22

CHƯƠNG 2

CÁC MẠCH TẠO DAO ĐỘNG Chương này nhằm trình bày các vấn đề về tạo dao động, điều kiện và đặc điểm

mạch tạo dao động, ổn định biên độ và tần số dao động, phương pháp tính toán các mạch dao động 3 điểm điện cảm, 3 điểm điện dung, mạch clapp, mạch dao động ghép biến áp, mạch dao động thạch anh, mạch dao động RC...

2.1. Các vấn đề chung về tạo dao động

Mạch dao động có thể tạo ra các dạng dao động :

- hình Sine (điều hòa) - xung chữ nhật.

- xung tam giác. - xung răng cưa...

Ơ đây ta xét tạo dao động hình Sine (điều hoà) vì đây là dạng dao động cơ bản.

Các mạch dao động hình Sine thường được dùng trong các hệ thống thông tin, trong các máy đo, máy kiểm tra, trong các thiết bị y tế ... Các phần tử tích cực dùng để tạo dao động như đèn điện tử, transistor lưỡng cực, FET, KĐTT, hoặc như diode tunel, diode gunn.

- Đèn dùng khi cần công suất ra lớn, tần số từ thấp đến rất cao. - KĐTT khi tần số yêu cầu thấp và trung bình. - Transistor khi tần số yêu cầu cao.

• Tham số cơ bản của mạch dao động - Tần số dao động. - Biên độ điện áp ra.

- Độ ổn định tần số dao động (nằm trong khoảng 10- 2 ÷ 10- 6) - Công suất ra. - Hiệu suất của mạch.

• Nguyên tắc cơ bản để tạo mạch điều hòa - Tạo dao động bằng hồi tiếp dương. - Tạo dao động bằng phương pháp tổng hợp mạch. Chương này khảo sát mạch dao động theo nguyên tắc mạch dao động bằng hồi tiếp

dương.

23

2.2. Điều kiện dao động và đặc điểm của mạch dao động 2.2.1. Điều kiện để mạch dao động

K (A) _

Hình 2.1. Sơ đồ khối tổng quát của mạch dao động

Kht(B) _ X’

r

XV Xra

a’

(A): Khối khuếch đại có hệ số khuếch đại : K = K.ejϕ k

(B): Khối hồi tiếp có hệ số truyền đạt : K ht = Kht.ejϕ ht

X’r = K ht . Xr

Mà Xr = K . Xv

⇒ X’r = K . K ht.Xv

Mạch chỉ dao động khi Xv = X’r, nghĩa là lúc đó ta có thể nối điểm a và a’ và tín hiệu lấy ra từ mạch hồi tiếp được đưa trở lại đầu vào (Mạch điện không có tín hiệu vào mà có tín hiệu ra).

Vậy điều kiện để mạch dao động là :

X’r = Xv ⇒K . K ht = 1

Hay là : K Kht . ej (ϕk + ϕht) = 1 (*) Trong đó :

K : module hệ số khuếch đại ϕk : góc pha của bộ khuếch đại

Kht : module hệ số hồi tiếp ϕht : góc pha của mạch hồi tiếp

Từ (*) ⇒ ⎩⎨⎧

π=ϕ+ϕ=ϕ=

)2(n2)1(1K.K

htk

ht

Với n = 0, ±1, ±2, ...

ϕ : tổng dịch pha của bộ khuếh đại và của mạch hồi tiếp, biểu thị sự dịch pha giữa X’r và Xv.

Biểu thức (1) : điều kiện cân bằng biên độ, cho biết mạch chỉ có thể dao động khi hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại bù được tổn hao do mạch hồi tiếp gây ra.

24

Biểu thức (2) : điều kiện cân bằng pha cho thấy dao động chỉ có thể phát sinh khi tín hiệu hồi tiếp về đồng pha với tín hiệu vào. 2.2.2. Đặc điểm của mạch dao động

1. Mạch dao động cũng là một mạch khuếch đại, nhưng là mạch khuếch đại tự điều khiển bằng hồi tiếp dương từ đầu ra về đầu vào. Năng lượng tự dao động lấy từ nguồn cung cấp một chiều.

2. Mạch phải thỏa mãn điều kiện cân bằng biên độ và pha. 3. Mạch phải chứa ít nhất một phần tử tích cực làm nhiệm vụ biến đổi năng lượng

một chiều thành xoay chiều. 4. Mạch phải chứa một phần tử phi tuyến hay một khâu điều chỉnh để đảm bảo cho

biên độ dao động không đổi ở trạng thái xác lập.

2.3. Ổn định biên độ dao động và tần số dao động

2.3.1. Ổn định biên độ dao động

Khi mới đóng mạch, nếu điều kiện cân bằng pha được thỏa mãn tại một tần số nào đó, đồng thời KKht > 1 thì mạch phát sinh dao động ở tần số đó. Ta nói mạch ở trạng thái quá độ. Ở trạng thái xác lập biên độ dao động không đổi ứng với K.Kht = 1.

Để đảm bảo biên độ ở trạng thái xác lập, có thể thực hiện các biện pháp sau đây :

- Hạn chế biên độ điện áp ra bằng cách chọn trị số điện áp nguồn cung cấp một chiều thích hợp.

- Dịch chuyển điểm làm việc trên đặc tuyến phi tuyến của phần tử tích cực nhờ thay đổi điện áp phân cực đặt lên cực điều khiển của phần tử khuếch đại.

- Dùng mạch hồi tiếp phi tuyến hoặc dùng phần tử hiệu chỉnh. Ví dụ điện trở nhiệt, điện trở thông của diode.

Tùy thuộc vào mạch điện cụ thể có thể áp dụng một trong các biện pháp trên.

2.3.2. Ổn định tần số dao động Vấn đề ổn định tân số dao động liên quan chặt chẽ đến điều kiện cân bằng pha. Khi

dịch pha giữa điện áp hồi tiếp đưa về và điện áp ban đầu thay đổi sẽ dẫn đến thay đổi của tần số dao động.

Điều kiện cân bằng pha : ϕ = ϕK + ϕht = 2πn

Cho n = 0 ⇒ ϕK + ϕht = 0

ϕK, ϕht : phụ thuộc vào tham số m, n của các phân tử của mạch khuếch đại và mạch hồi tiếp và phụ thuộc ω.

25

ϕK (m, ω) + ϕht (n, ω) = 0 (**) Vi phân toàn phần và biến đổi (**) ta nhận được biểu thức :

0=ωω∂ϕ∂

+ωω∂ϕ∂

+ω∂ϕ∂

+∂ϕ∂

dddndmm

htKKK

Suy ra:

ω∂ϕ∂

+ω∂ϕ∂

∂ϕ∂

+∂ϕ∂

−=ωhtK

htK dnn

dmmd (3)

Từ biểu thức (3) ta suy ra các biện pháp nâng cao độ ổn định tần số : 1. Thực hiện các biện pháp nhằm giảm sự thay đổi tham số của mạch hồi tiếp (dn)

và mạch khuếch đại (dm). - Dùng nguồn ổn áp. - Dùng các phần tử có hệ số nhiệt nhỏ. - Giảm ảnh hưởng của tải đến mạch dao động bằng cách mắc thêm tầng đệm ở đầu

ra của tầng dao động. - Dùng các linh kiện có sai số nhỏ. - Dùng các phần tử ổn định nhiệt. 2. Dùng các biện pháp nhằm giảm tốc độ thay đổi góc pha theo tham số của mạch,

nghĩa là giảm m

K

∂∂ϕ và

mht

∂∂ϕ bằng cách chọn mạch dao động thích hợp.

3. Thực hiện các biện pháp làm tăng tốc độ thay đổi góc pha theo tần số, tức là bằng

ωϕ∂∂ K ,

ωϕ∂∂ ht xung quanh tần số dao động bằng cách sử dụng các phần tử có phẩm chất cao,

ví dụ thạch anh.

2.4. Các phương pháp tính toán mạch dao động 2..4.1. Các mạch tương đương của mạch dao động dùng transistor

+

Z3

Z2

+

I _ Z1

_

Hình 2.2. Sơ đồ mạch tạo dao động dùng Transitor

26

z1 = r1 + jx1 ≅ jx1 (r1 ≅ 0)

z2 = r2 + jx2 ≅ jx2 (r2 ≅ 0)

z3 = r3 + jx3 ≅ jx3 (r3 ≅ 0) Điều kiện dao động : x1 + x2 + x3 = 0 x1, x2 cùng dấu x1, x3 khác dấu |x3| > |x2|

* Nếu z1, z2 : C ⇒ z3 : L Ta có mạch dao động ba điểm điện dung (Colpits)

L2

C2

L1

L3

C2

C1

Hình 2.3. Mạch dao động ba điểmđiện dung (Colpits)

Hình 2.4. Mạch dao động ba điểm điện cảm (Hartley)

* Nếu z1, z2 : L ⇒ z3 : C Ta có mạch dao động ba điểm điện cảm (Hartley) Thông thường dùng ba mạch điện động ba điểm điện dung vì sự ổn định tốt hơn

nhưng ba điểm điện cảm dễ thực hiện. * Mạch biến thể :

L2 L1C

Hình 2.5. Mạch dao động ghép biến áp

L

C3

C2

Hình 2.6. Mạch dao động Clapp

C1

27

2.4.2. Phương pháp tính toán.

Có nhiều phương pháp, nhưng ở đây ta xét phương pháp thông dụng nhất, đó là tính toán mạch dao động theo phương pháp bộ khuếch đại có hồi tiếp.

Xem điều kiện pha đã bảo đảm (do kết cấu mạch đảm nhiệm). Ta chỉ cần căn cứ vào mạch điện cụ thể để xác định hệ số khuếch đại K và hệ số hồi

tiếp Kht. Sau đó dựa vào điều kiện cân bằng biên độ K.Kht = 1 để suy ra các thông số cần thiết của mạch, ví dụ :

Tính điều kiện tự dao động của mạch ba điểm điện dung sử dụng BJT

C

B

E

Lc

C2

C1

Vcc

Ct

R2

R1

CeRe

LI

Vtd

Hình 2.7. Sơ đồ mạch dao động ba điểm điện dung dùng Transitor RE, CE : thành phần ổn định nhiệt R1, R2 : phân cực LC : cuộn cản cao tần để giảm ảnh hưởng tần số dao động về nguồn Ct : tụ liên lạc cao tần (thoát cao tần) + Bước 1 : Tính hệ số khuếch đại K :

K = - S.Zc = - e

e

hh

11

21 Zc S : hỗ dẫn BJT

Zc : trở kháng giữa Colectơ và đất : nó là một phần trở kháng của khung cộng hưởng.

Zc = p2Rtd // Zvpa

Zvpa : trở kháng vào phản ảnh sang nhánh Colectơ-emitơ. Nếu R1 // R2 >> h11e ta có :

28

Zvpa = 211

2 nh

nZ ev =

Trong đó : n là hệ số phản ảnh. 0<n << 1

2

1

12 CC

CjI:

CjI

VVn

CE

BE =ωω

=−=&

&

0<n << 1 ⇒ C1 << C2

Rtd là trở kháng của khung cộng hưởng tại tần số cộng hưởng.

CrLRtd =

L : điện cảm của khung cộng hưởng C : điện dung của khung cộng hưởng r : điện trở tổn hao của khung cộng hưởng p : hệ số ghép của Transistor với khung cộng hưởng

I

CCCC

j

CjI

CCCC

j

ICj

IVV

ptd

CE 21

21

1

21

211

:+

×=

+

==ω

ωωω&

&

= n

CCCC

CCCC

CC+

=+

=+

=+ 1

1

1

1)(

2

121

2

121

21

⇒ 2

112

211

2

2

2

1

1

nh

)n(R

nh

)n(R

ZRpZRpZ

etd

etd

VPatd

VPatdC

++

+=+

=

⇒ 211

211

1 )n(hRnh.R

Zetd

etdC ++=

⇒ 211

211

11

21

1 )n(hRnh.R

hh

Ketd

etd

e

e

++−=

⇒ 211

221

1 )n(hRnhRK

etd

etd

++−=

+ Bước 2 : Xác định hệ số hồi tiếp :

nCC

CjI:

CjI

VVK

CE

BEht −=−=

ωω−==

2

1

12&

&

29

+ Bước 3 : Tính tích K.Kht :

211

221

1 )n(hRnh.R.nKKetd

etdht ++=

+ Bước 4 : Xác định điều kiện dao động của mạch :

K.Kht ≥ 1

⇒ ( ) 0111

21

11

22 ≤−++ nRhh

hRnn td

e

e

e

td

Dấu “ = ” ứng với trường hợp dao động xác lập. Dấu “ < ” ứng với trường hợp quá độ lúc đóng mạch. + Bước 5 : Xác định hệ số hồi tiếp cần thiết để mạch tự dao động được. Thường n << 1 nên biểu thức trên có thể viết :

012

211

21

11

2 ≤+− tde

e

e

td Rh

hn

hR

n (*)

⇔ 0Rhn

2h2n

td

e11e212 ≤+−

Giải phương trình bậc hai này ta nhận được :

td

eee, R

hhhn 112

212121 22

−⎟⎠⎞

⎜⎝⎛±=

(*) ≤ 0 khi n2 ≤ n ≤ n1

Lúc đó mạch có dao động hình sine (ở trạng thái xác lập) tại n1 hoặc n2

Vì 2

21112

21

22⎟⎠⎞

⎜⎝⎛≅−⎟

⎠⎞

⎜⎝⎛>>⇒ e

td

eetd

hRhh

R

⇒ n1 = h21 > ⇒ loại bỏ n1 vì điều kiện n <<1

+ Bước 6 : Xác định trị số linh kiện mắc trong mạch qua hệ số hồi tiếp n và qua tần số dao động của mạch.

Từ giá trị n = n2 vừa tìm được ta có :

⎪⎪⎪

⎩

⎪⎪⎪

⎨

⎧

+π

==

−⎟⎠⎞

⎜⎝⎛−===

21

21

112

21212

2

1

2

122

CCCCL

ff

Rhhhn

CCn

CHdd

td

eee

⇒ tìm được L, C1, C2

30

2.5. Mạch điện các bộ dao động LC 2.5.1. Vấn đề ổn định biên độ

Để ổn định biên độ trong các mạch dao động LC, thường dùng phương pháp di chuyển điểm làm việc của phần tử tích cực. Điện trở RE trong mạch điện tính toán ở trên làm nhiệm vụ đó.(Nếu không mắc tụ CE//RE)

Khi mới đóng mạch, nhờ có phân áp R1, R2 nên tiếp giáp BE của Transistor được định thiên và làm việc với góc cắt θ = 180o tương ứng với chế độ dao động mềm. Hỗ dẫn S của Transistor tại điểm làm việc ban đầu khá lớn, do đó KKht > 1 và mạch ở vào chế độ quá độ. Biên độ dao động tăng dần làm cho hạ áp trên RE (trường hợp không có tụ mắc song song) tăng dần, đồng thời điện áp hồi tiếp có cực tính âm trở về cực B của BJT tăng dẫn đến phân cực BE giảm, mạch chuyển sang chế độ C ứng với góc cắt θ < 90o. Tương ứng với chế độ dao động cứng. Đồng thời hỗ dẫn trung bình giảm làm cho hệ số khuếch

đại K = - 11

21

hh giảm và tích KKht tiến tới bằng 1 ở chế độ xác lập.

Trong mạch ta đã dùng hồi tiếp âm trên RE để chuyển dịch làm việc từ khu vực có hỗ dẫn lớn sang khu vực có hỗ dẫn bé.

Điểm làm việc tĩnh

ωtHình 2.8. Đặc tuyến VBE - IC của Transitor

VBE

IC

2.5.2 Mạch dao động 3 điểm điện cảm (Hartley)

Xét dao động 3 điểm điện cảm mắc E chung. Ta thấy : X1 = XCE = ωL1>o, X2 =

XBE = ωL2 > o, X3 = XCB = cω

−1 < o

Thỏa mãn điều kiện cân bằng về pha Điều kiện cân bằng biên độ : (tính cho mạch hình 2.11)

31

E

C

E

B

Vcc

L2

C Vtđ

L1

R3

C2

R1

R2

Re Ce

C1

Hình 2.11. Sơ đồ mạch tạo dao động Hartley mắc E chung

Hệ số khuếch đại: )nh

//Rp(hh

SZK etd

e

ec 2

112

11

21−=−= ]

Hệ số phản ảnh khi L1 và L2 ghép chặt trên cùng một lõi:

MLML

)ML(Ij)ML(Ij

VV

VV

nCE

EB

CE

BE

++

=+ω+ω

==−=1

2

1

2

Trong đó M là độ hỗ cảm giữa 2 cuộn dây 21LLkM =

Thông thường: ở băng sóng dài và sóng trung 9050 ,,k ÷=

ở băng sóng ngắn 2010 ,,k ÷=

Khi L1 và L2 ghép lỏng, ghép trên từng lõi riêng: M=0

Lúc đó: 1

2

1

2

LL

LIjLIj

VV

VV

nCE

EB

CE

BE =ωω

==−=

nLL

LIjLIj

VV

KCE

BEht −=−=

ωω−

==1

2

1

2

p: hệ số ghép giữa transistor và mạch (khi L1 và L2 ghép lỏng) :

n

VV

VVUV

VVV

LLL

VV

VV

p

EB

CE

EB

CEEBCE

CE

CB

CE

CB

CE

td

CE

+=

−=

+=

+=⇒

+===

11

1

1

1

1

21

1

Thực hiện tương tự như các mạch trước ta tìm được bất phương trình :

32

02

2 11212 ≤+−td

ee

Rhh

nn

Tần số dao động : C)LL(CL

ff CHRdd212

12

1+π

=π

==Σ

Nếu ghép chặt : LΣ = L1 + L2 + 2M

C

E

B

Vcc

L1

R2

L2Re

R1

C1

C Vtđ

Vr

C2

Hình 2.12 Sơ đồ mạch dao động 3 điểm điện cảm (Hartley) mắc theo cực B chung.

2.5.3 Mạch điện dao động ghép biến áp

B

E

C

E

E

C

B

Vcc

*

Vht = VBE

Cb

R2

Vcc

R1

Re

C

M

L

*Ce

Hình 2.9. Sơ đồ mạch tạo dao động ghép biến áp mắc E chung

Tương tự như mạch dao động 3 điểm điện cảm hệ số phản ánh được tính theo biểu

thức:

33

n = - LM

LIjMIj

VV

CE

BE −=ωω

−=&

&⇒ M < 0

Với M là độ hỗ cảm giữa 2 cuộn dây sơ cấp và thứ cấp.

Nghĩa là hai cuộn dây sơ cấp và thứ cấp phải có cực tính ngược nhau để điện áp hồi tiếp về đồng pha với điện áp vào.

Điều kiện biên độ :

K.Kht = 1; Kht = - n = LM

K = - SZC ; Zvpa = 211

nh e

Trong đó : eettdC h

nZph

nZpRpZ 11

2

211

2

22

1111+=++= với ttd Z//RZ =

Nếu tín hiệu ra từ mạch dao động đưa vào mạch khuếch đại đệm trước khi lấy ra tải thì Zt>>Zvpa, và Zt>> p2.Rtd . Do đó có thể bỏ qua Zt.

Lúc đó: 211

nh

// RtdpZ e2c =

e

e

hh

S11

21=

Lập tích : K.Kht ≥ 1 1111

221

112

11

11

21 ≥+

⇒≥−+⎟⎟

⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛−⇒

etd

tde

etd

etd

e

e

hRnRnh

)n(hRn

hRhh

1===CE

CE

td

CE

VV

VV

p

thay vào ta được :

02

2 11212 ≤+−td

ee

Rhh

nn

Giải ra ta được kết quả :

td

eee, R

hhhn 11

22121

21 22−⎟

⎠⎞

⎜⎝⎛±=

Kết quả cũng giống như mạch ở phần trên đã tính toán

34

Tần số dao động của mạch :

LC

fπ

=2

1

Để tạo dao động có tần số cao, dùng sơ đồ bazơ chung vì điện áp vào và ra cùng pha nên điều kiện cân bằng pha thỏa mãn khi M > 0 (2 cuộn dây quấn cùng cực tính)

Điều kiện biên độ cũng giống sơ đồ emitơ chung nếu thay h21e, h11e bởi h21b và h11b.

n = LM

LIjMIj

VV

CB

EB =ωω

=&

&; 0 < n < 1

1==td

CB

VV

p

Vcc

Zt

R2 R1

M

Ce

C

Re

* *

L

Hình 2.10. Sơ đồ mạch tạo dao động ghép biến áp mắc B chung

2.5.4 Mạch Clapp

E

C2

C1L

CCv

Cr

Re

R1

R2 Ce

Vcc

C3

Rc

Hình 2.13. Sơ đồ mạch tạo dao động Clapp

35

Đây là biến dạng của mạch ba điểm điện dung. Nhánh điện cảm cần được thay bởi một mạch cộng hưởng gồm L, C nối tiếp mà trị số của chúng được chọn sao cho mạch có trở kháng tương đương với một điện cảm tại f = fdđ, nghĩa là

CL

dddd ω

ω 1>

Hệ số ghép giữa transister và khung cộng hưởng:

2

1

12 CC

CjI:

CjI

VVn

CE

BE =ωω

=−=

nVVK

CE

BEht −==

11 CC

CjI:

CjI

VV

p td

tdtd

CE =ωω

==

Trong đó : CCCCtd

1111

21

++=

Thường chọn C << C1, C2 => C ≈ Ctd

=> 111

<<==CC

CC

p td

Nghĩa là khung cộng hưởng ghép rất lỏng với BJT nhằm giảm ảnh hưởng của các điện dung phân bố của phân tử tích cực (BJT) (điện dung ra, điện dung vào) đến tần số dao động của mạch. Tần số dao động của mạch :

LCLC

fftd

chdd ππ 21

21

≈==

Vì vậy C1, C2 và các điện dung vào ra của transistor hầu như không tham gia quyết định tần số dao động của mạch . Do đó sơ đồ Clapp cho phép tạo dao động có tần số ổn định hơn các loại sơ đồ ba điểm khác.

Theo điều kiện cân bằng biên độ ta xác định được phương trình:

.1.

..

).).(( 2111

22

221

211

21

2

211

21

2

11

21 ≥+

=+

−−ChnRC

CRnh

nh

CRC

nh

CRC

hh

netd

tde

etd

etd

e

e

Suy ra:

0211121

2 ≤+− )CC

(hRnhRn etdetd

36

⇔ 02

2 2111212 ≤+− )CC

(Rh

nh

ntd

ee

Từ đó tính được :

2

1112

21212,1 22

⎟⎠⎞

⎜⎝⎛−⎟

⎠⎞

⎜⎝⎛±=

CC

Rhhhn

tâ

eee

2.5.5 Các mạch tạo dao động dùng thạch anh Tinh thể thạch anh (quartz crystal) là loai đá trong mờ trong thiên nhiên có cấu tạo sáu mặt và hai tháp ở hai đầu (hình 2.14) có nhiều ở nước ta. Thạch anh chính là dioxid silicium SiO2 cùng chất làm lớp cách điện ở transitor MOSFET. Ở tinh thể thạch anh có các trục mang tên Z, X, Y. Trục Z xuyên qua hai đỉnh tháp, trục X qua hai cạch đối và thẳng góc với trục Z (có 3 trục X), trục Y thẳng góc với hai mặt đối (có 3 trục Y). Tinh thể thạch anh dùng trong mạch dao động là một lát mỏng đựơc cắt ra từ tinh thể. Tùy theo mặt cắt thẳng góc với trục nào mà lát thạch anh có dặc tính khác nhau. Thường trục cắt là AT (thẳng góc với trục Y, song song với trục X và tạo với trục Z một góc 35o15’). Lát thạch anh có diện tích mặt khoảng một đến vài cm2 được mài mỏng đến vài mm sao cho hai mặt thật phẳng và thật song song. Hai mặt này được mạ kim loại (vàng hay bạc) và hàn với hai điện cực làm chân ra. Kế đến lớp thạch anh được bọc trong một lớp bột cách điện và được đóng trong hộp thiết kín có hai chân ló ra, bên trong có thể được hút hết không khí.

thạch anh

bạc

điện cực (chân ra)

(trục điện) X

(trục cơ)

Y

Z (trục quang)

Đặc tính của tinh thể thạch anh là hiêu ứng áp điện (piezoelectric) theo đó khi ta áp hai mặt của lát thạch anh thì một hiệu điện thế xuất hiện giữa hai mặt, còn khi ta kéo dãn hai mặt thì hiệu điện thế có chiều ngược lại. Ngược lại, dưới tác dung của hiệu thế xoay chiều lát thạch anh sẽ rung ở tần số không đổi và như vậy tạo tín hiệu xoay chiều ở tần số không đổi. Tần số dao động của thạch anh tuỳ thuộc vào kích thước của nó (đặc biệt là chiều dày) và mặt cắt. Tần số dao động thay đổi theo thời gian và nhiệt độ môi trường nhưng nói chung rất ổn định. Ảnh hưởng quan trọng nhất lên thạch anh là nhiệt độ. Khi nhiệt độ

Hình 2.14. Tinh thể, cấu tạo và hình dạng linh kiện thạch anh

37

thay đổi, kích thước của lát thạch anh thay đổi dẫn đến tần số dao động thay đổi theo, nhưng dù sao cũng tram ngàn lần ổn định hơn các mạch không dùng thạch anh. Do đó trong những ứng dung cần ổn định tần số rất cao người ta phải ổn định nhiệt độ thạch anh. Các đồng hồ chỉ giờ (đeo tay, treo tường) đều dùng dao động thạch anh. 2.5.4.1. Tính chất và mạch tương đương của thạch anh

Lq, Cq, rq : phụ thuộc kích thước khối thạch anh và cách cắt khối thạch anh. Cq: Điện dung tạo bởi 2 má ghép với đầu ra. Thông thường rq rất nhỏ có thể bỏ qua.

+ Thạch anh được cấu tạo từ SiO2, được sử dụng khi yêu cầu mạch dao động có

tần số ổn định cao vì hệ số phẩm chất Q của nó rất lớn.

B

A

A

Lq

Cq

rq

B

Hình 2.15. Ký hiệu và mạch tương đương của thạch anh

Cp

+ Thạch anh có tính chất áp điện : Điện trường - sinh dao động cơ học và dao động cơ học - sinh ra điện tích.

Do đó có thểdùng thạch anh như một khung cộng hưởng. Bỏ qua rq (rq = 0) thì trở kháng tương đương của thạch anh được xác định :

)..(1

11

1.1

2

2

qpqqp

qq

pqq

pqq

qq CCLCCCL

j

CjCjLj

CjCjLj

XZωω

ω

ωωω

ωωω

−+−

=++

⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛+

== (*)

Gọi fdđ là tần số dao động của 1 mạch Từ (*) thạch anh có 2 tần số cộng hưởng:

- Tần số cộng hưởng nối tiếp fq ứng với Zq = 0

qq

q CLf

.21

π=

- Tần số cộng hưởng song song : fp ứng với Zq = ∞

pqq

qqp CCL

CCf

+

π=

21

p

qq

td CC

fLC

+== 12

1π

38

Trong đó : pq

pqtd CC

CCC

+= Cq nối tiếp Cp

Khi Cp >> Cq => fp ≈ fq . Dựa vào đặc tính điện kháng ta thấy

Nếu fdđ < fq - Thạch anh ⇔ C

Nếu fq < fdđ < fp -T.anh ⇔ L

Nếu fdđ >fp - Thạch anh ⇔ C

Các thông số đặc trưng của T.A:

fq : 1KHz ÷ 100MHz. Các thạch anh có tần số thấp hơn ít được sản xuất, vì loại này kích thước lớn hơn và đắt tiền. Thực tế, người ta thường sản xuất thạch anh có tần số fq : 50KHz ÷ 1MHz vì chọn được mặt cắt có tính ổn định nhất cho thạch anh.

jXq

fq f

Hình 2.16. Đặc tính điện kháng của thạch anh

fp

Nối tiếp Song song

rq =0 qq

qtd rC

LR =⇒ rất lớn 54 1010 ÷===

q

q

q

q

qtd r

CL

LC

RQ rất lớn

Độ ổn định tần số :

106

0

1010 −− ÷≈∆ff

Để thay đổi tần số cộng hưởng của thạch anh trong một phạm vi hẹp, người ta mắc nối tiếp thạch anh với một tụ biến đổi Cs như hình vẽ.

qCS Tần số cộng hưởng nối tiếp của nó :

Hình 2.17

sq

qqq CC

Cff

++= 1/

Lượng thay đổi tần số do mắc thêm Cs vào:

39

sq

q

sp

q

q

qq

q CCC

CCC

fff

ff

+=−

++=

−=

∆2111

/

2.5.4.2. Mạch điện bộ tạo dao động dùng thạch anh với tần số cộng hưởng song song

Rb2

Rc

Re C2

C1

Ce

Rb1

q

CS

Vcc

Hình 2.18. Mạch bộ dao động dùng thạch anh với tần số cộng hưởng song song

Nhánh thạch anh mắc nối tiếp với tụ Cs tương đương với 1 điện cảm để mạch có

thể dao động dưới dạng 3 điểm điện dung. Lúc đó phải chọn thạch anh sao cho:

fq< fdd < fp và tdddsdd

Lc

ωω

<1

2.5.4.3. Mạch điện bộ tạo dao động dùng thạch anh với tần số cộng hưởng nối tiếp

VccR2R1

Re

C3

q C1

C2

L3

R1R2

Cs

Ce Re

H i tần số cộng hưởng nố p biến áp, ECình 2.19. Mạch dao động dùng thạch anh vớ

i tiếp, ghé

q

Vcc

Hình 2.20. Mạch d.động thạch anh với tần số cộng hưởng nối tiếp, ba điểm điện dung, BC

40

q

Re R1 R2

T1C1

ReR3 R4Rc

T2

Lk Ck

Vcc

Hình 2.21. Mạch bộ dao động dùng thạch anh với tần số cộng hưởng nối tiếp hồi tiếp qua hai tầng khuếch đại

Trong 3 sơ đồ trên, thạch anh được mắc hồi tiếp và đóng vai trò như 1 phân tử ghép có tính chọn lọc đối với tần số.

Khi fdđ ~ fq (nối tiếp) thì trở kháng Xq = 0 - hạ áp trên thạch anh nhỏ làm điện áp hồi tiếp về tăng lên và mạch tạo ra dao động với tần số fdd = fq

2.5.5. Mạch điện các bộ tạo dao động RC Đặc điểm chung của các bộ tạo dao động RC:

1. Thường dùng ở phạm vi tần số thấp thay cho các bộ LC vì kích thước của bộ tạo dao động LC ở tần số thấp quá lớn.

2. Không có cuộn cảm, do đó có thể chế tạo nó dưới dạng vi mạch 3. Trong bộ dao động RC - fdd tỉ lệ với 1/C, còn trong bộ dao động LC thì fdd tỉ lệ

với C1 trong bộ dao động RC dễ dàng thay đổi fdd với bộ dao động LC

4. Yêu cầu bộ dao động RC làm việc ở chế độ A để giảm méo 5. Vì khâu hồi tiếp (gồm các phân tử R,C) phụ thuộc tần số, nên mạch sẽ tạo được

dao động tại tần số mà điều kiện pha được thỏa mãn Bộ dao động RC dùng mạch di pha trong mạch hồi tiếp:

R1

R2C

R

C

RR

C

V2 I3 I2 I1

V1

Vr

Hình 2.22. Mạch dao động RC

41

Hệ phương trình :

23

32

321

121

021

021

1

VRI

IRCj

RI

RIIRCj

RI

VRIIRCj

&

&

=

=⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛++−

=−⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛++−

=−⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛+

ω

ω

ω

Hệ số truyền đạt của mạch :

⎥⎦

⎤⎢⎣

⎡ω

−ω

+ω

−==RC)RC(

j)RC(V

VK 6151 32

2

1&

&&

* Phần ảo = 0 RC.6

1=ω⇒

Thay RC.6

1=⇒ω vào phần thực ta tính được điều kiện cân bằng biên độ :

212

1

2

2929

29301).(

51

RRRRK

CRK

=⇒==⇒

=−=−=ω

Mạch dao động dùng mạch lọc T và T - kép trong mạch hồi tiếp :

1

2 3 C

R R 2R C/2

C

V2 R

C C 1 2

R

V1 V2

V1

Hình 2.23. Mạch bộ dao động dùng mạch lọc T và T kép trong hồi tiếp

• Với mạch lọc T, viết phương trình dòng điện cho nút 1 và 2, từ đó xác định được hệ số truyền đạt:

42

ajaaja

V

VKv

rht

3121

2

2

+−+−

== −

−−

trong đó RC

aω

1=

222

2

222

222

6)1()1(

9)1(4)1(

aaaaarctg

aaaaK

ht

ht

+−−

=

⎪⎩

⎪⎨⎧

+−+−

=

ϕ

ϕht = 0 khi a = 1 tức RCdd1

=ω

Thay a = 1 vào kht ta tìm được :

32

== htmunht KK

• Với mạch lọc T kép:

ajaa

VVKht 4)1(

12

2

1

2

+−−

== với RC

aω

1=

Từ đó ta suy ra : 2 phương trình Module và pha:

22

222

2

14

14

16)1(1

aaarctg

aaarctg

aaaK

ht

ht

−=

−−

=

+−

−=

ϕ

Khi a = 1 RCdd1

=⇒ω và 2πϕ ±=ht

Và Kht = Khtmun = 0

• Mạch tạo dao động vùng KĐTT có mạch T trong mạch nối tiếp:

C C

R

R R1

R2

Vr

Hình 2.24. Mạch bộ dao động dùng KĐTT có mạch lọc T trong mạch hồi tiếp

43

R1, R2 : Mạch hồi tiếp dương; T : Hồi tiếp âm

Tại 32)(: =−htdd Kω

Vì Ko của KĐTT rất lớn => và )(

)(−=

+ htht KK

1221

2 232

)(RR

RRRKht =⇒=+

=+

Chính là điều kiện cân bằng biên độ của mạch.