第一章 半導體概論 1-1book.sir.com.tw/prvpdf/010cm461301.pdf · 第一章 半導體概論...
TRANSCRIPT
第一章 半導體概論 1-1
1-1 共價鍵與價電子 1-3
1-2 能帶與固態材料的分類 1-7
1-3 半導體材料與分類 1-10
1-4 雜質半導體(Impurity Semiconductor) 1-13
1-5 半導體導電特性 1-17
1-6 半導體溫度特性 1-23
1-7 PN 接面 1-25
第二章 二極體 2-1
2-1 PN 二極體 2-3
2-2 二極體電路解法 2-13
2-3 特殊二極體 2-18
第三章 二極體應用電路 3-1
3-1 電源電路概論 3-4
3-2 整流器(Rectifier)電路 3-8
3-3 濾波器(Filiter)電路 3-16
3-4 倍壓器(Voltage Multiplier)電路 3-22
3-5 截波器(Clipper)電路 3-25
3-6 箝位器(Clamper)電路 3-33
第四章 雙極性電晶體 4-1
4-1 基本概念 4-3
4-2 微觀物理結構 4-11
4-3 線性放大組態 4-14
4-4 直流偏壓電路 4-21
4-5 負載線(Load Line)與工作點(Operating Point) 4-32
4-6 歐力效應(Early Effect) 4-35
第五章 場效應電晶體 5-1
5-1 基本概念 5-3
5-2 JFET 5-7
5-3 增強型 MOSFET(Enhancement MOSFET) 5-12
5-4 空乏型 MOSFET(Depletion MOSFET) 5-18
5-5 非理想特性 5-24
5-6 CMOS 結構與特性 5-27
5-7 FET 直流偏壓分析 5-29
第六章 小信號單級放大器 6-1
6-1 雙埠網路 6-3
6-2 BJT 小訊號的模型及參數 6-7
6-3 FET 小訊號的模型及參數 6-21
第七章 多級放大與頻率響應 7-1
7-1 分 貝 7-3
7-2 頻率響應概論 7-5
7-3 串級特性 7-8
7-4 耦合類型 7-11
7-5 電晶體複合組態 7-15
7-6 轉移函數與波德圖 7-23
7-7 頻率響應分析技巧 7-26
7-8 電晶體高頻小信號模型 7-30
第八章 電流鏡與差動放大器 8-1
8-1 BJT 電流鏡 8-3
8-2 MOS 電流鏡 8-13
8-3 BJT 差動放大器 8-17
8-4 FET 差動放大器 8-29
第九章 負回授 9-1
9-1 基本觀念 9-3
9-2 回授放大器 9-6
第十章 功率放大 10-1
10-1 基本觀念 10-3
10-2 各典型電路分析 10-7
10-3 放大器的失真 10-15
10-4 散熱與功率 10-17
第十一章 運算放大器 11-1
11-1 理想 OPA 11-3
11-2 基本應用電路 11-8
11-3 數學運算電路 11-16
11-4 信號取樣電路 11-30
11-5 特殊應用電路 11-37
11-6 非理想運算放大器特性 11-45
11-7 μA741 11-53
第十二章 濾波器 12-1
12-1 一階濾波器 12-3
12-2 二階濾波器 12-9
12-3 特殊濾波器 12-19
第十三章 信號產生器 13-1
13-1 概 論 13-3
13-2 低頻弦波振盪器 13-6
13-3 高頻弦波振盪器 13-11
13-4 史密特觸發器(Schmitt Trigger) 13-15
13-5 非正弦波振盪器 13-19
第十四章 穩壓電路 14-1
14-1 基本觀念 14-3
14-2 線性電壓調節器 14-6
14-3 交換式電壓調節器 14-11
第十五章 數位邏輯電路 15-1
15-1 組合邏輯(Combinatorial Logic) 15-3
15-2 循序邏輯(Sequential Logic) 15-6
15-3 記憶體(Memory) 15-12
15-4 BJT 邏輯電路 15-19
15-5 CMOS 邏輯電路 15-30
15-6 電氣特性 15-36
附 錄 最新試題 16-1
第一章 半導體概論 1-3
1-1
共價鍵與價電子
依據波爾原子模型可知,軌道上電子的分布有下列兩項規則:
數量原則:依循 2N2規則(N 為軌道數)。
填滿原則:內層填滿後,才會依序往外擴充。
最後必會產生一個最後(最外)層的軌層,此最外層軌道上的電子不一定
呈現填滿的狀態。
價電子:
價電能軌(Valence Orbit):原子最外層的軌道。
價電子(Valence Electron):價電能軌上的電子,即原子最外層軌道上
的電子。
價電子由於位在原子結構的最外層,所以受到本身原子核的吸引力最小
(吸引力與距離平方成反比)。所以當受到足夠的外加能量(例如:溫
度、輻射、電場……)所激勵後,後部分的價電子便會跳到更外層的空
能軌上,脫離原有(原子核)的束縛。
共價鍵結(Covalent Bonidng):
矽(或鍺)原子是一種四價的元素,依據「八隅體學說」,其價電子會
以「互相分享」來達到穩定的狀態。
每一個矽(或鍺)原子都與其相鄰的 4 個原子共用一個價電子,使每一
個矽(或鍺)原子最外層的軌道上都各有 8 個價電子,而達到穩定的需
求,此種結合的方式便稱之為:共價鍵結。
1-4 電子學
矽原子的共價鍵組態
電荷載子(Charge Carriers):
共價鍵破裂:共價鍵內的價電子獲得足夠的外加能量,克服共價鍵的束
縛,形成自由電子的過程。
電洞(Hole):共價鍵破裂時,價電子脫離價電帶所留下的空缺(
Vacancy)。
電子電洞對(Electron-hole Pair):每一個共價鍵破裂時,均會同時產
生一對數目相同的自由電子和電洞。
價電子 自由電子電洞
電洞的特性:
產生
結合
矽與鍺的原子結構圖
第一章 半導體概論 1-5
電洞等效於一個載有正電荷,且電荷量與電子相同的個體1.6‧
10 19− 庫侖。
電洞的移動方向與電子相反。(補位作用)
電子的移動率高於電洞的移動率。
可藉由霍爾效應(Hall Effect)來證明電洞為一個帶正電荷的粒子。
電子流與電洞流:
傳導帶中,自由電子的移動造成電子流。價電帶中,電洞的移動造成電
洞流。
電子流與電洞流:方向相反、大小相等(本質半導體)。
電洞流的方向與傳統電流的方向相同。
電子流與電洞流的結果是相加作用而不是互相抵消 I Ih Ie。
半導體中存有兩種電荷載子電子與電洞電子流+電洞流。
金屬導體因無能隙間隔,所以不存在電洞載子電子流。
、每一個共價鍵斷裂會產生:
一個電洞 一個自由電子
兩個自由電子 一個電洞和一個自由電子
【地方五】
:
、純矽質半導體中,其原子的結合方式為:
金屬結合 離子結合 共價結合 電子結合
1-6 電子學
【普考】
:
、半導體因溫度的關係造成共價鍵破裂,此時半導體會產生:
僅有自由電子 僅有電洞
自由電子及電洞 正負離子 【臺電養成班】
:
第一章 半導體概論 1-7
1-2
能帶與固態材料的分類
材料能帶模型:
每一種固態材料都有其本身的能帶圖(Energy Band Diagram),而由能
帶圖可看出材料的一些基本特性,例如:傳導或絕緣能力、吸光與放光
特性等。
能帶(Energy Band):
孤立的原子:「能軌」與「能階」。
固態材料:無數個原子交互作用後將使得電子的出沒不再是一個特定
且單一的能軌,而是一個能量的範圍(Range),這個能量的範圍稱
之為:能帶。
能隙(Energy Gap,Eg):
能帶與能帶間的能量間隙。
電子不允許出現在能隙的範圍內,所以能隙代表電子在能量空間中的
「禁止區(Forbidden Region)」。
Eg Ec Ev,即自價電帶移一電子到傳導帶所需的能量或電子自傳
導帶返回價電帶所釋放的能量。
當溫度升高時,物質因吸收了熱能,而使得能隙相對地變小導電性
增加。
能隙的大小是物體導電能力好壞的因素之一。
價電帶(Valence Band):價電子所處的能帶範圍。
傳導帶(Conduction Band):自由電子所存在的能帶範圍。
能帶示意圖
1-8 電子學
各能階躍遷公式:
各能階進行跳躍間所需的能量:
E h‧f
h(浦郎克常數,Planck Constant):6.626 10 34− J-s。
實用公式:
VC EE
12400
−Å
gE
1240nm
固態材料的分類:
材料
特性
導 體
(Conductor)
絕 緣 體
(Insulator)
半 導 體
(Semiconductor)
能 隙
傳導帶與價電帶重疊
Eg 0
能隙過大 矽:1.21eV(0K)
鍺:0.78eV(0K)
電 導 係 數
(Ω-cm) 1− 103 10 8− 10 8− ~103
自由電子濃度
(個/cm3) 1022 107 107~1022
導 電 載 子 電子 無 電子、電洞
電 流 漂移電流 無 擴散電流、漂移電流
溫 度 效 應 T↑導電率↓ 無導電率本質:T↑導電率↑
高雜質:T↑導電率↓
電阻溫度係數 正 負本質:負
高雜質:正
電子伏特(Electron Volt,eV):
一種表示「能量」或「功」的單位。
定義:移動 1 個電子使其電位差等於 1 伏特所做的功。
1eV 1.602‧10 19− C‧1V
1eV 1.602‧10 19− Joule
1eV 1.602‧10 12− erg
第一章 半導體概論 1-9
目的:符合電子的微觀世界。
、負電阻溫度係數之材料,當溫度愈高時,其電阻:
愈小 愈大 不變 不一定
先變小再變大 【臺電養成班】
:
、電子伏特表示:
電壓 電流 能量 阻抗
【地方五】
:
1-10 電子學
1-3
半導體材料與分類
常見半導體材料的分類:
依元素的組成可分為:
元素半導體(Element Semiconductor):矽(Si)、鍺(Ge)。
複合物(化合物)半導體(Compound Semiconductor):砷化鎵(
GaAs)。
依能帶結構可分為:
間接能隙(Direct Bandgap):矽(Si)、鍺(Ge)。
直接能隙(Indirect Bandgap):砷化鎵(GaAs)。
第一章 半導體概論 1-11
常用的半導體材料特性比較表(300K):
鍺(Ge) 矽(Si) 砷化鎵(GaAs)
原子量(g/mole) 72.6 28.09 144.63
密度(g/cm3) 5.33 2.33 5.33
原子濃度(個/cm3) 4.41 1022 4.99 1022 4.42 1022
能隙 Eg(eV) 0.66 1.12 1.42
本質濃度 ni
(個/cm3)2.4 1013 1.5 1010
(1.45 1010)1.8 106
電子遷移率μn
(cm2/V-sec)3900 1500 8500
電洞遷移率μp
(cm2/V-sec)1900 480 400
電子擴散係數 Dn
(cm2/sec)100 40 220
電洞擴散係數 Dp
(cm2/sec)50 12 10
介電常數r 16 11.7 13.1電阻係數(Ω-cm) 47 2.3 105 108
少數載子平均壽命
(sec)10 3− 2.5 10 3−
10 8−
原子鍵結 共價鍵 共價鍵 離子鍵
能帶結構 間接能隙 間接能隙 直接能隙
週期表中與半導體有關的元素:
週期 二價 三價 四價 五價 六價
2B 硼 5
Boron
3Al 鋁 13
Aluminum
Si 矽 14
Silicon
P 磷 15
Phosphorus
S 硫 16
Sulfur
4Zn 鋅 30
Znic
Ca 鎵 31
Gallium
Ge 鍺 32
Germanium
As 砷 33
Arsenic
Se 硒 34
Selenium
5Cd 鎘 48
Cadmium
In 銦 49
Indium
Sb 銻 51
Antimony
元素半導體:
1-12 電子學
為一種「單晶半導體」。
代表:矽(Si)、鍺(Ge)。
鍺是 1950 年代主要的半導體材料,現已被矽所取代。
矽是目前應用最廣泛、技術最成熟的半導體。
Ⅲ─Ⅴ族半導體:
為一種「複合物半導體」。
代表:砷化錠(GaAs)。
應用:微波元件、光電元件。
Ⅱ─Ⅳ族半導體:
為一種「複合物半導體」。又稱為:氧化物型半導體。
代表:硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)。
應用:熱阻體、感測元件。
ZnSe 的放光波長正好介於藍光的範圍藍光 LED。
、下列何種材料參數為決定半導體光偵測器可使用的光波頻段?
半導體熱脹冷縮係數 半導體能隙(Band Gap)寬度
半導體電阻率 半導體的光激發載子生命週期
【初考】
: