ch.3 the structure of crystalline solids-v.student
DESCRIPTION
MaterialsTRANSCRIPT
01006011 วสดวศวกรรม (Engineering Materials)
ดร. จตราภรณ วงศางาม สาขาวชาวศวกรรมเครองกล คณะวศวกรรมศาสตร
สถาบนเทคโนโลยพระจอมเกลาเจาคณทหารลาดกระบง
Introduction
องคประกอบในวสดศาสตรและวศวกรรมวสด
โครงสราง Structure
สมบต Properties
- ทางกล - ทางไฟฟา - ทางความรอน - ทางแมเหลก - ทางแสง - ทางการเสอมสภาพ
กระบวนการผลต
Processing
สมรรถนะ Performance
2
Introduction
ท าไมตองศกษาวสดศาสตรและวศวกรรมวสด ? เพอเลอกใชวสดใหเหมาะสมกบงานทวศวกรไดออกแบบไว
กระบวนการเลอกใชวสด 1. ระบเงอนไขการใชงาน 2. ศกษาเงอนไขการเสอมสภาพของวสด และสภาพแวดลอมทใชงาน 3. เงอนไขทางดานเศรษฐศาสตร
3
4
Introduction
ชนดวสดวศวกรรม
โลหะ
วสดอเลคทรอนกส วสดฉลาด
พอลเมอร
วสดผสม
เซรามก
วสดชวภาพ
The Structure of
Crystalline Solids
01006011 Engineering Materials: Course Title
Dr. Jittraporn Wongsa-Ngam: Lecturer
ประเภทของวสด
วสดทมสถานะเปนของแขงสามารถแบงออกไดตามการจดเรยงตวของอะตอม
1. Crystalline materials คอ วสดทอะตอมมการจดเรยงตวอยางเปนระเบยบ มแบบแผนซ าๆกน จะเรยกวา ม โครงสรางผลก (crystal structure) ตวอยางเชน โลหะ เซรามกส และพอลเมอรบางประเภท
2. Noncrystalline materials คอ วสดทอะตอมมการจดเรยงตวอยางไมเปนระเบยบ เนองจากการเยนตวไมเหมาะสม เชน เกดจากการลดอณหภมลงอยางรวดเรว ท าใหโครงสรางทไดไมเปนผลก (noncrystalline) หรอ บางครงเรยกวา อสนฐาน (amorphous)
6
โครงสรางผลก (Crystal Structure)
• แลตทซ (Lattice) ใชแสดงการเรยงตวของอะตอมในผลกของแขงโดยจดตดของเสนโครงขายใน 3 มตแสดงถงต าแหนงอะตอม ซงแตละจดจะถกลอมรอบดวยจดอนๆทมลกษณะทเหมอนๆกน
• หนวยเซลล (Unit Cell) คอหนวยยอยทอยในแลตทซของโครงสรางผลกซงแสดงลกษณะเฉพาะของโครงสรางแลตทซ
7
Fig. 3.4, Callister 7e.
ระบบผลก (Crystal Systems)
ขนาดและรปรางของหนวยเซลลสามารถ ระบไดดวย Lattice parameter ซงประกอบ ดวยตวแปร 6 ตว ไดแก
– ความยาวของดาน a, b และ c
– มมระหวางดานแตละดาน (a, b, and g)
8
ระบบผลก (Crystal Systems) (2)
ระบบผลกม 7 ระบบ 1. Cubic 2. Hexagonal 3. Tetragonal 4. Rhombohedral 5. Orthorhombic 6. Monoclinic 7. Triclinic
9
บราเวสแลตทซ (Bravais Lattices)
Auguste Bravais (1811-1863) นกผลกวทยาชาวฝรงเศส ไดเสนอการจดต าแหนงของ จดแลตทซแบบสามมตในหนวยเซล (unit cell) พนฐานทง 7 แบบไว 4 ประเภท คอ Simple, Body-centered, Face-centered และ Base-centered ท าใหเกดหนวยเซลล แบบตางๆ 14 แบบ หรอทเรยกวา แลตทซบราเวส (Bravais lattice) หรอ หนวยเซลล มาตรฐาน (Standard unit cells)
10
บราเวสแลตทซ (Bravais Lattices) (2)
บราเวสแลตทซ (Bravais lattices)
14 แบบ
11
แบบจ าลองหนวยเซลล (Unit Cell Model)
หนวยเซลลแบบ Hard sphere
หนวยเซลลแบบ Reduced sphere
12
โครงสรางผลกแบบ Simple Cubic (SC) โครงสรางผลกแบบ Body Centered Cubic (BCC) โครงสรางผลกแบบ Face Centered Cubic (FCC) โครงสรางผลกแบบ Hexagonal Close-Packed (HCP)
โครงสรางผลกของโลหะ (Metallic Crystal Structures)
BCC FCC HCP
13
SC
90 % ของโลหะ
คณลกษณะของโครงสรางผลก (Characteristics of a crystal structure)
เลขโคออรดเนชน (Coordination number)
แสดงถงจ านวนของอะตอมใกลเคยงหรออะตอมทสมผสกบอะตอมทพจารณาอย
อะตอมมกแพกกงแฟกเตอร ( Atomic packing factor, APF)
แสดงถงสดสวนของปรมาตรของอะตอมในหนวยเซลลตอปรมาตรของหนวยเซลล
APF = Volume of atoms in unit cell*
Volume of unit cell
*assume hard spheres
14
โครงสรางผลกแบบ Simple Cubic (SC)
Coordination number = ____
- หายากเพราะการอดตวของอะตอมต า (ธาตเพยงชนดเดยวทมโครงสรางนคอ Polonium,Po) - Close-packed directions อยในทศเดยวกบขอบของลกบาศก
15
โครงสรางผลกแบบ Simple Cubic (SC) (2)
จ ำนวนอะตอมในหนงหนวยเซลล = ………………………………
ควำมสมพนธระหวำง a และ R คอ ………………………………
หมำยเหต:
a คอคำคงตวแลตทซ หรอ ควำมยำวของunit cell
R คอรศมอะตอม
APF = ……. for SC
16
APF = Volume of atoms in unit cell
Volume of unit cell
โครงสรางผลกแบบ Face Centered Cubic (FCC)
17
หมายเหต: อะตอมทกอะตอมทอยในโครงสรางผลกจะเหมอนกนทกประการ แตอะตอมทเปน face-centered อะตอมถกท าใหมสตางจากอะตอมอนๆ เพอใหงายตอการมองเหน
Coordination number = ____
18
โครงสรางผลกแบบ Face Centered Cubic (FCC) (2)
จ ำนวนอะตอมในหนงหนวยเซลล = ……………………………………
ควำมสมพนธระหวำง a และ R คอ ………………………………
APF = ……… for FCC
Closed packed direction
จะอยท face diagonals
APF = Volume of atoms in unit cell
Volume of unit cell
19
โครงสรางผลกแบบ Body Centered Cubic (BCC)
หมายเหต: อะตอมทกอะตอมทอยในโครงสรางผลกจะเหมอนกนทกประการ แตอะตอม ทเปน body-centered อะตอมถกท าใหมสตางจากอะตอมอนๆ เพอใหงายตอการมองเหน
Coordination number = ____
20
โครงสรางผลกแบบ Body Centered Cubic (BCC) (2)
aR
จ ำนวนอะตอมในหนงหนวยเซลล = ……………………………………
ควำมสมพนธระหวำง a และ R คอ ………………………………
APF = …….. for BCC
APF = Volume of atoms in unit cell
Volume of unit cell
21
โครงสรางผลกแบบ Hexagonal Close-Packed (HCP)
Coordination number = ____
22
โครงสรางผลกแบบ Hexagonal Close-Packed (HCP) (2)
จ ำนวนอะตอมในหนงหนวยเซลล = ……………………………………………………
ควำมสมพนธระหวำง a และ R คอ ………………………………
APF = Volume of atoms in unit cell
Volume of unit cell
23
โครงสรางผลกแบบ Hexagonal Close-Packed (HCP) (3)
กรณ ideal HCP crystal อตราสวน c/a = 1.633
พนทรปสามเหลยม ABC = 1
2× ฐาน × สง
= 1
2a a sin 60° =
1
2𝑎2 sin 60°
ปรมาตรหนวยเซลลของ HCP = 6(1
2𝑎2 sin 60°) × 𝑐 = 3𝑎2 sin 60° (1.633𝑎)
APF = 0.74 for ideal HCP
น าคาตางๆไปแทนในสมการหาคา APF จะได
24
โครงสรางผลก ความสมพนธของ a กบ R
จ านวนอะตอมในหนวยเซลล
Coordination number
APF
SC
𝑎 = 2𝑅 1 6 0.52
BCC
𝑎 = 4𝑅/ 3 2 8 0.68
FCC
𝑎 = 4𝑅/ 2 4 12 0.74
HCP
𝑎 = 2𝑅 𝑐 = 1.633𝑎
6 12 0.74
ตารางสรปโครงสรางผลกของโลหะ
25
โครงสรางผลกแบบโคลสแพก (Close-packed crystal structures)
โครงสรางผลกแบบ FCC • Closed packed direction จะอยท face diagonals • ล าดบการจดเรยงอะตอมเปนแบบ ABCABC…
ภาพ 3 มต ภาพ 2 มต
26
โครงสรางผลกแบบโคลสแพก (Close-packed crystal structures) (2)
โครงสรางผลกแบบ HCP
A sites
B sites
A sites
• ล าดบการจดเรยงอะตอมเปนแบบ ABAB…
27
ทศทางในผลก (Crystallographic directions) ใน cubic
ผลกแบบควบก
x
y
z
ขนการหาดรรณทศทางของ cubic
1. หาโคออดเนทของ 2 จดทอยในทศทางทก าหนด
2. หวลกศร – หางลกศร
3. ท าใหเปนเลขจ านวนเตมลงตวนอยๆ
4. ใสใน [ ] และไมมจลภาค ( , ) กน
5. ถาตดลบใหใส ขดเสนไวเหนอตวเลขนน
28
ทศทางในผลก (Crystallographic directions) ใน cubic (2)
ตวอยาง 1
หว - หาง: (1/4, 1/2, 1/2) - (3/4, 0, 1/4) = (-2/4, 1/2, 1/4) จ านวนเตม: (-2, 2, 1) ดรรชนทศทาง: [2 2 1]
x
y
z
(1/4, 1/2, 1/2) (3/4, 0, 1/4)
ผลกแบบควบก
29
ทศทางในผลก (Crystallographic directions) ใน cubic (3)
ตวอยาง 2
หว - หาง: (1, 0, 1/3) - (1, 0, 1/2) = (-1, 1, -1/6) จ านวนเตม: (-6, 6, -1) ดรรชนทศทาง: [6 6 1]
x
y
z
(0, 1, 1/3) (1, 0, 1/2)
ผลกแบบควบก
30
ทศทางในผลก (Crystallographic directions) ใน cubic (4)
แบบฝกหด 1
ผลกแบบควบก
31
ทศทางในผลก (Crystallographic directions) ใน cubic (5)
แบบฝกหด 2
ผลกแบบควบก
32
ทศทางในผลก (Crystallographic directions) ใน cubic (6)
แบบฝกหด 3
ผลกแบบควบก
33
ระนาบในผลก (Crystallographic planes) ใน cubic
ผลกแบบควบก
x
y
z
1. ระนาบตองไมผานจด (0,0,0)
2. หาจดตดแกน x, y, z
3. ท าจดตดใหเปนสวนกลบ (1/x 1/y 1/z)
4. ท าใหผลหารเปนเลขจ านวนเตมทลงตวนอยๆ
5. ใสใน ( ) โดยไมมจลภาค ( , ) กน
6. ถาตดลบใหใสขดเสนไวเหนอตวเลขนน
ขนการหาดรรณมลเลอรของ cubic
34
ระนาบในผลก (Crystallographic planes) ใน cubic
ผลกแบบควบก
x
y
z ตวอยาง 1
หาจดตดแกน = (1, , ) สวนกลบ = (1, 1/, 1/) ดรรชนมลเลอร = (1 0 0)
35
ตวอยาง 2
x
y
z
ระนาบในผลก (Crystallographic planes) ใน cubic (2)
ผลกแบบควบก
หาจดตดแกน = (1, 1, 1) สวนกลบ = (1, 1, 1) ดรรชนมลเลอร = (1 1 1)
36
ตวอยาง 3
ระนาบในผลก (Crystallographic planes) ใน cubic (3)
ผลกแบบควบก
x
y
z
1/3
2/3
หาจดตดแกน = (1/3, 2/3, 1) สวนกลบ = (3, 3/2, 1) ดรรชนมลเลอร = (6 3 2)
แบบฝกหด 1
ระนาบในผลก (Crystallographic planes) ใน cubic (4)
ผลกแบบควบก
แบบฝกหด 2
ระนาบในผลก (Crystallographic planes) ใน cubic (5)
ผลกแบบควบก
แบบฝกหด 3
ระนาบในผลก (Crystallographic planes) ใน cubic (6)
ผลกแบบควบก
40
การจดเรยงตวของอะตอม (Atomic Arrangement)
• ทศทางทมตวเลขเหมอนกนโดยไมค านงถงเครองหมาย + - และล าดบ
จะจดอยในแฟมลเดยวกน เชน
[100], [100],[001],[001], [010],[010] จดอยใน Family <100>
• ระนาบทมตวเลขเหมอนกนโดยไมค านงถงเครองหมาย + - และล าดบ
จะจดอยในแฟมลเดยวกน เชน
(123),(321),(213),(132) เปนตน จดอยใน Family {123}
แฟมล (Family): for Cubic
41
ระยะหางระหวางระนาบ (Interplanar Spacing)
ระนาบทขนานกน ม Miller Index เหมอนกน
(110) plane 1
(110) plane 2
(110) plane 3
d110
d110
a
a
ระยะหางระหวางระนาบ
dhkl = a/(h2+k2+l2)1/2
Miller indices Lattice constant
42
ทศทางในผลก (Crystallographic directions) ใน hexagonal
ผลกแบบเฮกซะโกนอล
u'
v' w'
• directional indices denoted by 4 digits [u v t w] where t = -(u+v) • conversion from 3 index system to 4 index system [u’, v’, w’] --> [ u v t w] where u = 1/3 (2u' - v'), v = 1/3 (2v' - u'),
t = -(u + v), w = w'
43
ทศทางในผลก (Crystallographic directions) ใน hexagonal (2)
ผลกแบบเฮกซะโกนอล
ตวอยาง
ทศทางในผลก (Crystallographic directions) ใน hexagonal (3)
ผลกแบบเฮกซะโกนอล
แบบฝกหด 1
ทศทางในผลก (Crystallographic directions) ใน hexagonal (4)
ผลกแบบเฮกซะโกนอล
แบบฝกหด 2
ทศทางในผลก (Crystallographic directions) ใน hexagonal (5)
ผลกแบบเฮกซะโกนอล
แบบฝกหด 3
ทศทางในผลก (Crystallographic directions) ใน hexagonal (6)
ผลกแบบเฮกซะโกนอล
แบบฝกหด 4
48
ระนาบในผลก (Crystallographic planes) ใน hexagonal
1. ระนาบตองไมผานจด (0,0,0,0)
2. หาจดตดแกน a1, a2, a3, z
3. ท าจดตดใหเปนสวนกลบ (1/a1 1/a2 1/a3 1/z)
4. ท าใหผลหารเปนเลขจ านวนเตมทลงตวนอยๆ
5. ใสใน ( ) โดยไมมจลภาค ( , ) กน
6. ถาตดลบใหใสขดเสนไวเหนอตวเลขนน
ขนการหาดรรณมลเลอรของ hexagonal
ผลกแบบเฮกซะโกนอล
49
ระนาบในผลก (Crystallographic planes) ใน hexagonal (2)
ผลกแบบเฮกซะโกนอล
ตวอยาง
ระนาบในผลก (Crystallographic planes) ใน hexagonal (3)
ผลกแบบเฮกซะโกนอล
แบบฝกหด 1
ระนาบในผลก (Crystallographic planes) ใน hexagonal (4)
ผลกแบบเฮกซะโกนอล
แบบฝกหด 2
ระนาบในผลก (Crystallographic planes) ใน hexagonal (5)
ผลกแบบเฮกซะโกนอล
แบบฝกหด 3
ระนาบในผลก (Crystallographic planes) ใน hexagonal (6)
ผลกแบบเฮกซะโกนอล
แบบฝกหด 4
54
ความหนาแนนอะตอม (Atomic density)
ควำมหนำแนนเชงปรมำตร (Volume density)
ควำมหนำแนนเชงระนำบ (Planar atomic density)
ควำมหนำแนนเชงเสน (Linear atomic density)
55
• crystal structure = FCC: 4 atoms/unit cell
• atomic weight = 63.55 g/mol
• atomic radius R = 0.128 nm
ความหนาแนนเชงปรมาตร (Volume density)
ตวอยาง: ค านวณคาความหนาแนนของทองแดง
V c = a 3 ; For FCC, a = 4R/ 2 ; V c = 4.75 x 10 -23 cm 3
Result: theoretical r Cu = 8.89 g/cm 3
Compare to actual: r Cu = 8.94 g/cm 3
56
Element Aluminum Argon Barium Beryllium Boron Bromine Cadmium Calcium Carbon Cesium Chlorine Chromium Cobalt Copper Flourine Gallium Germanium Gold Helium Hydrogen
Symbol Al Ar Ba Be B Br Cd Ca C Cs Cl Cr Co Cu F Ga Ge Au He H
At. Weight (amu) 26.98 39.95 137.33 9.012 10.81 79.90 112.41 40.08 12.011 132.91 35.45 52.00 58.93 63.55 19.00 69.72 72.59 196.97 4.003 1.008
Atomic radius (nm) 0.143 ------ 0.217 0.114 ------ ------ 0.149 0.197 0.071 0.265 ------ 0.125 0.125 0.128 ------ 0.122 0.122 0.144 ------ ------
Density
(g/cm3) 2.71 ------ 3.5 1.85 2.34 ------ 8.65 1.55 2.25 1.87 ------ 7.19 8.9 8.94 ------ 5.90 5.32 19.32 ------ ------
สมบตบางประการของธาตบางชนดทอณหภม 20 °C
57
Why? Metals have... • close-packing
(metallic bonding)
• large atomic mass
Ceramics have... • less dense packing
(covalent bonding)
• often lighter elements
Polymers have... • poor packing
(often amorphous)
• lighter elements (C,H,O)
Composites have... • intermediate values
ความหนาแนนของวสดแตละประเภท
58
ความหนาแนนอะตอมเชงระนาบ (Planar atomic density)
rp = จ านวนอะตอมซงมระนาบทก าหนดผานแกนกลาง พนทของระนาบ
FCC ระนาบ (plane) : (110)
จ านวนอะตอมทระนาบผานกลาง = ………………
ตวอยาง
พนทระนาบ = กวาง x ยาว = … … … … … … … … … 𝜌𝑃 =
59
ตวอยาง ความหนาแนนอะตอมเชงระนาบของโครงสราง BCC
ความหนาแนนอะตอมเชงระนาบ (Planar atomic density) (2)
จ านวนอะตอมทระนาบผานกลาง = พนทระนาบ = กวาง x ยาว = … … … … … … …
For BCC: 4𝑅 = 𝑎 3
𝜌𝑃 =
60
ความหนาแนนอะตอมเชงเสน (Linear atomic density)
rl = จ านวนเสนผาศนยกลางของอะตอมซงถก vector ของทศทางตดผาน ความยาวของ vector
FCC direction : (110)
rl = ……………………………..(atom/length)
ตวอยาง
61
ความหนาแนนอะตอมเชงเสน (Linear atomic density) (2)
ตวอยาง ความหนาแนนอะตอมเชงเสนของโครงสราง BCC
rl = …………………………..(atom/length)
62
Crystalline and Noncrystalline Materials
Single Crystals
- มการจดเรยงตวของอะตอมในผลกอยางเปนระเบยบ สมบรณทวทงชนงาน - หนวยเซลลทกหนวยจะเรยงตวไปในทางเดยวกน - ไมมขอบเขตเกรน - มอยตามธรรมชาต และสรางขนได - ผวเรยบเหมอนอญมณ - มการน าไปใชในเทคโนโลยเกยวกบวงจรขนาดเลก - สมบตเปลยนแปลงไปตามทศทาง ซงเรยกวา anisotropic ตวอยางเชน คาอลาสตกโมดลส (E) ในเหลกทมโครงสราง ผลกแบบ BCC
63
Crystalline and Noncrystalline Materials
Polycrystalline Materials
รปแสดงขนตอนการแขงตวของวสดหลายผลก
- ประกอบดวยผลกขนาดเลก (เกรน) หลายผลก - ขนตอนการแขงตว 1) เกดนวเคลยสขนาดเลกทจดตางๆ มการ เรยงตวไมแนนอน 2) นวเคลยสโตขนจากอะตอมในของเหลว รวมตวกนเปนเกรน 3) การแขงตวสมบรณเมอเกรนโตชนกนและ ไมมของเหลวเหลออย - การเรยงตวของผลกแตกตางกนในแตละเกรน - รอยตอแตละเกรนจะไมเรยงตวตอเนอง เรยกวา ขอบเกรน (grain boundary)
64
Crystalline and Noncrystalline Materials
Polycrystalline Materials (2)
- สมบตของวสดหลายผลกอาจขนหรอไมขน กบทศทาง - ถาเกรนมการเรยงตวแบบอสระ (random) สมบตของวสดจะไมขนกบทศทางซงเรยกวา isotropic - ถาเกรนมลกษณะพนผวเฉพาะ หรอเรยกวา ม texture วสดนนจะมสมบตขนกบทศทาง หรอ เรยกวา anisotropic
Random, isotropic
Texture, Anisotropic
65
Crystalline and Noncrystalline Materials
Noncrystalline solid
- ไมมการเรยงตวอยางเปนระเบยบของอะตอมในระยะยาว - บางครงเรยกวา อสนฐาน (amorphous) ทแปลวา ไมมแบบแผน - บางครงเรยกวา ของแขงเยนยงยวด (supercooled solid) - เกดไดงายเมอการเยนตวผานอณหภมแขงตวเปนไปอยาง รวดเรว ท าใหมเวลาไมพอในการจดเรยงตวใหเปนระเบยบ
แกวซลกอนไดออกไซด (SiO2) แบบมผลก
แกวซลกอนไดออกไซด (SiO2) แบบไมมผลก
66
ภาวะพหสณฐานหรอการมอญรป (Polymorphism/ Allotropy)
สภาพอนยรป: การทอะตอมของธาตชนดเดยวกนสามารถมโครงสรางผลกไดหลายแบบ
ตวอยาง: Iron wire
67
การวเคราะหโครงสรางผลก (Crystal Structural Analysis)
X-Ray Diffraction (XRD): diffraction technique
- XRD เปนเทคนคทใชตรวจสอบโครงสรางผลกโดยใชรงส X-Ray - รงส X-Ray เปนคลนแมเหลกไฟฟา (electromagnetic) ชนดหนงทมความยาวคลน ใกลเคยงกบระยะหางระหวางระนาบของอะตอม
หลกการและวธวเคราะห เมอใหล าแสงของ X-Ray ซงมความยาวคลนเทากบระยะหางระหวางระนาบของอะตอม ในผลกผานเขาไปในผลกของแขง X-Rays จะชนเขากบอะตอมทเปนองคประกอบของ ผลก แลวท าให X-Rays นนเกดการเลยวเบนขน มความเขมตางๆกน และมมมตางๆกน ซงสามารถน าขอมลเหลานไปใชในการวเคราะหโครงสรางของผลกได
68
การวเคราะหโครงสรางผลก (Crystal Structural Analysis)
Bragg’s Law
222hkllkh
ad
222 lkh
sina2
n = 2dhkl sin
= 2dhkl sin
For first order diffraction , n =1
For cubic symmetry
ใน ค.ศ. 1912 Bragg ไดเสนอวาเมอรงสเอกซตกกระทบระนาบอะตอมในผลกดวยมม รงสเอกซบางสวนจะเกดสะทอนกลบดวยมม ซงมความสมพนธดงน
d = interplanar spacing ทระนาบทมดรรชน (h k l)
a = lattice parameter
69
การวเคราะหโครงสรางผลก (Crystal Structural Analysis)
ขอมลทวดไดจากเครอง XRD คอ 1. คาความเขมแสง 2. คามมdiffraction angle, 2
70
การวเคราะหโครงสรางผลก (Crystal Structural Analysis)
ตวอยางของขอมลทไดจากเครอง XRD
71
กฎเกณฑในการระบโครงสรางผลกจาก Miller indices
Bravais lattice Reflections present Reflections absent
BCC (h+k+l) = even (h+k+l) = odd
FCC (h,k,l) all odd (h,k,l) NOT all odd
or all even or all even
72
Miller Indices ของแลตทซแบบ BCC และ FCC
Cubic h2+k2+l2 S(h2+k2+l2) Cubic diffraction
planes planes {hkl}
{hkl} FCC BCC
{100} 12+02+02 1
{110} 12+12+02 2 … 110
{111} 12+12+12 3 111
{200} 22+02+02 4 200 200
{210} 22+12+02 5
{211} 22+12+12 6 … 211
… 7
{220} 22+22+02 8 220 220
{221} 22+22+12 9
{310} 32+12+02 10 … 310
73
การประยกตใช
222 lkh
sina2
ยกก าลงสองสมการ เพอหาคา 𝑠𝑖𝑛2𝜃 จะไดเปน
𝑠𝑖𝑛2𝜃 =2(ℎ2 + 𝑘2 + 𝑙2)
4𝑎2
𝑠𝑖𝑛2𝜃𝐴
𝑠𝑖𝑛2𝜃𝐵=
74
การประยกตใช
Sin2 A = 12 + 12 + 02
Sin2 B 22 + 02 + 02
= 0.5 BCC
Sin2 A = 12 + 12 + 12
Sin2 B 22 + 02 + 02
= 0.75 FCC
FCC: {111} และ {200}
BCC: {110} และ {200}
75
ตวอยางค านวณ
ธาตชนดหนงจะมโครงสรางเปน BCC หรอ FCC โดยทน าไปวเคราะหดวยเทคนคทาง X-ray diffraction เมอใช X-ray ทมความยาวคลน 0.154 nm จะปรากฎวาม peaks ของ X-ray ทเลยวเบนเกดขนทมม 2 ท 40, 58, 73, 86.8, 100.4 และ 114.7 (ก) จงหาวาธาตนมโครงสรางอะไร (ข) จงหาคา lattice constant ของธาตน
76
2* sin sin2 40 20 0.3420 0.1170
58 29 0.4848 0.2350
73 36.5 0.5948 0.3538
86.8 43.4 0.6871 0.4721
100.4 50.2 0.7683 0.5903
114.7 57.35 0.8420 0.7089
(ก) หาคา 𝑠𝑖𝑛2𝜃 จากขอมลทก าหนดมม 2 ดงตารางดานลาง
77
ขนตอนตอไปหาอตราสวนของ 𝑠𝑖𝑛2𝜃 จากคาแรกและคาทสองจะได
𝑠𝑖𝑛2𝜃𝐴
𝑠𝑖𝑛2𝜃𝐵=
0.1170
0.2350= 0.4998 ≈ 0.5
แสดงวาโครงสรางของผลกของธาตนเปน BCC เพราะอตราสวนไดประมาณ 0.5 แตถาได 0.75 กจะเปน FCC
78
(ข) หาคา lattice constant โดยจดสมการ 𝑠𝑖𝑛2𝜃 =2(ℎ2+𝑘2+𝑙2)
4𝑎2 ใหม
แทนคา h = 1, k =1, l = 1 โดยทราบแลววาโครงสรางของผลกเปน BCC planeทเลยวเบนแรกจงเปน {110} ซงจะมคา 𝑠𝑖𝑛2𝜃 = 0.1170 และคา = 0.154 nm ดงนน
𝑎 =
2
ℎ2 + 𝑘2 + 𝑙2
𝑠𝑖𝑛2𝜃
a = 0.318 nm
79
การวเคราะหโครงสรางผลก (Crystal Structural Analysis)
X-Ray Diffraction: Determination of Crystal Structures ตวอยาง: ใช X-rays ทมความยาวคลน = 0.1541 nm ผานเขาไปในเหลกท มโครงสราง BCC การเลยวเบนเกดของ X-Ray เกดขนทระนาบ {110} ทมม (diffraction angle) 44.704 จงค านวณหาคา lattice parameter (a) ก าหนดให n = 1 โดยคดวาเปน first order วธท า {1 1 0} = {h k l} h =1, k = 1, l = 0
diffraction angle (2) = 44.704 degree = 22.35 degree
จากสมการ Bragg Equation: 𝑛 = 2𝑑ℎ𝑘𝑙 sin 𝜃 (1)
𝑑ℎ𝑘𝑙 =𝑎
ℎ2+𝑘2+𝑙2 (2)
(2) แทนใน (1) =
2𝑎 sin 𝜃
ℎ2 + 𝑘2 + 𝑙2
a = 0.287
80
การวเคราะหโครงสรางผลก (Crystal Structural Analysis)
X-Ray Diffraction: Determination of Crystal Structures ตวอยาง: For BCC iron, compute (a) the interplanar spacing and (b) the diffraction angle for the (220) set of planes ก าหนดให : Lattice parameter, a = 0.2866 nm A wavelength, = 0.1790 nm The order of reflection, n = 1 วธท า 𝑑220 =
𝑎
22+22+02 = 0.1013 nm (a)
(b) Bragg Equation: 𝑛 = 2𝑑ℎ𝑘𝑙 sin 𝜃
sin 𝜃 = 𝑛
2𝑑ℎ𝑘𝑙 = 0.884; 𝜃 = 62.13°
The diffraction angle = 2𝜃 = 124.26
อางอง (References)
81
William D. Callister, Materials Science and Engineering: An Introduction,
8th Edition, Univ. of Utah ISBN: 978-0-470-41997-7