第 4 章 半导体存储器及其接口
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第 4 章 半导体存储器及其接口. 4.1 半导体存储器 存储器在计算机中的作用. 1. 存储程序 2. 存储数据. (原始数据、中间结果、最终结果). 第 4 章 半导体存储器及其接口. 4.1 半导体存储器 计算机对存储器的基本要求: ( 1 )容量足够大 ( 2 )速度足够快 ( 3 )成本低 “瓶颈”:高速 CPU 与低速内存速度不匹配. 第 4 章 半导体存储器及其接口. 4.1 半导体存储器 三级存储结构:高速缓存、主存、外存. 三级存储. 二级存储. 中央处理器. 主 存. 外 存. 快存. - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
1.存储程序2.存储数据
第 4 章 半导体存储器及其接口4.1半导体存储器
存储器在计算机中的作用
(原始数据、中间结果、最终结果)
第 4 章 半导体存储器及其接口4.1半导体存储器
计算机对存储器的基本要求:
( 1 )容量足够大
( 2 )速度足够快
( 3 )成本低
“瓶颈”:高速 CPU与低速内存速度不匹配
第 4 章 半导体存储器及其接口4.1半导体存储器
三级存储结构:高速缓存、主存、外存
中央处理器
主
存
外
存
快存
二级存储
三级存储
4.1.1半导体存储器的分类
半导体存储器
随机读写存 储 器RAM
只 读存储器RAM
静态 RAM( SRAM )
静态 RAM(DRAM )
掩膜 ROM
可编程 ROM ( PROM )
可擦除 ROM ( EPROM )
电可擦除 ROM ( E2PROM )
4.1.2半导体存储器的主要性能指标
1 、存储容量:在一块芯片中所能存储的信息位数,单位:字节
2 、存取时间:启动一次存储器操作到完成所经历的时间,又称读写周期
3 、价格:
4 、功耗:
5 、可靠性:对电磁场及温度变化等的抗干扰能力,一般平均无故障时间为数千小时以上
4.1.3 存储器芯片的组成
地址译码器
n位地址存储矩阵
数据缓冲器
N位数据线
控制逻辑
CS
R/W
4.2 存储器接口技术4.2.1 存储器接口中应考虑的几个问题
1 、存储器与 CPU 之间的时序配合 解决高速 CPU 和存储器之间的矛盾,如 8088 采取的通过 ready 型号插入等待周期 Tw
2 、 CPU 总线负载能力 ( 1 )小系统时 CPU 直接与存储器相连 ( 2 )大系统时要加缓冲器或驱动器3 、存储芯片的选用( 1 )确定芯片类型( cache、 ram、 rom )( 2 )确定芯片型号(从技术指标方面考虑)
4.2.2 存储器地址译码方法1 、片选控制的译码方法( 1 )线选法———— P122图 4.5( 2 )全译码法——— P123图 4.6( 3 )部分译码法—— P124图 4.7( 4 )混合译码法—— P125图 4.8
4.2.2 存储器地址译码方法2 、地址译码电路的设计一般步骤:( 1 )根据容量确定寻址空间( 2 )画出地址位图( 3 )画出译码电路P125 例 4.1
4.2.3存储器与总线的连接1 、与控制总线的连接 CS、 CE、WE、 RD、OE 等2 、与数据总线的连接 需要进行位扩展3 、与地址总线的连接 需要进行字扩展
4.2.4存储地址译码电路74LS138 经常用来作为存储器的译码电路。
A B C
G2A G2B G1 Y7 GND
—— —— —— ——
—— —— —— ——
VCC Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6
1 16 2 15 3 14 4 13 5 12 6 11 7 10 8 9
4.3 主存储器接口 4.3.1 EPROM与 CPU 的接口EPROM: 2716( 2KX8 )NMOS 工艺, 24 脚, DIP 封装引脚:VCC :工作电压 +5VVPP :编程电压 +25VCE/PGM :片选 /编程控制端,为编程时送 50ms
宽的正脉冲OE :输出允许A0-A10,DO-DO7P128—130
4.3 主存储器接口 4.3.2 SROM与 CPU 的接口SRAM : 2114 : NMOS 工艺、 18 引脚、 1KX4, 10 根地址线, 4
根数据线、内部为双译码方式
P131—1324.3.3 DROM与 CPU 的接口(略)
4.4 存储器扩展 (补充)
用多片存储芯片构成一个需要的内存空间,它们在整个内存中占据不同的地址范围,任一时刻仅有一片(或一组)被选中 ------ 存储器的扩展。
位扩展字扩展字位扩展
位扩展存储器的存储容量等于:
单元数×每单元的位数
当构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元的字长时,就要进行位扩展,使每个单元的字长满足要求。
字节数 字长
位扩展例用 8 片 2164A 芯片构成 64KB 存储器。
LS158
A0~A7 A8~A15
2164A 2164A 2164A
DB
AB
D0 D1 D7
A0~A7
位扩展方法:将每片的地址线、控制线并联,数据线分别引出。位扩展特点: 存储器的单元数不变,位数增加。
字扩展地址空间的扩展。芯片每个单元中的字长满足,
但单元数不满足。扩展原则:每个芯片的地址线、数据线、控制线并联,仅片
选端分别引出,以实现每个芯片占据不同的地址范围。
字扩展例用两片 64K×8 位的 SRAM 芯片构成容量为 128KB
的存储器
字位扩展根据内存容量及芯片容量确定所需存储芯
片数;进行位扩展以满足字长要求;进行字扩展以满足容量要求。若已有存储芯片的容量为 L×K ,要构成
容量为 M ×N 的存储器,需要的芯片数为: (M / L ) ×(N / K )
CPU ( 8088 系列)与存储器的连接
1 . 1KB RAM 与 CPU 的连接( 1 )计算出所需的芯片数。( 2 )构成数据总线所需的位数和系统所需的容量。( 3 )控制线,数据线,地址线对应相连。
用 1024×1 位的芯片组成 1K RAM的方框图
A0 ︰ ︰ A9
D0 ︰ ︰ ︰ D7
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O 3
I / O
2
I / O 1
1024× 1 I / O
地址线 数据线
用 256×4 位的芯片组成 1K RAM 的方框图
2 . 4KB RAM 的连接( 1 )计算出所需的芯片数( 2 )构成数据总线所需的位数和系统所需的容量( 3 )控制线,数据线,地址线的连接:有线选方式、
局部译码选择方式和全局译码选择方式之分。思考;分别计算各种译码的方法下,各芯片的地址范围
图 4-19 用 2114 芯片组成 4K RAM 线选控制译码结构图
图 4-20 用 2114 芯片组成 4K RAM 局部译码结构图
3. 用 6264 和 74LS138 在 8088 最小模式下存储区最低端配以 8K RAM 芯片一片,即地址为 00000H ~ 01FFFH
4. 在 8088 最小模式下存储器最高位值上配以 32KB 的 27256EPROM 芯片一片,其中 27256 如下:
Vpp: 编程电压 、 Vcc: 电源A0-A14 、 D0-D7 、 OE 、 CE 、 GND所以,连接用如下:
5. 在 8086 在最小模式下的存储器扩展 8086是 16 位,但地址仍为字节编址例 : 在 8086 最 小 模 式 下 , 扩 展 一 片 6264 , 对
8086 而言,数据也可能是 8 位,也可能是 16 位所以,用 2 片 6264 。见下图。
6. 用两片 6264 组成 16KX8 存储器( 8088 最小模式下,低地址端) 解: 16K片内 A0-A12 如下图