GliederungGliederung
1 Ult i l tt S kt1. Ultraviolettes Spektrum
2. Entstehung der VUV- und EUV- Strahlungg g
3. VUV- und EUV- Quellenarten
4. Anwendungen
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UV S kUV- Spektrum
VISUV-AUV-C-FUV
UV-BUV-C-VUVEUV
VUV – Vakuum Ultraviolette Strahlung (12,4 – 6,2 eV)VUV Vakuum Ultraviolette Strahlung (12,4 6,2 eV)
EUV – Extreme Ultraviolette Strahlung (1,2 – 0,12 keV)
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E h d VUV d EUV S hlEntstehung der VUV- und EUV- Strahlung
– Synchrotronstrahlung
– Ionisation (Plasma)
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N ü li h Q llNatürliche Quellen
Sonne
17 nm 19 nm
29 nm 30 nm29 nm 30 nm
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N ü li h Q llNatürliche Quellen
P lPulsar:- Synchrotronstrahlung entlang der
Dipolachse auch im VUV und EUVDipolachse auch im VUV und EUV
Quasar:
eine der stärksten Quellen - eine der stärksten Quellen
- Zentrum Punktförmig im VIS
- VUV und EUV enormen Intensitäten- VUV und EUV enormen Intensitäten
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Kü li h Q llKünstliche Quellen
Excimerstrahlung:
Ar2* – 126nm
Kr2 * – 146nm
F2 * – 157nm
Xe2 * – 172nm
(ArF * – 193,3nm)
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Kü li h Q llKünstliche QuellenFEL - Freie Elektronen Laser
FLASH – Freie Elektronenlaser Hamburg
EUV: 4,12nm – 30nm
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Kü li h Q llKünstliche Quellen„Superheißes Plasma“
Hochenergetische Bestrahlung von Materie mittels:
Synchrotronstrahlung– Synchrotronstrahlung
– Gamma-Strahlung
speziellen elektrischen Entladungen– speziellen elektrischen Entladungen
– Laserstrahlung:
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Anwendungen VUVAnwendungen VUV
XERADEX Excimer-Ultraviolettstrahler (OSRAM)
Inkohärente VUV-Strahlung bei 172 nmWirkungsgrad: ca. 40 %keine AnlaufzeitNachschaltfähig ohne Auswirkung auf die Lebensdauer 20WKeine Kühlung erforderlich im Normalbetrieb (247mm)
Einige Anwendungsgebiete:Abbau von organischen RückständenÄtzen von KunststoffoberflächenAktivierung von Waferoberflächen 60WEntfernung von Fotolack (537mm)OzonproduktionFotokatalytische Reinigung von Wafern
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A d VUVAnwendungen VUV
Excimer-Ultraviolettstrahler 172nm (Heraeus) ( )
Nennleistung: 100 W
Abmessungen: (282x175x80) mm
450 W @ 30 cm
900 W @ 60 900 W @ 60 cm
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A d EUVAnwendungen EUV
EUV-Lithographie in der Zukunft g p
Herausforderungen:Herausforderungen:
– Strahlungsquelle
– Ausbreitung der Strahlung nur im VakuumAusbreitung der Strahlung nur im Vakuum
– Strahlführung nur mit Spiegeln möglich (MoSi-Spiegel für 13,5 nm)
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A d EUVAnwendungen EUV
Laserinduziertes Plasma EUV-Quelle:
– CO2 Laser (10,6 µm) ( , µ )
– Zinn-Tropfen als Target (13,5nm)
Cymer, San Diego, USA Philips Extreme UV GmbH, Aachen
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Vielen Dank
für Ihre
Aufmerksamkeit
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Q ll bQuellenangaben
- Deutsches Institut für Normung (Hrsg.): Strahlungsphysik im optischen Bereich und Lichttechnik; Benennung der Wellenlängenbereiche. DIN 5031 Teil 7, Januar 1984.
- ISO 21348 1. Mai 2007. Space environment (natural and artificial) — Process for determining solar irradiances.
- http://www.nasa.gov
- www.wikipedia.org
- http://www.sematech.org/meetings/archives/litho/8128/pres/B3%20Philips_Corthout.pdf
- http://www.cymer.com
- http://medienschafe.files.wordpress.com
- http://www.helmholtz-berlin.de/
- http://www.osram.de
- http://www.heraeus-noblelight.com
- www windows2universe org/www.windows2universe.org/
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