104統測試題 電機與電子群-專(一)電子學、基本電學

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四四四四 四() 四四四四 四四四四四四 四四四四() 四四四四四四四四 四四四四四四 (一 104四5四4四四四四四四四四四 四四四 一: 1. 四四四v 1 (t)8cos(20πt13)V四v 2 (t)4sin(20πt45)V 四四 四四四四四四四四四四 (A)58 (B)45 (C)32 (D)13四四 2. 四四四四四四 四四四四 四四四四四 體,? (A)四四四四四四四四四四四四四四四四 (B)P四四 四四四四四四四四四四四四 四四 體體 (C)四四四四 四四四四四四四四四四四四四 (D)N四四四 四四四四四四四四四四四四 體。 四四3. 四四四四四四四四(A)四四四LED四四四四四四四 (B)LED四四四四四四四四四四四四四 (C)四四四 四四四四四四四四四四四 (thermal voltage) (D)四四四 四四四四四四 10C 四四四四四四四四四四四 四四 ,一。 四四4. 四四()四四四四四四四 四四四四四 四 體, V o 四四四四 四39.5V R L 10k Ω V i 100sin(100πt)VV o 四四四四四四四 四四四1V C四四四四四μF (A)2 (B)40 (C)120 (D)360 四四 四四四四四 5. 四四四四 四四四四四四四 N 1 /N 2 x x四四四 (A)5.5 (B)4.5 (C)3.5 (D)2.5四四 四四四四四 6. 四四四四四四四四四四四四 四四四四四四四四 四四四四四四四四四 體, 50V 四四四四四四四 四四四四四四 四 ,,體 四四四四四四(PIV) 四四四四四四 (A)173 (B)157 (C)79 (D)50四四 四四四四四 10

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Page 1: 104統測試題 電機與電子群-專(一)電子學、基本電學

四技二專

圖(一)

統 一 入 學 測 驗

電 機 與 電 子 群 專 業 科 目(一 )

( 本 試 題 答 案 係 統 一 入 學 測 驗 中 心 104 年

5 月 4 日 公 布 之 答 案 )

第 一 部 分 : 電 子 學

    1. 兩電壓 v1(t) =8cos(20πt+13)V 及v2(t) =4sin(20πt +45)V ,則兩電壓之相位差為多少度? (A)58  (B)45  (C)32  (D)13 。

概論

    2. 下列有關半導體之敘述,何者正確?  (A) 當溫度升高時本質半導體的電阻會變大 (B)P 型半導體內電洞載子濃度約等於受體濃度 (C) 外質半導體中電洞與自由電子的濃度相同 (D)N 型半導體內

總電子數大於總質子數。 二極體

    3. 下列敘述何者正確?  (A) 紅外線LED可發紅色可見光 (B)LED

發光原理與白熾鎢絲燈泡相同 (C) 矽二極體之障壁電壓即為熱當電壓(thermal voltage)  (D) 矽二極體於溫度每上升10C,其逆向飽

和電流約增加一倍。 二極體

    4. 如圖 ( 一) 所示之理想二極體整流電路,若Vo 之平均值為39.5V ,RL =10kΩ ,Vi =100sin(100πt)V , Vo 之 漣 波電壓峰對峰值為1V ,則C 值

104

Page 2: 104統測試題 電機與電子群-專(一)電子學、基本電學

約為多少μF ? (A)2  (B)40

(C)120  (D)360 。 二 極 體 之

應用電路

    5. 承接上題,若變壓器匝數比 N1/N2 =x ,則x 約為何? (A)5.5

(B)4.5  (C)3.5  (D)2.5 。 二極體之應用電路

    6. 單相中間抽頭變壓器型二極體全波整流電路中,其輸出電壓平均值為50V ,負載為純電阻,則每個二極體之逆向峰值電壓(PIV) 約為

多少伏特? (A)173  (B)157  (C)79  (D)50 。 二極體之應

用電路

1.(A)  2.(B)  3.(D)  4.(B)  5.(D)  6.(B)

Page 3: 104統測試題 電機與電子群-專(一)電子學、基本電學

    7. NPN 型BJT 工作於飽和區時,下列敘述何者正確? (A) 適合作為訊號放大 (B) 集極電流與基極電流成正比 (C) 相同集極電流下,BJT 消耗功率比工作於主動區小 (D) 基- 射極與基- 集極間均為逆向偏壓。

雙極性接面電晶體

    8. PNP 型BJT 工作於主動區時,其射極電壓(VE) 、基極電壓(VB) 及集極電壓(VC) 之大小關係為何? (A)VE >VB >VC  (B)VB >

VE >VC  (C)VB >VC >VE  (D)VC >VB >VE 。 電

晶體直流偏壓電路

    9. 如圖 ( 二) 所示之電路,若BJT 之β =100 ,基- 射極電壓VBE =0.7V , 則 Vo 約 為 多 少 伏 特 ?   (A)3.6   (B)4.5   (C)5.5

(D)6.4 。

電晶體直流偏壓電路

    10. 承接上題, VCE 約為多少伏特? (A)2.31  (B)3.37  (C)4.85

(D)5.21 。 電晶體直流偏壓電路

    11.如圖 ( 三) 所示之放大電路,BJT 之切入電壓VBE(t)=0.7V,β =100 ,熱當電壓VT =26mV ,交流等效輸出電阻ro =∞,則Io/Ii

約為何? (A)92.34  (B)56.68  (C)48.42  (D)39.27 。 電晶

體放大電路

Page 4: 104統測試題 電機與電子群-專(一)電子學、基本電學

          

        圖( 二)              圖( 三)

    12. 承接上題, Vo/Vi 約為何? (A) -95.3  (B) -57.6  (C) -

48.9  (D) -30.5 。 電晶體放大電路

    13. 常作為射極隨耦器的電晶體組態為何?  (A) 共射極組態 (B) 共

基極組態 (C) 共集極組態 (D) 共閘極組態。 電晶體放大電

    14. 下列有關常見的達靈頓電路 (Darlington circuit) 之特點,何者錯誤? (A) 高輸出阻抗 (B) 高輸入阻抗 (C) 高電流增益 (D) 低電壓增益。

串級放大電路

7.(C)  8.(A)  9.(D)  10.(B)  11.(D)  12.(C)  13.(C)  14.

(A)

Page 5: 104統測試題 電機與電子群-專(一)電子學、基本電學

    15. 下列敘述何者正確?  (A) 變壓器耦合串級放大電路不易受磁場干擾 (B) 直接耦合串級放大電路之低頻響應不佳 (C) 直接耦合串級放大電路前後級阻抗容易匹配 (D) 電阻電容耦合串級放大電路

偏壓電路獨立,設計容易。 串級放大電路

    16. 某 N 通道增強型MOSFET放大電路,MOSFET之臨界電壓(threshold voltage)Vt =2V ,參數K =0.3mA/V2 ,若MOSFET工作於夾止區,閘- 源極間電壓VGS =4V ,則轉移電導gm 為多少

mA/V ? (A)0.6  (B)1.2  (C)1.8  (D)2.4 。 場效電晶體

    17. 如圖 ( 四) 所示之電路,若MOSFET之ID =2mA,臨界電壓Vt =2V ,則其參數K 約為多少mA/V2 ? (A)0.22  (B)0.31 (C)0.42

(D)0.54 。

場效電晶體

    18. 如圖 ( 五) 所示之放大電路,若MOSFET工作於夾止區,且轉換電導gm=0.5mA/V ,不考慮汲極交流等效輸出電阻,則Vo/Vi 約為何?

(A) -1.6  (B) -2.5  (C) -6.8  (D) -12.3 。 場效電

晶體放大電路

    19. 承接上題, Io/Ii 約為何? (A)750  (B)55  (C) -55 (D) -750 。

場效電晶體放大電路

               圖( 四)              圖( 五)

Page 6: 104統測試題 電機與電子群-專(一)電子學、基本電學

15.(D)  16.(B)  17.(A)  18.(B)  19.(D)

    20.如圖 ( 六) 所示之理想運算放大器電路,R =1kΩ ,若V1 =1V ,V2 =2V ,V3 =3V ,V4 =4V ,則Vo 為多少伏特? (A) -2  (B) -1  (C)4  (D)7 。

運算放大器

    21. 承接上題,若 V1 =-1V ,V2 =2V ,V3 =-3V 時,Vo

= 0V , 則 V4 為 多 少 伏 特 ?   (A) - 5   (B) - 4   (C)4

(D)5 。 運算放大器

    22. 如圖 ( 七) 所示之電路,若Vi 為峰值 之對稱三角波,則Vo

之 平 均 電 壓 約 為 多 少 伏 特 ?   (A) - 7.5   (B) - 5   (C)5

(D)7.5 。

運算放大器

            圖( 六)             圖( 七)

    23.如圖 ( 八) 所示之電路,R2=2kΩ ,VR=-2V,若其上臨界電壓為 4V , 則 R1 約 為 多 少 kΩ ? (A)1.5   (B)2.8   (C)3.6

(D)4.8 。 基本振盪電路 圖(八)

Page 7: 104統測試題 電機與電子群-專(一)電子學、基本電學

    24. 承接上題,若 R1 =R2 =2kΩ 且VR =2V ,則其下臨界電壓為多少 伏 特 ?   (A) - 8   (B) - 6

(C) -4  (D) -2 。 基 本振

盪電路

    25. 下列有關 555 計時IC的控制電壓腳(第5 腳)之敘述,何者錯誤? (A) 可改變輸出之電壓大小 (B) 可改變輸出之振盪頻率 (C) 可改變內部上比較器之參考電位 (D) 可改變內部下比較器之參考電位。

基本振盪電路

20.(C)  21.(C)  22.(C)  23.(A)  24.(B)  25.(A)

第 二 部 分 : 基 本 電 學

    1. 在 3 秒內將10庫侖的電荷由電位10V處移動到50V處,再從50V處移動到30V處,則總共作功多少焦耳? (A)200  (B)400  (C)500

(D)600 。 電容與靜電

    2. 某裝置的電源電池為 1.5V,可使用能量為5400J 。該裝置之工作與待機模式所需電流分別為19mA 與200μA ,若設定每小時工作10分鐘,待機50分鐘,則該裝置約可使用多少小時? (A)150  (B)200

(C)300  (D)375 。 電學概論

Page 8: 104統測試題 電機與電子群-專(一)電子學、基本電學

    3. 將長度為 100 公尺且電阻為1Ω 的某金屬導體,在維持體積不變情況下,均勻拉長後的電阻變為9Ω ,則拉長後該金屬導體長度為多

少公尺? (A)200  (B)300  (C)600  (D)900 。 電阻

    4. 將電阻值分別為 2Ω 、3Ω 及4Ω 的三個電阻串聯後,接於E 伏特的直流電源,若2Ω 電阻消耗功率為18W,則E 值為何? (A)18

(B)27  (C)32  (D)36 。 串並聯電路

    5. 如圖 ( 一) 所示之電路,當電壓V1 =10V 時,則電流I 約為多少

安培? (A)1  (B)5  (C)8  (D)10 。 串並聯電路

    6. 如 圖 ( 二 ) 所 示 之 電 路 , 若 I2 = 0A , 則 R 與 I1 分別為 何 ? (A)R = 3Ω , I1 = 5A   (B)R = 3Ω , I1 = 4A   (C)R =6Ω ,I1 =3A  (D)R =6Ω ,I1 =2A 。

串並聯電路

                   圖( 一)              圖( 二)

    7. 如圖 ( 三) 所示之電路,由a 、b 兩端往左看入之諾頓等效電流約

為多少安培? (A)0.8  (B)1.2  (C)2.4  (D)3.2 。 直流網路

分析

    8. 承接上題,若 Vc =9V ,則RL 約為多少歐姆? (A)1  (B)2

(C)3  (D)4 。 直流網路分析

Page 9: 104統測試題 電機與電子群-專(一)電子學、基本電學

1.(A)  2.(C)  3.(B)  4.(B)  5.(B)  6.(C)  7.(C)  8.

(C)

    9. 如圖(四)所示之電路,若 b 為參考節點,則下列節點方程式組何者正

確? (A)  (B)

(C)  (D) 。 直流網路

分析

   

             圖( 三)             圖( 四)

    10. 電容器 X 的電容值為60μF ,耐壓250V 。若電容器X 和另一電容器Y 串聯後,其總電容值為20μF ,總耐壓為300V ,則電容器Y

的 電 容 值 和 耐 壓 分 別 為 何 ?   (A)60μF , 150V

(B)60μF ,200V  (C)30μF ,150V  (D)30μF ,200V 。

電容與靜電

    11.某電感值為 0.5H的線圈,若通過4A 電流可產生0.01韋柏(Wb) 磁通,則該線圈的匝數與儲存磁能分別為何?  (A)200 匝,4 焦耳 (B)200 匝,2 焦耳 (C)100 匝,4 焦耳 (D)100 匝,2 焦耳。

電感與電磁

    12. 匝數分別為 500 匝和1000匝的X 線圈與Y 線圈,若X 線圈通過5A

電流時,產生4×10 - 4Wb 磁通量,其中90%交鏈至Y 線圈,則X

線圈自感L 及兩線圈互感M 分別為何? (A)L=72mH ,M =

Page 10: 104統測試題 電機與電子群-專(一)電子學、基本電學

40mH  (B)L=70mH ,M =40mH  (C)L=40mH ,M =70mH

(D)L=40mH ,M =72mH 。 電感與電磁

    13. 如圖 ( 五) 所示之電路,在t =0 秒時將開關S 閉合,若電容器的電壓vc初值為12V ,則S 閉合瞬間的電容器電流ic 與充電時間常數分 別 為 何 ?   (A)7mA , 0.2 秒   (B)7mA , 0.25 秒

(C)12mA ,0.2 秒 (D)20mA ,0.4 秒。 直流暫態

 9.(A)  10.(D)  11.(A)  12.(D)  13.(A)

    14. 如圖 ( 六) 所示之電路,開關S 在t =0 秒時閉合,若電感器的初始能量為零,則電路時間常數τ 與t =1 秒時之電感器電流iL 分別為何? (A)τ =1ms ,iL =2.4A (B)τ =1ms ,iL =1.2A (C)τ =

2ms ,iL =2.4A (D)τ =2ms ,iL =1.2A。 直流暫態

              圖( 五)              圖( 六)

    15. 若 v(t) =100 sin(157t -30)V ,則v(t) 的頻率與有效值分別為 何 ?   (A)50Hz , 120V   (B)25Hz , 120V

(C)50Hz ,100V  (D)25Hz ,100V 。

交流電

    16. 若 i1(t) =4sin(ωt)A的相量式為2 0A ,則i(t) =10cos(ωt -45)A 的相量式為何? (A) =10 -45A (B) =1045A

(C) =5 45A  (D) =5 -45A。 交流電

Page 11: 104統測試題 電機與電子群-專(一)電子學、基本電學

    17. 某 RC 串聯電路的輸入電壓為4sin(377t)V ,若流經電阻的電流為sin(377t +45)A , 則 電 阻 約 為 多 少歐姆?   (A)4   (B)3

(C)2  (D)2 。 基本交流電路

    18. 某 RL 並聯電路的電阻R =3Ω ,電感抗XL =3Ω 。若總消耗電流 為 8sin(377t)A , 則 流 經 電 阻 的 電 流 為 何 ?   (A)

 (B)  (C)4sin(377t +

45)A  (D)4sin(377t -45)A 。 基本交流電路

    19.如圖 ( 七) 所示之電路,若vs(t) =100

sin(377t)V , 則 v1(t) 為 何 ?

(A)25sin(377t - 30)V

(B)25sin(377t - 45)V

(C)50sin(377t - 30)V

(D)50sin(377t -45)V 。 基本交流電路

 14.(B)  15.(D)  16.(C)  17.(D)  18.(A)  19.(D)

    20. 某負載電壓為 110 sin(314t +60)V ,電流為5 sin(314t

+ 30)A , 則該負 載 的視在功 率 約 為 多 少 VA ?   (A)1100

(B)952.63  (C)777.82  (D)550 。 交流電功率

    21. 某 RL 並聯電路的電阻R =4Ω ,輸入電壓 =400V ,若總視在功率大小為500VA ,則電感抗約為多少歐姆? (A)2.66  

(B)5.33  (C)10.66  (D)16 。 諧振電路

圖(七)

Page 12: 104統測試題 電機與電子群-專(一)電子學、基本電學

    22. RLC 串聯電路發生諧振時,下列敘述何者正確? (A) 阻抗最小,功率因數0.707  (B) 阻抗最小,功率因數1.0  (C) 阻抗最大,

功率因數0.707  (D) 阻抗最大,功率因數1.0 。 諧振電路

    23. 外接電流源 =40A 的RLC並聯電路中,電阻R =10Ω ,電感L

=5mH,電容C =10μF 。當發生諧振時,該電路平均消耗功率約為多少

瓦特?  (A)80  (B)  (C)160  (D)160 。 諧振電路

    24. 如圖 ( 八) 所示之12W 與13W 供電系統,其中每一配電線路的等效電阻為r ,單一負載皆為1kW。若12W 系統供電之配電線路損失為P2W ,13W 系統供電之配電線路損失為P3W ,則下列敘述何 者 正 確 ?   (A)P3W = 4P2W   (B)P3W = 3P2W   (C)P3W = 0.5P2W

(D)P3W =0.25P2W 。

交流電源

          (a)12W 供電       (b)13W 供電                 圖( 八)

    25. 三相平衡 Y 接電源系統,n 為中性點,若線電壓分別為 220

0V 、 120V 及 -120V ,

下列有關相電壓 之敘述,何者正確? (A) =220150V

(B) = 220 150V   (C) = 22090V   (D) =

220 90V 。 交流電源

Page 13: 104統測試題 電機與電子群-專(一)電子學、基本電學

20.(D)  21.(B)  22.(B)  23.(C)  24.(D)  25.(A)

Page 14: 104統測試題 電機與電子群-專(一)電子學、基本電學

休息一下!看我一眼,茅塞頓開 析

第 一 部 分 : 電 子 學

1. V1(t) =8cos(20πt+13°) =8sin(20πt +103°) ,V2(t)=4sin(20πt +45°)

相位差 Δθ =103°-45° =58°

2. (A) 當溫度升高時本質半導體的電阻會變小。(C) 外質半導體中電洞與自由電子的濃度不相同。(D)N 型半導體內總電子數等於總質子數。

3. (A) 紅外線LED不可發紅色可見光。(B)LED 發光原理與白熾鎢絲燈泡不相同。(C) 矽 二 極 體 之 障 壁 電 壓 為 0.6V~ 0.7V , 熱 當 電 壓 (thermal voltage) 為

26mV 。

4. Vr(p - p) = ,1V = ,C≅40μF5. Vdc =Vm - ,Vm =39.5V +0.5V=40V , =2.5

6. Vdc =0.636Vm ,Vm = ≅78.6V ,二極體的PIV =2Vm =157V

7. (A) 不適合作為訊號放大。(B) 集極電流與基極電流不會成正比。(D) 基- 射極與基- 集極間均為順向偏壓。

8. VBE順向偏壓,VE >VB ,VBC 逆向偏壓,VB >VC ,所以VE >VB

>VC

9. IB = =0.03mA

IC =βIB =100×0.03mA =3mA,Vo =10V -3mA×1.2kΩ =6.4V

10. VCE =10V -ICRC -IERE =10V -3.6V-3.03V =3.37V

11. IB = =11.9μA

rπ= ≅2.18kΩ

Page 15: 104統測試題 電機與電子群-專(一)電子學、基本電學

40kΩ//10kΩ//2.18kΩ =1.71kΩ

Ai = ≅39.27

12. Av = =- 0.533× =-48.9

13. 常作為射極隨耦器的電晶體組態為共集極組態。14. 達靈頓電路 (Darlington circuit) 之輸出阻抗低。15. (A) 變壓器耦合串級放大電路易受磁場干擾。

(B) 直接耦合串級放大電路之低頻響應佳。(C) 直接耦合串級放大電路前後級阻抗不容易匹配。

16. gm =2K(VGS-VT) =2 × 0.3mA/V2×(4V -2V) =1.2mA/V

17. VG =12V× =6V

VS =ID×RS =2mA × 0.5kΩ =1V ,VGS =VG -VS =6V -1V =5V

ID =K(VGS -VT)2 ,K = =0.22mA/V2

18. Av =-gm(RD//RL) =-0.5mA/V×(10kΩ//10kΩ)=-2.5

19. Ai =

=-2.5×

=-750

20. (1) 計算V1 ,V2 的輸出電壓:(此時V3 ,V4 接地)  Vo1 =( -1)×1V +( -1)×2V =-3V

(2) 計算V3 ,V4 的輸出電壓:(此時V1 ,V2 接地)

 V+= =  Vo2=V+(1+ )= =7V

(3) 輸出電壓Vo =Vo1 +Vo2 =-3V +7V =4V

21. (1) 計算V1 ,V2 的輸出電壓:(此時V3 ,V4 接地)  Vo1 =( -1)×( -1V) +( -1)×2V =-1V

(2) 計算V3 ,V4 的輸出電壓:(此時V1 ,V2 接地)

Page 16: 104統測試題 電機與電子群-專(一)電子學、基本電學

  V + = × (-3V +V4 )

  Vo2 =V + ( ) = ×(-3V +V4)×3 =-3V

+V4

(3)Vo =0V =Vo1 +Vo2 =-1V +-3V +V4 ,V4 =4V

22. V + =Vi× +3V× = Vi +1V =±2V +1V 的

三角波當 V + >0V 時,Vo =+10V ,當V + <0V 時,Vo =-10V

Vav = =5V

23. VU = Vref + ( +Vsat)

4V =

R1 =1.5kΩ

24. VD = = 4V -

10V =-6V25.

(圖形資料來源: Texas Instruments )555 計時IC的控制電壓腳(第5 腳)不可改變輸出之電壓大小。

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第 二 部 分 : 基 本 電 學

1. WT =W1 +W2 =Q(VA -VB) +Q(VC -VA)

= 10 (50 -10) +10 (30 -50) =400 -200 =+200J

2. T=Tu +Ts = = =300hr

3. = = N =3 =N =100 3 =300m

4. I = = =3A

E=IRT =3 (2 +3 +4) =27V

5. I2= = =5A

由 Node A 利用K.C.L. 可得I1 +I2 =2 +4

I1=2 +4 -I2 =(2 +4) -5 =1A

再利用 K.C.L. 可得7 +I1 +3 +I =6 +4 +1 +5

∴I =5A

6. ∵I2 =0A 代表電橋平衡 R 6 =4 9 R =6

∴I1 = = =3A

7. 利用密爾門定律可得:Vc =ΣIin(c)Rcb =ETH

= =12V

RN =RTH =Rab(oc)| 移 去 電 源

= R2+ =3 + =5

∴IN = = =2.4A

8. Vc =ETH 分壓律

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9 =12 RL =3

9. Vo =E1 =+60V ,利用節點電壓法

+ + =0

+ + =0

0.7V1 -0.25V2 =15…………

+ + =0

+ + =0

- 0.25V1 +0.95V2 =17…………

10. CT =CX CY =QS =CTVT = =6000

VY = = =200V

11. WL = = =4J

∵L = 0.5 = ∴N =200 匝

12. LX = = =0.04H =40mH

M = = =72mH

13. 利用戴維寧定理化成下圖等效電路

Eo =E = =40V

Ro =R1 R2=3k 6k=2

ic(0)= = =7mA

RTH =R3+(R1 R2) =2k+(3k 6k) =4

=RTHC = =0.2sec

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14. RTH =(6 6) +2 =5  ETH =E = =6V

= = =1ms  iL(tm) = = =1.2A

t =1sec =1000  故電感已達儲能穩態iL(1) =iL(tm) =1.2A

15. f = = =25Hz

Vrms = = =100V

16. = = =

17. = = =

= = =

= = =

R= = =2

18. iR= =

= =

19. = =

= = =

= =

∴ = =

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= =

20. S =EI=110 5 =550VA

21. IR = = =10A

I = = =12.5A

IL= = =

XL = = = ≒

23. Pav = = =160W

24. I2W = = =20A

I3W = = =10A

P2W = = =800r

P3W = = =200r

= = P2W =4P3W或P3W =0.25P2W

25. ∵ =

∴ = =

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試 題 分析

一 、 命 題 焦 點

●基 本 電 學 :

今年的試題每一題均有創意,且全部皆為計算題,相關觀念都融於計算中,若學生程度不佳或計算時不夠用心、仔細,很難取得高分。

此次試題很少考古題,故同學應多作試題演練,提升熟悉度與計算能力,才能期待取得高分。

●電 子 學 :

命題平均分配於所有章節,其中以二極體之應用電路、電晶體直流偏壓電路、電晶體放大電路、運算放大器及基本振盪電路為主,命題包含理論綜合觀念與理論計算,其中第11 、12題計算過程繁雜,學生需要花多一些時間,整體而言,難度適中。

二 、 配 分 比 例 表基本電學 題數 電子學 題數

電學概論 1 概論 1

電阻 1 二極體 2

串並聯電路 3 二極體之應用電路 3

直流網路分析 3 雙極性接面電晶體 1

電容與靜電 2 電晶體直流偏壓電路 3

電感與電磁 2 電晶體放大電路 3

直流暫態 2 串級放大電路 2

交流電 2 場效電晶體 2

基本交流電路 3 場效電晶體放大電路 2

交流電功率 1 運算放大器 3

諧振電路 3 基本振盪電路 3

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交流電源 2

合  計 25 合  計 25