problemas_transistores mosfet
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PROBLEMAS DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Problema 1: Determinar los puntos de funcionamiento de los dispositivos semiconductores de los siguientes circuitos:
2K
3K
3K
2K
+12V
β=100
(a)
5V
β=100
3K
15V33K
(b)
1K
6V 100
+12V
β=100
(c)
100
β=100
+12V
6V
(d)
Problema 2: Determinar el punto de funcionamiento del transistor MOSFET del siguiente circuito:
+15V
10V
10K 1K
G
D
S
15
10
5
30
20
10
5
U (V)GS
U (V)DS
I (mA)D
Problema 3: Se desea utilizar una salida de un sistema digital para gobernar un relé. Se ha dispuesto para ello del circuito de adaptación que se muestra en la figura. Determinar los valores de R1 y R2 que aseguran que ambos transistores trabajan siempre en corte o saturación sabiendo que Q1 y Q2 presentan una tensión de codo base-emisor de 0,6V y que la salida digital puede tomar cualquier tensión entre 0 y 0,4V para el “0” lógico y entre 3,8 y 5V para el “1” lógico.
SMA.DIGITAL
R1
Q1
R2
Q2
β1=100
β2=100
RELÉ50mA/15V
+15V
Problema 4: En el circuito de la figura el interruptor se encuentra inicialmente cerrado. Determinar de forma razonada la evolución de la tensión en el condensador a partir del instante de apertura del interruptor S.
10k 100Ω
1 Fµ V =8VZβ=100
10V
S
Problema 5: El circuito de la figura corresponde a un cargador de baterías, se pide:
- Determinar la evolución en el tiempo de la tensión y la corriente por la inductancia. - Determinar la evolución de la corriente de carga y el valor medio de la misma. - Calcular RB de forma que el transistor trabaje en conmutación.
Datos: el transistor trabaja en conmutación, la corriente inicial por la bobina es nula,
L=100µH, VCC=80V y VBAT=160V.
VE
10V
10 3020 40 t( s)µ
L
β=50
VE
RB
BATERIA
VBAT
VCC
IL
+
Problema 6: Para el circuito de la figura determinar:
1. Evolución de UC1 e ib. 2. Evolución de UC2 y UCE.
Nota: todos los dispositivos son ideales y C1 y C2 se encuentran inicialmente descargados. +Ucc=15V
Ig=100 Aµ
C1=200n
C2=20µ
UC1
UC2
R=1K
β=100
Vz=5V
ib
Problema 7: Para el circuito de la figura y considerando todos los componentes ideales determinar de forma razonada la evolución de la tensión en el condensador UC y en el MOSFET UDS. La bobina y el condensador se encuentran inicialmente descargados.
20k
β=200
10mH
20Ω
5 Fµ
10V
ID
UD S
UG S
2V
200
100
(mA)
10
5UD S
UC
Problema 1
El reparto de corrientes por el circuito resulta por tanto::
En resumen:i = 1mA
i = 2mA
i = 3mA
Se cumple: i < ·i
B
C
E
C B
Unión B-E polarizadaen inversa.Transistor en corte
Suponiendo que eltransistor se encuentraen saturación:
2K
3K
3K
2K
+12V
=100
2K
3K
3K
2K
+12V
6V
6V
2K//3K
+12V
6V
6V2K//3K
2K
3K
3K
2K
+12V
6V
6V
3mA
3mA
2mA
2mA
1mA
5V
=100
3K
15V33K
5V
3K
15V33K
u = 15VCE
u = -5VBE
a
b
100
=100
+12V
6V
Suponiendo queel Zener conduce:
100
=100
+12V
6V6V
6V
i = 60 mAE
i = 60 mAE
Se tiene entonces:
i = =594 A
i = 59,4mA
i = 60mA
B
C
E
iZ
Ai
i EB
594
1
El transistor tiene tensiónu = 6V, está en zona activa.CE
1K
6V 100
+12V
=100
Suponiendo que elZener se encuentra enzona Zener:
1K
6V100
+12V
=100
u = 6VCE
6V
iZ iB
iR1
6V
iE
El transistor tiene tensiónu = 6V, está en zona activa.CE
mAiE 60100
6
Ai
i EB
594
1
04,51 mAiii BRZ
Hipótesis correcta
iC = 59,4mA
c
d
Problema 2
Teniendo en cuenta que la impedancia de entrada del MOSFET es idealmente infinita la corriente iG es nula y elZener se encuentra en conducción:
Conociendo la tensión u se determina la curva
de la característica - i del MOSFET sobre la
que se encuentra el punto de funcionamiento:
GS
uDS D
+15V
10V
10K 1K
G
D
S
15
10
5
30
20
10
5
U (V)GS
U (V)DS
I (mA)D
+15V
10V
10K 1K
G
D
S
u =10GS
5V
15
10
5
30
20
10
5
U (V)GS
U (V)DS
I (mA)D
Suponiendo funcionamiento en zona de fuente de corriente se tiene:
+15V
10V
10K 1K
D
Su =10GS
20mA
V5510102015 33
DSu
No trabaja en zona de fuente de corriente.
Suponiendo funcionamiento en zona resistiva se tiene:
+15V
10V
10K 1K
D
Su =10GS
r =5/20·10DS
-3= 250
V531000250
25015
DSu
La tensión u se calcula mediante:DS
Con nivel lógico alto ambostransistores deberán de estar ensaturación. Con nivel bajo ambosestarán en corte.
Problema 3
Funcionamiento a nivel bajo:
SMA.DIGITAL
R1
Q1
R2
Q2
1=100
2=100
RELÉ50mA/15V
+15V
Observando el transistor Q1 vemos que latensión de entrada es insuficiente para hacerloconducir.
R1Q1
1=100
u =0,6BE0 0,4
Con el transistor Q1 en corte, Q2 no tiene corriente de base por lo que también se encuentra en corte.
Funcionamiento a nivel alto:
R2
2=100
+15V
i =50mAC2
u =0CE1
iB2
Para que Q2 esté saturado se debe cumplir:u =0,6BE
BC ii 2
15
R
ui BEB
Para conseguir que el transistor Q1 se encuentre también en saturación:
ki
uR
C
BE 8,2815
222
Tomamos: R2 = 27k
R1Q1
1=100
u =0,6BE5
iB2BC ii
La situación más desfavorable se tienepara la tensión de entrada de 3,8V
AiB 5331027
6,01532
k
iR
B
6006,08,3
112
Tomamos: R1 = 560k
Este circuito corresponde a la situación inicial antesde la apertura de S.
El condensador se encuentra conectado a la fuentede 10V, por lo que ésta es la tensión inicial aconsiderar.
Problema 4
10k 100
1 F V =8VZ=100
10V
S
Una vez abierto el interruptor el circuito resultante se puede representar como:
10k
100
1 F V =8VZ
=10010V
La corriente de base es de 10/10000 = 1mA
Siendo la tensión inicial en el condensador superior alos 8V que soporta el Zener éste estará inicialmente enconducción.
Por otra parte, al ser la tensión colector emisor mayor que cero, el transistor se encuentra inicialmente en zonaactiva, por lo que el circuito equivalente inicial visto por el condensador es:
100mA
100
1 F8V·iB
Thevenin
100
1 F-2V
uCuC
Con este circuito equivalente la evolución de la tensión en el condensador se obtiene mediante la expresión:
CR
t
CCCC etutututu
0
610100122
t
C etu-2
10
uC
Para que este circuito equivalente sea válido es necesario que se cumplan las siguientes condiciones:- La tensión colector-emisor debe ser mayor que cero para que el transistor se mantenga en zona activa.- Debe circular corriente inversa por el Zener. Para que esto se cumpla la tensión u debe ser mayor de 8V.
Obviamente, es esta segunda condición la que se dejará de cumplir en primer lugar:C
Para t > 18,2 s el Zener deja de conducir y el circuito equivalente de descarga del condensador pasa a ser:
100mA1 F
·iB uC
Tomando t’ = t -18,2 s se tiene:
'1010081
0'' 3
'
0
tdtiC
tutut
CCC
sLnta 2,1812
1010100 6
10
uC
t’=0
8
En este punto el transistorse sale de zona activa
8 - 100·10 ·t’3
Cuando la tensión en el condensador se anula, el transistor sale de zona activa y entra en zona de saturación.El tiempo que tarda se calcula:
10
uC
8
st b 8010100
8'
3
18,2 98,2 t ( s)
1 FuC
Equivalente final
El transistor va a trabajar en conmutación, es deciralternando entre corte y saturación.
La tensión V toma dos valores: 0 y 10V.
Durante los intervalos en que es de 0V el
transistor permanecerá en corte. Cuando sea de
10V el valor de R deberá ser tal que asegure el
funcionamiento en saturación.
E
V
VE
E
B
Problema 5
Durante los 10 primeros microsegundos V es de 10V, por lo que el transistor estará saturado:E
L
=50
VE
RB
BATERIA
VBAT
VCC
IL
+
L
VBATVCC
iL
u =VCCL
u = 0CE
La carga de la bobina se produce a tensión fija:
tdtVL
titit
CCLL 3
0
108001
0
0
Representando gráficamente esta evolución:
iL
10 s
8A Pasados 10 s la corriente de base desaparece y el transistor pasa azona de corte, por lo que el circuito equivalente se convierte en:
V +VBATCC
dt
tdiLV L
CC
L
VBATVCC
iL
u =-VBATL
iL
En el instante en que se produce el corte del transistor la corrientepor la bobina es de 8A. Esta corriente no puede interrumpirse deforma brusca, por lo que hace entrar al diodo en conducción.
V +VBATCC
Por comodidad cambiamos la base de tiempos a: = -10 st’ t
'
'
dt
tdiLV L
BAT '106,18'1
0'' 6
'
0
tdtVL
titit
BATLL
Representando la evolución de obtenida hasta el momento:iL
iL
t’ = 0
8A 8-1,6·10 ·6
t’
Durante esta fase, la corriente de la bobina también circula a travésdel diodo, por lo que no puede hacerse negativa.El circuito equivalente cambiará cuando la corriente se anule
(o bien cuando t’ = 10 s y comience un nuevo periodo de V ).
El tiempo que tarda en anularse la corriente es:
E
s5106,1
8'
6
at
Por lo que al pasar 5 s el circuito equivalente pasa a ser:
80V
160V
80V
t’a
L
VBATVCCu = 0L
VCC
VBAT
i = 0LUna vez anulada la corriente por la bobina, la tensión u también
se hace cero.L
0uL dt
diL L
La evolución en el tiempo de la corriente y la tensión por la bobina son por tanto:
iL
8A
10 15 20 t ( s)
80
-160
uL
t ( s)
15
2010
La corriente por la batería es la misma que atraviesa el diodo:
iBAT
8A
10 15 20 t ( s)
El valor medio de esta señal se calcula:
AdttiT
T
BAT 12
8105
1020
11i
6
6
0
BAT
El cálculo de la resistencia de base necesaria para que el transistor trabaje en conmutación se hace sabiendoque la corriente máxima de colector es de 8A.
0
8A
iC
uCE
·iB
iC< ·iBB
EB
R
Vi
5,62
8
5010
C
EB
i
VR
Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo con u =0.
Por otra parte, al estar el condensador de 200n inicialmente descargado elZener no conduce para t = 0.
BE
Problema 6
U =15VCC
100 A
20 F
1k
200n
=100
5V
El equivalente de carga inicial del condensador C1 corresponde por tanto al siguiente circuito:
100 A
200n
ibuC1
La evolución de la tensión en este circuito viene determinada por la
expresión.
uC1
tdtiC
utut
bCC 5001
10
0
11
Cuando la tensión en el condensador alcanza 5V entra a conducir el Zener.Esto ocurre en el instante: = 10ms.ta
Para > 10ms el circuito equivalente visto por C1 pasa a ser:t
100 A
200n ib =0
uC15V
100 A
Al entrar el Zener en conducción la tensión queda fijada en 5V por lo que la
corriente se anula:
u
iC1
b
01 1 dt
duCi C
b
La evolución de la corriente de base y de la tensión corresponden a:i ub C1
100 A
10ms
ib5V
10ms
uC1
t t
Una vez conocida la forma de onda de la corriente de base se puede determinar la evolución de la tensión delcondensador C2.
U =15VCC
100 A
20 F
1k
200n
=100
5V
ib
En el instante inicial la corriente de base es de 100 A. El transistor puedepor tanto encontrarse en saturación o en zona activa.
Suponiendo que se encuentra inicialmente en zona activa:
mA10 bc ii 2
33 10101015 CCE uu
05101010150 33 tuCE
Hipótesis correcta.
uC2
El circuito equivalente inicial de carga del condensador C2 resulta por tanto:
U =15VCC
20 F
1k
10mA
uC2
La evolución de la tensión u para este circuito se calcula mediante la siguiente
expresión:C2
tdtiC
tutut
CCC 5002
10
0
La tensión colector - emisor en el transistor se puede determinar a partir de laexpresión anterior:
ttutu CCE 50051015
Este circuito equivalente dejará de ser válido si el transistor alcanza la zona desaturación o si la corriente de base cambia. Verificamos cuál de estos dos cambiossucede primero.
uCE
El tiempo que tardaría el transistor en alcanzar la zona de saturación se calcula mediante:
at 50050 ms10at
Que coincide exactamente con el tiempo en el que la corriente de base se anula, por lo que ambos cambios seproducen de forma simultánea y el equivalente para t>10 ms resulta:
U =15VCC
20 F
1k
uC2
uCE
Cuando la corriente de base se interrumpe el transistor entra en corte y elcondensador C2 deja de cargarse..
5V
10ms
uC2
t
5V
10ms
uCE
t
10V
20k
=200
10mH
10V
iE
iB
Por la puerta del transistor MOSFET no circula corriente, por lo que el funcionamiento del transistor bipolar sepuede analizar de forma independiente del resto del circuito.
iC
De este modo, la corriente de base resulta:
AiB 50020000
10
La corriente inicial por la bobina es nula, por lo que el estadoinicial del transistor bipolar es saturación.
iC
uCE
t = 0
El circuito equivalente que determina la evolución de la corriente por la bobina en los primeros instantes es portanto:.
20k
10mH
10V
iE
iB
iC
Este equivalente da lugar a una evolución lineal de la corriente por la bobina:
dt
diLu L
L tdtuL
itit
LLL 10001
00
uL
Durante el intervalo en que es válido este circuito equivalente, la tensión U
del MOSFET es: U =U =10VGS
GS L
Este circuito equivalente deja de ser válido cuando el transistor sale de saturación:.
BC ii 6105002001000 t st 100
Para > 100 s.el transistor bipolar entra en zona activa y el equivalente visto por la bobina pasa a ser:t
20k
10V
iE
iB
iL=iC
uL
100mA
Al quedar fijada la corriente por la bobina la tensión se anula:UL
dt
diLu L
L uL = 0
Para este equivalente la tensión queda fijada en 10V, por lo que el
transistor permanece en zona activa de forma indefinida.
UCE
uCE
La forma de onda de la tensión de puerta del MOSFET resulta por tanto:
t100 s
10V
uGS
Partiendo de este dato se determina la evolución del estado del transistor MOSFET. El circuito equivalente vistopor el condensador es el siguiente:
Problema 7
10V
uGS
iD
uC5 F
20
Para t < 100 s la tensión es de 10V. Durante este intervalo, la
relación entre y está marcada por la curva siguiente:
U
i UGS
D DS
2V
200mA
uDS
iD
Suponiendo, por ejemplo, que el MOSFET se encuentra inicialmente en zona de fuente de corriente se tiene:
10V
iD
uC5 F
20
200mA uDS
DCDS iUU 2010
VtUDS 41020020100 3
Inicialmente la tensión U es mayor que 2 por lo que la suposición de
funcionamiento como fuente de corriente para t=0 es válida.:DS
Para este circuito equivalente la tensión en el condensador y en el MOSFET se calculan:
dt
duCi C
D
t
DCC tdtiC
tutu0
400001
0
ttuDS 400006
Hay dos motivos que pueden hacer que el circuito equivalente de carga del condensador cambie:1.- El MOSFET entra en zona resistiva
2.- Pasan 100 s y la tensión u deja de ser 10V
Es necesario verificar cuál de los cambios se produce primero.
GS
at 4000062 sta 100
Ambos cambios se producen simultáneamente. El circuito equivalente final es por tanto:
10V
iD
uC5 F
20
uDS
Al tomar el valor 0 la corriente de carga del condensador se anula y
éste mantiene su tensión.
uGS
Las evoluciones de y desde el instante = 0 son por tanto:tu uDS C
uC
t100 s
4V
uDS
t100 s
2V
6V