1

2

簡報大綱

公司簡介

產品應用領域介紹

市場概況介紹

核心競爭優勢

未來發展

經營實績

3

美國德州二廠

Facility Photo

公司簡介-基本資料

• 成立時間：1999年1月1日

• 技術團隊成員經歷: 德州儀器公司, 太空總署推進實驗室, AT&T貝爾實驗室

• 台灣分公司地址：台北市士林區德行西路33號5樓

• 工廠地址：美國德州, Richardson, TX, USA

• 商業模式：三五半導體MBE磊晶晶片代工製造廠

• 主要產品：

* 砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）磊晶晶片

� 微波通訊（手機、平板、Wi-Fi、GPS、衛星、國防）、雲端運算、資料中心

* 銻化鎵（GaSb）紅外線磊晶晶片

� 保全、防疫、國土安全、太空科技、熱光伏

* 光電元件磊晶晶片（雷射二極體、光接收器：PIN/APD）

� 光通訊、雲端運算、資料中心

4

公司簡介-全球據點

2013

總面積4,000 平方英尺.100 級 無塵室1,200平方英尺

II-VI 族 碲 化 鎘 鋅（CdZnTe）單晶生長MBE機台備用產能,擴充產能, 緊急危機產能

切入II-VI族紅外線基板市場擴充公司在II-VI族紅外線材料主流市場上之影響力

美國德州李察森市

日本橫濱市

2010

日本主要客戶技術服務如：Sumitomo, Mitsubishi,and Sony

提供更優良更即時的服務給日本一線客戶

2009 7,500平方英尺生產廠房基板再生原材料採購銻化鎵、銻化銦單晶生長

砷化鎵磷化銦4~6英吋基板再生生產2~3英吋磊晶級銻化鎵基板

中國天津市

2013 3,000平方英尺辦公室面積台灣市場客戶服務投資人關係上市相關事宜

位於台北市士林區可就近服務投資人與客戶

台灣台北市

20118,000平方英尺100 to10K 無塵室

銻化鎵長晶切片研磨拋光

提高產能以因應生產高峰時所需美國德州亞倫市

據點 照片 開始時間 面積與用途 功能 優勢

2002總面積23,000 平方英尺.生產區面積13,000平方英尺

總部磊晶生產無塵室產品測試

北美最大MBE磊晶片生產工廠全球磷化銦銻化鎵磊晶片代工領導廠商

美國德州李察森市

1,000平方英尺辦公室面積

5

公司簡介

產品應用領域介紹

市場概況介紹

核心競爭優勢

未來發展

經營實績

6

三五族半導體產業上中下游介紹

•手機

•平板

•穿戴裝置

•有線電視

/ 衛星通訊

•W

i-Fi 連結

•無線基地台

•車用電子

/ 防撞雷達

•太空

/ 國防

•R

FID

•醫療

•智慧型能源系統

•測試與量測

行動裝置晶片 非行動裝置晶片 光通訊晶片

•收發模組

•驅動

IC

磊晶片(砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵)

基板(砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵)

晶圓製程

半導體封裝

Sumitomo, AXT

IET, IQE, 全新

穩懋, 宏捷

IDM:

Skyworks,

RFMD, Triquint

磊晶片品質:決定電子

元件品質, 效能, 良率

7

Emitter

Base

Collector

0.25 µm

Emitter

Base

Collector

0.25 µm

產品應用領域介紹-高頻元件、積體電路

主要產品:

•砷化鎵(GaAs)磊晶晶片

–主要應用於行動通訊裝置，如手機開關及微波通訊(基地台,GPS,衛星)

–新市場機會：(>40G)超高頻應用通訊元件,汽車防撞雷達

•磷化銦(InP)磊晶晶片

–主要應用於高頻光纖網絡，高頻量測儀器元件，光通訊用光接收器 (10G PON)

–新市場機會：雲端計算，資料庫，資料傳遞

8

測距技術簡介

1. 毫米波汽車防撞雷達

2. 光達 (LiDAR, Light Detection And Ranging)

3. 光學影像辨識系統

4. 倒車雷達

9

汽車防撞雷達原理

UWB (Ultra Wide Band)

• 測距

• 較無空間多重反射干擾之

問題

• 定位能力較佳

• 需要較複雜的時序控制

(LiDAR, 超音波使用類似原理)

FMCW (Frequency Modulated

Continuous Wave)

• 測距

• 測速(都普勒效應)

• 系統較為單純

• 容易被干擾

(汽車防撞雷達主流技術)

資料來源: 網路資訊

10

汽車防撞雷達原理

資料來源: 網路資訊

汽車防撞雷達系統架構圖

11

汽車防撞雷達(UMS solution)

資料來源: UMS網站

12

汽車防撞雷達(UMS solution)

資料來源: UMS網站

13

光達(LiDAR)原理

• LiDAR可裝置在固定地點、汽車、飛機、衛星

資料來源: NEON Education

14

資料來源: NEON Education

• LiDAR使用波長532nm綠色雷射光或1064nm近紅外

光雷射為光源進行脈衝掃描

光達(LiDAR)原理

15

• 掃描地面

資料來源: NEON Education

光達(LiDAR)原理

16

• 衛星定位飛機位置

資料來源: NEON Education

光達(LiDAR)原理

17

• 陀螺儀量測飛機在三軸之旋轉角

資料來源: NEON Education

光達(LiDAR)原理

18

• 電腦記錄所有數據

資料來源: NEON Education

光達(LiDAR)原理

19

• 量測光波脈衝送出與反射接收之時間差

資料來源: NEON Education

光達(LiDAR)原理

20

• 量測光波脈衝送出與反射接收之時間差

資料來源: NEON Education

光達(LiDAR)原理

21

• 距離 = (時間差 )x(光速) / 2

資料來源: NEON Education

光達(LiDAR)原理

22

• 距地表高度 = (飛機高度 ) - (距離)

資料來源: NEON Education

光達(LiDAR)原理

23

• 光波脈衝之反射可依物體之高度不同、透光度不同，

而有多重反射訊號位階，選取不同反射訊號位階之數

據，可得到不同層次的表面圖像

資料來源: NEON Education

光達(LiDAR)原理

24

資料來源: New Forest National

Park Authority

• 左方為第4多重反射訊號位階得到的表面圖像，右方

為正常攝影機影像

光達(LiDAR)原理

25

資料來源: New Forest National

Park Authority

光達(LiDAR)原理

• 細膩的資料處理可使光達影像顯現不同資訊

26

• 光達可看出森林底下的細小路徑資料來源: New Forest National

Park Authority

光達(LiDAR)原理

27

資料來源: Phoenix Aerial

Systems Inc.

• LiDAR較近距離影像

光達(LiDAR)原理

28

資料來源: Velodyne

• LiDAR裝置於汽車車頂

光達(LiDAR)原理

29

資料來源: Ford, Fusion Hybrid

Research vehicle; Lidar from

Velodyne

• 左方為車內實際影像，右方為LiDAR影像

光達(LiDAR)原理

30

光學影像辨識

資料來源: Mobileyes

31

資料來源: ARTC財團法人車輛測

試研究中心

倒車雷達

32

測距技術比較

• 汽車防撞雷達不受天候、光線、灰塵、雲霧、顏色、

形狀、溫度、濕度、壓力等影響，符合緊急煞車系統

在可靠度、靈敏度之安全要求

33

汽車防撞雷達現況

資料來源: 網路資訊

� 美國交通部將緊急煞車系統列為新車標準

配備，並獲十大車廠表態支持，汽車防撞

雷達將成為安全基本配備

� 汽車供應鏈切入需３～５年

� UMS是汽車大廠主要的汽車雷達晶片供應商

� 英特磊是UMS唯一之GaAs 磊晶片供應商

34

主要產品：

� 銻化鎵(GaSb)紅外線探測器磊晶晶片

– 主要應用於夜視、保全、國土安全、太空科技等用途

– 垂直整合大尺寸銻化鎵(GaSb)基板材料

– 新市場機會：聚焦平面列陣(FPA)可取代II-VI化合物

既有市場

聚焦平面列陣（FPA）紅外線熱影像

T2SLS epi-structure

銻化鎵磊晶片

銻化鎵單晶

美國太空總署紅外線衛星攝影於地球表面

聚焦平面列陣（FPA）

產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池）

35

產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池）

高解析度紅外線攝影

36

主要產品：

� 面射型雷射（VCSEL）磊晶晶片

� 主要應用於資料通訊

� 光通訊用光接收器磊晶晶片（PIN和APD）

� 主要應用於光纖網路、資料庫和雲端運算

產品應用領域介紹-光電元件

37

英特磊: 三五半導體器件産品矩陣列示

射頻與微波

高速電子傳輸

光電

應用

• 手機高頻元

件

• 汽車防撞雷

達

• 國防用途

• OC768-

40Gbps 網路

• OC192-

10Gbps 網路

• 光纖網路

• 圖像識別

器件類別

(紅色為量產產

品)

• GaAs pHEMT • GaAs mHEMT • InP HEMT • InP HBT

• InP HBT • InP HEMT • GaAs mHEMT

• GaAs PIN/APD • InP PIN/APD • QWIP • Diode laser • GaSb T2 SLS IR

detector

38

公司簡介

產品應用領域介紹

市場概況介紹

核心競爭優勢

未來發展

經營實績

39

Designates office locations

North America:

76% 2014

(85% 2013)

Korea/Taiwan

2% 2014

Europe:

12% 2014

(2% 2013)

Japan:

11% 2014

(10% 2013)

China

Sourcing &

R&D

集團架構與市場分布

IET-Cayman

IntelliEPI/

ChinaIntelliEPI/

Japan

IntelliEPI

IntelliEPI IR*

� 北美歐洲市場佔營收 ~ 90%

� 日本市場主要來自資料通訊（datacomm）及特殊高頻應用，以磷化銦關鍵元件為主

公司於全球主要市場均有據點，具備全球競爭能力

40

公司簡介

產品應用領域介紹

市場概況介紹

核心競爭優勢

未來發展

經營實績

41

核心競爭優勢–智慧型分子束磊晶系統（Smart MBE）

ABES light source:

Light pipe, or

Heater filament

Optical

Pyrometer

Optical Reflectometry

OFM

Optical-based Flux

Monitor

(OFM)

即時監測系統

Proprietary In Situ Composition Setup

即時生長資料：溫度 & 通量

Sensor

Data

� 美國專利智慧型磊晶層即時監控系統

� 即時監控元素通量、溫度，確保磊晶層成分、厚度、溫度之精確性

� 縮短產品開發、驗證時間，降低生產成本提高生產良率

� 100%零組件自主設計維修

42

� 全世界唯二MBE磊晶代工廠之ㄧ

� 法國汽車防撞雷達晶片大廠UMS認證通過，為唯一供應商

� 5G高頻量測儀器市場 2015/Q3 開始供貨

� MBE磊晶片在高速光通迅應用 (10G PON) 的 PIN 及 APD有明顯優勢

� 5G手機PA 磊晶材料成長(InP) 關鍵技術開發

核心競爭優勢-策略與市場定位

43

公司簡介

產品應用領域介紹

市場概況介紹

核心競爭優勢

未來發展

經營實績

44

44

發展方向朝向高毛利及對MBE磊晶技術有優勢之產品

未來發展

2012-2014:大面積銻化镓紅外線晶體成

長、研磨、拋光

45

公司簡介

產品應用領域介紹

市場概況介紹

核心競爭優勢

未來發展

經營實績

46

單位: 新台幣仟元

47

主要產品別銷貨收入

47

2011 2012 2013 2014 2015 Q1 2015 Q2 2015 Q3

比率 比率 比率 比率 比率 比率 比率

砷化鎵(GaAs)磊晶片 62.0% 39.7% 35.1% 46.7% 55.1% 50.3% 54.4%

磷化銦( InP)磊晶片 17.9% 40.2% 39.4% 31.2% 21.3% 17.4% 26.7%

銻化鎵(GaSb)及勞務收入 11.2% 15.6% 22.4% 21.5% 23.2% 31.6% 18.6%

其他 9.0% 4.5% 3.1% 0.6% 0.4% 0.7% 0.3%

合計 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 100.0%

年度

產品別

48

營收展望

� 2016 營收成長動能

SWKS � 其他高頻應用產品

Keysight � 5G 高頻量測產品

UMS � 汽車防撞雷達

GaSb-IR � 進入量產商業化產品

• 2016~2020

5G手機PA 磊晶材料成長關鍵技術

49

謝謝大家，敬請指教

Q & A