非线性 i-v 特性薄膜 ccto 研究
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非线性 I-V 特性薄膜 CCTO 研究. 学生：王开一 导师：肖谧. 基本电压敏功能 单元（ ZnO 为例）：. 晶界. ZnO 晶粒. ZnO 晶粒. 压敏特性曲线：. U. I. 双 肖特基势垒模型 （ DSB ）. -. +. 加电压前. 加电压后. 1. 低电场区. 外电压作用下，左右两侧 ZnO 晶粒的电子由于热激发射进入晶界，热激能为相应侧的势垒高度。 （热激发射：指电子在电场及环境温度的作用下获得热能，当获得的热能量达到一定值时电子可以越过晶界势垒到达晶粒表面的现象）. -. +. J R. J EM. J L. ZnO. - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
ZnO
I-VCCTO ZnOZnOZnO
IUDSB
+-1.ZnOZnOZnOJLJR+-JEMJ0 K, T 2 >>1JR