ic gy ártás
DESCRIPTION
IC gy ártás. Új technológiák. Strained Silicon (laza szilícium). Strained Silicon (laza szilícium). Strained Silicon (laza szilícium). Strained Silicon (SiGe). Strained Silicon (laza szilícium). Strained Silicon (laza szilícium). - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
7
Strained Silicon (laza szilícium)
• E lazább szerkezetű, módosított szilíciumon a kisebb ellenállásnak köszönhetően 70%-kal gyorsabban áramolnak keresztül az elektronok !!!
• IBM szilícium-germánium tranzisztor: (210 GHz)
• (chip órajel cca. 100 GHz lehet)
• Pl. 12.5 Gbit Ethernet
18
Intel (45nm technológia: 2007 második félév)
Tri-gate SRAM: cella kiolvasási árama 50%-kal nagyobb, mint a hagyományos planár tanzisztoroké
19
Intel Penryn
„Az Intel a Penryn lapkákat 45nm-es technológiával gyártja, amely hafnium alapú dielektrikumot és fém kaput használ. Ezek a megoldások csökkentik a szivárgó áram mértékét és így a jelenleginél sokkal energiahatékonyabb lapkák előállítását teszi lehetővé. Csökken az energia-felvételük és mégis nő a sebességük. Az új anyagok használata megkönnyíti a gyártást, javítja a kihozatalt és beépíthetők a következő, kisebb méretű eszközökbe.
Az Intel 45nm-es gyártási eljárás az első, amely nagy tömegben gyártott CPU-khoz használja ezeket az újításokat. …A 45nm-es Penryn lapkák szállítása az év második felében kezdődik.”(Prim Online 2007.02.26)