温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

27
温温温温温温温温 温温温温温温 = 温温温温温温温 = 温温 21 温 2 温 4&5 温 温温温温 , International Molecule workshop 温温温温 温温温温温温温温 温温温温温温温温

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平成 21 年 2 月 4&5 日@京大基研 , International Molecule workshop. 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =. 中村浩章  自然科学研究機構 核融合科学研究所. ネルンスト効果. 熱流磁気効果の紹介 磁場がない場合:熱電効果 磁場がある場合;ネルンスト効果 ネルンスト係数の計算 電流・熱流の輸送方程式 古典系の場合 量子系の場合 バリスティックな場合. 共同研究者. 古典ネルンスト効果 山口作太郎(中部大)池田一昭(理研)奥村晴彦(三重大) 量子ネルンスト効果 - PowerPoint PPT Presentation

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Page 1: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

温度勾配下の半導体中の輸送現象= ネルンスト効果 =

平成 21 年 2 月 4&5 日@京大基研 , International Molecule workshop

中村浩章 自然科学研究機構核融合科学研究所

Page 2: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

2/30

1. 熱流磁気効果の紹介■磁場がない場合:熱電効果■磁場がある場合;ネルンスト効果

2. ネルンスト係数の計算■ 電流・熱流の輸送方程式A) 古典系の場合B) 量子系の場合

•バリスティックな場合

ネルンスト効果

Page 3: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

3/30共同研究者

◆ 古典ネルンスト効果山口作太郎(中部大)池田一昭(理研)奥村晴彦(三重大)

◆ 量子ネルンスト効果羽田野直道(東大生産研)、白崎良演(横浜国大)松尾まり(お茶の水大)、長谷川靖洋(埼玉大)遠藤彰(東大物性研)、杉原硬

Page 4: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

4/30熱電効果 (磁場がない時)

電場

温度勾配(x方向)

電場(x方向)

ゼーベック効果

電場(x方向)

温度勾配(x方向)

ペルチエ効果cf. 逆過程として

応用例1.ゼーベック効果

熱電対(温度計) 人工衛星の電源 廃熱発電(ゴミ発電、自動車

の廃熱)

2.ペルチェ効果静かな冷蔵庫CPUの冷却超伝導コイルの電流リード部

Page 5: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

5/30熱流磁気効果(磁場がある場合)

温度勾配(x方向)

電場(y方向)

ネルンスト効果

電場(y方向)

温度勾配(x方向)

エッティングスハウゼン効果cf. 逆過程として

磁場

電場

■ネルンスト効果の研究1970 年代以前までほぼ絶滅

cf. 熱電効果 ( 磁場なし )現在でも存続

■ネルンスト効果再検討の背景◆ 直接発電@核融合プラズマ装置

温度勾配+強磁場環境の利用◆ 強磁場の技術進歩

超伝導コイルの開発

■研究課題◆ 測定技術の確立◆ 非平衡系理論のシナリオ作り

Page 6: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

6/30ネルンスト効果の問題設定

熱流 熱流

半導体の境界条件• 全方向に電気的に絶縁• 上下端で断熱

Page 7: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

7/30

A.古典系の場合(分布関数 f )

電場 E 磁場 B 温度勾配一様下のボルツマン方程式

分布関数

緩和時間近似

(音響フォノン散乱)

Page 8: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

8/30

輸送方程式

分布関数を使って、まとめると

電流

熱流

Page 9: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

9/30

(断熱)ネルンスト係数

条件:電気的に絶縁、y方向断熱

輸送方程式

(断熱)ネルンスト係数

ネルンスト電圧

Page 10: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

10/30

Page 11: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

11/30

これが、解析的に求められる。 f0 はマクスウェル分布

z=  - 1( 電子)、 +1 ( 正孔 )

Page 12: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

12/30A.古典系の場合 (実験と比較 )

ネルンスト効果の磁場依存性

1. InSbの実験

2.理論値(1バンド)

  電子のみ

3.理論値(2バンド)

  電子とホール

Page 13: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

13/30

古典系 (1999) から 量子系 (2004) へ

Page 14: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

14/30B. 量子系 (磁場中の2次元電子系)

弾道伝導領域: 平均自由行程>試料サイズ

閉じこめポテンシャル

エネルギー固有値; E(n,k)

磁場中の二次元電子系のハミルトニアン

Page 15: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

15/30B. 量子系 

(磁場中での二次元電子系のエネルギーバンド)

Energy eigenvalues ; E(n,k)

変数分離

Page 16: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

16/30B. 量子系 (端電流)

端電流試料の端付近のみ残る

k

Page 17: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

17/30端電流対流モデル

ネルンスト係数( y 方向電位)→抑制熱コンダクタンス( x 方向熱流)→量子化

条件

1. Y方向 断熱

2. 全方向 電気絶縁

3. バリスティック伝導

4. ランダウレベル間に、化学ポテンシャル

Page 18: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

18/30B. 量子系 (電流・熱流)

A (n) x dx

4cosh2(x /2)x1 (n )

x2 (n )

x i(n) E i(n) kBT

A1(n)

Page 19: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

19/30B. 量子系(ネルンスト係数・熱伝導コンダクタンス)

輸送係数が求められる

電流と熱流

実験値から化学ポテンシャル

フェルミ=ディラック分布関数

ネルンスト係数

熱伝導コンダクタンス

A (n) x dx

4cosh2(x /2)x1 (n )

x2 (n )

境境境境

Page 20: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

20/30B. 量子系(輸送係数の磁場依存性)

GaAsを想定

δ 関数的中性不純物散乱効果

(自己無撞着ボルン近似)

(熱コンダクタンス

)/(温

度)

(磁場の逆数)

熱伝導

強磁場

弱磁場

(ネルンスト係数

)×(磁場

)

(磁場の逆数)

ネルンスト効果

強磁場

弱磁場

Page 21: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

21/30ビスマスでの実験出現!

Kamran Behnia, et al., Phys. Rev. Lett. 98, 076603 (2007)

Phys. Rev. Lett. 98, 166602 (2007)

Science, 317 1729 (2007)

Thermometers Heater

SC wires

20 mm

磁場の逆数

Page 22: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

22/30実験との比較

次元

ピークの形 左右対称 左右非対称

ピークの高さ VK mVK

Page 23: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

23/30理論を拡張

M. Matsuo, A. Endo, H. Nakamura, N. Hatano, R. Shirasaki, K. Sugihara, in preparation

3次元系: 2次元系の 重ね合わせ

Page 24: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

24/30理論を拡張

ネルンスト係数

×磁場

B [

mV

/K]

M. Matsuo, A. Endo, H. Nakamura, N. Hatano, R. Shirasaki, K. Sugihara, in preparation

磁場の逆数 B [T]

フィッティングパラメーターなし

0.0 0.2 0.4 0.6 0.80.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

1/B [1/T]

T=1.20K(exp.) (theory)T=0.46K(exp.) (theory)T=0.28K(exp.) (theory)

0.0 0.2 0.4 0.6 0.80.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

1/B [1/T]

T=1.20K(exp.) (theory)T=0.46K(exp.) (theory)T=0.28K(exp.) (theory)

Phonon ドラッグ、二流対(電子と正孔)を考慮

Page 25: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

25/30

Bi の実験は、ほぼ説明できた。

基となった端電流モデルに話を戻す。

Page 26: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

26/30最近:熱流の計算の間違い発覚!!

A (n) x dx

4cosh2(x /2)x1 (n )

x2 (n )

x i(n) E i(n) kBT

A1(n)

Page 27: 温度勾配下の半導体中の輸送現象 = ネルンスト効果 =

27/30間違えたところ

(誤)

(正)

A (n) x dx

4cosh2(x /2)x1 (n )

x2 (n )