超低ノイズ、高精度リファレンス電圧ƒ‡ータシート...

超低ノイズ、高精度リファレンス電圧

データシート ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550

Rev. 0

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、それぞれの所有者の財産です。 ※日本語版資料は REVISION が古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照ください。 ©2012 Analog Devices, Inc. All rights reserved.

本社／105-6891 東京都港区海岸 1-16-1 ニューピア竹芝サウスタワービル電話 03（5402）8200

大阪営業所／532-0003 大阪府大阪市淀川区宮原 3-5-36 新大阪トラストタワー電話 06（6350）6868

特長最大温度係数(TCVOUT): 2 ppm/°C 出力ノイズ(0.1 Hz～10 Hz): VOUT＝2.048 V typで 1 μV p-p以下初期出力電圧誤差: ±0.02% (最大) 入力電圧範囲: 3 V～15 V 動作温度範囲: -40°C～+125°C 出力電流: +10 mAソース/-10 mAシンク低静止電流: 950 μA (最大) 低ドロップアウト電圧: 2 mA (VOUT ≥ 3 V)で 300 mV 8 ピン SOICパッケージを採用

アプリケーション高精度データ・アクイジション・システム高分解能データ・コンバータ高精度計測機器工業用計装機器医用機器車載バッテリのモニタリンク

ピン配置

NC 1

VIN 2

NC 3

GND 4

TP8

NC7

VOUT6

NC5

NOTES1. NC = NO CONNECT.2. TP = TEST PIN. DO NOT CONNECT.

ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550

TOP VIEW(Not to Scale)

1020

3-00

1

図 1.8ピン SOIC

概要

ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550 デバ

イスは、高精度、低消費電力、低ノイズのリファレンス電圧で

あり、± 0.02%の最大初期誤差、優れた温度安定性、低出力ノイ

ズを持っています。このファミリーのリファレンス電圧では、高精度用の技術革新

的なコア回路を採用し、業界をリードする温度安定性とノイズ

性能を実現しています。また、このデバイスの出力電圧熱ヒス

テリシスは小さく、かつ長時間出力電圧ドリフトも小さいため、

時間と温度変動に対するシステム精度を向上させることができ

ます。最大動作電流は 950 μAで、かつ最大 300 mVの低ドロップアウ

ト電圧であるため、このデバイスは携帯型装置での使用に適し

ています。 ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550 シリ

ーズのリファレンス電圧は 8 ピン SOIC パッケージを採用し、

広範囲な出力電圧を持ち、全デバイスとも仕様が−40°C～

+125°C の拡張工業用温度範囲で規定されています。

表 1.セレクション・ガイド

Model Output Voltage (V) ADR4520 2.048 ADR4525 2.5 ADR4530 3.0 ADR4533 3.3 ADR4540 4.096 ADR4550 5.0

表 2.アナログ・デバイセズのリファレンス電圧選択肢

VOUT (V)

Low Cost/ Low Power Micropower

Ultralow Noise

High Voltage, High Performance

2.048 ADR360 REF191 ADR430 ADR3420 ADR440 2.5 ADR3425 ADR291 ADR431 ADR03 AD1582 REF192 ADR441 AD780 ADR361 5.0 ADR3450 ADR293 ADR435 ADR02 AD1585 REF195 ADR445 AD586 ADR365

日本語参考資料最新版英語データシートはこちら

http://www.analog.com/jp/ADR4520













http://www.analog.com/jp/REF191








http://www.analog.com/jp/AD1582




















http://www.analog.com/jp

Akiko

長方形

http://www.analog.com/jp/special-linear-functions/voltage-references/adr4520/products/data-sheets/resources.html?display=popup


Rev. 0 － 2/32 －

目次特長 ................................................................................................... 1 アプリケーション ............................................................................ 1 ピン配置 ........................................................................................... 1 概要 ................................................................................................... 1 改訂履歴 ........................................................................................... 2 仕様 ................................................................................................... 3

ADR4520 の電気的特性 ............................................................... 3 ADR4525 の電気的特性 ............................................................... 4 ADR4530 の電気的特性 ............................................................... 5 ADR4533 の電気的特性 ............................................................... 6 ADR4540 の電気的特性 ............................................................... 7 ADR4550 の電気的特性 ............................................................... 8

絶対最大定格 .................................................................................... 9 熱抵抗 ........................................................................................... 9 ESDの注意 ................................................................................... 9

ピン配置およびピン機能説明 ....................................................... 10 代表的な性能特性 .......................................................................... 11

ADR4520 ..................................................................................... 11

ADR4525...................................................................................... 14 ADR4530...................................................................................... 17 ADR4533...................................................................................... 20 ADR4540...................................................................................... 23 ADR4550...................................................................................... 26

用語 .................................................................................................. 29 動作原理 .......................................................................................... 30

長時間ドリフト .......................................................................... 30 消費電力 ...................................................................................... 30

アプリケーション情報 ................................................................... 31 リファレンス電圧の基本接続 ................................................... 31 入力コンデンサと出力コンデンサ ........................................... 31 システム内でのリファレンス電圧の位置 ................................ 31 アプリケーション例 ................................................................... 31

外形寸法 .......................................................................................... 32 オーダー・ガイド .......................................................................... 32

改訂履歴 4/12—Revision 0: Initial Version


Rev. 0 － 3/32 －

仕様 ADR4520 の電気的特性特に指定がない限り、VIN = 3 V～15 V、IL = 0 mA、TA = 25°C。

表 3.

Parameter Symbol Test Conditions/Comments Min Typ Max Unit OUTPUT VOLTAGE VOUT 2.048 V INITIAL OUTPUT VOLTAGE ERROR

VOUT_ERR B grade ±0.02 %

410 μV A grade ±0.04 % 820 μV SOLDER HEAT SHIFT ±0.02 % TEMPERATURE COEFFICIENT TCVOUT B grade, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 2 ppm/°C A grade, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 4 ppm/°C LINE REGULATION ΔVOUT/ΔVIN −40°C ≤ TA ≤ +125°C 1 10 ppm/V LOAD REGULATION ΔVOUT/ΔIL IL = 0 mA to +10 mA source, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 30 80 ppm/mA IL = 0 mA to −10 mA sink, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 100 120 ppm/mA QUIESCENT CURRENT IQ −40°C ≤ TA ≤ +125°C, no load 700 950 μA DROPOUT VOLTAGE VDO −40°C ≤ TA ≤ +125°C, no load 1 V −40°C ≤ TA ≤ +125°C, IL = 2 mA 1 V RIPPLE REJECTION RATIO RRR fIN = 1 kHz 90 dB OUTPUT CURRENT CAPACITY IL

Sinking −8 mA Sourcing 10 mA

OUTPUT VOLTAGE NOISE eNp-p 0.1 Hz to 10.0 Hz 1.0 μV p-p OUTPUT VOLTAGE NOISE DENSITY

eN 1 kHz 35.8 nV/√Hz

OUTPUT VOLTAGE HYSTERESIS ΔVOUT_HYS TA = temperature cycled from +25°C to −40°C to +125°C and back to +25°C

50 ppm

LONG-TERM DRIFT ΔVOUT_LTD 1000 hours at 60°C 25 ppm TURN-ON SETTLING TIME tR IL = 0 mA, CL = 1 µF, CIN = 0.1 µF, RL = 1 kΩ 90 µs LOAD CAPACITANCE 1 100 µF


Rev. 0 － 4/32 －

ADR4525 の電気的特性特に指定がない限り、VIN = 3 V～15 V、IL = 0 mA、TA = 25°C。

表 4.



500 μV A grade ±0.04 % 1 mV SOLDER HEAT SHIFT ±0.02 % TEMPERATURE COEFFICIENT TCVOUT B grade, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 2 ppm/°C A grade, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 4 ppm/°C LINE REGULATION ΔVOUT/ΔVIN −40°C ≤ TA ≤ +125°C 1 10 ppm/V LOAD REGULATION ΔVOUT/ΔIL IL = 0 mA to +10 mA source, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 30 80 ppm/mA IL = 0 mA to −10 mA sink, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 60 120 ppm/mA QUIESCENT CURRENT IQ −40°C ≤ TA ≤ +125°C, no load 700 950 μA DROPOUT VOLTAGE VDO −40°C ≤ TA ≤ +125°C, no load 500 mV −40°C ≤ TA ≤ +125°C, IL = 2 mA 500 mV RIPPLE REJECTION RATIO RRR fIN = 1 kHz 90 dB OUTPUT CURRENT CAPACITY IL





50 ppm

LONG-TERM DRIFT ΔVOUT_LTD 1000 hours at 60°C 25 ppm TURN-ON SETTLING TIME tR IL = 0 mA, CL = 1 µF, CIN = 0.1 µF, RL = 1 kΩ 125 µs LOAD CAPACITANCE 1 100 µF


Rev. 0 － 5/32 －

ADR4530 の電気的特性特に指定がない限り、VIN = 3.1 V～15 V、IL = 0 mA、TA = 25°C。

表 5.



600 μV A grade ±0.04 % 1.2 mV SOLDER HEAT SHIFT ±0.02 % TEMPERATURE COEFFICIENT TCVOUT B grade, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 2 ppm/°C A grade, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 4 ppm/°C LINE REGULATION ΔVOUT/ΔVIN −40°C ≤ TA ≤ +125°C 1 10 ppm/V LOAD REGULATION ΔVOUT/ΔIL IL = 0 mA to +10 mA source, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 30 80 ppm/mA IL = 0 mA to −10 mA sink, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 60 120 ppm/mA QUIESCENT CURRENT IQ −40°C ≤ TA ≤ +125°C, no load 700 950 μA DROPOUT VOLTAGE VDO −40°C ≤ TA ≤ +125°C, no load 100 mV −40°C ≤ TA ≤ +125°C, IL = 2 mA 300 mV RIPPLE REJECTION RATIO RRR fIN = 1 kHz 90 dB OUTPUT CURRENT CAPACITY IL



eN 1 kHz 60 nV/√Hz


50 ppm

LONG-TERM DRIFT ΔVOUT_LTD 1000 hours at 60°C 25 ppm TURN-ON SETTLING TIME tR IL = 0 mA, CL = 0.1 µF, CIN = 0.1 µF, RL = 1 kΩ 130 µs LOAD CAPACITANCE 0.1 100 µF


Rev. 0 － 6/32 －


表 6.



660 µV A grade ±0.04 % 1.32 mV SOLDER HEAT SHIFT ±0.02 % TEMPERATURE COEFFICIENT TCVOUT B grade, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 2 ppm/°C A grade, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 4 ppm/°C LINE REGULATION ΔVOUT/ΔVIN −40°C ≤ TA ≤ +125°C 1 10 ppm/V LOAD REGULATION ΔVOUT/ΔIL IL = 0 mA to +10 mA source, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 30 80 ppm/mA IL = 0 mA to −10 mA sink, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 60 120 ppm/mA QUIESCENT CURRENT IQ −40°C ≤ TA ≤ +125°C, no load 700 950 μA DROPOUT VOLTAGE VDO −40°C ≤ TA ≤ +125°C, no load 100 mV −40°C ≤ TA ≤ +125°C, IL = 2 mA 300 mV RIPPLE REJECTION RATIO RRR fIN =1 kHz 90 dB OUTPUT CURRENT CAPACITY IL





50 ppm



Rev. 0 － 7/32 －


表 7.



820 μV A grade ±0.04 % 1.64 mV SOLDER HEAT SHIFT ±0.02 % TEMPERATURE COEFFICIENT TCVOUT B grade, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 2 ppm/°C A grade, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 4 ppm/°C LINE REGULATION ΔVOUT/ΔVIN −40°C ≤ TA ≤ +125°C 1 10 ppm/V LOAD REGULATION ΔVOUT/ΔIL IL = 0 mA to +10 mA source, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 25 80 ppm/mA IL = 0 mA to −10 mA sink, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 50 120 ppm/mA QUIESCENT CURRENT IQ −40°C ≤ TA ≤ +125°C, no load 700 950 μA DROPOUT VOLTAGE VDO −40°C ≤ TA ≤ +125°C, no load 100 mV −40°C ≤ TA ≤ +125°C, IL = 2 mA 300 mV RIPPLE REJECTION RATIO RRR fIN = 1 kHz 90 dB OUTPUT CURRENT CAPACITY IL





50 ppm



Rev. 0 － 8/32 －


表 8.



1 mV A grade ±0.04 % 2 mV SOLDER HEAT SHIFT ±0.02 % TEMPERATURE COEFFICIENT TCVOUT B grade, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 2 ppm/°C A grade, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 4 ppm/°C LINE REGULATION ΔVOUT/ΔVIN −40°C ≤ TA ≤ +125°C 1 10 ppm/V LOAD REGULATION ΔVOUT/ΔIL IL = 0 mA to +10 mA source, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 25 80 ppm/mA IL = 0 mA to −10 mA sink, −40°C ≤ TA ≤ +125°C 35 120 ppm/mA QUIESCENT CURRENT IQ −40°C ≤ TA ≤ +125°C, no load 700 950 μA DROPOUT VOLTAGE VDO −40°C ≤ TA ≤ +125°C, no load 100 mV −40°C ≤ TA ≤ +125°C, IL = 2 mA 300 mV RIPPLE REJECTION RATIO RRR fIN = 1 kHz 90 dB OUTPUT CURRENT CAPACITY IL





50 ppm



Rev. 0 － 9/32 －

絶対最大定格特に指定のない限り、TA = 25 °C。

表 9.

Parameter Rating Supply Voltage 16 V Operating Temperature Range −40°C to +125°C Storage Temperature Range −65°C to +150°C Junction Temperature Range −65°C to +150°C 上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒

久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格

の規定のみを目的とするものであり、この仕様の動作のセクシ

ョンに記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものでは

ありません。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くとデバ

イスの信頼性に影響を与えます。

熱抵抗 θJA はワーストケース条件で規定。すなわち表面実装パッケージ

の場合、デバイスを回路ボードにハンダ付けした状態で規定。

表 10.熱抵抗

Package Type θJA θJC Unit 8-Lead SOIC 120 42 °C/W

ESD の注意

ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスで

す。電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、検知さ

れないまま放電することがあります。本製品は当社

独自の特許技術である ESD 保護回路を内蔵してはい

ますが、デバイスが高エネルギーの静電放電を被っ

た場合、損傷を生じる可能性があります。したがっ

て、性能劣化や機能低下を防止するため、ESD に対

する適切な予防措置を講じることをお勧めします。


Rev. 0 － 10/32 －

ピン配置およびピン機能説明

NC 1

VIN 2

NC 3

GND 4

TP8

NC7

VOUT6

NC5

NOTES1. NC = NO CONNECT.2. TP = TEST PIN. DO NOT CONNECT.


TOP VIEW(Not to Scale)

1020

3-00

2

図 2.ピン配置

表 11.ピン機能の説明

ピン番号記号説明 1 NC 未接続。このピンは内部で接続されていません。 2 VIN 入力電圧接続。 3 NC 未接続。このピンは内部で接続されていません。 4 GND グラウンド。 5 NC 未接続。このピンは内部で接続されていません。 6 VOUT 出力電圧。 7 NC 未接続。このピンは内部で接続されていません。 8 TP テスト・ピン。接続しないでください。


Rev. 0 － 11/32 －

代表的な性能特性特に指定のない限り、TA = 25 °C。

ADR4520

V OU

T (V

)

TEMPERATURE (°C)

2.0475

2.0476

2.0477

2.0478

2.0479

2.0480

2.0481

2.0482

2.0483

2.0484

2.0485ADR4520

–50 –30 –10 10 30 50 70 90 110 130

1020

3-10

1

図 3.ADR4520出力電圧の温度特性

NU

MB

ER O

F U

NIT

S

ΔVOUT_HYS (ppm)

0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

ADR4520ADR4525ADR4530ADR4533ADR4540ADR4550

–10

–20

–30

–40

–50

–60

–70

–80

–90

–100

–110

–120

–130

–140

–150

–160

–170

–180

–190

–200 0

1020

3-10

3

図 4.ADR4520の出力電圧熱ヒステリシスの分布

CH1 5.00V CH2 1.00V M40.0µs A CH1 9.10V

1

2

ADR4520

VIN (5V/DIV)

VOUT (1V/DIV)

CIN = 0.1µFCOUT = 0.1µFRL = 1kΩ

1020

3-10

4

図 5.ADR4520出力電圧スタートアップ応答

DR

OPO

UT

VOLT

AG

E (V

)

ILOAD (mA)

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

–10 –8 –6 –4 –2 0 2 4 6 8 10

–40°C

+25°C

+125°C

ADR4520

1020

3-10

6

図 6.ADR4520負荷電流対ドロップアウト電圧 LO

AD

REG

ULA

TIO

N (p

pm/m

A)

TEMPERATURE (°C)

0

35

30

25

20

15

10

5

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140

ADR4520

1020

3-10

7

図 7.ADR4520負荷レギュレーションの温度特性(ソーシング)

LOA

D R

EGU

LATI

ON

(ppm

/mA

)

TEMPERATURE (°C)

0

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140

ADR4520

1020

3-10

8

図 8.ADR4520負荷レギュレーションの温度特性(シンキング)


Rev. 0 － 12/32 －

LIN

E R

EGU

LATI

ON

(ppm

/V)

TEMPERATURE (°C)

ADR4520

1020

3-10

90.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140

図 9.ADR4520ライン・レギュレーションの温度特性

I SY

(µA

)

VIN (V)

0

1000

800

600

400

200

0 2 4 6 8 10 12 14 161 3 5 7 9 11 13 15

–40°C+25°C

+125°C

ADR4520

1020

3-11

0

図 10.ADR4520電源電圧対電源電流

OC

CU

RR

ENC

E

OUTPUT VOLTAGE NOISE DISTRIBUTION (µV p-p)

0

120

100

80

60

40

20

2.82.52.21.91.61.31.00.70.4

ADR4520

1020

3-11

1

図 11.ADR4520出力電圧ノイズ(最大振幅、0.1 Hz～10 Hz)

NO

ISE

DEN

SITY

(nV

rms/

Hz)

FREQUENCY (Hz)

1

1k

100

10

100k0.01 0.1 1 10 100 1k 10k

ADR4520

1020

3-11

2

図 12.ADR4520出力ノイズ・スペクトル密度

RIP

PLE

REJ

ECTI

ON

RA

TIO

(dB

)

FREQUENCY (Hz)

–120

0

–10

–20

–30

–40

–50

–60

–70

–80

–90

–100

–110

ADR4520CLOAD = 1µF

100M10 100 1k 10k 100k 1M 10M

1020

3-11

3

図 13.ADR4520リップル除去比の周波数特性

CH1 1.00V CH2 1.00mV BW M40.0µs A CH1 7.02V

2

1

ADR4520

INPUT

OUTPUT AC

CIN = 0.1µFCOUT = 1µF

T

T 12.0% 1020

3-11

4

図 14.ADR4520ライン過渡応答


Rev. 0 － 13/32 －

OU

TPU

T IM

PED

AN

CE

(Ω)

FREQUENCY (Hz)

0

60

50

40

30

20

10

1M10 100 1k 10k 100k

ADR4520

RL = 100kΩCL = 10µF

RL = 1kΩCL = 10µF

RL = 1kΩCL = 1µF


1020

3-11

5

図 15.ADR4520出力インピーダンスの周波数特性

OC

CU

RR

ENC

E

OUTPUT VOLTAGE (%)

0

12

10

8

6

4

2


1020

3-11

6

–0.0

60–0

.055

–0.0

50–0

.045

–0.0

40–0

.035

–0.0

30–0

.025

–0.0

20–0

.015

–0.0

10–0

.005 0

0.00

50.

010

0.01

50.

020

0.02

50.

030

0.03

50.

040

0.04

50.

050

0.05

50.

060

図 16.リフロー後の ADR4520出力電圧ドリフト分布 (SHRドリフト)

V OU

T D

RIF

T (p

pm)

DURATION (Hours)

–80

80

60

40

20

0

–20

–40

–60

10000 200 400 600 800100 300 500 700 900

1020

3-11

7


図 17.ADR4520長時間出力電圧ドリフト(1000時間)


Rev. 0 － 14/32 －

ADR4525

V OU

T (V

)

TEMPERATURE (°C)

2.4995

2.4996

2.4997

2.4998

2.4999

2.5000

2.5001

2.5002

2.5003

2.5004

2.5005

–50 –30 –10 10 30 50 70 90 110 130

ADR4525

1020

3-20

1


NU

MB

ER O

F U

NIT

S

ΔVOUT_HYS (ppm)

0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5


–10

–20

–30

–40

–50

–60

–70

–80

–90

–100

–110

–120

–130

–140

–150

–160

–170

–180

–190

–200 0

1020

3-20

3

図 19.ADR4525の出力電圧熱ヒステリシスの分布

CH1 5.00V CH2 1.00V M40.0µs A CH1 9.10V

1

2

ADR4525

VIN (5V/DIV)

VOUT (1V/DIV)

1020

3-20

4


DR

OPO

UT

VOLT

AG

E (V

)

ILOAD (mA)

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

–15 151050–5–10

–40°C

+25°C+125°C

ADR4525

1020

3-20

6

図 21.ADR4525負荷電流対ドロップアウト電圧

LOA

D R

EGU

LATI

ON

(ppm

/mA

)

TEMPERATURE (°C)

0

35

30

25

20

15

10

5

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140

ADR4525

1020

3-20

7


LOA

D R

EGU

LATI

ON

(ppm

/mA

)

TEMPERATURE (°C)

0

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140

ADR4525

1020

3-20

8



Rev. 0 － 15/32 －

1020

3-20

9

LIN

E R

EGU

LATI

ON

(ppm

/V)

TEMPERATURE (°C)

ADR4525

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140


I SY

(µA

)

VIN (V)

0

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0 2 4 6 8 10 12 14 161 3 5 7 9 11 13 15

–40°C+25°C

+125°C ADR4525

1020

3-21

0


OC

CU

RR

ENC

E


0

160

140

120

100

80

60

40

20

3.02.72.42.11.81.51.20.90.6

ADR4525

1020

3-21

1


NO

ISE

DEN

SITY

(nV

rms/

Hz)

FREQUENCY (Hz)

1

1k

100

10

100k0.01 0.1 1 10 100 1k 10k

ADR4525

1020

3-21

2


RIP

PLE

REJ

ECTI

ON

RA

TIO

(dB

)

FREQUENCY (Hz)

–120

0

–10

–20

–30

–40

–50

–60

–70

–80

–90

–100

–110

ADR4525

100M10 100 1k 10k 100k 1M 10M

1020

3-21

3


CH1 1.00V CH2 1.00mV BW M200µs A CH1 4.08V

2

1

ADR4525

INPUT

OUTPUT AC


T

T 10.0% 1020

3-21

4



Rev. 0 － 16/32 －

OU

TPU

T IM

PED

AN

CE

(Ω)

FREQUENCY (Hz)

0

80

70

60

50

40

30

20

10

1M10 100 1k 10k 100k

ADR4525


RL = 1kΩCL = 10µF

RL = 1kΩCL = 1µF


1020

3-21

5


OC

CU

RR

ENC

E

OUTPUT VOLTAGE (%)

0

12

10

8

6

4

2

1020

3-21

6

–0.0

60–0

.055

–0.0

50–0

.045

–0.0

40–0

.035

–0.0

30–0

.025

–0.0

20–0

.015

–0.0

10–0

.005 0

0.00

50.

010

0.01

50.

020

0.02

50.

030

0.03

50.

040

0.04

50.

050

0.05

50.

060



V OU

T D

RIF

T (p

pm)

DURATION (Hours)

–80

80

60

40

20

0

–20

–40

–60

10000 200 400 600 800100 300 500 700 900

1020

3-21

7




Rev. 0 － 17/32 －

ADR4530

V OU

T (V

)

TEMPERATURE (°C)–50 –30 –10 10 30 50 70 90 110 130

ADR4530

1020

3-30

12.9995

2.9996

2.9997

2.9998

2.9999

3.0000

3.0001

3.0002

3.0003

3.0004

3.0005


NU

MB

ER O

F U

NIT

S

ΔVOUT_HYS (ppm)

0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5


–10

–20

–30

–40

–50

–60

–70

–80

–90

–100

–110

–120

–130

–140

–150

–160

–170

–180

–190

–200 0

1020

3-30

3

図 34. ADR4530の出力電圧熱ヒステリシスの分布

CH1 5.00V CH2 1.00V M40.0µs A CH1 3.10V

1

2

ADR4530VIN (5V/DIV)

VOUT (1V/DIV)

1020

3-30

4

CIN = 0.1µFCOUT = 0.1µFRL = 1kΩ


I SY

(µA

)

VIN (V)0 13121110987654321

ADR4530

0

0.0001

0.0002

0.0003

0.0004

0.0005

0.0006

0.0007

0.0008

0.0009

–40°C

+25°C+125°C

1020

3-30

5


DR

OPO

UT

VOLT

AG

E (V

)

ILOAD (mA)

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

–15 151050–5–10

–40°C

+25°C

+125°C

ADR4530

1020

3-30

6


LOA

D R

EGU

LATI

ON

(ppm

/mA

)

TEMPERATURE (°C)

0

35

30

25

20

15

10

5

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140

ADR4530

1020

3-30

7



Rev. 0 － 18/32 －

LOA

D R

EGU

LATI

ON

(ppm

/mA

)

TEMPERATURE (°C)

0

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140

ADR4530

1020

3-30

8


1020

3-30

9

LIN

E R

EGU

LATI

ON

(ppm

/V)

TEMPERATURE (°C)

ADR4530

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140


I SY

(µA

)

VIN (V)

0

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0 2 4 6 8 10 12 131 3 5 7 9 11

–40°C

+25°C

+125°C

ADR4530

1020

3-31

0


OC

CU

RR

ENC

E


0

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

ADR4530

1.1

1.3

1.5

1.7

1.9

2.1

2.3

2.5

2.7

2.9

1020

3-31

1


NO

ISE

DEN

SITY

(nV

rms/

Hz)

FREQUENCY (Hz)

1

1k

100

10

100k0.01 0.1 1 10 100 1k 10k

ADR4530

1020

3-31

2


RIP

PLE

REJ

ECTI

ON

RA

TIO

(dB

)

FREQUENCY (Hz)

–120

0

–10

–20

–30

–40

–50

–60

–70

–80

–90

–100

–110

100M10 100 1k 10k 100k 1M 10M

ADR453010

203-

313



Rev. 0 － 19/32 －


2

1

ADR4530

INPUT

OUTPUT AC


T

T 10.0% 1020

3-31

4


OU

TPU

T IM

PED

AN

CE

(Ω)

FREQUENCY (Hz)

0

60

50

40

30

20

10

ADR4530


RL = 1kΩCL = 10µF

RL = 1kΩCL = 1µF


10M1M1 10 100 1k 10k 100k

1020

3-31

5


OC

CU

RR

ENC

E

OUTPUT VOLTAGE (%)

0

12

10

8

6

4

2

1020

3-31

6

–0.0

60–0

.055

–0.0

50–0

.045

–0.0

40–0

.035

–0.0

30–0

.025

–0.0

20–0

.015

–0.0

10–0

.005 0

0.00

50.

010

0.01

50.

020

0.02

50.

030

0.03

50.

040

0.04

50.

050

0.05

50.

060



V OU

T D

RIF

T (p

pm)

DURATION (Hours)

–80

80

60

40

20

0

–20

–40

–60

10000 200 400 600 800100 300 500 700 900

1020

3-31

7




Rev. 0 － 20/32 －

ADR4533

V OU

T (V

)

TEMPERATURE (°C)–50 –30 –10 10 30 50 70 90 110 130

ADR4533

1020

3-40

13.2990

3.2992

3.2994

3.2996

3.2998

3.3000

3.3002

3.3004

3.3006

3.3008

3.3010


NU

MB

ER O

F U

NIT

S

ΔVOUT_HYS (ppm)

0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5


–10

–20

–30

–40

–50

–60

–70

–80

–90

–100

–110

–120

–130

–140

–150

–160

–170

–180

–190

–200 0

1020

3-40

3


CH1 5.00V CH2 1.00V M40.0µs A CH1 3.10V

1

2

ADR4533VIN (5V/DIV)

VOUT (1V/DIV)CIN = 0.1µFCOUT = 0.1µFRL = 1kΩ

1020

3-40

4


DR

OPO

UT

VOLT

AG

E (V

)

ILOAD (mA)

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

–15 151050–5–10

–40°C

+25°C

+125°C

ADR4533

1020

3-40

6


LOA

D R

EGU

LATI

ON

(ppm

/mA

)

TEMPERATURE (°C)

0

35

30

25

20

15

10

5

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140

ADR4533

1020

3-40

7


LOA

D R

EGU

LATI

ON

(ppm

/mA

)

TEMPERATURE (°C)

0

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140

ADR4533

1020

3-40

8



Rev. 0 － 21/32 －

1020

3-40

9

LIN

E R

EGU

LATI

ON

(ppm

/V)

TEMPERATURE (°C)

ADR4533

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140


I SY

(µA

)

VIN (V)

0

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0 2 4 6 8 10 12 161514131 3 5 7 9 11

–40°C

+25°C

+125°CADR4533

1020

3-41

0


OC

CU

RR

ENC

E


0

60

50

40

30

20

10

ADR4533

BIN 1.6

1.8

2.0

2.2

2.4

2.6

2.8

3.0

3.2

3.4

1020

3-41

1


NO

ISE

DEN

SITY

(nV

rms/

Hz)

FREQUENCY (Hz)

1

1k

100

10

100k0.01 0.1 1 10 100 1k 10k

ADR4533

1020

3-41

2


RIP

PLE

REJ

ECTI

ON

RA

TIO

(dB

)

FREQUENCY (kHz)

–130

–120

0

–10

–20

–30

–40

–50

–60

–70

–80

–90

–100

–110

100k0.01 0.1 1 10 100 1k 10k

ADR4533

1020

3-41

3



2

1

ADR4533

INPUT

OUTPUT AC


T

T 12.0% 1020

3-41

4



Rev. 0 － 22/32 －

OU

TPU

T IM

PED

AN

CE

(Ω)

FREQUENCY (Hz)

0

60

50

40

30

20

10

ADR4533


RL = 1kΩCL = 10µF

RL = 1kΩCL = 1µF


10M1M1 10 100 1k 10k 100k

1020

3-41

5


OC

CU

RR

ENC

E

OUTPUT VOLTAGE (%)

0

12

10

8

6

4

2

1020

3-41

6

–0.0

60–0

.055

–0.0

50–0

.045

–0.0

40–0

.035

–0.0

30–0

.025

–0.0

20–0

.015

–0.0

10–0

.005 0

0.00

50.

010

0.01

50.

020

0.02

50.

030

0.03

50.

040

0.04

50.

050

0.05

50.

060



V OU

T D

RIF

T (p

pm)

DURATION (Hours)

–80

80

60

40

20

0

–20

–40

–60

10000 200 400 600 800100 300 500 700 900

1020

3-41

7




Rev. 0 － 23/32 －

ADR4540

V OU

T (V

)

TEMPERATURE (°C)–50 –30 –10 10 30 50 70 90 110 130

ADR4540

1020

3-50

14.0950

4.0955

4.0960

4.0965

4.0970


NU

MB

ER O

F U

NIT

S

ΔVOUT_HYS (ppm)

0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5


–10

–20

–30

–40

–50

–60

–70

–80

–90

–100

–110

–120

–130

–140

–150

–160

–170

–180

–190

–200 0

1020

3-50

3


CH1 5.00V CH2 1.00V M40.0µs A CH1 3.10V

1

2

ADR4540VIN (5V/DIV)

VOUT (1V/DIV)CIN = 0.1µFCOUT = 0.1µFRL = 1kΩ

1020

3-50

4


DR

OPO

UT

VOLT

AG

E (V

)

ILOAD (mA)

0

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

–15 151050–5–10

–40°C

+25°C

+125°C

ADR4540

1020

3-50

6


LOA

D R

EGU

LATI

ON

(ppm

/mA

)

TEMPERATURE (°C)

0

35

30

25

20

15

10

5

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140

ADR4540

1020

3-50

7


LOA

D R

EGU

LATI

ON

(ppm

/mA

)

TEMPERATURE (°C)

0

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140

ADR4540

1020

3-50

8



Rev. 0 － 24/32 －

1020

3-50

9

LIN

E R

EGU

LATI

ON

(ppm

/V)

TEMPERATURE (°C)

ADR4540

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140


I SY

(µA

)

VIN (V)

0

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0 2 4 6 8 10 12 161514131 3 5 7 9 11

–40°C+25°C

+125°CADR4540

1020

3-51

0


OC

CU

RR

ENC

E


0

70

60

50

40

30

20

10

ADR4540

BIN 2.1

2.3

2.5

2.7

2.9

3.1

3.3

3.5

3.7

3.9

1020

3-51

1


NO

ISE

DEN

SITY

(nV

rms/

Hz)

FREQUENCY (Hz)

1

1k

100

10

100k0.01 0.1 1 10 100 1k 10k

ADR4540

1020

3-51

2


RIP

PLE

REJ

ECTI

ON

RA

TIO

(dB

)

FREQUENCY (Hz)

–120

0

–10

–20

–30

–40

–50

–60

–70

–80

–90

–100

–110

100M10 100 1k 10k 100k 1M 10M

ADR4540

1020

3-51

3



2

1

ADR4540

INPUT

OUTPUT AC


T

T 12.0% 1020

3-51

4



Rev. 0 － 25/32 －

OU

TPU

T IM

PED

AN

CE

(Ω)

FREQUENCY (Hz)

0

60

50

40

30

20

10

10M1M1 10 100 1k 10k 100k

ADR4540


RL = 1kΩCL = 10µF RL = 1kΩ

CL = 1µF


1020

3-51

5


OC

CU

RR

ENC

E

OUTPUT VOLTAGE (%)

0

12

10

8

6

4

2

1020

3-51

6

–0.0

60–0

.055

–0.0

50–0

.045

–0.0

40–0

.035

–0.0

30–0

.025

–0.0

20–0

.015

–0.0

10–0

.005 0

0.00

50.

010

0.01

50.

020

0.02

50.

030

0.03

50.

040

0.04

50.

050

0.05

50.

060



V OU

T D

RIF

T (p

pm)

DURATION (Hours)

–80

80

60

40

20

0

–20

–40

–60

10000 200 400 600 800100 300 500 700 900

1020

3-51

7




Rev. 0 － 26/32 －

ADR4550

V OU

T (V

)

TEMPERATURE (°C)–50 –30 –10 10 30 50 70 90 110 130

ADR4550

1020

3-60

14.9990

4.9995

5.0000

5.0005

5.0010


NU

MB

ER O

F U

NIT

S

ΔVOUT_HYS (ppm)

0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5


–10

–20

–30

–40

–50

–60

–70

–80

–90

–100

–110

–120

–130

–140

–150

–160

–170

–180

–190

–200 0

1020

3-60

3


CH1 5.00V CH2 1.00V M40.0µs A CH1 9.10V

1

2

ADR4550

VIN (5V/DIV)

VOUT (1V/DIV)

1020

3-60

4


DR

OPO

UT

VOLT

AG

E (V

)

ILOAD (mA)

0

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

–15 151050–5–10

–40°C

+25°C

+125°C

ADR4550

1020

3-60

6


LOA

D R

EGU

LATI

ON

(ppm

/mA

)

TEMPERATURE (°C)

0

35

30

25

20

15

10

5

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140

ADR4550

1020

3-60

7


LOA

D R

EGU

LATI

ON

(ppm

/mA

)

TEMPERATURE (°C)

0

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140

ADR4550

1020

3-60

8



Rev. 0 － 27/32 －

1020

3-60

9

LIN

E R

EGU

LATI

ON

(ppm

/V)

TEMPERATURE (°C)

ADR4550

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

–50 0 50 100 150


I SY

(µA

)

VIN (V)

0

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0 2 4 6 8 10 12 161514131 3 5 7 9 11

–40°C+25°C

+125°CADR4550

1020

3-61

0


OC

CU

RR

ENC

E


0

9

8

7

6

5

4

3

2

1

3.73.53.33.12.92.72.52.32.11.9

1020

3-61

1

ADR4550


NO

ISE

DEN

SITY

(nV

rms/

Hz)

FREQUENCY (Hz)

1

1k

100

10

100k0.01 0.1 1 10 100 1k 10k

1020

3-61

2

ADR4550


RIP

PLE

REJ

ECTI

ON

RA

TIO

(dB

)

FREQUENCY (Hz)

–120

0

–20

–40

–60

–80

–100

100k0.01 0.1 1 10 100 1k 10k

1020

3-61

3

ADR4550



2

1

ADR4550

INPUT

OUTPUT AC


T

T 12.0% 1020

3-61

4



Rev. 0 － 28/32 －

OU

TPU

T IM

PED

AN

CE

(Ω)

FREQUENCY (Hz)

0

140

100

120

80

60

40

20

1M10 100 1k 10k 100k

ADR4550


RL = 1kΩCL = 1µF

RL = 1kΩCL = 0.1µF

RL = 100kΩCL = 0.1µF

1020

3-61

5


OC

CU

RR

ENC

E

OUTPUT VOLTAGE (%)

0

12

10

8

6

4

2

1020

3-61

6

–0.0

60–0

.055

–0.0

50–0

.045

–0.0

40–0

.035

–0.0

30–0

.025

–0.0

20–0

.015

–0.0

10–0

.005 0

0.00

50.

010

0.01

50.

020

0.02

50.

030

0.03

50.

040

0.04

50.

050

0.05

50.

060



V OU

T D

RIF

T (p

pm)

DURATION (Hours)

–80

80

60

40

20

0

–20

–40

–60

10000 200 400 600 800100 300 500 700 900

1020

3-61

7




Rev. 0 － 29/32 －

用語ドロップアウト電圧(VDO) ドロップアウト電圧は電源電圧ヘッドルームまたは電源出力電

圧差と呼ばれることもあり、出力電圧が 0.1%精度以内に維持さ

れるために必要とされる、入力と出力との間の小電圧差とし

て定義され、次式で表されます。

VDO = (VIN − VOUT)min|IL =一定

ドロップアウト電圧はデバイスを流れる電流に依存するため、

常に、与えられた負荷電流に対して規定されます。シリーズ・

モード・デバイスでは、ドロップアウト電圧は負荷電流に比例

して増加します(図 6、図 21、図 37、図 52、図 67、図 82 参照)。

温度係数(TCVOUT) 25°C での出力電圧で正規化したデバイス周囲温度変化に対する

出力電圧の変化。このパラメータはボックス法で求められ、次

式で定義されます。

610)()(

),,(),,(

132OUT

321OUT321OUTOUT TTTV

TTTVminTTTVmaxTCV

ここで、 TCVOUTは ppm/°C で表されます。 VOUT(Tx)は温度 Txでの出力電圧。 T1 = −40°C。 T2 = +25°C。 T3 = +125°C。

この 3 点法を使うと、デバイス出力電圧を測定した 3 点間の

大温度差を TCVOUTにより正確に表すことができます。

ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550 の

TCVOUTは−40°C、+25°C、+125°Cの 3 点の温度でフルテストされ

ます。

出力電圧熱ヒステリシス(∆VOUT_HYS) 出力電圧熱ヒステリシスとは、デバイスに規定の温度サイクル

を実施した後の出力電圧変化を意味します。これは、電圧シフ

トまたは公称出力からの ppm差で表されます。

6

25_

_25__ 10

COUT

TCOUTCOUTHYSOUT V

VVV [ppm]

ここで、 VOUT_25°Cは 25°C での出力電圧。 VOUT_TCは温度サイクル後の出力電圧。

長時間安定性(∆VOUT_LTD) 長時間安定性は、1000時間 60°C環境で動作させた後の 60°Cでの

出力電圧のシフトを表します。周囲温度を 60°C に維持して、恒

温槽で加熱と冷却がランダムに切り替えられないようにします。

切り替わると 1000 時間の測定で不安定性が生じます。これも、

電圧シフトまたは公称出力からの ppm 差で表されます。

6_ 10

)(

)()(

0OUT

0OUT1OUTLTDOUT tV

tVtVV [ppm]

ここで、 VOUT(t0)は 60°C、時間 0 での VOUT。 VOUT(t1)は 60°C で 1000 時間動作後の 60°C での VOUT。

ライン・レギュレーションライン・レギュレーションは、入力電圧の与えられた変化に対

応する出力電圧の変化を表し、入力電圧変化あたりの%値、

ppm 値、または μV 値で表されます。このパラメータは自己発

熱の影響も含みます。

負荷レギュレーション負荷レギュレーションは、負荷電流の与えられた変化に対応す

る出力電圧の変化を表し、mA あたりの μV 値、mA あたりの

ppm 値、または DC 出力抵抗の Ω値で表されます。このパラメ

ータは自己発熱の影響も含みます。

ハンダ熱抵抗(SHR)シフト SHR シフトは、リフロー・ハンダ処理により発生する出力電圧

の永久的なシフトを意味し、ppm 値で表します。このシフトは、

高温になったパッケージ材料によりチップに発生するストレス

変化から生じます。鉛フリーのハンダ処理ではリフロー温度が

高くなるためこの影響は大きくなります。








Rev. 0 － 30/32 －

動作原理 ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550 シリ

ーズのリファレンス電圧は、極めて高い精度、安定性、ノイズ

性能を実現する独自のコア回路を採用しています。リファレンス電圧の DC 出力に関係する 3 つのパラメータは、

初期精度、温度係数、長時間ドリフトです。このシリーズのリ

ファレンス電圧は、初期誤差 0.02%を保証し、最大 2 ppm/°C の

低い温度係数を持つため、高精度アプリケーションに最適です。

これらのデバイスの、業界をリードする長時間安定性は、シス

テムの頻繁なフィールド・キャリブレーションが不要になり、

かつシステム出荷前の高価なバーンイン時間を短縮できること

を意味します。

長時間ドリフト ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550 リフ

ァレンス電圧の重要なパラメータの 1 つは長時間安定性、すな

わちデバイス・パワーアップ時の時間に対する出力ドリフトで

す。出力電圧に無関係に、開発時の内部テストでは極めて安定

に温度制御された 60°C 環境での無負荷動作で、連続 1000 時間

後の代表値ドリフトは約 25 ppmを示していました。長時間ドリフトの主要部分は一般に動作の最初の 200～300 時間

で発生することに注意してください。長時間にわたり安定な出

力電圧を必要とするシステムの場合、デバイスの使用前にバー

ンインを行なって時間に対するリファレンス出力ドリフトを小

さくすることを検討してください。長時間ドリフトの影響を小

さくする方法については、www.analog.com/jp から提供している

AN-713 アプリケーション・ノート「電圧リファレンスの長期ド

リフトについて」を参照してください。

消費電力 ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550 リフ

ァレンス電圧は、定格入力電圧範囲と室温で最大 10 mA のソー

ス電流およびシンク電流を供給することができますが、周囲温

度の高いアプリケーションで使用する場合は、入力電圧と負荷

電流を注意深くモニタして、デバイスの最大消費電力定格を超

えないようにする必要があります。デバイスの最大消費電力は

次式で計算することができます。

JA

AJD

TTP

θ−

=

ここで、

PDはデバイスの消費電力。

TJはデバイスのジャンクション温度。

TAは周囲温度。

θJAはパッケージ熱抵抗(ジャンクション―周囲間)。この関係があるため、高温での許容負荷電流はデバイスの最大

電流ソーシング能力より小さくなります。如何なる場合でもデ

バイスを最大電力定格の外側で動作させることはできません。

動作させると、デバイスに永久的な故障または損傷を与えます。













http://www.analog.com/jp

http://www.analog.com/static/imported-files/jp/application_notes/AN-713_jp.pdf








Rev. 0 － 31/32 －

アプリケーション情報リファレンス電圧の基本接続図 94の回路に、ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ ADR4540/ ADR4550 ファミリーのリファレンス電圧の基本接続

を示します。

1020

3-05

4

VIN

GND

VREFBAND GAP

図 94.ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ ADR4540/ADR4550の簡略化した回路図

入力コンデンサと出力コンデンサ入力コンデンサ電源電圧が変動するアプリケーションで過渡応答を向上させる

ために、1 μF～10 μFの電解またはセラミック・コンデンサを入

力に接続することができます。電源ノイズを減らすために、0.1 μF のセラミック・コンデンサを並列に追加接続する必要があり

ます。

出力コンデンサ出力コンデンサは、安定性と低レベル電圧ノイズを除去するた

めに必要です。出力コンデンサの最小値を表 12に示します。

表 12.最小 COUT値

Part Number Minimum COUT Value ADR4520, ADR4525 1.0 µF ADR4530, ADR4533, ADR4540, ADR4550

0.1 µF

負荷電流の突然の変化に対する過渡性能を改善するために、1 μF～10 μF の電解またはセラミック・コンデンサを並列に追加

接続することができますが、デバイスのターンオン時間が大き

くなることに注意する必要があります。

システム内でのリファレンス電圧の位置理想的なボード・レイアウトでは、 ADR4520/ADR4525/ ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550 リファレンス電圧はでき

るだけ負荷の近くに配置して、出力パターンを短くし、電圧降

下による誤差を小さくする必要があります。PCB パターンを流

れる電流により IR 電圧降下が生じ、長いパターンでは、この電

圧降下が数 mV 以上になり、リファレンス出力電圧で大きな誤

差が発生することがあります。1 インチ長の 1 オンス銅 5mm 幅

パターンの抵抗は、室温で約 100 mΩ になります。10 mA の負

荷電流で、これは mVの誤差を発生させます。

アプリケーション例バイポーラ出力リファレンス電圧図 95 にバイポーラ・リファレンス構成を示します。ADR4550 出

力をオペアンプの反転端子に接続すると、正と負のリファレン

ス電圧を得ることができます。負出力と正出力の間の差を小さ

くするためには、R1 と R2 はできるだけ一致している必要があ

ります。また、温度が大きく変わる環境でこの回路を使用する

場合には、低温度係数を持つ抵抗を使用する必要があります。そ

の他の場合は、周囲温度の変化に応じて 2 つの出力間に電位差

が生じます。

VIN

+15V

–15V

–5V

+5V

ADA4000-1

0.1µF1µF 0.1µF

R110kΩ

R210kΩ

R35kΩ

ADR4550

VIN VOUT

GND

2 6

4

1020

3-05

5

図 95.ADR4550によるバイポーラ出力リファレンス電圧

ブースト付き出力電流リファレンス電圧図 96 に、 ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ ADR4550 リファレンス電圧から精度を犠牲にすることなく得ら

れる高い電流駆動能力の構成を示します。オペアンプは、VOUT

がリファレンス出力電圧に一致するまで MOSFET を流れる電流

をレギュレーションします。次に、電流はリファレンス自体か

らではなく VIN から直接得られるため、電流駆動能力が大きく

なります。

1020

3-05

6

CL

CL0.1µF

2N7002

AD8663

VIN

U6

VOUT

+16V

0.1µF1µF

R1100Ω

RL200Ω


VIN VOUT

GND

2 6

4

PARTNUMBER

MINIMUMCL

ADR4520,ADR4525

1.0µF

ADR4530,ADR4533,ADR4540,ADR4550

0.1µF

図 96.ブースト付き出力電流リファレンス電圧

この回路の電流ソーシング能力は MOSFET の ID 定格のみに依

存するため、適切な MOSFET を選択するだけでアプリケーショ

ンに合わせて出力駆動能力を調整することができます。すべて

の場合、VOUT ピンを負荷デバイスに直接接続して、出力電圧の

最大精度を維持する必要があります。




























Rev. 0 － 32/32 －

外形寸法

CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS(IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FORREFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN.

COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012-AA

0124

07-A

0.25 (0.0098)0.17 (0.0067)

1.27 (0.0500)0.40 (0.0157)

0.50 (0.0196)0.25 (0.0099) 45°

8°0°

1.75 (0.0688)1.35 (0.0532)

SEATINGPLANE

0.25 (0.0098)0.10 (0.0040)

41

8 5

5.00 (0.1968)4.80 (0.1890)

4.00 (0.1574)3.80 (0.1497)

1.27 (0.0500)BSC

6.20 (0.2441)5.80 (0.2284)

0.51 (0.0201)0.31 (0.0122)

COPLANARITY0.10

図 97.8ピン標準スモール・アウトライン・パッケージ[SOIC_N] ナロー・ボディ

(R-8) 寸法: mm (インチ)

オーダー・ガイド Model1 Temperature Range Package Description Package Option Ordering Quantity ADR4520ARZ −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 98 ADR4520ARZ-R7 −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 1,000 ADR4520BRZ −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 98 ADR4520BRZ-R7 −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 1,000 ADR4525ARZ −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 98 ADR4525ARZ-R7 −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 1,000 ADR4525BRZ −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 98 ADR4525BRZ-R7 −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 1,000 ADR4530ARZ −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 98 ADR4530ARZ-R7 −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 1,000 ADR4530BRZ −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 98 ADR4530BRZ-R7 −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 1,000 ADR4533ARZ −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 98 ADR4533ARZ-R7 −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 1,000 ADR4533BRZ −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 98 ADR4533BRZ-R7 −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 1,000 ADR4540ARZ −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 98 ADR4540ARZ-R7 −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 1,000 ADR4540BRZ −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 98 ADR4540BRZ-R7 −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 1,000 ADR4550ARZ −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 98 ADR4550ARZ-R7 −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 1,000 ADR4550BRZ −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 98 ADR4550BRZ-R7 −40°C to +125°C 8-Lead SOIC_N R-8 1,000 1 Z = RoHS 準拠製品

超低ノイズ、高精度 リファレンス電圧ƒ‡ータシート...

Documents

超低ノイズ、高精度リファレンス電圧ƒ‡ータシート...