1/fノイズ等各種ノ vlsi lsi 設計者のためのノイズ基 …...
TRANSCRIPT
熱ノイズ、1/fノイズ等各種ノイズやジッタ・位相ノイズの発生の原理、 1/fノイズの測定方法
VLSI夏の学校
「LSI設計者のためのノイズ基礎講座
~理論から測定・対策技術まで~」
アジレント・テクノロジー株式会社EEsof EDA事業部
マーケティング・サービス部門
EDAテクニカルサポート・コンサルティング
塚原 正大August, 23, 2010
August 23, 20101
Rev.2
変数の定義
August 23, 20103
: ボルツマン定数(1.38×10-23 J/K)
: 電子の電荷量(1.602×10-19C)
: 絶対温度[K]
: 抵抗値[Ω]
: 周波数帯域幅 [Hz]
: フリッカーノイズ・パラメータ
: 単位面積当たりゲート酸化膜容量[F/m2]
: 実効チャネル長
: Noise Figure
: VCO発振パワー
: VCO発振周波数
: VCO変換利得[Hz/V]
: 共振回路のQ
:バラクタ雑音抵抗var
0
0
,
R
Q
k
f
P
F
L
C
KFAF
f
R
T
q
k
vco
eff
OX
ノイズの種類と発生原理~熱雑音~
説明・発生原理
– 抵抗体などで電流が流れていなくても、電子の不規則な熱振動によって発生するノイズ。つまり電子の熱運動によって引き起こされるノイズ。
別名
– ジョンソン・ナイキスト・ノイズ (発明者名)
– ジョンソン・ノイズ(発明者名)
– ホワイト・ノイズ、白色ノイズ(色)
– 研究者によっては、ショット・ノイズと 量子雑音として統一する場合がある
August 23, 20105
fkTRvn 42
R
fkTin
42
ノイズの種類と発生原理~ショット・ノイズ~
説明・発生原理
– トランジスタのPN接合には、ポテンシャルの壁が存在する。電子やホールは電荷をもった粒子とみなすことができるが、これら粒子がポテンシャル壁を越えるとき、電流は連続した値では流れない。この不連続な電流によって引き起こる雑音。
別名
– ホワイト・ノイズ、白色ノイズ(色)
– 研究者によっては、熱雑音と 量子雑音として統一する場合がある
August 23, 20106
fqIin 22
ノイズの種類と発生原理~1/fノイズ~
説明・発生原理
– すべての能動素子と一部の受動素子(一部の抵抗など)で見られるノイズで、雑音レベルが周波数に逆比例することから1/fノイズと呼ばれる。最初に真空管で観測され、“フリッカー(ふらつき)現象”と呼ばれたことから、フリッカーノイズとも呼ばれる。
– BJTの場合、ベース・エミッタ間の空乏層における汚染や結晶欠陥がトラップを発生させ、キャリア数が時間的にゆらぐことになる。このトラップは時間が長いほど確率が増すため、雑音レベルは周波数に逆比例する。
– MOS FETの場合、チャネル界面での欠陥によるトラップにより、キャリア数が時間的ゆらぎとして観測される。
別名
– フリッカー・ノイズ
– ピンク・ノイズ(色)
August 23, 20107
ff
IKFi
AF
BB
2
2
2 1
effOX
EF
AF
DD
LCf
IKFi
ノイズの種類と発生原理~RTSノイズ (1/2)~
説明・発生原理
– Random Telegraph Signal(RTS)ノイズまたはRandom Telegraph Noise(RTN)は、MOSトランジスタのゲート酸化膜の界面準位による電子のランダムな捕獲と放出が原因。従来の1/fノイズは、さまざまな時定数を持ったRTSが重ね合わされて観測されたものであると報告されている(次頁)。
– RTSノイズが発生すると、ポテンシャルは2つの状態の間を往復する。特定の周波数を超えると、周波数の2乗に反比例して(1/f2に比例して)減尐する。
別名
– ポップコーン・ノイズ
– バースト・ノイズ
– レッド・ノイズ (色)
August 23, 20108
-1
ノイズの種類と発生原理~RTSノイズ (2/2)~
August 23, 20109
RTS
RTS
RTS
RTS
RTS
RTS
-1
-2
RTS
1/fノイズはRTSノイズの重ね合わせ
RTSノイズが顕著に現れる場合は、1/fスロープにバンプが観測される
RTSノイズ測定の必要性 (何のためにRTSノイズ測定が必要か?)
設計サイドRTSノイズが発生しているかどうかを確認 → RTSノイズ低減をプロセスサイドへ要求 →
RTSノイズの小さなデバイスに変更 プロセスサイド
プロセス工程を変更し低ノイズプロセスへ、 Gate酸化膜の品質管理
ノイズの種類と発生原理~ノイズの色~
なぜノイズに色の名前が付いているのか?
– 可視光線のスペクトラムと周波数を対比して表現している。
August 23, 201010
可視光線の スペクトラム
– 熱雑音は全周波数に均等に含まれる=白色光はRGBのすべてが均等に含まれるこの由来から、熱雑音はホワイトと呼ばれる。
– 1/f2ノイズは、低い周波数でより強力なエネルギーをもつことからレッドと呼ばれる。
– 1/fノイズは、ホワイトとレッドの中間から、ピンクと呼ばれる。
波長=750nm 波長=450nm
低周波 高周波ノイズの周波数
ノイズの種類と発生原理~まとめ~
August 23, 201011
RTSノイズ 熱雑音ショット・ノイズ
1/f11/f2 1/f0
名称
傾き
1/fノイズ
RTSノイズは、低周波側で発生するとは限らない
ノイズとジッタ/位相ノイズとの関係
August 23, 201013
ノイズ
ディジタル・アプリケーション
ジッタ
アナログ・アプリケーション
位相ノイズ
ビットエラー率の低下
位相ノイズの低下=通信品質の
低下
タイムドメイン 周波数ドメイン
ノイズとジッタ/位相ノイズとの関係~位相ノイズ~
August 23, 201015
1/f3
1/f2
1/f
Flat
1/f
Flat
デバ
イス・
ノイズ
発振器
位相ノイ
ズL
(fm)
周波数
fm オフセット周波数
023log10)(
2
0
3
0 Nf
fN
f
fNfL
mm
m
Lesson’s Equation
f0
2
2
0
0 83
Q
ff
P
FkTN c
fc
2
var
2
2
0
0
2
82
m
vco
f
kkTR
Q
f
P
FkTN
0
0P
FkTN
位相ノイズとは、発振周波数の短期的ゆらぎ
1/fノイズ測定の重要性~測定の重要性~ジッタや発振器の位相ノイズを決定づける重要な特性。
August 23, 201017
32nm
28nm
25nm
23nm
20nm
18nm
16nm
14nm
13nm
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2004 2006 2008 2010 2012 2014
YEAR
Supply
Volt
age
[V
]
-50nm
-40nm
-30nm
-20nm
-10nm
0nm
10nm
20nm
30nm
40nm
50nm
Vdd@High Performance
Vdd@Low Performance
Process Technology
2005 ITRS(国際半導体技術ロードマップ)より1/fノイズ測定の要求が
高まる
微細化による低電圧化
信号振幅に低下によるS/N比劣化
ノイズレベル低減が必要
FETの1/fノイズ理論式~等価回路図~
August 23, 201022
ゲート電流によるショット
ノイズ
1/fノイズ
ドレイン電流によるショットノイズ
RSOURCEによる熱雑音
RLOADによる熱雑音
FETの1/fノイズ理論式~1/fノイズ理論式~
August 23, 201023
/Hz][A
11
1
4 2
2
2
LOADds
LOADni
Rr
fkTRvS
d
雑音電圧→雑音電流変換式
vn
BJTの1/fノイズ理論式~1/fノイズ理論式~
雑音電圧→ベース雑音電流変換式
vn
August 23, 201024
2
2
2
2
2
2
)(4
11
1
4
rrR
rRrg
rrR
rrRkTg
rR
kTRV
S
bbSOURCE
bbSOURCEm
bbSOURCE
bbSOURCEm
ceLOAD
LOADn
ib
1/fノイズ測定方法~測定原理図~
August 23, 201026
PreAMP
RSOURCE
RLOAD
Signal Analyzer
Sid
vn
1. バイアス源は低ノイズであること(電池レベル)
2. 適切なRSOURCE、RLOADが設定できること3. PreAMPは低ノイズ・高Gainであること4. 太線部の配線は短いこと → 長いと寄生容量によりロールオフが低域で発生
1/fノイズ測定方法~ロールオフ~
August 23, 201027
入力側寄生容量CIN
出力側寄生容量COUT
SOURCEIN
INoffrollRC
f
2
1|
LOADds
OUT
OUToffroll
Rr
C
f
11
12
1|
低い方でロールオフは決まる
-20dB/dec
1/fノイズ測定方法~測定ソリューション~
August 23, 201028
Agilent 4142B/4155/4156/B1500ADC Source/Monitor
Agilent 89410A/89600AVector Signal Analyzer
Agilent 35670ADynamic Signal Analyzer
Agilent E444xAPrecision Spectrum Analyzer
Agilent E5052BSignal Source Analyzer
Agilent Control Unit
Agilent Resistor Unit
Resistor / Filter
Pre-Amp Agilent 41800A
Active Probe
IEEE1394 (for 89600A)
GP-IB (for 89410A/35670A/E444xA/E5052B)
USB2.0Windows XP
DUT
1/fノイズ測定方法~低システムノイズ~
August 23, 201029
-200
-180
-160
-140
-120
-100
-80
-60
-40
-20
0
1.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06 1.E+07 1.E+08
No
ise
Vo
lta
ge
[d
BV
^2
/Hz]
Freq [Hz]
System Noise
-177dBV2/Hz
1E-25A2/Hz
100Ω熱雑音と等価
1/fノイズ測定方法~高品質ノイズ測定~
August 23, 201033
Results of E5052BResults of 89610A
DUT : NMOS
Bias : Id=1uA, 100uA, 10mA / Vds=1V
まとめ
ノイズの種類と発生原理
熱雑音、ショット・ノイズ、1/fノイズ、RTSノイズ、ノイズの色
ノイズとジッタ/位相ノイズとの関係
ジッタと位相ノイズの発生理論
1/fノイズ測定の重要性
電圧低下→S/N比劣化→1/fノイズの低減化→1/fノイズの測定が必要
FETの1/fノイズ理論式
Vn→Sid計算式
1/fノイズ測定方法
自前で測定システムを構築するためには、
① ノイズ理論の熟知
② 測定原理、測定器の原理の熟知
③ ハードウェア&ソフトウェア構築力
④ 経験
の十分なスキルが必要で、かなり困難。
信頼のおけるベンダーから提供されている測定ソリューションを選択される方が簡単で確実。(お客様の声:自作システムでは、測定のたびに結果が変わり、本当にデバイスのノイズを測定できているのか不安 )
August 23, 201036
1/fノイズ測定システムのご紹介
カタログhttp://jp.tm.agilent.com/tmo/eda/tdc/pdf/fnoise_intro_rev3.0.pdf
http://jp.tm.agilent.com/tmo/eda/tdc.shtml
測定システムを導入いただいたお客様の声旭化成エレクトロニクス様http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/5990-6037JAJP.pdf
お問合せ先 (EDA担当営業をご指名ください。)Phone: 0120-421-345 (9:00~18:00)Fax: 0120-421-678 (24時間受付)E-mail: [email protected] (24時間受付)
August 23, 201037