FUJITSU SEMICONDUCTORDATA SHEET DS501-00023-3v0-Z

到 铁电存储器

2M (256 K × 8) 位 SPI

MB85RS2MT

■ 产品描述

MB85RS2MT 是 FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为 262,144 × 8 位，通过铁电工艺和硅栅 CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。MB85RS2MT 采用串行外设接口 (SPI)。MB85RS2MT 与 SRAM 不同，无需备用电池即可保持数据。MB85RS2MT 中使用的存储单元可用于 1013 次读 /写操作，它的读 /写耐久性大大超过 FLASH和E2PROM。MB85RS2MT 不会像 FLASH 或 E2PROM 那样需要很长的数据写入时间，而且 MB85RS2MT 不需要等待时间。

■ 特点

• 位配置 ：262,144 × 8 位• 串行外围设备接口 ：SPI （串行外设接口）

与 SPI 模式 0 (0, 0) 和模式 3 (1, 1) 通信

• 工作频率 ：25 MHz （ 大）

但是， FSTRD 命令为 2.7V 到 3.6V、 40 MHz （ 大值）

• 高耐久性 ：1013 （十万亿）次 / 字节

• 数据保持 ：10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)• 工作电源电压 ：1.8 V 到 3.6 V• 低功耗 ：工作电流 10.6 mA （25 MHz 下的 大值）

待机电流 150 μA （ 大值）

休眠电流 10 μA （ 大值）

• 工作环境温度范围 ： − 40 °C 到 + 85 °C• 封装 ：8 引脚塑料 SOP (FPT-8P-M08)

8 引脚塑料 DIP (DIP-8P-M03)符合 RoHS

Copyright 2013-2016 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED2016.10

MB85RS2MT

■ 引脚分配

■ 引脚功能描述

引脚编号 引脚名称 功能描述

1 CS

片选引脚这是进行芯片选择的输入引脚。当 CS 为 “ 高 ” 电位时，器件处于取消选择 （等待）状态，SO 成为高阻抗状态。此时芯片会忽略其它引脚的数据输入。CS 为 “ 低 ” 电平时，器件处于选择 （激活）状态。输入操作码之前， CS 必须为 “ 低 ” 电平。芯片选择引脚在内部上拉至 VDD 引脚。

3 WP写保护引脚这是控制对状态寄存器的写操作的引脚。可以通过 WP 引脚和 WPEN （状态寄存器）位可以实现对状态寄存器的写保护操作。有关详细信息，请参见 “■ 写保护 ”。

7 HOLD

保持引脚在没有取消片选的情况下中断串行输入 / 输出。 HOLD 处于 “ 低 ” 电平时，保持操作被激活，SO 成为高阻抗状态，SCK 和 SI 成为可忽略状态。在保持操作时，CS 必须保留为 “ 低 ” 电平。

6 SCK串行时钟引脚时钟输入引脚，为串行数据输入输出提供时钟信号。 SI 引脚数据同步于 SCK 上升沿输入， SO 引脚的数据同步于 SCK 下降沿输出。

5 SI 串行数据输入引脚这是串行数据的输入引脚。用于输入操作码、地址和写数据。

2 SO串行数据输出引脚这是串行数据的输出引脚。读取 FRAM 存储单元阵列和状态的数据寄存器数据是输出。待机状态为高阻态。

8 VDD 电源电压引脚

4 VSS 接地引脚

( 顶视图 )

(DIP-8P-M03)

( 顶视图 )

(FPT-8P-M08)

1

2

3

4

8

7

6

5

CS

WP

SO

VSS

VDD

SCK

SI

HOLD

1

2

3

4

8

7

6

5

CS

WP

SO

VSS

VDD

SCK

SI

HOLD

2 DS501-00023-3v0-Z

MB85RS2MT

■ 方块图

SCK

SO

SI -

FRAM 262,144 × 8

/ /

FRAM

-

CS

WP

HOLD

DS501-00023-3v0-Z 3

MB85RS2MT

■ SPI 模式

MB85RS2MT 与 SPI 模式 0 (CPOL = 0, CPHA = 0) 和 SPI 模式 3 (CPOL = 1, CPHA = 1) 通信。

SCK

SI

CS

SCK

SI

CS

7 6 5 4 3 2 1 0

7 6 5 4 3 2 1 0

MSB LSB

MSB LSB

SPI 模式 0

SPI 模式 3

4 DS501-00023-3v0-Z

MB85RS2MT

■ 串行外设接口 (SPI)

MB85RS2MT 作为 SPI 的从器件。通过使用配备 SPI 端口的微控制器可以连接多个器件。使用没有配备 SPI端口的微控制器，可以通过模拟 SPI 总线操作。

SCK

SS1

HOLD1

MOSI

MISO

SS2

HOLD2

SCK

CS HOLD

SISO SCK

CS HOLD

SISO

MB85RS2MT MB85RS2MT

SCK

CS HOLD

SISO

MB85RS2MT

SPI微控制器

MOSI : 主输出从输入MISO : 主输入从输出SS : 从选择

使用 SPI 端口的系统配置

不使用 SPI 端口的系统配置

微控制器

DS501-00023-3v0-Z 5

MB85RS2MT

■ 状态寄存器

■ 操作码

MB85RS2MT 接受操作码中指定的 9 类命令。操作码是 8 位代码，如下表所示。不要输入这些代码以外的其他无效代码。如果 CS 在输入操作码时上升，则不会执行命令。

位编号 位名称 功能

7 WPEN

状态寄存器写保护该位由非易失性存储 (FRAM) 组成。 WPEN 保护与 WP 输入相关的状态寄存器写入 （参见 “■ 写保护 ”）。可以使用 WRSR 命令写入和使用 RDSR 命令读取。

6 到 4 ⎯未使用位这些是由非易失性存储组成的位，可以使用 WRSR 命令写入。这些位未使用，但可以使用 RDSR 命令读取。

3 BP1 块保护该位由非易失性存储组成。这定义了 WRITE 命令的写保护块的大小 （参见 “■ 块保护 ”）。可以使用 WRSR 命令写入和使用 RDSR 命令读取。2 BP0

1 WEL

写使能锁存器这表示 FRAM 阵列和状态寄存器是可写的。 WREN 命令用于设置，而 WRDI 命令用于重置。使用 RDSR 命令可以读取，但用 WRSR 命令不能写入。 WEL 会在以下操作之后重置。

打开电源后。WRDI 命令识别后。WRSR 命令识别后 CS 的上升沿。WRITE 命令识别后 CS 的上升沿。

0 0 这是固定为 “0” 的位。

名称 描述 操作码

WREN 设置写使能锁存器 0000 0110B

WRDI 复位写使能锁存器 0000 0100B

RDSR 读状态寄存器 0000 0101B

WRSR 写状态寄存器 0000 0001B

READ 读内存代码 0000 0011B

WRITE 写内存代码 0000 0010B

RDID 读器件 ID 1001 1111B

FSTRD 快速读内存代码 0000 1011B

SLEEP 休眠模式 1011 1001B

6 DS501-00023-3v0-Z

MB85RS2MT

■ 命令

• WRENWREN 命令设置 WEL （写使能锁存器）。 WEL 需要在写操作 （WRSR 命令和 WRITE 命令）之前使用 WREN 命令设置。 WREN 命令适用于不超过 25 MHz 的操作。

• WRDI

WRDI 命令重置 WEL（写使能锁存器）。写操作（WRITE 命令和 WRSR 命令）在 WEL 重置时不会执行。WRDI 命令适用于不超过 25 MHz 的操作。

SO

SCK

SI

CS

0 0 0 0 0 1 1 0

76543210

SO

SCK

SI

CS

0 0 0 0 0 1 0 0

76543210

DS501-00023-3v0-Z 7

MB85RS2MT

• RDSR

RDSR 命令读取状态寄存器数据。 RDSR 的操作码输入 SI 之后， 8 周期时钟输入 SCK。 SI 值此时无效。SO 在 SCK 的下降沿同步输出。在 RDSR 命令中，可通过在 CS 上升前连续发送 SCK 启用状态寄存器的重复读取。 RDSR 命令适用于不超过 25 MHz 的操作。

• WRSR

WRSR 命令将数据写入状态寄存器的非易失性存储位。对 SI 引脚执行 WRSR 之后，输入 8 位写入数据。WEL （写使能锁存器）无法使用 WRSR 命令写入。与位 1 通信的 SI 值被忽略。状态寄存器的位 0 固定为“0” 且无法写入。与位 0 通信的 SI 值被忽略。执行 WRSR 之前应固定 WP 信号电平，并且在命令序列结束前不改变 WP 信号电平。 WRSR 命令适用于不超过 25 MHz 的操作。

SO

SCK

SI

CS

0 0 0 0 0 1 0 1

76543210

MSB

76543210

LSB

SO

SCK

SI

CS

0 0 0 0 0 0 0 1

76543210

MSB

76543210

LSB

7 6 5 4 3 2 1 0

8 DS501-00023-3v0-Z

MB85RS2MT

• READ

READ 命令读取 FRAM 存储单元阵列数据。任意 24 位地址和 READ 的操作码输入 SI。6 位高地址位无效。然后，8 周期时钟输入 SCK。SO 同步输出到 SCK 的下降沿。读取时，SI 值无效。当 CS 上升时，READ命令完成，但以自动地址递增的方式持续读取 （通过在 CS 上升之前以 8 周期为单位连续发送时钟到 SCK实现）。当到达 高位地址时翻转到起始地址，并无限保持读取周期。READ 命令适用于不超过 25 MHz 的操作。

• WRITE

WRITE 命令将数据写入 FRAM 存储单元阵列。WRITE 操作码、任意 24 位地址和 8 位写入数据输入到 SI。6 位高地址位无效。当输入 8 位写入数据时，数据写入 FRAM 存储单元阵列。CS 上升将终止 WRITE 命令，但如果在每个 CS 上升之前继续发送 8 位写入数据，则可以使用自动递增地址继续写入。当到达 重要的地址时翻转到起始地址，写周期将无休止地继续下去。 WRITE 命令适用于不超过 25 MHz 的操作。

CS

SCK

SI

MSB LSB MSB LSB

4 50 1 2 3 26 276 7 8 9 10 11 12 13 14 15 38 3928 29 30 31 32 33 34 35 36 37

0 0 0 0 0 0 1 1 X 3 2X X X X X 17 16 5 4

SO 7 6 3

1 0

5 4 2 1 0

操作码 24 位地址

CS

SCK

SI

MSB LSB MSB LSB

10 110 1 2 3 4 5 6 7 8 9 14 15 26 31 3212 13 27 28 29 30 33 34 35 36 37 38 39

0 0 0 0 0 0 1 30 X X X X X 2 1 0

SO

X 17 16 5 4 3 2 1 07 6 5 4操作码 24 位地址

DS501-00023-3v0-Z 9

MB85RS2MT

• FSTRD

FSTRD 命令读取 FRAM 存储单元陈列数据。在任意 24 位地址和 FSTRD 的操作码后将 8 位虚拟位输入 SI。6 位高地址位无效。然后，将 8 周期时钟输入 SCK。SO 将同步输出到 SCK 的下降沿。读取过程中，SI 值无效。当 CS 上升时， FSTRD 命令即终止。但通过在 CS 上升之前以 8 周期为单位连续发送时钟到 SCK，可以自动地址递增的方式持续读取。当到达 高位地址时，翻转回起始地址，并可无限持续维持读取周期。FSTRD 命令适用于不超过 25 MHz(1.8 V 到 2.7 V) 及 40 MHz (2.7 V 到 3.6 V) 的操作。

• RDID

RDID 命令读取固定的器件 ID。执行 RDID 操作码到 SI 之后，32 周期时钟输入 SCK。SI 值此时无效。SO同步输出到 SCK 的下降沿。输出顺序是制造商 ID（8 位）/ 继续代码（8 位）/ 产品 ID（第 1 个字节）/ 产品 ID（第 2 个字节）。在 RDID 命令中， 32 位器件 ID 输出之后，SO 在 CS 上升之前保持 后一位的输出状态。 RDID 命令适用于不超过 25 MHz 的操作。

CS

SCK

SI

MSB LSB MSB LSB

4 50 1 2 3 29 306 7 8 9 10 11 12 13 1415 46 4731 32 38 39 40 41 42 43 44 45

0 0 0 0 1 0 1 1 X

6

16 2 1 0 X X X

SO 7

X X X X X 17

05 4 3

33

X

2 1

操作码 24 位地址

位

7 6 5 4 3 2 1 0 十六进制

制造商 ID 0 0 0 0 0 1 0 0 04H Fujitsu

继续代码 0 1 1 1 1 1 1 1 7FH

专利使用 密度十六进制

产品 ID （第 1 个字节） 0 0 1 0 1 0 0 0 28H 密度：01000B = 2 M 位

专利使用十六进制

产品 ID （第 2 个字节） 0 0 0 0 0 0 1 1 03H

SO

SCK

SI

CS

MSB

76543210

LSB

111098 333231 393837363534

30 282931

1 1 1 1 1

2 0136 4578

10 DS501-00023-3v0-Z

MB85RS2MT

• SLEEPSLEEP 命令将 LSI 切换至被称为休眠模式的低功耗模式。休眠模式的切换在输入 SLEEP 命令的操作码后

的 CS 上升沿进行。但是，在输入 SLEEP 命令的操作码后的 CS 上升之前，即使输入了 1CLK 的 SCK 时，

SLEEP 命令即被取消。一旦切换至休眠模式，对 SCK 引脚及 SI 引脚的输入即变为无效，SO 为 Hi-Z。

从休眠模式恢复到正常工作模式，在从 CS 的下降开始经过 tREC (max 400 ms) 后进行 ( 请参见下图 )。在经过 tREC 前可以将 CS 恢复为 “H”，但恢复为 “H” 的 CS 在经过 tREC 前禁止再次下降。

CS

SCK

SI

6 70 1 2 3 4 5

SO

11 0 1 1 1 0 0

CS

CS

tREC 可在此输入命令

DS501-00023-3v0-Z 11

MB85RS2MT

■ 块保护

WRITE 命令的写保护块由状态寄存器中 BP0 和 BP1 的值配置。

■ 写保护

根据 WEL, WPEN, WP 的值配置， WRITE 命令和 WRSR 命令的写操作将被保护，如表中所示。

■ 保持操作

在保持 CS“ 低 ” 电平同时，即使将 HOLD 置于 “ 低 ” 电平，命令既不会被中止，也可保留保持状态。起始和结束时序的保持状态取决于当 HOLD 引脚输入转换到保持条件时 SCK 是 “ 高 ” 电平还是 “ 低 ” 电平，如下图所示。在 SCK 为 “ 低 ” 电平时 HOLD 引脚转换为 “ 低 ” 电平的情况下，在 SCK 为 “ 低 ” 电平时请将 HOLD引脚返回到 “ 高 ” 电平。以此类推，在 SCK 为 “ 高 ” 电平时 HOLD 引脚转换为 “ 低 ” 电平的情况下，在 SCK为 “ 高 ” 电平时请将 HOLD 引脚返回到 “ 高 ” 电平。任意命令操作在保持状态时都会中断， SCK 和 SI 输入变为被忽略 (don’t care)。还有， 在读取命令 (RDSR, READ) 时 SO 变为高阻抗 (High-Z)。如果 CS 在保持状态期间上升，则命令会中止。在命令识别前即被中止的情况下，WEL 保持为转换到 HOLD 状态之前的值。

BP1 BP0 保护块

0 0 无

0 1 30000H 到 3FFFFH （高位 1/4）

1 0 20000H 到 3FFFFH （高位 1/2）

1 1 00000H 到 3FFFFH （全部）

WEL WPEN WP 保护块 非保护块 状态寄存器

0 X X 保护 保护 保护

1 0 X 保护 非保护 非保护

1 1 0 保护 非保护 保护

1 1 1 保护 非保护 非保护

SCK

CS

HOLD

12 DS501-00023-3v0-Z

MB85RS2MT

■ 绝对 大额定值

*：上述参数值以 VSS = 0 V 为基准。

< 警告 > 如在半导体器件上施加的负荷 (电压、电流、温度等 )超过最大额定值，将会导致该器件永久性损坏，

因此任何参数均不得超过其绝对最大额定值。

■ 推荐工作条件

*1：上述参数值以 VSS = 0 V 为基准。

*2 : 仅适用于本芯片在运行时的周围环境温度。可以理解成此温度与芯片表面的温度几乎相同。

< 警告 > 为确保半导体器件的正常运作，必须在推荐的运行环境或条件下使用。器件在所推荐的环境或条件下

运行时，其全部电气特性均可得到保证。请务必在所推荐的工作环境或条件范围内使用该半导体器件。如超出该等范围使用，可能会影响该器件的可靠性并导致故障。

本公司对本数据手册中未记载的使用范围、运行条件或逻辑组合不作任何保证。如果用户欲在所列条件之外使用器件，请务必事先联系销售代表。

参数 符号额定值

单位小值 大值

电源电压 * VDD − 0.5 + 4.0 V

输入电压 * VIN − 0.5 VDD + 0.5 V

输出电压 * VOUT − 0.5 VDD + 0.5 V

工作环境温度 TA − 40 + 85 °C

储存温度 Tstg − 55 + 125 °C

参数 符号值

单位小值 典型值 大值

电源电压 *1 VDD 1.8 3.3 3.6 V

工作环境温度 *2 TA − 40 ⎯ + 85 °C

DS501-00023-3v0-Z 13

MB85RS2MT

■ 电气特性

1. 直流特性（在推荐工作条件内）

*1：适用引脚：CS, WP, HOLD, SCK, SI

*2：适用引脚：SO

参数 符号 条件值

单位小值 典型值 大值

输入漏电流 *1 |ILI|

0 ≤ CS < VDD ⎯ ⎯ 200

μACS = VDD ⎯ ⎯ 1

WP, HOLD, SCKSI = 0 V 到 VDD

⎯ ⎯ 1

输出漏电流 *2 |ILO| VOUT = 0 V 到 VDD ⎯ ⎯ 1 μA

工作电源电流 IDD

SCK = 1 MHz ⎯ 0.8 ⎯ mA

SCK = 10 MHz ⎯ 2.6 ⎯ mA

SCK = 25 MHz ⎯ 5.6 10.6 mA

待机电流 ISB SCK = SI = CS = VDD ⎯ 35 150 μA

休眠电流 IZZCS = VDD

全部输入 VSS 或 VDD⎯ ⎯ 10 μA

输入高电压 VIH VDD = 1.8 V 到 3.6 V VDD × 0.7 ⎯ VDD + 0.5 V

输入低电压 VIL VDD = 1.8 V 到 3.6 V − 0.5 ⎯ VDD × 0.3 V

输出高电压 VOH IOH = −2 mA VDD − 0.5 ⎯ ⎯ V

输出低电压 VOL IOL = 2 mA ⎯ ⎯ 0.4 V

CS 的上拉电阻 RP ⎯ 18 33 80 kΩ

14 DS501-00023-3v0-Z

MB85RS2MT

2. 交流特性

*：除 FSTRD 以外的所有命令适用于不超过 25 MHz 的操作。

交流测试条件

电源电压 : 1.8 V 到 3.6 V工作温度范围 : − 40 °C 到 + 85 °C输入电压范围 : VDD × 0.7 ≤ VIH ≤ VDD

0 ≤ VIL ≤ VDD × 0.3输入上升时间 : 5 ns输入下降时间 : 5 ns输入判定基准电平 : VDD/2输出判定基准电平 : VDD/2

参数 符号

值单位

不超过 25MHz 的操作速度 *

VDD = 1.8 V 到 2.7 V VDD = 2.7 V 到 3.6 V

小值 大值 小值 大值

SCK 时钟频率( 除 FSTRD 以外的所有命令 )

fCK 0 25 0 25 MHz

SCK 时钟频率(FSTRD 命令 )

fCK 0 25 0 40 MHz

时钟高电平时间 tCH 15 ⎯ 11 ⎯ ns

时钟低电平时间 tCL 15 ⎯ 11 ⎯ ns

芯片选择设置时间 tCSU 10 ⎯ 10 ⎯ ns

芯片选择保持时间 tCSH 10 ⎯ 10 ⎯ ns

输出禁用时间 tOD ⎯ 12 ⎯ 12 ns

输出数据有效时间 tODV ⎯ 18 ⎯ 9 ns

输出保持时间 tOH 0 ⎯ 0 ⎯ ns

取消选择时间 tD 40 ⎯ 40 ⎯ ns

上升时间的数据 tR ⎯ 50 ⎯ 50 ns

数据下降时间 tF ⎯ 50 ⎯ 50 ns

数据设置时间 tSU 5 ⎯ 5 ⎯ ns

数据保持时间 tH 5 ⎯ 5 ⎯ ns

HOLD 设置时间 tHS 10 ⎯ 10 ⎯ ns

HOLD 保持时间 tHH 10 ⎯ 10 ⎯ ns

HOLD 输出浮动时间 tHZ ⎯ 20 ⎯ 20 ns

HOLD 输出激活时间 tLZ ⎯ 20 ⎯ 20 ns

SLEEP 恢复时间 tREC ⎯ 400 ⎯ 400 μs

DS501-00023-3v0-Z 15

MB85RS2MT

交流负载等价电路

3. 引脚电容

参数 符号 条件值

单位小值 大值

输出电容 CO VDD = VIN = VOUT = 0 V,f = 1 MHz， TA = + 25 °C

⎯ 6 pF

输入电容 CI ⎯ 8 pF

30 pF

3.3 V

1.2 kΩ

0.95 kΩ

16 DS501-00023-3v0-Z

MB85RS2MT

■ 时序图

• 串行数据时序

• 保持时序

SCK

CS

SI

SO

tCSU

tCH tCHtCL

tSU tH

tODVtOH tOD

tCSH

tD

SCK

CS

SO

tHS tHS

tHHtHH tHH tHH

tHZ tLZ tHZ tLZ

tHS tHS

HOLD

DS501-00023-3v0-Z 17

MB85RS2MT

■ 电源开 / 关序列

注意 : 如果器件不能在读周期、写周期或上电 / 掉电序列的特定条件内操作，则无法保证存储数据。

■ FRAM 特性

*1 由于 FRAM 存储采用破坏性读出机制操作，这里的读 / 写耐久性的 小值定义为读和写的次数的总和。

*2 数据保持年数是指出厂交货后第一次读 / 写数据的保持时间。这些保持时间是根据可靠性评估结果得出的换

算值。

参数 符号值

单位小值 大值

电源关闭时 CS 电平的保持时间 tpd 400 ⎯ ns

电源打开时 CS 电平的保持时间 tpu 250 ⎯ μs

电源上升时间 tr 0.05 ⎯ ms/V

电源上升时间 tf 0.1 ⎯ ms/V

参数 小值 大值 单位 备注

读 / 写耐久性 *1 1013 ⎯ 次 / 字节 工作环境温度 TA = + 85 °C

数据保持 *2

10 ⎯

年

工作环境温度 TA = + 85 °C95 ⎯ 工作环境温度 TA = + 55 °C

≧ 200 ⎯ 工作环境温度 TA = + 35 °C

GND

CS >VDD 0.8

tpd tputrtf

VIL ( )

1.0 V

VIH ( )

VDD ( )

VDD

CS : CS >VDD 0.8 CS CS

GND

VIL ( )

1.0 V

VIH ( )

VDD ( )

VDD

* : CS （ 大） < VDD + 0.5 V

18 DS501-00023-3v0-Z

MB85RS2MT

■ 使用说明

请在回流焊完成以后写入数据。此产品不能保证回流焊工序完成前写入的数据。

■ ESD 和闩锁

• 闩锁电阻测试的电流方法

注意 : 电压 VIN 逐渐增加且电流 IIN 应达到 大值 300 mA。确认在 IIN = ± 300 mA 情况下未发生闩锁。

输入 / 输出有特定的规格值， IIN 无法达到 300 mA 的情况下，电压应增加到满足这个特定的规格的水

平。

测试 DUT 值

ESD HBM （人体模型）符合 JESD22-A114

MB85RS2MTPF-G-JNE2MB85RS2MTPH-G-JNE1

≥ |2000 V|

ESD MM （机器模型）符合 JESD22-A115

≥ |200 V|

ESD CDM （充电器件模型）符合 JESD22-C101

⎯

闩锁 （I 测试）符合 JESD78

⎯

闩锁 （V 电源过电压测试）符合 JESD78

⎯

闩锁 （电流方法）专利方法

⎯

闩锁 （C-V 方法）专利方法

≥ |200 V|

A

VDD

VSS

DUT

V

IIN

VIN

+

-

测试端子

保护电阻

VDD（ 大额定值）

参考端子

DS501-00023-3v0-Z 19

MB85RS2MT

• 闩锁电阻测试的 C-V 方法

注意 : 以大约 2 秒间隔交替切换充电电压 1 和 2。此切换过程视为一个周期。

重复此过程 5 次。但是，如果闩锁条件在完成 5 次过程之前发生，则必须立即停止该测试。

■ 回流焊条件以及保管期限

JEDEC 条件 , Moisture Sensitivity Level 3 (IPC / JEDEC J-STD-020D)。

■ 针对含有限制级化学物质的处理

本产品符合 REACH, EU RoHS 以及中国 RoHS 指令。

VDD

VSS

DUT

VIN

+

-

SW

1 2

C200pF

V

A

测试端子

保护电阻

VDD（ 大额定值）

参考端子

20 DS501-00023-3v0-Z

MB85RS2MT

■ 订购信息

* : 烦请向我公司销售部门询问 小起订数量。

零件编号 封装 包装类型 小起订量

MB85RS2MTPF-G-JNE2 8 引脚塑料 SOP(FPT-8P-M08) 管状 ⎯*

MB85RS2MTPF-G-JNERE2 8 引脚塑料 SOP(FPT-8P-M08) 卷带 2,000

MB85RS2MTPH-G-JNE1 8 引脚塑料 DIP(DIP-8P-M03) 管状 ⎯*

DS501-00023-3v0-Z 21

MB85RS2MT

■ 封装尺寸

( 续上页 )

5.30 × 5.24

2.10

8 SOP(FPT-8P-M08)

(FPT-8P-M08)

C 2008-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F08016S-c-1-2

“A”

#5.30±0.10(.209±.004)

INDEX

1.27(.050)

1 4

58

0.43±0.05(.017±.002)

"A"

0~8°

2.10(.083)

0.10+0.15–0.05

–.002+.006

.004

7.80+0.45–0.10+.018–.004.307

#5.24±0.10

(.206±.004)

BTM E-MARK

0.20±0.05(.008±.002)

+0.10–0.200.75

.030+.004–.008

1) 2) 3) # :

8 SOP 1.27

×

0.14 g

22 DS501-00023-3v0-Z

MB85RS2MT

( 续上页 )

(DIP-8P-M03)

(DIP-8P-M03)

C 2006-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED D08008S-c-1-4

0.25±0.05(.010±.002)

15° MAX

.370 –.012+.016

–0.30+0.40

9.40

(.250±.010)6.35±0.25

INDEX

1 4

8 5

0.50(.020)MIN

TYP.2.54(.100)

(.018±.003)0.46±0.08

3.00(.118)MIN

4.36(.172)MAX

1.52

.060 –0+.012

–0+0.30

–0

–00.99+0.30

+.012.039

.035

0.89+.014

+0.35

–.012

–0.30

TYP.7.62(.300)

0.46 g

8 DIP2.54

8 DIP

DS501-00023-3v0-Z 23

MB85RS2MT

■ 标记

[MB85RS2MTPF-G-JNE2][MB85RS2MTPF-G-JNERE2]

[FPT-8P-M08]

RS2MTE21300

300

RS2MTE11300

300

[MB85RS2MTPH-G-JNE1]

[DIP-8P-M03]

24 DS501-00023-3v0-Z

MB85RS2MT

备忘

DS501-00023-3v0-Z 25

MB85RS2MT

备忘

26 DS501-00023-3v0-Z

MB85RS2MT

备忘

DS501-00023-3v0-Z 27

MB85RS2MT

FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITEDShin-Yokohama Chuo Building, 2-100-45 Shin-Yokohama,Kohoku-ku, Yokohama, Kanagawa 222-0033, Japanhttp://jp.fujitsu.com/fsl/en/

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