หน่วยความจำหลัก present 4-11 (group3)

22

Upload: supaksorn-tatongjai

Post on 04-Jul-2015

80 views

Category:

Documents


0 download

TRANSCRIPT

Page 1: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)
Page 2: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

หนวยความจ าหลก มหนาทเปนแหลงเกบขอมลการท างานของคอมพวเตอร ซงรวมทงตวค าสงใน

โปรแกรมและขอมลตางๆ ทจะใชในเครองคอมพวเตอรขณะก าลงท างานอย

Page 3: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

แรม

(Random Access Memory, RAM)

รอม

(Read Only Memory, ROM)

Page 4: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

แรม

(Random Access Memory, RAM)

เปนหนวยความจ าหลกประเภททสามารถเขาถงค าสงและขอมลโดยตรงได แรมเปนหนวยความจ าทสามารถทจะอานหรอเขยนขอมลและค าสง

ลงไปไดหลายครง

Page 5: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

แรม (RAM)

Static RAM (SRAM) Dynamic RAM (DRAM)

หนวยความจ าประเภท RAM ทพฒนามาจากทรานซสเตอร ม

คณสมบตสามารถเกบรกษาขอมลไวในหนวยความจ าตราบเทาทยงมไฟเลยงอย และท างานไดโดยทไมตองมการเขยนขอมลลงไปซ า

หลายครงเพอรกษาขอมลภายในอยตลอดเวลา อกทงยงมความเรว

ในการเขาถงขอมล

หนวยความจ าทใชในการจดจ าขอมลและโปรแกรมตางๆ ทอยระหวางการประมวลผลของ

คอมพวเตอร เปนหนวยความจ าทมใชงานอยในเครองคอมพวเตอรสวนบคคล หรอพซมากทสด เนองจากราคาไมแพงและ

มความจสง

Page 6: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

Static RAM (SRAM)

นยมน าไปใชเปนหนวยแครช(Cache) ภายในตวซพย เพราะมความเรวในการท างานสงกวา

DRAM มาก แตไมสามารถท าใหมขนาดความจสงๆได เนองจากกนกระแสไฟมากจนท าใหเกดความ

รอนสง

Page 7: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

Dynamic RAM (DRAM)

นยมน าไปใชท าเปนหนวยความจ าหลกของระบบในรปแบบของชปไอซ (Integrated

Circuit) บนแผงโมดลของหนวยความจ า โดยออกแบบใหมขนาดความจสงๆได กนไฟนอย

และไมเกดความรอนสง

Page 8: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

ระบบแรกๆ จะใชหลอดสญญากาศท างานคลายกบแรมในสมยปจจบนถงแมวาอปกรณจะเสยบอยกวามาก แตหนวยความจ าแบบแกนเฟอรไรต(core memory) กมคณสมบตในการเขาถงขอมลแบบเดยวกน

จากอดต มาสปจจบน

ป 2529

Page 9: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

รอม

(Read Only Memory, ROM)

เปนหนวยความจ าประเภทแบบ

ลบเลอนไมได สามารถเกบขอมลไดตลอดไปแมจะปดเครองคอมพวเตอรแลว

สามารถอานขอมลไดอยางเดยว ไมสามารถเปลยนแปลงแกไขขอมลทเกบอยในรอมได

Page 10: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

รอม (R0M)

หนวยความจ าพรอม (Programmable ROM : PROM

หนวยความจ าอพรอม (Erasable Programmable ROM : EPROM)

หนวยความจ ามานลรอม (Manual ROM )

หนวยความออพรอม (Electrically Erasable PROM : EEPROM

Page 11: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

ผใชสามารถแกไขขอมลทบนทกไวได 1 ครง ซงตองอาศยเครองมอพเศษทเรยกวา PROM

Programmer ในการบนทก เครองมอชนนจะปอนกระแสไฟฟาเขาไปในเซลลเฉพาะของ

หนวยความจ ารอมซงจะท าหนาทเสมอนฟวสไฟฟา กระบวนการดงกลาวเรยกวา การเบรนนงพรอม

(Burning PROM) ขอจ ากดในการเบรนนงพรอมคอหามเกดขอผดพลาดใด ๆ ทงสน เนองจาก

สามารถแกไขไดเพยงครงเดยว

หนวยความจ าพรอม (Programmable ROM : PROM

Page 12: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

หนวยความจ าอพรอม (Erasable Programmable ROM : EPROM)

คอรอมซงสามารถลบและน ามาใชซ าได การลบขอมลสามารถท าไดโดยการน าไปตากแดด รงสอลตราไวโอเลตในแสงแดงจะท าปฏกรยากบชพหนวยความจ าและลบขอมลทงหมดออกไป อยางไรกตามการลบขอมลจะเกดขนภายใตแสงแดดจดเทานน แสงแดดทสองผานเขามาในหองอาจมปรมาณรงสอลตรา

ไวโอเลตไมเพยงพอส าหรบกระบวนการดงกลาวได

Page 13: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

หนวยความออพรอม (Electrically Erasable PROM : EEPROM

ผใชสามารถลบ แกไขหรอเขยนซ าขอมลทบรรจอยภายในได และสามารถกระท าซ าไดหลายครง โดยอาศยแอพพลเคชนทใชก าลงไฟฟาสงกวาปกต

EEPROM จะตางจาก EPROM ตรงทไมจ าเปนตองถอดออกจากเครองคอมพวเตอรเพอท าการแกไขขอมล การลบขอมลใน EEPROM จะเปนการลบขอมลทงหมด ไมสามารถเลอกลบเฉพาะบางสวนไดอยางไรกตามมนมอายการใชงานจ ากดขนอยกบ

จ านวนครงในการลบหรอแกไขขอมล

Page 14: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

ขอมลทงหมดทอยใน ROM จะถกโปรแกรม โดยผผลต (โปรแกรม มาจากโรงงาน) เราจะใช ROMชนดน เมอขอมลนน ไมมการเปลยนแปลง และมความตองการใชงาน เปนจ านวนมาก ผใชไม

สามารถ เปลยนแปลงขอมลภายใน ROM ไดโดย ROM จะมการใช technology ท

แตกตางกน

หนวยความจ ามานลรอม (Manual ROM )

Page 15: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

จากอดต มาสปจจบน

ป 1951 ปจจบน

Page 16: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

เมนบอรดเปนอปกรณทส าคญรองมาจากซพย เมนบอรดท าหนาท

ควบคม ดแลและจดการๆ ท างานของ อปกรณชนดตางๆ แทบทงหมดใน

เครองคอมพวเตอร ตงแตซพย ไปจนถง

หนวยความจ าแคช หนวยความจ าหลก

ฮารดดสก ระบบบส บนเมนบอรดประกอบดวยชนสวนตางๆ มากมาย

Page 17: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

สวนประกอบของ

เมนบอรด

Page 18: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

1 .PS/2

2. Fire wire 3.eSATA 4. USB

5.LAN

6. ชองตอเสยง

Page 19: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

7.หวตอ SATA 8.หวตอแบบ IDE

9.ตวตอแหลงจายไฟ

10.ซอกเกตแรม11.ตวเชอมป มควบคม

12.ตวตอ USB

3.สลอต AGP4.สลอต PCI

5.ตวอานแผนดสก

6.ซปเซต

1.ซอกเกตซพย

2. พอรตทใชในการเชอมตอ

Page 20: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

ป 1993

จากอดต มาสปจจบน

ปจจบน

Page 21: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)

คณะผจดท า

นางสาวณฐรกา รท านอง เลขท 30

นางสาวจรารตน ทวาค า เลขท 35

นางสาวปรายฟา แพงสภา เลขท 40

นางสาวชญญา แสนสทธ เลขท 27

นางสาวพลอยนภรชน อภวงค เลขท 2

นางสาวสพรรษา แสนรก เลขท 32

นางสาวอรสยา ภเอยง เลขท 8

นายพงศพระ พลเยยม เลขท 17

Page 22: หน่วยความจำหลัก Present 4-11 (Group3)