成長不同結構氧化物於 pn 結構紫外光感測器 應用在奈米柱矽基板之研究
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成長不同結構氧化物於 PN 結構紫外光感測器 應用在奈米柱矽基板之研究. 研究生 : 陳正皓 賴宏霖 指導教授 : 謝明君. 大鋼. 一、導論 二、光線波長 範圍 三 、硝酸銀蝕刻理論基礎 四、成長系統介紹 五、元件結構 六、材料結構與特性 七、未來展望. 一、導論. 紫外光感測器應用. 一般商業用途 軍事應用 ( 飛彈偵測、空對空安全通信 ). 感測器的必要條件. 感 測器必須考慮下列條件： 高 靈敏 度 高 化學選擇特性 - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
PN
PN
: :
()
230-400nm UV-A(400-315nm) UV-B(315-280nm) UV-C(280-100nm)300nm~400nmUV-A
DNA 92%
P(100) HF+
11
12
:ZnOAzOTiO2 ZnOZnO 1hr
AZO(UV cut off) ZnOAlAzOAnO 1hr
TiO2:( ///)TiO230~40nm400nm ()TiO2TiO2 1hr
I-V