製程能力介紹

1.標準 0.5/0.35μm 密集線線寬、1μm 聚焦景深、10%曝光能量誤差容忍。相關

結果及製程資料如下

光阻：TMHR ip3650 （TOK）

製程條件：軟烤 90℃ 60sec 、厚度 8300 A 、曝光 i5+ （Canon）、

曝後烤 90℃ 60sec、顯影 AD-10 60sec、硬烤 120℃ 90sec。塗佈與烘烤

使用 Clean Track Mark VIII （TEL）

2.以下為能量 2050 j/m2時 0.5μm 密集線線寬 SEM 圖，焦距由-1.0μm 到+0.9μm，

圖中可看到 0.5μm 密集線相當垂直，在焦距-0.8μm 至+0.6μm 之間的線寬符合

±10％的線寬誤差，DOF 高達 1.4μm。

E：2050 j/m2 , CD：0.5μm

E= 2050 j/m2 , F= -1.0 um E= 2050 j/m2 , F= -0.9 um

E= 2050 j/m2 , F= -0.8 um

E= 2050 j/m2, F= -0.7 um

E=2050 j/m2, F= -0.6 um

E= 2050 j/m2, F= -0.5 um

E= 2050 j/m2, F= +0.2 um E= 2050 j/m2, F= +0.3 um

E= 2050 j/m2 , F= 0 um E= 2050 j/m2 , F= +0.1um

E=2050 j/m2, F= -0.2 um

E= 2050 j/m2 , F= -0.1 um

E= 2050 j/m2, F= -0.4 um

E=2050 j/m2, F= -0.3 um

E= 2050 j/m2, F= +0.6 um E= 2050 j/m2, F= +0.7 um

E= 2050 j/m2, F= +0.9 um

E= 2050 j/m2, F= +0.4 um

E= 2050 j/m2, F= +0.8 um

E= 2050 j/m2, F= +0.5 um

3.以下為能量 2050 j/m2時 0.35μm 密集線線寬 SEM 圖，焦距由-0.5μm 到+0.9μm，

圖中可看到 0.35μm 密集線相當垂直，在焦距-0.3μm 至+0.9μm 之間的線寬符

合±10％的線寬誤差，DOF 高達 1.2μm。側壁發現有明顯駐波效應產生的波紋，

圖形沒有製程上使用的困擾，可進一步研究抗反射製程改善駐波效應。

2050 j/m2, F= -0.2 um

2050 j/m2, F= -0.1 um

2050 j/m2, F= -0.5 um 2050 j/m2, F= -0.3 um

2050 j/m2, F= 0 um

2050 j/m2, F= +0.1 um

2050 j/m2, F= +0.2 um 2050 j/m2, F= +0.3 um

2050 j/m2, F= +0.6 um E=2050 j/m2, F= +0.7 um

E= 2050 j/m2, F= +0.8 um E= 2050 j/m2, F= +0.9 um

2050 j/m2, F= +0.4 um 2050 j/m2, F= +0.5 um

4.以下為不同曝光能量 1900 j/m2～2550 j/m2對線寬的變化，用來測試光阻對曝光

能量的誤差容忍度。結果發現曝光能量對線寬容忍度相當高，從 1950 j/m2～2550

j/m2 都可正確表現 0.5μm 密集線線寬，容忍度約為 23%。

E= 1900 j/m2 E= 1950 j/m2

E= 2000 j/m2 E= 2050 j/m2

E= 2100 j/m2 E= 2150 j/m2

E= 2300 j/m2 E= 2350 j/m2

E= 2400 j/m2 E= 2450 j/m2

E= 2500 j/m2 E= 2550 j/m2

E= 2200 j/m2 E= 2250 j/m2

5.以下為同一曝光能量下（2400J/m2）密集線線寬（1μm～0.3μm）的解析能力，

從 1μm 到 0.34μm 都能解析，0.34μm 以下已達物理極限（狹縫繞射）。

CD= 0.6 um

CD= 0.55 um

CD= 0.5 um

CD= 0.48 um

CD= 1 um CD = 0.9 um

CD= 0.8 um

CD= 0.7 um

CD= 0.38 um

CD= 0.36 um

CD= 0.35 um

CD= 0.34 um

CD= 0.46 um CD = 0.44 um

CD= 0.42 um

CD= 0.40 um

CD= 0.32 um

CD= 0.3 um