- +

מל"מE(ev)=h

- + - + - +- +- +100 מיקרון

y

xz

דיפוזיה, ומצב מתמיד

E(ev)=h

yx

z

דיפוזיה, תלות בזמן

V

yx

z

הוספת שדה חשמלי

E

V

p

R

ScopeC

ניסוי היינס-שוקלי

E(ev)=h

tE

d :tזמן הגעת הפולס

t:Dרוחב הפולס

בדיקת יחס אינשטיין

p מגע מעביר חורים בלבד:ניתן לחלץ

E

E(ev)=h

E(ev)=h

. העירור האופטי Nהחומר הוא סוג מורגש בעיקר בנושאי המיעוט ולכן

מטפלים בהם בלבד.אבל -

שאיפה לשמירה על נייטרליות מקומית (משיכה בין אלקטרון לחור- שדה פנימי)

האלקטרונים עוקבים אחר תנועת החורים

x

p

x

nJJ eh

ˆ

;

dx

dpqDEqpJ

dx

dnqDEqnJ

hhh

eee

h

hh

e

ee

qpdxdp

qDJ

qndxdn

qDJE

x

p

n

D

p

D

npq

J

e

e

h

h

eh

h

ˆ11

דיפוזיה אמביפולרית

x

p

n

D

p

D

npq

J

e

e

h

h

eh

h

ˆ11

x

pqD

x

p

np

nD

pD

qJ Ambipolar

eh

e

e

h

h

h

ˆˆ

11

eh

heehAmbipolar np

pDnDD

q

kTD

נניח שיחס אינשטיין מתקיים:

eh

ehAmbipolar nDpD

pnDDD

P<<nhAmbipolar DD

eh

ehAmbipolar nDpD

pnDDD

P~n

eh

ehAmbipolar DD

DDD

2

ננסה לבחון כעת בנייה של רכיבים בעזרת שליטה על הסימום שזהוא מעביר זרם חד-כווני)PN(בסוף התהליך נגיע לדיודה

0

0

dx

dpqDEqpJ

dx

dnqDEqnJ

hhh

eee

ריכוז שיגים

Xמה קורה בשיווי משקל? מה יהיה פילוג נושאי מטען?

dx

pd

pq

kT

dx

pd

p

DE

dx

nd

nq

kT

dx

nd

n

DE

h

h

e

e

11

11

)()(תיווצר דיפויה שתפר קלות את ויווצר שדה פנימי: xNxn D

או

או

)()( xNxn D

dx

dN

Nq

kT

dx

nd

nq

kT

dx

nd

n

DE D

De

e 111

)(

)(ln

1

1)(

1

2

2

1

2

1

xN

xN

q

kTV

dNNq

kTV

dxdx

dN

Nq

kTdxxEV

D

DBI

x

x

DD

BI

x

x

D

DBI

השדה הפנימי יוצר מפל מתח פנימי

זהוא אחד האפקטים החשובים !!!

meV60 (טמפ. חדר)10 לשינוי צפיפות פי

מניחים קוואזי נייטרליות:

ND1 ND2

איך יראה ההתקן הבא במפת אנרגיה?

ND2=10 ND1

EC

EV

אם הם לא נוגעים ואין דיפוזיה:

אם יש דיפוזיה נוצר מפל מתח באזור המגע:

EC

EV

JeDiff-

JeDriftVBI

1

212 ln

12

1D

Dx

x DD

BI N

N

q

kTdN

Nq

kTVVV

12