大轉放射~醫學會誌 Vo I. XIV. No. 2, 1978

睡場治癡를 위 한 電子線의 에 너 지 및 散짧L線量分布의 改善

延世大學校 醫科大學 放射總科學敎室

秋 成 實·李 道 行 · 朴 昌 潤

-Abstract-

Irnprovernent in Energy and Scattering Distribution of High

Energy Electron for Turnor Radio-therapy.

S. S. Chu, M.S. D. H. Lee, M.D. C. Y. Park, M.D.

Departmeηt of Rad z'ology and Nuclear Med z'cz'ne , Yonsú Un z'vqrs z'ty Col/ege of Med z'cz' ne , Seoul Korea .

High energy electron beams, because of their sharp dose fall-off at the pcrtp hery and rapid

dose build up for tumor ha ve come to be used frequently for tumor radio-therapy , however ,

als0 have a lot of problems in c1 inical application because of various conversion factors and

compliation of physical reactions.

We ha ve experimentally studied the dose distribution of scattering materials and high energies

from the Iinear accelerator LMR-13 , installed in Yonsei Cancer Center ‘

1. The electron energies are measured precisely with energy spectrometer consisted of magnetic

analyzer and tele-control detector , and the practica l electron energies are calculated under 5%

elfors by maximum range of high energy electron beam in the water, and energy of electron is

decreased as a bout 2Me V by penetra ting of 1 cm thickness of wa te r.

2. The electron beams , using the scatterers and cones with various materials , ie ., gold. tin ,

copper , lead , lucite , acryl , alumini um foils , could be adquately distributed in tumor and minimiz

ing the induce x-ray in normal tissue.

3. The therapeutic capacity with limited electron energy could be extended further using by

optimum scatterers , cones and energy absorbers.

I. 績 論

11;:射*il1J썩射를 可能케 하며 그 周圍 健康組織에 대 한 被

랬綠量올 i5ti. i댔시키으로서 보다 良好한 治續갖b果를 얻

을수 있마.

i써캘加速器어l 외한 高에너지 파子綠의 利用으로 많 그러나 電子값은 그 에너지와 相對物質에 따라 物理

은 鍾써，민、者을이 보다 좋은 治擔쳤l果롤 體驗하고 있음 的 作用이 相當히 複媒하며 臨fR~형用에 많은 變傑因子

은 疑心할 여지가 없다. 흘 가지고 있지만 이와같은 因子흘 A工的으로 變換

電子쐐은 힘￡된 감子값이 드로 有限한 飛程과 一Æ 또는 補完시 킴 으로서 짧皮에 꿇適한 線훌分布를 얻 을

距離에서의 急없한 채옮減少 現象은 睡찌에 대한 핏r.þ 수 있다.

본 는문은 1978년도 연세대학교 의과대학 연구HJ 에 의하여 야루어졌음

끼

s

P R、 一{:，T|1l

N。------

4

흉者-률은 延世 癡센터에서 훌훌h중인 LMR-13 線型加

速器흘 使用하여 8~12 MeV 에 너 지 의 電子線을 發生

시키고 이들의 組織內 分布롤 測앓 빛 較正할 수 있는

方法을 模索했으며 보다 썼果的인 線톨分布의 改善方

法을 **7E하였다.

20 J• -10 -----J cm

Fig. 2 . . Phantom a rrangement for film dosimetry

測定보다 오히려 組織에 대한 相對的 寶섰에너 지가 될

수 있으으로 同~한 條件下에서의 電子線 에너지 較표

및 組織內 fJí!量分布變化를 據ìJ\IJ할 수 있 마.

2. 에너지 Spectrum 에 의한 方法

電子線의 實在 에너지껴IJ定은 磁場에 의한 偏向을 주IJ

用하는 方法이마.

Jln 電혜를 띈， 함子가 磁獨內에 서 웅칙 얼 때 Lorentz force 에 의해서 서로 直f꺼方向의 힘을 받게되며 그 曲

率半찜 (R) 은 다옴 式으로 주어진다.

=프쓰 ..... ..... ........... ...... ....... ...... ..... ...... ~ qB

여기서 q 는 電子의 電뼈， m는 電子의 質훌， v 는 電子

速度 ， B 는 磁場을 表示한다.

에 너 지 分析器의 磁極直없을 1, 磁極에 서 測定器까지

의 距離을 d 라고 하연 電子總훌의 中心點에 서 畢直偏

倚距離 y 는 다음 式으로 주어 진다.

y=빡(.;， +dì .......... .. .. .... ....... ................. @ ηw \ ι /

寶用單位로 換算하면

Bld X 10-4 ... . . @ y늑-도-i -

電子線의 에 너 지 는 組織透過彈度 Jln 實用飛程으로 評價하는 것 이 가장 -般的인 方法이 다.

Markus 의 ，u용{直에 의하면 電子線의 에너지가 1. 5

~35 MeV 일 때 實用飛程은 마음 式으로 주어진다.

Rp= O. 51 E -0.26 ... ..... . … ........ ... ... .......... .. dJ

Jln 實用飛짧距離 Rp 의 單位는 g/cm2 이고 E 는 MeV 로 表示펀 電子線의 에너지이다. 이 式은 照射面이 10

x 10cm야고 魚點과 皮댐|며의 距離 (SSD) 가 90cm 內外

일 때에 거의 一致하지만 照싸面이 매우 크거 냐 매우

적을 境遇， SSD 가 매우 짧거나 클때는 相當한 差異롤

나타냉~로 훤常 ~定한 照射面， 距離， 散옮L a莫 및 i댄R흉

1m을 利用하여 標準을 定하여 야 한까.

實用飛程距離의 뼈Ij定은 그립 l 과 같이 해差가 적은

Ionex detector 흘 울 phantom 에 서 t下ill!動시 킬 수

있는 Profile monitor 에 의하여 主線끓의 深部率을

測定할 수 있고 이것에 의해서 最大 飛程距離를 測定

할 수 있으며 i보으로 實用에너지흘 計흉할 수 있다.

필름을 使用할 境遇 그립 2와 갇야 phantom 內에 電

子線올 照射시키고 黑化度에 따른 綠훌을 核當 필름

特性曲線에 의해서 換算하연 얻을 수 있다.

이와같이 얻어진 電子線의 實用飛程은 電子綠의 에

너 지 뿐만 아니 라 散亂體과 照射商에 의 한 build up 빛

彈弱의 影響도 包含되므로 *용對的인 電子線 에너지의

‘ . 에너지測定과 빼톨分布의 뿔ft

1. 톨用飛程에 의한 에너지測定

여기서 y 는 cm， B 는 Gauss ， E 는 電子絲에 너 지 MeV,

l 과 d 는 cm 로 주어진다.

本 寶驗에 使用한 에 너 지 Spectrometer 는 本 敎室

에서 計폐製1'1'한 것으로서 그립 3 과 같이 加速器에서

加速펀 電子線의 線束은 가느다란 Slit 를 通하여 磁氣

分析裝置에 들어가며 入射에 너지에 따라 @ 式에 依해

서 電子線이 偏倚되 고 이 를 Profil monitor 와 X-y

recorder 로서 記錄할 수 있￡며 境遇에 따라 X-ray

film 에 의해서도 얘IJ定比較할 수 있다.

l

M

꺼씩

‘

뽑+짧μ

μμμ 짧

measurement ín-

- 478-

’‘TI" 11"‘.T。‘

Fig. 1. Schematic diagram of struments.

E - 8Me V

s c,. Q.2. mm Pb SSD IOO C. m

>• -” z ω • z -

넌겐Fc 뚜 땀 EF앤트 §땀 =r 멜뜯즈탠÷ -~ n ~~dl ，.".ç.갇폭~

ι

~ n 「쟁[--~--_;':"'- --='-~11 1 한판단;;~I 川

끼 「니

‘Ef%에 jdl 린

u. Pb . Ni. IOcmPb 객맨객흐

~→---'----'-二-------L_.__

i •_ . _ _

.1- .__ _+ 18 19 20 21 em

SHIF"!" OF BEA '-f DIRECTION

Fig_ 3. Schema t ic diagra m of the energy spectro-

meter

Fig. 6. Energy spectrum of 8~ 12 MeV electron

beams.

그림 4는 앓大 3000 Gauss 의 磁場올 發生시킬 수 있 는 磁氣分析l빼파 이 를 ;]'IJ用한 電子싸 에 너 지 分析裝置의 光景이다.

以 「과 같은 에너지 分析製원를 쭈IJ 用하여 電子값 에 너지에 따른 fiìi氣分析뼈의 {낌向距離롤 그럽 5와 같이 ijllJÆ할 수 있으며 2, 000 Gauss 않場內에서 8 MeV 電子잃의 t댐向距離는 2 1. 1cm 이 고 12 MeV 는 18. 2m 로서 에 너지가 척을수록 급어지는 따向距紙는 더 걸어졌다. 에 너 지 分析앓置에 依한 8, 10, 12 MeV ';!i子絲의

Spectrum 은 그링 6 와 같이 에너지가 낮을수록 偏!하 flJ과 에 너 지 分布範圍가 크다.

\

훌톨 Fig. 4. Demo nstration for set -up of the energy

spectrometer w ith LIN:\C units .

10 MeV 에너지의 ZE子%에서 ff*장은 에너지를 較定

했을 때이고 뭘絲은 지긍까지 한번도 較正치 않았올

평遇의 Spectrum 으로서 그 差累는 써 0_ 5 MeV 에 該t힘되 며 이 는 治癡‘쩌差 限界를 녕 는 數{直。1 다 .

電子綠의 에너지는 어떤 物質을 通過함으로서 그 어l 너지의 一部카 消짜되어 入射에너지는 마음 式과 같이

줄어 든다.

E =E.- 2d ... … ....... … ..... ‘ ..... … ...... … @ 여기서 Eo , E 는 각각 電子~의 入射， 透過에너지

(MeV) 를 表示하고 d 는 組織等댐物質의 두께 (cm ) 를

表示하였으며 이 式을 ;]'IJ 用한 'Æi:子채의 에너지 減少는

쩔驗{直와 거 의 一줬하고 있 다.

그럽 7은 12 MeV 電子값이 1cm.2} 2cm 두께 의

週過했올 해씩 에너지減少를 에너지 分析앓털로

한 것이며 여기서 2cm의 울에 入射한 12MeV 의

값은 8.5MeV 로 줄어 들었 다.

3. 深部百分率의 뿔ft

R \~

--'-- --‘---'--• • _...1._ L B 10 12 r-t e V

SSDI OOC m

sc. Pb ι2mm

y= 윌4잔으f E 얘

e.L→ιι껴::.，ι Ur서낙

y

z 。-」υ ω I -(]

호〈ω며 ι。

• ι -Iω

을 定

子

울 씨 까민

ENER GY

Fig. 5. The shift of beam direction für electron

ene rgy

m ”

CO RRECTED

E- 12MeV SSD ICOc rn

10。

%

。 cm

TH ICKNESS OF WATÈ R

>-• ‘n z w • 5。z

2 cm

/

6 i

10 12 Mev 8

ENERG Y OECREASE

%

SS O 100 cm F S 10X I0

S 0.2 mm Pb

띠 ” 。。

% r ←ι매。 Jr

~

Fig. 7. Energy spect rum of 12 MeV e!ectron beam .,/ penetr따ed fro m 1 a nd 2cm t hickP.ess of / 、'Ia ter.

이 와같아 파子걱으 꽃 1과 같이 自옮 에너지 를 完全

消失할 때까지 組&;‘內어l 원3펀을 미 치며 組織의 最大

飛程距離는 電子쐐c‘n 너지에 거의 依存되지만 物質과의

衝突， 散亂現象으포 物質의 두께 에 따라 체量分布의

했化가 多樣하며 深部 fJf量分꺼f는 照、射面의 크기 , 散옮L

Jl5( 照射뀐햄‘셈等의 값짧L에 도 많은 影웬올 받A므로

펀子級의 tä織內 *~]쿄分꺼i는 -Æ갚이까지 거의 均一

한 綠量分布를 。 l 루마가 -定깊이에 서 그 값量이 씀、微

히 減少된다.

Table 1. Energy Loss in vVater (0. 2mmPb scatte r)

Energy 포ax. Rang얀cm간e안fate樞ergy (MeV ) 5x5 10 >: 15 :< b~ eq lcm

lo 15 CD E-8 3.2 3. 9 4. 2 3.8 5. 7MeV 3. 5MeV

E-10 4. 6 5. 0 5. 2 4.9 8. 1MeV 5.8MeV

E-12 5. 7 6.1 6.2 5.810. 8MeV 8.5MeV

그림 8은 H션射面 10xIOcm의 1E子값 8. 10 , 12MeV

의 主값束 深部百分率로서 값l례싸、 1갚이 각각 80 , 90 , 95

%이고 最~\.:*쳐월l:Ji!!點이 갔벼1下 1.5 , 2. 2.5cm이며 :N 떠飛원이 각각 4, 5, 6cm 이 다.

m. 電子쨌의 散홈L과 線훌훌分布의 찔홍動

1. 電子線의 散亂

~]텐1Ju ;ili ~옹에서 JJuili띈 피 f는 U써t~j磁!핑에 f:&하여

1080 1퍼빽한 i.;;- Titaniu :T1 11.셋을 펴하여 예出되는데 이

때 電子束의 크기 는 2mm9의 짜영된 것 으로서 넓 은 t'm Í;l 全體에 Jt1 一찬 채옳分 ;{fî를 주지 못한다.

一L .6 cm 2 4

Fig. 8. Percentage depth dose in water for 8~12 MeV electron bea ms ‘

散젊Lß껏과 i댄 llii倚等은 이 와같은 集束왼 電子를 綠束

의 훌륭直平面上에 均等한 *!il量分布로 散亂시 키 는 重꽂

한 f앓힘을r 한다.

-定한 에너지를 가진 電子가 어떤 物質에 衝突할

성중遇 1 7떤{生 또는 非패{生 散짧LJ.見象이 光子綠에 比하여

相當히 크게 일어내며 電子綠의 에너지가 크거나 (l

MeV 以上) 物質의 質量이 큰 境遇， 原子核 周圍의 電

磁場과 入射電子의 電磁場과의 相互作用으로 大部分의

電子는 ~~'1 i生散짧L을 하게 되 고 物質의 두께 에 따라 單一

散亂 또는 多重散옳L으로 區分할 수 있으며 이들의 理

論式은 相當히 複雜하며 그중에 도 高에 너 지 의 電子絲

파 두꺼 운 物質에 대 한 散짧L現象을 합驗的으로 ~導한

Mott의 多重WT.옮L公式이 가장 近似{렐로 週用될 수 있

마 .

지 금 衝갓에 의 한 散亂π1 & 플 統H的 散布度에 相當

하는 平J0꾀乘散亂1(1 &2 으로 表示하연

&2=전쁨쌀암스 t !og(4πZ‘15 Nt(잃)\ .. @ 이며 ， t 는 gjcm2 으로 表示한 物質의 두께이고 p 는 入

射電子의 Bl!l0ilJ:, N 는 lcm3 중의 }떤子動이 다.

@ 式을 물질의 두께 d(cm) , 入射電子의 에너지 E

(MeV) 빛 原子뽑號 Z 와의 關係흘 近似式으로 表示하

연 72

&2늑공2' d . .. .. .. .. .. .... , ... .. ...... .. ......... . .... !J)

가 되며 &2 은 1썽子짧號가 클수록 커지며 入射핍子의 에

너지가 클수록 적어지고 d 가 相當히 클 境遇， 散亂1(1

度分布는 Gauss 의 正常分까i와 거 의 一致한다.

- 480-

한펀 ’파子채이 物n을 j띠J섣할 때 二L 에 너 지 의 大쩌;分 llX짧L얘으로 부터 發生되 는 不必핏한 뻐止 x-랬짧生

운 非페11초 衝갓에 의해서 찌까되지만 그 ~fm는 Breπ: s - 은 그립 1 3과 같이 J~( 子얘싸가 높을수록 Jí'i tm되며 特

strahlung ( 예1 m끼따射싸) 으로 뼈떠하여 ßIi部組織까지 J!0.1

m m 。」

s o5 g 버 Z

ω

‘t 。

Fig. 10. Enery loss to density of va rious sca tter-ers for E- IO MeV.

30 O.4 mm

A SSD 10。

no conll

mm ’hkk

/ ~. 0 Au scattere , 。

em

口 Ni )( AI

‘ J '" 。o

~ 20 。

’‘ u.. 。

띠

I • 。-~5

ò Pb

L---~ _____ ~-----L--

0.2 04 0 .6 Qιz T HICKNESS DEtl SIT Y ‘ ...

Fig. 11. Scatter ratio (width of 90 % dose) to de n-s ity thickness for scatters in E- I0 Me\'

-- 48 1 --

E- 8 MeV

/ "" E-I OMeV

E-12MeV

mm t hic k

IIerel

100 cm

디 0.1

0.2 0.4 i 0.6ν ‘

'fcm‘

Fig. 12. Scatt er r at io to densit y th ickness of P b scatte re r for 8~ 1 2MeV electron beams

THICK NESS DENSIT Y

히 짧板일 境遇 많은 x-r.}f 이 發生되고 있다.

以 h의 諸 {生質을 렁 r&.할 애 P b O. 5mm 의 散亂R잇은

Pb O .lmm 의 散홉대맺보다 2fS OO上 웠量分찌i를 改善할

수 있었지만 에너지의 低下， 뼈止 x-값익 j힘110 ， → 出力

級쿄의 減少로 因하여 !앤흉f面에 따른 散옳Lß셋의 X팩擇。l

必핏하게 된마.

f![J 電子%에 너 지 8~12MeV 에서 10 X lOcm 內外의

照射llii은 主로 P b O.2m m 또는 A u 0.2mm 두께 의 散

원iþj~ 이 가장 펴휩하며 l앤용t illî 이 척 을수록 뎌 욱 앓은

없亂에을 [更댐하고 있 마 .

~!j퍼 0.2mm 두께 의 金板 (g j cm2) 으로 엄었싸된 gi염L

”잇은 파子f%에너지둡 1 MeV 減少시키고 ßlili: X-값많

은 파子값에 Jt하여 6% 以 下로 줄일 수 있으며 90 0-6

양샘jEr 벼i h'i의 11'1 젠을 20cm로 넓 힐 수 있어 10 MeV

Enngy

’lll「’--

3

% >

예

α

(f)

호 , ‘

]I m

ι 。

ω • i‘ ~‘

/~Pb

o.~/ /OAU

。룹;」;노324 ’ / 왜/"1

Ni

0 .2

THICKNESS DENSITY

。 4 0.6 Q/tm 2

r' ig. 13. The rate of induced X-ray to density t hickness for scatterers in E- lOMeV.

파子체 ( SSD 'JOcm , !WltfÍIÏ 10 X 10cm 內外)에서 가장

f!I :t!!、的인 散亂뼈아 라 生쩔펀마.

또한 없板 0. 2mm 두께의 散亂8껏도 電子級을 넓게 ~X

짧L시키며 에너지의 f섭X도 적 은데 다만 며止 X-f，싱훌。l

多少 높고 金屬의 야§度가 낮은것 이 缺點이 지 만 臨LKj쉽

j덤에 는 거 의 無視윌 수 있으므로 이 를 ￥IJ用하고 있 다.

表 2는 파子웠에 너 지 에 따른 最i험 i.ix옮L Il#~과 취t:lJffili

@웹 (80% 等量 ill j 쐐) 의 넓 이 와 걸이롤 表示하였다 .

또한 !앤射面의 크기 에 따른 深部百分率의 變化는 그

립 14와 같이 照、용t面。l 척을수록 最大 綠量地點이 表

i회으로 移動j되 고 均等한 分布範圍가 적 어 지 며 深돼率

이 減少되 는 끔ß分에 서 앓↑헝허 줄어 들고 最大 飛程距

離도 용少 줄어들고 있다.

한편 i'!핸때쇠에 의 한 電子채의 散홉L分깨i는 싸It

i뺀빼~r.혐 材料와 }월射面에 따릎 없훌分布의 平뀔度 變

化훌은 그링 16과 같으며 電子線에너지 10 MeV 에서

照射面야 1O~50cm2 일 얘 는 Acryl 이 나 Al 等의 ;꽉h&

商。l 良好한 平멍度를 나타내 며 照射面이 200cm2 以上

일 때는 늦쇠 板 또는 우리板을 利用하는 것이 더 均等

한 分布를 얻을 수 있다

E-IOMeV SSD 100 cm SC; . 0.2 mm Pb

。 50。. ‘、.

@

ω -‘ • ‘ 4

Fig. 14. Percentage depth dose in water by field sizes for E-10 MeV.

2

Fig. ' 16. Variation of flatness wIth field sizes of electron cones consisted of acryl , A l and brass for E- lO MeV.

그링 1 5는 10 MeV 電子線의 材料別 散亂 綠量分布

롤 測定한 것이며， 水面下 2cm 에서 綠束에 파直인 方

向의 散홉L率로서 最大線量에 대 한 彈度比率은 Acryl ,

알마늄， 납판 끝에서 각각 21 , 22 , 20%였다.

그립 17은 照射面 lO x lOcm일 얘 의 Acryl 젠磁倚과 鐵*網을 附홉한 i엎廠倚에 의한 總量分布로서 後者가

더 良好한 分布뻐線을 이루고 있지만 뼈止 x-線이 보 다 增加된마.

Scoffer

SSO 90 FS 10)( I。

Materj이

E-IOMeV

'0 .

,_ 1%에 la30cm d~2 cm

. 。

A

?밤 ---hs、“

"

‘ ,

e

s

‘。。:《야)‘

r←-”zu←z-a

“←F〈u”

흩逢갱

Fig. 17. Comparison of dose distribution by 10 x lOcm cones according t9 a ttached or not the wire netting on acryl cone fo E-8 MeV.

- 483 -

Fig. 15. Sca ttering distribution along the parall . el direction of water surface at 2cm dep

th with Pb. Al and acryl plates for E. 10 MeV.

01 STA ’ CE

N .• 톨分布톨 改훌시킨 徒例

56歲 男子， 全身皮1월에 펴져있는 흉狀憶肉:!JE (Myco.

sis fungoides) .뽑者로서 電子線治鷹를 받아야 했 다.

그러 냐 病짧카 全身皮I홉이 고 깊 。l 가 約 1. 5cm 에 。l

르고 있기 때 운에 LMR-13 線型加速器로서 는 治혔가

不可能하였 다. 왜 냐하연 8MeV 以下의 電子線에 너 지와 1m에서 照없面이 30X 30cm 以t으로 操作할 수가 없 었다.

그러나 지금까지의 흩驗을 通해서 그럽 18와 갈이

散亂板을 0.2mm 두께의 金板으로 使用하고 1. 5cm 두

께 의 Lucite 板을 吸收體로 便用하여 t흰點과 .뿔、者의 距

離롤 2m 間隔을 두고 上下， 左右， 前後롤 治續함으로

서 可能하게 되었다. 01 때 에너지 는 約 4.5 MeV로 줄

어 플어 서 ‘랜、휩의 深部에 까지 放射線 障훌흘 주지 않고

病찌에 만 ~中~‘M가 可能하였 마

땀짧 E-8Me v T * S. 0.2 mmAu

ξ칭’ '~c r구 --- ABSO Fi 8E Fi. I.S ,m

s뚫 // \ -- E- 4.5 Mev l /A

;츠: EFF. DEPTH 1.5 Gm 。OSE DI5T. _.1: 1 。 ‘ ‘40IREGT.l

Fig. 18. Treatment pla nning fo r whole body skin tumor (Mycosis fungoides)

그럽 19는 이 t뭔‘者의 治薦光景을 나타낸 것 이 마

V. *소 를A iji~ PI애

高에 너 지 電子~은 陣씨에 대한 集中}썩쳐t와 1힘圍 健

康組織에 대 한 被1앓激減으로 jf~영t값 治續의 1ß1J ll꺼的인

짧展을 주었으나 電子 그 自體가 有限한 質量파 電핸

를 갖었기 때문에 物理的， 生物的 特{生과 睡찌에 適用

시 키 는 技術 빛 그 評없方法이 光子와는 根本的 差異

를 갖었으며 組織과의 相互作用이 複雜하다-

~84

때:

Fig. 19. A view of electron therapy for patients w ith Mycosis fungo ides.

著者들은 8~ 12 MeV 의 高에너지 電子線올 使用함

에 있어서 이들외 級물， 에너지 빛 組織內 分布狀態롤

臨tR的 1하差飯圍內에서 正確히 E握해야 할 必꽂性이

있어 에너지 分析裝置를 製作하고 이를 利用하여 電子

線의 에너지를 양驗的으로 얘IJ定할 수 있었고 較正된

합用에너 지 에 따라 組織內 最大 飛程距離를 얘IJ定하여

使用함으로서 臨tR的 싸差 (5% ) 以內의 IE確{生을 期할

수 있었다.

또한 散亂牌과 않應쐐에 의 한 組織內 散亂線 分布롤

얘IJ定하고 體系化시 킴 으로서 特別한 g훨陽{에 대 해 서 放

射線治癡를 可能케 했 으며 多樣한 治續方法올 構想할

수가 있었다.

REFERENCES

1. Ada wi , I. : Peηetηztion of electron beams !ηto

water. Physical Rev. 107, 1476-1482, 1957.

2. Bostick, W.H.: Possible techniques i‘n direct

electroη beam tumor therapy. Physical Rev . 77 :

561-565. 1950.

3. Beattie. J.W. , Tsien , K.C. , Ovadia , J. and Laugh1in , J .S. : Productioη and properties of 1.; πι ιnp. rvv electrons for therapy. Amer. J.

Roentg. 88 , 235-237 , 1962. 8. Laughi n, J .S. , Ovadia , J. , Beattie, J.W

4. Bradshaw , A.L. and Maysent , A.M. : Physical Same Physical aspects of electroη beam therapy.

aspects of electron therapy using the 15MeV line. Radiol. 60 , 165-168, 1953.

ar accelerator. Brit. J. Radiol. 37 , 219-231, 1964. 9. Loevinger, . R. et al.: Radiation tkerapy with 5. Chu , S.S, Lee , D.H and Choi , B.S. : Electroη high eηer g y elect roηs ， Part 1. Physical comide-

dose distribution due to thé material and fabri- ration 10 to 60MeV . R“diol. 77. 909-927. 1961. cat lOη of the beam limiting device. K. Radiol . 10. Sevensson , H. : Jnfluence of scattering foi‘1$,

Soci. 11 , 69-78 , 1975. traηsmzsslOn momtors and collimating system 0끼

6. Dolphin , G.W. , Cale, N.H. and Bradshaw , A. the absorbed dose distribution from 10 to 35 MeV

L. : 1ηvestigations of high eηer g y electron beams elect roη radiation. ACT A. Radiol. Ther . Phys ‘

for use therapy. Brit. J. Radiol. 32 , 13- 16 , 19 Bio l. 10 , 44 3-447 , 1971.

59. 11. Zatz , L.M ., Essen , C.F. and Kaplan , H.S. :

'1. Haas, N.H. , Harvey , P.l안 ， La :lghlin , J .B. ; Radiatioη therapy with high energy electroηs ，

Beattie, J.W. and Henderson , W.J. : Medical Part II. Clz ηical experieηce ， 10 to 40 M eV

aspects of high energy electron beams. A m. J. Radiol. 77 , 906-926 , 196 1. Roeηtg. 72 , 250-259 , 1954.

- 185 -