温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =
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平成 21 年 2 月 4&5 日@京大基研 , International Molecule workshop. 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =. 中村浩章 自然科学研究機構 核融合科学研究所. ネルンスト効果. 熱流磁気効果の紹介 磁場がない場合:熱電効果 磁場がある場合;ネルンスト効果 ネルンスト係数の計算 電流・熱流の輸送方程式 古典系の場合 量子系の場合 バリスティックな場合. 共同研究者. 古典ネルンスト効果 山口作太郎(中部大)池田一昭(理研)奥村晴彦(三重大) 量子ネルンスト効果 - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
温度勾配下の半導体中の輸送現象= ネルンスト効果 =
平成 21 年 2 月 4&5 日@京大基研 , International Molecule workshop
中村浩章 自然科学研究機構核融合科学研究所
2/30
1. 熱流磁気効果の紹介■磁場がない場合:熱電効果■磁場がある場合;ネルンスト効果
2. ネルンスト係数の計算■ 電流・熱流の輸送方程式A) 古典系の場合B) 量子系の場合
•バリスティックな場合
ネルンスト効果
3/30共同研究者
◆ 古典ネルンスト効果山口作太郎(中部大)池田一昭(理研)奥村晴彦(三重大)
◆ 量子ネルンスト効果羽田野直道(東大生産研)、白崎良演(横浜国大)松尾まり(お茶の水大)、長谷川靖洋(埼玉大)遠藤彰(東大物性研)、杉原硬
4/30熱電効果 (磁場がない時)
電場
温度勾配(x方向)
電場(x方向)
ゼーベック効果
電場(x方向)
温度勾配(x方向)
ペルチエ効果cf. 逆過程として
X
Y
応用例1.ゼーベック効果
熱電対(温度計) 人工衛星の電源 廃熱発電(ゴミ発電、自動車
の廃熱)
2.ペルチェ効果静かな冷蔵庫CPUの冷却超伝導コイルの電流リード部
5/30熱流磁気効果(磁場がある場合)
温度勾配(x方向)
電場(y方向)
ネルンスト効果
電場(y方向)
温度勾配(x方向)
エッティングスハウゼン効果cf. 逆過程として
磁場
電場
X
Y
■ネルンスト効果の研究1970 年代以前までほぼ絶滅
cf. 熱電効果 ( 磁場なし )現在でも存続
■ネルンスト効果再検討の背景◆ 直接発電@核融合プラズマ装置
温度勾配+強磁場環境の利用◆ 強磁場の技術進歩
超伝導コイルの開発
■研究課題◆ 測定技術の確立◆ 非平衡系理論のシナリオ作り
6/30ネルンスト効果の問題設定
熱流 熱流
半導体の境界条件• 全方向に電気的に絶縁• 上下端で断熱
7/30
A.古典系の場合(分布関数 f )
電場 E 磁場 B 温度勾配一様下のボルツマン方程式
分布関数
緩和時間近似
(音響フォノン散乱)
+
8/30
輸送方程式
分布関数を使って、まとめると
電流
熱流
9/30
(断熱)ネルンスト係数
条件:電気的に絶縁、y方向断熱
輸送方程式
+
(断熱)ネルンスト係数
ネルンスト電圧
10/30
11/30
これが、解析的に求められる。 f0 はマクスウェル分布
z= - 1( 電子)、 +1 ( 正孔 )
12/30A.古典系の場合 (実験と比較 )
ネルンスト効果の磁場依存性
1. InSbの実験
2.理論値(1バンド)
電子のみ
3.理論値(2バンド)
電子とホール
13/30
古典系 (1999) から 量子系 (2004) へ
14/30B. 量子系 (磁場中の2次元電子系)
弾道伝導領域: 平均自由行程>試料サイズ
閉じこめポテンシャル
エネルギー固有値; E(n,k)
磁場中の二次元電子系のハミルトニアン
15/30B. 量子系
(磁場中での二次元電子系のエネルギーバンド)
Energy eigenvalues ; E(n,k)
変数分離
16/30B. 量子系 (端電流)
端電流試料の端付近のみ残る
k
17/30端電流対流モデル
ネルンスト係数( y 方向電位)→抑制熱コンダクタンス( x 方向熱流)→量子化
条件
1. Y方向 断熱
2. 全方向 電気絶縁
3. バリスティック伝導
4. ランダウレベル間に、化学ポテンシャル
18/30B. 量子系 (電流・熱流)
A (n) x dx
4cosh2(x /2)x1 (n )
x2 (n )
x i(n) E i(n) kBT
A1(n)
19/30B. 量子系(ネルンスト係数・熱伝導コンダクタンス)
輸送係数が求められる
電流と熱流
実験値から化学ポテンシャル
フェルミ=ディラック分布関数
ネルンスト係数
熱伝導コンダクタンス
A (n) x dx
4cosh2(x /2)x1 (n )
x2 (n )
境境境境
20/30B. 量子系(輸送係数の磁場依存性)
GaAsを想定
δ 関数的中性不純物散乱効果
(自己無撞着ボルン近似)
(熱コンダクタンス
)/(温
度)
(磁場の逆数)
熱伝導
強磁場
弱磁場
(ネルンスト係数
)×(磁場
)
(磁場の逆数)
ネルンスト効果
強磁場
弱磁場
21/30ビスマスでの実験出現!
Kamran Behnia, et al., Phys. Rev. Lett. 98, 076603 (2007)
Phys. Rev. Lett. 98, 166602 (2007)
Science, 317 1729 (2007)
Thermometers Heater
SC wires
20 mm
磁場の逆数
22/30実験との比較
次元
ピークの形 左右対称 左右非対称
ピークの高さ VK mVK
23/30理論を拡張
M. Matsuo, A. Endo, H. Nakamura, N. Hatano, R. Shirasaki, K. Sugihara, in preparation
3次元系: 2次元系の 重ね合わせ
24/30理論を拡張
ネルンスト係数
×磁場
N×
B [
mV
/K]
M. Matsuo, A. Endo, H. Nakamura, N. Hatano, R. Shirasaki, K. Sugihara, in preparation
磁場の逆数 B [T]
フィッティングパラメーターなし
0.0 0.2 0.4 0.6 0.80.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
1/B [1/T]
T=1.20K(exp.) (theory)T=0.46K(exp.) (theory)T=0.28K(exp.) (theory)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.80.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
1/B [1/T]
T=1.20K(exp.) (theory)T=0.46K(exp.) (theory)T=0.28K(exp.) (theory)
Phonon ドラッグ、二流対(電子と正孔)を考慮
25/30
Bi の実験は、ほぼ説明できた。
基となった端電流モデルに話を戻す。
26/30最近:熱流の計算の間違い発覚!!
A (n) x dx
4cosh2(x /2)x1 (n )
x2 (n )
x i(n) E i(n) kBT
A1(n)
27/30間違えたところ
(誤)
(正)
A (n) x dx
4cosh2(x /2)x1 (n )
x2 (n )