRI حداقل 6 ماه پس از کاشت. انجام دادن MRI در مراحل پیش از این ممکن است به جابجا •

شدن و یا آسیب دیدن ایمپلنت منجر شود.وهای تا 5 بای ایمپلنت باید 0.4 مییل م�ت باشد تا در برابر ن�ی حداقل ضخامت استخوان زیر آه�ن •

وهای وی گرانیسش حدود 0.5 کیلوگرم( یا تا 9 نیوتن مقاومت کند. در اسک�ن MRI ن�ی نیوتن )معادل ن�یو بای ایمپلنت وارد میشود و فشار چرخیسش ایجاد میکند: دستگاه خود را با خطوط ن�ی گشتاوری به آه�ن

وی وارد شونده به کنارههای ایمپلنت به استخوان جمجمه و فلپ پوست منتقل تطبیق میدهد. ن�یوها را تحمل کند. بای ایمپلنت باید به اندازهای ضخیم باشد که بتواند این ن�ی میشود. استخوان زیر آه�ن

MRI بیمارا�ن که ایمپلنت های آنها آسیب مکانییک دیده است )خرد شدن محفظه ایمپلنت( نباید با •ن این دستورالعمل ممکن است باعث وارد آمدن صدمه به بیمار شود. آزمایش شوند. نادیده گرف�ت

: رهنمودهای ایم�نپیش از ورود بیمار به اتاق MRI، همه اجزای خارجی سیستم ایمپلنت MED‑EL )پردازشگر صو�ت و •

( باید از رس جدا شود. برای میدان با توان 1.0 یا 1.5 تسال، بانداژ اختیاری محافظ را میتوان لوازم جان�ببر روی عضو مصنوعی قرار داد. بانداژ محافظ ممکن است باندی کیسش باشد که حداقل سه بار دور رس

پیچانده میشود )شکل 1 را ببینید(. بانداژ باید محکم باشد ویل نباید باعث ایجاد درد شود. در سیستم های MRI با قدرت 1.0 تسال و 1.5 تسال، بیمار باید در حالت طاق باز یا دمر یا به پهلو •در اسک�ن بخوابد و رس خود را صاف نگه دارد. به بیمار باید گفته شود که اگر رسش را به هر طرف

های بای حلزون وجود خواهد داشت. برای اسک�ن ن خاصیت مغناطییس آه�ن ن رف�ت بچرخاند، امکان از ب�ی0.2 تسال، جهت خایص برای رس وجود ندارد.

C40

28

ومندی دستگاه در محیطهای ویژه پزشیک یا تداخل با سایر دستگاهها، ن�یتشخییص

ید که در آن جریان برق از بدن شما عبور می به طور کیل پیش از این که تحت درمان پزشیک قرار بگ�ی •( را از رس خود جدا کنید یا حداقل عملکرد کل کند، اجزای خارجی )مانند پردازشگر و لوازم جان�ب

سیستم کاشت MED‑EL را در مراحل اولیه درمان به دقت برریس کنید.دستگاههای مورد استفاده در جراحی بر�ت ممکن است ولتاژ با فرکانس باال تولید کند که این ولتاژ •

ن جریا�ن ممکن است به عضو ودهای دستگاههای کاشت�ن میشود. چن�ی باعث ایجاد جریان القا�ی در الک�تمصنوعی و/یا بافتهای مجاور آسیب برساند. ابزارهای تک‑قط�ب جراحی بر�ت نباید در ناحیه رس و گردن

، فاصله نوک داغگر تا د. در صورت استفاده از ابزارهای دو‑قط�ب جراحی بر�ت مورد استفاده قرار بگ�یود باید حداقل 3 سانتیم�ت باشد. محرک و قسمتهای رسانای الک�ت

وری باید به دقت برریس شود و باید احتمال آسیب دیدن عضو مصنوعی نهکننده �ن پرتودرما�ن یون�ی • به دقت ارزیا�ب شود.

MED‑EL در برابر مزایای پزشیک این روش درما�نوشوک درما�ن در ناحیه رس و گردن ممنوع است. این روش درما�ن ممکن است به عضو مصنوعی و/ الک�ت •

یا بافتهای مجاور آسیب برساند. در ناحیه کاشت ممنوع است زیرا ممکن است به ایجاد جریان القا�ی در

تحریک عص�ب یا گرمادرما�ن •ودها منجر شود. این روش درما�ن ممکن است به عضو مصنوعی و/یا بافتهای مجاور آسیب برساند. الک�ت

ن میشود. و/یا زیبا�ی ایجادکننده جریان ن�یاین ممنوعیت شامل یون‑را�ن و روشهای درما�ن

درمان فراصو�ت و تصویربرداری در ناحیه کاشت ممنوع است زیرا عضو مصنوعی ممکن است در کانون •د و از کار بیفتد. میدان فراصو�ت قرار بگ�ی

نهکننده درما�ن به طور کیل در فرآیند پرتوفشا�ن اجزای خارجی MED‑EL باید برداشته شود. پرتو یون�ی •ن آسی�ب ونییک سیستم ایمپلنت MED‑EL آسیب برساند و تشخیص فوری چن�ی

ممکن است به اجزای الک�ت ، به دلیل آسیب موضعی در فرآیند پرتودرما�ن

گشاید ممکن نباشد. برای کمینه کردن احتمال بافت‑مرد�

د. عضو مصنوعی نباید در معرض پرتودرما�ن مستقیم قرار بگ�یییک ناحیه دهان، نامشخص است. با ، مانند معاینه الک�ت : اثر برخی روشهای درما�ن سایر روشهای درما�ن •

ید. درمانگاه خود تماس بگ�ی

C40

C40

27

C40+

C40+ ABI

شکل 2: تصاویر MR به دست آمده با اسک�ن 1.5 تسال )کودک 8 ساله(

ن ایمپلنت شکل 1: باند رس برای ثابت نگه داش�ت

26

تنها باید از توایل حالت فعالیت عادی با حداک�ش نرخ جذب ویژه ) SAR ( معادل 3.2وات/کیلوگرم برای •اسکن های رس و 2.0 وات/کیلوگرم برای اسکن های تمام بدن استفاده شود.

ن ن اسکن )موقتاً( موارد احساس شنوا�ی مانند صدای تق یا بوق و همچن�ی ممکن است بیماران در ح�ی •شنوا�ی مانند سوزن سوزن شدن، سوزش یا درد )اندک( را تجربه کنند. پیش از موارد حس شده غ�ی

/ انجام دادن MRI به�ت است اطالعات الزم را به بیمار ارائه کنید. احتمال شدت موارد احساس شنوا�یشنوا�ی را می توان با انتخاب توایل های دارای نرخ جذب ویژه ) SAR ( کم�ت و رسعت های تبعیت غ�ی

گرادیان کندتر کاهش داد.ن MRI درد یا ناراح�ت در ناحیه ایمپلنت رخ دهد، ح�ت با اینکه تمام در موارد نادر ممکن است در ح�ی •

پروتکل ها و دستورالعمل های بانداژ رعایت شده باشد. • احتمال بروز آثار نامطلوب بر روی تصویر وجود دارد )به شکل 2 مراجعه کنید(.

اگر قرار است اعضا�ی غ�ی از رس )مانند زانو( معاینه شود، دستورالعملهای باال باید رعایت شود. برای •بای ن تنه، به�ت است ابتدا پاهای بیمار وارد اسک�ن شود تا احتمال ضعیف شدن آه�ن معاینه اعضای پای�ی

ایمپلنت کاهش یابد.ن میشود. دستورالعملهای باال شامل بیماران دارای ایمپلنتهای دو‑جانبه MED‑EL ن�ی •

« بیمار و/یا عضو کاشت�ن ممکن است آسیب ایط ایم�ن MR و »رهنمودهای ایم�ن در صورت رعایت نشدن رسشببیند!

برای کاهش احتمال و شدت ناراح�ت بیمار، وی باید رسش را از دیواره اسک�ن نزدیک به ورودی اسک�ن دور نگه دارد.

C40+

C40+ ABI

C40+

ABI

C40+

25

) MRI ( اقدامات احتیاطی تصویربرداری رزونانس مغناطییس

( با MR ناسازگار و لوازم جان�باجزای خارجی سیستم ایمپلنت MED‑EL )پردازشگر صو�ت

هستند و باید پیش از عملیات اسکن جدا شوند.

اجزای دستگاههای کاشت�ن سیستم ایمپلنت MED‑EL حساس به MR هستند.

MRI فقط با برخی مدلهای دستگاه MED‑EL در بیماران دارای ایمپلنت MRI استفاده از روش تشخییصامکانپذیر است.

، این نوع ایمپلنتها خطر شناخته طبق مستندات ارائه شده، در صورت رعایت ضوابط و رهنمودهای ایم�نبای داخیل با جراحی( ن آه�ن شدهای در میدان مغناطییس با توان 0.2، 1.0 و 1.5 تسال MRI )بدون برداش�تندارد. پزشک/متصدی MRI همواره باید آگاه باشد که بیمار از ایمپلنت MED‑EL استفاده میکند و رعایت

وری است: پیشنهادها و رهنمودهای ایم�ن ویژه �ن

« انجام داد. ایط زیر، اسکن MRI را میتوان با رعایت »رهنمودهای ایم�ن در صورت برآورده شدن �شهای MRI با میدان مغناطییس استاتیک به توان 0.2، 1.0، یا 1.5 تسال. استفاده از میدان فقط اسک�ن •با توانهای دیگر مجاز نیست. در صورت استفاده از سایر توانها، امکان وارد شدن آسیب به بیمار و/یا

عضو مصنوعی وجود دارد.اسکن MRI حداقل 6 ماه پس از کاشت. انجام دادن MRI در مراحل پیش از این ممکن است به جابجا •

شدن و یا آسیب دیدن ایمپلنت منجر شود.وی 5 نیوتو�ن بای ایمپلنت باید 0.4 میلیم�ت باشد تا بتواند ن�ی حداقل ضخامت استخوان زیر آه�ن •

بای وهای گشتاوری به آه�ن وی گرانیسش حدود 0.5 کیلوگرمی( را تحمل کند. در اسک�ن MRI ن�ی )معادل ن�یوی و تطبیق میدهد. ن�ی ایمپلنت وارد میشود و فشار چرخیسش ایجاد میکند: دستگاه خود را با خطوط ن�ی

وارد شونده به کنارههای ایمپلنت به استخوان جمجمه و فلپ پوست منتقل میشود. استخوان زیر وها را تحمل کند. بای ایمپلنت باید به اندازهای ضخیم باشد که بتواند این ن�ی آه�ن

MRI بیمارا�ن که ایمپلنت های آنها آسیب مکانییک دیده است )خرد شدن محفظه ایمپلنت( نباید با •ن این دستورالعمل ممکن است باعث وارد آمدن صدمه به بیمار شود. آزمایش شوند. نادیده گرف�ت

: رهنمودهای ایم�نپیش از ورود بیمار به اتاق MRI، همه اجزای خارجی سیستم ایمپلنت MED‑EL )پردازشگر صو�ت و •

( باید از رس جدا شود. برای میدان با توان 1.0 یا 1.5 تسال، بانداژ اختیاری محافظ را میتوان لوازم جان�ببر روی عضو مصنوعی قرار داد. بانداژ محافظ ممکن است باندی کیسش باشد که حداقل سه بار دور رس

پیچانده میشود )شکل 1 را ببینید(. بانداژ باید محکم باشد ویل نباید باعث ایجاد درد شود. در سیستم های MRI با قدرت 1.0 تسال و 1.5 تسال، بیمار باید در حالت طاق باز یا دمر یا به پهلو •در اسک�ن بخوابد و رس خود را صاف نگه دارد. به بیمار باید گفته شود که اگر رسش را به هر طرف

های بای حلزون وجود خواهد داشت. برای اسک�ن ن خاصیت مغناطییس آه�ن ن رف�ت بچرخاند، امکان از ب�ی0.2 تسال، جهت خایص برای رس وجود ندارد.

C40+

C40+ ABI

24

ومندی دستگاه در محیطهای ویژه پزشیک یا تداخل با سایر دستگاهها، ن�یتشخییص

ید که در آن جریان برق از بدن شما عبور می به طور کیل پیش از این که تحت درمان پزشیک قرار بگ�ی •( را از رس خود جدا کنید یا حداقل عملکرد کل کند، اجزای خارجی )مانند پردازشگر و لوازم جان�ب

سیستم کاشت MED‑EL را در مراحل اولیه درمان به دقت برریس کنید.دستگاههای مورد استفاده در جراحی بر�ت ممکن است ولتاژ با فرکانس باال تولید کند که این ولتاژ •

ن جریا�ن ممکن است به عضو ودهای دستگاههای کاشت�ن میشود. چن�ی باعث ایجاد جریان القا�ی در الک�تمصنوعی و/یا بافتهای مجاور آسیب برساند. ابزارهای تک‑قط�ب جراحی بر�ت نباید در ناحیه رس و گردن

، فاصله نوک داغگر تا د. در صورت استفاده از ابزارهای دو‑قط�ب جراحی بر�ت مورد استفاده قرار بگ�یود باید حداقل 3 سانتیم�ت باشد. محرک و قسمتهای رسانای الک�ت

وری باید به دقت برریس شود و باید احتمال آسیب دیدن عضو مصنوعی نهکننده �ن پرتودرما�ن یون�ی • به دقت ارزیا�ب شود.

MED‑EL در برابر مزایای پزشیک این روش درما�نوشوک درما�ن در ناحیه رس و گردن ممنوع است. این روش درما�ن ممکن است به عضو مصنوعی و/ الک�ت •

یا بافتهای مجاور آسیب برساند. در ناحیه کاشت ممنوع است زیرا ممکن است به ایجاد جریان القا�ی در

تحریک عص�ب یا گرمادرما�ن •ودها منجر شود. این روش درما�ن ممکن است به عضو مصنوعی و/یا بافتهای مجاور آسیب برساند. الک�ت

ن میشود. و/یا زیبا�ی ایجادکننده جریان ن�یاین ممنوعیت شامل یون‑را�ن و روشهای درما�ن

سونوگرا�ن تشخییص هیچ صدمه ای به ایمپلنت وارد نمی کند. •نباید از درمان سونوگرا�ن در ناحیه ایمپلنت استفاده کرد، زیرا ممکن است ایمپلنت به طور ناخواسته •

اسونیک را متمرکز کند و باعث آسیب شود. میدان آل�تنهکننده درما�ن به طور کیل در فرآیند پرتوفشا�ن اجزای خارجی MED‑EL باید برداشته شود. پرتو یون�ی •

ن آسی�ب ونییک سیستم ایمپلنت MED‑EL آسیب برساند و تشخیص فوری چن�یممکن است به اجزای الک�ت

، به دلیل آسیب موضعی در فرآیند پرتودرما�نگ

شاید ممکن نباشد. برای کمینه کردن احتمال بافت‑مرد�د. عضو مصنوعی نباید در معرض پرتودرما�ن مستقیم قرار بگ�ی

ییک ناحیه دهان، نامشخص است. با ، مانند معاینه الک�ت : اثر برخی روشهای درما�ن سایر روشهای درما�ن •ید. درمانگاه خود تماس بگ�ی

C40+

C40+ ABI

C40+

ABI

C40+

23

PULSAR

PULSAR ABI

شکل 2: تصاویر MR به دست آمده با اسک�ن 1.5 تسال )کودک 8 ساله(

ن ایمپلنت شکل 1: باند رس برای ثابت نگه داش�ت

22

تنها باید از توایل حالت فعالیت عادی با حداک�ش نرخ جذب ویژه ) SAR ( معادل 3.2وات/کیلوگرم برای •اسکن های رس و 2.0 وات/کیلوگرم برای اسکن های تمام بدن استفاده شود.

ن ن اسکن )موقتاً( موارد احساس شنوا�ی مانند صدای تق یا بوق و همچن�ی ممکن است بیماران در ح�ی •شنوا�ی مانند سوزن سوزن شدن، سوزش یا درد )اندک( را تجربه کنند. پیش از موارد حس شده غ�ی

/ انجام دادن MRI به�ت است اطالعات الزم را به بیمار ارائه کنید. احتمال شدت موارد احساس شنوا�یشنوا�ی را می توان با انتخاب توایل های دارای نرخ جذب ویژه ) SAR ( کم�ت و رسعت های تبعیت غ�ی

گرادیان کندتر کاهش داد.ن MRI درد یا ناراح�ت در ناحیه ایمپلنت رخ دهد، ح�ت با اینکه تمام در موارد نادر ممکن است در ح�ی •

پروتکل ها و دستورالعمل های بانداژ رعایت شده باشد. • احتمال بروز آثار نامطلوب بر روی تصویر وجود دارد )به شکل 2 مراجعه کنید(.

اگر قرار است اعضا�ی غ�ی از رس )مانند زانو( معاینه شود، دستورالعملهای باال باید رعایت شود. برای •بای ن تنه، به�ت است ابتدا پاهای بیمار وارد اسک�ن شود تا احتمال ضعیف شدن آه�ن معاینه اعضای پای�ی

ایمپلنت کاهش یابد.ن میشود. دستورالعملهای باال شامل بیماران دارای ایمپلنتهای دو‑جانبه MED‑EL ن�ی •

« بیمار و/یا عضو کاشت�ن ممکن است آسیب ایط ایم�ن MR و »رهنمودهای ایم�ن در صورت رعایت نشدن رسشببیند!

برای کاهش احتمال و شدت ناراح�ت بیمار، وی باید رسش را از دیواره اسک�ن نزدیک به ورودی اسک�ن دور نگه دارد.

PULSAR

PULSAR ABI

PULS

AR A

BI

PULS

AR

21

) MRI ( اقدامات احتیاطی تصویربرداری رزونانس مغناطییس

( با MR ناسازگار و لوازم جان�باجزای خارجی سیستم ایمپلنت MED‑EL )پردازشگر صو�ت

هستند و باید پیش از عملیات اسکن جدا شوند.

اجزای دستگاههای کاشت�ن سیستم ایمپلنت MED‑EL حساس به MR هستند.

MRI فقط با برخی مدلهای دستگاه MED‑EL در بیماران دارای ایمپلنت MRI استفاده از روش تشخییصامکانپذیر است.

، این نوع ایمپلنتها خطر شناخته طبق مستندات ارائه شده، در صورت رعایت ضوابط و رهنمودهای ایم�نبای داخیل با جراحی( ن آه�ن شدهای در میدان مغناطییس با توان 0.2، 1.0 و 1.5 تسال MRI )بدون برداش�تندارد. پزشک/متصدی MRI همواره باید آگاه باشد که بیمار از ایمپلنت MED‑EL استفاده میکند و رعایت

وری است: پیشنهادها و رهنمودهای ایم�ن ویژه �ن

« انجام داد. ایط زیر، اسکن MRI را میتوان با رعایت »رهنمودهای ایم�ن در صورت برآورده شدن �شهای MRI با میدان مغناطییس استاتیک به توان 0.2، 1.0، یا 1.5 تسال. استفاده از میدان فقط اسک�ن •با توانهای دیگر مجاز نیست. در صورت استفاده از سایر توانها، امکان وارد شدن آسیب به بیمار و/یا

عضو مصنوعی وجود دارد.اسکن MRI حداقل 6 ماه پس از کاشت. انجام دادن MRI در مراحل پیش از این ممکن است به جابجا •

شدن و یا آسیب دیدن ایمپلنت منجر شود.وی 5 نیوتو�ن بای ایمپلنت باید 0.4 میلیم�ت باشد تا بتواند ن�ی حداقل ضخامت استخوان زیر آه�ن •

بای وهای گشتاوری به آه�ن وی گرانیسش حدود 0.5 کیلوگرمی( را تحمل کند. در اسک�ن MRI ن�ی )معادل ن�یوی و تطبیق میدهد. ن�ی ایمپلنت وارد میشود و فشار چرخیسش ایجاد میکند: دستگاه خود را با خطوط ن�ی

وارد شونده به کنارههای ایمپلنت به استخوان جمجمه و فلپ پوست منتقل میشود. استخوان زیر وها را تحمل کند. بای ایمپلنت باید به اندازهای ضخیم باشد که بتواند این ن�ی آه�ن

MRI بیمارا�ن که ایمپلنت های آنها آسیب مکانییک دیده است )خرد شدن محفظه ایمپلنت( نباید با •ن این دستورالعمل ممکن است باعث وارد آمدن صدمه به بیمار شود. آزمایش شوند. نادیده گرف�ت

: رهنمودهای ایم�نپیش از ورود بیمار به اتاق MRI، همه اجزای خارجی سیستم ایمپلنت MED‑EL )پردازشگر صو�ت و •

( باید از رس جدا شود. برای میدان با توان 1.0 یا 1.5 تسال، بانداژ اختیاری محافظ را میتوان لوازم جان�ببر روی عضو مصنوعی قرار داد. بانداژ محافظ ممکن است باندی کیسش باشد که حداقل سه بار دور رس

پیچانده میشود )شکل 1 را ببینید(. بانداژ باید محکم باشد ویل نباید باعث ایجاد درد شود. در سیستم های MRI با قدرت 1.0 تسال و 1.5 تسال، بیمار باید در حالت طاق باز یا دمر یا به پهلو •در اسک�ن بخوابد و رس خود را صاف نگه دارد. به بیمار باید گفته شود که اگر رسش را به هر طرف

های بای حلزون وجود خواهد داشت. برای اسک�ن ن خاصیت مغناطییس آه�ن ن رف�ت بچرخاند، امکان از ب�ی0.2 تسال، جهت خایص برای رس وجود ندارد.

PULSAR

PULSAR ABI

20

ومندی دستگاه در محیطهای ویژه پزشیک یا تداخل با سایر دستگاهها، ن�یتشخییص

ید که در آن جریان برق از بدن شما عبور می به طور کیل پیش از این که تحت درمان پزشیک قرار بگ�ی •( را از رس خود جدا کنید یا حداقل عملکرد کل کند، اجزای خارجی )مانند پردازشگر و لوازم جان�ب

سیستم کاشت MED‑EL را در مراحل اولیه درمان به دقت برریس کنید.دستگاههای مورد استفاده در جراحی بر�ت ممکن است ولتاژ با فرکانس باال تولید کند که این ولتاژ •

ن جریا�ن ممکن است به عضو ودهای دستگاههای کاشت�ن میشود. چن�ی باعث ایجاد جریان القا�ی در الک�تمصنوعی و/یا بافتهای مجاور آسیب برساند. ابزارهای تک‑قط�ب جراحی بر�ت نباید در ناحیه رس و گردن

، فاصله نوک داغگر تا د. در صورت استفاده از ابزارهای دو‑قط�ب جراحی بر�ت مورد استفاده قرار بگ�یود باید حداقل 3 سانتیم�ت باشد. محرک و قسمتهای رسانای الک�ت

وری باید به دقت برریس شود و باید احتمال آسیب دیدن عضو مصنوعی نهکننده �ن پرتودرما�ن یون�ی • به دقت ارزیا�ب شود.

MED‑EL در برابر مزایای پزشیک این روش درما�نوشوک درما�ن در ناحیه رس و گردن ممنوع است. این روش درما�ن ممکن است به عضو مصنوعی و/ الک�ت •

یا بافتهای مجاور آسیب برساند. در ناحیه کاشت ممنوع است زیرا ممکن است به ایجاد جریان القا�ی در

تحریک عص�ب یا گرمادرما�ن •ودها منجر شود. این روش درما�ن ممکن است به عضو مصنوعی و/یا بافتهای مجاور آسیب برساند. الک�ت

ن میشود. و/یا زیبا�ی ایجادکننده جریان ن�یاین ممنوعیت شامل یون‑را�ن و روشهای درما�ن

سونوگرا�ن تشخییص هیچ صدمه ای به ایمپلنت وارد نمی کند. •نباید از درمان سونوگرا�ن در ناحیه ایمپلنت استفاده کرد، زیرا ممکن است ایمپلنت به طور ناخواسته •

اسونیک را متمرکز کند و باعث آسیب شود. میدان آل�تنهکننده درما�ن به طور کیل در فرآیند پرتوفشا�ن اجزای خارجی MED‑EL باید برداشته شود. پرتو یون�ی •

ن آسی�ب ونییک سیستم ایمپلنت MED‑EL آسیب برساند و تشخیص فوری چن�یممکن است به اجزای الک�ت

، به دلیل آسیب موضعی در فرآیند پرتودرما�نگ

شاید ممکن نباشد. برای کمینه کردن احتمال بافت‑مرد�د. عضو مصنوعی نباید در معرض پرتودرما�ن مستقیم قرار بگ�ی

ییک ناحیه دهان، نامشخص است. با ، مانند معاینه الک�ت : اثر برخی روشهای درما�ن سایر روشهای درما�ن •ید. درمانگاه خود تماس بگ�ی

PULSAR

PULSAR ABI

PULS

AR A

BI

PULS

AR

SONATA

شکل 2: تصاویر MR به دست آمده با اسک�ن 1.5 تسال )کودک 8 ساله(

ن ایمپلنت شکل 1: باند رس برای ثابت نگه داش�ت

18

ن MRI درد یا ناراح�ت در ناحیه ایمپلنت رخ دهد، ح�ت با اینکه تمام در موارد نادر ممکن است در ح�ی •پروتکل ها و دستورالعمل های بانداژ رعایت شده باشد.

• احتمال بروز آثار نامطلوب بر روی تصویر وجود دارد )به شکل 2 مراجعه کنید(.اگر قرار است اعضا�ی غ�ی از رس )مانند زانو( معاینه شود، دستورالعملهای باال باید رعایت شود. برای •

بای ن تنه، به�ت است ابتدا پاهای بیمار وارد اسک�ن شود تا احتمال ضعیف شدن آه�ن معاینه اعضای پای�یایمپلنت کاهش یابد.

« بیمار و/یا عضو کاشت�ن ممکن است آسیب ایط ایم�ن MR و »رهنمودهای ایم�ن در صورت رعایت نشدن رسشببیند!

برای کاهش احتمال و شدت ناراح�ت بیمار، وی باید رسش را از دیواره اسک�ن نزدیک به ورودی اسک�ن دور نگه دارد.

SONATA

SON

ATA

17

) MRI ( اقدامات احتیاطی تصویربرداری رزونانس مغناطییس

( با MR ناسازگار و لوازم جان�باجزای خارجی سیستم ایمپلنت MED‑EL )پردازشگر صو�ت

هستند و باید پیش از عملیات اسکن جدا شوند.

اجزای دستگاههای کاشت�ن سیستم ایمپلنت MED‑EL حساس به MR هستند.

MRI فقط با برخی مدلهای دستگاه MED‑EL در بیماران دارای ایمپلنت MRI استفاده از روش تشخییصامکانپذیر است.

، این نوع ایمپلنتها خطر شناخته طبق مستندات ارائه شده، در صورت رعایت ضوابط و رهنمودهای ایم�نبای داخیل با جراحی( ن آه�ن شدهای در میدان مغناطییس با توان 0.2، 1.0 و 1.5 تسال MRI )بدون برداش�تندارد. پزشک/متصدی MRI همواره باید آگاه باشد که بیمار از ایمپلنت MED‑EL استفاده میکند و رعایت

وری است. پیشنهادها و رهنمودهای ایم�ن ویژه �ن

« انجام داد. ایط زیر، اسکن MRI را میتوان با رعایت »رهنمودهای ایم�ن در صورت برآورده شدن �شهای MRI با میدان مغناطییس استاتیک به توان 0.2، 1.0، یا 1.5 تسال. استفاده از میدان فقط اسک�ن •با توانهای دیگر مجاز نیست. در صورت استفاده از سایر توانها، امکان وارد شدن آسیب به بیمار و/یا

عضو مصنوعی وجود دارد.در صورت وجود دیگر اندامهای مصنوعی، مانند سمعک در گوش دیگر: رهنمودهای ایم�ن MRI برای •

ن باید رعایت شود. این عضو مصنوعی ن�ی

: رهنمودهای ایم�نپیش از ورود بیمار به اتاق MRI، همه اجزای خارجی سیستم ایمپلنت MED‑EL )پردازشگر صو�ت و •

( باید از رس جدا شود. برای میدان با توان 1.0 یا 1.5 تسال، بانداژ اختیاری محافظ را میتوان لوازم جان�ببر روی عضو مصنوعی قرار داد. بانداژ محافظ ممکن است باندی کیسش باشد که حداقل سه بار دور رس

پیچانده میشود )شکل 1 را ببینید(. بانداژ باید محکم باشد ویل نباید باعث ایجاد درد شود. در سیستم های MRI با قدرت 1.0 تسال و 1.5 تسال، بیمار باید در حالت طاق باز یا دمر یا به پهلو •در اسک�ن بخوابد و رس خود را صاف نگه دارد. به بیمار باید گفته شود که اگر رسش را به هر طرف

های بای حلزون وجود خواهد داشت. برای اسک�ن ن خاصیت مغناطییس آه�ن ن رف�ت بچرخاند، امکان از ب�ی0.2 تسال، جهت خایص برای رس وجود ندارد.

تنها باید از توایل حالت فعالیت عادی با حداک�ش نرخ جذب ویژه ) SAR ( معادل 3.2وات/کیلوگرم برای •اسکن های رس و 2.0 وات/کیلوگرم برای اسکن های تمام بدن استفاده شود.

ن ن اسکن )موقتاً( موارد احساس شنوا�ی مانند صدای تق یا بوق و همچن�ی ممکن است بیماران در ح�ی •شنوا�ی مانند سوزن سوزن شدن، سوزش یا درد )اندک( را تجربه کنند. پیش از موارد حس شده غ�ی

/ انجام دادن MRI به�ت است اطالعات الزم را به بیمار ارائه کنید. احتمال شدت موارد احساس شنوا�یشنوا�ی را می توان با انتخاب توایل های دارای نرخ جذب ویژه ) SAR ( کم�ت و رسعت های تبعیت غ�ی

گرادیان کندتر کاهش داد.

SONATA

16

ومندی دستگاه در محیطهای ویژه پزشیک یا تداخل با سایر دستگاهها، ن�یتشخییص

ید که در آن جریان برق از بدن شما عبور می به طور کیل پیش از این که تحت درمان پزشیک قرار بگ�ی •( را از رس خود جدا کنید یا حداقل عملکرد کل کند، اجزای خارجی )مانند پردازشگر و لوازم جان�ب

سیستم کاشت MED‑EL را در مراحل اولیه درمان به دقت برریس کنید.دستگاههای مورد استفاده در جراحی بر�ت ممکن است ولتاژ با فرکانس باال تولید کند که این ولتاژ •

ن جریا�ن ممکن است به عضو ودهای دستگاههای کاشت�ن میشود. چن�ی باعث ایجاد جریان القا�ی در الک�تمصنوعی و/یا بافتهای مجاور آسیب برساند. ابزارهای تک‑قط�ب جراحی بر�ت نباید در ناحیه رس و گردن

، فاصله نوک داغگر تا د. در صورت استفاده از ابزارهای دو‑قط�ب جراحی بر�ت مورد استفاده قرار بگ�یود فعال باید حداقل 5 میلیم�ت باشد. ودهای مرجع در محفظه محرک و قسمتهای رسانای الک�ت الک�توری باید به دقت برریس شود و باید احتمال آسیب دیدن عضو مصنوعی نهکننده �ن پرتودرما�ن یون�ی •

به دقت ارزیا�ب شود.MED‑EL در برابر مزایای پزشیک این روش درما�ن

وشوک درما�ن در ناحیه رس و گردن ممنوع است. این روش درما�ن ممکن است به عضو مصنوعی و/ الک�ت •یا بافتهای مجاور آسیب برساند.

در ناحیه کاشت ممنوع است زیرا ممکن است به ایجاد جریان القا�ی در تحریک عص�ب یا گرمادرما�ن •

ودها منجر شود. این روش درما�ن ممکن است به عضو مصنوعی و/یا بافتهای مجاور آسیب برساند. الک�تن میشود. و/یا زیبا�ی ایجادکننده جریان ن�ی

این ممنوعیت شامل یون‑را�ن و روشهای درما�نسونوگرا�ن تشخییص هیچ صدمه ای به ایمپلنت وارد نمی کند. •

نباید از درمان سونوگرا�ن در ناحیه ایمپلنت استفاده کرد، زیرا ممکن است ایمپلنت به طور ناخواسته •اسونیک را متمرکز کند و باعث آسیب شود. میدان آل�ت

نهکننده درما�ن به طور کیل در فرآیند پرتوفشا�ن اجزای خارجی MED‑EL باید برداشته شود. پرتو یون�ی •ن آسی�ب ونییک سیستم ایمپلنت MED‑EL آسیب برساند و تشخیص فوری چن�ی

ممکن است به اجزای الک�ت ، به دلیل آسیب موضعی در فرآیند پرتودرما�ن

گشاید ممکن نباشد. برای کمینه کردن احتمال بافت‑مرد�

د. عضو مصنوعی نباید در معرض پرتودرما�ن مستقیم قرار بگ�یییک ناحیه دهان، نامشخص است. با ، مانند معاینه الک�ت : اثر برخی روشهای درما�ن سایر روشهای درما�ن •

ید. درمانگاه خود تماس بگ�ی

SONATA

SON

ATA

15

Mi1000 CONCERTO | Mi1000 CONCERTO PIN

Mi1000 CONCERTO ABI | Mi1000 CONCERTO PIN ABI

شکل 2: تصاویر MR به دست آمده با اسک�ن 1.5 تسال )کودک 8 ساله(

ن ایمپلنت شکل 1: باند رس برای ثابت نگه داش�ت

14

ن MRI درد یا ناراح�ت در ناحیه ایمپلنت رخ دهد، ح�ت با اینکه تمام در موارد نادر ممکن است در ح�ی •پروتکل ها و دستورالعمل های بانداژ رعایت شده باشد.

• احتمال بروز آثار نامطلوب بر روی تصویر وجود دارد )به شکل 2 مراجعه کنید(.اگر قرار است اعضا�ی غ�ی از رس )مانند زانو( معاینه شود، دستورالعملهای باال باید رعایت شود. برای •

بای ن تنه، به�ت است ابتدا پاهای بیمار وارد اسک�ن شود تا احتمال ضعیف شدن آه�ن معاینه اعضای پای�یایمپلنت کاهش یابد.

« بیمار و/یا عضو کاشت�ن ممکن است آسیب ایط ایم�ن MR و »رهنمودهای ایم�ن در صورت رعایت نشدن رسشببیند!

برای کاهش احتمال و شدت ناراح�ت بیمار، وی باید رسش را از دیواره اسک�ن نزدیک به ورودی اسک�ن دور نگه دارد.

Mi1000 CONCERTO | Mi1000 CONCERTO PIN

Mi1000 CONCERTO ABI | Mi1000 CONCERTO PIN ABI

Mi10

00 C

ON

CERT

O A

BI |

Mi10

00 C

ON

CERT

O P

IN A

BI

Mi10

00 C

ON

CERT

O |

Mi10

00 C

ON

CERT

O P

IN

13

Mi1000 CONCERTO | Mi1000 CONCERTO PIN

Mi1000 CONCERTO ABI | Mi1000 CONCERTO PIN ABI

) MRI ( اقدامات احتیاطی تصویربرداری رزونانس مغناطییس

( با MR ناسازگار و لوازم جان�باجزای خارجی سیستم ایمپلنت MED‑EL )پردازشگر صو�ت

هستند و باید پیش از عملیات اسکن جدا شوند.

اجزای دستگاههای کاشت�ن سیستم ایمپلنت MED‑EL حساس به MR هستند.

MRI فقط با برخی مدلهای دستگاه MED‑EL در بیماران دارای ایمپلنت MRI استفاده از روش تشخییصامکانپذیر است.

، این نوع ایمپلنتها خطر شناخته طبق مستندات ارائه شده، در صورت رعایت ضوابط و رهنمودهای ایم�نبای داخیل با جراحی( ن آه�ن شدهای در میدان مغناطییس با توان 0.2، 1.0 و 1.5 تسال MRI )بدون برداش�تندارد. پزشک/متصدی MRI همواره باید آگاه باشد که بیمار از ایمپلنت MED‑EL استفاده میکند و رعایت

وری است. پیشنهادها و رهنمودهای ایم�ن ویژه �ن

« انجام داد. ایط زیر، اسکن MRI را میتوان با رعایت »رهنمودهای ایم�ن در صورت برآورده شدن �شهای MRI با میدان مغناطییس استاتیک به توان 0.2، 1.0، یا 1.5 تسال. استفاده از میدان فقط اسک�ن •با توانهای دیگر مجاز نیست. در صورت استفاده از سایر توانها، امکان وارد شدن آسیب به بیمار و/یا

عضو مصنوعی وجود دارد.در صورت وجود دیگر اندامهای مصنوعی، مانند سمعک در گوش دیگر: رهنمودهای ایم�ن MRI برای •

ن باید رعایت شود. این عضو مصنوعی ن�ی

: رهنمودهای ایم�نپیش از ورود بیمار به اتاق MRI، همه اجزای خارجی سیستم ایمپلنت MED‑EL )پردازشگر صو�ت و •

( باید از رس جدا شود. برای میدان با توان 1.0 یا 1.5 تسال، بانداژ اختیاری محافظ را میتوان لوازم جان�ببر روی عضو مصنوعی قرار داد. بانداژ محافظ ممکن است باندی کیسش باشد که حداقل سه بار دور رس

پیچانده میشود )شکل 1 را ببینید(. بانداژ باید محکم باشد ویل نباید باعث ایجاد درد شود. در سیستم های MRI با قدرت 1.0 تسال و 1.5 تسال، بیمار باید در حالت طاق باز یا دمر یا به پهلو •در اسک�ن بخوابد و رس خود را صاف نگه دارد. به بیمار باید گفته شود که اگر رسش را به هر طرف

های بای حلزون وجود خواهد داشت. برای اسک�ن ن خاصیت مغناطییس آه�ن ن رف�ت بچرخاند، امکان از ب�ی0.2 تسال، جهت خایص برای رس وجود ندارد.

تنها باید از توایل حالت فعالیت عادی با حداک�ش نرخ جذب ویژه ) SAR ( معادل 3.2وات/کیلوگرم برای •اسکن های رس و 2.0 وات/کیلوگرم برای اسکن های تمام بدن استفاده شود.

ن ن اسکن )موقتاً( موارد احساس شنوا�ی مانند صدای تق یا بوق و همچن�ی ممکن است بیماران در ح�ی •شنوا�ی مانند سوزن سوزن شدن، سوزش یا درد )اندک( را تجربه کنند. پیش از موارد حس شده غ�ی

/ انجام دادن MRI به�ت است اطالعات الزم را به بیمار ارائه کنید. احتمال شدت موارد احساس شنوا�یشنوا�ی را می توان با انتخاب توایل های دارای نرخ جذب ویژه ) SAR ( کم�ت و رسعت های تبعیت غ�ی

گرادیان کندتر کاهش داد.

12

ومندی دستگاه در محیطهای ویژه پزشیک یا تداخل با سایر دستگاهها، ن�یتشخییص

ید که در آن جریان برق از بدن شما عبور می به طور کیل پیش از این که تحت درمان پزشیک قرار بگ�ی •( را از رس خود جدا کنید یا حداقل عملکرد کل کند، اجزای خارجی )مانند پردازشگر و لوازم جان�ب

سیستم کاشت MED‑EL را در مراحل اولیه درمان به دقت برریس کنید.دستگاههای مورد استفاده در جراحی بر�ت ممکن است ولتاژ با فرکانس باال تولید کند که این ولتاژ •

ن جریا�ن ممکن است به عضو ودهای دستگاههای کاشت�ن میشود. چن�ی باعث ایجاد جریان القا�ی در الک�تمصنوعی و/یا بافتهای مجاور آسیب برساند. ابزارهای تک‑قط�ب جراحی بر�ت نباید در ناحیه رس و گردن

، فاصله نوک داغگر تا د. در صورت استفاده از ابزارهای دو‑قط�ب جراحی بر�ت مورد استفاده قرار بگ�یود فعال باید حداقل 5 میلیم�ت باشد. ودهای مرجع در محفظه محرک و قسمتهای رسانای الک�ت الک�توری باید به دقت برریس شود و باید احتمال آسیب دیدن عضو مصنوعی نهکننده �ن پرتودرما�ن یون�ی •

به دقت ارزیا�ب شود.MED‑EL در برابر مزایای پزشیک این روش درما�ن

وشوک درما�ن در ناحیه رس و گردن ممنوع است. این روش درما�ن ممکن است به عضو مصنوعی و/ الک�ت •یا بافتهای مجاور آسیب برساند.

در ناحیه کاشت ممنوع است زیرا ممکن است به ایجاد جریان القا�ی در تحریک عص�ب یا گرمادرما�ن •

ودها منجر شود. این روش درما�ن ممکن است به عضو مصنوعی و/یا بافتهای مجاور آسیب برساند. الک�تن میشود. و/یا زیبا�ی ایجادکننده جریان ن�ی

این ممنوعیت شامل یون‑را�ن و روشهای درما�نسونوگرا�ن تشخییص هیچ صدمه ای به ایمپلنت وارد نمی کند. •

نباید از درمان سونوگرا�ن در ناحیه ایمپلنت استفاده کرد، زیرا ممکن است ایمپلنت به طور ناخواسته •اسونیک را متمرکز کند و باعث آسیب شود. میدان آل�ت

نهکننده درما�ن به طور کیل در فرآیند پرتوفشا�ن اجزای خارجی MED‑EL باید برداشته شود. پرتو یون�ی •ن آسی�ب ونییک سیستم ایمپلنت MED‑EL آسیب برساند و تشخیص فوری چن�ی

ممکن است به اجزای الک�ت ، به دلیل آسیب موضعی در فرآیند پرتودرما�ن

گشاید ممکن نباشد. برای کمینه کردن احتمال بافت‑مرد�

د. عضو مصنوعی نباید در معرض پرتودرما�ن مستقیم قرار بگ�یییک ناحیه دهان، نامشخص است. با ، مانند معاینه الک�ت : اثر برخی روشهای درما�ن سایر روشهای درما�ن •

ید. درمانگاه خود تماس بگ�ی

Mi1000 CONCERTO | Mi1000 CONCERTO PIN

Mi1000 CONCERTO ABI | Mi1000 CONCERTO PIN ABI

Mi10

00 C

ON

CERT

O A

BI |

Mi10

00 C

ON

CERT

O P

IN A

BI

Mi10

00 C

ON

CERT

O |

Mi10

00 C

ON

CERT

O P

IN

11

Mi1200 SYNCHRONY ABI | Mi1200 SYNCHRONY PIN ABI

با را نشان میدهد در حایل که شکل 2: آثار تصویری نایسش از اسک�ن 1.5 تسال. تصویر چپ آثار به دست آمده در حالت ثبات آه�نبا با Non‑Magnetic Spacer را نشان میدهد. تصویر سمت راست آثار به دست آمده بر اثر جابجا شدن آه�ن

ن ایمپلنت شکل 1: باند رس برای ثابت نگه داش�ت

10

ن ن اسکن )موقتاً( موارد احساس شنوا�ی مانند صدای تق یا بوق و همچن�ی ممکن است بیماران در ح�ی •شنوا�ی مانند سوزن سوزن شدن، سوزش یا درد )اندک( را تجربه کنند. پیش از موارد حس شده غ�ی

/ انجام دادن MRI به�ت است اطالعات الزم را به بیمار ارائه کنید. احتمال شدت موارد احساس شنوا�یشنوا�ی را می توان با انتخاب توایل های دارای نرخ جذب ویژه ) SAR ( کم�ت و رسعت های تبعیت غ�ی

گرادیان کندتر کاهش داد.در موارد نادر، ممکن است بیمار در هنگام ورود به لوله اسک�ن MRI صدای تق بشنود. •

ن MRI درد یا ناراح�ت در ناحیه ایمپلنت رخ دهد، ح�ت با اینکه تمام در موارد نادر ممکن است در ح�ی •پروتکل ها و دستورالعمل های بانداژ رعایت شده باشد.

ن ایمپلنت خارج با به گونهای که از سمت پای�ی با را میتوان با جراحی و فشار دادن بخش باال�ی آه�ن آه�ن •با خارج نشود، احتمال بروز آثار ون آورد تا آثار نامطلوب بر روی تصویر کاهش یابد. اگر آه�ن شود، ب�ی

نامطلوب بر روی تصویر وجود دارد )به شکل 2 و شکل(. باهای دارای Non‑Magnetic Spacer و بر عکس حداقل پنج نوبت آزمایش با با آه�ن تعویض آه�ن •

شده است.اگر قرار است اعضا�ی غ�ی از رس )مانند زانو( معاینه شود، دستورالعملهای باال باید رعایت شود. برای •

ن تنه، به�ت است ابتدا پاهای بیمار وارد اسک�ن شود. معاینه اعضای پای�ی

« بیمار و/یا عضو کاشت�ن ممکن است آسیب ایط ایم�ن MR و »رهنمودهای ایم�ن در صورت رعایت نشدن رسشببیند!

برای کاهش احتمال و شدت ناراح�ت بیمار، وی باید رسش را از دیواره اسک�ن نزدیک به ورودی اسک�ن دور نگه دارد.

Mi1200 SYNCHRONY ABI | Mi1200 SYNCHRONY PIN ABI

Mi12

00 S

YNCH

RON

Y AB

I | M

i1200

SYN

CHRO

NY

PIN

ABI

9

) MRI ( اقدامات احتیاطی تصویربرداری رزونانس مغناطییس

( با MR ناسازگار و لوازم جان�باجزای خارجی سیستم ایمپلنت MED‑EL )پردازشگر صو�ت

هستند و باید پیش از عملیات اسکن جدا شوند.

اجزای دستگاههای کاشت�ن سیستم ایمپلنت MED‑EL حساس به MR هستند.

MRI فقط با برخی مدلهای دستگاه MED‑EL در بیماران دارای ایمپلنت MRI استفاده از روش تشخییصامکانپذیر است.

، این نوع ایمپلنت خطر شناخته طبق مستندات ارائه شده، در صورت رعایت ضوابط و رهنمودهای ایم�نبای داخیل با جراحی( ندارد. این ایمپلنت دارای ن آه�ن شدهای برای محیطهای ویژه MRI )بدون برداش�ت

با را فراهم میکند و لزومی به ن آه�ن بای ویژهای است که امکان انجام دادن اسکن MRI بدون برداش�ت آه�نبای کاشت�ن را در صورت لزوم میتوان ، نیست. آه�ن بای ایمپلنت، �فنظر از توان میدان اسک�ن ن آه�ن برداش�تی شود. پزشک/متصدی MRI همواره با جراحی خارج کرد تا از بروز آثار مخرب دستگاه تصویربرداری جلوگ�ی

وری باید آگاه باشد که بیمار، از ایمپلنت MED‑EL استفاده می کند و رعایت رهنمودهای ایم�ن ویژه �ناست.

« انجام داد. ایط زیر، اسکن MRI را میتوان با رعایت »رهنمودهای ایم�ن در صورت برآورده شدن �شهای MRI با میدان مغناطییس استاتیک به توان 0.2، 1.0، یا 1.5 تسال. استفاده از میدان فقط اسک�ن •با توانهای دیگر مجاز نیست. در صورت استفاده از سایر توانها، امکان وارد شدن آسیب به بیمار و/یا

عضو مصنوعی وجود دارد.در صورت وجود دیگر اندامهای مصنوعی، مانند سمعک در گوش دیگر: رهنمودهای ایم�ن MRI برای •

ن باید رعایت شود. این عضو مصنوعی ن�ی

: رهنمودهای ایم�نپیش از ورود بیمار به اتاق MRI، همه اجزای خارجی سیستم ایمپلنت MED‑EL )پردازشگر صو�ت و •

( باید از رس جدا شود. بانداژ اختیاری محافظ را میتوان بر روی عضو مصنوعی قرار داد. لوازم جان�ببانداژ محافظ ممکن است باندی کیسش باشد که حداقل سه بار دور رس پیچانده میشود )شکل 1 را

ببینید(. بانداژ باید محکم باشد ویل نباید باعث ایجاد درد شود.در همه سیستم های MRI )1.0 تسال و 1.5 تسال(، بیمار باید در حالت طاق باز یا دمر یا به پهلو در •

ان انحراف محور رس از محور ن اسک�ن بخوابد و رس خود را صاف نگه دارد. به بیمار باید گفته شود که م�یبای حلزون طول بدن نباید بیش از 30 درجه باشد؛ در غ�ی این صورت ممکن است گشتاور به آه�ن

های 0.2 تسال، جهت خایص برای رس وجود ندارد. اعمال شود و سبب درد گردد. برای اسک�نتنها باید از توایل "حالت فعالیت عادی" با حداک�ش نرخ جذب ویژه ) SAR ( معادل 3.2وات/کیلوگرم برای •

اسکن های رس و 2.0 وات/کیلوگرم برای اسکن های تمام بدن استفاده شود.

Mi1200 SYNCHRONY ABI | Mi1200 SYNCHRONY PIN ABI

8

ومندی دستگاه در محیطهای ویژه پزشیک یا تداخل با سایر دستگاهها، ن�یتشخییص

ید که در آن جریان برق از بدن شما عبور می به طور کیل پیش از این که تحت درمان پزشیک قرار بگ�ی •( را از رس خود جدا کنید یا حداقل عملکرد کل کند، اجزای خارجی )مانند پردازشگر و لوازم جان�ب

سیستم کاشت MED‑EL را در مراحل اولیه درمان به دقت برریس کنید.دستگاههای مورد استفاده در جراحی بر�ت ممکن است ولتاژ با فرکانس باال تولید کند که این ولتاژ •

ن جریا�ن ممکن است به عضو ودهای دستگاههای کاشت�ن میشود. چن�ی باعث ایجاد جریان القا�ی در الک�تمصنوعی و/یا بافتهای مجاور آسیب برساند. ابزارهای تک‑قط�ب جراحی بر�ت نباید در ناحیه رس و گردن

، فاصله نوک داغگر تا د. در صورت استفاده از ابزارهای دو‑قط�ب جراحی بر�ت مورد استفاده قرار بگ�یود فعال باید حداقل 5 میلیم�ت باشد. ودهای مرجع در محفظه محرک و قسمتهای رسانای الک�ت الک�توری باید به دقت برریس شود و باید احتمال آسیب دیدن عضو مصنوعی نهکننده �ن پرتودرما�ن یون�ی •

به دقت ارزیا�ب شود.MED‑EL در برابر مزایای پزشیک این روش درما�ن

وشوک درما�ن در ناحیه رس و گردن ممنوع است. این روش درما�ن ممکن است به عضو مصنوعی و/ الک�ت •یا بافتهای مجاور آسیب برساند.

در ناحیه کاشت ممنوع است زیرا ممکن است به ایجاد جریان القا�ی در تحریک عص�ب یا گرمادرما�ن •

ودها منجر شود. این روش درما�ن ممکن است به عضو مصنوعی و/یا بافتهای مجاور آسیب برساند. الک�تن میشود. و/یا زیبا�ی ایجادکننده جریان ن�ی

این ممنوعیت شامل یون‑را�ن و روشهای درما�نسونوگرا�ن تشخییص هیچ صدمه ای به ایمپلنت وارد نمی کند. •

نباید از درمان سونوگرا�ن در ناحیه ایمپلنت استفاده کرد، زیرا ممکن است ایمپلنت به طور ناخواسته •اسونیک را متمرکز کند و باعث آسیب شود. میدان آل�ت

نهکننده درما�ن به طور کیل در فرآیند پرتوفشا�ن اجزای خارجی MED‑EL باید برداشته شود. پرتو یون�ی •ن آسی�ب ونییک سیستم ایمپلنت MED‑EL آسیب برساند و تشخیص فوری چن�ی

ممکن است به اجزای الک�ت ، به دلیل آسیب موضعی در فرآیند پرتودرما�ن

گشاید ممکن نباشد. برای کمینه کردن احتمال بافت‑مرد�

د. عضو مصنوعی نباید در معرض پرتودرما�ن مستقیم قرار بگ�یییک ناحیه دهان، نامشخص است. با ، مانند معاینه الک�ت : اثر برخی روشهای درما�ن سایر روشهای درما�ن •

ید. درمانگاه خود تماس بگ�ی

Mi1200 SYNCHRONY ABI | Mi1200 SYNCHRONY PIN ABI

Mi12

00 S

YNCH

RON

Y AB

I | M

i1200

SYN

CHRO

NY

PIN

ABI

7

Mi1200 SYNCHRONY | Mi1200 SYNCHRONY PIN | Mi1210 SYNCHRONY ST

با را نشان میدهد در حایل که شکل 3: آثار تصویری نایسش از اسک�ن 3.0 تسال. تصویر چپ آثار به دست آمده در حالت ثبات آه�نبا با Non‑Magnetic Spacer را نشان میدهد. تصویر سمت راست آثار به دست آمده بر اثر جابجا شدن آه�ن

با را نشان میدهد در حایل که شکل 2: آثار تصویری نایسش از اسک�ن 1.5 تسال. تصویر چپ آثار به دست آمده در حالت ثبات آه�نبا با Non‑Magnetic Spacer را نشان میدهد. تصویر سمت راست آثار به دست آمده بر اثر جابجا شدن آه�ن

ن ایمپلنت شکل 1: باند رس برای ثابت نگه داش�ت

Mi1250 SYNCHRONY 2 | Mi1250 SYNCHRONY 2 PIN

6

اگر قرار است اعضا�ی غ�ی از رس )مانند زانو( معاینه شود، دستورالعملهای باال باید رعایت شود. برای •ن تنه، به�ت است ابتدا پاهای بیمار وارد اسک�ن شود. معاینه اعضای پای�ی

« بیمار و/یا عضو کاشت�ن ممکن است آسیب ایط ایم�ن MR و »رهنمودهای ایم�ن در صورت رعایت نشدن رسشببیند!

برای کاهش احتمال و شدت ناراح�ت بیمار، وی باید رسش را از دیواره اسک�ن نزدیک به ورودی اسک�ن دور نگه دارد.

Mi1200 SYNCHRONY | Mi1200 SYNCHRONY PIN | Mi1210 SYNCHRONY ST

Mi1250 SYNCHRONY 2 | Mi1250 SYNCHRONY 2 PIN

Mi12

00 S

YNCH

RON

Y | M

i1200

SYN

CHRO

NY

PIN |

Mi12

10 S

YNCH

RON

Y ST

| M

i1250

SYN

CHRO

NY

2 | M

i1250

SYN

CHRO

NY

2 PI

N

5

برای اسکن های T 1.0 ، T 0.2 و T 1.5 )به جدول 1 مراجعه کنید(، تنها باید از توایل حالت فعالیت •عادی با حداک�ش نرخ جذب ویژه ) SAR ( معادل 3.2وات/کیلوگرم برای اسکن های رس و 2.0 وات/

کیلوگرم برای اسکن های تمام بدن استفاده شود. های 3.0 تسال حد SAR نباید از مقادیر SAR مربوط به نواحی آناتومیک خاص ذکر شده در برای اسک�ن • MRI ن دلیل در ی شود. به هم�ی ود جلوگ�ی جدول 1 بیش�ت شود تا از گرم شدن خطرناک نقاط تماس الک�ت

با 3.0 تسال نباید از سیمپیچ انتقال رس یا سیمپیچ انتقال چند‑کانایل استفاده شود.

جهت آزمایش های رس و آزمایش های بدن که کم�ت از 35 سان�ت م�ت از باالی رس فاصله دارند، سیستم ان SAR برآورده ن MRI باید دارای توانا�ی کاهش حداک�ش نرخ جذب ویژه ) SAR ( یا نمایش حداک�ش م�ی

شده باشد.

ترتیبهای حالت عملیا�ت عادی فقط با محدودیتهای SAR زیر:ن رس نباید از 1.6 وات/کیلوگرم )50 % حداک�ش SAR رس( برای اسکن رس: حداک�ش SAR میانگ�ی –

بیش�ت باشد.برای مکانهای چرخشگاه کم�ت از 35 سانتیم�ت از باالی رس: حداک�ش SAR کل بدن نباید از 1.0 وات/ –

کیلوگرم بیش�ت باشد.برای مکانهای چرخشگاه حداقل 35 سانتیم�ت دورتر از باالی رس: حداک�ش SAR کل بدن نباید از –

2.0 وات/کیلوگرم بیش�ت باشد.

MRI ن �توان میدان ن کل بدنSAR میانگ�ی SAR میانگ�ی

مکان چرخشگاه کم�ت از 35 سانتیم�ت از باالی رس

مکان چرخشگاه بیش�ت از یا برابر با 35 سانتیم�ت از باالی رس

2.0 وات/کیلوگرم2.0 وات/کیلوگرم3.2 وات/کیلوگرم0.2 تسال

2.0 وات/کیلوگرم2.0 وات/کیلوگرم3.2 وات/کیلوگرم1.0 تسال

2.0 وات/کیلوگرم2.0 وات/کیلوگرم3.2 وات/کیلوگرم1.5 تسال

2.0 وات/کیلوگرم1.0 وات/کیلوگرم1.6 وات/کیلوگرم3.0 تسال

)SAR جدول 1: نرخ جذب ویژه )سطح

ن ن اسکن )موقتاً( موارد احساس شنوا�ی مانند صدای تق یا بوق و همچن�ی ممکن است بیماران در ح�ی •شنوا�ی مانند سوزن سوزن شدن، سوزش یا درد )اندک( را تجربه کنند. پیش از موارد حس شده غ�ی

/ انجام دادن MRI به�ت است اطالعات الزم را به بیمار ارائه کنید. احتمال شدت موارد احساس شنوا�یشنوا�ی را می توان با انتخاب توایل های دارای نرخ جذب ویژه ) SAR ( کم�ت و رسعت های تبعیت غ�ی

گرادیان کندتر کاهش داد.در موارد نادر، ممکن است بیمار در هنگام ورود به لوله اسک�ن MRI صدای تق بشنود. •

ن MRI درد یا ناراح�ت در ناحیه ایمپلنت رخ دهد، ح�ت با اینکه تمام در موارد نادر ممکن است در ح�ی •پروتکل ها و دستورالعمل های بانداژ رعایت شده باشد.

ن ایمپلنت خارج با به گونهای که از سمت پای�ی با را میتوان با جراحی و فشار دادن بخش باال�ی آه�ن آه�ن •با خارج نشود، احتمال بروز آثار ون آورد تا آثار نامطلوب بر روی تصویر کاهش یابد. اگر آه�ن شود، ب�ی

نامطلوب بر روی تصویر وجود دارد )به شکل 2 و شکل 3 مراجعه کنید(. باهای دارای Non‑Magnetic Spacer و بر عکس حداقل پنج نوبت آزمایش با با آه�ن تعویض آه�ن •

شده است.

Mi1200 SYNCHRONY | Mi1200 SYNCHRONY PIN | Mi1210 SYNCHRONY ST

Mi1250 SYNCHRONY 2 | Mi1250 SYNCHRONY 2 PIN

4

) MRI ( اقدامات احتیاطی تصویربرداری رزونانس مغناطییس

( با MR ناسازگار و لوازم جان�باجزای خارجی سیستم ایمپلنت MED‑EL )پردازشگر صو�ت

هستند و باید پیش از عملیات اسکن جدا شوند.

اجزای دستگاههای کاشت�ن سیستم ایمپلنت MED‑EL حساس به MR هستند.

MRI فقط با برخی مدلهای دستگاه MED‑EL در بیماران دارای ایمپلنت MRI استفاده از روش تشخییصامکانپذیر است.

، این نوع ایمپلنت خطر شناخته طبق مستندات ارائه شده، در صورت رعایت ضوابط و رهنمودهای ایم�نبای داخیل با جراحی( ندارد. این ایمپلنت دارای ن آه�ن شدهای برای محیطهای ویژه MRI )بدون برداش�ت

با را فراهم میکند و لزومی به ن آه�ن بای ویژهای است که امکان انجام دادن اسکن MRI بدون برداش�ت آه�نبای کاشت�ن را در صورت لزوم میتوان ، نیست. آه�ن بای ایمپلنت، �فنظر از توان میدان اسک�ن ن آه�ن برداش�تی شود. پزشک/متصدی MRI همواره با جراحی خارج کرد تا از بروز آثار مخرب دستگاه تصویربرداری جلوگ�ی

وری باید آگاه باشد که بیمار، از ایمپلنت MED‑EL استفاده می کند و رعایت رهنمودهای ایم�ن ویژه �ناست.

« انجام داد. ایط زیر، اسکن MRI را میتوان با رعایت »رهنمودهای ایم�ن در صورت برآورده شدن �شهای MRI فقط با قدرت میدان مغناطییس ایستای T 1.5 ، T 1.0 ، T 0.2 یا T 3.0 . استفاده از اسک�ن •

میدان با توانهای دیگر مجاز نیست. در صورت استفاده از سایر توانها، امکان وارد شدن آسیب به بیمار و/یا عضو مصنوعی وجود دارد.

در صورت وجود دیگر اندامهای مصنوعی، مانند سمعک در گوش دیگر: رهنمودهای ایم�ن MRI برای •ن باید رعایت شود. این عضو مصنوعی ن�ی

: رهنمودهای ایم�نپیش از ورود بیمار به اتاق MRI، همه اجزای خارجی سیستم ایمپلنت MED‑EL )پردازشگر صو�ت و •

( باید از رس جدا شود. بانداژ اختیاری محافظ را میتوان بر روی عضو مصنوعی قرار داد. لوازم جان�ببانداژ محافظ ممکن است باندی کیسش باشد که حداقل سه بار دور رس پیچانده میشود )شکل 1 را

ببینید(. بانداژ باید محکم باشد ویل نباید باعث ایجاد درد شود. در همه سیستم های MRI )1.0 تسال، 1.5 تسال و 3.0 تسال( بیمار باید در حالت طاق باز یا دمر یا به •

ان انحراف محور رس ن پهلو در اسک�ن بخوابد و رس خود را صاف نگه دارد. به بیمار باید گفته شود که م�یبای از محور طول بدن نباید بیش از 30 درجه باشد؛ در غ�ی این صورت ممکن است گشتاور به آه�ن

های 0.2 تسال، جهت خایص برای رس وجود ندارد. حلزون اعمال شود و سبب درد گردد. برای اسک�ن

Mi1200 SYNCHRONY | Mi1200 SYNCHRONY PIN | Mi1210 SYNCHRONY ST

Mi1250 SYNCHRONY 2 | Mi1250 SYNCHRONY 2 PIN

Mi12

00 S

YNCH

RON

Y | M

i1200

SYN

CHRO

NY

PIN |

Mi12

10 S

YNCH

RON

Y ST

| M

i1250

SYN

CHRO

NY

2 | M

i1250

SYN

CHRO

NY

2 PI

N

3

ومندی دستگاه در محیطهای ویژه پزشیک یا تداخل با سایر دستگاهها، ن�یتشخییص

ید که در آن جریان برق از بدن شما عبور می به طور کیل پیش از این که تحت درمان پزشیک قرار بگ�ی •( را از رس خود جدا کنید یا حداقل عملکرد کل کند، اجزای خارجی )مانند پردازشگر و لوازم جان�ب

سیستم کاشت MED‑EL را در مراحل اولیه درمان به دقت برریس کنید.دستگاههای مورد استفاده در جراحی بر�ت ممکن است ولتاژ با فرکانس باال تولید کند که این ولتاژ •

ن جریا�ن ممکن است به عضو ودهای دستگاههای کاشت�ن میشود. چن�ی باعث ایجاد جریان القا�ی در الک�تمصنوعی و/یا بافتهای مجاور آسیب برساند. ابزارهای تک‑قط�ب جراحی بر�ت نباید در ناحیه رس و گردن

، فاصله نوک داغگر تا د. در صورت استفاده از ابزارهای دو‑قط�ب جراحی بر�ت مورد استفاده قرار بگ�یود فعال باید حداقل 5 میلیم�ت باشد. ودهای مرجع در محفظه محرک و قسمتهای رسانای الک�ت الک�توری باید به دقت برریس شود و باید احتمال آسیب دیدن عضو مصنوعی نهکننده �ن پرتودرما�ن یون�ی •

به دقت ارزیا�ب شود.MED‑EL در برابر مزایای پزشیک این روش درما�ن

وشوک درما�ن در ناحیه رس و گردن ممنوع است. این روش درما�ن ممکن است به عضو مصنوعی و/ الک�ت •یا بافتهای مجاور آسیب برساند.

در ناحیه کاشت ممنوع است زیرا ممکن است به ایجاد جریان القا�ی در تحریک عص�ب یا گرمادرما�ن •

ودها منجر شود. این روش درما�ن ممکن است به عضو مصنوعی و/یا بافتهای مجاور آسیب برساند. الک�تن میشود. و/یا زیبا�ی ایجادکننده جریان ن�ی

این ممنوعیت شامل یون‑را�ن و روشهای درما�نسونوگرا�ن تشخییص هیچ صدمه ای به ایمپلنت وارد نمی کند. •

نباید از درمان سونوگرا�ن در ناحیه ایمپلنت استفاده کرد، زیرا ممکن است ایمپلنت به طور ناخواسته •اسونیک را متمرکز کند و باعث آسیب شود. میدان آل�ت

نهکننده درما�ن به طور کیل در فرآیند پرتوفشا�ن اجزای خارجی MED‑EL باید برداشته شود. پرتو یون�ی •ن آسی�ب ونییک سیستم ایمپلنت MED‑EL آسیب برساند و تشخیص فوری چن�ی

ممکن است به اجزای الک�ت ، به دلیل آسیب موضعی در فرآیند پرتودرما�ن

گشاید ممکن نباشد. برای کمینه کردن احتمال بافت‑مرد�

د. عضو مصنوعی نباید در معرض پرتودرما�ن مستقیم قرار بگ�یییک ناحیه دهان، نامشخص است. با ، مانند معاینه الک�ت : اثر برخی روشهای درما�ن سایر روشهای درما�ن •

ید. درمانگاه خود تماس بگ�ی

Mi1200 SYNCHRONY | Mi1200 SYNCHRONY PIN | Mi1210 SYNCHRONY ST

Mi1250 SYNCHRONY 2 | Mi1250 SYNCHRONY 2 PIN

2 Mi12

00 S

YNCH

RON

Y | M

i1200

SYN

CHRO

NY

PIN |

Mi12

10 S

YNCH

RON

Y ST

| M

i1250

SYN

CHRO

NY

2 | M

i1250

SYN

CHRO

NY

2 PI

N

1

Mi1200 SYNCHRONY | Mi1200 SYNCHRONY PIN | Mi1210 SYNCHRONY ST 3–7 ......................................Mi1250 SYNCHRONY 2 | Mi1250 SYNCHRONY 2 PINومندی دستگاه در محیطهای ویژه پزشیک یا تشخییص...............................3 تداخل با سایر دستگاهها، ن�ی 4 ........................................................ ) MRI (اقدامات احتیاطی تصویربرداری رزونانس مغناطییس

8–11 ..............................Mi1200 SYNCHRONY ABI | Mi1200 SYNCHRONY PIN ABIومندی دستگاه در محیطهای ویژه پزشیک یا تشخییص.............................. 8 تداخل با سایر دستگاهها، ن�ی 9 ........................................................ ) MRI ( اقدامات احتیاطی تصویربرداری رزونانس مغناطییس

Mi1000 CONCERTO | Mi1000 CONCERTO PIN 12–15 ..................................Mi1000 CONCERTO ABI | Mi1000 CONCERTO PIN ABIومندی دستگاه در محیطهای ویژه پزشیک یا تشخییص............................. 12 تداخل با سایر دستگاهها، ن�ی 13 ....................................................... ) MRI ( اقدامات احتیاطی تصویربرداری رزونانس مغناطییس

16–19 ......................................................................................................SONATAومندی دستگاه در محیطهای ویژه پزشیک یا تشخییص............................. 16 تداخل با سایر دستگاهها، ن�ی 17 ....................................................... ) MRI ( اقدامات احتیاطی تصویربرداری رزونانس مغناطییس

PULSAR 20–23 ...............................................................................................PULSAR ABIومندی دستگاه در محیطهای ویژه پزشیک یا تشخییص............................ 20 تداخل با سایر دستگاهها، ن�ی 21 ....................................................... ) MRI ( اقدامات احتیاطی تصویربرداری رزونانس مغناطییس

C40+ 24–27 ....................................................................................................C40+ ABIومندی دستگاه در محیطهای ویژه پزشیک یا تشخییص............................ 24 تداخل با سایر دستگاهها، ن�ی 25 ...................................................... ) MRI ( اقدامات احتیاطی تصویربرداری رزونانس مغناطییس

28–31 ............................................................................................................ C40ومندی دستگاه در محیطهای ویژه پزشیک یا تشخییص............................ 28 تداخل با سایر دستگاهها، ن�ی 29 ...................................................... ) MRI ( اقدامات احتیاطی تصویربرداری رزونانس مغناطییس

چه راهنما، برای کاربران سیستم CI/ABI MED‑EL که می خواهند رویه پزشیک )مانند MRI ( انجام این دف�تدهند، دستورالعمل ها و اطالعات ایم�ن مهمی را ارائه می دهد.

ان خطر آسیب را با مزایای ارائه شده می ن دادن اجازه انجام هر رویه پزشیک یک تصمیم پزشیک است که م�یسنجد.

به عنوان یک کاربر CI/ABI ، ممکن است در مورد انجام سایر رویه های پزشیک سؤاال�ت داشته باشید. گروه ی درباره مالحظات ویژه کاربران ایمپلنت نیاز داشته باشد. این ن ممکن است به اطالعات بیش�ت پزشیک شما ن�ی

ی از آسیب دیدن CI/ABI و آسیب رسیدن به خودتان کمک می راهنما اطالعا�ت را فراهم می کند که به جلوگ�یکند. لطفاً این اطالعات را در اختیار ارائهدهنده خدمات درما�ن خود قرار دهید.

برخی از محصوالت ذکر شده در این سند ممکن است در برخی کشورها تایید نشده یا موجود نباشد. لطفاً برای کسب اطالعات در مورد موجود بودن محصول فعیل در کشور خود، با نماینده MED‑EL محیل خود

ید. تماس بگ�ی

در این سند، اصطالح عمومی "سیستم ایمپلنت MED‑EL " برای انواع ایمپلنت استفاده می شود. نام ایمپلنت خاص در باالی بخش مرتبط درج شده است.

CIABI

1

Cochlear Implants

MED‑EL CI/ABI برای سیستم هایرویه های پزشیک

AW33301_8.0 (Farsi)