หน่วยความจำหลัก present 4-11 (group3)

หนวยความจ าหลก มหนาทเปนแหลงเกบขอมลการท างานของคอมพวเตอร ซงรวมทงตวค าสงใน

โปรแกรมและขอมลตางๆ ทจะใชในเครองคอมพวเตอรขณะก าลงท างานอย

แรม

(Random Access Memory, RAM)

รอม

(Read Only Memory, ROM)

แรม

(Random Access Memory, RAM)

เปนหนวยความจ าหลกประเภททสามารถเขาถงค าสงและขอมลโดยตรงได แรมเปนหนวยความจ าทสามารถทจะอานหรอเขยนขอมลและค าสง

ลงไปไดหลายครง

แรม (RAM)

Static RAM (SRAM) Dynamic RAM (DRAM)

หนวยความจ าประเภท RAM ทพฒนามาจากทรานซสเตอร ม

คณสมบตสามารถเกบรกษาขอมลไวในหนวยความจ าตราบเทาทยงมไฟเลยงอย และท างานไดโดยทไมตองมการเขยนขอมลลงไปซ า

หลายครงเพอรกษาขอมลภายในอยตลอดเวลา อกทงยงมความเรว

ในการเขาถงขอมล

หนวยความจ าทใชในการจดจ าขอมลและโปรแกรมตางๆ ทอยระหวางการประมวลผลของ

คอมพวเตอร เปนหนวยความจ าทมใชงานอยในเครองคอมพวเตอรสวนบคคล หรอพซมากทสด เนองจากราคาไมแพงและ

มความจสง

Static RAM (SRAM)

นยมน าไปใชเปนหนวยแครช(Cache) ภายในตวซพย เพราะมความเรวในการท างานสงกวา

DRAM มาก แตไมสามารถท าใหมขนาดความจสงๆได เนองจากกนกระแสไฟมากจนท าใหเกดความ

รอนสง

Dynamic RAM (DRAM)

นยมน าไปใชท าเปนหนวยความจ าหลกของระบบในรปแบบของชปไอซ (Integrated

Circuit) บนแผงโมดลของหนวยความจ า โดยออกแบบใหมขนาดความจสงๆได กนไฟนอย

และไมเกดความรอนสง

ระบบแรกๆ จะใชหลอดสญญากาศท างานคลายกบแรมในสมยปจจบนถงแมวาอปกรณจะเสยบอยกวามาก แตหนวยความจ าแบบแกนเฟอรไรต(core memory) กมคณสมบตในการเขาถงขอมลแบบเดยวกน

จากอดต มาสปจจบน

ป 2529

รอม

(Read Only Memory, ROM)

เปนหนวยความจ าประเภทแบบ

ลบเลอนไมได สามารถเกบขอมลไดตลอดไปแมจะปดเครองคอมพวเตอรแลว

สามารถอานขอมลไดอยางเดยว ไมสามารถเปลยนแปลงแกไขขอมลทเกบอยในรอมได

รอม (R0M)

หนวยความจ าพรอม (Programmable ROM : PROM

หนวยความจ าอพรอม (Erasable Programmable ROM : EPROM)

หนวยความจ ามานลรอม (Manual ROM )

หนวยความออพรอม (Electrically Erasable PROM : EEPROM

ผใชสามารถแกไขขอมลทบนทกไวได 1 ครง ซงตองอาศยเครองมอพเศษทเรยกวา PROM

Programmer ในการบนทก เครองมอชนนจะปอนกระแสไฟฟาเขาไปในเซลลเฉพาะของ

หนวยความจ ารอมซงจะท าหนาทเสมอนฟวสไฟฟา กระบวนการดงกลาวเรยกวา การเบรนนงพรอม

(Burning PROM) ขอจ ากดในการเบรนนงพรอมคอหามเกดขอผดพลาดใด ๆ ทงสน เนองจาก

สามารถแกไขไดเพยงครงเดยว

หนวยความจ าพรอม (Programmable ROM : PROM

หนวยความจ าอพรอม (Erasable Programmable ROM : EPROM)

คอรอมซงสามารถลบและน ามาใชซ าได การลบขอมลสามารถท าไดโดยการน าไปตากแดด รงสอลตราไวโอเลตในแสงแดงจะท าปฏกรยากบชพหนวยความจ าและลบขอมลทงหมดออกไป อยางไรกตามการลบขอมลจะเกดขนภายใตแสงแดดจดเทานน แสงแดดทสองผานเขามาในหองอาจมปรมาณรงสอลตรา

ไวโอเลตไมเพยงพอส าหรบกระบวนการดงกลาวได

หนวยความออพรอม (Electrically Erasable PROM : EEPROM

ผใชสามารถลบ แกไขหรอเขยนซ าขอมลทบรรจอยภายในได และสามารถกระท าซ าไดหลายครง โดยอาศยแอพพลเคชนทใชก าลงไฟฟาสงกวาปกต

EEPROM จะตางจาก EPROM ตรงทไมจ าเปนตองถอดออกจากเครองคอมพวเตอรเพอท าการแกไขขอมล การลบขอมลใน EEPROM จะเปนการลบขอมลทงหมด ไมสามารถเลอกลบเฉพาะบางสวนไดอยางไรกตามมนมอายการใชงานจ ากดขนอยกบ

จ านวนครงในการลบหรอแกไขขอมล

ขอมลทงหมดทอยใน ROM จะถกโปรแกรม โดยผผลต (โปรแกรม มาจากโรงงาน) เราจะใช ROMชนดน เมอขอมลนน ไมมการเปลยนแปลง และมความตองการใชงาน เปนจ านวนมาก ผใชไม

สามารถ เปลยนแปลงขอมลภายใน ROM ไดโดย ROM จะมการใช technology ท

แตกตางกน

หนวยความจ ามานลรอม (Manual ROM )

จากอดต มาสปจจบน

ป 1951 ปจจบน

เมนบอรดเปนอปกรณทส าคญรองมาจากซพย เมนบอรดท าหนาท

ควบคม ดแลและจดการๆ ท างานของ อปกรณชนดตางๆ แทบทงหมดใน

เครองคอมพวเตอร ตงแตซพย ไปจนถง

หนวยความจ าแคช หนวยความจ าหลก

ฮารดดสก ระบบบส บนเมนบอรดประกอบดวยชนสวนตางๆ มากมาย

สวนประกอบของ

เมนบอรด

1 .PS/2

2. Fire wire 3.eSATA 4. USB

5.LAN

6. ชองตอเสยง

7.หวตอ SATA 8.หวตอแบบ IDE

9.ตวตอแหลงจายไฟ

10.ซอกเกตแรม11.ตวเชอมป มควบคม

12.ตวตอ USB

3.สลอต AGP4.สลอต PCI

5.ตวอานแผนดสก

6.ซปเซต

1.ซอกเกตซพย

2. พอรตทใชในการเชอมตอ

ป 1993

จากอดต มาสปจจบน

ปจจบน

คณะผจดท า

นางสาวณฐรกา รท านอง เลขท 30

นางสาวจรารตน ทวาค า เลขท 35

นางสาวปรายฟา แพงสภา เลขท 40

นางสาวชญญา แสนสทธ เลขท 27

นางสาวพลอยนภรชน อภวงค เลขท 2

นางสาวสพรรษา แสนรก เลขท 32

นางสาวอรสยา ภเอยง เลขท 8

นายพงศพระ พลเยยม เลขท 17