有机发光二极管 (OLED)专利态势

有机发光二极管 (OLED)专利态势

电学发明审查部2011.12

电学发明审查部2011.12

2

主 要 内 容主 要 内 容

专利运用管理分析

专利文献数据全球专利发展态势中国专利发展态势

主要申请人分析重点技术分析

产业发展状况

3

研发始于欧美；显示产业化集中在韩国、日本、中国大陆和台湾。

“863计划”中“高清晰度平板显示专项”《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南》《国务院关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定》

产业发展状况产业发展状况

大陆主要集中在长三角、珠三角以及京津地区。

《国家中长期科技发展规划纲要》《鼓励进口技术和产品目录（ 2011版）》《产业结构调整指导目录（ 2011年本）》

5 个 19 个 40 个 10 个

技术分解项目技术分解项目

中国总量： 10153 件 全球总量：70423 项

专利文献数据量专利文献数据量

6

区域分析.

技术构成分析

总量趋势分析

二

一

三

四 申请人分析

全球专利态势全球专利态势

7

全球专利态势全球专利态势

8

全球专利态势全球专利态势

专利年申请量总体呈快速增长态势，日本和美国前期专利布局较多，韩国增长最快

全球申请 99 ％在中国、日本、韩国、美国和欧洲

9

专利申请流向图

全球专利态势全球专利态势

美国市场最受全球申请人重视

美国和日本最重视中国市场

10

申请目的地申请量发展趋势全球专利态势全球专利态势

11

全球 OLED 各技术分支发展趋势全球专利态势全球专利态势

专利申请逐渐由上游专利向下游专利转移

12

全球 OLED 主要申请人排名全球专利态势全球专利态势

大型跨国企业申请量大，集中趋势明显

13

申请人 多边申请量 国别 起始

年度07 年比例

08 年比例

09 年比例 分支 主要流向国家

三星 3912 韩国 1996

12.1%

12.2%

10.5%

结构、封装、应用、工艺和设备 美国、日本、中国

半导体能源 2085 日本 1995

7.2% 6.7% 6.5% 结构、材料 美国、中国、韩国

精工爱普生 1849 日本 1996

9.9%11.7%

10.2%

结构、封装、应用、工艺和设备 美国、中国

LG 1184 韩国 1997

14.3%

12.2%

12.0%

封装、应用、工艺和设备 美国、中国、日本

索尼 897 日本 1995

17.3%

19.4%

10.8%

结构、封装 美国、中国、韩国

富士 701 日本 1995

10.1%

13.9%

12.3%

材料、应用 美国、中国、韩国

伊斯曼柯达 669 美国 1980

10.7%

4.8% 0.5% 材料、结构、应用 日本、中国、韩国

飞利浦 633 欧洲 1994

10.3%

9.4%11.2%

应用 中国、美国、日本

佳能 630 日本 1996

18.8%

16.1%

13.4%

结构、材料 美国、中国、韩国

出光兴产 507 日本 1988

15.8%

9.1% 6.5% 材料 美国、中国、韩国、欧洲

先锋 496 日本 1991

6.8% 4.4% 3.8% 材料、结构 美国、中国

友达光电 481 中国 1998

6.8% 3.6% 5.8% 结构 美国

夏普 465 日本 1991

10.8%

12.7%

15.8%

结构 美国、中国、韩国

松下 343 日本 1993

7.6%11.6%

18.6%

材料、 美国、中国

西门子（欧司朗） 306 欧洲 199

614.8%

14.2%

7.4% 应用 美国、日本、中国

松下、夏普、索尼、佳能等申请人保持高度活跃

全球专利态势全球专利态势

综合技术实力居前企业有三星、精工爱普生和 LG

14

技术构成分析.

申请人分析

总体趋势分析

二

一

三

四 区域分析

中国专利态势中国专利态势

15

国内外申请人发明申请量发展趋势

中国专利态势中国专利态势

总体申请发展迅速，中国申请发展稳定

16

OLED 专利申请量构成

类 型国内 国外 合计

申请 授权 有效 申请 授权 有效 申请 授权 有效发明专利量 2758 1228 1088 7061 3394 3303 9819 4622 4391

发明构成 28.1% 26.6% 24.8% 71.9%73.4%

75.2%

实用新型专利量 322 322 244 12 12 2 334 334 246

实用新型构成 96.4% 96.4% 99.2% 3.6% 3.6% 0.8%

专利总量 3080 1550 1332 7073 3406 3305 10153 4956 4637

专利构成 30.3% 31.3% 28.7% 69.7%68.7%

71.3%

中国专利态势中国专利态势

17

各国在中国申请量发展趋势

中国专利态势中国专利态势

日韩申请人重视在中国的专利布局

18

各技术分支申请量发展趋势

中国专利态势中国专利态势

各技术分支总体稳定

中国材料技术分支申请近期发展较快

19

材料技术点申请量发展趋势

中国专利态势中国专利态势

发光层材料属于技术热点之一

结构（ 2629 ）

基板结构（ 955 ）

光学辅助层结构（ 697 ）

增强色纯结构 （ 185 ）

增强亮度结构（ 229 ）

增强对比度结构 （ 58 ）

黑矩阵(58)

偏振结构 (40)

颜色转化层 （ 6

8 ）滤光层 （ 128 ）

精工爱普生；三洋；

三星

出光兴产富士电机铼宝科技

三星；松下；精工

爱普生

半导体能源；三星；

LG

三星；友达光电；

LG

索尼；三星；精工

爱普生

光散射层 （ 30 ）

光增强层 （ 130)

……

2011年度专利分析普及推广项目 21

中国大陆申请量集中区域图

济南北京天津

合肥

福州

江苏

南宁

贵阳

昆明

武汉重庆

兰州

银川

呼和浩特

西宁

上海

乌鲁木齐

太原

北京

沈阳吉林

广东

四川

陕西

申请量排名北京上海广东江苏吉林四川陕西

中国专利态势中国专利态势

22

中国专利申请 OLED 主要申请人中国专利态势中国专利态势

大型跨国企业在中国具有量、质优势

23

中国专利申请中国内申请人排名

中国专利态势中国专利态势

中国台湾地区企业具有产业优势

国内科研机构具有相当技术实力

24

战略研究 --- 韩国三星.

布局研究 --- 日本出光兴产

申请人主体是企业，是技术发展的主要推动力量。

研究主要申请人，学习其发展规律和成功经验。

主要申请人主要申请人

25

韩国三星 -- 全球专利申请

0

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009

工艺设备

应用

封装

结构

材料

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009

总趋势

全球布局各领域均衡发展

主要市场以美国、中国、日本为重点区域

技术面广，产业链齐全 1999年2000年2001年2002年2003年2004年2005年2006年2007年2008年2009年2010年

中国

日本

韩国

美国

欧洲

主要申请人主要申请人

26

韩国三星 -- 中国专利申请中国布局量大面广 技术方面以材料和结构为重

2001年 2002年 2003年 2004年 2005年 2006年 2007年 2008年 2009年 2010年

发光层材料

有机辅助层材料小分子荧光材料高分子荧光材料磷光材料

2001年2002年2003年2004年2005年2006年2007年2008年2009年2010年

基板结构电极结构发光层结构有机辅助层结构光学辅助层结构

主要申请人主要申请人

27

主要申请人主要申请人——韩国三星韩国三星

现有产业转移

进行全球合作

全领域开发生产

战略布局完善

发展竞争战略发展竞争战略

主要申请人主要申请人

28

日本出光兴产 -- 全球专利申请

0

20

40

60

80

100

120

140

160

1989

1990

1991

1992

1993

1994

1995

1996

1997

1998

1999

2000

2001

2002

2003

2004

2005

2006

2007

2008

2009

总趋势

0

50

100

150

200

材料 结构 封装 应用 工艺设备

全球布局：合作优先

本土为重，主要市场美国、中国、日本、欧洲均衡布局

技术优势主要在材料技术

1994年 1995年 1996年 1997年 1998年 1999年 2000年 2001年 2002年 2003年 2004年 2005年 2006年 2007年 2008年 2009年 2010年

中国

日本

韩国

美国

欧洲

主要申请人主要申请人

29

日本出光兴产 -- 中国专利申请

中国布局总量不大

近五年数量逐年下降

技术布局主要为材料技术，近年材料比例增大 1998年1999年2000年2001年2002年2003年2004年2005年2006年2007年2008年2009年2010年

电极材料

发光层材料

有机辅助层材料

小分子荧光材料

高分子荧光材料

磷光材料

0

10

20

30

40

50

60

70

1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011

工艺和设备

应用

封装

结构

材料

主要申请人主要申请人

30

主要申请人主要申请人——日本出光兴产日本出光兴产

索尼 (2005年 )

东芝 (2008年 )

松下 (2011年 )

UDC(2006年 )

GOT(2011年 )

出光兴产 LG(2009年 )

主要申请人主要申请人

31

关键技术研究内容.

重点技术 - 多晶硅 TFT

前沿技术 - 氧化物 TFT

关键技术突破是技术进步、行业发展的必经之路。

研究关键技术，有助于业内企业明晰技术发展方向。

关键技术关键技术

关键技术关键技术

33

技术的专利现状

TFT 技术申请量分布

关键技术关键技术

TFT 申请量构成

0

50

100

150

200

250

300

350

2000年

2001年

2002年

2003年

2004年

2005年

2006年

2007年

2008年

2009年

年份

专利申请量（

项）

氧化物

OTFT

P- Si

a- Si

TFT 技术中日本申请量和质均居领先地位。

多晶硅技术为量产热点技术，氧化物技术为前沿技术。

34

四种 TFT 主要申请人分布

序号a-Si P-Si OTFT 氧化物

申请人 国别 申请人 国别 申请人 国别 申请人 国别

1 三星 韩国 三星 韩国 三星 韩国 半导体能源 日本

2 夏普 日本 精工爱普生 日本 柯尼卡 日本 三星 韩国

3 LG 韩国 夏普 日本 理光 日本 精工爱普生 日本

4 精工爱普生 日本 索尼 日本 精工爱普生 日本 夏普 日本

5 索尼 日本 日立显示器 日本 住友化学 日本 LG 韩国

关键技术关键技术

主要 TFT 技术申请量日韩企业占领先地位

35

热点技术 -- 多晶硅 TFT 技术主要涉及方向

多晶硅的形成方法

与有源层配套的部

件结构

多晶硅有源层性能

的改进

关键技术关键技术

中国专利申请集中于多晶硅有源层的形成工艺和方法。

国外专利申请广泛，涉及多晶硅形成方法、性能的改善以及适用结构。

如 CN102082098A ；KR100721957B1 ；

US7524728B2 等

如 CN102082098A ；KR100721957B1 ；

US7524728B2 等

如 JP3894441B2;CN1941298A;

CN101131964A 等

如 JP3894441B2;CN1941298A;

CN101131964A 等

例如US7297980B2;

KR20110053041A;EP1939933A3 等

例如US7297980B2;

KR20110053041A;EP1939933A3 等

36

前沿技术 -- 氧化物 TFT 技术主要涉及方向

关键技术关键技术

国内外研发方向一致：氧化物有源层材料的开发或形成有源层的方法。

有源层材料

有源层配套的部件

氧化物形成方法

如 CN101615582A ；US7804231B2 等如 CN101615582A ；US7804231B2 等

如 CN102064109A;JP2010278412A 等如 CN102064109A;JP2010278412A 等

如 CN101488459A;US8017513B 等如 CN101488459A;

US8017513B 等

37

从多晶硅 TFT 专利技术来看，国外的申请人研发方向具有前瞻性。

从氧化物 TFT 专利技术来看，国外的产学研结合较为紧密。

关键技术关键技术

专利运用管理分析专利运用管理分析

专利引进 交叉许可 专利诉讼

丰田、昭和电工、摩托

罗拉等

三洋电机、 Tohoku Device 、富士、日本精机、 Rohm、 Denso、 OPTEX 、

Emagin、 LiteArray 、永信、奇美、联宗光电、东元激光、光磊、统宝、信利国际、

精电国际等

爱普生、大日本印刷、住友化学、翰立光电、陶氏化学、西门子、 Bayer、 Covion 、 Eastgate Technology、Micormissive Display 等

合作生产

39

专利合作 交叉许可

专利引进

合作生产

专利运用管理分析专利运用管理分析

40