Si-CheckIR エス アイ チェッカー

Si-CheckIR はシリコンウェハー表面に形成される表面皮膜やコーティング、有機汚染など測定を目的とした

FT-IR 用の表面分析 ATR アクセサリーです。

シリコンウェハーやガラスなどの表面を、多重反射ATR測定により分析することができます。

結晶には高屈折率のゲルマニウムを使用し、サンプルの表面測定をすることを可能にしています。

2種類のサンプルプレスチップにより、大きな6インチのウェハーや数センチ角の小片まで、いろいろな大きさのサンプ

ルを測定することが出来ます。

ATR法は、ウェハーの洗浄後のシリコン表面の水素終端や酸

化の状態なども、常圧下で簡単に測定できる効率的な手法で

す。しかし、シリコンウェハーのATR測定には通常の測定以上

に試料とATR結晶との密着性が要求されます。

従来のホルダーでは安定した密着度と圧力が得られないた

め定量的な再現性において不完全な結果となっていました。

エスアイ･チェッカーは独自開発のユニークな加圧プレス機構

と特別な結晶により容易に良好な結果が得られ、再現性の高

いシリコンウェハーの表面測定が行えます。

また、多反射測定ができることで、ピーク強度を大きくし、感度

を増大しています。

エスアイ･チェッカーは高いエネルギー効率を持つゲルマニウ

ムクリスタルと光学系を採用しており、SN 比の良いスペクトル

をえることが出来ます。

12 インチタイプの大型ステージをもった Si-CheckIR では、より

大きなサンプルを切断などの前処理をすることなく効率的な

測定が行えます。

殆ど全ての FT-IR への取付けが可能です。

特徴：

・従来の 1.5 倍の加重をかけることが出来、サンプルとの密着性をより高いものにしました。

・プレッシャーデバイスがスイングすることが出来ました。これにより Ge 結晶の表面洗浄を簡単にします。

・躯体を頑丈な構造に改良することにより、より再現性の高い測定を行うことが出来ます。

・2 種類のサンプルプレスチップにより、大きなサンプルを切断せずに多重反射での測定と、小さなサンプルを数回反

射で測定することが出来ます。

シリコンウェハーをセットした様子 異なる厚さのSi-CHをコーティングしたSiウェハーのスペクトル

【販売代理店】（株）テクノサイエンス TEL:043-206-0155 FAX:043-206-0188

https://www.techno-lab.co.jp/

銅を各種の処理をしたウェハーにスパッターしたサンプルの表面を Si-CheckIR で測定

特長： ・ ワンタッチレバーの加圧機構は、試料全面にかか

る加圧強度が一様かつ一定でスペクトルの再現性

を高めます.

・ 試料への加圧は常にATR結晶に垂直．

・ 試料の傾き設置防止機能を有し、大きな試料に対

応した試料ステージ.

・ 試料への光の入射角度範囲が±1.5°以内と、正

確な角度の全反射測定を実現する光学系を採用し

ています.

仕様： ATR 結晶材質： ゲルマニウム

試料入射角度： 60 度

反射回数： 7 回

ORDERING INFORMATION 品番 品名・内容

STJ-0157 Si-CheckIR

STJ-0157-01 Si-CheckIR 用 Ge/60 結晶

STJ-0157-12 12inch Si-CheckIR

HF洗浄後のシリコンウェハー(100)のスペクトル

SiHのピークが確認できます

中左: 2種類のSiHのピーク

赤のスペクトルは洗浄が不完全のため、

Si-Oのピークがまだ見受けられます.

12 インチウェハー用の大型ステージ

ウェハーのサイズに合わせた特注も可能です

自然酸化膜が生成しているシリコンウェハーのスペクトル HF洗浄後のシリコンウェハーのスペクトル

Cu on Si-Wafer spattered Si-Wafer

SiCN on Cu

spattered Si-Wafer SiCH on Cu

spattered Si-Wafer

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