第第 11 章 半导体二极管及其应用章 半导体二极管及其应用

1.2 1.2 半导体二极管半导体二极管

1.3 1.3 桥式整流电路及滤波电路桥式整流电路及滤波电路

1.4 1.4 稳压二极管和稳压管稳 压电路 稳压二极管和稳压管稳 压电路

1.1 PN1.1 PN 结及其单向导电性能结及其单向导电性能

第第 11 章 半导体二极管及其应用章 半导体二极管及其应用本章要求：本章要求：一、理解一、理解 PNPN 结的单向导电性。结的单向导电性。二、了解二极管、稳压管的基本构造、工二、了解二极管、稳压管的基本构造、工 作原理和特性曲线，理解主要参数的意义。作原理和特性曲线，理解主要参数的意义。三、会分析含有二极管的电路。三、会分析含有二极管的电路。四、了解四、了解桥式整流电路、滤波电路及稳压管稳 桥式整流电路、滤波电路及稳压管稳 压电路 的工作原理及其应用 。 压电路 的工作原理及其应用 。

.

学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、器件是非线性的、特性有分散性、 RC RC 的值有误的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。

对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。件的目的在于应用。

1. 1 PN 结及其单向导电性1.1. 半导体的导电特性：半导体的导电特性：

(( 可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻 )) 。。

掺杂性掺杂性：：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变能力明显改变 (( 可做成各种不同用途的半导可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。

光敏性：光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 当受到光照时，导电能力明显变化 (( 可做可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等管、光敏三极管等 )) 。。

热敏性：热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强当环境温度升高时，导电能力显著增强

1.1.11.1.1 本征半导体本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。半导体。

晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构

共价健

共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为价电子价电子。。

Si Si

Si Si

价电子

Si Si

Si Si

价电子

价电子在获得一定能量价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，即可挣脱原子核的束缚，成为成为自由电子自由电子（带负电），（带负电），同时共价键中留下一个空同时共价键中留下一个空位，称为位，称为空穴空穴（带正电）（带正电）。。

本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理

这一现象称为本征激发。空穴 温度愈高，晶体中产温度愈高，晶体中产

生的自由电子便愈多。生的自由电子便愈多。

自由电子

在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。

本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 两部分电流 (1)(1) 自由电子作定向运动 自由电子作定向运动 电子电流电子电流 (2)(2) 价电子递补空穴 价电子递补空穴 空穴电流空穴电流

注意：注意： (1) (1) 本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少 , , 其导电性能很差；其导电性能很差； (2) (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多温度愈高， 载流子的数目愈多 ,, 半导体的导电性半导体的导电性能也就愈好。能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。

自由电子和空穴都称为载流子。自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。半导体中载流子便维持一定的数目。

1.1.2 N1.1.2 N 型半导体和 型半导体和 P P 型半导体型半导体

掺杂后自由电子数掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导导电方式，称为电子半导体或体或 NN 型半导体。型半导体。

掺入五价元素掺入五价元素 Si Si

Si Sip+

多余电子

磷原子

在常温下即可变为自由电子

失去一个电子变为正离子

在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素） ,,形成杂质半导体。形成杂质半导体。

在在 NN 型半导体中型半导体中自由电子自由电子是多数载流子，空穴是少数载是多数载流子，空穴是少数载流子。流子。

动画

1.1.2 N1.1.2 N 型半导体和 型半导体和 P P 型半导体型半导体

掺杂后空穴数目掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导电方式，称为空穴半导体或 体或 PP 型半导体。型半导体。

掺入三价元素掺入三价元素 Si Si

Si Si

在 在 P P 型半导体中型半导体中空穴是多空穴是多数载流子，自由电子是少数载数载流子，自由电子是少数载流子。流子。

B–

硼原子接受一个接受一个电子变为电子变为负离子负离子

空穴动画

无论无论 NN 型或型或 PP 型半导体都是中性的，对外不显电性。型半导体都是中性的，对外不显电性。

1. 1. 在杂质半导体中多子的数量与在杂质半导体中多子的数量与 （（ a. a. 掺杂浓度、掺杂浓度、 b.b. 温度）有关。温度）有关。 2. 2. 在杂质半导体中少子的数量与在杂质半导体中少子的数量与 （（ a. a. 掺杂浓度、掺杂浓度、 b.b. 温度）有关。温度）有关。 3. 3. 当温度升高时，少子的数量 当温度升高时，少子的数量 （（ a. a. 减少、减少、 b. b. 不变、不变、 c. c. 增多）。增多）。

aa

bb

cc

4. 4. 在外加电压的作用下，在外加电压的作用下， P P 型半导体中的电流型半导体中的电流主要是主要是 ，， N N 型半导体中的电流主要是 。 型半导体中的电流主要是 。 （（ a. a. 电子电流、电子电流、 b.b. 空穴电流） 空穴电流）

bb aa

1.1.31.1.3 PN PN 结的形成结的形成

载流子的两种运动——扩散运动和漂移运动

扩散运动：电中性的半导体中，载流子从浓

度高的区域向浓度较低区域的运动。

漂移运动：在电场作用下，载流子有规则的

定向运动。

PNPN 结的形成结的形成

多子的扩散运动

内电场少子的漂移运动

浓度差

P P 型半导体型半导体 N N 型半导体型半导体

内电场越强，漂移内电场越强，漂移运动越强，而漂移使运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。空间电荷区变薄。

扩散的结果使空间电荷区变宽。

空间电荷区也称 PN 结

扩散和漂移扩散和漂移这一对相反的这一对相反的运动最终达到运动最终达到动态平衡，空动态平衡，空间电荷区的厚间电荷区的厚度固定不变。度固定不变。

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

－

－

－

－

－

－

－

－动画

形成空间电荷区

1.1.4 PN1.1.4 PN 结的单向导电性结的单向导电性 1. PN 1. PN 结加正向电压结加正向电压（正向偏置）（正向偏置）

PN 结变窄 P接正、 N接负

外电场IF

内电场被内电场被削弱，多子削弱，多子的扩散加强，的扩散加强，形成较大的形成较大的扩散电流。扩散电流。

PN PN 结加正向电压时，结加正向电压时， PNPN 结变窄，正向电流较结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，大，正向电阻较小， PNPN 结处于导通状态。结处于导通状态。

内电场P N

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

动画

+ –

2. PN 2. PN 结加反向电压结加反向电压（反向偏置）（反向偏置）

外电场外电场

PP接负、接负、 NN接正 接正

内电场内电场PP NN

++

++

++

－－－－

－－

－－－－

－－

++

++

++

++

++

++

++

++

++

－－－－

－－

－－－－

－－

－－－－

－－

++

++

++

++

++

++

－－－－

－－

动画

– +

PN PN 结变宽结变宽2. PN 2. PN 结加反向电压结加反向电压（反向偏置）（反向偏置）

外电场外电场

内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。IR

PP接负、接负、 NN接正 接正

温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。

动画

– +

PN PN 结加反向电压时，结加反向电压时， PNPN 结变宽，反向电流较小，结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，反向电阻较大， PNPN 结处于截止状态。结处于截止状态。

内电场内电场PP NN

++

++

++

－－－－

－－

－－－－

－－

++

++

++

++

++

++

++

++

++

－－－－

－－

－－－－

－－

－－－－

－－

++

++

++

++

++

++

－－－－

－－

二极管二极管的单向导电性的单向导电性1. 1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。正向电阻较小，正向电流较大。2. 2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。电阻较大，反向电流很小。

3. 3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。单向导电性。4. 4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。反向电流愈大。

1.21.2 半导体二极管半导体二极管1.2.1 1.2.1 基本结构基本结构(a) (a) 点接触型点接触型 (b)(b)面接触型面接触型 结面积小、结面积小、结电容小、正结电容小、正向电流小。用向电流小。用于检波和变频于检波和变频等高频电路。等高频电路。

结面积大、结面积大、正向电流大、正向电流大、结电容大，用结电容大，用于工频大电流于工频大电流整流电路。整流电路。

(c) (c) 平面型平面型 用于集成电路制作工艺中。用于集成电路制作工艺中。 PNPN 结结面积可大可结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。小，用于高频整流和开关电路中。

阴极引线

阳极引线二氧化硅保护层

P 型硅N型硅

( c ) 平面型

金属触丝

阳极引线

N型锗片

阴极引线

外壳( a ) 点接触型铝合金小球

N型硅

阳极引线PN结

金锑合金

底座

阴极引线( b ) 面接触型图 1 – 12 半导体二极管的结构和符号

二极管的结构示意图二极管的结构示意图

阴极阳极

( d ) 符号

D

1.2.2 1.2.2 伏安特性伏安特性

硅管硅管 0.5V,0.5V,锗管锗管 0.1V0.1V 。。

反向击穿电压 U(BR) 导通压降导通压降

外加电压大于死区外加电压大于死区电压二极管才能导通。电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击外加电压大于反向击

穿电压二极管被击穿，穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。失去单向导电性。

正向特性正向特性

反向特性

特点：非线性特点：非线性

硅硅 00.6~0.8V.6~0.8V锗锗 00.2~0.3V.2~0.3V

U

I

死区电压死区电压P N+–

P N–+

反向电流反向电流在一定电压在一定电压范围内保持范围内保持常数。常数。

1.2.3 1.2.3 主要参数主要参数1.1. 最大整流电流最大整流电流 IIOMOM

二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。平均电流。

2.2. 反向工作峰值电压反向工作峰值电压 UURWMRWM

是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压一般是二极管反向击穿电压 UUBRBR 的一半或三分之二。的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。

3.3. 反向峰值电流反向峰值电流 IIRMRM

指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，向电流大，说明管子的单向导电性差， IIRMRM 受温度的受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。

1.2.41.2.4 二极管的应用二极管的应用 (( 二极管电路分析举例 二极管电路分析举例 ))

定性分析：判断二极管的工作状态 导通截止

否则，正向管压降否则，正向管压降 硅硅 00.6~0.7V.6~0.7V锗锗 00.2~0.3V.2~0.3V

分析方法：分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压的高低或所加电压 UUDD 的正负。的正负。若 若 VV 阳阳 >V>V 阴阴或 或 UUDD 为正为正 ( ( 正向偏置 正向偏置 )) ，二极管导通，二极管导通

若 若 VV 阳阳 <V<V 阴阴或 或 UUDD 为负为负 ( ( 反向偏置 反向偏置 )) ，二极管截止，二极管截止

若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。反向截止时二极管相当于断开。

电路如图，求：电路如图，求： UUABAB

VV 阳阳 ==－－ 6 V 6 V VV 阴 阴 ==－－ 12 V12 V

VV 阳阳 >V>V 阴阴 二极管导通 二极管导通若忽略管压降，二极管可看作短路，若忽略管压降，二极管可看作短路， UUABAB = =－ － 6V6V

否则， 否则， UUABAB 低于－低于－ 6V6V 一个管压降，为－一个管压降，为－ 6.36.3Ｖ或－Ｖ或－ 6.76.7

VV

例 1 ：

取 取 B B 点作参考点，点作参考点，断开二极管，分析二断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电极管阳极和阴极的电位。位。

在这里，二极管起钳位作用。 在这里，二极管起钳位作用。

D

6V12V

3k

B

A

UAB

+

–

两个二极管的阴极接在一起两个二极管的阴极接在一起取 取 B B 点作参考点，断开二点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极管，分析二极管阳极和阴极的电位。极的电位。

VV11 阳阳 ==－－ 6 V6 V ，， VV22 阳阳 =0 V=0 V ，， VV11 阴阴 = = VV22 阴阴 = = －－ 12 V12 V

UUD1D1 = 6V = 6V ，， UUD2D2 =12V =12V

∵∵ UUD2D2 > >UUD1D1 ∴ ∴ DD2 2 优先导通， 优先导通， DD11 截止。截止。若忽略管压降，二极管可看作短路，若忽略管压降，二极管可看作短路， UUABAB = 0 V= 0 V

例 2:

DD11 承受反向电压为－承受反向电压为－ 6 V6 V

流过 流过 DD22 的电流为的电流为 mA43

122D I

求：求： UUABAB

在这里， 在这里， DD2 2 起起钳位作用， 钳位作用， DD11 起起隔离作用。 隔离作用。

B

D1

6V12V

3kA

D2

UAB

+

–

uuii > 8V > 8V ，二极管导通，可看作短路 ，二极管导通，可看作短路 uuoo = 8V = 8V

uuii < 8V < 8V ，二极管截止，可看作开路 ，二极管截止，可看作开路 uuoo = = uuii

已知：已知： 二极管是理想的，试画二极管是理想的，试画出 出 uuoo 波形。波形。

V sin18i tu

8V8V

例例 33 ：：

二极管的用途：二极管的用途： 整流、检波、整流、检波、限幅、钳位、开限幅、钳位、开关、元件保护、关、元件保护、温度补偿等。温度补偿等。

uuii

t

18V18V参考点参考点

二极管阴极电位为 二极管阴极电位为 8 V8 V

DD

8V8V

RR

uuoouuii

++ ++

–– ––

动画

1.4 1.4 稳压管及稳压管稳压电路稳压管及稳压管稳压电路1.4.11.4.1 稳压管稳压管1. 1. 符号 符号

UZ

IZ

IZM UZ

IZ

2. 2. 伏安特性伏安特性

稳压管正常工作稳压管正常工作时加反向电压时加反向电压

使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻

稳压管反向击穿稳压管反向击穿后，电流变化很大，后，电流变化很大，但其两端电压变化但其两端电压变化很小，利用此特性，很小，利用此特性，稳压管在电路中可稳压管在电路中可起稳压作用。起稳压作用。

_ +

U

I

O

3. 3. 主要参数主要参数(1) (1) 稳定电压稳定电压 UUZ Z

稳压管正常工作稳压管正常工作 ((反向击穿反向击穿 )) 时管子两端的电压。时管子两端的电压。(2) (2) 电压温度系数电压温度系数ｕｕ 环境温度每变化环境温度每变化 11CC 引起引起稳压值变化的稳压值变化的百分数百分数。。(3) (3) 动态电阻动态电阻

Z

Z

Z IU

r

(4) (4) 稳定电流 稳定电流 IIZ Z 、最大稳定电流 、最大稳定电流 IIZMZM

(5) (5) 最大允许耗散功率 最大允许耗散功率 PPZM ZM = = UUZ Z IIZMZM

rrZZ 愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。

1.3 整流电路及路滤电路

小功率直流稳压电源的组成小功率直流稳压电源的组成直流稳压电源的原理方框图

功能：把交流电压变成稳定的大小合适 的直流电压

u4 uou3u2u1

交流电源交流电源 负载负载

变压变压 整流整流 滤波滤波 稳压稳压

1.3.11.3.1 整流电路

整流电路的作用整流电路的作用 :: 将交流电压转变为脉动的直流电压。

常见的整流电路：常见的整流电路： 半波、全波、桥式和倍压整流；单相和三相整流等。分析时可把二极管当作理想元件处理：分析时可把二极管当作理想元件处理： 二极管的正向导通电阻为零，反向电阻为无穷大。

整流原理：整流原理： 利用二极管的单向导电性

t

uD

O

1 1 单相半波整流电路单相半波整流电路

2) 2) 工作原理工作原理 uu 正半周，正半周， VVaa>V>Vbb ，，二极管二极管 DD 导通；导通；

3) 3) 工作波形工作波形

u 负半周， Va< Vb ， 二极管 D 截止 。

1) 1) 电路结构电路结构

–

+ +

–

aTrD

uou

b

RL

io

动画

u

tO

uo

Ot

U2

U2

U2

4) 4) 参数计算参数计算(1) (1) 整流电压平均值 整流电压平均值 UUoo

(2) (2) 整流电流平均值 整流电流平均值 IIooLL R

U

R

UI 45.0o

o

(3) (3) 流过每管电流平均值 流过每管电流平均值 IIDD oD II

(4) (4) 每管承受的最高反向电压 每管承受的最高反向电压 UUDRMDRM UU 2DRM

(5) (5) 变压器副边电流有效值 变压器副边电流有效值 II

oπ

ο57.1 d) sin(

π2

1 2m IttII

) d( sin2π2

1 π

οttU U0.45oU

5) 5) 整流二极管的选择整流二极管的选择 平均电流 平均电流 IID D 与最高反向电压 与最高反向电压 UUDRMDRM 是选择整是选择整流二极管的主要依据。流二极管的主要依据。

选管时应满足：选管时应满足： IIOMOM IIDD ， ， UURWMRWM UUDRMDRM

2. 2. 单相桥式整流电路单相桥式整流电路

2) 2) 工作原理工作原理 uu 正半周，正半周， VVaa>V>Vbb ，，二极管二极管 DD11 、 、 DD33 导通，导通， DD22 、 、 DD44 截止 。截止 。

3) 3) 工作波形工作波形

uD2

uD4

1) 1) 电路结构电路结构

－ uo

uD

t

t

RLu

io

uo

1

23

4a

b

+

–

+

–

－

动画u

t

U2

U2

U2

• 4) 4) 参数计算参数计算(1) (1) 整流电压平均值 整流电压平均值 UUoo

(2) (2) 整流电流平值 整流电流平值 IIoo(( 负载电流的平均值负载电流的平均值 ))

(3) (3) 流过每管电流平均值 流过每管电流平均值 IID D IID D =IO O /2=0.45 UU2 2 / R L L

(4) (4) 每管承受的最高反向电压 每管承受的最高反向电压 UUDRMDRM UU 2DRM

(5) (5) 变压器副边电流有效值 变压器副边电流有效值 II II22= U= U2 2 / R L L=IO O /0.9=1.11 IOO

) d( sin2π2

1 π

οttU U0.45oU

IIOO= U= UO O / R L L=0.9 UU2 2 / R L L

例 1 ：单相桥式整流电路，已知交流电网电压为 220 V ，负载电阻 RL = 50 ，负载电压 Uo=110V ，试求变压器的变比和容量，并选择二极管。

81122

220 .K 变比

I = 1.11 Io= 2 1.11 = 2. 2 A

变压器副边电流有效值变压器副边电流有效值

变压器容量变压器容量 S = U I = 122 2.2 = 207. 8 V A

变压器副边电压 U 122 V

A1D IV 172DRM U

可选用二极管 2CZ11C ，其最大整流电流为 1A ，反向工作峰值电压为 300V 。

例例 22：： 试分析图示桥式整流电路中的二极管试分析图示桥式整流电路中的二极管 DD22 或或 DD44 断断开时负载电压的波形。开时负载电压的波形。如果如果 DD22 或或 DD4 4 接反，后果如何？接反，后果如何？如果如果 DD2 2 或或 DD44 因击穿或烧坏而短路，后果又如何？因击穿或烧坏而短路，后果又如何？

uo

+

_~ u

+_ RL

D2

D4

D1

D3

解：解：当 D2 或 D4断开后 电路为单相半波整流电路。正半周时， D1 和 D3 导通，负载中有电流过，负载电压 uo=u ；负半周时，D1 和 D3截止，负载中无电流通过，负载两端无电压， uo =0。

uo

u

π 2π 3π 4πt

tπ 2π 3π 4π

o

o

如果如果 DD22 或或 DD44 接反接反 则正半周时，二极管 D1 、 D4 或 D2 、 D3 导通，电流经 D1 、 D4 或 D2 、 D3 而造成电源短路，电流很大，因此变压器及 D1 、 D4 或 D2 、 D3 将被烧坏。 如果如果 DD22 或或 DD44 因击穿烧坏而短路因击穿烧坏而短路 则正半周时，情况与 D2 或 D4接反类似，电源及D1 或 D3也将因电流过大而烧坏。

uo

+

_~ u

+_ RL

D2

D4

D1

D3

1.3.2 1.3.2 滤波器滤波器

交流电压经整流电路整流后输出的是脉动直流，其中既有直流成份又有交流成份。 滤波原理：滤波原理：滤波电路利用储能元件电容两端的电压 ( 或通过电感中的电流 ) 不能突变的特性 , 滤掉整流电路输出电压中的交流成份，保留其直流成份，达到平滑输出电压波形的目的。 方法：将电容与负载 RL并联 ( 或将电感与负载 RL

串联 ) 。

1. 1. 电容滤波器电容滤波器 1) 1) 电路结构电路结构

2) 2) 工作原理工作原理 u >uC 时，二极管导通，电源在给负载 RL供电的同时也给电容充电， uC 增加， uo= uC 。 uu < <uuC 时，二极管截止，电容通过负载时，二极管截止，电容通过负载 RRLL 放电，放电，uuCC 按指数规律下降， 按指数规律下降， uuoo= = uuC 。。

+C

ic

i

–

+ +

–

aD

uou

b

RL

io

= uC

3) 3) 工作波形工作波形

二极管承受的最高反向电压为 。UU 22DRM

动画

uo

U2

U2

u

tO

tO

4) 4) 电容滤波电路的特点电容滤波电路的特点

25)(3L

TCRτ 一般取 ((T T — — 电源电压的周期电源电压的周期 ))

(1) 输出电压的脉动程度与平均值 Uo与放电时间 常数 RLC 有关。

RRLLCC 越大 越大 电容器放电越慢 电容器放电越慢 输出电压的平均值输出电压的平均值 UUo o 越大，波形越平滑。越大，波形越平滑。

近似估算取： Uo = 1. 2 U ( 桥式、全波） Uo = 1. 0 U （半波）

当负载当负载 RRL L 开路时，开路时， UUOO U2

为了得到比较平直的输出电压

(2) (2) 外特性曲线外特性曲线

有电容滤波1.41.4UU

无电容滤波0.45.45UU

Uo

oIO

结论 采用电容滤波时，输出电压采用电容滤波时，输出电压受负载变化影响较大，即带受负载变化影响较大，即带负载能力较差。负载能力较差。 因此电容滤波适合于要求输出电压较高、负载电流较小且负载变化较小的场合。

(3) (3) 流过二极管的瞬时电流很大流过二极管的瞬时电流很大

选管时一般取：选管时一般取： IIOM OM =2 =2 IID D

RLC 越大Ｕ O 越高， IO 越大整流二极管导通时间越短 iD 的峰值电流越大。 iD

t

uo

U2

tO

O

例： 有一单相桥式整流滤波电路，已知交流电源频率 f=50Hz ，负载电阻 RL = 200 ，要求直流输出电压 Uo=30V ，选择整流二极管及滤波电容器。

流过二极管的电流流过二极管的电流

二极管承受的最高反向电压二极管承受的最高反向电压V 352522DRM UU

变压器副边电压的有效值变压器副边电压的有效值

A0750200

30

2

1

2

1

2

1

L

OOD .

R

UII

u RLuo

+ +

– –

~ +C解： 1. 1. 选择整流二极管选择整流二极管

25V1.2

30

21O

.

UU

可选用二极管 2CP11IOM =100mA UDRM =50V

例： 有一单相桥式整流滤波电路，已知交流电源频率 f=50Hz ，负载电阻 RL = 200 ，要求直流输出电压 Uo=30V ，选择整流二极管及滤波电容器。

取 RLC = 5 T/2

已知 RL = 50

S 05.02

5015L CR

u RLuo

+ +

– –

~ +C解： 2. 选择滤波电容器

F250F10250200

0.05

050 6

L

R

.C

可选用 C=250F ，耐压为 50V 的极性电容器

2. 2. 电感电容滤波器电感电容滤波器1) 1) 电路结构电路结构 L

u RLuo

+ +

– –

~ +C

2) 2) 滤波原理滤波原理

对直流分量对直流分量 : : XXLL=0 =0 ，， LL相当于短路相当于短路 ,,电压大部分降电压大部分降在在 RRLL 上。对谐波分量上。对谐波分量 : : ff 越高越高 ,,XXLL 越大越大 ,,电压大部分电压大部分降在降在 LL 上。因此上。因此 ,,在负载上得到比较平滑的直流电压。在负载上得到比较平滑的直流电压。

当流过电感的电流发生变化时，线圈中产生自感当流过电感的电流发生变化时，线圈中产生自感电势阻碍电流的变化电势阻碍电流的变化 ,, 使负载电流和电压的脉动减使负载电流和电压的脉动减小。小。

LCLC 滤波适合于电流较大、要求输出电压脉动较滤波适合于电流较大、要求输出电压脉动较小的场合，用于高频时更为合适。小的场合，用于高频时更为合适。

3. 3. 形滤波器形滤波器 形 形 LC LC 滤波器滤波器 滤波效果比LC 滤波器更好，但二极管的冲击电流较大。

比 形 LC 滤波器的体积小、成本低。

L

u RLuo

+ +

– –

~ +C2

+C1

形 形 RC RC 滤波器滤波器R

u RLuoo

+ +

– –

~ +C2

+C1

R R 愈大，愈大， CC22 愈大，愈大，滤波效果愈好。但滤波效果愈好。但 R R 大将使大将使直流压降增加，直流压降增加，主要适用于负载电流较小而又要求主要适用于负载电流较小而又要求输出电压脉动很小的场合。输出电压脉动很小的场合。

N1N3

C2 0.047F

D2 D3

D4

D1

2CZ12A×4N2

FU2

3A

2000F/50V+C1

–24V

FU1

1A直流

24V

交流

～ 220V交直流收扩两用机电源

1.4.2 1.4.2 稳压管稳压电源稳压管稳压电源

稳压电路（稳压器）是为电路或负载提供稳定的稳压电路（稳压器）是为电路或负载提供稳定的输出电压的一种电子设备。输出电压的一种电子设备。 稳压电路的输出电压大小基本上与电网电压、负稳压电路的输出电压大小基本上与电网电压、负载及环境温度的变化无关。理想的稳压器是输出阻抗载及环境温度的变化无关。理想的稳压器是输出阻抗为零的恒压源。实际上，它是内阻很小的电压源。其为零的恒压源。实际上，它是内阻很小的电压源。其内阻越小，稳压性能越好。内阻越小，稳压性能越好。 稳压电路是整个电子系统的一个组成部分，也可稳压电路是整个电子系统的一个组成部分，也可以是一个独立的电子部件。以是一个独立的电子部件。

1) 1) 稳压管稳压电路稳压管稳压电路

(2) (2) 工作原理工作原理UO = UZ IR = IO + IZ

U

IUZ

RL(IO) IR

设 UI 一定，负载 RL 变化

UO 基本不变 IR (IRR) 基本不变 UO (UZ ) IZ

(1) (1) 电路电路

+

–UI RL

+C

IO

UO

+

–

+

–u

IR R

DZ

Iz

限流调压

稳压电路

19.3.1 19.3.1 稳压管稳压电路稳压管稳压电路

2. 2. 工作原理工作原理UO = UZ IR = IO + IZ

U

IUZ

UI UZ

设负载设负载 RRLL 一定， 一定， UUI I 变化变化

UO 基本不变 IRR

IZ IR

1. 1. 电路电路

+

–UI RL

+C

IO

UO

+

–

+

–u

IR R

DZ

Iz

ZMOOIM

min IIR

UU

3. 3. 参数的选择参数的选择(1) UZ = UO

(2) IZM= (1.5 ~ 3) ICM

(3) UI = (2 ~ 3) UO

(4) R

II

UU

ominZM

OIM OMZ

OImin II

UU

为保证稳压为保证稳压管安全工作管安全工作

ZIIR

UU

OM

OImin

为保证稳压为保证稳压管正常工作管正常工作

适用于输出电压固适用于输出电压固定、输出电流不大、且定、输出电流不大、且负载变动不大的场合。负载变动不大的场合。

当由于电源电压或负载电阻的变化使输出电压 U

O 升高时，有如下稳压过程：

2. 2. 稳压过程稳压过程

O21

21f U

RR

RRUU

ZUU

由电路图可知由电路图可知

)( fZuoB UUAU

UO Uf UB UO

IC UCE

由于引入的是串联电压负反馈，故称串联型稳压电路。

UI

T

R2UZ

RL UO

+

–R3+

+

––

+

UB

+

–DZ

+

–Uf

+

–

R11R

1R