c035_tes08426p_tk203273transistor

7/23/2019 C035_TES08426P_TK203273TRANSISTOR

http://slidepdf.com/reader/full/c035tes08426ptk203273transistor 1/16

TRANSISTOR



Dasar-dasar Transistor

Ada dua jenis transistor :

Transistor Bipolar atau BJT (bipolar junction

transistor ).

Transistor unipolar seperti misalnya FET (field-effect transistor ).

Dibandingkan dengan FET BJT dapat memberikan

penguatan yang jau! lebi! besar dan tanggapan

"rekuensi yang lebi! baik. #ada BJT baik pemba$a muatan mayoritas

maupun pemba$a muatan minoritas mempunyai

peranan yang sama pentingnya.



Transistor Bipolar atau BJT

Terdapat dua jenis kontruksi dasar BJT yaitu jenis n-p-n dan jenis p-n-p.

%ntuk jenis n-p-n BJT terbuat dari lapisan tipis semikonduktortipe- p dengan tingkat doping yang relati" renda! yang diapit ole!

dua lapisan semikonduktor tipe-n. Bagian di tenga! disebut &basis' (base) sala! satu bagian tipe-n

(biasanya mempunyai dimensi yang keil) disebut &emitor'(emitter ) dan yang lainya sebagai &kolektor' (collector ).



Transistor Bipolar atau BJT#engoperasian transistor jenis n-p-n :

ambungan emitor berpanjar maju dengan e"ek daritegangan panjar V EB terjadi penurunan tegangan peng!alang

pada sambungan emitor dan memberi kesempatan pada

elektron melakukan injeksi ke basis dimana pada daera! ini

miskin elektron (minoritas).

ambungan kolektor berpanjar mundur sebagai e"ek daripemasangan tegangan panjar V CB akan menaikkan potensial

peng!alang pada sambungan kolektor. *arena daera! basis

sangat tipis !ampir semua elektron yang terinjeksi pada basis

tersapu ke kolektor dimana mereka melakukan rekombinasi

dengan lubang yang &disediakan' dengan pemasangan

baterai luar.

ebagai !asilnya terjadi trans"er arus dari rangkaian emitor ke

rangkaian kolektor yang besarnya !ampir tidak tergantung

pada tegangan kolektor-basis.



KARAKTERISTIK TRANSISTOR Dasar pengoperasian BJT untuk kasus saat

sambungan kolektor-basis berpanjar mundurdan sambungan emitor-basis berpanjar maju. Arus emitor sebagai "ungsi dari tegangan emitor-basis sebagai :

untuk transistor n-p-n, dimana V T + , m padatemperatur ruang.

I o berasal dari pemba$a muatan !asil generasitermal se!ingga seara kuat merupakan "ungsitemperatur dan !arganya !ampir berlipat duauntuk setiap kenaikan /0o1. 2arga I 0 sangatber3ariasi dari satu transistor ke transistor yanglain $alaupun untuk tipe dan pabrik yang sama.



KARAKTERISTIK

TRANSISTOR

Arus emiter berdi"usi ke daera! basis dan meng!asilkan arus

kolektor dimana !arganya lebi! besar dari arus basis :

Dimana 4 merupakan parameter transistor terpenting kedua

dan disebut sebagai penguatan arus (current gain – sering

dinyatakan dengan simbul hfe atau hFE untuk kasus tertentu).



KARAKTERISTIK TRANSISTOR

2arga 4 sangat ber3ariasi dari satu transistor ketransistor lain $alaupun untuk tipe yang sama.

%ntuk transistor tipe ,560 (biasanya digunakanuntuk arus besar) hFE untuk arus 7 A dapatber!arga dari ,0 8 90. 2arga h FE mengalamiperuba!an ter!adap !arga arus kolektor naik dari

6, pada /0 mA ke maksimum , pada arus 6A danselanjutnya jatu! ke !arga / untuk arus /0A.

%ntuk transistor tipe ;<6=71 (biasa digunakanuntuk arus renda!) hFE untuk arus / mA beruba!dari ,, ke !arga lebi! dari 00. 2arga hFE dapat

naik dari 6=0 pada arus / mA ke !arga >00 padaarus /0 mA.



*arakteristik *eluaran

*on"igurasi Basis-Bersama

(Common-Base Configuration)

Disebut kon"igurasi basis bersama karena basis digunakanuntuk terminal masukan maupun keluaran.

*arena sambungan emitor-basis seperti diode berpanjarmaju maka karakteristik masukan rangkaian ini miripdengan karakteristik diode.

E"ek dari tegangan kolektor-basis CB ukup keil. Dengan CB ber!arga positi" dan emitor !ubung terbuka i E + 0 3oltdan bagian basis kolektor berpanjar mundur. ( CB ber!arganegati" akan membuat sambungan kolektor-basis berpanjarmaju dan akan mengalir i C ber!arga negati").

%ntuk i E !0, i C ≅ I CB" karakteristik kolektor mirip dengan

karakteristik diode pada kuadran tiga. %ntuk i E + - mA arus kolektor meningkat sebesar

-α i E ! ? mA dan menampakkan bentuk kur3a. *arena"aktor α selalu lebi! keil dari satu ( 4@(4 ? /)) maka searapraktis kon"igurasi basis-bersama tidak baik sebagai penguatarus.



*on"igurasi Emitor-Bersama (Common-

Emitter Configuration)

*on"igurasi emitor-bersama lebi! seringdigunakan sebagai penguat arus.

esuai dengan namanya emitor dipakaibersama sebagai terminal masukan

maupun keluaran. Arus input dalam kon"igurasi ini adala! i B

dan arus emitor i E ! -#i C $ i B % karenanyabesarnya arus kolektor adala!





%ntuk menyeder!anakan persamaan

tersebut kita tela! mendi"inisikan &nisba!

trans"er arus' sebagai :

besarnya arus cutoff kolektor sebagai :





Dengan demikian bentuk seder!ana

persamaan arus keluaran (kolektor) dalam

bentuk arus masukan (basis) dan nisba!

trans"er-arus adala!



Karakteristik keluaran

konfigurasi emitor-bersama



Karakteristik konfigurasi emitor-

bersama dengan V CE tinggi.



Karakteristik konfigurasi emitor-

bersama dengan V CE renda.



1onto! ebua! transistor silikon n-p-n memiliki + 0==

dan I CB" ! &0 -&& ' terangkai seperti pada gambar di

ba$a!. #erkirakan besarnya i C , i E dan V CE .#er!atikan ba!$a pada penggambaran rangkaianelektronika sumber tegangan (baterai) biasanyadi!ilangkan diasumsikan ba!$a terminal ?/0(dalam kasus soal ini) di!ubungkan dengan tana!.

c035_tes08426p_tk203273transistor

Documents