dg4n60

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VD-MOS：DG4N60 1/9

R 产品规格书

产品名称: 场效应晶体管

产品型号: DG4N60

Establishment: 冯军

Verification ：陈夕宁

ISSUE DATE: 2009-02-18


DG4N60

概述与特点

DG4N60型VDMOS晶体管，主要用于线性放大、功率开关。其特点如下：

开关速度快

输入电阻高

热稳定性好

驱动简单并可靠性高

封装形式：TO-220/TO-220F

电特性

极限值除非另有规定 TC= 25

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参数名称符号额定值单位

漏源电压 VDSS 600 V

连续漏极电流

TC= 25

ID

4.0

A

TC= 100 1.64

电流 IDM 16.4 A

电压 VGS ±30 V

单脉冲能量雪崩 EAS 260 mJ

雪崩电流 IAR 2.6 A

重复性雪崩 EAR 3.6 mJ

高峰二极管复苏 dv/dt dv/dt 4.5 V/ns

耗散功率TC=25

PD

106 W

above 25°C 0.6 W/

结温 Tj 150

贮存温度 TSTG -55 to +150

焊接最高结温 TL 300


DG4N60

电参数除非另有规定，TC= 25

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参数名称符号测试条件规范值

单位最小典型最大

漏源击穿电压 VDSS VGS=0V, ID=250 uA 600 V

通态电阻 RDS（ON） VGS=10V, ID=2.2A 1.77 2.2 Ω

阈值电压 VGS（TH） VDS= VGS, ID=250uA 2.0 5.0 V

漏源漏电流 IDSSVDS=600V ,VGS=0V 10

μAVDS=480V ,TC=125 100

源栅漏电流 IGSS VGS = ± 30V,VDS=0V ±100 nA

转-上延迟时间 td(on)a

VDD=300V,ID=4.4ARG=25Ω

13 35

ns上升时间 t r 45 100

转-下延迟时间 td(off)a 25 60

下降时间 t f 35 80

向前跨导 gfs VDS=50V，ID=2.2A 4.0 S

反向传输电容 Crss

VGS=0V,VDS=25V,f=1.0MHZ

8 11

pF输出电容 Coss 70 90

输入电容 Ciss 520 670

总闸电荷 QgVDS= 480V，VGS=10V，

ID= 4.4A

15 20

nC栅源电荷 Qgs 3.4

栅--漏极电荷 Qgd 7.1

连续电源电流 I S Integral reverse pn-diodein the MOSFET

4.4A

脉冲电源电流 ISM 17.6

二极管正向电压 VSD IS=4.4A,VGS=0V 1.4 V

反向恢复时间 t rr IS=4.4A,VGS=0V,dIF/dt=100A/μs

250 ns

反向恢复电荷 Q rr 1.5 μC

a:脉冲测试 tp≤300μs,δ≤2%


DG4N60

Thermal Characteristics

Characteristic Curve

图三典型传输特性曲线图四通态电阻-温度

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参数名称符号规范值

单位典型最大

Junction-to-Case RθJC -- 3.47 /W

Junction-to-Ambient RθJA -- 62.5 /W


DG4N60

Characteristic Curve电容特性栅极电荷特性

击穿电压变化随温度对电阻变化随温度

瞬态热响应曲线

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DG4N60

Test Circuit and Waceform

栅电荷测试电路及波形

电阻测试开关电路与波形

电感式开关试验回路及波形

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DG4N60

Test Circuit and Waceform峰顶二极管回收的 dv / dt测试电路及波形

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DG4N60

外观尺寸图

TO-220

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DG4N60

外观尺寸图

VD-MOS：DG4N60 9/9

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